JP2004071927A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン膜で抵抗31を形成し、その表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bを形成する。抵抗31がアモルファスシリコンであるので、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が結合しにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、コンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されているので、コンタクトプラグ5a,5bのためのコンタクトホールをエッチングにて第1層間絶縁膜4aに形成する際に、抵抗31へのエッチングが生じにくい。これにより、抵抗31の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【選択図】 図1
【解決手段】アモルファスシリコン膜で抵抗31を形成し、その表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bを形成する。抵抗31がアモルファスシリコンであるので、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が結合しにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、コンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されているので、コンタクトプラグ5a,5bのためのコンタクトホールをエッチングにて第1層間絶縁膜4aに形成する際に、抵抗31へのエッチングが生じにくい。これにより、抵抗31の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコン膜を抵抗として用いる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体装置内に形成される抵抗の材料として、例えばポリシリコン膜等のシリコン膜が採用されている。
【0003】
図38および図39は、ポリシリコン膜で形成された抵抗を備える従来の半導体装置を示す上面図および断面図である。この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として半導体基板1内の素子分離領域2上に形成されている。抵抗30の表面の両端には、コンタクトプラグ5a,5bが接続されている。そして、各コンタクトプラグ5a,5bはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6a,6bに接続される。配線6a,6b上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0004】
なお、半導体基板1は例えばシリコン基板であり、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。半導体基板1の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a,1bが形成されている。また、コンタクトプラグ5a,5bは例えばタングステンプラグであり、配線6a,6bは例えばアルミニウム配線である。第1および第2層間絶縁膜4a,4bは例えばシリコン酸化膜で形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図39における拡大図MV1は、抵抗30内の領域ARを拡大した図である。拡大図MV1に示すように、ポリシリコン膜においては、部分的な単結晶領域たるグレインGRが多数集合した状態となっている。各グレインGR間の粒界BSには、シリコン原子の未結合手(dangling bond)が存在する。
【0006】
さて、半導体装置の製造過程においては半導体ウェハを水素雰囲気に晒す場合があるが、このときシリコン原子の未結合手に水素原子が結合しやすい。図39の拡大図MV2はこのことを示す図であり、粒界BSに水素原子HYが入り込んでいる。水素原子HYが入り込むと、抵抗30の抵抗値が変化して設計抵抗値からずれてしまうという問題がある。
【0007】
そこで、この発明の課題は、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗を備え、前記抵抗の少なくとも表面部分がアモルファスシリコンであり、前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された半導体装置である。
【0009】
請求項2に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うシリコン窒化膜とを備え、前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された半導体装置である。
【0010】
請求項3に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗に接して設けられたシリコンゲルマニウム膜とを備える半導体装置である。
【0011】
請求項4に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗とは絶縁されつつ前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の半導体装置であって、前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記ダミーコンタクトプラグ上に形成されたダミー配線をさらに備える半導体装置である。
【0013】
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である半導体装置である。
【0014】
請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグ内には前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている半導体装置である。
【0015】
請求項8に記載の発明は、支持基板、埋め込み絶縁膜、および、シリコン層の積層構造を有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、前記SOI基板上に形成され、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記抵抗の近傍に形成され、前記埋め込み絶縁膜および前記シリコン層を貫通するダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0016】
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗の上方を覆うダミー配線をさらに備える半導体装置である。
【0017】
請求項10に記載の発明は、請求項8または請求項9に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である半導体装置である。
【0018】
請求項11に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグは複数の柱状導体であり、並置されている半導体装置である。
【0019】
請求項12に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグは複数の壁状導体であり、前記抵抗を挟むように並置され、前記複数の壁状導体の一部または全部において、その内部に前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている半導体装置である。
【0020】
請求項13に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗に接続されたコンタクトプラグと、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記コンタクトプラグに接続された配線と、前記抵抗の近傍であって前記抵抗を覆わない位置に、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記配線に接続されたダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0021】
請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグの材料は金属である半導体装置である。
【0022】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
本実施の形態は、アモルファスシリコン膜で抵抗を形成し、その表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドを形成した半導体装置である。
【0023】
図1は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図1に示すように、この半導体装置において、抵抗31はアモルファスシリコン膜を材料として半導体基板1内の素子分離領域2上に形成されている。抵抗31の側面にはサイドウォール絶縁膜36aが形成され、表面の両端にはコンタクトプラグ5a,5bが接続されている。なお、抵抗31の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部には、シリサイド32a,32bが形成されている。そして、各コンタクトプラグ5a,5bはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6a,6bに接続される。配線6a,6b上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0024】
なお、半導体基板1は例えばシリコン基板であり、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。半導体基板1の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a〜1cが形成されている。
【0025】
また、図1では半導体基板1上に形成されたMOSトランジスタも図示している。このMOSトランジスタは、活性領域1b,1cをソース/ドレインとして備え、さらに、ゲート絶縁膜35、ゲート電極34、サイドウォール絶縁膜36bを備えている。なお、活性領域1a,1b,1cおよびゲート電極34の表面には、シリサイド1as,1bs,1cs,34sがそれぞれ形成されている。そして、シリサイド1bs,1csにつながるコンタクトプラグ5c,5dが設けられている。コンタクトプラグ5c,5dはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6c,6dに接続される。
【0026】
コンタクトプラグ5a〜5dは例えばタングステンプラグであり、配線6a〜6dは例えばアルミニウム配線である。第1および第2層間絶縁膜4a,4bは例えばシリコン酸化膜で形成される。また、ゲート電極34は例えばポリシリコン膜で形成される。
【0027】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗31がアモルファスシリコンである。よって、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が取り込まれにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0028】
また、抵抗31の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されている。よって、コンタクトプラグ5a,5bのためのコンタクトホールをエッチングにて第1層間絶縁膜4aに形成する際に、抵抗31へのエッチングが生じにくい。
【0029】
抵抗31の表面がエッチングされてしまうと、コンタクトプラグ5a,5bとの接続部におけるコンタクト抵抗の値にばらつきが生じやすい。しかし、シリサイド32a,32bが形成されておれば、そのようなコンタクト抵抗の値にばらつきが生じにくいので、抵抗31の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。なお、コンタクトプラグ5a,5bの端部からのシリサイド32a,32bの端部までのマージンdは1μm程度としておけばよい。
【0030】
また、図2は本実施の形態に係る半導体装置の変形例である。図2に示すように、図1のアモルファスシリコン膜を材料とする抵抗31に代わって、ポリシリコン膜を材料とする抵抗30の表面部分をアモルファスシリコン層33とした構造を採用してもよい。抵抗30の少なくとも表面部分がアモルファスシリコン層33となっておれば、水素原子の抵抗への侵入防止作用が得られるからである。
【0031】
さて、図3〜図8は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0032】
まず、図3に示すように、半導体基板1内に熱酸化法等により素子分離領域2を形成する。その後、MOSトランジスタのチャネル領域に、例えばボロン等の不純物イオンを数十〜数百keVのエネルギーで注入する。そのイオン注入濃度は1012cm−2オーダーとしておけばよい。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0033】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、これに窒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入する。そのイオン注入濃度は1015cm−2オーダーとしておけばよい。また、ポリシリコン膜にはリンも数十keV程度のエネルギーでイオン注入する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0034】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図4に示すように抵抗30、ゲート絶縁膜35およびゲート電極34を形成する。なお、ゲート絶縁膜35の膜厚は数nm程度、ゲート電極34の膜厚は数百nm程度としておけばよい。
【0035】
次に、半導体基板1に例えば砒素等の不純物イオンを数十keV程度のエネルギーで注入する。そして、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えばCVD(ChemicalVapor Deposition)法等により全面に形成し、エッチバックを行って図5に示すようにサイドウォール絶縁膜36a,36bを形成する。そして再度、半導体基板1に例えば砒素等の不純物イオンを数十keV程度のエネルギーで注入し、活性領域1a〜1cを形成する。活性領域1a〜1cでのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0036】
次に、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を抵抗30上に形成する。そして、半導体基板1、ゲート電極34、活性領域1a〜1c、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、図6に示すように各シリサイド1as〜1cs,32a,32b,34sを形成する。なお、図1および図2においてはこの絶縁層4a1の表示を省略した。
【0037】
続いて、図7に示すように、抵抗30以外の部分をフォトレジストPR1で覆い、シリコンのイオン注入IP1を数十keV程度のエネルギーで行う。ポリシリコン膜の抵抗30にシリコンをイオン注入すれば、ポリシリコン膜のアモルファス化が生じることが知られている。よって、図2の構造を製造するには、図1の構造を製造する際のシリコン注入におけるエネルギー量を少なくすればよい。なお、そのイオン注入濃度は1016cm−2オーダーとしておけばよい。
【0038】
なお、図7ではゲート電極34をフォトレジストPR1で覆っているため、ゲート電極34はポリシリコンのままとなるが、ゲート電極34についてもアモルファス化してもよい。また、図4〜図6のいずれかの段階でアモルファス化を行ってもよい。
【0039】
その後、図8に示すように、フォトレジストPR1を除去し、第1層間絶縁膜4aを形成する。そして、第1層間絶縁膜4aの各部にコンタクトホールを形成し、その内部にタングステン等の導電膜を形成する。そして、表面にCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理を施してコンタクトプラグ5a〜5dを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a〜6dを形成する。
【0040】
この後、第2層間絶縁膜4bを形成すれば、図1または図2の構造を製造することができる。
【0041】
<実施の形態2>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その表面をシリコン窒化膜で覆い、その表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドを形成した半導体装置である。
【0042】
図9は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図9に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上に下敷きシリコン窒化膜41を介して形成されている。また、抵抗30の上面および側面を覆うようにシリコン窒化膜42が形成されている。
【0043】
その他の構成は、実施の形態1に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0044】
シリコン窒化膜は、水素原子の抵抗30への侵入防止作用を有する。よって、本実施の形態に係る半導体装置によれば、下敷きシリコン窒化膜41およびシリコン窒化膜42が抵抗30の表面を覆うので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい。また、抵抗30の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗30へのエッチングが生じにくく、抵抗30の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0045】
さて、図10〜図15は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0046】
まず、図10に示すように、半導体基板1内に素子分離領域2を形成する。そして、半導体基板1上に、シリコン酸化膜43、シリコン窒化膜41、ポリシリコン膜30aをこの順に積層する。なお、それぞれの膜厚は例えば数十nm、数十nm、数百nm程度である。
【0047】
その後、図11に示すように、フォトレジストPR2を形成し、これをエッチングマスクとして用いてエッチングを行い、抵抗30を形成する。このときシリコン酸化膜43およびシリコン窒化膜41もエッチングされる。その後、フォトレジストPR2を除去する。
【0048】
その後、MOSトランジスタのチャネル領域に、例えばボロン等の不純物イオンを数十〜数百keVのエネルギーで注入する。そのイオン注入濃度は1012cm−2オーダーとしておけばよい。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0049】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、絶縁膜とポリシリコン膜とをパターニングして、ゲート絶縁膜35およびゲート電極34を形成する(図12)。なお、ゲート絶縁膜35の膜厚は数十nm程度、ゲート電極34の膜厚は数百nm程度としておけばよい。
【0050】
そして、半導体基板1に例えば砒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入し、活性領域1a〜1cのエクステンション領域1ax〜1cxを形成する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0051】
その後、絶縁膜を全面に形成し、エッチバックを行ってサイドウォール絶縁膜36a,36bを形成する(図13)。そして、半導体基板1に例えば砒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入し、活性領域1a〜1cを形成する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0052】
次に、図14に示すように、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を抵抗30上に形成する。そして、半導体基板1、ゲート電極34、活性領域1a〜1c、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、各シリサイド1as〜1cs,32a,32b,34sを形成する。その後、全面にシリコン窒化膜42を形成する。
【0053】
次に、図15に示すように、第1層間絶縁膜4aを形成する。そして、第1層間絶縁膜4aおよびシリコン窒化膜42の各部にコンタクトホールを形成し、その内部にタングステン等の導電膜を形成する。そして、表面にCMP処理を施してコンタクトプラグ5a〜5dを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a〜6dを形成する。
【0054】
この後、第1層間絶縁膜4bを形成すれば、図9の構造を製造することができる。なお、図9ではシリコン酸化膜43を図示しなかったが、シリコン酸化膜43の形成は任意である。図9において抵抗30下にシリコン窒化膜41だけを形成してしまうと、半導体基板1や素子分離領域2の表面に応力がかかることがある。よって、その応力を緩和するためにシリコン酸化膜をシリコン窒化膜の下地層として設ける場合を、図10〜図15で示したにすぎない。
【0055】
なお、本実施の形態において、ポリシリコン膜の抵抗30の代わりに、図1のアモルファスシリコン膜の抵抗31や図2のポリシリコン膜の抵抗30とアモルファスシリコン層33との組み合わせを採用してもよい。
【0056】
<実施の形態3>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その下面をシリコンゲルマニウム膜で覆った半導体装置である。
【0057】
図16は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図16に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上にシリコンゲルマニウム膜44を介して形成されている。
【0058】
その他の構成は、実施の形態1に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。なお、図16でもサイドウォール絶縁膜36aは形成されていない。
【0059】
シリコンゲルマニウム膜は、抵抗30内の不純物を活性化させる作用を有する。よって、本実施の形態に係る半導体装置によれば、シリコンゲルマニウム膜44が抵抗30の下面に接して設けられているので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値を小さくすることが可能である。よって、抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0060】
<実施の形態4>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その表面のうち配線およびコンタクトプラグに挟まれた領域を、抵抗とは絶縁されたダミーコンタクトプラグで覆った半導体装置である。
【0061】
図17は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図である。また、図18および図19はそれぞれ、図17内の切断線XVIII−XVIII、XIX−XIXにおける断面図である。
【0062】
図17〜図19に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上に形成されている。また、抵抗30の上面および側面を覆うようにシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46が形成されている。シリコン窒化膜46上には、抵抗30とはシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46により絶縁されたダミーコンタクトプラグ5e、および、ダミーコンタクトプラグ5e上に形成されたダミー配線6eがさらに形成されている。なお、ダミーコンタクトプラグ5eは、コンタクトプラグ5a,5bと同様、例えばタングステンプラグで、ダミー配線6eは配線6a,6bと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。
【0063】
その他の構成は、図9に示した実施の形態2に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。なお、図18および図19ではサイドウォール絶縁膜36aが形成されている。
【0064】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗30の表面部分のうち配線6a,6bおよびコンタクトプラグ5a,5bに挟まれた領域を、抵抗30を覆う第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成され、抵抗30とは絶縁されたダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eが覆う。よって、ダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eが第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成されていることから、水素原子の抵抗30への侵入を防止する。特にダミーコンタクトプラグ5eおよび/またはダミー配線6eが上記タングステンやアルミニウムのように金属で形成されておれば上記防止作用がより優れている。また、金属であればダミーコンタクトプラグ5eおよび/またはダミー配線6eの形成が容易である。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0065】
また、ダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eは抵抗30とは絶縁されているので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値に影響を与えることがなく、その抵抗値の変動がより生じにくい。
【0066】
なお、本実施の形態におけるシリコン窒化膜46は、実施の形態2におけるシリコン窒化膜42と同様、水素原子の抵抗30への侵入を防止するための膜である。また、シリコン窒化膜46下のシリコン酸化膜45も、図11に示したシリコン酸化膜43と同様、トランジスタ(図示せず)への応力を緩和するための膜である。
【0067】
図20〜図25は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0068】
まず、図20に示すように、半導体基板1内に素子分離領域2を形成する。そして、隣接するMOSトランジスタ(図示せず)のチャネル領域にイオンを注入する。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0069】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、絶縁膜とポリシリコン膜とをパターニングして、図示しないMOSトランジスタのゲート絶縁膜およびゲート電極と、抵抗30とを形成する。なお、ポリシリコン膜には例えばリンを数十〜数百keV程度のエネルギーでイオン注入しておけばよい。そして、そのイオン注入濃度は例えば1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0070】
次に、シリコン酸化膜等を全面に形成し、エッチバックを行って図21に示すように、抵抗30の周囲にサイドウォール絶縁膜36aを形成する。そして、半導体基板1にイオン注入し、活性領域1a,1bを形成する。また、抵抗30上には、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を形成する。
【0071】
そして、図22に示すように、半導体基板1、図示しないMOSトランジスタのゲート電極、活性領域1a,1b、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、各シリサイド1as,1bs,32a,32bを形成する。その後、全面にシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46を形成し、第1層間絶縁膜4aを形成する。
【0072】
そして、図23に示すように、第1層間絶縁膜4a上にフォトレジストPR3を形成し、これにダミーコンタクトプラグ5e形成用のパターニングを行う。そしてエッチングを行って、第1層間絶縁膜4aにコンタクトホールOP1を形成する。
【0073】
次に、図24に示すように、全面にフォトレジストPR4を形成し、これにコンタクトプラグ5a,5b形成用のパターニングを行う。そしてエッチングを行って、第1層間絶縁膜4a、シリコン窒化膜46およびシリコン酸化膜45にコンタクトホールOP2を形成する。
【0074】
そして、図25に示すように、コンタクトホールOP1,OP2の内部にタングステン等の導電膜を形成して表面にCMP処理を施し、コンタクトプラグ5a,5bおよびダミーコンタクトプラグ5eを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a,6bおよびダミー配線6eを形成する。
【0075】
この後、第2層間絶縁膜4bを形成すれば、図17〜図19の構造を製造することができる。
【0076】
なお、本実施の形態において、ポリシリコン膜の抵抗30の代わりに、図1のアモルファスシリコン膜の抵抗31や図2のポリシリコン膜の抵抗30とアモルファスシリコン層33との組み合わせを採用してもよい。
【0077】
また、コンタクトプラグ5a,5bおよびダミーコンタクトプラグ5e、並びに、配線6a,6bおよびダミー配線6eの材料には、タングステン、アルミニウムに代わって、例えば銅、チタン、ニッケル、コバルト等を採用してもよい。
【0078】
<実施の形態5>
本実施の形態は、実施の形態4に係る半導体装置の変形例であり、図17〜図19のダミーコンタクトプラグ5e内に第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれるよう形成したものである。
【0079】
ダミーコンタクトプラグ5eの場合、図23に示したように、そのコンタクトホールOP1の開口部が広い。開口部が広いと、導電膜の埋め込みが完全に行われず、埋め込み不足が生じることがある。埋め込み不足が生じると、埋め込み不足の部分に、CMP処理時に発生する異物などが入り込み、素子特性に影響を及ぼす可能性がある。本実施の形態は、そのような埋め込み不足を発生させにくい構造の半導体装置である。
【0080】
図26は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図である。また、図27および図28はそれぞれ、図26内の切断線XXVII−XXVII、XXVIII−XXVIIIにおける断面図である。
【0081】
図26〜図28に示すように、この半導体装置においては、図17〜図19に示したコンタクトホールの開口部が広いダミーコンタクトプラグ5eに代わって、中空形状を有するダミーコンタクトプラグ5fが形成されている。なお、ダミーコンタクトプラグ5fも、コンタクトプラグ5a,5bと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。また、ダミーコンタクトプラグ5fの中空部内には第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれている。
【0082】
その他の構成は、図17〜図19に示した実施の形態4に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0083】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミーコンタクトプラグ5f内に第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれている。これにより、埋め込まれた第1層間絶縁膜4aの一部を囲む部分にのみ導電膜の埋め込みを行えばよいので、ダミーコンタクトプラグ5fの形成時に埋め込み不足が生じにくくなる。よって、ダミーコンタクトプラグ5fへの異物侵入の可能性を少なくすることができる。
【0084】
<実施の形態6>
本実施の形態も、実施の形態4に係る半導体装置の変形例であり、図17〜図19のダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eを多層に設けたものである。
【0085】
図29は本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図29に示すように、この半導体装置においては、第2層間絶縁膜4b内において、ダミー配線6e上にさらなるダミーコンタクトプラグ5gが設けられている。そして、ダミーコンタクトプラグ5gおよび第2層間絶縁膜4b上にさらなるダミー配線6fが設けられている。なお、第2層間絶縁膜4b上には、配線6g,6hも形成されている。
【0086】
その他の構成は、図17〜図19に示した実施の形態4に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0087】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミー配線6e上にさらなるダミーコンタクトプラグ5gが形成されているので、水素原子の抵抗30への侵入がより防止され、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0088】
<実施の形態7>
本実施の形態は、SOI(Silicon On Insulator)基板上にシリコン膜を材料とする抵抗を形成した場合に、その抵抗の近傍にダミーコンタクトプラグを形成する半導体装置である。
【0089】
図30および図31は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図31は、図30内の切断線XXXI−XXXIにおける断面図である。
【0090】
図30および図31に示すように、この半導体装置においては、半導体基板が、シリコン基板等の支持基板11、シリコン酸化膜等の埋め込み絶縁膜12、および、シリコン層13の積層構造を有するSOI基板となっている。
【0091】
そして、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、シリコン層13中の素子分離領域2上に形成されている。抵抗30の側面にはサイドウォール絶縁膜36aが形成され、表面の両端には例えばタングステンプラグたるコンタクトプラグ5hが接続されている。なお、抵抗30の表面部分のうちコンタクトプラグ5hの接続部には、シリサイド32bが形成されている。そして、各コンタクトプラグ5hはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の例えばアルミニウム配線たる配線6iに接続される。第1層間絶縁膜4aおよび配線6i上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0092】
なお、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。また、SOI層13の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a,1bが形成されている。活性領域1a,1bの表面にもシリサイド1as,1bsが形成されている。
【0093】
さて、本実施の形態においては、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通するダミーコンタクトプラグ5j,5kが抵抗30の近傍に形成されている。また、第1層間絶縁膜4a上には、ダミーコンタクトプラグ5j,5kにそれぞれつながるダミー配線6k,6jも形成されている。
【0094】
第2層間絶縁膜4b中には、ダミー配線6k,6jにそれぞれつながる他のダミーコンタクトプラグ5i,5lも形成されている。そして、第2層間絶縁膜4b上には、抵抗30の上方を覆い、ダミーコンタクトプラグ5i,5lに共通してつながるダミー配線6lも形成されている。
【0095】
なお、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lは、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで、ダミー配線6j〜6lは配線6iと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。また、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lは複数の柱状導体であり、並置されている。
【0096】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lが第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料(水素原子の抵抗30への侵入防止作用を有する金属等の材料)で抵抗30の近傍に形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lが水素原子の抵抗30への侵入を防止し、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0097】
なお、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lの材料が金属で形成されておれば、水素原子の抵抗30への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるので、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lの形成が容易である。
【0098】
また、ダミーコンタクトプラグ5jがSOI基板の埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13を貫通している。よって、SOI基板内部からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。
【0099】
また、抵抗30の上方を覆うダミー配線6lが形成されているので、上方からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0100】
また、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lが複数の柱状導体であり、並置されている。図30において、各ダミーコンタクトプラグが複数の柱状導体に分割されておらず一体であったと仮定すると、広い開口部に導電膜を埋め込む必要がある。この場合、実施の形態5において述べたように、導電膜の埋め込みが完全に行われず、埋め込み不足が生じる可能性が考えられる。しかし、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lが複数の柱状導体として並置される構造であれば、個々の埋め込み開口部は狭くなり、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lの形成時に埋め込み不足が生じにくい。よって、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lへの異物侵入の可能性が少ない。
【0101】
<実施の形態8>
本実施の形態は、実施の形態7に係る半導体装置の変形例であり、図30および図31のダミーコンタクトプラグ5i〜5lを、抵抗30を挟むように並置された複数の壁状導体に置き換えたものである。さらに、この壁状導体の一部には中空部が設けられ、その内部に第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。
【0102】
図32および図33は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図33は、図32内の切断線XXXIII−XXXIIIにおける断面図である。
【0103】
図32および図33に示すように、この半導体装置においては、図30および図31の柱状導体たるダミーコンタクトプラグ5i〜5lに代わって、壁状導体たるダミーコンタクトプラグ5m〜5pが形成されている。
【0104】
このうち、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通する。また、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、抵抗30を挟むように並置されている。ダミーコンタクトプラグ5m,5oも、抵抗30を挟むように並置されている。
【0105】
また、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、第1層間絶縁膜4a上のダミー配線6k,6jにつながり、第2層間絶縁膜4b中において、他のダミーコンタクトプラグ5m,5oがダミー配線6k,6jにそれぞれつながっている。そして、第2層間絶縁膜4b上において、ダミーコンタクトプラグ5m,5oにダミー配線6lがつながっている。なお、ダミーコンタクトプラグ5m〜5pも、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。
【0106】
なお、本実施の形態においては、図32に示すように、ダミーコンタクトプラグのうち5m,5nに複数の中空部HLが設けられている。中空部HL内には第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。その他の構成は実施の形態7に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0107】
本実施の形態にかかる半導体装置においては、ダミーコンタクトプラグ5m〜5pは複数の壁状導体であり、抵抗30を挟むように並置されている。よって、実施の形態7の柱状導体の場合に比べ、水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。
【0108】
また、ダミーコンタクトプラグ5m,5nにおいては、中空部HLが設けられ、その内部に第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。これにより、中空部HLを囲む部分にのみ導電膜の埋め込みを行えばよいので、ダミーコンタクトプラグ5m,5nの形成時に埋め込み不足が生じにくくなる。よって、ダミーコンタクトプラグ5m,5nへの異物侵入の可能性を少なくすることができる。
【0109】
<実施の形態9>
本実施の形態は、実施の形態7および8に係る半導体装置の変形例であり、抵抗30への配線6iに接続されるダミーコンタクトプラグを、抵抗30の近傍であって抵抗30を覆わない位置にさらに形成するものである。
【0110】
図34は、実施の形態7に係る半導体装置における問題点を示す図である。実施の形態7に係る半導体装置の場合、抵抗30を挟んだ領域にはダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j,6kが形成され、抵抗30の上方にはダミー配線6lが形成されている。よって、それらの方向からの水素原子の抵抗30への侵入は防止することが可能である。
【0111】
しかし、図34の領域ARのように、抵抗30にコンタクトプラグ5hを介して接続される配線6iが引き出される領域についてはダミーコンタクトプラグが設けられていないので、この部分から水素原子が入り込み、抵抗30に侵入する可能性があった。
【0112】
そこで、本実施の形態においては、この領域に抵抗30への配線に接続されるダミーコンタクトプラグを設ける。図35および図36は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図36は、図35内の切断線XXXVI−XXXVIにおける断面図である。
【0113】
図35および図36に示すように、この半導体装置においては、抵抗30へのコンタクトプラグ5hにつながる配線6nの形状を、ダミー配線6lの終端部近傍(すなわち、配線6iの引き出し部分のうち抵抗30を覆わない位置)で拡大し、その部分にダミーコンタクトプラグ5q,5rをさらに形成している。なお、ダミーコンタクトプラグ5qは、第2層間絶縁膜4b内において配線6n上に形成されている。また、ダミーコンタクトプラグ5rは、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通して形成されている。第2層間絶縁膜4b上にはダミーコンタクトプラグ5qにつながるダミー配線6mも形成されている。
【0114】
なお、ダミーコンタクトプラグ5q,5rも、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。また、ダミー配線6mも配線6nと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。
【0115】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗30への配線6nに接続されたダミーコンタクトプラグ5q,5rが、抵抗30の近傍であって抵抗30を覆わない位置に第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグ5q,5rが水素原子の抵抗への侵入を防止し、配線6nの延びる方向からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0116】
なお、ダミーコンタクトプラグ5q,5rの材料が金属で形成されておれば、水素原子の抵抗30への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるので、ダミーコンタクトプラグ5q,5rの形成が容易である。
【0117】
なお、米国特許5530418号には、図34の上面図と類似した構造であって、SOI基板でなくバルク基板を採用した構造の発明が開示されている。本実施の形態は、そのような構造にも適用可能である。
【0118】
図37は本実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。図37においては、図36におけるSOI基板に代わって、バルク基板たる半導体基板1が採用されている。半導体基板1内には素子分離領域2と活性領域1aが形成されている。活性領域1aの表面にはシリサイド1asも形成されている。
【0119】
バルク基板が採用されたことで、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12および素子分離領域2を貫通していたダミーコンタクトプラグ5rに代わって、素子分離領域2に接するダミーコンタクトプラグ5sが第1層間絶縁膜4a内に形成されている。また、同様に第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12および素子分離領域2を貫通していたダミーコンタクトプラグ5jに代わって、シリサイド1asに接するダミーコンタクトプラグ5tが第1層間絶縁膜4a内に形成されている。それ以外の構造は図36と同様のため、説明を省略する。
【0120】
このような構造の場合も、抵抗30への配線6nに接続されるダミーコンタクトプラグ5q,5sが、配線6nの延びる方向からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止する。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0121】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、シリコン膜を材料とする抵抗の少なくとも表面部分がアモルファスシリコンである。よって、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が取り込まれにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、抵抗の表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗へのエッチングが生じにくく、抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0122】
請求項2に記載の発明によれば、抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を、水素原子の抵抗への侵入防止作用を有するシリコン窒化膜が覆う。よって、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、抵抗の表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗へのエッチングが生じにくく、抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0123】
請求項3に記載の発明によれば、抵抗内の不純物の活性化作用を有するシリコンゲルマニウム膜が、抵抗に接して設けられる。よって、抵抗の抵抗値を小さくすることが可能であり、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0124】
請求項4に記載の発明によれば、抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を、層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、抵抗とは絶縁されたダミーコンタクトプラグが覆う。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、ダミーコンタクトプラグは抵抗とは絶縁されているので、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値に影響を与えることがなく、その抵抗値の変動がより生じにくい。
【0125】
請求項5に記載の発明によれば、層間絶縁膜とは異なる材料でダミーコンタクトプラグ上にダミー配線が形成される。よって、ダミー配線が水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0126】
請求項6に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の形成が容易である。
【0127】
請求項7に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグ内に層間絶縁膜の一部が埋め込まれている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0128】
請求項8に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグが層間絶縁膜とは異なる材料で抵抗の近傍に形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、ダミーコンタクトプラグがSOI基板の埋め込み絶縁膜およびシリコン層を貫通している。よって、SOI基板内部からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止できる。
【0129】
請求項9に記載の発明によれば、層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、抵抗の上方を覆うダミー配線をさらに備える。よって、ダミー配線が水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、上方からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0130】
請求項10に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の形成が容易である。
【0131】
請求項11に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグは複数の柱状導体であり、並置されている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0132】
請求項12に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグは複数の壁状導体であり、抵抗を挟むように並置されている。よって、柱状導体の場合に比べ、水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止できる。また、複数の壁状導体の一部または全部において、その内部に層間絶縁膜の一部が埋め込まれている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0133】
請求項13に記載の発明によれば、抵抗への配線に接続されたダミーコンタクトプラグが、抵抗の近傍であって抵抗を覆わない位置に層間絶縁膜とは異なる材料で形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、配線の延びる方向からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0134】
請求項14に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグの材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグの形成が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。
【図2】実施の形態1に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図3】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図4】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図5】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図6】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図7】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図8】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図9】実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。
【図10】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図11】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図12】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図13】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図14】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図15】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図16】実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。
【図17】実施の形態4に係る半導体装置を示す上面図である。
【図18】実施の形態4に係る半導体装置を示す断面図である。
【図19】実施の形態4に係る半導体装置を示す他の断面図である。
【図20】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図21】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図22】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図23】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図24】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図25】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図26】実施の形態5に係る半導体装置を示す上面図である。
【図27】実施の形態5に係る半導体装置を示す断面図である。
【図28】実施の形態5に係る半導体装置を示す他の断面図である。
【図29】実施の形態6に係る半導体装置を示す断面図である。
【図30】実施の形態7に係る半導体装置を示す上面図である。
【図31】実施の形態7に係る半導体装置を示す断面図である。
【図32】実施の形態8に係る半導体装置を示す上面図である。
【図33】実施の形態8に係る半導体装置を示す断面図である。
【図34】実施の形態7に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【図35】実施の形態9に係る半導体装置を示す上面図である。
【図36】実施の形態9に係る半導体装置を示す断面図である。
【図37】実施の形態9に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図38】従来の半導体装置を示す上面図である。
【図39】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
30,31 抵抗、32a,32b シリサイド、33 アモルファスシリコン層、42,46 シリコン窒化膜、44 シリコンゲルマニウム層、5e〜5g,5i〜5s ダミーコンタクトプラグ、6e,6f,6j〜6m ダミー配線。
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコン膜を抵抗として用いる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体装置内に形成される抵抗の材料として、例えばポリシリコン膜等のシリコン膜が採用されている。
【0003】
図38および図39は、ポリシリコン膜で形成された抵抗を備える従来の半導体装置を示す上面図および断面図である。この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として半導体基板1内の素子分離領域2上に形成されている。抵抗30の表面の両端には、コンタクトプラグ5a,5bが接続されている。そして、各コンタクトプラグ5a,5bはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6a,6bに接続される。配線6a,6b上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0004】
なお、半導体基板1は例えばシリコン基板であり、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。半導体基板1の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a,1bが形成されている。また、コンタクトプラグ5a,5bは例えばタングステンプラグであり、配線6a,6bは例えばアルミニウム配線である。第1および第2層間絶縁膜4a,4bは例えばシリコン酸化膜で形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図39における拡大図MV1は、抵抗30内の領域ARを拡大した図である。拡大図MV1に示すように、ポリシリコン膜においては、部分的な単結晶領域たるグレインGRが多数集合した状態となっている。各グレインGR間の粒界BSには、シリコン原子の未結合手(dangling bond)が存在する。
【0006】
さて、半導体装置の製造過程においては半導体ウェハを水素雰囲気に晒す場合があるが、このときシリコン原子の未結合手に水素原子が結合しやすい。図39の拡大図MV2はこのことを示す図であり、粒界BSに水素原子HYが入り込んでいる。水素原子HYが入り込むと、抵抗30の抵抗値が変化して設計抵抗値からずれてしまうという問題がある。
【0007】
そこで、この発明の課題は、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗を備え、前記抵抗の少なくとも表面部分がアモルファスシリコンであり、前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された半導体装置である。
【0009】
請求項2に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うシリコン窒化膜とを備え、前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された半導体装置である。
【0010】
請求項3に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗に接して設けられたシリコンゲルマニウム膜とを備える半導体装置である。
【0011】
請求項4に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗とは絶縁されつつ前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の半導体装置であって、前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記ダミーコンタクトプラグ上に形成されたダミー配線をさらに備える半導体装置である。
【0013】
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である半導体装置である。
【0014】
請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグ内には前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている半導体装置である。
【0015】
請求項8に記載の発明は、支持基板、埋め込み絶縁膜、および、シリコン層の積層構造を有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、前記SOI基板上に形成され、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記抵抗の近傍に形成され、前記埋め込み絶縁膜および前記シリコン層を貫通するダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0016】
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗の上方を覆うダミー配線をさらに備える半導体装置である。
【0017】
請求項10に記載の発明は、請求項8または請求項9に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である半導体装置である。
【0018】
請求項11に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグは複数の柱状導体であり、並置されている半導体装置である。
【0019】
請求項12に記載の発明は、請求項8に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグは複数の壁状導体であり、前記抵抗を挟むように並置され、前記複数の壁状導体の一部または全部において、その内部に前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている半導体装置である。
【0020】
請求項13に記載の発明は、シリコン膜を材料とする抵抗と、前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗に接続されたコンタクトプラグと、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記コンタクトプラグに接続された配線と、前記抵抗の近傍であって前記抵抗を覆わない位置に、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記配線に接続されたダミーコンタクトプラグとを備える半導体装置である。
【0021】
請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の半導体装置であって、前記ダミーコンタクトプラグの材料は金属である半導体装置である。
【0022】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
本実施の形態は、アモルファスシリコン膜で抵抗を形成し、その表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドを形成した半導体装置である。
【0023】
図1は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図1に示すように、この半導体装置において、抵抗31はアモルファスシリコン膜を材料として半導体基板1内の素子分離領域2上に形成されている。抵抗31の側面にはサイドウォール絶縁膜36aが形成され、表面の両端にはコンタクトプラグ5a,5bが接続されている。なお、抵抗31の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部には、シリサイド32a,32bが形成されている。そして、各コンタクトプラグ5a,5bはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6a,6bに接続される。配線6a,6b上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0024】
なお、半導体基板1は例えばシリコン基板であり、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。半導体基板1の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a〜1cが形成されている。
【0025】
また、図1では半導体基板1上に形成されたMOSトランジスタも図示している。このMOSトランジスタは、活性領域1b,1cをソース/ドレインとして備え、さらに、ゲート絶縁膜35、ゲート電極34、サイドウォール絶縁膜36bを備えている。なお、活性領域1a,1b,1cおよびゲート電極34の表面には、シリサイド1as,1bs,1cs,34sがそれぞれ形成されている。そして、シリサイド1bs,1csにつながるコンタクトプラグ5c,5dが設けられている。コンタクトプラグ5c,5dはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の配線6c,6dに接続される。
【0026】
コンタクトプラグ5a〜5dは例えばタングステンプラグであり、配線6a〜6dは例えばアルミニウム配線である。第1および第2層間絶縁膜4a,4bは例えばシリコン酸化膜で形成される。また、ゲート電極34は例えばポリシリコン膜で形成される。
【0027】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗31がアモルファスシリコンである。よって、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が取り込まれにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0028】
また、抵抗31の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されている。よって、コンタクトプラグ5a,5bのためのコンタクトホールをエッチングにて第1層間絶縁膜4aに形成する際に、抵抗31へのエッチングが生じにくい。
【0029】
抵抗31の表面がエッチングされてしまうと、コンタクトプラグ5a,5bとの接続部におけるコンタクト抵抗の値にばらつきが生じやすい。しかし、シリサイド32a,32bが形成されておれば、そのようなコンタクト抵抗の値にばらつきが生じにくいので、抵抗31の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。なお、コンタクトプラグ5a,5bの端部からのシリサイド32a,32bの端部までのマージンdは1μm程度としておけばよい。
【0030】
また、図2は本実施の形態に係る半導体装置の変形例である。図2に示すように、図1のアモルファスシリコン膜を材料とする抵抗31に代わって、ポリシリコン膜を材料とする抵抗30の表面部分をアモルファスシリコン層33とした構造を採用してもよい。抵抗30の少なくとも表面部分がアモルファスシリコン層33となっておれば、水素原子の抵抗への侵入防止作用が得られるからである。
【0031】
さて、図3〜図8は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0032】
まず、図3に示すように、半導体基板1内に熱酸化法等により素子分離領域2を形成する。その後、MOSトランジスタのチャネル領域に、例えばボロン等の不純物イオンを数十〜数百keVのエネルギーで注入する。そのイオン注入濃度は1012cm−2オーダーとしておけばよい。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0033】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、これに窒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入する。そのイオン注入濃度は1015cm−2オーダーとしておけばよい。また、ポリシリコン膜にはリンも数十keV程度のエネルギーでイオン注入する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0034】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図4に示すように抵抗30、ゲート絶縁膜35およびゲート電極34を形成する。なお、ゲート絶縁膜35の膜厚は数nm程度、ゲート電極34の膜厚は数百nm程度としておけばよい。
【0035】
次に、半導体基板1に例えば砒素等の不純物イオンを数十keV程度のエネルギーで注入する。そして、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えばCVD(ChemicalVapor Deposition)法等により全面に形成し、エッチバックを行って図5に示すようにサイドウォール絶縁膜36a,36bを形成する。そして再度、半導体基板1に例えば砒素等の不純物イオンを数十keV程度のエネルギーで注入し、活性領域1a〜1cを形成する。活性領域1a〜1cでのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0036】
次に、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を抵抗30上に形成する。そして、半導体基板1、ゲート電極34、活性領域1a〜1c、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、図6に示すように各シリサイド1as〜1cs,32a,32b,34sを形成する。なお、図1および図2においてはこの絶縁層4a1の表示を省略した。
【0037】
続いて、図7に示すように、抵抗30以外の部分をフォトレジストPR1で覆い、シリコンのイオン注入IP1を数十keV程度のエネルギーで行う。ポリシリコン膜の抵抗30にシリコンをイオン注入すれば、ポリシリコン膜のアモルファス化が生じることが知られている。よって、図2の構造を製造するには、図1の構造を製造する際のシリコン注入におけるエネルギー量を少なくすればよい。なお、そのイオン注入濃度は1016cm−2オーダーとしておけばよい。
【0038】
なお、図7ではゲート電極34をフォトレジストPR1で覆っているため、ゲート電極34はポリシリコンのままとなるが、ゲート電極34についてもアモルファス化してもよい。また、図4〜図6のいずれかの段階でアモルファス化を行ってもよい。
【0039】
その後、図8に示すように、フォトレジストPR1を除去し、第1層間絶縁膜4aを形成する。そして、第1層間絶縁膜4aの各部にコンタクトホールを形成し、その内部にタングステン等の導電膜を形成する。そして、表面にCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理を施してコンタクトプラグ5a〜5dを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a〜6dを形成する。
【0040】
この後、第2層間絶縁膜4bを形成すれば、図1または図2の構造を製造することができる。
【0041】
<実施の形態2>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その表面をシリコン窒化膜で覆い、その表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドを形成した半導体装置である。
【0042】
図9は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図9に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上に下敷きシリコン窒化膜41を介して形成されている。また、抵抗30の上面および側面を覆うようにシリコン窒化膜42が形成されている。
【0043】
その他の構成は、実施の形態1に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0044】
シリコン窒化膜は、水素原子の抵抗30への侵入防止作用を有する。よって、本実施の形態に係る半導体装置によれば、下敷きシリコン窒化膜41およびシリコン窒化膜42が抵抗30の表面を覆うので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい。また、抵抗30の表面部分のうちコンタクトプラグ5a,5bの接続部にシリサイド32a,32bが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗30へのエッチングが生じにくく、抵抗30の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0045】
さて、図10〜図15は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0046】
まず、図10に示すように、半導体基板1内に素子分離領域2を形成する。そして、半導体基板1上に、シリコン酸化膜43、シリコン窒化膜41、ポリシリコン膜30aをこの順に積層する。なお、それぞれの膜厚は例えば数十nm、数十nm、数百nm程度である。
【0047】
その後、図11に示すように、フォトレジストPR2を形成し、これをエッチングマスクとして用いてエッチングを行い、抵抗30を形成する。このときシリコン酸化膜43およびシリコン窒化膜41もエッチングされる。その後、フォトレジストPR2を除去する。
【0048】
その後、MOSトランジスタのチャネル領域に、例えばボロン等の不純物イオンを数十〜数百keVのエネルギーで注入する。そのイオン注入濃度は1012cm−2オーダーとしておけばよい。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0049】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、絶縁膜とポリシリコン膜とをパターニングして、ゲート絶縁膜35およびゲート電極34を形成する(図12)。なお、ゲート絶縁膜35の膜厚は数十nm程度、ゲート電極34の膜厚は数百nm程度としておけばよい。
【0050】
そして、半導体基板1に例えば砒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入し、活性領域1a〜1cのエクステンション領域1ax〜1cxを形成する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0051】
その後、絶縁膜を全面に形成し、エッチバックを行ってサイドウォール絶縁膜36a,36bを形成する(図13)。そして、半導体基板1に例えば砒素を数十keV程度のエネルギーでイオン注入し、活性領域1a〜1cを形成する。そのイオン注入濃度も1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0052】
次に、図14に示すように、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を抵抗30上に形成する。そして、半導体基板1、ゲート電極34、活性領域1a〜1c、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、各シリサイド1as〜1cs,32a,32b,34sを形成する。その後、全面にシリコン窒化膜42を形成する。
【0053】
次に、図15に示すように、第1層間絶縁膜4aを形成する。そして、第1層間絶縁膜4aおよびシリコン窒化膜42の各部にコンタクトホールを形成し、その内部にタングステン等の導電膜を形成する。そして、表面にCMP処理を施してコンタクトプラグ5a〜5dを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a〜6dを形成する。
【0054】
この後、第1層間絶縁膜4bを形成すれば、図9の構造を製造することができる。なお、図9ではシリコン酸化膜43を図示しなかったが、シリコン酸化膜43の形成は任意である。図9において抵抗30下にシリコン窒化膜41だけを形成してしまうと、半導体基板1や素子分離領域2の表面に応力がかかることがある。よって、その応力を緩和するためにシリコン酸化膜をシリコン窒化膜の下地層として設ける場合を、図10〜図15で示したにすぎない。
【0055】
なお、本実施の形態において、ポリシリコン膜の抵抗30の代わりに、図1のアモルファスシリコン膜の抵抗31や図2のポリシリコン膜の抵抗30とアモルファスシリコン層33との組み合わせを採用してもよい。
【0056】
<実施の形態3>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その下面をシリコンゲルマニウム膜で覆った半導体装置である。
【0057】
図16は本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図16に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上にシリコンゲルマニウム膜44を介して形成されている。
【0058】
その他の構成は、実施の形態1に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。なお、図16でもサイドウォール絶縁膜36aは形成されていない。
【0059】
シリコンゲルマニウム膜は、抵抗30内の不純物を活性化させる作用を有する。よって、本実施の形態に係る半導体装置によれば、シリコンゲルマニウム膜44が抵抗30の下面に接して設けられているので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値を小さくすることが可能である。よって、抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0060】
<実施の形態4>
本実施の形態は、シリコン膜で抵抗を形成し、その表面のうち配線およびコンタクトプラグに挟まれた領域を、抵抗とは絶縁されたダミーコンタクトプラグで覆った半導体装置である。
【0061】
図17は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図である。また、図18および図19はそれぞれ、図17内の切断線XVIII−XVIII、XIX−XIXにおける断面図である。
【0062】
図17〜図19に示すように、この半導体装置において、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、素子分離領域2上に形成されている。また、抵抗30の上面および側面を覆うようにシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46が形成されている。シリコン窒化膜46上には、抵抗30とはシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46により絶縁されたダミーコンタクトプラグ5e、および、ダミーコンタクトプラグ5e上に形成されたダミー配線6eがさらに形成されている。なお、ダミーコンタクトプラグ5eは、コンタクトプラグ5a,5bと同様、例えばタングステンプラグで、ダミー配線6eは配線6a,6bと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。
【0063】
その他の構成は、図9に示した実施の形態2に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。なお、図18および図19ではサイドウォール絶縁膜36aが形成されている。
【0064】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗30の表面部分のうち配線6a,6bおよびコンタクトプラグ5a,5bに挟まれた領域を、抵抗30を覆う第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成され、抵抗30とは絶縁されたダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eが覆う。よって、ダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eが第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成されていることから、水素原子の抵抗30への侵入を防止する。特にダミーコンタクトプラグ5eおよび/またはダミー配線6eが上記タングステンやアルミニウムのように金属で形成されておれば上記防止作用がより優れている。また、金属であればダミーコンタクトプラグ5eおよび/またはダミー配線6eの形成が容易である。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0065】
また、ダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eは抵抗30とは絶縁されているので、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値に影響を与えることがなく、その抵抗値の変動がより生じにくい。
【0066】
なお、本実施の形態におけるシリコン窒化膜46は、実施の形態2におけるシリコン窒化膜42と同様、水素原子の抵抗30への侵入を防止するための膜である。また、シリコン窒化膜46下のシリコン酸化膜45も、図11に示したシリコン酸化膜43と同様、トランジスタ(図示せず)への応力を緩和するための膜である。
【0067】
図20〜図25は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【0068】
まず、図20に示すように、半導体基板1内に素子分離領域2を形成する。そして、隣接するMOSトランジスタ(図示せず)のチャネル領域にイオンを注入する。そして、熱酸化法等によりチャネル領域上の部分に絶縁膜を形成する。
【0069】
次に、ポリシリコン膜を全面に形成し、絶縁膜とポリシリコン膜とをパターニングして、図示しないMOSトランジスタのゲート絶縁膜およびゲート電極と、抵抗30とを形成する。なお、ポリシリコン膜には例えばリンを数十〜数百keV程度のエネルギーでイオン注入しておけばよい。そして、そのイオン注入濃度は例えば1015cm−2オーダーとしておけばよい。
【0070】
次に、シリコン酸化膜等を全面に形成し、エッチバックを行って図21に示すように、抵抗30の周囲にサイドウォール絶縁膜36aを形成する。そして、半導体基板1にイオン注入し、活性領域1a,1bを形成する。また、抵抗30上には、シリサイドの形成を防ぐための絶縁膜(例えばシリコン酸化膜)4a1を形成する。
【0071】
そして、図22に示すように、半導体基板1、図示しないMOSトランジスタのゲート電極、活性領域1a,1b、および、絶縁膜4a1に覆われていない抵抗30の各表面にシリサイド化を行って、各シリサイド1as,1bs,32a,32bを形成する。その後、全面にシリコン酸化膜45およびシリコン窒化膜46を形成し、第1層間絶縁膜4aを形成する。
【0072】
そして、図23に示すように、第1層間絶縁膜4a上にフォトレジストPR3を形成し、これにダミーコンタクトプラグ5e形成用のパターニングを行う。そしてエッチングを行って、第1層間絶縁膜4aにコンタクトホールOP1を形成する。
【0073】
次に、図24に示すように、全面にフォトレジストPR4を形成し、これにコンタクトプラグ5a,5b形成用のパターニングを行う。そしてエッチングを行って、第1層間絶縁膜4a、シリコン窒化膜46およびシリコン酸化膜45にコンタクトホールOP2を形成する。
【0074】
そして、図25に示すように、コンタクトホールOP1,OP2の内部にタングステン等の導電膜を形成して表面にCMP処理を施し、コンタクトプラグ5a,5bおよびダミーコンタクトプラグ5eを形成する。その後、アルミニウム等の導電膜を形成し、これをパターニングして配線6a,6bおよびダミー配線6eを形成する。
【0075】
この後、第2層間絶縁膜4bを形成すれば、図17〜図19の構造を製造することができる。
【0076】
なお、本実施の形態において、ポリシリコン膜の抵抗30の代わりに、図1のアモルファスシリコン膜の抵抗31や図2のポリシリコン膜の抵抗30とアモルファスシリコン層33との組み合わせを採用してもよい。
【0077】
また、コンタクトプラグ5a,5bおよびダミーコンタクトプラグ5e、並びに、配線6a,6bおよびダミー配線6eの材料には、タングステン、アルミニウムに代わって、例えば銅、チタン、ニッケル、コバルト等を採用してもよい。
【0078】
<実施の形態5>
本実施の形態は、実施の形態4に係る半導体装置の変形例であり、図17〜図19のダミーコンタクトプラグ5e内に第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれるよう形成したものである。
【0079】
ダミーコンタクトプラグ5eの場合、図23に示したように、そのコンタクトホールOP1の開口部が広い。開口部が広いと、導電膜の埋め込みが完全に行われず、埋め込み不足が生じることがある。埋め込み不足が生じると、埋め込み不足の部分に、CMP処理時に発生する異物などが入り込み、素子特性に影響を及ぼす可能性がある。本実施の形態は、そのような埋め込み不足を発生させにくい構造の半導体装置である。
【0080】
図26は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図である。また、図27および図28はそれぞれ、図26内の切断線XXVII−XXVII、XXVIII−XXVIIIにおける断面図である。
【0081】
図26〜図28に示すように、この半導体装置においては、図17〜図19に示したコンタクトホールの開口部が広いダミーコンタクトプラグ5eに代わって、中空形状を有するダミーコンタクトプラグ5fが形成されている。なお、ダミーコンタクトプラグ5fも、コンタクトプラグ5a,5bと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。また、ダミーコンタクトプラグ5fの中空部内には第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれている。
【0082】
その他の構成は、図17〜図19に示した実施の形態4に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0083】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミーコンタクトプラグ5f内に第1層間絶縁膜4aの一部が埋め込まれている。これにより、埋め込まれた第1層間絶縁膜4aの一部を囲む部分にのみ導電膜の埋め込みを行えばよいので、ダミーコンタクトプラグ5fの形成時に埋め込み不足が生じにくくなる。よって、ダミーコンタクトプラグ5fへの異物侵入の可能性を少なくすることができる。
【0084】
<実施の形態6>
本実施の形態も、実施の形態4に係る半導体装置の変形例であり、図17〜図19のダミーコンタクトプラグ5eおよびダミー配線6eを多層に設けたものである。
【0085】
図29は本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図29に示すように、この半導体装置においては、第2層間絶縁膜4b内において、ダミー配線6e上にさらなるダミーコンタクトプラグ5gが設けられている。そして、ダミーコンタクトプラグ5gおよび第2層間絶縁膜4b上にさらなるダミー配線6fが設けられている。なお、第2層間絶縁膜4b上には、配線6g,6hも形成されている。
【0086】
その他の構成は、図17〜図19に示した実施の形態4に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0087】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミー配線6e上にさらなるダミーコンタクトプラグ5gが形成されているので、水素原子の抵抗30への侵入がより防止され、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0088】
<実施の形態7>
本実施の形態は、SOI(Silicon On Insulator)基板上にシリコン膜を材料とする抵抗を形成した場合に、その抵抗の近傍にダミーコンタクトプラグを形成する半導体装置である。
【0089】
図30および図31は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図31は、図30内の切断線XXXI−XXXIにおける断面図である。
【0090】
図30および図31に示すように、この半導体装置においては、半導体基板が、シリコン基板等の支持基板11、シリコン酸化膜等の埋め込み絶縁膜12、および、シリコン層13の積層構造を有するSOI基板となっている。
【0091】
そして、抵抗30はポリシリコン膜を材料として、シリコン層13中の素子分離領域2上に形成されている。抵抗30の側面にはサイドウォール絶縁膜36aが形成され、表面の両端には例えばタングステンプラグたるコンタクトプラグ5hが接続されている。なお、抵抗30の表面部分のうちコンタクトプラグ5hの接続部には、シリサイド32bが形成されている。そして、各コンタクトプラグ5hはそれぞれ、第1層間絶縁膜4a上の例えばアルミニウム配線たる配線6iに接続される。第1層間絶縁膜4aおよび配線6i上には第2層間絶縁膜4bが形成されている。
【0092】
なお、素子分離領域2は例えばシリコン酸化膜で形成される。また、SOI層13の表面には、不純物イオンが高濃度で注入された活性領域1a,1bが形成されている。活性領域1a,1bの表面にもシリサイド1as,1bsが形成されている。
【0093】
さて、本実施の形態においては、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通するダミーコンタクトプラグ5j,5kが抵抗30の近傍に形成されている。また、第1層間絶縁膜4a上には、ダミーコンタクトプラグ5j,5kにそれぞれつながるダミー配線6k,6jも形成されている。
【0094】
第2層間絶縁膜4b中には、ダミー配線6k,6jにそれぞれつながる他のダミーコンタクトプラグ5i,5lも形成されている。そして、第2層間絶縁膜4b上には、抵抗30の上方を覆い、ダミーコンタクトプラグ5i,5lに共通してつながるダミー配線6lも形成されている。
【0095】
なお、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lは、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで、ダミー配線6j〜6lは配線6iと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。また、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lは複数の柱状導体であり、並置されている。
【0096】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lが第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料(水素原子の抵抗30への侵入防止作用を有する金属等の材料)で抵抗30の近傍に形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lが水素原子の抵抗30への侵入を防止し、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0097】
なお、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lの材料が金属で形成されておれば、水素原子の抵抗30への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるので、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j〜6lの形成が容易である。
【0098】
また、ダミーコンタクトプラグ5jがSOI基板の埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13を貫通している。よって、SOI基板内部からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。
【0099】
また、抵抗30の上方を覆うダミー配線6lが形成されているので、上方からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0100】
また、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lが複数の柱状導体であり、並置されている。図30において、各ダミーコンタクトプラグが複数の柱状導体に分割されておらず一体であったと仮定すると、広い開口部に導電膜を埋め込む必要がある。この場合、実施の形態5において述べたように、導電膜の埋め込みが完全に行われず、埋め込み不足が生じる可能性が考えられる。しかし、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lが複数の柱状導体として並置される構造であれば、個々の埋め込み開口部は狭くなり、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lの形成時に埋め込み不足が生じにくい。よって、ダミーコンタクトプラグ5i〜5lへの異物侵入の可能性が少ない。
【0101】
<実施の形態8>
本実施の形態は、実施の形態7に係る半導体装置の変形例であり、図30および図31のダミーコンタクトプラグ5i〜5lを、抵抗30を挟むように並置された複数の壁状導体に置き換えたものである。さらに、この壁状導体の一部には中空部が設けられ、その内部に第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。
【0102】
図32および図33は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図33は、図32内の切断線XXXIII−XXXIIIにおける断面図である。
【0103】
図32および図33に示すように、この半導体装置においては、図30および図31の柱状導体たるダミーコンタクトプラグ5i〜5lに代わって、壁状導体たるダミーコンタクトプラグ5m〜5pが形成されている。
【0104】
このうち、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通する。また、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、抵抗30を挟むように並置されている。ダミーコンタクトプラグ5m,5oも、抵抗30を挟むように並置されている。
【0105】
また、ダミーコンタクトプラグ5n,5pは、第1層間絶縁膜4a上のダミー配線6k,6jにつながり、第2層間絶縁膜4b中において、他のダミーコンタクトプラグ5m,5oがダミー配線6k,6jにそれぞれつながっている。そして、第2層間絶縁膜4b上において、ダミーコンタクトプラグ5m,5oにダミー配線6lがつながっている。なお、ダミーコンタクトプラグ5m〜5pも、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。
【0106】
なお、本実施の形態においては、図32に示すように、ダミーコンタクトプラグのうち5m,5nに複数の中空部HLが設けられている。中空部HL内には第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。その他の構成は実施の形態7に係る半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【0107】
本実施の形態にかかる半導体装置においては、ダミーコンタクトプラグ5m〜5pは複数の壁状導体であり、抵抗30を挟むように並置されている。よって、実施の形態7の柱状導体の場合に比べ、水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。
【0108】
また、ダミーコンタクトプラグ5m,5nにおいては、中空部HLが設けられ、その内部に第1または第2層間絶縁膜4a,4bの一部が埋め込まれている。これにより、中空部HLを囲む部分にのみ導電膜の埋め込みを行えばよいので、ダミーコンタクトプラグ5m,5nの形成時に埋め込み不足が生じにくくなる。よって、ダミーコンタクトプラグ5m,5nへの異物侵入の可能性を少なくすることができる。
【0109】
<実施の形態9>
本実施の形態は、実施の形態7および8に係る半導体装置の変形例であり、抵抗30への配線6iに接続されるダミーコンタクトプラグを、抵抗30の近傍であって抵抗30を覆わない位置にさらに形成するものである。
【0110】
図34は、実施の形態7に係る半導体装置における問題点を示す図である。実施の形態7に係る半導体装置の場合、抵抗30を挟んだ領域にはダミーコンタクトプラグ5i〜5lおよびダミー配線6j,6kが形成され、抵抗30の上方にはダミー配線6lが形成されている。よって、それらの方向からの水素原子の抵抗30への侵入は防止することが可能である。
【0111】
しかし、図34の領域ARのように、抵抗30にコンタクトプラグ5hを介して接続される配線6iが引き出される領域についてはダミーコンタクトプラグが設けられていないので、この部分から水素原子が入り込み、抵抗30に侵入する可能性があった。
【0112】
そこで、本実施の形態においては、この領域に抵抗30への配線に接続されるダミーコンタクトプラグを設ける。図35および図36は本実施の形態に係る半導体装置を示す上面図および断面図である。なお図36は、図35内の切断線XXXVI−XXXVIにおける断面図である。
【0113】
図35および図36に示すように、この半導体装置においては、抵抗30へのコンタクトプラグ5hにつながる配線6nの形状を、ダミー配線6lの終端部近傍(すなわち、配線6iの引き出し部分のうち抵抗30を覆わない位置)で拡大し、その部分にダミーコンタクトプラグ5q,5rをさらに形成している。なお、ダミーコンタクトプラグ5qは、第2層間絶縁膜4b内において配線6n上に形成されている。また、ダミーコンタクトプラグ5rは、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12およびシリコン層13内に形成された素子分離領域2を貫通して形成されている。第2層間絶縁膜4b上にはダミーコンタクトプラグ5qにつながるダミー配線6mも形成されている。
【0114】
なお、ダミーコンタクトプラグ5q,5rも、コンタクトプラグ5hと同様、例えばタングステンプラグで形成すればよい。また、ダミー配線6mも配線6nと同様、例えばアルミニウム配線で形成すればよい。
【0115】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、抵抗30への配線6nに接続されたダミーコンタクトプラグ5q,5rが、抵抗30の近傍であって抵抗30を覆わない位置に第1及び第2層間絶縁膜4a,4bとは異なる材料で形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグ5q,5rが水素原子の抵抗への侵入を防止し、配線6nの延びる方向からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止できる。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0116】
なお、ダミーコンタクトプラグ5q,5rの材料が金属で形成されておれば、水素原子の抵抗30への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるので、ダミーコンタクトプラグ5q,5rの形成が容易である。
【0117】
なお、米国特許5530418号には、図34の上面図と類似した構造であって、SOI基板でなくバルク基板を採用した構造の発明が開示されている。本実施の形態は、そのような構造にも適用可能である。
【0118】
図37は本実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。図37においては、図36におけるSOI基板に代わって、バルク基板たる半導体基板1が採用されている。半導体基板1内には素子分離領域2と活性領域1aが形成されている。活性領域1aの表面にはシリサイド1asも形成されている。
【0119】
バルク基板が採用されたことで、第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12および素子分離領域2を貫通していたダミーコンタクトプラグ5rに代わって、素子分離領域2に接するダミーコンタクトプラグ5sが第1層間絶縁膜4a内に形成されている。また、同様に第1層間絶縁膜4a、埋め込み絶縁膜12および素子分離領域2を貫通していたダミーコンタクトプラグ5jに代わって、シリサイド1asに接するダミーコンタクトプラグ5tが第1層間絶縁膜4a内に形成されている。それ以外の構造は図36と同様のため、説明を省略する。
【0120】
このような構造の場合も、抵抗30への配線6nに接続されるダミーコンタクトプラグ5q,5sが、配線6nの延びる方向からの水素原子の抵抗30への侵入をより確実に防止する。よって、シリコン膜で形成された抵抗30の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0121】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、シリコン膜を材料とする抵抗の少なくとも表面部分がアモルファスシリコンである。よって、ポリシリコンを抵抗の材料としたときに比べ、水素原子が取り込まれにくく、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、抵抗の表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗へのエッチングが生じにくく、抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0122】
請求項2に記載の発明によれば、抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を、水素原子の抵抗への侵入防止作用を有するシリコン窒化膜が覆う。よって、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、抵抗の表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成されている。よって、コンタクトホール形成のためのエッチング時に抵抗へのエッチングが生じにくく、抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0123】
請求項3に記載の発明によれば、抵抗内の不純物の活性化作用を有するシリコンゲルマニウム膜が、抵抗に接して設けられる。よって、抵抗の抵抗値を小さくすることが可能であり、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0124】
請求項4に記載の発明によれば、抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を、層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、抵抗とは絶縁されたダミーコンタクトプラグが覆う。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、ダミーコンタクトプラグは抵抗とは絶縁されているので、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値に影響を与えることがなく、その抵抗値の変動がより生じにくい。
【0125】
請求項5に記載の発明によれば、層間絶縁膜とは異なる材料でダミーコンタクトプラグ上にダミー配線が形成される。よって、ダミー配線が水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動がより生じにくい半導体装置が得られる。
【0126】
請求項6に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の形成が容易である。
【0127】
請求項7に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグ内に層間絶縁膜の一部が埋め込まれている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0128】
請求項8に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグが層間絶縁膜とは異なる材料で抵抗の近傍に形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。また、ダミーコンタクトプラグがSOI基板の埋め込み絶縁膜およびシリコン層を貫通している。よって、SOI基板内部からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止できる。
【0129】
請求項9に記載の発明によれば、層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、抵抗の上方を覆うダミー配線をさらに備える。よって、ダミー配線が水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、上方からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0130】
請求項10に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグおよび/またはダミー配線の形成が容易である。
【0131】
請求項11に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグは複数の柱状導体であり、並置されている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0132】
請求項12に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグは複数の壁状導体であり、抵抗を挟むように並置されている。よって、柱状導体の場合に比べ、水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止できる。また、複数の壁状導体の一部または全部において、その内部に層間絶縁膜の一部が埋め込まれている。よって、ダミーコンタクトプラグ形成時に埋め込み不足が生じにくく、ダミーコンタクトプラグへの異物侵入の可能性が少ない。
【0133】
請求項13に記載の発明によれば、抵抗への配線に接続されたダミーコンタクトプラグが、抵抗の近傍であって抵抗を覆わない位置に層間絶縁膜とは異なる材料で形成されている。よって、ダミーコンタクトプラグが水素原子の抵抗への侵入防止作用を有する材料で形成されておれば、配線の延びる方向からの水素原子の抵抗への侵入をより確実に防止でき、シリコン膜で形成された抵抗の抵抗値の変動が生じにくい半導体装置が得られる。
【0134】
請求項14に記載の発明によれば、ダミーコンタクトプラグの材料は金属である。よって、水素原子の抵抗への侵入防止作用がより優れている。また、金属であるのでダミーコンタクトプラグの形成が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。
【図2】実施の形態1に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図3】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図4】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図5】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図6】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図7】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図8】実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図9】実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。
【図10】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図11】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図12】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図13】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図14】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図15】実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図16】実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。
【図17】実施の形態4に係る半導体装置を示す上面図である。
【図18】実施の形態4に係る半導体装置を示す断面図である。
【図19】実施の形態4に係る半導体装置を示す他の断面図である。
【図20】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図21】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図22】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図23】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図24】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図25】実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図26】実施の形態5に係る半導体装置を示す上面図である。
【図27】実施の形態5に係る半導体装置を示す断面図である。
【図28】実施の形態5に係る半導体装置を示す他の断面図である。
【図29】実施の形態6に係る半導体装置を示す断面図である。
【図30】実施の形態7に係る半導体装置を示す上面図である。
【図31】実施の形態7に係る半導体装置を示す断面図である。
【図32】実施の形態8に係る半導体装置を示す上面図である。
【図33】実施の形態8に係る半導体装置を示す断面図である。
【図34】実施の形態7に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【図35】実施の形態9に係る半導体装置を示す上面図である。
【図36】実施の形態9に係る半導体装置を示す断面図である。
【図37】実施の形態9に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図38】従来の半導体装置を示す上面図である。
【図39】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
30,31 抵抗、32a,32b シリサイド、33 アモルファスシリコン層、42,46 シリコン窒化膜、44 シリコンゲルマニウム層、5e〜5g,5i〜5s ダミーコンタクトプラグ、6e,6f,6j〜6m ダミー配線。
Claims (14)
- シリコン膜を材料とする抵抗
を備え、
前記抵抗の少なくとも表面部分がアモルファスシリコンであり、
前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された
半導体装置。 - シリコン膜を材料とする抵抗と、
前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うシリコン窒化膜と
を備え、
前記表面部分のうちコンタクトプラグの接続部にシリサイドが形成された
半導体装置。 - シリコン膜を材料とする抵抗と、
前記抵抗に接して設けられたシリコンゲルマニウム膜と
を備える半導体装置。 - シリコン膜を材料とする抵抗と、
前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗とは絶縁されつつ前記抵抗の表面部分のうち少なくとも一部を覆うダミーコンタクトプラグと
を備える半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記ダミーコンタクトプラグ上に形成されたダミー配線
をさらに備える半導体装置。 - 請求項4または請求項5に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である
半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグ内には前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている半導体装置。 - 支持基板、埋め込み絶縁膜、および、シリコン層の積層構造を有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記SOI基板上に形成され、シリコン膜を材料とする抵抗と、
前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で前記抵抗の近傍に形成され、前記埋め込み絶縁膜および前記シリコン層を貫通するダミーコンタクトプラグと
を備える半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置であって、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗の上方を覆うダミー配線をさらに備える半導体装置。 - 請求項8または請求項9に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグおよび/または前記ダミー配線の材料は金属である
半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグは複数の柱状導体であり、並置されている
半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグは複数の壁状導体であり、前記抵抗を挟むように並置され、
前記複数の壁状導体の一部または全部において、その内部に前記層間絶縁膜の一部が埋め込まれている
半導体装置。 - シリコン膜を材料とする抵抗と、
前記抵抗を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記抵抗に接続されたコンタクトプラグと、
前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記コンタクトプラグに接続された配線と、
前記抵抗の近傍であって前記抵抗を覆わない位置に、前記層間絶縁膜とは異なる材料で形成され、前記配線に接続されたダミーコンタクトプラグと
を備える半導体装置。 - 請求項13に記載の半導体装置であって、
前記ダミーコンタクトプラグの材料は金属である
半導体装置。
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