JP2013197311A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】少ない工程数で抵抗素子を高抵抗化する。
【解決手段】アモルファスシリコン膜10上に、熱処理時にアモルファスシリコン膜10の結晶化を抑制する抑制膜としてのSiON膜12をプラズマCVDで形成し、その後、アモルファスシリコン膜10を加熱して、アモルファスシリコン膜10を部分的に結晶化してポリシリコン膜18とアモルファスシリコン膜10の積層構造の抵抗素子を作成する。
【選択図】図2
【解決手段】アモルファスシリコン膜10上に、熱処理時にアモルファスシリコン膜10の結晶化を抑制する抑制膜としてのSiON膜12をプラズマCVDで形成し、その後、アモルファスシリコン膜10を加熱して、アモルファスシリコン膜10を部分的に結晶化してポリシリコン膜18とアモルファスシリコン膜10の積層構造の抵抗素子を作成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、抵抗素子を備える半導体装置およびその製造方法に関する。
従来の抵抗素子の材料として代表的なものには、ポリシリコン膜、もしくはポリシリコン膜と金属系膜との積層膜構造などがある。これらの材料を使用した抵抗素子の抵抗値は、抵抗素子の面積(抵抗体の長さ,幅)に左右されるため、抵抗値を制御するためには、抵抗素子構造のデザイン、レイアウト等を変更していた。
LSI等の半導体集積回路では、設計基準の微細化が進行しており、これに合せてトランジスタ等の能動素子のデザインもさらに縮小されてきている。しかしながら、例えばアナログ回路設計に必要とされる抵抗素子を、前世代と同じ抵抗材料で設計した場合、使用される抵抗材料の抵抗率は変わらないので、抵抗素子のサイズは縮小できず、前世代のものと同等になってしまうという問題があった。
また、アモルファスシリコンを加熱することでポリシリコン化し、抵抗素子を製造することが開示されている(特許文献1参照)。しかしながら、この方法では、ポリシリコンという単一の抵抗材料を使用することになるので、抵抗材料の抵抗率は変わらず、やはり抵抗素子のサイズは縮小できないという問題がある。
ここで、抵抗素子をより高抵抗化するにあたって、抵抗素子を、異なる抵抗材料からなる膜が積層された積層膜構造、例えば、ポリシリコン膜と金属系膜との積層膜構造や高抵抗のポリシリコン膜と低抵抗のポリシリコン膜との積層膜構造(特許文献2参照)、にすることが考えられる。しかしながら、積層膜構造とすれば、それだけ作業工程数が増加し、製造コストの増加につながってしまう。一方、単一の抵抗材料を用いた場合には、おのずと抵抗値に限界が出てくる。
本発明の主な目的は、少ない工程数で抵抗素子を高抵抗化できる半導体装置の製造方法および当該製造方法に適した構造の半導体装置を提供することにある。
本発明によれば、
基板上に形成された非晶質膜上に、熱処理時に前記非晶質膜の結晶化を抑制する抑制膜を形成する工程と、
その後、前記非晶質膜を加熱して、前記非晶質膜を部分的に結晶化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
基板上に形成された非晶質膜上に、熱処理時に前記非晶質膜の結晶化を抑制する抑制膜を形成する工程と、
その後、前記非晶質膜を加熱して、前記非晶質膜を部分的に結晶化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、非晶質領域と結晶領域とを有する抵抗素子を備える半導体装置が提供される。
本発明によれば、少ない工程数で抵抗素子を高抵抗化できる半導体装置の製造方法および当該製造方法に適した構造の半導体装置が提供される。
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(第1の実施の形態)
図1を参照すれば、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1は、MOSトランジスタ(図示せず)等が形成されたシリコン基板(図示せず)と、シリコン基板(図示せず)上に絶縁膜(図示せず)を介して設けられたポリシリコン膜18と、ポリシリコン膜18上のアモルファス(非晶質)シリコン膜10と、アモルファスシリコン膜10上のSiON膜12と、SiON膜12上のSiO2膜14と、メタル配線22、23とを備えている。メタル配線22は、SiO2膜14とSiON膜12に形成されたビアホール20を介して、アモルファスシリコン膜10に接続され、メタル配線23は、SiO2膜14とSiON膜12に形成されたビアホール21を介して、アモルファスシリコン膜10に接続されている。抵抗素子30は、アモルファスシリコン膜10の抵抗34と、ポリシリコン膜18の抵抗32と、アモルファスシリコン膜10の抵抗35とが直列に接続されて構成されている。
図1を参照すれば、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1は、MOSトランジスタ(図示せず)等が形成されたシリコン基板(図示せず)と、シリコン基板(図示せず)上に絶縁膜(図示せず)を介して設けられたポリシリコン膜18と、ポリシリコン膜18上のアモルファス(非晶質)シリコン膜10と、アモルファスシリコン膜10上のSiON膜12と、SiON膜12上のSiO2膜14と、メタル配線22、23とを備えている。メタル配線22は、SiO2膜14とSiON膜12に形成されたビアホール20を介して、アモルファスシリコン膜10に接続され、メタル配線23は、SiO2膜14とSiON膜12に形成されたビアホール21を介して、アモルファスシリコン膜10に接続されている。抵抗素子30は、アモルファスシリコン膜10の抵抗34と、ポリシリコン膜18の抵抗32と、アモルファスシリコン膜10の抵抗35とが直列に接続されて構成されている。
図4を参照すれば、比較のための半導体装置3は、MOSトランジスタ(図示せず)等が形成されたシリコン基板(図示せず)と、シリコン基板(図示せず)上に絶縁膜(図示せず)を介して設けられたポリシリコン膜18と、ポリシリコン膜18上のSiO2膜14と、メタル配線22、23とを備えている。メタル配線22は、SiO2膜14に形成されたビアホール20を介して、ポリシリコン膜18に接続され、メタル配線23は、SiO2膜14に形成されたビアホール21を介して、ポリシリコン膜18に接続されている。抵抗素子40は、ポリシリコン膜18の抵抗42で構成されている。
ポリシリコン膜18の上にアモルファスシリコン膜10が積層されており、アモルファスシリコン膜10は、ポリシリコン膜18よりも抵抗率が大きいので、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1の抵抗素子30(図1参照)は、比較のための半導体装置3の抵抗素子40(図4参照)と比べて、同じ大きさで、より高抵抗となる。
抵抗素子30は、抵抗素子40と同じ面積を有し、同じ長さと同じ幅を有している。また、抵抗素子30の、アモルファスシリコン膜10の厚さとポリシリコン膜18の厚さの合計は、抵抗素子40のポリシリコン膜18の厚さと同じである。図5は、抵抗素子30、抵抗素子40の抵抗値の実測値を示したものである。sample1、2は抵抗素子30であり、sample3、4は抵抗素子40である。抵抗素子30は、抵抗素子40に比べて2倍程度高い抵抗値を示している。従って、抵抗素子30は、同じ抵抗値を得るために、抵抗素子40に比べて半分程度にまで小さく設計することが可能となる。
また、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1の抵抗素子30(図1参照)では、ポリシリコン膜18の上にアモルファスシリコン膜10が積層されているので、アモルファスシリコン膜10と、ポリシリコン膜18の膜厚を変えることによって、同じサイズで違う抵抗を持つ抵抗素子30を作ることができる。なお、アモルファスシリコン膜10と、ポリシリコン膜18の膜厚は、アモルファスシリコン膜10を熱処理してポリシリコン膜18を形成する際の熱処理温度や時間を変えることによって変えることができる。
次に、本発明の好ましい第1の実施の形態の半導体装置1の製造方法を説明する。
まず、MOSトランジスタ(図示せず)等が形成されたシリコン基板(図示せず)上に絶縁膜(図示せず)を形成する。
その後、図2(A)に示すように、絶縁膜(図示せず)上にアモルファスシリコン膜10を形成する。アモルファスシリコン膜10は、例えば、LP−CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法によって好適に形成されるが、スパッタリング法、プラズマCVD法等で形成することも可能である。
次に、図2(B)に示すように、プラズマCVD法により、アモルファスシリコン膜10上に酸窒化珪素膜(以下、SiON膜)12を形成する。SiON膜12は、ホトリソグラフィ工程での露光時の反射防止膜しての役割と、アモルファスシリコン膜10が多結晶化するのを抑制する結晶化抑制膜の役割をする。SiON膜12は、アモルファスシリコン膜10を非結晶状態に保つために、625℃以下で成膜が可能であるプラズマCVD法によって成膜することが好ましい。プラズマCVD法によって成膜されたSiON膜12を、以下P−SiON膜12と称する。
次に、図2(C)に示すように、CVD法により、P−SiON膜12上にSiO2膜14を形成する。SiO2膜14は絶縁膜の一例であり、例えばCVD法によって好適に形成される。このとき、アモルファスシリコン膜10が結晶化しない温度(625℃以下)でSiO2膜14を形成する。
次に、図2(D)に示すように、アモルファスシリコン膜10が結晶化する625℃以上の温度で熱処理16を行い、図2(E)に示すように、アモルファスシリコン膜10を多結晶化し、ポリシリコン膜18を形成する。この時、P−SiON膜12とアモルファスシリコン膜10との接触界面付近においては、結晶化が進行せずに、アモルファスシリコン膜10は、アモルファスシリコンの状態で残ることがTEM像等で確認されている。
なお、この製造方法では、P−SiON膜12形成後に、SiO2膜14を形成し、その後、熱処理をしてアモルファスシリコン膜10を多結晶化しているが、P−SiON膜12形成工程から熱処理によってアモルファスシリコン膜10を多結晶化する工程間には、アモルファスシリコン膜10が結晶化しない程度の温度の他の工程(例えば、膜生成やスパッタ)を導入することも可能である。また、P−SiON膜12形成後に、SiO2膜14を形成せずに、熱処理をしてアモルファスシリコン膜10を多結晶化することも可能である。
この後は、ホトリソグラフィにより所定の形状に加工して抵抗素子を作成する。
図3に上記のようにして作成した抵抗素子の断面のTEM観察結果を示す。アモルファスシリコン膜10の結晶化が抑制され、P−SiON膜12との界面に安定した薄膜のアモルファスシリコンが残っていることがTEM写真からわかる。
このように、アモルファスシリコン膜10上に結晶化抑制膜としてのP−SiON膜12を形成し、その後熱処理することによって、ポリシリコン膜18と、より高抵抗のアモルファスシリコン膜10とを備える抵抗素子を形成できるので、異なる抵抗材料からなる膜が積層された積層膜構造を形成するよりも、少ない工程数で高抵抗の抵抗素子を形成できる。
なお、アモルファスシリコン膜10多結晶してポリシリコン膜18を形成した後に、P−SiON膜12を除去してもよい。
(第2の実施の形態)
集積回路では高抵抗を必要とする抵抗素子は一部分であり、例えば、ロジックのゲート電極、メモリのゲート電極などに用いられるポリシリコンはむしろ低抵抗が求められる。従って、一度の結晶化プロセスにおいて、高抵抗を必要とする抵抗素子に使用する箇所は、アモルファスシリコン膜10を残したままとし、それ以外の低抵抗が求められる箇所では、アモルファスシリコン膜10全体を多結晶化するということは有効である。本実施の形態は、そのような場合に好適に使用される製造方法である。
集積回路では高抵抗を必要とする抵抗素子は一部分であり、例えば、ロジックのゲート電極、メモリのゲート電極などに用いられるポリシリコンはむしろ低抵抗が求められる。従って、一度の結晶化プロセスにおいて、高抵抗を必要とする抵抗素子に使用する箇所は、アモルファスシリコン膜10を残したままとし、それ以外の低抵抗が求められる箇所では、アモルファスシリコン膜10全体を多結晶化するということは有効である。本実施の形態は、そのような場合に好適に使用される製造方法である。
次に、本発明の好ましい第2の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
まず、図6(A)に示すように、シリコン基板50上に絶縁膜52を形成する。
その後、絶縁膜52上にアモルファスシリコン膜10を形成する。アモルファスシリコン膜10は、例えば、LP−CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法によって好適に形成されるが、スパッタリング法、プラズマCVD法等で形成することも可能である。
次に、図6(B)に示すように、プラズマCVD法により、アモルファスシリコン膜10上にP−SiON膜12を形成する。本実施の形態では、将来高抵抗の抵抗素子を形成する箇所に選択的に結晶化抑制膜としてのP−SiON膜12を形成する。
次に、図6(C)に示すように、CVD法により、P−SiON膜12上にSiO2膜14を形成する。
次に、図7(A)に示すように、アモルファスシリコン膜10が結晶化する625℃以上の温度で熱処理16を行い、図7(B)に示すように、アモルファスシリコン膜10を多結晶化し、ポリシリコン膜18を形成する。この時、P−SiON膜12が形成されている領域では、P−SiON膜12とアモルファスシリコン膜10との接触界面付近においては結晶化が進行せずに、アモルファスシリコン膜10は、アモルファスシリコンの状態で残る。一方、P−SiON膜12が形成されていない領域では、アモルファスシリコン膜10は、アモルファスシリコンの状態で残ることなく、全てポリシリコン膜18となる。
この後は、ホトリソグラフィにより加工を行い、図7(C)に示すように、P−SiON膜12が形成されている領域では、抵抗素子60を作成し、P−SiON膜12が形成されていない領域では、完全にポリシリコン化したポリシリコン膜18でゲート電極62等を作成する。
本実施の形態の方法によれば、ポリシリコン膜とアモルファスシリコン膜を別々の方法で成膜し積層させた場合に比べて、少ない工程数で、高抵抗の抵抗素子と低抵抗のポリシリコンとを作成することができ、製造コストを低く抑えることができる。
上述した第1および第2の実施の形態では、本発明では、P−SiON膜12を使用してアモルファスシリコン膜10の結晶化を抑制したが、P−SiON膜に代えて、プラズマCVDで形成したシリコン窒化膜(P−SiN膜)を使用しても同様の効果が期待できる。
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
10 アモルファスシリコン膜
12 P−SiON膜
14 SiO2膜
18 ポリシリコン膜
30 抵抗素子
12 P−SiON膜
14 SiO2膜
18 ポリシリコン膜
30 抵抗素子
Claims (8)
- 基板上に形成された非晶質膜上に、熱処理時に前記非晶質膜の結晶化を抑制する抑制膜を形成する工程と、
その後、前記非晶質膜を加熱して、前記非晶質膜を部分的に結晶化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記抑制膜は、SiON膜またはSiN膜である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記抑制膜を形成する工程は、前記非晶質膜上に、前記抑制膜を選択的に形成する工程であり、
前記非晶質膜を部分的に結晶化する工程は、前記抑制膜が形成されていない領域を第1の結晶化率を有する領域とし、前記抑制膜が形成されている領域を前記第1の結晶化率よりも低い第2の結晶化率を有する領域とする工程である請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記非晶質膜を部分的に結晶化する工程は、前記抑制膜に接触する部分は非晶質膜のままとし、前記抑制膜と離間した部分を結晶化する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記非晶質膜は、非晶質半導体膜である請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記非晶質半導体膜は、非晶質シリコン膜である請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 非晶質領域と結晶領域とを有する抵抗素子を備える半導体装置。
- 前記非晶質領域と前期非晶質領域を部分的に結晶化した第1結晶領域とが積層された領域に前期抵抗素子を備えるとともに、前記非晶質領域を抑制膜を用いずに結晶化した第2結晶領域にゲート電極を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
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2012
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