JP2004063606A - 過電流保護装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱破壊を確実に防止することができる保護機能を備えた過電流保護装置を提供すること。
【解決手段】本発明の過電流保護機能付きスイッチング回路1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと第2のデプレッションMOSFET4のソースとの間にインピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートと第2のデプレッションMOSFET4のソースを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のゲートと第1のデプレッションMOSFET2のソースを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子1bを接続したものであって、インピーダンス成分3と第1のデプレッションMOSFET2及び前記第2のデプレッションMOSFET4とを熱的に結合したことを特徴としている。
【選択図】 図4
【解決手段】本発明の過電流保護機能付きスイッチング回路1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと第2のデプレッションMOSFET4のソースとの間にインピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートと第2のデプレッションMOSFET4のソースを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のゲートと第1のデプレッションMOSFET2のソースを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子1bを接続したものであって、インピーダンス成分3と第1のデプレッションMOSFET2及び前記第2のデプレッションMOSFET4とを熱的に結合したことを特徴としている。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、過電流が流れることを防止する過電流保護機能を備えた過電流保護装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の過電流保護装置として、例えば図8に示すようなものがある。この過電流保護装置100は、端子100a,100b間に所定の電流値を超える過電流が流れることを防止する過電流保護機能を備えているものであって、デプレッションMOSFET101と、抵抗102と、を有している。すなわち、過電流保護装置100は、デプレッションMOSFET101のソースと、このデプレッションMOSFET101のゲートとの間に、抵抗102が接続され、デプレッションMOSFET101のドレインに端子100aが接続され、デプレッションMOSFET101のゲートと抵抗102との接続点100cに端子100bが接続されている。
【0003】
次に、図9に基づいて、この過電流保護装置100の動作を説明する。同図は、過電流保護装置100の端子100a,100b間の電圧Vと端子100a,100b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0004】
過電流保護装置100は、端子100a,100b間の電圧を増加させると、点Aから点Bに沿って、電圧VがVbとなるまでは電圧Vにほぼ比例して電流Iが増加する。そして、電圧VがVb、電流IがIbになると、抵抗102の両端の電位差がデプレッションMOSFET101のしきい値と略等しくなるので、デプレッションMOSFET101に流れる電流が制限される。これにより、電流Iは、電圧Vを増加させても増加することなく、ほぼ一定値Ibを示すこととなる。かくして、この過電流保護装置100は、端子間に印加する電圧Vが増大しても、端子間に流れる電流Iを、制限電流Ibに制限することができるのである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、過電流保護装置100は、端子100a,100b間に流れる電流を、制限電流Ibに制限することができる保護機能を備えている。
【0006】
しかしながら、デプレッションMOSFET101で消費される消費電力は、電圧Vと電流Iの積に比例するので、電圧Vが増加すると、それに伴って消費電力も増加することとなる。これにより、過電流保護装置100は、デプレッションMOSFET101を形成した半導体チップが、過度に温度上昇し、やがて熱破壊してしまうことが懸念されていた。
【0007】
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的とするところは、熱破壊を確実に防止することができる保護機能を備えた過電流保護装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと、この第1のデプレッションMOSFETのゲートとの間に、正の温度係数を有するインピーダンス成分を接続したものであって、そのインピーダンス成分と第1のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としている。
【0009】
請求項2に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと第2のデプレッションMOSFETのソースとの間にインピーダンス成分を接続し、第1のデプレッションMOSFETのゲートと第2のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第2のデプレッションMOSFETのゲートと第1のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第1のデプレッションMOSFETのドレインに第1の端子を接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子を接続したものであって、前記インピーダンス成分と前記第1のデプレッションMOSFET及び前記第2のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴とするものである。
【0010】
請求項3に係る発明の過電流保護装置は、請求項1又は2の構成において、前記インピーダンス成分を、サーミスタにしているものである。
【0011】
請求項4に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至3の構成において、前記デプレッションMOSFETを、半導体チップの一方の主表面からこの半導体チップの他方の主表面に向かって電流が流れる縦形のデプレッションMOSFETにしているものである。
【0012】
請求項5に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至4の構成において、前記インピーダンス成分を、前記デプレッションMOSFETを形成する半導体チップの主表面に設けているものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0014】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明に係る過電流保護装置1の第1の実施の形態を示す回路図である。図において、2は第1のデプレッションMOSFET、3は正の温度係数を有するインピーダンス成分であり、この過電流保護装置1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと、この第1のデプレッションMOSFET2のゲートとの間に、インピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートとインピーダンス成分3との接続点1cに第2の端子1bを接続し、インピーダンス成分3と第1のデプレッションMOSFET2とを熱的に結合したことを特徴とするものである。
【0015】
図2は、第1のデプレッションMOSFET2の構造を示す断面図である。第1のデプレッションMOSFET2は、第1の導電型の半導体基板2a主表面に、第2の導電型のドレイン領域2b、第2の導電型のソース領域2c、及び第2の導電型のチャンネル領域2dを形成し、さらにドレイン領域2bに接するドレイン電極2eと、ソース領域2c及び半導体基板2aに接するソース電極2fと、チャンネル領域2d上に絶縁膜2hを介して形成するゲート電極2gと、を設けてある。
【0016】
このデプレッションMOSFET2は、所謂、横形であって、ゲート電極2gに電圧が印加されていないときには、電流がドレイン領域2bからソース領域2cに向かってチャンネル領域2dを通って流れるものである。そして、デプレッションMOSFET2は、ゲート電極2gに、ソース電極2fに対して負の電圧を印加して、チャンネル領域2dを反転させると、ドレイン領域2bからソース領域2cに向かう電流が流れなくなるものである。
【0017】
インピーダンス成分3(図1参照)は、正の温度係数を有するものであって、例えば、サーミスタの一種であるポリマーPTCサーミスタを用いることができる。このポリマーPTCサーミスタは、通常時には、カーボンを含有するポリマーが導電性となって電流が流れるものである。そして、ポリマーPTCサーミスタは、ある一定以上の電流が流れると、ジュール熱によって膨張を始め、ポリマー分子が膨張することにより、導電パスを形成していたカーボンが離れ、インピーダンスが増大する。これにより、素子温度は更に上昇し膨張が加速され、インピーダンスは更に増大するのである。
【0018】
次に、図3に基づいて、この過電流保護装置1の動作を説明する。同図は、過電流保護装置1の端子1a,1b間の電圧Vと端子1a,1b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0019】
過電流保護装置1は、第2の端子1bに対して正電位となる電圧を第1の端子1aに印加すると、電圧Vの増加に比例して電流Iが増加するので、それに応じて第1のデプレッションMOSFET2の素子温度が上昇する。すると、この熱がインピーダンス成分3に伝わってその素子温度が上昇し、インピーダンスが増大する。これにより、第1のデプレッションMOSFET2のゲート・ソース間に印加される電圧の絶対値が増大するので、第1のデプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流の増加が抑制されるため、点A,B,Cに沿う電圧電流特性を示す。
【0020】
さらに電圧を増加させると、電流が増加して第1のデプレッションMOSFET2が一層発熱するので、インピーダンス成分3の素子温度が一層上昇して、そのインピーダンスが更に増大する。これにより、第1のデプレッションMOSFET2のゲート・ソース間に印加される電圧の絶対値が更に増大するので、第1のデプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流の増加が抑えられる。その結果、この過電流保護装置1は、点C,Dに沿う電圧電流特性を示す。
【0021】
したがって、この過電流保護装置1は、端子1a,1b間の電圧Vが増大すると、端子1a,1b間の電流Iが減少するので、デプレッションMOSFET2で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されて熱破壊を確実に防止することができるのである。
【0022】
(第2の実施の形態)
図4は、本発明に係る過電流保護装置1の第2の実施の形態を示す回路図である。
【0023】
この過電流保護装置1は、上述した第1の実施の形態の回路に、第2のデプレッションMOSFET4を備えたことを特徴とするものである。具体的には、過電流保護装置1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと第2のデプレッションMOSFET4のソースとの間にインピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートと第2のデプレッションMOSFET4のソースを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のゲートと第1のデプレッションMOSFET2のソースを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子1bを接続してある。
【0024】
次に、図5に基づいて、この過電流保護装置1の動作を説明する。同図は、過電流保護装置1の端子1a,1b間の電圧Vと端子1a,1b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0025】
過電流保護装置1は、第2の端子1bに対して正電位となる電圧を第1の端子1aに印加すると、前述した第1の実施の形態において説明したのと同様に、点A,B,C,Dに沿う電圧電流特性を示し、端子1a,1b間の電圧Vが増大すると、端子1a,1b間の電流Iが減少する。これにより、デプレッションMOSFET2で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されるのである。また、第1の端子1aに対して正電位となる電圧を第2の端子1bに印加すると、同様に、点A,E,F,Gに沿う電圧電流特性を示すので、デプレッションMOSFET4で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されるのである。
【0026】
したがって、この構成によれば、過電流保護装置1は、端子1a,1b間の双方向に流れる電流に対する過電流保護機能を備えるので、例えば、交流信号の制御に好適に使用することができるものとなる。
【0027】
なお、上述した第1及び第2の実施の形態において、第1及び第2のデプレッションMOSFETは、図6に示すものにすることもできる。同図は、デプレッションMOSFETの構造を示す要部断面図である。
【0028】
このデプレッションMOSFETは、所謂、縦形であって、第2の導電型の半導体基板2aの第1の主表面に、第1の導電型のウエル領域2i,2i,2i,…、第2の導電型のソース領域2c,2c,…、及び第2の導電型のチャンネル領域2d,2d,…を形成し、チャンネル領域2d,2d,…上に絶縁膜2hを介してゲート電極2g,2g,…を設け、ソース領域2c,2c,…及びウエル領域2i,2i,2i,…に接するソース電極2fを設け、さらに、半導体基板2aの第2の主表面に、ドレイン電極2eを設けてある。
【0029】
かくして、このデプレッションMOSFETは、ゲート電極2gに電圧が印加されていないときに、ソース電極2fに対して正電位となる電圧をドレイン電極2eに印加すると、電流がドレイン電極2eから半導体基板2a及びチャンネル領域2dを通りソース領域2cに向かって縦方向に流れるのである。
【0030】
したがって、この縦形のデプレッションMOSFETは、図2に示す横形のデプレッションMOSFETと比較すると、半導体チップの単位面積当りに流すことができる電流を大きくすることができるので、過電流保護装置1に用いた場合、制限電流Icを増加させることが容易なものとなる。
【0031】
また、過電流保護装置1は、図7に示す構造のものにすることもできる。同図は、デプレッションMOSFET及びインピーダンス成分3の断面図である。
【0032】
この過電流保護装置1は、インピーダンス成分3をデプレッションMOSFETを形成した半導体チップの主表面に設けていることを特徴とするものである。具体的には、この過電流保護装置1は、上述した縦形のデプレッションMOSFET(図6参照)のソース電極2f上に絶縁膜2jを形成し、この絶縁膜2j上に、さらにインピーダンス成分3を設けてある。
【0033】
かくして、この過電流保護装置1は、デプレッションMOSFETに過電流が流れて発熱すると、その熱がインピーダンス成分3に瞬時に伝導するので、デプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流を瞬時に低減させ得るものとなり、以って、応答速度の向上が図れ、より確実に熱破壊を防止することができるものとなる。また、デプレッションMOSFETとインピーダンス成分3とを同一の半導体チップに形成しているので、部品点数を少なくすることができ、以って、過電流保護装置1の小型化が図られるものとなる。
【0034】
【発明の効果】
請求項1に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと、この第1のデプレッションMOSFETのゲートとの間に、正の温度係数を有するインピーダンス成分を接続したものであって、そのインピーダンス成分と第1のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としているので、端子間の電圧が増大すると、端子間に流れる電流が減少するため、デプレッションMOSFETで消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されて熱破壊を確実に防止することができるのとなる。
【0035】
請求項2に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと第2のデプレッションMOSFETのソースとの間にインピーダンス成分を接続し、第1のデプレッションMOSFETのゲートと第2のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第2のデプレッションMOSFETのゲートと第1のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第1のデプレッションMOSFETのドレインに第1の端子を接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子を接続したものであって、前記インピーダンス成分と前記第1のデプレッションMOSFET及び前記第2のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としているので、双方向に流れる電流に対する過電流保護機能を備えることとなり、交流信号等の制御に好適に使用することができるものとなる。
【0036】
請求項3に係る発明の過電流保護装置は、請求項1又は2の構成において、前記インピーダンス成分を、サーミスタにしているので、温度係数が大きなものとなり、以って、電圧が増大したときに流れる電流を確実に低減させられるものとなる。
【0037】
請求項4に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至3の構成において、前記デプレッションMOSFETを、半導体チップの一方の主表面からこの半導体チップの他方の主表面に向かって電流が流れる縦形のデプレッションMOSFETにしているので、横形のデプレッションMOSFETと比較すると、半導体チップの単位面積当りに流すことができる電流を大きくすることができ、制限電流を増加させることが容易なものとなる。
【0038】
請求項5に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至4の構成において、前記インピーダンス成分は、前記デプレッションMOSFETを形成する半導体チップの主表面に設けているので、デプレッションMOSFETに過電流が流れて発熱すると、その熱がインピーダンス成分に瞬時に伝導するから、デプレッションMOSFETのドレイン・ソース間に流れる電流を瞬時に低減させ得るものとなり、以って、応答速度の向上が図れ、より確実に熱破壊を防止することができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る過電流保護装置の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】同上の過電流保護装置に用いるデプレッションMOSFETの構造を示す断面図である。
【図3】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【図4】同上の第2の実施の形態を示す回路図である。
【図5】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【図6】同上の過電流保護装置に用いるデプレッションMOSFETの別の構造を示す要部断面図である。
【図7】同上の過電流保護装置の別の構造を示す要部断面図である。
【図8】従来の過電流保護装置を示す回路図である。
【図9】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 過電流保護装置
2 第1のデプレッションMOSFET
3 インピーダンス成分
4 第2のデプレッションMOSFET
【発明の属する技術分野】
本発明は、過電流が流れることを防止する過電流保護機能を備えた過電流保護装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の過電流保護装置として、例えば図8に示すようなものがある。この過電流保護装置100は、端子100a,100b間に所定の電流値を超える過電流が流れることを防止する過電流保護機能を備えているものであって、デプレッションMOSFET101と、抵抗102と、を有している。すなわち、過電流保護装置100は、デプレッションMOSFET101のソースと、このデプレッションMOSFET101のゲートとの間に、抵抗102が接続され、デプレッションMOSFET101のドレインに端子100aが接続され、デプレッションMOSFET101のゲートと抵抗102との接続点100cに端子100bが接続されている。
【0003】
次に、図9に基づいて、この過電流保護装置100の動作を説明する。同図は、過電流保護装置100の端子100a,100b間の電圧Vと端子100a,100b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0004】
過電流保護装置100は、端子100a,100b間の電圧を増加させると、点Aから点Bに沿って、電圧VがVbとなるまでは電圧Vにほぼ比例して電流Iが増加する。そして、電圧VがVb、電流IがIbになると、抵抗102の両端の電位差がデプレッションMOSFET101のしきい値と略等しくなるので、デプレッションMOSFET101に流れる電流が制限される。これにより、電流Iは、電圧Vを増加させても増加することなく、ほぼ一定値Ibを示すこととなる。かくして、この過電流保護装置100は、端子間に印加する電圧Vが増大しても、端子間に流れる電流Iを、制限電流Ibに制限することができるのである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、過電流保護装置100は、端子100a,100b間に流れる電流を、制限電流Ibに制限することができる保護機能を備えている。
【0006】
しかしながら、デプレッションMOSFET101で消費される消費電力は、電圧Vと電流Iの積に比例するので、電圧Vが増加すると、それに伴って消費電力も増加することとなる。これにより、過電流保護装置100は、デプレッションMOSFET101を形成した半導体チップが、過度に温度上昇し、やがて熱破壊してしまうことが懸念されていた。
【0007】
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的とするところは、熱破壊を確実に防止することができる保護機能を備えた過電流保護装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと、この第1のデプレッションMOSFETのゲートとの間に、正の温度係数を有するインピーダンス成分を接続したものであって、そのインピーダンス成分と第1のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としている。
【0009】
請求項2に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと第2のデプレッションMOSFETのソースとの間にインピーダンス成分を接続し、第1のデプレッションMOSFETのゲートと第2のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第2のデプレッションMOSFETのゲートと第1のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第1のデプレッションMOSFETのドレインに第1の端子を接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子を接続したものであって、前記インピーダンス成分と前記第1のデプレッションMOSFET及び前記第2のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴とするものである。
【0010】
請求項3に係る発明の過電流保護装置は、請求項1又は2の構成において、前記インピーダンス成分を、サーミスタにしているものである。
【0011】
請求項4に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至3の構成において、前記デプレッションMOSFETを、半導体チップの一方の主表面からこの半導体チップの他方の主表面に向かって電流が流れる縦形のデプレッションMOSFETにしているものである。
【0012】
請求項5に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至4の構成において、前記インピーダンス成分を、前記デプレッションMOSFETを形成する半導体チップの主表面に設けているものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0014】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明に係る過電流保護装置1の第1の実施の形態を示す回路図である。図において、2は第1のデプレッションMOSFET、3は正の温度係数を有するインピーダンス成分であり、この過電流保護装置1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと、この第1のデプレッションMOSFET2のゲートとの間に、インピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートとインピーダンス成分3との接続点1cに第2の端子1bを接続し、インピーダンス成分3と第1のデプレッションMOSFET2とを熱的に結合したことを特徴とするものである。
【0015】
図2は、第1のデプレッションMOSFET2の構造を示す断面図である。第1のデプレッションMOSFET2は、第1の導電型の半導体基板2a主表面に、第2の導電型のドレイン領域2b、第2の導電型のソース領域2c、及び第2の導電型のチャンネル領域2dを形成し、さらにドレイン領域2bに接するドレイン電極2eと、ソース領域2c及び半導体基板2aに接するソース電極2fと、チャンネル領域2d上に絶縁膜2hを介して形成するゲート電極2gと、を設けてある。
【0016】
このデプレッションMOSFET2は、所謂、横形であって、ゲート電極2gに電圧が印加されていないときには、電流がドレイン領域2bからソース領域2cに向かってチャンネル領域2dを通って流れるものである。そして、デプレッションMOSFET2は、ゲート電極2gに、ソース電極2fに対して負の電圧を印加して、チャンネル領域2dを反転させると、ドレイン領域2bからソース領域2cに向かう電流が流れなくなるものである。
【0017】
インピーダンス成分3(図1参照)は、正の温度係数を有するものであって、例えば、サーミスタの一種であるポリマーPTCサーミスタを用いることができる。このポリマーPTCサーミスタは、通常時には、カーボンを含有するポリマーが導電性となって電流が流れるものである。そして、ポリマーPTCサーミスタは、ある一定以上の電流が流れると、ジュール熱によって膨張を始め、ポリマー分子が膨張することにより、導電パスを形成していたカーボンが離れ、インピーダンスが増大する。これにより、素子温度は更に上昇し膨張が加速され、インピーダンスは更に増大するのである。
【0018】
次に、図3に基づいて、この過電流保護装置1の動作を説明する。同図は、過電流保護装置1の端子1a,1b間の電圧Vと端子1a,1b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0019】
過電流保護装置1は、第2の端子1bに対して正電位となる電圧を第1の端子1aに印加すると、電圧Vの増加に比例して電流Iが増加するので、それに応じて第1のデプレッションMOSFET2の素子温度が上昇する。すると、この熱がインピーダンス成分3に伝わってその素子温度が上昇し、インピーダンスが増大する。これにより、第1のデプレッションMOSFET2のゲート・ソース間に印加される電圧の絶対値が増大するので、第1のデプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流の増加が抑制されるため、点A,B,Cに沿う電圧電流特性を示す。
【0020】
さらに電圧を増加させると、電流が増加して第1のデプレッションMOSFET2が一層発熱するので、インピーダンス成分3の素子温度が一層上昇して、そのインピーダンスが更に増大する。これにより、第1のデプレッションMOSFET2のゲート・ソース間に印加される電圧の絶対値が更に増大するので、第1のデプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流の増加が抑えられる。その結果、この過電流保護装置1は、点C,Dに沿う電圧電流特性を示す。
【0021】
したがって、この過電流保護装置1は、端子1a,1b間の電圧Vが増大すると、端子1a,1b間の電流Iが減少するので、デプレッションMOSFET2で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されて熱破壊を確実に防止することができるのである。
【0022】
(第2の実施の形態)
図4は、本発明に係る過電流保護装置1の第2の実施の形態を示す回路図である。
【0023】
この過電流保護装置1は、上述した第1の実施の形態の回路に、第2のデプレッションMOSFET4を備えたことを特徴とするものである。具体的には、過電流保護装置1は、第1のデプレッションMOSFET2のソースと第2のデプレッションMOSFET4のソースとの間にインピーダンス成分3を接続し、第1のデプレッションMOSFET2のゲートと第2のデプレッションMOSFET4のソースを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のゲートと第1のデプレッションMOSFET2のソースを接続し、第1のデプレッションMOSFET2のドレインに第1の端子1aを接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子1bを接続してある。
【0024】
次に、図5に基づいて、この過電流保護装置1の動作を説明する。同図は、過電流保護装置1の端子1a,1b間の電圧Vと端子1a,1b間の電流Iの関係を示すグラフである。
【0025】
過電流保護装置1は、第2の端子1bに対して正電位となる電圧を第1の端子1aに印加すると、前述した第1の実施の形態において説明したのと同様に、点A,B,C,Dに沿う電圧電流特性を示し、端子1a,1b間の電圧Vが増大すると、端子1a,1b間の電流Iが減少する。これにより、デプレッションMOSFET2で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されるのである。また、第1の端子1aに対して正電位となる電圧を第2の端子1bに印加すると、同様に、点A,E,F,Gに沿う電圧電流特性を示すので、デプレッションMOSFET4で消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されるのである。
【0026】
したがって、この構成によれば、過電流保護装置1は、端子1a,1b間の双方向に流れる電流に対する過電流保護機能を備えるので、例えば、交流信号の制御に好適に使用することができるものとなる。
【0027】
なお、上述した第1及び第2の実施の形態において、第1及び第2のデプレッションMOSFETは、図6に示すものにすることもできる。同図は、デプレッションMOSFETの構造を示す要部断面図である。
【0028】
このデプレッションMOSFETは、所謂、縦形であって、第2の導電型の半導体基板2aの第1の主表面に、第1の導電型のウエル領域2i,2i,2i,…、第2の導電型のソース領域2c,2c,…、及び第2の導電型のチャンネル領域2d,2d,…を形成し、チャンネル領域2d,2d,…上に絶縁膜2hを介してゲート電極2g,2g,…を設け、ソース領域2c,2c,…及びウエル領域2i,2i,2i,…に接するソース電極2fを設け、さらに、半導体基板2aの第2の主表面に、ドレイン電極2eを設けてある。
【0029】
かくして、このデプレッションMOSFETは、ゲート電極2gに電圧が印加されていないときに、ソース電極2fに対して正電位となる電圧をドレイン電極2eに印加すると、電流がドレイン電極2eから半導体基板2a及びチャンネル領域2dを通りソース領域2cに向かって縦方向に流れるのである。
【0030】
したがって、この縦形のデプレッションMOSFETは、図2に示す横形のデプレッションMOSFETと比較すると、半導体チップの単位面積当りに流すことができる電流を大きくすることができるので、過電流保護装置1に用いた場合、制限電流Icを増加させることが容易なものとなる。
【0031】
また、過電流保護装置1は、図7に示す構造のものにすることもできる。同図は、デプレッションMOSFET及びインピーダンス成分3の断面図である。
【0032】
この過電流保護装置1は、インピーダンス成分3をデプレッションMOSFETを形成した半導体チップの主表面に設けていることを特徴とするものである。具体的には、この過電流保護装置1は、上述した縦形のデプレッションMOSFET(図6参照)のソース電極2f上に絶縁膜2jを形成し、この絶縁膜2j上に、さらにインピーダンス成分3を設けてある。
【0033】
かくして、この過電流保護装置1は、デプレッションMOSFETに過電流が流れて発熱すると、その熱がインピーダンス成分3に瞬時に伝導するので、デプレッションMOSFET2のドレイン・ソース間に流れる電流を瞬時に低減させ得るものとなり、以って、応答速度の向上が図れ、より確実に熱破壊を防止することができるものとなる。また、デプレッションMOSFETとインピーダンス成分3とを同一の半導体チップに形成しているので、部品点数を少なくすることができ、以って、過電流保護装置1の小型化が図られるものとなる。
【0034】
【発明の効果】
請求項1に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと、この第1のデプレッションMOSFETのゲートとの間に、正の温度係数を有するインピーダンス成分を接続したものであって、そのインピーダンス成分と第1のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としているので、端子間の電圧が増大すると、端子間に流れる電流が減少するため、デプレッションMOSFETで消費される消費電力が抑えられて、これを形成した半導体チップの過大な温度上昇が抑制されて熱破壊を確実に防止することができるのとなる。
【0035】
請求項2に係る発明の過電流保護装置は、第1のデプレッションMOSFETのソースと第2のデプレッションMOSFETのソースとの間にインピーダンス成分を接続し、第1のデプレッションMOSFETのゲートと第2のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第2のデプレッションMOSFETのゲートと第1のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第1のデプレッションMOSFETのドレインに第1の端子を接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子を接続したものであって、前記インピーダンス成分と前記第1のデプレッションMOSFET及び前記第2のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴としているので、双方向に流れる電流に対する過電流保護機能を備えることとなり、交流信号等の制御に好適に使用することができるものとなる。
【0036】
請求項3に係る発明の過電流保護装置は、請求項1又は2の構成において、前記インピーダンス成分を、サーミスタにしているので、温度係数が大きなものとなり、以って、電圧が増大したときに流れる電流を確実に低減させられるものとなる。
【0037】
請求項4に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至3の構成において、前記デプレッションMOSFETを、半導体チップの一方の主表面からこの半導体チップの他方の主表面に向かって電流が流れる縦形のデプレッションMOSFETにしているので、横形のデプレッションMOSFETと比較すると、半導体チップの単位面積当りに流すことができる電流を大きくすることができ、制限電流を増加させることが容易なものとなる。
【0038】
請求項5に係る発明の過電流保護装置は、請求項1乃至4の構成において、前記インピーダンス成分は、前記デプレッションMOSFETを形成する半導体チップの主表面に設けているので、デプレッションMOSFETに過電流が流れて発熱すると、その熱がインピーダンス成分に瞬時に伝導するから、デプレッションMOSFETのドレイン・ソース間に流れる電流を瞬時に低減させ得るものとなり、以って、応答速度の向上が図れ、より確実に熱破壊を防止することができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る過電流保護装置の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】同上の過電流保護装置に用いるデプレッションMOSFETの構造を示す断面図である。
【図3】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【図4】同上の第2の実施の形態を示す回路図である。
【図5】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【図6】同上の過電流保護装置に用いるデプレッションMOSFETの別の構造を示す要部断面図である。
【図7】同上の過電流保護装置の別の構造を示す要部断面図である。
【図8】従来の過電流保護装置を示す回路図である。
【図9】同上の過電流保護装置の端子間電圧Vと端子間電流Iの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 過電流保護装置
2 第1のデプレッションMOSFET
3 インピーダンス成分
4 第2のデプレッションMOSFET
Claims (5)
- 第1のデプレッションMOSFETのソースと、この第1のデプレッションMOSFETのゲートとの間に、正の温度係数を有するインピーダンス成分を接続したものであって、そのインピーダンス成分と第1のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴とする過電流保護装置。
- 第1のデプレッションMOSFETのソースと第2のデプレッションMOSFETのソースとの間にインピーダンス成分を接続し、第1のデプレッションMOSFETのゲートと第2のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第2のデプレッションMOSFETのゲートと第1のデプレッションMOSFETのソースを接続し、第1のデプレッションMOSFETのドレインに第1の端子を接続し、第2のデプレッションMOSFET4のドレインに第2の端子を接続したものであって、前記インピーダンス成分と前記第1のデプレッションMOSFET及び前記第2のデプレッションMOSFETとを熱的に結合したことを特徴とする過電流保護装置。
- 前記インピーダンス成分は、サーミスタである請求項1又は2記載の過電流保護装置。
- 前記デプレッションMOSFETは、半導体チップの一方の主表面からこの半導体チップの他方の主表面に向かって電流が流れる縦形のデプレッションMOSFETである請求項1乃至3のいずれかに記載の過電流保護装置。
- 前記インピーダンス成分は、前記デプレッションMOSFETを形成する半導体チップの主表面に設けているものである請求項1乃至4のいずれかに記載の過電流保護装置。
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