JP2004031436A

JP2004031436A - バリスタの製造方法

Info

Publication number: JP2004031436A
Application number: JP2002181840A
Authority: JP
Inventors: Sakyo Hirose; 廣瀬　左京; Akiyoshi Nakayama; 中山　晃慶; Kosuke Shiratsuyu; 白露　幸祐
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-06-21
Filing date: 2002-06-21
Publication date: 2004-01-29

Abstract

【課題】漏れ電流が小さく、低電圧化を図った場合であっても、絶縁抵抗及び電圧非直線性が高く、電気的特性のばらつきが少ないバリスタを製造することを可能とする方法を提供する。
【解決手段】主成分としての酸化亜鉛と、副成分として少なくともプラセオジム及びコバルトを含む半導体磁器からなるバリスタの製造方法に際し、酸化亜鉛に、プラセオジムを除いた副成分のうちの少なくともコバルトを元素もしくは化合物の形態で混合して一次混合物を得、６００〜１２００℃の温度で熱処理し、しかる後、熱処理された生成物にプラセオジムを元素もしくは化合物の形態で混合し、二次混合物を得、二次混合物を熱処理し、熱処理された生成物を成形して成形体を得、得られた成形体を焼成し、焼結体を得る各工程を備える、バリスタの製造方法。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば定格電圧３０Ｖ以下の低電圧で駆動され得るバリスタの製造方法に関し、より詳細には漏れ電流が少なく、信頼性に優れたバリスタを安定に供給することを可能とするバリスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信機器等の各種電子機器分野においては、電子回路の集積化と駆動電圧の低電圧化とが急速に進んできている。ノイズ吸収素子として用いられているバリスタにおいても、小型化及び低電圧化が強く求められている。バリスタを構成する材料としては、酸化亜鉛を主成分とする組成物が従来より用いられている。例えば、特公昭５３−１１０７６号公報などには、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＣｏＯ及びＭｎＯ等が添加されているＺｎＯ−Ｂｉ系材料が開示されている。また、例えば特公昭５６−３９８８４号公報などには、Ｐｒ_６Ｏ_１１及びＣｏＯ等が添加されているＺｎＯ−Ｐｒ系材料が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
酸化亜鉛を主成分とした材料を用いて構造されたバリスタでは、立ち上がり電圧（以下、バリスタ電圧Ｖ_１ｍＡと称する）の低電圧化を図るには、電極間に存在する粒界の数を少なくする必要があった。例えばＶ_１ｍＡ＝１０Ｖ以下の低電圧化を実現するためには、上記粒界の数は数個とされる必要があった。
【０００４】
従って、電圧非直線性を示さない不良な粒界の数が多くなると、不良な粒界同士が容易につながる確率が高くなる。その結果、絶縁抵抗や電圧非直線性が低下するという問題があった。特に、ＺｎＯ−Ｂｉ系バリスタでは、焼成時に低融点であるＢｉ_２Ｏ_３やＳｂ_２Ｏ_３が液相を生成するため、異常粒成長を引き起しがちであった。そのため、粒界ばらつきに伴った電気的特性のばらつきが大きくなり、特に、低電圧化を図った場合には、電極間に存在する粒界の数が少ないために電気的特性のばらつきがより一層大きくなりがちであった。よって、信頼性に優れたバリスタを安定に供給することは非常に困難であった。
【０００５】
他方、ＺｎＯ−Ｐｒ系バリスタは、低温で液相を生成する成分を含まない。従って、ＺｎＯ−Ｐｒ系バリスタは、低電圧化を図る上で有利である。しかしながら、ＺｎＯ−Ｐｒ系バリスタでは粒界に絶縁層が存在しない。従って、ＺｎＯ−Ｐｒ系バリスタでは、ＺｎＯ−Ｂｉ系バリスタに比べて漏れ電流が大きくなるという欠点があった。低電圧化を進めるために電極間の距離を小さくした場合には、上記漏れ電流はさらに大きくなり、絶縁抵抗及び電圧非直線性の低下が生じるという問題があった。このような問題が生じると、消費電力の増加及び信号回路の誤動作を引き起こす恐れがあった。
【０００６】
本発明は、上述した従来技術の欠点に鑑み、漏れ電流を小さくすることができ、低電圧化を進めた場合であっても、絶縁抵抗及び電圧非直線性の低下が生じ難く、ＺｎＯ−Ｐｒ系バリスタの製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るバリスタの製造方法は、主成分としての酸化亜鉛と、副成分として少なくともプラセオジム及びコバルトを含む半導体磁器からなるバリスタの製造方法であって、酸化亜鉛に、プラセオジムを除いた副成分のうちの少なくともコバルトを元素もしくは化合物の形態で混合して、一次混合物を得る工程と、前記一次混合物を６００〜１２００℃の温度で熱処理し、一次仮焼物を得る第１熱処理工程と、第１熱処理工程で得られた一次仮焼物に、プラセオジムを元素もしくは化合物の形態で混合し、二次混合物を得る工程と、前記二次混合物を熱処理し、二次仮焼物を得る第２熱処理工程と、前記第２熱処理工程で得られた二次仮焼物を用いて成形し、成形体を得る工程と、前記成形体を焼成し、焼結体を得る焼成工程と、前記焼結体に電極を形成する電極形成工程とを含む。
【０００８】
酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少なくともプラセオジムとコバルトとを添加してなるバリスタの従来の製造方法では、主成分の酸化亜鉛に対し、副成分の元素あるいは化合物が一度に添加されていた。すなわち、図２に示すように、ＺｎＯ素材に対し、Ｐｒ、Ｃｏ及びその他の副成分が一度に添加されて、粉砕・混合される。しかる後、混合物が脱水・乾燥されて、仮焼される。仮焼物が粉砕され、得られた粉体を成形することにより成形体が得られ、この成形体を焼成することによりバリスタ素体が得られている。
【０００９】
本願発明者等は、上述した従来の製造方法では、副成分同士が仮焼時に異相を生成して偏析し、副成分の分散性が低下したり、副成分同士による化合物の生成により、粒成長や焼結性に多く影響を及ぼし、それによって特性のばらつきや信頼性の低下が生じていることを見出した。また、本願発明者等は、さらに検討した結果、上記問題は、漏れ電流を増大させたり、電圧非直線性を低下させる原因でもあり、特に、粒界数が非常に少ない低電圧用バリスタでは、漏れ電流の増大及び電圧非直線性の低下が顕著となり、甚だしき場合にはバリスタ特性が消滅する恐れがあることを見出した。
【００１０】
そこで、本願発明の製造方法では、副成分として添加されるプラセオジム及びコバルトが酸化亜鉛に一度に添加されず、別々に添加される。
従来法では、プラセオジム及びコバルトなどの副成分が酸化亜鉛に同時に加えられ、混合・熱処理されるため、熱処理時に、プラセオジムとコバルトとの間で化合物が生成され、該化合物が偏析する。従って、プラセオジム及びコバルトの分散性が低下しがちであった。
【００１１】
これに対して、図１に示すように、本発明の製造方法では、まず、酸化亜鉛に容易に固溶するコバルトが酸化亜鉛に添加され、第１の熱処理工程が行われ、それによってコバルトが酸化亜鉛にほぼ完全に固溶する。次に、上記第１熱処理工程で得られた一次仮焼物に、プラセオジムが混合されて、二次混合物が得られる。二次混合物が第２熱処理工程において熱処理されるが、コバルトが酸化亜鉛に固溶しているので、プラセオジムとコバルトとの化合物の生成が効果的に抑制される。そのため、プラセオジム及びコバルトを高分散することができる。その結果、不良な粒界の数を著しく低減することができる。よって、電極間の粒界数が数個である低電圧バリスタの製造に本発明を用いた場合であっても、漏れ電流を小さくでき、バリスタの安定性及び信頼性を効果的に高めることができる。
【００１２】
以下、本発明の詳細を説明する。
本発明に係るバリスタの製造方法は、主成分としての酸化亜鉛と、副成分として少なくともプラセオジム及びコバルトを含む半導体磁器からなるバリスタを提供するものである。ここで、副成分は、少なくともプラセオジム及びコバルとを含む限り特に限定されず、プラセオジム及びコバルト以外の副成分としては、例えば、Ｋ、Ａｌ、Ｃａ、Ｌａ、Ｃｒなどを挙げることができる。
【００１３】
本発明では、まず、酸化亜鉛に、プラセオジムを除いた副成分のうちの少なくともコバルトを元素もしくは酸素の形態で混合することにより、一次混合物が得られる。すなわち、一次混合物を得る工程では、酸化亜鉛にコバルトのみを元素もしくは化合物の形態で混合物してもよく、あるいは酸化亜鉛に、コバルトと、プラセオジムを除いた残りの副成分のうち少なくとも１種とを元素もしくは化合物の形態で混合してもよい。一次混合物を得る際の混合工程については、ボールミルを用いた湿式混合方法など、任意の方法を用いることができる。
【００１４】
次に、第１熱処理工程において、一次混合物が６００〜１２００℃の温度で熱処理される。熱処理に際しては、一次混合物を加熱炉内で加熱する方法など適宜の加熱方法を用いることができ、熱処理方法は特に限定されない。また、熱処理に際しての雰囲気は、大気中とされるが、酸素、窒素、もしくはこれらの混合雰囲気などの他の雰囲気中で行われてもよい。
【００１５】
熱処理に際しての温度が６００℃未満の場合には、酸化亜鉛のコバルトへの固溶が不十分となる。従って、コバルトが粒界に偏析し、最終的に異相の生成を引き起し、コバルトの分散性が低下する。その結果、得られたバリスタの絶縁抵抗が低くなったり、バリスタ電圧のばらつきが大きくなる。熱処理温度が１２００℃より高くなると、粒成長や焼成が進みすぎる。従って、粉砕混合が困難となり、成形に先立って粉砕混合により均一な粉体を得ることができなくなり、かつバリスタ電圧のばらつきが大きくなる。
【００１６】
上記第１熱処理工程における熱処理時間は、３０分〜６時間程度とすればよい。このようにして、第１熱処理工程において、一次混合物が仮焼される。
次に、第１熱処理工程で得られた一次仮焼物に、プラセオジムが元素もしくは化合物の形態で混合され、二次混合物が得られる。二次混合物を得るための混合方法についても、ボールミルを用いた湿式混合方法など適宜の方法を用いることができる。
【００１７】
しかる後、上記のようにして得られた二次混合物が第２熱処理工程において熱処理され、二次仮焼物が得られる。第２熱処理工程の温度は、特に限定されないが、好ましくは、４００〜１０００℃の範囲で行うことが望ましい。４００℃より低い場合には、第１熱処理工程後に添加された元素が、充分に熱処理されず、成形体を得るための成形時に偏析が生じ易くなり、プラセオジム及び必要に応じてプラセオジムと同時に添加される他の副成分の分散性が低下し易くなる。そのため、絶縁抵抗が低下したり、バリスタ電圧がばらついたりする可能性がある。１０００℃よりも高い場合には、二次混合物が焼結及びネッキングして、焼結し、粒径分布が大きくなる恐れがあり、かつ酸化亜鉛に固溶しないＰｒの分散性が低下する可能性があるからである。
【００１８】
上記成形体を得る工程とは、次に焼成されて焼結体を得るための成形体を得る工程である。従って、得られる成形体は、目的とするバリスタの構造に応じて適宜定められる。例えば、単板型のバリスタを得る場合には、成形工程においては、第２熱処理工程で得られた二次仮焼物が金型等を用いて板状物に成形される。このようにして、単板型のバリスタに適した板状の成形体が用意される。
【００１９】
また、本発明に係るバリスタの製造方法では、バリスタ層を介して複数の内部電極が重なり合うように配置されている積層型バリスタを製造してもよい。積層型バリスタを得る場合には、上記成形体を得る工程において、第２熱処理工程で得られた二次仮焼物層を介して複数の内部電極が厚み方向に重なり合うように配置された積層体が成形体として得られる。
【００２０】
なお、成形体を得る工程における成形方法としては、上記のように成形体の構造に応じた適宜の方法を用いればよい。
本発明では、上記のようにして得られた成形体が焼成され、焼結体が得られる。この焼結体を得るための焼成条件については、使用する半導体磁器組成に応じて、適宜設定すればよい。
【００２１】
本発明では、上記のようにして得られた焼結体に電極が形成され、それによってバリスタが得られる。電極の形成は、焼結体表面に導電ペーストを塗布・焼付ける方法、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法などの適宜の方法により行ない得る。
【００２２】
前述したように、本発明により得られるバリスタは、主成分としての酸化亜鉛と、副成分として少なくともプラセオジム及びコバルトを含む半導体磁器を備えるが、好ましくは、プラセオジムが半導体磁器中の０．０５〜３．０ａｔｏｍ％、かつコバルトが、半導体磁器中の０．５〜２０ａｔｏｍ％含有される。プラセオジムの含有割合が０．０５ａｔｏｍ％よりも少ない場合には、プラセオジム酸化物から結晶粒界に供給される酸素量が少なくなり、絶縁抵抗や電圧非直線性が低下することがある。また、プラセオジムの含有割合が３．０ａｔｏｍ％より多くなると、粒成長が阻害され、低電圧化が困難となる恐れがあり、かつバリスタ電圧のばらつきが大きくなることがある。
【００２３】
コバルトの含有量が０．５ａｔｏｍ％より少ない場合には、絶縁抵抗及び電圧非直線性が著しく低下することがあり、２０ａｔｏｍ％よりも多くなると、酸化亜鉛にコバルトが完全に固溶し難くなり、コバルトが粒界に偏析し、バリスタ電圧のばらつきが大きくなることがある。
【００２４】
なお、前述したように、上記副成分としてプラセオジム及びコバルト以外の他の元素を元素または化合物の形態で一次混合物を得る工程及び／または二次混合物を得る工程において添加してもよい。この場合には、一次混合物を得る混合工程において、プラセオジムを除いた副成分のうち少なくともコバルトが元素もしくは化合物の形態で混合され、二次混合物を得る混合工程において、プラセオジムと、一次混合物を得る工程で添加されなかった残りの副成分とが元素もしくは化合物の形態で混合されることになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【００２６】
［実験例１］
（１）半導体磁器組成
実験例１では、焼成後の組成比率が下記の表１に示す組成番号１〜５の各組成の半導体磁器からなるバリスタを作製した。
【００２７】
【表１】

【００２８】
（２）バリスタの製造
本発明の効果を明らかにするために、本発明の実施例の製造方法と、従来の製造方法によりそれぞれ組成番号１〜５の組成の半導体磁器からなるバリスタを製造した。実施例及び従来法の製造方法は以下の通りである。
【００２９】
（実施例の製造方法）
ＺｎＯに対し、下記の表２に〇印で示されている一次混合時添加元素を各組成番号の組成比率となるように秤量した。なお、表２の試料番号１〜２０において、組成番号は、表１に示す組成番号に対応している。また、各元素は、ＣｏＯ、Ｋ_２ＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３及びＣｒ_２Ｏ_３のように、化合物として添加した。上記のようにして、配合された組成物をボールミルで２４時間粉砕し、混合し、乾燥した。このようにして、一次混合物を得た。
【００３０】
次に、一次混合物を、大気中で８００℃の温度で２時間熱処理し、一次仮焼物を得た。この一次仮焼物を粉砕して粉体とした後、下記の表２に示すように、二次混合時添加元素を添加した。すなわち、下記の表２に示す〇で示した二次混合時添加元素を上記と同様に化合物の形態で添加した。なお、一次混合時添加元素及び二次混合時添加元素をＺｎＯに添加する際、表２の試料番号の右に示されている組成番号が実現されるように、一次混合時及び二次混合時の副成分元素の量を定めた。
【００３１】
上記のようにして、二次混合時添加元素を添加し、ボールミルで再び粉砕し、混合し、乾燥し、二次混合物を得た。得られた二次混合物を、大気中にて６００℃の温度で２時間熱処理した。
【００３２】
上記のような第２熱処理工程で得られた二次仮焼物に有機バインダ、有機溶剤、可塑剤及び分散剤を加えボールミルで１２時間粉砕混合し、スラリーを得た。このようにして得たスラリーを、ドクターブレード法によりＰＥＴフィルム上に約２５μｍの厚さのグリーンシートとなるように成形した。
このようにして得られたグリーンシートを短冊状に切断し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。
【００３３】
次に、上記のようにして得られた矩形のセラミックグリーンシートの上面に、Ｐｔペーストをスクリーン印刷した。Ｐｔペーストが印刷された複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、上下に無地の上記セラミックグリーンシートを積層した。このようにして得られた積層体を２ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で圧着し、マザーの積層体を得た。このマザーの積層体を個々の積層バリスタ単位の寸法に切断した。
【００３４】
なお、個々の積層バリス単位の上記積層体において、電極を構成するＰｔペーストの重なり面積は、２．３ｍｍ^２、積層体の長さは１．６ｍｍ、幅は０．８ｍｍである。
【００３５】
次に、上記積層体を大気中で５００℃の温度で１２時間熱処理し、有機バインダーを除去した後、大気中で１１５０℃〜１２５０℃の温度で２時間焼成し、積層型バリスタ素体となる焼結体を得た。
【００３６】
次に、この焼結体の両端面にＡｇペーストを塗布し、大気中で８００℃で焼付け、外部電極を形成した。
上記のようにして、図３に示す積層バリスタ１を得た。積層バリスタ１では、内部電極２，３がバリスタ層を介して厚み方向に重なり合うように配置されている。また、積層体４の両端面には、外部電極５，６が形成されている。なお、図４は、上記積層体における内部電極２，３のパターンを示すための分解斜視図である。
【００３７】
上記のようにして、試料番号６〜２０の各積層バリスタを得た。
【００３８】
（従来例バリスタの製造）
表２に示す試料番号１〜５において、それぞれ組成番号１〜５となるようにＺｎＯに対し、副成分を化合物の形態で添加した。すなわち、ＺｎＯに対し全ての副成分を一度に添加した。次に、ボールミルで２４時間粉砕・混合、乾燥し、大気中にて８００℃の温度で２時間熱処理した。このようにして、バリスタ原料を得た。
【００３９】
上記のようにして得られたバリスタ原料を用いたことを除いては、実施例と同様にして、積層型バリスタを作製した。なお、表２を含む以下の表において※で示した試料は、本発明外の試料であることを示す。
【００４０】
【表２】

【００４１】
（３）実施例及び従来例の評価
上記のようにして得られた各積層型バリスタの▲１▼バリスタ電圧（_１ｍＡ）、▲２▼バリスタ電圧の６０％の電圧を０．１秒間印加した時の絶縁抵抗（ＩＲ）、▲３▼０．１_ｍＡ〜１_ｍＡ間の電圧非直線係数（α）及び▲４▼バリスタ電圧Ｖ_１ｍＡのばらつきを測定した。なお、ばらつきの測定に際しては、試料の数は１０００個とした。
【００４２】
結果を下記の表３に示す。
【００４３】
【表３】

【００４４】
表３から明らかなように、従来例で製造された試料番号１〜５の各積層型バリスタでは、バリスタ電圧が約９Ｖとなるようにバリスタを設計した場合、絶縁抵抗が１ＭΩ以下、電圧非直線係数（α）が２０以下と低く、バリスタ電圧のばらつきΔＶ_１ｍＡが１５％を越え、ばらつきが非常に大きいことがわかる。
【００４５】
試料番号６，９，１２，１５，１８においては、コバルトとプラセオジムが一次混合物を得る場合に同時に添加されていたため、従来法で得られた試料番号１〜５の積層バリスタと同様に、絶縁抵抗及び電圧非直線係数が低く、バリスタ電圧のばらつきが大きかった。
【００４６】
これに対して、本発明の実施例としての試料番号７，８，１０，１１，１３，１４，１６，１７，１９，２０で得られた積層型バリスタでは、バリスタ電圧が約９Ｖと低いにもかかわらず、絶縁抵抗が５．０ＭΩ以上と高く、電圧非直線係数αも２０以上と高かった。また、バリスタ電圧のばらつきも１５％以下であった。
【００４７】
［実験例２］
次に、一次混合物の熱処理温度を種々変更したことを除いては、上記実験例１と同様にして積層バリスタを得、評価した。実験例１によりプラセオジム及びコバルト以外の副成分は、一次混合物を得る工程及び二次混合物を得る工程のいずれにおいて添加しても同様の効果があることがわかったため、本実験例では、コバルトのみを第一次混合物を得る際に添加し、他の副成分は二次混合物に添加した。すなわち、ＺｎＯに対し、ＣｏＯ粉末を表１に示した組成番号１〜５における添加量となるように秤量し、ボールミルで２４時間粉砕し、混合し、乾燥した。しかる後、表４に示した各温度で大気中で２時間熱処理し、すなわち一次仮焼を行った。この第１熱処理工程で得られた一次仮焼物に対し、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｋ_２ＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３及びＣｒ_２Ｏ_３を、表１の組成番号１〜５に応じた組成比となるように添加し、ボールミルで再び粉砕し、混合し、乾燥した。しかる後、大気中にて６００℃で２時間熱処理し、二次仮焼物を得た。以下、前述した積層バリスタの製造方法と同様にして、積層型バリスタを得た。
【００４８】
また、得られた各積層型バリスタにつき、バリスタ電圧、バリスタ電圧の６０％の電圧を０．１秒間印加したときの絶縁抵抗（ＩＲ）及び電圧非直線係数（α）及びバリスタ電圧ばらつきを、上記と同様にして測定した。結果を下記の表４に示す。
【００４９】
【表４】

【００５０】
表４の試料番号２１，２７，３３，３９，４５から明らかなように、第１熱処理工程の熱処理温度が６００℃を下回ると、絶縁抵抗及び電圧非直線係数がともに低く、バリスタ電圧のばらつきが１５％を越えることがわかる。また、試料番号２６，３２，３８，４４，５０から明らかなように、第１熱処理工程の熱処理温度が１２００℃を上回った場合も同様に、絶縁抵抗及び電圧非直線係数は高いものの、バリスタ電圧のばらつきが１５％を越えることがわかる。これに対して、第１熱処理工程の温度が６００〜１２００℃である試料番号２２〜２５，２８〜３１，３４〜３７，４０〜４３，４６〜４９では、絶縁抵抗及び電圧非直線係数が高いだけでなく、バリスタ電圧のばらつきも１５％以下と低いことがわかる。
【００５１】
［実験例３］
ＺｎＯに対し、ＣｏＯを下記の表５の組成比となるように秤量し、ボールミルで２４時間粉砕、混合、乾燥した。このようにして、一次混合物を得た。この一次混合物を、大気中にて８００℃で２時間熱処理し、一次仮焼物を得た。この一次仮焼物を粉砕した後、下記の表５の組成比となるように、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｋ_２ＣＯ_３、及びＡｌ_２Ｏ_３を添加し、再びボールミルで粉砕し、混合し、乾燥した。しかる後、乾燥された生成物を大気中にて６００℃で２時間熱処理し、二次仮焼物を得た。以下、実験例１と同様にして、この二次仮焼物を用いて表５の試料番号５１〜７３の各積層型バリスタを作製し、同様にして評価した。
【００５２】
結果を下記の表５に示す。
【００５３】
【表５】

【００５４】
表５の試料番号６３，６４から明らかなように、半導体磁器において、プラセオジム含有割合が０．０５ａｔｏｍ％より少ない場合には、バリスタ電圧のばらつきが１５％以下と小さいものの、絶縁抵抗が５ＭΩよりも小さく、また電圧非直線係数も２０以下であった。他方、試料番号７２，７３から明らかなように、プラセオジム含有割合が３．０ａｔｏｍ％より多いと、絶縁抵抗及び電圧非直線係数は高いものの、バリスタ電圧のばらつきが１５％より大きくなることがわかる。
【００５５】
試料番号６５〜７１から明らかなように、プラセオジム含有割合が０．０５〜３．０ａｔｏｍ％の範囲であれば、絶縁抵抗が５．０ＭΩ以上、電圧非直線係数αが２０以上であり、かつバリスタ電圧のばらつきが１５％以下と小さく、特に優れた電気的特性の得られることがわかる。
【００５６】
他方、試料番号５１，５２から明らかなように、コバルトの含有割合が０．５ａｔｏｍ％より少ないと、バリスタ電圧のばらつきが１５％以下と小さいものの、絶縁抵抗が５．０ＭΩよりも小さく、電圧非直線係数は２０以下であった。また、試料番号６１，６２から明らかなように、Ｃｏ含有割合が２０ａｔｏｍ％より多いと、絶縁抵抗及び電圧非直線係数は高いものの、バリスタ電圧のばらつきが１５％より大きくなることがわかる。従って、コバルト含有割合を０．５〜２０ａｔｏｍ％の範囲とした試料５３〜６０であれば、絶縁抵抗が５ＭΩ以上、電圧非直線係数が２０以上であり、かつバリスタ電圧のばらつきが１５％以下と小さく、特に優れた電気的特性の得られることがわかる。
【００５７】
［実験例４］
ＺｎＯに対し、前述した表１に示した組成比となるようにＣｏＯを秤量し、ボールミルで２４時間粉砕し、混合し、乾燥した。このようにして得られた一次混合物を８００℃の温度で大気中で２時間熱処理し、一次仮焼物を得た。一次仮焼物を粉砕した後、表７に示す組成番号（表１参照）の組成比率となるように、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｋ_２ＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３及びＣｒ_２Ｏ_３を添加し、ボールミルで再び粉砕、混合、乾燥した。このようにして、二次混合物を得、この二次混合物を下記の表７に示す温度で大気中で２時間熱処理し、二次仮焼物を得た。以下、実験例１と同様にしてセラミックグリーンシートを得た。得られたセラミックグリーンシートにおけるＣｏ及びＰｒの分散性を以下の分散性評価技法を用いて評価した。また、比較のために、従来法で作製された試料についても同様にＣｏ及びＰｒの分散性を評価した。
【００５８】
分散性評価技法…波長分散性Ｘ線分光器（ＷＤＸ）を用いてマッピング分析を行った。条件は以下の通りである。
ピクセル数：２５６×２５６
ピクセルサイズ：０．４μｍ
測定領域（面積）：１０２．４μｍ
上記マッピング分析により得られたＣｏ及びＰｒのＸ線強度のマッピングデータを下記の表６に示す条件で１２通りに分割し、各領域の平均強度を算出した。算出された平均値は、全データの平均値の平方根により算出された標準偏差の２倍の値の上下所定の範囲に入る確率を求めた。この確率が９５％の場合、各領域の検出強度の平均値に有意差が認められない、すなわち、均一な分散であると判断し、各領域の検出強度の平均値に有意差が認められない最小の領域を均一領域とした。均一領域が小さい程、分散性が高いことを示す。
【００５９】
上記のようにして求めた均一領域の大きさを、下記の表７に示す。
なお、バリスタ特性に大きく寄与するＰｒ及びＣｏの均一領域がそれぞれ１．６μｍ以下であれば充分均一であり、１．６μｍよりも大きいと不均一であると判断した。
【００６０】
【表６】

【００６１】
【表７】

【００６２】
表７から明らかなように、本発明の方法を用いて得られた試料番号７５〜７８，８１〜８４，８７〜９０，９３〜９６及び９９〜１０２では、Ｃｏの均一領域は０．４μｍと小さく、分散性が高いことがわかる。
【００６３】
なお、第２熱処理工程における熱処理温度が４００℃よりも低い場合には、試料番号７４，８０，８６，９２，９８の結果から明らかなように、Ｐｒの均一領域が６．４μｍ以上となった。他方、第２熱処理工程の熱処理温度が１０００℃より高い場合には、試料番号７９，８５，９１，９７，１０３の結果から明らかなように、Ｐｒの均一領域が６．４μｍ以上であり、分散性が低下していた。
【００６４】
第２熱処理工程の熱処理温度が４００℃より低いとＰｒの分散性が低下する。従って、充分に仮焼が進まず、シート成形時のスラリー化の際にＰｒ_６Ｏ_１１が表面に浮きでたと考えられる。また、該熱処理温度が１０００℃よりも高いと、Ｐｒの分散性が低下するのは、熱処理温度が高いために、原料の焼結及びネッキングが進行し、スラリー化の際に充分に粉砕することが困難であり、凝集分、粗粒子が存在し、Ｐｒが偏析したためと考えられる。
【００６５】
なお、副成分を一度に添加することを除いては、実施例と同様にして得られたセラミックグリーンシート、すなわち試料番号１０４〜１０８のセラミックグリーンシートでは、Ｐｒだけでなく、Ｃｏの均一領域も６．４μｍ以上と大きく、分散性が低かった。これは、熱処理時に、ＰｒとＣｏとの間でＰｒＣｏＯ_３やＰｒ_２ＣｏＯ_５等の化合物が生成され、粒界に偏析したためと考えられる。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係るバリスタの製造方法では、酸化亜鉛に、プラセオジムを除いた副成分のうちの少なくともコバルトを元素もしくは化合物の形態で混合し、一次混合物を得、６００〜１２００℃の温度で熱処理した後に、プラセオジムを元素もしくは化合物の形態で混合し、二次混合物を得、該二次混合物を熱処理することにより、バリスタ原料としての二次仮焼物が得られる。従って、酸化亜鉛に容易に固溶するコバルトが先に添加されて熱処理が行われ、コバルトが酸化亜鉛にほぼ完全に固有する。
【００６７】
よって、得られたバリスタ原料において、プラセオジムとコバルト間での化合物の生成が抑制され、かつコバルト及びプラセオジムの分散性が飛躍的に高められる。そのため、上記バリスタ原料を成形し、焼成することにより得られた焼結体において、不良な粒界を著しく少なくすることができる。従って、低電圧化を図った場合であっても、漏れ電流が小さく、電圧非直線性に優れ、さらにバリスタ電圧のばらつきが少ないバリスタを安定に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバリスタの製造方法の各工程を示すフロー図。
【図２】従来のバリスタの製造方法の各工程を示すフロー図。
【図３】実験例１で得られた積層バリスタの構造を説明するための略図的正面断面図。
【図４】図３に示した積層バリスタを得るのに用いられたセラミックグリーンシート及びＰｔペーストパターンを示す分解斜視図。
【符号の説明】
１…積層バリスタ
２，３…内部電極
４…積層体
５，６…外部電極

Claims

主成分としての酸化亜鉛と、副成分として少なくともプラセオジム及びコバルトを含む半導体磁器からなるバリスタの製造方法であって、
酸化亜鉛に、プラセオジムを除いた副成分のうちの少なくともコバルトを元素もしくは化合物の形態で混合して、一次混合物を得る工程と、
前記一次混合物を６００〜１２００℃の温度で熱処理し、一次仮焼物を得る第１熱処理工程と、
第１熱処理工程で得られた一次仮焼物に、プラセオジムを元素もしくは化合物の形態で混合し、二次混合物を得る工程と、
前記二次混合物を熱処理し、二次仮焼物を得る第２熱処理工程と、
前記第２熱処理工程で得られた二次仮焼物を用いて成形し、成形体を得る工程と、
前記成形体を焼成し、焼結体を得る焼成工程と、
前記焼結体に電極を形成する電極形成工程とを含む、バリスタの製造方法。
前記プラセオジムが前記半導体磁器中０．０５〜３．０ａｔｏｍ％含有され、前記コバルトが、前記半導体磁器中０．５〜２０ａｔｏｍ％含有されている、請求項１に記載のバリスタの製造方法。
前記第２熱処理工程における熱処理温度が４００〜１０００℃である、請求項１または２に記載のバリスタの製造方法。
前記副成分が、プラセオジム及びコバルト以外の他の元素を含み、前記一次混合物を得る混合工程において、プラセオジムを除いた副成分のうち少なくともコバルトが元素もしくは化合物の形態で混合され、かつ前記二次混合物を得る混合工程において、プラセオジムと残りの副成分とが元素もしくは化合物の形態で混合される、請求項１〜３のいずれかに記載のバリスタの製造方法。
前記成形体を得る工程において、前記第２熱処理工程で生成された二次仮焼物層を介して複数の内部電極が厚み方向に重なり合うように配置された積層体が形成される、請求項１〜４のいずれかに記載のバリスタの製造方法。
前記成形体を得る工程において、前記第２熱処理工程で得られた二次仮焼物からなる板状の成形体が得られる、請求項１〜５のいずれかに記載のバリスタの製造方法。