JP2004022995A - 半導体チップのボンディング方法および装置 - Google Patents

半導体チップのボンディング方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004022995A
JP2004022995A JP2002179012A JP2002179012A JP2004022995A JP 2004022995 A JP2004022995 A JP 2004022995A JP 2002179012 A JP2002179012 A JP 2002179012A JP 2002179012 A JP2002179012 A JP 2002179012A JP 2004022995 A JP2004022995 A JP 2004022995A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
suction
adherend
adhesive
fixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002179012A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3757193B2 (ja
Inventor
Hitoshi Kinoshita
木下 仁
Moriji Morita
森田 守次
Kunio Nishihara
西原 邦夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Priority to JP2002179012A priority Critical patent/JP3757193B2/ja
Publication of JP2004022995A publication Critical patent/JP2004022995A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3757193B2 publication Critical patent/JP3757193B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】半導体チップ5と被着体18との間の接着剤26に気泡を巻き込むことなく、ボイドの発生を抑制すること。
【解決手段】取付具2の弾力性を有する吸着部材6の吸着面9に、通気孔11を介する負圧によって、半導体チップ5の一方の表面23を真空吸着して支持し、こうして半導体チップ5を凸に湾曲変形させた状態とする。半導体チップ5の他方の表面24に接着剤26を付着し、リードフレーム、配線基板などの被着体18に近接変位して押圧する。接着剤26は、フィルム状であってもよく、またはペースト状であってもよい。フィルム状配線基板などの可撓性被着体35を弾力性支持部材33上で凸に湾曲変形するようにしてもよい。
【選択図】   図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄片状の半導体チップを、被着体であるリードフレーム、パッケージまたは配線基板などに取付けてボンディングするための方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体チップをリードフレーム、パッケージおよび配線基板などの被着体に、ダイアタッチ剤などと呼ばれる接着剤を用いて接着するにあたり、半導体チップをコレットで真空吸着し、接着剤を介して被着体に熱圧着する手法が採られている。この熱圧着時、半導体チップの被着体に対向する表面は、平面に維持された状態に保たれる。この先行技術では、半導体チップと被着体との間に介在された接着剤にボイドが入りやすく、したがって実装時のはんだ付け熱処理などのリフロー工程で、接着剤が吸湿した水分がリフローはんだ付けの実装時、加熱によって水蒸気化し、接着剤の破壊が生じ、亀裂が発生する。
【0003】
この問題を解決する先行技術は、たとえば特開2001−176895に開示される。この先行技術では、フィルム状接着剤である有機ダイボンディング材を用い、これによってボイド発生を防ごうとしている。この先行技術でもまた、半導体チップの平坦な表面と被着体の平坦な取付面とを接着する構成を有し、したがってフィルム状有機ダイボンディング材中に空気を巻き込み、気泡が残りやすいという問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体チップと被着体との間に介在される接着剤にボイドが発生することを防ぐようにした半導体チップのボンディング方法および装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体チップの一方の表面を支持し、被着体の取付面に向って凸に彎曲変形させ、
半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤が介在された状態で、
半導体チップと被着体とを相互に近接変位して加熱押圧し、その後、半導体チップを平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法である。
【0006】
また本発明は、半導体チップの彎曲変形時のばね定数よりも大きいばね定数を有する弾力性のある吸着部材の外方の凸の吸着面に、半導体チップの前記一方の表面を、真空吸着して、半導体チップを、前記凸に彎曲変形させることを特徴とする。
【0007】
また本発明は、取付具を準備し、
この取付具は、
自然状態で外方に凸である吸着面を有し、この吸着面に開口する厚み方向に延びる通気孔が形成され、弾力性を有する材料から成る吸着部材と、
吸着部材の厚み方向に吸着面とは反対側の基端部が固定される通路が形成された取付具本体とを含み、
通気孔を負圧源によって負圧とし、
吸着面に、半導体チップの一方の表面を真空吸着して、半導体チップを外方に凸の形状に彎曲し、
半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤を介在し、
取付具本体と被着体とを、相互に近接変位して加熱押圧し、半導体チップを平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法である。
【0008】
また本発明は、(a)取付具であって、
(a1)自然状態で外方に凸である吸着面を有し、この吸着面に開口する厚み方向に延びる通気孔が形成され、弾力性を有する材料から成る吸着部材と、
(a2)吸着部材の厚み方向に吸着面とは反対側の基端部が固定される取付具本体とを有する取付具と、
(b)通気孔を負圧とする負圧源と、
(c)取付具と被着体とを、相互に近接変位して押圧する変位駆動手段とを含むことを特徴とする半導体チップのボンディング装置である。
【0009】
また本発明は、吸着部材のばね定数は、半導体チップの彎曲変形時のばね定数よりも大きく選ばれることを特徴とする。
【0010】
本発明に従えば、図1〜図4に関連して後述されるように、半導体チップの一方の表面を、たとえば取付具の吸着部材の吸着面に負圧によって真空吸着して保持し、これによって半導体チップを被着体に向って凸に、半導体チップの弾発力によって湾曲変形させ、この状態で、被着体の取付面に、接着剤を介在して加熱押圧し、その後、半導体チップを平坦な状態にする。こうして接着剤に、空気の気泡が巻き込まれることが確実に防がれ、ボイドの発生を防ぐことができる。接着剤は、粘性のある液体、すなわちペースト状であってもよく、またはフィルム状であってもよい。
【0011】
半導体チップの湾曲変形された凸の頂部を先に、接着剤を介して被着体の取付面に相互に近接変位して押圧するようにしてもよいが、他の実施の形態では、ロールラミネートの要領で半導体チップの一端部から頂部を経て他端部に順次的に押圧して接着するようにしてもよい。接着剤は、半導体チップの前記他方の表面に付着されてもよいが、被着体の取付面上に付着されてもよく、あるいはまた半導体チップの前記他方の表面と被着体の前記取付面との両者に付着されていてもよい。
【0012】
半導体チップを凸に湾曲変形させるには、上述のように弾力性を有する吸着部材の吸着面に負圧によって真空吸着するようにしてもよいが、他の実施の形態では、半導体チップの前記一方の表面を取付具に、粘着剤、両面テープなどを介して、剥離可能に保持してもよい。
【0013】
吸着部材が弾力性を有する材料から成る構成では、そのばね定数を、半導体チップのばね定数よりも大きく選び、すなわち吸着部材を、半導体チップに比べて弾性変形しにくい材料製とし、これによって半導体チップの前記一方の表面を、吸着部材の外方に凸である吸着面に沿って真空吸着することが確実になる。
【0014】
半導体チップは、近年の薄削り技術の発達によって、湾曲してたわませても破損しない強度を有し、これによって本発明の実施が可能である。半導体チップの裏面研磨後の加工変質層をエッチングなどで取除いて平滑にすることが好ましく、これによって半導体チップの強度が改善され、半導体チップを湾曲変形させたとき、破損することを抑制することができる。
【0015】
また本発明は、半導体チップの一方の表面を支持し、
可撓性被着体を、その取付面が半導体チップに向って凸に彎曲変形させ、
半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤が介在された状態で、
半導体チップと被着体とを相互に近接変位して押圧し、その後、被着体の取付面を平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法である。
【0016】
また本発明は、半導体チップの前記一方の表面を真空吸着して保持することを特徴とする。
【0017】
また本発明は、(a)半導体チップの吸着面を有し、この吸着面に開口する通気孔が形成されて構成される取付具と、
(b)通気孔を負圧とする負圧源と、
(c)支持部材であって、
取付具の吸着面に対向する被着体の支持面を有し、
支持面は、吸着面に向って凸に形成され、
弾力性を有する材料から成る支持部材と、
(d)取付具と支持部材とを、相互に近接変位して押圧する変位駆動手段とを含むことを特徴とする半導体チップのボンディング装置である。
【0018】
また本発明は、支持部材のばね定数は、支持面上に置かれる被着体のばね定数よりも大きく選ばれることを特徴とする。
【0019】
本発明に従えば、図5および図6に関連して後述されるように、柔軟性のある可撓性を有するフィルム状などの被着体を、たとえば弾力性を有する支持部材の支持面に配置して、その取付面は、自然状態では、半導体チップに向って凸に湾曲しており、この状態で取付具のたとえば吸着面に、真空吸着によって半導体チップの一方の表面を支持し、接着剤を介在して半導体チップと被着体とを相互に近接変位して押圧する。こうして接着剤に空気の気泡を巻き込まず、ボイドの発生を抑制して、半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との接着を行うことが可能になる。
【0020】
半導体チップは、たとえば平坦であって、湾曲変形した被着体の取付面の頂部に半導体チップの前記一方の表面を接着剤を介して接触して押圧するようにしてもよいが、他の実施の形態では、いわゆるロールラミネート要領で半導体チップの前記他方の表面の一端部から中央部を経て他端部に順に接触させて、接着剤を介して被着体の取付面に押圧するようにしてもよい。
【0021】
また本発明は、接着剤は、フィルム状であることを特徴とする。
本発明に従えば、接着剤をフィルム状とし、たとえばフィルム状有機ダイボンディング材などを用いてもよい。これによって(1)厚み精度の向上を図り、(2)ペースト状接着剤を使用したときに生じる半導体チップの外側方へのペースト状接着剤のはみ出し量に比べて、フィルム状接着剤のはみ出し量の抑制を図ることができるとともに、(3)ボイドの発生をさらに一層抑制することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の一形態の全体の構成を示す縦断面図である。このボンディング装置1は基本的に、取付具2と、負圧源3と、この取付具2を図1の上下に変位して駆動する変位駆動手段4とを含む。取付具2は、半導体チップ5を真空吸着する吸着部材6と、この吸着部材6の基端部7が固定される取付具本体8とを含む。
【0023】
吸着部材6は、弾力性を有し、耐熱性のある材料、たとえば軟質合成樹脂材料、たとえばシリコーンゴム、フッ素系ゴムなどの材料から成る。この吸着部材6は、図1に示される自然状態で外方に凸である吸着面9を有する。すなわち吸着面9は、自然状態で図1の下方である外方に凸である。吸着面9は、図1の紙面に垂直な軸線を有する円筒面の周方向にわたる一部分であってもよい。吸着部材6には、吸着面9に開口する厚み方向(図1の上下方向)に延びる通気孔11が複数個、点在して形成される。本発明の実施の他の形態では、吸着部材6は、ポーラス状の多孔質材料製とし、吸着面9以外の部分をシール剤などで封止した構造によって実現されてもよい。
【0024】
取付具本体8は、負圧室12を有する。取付具本体8は、たとえば金属製であり、剛性である。この負圧室12は、通路13を介して、通気孔11に連なる。吸着部材6の基端部7は、吸着部材6の厚み方向に吸着面9と反対側(図1の上方)にあり、前述のように通路13が通気孔11と連通するように配置されて、取付具本体8の下部に固定される。負圧室12は、可撓管14を介して負圧源3に連結される。取付具本体8の吸着部材6が取付けられる取付部41には、電気ヒータなどの加熱手段42が設けられる。加熱手段42は、吸着部材6を介して半導体チップ5を、接着に適した温度に加熱する。
【0025】
装置本体16の基台17には、被着体である配線基板18が配置される。装置本体16の立上り部19には、変位駆動手段4が設けられ、取付具2を、図1に示される上限位置から、矢符21に示すように、下降し、取付具2と基板18とを、相互に近接変位して押圧する。基台17には、負圧室43と、この負圧室43に電通して基板18を真空吸着するための通路44が形成される。負圧室43は、可撓管14を介して負圧源3に接続される。基台17にはまた、通路44による負圧によって真空吸着された基板18を、接着に適した温度に加熱するための電気ヒータなどの加熱手段45が設けられる。
【0026】
薄削りされた薄片である自然状態で偏平な半導体チップ5を基板18にボンディングするにあたっては、先ず図1に示されるように、その半導体チップ5の図1の上方である一方の表面23を、吸着部材6の吸着面9に真空吸着して、半導体チップ5を図1の下方である外方に凸の形状に弾発的に湾曲変形させる。この半導体チップ5の図1の下方である他方の表面24には、フィルム状接着剤26が接着される。
【0027】
フィルム状接着剤26は、たとえばワニスをキャリアフィルムに塗工し、溶剤を揮発させ、キャリアフィルムから剥離した有機ダイボンディング材などであってもよいが、ペースト状であってもよい。このような接着剤26は、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などから成ってもよい。接着剤26は、熱可塑性合成樹脂などであってもよく、ホットメルト接着剤であってもよい。
【0028】
図2は、半導体チップ5が接着剤26を介して基板18に接触した状態を示す一部の断面図である。図1の状態で、変位駆動手段4は、取付具2を矢符21で示されるように下降する。これによって半導体チップ5の凸に湾曲した表面24の図2における最下部である頂部28は、接着剤26を介して、先ず押圧される。
【0029】
図3は、図1および図2に示されるボンディング装置1における変位駆動手段4によって取付具2が図2の状態からさらに下降された状態を示す。取付具2が変位駆動手段4によって下降されると、吸着部材6が弾性変形して圧縮され、こうして取付具本体8と基板18とが押圧されて、吸着部材6が圧縮される。こうして半導体チップ5は、頂部28から、次に、図3の左右の端部29,30に、左右対称に接触面が拡ってゆき、接着剤26を介して基板18の取付面31に面接触される。こうして接着剤26と基板18の取付面31とが、前述の頂部28に対応する位置から左右に接触して拡ってゆく。取付具3は、図3の下限位置に達する。したがって接着剤26内に空気の気泡が巻き込まれることはなく、ボイドの発生が防がれる。
【0030】
また接着温度での接着剤26の溶融粘度、吸着部材6の凸を平面に変形するのに要する圧力、凸変形弾性などを適切な値にそれぞれ選ぶ必要があり、さもなければ半導体チップ5が下に凸に変形したままで基板18の取付面31に接着されてしまう恐れがある。したがって、接着剤26の物性に適合するように、吸着部材6などの物性を調整して選択する必要がある。
【0031】
図4は、図1〜図3に示される実施の形態において、半導体チップ5を、接着剤26を介して基板18に接着して固定した状態を示す断面図である。前述の図3において、変位駆動手段4によって取付具2を下降変位し、接着剤26の図3における下面の全面が、基板18の平坦な取付面31に面接触し、さらに接着に必要な圧力が加えられて押圧された状態が、予め定める時間、維持される。その後、負圧源3による吸着部材6の吸着面9における半導体チップ5の真空吸引が解除される。さらにその後、変位駆動手段4によって取付具2が上昇され、図1の上限1に戻る。こうして半導体チップ5の表面24は、接着剤26を介して基板18の取付面31に接着して固定される。
【0032】
図5は、本発明の実施の他の形態のボンディング装置1aの全体の構成を簡略化して示す断面図である。この実施の形態は、前述の図1〜図4に関連して前述した実施の形態に類似し、対応する部分の参照符には同一の数字を用い、また添え字aを付して示す。注目すべきはこの実施の形態では、取付具本体8の下部は、吸着部材6aを構成し、この吸着部材6aには、複数の通気孔11が点在して形成される。この吸着部材6の図5における下面である吸着面9aは、扁平であり、矢符21に垂直である。自然状態で扁平な半導体チップ5の一方の表面23は、吸着面9に、真空吸着される。半導体チップ5の他方の表面24には、前述の実施の形態と同様に接着剤26が付着される。
【0033】
基台17上には、支持部材33が設けられる。この支持部材33は、弾力性を有する材料から成り、たとえば前述の実施の形態における吸着剤6と同様な材料から成ってもよい。支持部材33は、取付具2aにおける吸着部材6の吸着面9に対向する図5の上方に臨む支持面34を有する。この支持面34は、吸着面9aに向って凸に形成される。支持面34は、図5の紙面に垂直な軸線を有する円筒面の周方向に延びる一部分であってもよい。支持面34上には、可撓性を有する被着体である、たとえばフレキシブル回路基板35が載置され、これによって基板35は、支持面34上で図5の上方である外方に凸の形状で支持されて配置される。
【0034】
半導体チップ5の一方の表面23は、前述のように吸着部材6aの吸着面9aに真空吸着され、他方の表面24には、接着剤26が付着される。また前述のように支持部材33の支持面34上に可撓性基板35が配置される。基台17に形成された負圧室43は、通路44を介して、支持部材33に形成された通気孔46を介して基板35の支持面34を真空吸着する。この状態で、変位駆動手段4は、図5の矢符21で示されるように、取付具2aを図5の上限位置から下降して取付具2aと基板35を支持した支持部材33とを相互に近接変位して押圧する。
【0035】
図6は、図5に示される実施の形態における半導体チップ5が取付具2aによって基板35に押圧された状態を示す一部の断面図である。取付具2aが矢符21に示されるように下降されることによって先ず、支持面34の頂部36に対応する基板35の部分に接触する。その後、さらに取付具2aが変位駆動手段4によって下降変位されることによって、基板35の半導体チップ5が取付られる取付面37の接着剤26と接触する位置が、図5および図6の左右方向に順次的に拡ってゆく。支持部材33は、変位駆動手段4による取付具2aの下降によって、圧縮変形される。こうして図6の状態では、半導体チップ5の表面24は、接着剤26を介して基板35の取付面37に面接触して接着される。こうして変位駆動手段4によって取付具2aが図6の下限位置に到達し、接着剤26による接着に必要な圧力および時間が保たれる。その後、負圧室12における負圧源3aによる負圧が解除される。したがって吸着部材6aによる半導体チップ5の真空吸引が行われなくなる。その後、変位駆動手段4によって取付具2aが上昇変位され、図5の状態に戻る。
【0036】
本件発明者の実験結果を述べる。図1〜図4の実施の形態におけるボンディング装置1を用い、25μm厚のフィルム状接着剤26を、半導体チップ5の表面24に貼り付けた。この半導体チップ5は、平面形状が縦10×横10mmであり、50μm厚を有する。半導体チップ5は、Siから成る。この半導体チップ5の表面23は、両面粘着テープで、凸状の弾性吸着部材6に貼り付け、加熱されたガラス基板18に熱圧着した。比較例では、上述の実施例と同一形状の半導体チップ5を、平面を有する剛体に両面粘着テープで貼り付け、加熱されたガラス基板18に、熱圧着した。
【0037】
本件発明者のこのような実験によれば、ガラス基板18側から取付面31のボイドを観察した結果、比較例に比べて本発明に従う実施例の方が、空気を巻き込んだ面積が少なく、本発明が優れていることが、確認された。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップを被着体に対して凸に湾曲変形し、または柔軟性のある可撓性被着体を、凸に湾曲変形した状態で、接着剤を介在して接触し押圧するようにしたので、接着剤中に気泡を巻き込みにくくなり、ボイドの無い接着を達成することができる。特にフィルム状有機ボンディング材などのフィルム状接着剤を用いて、ボイドの発生をさらに一層抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態の全体の構成を示す縦断面図である。
【図2】半導体チップ5が接着剤26を介して基板18に接触した状態を示す一部の断面図である。
【図3】図1および図2に示されるボンディング装置1における変位駆動手段4によって取付具2が図2の状態からさらに下降された状態を示す。
【図4】図1〜図3に示される実施の形態において、半導体チップ5を、接着剤26を介して基板18に接着して固定した状態を示す断面図である。
【図5】本発明の実施の他の形態のボンディング装置1aの全体の構成を簡略化して示す断面図である。
【図6】図5に示される実施の形態における半導体チップ5が取付具2aによって基板35に押圧された状態を示す一部の断面図である。
【符号の説明】
1,1a ボンディング装置
2,2a 取付具
3 負圧源
4 変位駆動手段
5 半導体チップ
6,6a 吸着部材
7 基端部
8 取付具本体
9,9a 吸着面
11 通気孔
12 負圧室
18,35 基板
23 一方の表面
24 他方の表面
26 フィルム状接着剤
31 取付面
33 支持部材
34 支持面
37 取付面

Claims (11)

  1. 半導体チップの一方の表面を支持し、被着体の取付面に向って凸に彎曲変形させ、
    半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤が介在された状態で、
    半導体チップと被着体とを相互に近接変位して加熱押圧し、その後、半導体チップを平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法。
  2. 半導体チップの彎曲変形時のばね定数よりも大きいばね定数を有する弾力性のある吸着部材の外方の凸の吸着面に、半導体チップの前記一方の表面を、真空吸着して、半導体チップを、前記凸に彎曲変形させることを特徴とする請求項1記載の半導体チップのボンディング方法。
  3. 取付具を準備し、
    この取付具は、
    自然状態で外方に凸である吸着面を有し、この吸着面に開口する厚み方向に延びる通気孔が形成され、弾力性を有する材料から成る吸着部材と、
    吸着部材の厚み方向に吸着面とは反対側の基端部が固定される通路が形成された取付具本体とを含み、
    通気孔を負圧源によって負圧とし、
    吸着面に、半導体チップの一方の表面を真空吸着して、半導体チップを外方に凸の形状に彎曲し、
    半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤を介在し、
    取付具本体と被着体とを、相互に近接変位して加熱押圧し、半導体チップを平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法。
  4. 半導体チップの一方の表面を支持し、
    可撓性被着体を、その取付面が半導体チップに向って凸に彎曲変形させ、
    半導体チップの他方の表面と被着体の取付面との間に、接着剤が介在された状態で、
    半導体チップと被着体とを相互に近接変位して押圧し、その後、被着体の取付面を平坦な状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法。
  5. 半導体チップの前記一方の表面を真空吸着して保持することを特徴とする請求項4記載の半導体チップのボンディング方法。
  6. 取付具を準備し、
    この取付具は、吸着面を有し、この吸着面に開口する通気孔が形成されて構成され、
    通気孔を、負圧源によって負圧とし、
    支持部材を準備し、
    この支持部材は、取付具の吸着面に対向する支持面を有し、
    支持面は、吸着面に向って凸に形成され、弾力性を有し、
    吸着面に半導体チップの一方表面を真空吸着し、
    可撓性被着体を、支持面上で外方に凸の形状で支持して配置し、
    半導体チップの他方の表面と、被着体の取付面との間に、接着剤を介在し、
    取付具と被着体を支持した支持部材とを、相互に近接変位して押圧し、
    被着体の取付面が半導体チップの前記他方の表面に沿う形状になった状態にすることを特徴とする半導体チップのボンディング方法。
  7. 接着剤は、フィルム状であることを特徴とする請求項1〜6のうちの1つに記載の半導体チップのボンディング方法。
  8. (a)取付具であって、
    (a1)自然状態で外方に凸である吸着面を有し、この吸着面に開口する厚み方向に延びる通気孔が形成され、弾力性を有する材料から成る吸着部材と、
    (a2)吸着部材の厚み方向に吸着面とは反対側の基端部が固定される取付具本体とを有する取付具と、
    (b)通気孔を負圧とする負圧源と、
    (c)取付具と被着体とを、相互に近接変位して押圧する変位駆動手段とを含むことを特徴とする半導体チップのボンディング装置。
  9. 吸着部材のばね定数は、半導体チップの彎曲変形時のばね定数よりも大きく選ばれることを特徴とする請求項8記載の半導体チップのボンディング装置。
  10. (a)半導体チップの吸着面を有し、この吸着面に開口する通気孔が形成されて構成される取付具と、
    (b)通気孔を負圧とする負圧源と、
    (c)支持部材であって、
    取付具の吸着面に対向する被着体の支持面を有し、
    支持面は、吸着面に向って凸に形成され、
    弾力性を有する材料から成る支持部材と、
    (d)取付具と支持部材とを、相互に近接変位して押圧する変位駆動手段とを含むことを特徴とする半導体チップのボンディング装置。
  11. 支持部材のばね定数は、支持面上に置かれる被着体のばね定数よりも大きく選ばれることを特徴とする請求項10記載の半導体チップのボンディング装置。
JP2002179012A 2002-06-19 2002-06-19 半導体チップのボンディング方法および装置 Expired - Fee Related JP3757193B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002179012A JP3757193B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 半導体チップのボンディング方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002179012A JP3757193B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 半導体チップのボンディング方法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004022995A true JP2004022995A (ja) 2004-01-22
JP3757193B2 JP3757193B2 (ja) 2006-03-22

Family

ID=31176571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002179012A Expired - Fee Related JP3757193B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 半導体チップのボンディング方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3757193B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150311A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Nec Machinery Corp チップマウント方法及び装置
JP2006303151A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sony Corp 半導体チップのボンディング方法及び吸着治具、並びに半導体チップのボンディング装置
US7629231B2 (en) 2006-05-23 2009-12-08 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor device
JP2009289785A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2010251652A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージの製造方法
US7888141B2 (en) 2007-06-19 2011-02-15 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
KR101074262B1 (ko) * 2009-03-09 2011-10-17 주식회사 코맥스 반도체 칩 본딩 장치 및 그의 본딩 방법
KR20130130029A (ko) * 2010-12-23 2013-11-29 선파워 코포레이션 태양 전지들의 접속 방법
KR101337550B1 (ko) * 2011-11-23 2013-12-06 엘아이지에이디피 주식회사 합착장치
CN109425615A (zh) * 2017-09-01 2019-03-05 Tdk株式会社 吸附喷嘴及具备其的外观检查装置和电路基板的制造方法
CN115154879A (zh) * 2022-06-15 2022-10-11 优微(珠海)生物科技有限公司 微针贴基底层压合分离设备及其控制方法
WO2023032166A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 部材間接合装置及び接合部材製造方法
TWI817416B (zh) * 2021-03-29 2023-10-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 安裝工具及安裝裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644029A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP2002280398A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2002368023A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644029A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP2002280398A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2002368023A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150311A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Nec Machinery Corp チップマウント方法及び装置
JP2006303151A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sony Corp 半導体チップのボンディング方法及び吸着治具、並びに半導体チップのボンディング装置
US8703583B2 (en) 2006-05-23 2014-04-22 Renesas Electronics Corporation Fabrication method of semiconductor device
US7629231B2 (en) 2006-05-23 2009-12-08 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor device
US7888141B2 (en) 2007-06-19 2011-02-15 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
US8003495B2 (en) 2007-06-19 2011-08-23 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
US8222050B2 (en) 2007-06-19 2012-07-17 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
US8372665B2 (en) 2007-06-19 2013-02-12 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
US8492173B2 (en) 2007-06-19 2013-07-23 Renesas Electonics Corporation Manufacturing method for semiconductor integrated device
JP2009289785A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR101074262B1 (ko) * 2009-03-09 2011-10-17 주식회사 코맥스 반도체 칩 본딩 장치 및 그의 본딩 방법
JP2010251652A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージの製造方法
KR20130130029A (ko) * 2010-12-23 2013-11-29 선파워 코포레이션 태양 전지들의 접속 방법
KR101337550B1 (ko) * 2011-11-23 2013-12-06 엘아이지에이디피 주식회사 합착장치
CN109425615A (zh) * 2017-09-01 2019-03-05 Tdk株式会社 吸附喷嘴及具备其的外观检查装置和电路基板的制造方法
TWI817416B (zh) * 2021-03-29 2023-10-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 安裝工具及安裝裝置
WO2023032166A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 部材間接合装置及び接合部材製造方法
CN115154879A (zh) * 2022-06-15 2022-10-11 优微(珠海)生物科技有限公司 微针贴基底层压合分离设备及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3757193B2 (ja) 2006-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3757193B2 (ja) 半導体チップのボンディング方法および装置
JP5652940B2 (ja) 半導体チップ付着装置、及び半導体チップ付着方法
TW200301532A (en) Pick-up tool for mounting semiconductor chips
CN101529577A (zh) 固定夹具及芯片的拾取方法以及拾取装置
US20120018084A1 (en) Printed Circuit Board Assembly Manufacturing Device And Method
JPH01270327A (ja) 可撓膜電子デバイス・キャリアの取付方法及びその分離方法
JP2007188944A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005150311A (ja) チップマウント方法及び装置
EP1947917A3 (en) Manufacturing method of electronic device
JP4552352B2 (ja) 接着フィルムの貼着方法、貼着装置および電子回路装置の組立方法
KR100876965B1 (ko) 반도체패키지 제조용 칩 픽업툴
JP2008177350A (ja) 電子装置の製造方法および製造装置
JP5083076B2 (ja) 電子装置の製造方法
JPH10173007A (ja) ベアチップ搭載装置
JP3723761B2 (ja) 電子部品の実装装置
JP6752722B2 (ja) 実装装置および実装方法
US7666714B2 (en) Assembly of thin die coreless package
JP5005403B2 (ja) 電子部品の実装ツール、実装装置
JP2002373917A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3594120B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びボンディング用加圧治具
JP2001189553A (ja) 基板の接合装置及びその装置を用いた基板の接合方法
JPH11144016A (ja) 電子部品カードの製造装置
JP5501784B2 (ja) 接着装置及び接着方法
JP4325816B2 (ja) Icチップの接続方法
JPH1022344A (ja) バンプ付きワークのボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees