JP2004014951A - 圧電／電歪デバイスとその製造方法 - Google Patents
圧電／電歪デバイスとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004014951A JP2004014951A JP2002169265A JP2002169265A JP2004014951A JP 2004014951 A JP2004014951 A JP 2004014951A JP 2002169265 A JP2002169265 A JP 2002169265A JP 2002169265 A JP2002169265 A JP 2002169265A JP 2004014951 A JP2004014951 A JP 2004014951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- electrostrictive
- thin plate
- electrodes
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
- H10N30/2043—Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/088—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
- H10N30/097—Forming inorganic materials by sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Abstract
【課題】圧電／電歪素子の側端面において、互いに隣接する電極間距離を大きく維持することが可能な圧電／電歪デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電／電歪デバイス１０は、固定部１１と、固定部に支持された薄板部１２と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなる圧電／電歪素子１４とを備えている。圧電／電歪デバイス１０は、先ず、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪層積層体を形成し、次いで、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを切断することにより製造される。この切断は、圧電／電歪層積層体の積層方向内にて揺動する線状部材（ワイヤーソー）を同積層方向と平行に維持しながら進行せしめることにより行われる。これにより、層状の電極は電極の層面内に引き延ばされながら切断されるから、圧電／電歪層の端面を覆う程度が小さくなる。
【選択図】 図３
【解決手段】圧電／電歪デバイス１０は、固定部１１と、固定部に支持された薄板部１２と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなる圧電／電歪素子１４とを備えている。圧電／電歪デバイス１０は、先ず、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪層積層体を形成し、次いで、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを切断することにより製造される。この切断は、圧電／電歪層積層体の積層方向内にて揺動する線状部材（ワイヤーソー）を同積層方向と平行に維持しながら進行せしめることにより行われる。これにより、層状の電極は電極の層面内に引き延ばされながら切断されるから、圧電／電歪層の端面を覆う程度が小さくなる。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定部と、固定部に支持された薄板部と、層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイス、並びに、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の圧電／電歪デバイスは、精密加工を行うためのアクチュエータ、光学的情報や磁気的情報等の読取り及び／又は書込み用素子（ヘッド）の位置を制御するアクチュエータ、或いは機械的振動を電気信号に変換するセンサ等として活発に開発されてきている。
【０００３】
一例として、図２５に示したこのような圧電／電歪デバイスは、固定部１００と、固定部１００に支持された薄板部１１０と、前記薄板部１１０の先端に設けられた対象物を保持するための保持部（可動部）１２０と、少なくとも前記薄板部１１０の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子１３０とを備え、圧電／電歪素子１３０の電極間に電界を形成して同圧電／電歪素子１３０の圧電／電歪層を伸縮させることで薄板部１１０を変形させ、これにより、保持部１２０（従って、同保持部１２０に保持される対象物）を変位させるようになっている。
【０００４】
また、図２５に示した圧電／電歪デバイスは、先ず、図２６に示したように、複数のセラミックグリーンシート（及び／又は、セラミックグリーンシート積層体）を準備し、図２７に示したように、これらのセラミックグリーンシートを積層して一体焼成することでセラミックの積層体２００を形成し、図２８に示したように、外表面に複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪層積層体２１０を形成し、この圧電／電歪層積層体２１０を図２９に示した切断線Ｃ１〜Ｃ４にて切断することにより製造され得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、切断線Ｃ３，Ｃ４に沿った切断をワイヤーソーＷＳにより行うと、薄板部１１０及び圧電／電歪素子１３０の側端面の部分拡大正面図である図３０、及び図３０の１−１線に沿った平面にて薄板部１１０及び圧電／電歪素子１３０を切断した部分拡大断面図である図３１に示したように、圧電／電歪素子１３０の電極１３１の延性に起因して、各電極１３１の側端面（切断面）が、ワイヤーソーＷＳの進行方向（図３０及び図３１における下方）に隣接する圧電／電歪層１３２の側端面を覆うように形成されてしまう。そのため、圧電／電歪素子１３０の側端面において、隣接する電極１３１，１３１間の距離が小さくなり、しかも、同側端面は外部に露呈することになるからゴミ等が付着し易く、この結果、隣接する電極同士が短絡する可能性が高いという問題があることが見い出された。従って、本発明の目的は、圧電／電歪層積層体の切断方法を工夫することにより、圧電／電歪素子の側端面（切断面）における電極間の距離を確保した圧電／電歪デバイス、及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【本発明の概要】
上記目的を達成するための本発明の特徴の一つは、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなる圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層を交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだことにある。
【０００７】
また、本発明の他の特徴は、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記固定部を構成するセラミックグリーンシートと後に前記薄板部を構成するセラミックグリーンシートとからなるセラミックグリーンシート積層体を一体焼成してセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体のうちの少なくとも後に前記薄板部を構成する部分の外表面に層状の電極及び圧電／電歪層が交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、前記後に薄板部を構成する前記セラミック積層体の部分と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部及び前記圧電／電歪素子を形成する工程と、を含んだことにある。
【０００８】
これによれば、後に前記薄板部を構成する薄板体と後に前記圧電／電歪素子を構成する圧電／電歪層積層体とが、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向（即ち、層面に略直交する直線の方向）内にて揺動する線状部材が同積層方向と略平行に維持されながら層面方向に移動せしめられることにより切断される。従って、切断に伴って線状部材から電極に加わる同電極を引き延ばそうとする力の主たる向きは、同電極の層面内となる。また、線状部材の揺動により発生する同電極を引き延ばそうとする力の向きは、同電極を挟む両方の圧電／電歪層の側端面に略均等に分散する。この結果、圧電／電歪素子の外部に露呈した側端面（切断面）における電極間距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。
【０００９】
即ち、本発明は、このような製造方法により、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスにおいて、前記各電極の側端面を構成する部分が同各電極を挟む両方の前記圧電／電歪層の各側端面上の一部を覆うように延在してなる圧電／電歪デバイスを提供することができる。
【００１０】
この場合、前記圧電／電歪デバイスは、前記圧電／電歪素子の側端面において前記電極の側端面を構成する部分の前記圧電／電歪層と同電極の積層方向における長さ（Ｌ２）が、同圧電／電歪層の側端面が形成する仮想平面（ＨＰＬ）上であって同積層方向における同電極の長さ（Ｌ１）の５倍よりも小さい圧電／電歪デバイスである。
【００１１】
また、前記圧電／電歪デバイスは、前記各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分の同圧電／電歪層と同電極の積層方向の長さのうち大きい方の長さ（Ｌ３）の、同各電極の側端面を構成する全体部から同各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分を除いた部分の同積層方向における厚み（Ｌ１）に対する比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす（即ち、Ｌ３／Ｌ１が０より大きく２より小さい）圧電／電歪デバイスでもある。
【００１２】
このように、上記電極の側端面を構成する部分の長さ（Ｌ２）が同圧電／電歪層の側端面が形成する仮想平面（ＨＰＬ）上であって同積層方向における同電極の長さ（Ｌ１）の５倍よりも小さい圧電／電歪デバイス、又は、前記比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす圧電／電歪デバイスは、製造した段階において絶縁性が確保できなくなる頻度が低く、また、使用中において絶縁性が低下する恐れが極めて小さい。
【００１３】
更に、上記本発明の製造方法によれば、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスであって、前記圧電／電歪素子の外部に露呈した側端面は、前記電極と前記圧電／電歪層の積層体が同積層体の積層方向を含む面において同積層方向と略直交した方向に切断加工されることにより形成された端面であることを特徴とする圧電／電歪デバイスが提供される。
【００１４】
また、本発明の他の特徴は、薄板部と、前記薄板部の平面上に形成された層状の第１電極、前記第１電極の上に形成された圧電／電歪層、及び前記圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極を含む圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に後に前記圧電／電歪素子を構成する積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記積層体とを、同積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだことにある。
【００１５】
この場合においても、後に薄板部を構成する薄板体と、後に第１，第２電極及びこれらの電極に挟まれた圧電／電歪層を含む圧電／電歪素子を構成する積層体とが、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向（即ち、層面に略直交する直線の方向）内にて揺動する線状部材が同積層方向と略平行に維持されながら層面方向に移動せしめられることにより切断される。従って、切断に伴って線状部材から第１，第２電極に加わるこれらの電極を引き延ばそうとする力の主たる向きは、同第１，第２電極の各層面内となる。この結果、圧電／電歪素子の側端面（切断面）において、第１電極と第２電極の距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。換言すると、第１電極の側端面を構成する部分が薄板部の側端面の一部と圧電／電歪層の側端面の一部を覆うように延在する圧電／電歪素子を備え、側端面において第１電極と第２電極の距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明による圧電／電歪デバイスの実施形態について説明する。図１に斜視図を示した前記実施形態に係る圧電／電歪デバイス１０は、直方体の固定部１１と、固定部から立設するように同固定部１１に支持されるとともに互いに対向する一対の薄板部１２，１２と、前記薄板部１２，１２の先端に設けられるとともに同薄板部１２，１２の肉厚よりも厚い肉厚を有する保持部（可動部）１３，１３と、少なくとも前記薄板部１２，１２の各外側の平面上に形成された層状の電極と圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子１４，１４とを備えている。これらの構成の概略は、例えば、特開２００１−３２０１０３に開示されている。
【００１７】
この圧電／電歪デバイス１０は、例えば、図２に示したように、一対の保持部１３，１３の間に対象物Ｓを保持し、圧電／電歪素子１４，１４が発生する力によって薄板部１２，１２を変形せしめ、これにより保持部１３，１３を変位させて対象物Ｓの位置を制御し得るアクチュエータとして使用されるようになっている。この対象物Ｓは、磁気ヘッド、光ヘッド、或いは、センサとしての感度調整用重り等である。
【００１８】
固定部１１、薄板部１２，１２、及び保持部１３，１３から構成された部分（これらは「基体部」とも総称される。）は、後に詳述するようにセラミックグリーンシートの積層体を焼成により一体化したセラミック積層体により構成されている。このようなセラミックスの一体化物は、各部の接合部に接着剤が介在しないことから、経時的な状態変化が殆ど生じないので、接合部位の信頼性が高く、かつ、剛性確保に有利である。また、セラミック積層体は、後述するセラミックグリーンシート積層法により、容易に製造することができる。
【００１９】
なお、基体部は、全体をセラミックス又は金属により構成してもよく、セラミックスと金属とを組合せたハイブリッド構造とすることもできる。また、基体部は、セラミックスを有機樹脂やガラス等の接着剤で接着して構成したり、金属をロウ付け、半田付け、共晶接合、拡散接合、或いは溶接等で接合して構成することもできる。
【００２０】
圧電／電歪素子１４は、図３に拡大して示したように、固定部１１（の一部）と薄板部１２（の一部）がなす外側壁面（外側平面）上に形成されるとともに、複数の層状電極と複数の圧電／電歪層を有し、層状の電極と圧電／電歪層とが交互に積層された積層体である。電極と圧電／電歪層の各層は薄板部１２の平面と平行な層を形成している。より具体的に述べると、圧電／電歪素子１４は、薄板部１２の外側平面上に、電極１４ａ１、圧電／電歪層１４ｂ１、電極１４ａ２、圧電／電歪層１４ｂ２、電極１４ａ３、圧電／電歪層１４ｂ３、電極１４ａ４、圧電／電歪層１４ｂ４、及び電極１４ａ５が順に積層されてなる積層体である。電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５は互いに電気的に接続され、互いに電気的に接続された電極１４ａ２，１４ａ４と、絶縁状態を維持するように形成されている。換言すると、互いに電気的に接続された電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５と、互いに電気的に接続された電極１４ａ２，１４ａ４とは、櫛歯状の電極を構成している。
【００２１】
この圧電／電歪素子１４は、後述するように、膜形成方法により基体部に一体的に形成される。また、圧電／電歪素子１４を基体部とは別体として製造しておき、有機樹脂等の接着剤を用いて、或いは、ガラス、ロウ付け、半田付け、共晶接合等により基体部に貼り付けてもよい。
【００２２】
なお、ここでは、電極が全部で５層である多層構造を有する例を示したが、層の数は特に限定されない。一般には、層の数を多くすることにより、薄板部１２，１２を変形する力（駆動力）が増大する一方、消費電力も増大する。従って、実施にあたっては、用途及び使用状態等に応じて層の数を適宜選定すればよい。
【００２３】
以下、上記圧電／電歪デバイス１０の各構成要素について追加的な説明を行う。
【００２４】
保持部１３，１３は、薄板部１２，１２の変位に基づいて作動する部分であり、同保持部１３，１３には圧電／電歪デバイス１０の使用目的に応じて種々の部材が取り付けられる。例えば、圧電／電歪デバイス１０を物体を変位させる素子（変位素子）として使用する場合、特に、ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めやリンギング抑制のために使用するのであれば、磁気ヘッドを有するスライダ、磁気ヘッドそのもの、及びスライダを有するサスペンション等の部材（即ち、位置決めを必要とする部材）が取り付けられてもよい。また、光シャッタの遮蔽板等が取り付けられてもよい。
【００２５】
固定部１１は、上述したように、薄板部１２，１２並びに保持部１３，１３を支持する部分である。この圧電／電歪デバイス１０を、例えば、前記ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めに利用する場合には、固定部１１はＶＣＭ（ボイスコイルモータ）に取り付けられたキャリッジアーム、同キャリッジアームに取り付けられた固定プレート、又はサスペンション等に支持固定される。また、この固定部１１には、圧電／電歪素子１４，１４を駆動するための図示しない端子及びその他の部材が配置される場合もある。端子の構造は電極と同様な幅であっても良いし、電極より狭いもの、或いは、一部が狭いものであっても良い。
【００２６】
保持部１３，１３及び固定部１１を構成する材料は、保持部１３，１３及び固定部１１が剛性を有するように構成される限りにおいて特に限定されない。一般には、これらの材料として、後述するセラミックグリーンシート積層法を適用できるセラミックスを用いることが好適である。より具体的には、この材料として、安定化ジルコニア、部分安定化ジルコニアをはじめとするジルコニア、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、窒化アルミニウム、又は酸化チタンを主成分とする材料等が挙げられるほか、これらの混合物を主成分とした材料が挙げられる。ジルコニア、特に安定化ジルコニアを主成分とする材料と部分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、機械的強度や靱性が高い点において圧電／電歪デバイス１０にとって好適である。また、保持部１３，１３及び固定部１１を金属材料により製造する場合、その金属材料としては、ステンレス鋼、ニッケル等が好適である。
【００２７】
薄板部１２，１２は、上述したように、圧電／電歪素子１４，１４により駆動される部分である。薄板部１２，１２は、可撓性を有する薄板状の部材であって、表面に配設された圧電／電歪素子１４，１４の伸縮変位を屈曲変位に変換し、保持部１３，１３に伝達する機能を有する。従って、薄板部１２，１２の形状や材質は、可撓性を有し、屈曲変形によって破損しない程度の機械的強度を有するものであれば足り、保持部１３，１３の応答性、操作性等を考慮して選択される。
【００２８】
薄板部１２の厚みＤｄ（図１を参照）は、２μｍ〜１００μｍ程度とすることが好ましく、薄板部１２と圧電／電歪素子１４とを合わせた厚みは７μｍ〜５００μｍとすることが好ましい。電極１４ａ１〜１４ａ５の各厚みは０．１μｍ〜５０μｍ、圧電／電歪層１４ｂ１〜１５ｂ５の各厚みは３μｍ〜３００μｍとすることが好ましい。
【００２９】
薄板部１２，１２を構成する材料には、保持部１３，１３や固定部１１と同様のセラミックスを用いることが好適であり、ジルコニア、中でも安定化ジルコニアを主成分とする材料と部分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、薄肉であっても機械的強度が大きいこと、靱性が高いこと、圧電／電歪素子１４の電極１４ａ１を構成する電極材や圧電／電歪層１４ｂ１との反応性が小さいことから更に好適である。
【００３０】
また、薄板部１２，１２は、可撓性を有し、屈曲変形が可能な金属材料で形成することもできる。薄板部１２，１２に好適な金属材料のうち鉄系材料としては、各種ステンレス鋼、各種バネ鋼鋼材を挙げることができ、非鉄系材料としては、ベリリウム銅、リン青銅、ニッケル、ニッケル鉄合金を挙げることができる。
【００３１】
この圧電／電歪デバイス１０に使用する前述した安定化ジルコニア並びに部分安定化ジルコニアは、次のように安定化並びに部分安定化されたものが好ましい。即ち、ジルコニアに、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウム、及び酸化マグネシウムのうち少なくとも１つの化合物、又はこれらのうち二つ以上の化合物を、同ジルコニアを安定化並びに部分安定化させる化合物として添加・含有させる。
【００３２】
なお、それぞれの化合物の添加量としては、酸化イットリウムや酸化イッテルビウムの場合にあっては、１〜３０モル％、好ましくは１．５〜１０モル％、酸化セリウムの場合にあっては、６〜５０モル％、好ましくは８〜２０モル％、酸化カルシウムや酸化マグネシウムの場合にあっては、５〜４０モル％、好ましくは５〜２０モル％とすることが望ましい。特に、酸化イットリウムを安定化剤として用いることが好ましく、その場合においては、１．５〜１０モル％、（機械的強度を特に重視するときには更に好ましくは２〜４モル％、耐久信頼性を特に重視するときには更に好ましくは５〜７モル％）とすることが望ましい。
【００３３】
また、ジルコニアに、焼結助剤等の添加物としてアルミナ、シリカ、遷移金属酸化物等を０．０５〜２０ｗｔ％の範囲で添加することが可能である。圧電／電歪素子１４，１４の形成手法として、膜形成法による焼成一体化を採用する場合は、アルミナ、マグネシア、遷移金属酸化物等を添加物として添加することも好ましい。
【００３４】
なお、固定部１１、薄板部１２、及び保持部１３の少なくとも一つをセラミックスで構成する場合、そのセラミックスの機械的強度が高く且つ安定した結晶相が得られるように、ジルコニアの平均結晶粒子径を０．０５〜３μｍとすることが好ましく、０．０５〜１μｍとすることが更に望ましい。また、上述のように、薄板部１２，１２は、保持部１３，１３並びに固定部１１と同様（同様であるが異種）のセラミックスにより形成することができるが、好ましくは、保持部１３，１３並びに固定部１１と実質的に同一の材料を用いて形成することが、接合部分の信頼性の向上、圧電／電歪デバイス１０の強度の向上、及び同デバイス１０の製造の煩雑さの低減を図る上で有利である。
【００３５】
圧電／電歪デバイスには、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電／電歪素子を用いることができるが、薄板部１２，１２と組み合わせたユニモルフ型の方が、発生する変位量の安定性に優れ、軽量化に有利であり、且つ、圧電／電歪素子の発生応力の力の向きとデバイスの変形に伴う歪の向きとが相反することがないように保つことが容易に設計可能であることから、このような圧電／電歪デバイス１０に適している。
【００３６】
前記圧電／電歪素子１４，１４は、図１に示したように、その一端を固定部１１（又は保持部１３でも良い。）上に位置させ、他端を薄板部１２，１２の側面の平面上に形成すると、薄板部１２，１２をより大きく駆動させることができる。
【００３７】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は、圧電セラミックスにより構成されることが好適である。その一方、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は、電歪セラミックス、強誘電体セラミックス、或いは反強誘電体セラミックスにより構成することも可能である。また、このような圧電／電歪デバイス１０において、保持部１３，１３の変位量と駆動電圧（又は出力電圧）とのリニアリティが重要とされる場合、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は歪み履歴の小さい材料で形成されることが好ましく、従って、それらの抗電界が１０ｋＶ／ｍｍ以下の材料で形成されることが好ましい。
【００３８】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の具体的な材料としては、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等を単独であるいは混合物として含有するセラミックスが挙げられる。
【００３９】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料には、特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を有し、同圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の焼結時における薄板部（セラミックス）１２との反応性が小さく、且つ、安定した組成のものが得られる点において、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材料、もしくはチタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材料が好適である。
【００４０】
更に、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料に、ランタン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸化物等を混合したセラミックスを用いてもよい。この場合、例えば、主成分であるジルコン酸鉛、チタン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛に、ランタンやストロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合がある。
【００４１】
なお、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料にシリカ等のガラス化し易い材料を添加することは避けることが望ましい。なぜならば、シリカ等の材料は、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の熱処理時に、圧電／電歪材料と反応し易く、その組成を変動させ、圧電特性を劣化させるからである。
【００４２】
一方、圧電／電歪素子１４，１４の電極１４ａ１〜１４ａ５は、室温で固体であり、導電性に優れた金属で構成されていることが好ましく、例えばアルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等の金属単体、もしくはこれらの合金で構成され得る。更に、これらの金属に圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４、或いは薄板部１２，１２と同じ材料を分散させたサーメット材料を電極材として用いてもよい。
【００４３】
圧電／電歪素子１４における電極材の選定は、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の形成方法に依存して決定される。例えば、薄板部１２の上に一つの電極１４ａ１を形成した後、この電極１４ａ１の上に圧電／電歪層１４ｂ１を焼成により形成する場合、電極１４ａ１を、圧電／電歪層１４ｂ１の焼成温度においても変化しない白金、パラジウム、白金−パラジウム合金、銀−パラジウム合金等の高融点金属で形成しておく必要がある。このことは、形成後に圧電／電歪層が焼成される電極（電極１４ａ２〜電極１４ａ４）についても同様である。
【００４４】
これに対し、圧電／電歪層１４ｂ４の上に形成される最外層の電極１４ａ５は、同電極１４ａ５の形成後に圧電／電歪層の焼成がなされないので、アルミニウム、金、銀等の低融点金属を主成分とした材料で形成することができる。
【００４５】
また、層状の電極１４ａ１〜１４ａ５は、圧電／電歪素子１４の変位を低下させる要因ともなるため、各層は薄いことが望ましい。特に圧電／電歪層１４ｂ４の焼成後に形成される電極１４ａ５には、焼成後に緻密でより薄い膜が得られる有機金属ペースト、例えば金レジネートペースト、白金レジネートペースト、銀レジネートペースト等の材料を用いることが好ましい。
【００４６】
図１に示した圧電／電歪デバイス１０においては、薄板部１２，１２の先端部分に一体的に形成される保持部１３，１３の厚みが、同薄板部１２，１２の厚みＤｄよりも大きくされていたが、図４に示したように、保持部１３，１３の厚みを薄板部１２，１２の厚みとほぼ同じにしてもよい。これにより、保持部１３，１３に物品を取り付ける場合に、保持部１３，１３間に薄板部１２，１２間の距離に相当する大きさの物品を挟み込むように取り付けることが可能となる。この場合、物品を取り付けるための接着剤が使用される領域が実質的に保持部１３，１３を構成することになる。更に、この場合、接着剤を使用する領域を規定するための突起部を設けてもよい。かかる突起部は、薄板部１２と同一の材料で一体焼結、或いは、一体成形されることが望ましい。
【００４７】
上述した圧電／電歪デバイス１０は、超音波センサや加速度センサ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種センサとしても利用することもできる。また、かかる圧電／電歪デバイス１０を各種センサとして利用する場合には、同圧電／電歪デバイス１０は、対向する保持部１３，１３間、或いは薄板部１２，１２間に取り付けられる物体のサイズを適宜調整することにより、センサの感度調整を容易に行い得るという更なる長所を有する。
【００４８】
次に、上記圧電／電歪デバイス１０の製造方法について説明する。圧電／電歪デバイス１０の圧電／電歪素子１４，１４を除く基体部（即ち、固定部１１、薄板部１２，１２、並びに保持部１３，１３）は、セラミックグリーンシート積層法を用いて製造されることが好ましい。一方、圧電／電歪素子１４，１４は、薄膜や厚膜等の膜形成手法を用いて製造されることが好ましい。
【００４９】
圧電／電歪デバイス１０の基体部における各部材を一体的に成形することが可能なセラミックグリーンシート積層法によれば、各部材の接合部の経時的な状態変化がほとんど生じないため、接合部位の信頼性を高くすることができ、かつ、剛性を確保することができる。また、基体部を金属板を積層して形成する場合、金属の拡散接合法によれば、各部材の接合部の経時的な状態変化がほとんど生じず、接合部位の信頼性と剛性とを確保することができる。
【００５０】
この実施の形態に係る図１に示した圧電／電歪デバイス１０においては、薄板部１２，１２と固定部１１との境界部分（接合部分）並びに薄板部１２，１２と保持部１３，１３との境界部分（接合部分）は、変位発現の支点となるため、これらの接合部分の信頼性は圧電／電歪デバイス１０の特性を左右する重要なポイントである。
【００５１】
また、以下において説明する製造方法は、生産性が高く成形性にも優れるため、所定形状の圧電／電歪デバイス１０を短時間に、かつ、再現性よく得ることができる。
【００５２】
以下、本実施の形態に係る圧電／電歪デバイス１０の第１の製造方法について説明する。なお、以下において、複数のセラミックグリーンシートを積層して得られた積層体をセラミックグリーンシート積層体２２（図６を参照。）と定義し、このセラミックグリーンシート積層体２２を焼成して一体化したものをセラミック積層体２３（図７を参照。）と定義する。
【００５３】
また、かかる製造方法の実施にあたっては、図７のセラミック積層体を縦横に複数個並べたものと同等の１枚のシートを準備し、このシートの表面に後に圧電／電歪素子１４となる積層体２４（図８を参照。）を所定の部位に複数個分だけ連続させたものを形成し、このシートを切断することで、同一工程で多数個の圧電／電歪デバイス１０を製造することが望ましい。更には、一つの窓（図５に示したＷｄ１等）から２個以上の複数の圧電／電歪デバイス１０が取り出されるように製造することが望ましい。但し、以下においては、説明を簡単にするため、セラミック積層体の切断により圧電／電歪デバイス１０を１個だけ取り出す方法について説明する。
【００５４】
まず、ジルコニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚みを有する長方形のセラミックグリーンシートを作製する。
【００５５】
次に、図５に示したように、必要に応じて金型を用いた打抜加工やレーザ加工等の方法によりセラミックグリーンシートを種々の形状に加工し、複数枚のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆを得る。
【００５６】
図５に示した例においては、セラミックグリーンシート２１ｂ〜２１ｅに対して、長方形の窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４をそれぞれ形成する。窓Ｗｄ１と窓Ｗｄ４は略同一形状であり、窓Ｗｄ２と窓Ｗｄ３は略同一形状である。セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆは、後に薄板部１２，１２を構成する部分を含む。セラミックグリーンシート２１ｂ，２１ｅは、後に保持部１３，１３を構成する部分を含む。なお、セラミックグリーンシートの枚数は、あくまでも一例である。また、図示された例では、セラミックグリーンシート２１ｃ，２１ｄは、所定の厚みを有する一枚のグリーンシートでもよく、或いは、同所定の厚みを得るために複数枚のセラミックグリーンシートを積層する又は積層したものであってもよい。
【００５７】
その後、図６に示したように、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆを積層・圧着してセラミックグリーンシート積層体２２を形成する。次いで、そのセラミックグリーンシート積層体を焼成して図７に示したセラミック積層体２３を形成する。
【００５８】
なお、セラミックグリーンシート積層体２２を形成するための（積層一体化のための）圧着回数や順序は限定されない。なお、一軸加圧（一方向への加圧）によっては圧力が十分に伝達されない箇所が存在する場合、複数回圧着を繰り返すか、或いは圧力伝達物を充填して圧着を行うことが望ましい。また、製造する圧電／電歪デバイス１０の構造や機能に応じて、例えば窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４の各形状、セラミックグリーンシートの枚数や厚み等は適宜決定され得る。
【００５９】
上記積層一体化のための圧着を加熱しながら行うようにすると、より確実な積層状態を得ることができる。また、セラミック粉末、バインダを主体としたペースト、又はスラリー等を接合補助層としてセラミックグリーンシート上に塗布、又は印刷して圧着を行えば、セラミックグリーンシート界面の接合状態をより良好な状態とすることができる。この場合、接合補助剤として使用されるセラミック粉末は、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆに使用されたセラミックスと同一又は類似した組成を有していることが、接合の信頼性確保の点で好ましい。更に、セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆが薄い場合、プラスチックフィルム（特に、表面にシリコーン系の離型剤をコーティングしたポリエチレンテレフタレートフィルム）を用いて同セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆを取り扱うことが好ましい。また、セラミックグリーンシート２１ｂ，２１ｅ等の比較的薄いシートに窓Ｗｄ１，Ｗｄ４等を形成する際、これらのシートを前記プラスチックフィルムに取り付けた状態で同窓Ｗｄ１，Ｗｄ４等を形成するための加工を行ってもよい。
【００６０】
次に、図８に示すように、前記セラミック積層体２３の両表面、即ち、積層されたセラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆの焼成後の表面にそれぞれ圧電／電歪層積層体２４，２４を形成する。圧電／電歪層積層体２４，２４の形成法としては、スクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、及び電気泳動法等の厚膜形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着、イオンプレーティング法、化学気相成長法（ＣＶＤ）、及びめっき等の薄膜形成法を用いることができる。
【００６１】
このような膜形成法を用いて圧電／電歪層積層体２４，２４を形成することにより、接着剤を用いることなく、圧電／電歪層積層体２４，２４と薄板部１２，１２とを一体的に接合（配設）することができ、信頼性、再現性を確保できると共に、集積化を容易にすることができる。
【００６２】
この場合、厚膜形成法により圧電／電歪層積層体２４，２４を形成することがより好ましい。厚膜形成法を用いれば、平均粒径０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍの圧電セラミックスの粒子や粉末を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンションやエマルジョン、ゾル等を用いて膜化することができ、それを焼成することによって良好な圧電／電歪特性を得ることができるからである。
【００６３】
なお、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成できるという利点を有する。また、スクリーン印刷法によれば、膜厚の制御とパターン形成とを同時に行うことができるので、製造工程を簡略化することが可能である。
【００６４】
ここで、セラミック積層体２３及び圧電／電歪層積層体２４，２４の形成方法の一例について詳述する。まず、セラミックグリーンシート積層体２２を１２００〜１６００℃の温度で焼成して一体化し、図７に示したセラミック積層体２３を得た後、図３に示したように、同セラミック積層体２３の両表面の所定位置に電極１４ａ１，１４ａ１を印刷して焼成し、次いで、圧電／電歪層１４ｂ１，１４ｂ１を印刷して焼成し、その上に電極１４ａ２，１４ａ２を印刷して焼成する。このような処理を所定回数繰り返して圧電／電歪層積層体２４，２４を形成する。その後、電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５、及び電極１４ａ２，１４ａ４を駆動回路にそれぞれ電気的に接続するための端子（図示省略）を印刷、焼成する。
【００６５】
なお、最下層の電極１４ａ１を印刷して焼成し、その後、圧電／電歪層１４ｂ１と電極１４ａ２とを印刷してから同時に焼成し、その後、同様に、一つの圧電／電歪層と一つの電極とを印刷してから同時に焼成する工程を所定回数だけ繰り返すことで圧電／電歪層積層体２４，２４を形成してもよい。
【００６６】
この場合、例えば、電極１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４を白金（Ｐｔ）を主体とした材料、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４をジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）を主体とした材料、他の電極１４ａ５を金（Ａｕ）、更に、端子を銀（Ａｇ）でそれぞれ構成するように、各部材の焼成温度が積層順に従って低くなるように材料を選定すると、ある焼成段階において、それより以前に焼成された材料の再焼結が起こらず、電極材等の剥離や凝集といった不具合の発生を回避することができる。
【００６７】
なお、適当な材料を選択することにより、圧電／電歪層積層体２４，２４の各部材と端子とを逐次印刷して、１回で一体焼成することも可能である。また、最外層の圧電／電歪層１４ｂ４の焼成温度を圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ３の焼成温度より高くして、これらの圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の最終的な焼結状態を同一にするように圧電／電歪積層体２４を形成してもよい。
【００６８】
また、圧電／電歪層積層体２４，２４の各部材と端子は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成法によって形成してもよく、この場合には、必ずしも熱処理を必要としない。
【００６９】
圧電／電歪層積層体２４，２４の形成においては、セラミックグリーンシート積層体２２の両表面、即ち、セラミックグリーンシート２１ａ及び２１ｆの各表面に予め圧電／電歪層積層体２４，２４を形成しておき、そのセラミックグリーンシート積層体２２と圧電／電歪層積層体２４，２４とを同時に焼成してもよい。
【００７０】
圧電／電歪層積層体２４，２４とセラミックグリーンシート積層体２２とを同時焼成する方法としては、スラリー原料を用いたテープ成形法等によって圧電／電歪層積層体２４，２４の前駆体を成形し、この焼成前の圧電／電歪層積層体２４，２４の前駆体をセラミックグリーンシート積層体２２の表面上に熱圧着等で積層し、その後、これらを同時に焼成する方法が挙げられる。但し、この方法では、上述した膜形成法を用いて、セラミックグリーンシート積層体２２の表面及び／又は圧電／電歪層積層体２４，２４に予め電極１４ａ１，１４ａ１を形成しておく必要がある。
【００７１】
その他の方法としては、セラミックグリーンシート積層体２２の少なくとも最終的に薄板部１２，１２となる部分にスクリーン印刷により圧電／電歪層積層体２４，２４の各構成層である電極１４ａ１〜１４ａ５、及び圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４を形成し、これらを同時に焼成する方法が挙げられる。
【００７２】
圧電／電歪層積層体２４，２４の構成膜の焼成温度は、これを構成する材料によって適宜決定されるが、一般には、５００〜１５００℃であり、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４に対しては、１０００〜１４００℃が好適な焼成温度である。この場合、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の組成を制御するためには、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料の蒸発が制御される状態（例えば、蒸発源の存在下）で焼結することが好ましい。なお、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４とセラミックグリーンシート積層体２２を同時焼成する場合には、両者の焼成条件を合わせることが必要である。圧電／電歪層積層体２４，２４は、必ずしもセラミック積層体２３もしくはセラミックグリーンシート積層体２２の両面に形成される必要はなく、セラミック積層体２３もしくはセラミックグリーンシート積層体２２の片面のみに形成されてもよい。
【００７３】
次に、上述のようにして、圧電／電歪層積層体２４，２４が形成されたセラミック積層体２３のうちの不要な部分を切除する。具体的に述べると、図９に示した切断線（破線）Ｃ１〜Ｃ４に沿ってセラミック積層体２３を切断する。切断は、ワイヤソー加工やダイシング加工等の機械加工のほか、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工や、電子ビーム加工により切断を行うことが可能である。
【００７４】
この切断のうち、図９に示した切断線（破線）Ｃ３及びＣ４に沿うセラミック積層体２３と圧電／電歪層積層体２４，２４との切断は、比較的強度が小さく脆い圧電／電歪層と粘り易い延性を有する金属とからなる圧電／電歪層積層体２４，２４の切断を含むので、切断時に被切断物（後に、圧電／電歪デバイス１０を構成する「セラミック積層体２３及び圧電／電歪層積層体２４からなるもの」を以下、「被切断物」とも言う。）に対して大きな加工負荷が加わるダイシング加工によることは望ましくなく、被切断物に対する加工負荷が小さい他の加工によることが望ましい。中でも複数個の圧電／電歪デバイス１０を同時に形成するための同時切断に適し、加工負荷が小さいワイヤソー加工が、かかる切断に適している。
【００７５】
この場合、線状部材であるワイヤーソーＷＳを、図９の矢印ＡＲ１にて示したように、圧電／電歪層積層体２４，２４の層状の電極１４ａ１〜１４ａ５と圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の積層方向内において、換言すると、電極１４ａ１〜１４ａ５と圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の各層面（層状の電極と圧電／電歪層の境界面、従って、焼成されたセラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆの平面）に略直交する方向内において揺動させながら、同ワイヤーソーＷＳを積層方向と略平行に維持しながら（即ち、前記各層面に略直交する状態を維持しながら）切断線Ｃ３，Ｃ４に沿って層面方向に進行（移動）せしめることにより、上記切断（ワイヤーソー加工）を行う。
【００７６】
ワイヤーソー加工の際、窓Ｗｄ１等で形成される孔の中に、ワックス、樹脂等の充填物を挿入して、薄板部（セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆに相当する部分）が加工途中で振動することを防止することが望ましい。この充填物はワイヤーソー加工後にそれに適した溶剤で溶解して取り除いてもよいし、加熱焼成して焼失させてもよい。また、後に圧電／電歪素子１４となる積層体２４，２４の表面に、有機樹脂、又は有機樹脂とセラミックとからなるペースト等を塗布、乾燥、硬化させて保護膜（保護層）を形成した後、ワイヤーソー加工することが望ましい。前記保護膜の厚みは、１〜５００μｍが望ましく、２０〜１００μｍとすることが更に望ましい。前記保護膜の形成方法は、印刷やスプレー等によることができる。また、圧電／電歪素子の最外層の電極の厚みを厚くしたものを前記保護膜として代用し、これをワイヤーソー加工を行うことが望ましい。
【００７７】
また、かかる被切断物をワイヤーソー加工ステージに直接取りつけるのではなく、一般に被切断物をワックスや接着材等を用いて治具に接着し、この治具をワイヤーソー加工ステージに取り付けて加工を行う。このとき、被切断物と治具の間に、ガラスやシリコンウェハーからなる板、或いは有機樹脂材料（ＰＥＴ，ＰＣ，ＰＥ，ＰＰ等）からなる板又はフィルムなどの薄板のカットベース（被切断物とともに切断されるもの）を介在させることが望ましい。更に、この場合、被切断物とカットベースと治具との接着に、それぞれの所定溶媒に対して溶解性が異なる接着材を使用することが望ましい。
【００７８】
このように接着材を選択すれば、カットベースと治具とを分離する溶媒がカットベースと被切断物との接着に影響を与えることがないようにできるので、カットベースと治具との分離後においても、被切断物をカットベースに取りつけた状態で取り扱うことができるからである。例えば、ワイヤーソー加工の際に被切断物に当然に付着する砥粒を洗浄する場合、被切断物をカットベースに取りつけたままの状態で洗浄治具の所定の位置に載置して洗浄を行い、その後、洗浄治具内でカットベースと被切断物を取り外せば、同洗浄治具への被切断物の装填（載置）が容易になる。
【００７９】
また、ワイヤーソー加工に際しては、ワイヤーの揺動を安定化させるために、図３２に示したように、被切断物ＨＳを挟むように少なくとも一対のガイドＧＤを配設して、先ずワイヤーＷＳがガイドＧＤに食い込んでその揺動が安定化した後、同ワイヤーＷＳで被切断物ＨＳを切断するようにすることが望ましい。ガイドＧＤとしては、アルミナ、ジルコニア、フェライト、ガラス等のセラミックのほか、前記した金属材料、カーボン、黒鉛、シリコン単結晶等を利用することが望ましい。当然ではあるが、ガイドＧＤの高さｈｇは、被切断物ＨＳの高さｈｓよりも若干高くすることが望ましい。このガイドＧＤと被切断物ＨＳとの高さの差（ｈｇ−ｈｓ）は、ワイヤーの線径の１倍以上とすることが望ましく、３倍以上とすることが更に望ましい。しかしながら、このガイドと被切断物との高さの差は、本来製品加工として小さくすべきものであるので、１０倍以下とすることがより望ましい。
【００８０】
ガイドのワイヤー揺動方向への厚みは、砥粒の排出性を高めるため、薄いことが望ましく、５ｍｍ以下、より望ましくは２ｍｍ以下とすることが望ましい。ガイドとしては、ワイヤー揺動方向での厚みが薄く、ガイド自体の剛性が高く、砥粒に対して容易に切断され易いこと（快削性が高いこと）が望ましい。具体的には、カーボンを利用することが望ましく、次に、鉄、その他の金属、ＳＵＳ、ガラス、アルミナ、ジルコニアの中から、この順序で被切断物との切削性の関係を吟味して選択してもよい。
【００８１】
また、ワイヤーソーの切断完了後にワイヤーを被切断物から引き上げる際、ワイヤーの揺動を止めないで、且つ切断時と同様に砥粒を噴出した状態で引き上げることが望ましい。更に揺動の速度を切断時よりも高くした状態で引き上げることがより望ましい。これは被切断物の側端面の加工面をワイヤーと砥粒によって擦ることにより、側端面の面粗さを良好にする効果がある。また、ワイヤーソーの研削材（粉）は、ＳｉＣ、ＡＬ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ダイヤモンド等の中から適宜選択されるとともに、その粗さは平均粒子径で１〜３０μｍ、より望ましくは１〜５μｍであることが好適である。
【００８２】
ワイヤー加工の際、ワイヤー（ワイヤーソー）ＷＳの揺動速度（図９の矢印ＡＲ１で示した方向内の揺動速度）は１０〜１５００ｍ／分、特に１００〜６００ｍ／分とすることが望ましい。また、ワイヤーの送り速度（図９の矢印ＡＲ１で示した方向と直交する方向の速度、即ち、切断進行方向の速度）は、０．５ｍｍ／分、特に、０．１ｍｍ／分以下とすることが望ましい。更に、ワイヤＷＳの張力は、１〜２０Ｎとすることが望ましい。
【００８３】
また、ワイヤーソー加工の際、ワイヤーＷＳが被切断物ＨＳに接触して切断を開始してから一定の送り速度で切断を行うのではなく、被切断物ＨＳの加工初めのときに、同ワイヤーＷＳの送りを一旦停止するか、又は戻し、その後、再び送るという動作を繰り返すことで徐々に送り方向の加工を行うようにしても良い。また、一旦送りを停止する場合、送り量は、加工初めの時点から研削材の平均粒子径以上であって、ワイヤーＷＳの線径の１／２以下、更に好ましくは１／４以下の送り量で送り込んだ後、送りを停止することを繰り返しながら送り方向の加工を行うことが望ましい。更に、戻す場合は、研削材の平均粒径以上、更に好ましくは、平均粒子径の５倍以上戻すことがより望ましい。この際、戻す速度は、送り込みの速度よりも大きくてもよい。これらにより、加工表面への加工負荷を低減することができ、加工表面の加工状態を良好にすることができる。
【００８４】
ワイヤーソー加工の際に付着する砥粒、或いは固定用接着剤などの不純物を洗浄によって被切断物から取り除くことが望ましいが、その際、不純物を蒸発固化させると不純物を取り除き難くなるので、同不純物を蒸発乾燥させない状態で洗浄を行うことが望ましい。このような洗浄を行う場合、ワイヤーソー加工の際に被切断物に砥粒を吹き付けるために同砥粒を懸濁させる溶剤を、同洗浄の初期の時点で使用することが望ましい。
【００８５】
なお、切断線Ｃ３，Ｃ４に沿う切断のように、機械的な特性（切断加工に対する物理的な特性）が互いに異なる複数のセラミック、電極、及び圧電／電歪層からなる複合体ではなく、均一又は類似の機械的特性を有するセラミックで構成された部分の切り出しには、ワイヤーソー加工のほか、他の加工方法を用いてもよい。例えば、切断線Ｃ３及びＣ４に直交する後に保持部１３，１３となる部分、及び後に固定部１１となる部分の切断を開始する際にはダイシング加工を採用することが好ましい。以上により、図１に示した圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【００８６】
この製造方法によれば、ワイヤーソーＷＳが、圧電／電歪層積層体２４，２４の積層方向に揺動し、且つ同積層方向と平行に維持されながら、圧電／電歪積層体２４，２４の層面に沿った方向に同層面と直交する面内で進行せしめられ、これにより同圧電／電歪層積層体２４，２４が切断されて、圧電／電歪素子１４の最終形状が得られる。従って、圧電／電歪素子１４と薄板部１２の側端面（切断面）の正面図である図１０、及び図１０の２−２線に沿った平面にて同圧電／電歪素子１４と薄板部１２とを切断した断面図である図１１に示したように、例えば、電極１４ａ２の側端面を構成する部分は、同電極１４ａ２を挟む両方の圧電／電歪層１４ｂ１，１４ｂ２の側端面上の一部を覆うように延在するように形成される。即ち、圧電／電歪素子１４の各電極１４ａ１〜１４ａ５の側端面を構成する部分は、同各電極を挟む両方の圧電／電歪層の側端面上の一部を覆うように延在するようになる。
【００８７】
この結果、図１１の拡大図である図１２に示したように、「前記圧電／電歪素子１４の側端面において前記電極１４ａｎ（ｎは１〜５）の側端面を構成する部分」の「圧電／電歪層１４ｂｎと同電極１４ａｎの積層方向」の長さＬ２は、同圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１の側端面が形成する仮想平面ＨＰＬ上であって同積層方向の同電極の長さＬ１の５倍よりも小さくなる。従って、圧電／電歪素子１４の側端面において、隣接する電極間の距離が長くなり、製造途中において、或いは、使用中に同電極同士が短絡する頻度を低減することができる。
【００８８】
また、前記圧電／電歪デバイス１０は、前記各電極の側端面を構成する部分であって同各電極１４ａｎを挟む前記圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１を覆う部分の同圧電／電歪層と同電極の積層方向の長さのうち大きい方の長さ（Ｌ３）の、同各電極の側端面を構成する全体部から同各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分を除いた部分の同積層方向における厚み（Ｌ１）に対する比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす（即ち、Ｌ３／Ｌ１が０より大きく２より小さい）圧電／電歪デバイスとなった。
【００８９】
このように、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす圧電／電歪デバイス１０は、製造した段階において絶縁性が確保できなくなる頻度が低く、また、使用中において絶縁性が低下する恐れが極めて小さい。加えて、電極に電圧が印加される際、圧電／電歪層側端面における電界強度が内部における電界強度よりも高くなり、圧電／電歪層側端面に圧縮応力を効果的に発生させることができる。この結果、圧電／電歪デバイス１０の強度を高めることができた。
【００９０】
なお、本発明によらない他の製造方法による圧電／電歪デバイスにおいては、図１２と同様な図１３に示したように、「圧電／電歪素子１４の側端面において前記電極１４ａｎ（ｎは１〜５）の側端面を構成する部分」の「圧電／電歪層１４ｂｎと同電極１４ａｎの積層方向」の長さＬ２０は、同圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１の側端面が形成する仮想平面ＨＰＬ上であって同積層方向の同電極の長さＬ１０の５倍よりも大きくなる場合があって、信頼性が乏しい場合があった。
【００９１】
次に、本発明による圧電／電歪デバイス１０の第２の製造方法について説明する。まず、ジルコニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚みを有する長方形のセラミックグリーンシートを作製する。
【００９２】
次に、図１４に示したように、必要に応じて金型を用いた打抜加工やレーザ加工等の方法によりセラミックグリーンシートを種々の形状に加工し、複数枚のセラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆを得る。特に、金型打抜加工は、加工形状、加工表面状態、及び加工速度（加工数量）の点で最も好ましい。
【００９３】
図１４に示した例においては、セラミックグリーンシート３１ｂ〜３１ｅに、第１の製造方法において先に説明したセラミックグリーンシート２１ｂ〜２１ｅと同様に、長方形の窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４をそれぞれ形成する。窓Ｗｄ１と窓Ｗｄ４は略同一形状であり、窓Ｗｄ２と窓Ｗｄ３は略同一形状である。
【００９４】
また、セラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆには、互いに略同一形状からなる窓Ｗｅ１〜Ｗｅ６をそれぞれ形成する。セラミックグリーンシート３１ａ，３１ｂ，３１ｅ，３１ｆには、互いに略同一形状からなる窓Ｗｆ１〜Ｗｆ４を形成する。セラミックグリーンシート３１ａ，３１ｆは、後に薄板部１２，１２を構成する部分を含む。セラミックグリーンシート３１ｂ，３１ｅは、後に保持部１３，１３を構成する部分を含む。なお、この場合においても、セラミックグリーンシートの枚数は、あくまでも一例である。また、図示された例では、セラミックグリーンシート３１ｃ，３１ｄは、複数枚のセラミックグリーンシートを積層した状態にある。
【００９５】
その後、図１５に示したように、セラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆを積層・圧着してセラミックグリーンシート積層体３２を形成する。次いで、そのセラミックグリーンシート積層体３２を焼成して図１６に示したセラミック積層体３３を形成する。
【００９６】
次に、図１７に示したように、前記セラミック積層体３３の両表面、即ち、積層されたセラミックグリーンシート３１ａ，３１ｆの焼成後の表面にそれぞれ圧電／電歪層積層体３４，３４を、上述した圧電／電歪層積層体２４，２４と同様に形成する。
【００９７】
次に、圧電／電歪層積層体３４，３４が形成されたセラミック積層体３３のうちの不要な部分を切除する。具体的に述べると、図１８に示した切断線（破線）Ｃ１０〜Ｃ４０に沿ってセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４を切断する。切断は、ワイヤソー加工やダイシング加工等の機械加工のほか、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工や、電子ビーム加工により切断を行うことが可能である
【００９８】
この切断のうち、図１８に示した切断線（破線）Ｃ３０及びＣ４０に沿うセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４，３４との切断は、強度の小さい圧電／電歪層積層体３４，３４の切断を含むので、切断時に被切断物に対して大きな加工負荷が加わるダイシング加工によることは望ましくなく、被切断物に対する加工負荷が小さい他の加工によることが望ましい。中でも複数個の圧電／電歪デバイス１０を同時に形成するための同時切断に適し、加工負荷が小さいワイヤソー加工が、かかる切断に適している。
【００９９】
このワイヤーソーによる切断線Ｃ３０，Ｃ４０に沿った切断加工も、第１の製造方法と同様に、ワイヤーソーＷＳを、図１８の矢印ＡＲ１にて示したように、圧電／電歪層積層体３４，３４の積層方向と略平行な方向内において揺動させながら、同ワイヤーソーＷＳを積層方向と略平行に維持して切断線Ｃ３０，Ｃ４０に沿って進行せしめることにより行う。この結果、図１に示した圧電／電歪デバイス１０が完成する。
【０１００】
この第２の製造方法においても、ワイヤーソーＷＳが第１の製造方法と同様に用いられて圧電／電歪層積層体３４，３４の切断が行われるので、図１１及び図１２に示したように、圧電／電歪素子１４の各電極１４ａ１〜１４ａ５の側端面を構成する部分は、同各電極を挟む両方の圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の側端面上の一部を覆うように延在するようになる。また、電極の長さ（厚み）Ｌ１，Ｌ２も、第１の製造方法による場合と同様な長さとなる。この結果、圧電／電歪素子１４の側端面において、隣接する電極間の距離が長くなり、同電極同士が短絡する可能性を低減することができる。
【０１０１】
この第２の製造方法にあっては、圧電／電歪デバイスの全長（保持部１３の端部から固定部１１の端部までの長さ）の規定を焼成体（セラミック積層体３３）の切断により行うのではなく、グリーンシートの加工（窓Ｗｅ１〜Ｗｅ６の加工、及び窓Ｗｆ１〜Ｗｆ４の加工）の際に行うことになるので、厚い焼成体を切断する場合に比較して同全長を製品毎に均一にする（全長を精度よく規定する）ことができる。
【０１０２】
次に、上記第２の製造方法を用いて、圧電／電歪デバイスを実際に多数個製造する際に使用するセラミックグリーンシートの例について説明する。図１９は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）セラミックグリーンシート４１の部分拡大正面図であり、図中の破線は前述した焼成後のセラミック積層体の切断線Ｃ１０〜Ｃ４０に相当している。図１９から理解されるように、セラミックグリーンシート４１からは、互いに隣接する窓Ｗｆ２，窓Ｗｄ１，及び窓Ｗｅ２を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき一個の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０３】
なお、図１９では、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂ，３１ｅに相当するセラミックグリーンシート４１を示したが、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ａ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｆに相当するセラミックグリーンシートが用意され、これらにより構成されるセラミックグリーンシート積層体３２及びセラミック積層体３３を複数個含んだ積層体が圧電／電歪デバイスの製造に使用されることは言うまでもない（以下、図２０，図２１の説明についても同じ。）。
【０１０４】
図２０は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）別のセラミックグリーンシート４２の部分拡大正面図であり、図中の破線は前述した焼成後のセラミック積層体の切断線Ｃ１０〜Ｃ４０に相当している。また、この例では更にセラミック積層体に対する切断線Ｃ５０，Ｃ６０が追加され、同切断線Ｃ５０，Ｃ６０に沿ってセラミックグリーンシート４２を含んで形成された焼成後のセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４とが切断されるようになっている。この図２０から理解されるように、セラミックグリーンシート４２からは、互いに隣接する窓Ｗｆ２，窓Ｗｄ１，及び窓Ｗｅ２を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき多数個（図示した例では三個）の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０５】
図２１は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）別のセラミックグリーンシート４３の部分拡大正面図である。
【０１０６】
このセラミックグリーンシート４３の場合、前述したセラミックグリーンシート４２と異なり、同セラミックグリーンシート４１，４２の窓Ｗｆ２と窓Ｗｅ２とが統合されて一つの窓Ｗｇ１が形成され、切断は前述した切断線Ｃ１０と切断線Ｃ２０が統合された切断線Ｃ７０と、切断線Ｃ３０〜Ｃ６０とに沿って行われるようになっている。従って、セラミックグリーンシート４３からは、窓Ｗｄ１，及び同窓Ｗｄ１を挟む一対の窓Ｗｇ１，Ｗｇ１を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき多数個（図示した例では三個）の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０７】
このセラミックグリーンシート４３によれば、セラミックグリーンシート４１，４２の窓Ｗｆ２と窓Ｗｅ２に代えて、これらの窓を統合した一つの窓Ｗｇ１を形成すればよいので、同セラミックグリーンシート４３の準備工程（穴加工工程）が簡略化される。また、同一のシート面積に対する製品の取り出し数量を多くできる。
【０１０８】
図１９，図２０を参照しながら説明した、切断の順序（デバイスの切り出し順序）は次のとおりとすることが望ましい。即ち、最初にデバイスの全長を規定する窓を含んだ切断線Ｃ１０，Ｃ２０に沿って切断し、次に、製品に不要な部分（窓Ｗｄｎ（Ｗｄ１）を挟むことなく互いに隣接する窓Ｗｆｎ（Ｗｆ２）と窓Ｗｅｎ（Ｗｅ２）で挟まれた部分（切断線Ｃ１０とＣ２０とで挟まれ、且つ窓Ｗｄ１を含まない部分に相当する部分）を取り除いたもの（略角柱状の被切断物ＨＳ）を例えば図３２に示したように再配列し、その後、Ｃ３０，Ｃ４０，Ｃ５０，Ｃ６０の切断線に沿った切断をワイヤーソーを用いて行う。
【０１０９】
一方、図２１に示した切断の場合、図１９，図２０に示した場合と同様な順序で切断を行っても良いが、逆の順序、即ち、ワイヤーソーにより切断線Ｃ３０，Ｃ４０，Ｃ５０，Ｃ６０に沿った切断を先に行い、その後、切断線Ｃ７０，Ｃ７０の全長を規定する切断を行うようにしてもよい。
【０１１０】
ここで、上述の第１，第２製造方法について追加的な説明を加える。上述した図９に示した切断線Ｃ３，Ｃ４（及び図１８に示した切断線Ｃ３０，Ｃ４０）に沿った切断（切除）においては、切断後に圧電／電歪層積層体２４，２４（３４，３４）及びセラミック積層体２３（３３）に対して３００〜８００℃の加熱処理を施すことが好ましい。これは、加工により圧電／電歪デバイス１０内にマイクロクラック等の欠陥が生じやすいが、前記熱処理によって前記欠陥を取り除くことができ、信頼性が向上するからである。更に、前記熱処理後に圧電／電歪層積層体２４，２４（３４，３４）及びセラミック積層体２３（３３）を８０℃程度の温度で少なくとも１０時間程度放置し、エージング処理を施すことが好ましい。このエージング処理により製造過程の中で受けた種々の応力等が更に緩和できるので、圧電／電歪デバイス１０の特性が向上するからである。
【０１１１】
以上、説明したように、本発明による圧電／電歪デバイスは、各種トランスデューサ、各種アクチュエータ、周波数領域機能部品（フィルタ）、トランス、通信用や動力用の振動子や共振子、発振子、ディスクリミネータ等の能動素子のほか、超音波センサや加速度センサ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種センサ用のセンサ素子として利用することができる。また、この圧電／電歪デバイスは、光学機器、精密機器等の各種精密部品等の変位や位置決め調整、角度調整の機構に用いられる各種アクチュエータとして利用することができる。
【０１１２】
なお、この発明に係る圧電／電歪デバイス及びその製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記実施形態の圧電／電歪素子１４は、複数の電極１４ａ１〜１４ａ５と複数の圧電／電歪素子層１４ｂ１〜１４ｂ４を備えていたが、これに代えて、一対の電極と同一対の電極に挟まれた一つの圧電／電歪層を備えてなる圧電／電歪素子を本圧電／電歪デバイスに採用した場合にも、本発明による圧電／電歪デバイス製造方法を適用することができる。
【０１１３】
即ち、この圧電／電歪デバイスは、上記実施形態の固定部１１と、固定部１１に支持された上記薄板部１２と、この薄板部１２の平面上に形成された層状の第１電極（上記実施形態の電極１４ａ１に相当する。）、その第１電極の上に形成された圧電／電歪層（上記実施形態の圧電／電歪層１４ｂ１に相当する。）、及びその圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極（上記実施形態の電極１４ａ２）からなる圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスであり、前記第１電極の側端面を構成する部分が薄板部１２の側端面の一部と前記圧電／電歪層の側端面の一部とを覆うように延在してなる圧電／電歪デバイスである。
【０１１４】
また、かかる圧電／電歪デバイスは、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に後に前記圧電／電歪素子を構成する積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記積層体とを、同積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだ製造方法により製造される。
【０１１５】
また、固定部１１、薄板部１２，１２、及び保持部１３，１３を金属で構成する場合、図７に示したセラミック積層体２３又は図１６に示したセラミック積層体３３に代えて、これらのセラミック積層体と同形の金属構造物を鋳造により形成してもよく、或いは、図５又は図１４に示した各セラミックグリーンシートと同形の薄板状の金属を準備し、これらの金属板をクラッディング法により接合してセラミック積層体２３，３３と同形の金属構造体を形成することもできる。
【０１１６】
また、上記実施形態の圧電／電歪デバイス１０においては、一対の保持部１３，１３の間に対象物を保持していたが、図２２に示したように、一対の保持部１３，１３の間にスペーサ１３ａを接着剤１３ｂ，１３ｂにより介在させてもよい。更に、図２３に示したように、上記各実施形態に係る圧電／電歪デバイスの各保持部の側面側（図２３においては下方面）に保持すべき対象物を接着等により保持してもよい。
【０１１７】
更に、図２４に示したように、上述した実施形態における固定部１１の中央部を切除して、一対の固定部１１ａ，１１ａを形成し、各固定部が各薄板部を保持するように構成するとともに、上記一対の薄板部１２，１２の先端部分を一体に連結する部分で保持部１３ａを構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電／電歪デバイスの斜視図である。
【図２】図１に示した圧電／電歪デバイスと同圧電／電歪デバイスに保持された対象物の斜視図である。
【図３】図１に示した圧電／電歪デバイスの部分拡大正面図である。
【図４】図１に示した圧電／電歪デバイスの変形例の斜視図である。
【図５】本発明による圧電／電歪デバイスの第１の製造方法において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図６】図５に示したセラミックグリーンシートを積層・圧着したセラミックグリーンシート積層体の斜視図である。
【図７】図６に示したセラミックグリーンシートが一体焼成されて形成されたセラミック積層体の斜視図である。
【図８】圧電／電歪層積層体が形成された図７に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図９】図８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【図１０】図１に示した圧電／電歪素子の圧電／電歪素子と薄板部の側端面（切断面）の部分正面図である。
【図１１】図１０の２−２線に沿った平面にて圧電／電歪素子と薄板部を切断した部分断面図である。
【図１２】図１１の部分拡大図である。
【図１３】本発明以外の方法で製造された圧電／電歪素子の側端面（切断面）の部分拡大正面図である。
【図１４】本発明による圧電／電歪デバイスの第２の製造方法において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図１５】図１４に示したセラミックグリーンシートを積層・圧着したセラミックグリーンシート積層体の斜視図である。
【図１６】図１５に示したセラミックグリーンシートが一体焼成されて形成されたたセラミック積層体の斜視図である。
【図１７】圧電／電歪層積層体が形成された図１６に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図１８】図１７に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【図１９】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの部分拡大正面図である。
【図２０】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの他の例の部分拡大正面図である。
【図２１】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの更に他の例の部分拡大正面図である。
【図２２】図１に示した圧電／電歪デバイスの他の変形例の斜視図である。
【図２３】各実施形態に係る圧電／電歪デバイスに対象物を保持させる他の例を示した図である。
【図２４】図１に示した圧電／電歪デバイスの他の変形例の斜視図である。
【図２５】従来の圧電／電歪デバイスの斜視図である。
【図２６】図２５に示した圧電／電歪デバイスの製造過程において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図２７】図２６に示したセラミックグリーンシートが積層・圧着された後に一体焼成されて形成されたセラミック積層体の斜視図である。
【図２８】圧電／電歪層積層体が形成された図２７に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図２９】図２８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の、本発明以外の製造方法の切断工程を示した図である。
【図３０】図２５に示した圧電／電歪素子と薄板部の側端面（切断面）の部分正面図である。
【図３１】図３０の１−１線に沿った平面にて圧電／電歪素子と薄板部を切断した部分断面図である。
【図３２】図８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【符号の説明】
１１…固定部、１２…薄板部、１３…保持部、１４…圧電／電歪素子、１４ａ１〜１４ａ５…電極（層状の電極、電極層）、１４ｂ１〜１４ｂ４…圧電／電歪層、２１ａ〜２１ｆ，３１ａ〜３１ｆ…セラミックグリーンシート、２２，３２…セラミックグリーンシート積層体、２３，３３…セラミック積層体、２４，３４…圧電／電歪層積層体。
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定部と、固定部に支持された薄板部と、層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイス、並びに、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の圧電／電歪デバイスは、精密加工を行うためのアクチュエータ、光学的情報や磁気的情報等の読取り及び／又は書込み用素子（ヘッド）の位置を制御するアクチュエータ、或いは機械的振動を電気信号に変換するセンサ等として活発に開発されてきている。
【０００３】
一例として、図２５に示したこのような圧電／電歪デバイスは、固定部１００と、固定部１００に支持された薄板部１１０と、前記薄板部１１０の先端に設けられた対象物を保持するための保持部（可動部）１２０と、少なくとも前記薄板部１１０の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子１３０とを備え、圧電／電歪素子１３０の電極間に電界を形成して同圧電／電歪素子１３０の圧電／電歪層を伸縮させることで薄板部１１０を変形させ、これにより、保持部１２０（従って、同保持部１２０に保持される対象物）を変位させるようになっている。
【０００４】
また、図２５に示した圧電／電歪デバイスは、先ず、図２６に示したように、複数のセラミックグリーンシート（及び／又は、セラミックグリーンシート積層体）を準備し、図２７に示したように、これらのセラミックグリーンシートを積層して一体焼成することでセラミックの積層体２００を形成し、図２８に示したように、外表面に複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪層積層体２１０を形成し、この圧電／電歪層積層体２１０を図２９に示した切断線Ｃ１〜Ｃ４にて切断することにより製造され得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、切断線Ｃ３，Ｃ４に沿った切断をワイヤーソーＷＳにより行うと、薄板部１１０及び圧電／電歪素子１３０の側端面の部分拡大正面図である図３０、及び図３０の１−１線に沿った平面にて薄板部１１０及び圧電／電歪素子１３０を切断した部分拡大断面図である図３１に示したように、圧電／電歪素子１３０の電極１３１の延性に起因して、各電極１３１の側端面（切断面）が、ワイヤーソーＷＳの進行方向（図３０及び図３１における下方）に隣接する圧電／電歪層１３２の側端面を覆うように形成されてしまう。そのため、圧電／電歪素子１３０の側端面において、隣接する電極１３１，１３１間の距離が小さくなり、しかも、同側端面は外部に露呈することになるからゴミ等が付着し易く、この結果、隣接する電極同士が短絡する可能性が高いという問題があることが見い出された。従って、本発明の目的は、圧電／電歪層積層体の切断方法を工夫することにより、圧電／電歪素子の側端面（切断面）における電極間の距離を確保した圧電／電歪デバイス、及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【本発明の概要】
上記目的を達成するための本発明の特徴の一つは、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなる圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層を交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだことにある。
【０００７】
また、本発明の他の特徴は、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記固定部を構成するセラミックグリーンシートと後に前記薄板部を構成するセラミックグリーンシートとからなるセラミックグリーンシート積層体を一体焼成してセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体のうちの少なくとも後に前記薄板部を構成する部分の外表面に層状の電極及び圧電／電歪層が交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、前記後に薄板部を構成する前記セラミック積層体の部分と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部及び前記圧電／電歪素子を形成する工程と、を含んだことにある。
【０００８】
これによれば、後に前記薄板部を構成する薄板体と後に前記圧電／電歪素子を構成する圧電／電歪層積層体とが、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向（即ち、層面に略直交する直線の方向）内にて揺動する線状部材が同積層方向と略平行に維持されながら層面方向に移動せしめられることにより切断される。従って、切断に伴って線状部材から電極に加わる同電極を引き延ばそうとする力の主たる向きは、同電極の層面内となる。また、線状部材の揺動により発生する同電極を引き延ばそうとする力の向きは、同電極を挟む両方の圧電／電歪層の側端面に略均等に分散する。この結果、圧電／電歪素子の外部に露呈した側端面（切断面）における電極間距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。
【０００９】
即ち、本発明は、このような製造方法により、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスにおいて、前記各電極の側端面を構成する部分が同各電極を挟む両方の前記圧電／電歪層の各側端面上の一部を覆うように延在してなる圧電／電歪デバイスを提供することができる。
【００１０】
この場合、前記圧電／電歪デバイスは、前記圧電／電歪素子の側端面において前記電極の側端面を構成する部分の前記圧電／電歪層と同電極の積層方向における長さ（Ｌ２）が、同圧電／電歪層の側端面が形成する仮想平面（ＨＰＬ）上であって同積層方向における同電極の長さ（Ｌ１）の５倍よりも小さい圧電／電歪デバイスである。
【００１１】
また、前記圧電／電歪デバイスは、前記各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分の同圧電／電歪層と同電極の積層方向の長さのうち大きい方の長さ（Ｌ３）の、同各電極の側端面を構成する全体部から同各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分を除いた部分の同積層方向における厚み（Ｌ１）に対する比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす（即ち、Ｌ３／Ｌ１が０より大きく２より小さい）圧電／電歪デバイスでもある。
【００１２】
このように、上記電極の側端面を構成する部分の長さ（Ｌ２）が同圧電／電歪層の側端面が形成する仮想平面（ＨＰＬ）上であって同積層方向における同電極の長さ（Ｌ１）の５倍よりも小さい圧電／電歪デバイス、又は、前記比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす圧電／電歪デバイスは、製造した段階において絶縁性が確保できなくなる頻度が低く、また、使用中において絶縁性が低下する恐れが極めて小さい。
【００１３】
更に、上記本発明の製造方法によれば、薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスであって、前記圧電／電歪素子の外部に露呈した側端面は、前記電極と前記圧電／電歪層の積層体が同積層体の積層方向を含む面において同積層方向と略直交した方向に切断加工されることにより形成された端面であることを特徴とする圧電／電歪デバイスが提供される。
【００１４】
また、本発明の他の特徴は、薄板部と、前記薄板部の平面上に形成された層状の第１電極、前記第１電極の上に形成された圧電／電歪層、及び前記圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極を含む圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスの製造方法が、後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に後に前記圧電／電歪素子を構成する積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記積層体とを、同積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだことにある。
【００１５】
この場合においても、後に薄板部を構成する薄板体と、後に第１，第２電極及びこれらの電極に挟まれた圧電／電歪層を含む圧電／電歪素子を構成する積層体とが、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向（即ち、層面に略直交する直線の方向）内にて揺動する線状部材が同積層方向と略平行に維持されながら層面方向に移動せしめられることにより切断される。従って、切断に伴って線状部材から第１，第２電極に加わるこれらの電極を引き延ばそうとする力の主たる向きは、同第１，第２電極の各層面内となる。この結果、圧電／電歪素子の側端面（切断面）において、第１電極と第２電極の距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。換言すると、第１電極の側端面を構成する部分が薄板部の側端面の一部と圧電／電歪層の側端面の一部を覆うように延在する圧電／電歪素子を備え、側端面において第１電極と第２電極の距離が比較的大きく確保された圧電／電歪デバイスが提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明による圧電／電歪デバイスの実施形態について説明する。図１に斜視図を示した前記実施形態に係る圧電／電歪デバイス１０は、直方体の固定部１１と、固定部から立設するように同固定部１１に支持されるとともに互いに対向する一対の薄板部１２，１２と、前記薄板部１２，１２の先端に設けられるとともに同薄板部１２，１２の肉厚よりも厚い肉厚を有する保持部（可動部）１３，１３と、少なくとも前記薄板部１２，１２の各外側の平面上に形成された層状の電極と圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子１４，１４とを備えている。これらの構成の概略は、例えば、特開２００１−３２０１０３に開示されている。
【００１７】
この圧電／電歪デバイス１０は、例えば、図２に示したように、一対の保持部１３，１３の間に対象物Ｓを保持し、圧電／電歪素子１４，１４が発生する力によって薄板部１２，１２を変形せしめ、これにより保持部１３，１３を変位させて対象物Ｓの位置を制御し得るアクチュエータとして使用されるようになっている。この対象物Ｓは、磁気ヘッド、光ヘッド、或いは、センサとしての感度調整用重り等である。
【００１８】
固定部１１、薄板部１２，１２、及び保持部１３，１３から構成された部分（これらは「基体部」とも総称される。）は、後に詳述するようにセラミックグリーンシートの積層体を焼成により一体化したセラミック積層体により構成されている。このようなセラミックスの一体化物は、各部の接合部に接着剤が介在しないことから、経時的な状態変化が殆ど生じないので、接合部位の信頼性が高く、かつ、剛性確保に有利である。また、セラミック積層体は、後述するセラミックグリーンシート積層法により、容易に製造することができる。
【００１９】
なお、基体部は、全体をセラミックス又は金属により構成してもよく、セラミックスと金属とを組合せたハイブリッド構造とすることもできる。また、基体部は、セラミックスを有機樹脂やガラス等の接着剤で接着して構成したり、金属をロウ付け、半田付け、共晶接合、拡散接合、或いは溶接等で接合して構成することもできる。
【００２０】
圧電／電歪素子１４は、図３に拡大して示したように、固定部１１（の一部）と薄板部１２（の一部）がなす外側壁面（外側平面）上に形成されるとともに、複数の層状電極と複数の圧電／電歪層を有し、層状の電極と圧電／電歪層とが交互に積層された積層体である。電極と圧電／電歪層の各層は薄板部１２の平面と平行な層を形成している。より具体的に述べると、圧電／電歪素子１４は、薄板部１２の外側平面上に、電極１４ａ１、圧電／電歪層１４ｂ１、電極１４ａ２、圧電／電歪層１４ｂ２、電極１４ａ３、圧電／電歪層１４ｂ３、電極１４ａ４、圧電／電歪層１４ｂ４、及び電極１４ａ５が順に積層されてなる積層体である。電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５は互いに電気的に接続され、互いに電気的に接続された電極１４ａ２，１４ａ４と、絶縁状態を維持するように形成されている。換言すると、互いに電気的に接続された電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５と、互いに電気的に接続された電極１４ａ２，１４ａ４とは、櫛歯状の電極を構成している。
【００２１】
この圧電／電歪素子１４は、後述するように、膜形成方法により基体部に一体的に形成される。また、圧電／電歪素子１４を基体部とは別体として製造しておき、有機樹脂等の接着剤を用いて、或いは、ガラス、ロウ付け、半田付け、共晶接合等により基体部に貼り付けてもよい。
【００２２】
なお、ここでは、電極が全部で５層である多層構造を有する例を示したが、層の数は特に限定されない。一般には、層の数を多くすることにより、薄板部１２，１２を変形する力（駆動力）が増大する一方、消費電力も増大する。従って、実施にあたっては、用途及び使用状態等に応じて層の数を適宜選定すればよい。
【００２３】
以下、上記圧電／電歪デバイス１０の各構成要素について追加的な説明を行う。
【００２４】
保持部１３，１３は、薄板部１２，１２の変位に基づいて作動する部分であり、同保持部１３，１３には圧電／電歪デバイス１０の使用目的に応じて種々の部材が取り付けられる。例えば、圧電／電歪デバイス１０を物体を変位させる素子（変位素子）として使用する場合、特に、ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めやリンギング抑制のために使用するのであれば、磁気ヘッドを有するスライダ、磁気ヘッドそのもの、及びスライダを有するサスペンション等の部材（即ち、位置決めを必要とする部材）が取り付けられてもよい。また、光シャッタの遮蔽板等が取り付けられてもよい。
【００２５】
固定部１１は、上述したように、薄板部１２，１２並びに保持部１３，１３を支持する部分である。この圧電／電歪デバイス１０を、例えば、前記ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めに利用する場合には、固定部１１はＶＣＭ（ボイスコイルモータ）に取り付けられたキャリッジアーム、同キャリッジアームに取り付けられた固定プレート、又はサスペンション等に支持固定される。また、この固定部１１には、圧電／電歪素子１４，１４を駆動するための図示しない端子及びその他の部材が配置される場合もある。端子の構造は電極と同様な幅であっても良いし、電極より狭いもの、或いは、一部が狭いものであっても良い。
【００２６】
保持部１３，１３及び固定部１１を構成する材料は、保持部１３，１３及び固定部１１が剛性を有するように構成される限りにおいて特に限定されない。一般には、これらの材料として、後述するセラミックグリーンシート積層法を適用できるセラミックスを用いることが好適である。より具体的には、この材料として、安定化ジルコニア、部分安定化ジルコニアをはじめとするジルコニア、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、窒化アルミニウム、又は酸化チタンを主成分とする材料等が挙げられるほか、これらの混合物を主成分とした材料が挙げられる。ジルコニア、特に安定化ジルコニアを主成分とする材料と部分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、機械的強度や靱性が高い点において圧電／電歪デバイス１０にとって好適である。また、保持部１３，１３及び固定部１１を金属材料により製造する場合、その金属材料としては、ステンレス鋼、ニッケル等が好適である。
【００２７】
薄板部１２，１２は、上述したように、圧電／電歪素子１４，１４により駆動される部分である。薄板部１２，１２は、可撓性を有する薄板状の部材であって、表面に配設された圧電／電歪素子１４，１４の伸縮変位を屈曲変位に変換し、保持部１３，１３に伝達する機能を有する。従って、薄板部１２，１２の形状や材質は、可撓性を有し、屈曲変形によって破損しない程度の機械的強度を有するものであれば足り、保持部１３，１３の応答性、操作性等を考慮して選択される。
【００２８】
薄板部１２の厚みＤｄ（図１を参照）は、２μｍ〜１００μｍ程度とすることが好ましく、薄板部１２と圧電／電歪素子１４とを合わせた厚みは７μｍ〜５００μｍとすることが好ましい。電極１４ａ１〜１４ａ５の各厚みは０．１μｍ〜５０μｍ、圧電／電歪層１４ｂ１〜１５ｂ５の各厚みは３μｍ〜３００μｍとすることが好ましい。
【００２９】
薄板部１２，１２を構成する材料には、保持部１３，１３や固定部１１と同様のセラミックスを用いることが好適であり、ジルコニア、中でも安定化ジルコニアを主成分とする材料と部分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、薄肉であっても機械的強度が大きいこと、靱性が高いこと、圧電／電歪素子１４の電極１４ａ１を構成する電極材や圧電／電歪層１４ｂ１との反応性が小さいことから更に好適である。
【００３０】
また、薄板部１２，１２は、可撓性を有し、屈曲変形が可能な金属材料で形成することもできる。薄板部１２，１２に好適な金属材料のうち鉄系材料としては、各種ステンレス鋼、各種バネ鋼鋼材を挙げることができ、非鉄系材料としては、ベリリウム銅、リン青銅、ニッケル、ニッケル鉄合金を挙げることができる。
【００３１】
この圧電／電歪デバイス１０に使用する前述した安定化ジルコニア並びに部分安定化ジルコニアは、次のように安定化並びに部分安定化されたものが好ましい。即ち、ジルコニアに、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウム、及び酸化マグネシウムのうち少なくとも１つの化合物、又はこれらのうち二つ以上の化合物を、同ジルコニアを安定化並びに部分安定化させる化合物として添加・含有させる。
【００３２】
なお、それぞれの化合物の添加量としては、酸化イットリウムや酸化イッテルビウムの場合にあっては、１〜３０モル％、好ましくは１．５〜１０モル％、酸化セリウムの場合にあっては、６〜５０モル％、好ましくは８〜２０モル％、酸化カルシウムや酸化マグネシウムの場合にあっては、５〜４０モル％、好ましくは５〜２０モル％とすることが望ましい。特に、酸化イットリウムを安定化剤として用いることが好ましく、その場合においては、１．５〜１０モル％、（機械的強度を特に重視するときには更に好ましくは２〜４モル％、耐久信頼性を特に重視するときには更に好ましくは５〜７モル％）とすることが望ましい。
【００３３】
また、ジルコニアに、焼結助剤等の添加物としてアルミナ、シリカ、遷移金属酸化物等を０．０５〜２０ｗｔ％の範囲で添加することが可能である。圧電／電歪素子１４，１４の形成手法として、膜形成法による焼成一体化を採用する場合は、アルミナ、マグネシア、遷移金属酸化物等を添加物として添加することも好ましい。
【００３４】
なお、固定部１１、薄板部１２、及び保持部１３の少なくとも一つをセラミックスで構成する場合、そのセラミックスの機械的強度が高く且つ安定した結晶相が得られるように、ジルコニアの平均結晶粒子径を０．０５〜３μｍとすることが好ましく、０．０５〜１μｍとすることが更に望ましい。また、上述のように、薄板部１２，１２は、保持部１３，１３並びに固定部１１と同様（同様であるが異種）のセラミックスにより形成することができるが、好ましくは、保持部１３，１３並びに固定部１１と実質的に同一の材料を用いて形成することが、接合部分の信頼性の向上、圧電／電歪デバイス１０の強度の向上、及び同デバイス１０の製造の煩雑さの低減を図る上で有利である。
【００３５】
圧電／電歪デバイスには、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電／電歪素子を用いることができるが、薄板部１２，１２と組み合わせたユニモルフ型の方が、発生する変位量の安定性に優れ、軽量化に有利であり、且つ、圧電／電歪素子の発生応力の力の向きとデバイスの変形に伴う歪の向きとが相反することがないように保つことが容易に設計可能であることから、このような圧電／電歪デバイス１０に適している。
【００３６】
前記圧電／電歪素子１４，１４は、図１に示したように、その一端を固定部１１（又は保持部１３でも良い。）上に位置させ、他端を薄板部１２，１２の側面の平面上に形成すると、薄板部１２，１２をより大きく駆動させることができる。
【００３７】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は、圧電セラミックスにより構成されることが好適である。その一方、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は、電歪セラミックス、強誘電体セラミックス、或いは反強誘電体セラミックスにより構成することも可能である。また、このような圧電／電歪デバイス１０において、保持部１３，１３の変位量と駆動電圧（又は出力電圧）とのリニアリティが重要とされる場合、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４は歪み履歴の小さい材料で形成されることが好ましく、従って、それらの抗電界が１０ｋＶ／ｍｍ以下の材料で形成されることが好ましい。
【００３８】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の具体的な材料としては、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等を単独であるいは混合物として含有するセラミックスが挙げられる。
【００３９】
圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料には、特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を有し、同圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の焼結時における薄板部（セラミックス）１２との反応性が小さく、且つ、安定した組成のものが得られる点において、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材料、もしくはチタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材料が好適である。
【００４０】
更に、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料に、ランタン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸化物等を混合したセラミックスを用いてもよい。この場合、例えば、主成分であるジルコン酸鉛、チタン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛に、ランタンやストロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合がある。
【００４１】
なお、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料にシリカ等のガラス化し易い材料を添加することは避けることが望ましい。なぜならば、シリカ等の材料は、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の熱処理時に、圧電／電歪材料と反応し易く、その組成を変動させ、圧電特性を劣化させるからである。
【００４２】
一方、圧電／電歪素子１４，１４の電極１４ａ１〜１４ａ５は、室温で固体であり、導電性に優れた金属で構成されていることが好ましく、例えばアルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等の金属単体、もしくはこれらの合金で構成され得る。更に、これらの金属に圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４、或いは薄板部１２，１２と同じ材料を分散させたサーメット材料を電極材として用いてもよい。
【００４３】
圧電／電歪素子１４における電極材の選定は、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の形成方法に依存して決定される。例えば、薄板部１２の上に一つの電極１４ａ１を形成した後、この電極１４ａ１の上に圧電／電歪層１４ｂ１を焼成により形成する場合、電極１４ａ１を、圧電／電歪層１４ｂ１の焼成温度においても変化しない白金、パラジウム、白金−パラジウム合金、銀−パラジウム合金等の高融点金属で形成しておく必要がある。このことは、形成後に圧電／電歪層が焼成される電極（電極１４ａ２〜電極１４ａ４）についても同様である。
【００４４】
これに対し、圧電／電歪層１４ｂ４の上に形成される最外層の電極１４ａ５は、同電極１４ａ５の形成後に圧電／電歪層の焼成がなされないので、アルミニウム、金、銀等の低融点金属を主成分とした材料で形成することができる。
【００４５】
また、層状の電極１４ａ１〜１４ａ５は、圧電／電歪素子１４の変位を低下させる要因ともなるため、各層は薄いことが望ましい。特に圧電／電歪層１４ｂ４の焼成後に形成される電極１４ａ５には、焼成後に緻密でより薄い膜が得られる有機金属ペースト、例えば金レジネートペースト、白金レジネートペースト、銀レジネートペースト等の材料を用いることが好ましい。
【００４６】
図１に示した圧電／電歪デバイス１０においては、薄板部１２，１２の先端部分に一体的に形成される保持部１３，１３の厚みが、同薄板部１２，１２の厚みＤｄよりも大きくされていたが、図４に示したように、保持部１３，１３の厚みを薄板部１２，１２の厚みとほぼ同じにしてもよい。これにより、保持部１３，１３に物品を取り付ける場合に、保持部１３，１３間に薄板部１２，１２間の距離に相当する大きさの物品を挟み込むように取り付けることが可能となる。この場合、物品を取り付けるための接着剤が使用される領域が実質的に保持部１３，１３を構成することになる。更に、この場合、接着剤を使用する領域を規定するための突起部を設けてもよい。かかる突起部は、薄板部１２と同一の材料で一体焼結、或いは、一体成形されることが望ましい。
【００４７】
上述した圧電／電歪デバイス１０は、超音波センサや加速度センサ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種センサとしても利用することもできる。また、かかる圧電／電歪デバイス１０を各種センサとして利用する場合には、同圧電／電歪デバイス１０は、対向する保持部１３，１３間、或いは薄板部１２，１２間に取り付けられる物体のサイズを適宜調整することにより、センサの感度調整を容易に行い得るという更なる長所を有する。
【００４８】
次に、上記圧電／電歪デバイス１０の製造方法について説明する。圧電／電歪デバイス１０の圧電／電歪素子１４，１４を除く基体部（即ち、固定部１１、薄板部１２，１２、並びに保持部１３，１３）は、セラミックグリーンシート積層法を用いて製造されることが好ましい。一方、圧電／電歪素子１４，１４は、薄膜や厚膜等の膜形成手法を用いて製造されることが好ましい。
【００４９】
圧電／電歪デバイス１０の基体部における各部材を一体的に成形することが可能なセラミックグリーンシート積層法によれば、各部材の接合部の経時的な状態変化がほとんど生じないため、接合部位の信頼性を高くすることができ、かつ、剛性を確保することができる。また、基体部を金属板を積層して形成する場合、金属の拡散接合法によれば、各部材の接合部の経時的な状態変化がほとんど生じず、接合部位の信頼性と剛性とを確保することができる。
【００５０】
この実施の形態に係る図１に示した圧電／電歪デバイス１０においては、薄板部１２，１２と固定部１１との境界部分（接合部分）並びに薄板部１２，１２と保持部１３，１３との境界部分（接合部分）は、変位発現の支点となるため、これらの接合部分の信頼性は圧電／電歪デバイス１０の特性を左右する重要なポイントである。
【００５１】
また、以下において説明する製造方法は、生産性が高く成形性にも優れるため、所定形状の圧電／電歪デバイス１０を短時間に、かつ、再現性よく得ることができる。
【００５２】
以下、本実施の形態に係る圧電／電歪デバイス１０の第１の製造方法について説明する。なお、以下において、複数のセラミックグリーンシートを積層して得られた積層体をセラミックグリーンシート積層体２２（図６を参照。）と定義し、このセラミックグリーンシート積層体２２を焼成して一体化したものをセラミック積層体２３（図７を参照。）と定義する。
【００５３】
また、かかる製造方法の実施にあたっては、図７のセラミック積層体を縦横に複数個並べたものと同等の１枚のシートを準備し、このシートの表面に後に圧電／電歪素子１４となる積層体２４（図８を参照。）を所定の部位に複数個分だけ連続させたものを形成し、このシートを切断することで、同一工程で多数個の圧電／電歪デバイス１０を製造することが望ましい。更には、一つの窓（図５に示したＷｄ１等）から２個以上の複数の圧電／電歪デバイス１０が取り出されるように製造することが望ましい。但し、以下においては、説明を簡単にするため、セラミック積層体の切断により圧電／電歪デバイス１０を１個だけ取り出す方法について説明する。
【００５４】
まず、ジルコニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚みを有する長方形のセラミックグリーンシートを作製する。
【００５５】
次に、図５に示したように、必要に応じて金型を用いた打抜加工やレーザ加工等の方法によりセラミックグリーンシートを種々の形状に加工し、複数枚のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆを得る。
【００５６】
図５に示した例においては、セラミックグリーンシート２１ｂ〜２１ｅに対して、長方形の窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４をそれぞれ形成する。窓Ｗｄ１と窓Ｗｄ４は略同一形状であり、窓Ｗｄ２と窓Ｗｄ３は略同一形状である。セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆは、後に薄板部１２，１２を構成する部分を含む。セラミックグリーンシート２１ｂ，２１ｅは、後に保持部１３，１３を構成する部分を含む。なお、セラミックグリーンシートの枚数は、あくまでも一例である。また、図示された例では、セラミックグリーンシート２１ｃ，２１ｄは、所定の厚みを有する一枚のグリーンシートでもよく、或いは、同所定の厚みを得るために複数枚のセラミックグリーンシートを積層する又は積層したものであってもよい。
【００５７】
その後、図６に示したように、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆを積層・圧着してセラミックグリーンシート積層体２２を形成する。次いで、そのセラミックグリーンシート積層体を焼成して図７に示したセラミック積層体２３を形成する。
【００５８】
なお、セラミックグリーンシート積層体２２を形成するための（積層一体化のための）圧着回数や順序は限定されない。なお、一軸加圧（一方向への加圧）によっては圧力が十分に伝達されない箇所が存在する場合、複数回圧着を繰り返すか、或いは圧力伝達物を充填して圧着を行うことが望ましい。また、製造する圧電／電歪デバイス１０の構造や機能に応じて、例えば窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４の各形状、セラミックグリーンシートの枚数や厚み等は適宜決定され得る。
【００５９】
上記積層一体化のための圧着を加熱しながら行うようにすると、より確実な積層状態を得ることができる。また、セラミック粉末、バインダを主体としたペースト、又はスラリー等を接合補助層としてセラミックグリーンシート上に塗布、又は印刷して圧着を行えば、セラミックグリーンシート界面の接合状態をより良好な状態とすることができる。この場合、接合補助剤として使用されるセラミック粉末は、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｆに使用されたセラミックスと同一又は類似した組成を有していることが、接合の信頼性確保の点で好ましい。更に、セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆが薄い場合、プラスチックフィルム（特に、表面にシリコーン系の離型剤をコーティングしたポリエチレンテレフタレートフィルム）を用いて同セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆを取り扱うことが好ましい。また、セラミックグリーンシート２１ｂ，２１ｅ等の比較的薄いシートに窓Ｗｄ１，Ｗｄ４等を形成する際、これらのシートを前記プラスチックフィルムに取り付けた状態で同窓Ｗｄ１，Ｗｄ４等を形成するための加工を行ってもよい。
【００６０】
次に、図８に示すように、前記セラミック積層体２３の両表面、即ち、積層されたセラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆの焼成後の表面にそれぞれ圧電／電歪層積層体２４，２４を形成する。圧電／電歪層積層体２４，２４の形成法としては、スクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、及び電気泳動法等の厚膜形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着、イオンプレーティング法、化学気相成長法（ＣＶＤ）、及びめっき等の薄膜形成法を用いることができる。
【００６１】
このような膜形成法を用いて圧電／電歪層積層体２４，２４を形成することにより、接着剤を用いることなく、圧電／電歪層積層体２４，２４と薄板部１２，１２とを一体的に接合（配設）することができ、信頼性、再現性を確保できると共に、集積化を容易にすることができる。
【００６２】
この場合、厚膜形成法により圧電／電歪層積層体２４，２４を形成することがより好ましい。厚膜形成法を用いれば、平均粒径０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍの圧電セラミックスの粒子や粉末を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンションやエマルジョン、ゾル等を用いて膜化することができ、それを焼成することによって良好な圧電／電歪特性を得ることができるからである。
【００６３】
なお、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成できるという利点を有する。また、スクリーン印刷法によれば、膜厚の制御とパターン形成とを同時に行うことができるので、製造工程を簡略化することが可能である。
【００６４】
ここで、セラミック積層体２３及び圧電／電歪層積層体２４，２４の形成方法の一例について詳述する。まず、セラミックグリーンシート積層体２２を１２００〜１６００℃の温度で焼成して一体化し、図７に示したセラミック積層体２３を得た後、図３に示したように、同セラミック積層体２３の両表面の所定位置に電極１４ａ１，１４ａ１を印刷して焼成し、次いで、圧電／電歪層１４ｂ１，１４ｂ１を印刷して焼成し、その上に電極１４ａ２，１４ａ２を印刷して焼成する。このような処理を所定回数繰り返して圧電／電歪層積層体２４，２４を形成する。その後、電極１４ａ１，１４ａ３，１４ａ５、及び電極１４ａ２，１４ａ４を駆動回路にそれぞれ電気的に接続するための端子（図示省略）を印刷、焼成する。
【００６５】
なお、最下層の電極１４ａ１を印刷して焼成し、その後、圧電／電歪層１４ｂ１と電極１４ａ２とを印刷してから同時に焼成し、その後、同様に、一つの圧電／電歪層と一つの電極とを印刷してから同時に焼成する工程を所定回数だけ繰り返すことで圧電／電歪層積層体２４，２４を形成してもよい。
【００６６】
この場合、例えば、電極１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４を白金（Ｐｔ）を主体とした材料、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４をジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）を主体とした材料、他の電極１４ａ５を金（Ａｕ）、更に、端子を銀（Ａｇ）でそれぞれ構成するように、各部材の焼成温度が積層順に従って低くなるように材料を選定すると、ある焼成段階において、それより以前に焼成された材料の再焼結が起こらず、電極材等の剥離や凝集といった不具合の発生を回避することができる。
【００６７】
なお、適当な材料を選択することにより、圧電／電歪層積層体２４，２４の各部材と端子とを逐次印刷して、１回で一体焼成することも可能である。また、最外層の圧電／電歪層１４ｂ４の焼成温度を圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ３の焼成温度より高くして、これらの圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の最終的な焼結状態を同一にするように圧電／電歪積層体２４を形成してもよい。
【００６８】
また、圧電／電歪層積層体２４，２４の各部材と端子は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成法によって形成してもよく、この場合には、必ずしも熱処理を必要としない。
【００６９】
圧電／電歪層積層体２４，２４の形成においては、セラミックグリーンシート積層体２２の両表面、即ち、セラミックグリーンシート２１ａ及び２１ｆの各表面に予め圧電／電歪層積層体２４，２４を形成しておき、そのセラミックグリーンシート積層体２２と圧電／電歪層積層体２４，２４とを同時に焼成してもよい。
【００７０】
圧電／電歪層積層体２４，２４とセラミックグリーンシート積層体２２とを同時焼成する方法としては、スラリー原料を用いたテープ成形法等によって圧電／電歪層積層体２４，２４の前駆体を成形し、この焼成前の圧電／電歪層積層体２４，２４の前駆体をセラミックグリーンシート積層体２２の表面上に熱圧着等で積層し、その後、これらを同時に焼成する方法が挙げられる。但し、この方法では、上述した膜形成法を用いて、セラミックグリーンシート積層体２２の表面及び／又は圧電／電歪層積層体２４，２４に予め電極１４ａ１，１４ａ１を形成しておく必要がある。
【００７１】
その他の方法としては、セラミックグリーンシート積層体２２の少なくとも最終的に薄板部１２，１２となる部分にスクリーン印刷により圧電／電歪層積層体２４，２４の各構成層である電極１４ａ１〜１４ａ５、及び圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４を形成し、これらを同時に焼成する方法が挙げられる。
【００７２】
圧電／電歪層積層体２４，２４の構成膜の焼成温度は、これを構成する材料によって適宜決定されるが、一般には、５００〜１５００℃であり、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４に対しては、１０００〜１４００℃が好適な焼成温度である。この場合、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の組成を制御するためには、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の材料の蒸発が制御される状態（例えば、蒸発源の存在下）で焼結することが好ましい。なお、圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４とセラミックグリーンシート積層体２２を同時焼成する場合には、両者の焼成条件を合わせることが必要である。圧電／電歪層積層体２４，２４は、必ずしもセラミック積層体２３もしくはセラミックグリーンシート積層体２２の両面に形成される必要はなく、セラミック積層体２３もしくはセラミックグリーンシート積層体２２の片面のみに形成されてもよい。
【００７３】
次に、上述のようにして、圧電／電歪層積層体２４，２４が形成されたセラミック積層体２３のうちの不要な部分を切除する。具体的に述べると、図９に示した切断線（破線）Ｃ１〜Ｃ４に沿ってセラミック積層体２３を切断する。切断は、ワイヤソー加工やダイシング加工等の機械加工のほか、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工や、電子ビーム加工により切断を行うことが可能である。
【００７４】
この切断のうち、図９に示した切断線（破線）Ｃ３及びＣ４に沿うセラミック積層体２３と圧電／電歪層積層体２４，２４との切断は、比較的強度が小さく脆い圧電／電歪層と粘り易い延性を有する金属とからなる圧電／電歪層積層体２４，２４の切断を含むので、切断時に被切断物（後に、圧電／電歪デバイス１０を構成する「セラミック積層体２３及び圧電／電歪層積層体２４からなるもの」を以下、「被切断物」とも言う。）に対して大きな加工負荷が加わるダイシング加工によることは望ましくなく、被切断物に対する加工負荷が小さい他の加工によることが望ましい。中でも複数個の圧電／電歪デバイス１０を同時に形成するための同時切断に適し、加工負荷が小さいワイヤソー加工が、かかる切断に適している。
【００７５】
この場合、線状部材であるワイヤーソーＷＳを、図９の矢印ＡＲ１にて示したように、圧電／電歪層積層体２４，２４の層状の電極１４ａ１〜１４ａ５と圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の積層方向内において、換言すると、電極１４ａ１〜１４ａ５と圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の各層面（層状の電極と圧電／電歪層の境界面、従って、焼成されたセラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆの平面）に略直交する方向内において揺動させながら、同ワイヤーソーＷＳを積層方向と略平行に維持しながら（即ち、前記各層面に略直交する状態を維持しながら）切断線Ｃ３，Ｃ４に沿って層面方向に進行（移動）せしめることにより、上記切断（ワイヤーソー加工）を行う。
【００７６】
ワイヤーソー加工の際、窓Ｗｄ１等で形成される孔の中に、ワックス、樹脂等の充填物を挿入して、薄板部（セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｆに相当する部分）が加工途中で振動することを防止することが望ましい。この充填物はワイヤーソー加工後にそれに適した溶剤で溶解して取り除いてもよいし、加熱焼成して焼失させてもよい。また、後に圧電／電歪素子１４となる積層体２４，２４の表面に、有機樹脂、又は有機樹脂とセラミックとからなるペースト等を塗布、乾燥、硬化させて保護膜（保護層）を形成した後、ワイヤーソー加工することが望ましい。前記保護膜の厚みは、１〜５００μｍが望ましく、２０〜１００μｍとすることが更に望ましい。前記保護膜の形成方法は、印刷やスプレー等によることができる。また、圧電／電歪素子の最外層の電極の厚みを厚くしたものを前記保護膜として代用し、これをワイヤーソー加工を行うことが望ましい。
【００７７】
また、かかる被切断物をワイヤーソー加工ステージに直接取りつけるのではなく、一般に被切断物をワックスや接着材等を用いて治具に接着し、この治具をワイヤーソー加工ステージに取り付けて加工を行う。このとき、被切断物と治具の間に、ガラスやシリコンウェハーからなる板、或いは有機樹脂材料（ＰＥＴ，ＰＣ，ＰＥ，ＰＰ等）からなる板又はフィルムなどの薄板のカットベース（被切断物とともに切断されるもの）を介在させることが望ましい。更に、この場合、被切断物とカットベースと治具との接着に、それぞれの所定溶媒に対して溶解性が異なる接着材を使用することが望ましい。
【００７８】
このように接着材を選択すれば、カットベースと治具とを分離する溶媒がカットベースと被切断物との接着に影響を与えることがないようにできるので、カットベースと治具との分離後においても、被切断物をカットベースに取りつけた状態で取り扱うことができるからである。例えば、ワイヤーソー加工の際に被切断物に当然に付着する砥粒を洗浄する場合、被切断物をカットベースに取りつけたままの状態で洗浄治具の所定の位置に載置して洗浄を行い、その後、洗浄治具内でカットベースと被切断物を取り外せば、同洗浄治具への被切断物の装填（載置）が容易になる。
【００７９】
また、ワイヤーソー加工に際しては、ワイヤーの揺動を安定化させるために、図３２に示したように、被切断物ＨＳを挟むように少なくとも一対のガイドＧＤを配設して、先ずワイヤーＷＳがガイドＧＤに食い込んでその揺動が安定化した後、同ワイヤーＷＳで被切断物ＨＳを切断するようにすることが望ましい。ガイドＧＤとしては、アルミナ、ジルコニア、フェライト、ガラス等のセラミックのほか、前記した金属材料、カーボン、黒鉛、シリコン単結晶等を利用することが望ましい。当然ではあるが、ガイドＧＤの高さｈｇは、被切断物ＨＳの高さｈｓよりも若干高くすることが望ましい。このガイドＧＤと被切断物ＨＳとの高さの差（ｈｇ−ｈｓ）は、ワイヤーの線径の１倍以上とすることが望ましく、３倍以上とすることが更に望ましい。しかしながら、このガイドと被切断物との高さの差は、本来製品加工として小さくすべきものであるので、１０倍以下とすることがより望ましい。
【００８０】
ガイドのワイヤー揺動方向への厚みは、砥粒の排出性を高めるため、薄いことが望ましく、５ｍｍ以下、より望ましくは２ｍｍ以下とすることが望ましい。ガイドとしては、ワイヤー揺動方向での厚みが薄く、ガイド自体の剛性が高く、砥粒に対して容易に切断され易いこと（快削性が高いこと）が望ましい。具体的には、カーボンを利用することが望ましく、次に、鉄、その他の金属、ＳＵＳ、ガラス、アルミナ、ジルコニアの中から、この順序で被切断物との切削性の関係を吟味して選択してもよい。
【００８１】
また、ワイヤーソーの切断完了後にワイヤーを被切断物から引き上げる際、ワイヤーの揺動を止めないで、且つ切断時と同様に砥粒を噴出した状態で引き上げることが望ましい。更に揺動の速度を切断時よりも高くした状態で引き上げることがより望ましい。これは被切断物の側端面の加工面をワイヤーと砥粒によって擦ることにより、側端面の面粗さを良好にする効果がある。また、ワイヤーソーの研削材（粉）は、ＳｉＣ、ＡＬ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ダイヤモンド等の中から適宜選択されるとともに、その粗さは平均粒子径で１〜３０μｍ、より望ましくは１〜５μｍであることが好適である。
【００８２】
ワイヤー加工の際、ワイヤー（ワイヤーソー）ＷＳの揺動速度（図９の矢印ＡＲ１で示した方向内の揺動速度）は１０〜１５００ｍ／分、特に１００〜６００ｍ／分とすることが望ましい。また、ワイヤーの送り速度（図９の矢印ＡＲ１で示した方向と直交する方向の速度、即ち、切断進行方向の速度）は、０．５ｍｍ／分、特に、０．１ｍｍ／分以下とすることが望ましい。更に、ワイヤＷＳの張力は、１〜２０Ｎとすることが望ましい。
【００８３】
また、ワイヤーソー加工の際、ワイヤーＷＳが被切断物ＨＳに接触して切断を開始してから一定の送り速度で切断を行うのではなく、被切断物ＨＳの加工初めのときに、同ワイヤーＷＳの送りを一旦停止するか、又は戻し、その後、再び送るという動作を繰り返すことで徐々に送り方向の加工を行うようにしても良い。また、一旦送りを停止する場合、送り量は、加工初めの時点から研削材の平均粒子径以上であって、ワイヤーＷＳの線径の１／２以下、更に好ましくは１／４以下の送り量で送り込んだ後、送りを停止することを繰り返しながら送り方向の加工を行うことが望ましい。更に、戻す場合は、研削材の平均粒径以上、更に好ましくは、平均粒子径の５倍以上戻すことがより望ましい。この際、戻す速度は、送り込みの速度よりも大きくてもよい。これらにより、加工表面への加工負荷を低減することができ、加工表面の加工状態を良好にすることができる。
【００８４】
ワイヤーソー加工の際に付着する砥粒、或いは固定用接着剤などの不純物を洗浄によって被切断物から取り除くことが望ましいが、その際、不純物を蒸発固化させると不純物を取り除き難くなるので、同不純物を蒸発乾燥させない状態で洗浄を行うことが望ましい。このような洗浄を行う場合、ワイヤーソー加工の際に被切断物に砥粒を吹き付けるために同砥粒を懸濁させる溶剤を、同洗浄の初期の時点で使用することが望ましい。
【００８５】
なお、切断線Ｃ３，Ｃ４に沿う切断のように、機械的な特性（切断加工に対する物理的な特性）が互いに異なる複数のセラミック、電極、及び圧電／電歪層からなる複合体ではなく、均一又は類似の機械的特性を有するセラミックで構成された部分の切り出しには、ワイヤーソー加工のほか、他の加工方法を用いてもよい。例えば、切断線Ｃ３及びＣ４に直交する後に保持部１３，１３となる部分、及び後に固定部１１となる部分の切断を開始する際にはダイシング加工を採用することが好ましい。以上により、図１に示した圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【００８６】
この製造方法によれば、ワイヤーソーＷＳが、圧電／電歪層積層体２４，２４の積層方向に揺動し、且つ同積層方向と平行に維持されながら、圧電／電歪積層体２４，２４の層面に沿った方向に同層面と直交する面内で進行せしめられ、これにより同圧電／電歪層積層体２４，２４が切断されて、圧電／電歪素子１４の最終形状が得られる。従って、圧電／電歪素子１４と薄板部１２の側端面（切断面）の正面図である図１０、及び図１０の２−２線に沿った平面にて同圧電／電歪素子１４と薄板部１２とを切断した断面図である図１１に示したように、例えば、電極１４ａ２の側端面を構成する部分は、同電極１４ａ２を挟む両方の圧電／電歪層１４ｂ１，１４ｂ２の側端面上の一部を覆うように延在するように形成される。即ち、圧電／電歪素子１４の各電極１４ａ１〜１４ａ５の側端面を構成する部分は、同各電極を挟む両方の圧電／電歪層の側端面上の一部を覆うように延在するようになる。
【００８７】
この結果、図１１の拡大図である図１２に示したように、「前記圧電／電歪素子１４の側端面において前記電極１４ａｎ（ｎは１〜５）の側端面を構成する部分」の「圧電／電歪層１４ｂｎと同電極１４ａｎの積層方向」の長さＬ２は、同圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１の側端面が形成する仮想平面ＨＰＬ上であって同積層方向の同電極の長さＬ１の５倍よりも小さくなる。従って、圧電／電歪素子１４の側端面において、隣接する電極間の距離が長くなり、製造途中において、或いは、使用中に同電極同士が短絡する頻度を低減することができる。
【００８８】
また、前記圧電／電歪デバイス１０は、前記各電極の側端面を構成する部分であって同各電極１４ａｎを挟む前記圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１を覆う部分の同圧電／電歪層と同電極の積層方向の長さのうち大きい方の長さ（Ｌ３）の、同各電極の側端面を構成する全体部から同各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分を除いた部分の同積層方向における厚み（Ｌ１）に対する比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす（即ち、Ｌ３／Ｌ１が０より大きく２より小さい）圧電／電歪デバイスとなった。
【００８９】
このように、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす圧電／電歪デバイス１０は、製造した段階において絶縁性が確保できなくなる頻度が低く、また、使用中において絶縁性が低下する恐れが極めて小さい。加えて、電極に電圧が印加される際、圧電／電歪層側端面における電界強度が内部における電界強度よりも高くなり、圧電／電歪層側端面に圧縮応力を効果的に発生させることができる。この結果、圧電／電歪デバイス１０の強度を高めることができた。
【００９０】
なお、本発明によらない他の製造方法による圧電／電歪デバイスにおいては、図１２と同様な図１３に示したように、「圧電／電歪素子１４の側端面において前記電極１４ａｎ（ｎは１〜５）の側端面を構成する部分」の「圧電／電歪層１４ｂｎと同電極１４ａｎの積層方向」の長さＬ２０は、同圧電／電歪層１４ｂｎ，１４ｂｎ−１の側端面が形成する仮想平面ＨＰＬ上であって同積層方向の同電極の長さＬ１０の５倍よりも大きくなる場合があって、信頼性が乏しい場合があった。
【００９１】
次に、本発明による圧電／電歪デバイス１０の第２の製造方法について説明する。まず、ジルコニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚みを有する長方形のセラミックグリーンシートを作製する。
【００９２】
次に、図１４に示したように、必要に応じて金型を用いた打抜加工やレーザ加工等の方法によりセラミックグリーンシートを種々の形状に加工し、複数枚のセラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆを得る。特に、金型打抜加工は、加工形状、加工表面状態、及び加工速度（加工数量）の点で最も好ましい。
【００９３】
図１４に示した例においては、セラミックグリーンシート３１ｂ〜３１ｅに、第１の製造方法において先に説明したセラミックグリーンシート２１ｂ〜２１ｅと同様に、長方形の窓Ｗｄ１〜Ｗｄ４をそれぞれ形成する。窓Ｗｄ１と窓Ｗｄ４は略同一形状であり、窓Ｗｄ２と窓Ｗｄ３は略同一形状である。
【００９４】
また、セラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆには、互いに略同一形状からなる窓Ｗｅ１〜Ｗｅ６をそれぞれ形成する。セラミックグリーンシート３１ａ，３１ｂ，３１ｅ，３１ｆには、互いに略同一形状からなる窓Ｗｆ１〜Ｗｆ４を形成する。セラミックグリーンシート３１ａ，３１ｆは、後に薄板部１２，１２を構成する部分を含む。セラミックグリーンシート３１ｂ，３１ｅは、後に保持部１３，１３を構成する部分を含む。なお、この場合においても、セラミックグリーンシートの枚数は、あくまでも一例である。また、図示された例では、セラミックグリーンシート３１ｃ，３１ｄは、複数枚のセラミックグリーンシートを積層した状態にある。
【００９５】
その後、図１５に示したように、セラミックグリーンシート３１ａ〜３１ｆを積層・圧着してセラミックグリーンシート積層体３２を形成する。次いで、そのセラミックグリーンシート積層体３２を焼成して図１６に示したセラミック積層体３３を形成する。
【００９６】
次に、図１７に示したように、前記セラミック積層体３３の両表面、即ち、積層されたセラミックグリーンシート３１ａ，３１ｆの焼成後の表面にそれぞれ圧電／電歪層積層体３４，３４を、上述した圧電／電歪層積層体２４，２４と同様に形成する。
【００９７】
次に、圧電／電歪層積層体３４，３４が形成されたセラミック積層体３３のうちの不要な部分を切除する。具体的に述べると、図１８に示した切断線（破線）Ｃ１０〜Ｃ４０に沿ってセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４を切断する。切断は、ワイヤソー加工やダイシング加工等の機械加工のほか、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工や、電子ビーム加工により切断を行うことが可能である
【００９８】
この切断のうち、図１８に示した切断線（破線）Ｃ３０及びＣ４０に沿うセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４，３４との切断は、強度の小さい圧電／電歪層積層体３４，３４の切断を含むので、切断時に被切断物に対して大きな加工負荷が加わるダイシング加工によることは望ましくなく、被切断物に対する加工負荷が小さい他の加工によることが望ましい。中でも複数個の圧電／電歪デバイス１０を同時に形成するための同時切断に適し、加工負荷が小さいワイヤソー加工が、かかる切断に適している。
【００９９】
このワイヤーソーによる切断線Ｃ３０，Ｃ４０に沿った切断加工も、第１の製造方法と同様に、ワイヤーソーＷＳを、図１８の矢印ＡＲ１にて示したように、圧電／電歪層積層体３４，３４の積層方向と略平行な方向内において揺動させながら、同ワイヤーソーＷＳを積層方向と略平行に維持して切断線Ｃ３０，Ｃ４０に沿って進行せしめることにより行う。この結果、図１に示した圧電／電歪デバイス１０が完成する。
【０１００】
この第２の製造方法においても、ワイヤーソーＷＳが第１の製造方法と同様に用いられて圧電／電歪層積層体３４，３４の切断が行われるので、図１１及び図１２に示したように、圧電／電歪素子１４の各電極１４ａ１〜１４ａ５の側端面を構成する部分は、同各電極を挟む両方の圧電／電歪層１４ｂ１〜１４ｂ４の側端面上の一部を覆うように延在するようになる。また、電極の長さ（厚み）Ｌ１，Ｌ２も、第１の製造方法による場合と同様な長さとなる。この結果、圧電／電歪素子１４の側端面において、隣接する電極間の距離が長くなり、同電極同士が短絡する可能性を低減することができる。
【０１０１】
この第２の製造方法にあっては、圧電／電歪デバイスの全長（保持部１３の端部から固定部１１の端部までの長さ）の規定を焼成体（セラミック積層体３３）の切断により行うのではなく、グリーンシートの加工（窓Ｗｅ１〜Ｗｅ６の加工、及び窓Ｗｆ１〜Ｗｆ４の加工）の際に行うことになるので、厚い焼成体を切断する場合に比較して同全長を製品毎に均一にする（全長を精度よく規定する）ことができる。
【０１０２】
次に、上記第２の製造方法を用いて、圧電／電歪デバイスを実際に多数個製造する際に使用するセラミックグリーンシートの例について説明する。図１９は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）セラミックグリーンシート４１の部分拡大正面図であり、図中の破線は前述した焼成後のセラミック積層体の切断線Ｃ１０〜Ｃ４０に相当している。図１９から理解されるように、セラミックグリーンシート４１からは、互いに隣接する窓Ｗｆ２，窓Ｗｄ１，及び窓Ｗｅ２を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき一個の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０３】
なお、図１９では、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂ，３１ｅに相当するセラミックグリーンシート４１を示したが、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ａ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｆに相当するセラミックグリーンシートが用意され、これらにより構成されるセラミックグリーンシート積層体３２及びセラミック積層体３３を複数個含んだ積層体が圧電／電歪デバイスの製造に使用されることは言うまでもない（以下、図２０，図２１の説明についても同じ。）。
【０１０４】
図２０は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）別のセラミックグリーンシート４２の部分拡大正面図であり、図中の破線は前述した焼成後のセラミック積層体の切断線Ｃ１０〜Ｃ４０に相当している。また、この例では更にセラミック積層体に対する切断線Ｃ５０，Ｃ６０が追加され、同切断線Ｃ５０，Ｃ６０に沿ってセラミックグリーンシート４２を含んで形成された焼成後のセラミック積層体３３と圧電／電歪層積層体３４とが切断されるようになっている。この図２０から理解されるように、セラミックグリーンシート４２からは、互いに隣接する窓Ｗｆ２，窓Ｗｄ１，及び窓Ｗｅ２を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき多数個（図示した例では三個）の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０５】
図２１は、図１４に示したセラミックグリーンシート３１ｂに相当する（従って、セラミックグリーンシート３１ｅにも相当する）別のセラミックグリーンシート４３の部分拡大正面図である。
【０１０６】
このセラミックグリーンシート４３の場合、前述したセラミックグリーンシート４２と異なり、同セラミックグリーンシート４１，４２の窓Ｗｆ２と窓Ｗｅ２とが統合されて一つの窓Ｗｇ１が形成され、切断は前述した切断線Ｃ１０と切断線Ｃ２０が統合された切断線Ｃ７０と、切断線Ｃ３０〜Ｃ６０とに沿って行われるようになっている。従って、セラミックグリーンシート４３からは、窓Ｗｄ１，及び同窓Ｗｄ１を挟む一対の窓Ｗｇ１，Ｗｇ１を一組のキャビティとすると、一組のキャビティにつき多数個（図示した例では三個）の圧電／電歪デバイス１０が製造される。
【０１０７】
このセラミックグリーンシート４３によれば、セラミックグリーンシート４１，４２の窓Ｗｆ２と窓Ｗｅ２に代えて、これらの窓を統合した一つの窓Ｗｇ１を形成すればよいので、同セラミックグリーンシート４３の準備工程（穴加工工程）が簡略化される。また、同一のシート面積に対する製品の取り出し数量を多くできる。
【０１０８】
図１９，図２０を参照しながら説明した、切断の順序（デバイスの切り出し順序）は次のとおりとすることが望ましい。即ち、最初にデバイスの全長を規定する窓を含んだ切断線Ｃ１０，Ｃ２０に沿って切断し、次に、製品に不要な部分（窓Ｗｄｎ（Ｗｄ１）を挟むことなく互いに隣接する窓Ｗｆｎ（Ｗｆ２）と窓Ｗｅｎ（Ｗｅ２）で挟まれた部分（切断線Ｃ１０とＣ２０とで挟まれ、且つ窓Ｗｄ１を含まない部分に相当する部分）を取り除いたもの（略角柱状の被切断物ＨＳ）を例えば図３２に示したように再配列し、その後、Ｃ３０，Ｃ４０，Ｃ５０，Ｃ６０の切断線に沿った切断をワイヤーソーを用いて行う。
【０１０９】
一方、図２１に示した切断の場合、図１９，図２０に示した場合と同様な順序で切断を行っても良いが、逆の順序、即ち、ワイヤーソーにより切断線Ｃ３０，Ｃ４０，Ｃ５０，Ｃ６０に沿った切断を先に行い、その後、切断線Ｃ７０，Ｃ７０の全長を規定する切断を行うようにしてもよい。
【０１１０】
ここで、上述の第１，第２製造方法について追加的な説明を加える。上述した図９に示した切断線Ｃ３，Ｃ４（及び図１８に示した切断線Ｃ３０，Ｃ４０）に沿った切断（切除）においては、切断後に圧電／電歪層積層体２４，２４（３４，３４）及びセラミック積層体２３（３３）に対して３００〜８００℃の加熱処理を施すことが好ましい。これは、加工により圧電／電歪デバイス１０内にマイクロクラック等の欠陥が生じやすいが、前記熱処理によって前記欠陥を取り除くことができ、信頼性が向上するからである。更に、前記熱処理後に圧電／電歪層積層体２４，２４（３４，３４）及びセラミック積層体２３（３３）を８０℃程度の温度で少なくとも１０時間程度放置し、エージング処理を施すことが好ましい。このエージング処理により製造過程の中で受けた種々の応力等が更に緩和できるので、圧電／電歪デバイス１０の特性が向上するからである。
【０１１１】
以上、説明したように、本発明による圧電／電歪デバイスは、各種トランスデューサ、各種アクチュエータ、周波数領域機能部品（フィルタ）、トランス、通信用や動力用の振動子や共振子、発振子、ディスクリミネータ等の能動素子のほか、超音波センサや加速度センサ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種センサ用のセンサ素子として利用することができる。また、この圧電／電歪デバイスは、光学機器、精密機器等の各種精密部品等の変位や位置決め調整、角度調整の機構に用いられる各種アクチュエータとして利用することができる。
【０１１２】
なお、この発明に係る圧電／電歪デバイス及びその製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記実施形態の圧電／電歪素子１４は、複数の電極１４ａ１〜１４ａ５と複数の圧電／電歪素子層１４ｂ１〜１４ｂ４を備えていたが、これに代えて、一対の電極と同一対の電極に挟まれた一つの圧電／電歪層を備えてなる圧電／電歪素子を本圧電／電歪デバイスに採用した場合にも、本発明による圧電／電歪デバイス製造方法を適用することができる。
【０１１３】
即ち、この圧電／電歪デバイスは、上記実施形態の固定部１１と、固定部１１に支持された上記薄板部１２と、この薄板部１２の平面上に形成された層状の第１電極（上記実施形態の電極１４ａ１に相当する。）、その第１電極の上に形成された圧電／電歪層（上記実施形態の圧電／電歪層１４ｂ１に相当する。）、及びその圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極（上記実施形態の電極１４ａ２）からなる圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスであり、前記第１電極の側端面を構成する部分が薄板部１２の側端面の一部と前記圧電／電歪層の側端面の一部とを覆うように延在してなる圧電／電歪デバイスである。
【０１１４】
また、かかる圧電／電歪デバイスは、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に後に前記圧電／電歪素子を構成する積層体を形成する工程と、前記薄板体と前記積層体とを、同積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、を含んだ製造方法により製造される。
【０１１５】
また、固定部１１、薄板部１２，１２、及び保持部１３，１３を金属で構成する場合、図７に示したセラミック積層体２３又は図１６に示したセラミック積層体３３に代えて、これらのセラミック積層体と同形の金属構造物を鋳造により形成してもよく、或いは、図５又は図１４に示した各セラミックグリーンシートと同形の薄板状の金属を準備し、これらの金属板をクラッディング法により接合してセラミック積層体２３，３３と同形の金属構造体を形成することもできる。
【０１１６】
また、上記実施形態の圧電／電歪デバイス１０においては、一対の保持部１３，１３の間に対象物を保持していたが、図２２に示したように、一対の保持部１３，１３の間にスペーサ１３ａを接着剤１３ｂ，１３ｂにより介在させてもよい。更に、図２３に示したように、上記各実施形態に係る圧電／電歪デバイスの各保持部の側面側（図２３においては下方面）に保持すべき対象物を接着等により保持してもよい。
【０１１７】
更に、図２４に示したように、上述した実施形態における固定部１１の中央部を切除して、一対の固定部１１ａ，１１ａを形成し、各固定部が各薄板部を保持するように構成するとともに、上記一対の薄板部１２，１２の先端部分を一体に連結する部分で保持部１３ａを構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電／電歪デバイスの斜視図である。
【図２】図１に示した圧電／電歪デバイスと同圧電／電歪デバイスに保持された対象物の斜視図である。
【図３】図１に示した圧電／電歪デバイスの部分拡大正面図である。
【図４】図１に示した圧電／電歪デバイスの変形例の斜視図である。
【図５】本発明による圧電／電歪デバイスの第１の製造方法において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図６】図５に示したセラミックグリーンシートを積層・圧着したセラミックグリーンシート積層体の斜視図である。
【図７】図６に示したセラミックグリーンシートが一体焼成されて形成されたセラミック積層体の斜視図である。
【図８】圧電／電歪層積層体が形成された図７に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図９】図８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【図１０】図１に示した圧電／電歪素子の圧電／電歪素子と薄板部の側端面（切断面）の部分正面図である。
【図１１】図１０の２−２線に沿った平面にて圧電／電歪素子と薄板部を切断した部分断面図である。
【図１２】図１１の部分拡大図である。
【図１３】本発明以外の方法で製造された圧電／電歪素子の側端面（切断面）の部分拡大正面図である。
【図１４】本発明による圧電／電歪デバイスの第２の製造方法において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図１５】図１４に示したセラミックグリーンシートを積層・圧着したセラミックグリーンシート積層体の斜視図である。
【図１６】図１５に示したセラミックグリーンシートが一体焼成されて形成されたたセラミック積層体の斜視図である。
【図１７】圧電／電歪層積層体が形成された図１６に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図１８】図１７に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【図１９】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの部分拡大正面図である。
【図２０】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの他の例の部分拡大正面図である。
【図２１】図１４に示したセラミックグリーンシートのうちの一部に相当するセラミックグリーンシートの更に他の例の部分拡大正面図である。
【図２２】図１に示した圧電／電歪デバイスの他の変形例の斜視図である。
【図２３】各実施形態に係る圧電／電歪デバイスに対象物を保持させる他の例を示した図である。
【図２４】図１に示した圧電／電歪デバイスの他の変形例の斜視図である。
【図２５】従来の圧電／電歪デバイスの斜視図である。
【図２６】図２５に示した圧電／電歪デバイスの製造過程において積層されるセラミックグリーンシートの斜視図である。
【図２７】図２６に示したセラミックグリーンシートが積層・圧着された後に一体焼成されて形成されたセラミック積層体の斜視図である。
【図２８】圧電／電歪層積層体が形成された図２７に示したセラミック積層体の斜視図である。
【図２９】図２８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の、本発明以外の製造方法の切断工程を示した図である。
【図３０】図２５に示した圧電／電歪素子と薄板部の側端面（切断面）の部分正面図である。
【図３１】図３０の１−１線に沿った平面にて圧電／電歪素子と薄板部を切断した部分断面図である。
【図３２】図８に示したセラミック積層体及び圧電／電歪層積層体の切断工程を示した図である。
【符号の説明】
１１…固定部、１２…薄板部、１３…保持部、１４…圧電／電歪素子、１４ａ１〜１４ａ５…電極（層状の電極、電極層）、１４ｂ１〜１４ｂ４…圧電／電歪層、２１ａ〜２１ｆ，３１ａ〜３１ｆ…セラミックグリーンシート、２２，３２…セラミックグリーンシート積層体、２３，３３…セラミック積層体、２４，３４…圧電／電歪層積層体。
Claims (8)
- 薄板部と、
前記薄板部を支持する固定部と、
少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、
を備えた圧電／電歪デバイスにおいて、
前記各電極の側端面を構成する部分が同各電極を挟む両方の前記圧電／電歪層の各側端面上の一部を覆うように延在してなる圧電／電歪デバイス。 - 請求項１に記載の圧電／電歪デバイスであって、
前記圧電／電歪素子の側端面において前記電極の側端面を構成する部分の前記圧電／電歪層と同電極の積層方向における長さ（Ｌ２）は、同圧電／電歪層の側端面が形成する仮想平面（ＨＰＬ）上であって同積層方向における同電極の長さ（Ｌ１）の５倍よりも小さい圧電／電歪デバイス。 - 請求項１に記載の圧電／電歪デバイスであって、
前記各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分の同圧電／電歪層と同電極の積層方向の長さのうち大きい方の長さ（Ｌ３）の、同各電極の側端面を構成する全体部から同各電極の側端面を構成する部分であって同各電極を挟む前記圧電／電歪層を覆う部分を除いた部分の同積層方向における厚み（Ｌ１）に対する比（Ｌ３／Ｌ１）が、０＜Ｌ３／Ｌ１＜２を満たす圧電／電歪デバイス。 - 薄板部と、
前記薄板部を支持する固定部と、
少なくとも前記薄板部の平面上に形成されるとともに複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなり、同複数の電極の各側端面と同複数の圧電／電歪層の各側端面とにより形成された外部に露呈する側端面を有する圧電／電歪素子と、
を備えた圧電／電歪デバイスであって、
前記圧電／電歪素子の外部に露呈した側端面は、前記電極と前記圧電／電歪層の積層体が同積層体の積層方向を含む面において同積層方向と略直交した方向に切断加工されることにより形成された端面であることを特徴とする圧電／電歪デバイス。 - 薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層されてなる圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法であって、
後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層を交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、
前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、
を含んだ圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 薄板部と、前記薄板部を支持する固定部と、複数の電極と複数の圧電／電歪層とが交互に積層された圧電／電歪素子とを備えた圧電／電歪デバイスの製造方法であって、
後に前記固定部を構成するセラミックグリーンシートと後に前記薄板部を構成するセラミックグリーンシートとからなるセラミックグリーンシート積層体を一体焼成してセラミック積層体を形成する工程と、
前記セラミック積層体のうちの少なくとも後に前記薄板部を構成する部分の外表面に層状の電極及び圧電／電歪層が交互に積層してなる圧電／電歪層積層体を形成する工程と、
前記後に薄板部を構成する前記セラミック積層体の部分と前記圧電／電歪層積層体とを、同圧電／電歪層積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部及び前記圧電／電歪素子を形成する工程と、
を含んだ圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 薄板部と、
前記薄板部の平面上に形成された層状の第１電極、前記第１電極の上に形成された圧電／電歪層、及び前記圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極からなる圧電／電歪素子と、
を備えた圧電／電歪デバイスであって、
前記第１電極の側端面を構成する部分が前記薄板部の側端面の一部と前記圧電／電歪層の側端面の一部とを覆うように延在してなる圧電／電歪デバイス。 - 薄板部と、前記薄板部の平面上に形成された層状の第１電極、前記第１電極の上に形成された圧電／電歪層、及び前記圧電／電歪層の上に形成された層状の第２電極からなる圧電／電歪素子と、を備えた圧電／電歪デバイスの製造方法であって、
後に前記薄板部を構成する薄板体の平面上に後に前記圧電／電歪素子を構成する積層体を形成する工程と、
前記薄板体と前記積層体とを、同積層体の積層方向と略平行な方向内にて揺動する線状部材を同積層方向と略平行に維持しながら進行せしめることにより切断して、前記薄板部と前記圧電／電歪素子とを形成する工程と、
を含んだ圧電／電歪デバイスの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002169265A JP4053822B2 (ja) | 2002-06-10 | 2002-06-10 | 圧電／電歪デバイスとその製造方法 |
| CN038135353A CN1659718A (zh) | 2002-06-10 | 2003-06-10 | 压电/电致伸缩装置和其制造方法 |
| PCT/JP2003/007312 WO2003105245A1 (ja) | 2002-06-10 | 2003-06-10 | 圧電／電歪デバイスとその製造方法 |
| AU2003242140A AU2003242140A1 (en) | 2002-06-10 | 2003-06-10 | Piezoelectric/electrostrictive device and its manufacturing method |
| US11/007,963 US7126261B2 (en) | 2002-06-10 | 2004-12-09 | Piezoelectric/electrostrictive device and method for manufacturing the same |
| US11/456,974 US20060242807A1 (en) | 2002-06-10 | 2006-07-12 | Piezoelectric/electrostrictive device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002169265A JP4053822B2 (ja) | 2002-06-10 | 2002-06-10 | 圧電／電歪デバイスとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004014951A true JP2004014951A (ja) | 2004-01-15 |
| JP4053822B2 JP4053822B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=29727721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002169265A Expired - Fee Related JP4053822B2 (ja) | 2002-06-10 | 2002-06-10 | 圧電／電歪デバイスとその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7126261B2 (ja) |
| JP (1) | JP4053822B2 (ja) |
| CN (1) | CN1659718A (ja) |
| AU (1) | AU2003242140A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003105245A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121012A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪デバイス |
| DE112006001734B4 (de) * | 2005-06-30 | 2014-06-18 | Intel Corporation | Piezolüfter mit einem Piezoaktuator zum Kühlen und Verfahren zum Herstellen eines Piezolüfters |
| WO2016095347A1 (zh) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 苏州赫里翁电子科技有限公司 | 一种动铁单元用轭铁的加工方法 |
| JP2020043345A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | マグネコンプ コーポレーションＭａｇｎｅｃｏｍｐｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | サスペンションストローク増加のための多層ｐｚｔ電極構成 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030020377A1 (en) * | 2001-07-30 | 2003-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive element and piezoelectric/electrostrictive device and production method thereof |
| US7535373B2 (en) * | 2005-07-15 | 2009-05-19 | Honeywell International, Inc. | Security techniques for electronic devices |
| JP2007149995A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| JP5685719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2015-03-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 振動発電素子およびそれを用いた振動発電装置 |
| US8967884B2 (en) * | 2010-12-14 | 2015-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transceiver |
| WO2014045645A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 京セラ株式会社 | 音響発生器、音響発生装置及び電子機器 |
| DE102018114309B4 (de) * | 2018-06-14 | 2021-07-22 | Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg | Bremsvorrichtung sowie Antriebseinheit und Positioniervorrichtung |
| CN109660224B (zh) * | 2018-12-18 | 2023-03-24 | 北方民族大学 | 滤波器用复合压电基片及其制备方法 |
| WO2021138640A2 (en) * | 2020-01-03 | 2021-07-08 | Lensar, Inc. | Methods and systems for combined sonic and laser applications for the eye |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2485858B1 (fr) * | 1980-06-25 | 1986-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de transducteurs ultrasonores de formes complexes et application a l'obtention de transducteurs annulaires |
| JPS586462A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 超音波探触子の製造方法 |
| US4888861A (en) * | 1985-10-10 | 1989-12-26 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Annular array and method of manufacturing same |
| JP2707782B2 (ja) * | 1989-06-01 | 1998-02-04 | 富士電機株式会社 | 積層型圧電素子 |
| JPH06120579A (ja) | 1991-01-30 | 1994-04-28 | Nec Corp | 積層型圧電アクチュエータ |
| JPH04340778A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-11-27 | Nec Corp | 積層圧電アクチュエータ素子 |
| JPH06151999A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 積層型圧電／電歪アクチュエータ素子の製造方法 |
| US5786833A (en) * | 1993-10-07 | 1998-07-28 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric driver for an ink jet recording head, including front end plate having front end face aligned with front end face of inactive region of driver |
| JP3546430B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2004-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子ユニット、及びこれの製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド |
| WO2001026167A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif piezo-electrique / electrostrictif et procede de fabrication correspondant |
| JP2002026411A (ja) | 1999-10-01 | 2002-01-25 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 |
| US6323582B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-11-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/Electrostrictive device |
| JP3997729B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2007-10-24 | ブラザー工業株式会社 | 圧電アクチュエータ及びその圧電アクチュエータを用いたインクジェットヘッド並びにそれらの製造方法 |
| US20030020377A1 (en) * | 2001-07-30 | 2003-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive element and piezoelectric/electrostrictive device and production method thereof |
| JPWO2003061023A1 (ja) * | 2002-01-11 | 2005-05-19 | 日本碍子株式会社 | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-06-10 JP JP2002169265A patent/JP4053822B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-10 AU AU2003242140A patent/AU2003242140A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-10 CN CN038135353A patent/CN1659718A/zh active Pending
- 2003-06-10 WO PCT/JP2003/007312 patent/WO2003105245A1/ja active Application Filing
-
2004
- 2004-12-09 US US11/007,963 patent/US7126261B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 US US11/456,974 patent/US20060242807A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121012A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪デバイス |
| DE112006001734B4 (de) * | 2005-06-30 | 2014-06-18 | Intel Corporation | Piezolüfter mit einem Piezoaktuator zum Kühlen und Verfahren zum Herstellen eines Piezolüfters |
| WO2016095347A1 (zh) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 苏州赫里翁电子科技有限公司 | 一种动铁单元用轭铁的加工方法 |
| JP2020043345A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | マグネコンプ コーポレーションＭａｇｎｅｃｏｍｐｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | サスペンションストローク増加のための多層ｐｚｔ電極構成 |
| CN110895949A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 马格内康普公司 | 用于增加悬架冲程的多层pzt电极构型 |
| JP7438699B2 (ja) | 2018-09-13 | 2024-02-27 | マグネコンプ コーポレーション | サスペンションストローク増加のための多層ｐｚｔ電極構成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003242140A1 (en) | 2003-12-22 |
| JP4053822B2 (ja) | 2008-02-27 |
| US7126261B2 (en) | 2006-10-24 |
| US20050179344A1 (en) | 2005-08-18 |
| WO2003105245A1 (ja) | 2003-12-18 |
| US20060242807A1 (en) | 2006-11-02 |
| CN1659718A (zh) | 2005-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6448691B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same | |
| JP2001320103A (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| US20060242807A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method for manufacturing the same | |
| JP3436727B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| US6472799B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same | |
| JP2001320105A (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| US6498419B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device having mutually opposing end surfaces and method of manufacturing the same | |
| JP3466550B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP3845543B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| JP3965515B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| US7007355B2 (en) | Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device | |
| JP2001315099A (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| JP3466551B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP3436725B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 | |
| JP3466548B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP4562756B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP3999132B2 (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP2006121012A (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP2006093424A (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP2006340597A (ja) | 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040402 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040426 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20040803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071206 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |