JP7438699B2 - サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 - Google Patents
サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7438699B2 JP7438699B2 JP2019167400A JP2019167400A JP7438699B2 JP 7438699 B2 JP7438699 B2 JP 7438699B2 JP 2019167400 A JP2019167400 A JP 2019167400A JP 2019167400 A JP2019167400 A JP 2019167400A JP 7438699 B2 JP7438699 B2 JP 7438699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pzt
- electrode
- shorter
- single active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title description 32
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 176
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
- G11B5/4826—Mounting, aligning or attachment of the transducer head relative to the arm assembly, e.g. slider holding members, gimbals, adhesive
- G11B5/483—Piezo-electric devices between head and arm, e.g. for fine adjustment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
- G11B5/4873—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives the arm comprising piezoelectric or other actuators for adjustment of the arm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
- G11B5/5552—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means
Description
本願は2018年9月13日に出願された米国仮出願番号62/730979からの優先権を主張するものであり、その全ては参照として本願明細書に組み込まれる。
本発明の実施形態は、ディスクドライブ用サスペンションの分野に関する。より具体的には、ディスクデバイス用サスペンションのためのマイクロアクチュエータの分野に関する。
Claims (14)
- 第1端部及び第2端部を有する圧電アクチュエータアセンブリであって、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を含む第1層と、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を有し、該底面が前記第1層の上面の上方に配置された第2層と、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を有し、該底面が前記第2層の上面の上方に配置された第3層と、
前記第1層の底面の少なくとも一部上に配置された第1電極と、
前記第1層及び前記第2層の間の少なくとも一部に配置された第2電極と、
前記第2層及び前記第3層の間の少なくとも一部に配置された第3電極と、
前記第3層の上面の少なくとも一部上に配置された第4電極とを含み、
前記第2層及び前記第3層の活性圧電層の長さが、前記第1層の活性圧電層の長さよりも短くなるように、前記第3電極が前記第2電極よりも短く構成されており、
前記第1層の不活性部の長さは、前記第2層及び前記第3層の不活性部の長さよりも短く構成されており、
前記第2層及び前記第3層は、PZT伸長モード下で前記第1層よりも短い伸長を有し、それにより、前記圧電アクチュエータアセンブリは凹形状に湾曲し、ストロークが増加し、
前記第2層及び前記第3層は、PZT収縮モード下で前記第1層よりも短い収縮を有し、それにより、前記圧電アクチュエータアセンブリは凸形状に湾曲し、ストロークが増加する、ことを特徴とする、圧電アクチュエータアセンブリ。 - 前記第3電極が前記第2電極よりも0.05~0.15mm短くなるように構成されている、請求項1に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- 前記第3電極が前記第2電極よりも0.12mm短くなるように構成されている、請求項2に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- 前記第3電極よりも0.10~0.30mm短くなるように構成された前記第4電極をさらに含む、請求項1に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- 前記第4電極が前記第3電極よりも0.20mm短くなるように構成されている、請求項4に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- 前記第1層の単一活性圧電層と前記第2層の単一活性圧電層が、前記第3層の単一活性圧電層よりも0.10~0.30mm長い活性長を有する、請求項4に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- 前記第1層の単一活性圧電層と前記第2層の単一活性圧電層が、前記第3層の単一活性圧電層よりも0.20mm長い活性長を有する、請求項6に記載の圧電アクチュエータアセンブリ。
- マイクロアクチュエータであって、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を含む第1層と、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を有し、該底面が第1層の上面の上方に配置された第2層と、
単一活性圧電層を含むとともに、上面及び底面を有し、該底面が第2層の上面の上方に配置された第3層と、
前記第1層の底面の少なくとも一部上に配置された第1電極と、
前記第1層及び前記第2層の間の少なくとも一部に配置された第2電極と、
前記第2層及び前記第3層の間の少なくとも一部に配置された第3電極と、
前記第3層の上面の少なくとも一部上に配置された第4電極とを含み、
前記第2層及び前記第3層の活性圧電層の長さが、前記第1層の活性圧電層の長さよりも短くなるように、前記第3電極が前記第2電極よりも短く構成されており、
前記第1層の不活性部の長さは、前記第2層及び前記第3層の不活性部の長さよりも短く構成されており、
前記第2層及び前記第3層は、PZT伸長モード下で前記第1層よりも短い伸長を有し、それにより、前記マイクロアクチュエータは凹形状に湾曲し、ストロークが増加し、
前記第2層及び前記第3層は、PZT収縮モード下で前記第1層よりも短い収縮を有し、それにより、前記マイクロアクチュエータは凸形状に湾曲し、ストロークが増加する、ことを特徴とする、マイクロアクチュエータ。 - 前記第3電極が前記第2電極よりも0.05~0.15mm短く構成されている、請求項8に記載のマイクロアクチュエータ。
- 前記第3電極が前記第2電極よりも0.12mm短くなるように構成されている、請求項8に記載のマイクロアクチュエータ。
- 前記第3電極よりも0.10~0.30mm短くなるように構成された前記第4電極をさらに含む、請求項8に記載のマイクロアクチュエータ。
- 前記第4電極が前記第3電極よりも0.20mm短くなるように構成されている、請求項11に記載のマイクロアクチュエータ。
- 前記第1層の単一活性圧電層及び前記第2層の単一活性圧電層が前記第3層の単一活性圧電層よりも0.10~0.30mm長い活性長を有する、請求項11に記載のマイクロアクチュエータ。
- 前記第1層の単一活性圧電層及び前記第2層の単一活性圧電層が前記第3層の単一活性圧電層よりも0.20mm長い活性長を有する、請求項11に記載のマイクロアクチュエータ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862730979P | 2018-09-13 | 2018-09-13 | |
US62/730,979 | 2018-09-13 | ||
US16/565,060 US11495731B2 (en) | 2018-09-13 | 2019-09-09 | Multilayer PZT electrode configuration for suspension stroke increase |
US16/565,060 | 2019-09-09 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024020269A Division JP2024063037A (ja) | 2018-09-13 | 2024-02-14 | サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020043345A JP2020043345A (ja) | 2020-03-19 |
JP2020043345A5 JP2020043345A5 (ja) | 2022-09-20 |
JP7438699B2 true JP7438699B2 (ja) | 2024-02-27 |
Family
ID=69774497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019167400A Active JP7438699B2 (ja) | 2018-09-13 | 2019-09-13 | サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11495731B2 (ja) |
JP (1) | JP7438699B2 (ja) |
CN (1) | CN110895949B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020145514A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社東芝 | マイクロアクチュエータ、ヘッドサスペンションアッセンブリおよびディスク装置 |
US11152024B1 (en) | 2020-03-30 | 2021-10-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Piezoelectric-based microactuator arrangement for mitigating out-of-plane force and phase variation of flexure vibration |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000255060A (ja) | 1999-03-04 | 2000-09-19 | Sony Corp | 圧電型インクジェットプリンタ用圧電ヘッド装置及びその製造方法 |
JP2002289933A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 圧電型駆動体、インクジェットヘッド及びプリンタ |
JP2004014951A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイスとその製造方法 |
US20170133045A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive |
JP2018006684A (ja) | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 圧電素子 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120260B2 (ja) | 1992-12-26 | 2000-12-25 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
JPH06309628A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
US5920978A (en) | 1995-03-01 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Method of making a thin film magnetic slider |
JP4245096B2 (ja) | 1999-04-15 | 2009-03-25 | セイコーインスツル株式会社 | 積層圧電素子およびこれを用いた圧電アクチュエータ、超音波モータ |
US6859345B2 (en) | 1999-08-17 | 2005-02-22 | Seagate Technology Llc | Bending microactuator having a two-piece suspension design |
US6760181B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Microactuator for dynamic controlling head-media interaction and fly-height |
WO2002077994A1 (fr) | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Tdk Corporation | Actionneur pour positionner precisement un element de tete et dispositif de tete equipe de cet actionneur |
US20030020377A1 (en) * | 2001-07-30 | 2003-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive element and piezoelectric/electrostrictive device and production method thereof |
US20030048041A1 (en) | 2001-09-07 | 2003-03-13 | Hiroyuki Kita | Piezoelectric thin-film element and a manufacturing method thereof |
JP2004111939A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-04-08 | Ngk Insulators Ltd | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
US6985326B2 (en) | 2003-11-17 | 2006-01-10 | Seagate Technology Llc | Multi-layer electrode device on slider for electrostatic fly height adjustment |
JP4364075B2 (ja) | 2004-06-29 | 2009-11-11 | 富士通株式会社 | 圧電アクチュエータを用いた移動機構及びそのような移動機構を有する磁気ディスク装置 |
US7880371B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-01 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
WO2008084806A1 (ja) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Nec Corporation | 圧電アクチュエータおよび電子機器 |
JP2008211922A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Yamaha Corp | 高分子静電型アクチュエータ |
JP5189813B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-04-24 | 日本発條株式会社 | ヘッドサスペンション、及び圧電アクチュエータ |
US8194359B2 (en) | 2008-05-21 | 2012-06-05 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Piezoelectric element having etched portion to form stepped recesses between layers and manufacturing method thereof, head gimbal assembly, and disk drive device with the same |
JP2010040080A (ja) | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sharp Corp | 駆動ユニットとそれを備えた光ピックアップ装置 |
EP2614541B1 (en) * | 2010-09-09 | 2016-04-06 | Koninklijke Philips N.V. | Electroactive polymer actuator |
US8810972B1 (en) | 2012-12-13 | 2014-08-19 | Magnecomp Corporation | Electrical interconnect from disk drive suspension flexure to PZT motor |
US9741376B1 (en) | 2013-03-18 | 2017-08-22 | Magnecomp Corporation | Multi-layer PZT microactuator having a poled but inactive PZT constraining layer |
US9330696B1 (en) | 2013-03-18 | 2016-05-03 | Magnecomp Corporation | DSA suspension having PZT with overhanging constraint layer and electrical connection thereto |
US9330694B1 (en) | 2013-03-18 | 2016-05-03 | Magnecomp Corporation | HDD microactuator having reverse poling and active restraining layer |
US9330698B1 (en) | 2013-03-18 | 2016-05-03 | Magnecomp Corporation | DSA suspension having multi-layer PZT microactuator with active PZT constraining layers |
US9117468B1 (en) | 2013-03-18 | 2015-08-25 | Magnecomp Corporation | Hard drive suspension microactuator with restraining layer for control of bending |
US9070394B1 (en) | 2013-03-18 | 2015-06-30 | Magnecomp Corporation | Suspension microactuator with wrap-around electrode on inactive constraining layer |
JP6173983B2 (ja) | 2014-08-06 | 2017-08-02 | 株式会社東芝 | サスペンションアッセンブリ、ヘッドサスペンションアッセンブリ、およびこれを備えたディスク装置 |
US9318136B1 (en) | 2014-12-22 | 2016-04-19 | Hutchinson Technology Incorporated | Multilayer disk drive motors having out-of-plane bending |
US10128431B1 (en) | 2015-06-20 | 2018-11-13 | Magnecomp Corporation | Method of manufacturing a multi-layer PZT microactuator using wafer-level processing |
DE102015218701A1 (de) * | 2015-09-29 | 2016-12-01 | Continental Automotive Gmbh | Elektrokeramisches Bauelement, insbesondere Vielschichtpiezoaktor |
US9722169B1 (en) | 2015-11-05 | 2017-08-01 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive |
JP6361640B2 (ja) | 2015-11-30 | 2018-07-25 | Tdk株式会社 | 圧電素子及び圧電アクチュエータ |
US10134431B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-11-20 | Magnecomp Corporation | Multi-layer shear mode PZT microactuator for a disk drive suspension, and method of manufacturing same |
JP7051322B2 (ja) | 2016-08-03 | 2022-04-11 | マグネコンプ コーポレーション | 分極されるが不活性であるpzt抑制層を有する多層pztマイクロアクチュエータ |
US11309481B2 (en) * | 2018-01-30 | 2022-04-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Multi-layer piezoelectric ceramic component-mounted piezoelectric device |
-
2019
- 2019-09-09 US US16/565,060 patent/US11495731B2/en active Active
- 2019-09-13 JP JP2019167400A patent/JP7438699B2/ja active Active
- 2019-09-16 CN CN201910869268.1A patent/CN110895949B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000255060A (ja) | 1999-03-04 | 2000-09-19 | Sony Corp | 圧電型インクジェットプリンタ用圧電ヘッド装置及びその製造方法 |
JP2002289933A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 圧電型駆動体、インクジェットヘッド及びプリンタ |
JP2004014951A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイスとその製造方法 |
US20170133045A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive |
JP2018006684A (ja) | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 圧電素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110895949B (zh) | 2023-02-28 |
JP2020043345A (ja) | 2020-03-19 |
US11495731B2 (en) | 2022-11-08 |
US20200091404A1 (en) | 2020-03-19 |
CN110895949A (zh) | 2020-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4075475B2 (ja) | ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えたディスク装置 | |
JP7438699B2 (ja) | サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 | |
JP2003228930A (ja) | ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えたディスク装置及び該ヘッドジンバルアセンブリの製造方法 | |
US10134431B2 (en) | Multi-layer shear mode PZT microactuator for a disk drive suspension, and method of manufacturing same | |
JP2016115390A (ja) | めっきされた補強材を有する圧電ディスクドライブサスペンションモータ | |
JP2019129324A5 (ja) | ||
US6775107B2 (en) | Head gimbal assembly with precise positioning actuator for head element | |
JP2022095772A (ja) | 分極されるが不活性であるpzt抑制層を有する多層pztマイクロアクチュエータ | |
US9214176B1 (en) | PZT limiter for a micro dual stage actuated suspension | |
JP2010257518A (ja) | 磁気ヘッドサスペンション | |
JP2023517959A (ja) | 薄型サスペンション設計 | |
JP2024063037A (ja) | サスペンションストローク増加のための多層pzt電極構成 | |
US7558026B2 (en) | Method and apparatus for a single piezoelectric micro-actuator in a head gimbal assembly of a hard disk drive | |
JP2001211668A (ja) | 微小位置決めアクチュエータ、薄膜磁気ヘッド素子の位置決め用アクチュエータ及び該アクチュエータを備えたヘッドサスペンションアセンブリ | |
JP2017103293A (ja) | 圧電素子及び圧電アクチュエータ | |
JP4360053B2 (ja) | 微小位置決め用アクチュエータに接着されるヘッドスライダ、該ヘッドスライダを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドスライダとアクチュエータとの接着方法及びヘッドジンバルアセンブリの製造方法 | |
JP5766860B2 (ja) | 磁気ヘッドサスペンション | |
JP7332542B2 (ja) | 共振改善のための多層アクチュエータ電極構成 | |
JP5634440B2 (ja) | 磁気ヘッドサスペンション | |
JP4110802B2 (ja) | ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータ、該アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えたディスク装置 | |
CN112201280A (zh) | 用于谐振改善的多层执行器电极构型 | |
JP5158990B2 (ja) | 磁気ヘッドサスペンション及びその製造方法 | |
JP4884544B2 (ja) | 磁気ヘッドサスペンション | |
JP2001118348A (ja) | 微小位置決めアクチュエータ、薄膜磁気ヘッド素子の位置決め用アクチュエータ及び該アクチュエータを備えたヘッドサスペンションアセンブリ | |
JP2023523591A (ja) | Dsaサスペンション用の能動pzt拘束層を備えた多層pztマイクロアクチュエータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20191120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20191120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220909 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220909 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230208 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7438699 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |