JP2004006907A5

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Publication number: JP2004006907A5
Application number: JP2003158949A
Authority: JP
Filing date: 2003-06-04
Publication date: 2005-06-09
Anticipated expiration: 2020-05-12

Claims

基板上のコレクタ層として機能するＮ型の第１の単結晶半導体層の上に、ベース層として機能するＰ型の第２の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ａ）と、
上記第２の単結晶半導体層の上に、第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ｂ）と、
上記第３の単結晶半導体層の上に、上記第３の単結晶半導体層の固溶限の濃度のリンを第３の単結晶半導体層に拡散させる濃度以下の濃度のリンを含むＮ ^- ポリシリコンと、上記Ｎ ^- ポリシリコンよりも高濃度のリンを含むＮ＋ポリシリコンを順に積層することによりエミッタ引き出し電極を堆積する工程（ｃ）と、
上記Ｎ ^- ポリシリコン内のリンを拡散させるための熱処理を行ない、上記第３の単結晶半導体層の上部に固溶限以下の濃度のリンをドープすることによりエミッタを形成する工程（ｄ）と
を含む半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記半導体層にドープするリンの濃度を上方に向かってステップ状に高くしていく、半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記半導体層にドープするリンの濃度を上方に向かって連続的に高くしていく、半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の単結晶半導体層はＳｉ層であり、
上記第２の単結晶半導体層はＳｉＧｅ層であり、
上記第３の単結晶半導体層はＳｉ層である、半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の単結晶半導体層はＳｉ層であり、
上記第２の単結晶半導体層はＳｉＧｅＣ層であり、
上記第３の単結晶半導体層はＳｉ層である、半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記Ｎ^-ポリシリコンが凹部を有しており、上記Ｎ⁺ポリシリコンが凸部を有しており、上記凹部と上記凸部とがはまりあうように上記エミッタ引き出し電極を堆積する、半導体装置の製造方法。
基板上のコレクタ層として機能するＮ型の第１の単結晶半導体層の上に、ベース層として機能するＰ型の第２の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ａ）と、
上記第２の単結晶半導体層の上に、第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ｂ）と、
上記第３の単結晶半導体層の少なくとも上部にＰ型不純物をドープする工程（ｃ）と、
上記第３の単結晶半導体層の上に、リンを含む半導体層を形成する工程（ｄ）と、
上記半導体層内のリンを拡散させるための熱処理を行ない、上記第３の単結晶半導体層の上部に上記工程（ｃ）でドープされたＰ型不純物よりも高濃度のリンをドープすることによりエミッタを形成する工程（ｅ）と
を含む半導体装置の製造方法。
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）は、上記工程（ｂ）と同時に、Ｐ型不純物をドープしながら上記第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させることにより行なわれる，半導体装置の製造方法。
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）は、上記工程（ｂ）の後、上記第３の単結晶半導体層内にＰ型不純物のイオンを注入することにより行なわれる，半導体装置の製造方法。
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）の後、上記工程（ｃ）の前に、上記第３の単結晶半導体層の上に絶縁層を形成する工程と、
上記絶縁層の上に、Ｐ型不純物を含む半導体層を形成する工程とをさらに含み、
上記工程（ｃ）は、熱処理により上記半導体層から上記絶縁層を通過させて上記第３の単結晶半導体層にＰ型不純物を導入することにより行なわれる，半導体装置の製造方法。