JP2003522839A - 凝縮被膜生成法 - Google Patents

凝縮被膜生成法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の効率を高め、基板に凝縮する皮膜の品質を向上させる。 【解決手段】 例えばＯＬＤＥのように皮膜される基板を製作する方法および装置について開示され、少なくとも１つの皮膜が凝縮法により少なくとも一つの基板に生成され、少なくとも反応ガスの一部に固体および／または液体の前駆体および特に少なくとも１つの昇華材料源が使用される。本発明は、前駆体材料源と基板の間の反応ガスの温度制御によって、基板の手前における反応ガスの凝縮が防止されることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＯＬＥＤまたは類似の被膜組織の皮膜システムを凝縮被膜生
成法によって作製する方法および装置に関するものである。この被膜システムは
、たとえば「小さな分子」（例えばＡｌｇ３）または重合体（例えばＰＰＶ）の
ような特に有機材料で構成される。
【０００２】
【従来の技術】
特に有機材料の部品の製作における凝縮被膜生成法は既知である。この方法に
おいて生成すべき被膜の成分はガス状および／または有機的結合（塩）によって
被膜室（以下反応室と呼ぶ）に供給される。
【０００３】 基板（多くはガラス、箔または樹脂）の被膜生成は凝縮過程に基いて行なわれ
、このとき基板はガス相の分子温度よりも低い温度に保持される。
【０００４】 ＶＰＤ法（蒸気相沈積）は異なった材料をガス相から分離するために使用され
る。有機被膜の分離の分野にもこの方法が実施される。ＶＰＤ法は異なった反応
構想で管理される。例えば、ガスの流れが水平で被膜表面と並行に流れる水平管
式反応炉（旧式のＶＰＥ反応炉を応用したもの）である。効率を低下させる壁の
凝縮を回避するため反応炉は高温壁システムとして構成される。
【０００５】 この方法またはこの既知の装置は殆どが平面の被膜生成用で、変化する基板形
状には使用できない。
【０００６】 欠点は下記の通りである。 ａ）前駆体の昇華および導入に対するプロセス技術および形状との結合 ｂ）被膜表面と比較して大きなシステム表面に対する反応炉形状の使用法、 すなわち流体力学的に基板の被膜の生成のため多量の前駆体が失われる ｃ）ｂ）に起因する高価な高温壁技術
【０００７】 凝縮のプロセス原理に対応する蒸着設備では、材料源の材料はシステムと一体
化されているため材料源の流れは時間的に制御できない。これは急に投入するこ
とも遮断することもできない。時間的な制御は蒸発エネルギーを調整することに
よって行なわれる（Ｅビームまたは抵抗加熱）。さらにシステムは高温壁システ
ムとして構成されていないので、材料の相当の部分がシステムの壁および部品に
凝着して効率を低下させる。
【０００８】 この技術の欠点は化学量の制御性の悪いことまたは多層被膜の要求に対して過
渡部が敏感なことである。
【０００９】 ＣＶＤシステムでは材料源は個別に時間的および量的に正確に制御できるが、
材料源からの移動は昇華の原理ではなく蒸発である。このＣＶＤシステムでは被
膜生成方法は凝縮ではなく分子運動または拡散が制約された成長（化学的反応）
である。この方法および装置は殆どが平面用で変化する基板の形状には使用され
ない。
【００１０】 代替の方法はスピンオンまたはＯＭＢＤである。
【００１１】 上述の方法および装置は、例として述べた被膜システムの製作に対する要求を
、化学子量の正確な制御、多層皮膜の要求および経済性などの多くの特性につい
て満足していない。
【００１２】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は一般的な方法を改善し、パラメータを個別に規定できるようにし、効
率を高め、基板に凝縮する被膜の品質を高めるという課題に基づくものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】 この課題は請求項に示す本発明により解決される。付属請求項は本発明の有利
な展開を示すものである。
【００１４】 皮膜形成法において特殊な前駆体の昇華、蒸発、ガス導入の形態および反応炉
の形態の組合せを使用することによって、固体前駆体から始まる凝縮皮膜形成に
対する制御性および経済性が改善される。この場合前駆体は個別に反応室の外側
で昇華されるか蒸発される。これらの初期物質は基板に選択的に凝縮することが
できる。基板に割り当てられたマスクによって構造化が行なわれる。マスクは基
板上に固定される。
【００１５】 すべての反応炉の構想は、反応容器へガスを供給した後における前駆体の昇華
の種類は主要物質のガス相の化学作用およびその輸送の方法により左右され、沈
積される皮膜の性質も左右される、すなわちガス供給の方法がプロセス制御を支
配すると考えられている。
【００１６】 この特性は、例えば（すなわち異分子／物質なしで）粒子および／または欠陥
密度、多物質システムの構成、皮膜の光学的および電気的特性ならびに沈積効率
である。従来技術で使用されるガス導入装置は流体力学的かまたは熱力学的な課
題の何れかだけを満足している。
【００１７】 望ましくない沈積が供給部の領域で行なわれることが多い。これは入口領域が
高過ぎるか（すなわち動的に制約される沈積）または低過ぎる表面温度（すなわ
ち凝縮または低熱体）に調整されているか、または供給区間または室の内部で流
れおよび／または拡散によってガスの混合（核生成＝均一なガス相での反応）が
生ずる場合である。付随する余分な蓄積によってガス供給の特性（熱的および／
または化学的）はプロセスの進行とともに変化し、連続的で均等な沈積について
制御することは保証されない。付随する余分な蓄積は後に続く皮膜に個別の成分
を流出吸収させる。さらにこれらの蓄積は特に供給部の形態が利用面積に比べて
広い面積を有する場合に成分の効率を低下させる。
【００１８】 さらにガス導入装置は、一般に前駆体の熱的に異なる特性のたる必要なガスの
効果的な分離が確実に行なわれるように構成されていない。このため、例えば粒
子または汚染のように沈積される皮膜の特性にマイナスの影響を与える、ガス相
における幾つかのガスの望ましくない反応（すなわち核生成）が発生する。核生
成は材料の効率を低下させ、核生成物との結合による皮膜の汚染を生ずる。
【００１９】 上述の欠点を低減するため、現在のガス入口は一般にプロセス技術的に皮膜形
成する表面から空間的に、またはプロセスパラメータ（例えば非常に低い圧力ま
たは大きなレイノズル数）の選択によって離れて配置させる。現在既知の反応炉
は効率が低い（２５％より相当に低い）特徴があり、供給された成分の僅かな割
合だけが使用可能な機能的皮膜に沈積される。
【００２０】 したがって、このようなシステムで製作された皮膜の特性は最適ではなく、ま
たこのようなシステムの経済性も低い。
【００２１】 固体前駆体の昇華のため、普通は容器圧力および材料源の材料の温度の選定に
よって、固体相から直接ガス状となる、すなわち昇華する材料が使用される。材
料源の材料の蒸気圧力が非常に低いと高い温度が必要となる。したがって従来の
技術では幾つかの前駆体が反応炉の胴体に導入される。使用される高温壁システ
ムでは反応炉の温度は、それぞれの区間毎にそれぞれの前駆体に必要な昇華温度
に調整するよう構造体全長にわたって設定される。この構成の欠点は、最適昇華
温度の不正確な調整、蒸発装置の大きな空間、反応炉のプロセス圧力と無関係に
それぞれの前駆体に対し分離できない圧力の調整、駆動体毎の柔軟性がなく分離
できない温度調整である。しかし重大な欠点は、蒸発材料源が皮膜領域に直接的
に影響するので、時間的に制御できない材料源の流れである。
【００２２】 ここで紹介する技術的な示唆は、すべての上記の欠点を除去し、使用要求条件
に応じて適合する方法および装置を使用することができる。
【００２３】 初期物質（前駆体）の昇華装置は、構成的に反応炉から分離し前駆体毎に個別
に構成する。これによってそれぞれの前駆体の移動量は柔軟性を持って最適に制
御し、調整することができる。それぞれの前駆体は反応炉のパラメータと無関係
に個別に時間的に正確に制御することができる。
【００２４】 入口の形状は皮膜生成表面のための最小室表面を確保し（ほぼ１：１）、プロ
セスの効率を最大とする。入口の形状の構成は、基本的に前駆体同士の反応およ
び入口自身の表面に対する付随する余分な蓄積を防止する。
【００２５】 前駆体の入口の形状の構成は、反応炉の形状と関連してすべての材料を時間的
に正確な制御によって確実に均等に配分する。
【００２６】 目標とする皮膜は、成分、皮膜厚さの均一性、および１％の範囲内での成分構
成を特徴とする。さらにこの装置および方法によって、過渡部における材料およ
び成分構成を正確に再現可能に調整できる。本発明によって粒子の生成は防止す
ることができる。
【００２７】 初期物質（前駆体）の昇華場所は反応室から分離されて構成される。このとき
初期物質が最小時間でガス入口に供給されるような配置が選定される。このため
皮膜生成システムは初期物質容器を直ぐ近くに、例えば反応炉カバーに配置する
。短い配管路が材料を直接ガス導入装置に供給する。
【００２８】 初期物質のタンクは、個別に反応炉の温度と関係なく加熱される。このためタ
ンクの周囲の抵抗加熱が使用されるか、タンク周囲の周板空洞にサーモスタット
により温度調整された液体をポンプ供給する。
【００２９】 タンクの圧力はタンク出口側の制御バルブで個別に反応炉と関係なく制御され
る。制御バルブは加熱され、材料通路の過程で局部的な凝縮を確実に防止するた
め高温側の温度勾配に調整される。
【００３０】 昇華した初期物質の反応炉への輸送はガス流によって支援される。これらのガ
スは供給配管における前駆体濃度の調整にも使用される。
【００３１】 時間的制御のため反応炉への初期物質の配管は圧力バルブおよび質量流調節器
によって制御され、絞りバルブを完全に閉じると質量流はゼロに設定される。
【００３２】 この配置は反応炉に多くの方法で繰返すことができるので、それぞれの材料は
互いに無関係に制御される。
【００３３】 ガス入口は反応炉の基板に対して、多くのノズルを持った一つの平面（以下シ
ャワーヘッドと呼ぶ）として構成され、以下プレナムと呼ぶ。ノズルは前駆体の
特性、例えば粘度、質量および濃度に応じて室内に乱流のない噴射を確実に行な
うように設計される。
【００３４】 ノズルとノズルの間隔はガス入口との距離との関係で最適化され、すなわちノ
ズルから噴出する「ジェット」は基板表面の前で衰え全体として均等な流れの面
を形成する。
【００３５】 ノズルは初期物質の噴射の分布が基板の形状に対して均等となるよう管理する
ため、個別にまたは全体としてガス入口表面に対し任意の角度で形成される。
【００３６】 ノズルが初期物質の噴射のため設けられる面は、平らな基板の皮膜生成に対し
ては平面でよく、平面ではなく変形した基板に対してはシートでも湾曲したもの
でもよい。
【００３７】 プレナム全体は空洞壁構造の冷却材、または電気的加熱器（抵抗加熱、ペルチ
ェ）によって熱的に積極的に制御され、昇華温度に対して高温側の温度勾配に調
整される。
【００３８】 プレナムの内部空間には昇華した初期物質が非常に短い温度調整された配管に
よって注入される。
【００３９】 ノズルを最適な流体力学的な条件に調整するため、初期物質に加えて搬送ガス
を供給して調整する。
【００４０】 これらのガスはさらに、室内への前駆体の供給および遮断を時間的に制御する
ため、プレナムを確実に迅速に掃気する。
【００４１】 上記の形態はそれぞれの前駆体で構成される多種物質に一般的に使用される。
この場合は「近接して結合されたシャワーヘッド」技術を利用して、前駆体毎の
分離噴射が確実に行なわれる。それぞれのプレナムの個別の加熱は、それぞれの
初期物質が余分な凝縮をすることを防止するため、高温側の温度勾配と比較して
行なわれる。ノズルは前駆体の局部的な混合がノズルで発生しないよう寸法決定
され相互に配置される。平面状でのプレナムの配置は、長い方のノズルに含まれ
る前駆体の凝縮を防止するため、次の高温側の温度勾配のプレナムと熱的に接触
するよう選定される。
【００４２】 初期物質として、特にアメリカ特許５５５４２２０に説明される塩が考えられ
る。この塩は蒸発器で昇華される。蒸発器は特にドイツ特許申請ＤＥ１００４８
７５９に説明されるような形態とすることができる。ここでガスは蒸発器の塩が
山積みにされたフリットの下側に供給される。フリットまたは山積みの上側から
ガス状の初期物質で飽和されたガスが排出される。下流側の配管の適切な高温、
または初期物質の分圧を飽和分圧より下側に希釈することによって凝縮は回避さ
れる。
【００４３】 以下本発明の実施例を添付した図面によって説明する。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図１および５に図示した装置はそれぞれ２つの温度調整される容器５、５'を
備えている。図１に図示した装置においてはこの容器は直接反応炉１０のカバー
１４に配置される。図５に図示した実施例では両方の容器５、５'は反応炉１０
から幾分離れて配置される。容器５、５'にはタンク１、３が設けられる。この
タンクは初期物質の材料源の作用をする。タンク１、３には液体の初期物質２、
４が入れられる。初期物質は固体であってもよい。温度調整される容器５、５'
の内部はタンク１、３に入っている初期物質２、４が蒸発する温度になっている
。蒸発率は温度によって支配される。実施例では容器５に３つの材料源、容器５
'に同様に３つの材料源が配置される。両方の容器５、５'は異なった温度に保持
される。
【００４５】 両方の容器５、５'のそれぞれは搬送ガス３５を供給するため搬送ガス配管が
設けられる。搬送ガス配管はタンク１、３から流出するガス状の初期物質用の排
出管が各材料源に開口している。タンク１、３は耐熱バルブ特に制御バルブ３４
によって、自分自身も加熱することができるよう閉じたり開いたりすることがで
きる。搬送ガスおよび搬送ガスによって輸送されるプロセスガスが流れる配管６
、７が、図１による実施例では直接反応炉に開口する。図５による実施例では、
両方の配管６、７は温度調整被覆８、９によって容器５、５'の温度に等しいか
高い温度に保持される自由区間を経て延びる。配管６、７は反応炉に開口する。
反応ガスの配分は容器５、５'の温度または制御バルブ３４によって行われる。
【００４６】 配管６、７が開口する範囲の反応炉カバー１４は、温度調整される容器５、５
'より高い温度に保持される。配管６、７は直接反応室１１に開口せず最初は間
隔２９だけ反応炉カバーから離れたガス導入装置１５に開口する。典型的に構成
されたガス導入装置を図２および６２示す。
【００４７】 ガス導入装置１５は基板１２の直ぐ上にある。基板１２とガス導入装置１５の
底板１７の間に反応室がある。基板１２は冷却される支持体１３上に置かれる。
支持体の温度は調整される。このため支持体にペルチェ素子を設けることができ
る。しかし図１に示したように支持体１３の内部に空間室４１を設け、掃気配管
４０によって冷却流体を注入し、支持体１３の温度をガス導入装置１５の温度よ
り低い温度に保持することもできる。
【００４８】 この温度は反応炉の壁３７の温度よりも低い。ガス導入装置１５の温度はガス
状でガス導入装置１５に供給される初期物質２、４の凝縮温度より高い。反応炉
の壁３７の温度も凝縮温度より高いので、ガス導入装置１５から流出した分子は
専ら支持体１３の上に置かれた基板１２に凝縮する。
【００４９】 図２または６に示したガス導入装置１５は、いわゆる既知の「シャワーヘッド
」である。図２の実施例は全部で２つの互いに分離した空間２２、２３を示す。
空間は中間板１８によって互いに、およびカバー板１６または底板１７によって
反応室１１に対して仕切られる。図６による「シャワーヘッド」はただ一つの室
を持っている。この空間２２は底１７、リング３３およびカバー板１６によって
仕切られる。カバー板１６に両方の初期物質用の既述した配管６、７が開口する
。図６による実施例では一つの配管６だけが必要である。配管６または７は、カ
バー板１６に設けられる星形に半径方向に延びるダクト２１または２０に開口す
る。ほぼ円筒形の物体であるガス導入装置１５の縁の範囲で方向を変えた後、ダ
クト２０または２１は円筒形の空間２２、２３の外周にある半径方向外側の開口
漏斗２７または２８に開口する。開口漏斗２７、２８から流出したガスは空間２
２、２３に均等に配分される。
【００５０】 複数室のシャワーヘッドに設けられる中間板１８は、短管２４が突き出す開口
を有し空間２３を貫通して、空間２２に存在するガスが空間２３に存在するガス
と接触しないように底板１７に結合される。底板１７は短管２４の開口２６とず
らして開口２５が設けられ、ここから空間２３にあったガスが流出することがで
きる。
【００５１】 空間２２、２３にあったガスはノズル上に形成された開口２５、２６を通って
均等な流れの場に流出する。
【００５２】 開口２５、２６から流出するガスは乱流である。これらはそれぞれ噴射を形成
するので隣接して並んだ開口２５、２６から流出したガス流は基板１２の真上は
じめて、図６でｄの記号を付した限界層で混合する。限界層ｄより上では噴射３
６は互いにほぼ平行に、相互間の混合は殆ど生ずることなく延びる。距離ｄにお
いてほぼ均等なガス前面が形成される。
【００５３】 図２に示した実施例では、両側の空間２２、２３は互いに無関係にサーモスタ
ットにより温度調整される。図６に示した実施例では、唯一の空間２２がサーモ
スタットにより温度調整される。空間２２、２３を容器５、５'の温度より高く
、支持体１３の温度より相当高い事前に設定した温度に制御するため、加熱コイ
ル３０、３２が設けられる。加熱コイル３０、３２の代わりにダクトを板１７、
１８、１６に設け、温度調整した流体を貫流させることも考えられる。
【００５４】 リング３３は同様な方法で加熱される。リングには適切な方法で加熱コイルを
配置することができる。しかし適切な温度調整された液体で温度を保持すること
もできる。
【００５５】 実施例ではカバー板１６の下側に加熱板３１が設けられる。図３により加熱板
３１に波形模様の加熱コイルが取り付けられていることが分る。図６のガス導入
装置１５のカバー板も加熱することができる。
【００５６】 底板１７にも加熱コイルが波形模様に取り付けられる（図４参照）。
【００５７】 被膜用の初期物質としてＵＳ特許５５５４２２０に説明されるような塩が使用
される。塩の層の上を流れる搬送ガスをタンクに供給しながら、この塩をタンク
で昇華させる。このような蒸発器はＤＥ１００４８７５９．９に説明されている
。
【００５８】 図８に液体用の蒸発器の別の例を示す。搬送ガス４２は三方バルブを経て配管
によって液体または固体の初期物質２に供給される。初期物質２は排出配管およ
び加熱されたバルブ３４を通ってタンク１から排出される。配管６を経て初期物
質は搬送ガス３５によってガス導入装置１５に導入される。搬送ガス４２による
タンクの掃気は三方バルブの開閉によって行なわれる。閉じられた状態で搬送ガ
ス４２はバイパス配管４４を通って直接排出管または配管6に流れる。ガス流４
２およびガス流３５は質量流を制御される。三方バルブ３４の切り替え時に質量
流４２に影響を与えないため、バイパス配管４４にタンク全体と同じ流れの抵抗
を持たせる。
【００５９】 図１または５のそれぞれに示したタンク１、３は、図８に示したものか、また
はＤＥ１００４８７５９．９に説明されるものと同じ形態および接続を備える。
【００６０】 搬送ガス３５による希釈によって、タンク１３に続く配管システムまたはガス
導入装置１５の内部における初期物質２または初期物質３の分圧の低下が達成さ
れる。この希釈によって、個々の初期物質の分圧は飽和蒸気圧力よりも低いので
、下流側に続く配管６、７またはガス導入装置１５の温度を、凝縮を起こすこと
なく容器５、５'の温度より低くすることができる。
【００６１】 特に反応炉壁の外部に配置され、ダクト３９によって反応室１１に接続される
１つまたは多数のセンサ３８によって、基板の温度を測定することができる。
【００６２】 隙間２９に供給されたガスは、適切な成分の選定によってその熱伝導率を変化
させることができる。ガス成分の選定によりガス導入装置１５に出入りする熱の
移動を調整することができる。この方法によって温度も影響を受ける。
【００６３】 開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応す
る／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に
含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項
に含まれるものである。
【発明の効果】
装置の効率を高め、基板に凝縮する皮膜の品質を向上させる方法を提供する。 ［図面の簡単な説明］
【図１】 本発明による装置の図式的概略図である。
【図２】 図１による装置に使用されるガス導入装置の図式的概略図である。
【図３】 ガス導入装置の線III−IIIによる断面である。
【図４】 ガス導入装置の線IV−IVによる断面である。
【図５】 装置の第２の実施例に対する図式的概略図である。
【図６】 ガス導入装置の第２の実施例である。
【図７】 プロセスバラメータに対する説明である。
【図８】 初期物質の材料源の図式的な図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１４年２月１日（２００２．２．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 シェミッツ、デイトマー ドイツ国、52072 アーヘン、ロンヴェグ 41 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA11 BA62 CA01 DB15 4K030 AA17 AA18 EA05 EA06 GA02 JA03 JA04 JA09 JA10 JA12 KA24 KA41

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応ガスの少なくとも一部に固体および／または流体の初期物質
    および特に少なくとも一つの昇華材料源が使用され、少なくとも一つの皮膜を凝
    縮法によって少なくとも一つの基板に形成させる基板に皮膜を生成するための方
    法において、 材料源（１、３）および基板（１２）の間の反応ガスの濃度制御および／また
    は温度制御によって、反応ガスの基板の手前における凝縮が防止されることを特
    徴とする方法。
  2. 【請求項２】 特に、付随する余分なガス相の反応を抑制するため、ガス導入装
    置（１５）がガスの分離を考慮した入口の形態を使用することを特徴とする請求
    項１による方法。
  3. 【請求項３】 特に、材料源（１、３）が異なる温度に保持されることを特徴と
    する請求項１および２の何れかによる方法。
  4. 【請求項４】 特に、多数の噴射配置（２５、２６）を使用することを特徴とす
    る請求項１ないし３の何れかによる方法。
  5. 【請求項５】 特に、付随する余分な沈積およびそれに伴うガス相からの損失を
    低減するため、個々の反応ガスを重複しない流れとして噴射することを特徴とす
    る請求項１ないし４の何れかによる装置。
  6. 【請求項６】 特に、個々の噴射ノズルまたは噴射領域におけるガス出口速度を
    局部的なベルヌーイ効果を防止するように選択することを特徴とする請求項１な
    いし５の何れかによる装置。
  7. 【請求項７】 特に、初期物質のタンク（１、３）内の圧力を、それぞれ不活性
    ガス掃気（３５）および制御バルブ（３４）によって反応室（１１）の圧力と無
    関係に制御することを特徴とする請求項１ないし６の何れかによる装置。
  8. 【請求項８】 ・反応室（１１）、 ・少なくとも一つの支持体（１３）、および ・少なくとも一つの初期物質用の材料源（１、３）を有するガス導入システム（
    ５、５'）、を備えた凝縮皮膜生成のための装置において、 材料源（１、３）貯蔵容器、支持体（１３）、反応炉壁およびガス導入装置が
    、別々に反応炉壁（３７）、ガス導入装置（１５）および前駆体貯蔵容器（１、
    ３）が、支持体（１３）上の基板（１２）よりそれぞれ高い温度に制御できるよ
    うサーモスタットによる調整が可能であることを特徴とする装置。
  9. 【請求項９】 特に、材料源（１、３）は別々にサーモスタットによる温度調整
    ができるので、すべての室表面および入口表面を高温側の熱勾配に調整が可能で
    あり、および 圧力および温度によってガス状の初期物質の輸送量のも制御可能であることを
    特徴とする請求項１ないし８の何れかによる装置。
  10. 【請求項１０】 特に、１つまたはすべての貯蔵容器（１、３）を液体または電
    気的な部品によってサーモスタットによる温度調整を実施することを特徴とする
    請求項１ないし９による何れかの装置。
  11. 【請求項１１】 特に、プロセス温度より高い温度によって貯蔵容器の清掃が可
    能となるよう加熱装置が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１０の
    何れかによる装置。
  12. 【請求項１２】 特に、ガス導入装置（１５）が１つまたは多数の分離されたプ
    レナム（空間２２、２３）を有する単室または多数室のシャワーヘッドとして構
    成されていることを特徴とする請求項１ないし１１による何れかの装置。
  13. 【請求項１３】 特に、搬送ガスとしてＡｒ、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅが個別にまたは
    混合して使用されることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかによる装置。
  14. 【請求項１４】 特に、ガス状の初期物質がプレナム（２２、２３）毎に分離さ
    れてノズル（２５、２６）を経て反応室（１１）に供給されるので、材料源の材
    料はガス入口から流出した後、特に基盤（１２）の直前で初めて混合することが
    できることを特徴とする請求項１ないし１３の何れかによる装置。
  15. 【請求項１５】 特に、２つまたは多数のガス状の初期物質がそれぞれのプレナ
    ム（２２、２３）に分離され、ノズル（２５、２６）を経て反応室に供給される
    ことを特徴とする請求項１ないし１４の何れかによる装置。
  16. 【請求項１６】 特に、それぞれのプレナムのノズル（２５、２６）が基板（１
    ２）に対して任意の角度で配置されることを特徴とする請求項１ないし１５の何
    れかによる装置。
  17. 【請求項１７】 特に、それぞれプレナム（２２、２３）のノズル（２５、２６
    ）が同一または異なる直径によって構成されるので、同一または異なる粘度の初
    期物質の質量流が均等に分布して噴射されることが保証されることを特徴とする
    請求項１ないし１６の何れかによる装置。
  18. 【請求項１８】 特に、それぞれのプレナムのノズル（２５、２６）が同一また
    は異なる間隔を持ち、均等で密集した噴射の配分が行なわれるよう構成されるこ
    とを特徴とする請求項１ないし１７の何れかによる装置。
  19. 【請求項１９】 特に、それぞれのプレナム（２２、２３）が別個にサーモスタ
    ットにより温度調整されるので、相当に異なる条件で昇華する初期物質を使用す
    ることができることを特徴とする請求項１ないし１８の何れかによる装置。
  20. 【請求項２０】 特に、１つまたはすべてのプレナム（２２、２３）に対する液
    体または電気的部品（３０、３２）によって行なわれるサーモスタットによる温
    度調整、および それぞれのプレナム（２２、２３）内の初期物質の凝縮が防止されることを特
    徴とする請求項１ないし１９の何れかによる装置。
  21. 【請求項２１】 特に、反応炉壁にセンサ（３８）および付随するダクト（３９
    ）が設けられ、皮膜の特性および／または基板（１２）の表面の測定が可能であ
    ることを特徴とする請求項１ないし２０の何れかによる装置。
  22. 【請求項２２】 特に、支持体（１３）が円形、角形、平面、湾曲形またはシー
    ト状の基板を収納するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし２
    １の何れかによる装置。
  23. 【請求項２３】 特に、周板空洞（４１）内の液体または電気的部品（ペルチェ
    ／抵抗加熱器）によって、支持体を支持体表面およびその他のすべての壁（３７
    ）およびガス相との間で低温側の温度勾配に保持し、凝縮による基板の皮膜生成
    を制御することができることを特徴とする請求項１ないし２２の何れかによる装
    置。
  24. 【請求項２４】 特に、支持体（１３）および反応室（１１）の清掃をプロセス
    温度より高くした温度で実施できるように、支持体（１３）に加熱装置が設けら
    れることを特徴とする請求項１ないし２３の何れかによる装置。
  25. 【請求項２５】 特に、凝縮温度が材料源温度より低くなるようにするため、タ
    ンク（１、３）から流出したガスの配管（６）またはガス導入装置（１５）内の
    初期物質の濃度を搬送ガス（３５）により希釈することを特徴とする請求項１な
    いし２４の何れかによる装置。
  26. 【請求項２６】 特に、基板は皮膜生成の過程で、例えばシャドウマスクなどに
    よりマスクされることを特徴とする請求項１ないし２５の何れかによる装置。
  27. 【請求項２７】 特に、突然の質量流の変化を防止するため、タンクに対する制
    御された質量流をバイパス配管（４４）に迂回させることができることを特徴と
    する請求項１ないし２６の何れかによる装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP2007506271A (ja) * 2003-09-17 2007-03-15 アイクストロン、アーゲー 液状又は溶液の原料を用いマルチチャンネル装置を介して不連続に射ち込み、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置
JP2008506617A (ja) * 2004-07-15 2008-03-06 アイクストロン、アーゲー ＳｉとＧｅを含有する膜の堆積方法
JP2011117030A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合装置
JP2011522129A (ja) * 2008-06-03 2011-07-28 アイクストロン、アーゲー 低圧ガス相の中で薄膜ポリマーを堆積させるための堆積方法
JP2012102409A (ja) * 2000-03-16 2012-05-31 Applied Materials Inc 半導体ウェーハ処理システムのシャワーヘッドのための上下続きの２つのガスのフェースプレート

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
JP3682465B2 (ja) * 1999-03-31 2005-08-10 独立行政法人産業技術総合研究所 樹脂成形物表面層の改質方法およびそのための装置および表面層が改質された樹脂成形物、および樹脂成形物表面層の着色方法およびそのための装置および表面層が着色された樹脂成形物、および表面層の改質により機能性を付与された樹脂成形物
US6572706B1 (en) * 2000-06-19 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Integrated precursor delivery system
EP1361604B1 (en) * 2001-01-22 2009-03-18 Tokyo Electron Limited Device and method for treatment
JP3990881B2 (ja) * 2001-07-23 2007-10-17 株式会社日立製作所 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
CN1287002C (zh) * 2001-09-04 2006-11-29 普林斯顿大学理事会 喷射沉积有机物蒸汽的方法和装置
US7744957B2 (en) 2003-10-23 2010-06-29 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material
US7404862B2 (en) 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US8535759B2 (en) 2001-09-04 2013-09-17 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material using a dynamic pressure
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
DE10212923A1 (de) * 2002-03-22 2004-01-08 Aixtron Ag Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7208195B2 (en) * 2002-03-27 2007-04-24 Ener1Group, Inc. Methods and apparatus for deposition of thin films
JP2004055401A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Sony Corp 有機膜形成装置
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US6797337B2 (en) * 2002-08-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for delivering precursors
JP4352783B2 (ja) 2002-08-23 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系及び処理システム
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
KR100473806B1 (ko) * 2002-09-28 2005-03-10 한국전자통신연구원 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법
DE10256850A1 (de) * 2002-12-04 2004-06-24 Basf Ag Verfahren und Aufdampfung von Verbindung(en) auf einen Träger
WO2004088729A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-14 Tokyo Electron Limited Chemical processing system and method
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20050000428A1 (en) * 2003-05-16 2005-01-06 Shero Eric J. Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
KR101137901B1 (ko) * 2003-05-16 2012-05-02 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 박막 증착 증발기
DE10324880B4 (de) * 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050079278A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
KR100513920B1 (ko) * 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
JP4607474B2 (ja) * 2004-02-12 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4451684B2 (ja) * 2004-03-17 2010-04-14 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
US20050281948A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Eastman Kodak Company Vaporizing temperature sensitive materials
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
KR100583542B1 (ko) * 2004-11-06 2006-05-26 주식회사 아이피에스 박막증착장치
KR100965408B1 (ko) * 2004-12-02 2010-06-24 엘아이지에이디피 주식회사 Ｏｌｅｄ용 증착장치
US7776456B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
FR2878863B1 (fr) * 2004-12-07 2007-11-23 Addon Sa Dispositif de depot sous vide a reservoir de recharge et procede de depot sous vide correspondant.
JP4560394B2 (ja) * 2004-12-13 2010-10-13 長州産業株式会社 薄膜形成用分子供給装置
US20060134301A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Unilever Bestfoods, North America, Division Of Conopco, Inc. Method for making a food composition with a preservative free enhancer and a food composition
EP1752555A1 (de) * 2005-07-28 2007-02-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Verdampfervorrichtung
KR20080041259A (ko) * 2005-09-06 2008-05-09 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 성막용 재료 및 성막용 재료의 추정 방법
US20090087545A1 (en) * 2005-09-20 2009-04-02 Tadahiro Ohmi Film Forming Apparatus, Evaporating Jig, and Measurement Method
US8357434B1 (en) 2005-12-13 2013-01-22 Lam Research Corporation Apparatus for the deposition of a conformal film on a substrate and methods therefor
KR100764627B1 (ko) * 2006-02-01 2007-10-08 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
JP5179739B2 (ja) * 2006-09-27 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
US8069817B2 (en) * 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
DE102007020852A1 (de) * 2007-05-02 2008-11-06 Stein, Ralf Gasversorgungssystem und Verfahren zur Bereitstellung eines gasförmigen Abscheidungsmediums
DE102007030499A1 (de) 2007-06-30 2009-01-08 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von insbesondere dotierten Schichten mittels OVPD oder dergleichen
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
US20110070370A1 (en) * 2008-05-28 2011-03-24 Aixtron Ag Thermal gradient enhanced chemical vapour deposition (tge-cvd)
DE102008026974A1 (de) * 2008-06-03 2009-12-10 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene
KR100994920B1 (ko) * 2008-06-05 2010-11-17 주식회사 소로나 기상 자기조립 단분자막 코팅장치
US20100266765A1 (en) * 2009-04-21 2010-10-21 White Carl L Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
US9117773B2 (en) * 2009-08-26 2015-08-25 Asm America, Inc. High concentration water pulses for atomic layer deposition
US8801856B2 (en) 2009-09-08 2014-08-12 Universal Display Corporation Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
US9634165B2 (en) * 2009-11-02 2017-04-25 International Business Machines Corporation Regeneration method for restoring photovoltaic cell efficiency
TWI372081B (en) 2010-02-02 2012-09-11 Hermes Epitek Corp Showerhead
SG10201602599XA (en) 2011-03-04 2016-05-30 Novellus Systems Inc Hybrid ceramic showerhead
DE102011051263B4 (de) * 2011-06-22 2022-08-11 Aixtron Se Vorrichtung zur Aerosolerzeugung und Abscheiden einer lichtemittierenden Schicht
DE102012203212A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichtungsanlage und verfahren zur durchführung eines aufwachsprozesses
KR20200124780A (ko) 2012-05-31 2020-11-03 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
US9388494B2 (en) 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
DE102012022744B4 (de) * 2012-11-21 2016-11-24 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Vorrichtung zum Einstellen einer Gasphase in einer Reaktionskammer
US10316409B2 (en) 2012-12-21 2019-06-11 Novellus Systems, Inc. Radical source design for remote plasma atomic layer deposition
US9399228B2 (en) 2013-02-06 2016-07-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber
US10741365B2 (en) * 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
JP5837962B1 (ja) * 2014-07-08 2015-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
WO2016037964A1 (de) * 2014-09-08 2016-03-17 Cynora Gmbh Verbesserte optisch aktive schicht und verfahren zur herstellung
US9793096B2 (en) * 2014-09-12 2017-10-17 Lam Research Corporation Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity
DE102014115497A1 (de) 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen
JP6442234B2 (ja) * 2014-11-07 2018-12-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置、貯留容器および気相成長方法
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) * 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
GB201513339D0 (en) * 2015-07-29 2015-09-09 Pilkington Group Ltd Coating apparatus
US10403515B2 (en) * 2015-09-24 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock integrated bevel etcher system
US10662529B2 (en) * 2016-01-05 2020-05-26 Applied Materials, Inc. Cooled gas feed block with baffle and nozzle for HDP-CVD
US9758868B1 (en) 2016-03-10 2017-09-12 Lam Research Corporation Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure
US10403474B2 (en) * 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system
DE102016118345A1 (de) 2016-08-01 2018-02-01 Aixtron Se Konditionierverfahren für einen CVD-Reaktor
CN109790621A (zh) 2016-08-09 2019-05-21 辛古勒斯技术股份公司 用于使基板同时旋转和悬浮的非接触式基板载体
US10604841B2 (en) 2016-12-14 2020-03-31 Lam Research Corporation Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
TWI649446B (zh) * 2017-03-15 2019-02-01 漢民科技股份有限公司 應用於半導體設備之可拆卸式噴氣裝置
DE102017106431A1 (de) * 2017-03-24 2018-09-27 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Herabsetzen des Wasserpartialdrucks in einer OVPD-Beschichtungseinrichtung
KR102369676B1 (ko) * 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20200087267A (ko) 2017-12-08 2020-07-20 램 리써치 코포레이션 리모트 플라즈마 막 증착을 인에이블하도록 다운스트림 챔버로 라디칼 및 전구체 가스를 전달하기 위해 개선된 홀 패턴을 갖는 통합된 샤워헤드
KR20190090414A (ko) * 2018-01-24 2019-08-02 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
US11380523B2 (en) * 2019-02-14 2022-07-05 Hitachi High-Tech Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
FI129578B (en) * 2019-06-28 2022-05-13 Beneq Oy Atomic layer growth equipment
DE102019129789A1 (de) * 2019-11-05 2021-05-06 Aixtron Se Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht sowie CVD-Reaktor
CN116670322A (zh) * 2020-12-19 2023-08-29 朗姆研究公司 利用多个均匀加热的进料容积的原子层沉积
DE102021120004A1 (de) 2021-08-02 2023-02-02 Thyssenkrupp Steel Europe Ag Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines Gegenstands, Verfahren zum Beschichten eines Gegenstands sowie Verwendung

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62273714A (ja) * 1986-05-21 1987-11-27 Clarion Co Ltd 有機金属ガス供給方法および装置
JPH04114728A (ja) * 1990-09-04 1992-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液体ソース供給装置
US5186410A (en) * 1991-06-12 1993-02-16 Toews Timothy R Wire reel mechanism
US5447568A (en) * 1991-12-26 1995-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material
JP2987663B2 (ja) * 1992-03-10 1999-12-06 株式会社日立製作所 基板処理装置
US5381605A (en) 1993-01-08 1995-01-17 Photonics Research Incorporated Method and apparatus for delivering gas
FR2707671B1 (fr) 1993-07-12 1995-09-15 Centre Nat Rech Scient Procédé et dispositif d'introduction de précurseurs dans une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur.
JPH0781965A (ja) * 1993-07-22 1995-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置
DE69535412D1 (de) * 1994-04-08 2007-04-12 Canon Kk Verarbeitungssystem zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
GB9411911D0 (en) 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
US5410178A (en) * 1994-08-22 1995-04-25 Northwestern University Semiconductor films
JPH08176826A (ja) * 1994-12-28 1996-07-09 Mitsubishi Electric Corp Ｃｖｄ法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるｃｖｄ原料及び液体原料容器
US5776254A (en) 1994-12-28 1998-07-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US5554220A (en) 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
JP3612839B2 (ja) * 1996-02-13 2005-01-19 三菱電機株式会社 高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
JP3585633B2 (ja) * 1996-03-19 2004-11-04 株式会社アルバック 蒸着重合装置
US5997642A (en) 1996-05-21 1999-12-07 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films
US5976261A (en) 1996-07-11 1999-11-02 Cvc Products, Inc. Multi-zone gas injection apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment
US6090210A (en) 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5882410A (en) * 1996-10-01 1999-03-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High dielectric constant thin film structure, method for forming high dielectric constant thin film, and apparatus for forming high dielectric constant thin film
US5804259A (en) * 1996-11-07 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film
US5935334A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system
US6019848A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Lid assembly for high temperature processing chamber
EP0946782A1 (en) * 1996-11-27 1999-10-06 Emcore Corporation Chemical vapor deposition apparatus
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
JPH10330910A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Toray Ind Inc シャドーマスクおよびその製造方法
US5882416A (en) * 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
US6258170B1 (en) * 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
EP0975821B1 (de) * 1998-02-18 2001-10-17 AIXTRON Aktiengesellschaft Cvd-reaktor und dessen verwendung
DE19813523C2 (de) 1998-03-26 2000-03-02 Aixtron Ag CVD-Reaktor und dessen Verwendung
JP2000001783A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Sony Corp 成膜装置およびそのクリーニング方法
US6148761A (en) * 1998-06-16 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Dual channel gas distribution plate
US6309465B1 (en) * 1999-02-18 2001-10-30 Aixtron Ag. CVD reactor
WO2001057289A1 (de) * 2000-02-04 2001-08-09 Aixtron Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012102409A (ja) * 2000-03-16 2012-05-31 Applied Materials Inc 半導体ウェーハ処理システムのシャワーヘッドのための上下続きの２つのガスのフェースプレート
JP2007506271A (ja) * 2003-09-17 2007-03-15 アイクストロン、アーゲー 液状又は溶液の原料を用いマルチチャンネル装置を介して不連続に射ち込み、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置
JP4719679B2 (ja) * 2003-09-17 2011-07-06 アイクストロン、アーゲー 膜製造方法及び膜製造装置
JP2008506617A (ja) * 2004-07-15 2008-03-06 アイクストロン、アーゲー ＳｉとＧｅを含有する膜の堆積方法
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP2011522129A (ja) * 2008-06-03 2011-07-28 アイクストロン、アーゲー 低圧ガス相の中で薄膜ポリマーを堆積させるための堆積方法
JP2011117030A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合装置

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