JP2003510574A - 高周波測定プローブ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は高周波測定プローブに関する。この測定プローブは、プレーナ構造に接触させるための接触端（２０）と、同軸ケーブル（２２）に接続させるための同軸ケーブル端（１８）とを含む。接触端（２０）と同軸ケーブル端（１８）の間は、少なくとも二つ以上の導体（１２，２４）からなるコプレーナ導体構造物（１０）となっている。コプレーナ導体構造物（１０）を坦持している誘電体（２８）は、コプレーナ導体構造物（１０）の少なくとも片側、特に両側に接合されている。コプレーナ導体構造物（１０）は、同軸ケーブル端（１８）と接触端（２０）との間の予め決められた部分を越えて延びている。誘電体（２８）と接触端（２０）との間で、コプレーナ導体構造物（１０）の導体（１２，１４）が自由空間を持ち、坦持体である誘電体（２８）に対して弾性的となるように、測定プローブ（１００）が構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、高周波測定プローブに関し、請求項１の前文に記載されているよう
に、プレーナ構造に接触させるための接触端と、同軸ケーブルへの接続のための
同軸ケーブル端と、接触端と同軸ケーブル端の間に配列されている、少なくとも
二つの導体とを具えたコプレーナ導体構造物を具備する高周波測定プローブに関
するものである。また、本発明は高周波測定プローブの製造方法に関し、請求項
８の前文に記載されているように、プレーナ構造を接触させるための接触端と、
同軸ケーブルへの接続のための同軸ケーブル端と、接触端と同軸ケーブル端の間
に配列されている、少なくとも二つの導体を具えたコプレーナ導体構造物を具備
する高周波測定プローブの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

ウエハ上に設けられた電子回路について、例えば、それらの動作能力及びそれ
らの電気特性を評価するために、通常、測定プローブが用いられている。この測
定プローブは、評価されるべき電子回路上の接触点に機械的に当てるようにして
適用されている。評価されるべきこの種の電子回路として、高周波信号を発生す
るもの又は高周波信号を処理するものが増加してきている。これは、測定プロー
ブについて、然るべき注意を要することが、そのインピーダンスであるというこ
とを意味している。換言すれば、測定プローブは、評価されるべき電子回路との
接触において調和のとれたインピーダンスを持つ必要があるということである。
調和が取れていないならば、一般的に知られているように、測定において望まし
くない効果を持つ相応の反射が起こり、全体として測定が不能になる恐れがある
。また、対応する接触点での反射は、この種のインピーダンスの飛び越しを生じ
させるので、測定プローブ自身に関してインピーダンスの変化さえも起こさない
ということもある。

【０００３】 それゆえ、米国特許第４６９７１４３号明細書に記載された測定プローブが知
られている。これは、一定のインピーダンスが、測定ケーブルから接触点までに
おいて得られるように、信号導体と接地導体とを持っているものである。信号導
体と接地導体とは、お互いに離れており、所望の一定のインピーダンスが得られ
るように構成されている。しかしながら、この測定プローブは、酸化アルミニウ
ム層を使用しているので、より高い領域の周波数モードを回避するために、複雑
な保護物を必要とした。また、測定プローブは複雑で製造するのに困難で且つ高
価となる。許容しうる公差という観点から、製造された全ての測定プローブが、
所望の特性を満足せず、それゆえ、製造効率が低下し、したがって、測定プロー
ブがより高価となる。加えて、特に三つ又はそれ以上の導体を持つコプレーナ導
体構造物を全体的に厳密に配置することは、接触において問題が存在することを
意味している。これは、ウエハ上に存在する与えられた寸法と、測定プローブに
おける公差とにより、測定プローブの機械的配列と接触点とが公差を受け、測定
プローブが接触点に適用されたとき、測定プローブのコプレーナ導体構造物中の
全ての導体を、複数の接触点がなす平面に的確に存在させることが、実質的に機
械的に不可能となる。それゆえ、ある導体は特定の接触点でよく接触し、他の導
体は接触が不十分であるか全く接触しないということがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】

それゆえ、本発明の目的は、上記の種類の改良された測定プローブを提供する
ことにある。また、簡単に低廉に大量生産でき、しかも同時に良好な接触を可能
とする測定プローブの製造方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

上記した目的は、請求項１の特徴部分に記載された構成を持つ測定プローブに
よって達成される。また、請求項８の特徴部分に記載された構成を持つ方法によ
って達成される。本発明の好ましい態様は、各々のケースにおいて、各請求項に
記載されている。

【０００６】 上記種類の測定プローブにおいて、本発明によれば、有用な誘電体が準備され
る。この誘電体は、コプレーナ導体構造物の少なくとも片側、特に両側に配され
て装備される。装備される場所は、同軸ケーブル端と接触端との間の所定の区域
である。測定プローブは、誘電体と接触端との間に形成されるので、コプレーナ
導体構造物中の導体は、自由空間を持ち、装備されて機能する誘電体との関係で
弾性的である。

【０００７】 これは、大量生産が可能で、安価で正確な測定プローブを提供しうるという利
点がある。また、測定のために、プレーナ構造に接触させたとき、反射が少ない
ので、測定プローブのインピーダンスを制御しうるという利点もある。本発明に
係る測定プローブは、４０〜６０ＧＨｚの周波数を適用しうる点で注目に値する
。そして、本発明による工夫のため、全てのコプレーナ導体構造物に関して、イ
ンピーダンスは実質的に分散等を起こさないし、また適用する周波数によって影
響を受けない点も注目に値する。誘電体と接触端との間に形成されたコプレーナ
導体構造物の導体の自由な弾性的な配置は、以下のことを確保する。すなわち、
全ての導体と測定されるデバイス上の対応する接触点との間で高精度の接触を確
保する。高精度の接触は、測定プローブが接触点に適用されたとき、測定プロー
ブが傾くことによる影響を受けない。

【０００８】 測定プローブの接触における特性インピーダンスを確保するため、コプレーナ
導体構造物における同軸ケーブル端から接触端までの各一対の導体間に、各々、
好適な間隙が設けられる。特に、各々の間隙は、誘電体の区域の方が、コプレー
ナ導体構造物の誘電体不存在区域に比べて、より広く形成されている。

【０００９】 より好ましい態様は、誘電体が少なくとも一つの石英のブロックの形態である
ことである。

【００１０】 コプレーナ導体構造物と誘電体ブロックとの確実な接合を図るため、誘電体ブ
ロックがコプレーナ導体構造物と接合する面に、コプレーナ導体構造物の面に実
質的に一致する金属コーティングが施される。

【００１１】 所望の作用周波数を超えるより高い領域の周波数モードを抑制するため、コプ
レーナ導体構造物から離れた誘電体の一つの面全面が金属化される。これはまた
、誘電体において、閉ざされた保護構造を与える。

【００１２】 ある種の適用のため、平面回路、特に能動電気回路、能動電子回路又は少なく
とも一つの能動回路要素が同軸ケーブル端に配置されている。付加的な回路又は
付加的な回路要素は、測定プローブと測定プローブの接触端で測定されるべき回
路との間が接触する際に、速やかに配置される。

【００１３】 本発明において、コプレーナ導体構造物はリトグラフィックエレクトロ製造法
によって作成される。

【００１４】 この方法により、高周波数の反射が少なく、正確に予定された特性インピーダ
ンスを持つ寸法の小さい測定プローブが得られるという利点がある。そして、簡
単で、安価に、大量生産で、広い周波数域を持つ測定プローブが得られるという
利点がある。

【００１５】 大量生産に関し、一つの又は二つ以上のコプレーナ導体構造物が、フォトリト
グラフィック法で、シリコンウエハ上に作成される。

【００１６】 最終工程までに、リトグラフィックエレクトロ製造法によって、コプレーナ導
体構造物の導体は複雑な配列なしに、導体の一端を繋ぐことで機械的強度が付与
される。

【００１７】 好ましい製造法の態様は、以下の工程を含むものである。 （ａ）シリコンウエハ上に金属層を蒸着させる工程。 （ｂ）前記金属層上に感光性レジストを適用する工程。 （ｃ）作成される少なくとも一つのコプレーナ導体構造物の構成を持つネガフ
ィルムを通して、前記感光性レジストを露光する工程。 （ｄ）作成されるコプレーナ導体構造物の構成に対応する凹部を持つ構造を与
えるように前記感光性レジストを現像する工程。 （ｅ）電気メッキ法によって電導性物質を前記凹部に充填する工程。 （ｆ）前記金属層を除去し、前記ウエハからコプレーナ導体構造物を分離する
工程。 （ｇ）同軸ケーブル端と接触端との間において、前記コプレーナ導体構造物の
片面又は両面に媒介要素を接合させる工程。 （ｈ）前記コプレーナ導体構造物を同軸ケーブルに接続する工程。

【００１８】 工程（ａ）における金属層は、例えば、チタニウム、銀、クロム及び／又は金
を含んでいる。また、一つの選択として、工程（ｅ）における電導性物質はニッ
ケルであってもよい。工程（ｇ）における媒介要素は、例えば、誘電体、特に石
英のブロックである。特に好ましくは、その後の工程において、コプレーナ導体
構造物及び媒介要素を筐体内に収納させてもよい。また、石英のブロックの区域
において、全ての面に保護を与えたトンネル構造としても良い。

【００１９】 コプレーナ導体構造物の導体の位置を固定させるための好ましい方法は、次の
とおりである。すなわち、工程（ａ）から（ｅ）において、特に同軸ケーブル端
で、全ての導体を繋ぐ架橋部を、各コプレーナ導体構造物の作成と共に得ること
である。この架橋部は、好ましくは、媒介要素を設けた後、同軸ケーブルを接続
する前に取り除かれる。

【００２０】 更に、より高強度とするために、架橋部は、コプレーナ導体構造物を囲繞する
枠を含んでいてもよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】

以下、図面に基づいて、本発明の詳細を説明する。

【００２２】 本発明による測定プローブの第一の好ましい態様は、図１に示されている。こ
れは、中央に信号導体１２を用い、これのコプレーナ位置に信号導体１２と隣接
して配列された二つの接地導体１４を持つものである。所定の間隙１６が、信号
導体１２と接地導体１４の間に形成されている。コプレーナ導体構造物１０は、
同軸ケーブル端１８から接触端２０まで延びており、間隙１６は、一定の予め決
められた特性インピーダンスになるように、コプレーナ導体構造物１０の全長に
亙って形成されている。同軸ケーブル端１８において、コプレーナ導体構造物１
０は、同軸ケーブル２２と接続しており、信号導体１２は同軸ケーブルの中心導
体２４に接続し、接地導体１４は同軸ケーブルの外部導体２６に接続している。

【００２３】 同軸ケーブル端１８と接触端２０との間の中央部において、コプレーナ導体構
造物１０の両側に、各々、石英のブロック２８が接合されている。二つの石英の
ブロック２８とコプレーナ導体構造物１０とは、サンドイッチ構造となるよう、
石英のブロックの間にコプレーナ導体構造物が配置されている。石英のブロック
は、コプレーナ導体構造物１０に堅固に接合されている。そして、コプレーナ導
体構造物１０に接合している各々の石英ブロック２８の面は、実質的にコプレー
ナ導体構造物１０の形に合致させて金属化されている。この方法で得られること
は、コプレーナ導体構造物１０の導体１２及び１４と石英ブロック２８との間の
堅固で正確な接合である。誘電体２８との電磁気的な関係のため、石英ブロック
２８の区域において、間隙１６を拡大することができる。このため、同軸ケーブ
ル端１８から接触端２０までの全てのコプレーナ導体構造物１０に亙って、一定
の特性インピーダンスを与えうる。二つの石英ブロック２８の各々が金属化され
ていることによって、好ましい適合した技術的方法によって、電気的に両者を接
合しうるという利点もある。これはまた、両石英ブロックの二つの面と、対応す
る同様の面の保護動作とが、同一の接地平面を与える。

【００２４】 図１から明白なように、導体１２，１４は、装備されている石英ブロック２８
と接触端２０との間の区域において、自由空間を持つように配置されている。こ
のため、各々の導体は、石英ブロック２８が装備されている区域に比べて、個々
に弾性的となる。測定プローブ１００の接触端２０が、測定されるべき電気回路
の適当な接触点に機械的に押圧されたとき、コプレーナ導体構造物１０の各々の
導体１２，１４は、個々に弾性的であり、これは各々の導体１２，１４が、その
指定された特別な接触点に最適条件で接触するということを意味している。接触
点に機械的に押圧したとき、測定プローブ１００にいかなる傾きがあっても、ま
た導体１２，１４自身又は接触点の表面にいかなる公差があっても、個々の導体
１２，１４の弾性的な動きによって補正されるのである。この結果、導体１２，
１４が対応する接触点に機械的に適用されれば、常に同様の所定の接触が得られ
るのである。従って、本発明に係る測定プローブ１００を用いれば、最適条件で
の測定が可能となるのである。

【００２５】 上記した例は、接地（ｇｒｏｕｎｄ）−信号（ｓｉｇｎａｌ）−接地（ｇｒｏ
ｕｎｄ）、すなわち、ｇ−ｓ−ｇ設計における三つの導体１２，１４を持つ測定
プローブ１００を示したものである。コプレーナ導体構造物は、ただ二つの導体
１２，１４を持っているものでもよく、三つよりも多い導体１２，１４を持って
いてもよい。三つの超える導体は、信号導体と接地導体とを、次のように設計し
うる。ｇ−ｓ−ｇ−ｓ−ｇ−ｓ−ｇ・・・又はｇ−ｓ−ｇ−ｇ−ｓ−ｇ−ｇ−ｓ
−ｇ−ｇ・・・等の設計とすることができる。この方法で、多数のコプレーナ信
号線路を有している電気回路を、一つの測定プローブで測定することが可能とな
る。

【００２６】 本発明の第二の好ましい態様に係る測定プローブ２００が、図２に示されてい
る。これは、実質的に図１に示したものと同様である。そして、同一の箇所は同
一の符号で示されている。従って、同一の箇所の説明については、上記した図１
に関する説明を参照して頂きたい。第一の態様に係る測定プローブ１００と違っ
て、石英ブロック２８は、コプレーナ導体構造物１０から離れた面において、全
面金属化層３０を持っている。この金属化層は、所望の作用周波数を超える望ま
しくない高い領域の周波数モードを抑制し、同時に、コプレーナ導体構造物の所
定の領域を閉じた系とするものである。

【００２７】 本発明の第三の好ましい態様に係る測定プローブ３００が、図３に示されてい
る。これはシリコンウエハ上で、本発明に係る方法で作成された後の状態を示し
たものである。図３において、同一の箇所は同一の符号で示されており、その箇
所は上記した図１及び図２の説明を参照して頂きたい。図３に示された測定プロ
ーブ３００において、コプレーナ導体構造物１０の導体１２，１４は、リトグラ
フィックエレクトロ製造法（これは後述される。）によって、作成されたもので
ある。この導体１２，１４は、第一に架橋部３２によって機械的に繋がれている
。架橋部３２を持つ一つの片が枠３４を形成しており、この枠３４は、一平面に
おいてコプレーナ導体構造物１０の全周を囲繞している。この枠３４によって、
測定プローブが最終的に完成するまで、コプレーナ導体構造物１０を必要に応じ
て手指で取り扱うことが可能となる。これにより、コプレーナ導体構造物１０の
導体１２，１４自身を手指で触らなくてもよく、導体１２，１４が損傷を受ける
のを防止しうる。リトグラフィックエレクトロ製造法によって、シリコンウエハ
上に図３に示されたコプレーナ導体構造物１０、架橋部３２及び枠３４が形成さ
れた後、各部分１０，３２，３４はシリコンウエハと分離され、石英ブロック２
８がコプレーナ導体構造物１０における間隙１６が拡げられた適当な区域の上側
及び下側に、例えば接着によって固定される。石英ブロック２８の装備によって
、ここからコプレーナ導体構造物１０は本質的な強度を持つ。それゆえ、コプレ
ーナ導体構造物１０と架橋部３２と枠３４との間の繋ぎを、除去することができ
る。この除去は、例えば、図示した３６の線で行われる。コプレーナ導体構造物
１０と架橋部３２との分離除去によって、二つの外側の接地導体１４の外側端３
６が同軸ケーブル端１８に向けて突出し、コプレーナ導体構造物１０を自動的に
同軸ケーブルと接続することが可能となる。

【００２８】 コプレーナ導体構造物１０の導体１２，１４は、接触端２０に向けて次第に細
くなっており、導体と接触する測定されるべき電気回路の接触点に好適に合致す
るようになっている。一定の特性インピーダンスを維持するために、間隙１６も
接触端２０に向けて、接触端に至る区域２９において次第に細くなっている。

【００２９】 図１乃至図３に示した本発明に係る測定プローブの一つの特別に優れた特性は
、次のとおりである。すなわち、間隙１６によって設定されたインピーダンスは
、コプレーナ導体構造物１０等を越える分散が実質的に生じないこと、インピー
ダンスと面方向の速度は、作用周波数に対して実質的に独立していることである
。

【００３０】 本発明に係る測定プローブの製造方法を、図４乃至図７に示した模式的な形態
において、次のとおり、詳細に説明する。最初の工程において、シリコンウエハ
上に金属層４０が蒸着される（図４）。金属層は、例えば、チタニウム、銀、ク
ロム又は金を含んでいる。次の工程において、感光性レジスト４２が、図５に示
されているように、金属層４０上に適用される。この感光性レジストはマスク（
例えば、ネガフィルム）を通して露光される。マスクは、図３に示したように、
シリコンウエハ３８上に、ある程度の数のコプレーナ導体構造物１０が、各架橋
部３２及び各枠３４と共に作成されるように設計されている。必要ならば、隣り
合う枠は、物理的に一体となっていてもよい。この場合において、図３に示した
ような、架橋部３２と枠３４とを持つコプレーナ導体構造物１０を多数、次々と
、シリコンウエハ上に作成することができるという特別な利点がある。フォトリ
トグラフィック法によって、レジスト４２は、コプレーナ導体構造物１０、各架
橋部３２及び各枠３４の部分が不存在で表される形状となる。このようにするた
め、レジストは適当な方法で現像される。その後の工程において、図５に示した
ように、レジストで作られた凹部４３は、例えばニッケルのような電導性物質４
４で電気メッキ法によって充填され、図６に示した状態となる。図６に示した状
態から、レジスト４２が除去され、図７に示した状態を与える。このため、電導
性物質４４は、図３に示した、特別な架橋部３２及び特別な枠３４を持つ所望の
コプレーナ導体構造物１０となる。最後に、電導性物質４４とシリコンウエハ３
８とを画する層である金属層４０が除去され、コプレーナ導体構造物と架橋部と
枠とからなる物が、シリコンウエハ３８から次々と分離してゆくのである。次に
、枠３４内の個々のコプレーナ導体構造物１０の両側の適当な区域に石英ブロッ
ク２８が装備される。そして最後に、架橋部３２と枠３４がコプレーナ導体構造
物１０から除去される。最終的には、コプレーナ導体構造物１０は、同軸ケーブ
ル端１８で同軸ケーブルと接続される。

【００３１】 本発明に係る方法に関して、特に注目すべきことは、コプレーナ導体構造物１
０の個々の導体１２，１４について、その配列をお互いに一致させる必要がない
ということである。導体１２，１４は、作成当初から終了まで、お互いに予め決
められており、しかも固定している。このため、個々の導体１２，１４が、製造
工程中において、機械的に位置づけられているならば、いかなる公差をも取り除
くことができる。

【００３２】 本発明に係る測定プローブは、図８から分かるように、驚くべき良好な周波数
応答性を有している。図８は、本発明に係る測定プローブについて、シュミレー
ションの計算からのＳ−パラメータープロットを示したものである。図８におい
て、Ｘ軸４６には周波数（ＧＨｚ）がプロットされ、Ｙ軸４８にはＳ−パラメー
ター（ｄＢ）がプロットされている。図８から明らかなように、本発明に係る測
定プローブは、６０ＧＨｚまでの周波数で用いることができる。そして同時に、
低価格で、生産効率が良く（不良品の発生割合が少なく）、大量生産することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の好ましい態様に係る測定プローブの斜視図である。

【図２】 本発明の第二の好ましい態様に係る測定プローブの斜視図である。

【図３】 本発明の第三の好ましい態様に係る測定プローブの斜視図である。

【図４】 本発明に係る製造方法の（ａ）工程の一例を示した模式図である。

【図５】 本発明に係る製造方法の（ｄ）工程の一例を示した模式図である。

【図６】 本発明に係る製造方法の（ｅ）工程の一例を示した模式図である。

【図７】 本発明に係る製造方法の（ｅ）工程の後、レジストを除去した状態の一例を示
した模式図である。

【図８】 本発明による測定プローブについて、シュミレーションの計算からのＳ−パラ
メーターを示したものである。

【符号の説明】

１２ 信号導体 １４ 接地導体 １６ 間隙 １８ 同軸ケーブル端 ２０ 接触端 ２２ 同軸ケーブル ２８ 誘電体 ３０ 金属化層 ３２ 架橋部 ３４ 枠 １００ 測定プローブ ２００ 測定プローブ ３００ 測定プローブ

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１３年１１月７日（２００１．１１．７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AE03 AG03 AG08 AH09 2G011 AA04 AA15 AA21 AB08 AC14 AC32 AC33 AD00 AF07 4M106 AA01 BA01 BA14 CA09 DD03

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プレーナ構造に接触させるための接触端（２０）と、同軸ケー
   ブル（２２）への接続のための同軸ケーブル端（１８）と、該接触端（２０）と
   該同軸ケーブル端（１８）の間に配列されている、少なくとも二つの導体（１２
   ，１４）とを具えたコプレーナ導体構造物（１０）を具備する高周波測定プロー
   ブにおいて、 前記コプレーナ導体構造物（１０）のための装備として機能する誘電体（２８
   ）が、前記コプレーナ導体構造物（１０）の片側又は両側上であって、前記同軸
   ケーブル端（１８）と前記接触端（２０）の間の所定の区域に配置されており、
   前記測定プローブは、該誘電体（２８）と前記接触端（２０）との間に形成され
   ているので、前記導体（１２，１４）は、該誘電体（２８）を越えて延びており
   、このため、前記二つの導体の自由端は、該誘電体（２８）に対して弾性的に動
   きうることを特徴とする高周波測定プローブ。
2. 【請求項２】 同軸ケーブル端（１８）から接触端（２０）まで、一定の特性
   インピーダンスが得られるように、コプレーナ導体構造物（１０）において、該
   同軸ケーブル端（１８）から該接触端（２０）まで、各一対の導体（１２，１４
   ）の間に、各々、間隙（１６）が設けられている請求項１記載の高周波測定プロ
   ーブ。
3. 【請求項３】 各々、間隙（１６）は、コプレーナ導体構造物（１０）の領域
   において、誘電体（２８）が存在しない区域よりも、該誘電体（２８）の存在す
   る区域の方が広くなっている請求項２記載の高周波測定プローブ。
4. 【請求項４】 誘電体が少なくとも一つの石英のブロックで形成されている請
   求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波測定プローブ。
5. 【請求項５】 誘電体（２８）は、コプレーナ導体構造物（１０）に接合する
   面において、実質的に該構造物の形状に一致する金属コーティング層を持ってい
   る請求項１乃至４のいずれか一項に記載の高周波測定プローブ。
6. 【請求項６】 誘電体（２８）は、コプレーナ導体構造物（１０）から離れた
   一つの面において、その全面が金属化されている請求項１乃至５のいずれか一項
   に記載の高周波測定プローブ。
7. 【請求項７】 能動平面回路、特に能動電気回路又は能動電子回路等、又は少
   なくとも一つの能動回路要素が、同軸ケーブル端（１８）に配置されている請求
   項１乃至６のいずれか一項に記載の高周波測定プローブ。
8. 【請求項８】 プレーナ構造を接触させるための接触端と、同軸ケーブルへの
   接続のための同軸ケーブル端と、該接触端と該同軸ケーブル端の間に配列されて
   いる、少なくとも二つの導体を具えたコプレーナ導体構造物を具備する高周波測
   定プローブの製造方法において、 前記コプレーナ導体構造物中の前記導体は、リトグラフィックエレクトロ製造
   法で得られることを特徴とする高周波測定プローブの製造方法。
9. 【請求項９】 少なくとも一つ、特に少なくとも二つ以上のコプレーナ導体構
   造物が、フォトリトグラフィック法によって、シリコンウエハ上に作成される請
   求項８記載の高周波測定プローブの製造方法。
10. 【請求項１０】 コプレーナ導体構造物は、その一端が繋がれた状態で、リト
    グラフィックエレクトロ製造法によって作成される請求項８又は９記載の高周波
    測定プローブの製造方法。
11. 【請求項１１】 以下の工程を経る請求項８乃至９のいずれか一項に記載の高
    周波測定プローブの製造方法。 （ａ）シリコンウエハ上に金属層を蒸着させる工程。 （ｂ）前記金属層上に感光性レジストを適用する工程。 （ｃ）作成される少なくとも一つのコプレーナ導体構造物の構成を持つネガフ
    ィルムを通して、前記感光性レジストを露光する工程。 （ｄ）作成されるコプレーナ導体構造物の構成に対応する凹部を持つ構造を与
    えるように前記感光性レジストを現像する工程。 （ｅ）電気メッキ法によって電導性物質を前記凹部に充填する工程。 （ｆ）前記金属層を除去し、前記ウエハからコプレーナ導体構造物を分離する
    工程。 （ｇ）同軸ケーブル端と接触端との間において、前記コプレーナ導体構造物の
    片面又は両面に媒介要素を結合させる工程。 （ｈ）前記コプレーナ導体構造物を同軸ケーブルに接続する工程。
12. 【請求項１２】 工程（ａ）における金属層が、チタニウム、銀、クロム及び
    ／又は金である請求項１１記載の高周波測定プローブの製造方法。
13. 【請求項１３】 工程（ｅ）における電導性物質がニッケルである請求項１１
    又は１２記載の高周波測定プローブの製造方法。
14. 【請求項１４】 工程（ｇ）における媒介要素が誘電体、特に石英のブロック
    である請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の高周波測定プローブの製造方
    法。
15. 【請求項１５】 その後の工程において、コプレーナ伝送波線路及び媒介要素
    を筐体内に収納させる請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の高周波測定プ
    ローブの製造方法。
16. 【請求項１６】 工程（ａ）から（ｅ）において、特に同軸ケーブル端で、導
    体の全てを繋ぐ架橋部と共にコプレーナ導体構造物を作成する請求項１１乃至１
    ５のいずれか一項に記載の高周波測定プローブの製造方法。
17. 【請求項１７】 架橋部がコプレーナ導体構造物を囲繞する枠である請求項１
    ６記載の高周波測定プローブの製造方法。
18. 【請求項１８】 工程（ｇ）の後に、次の工程を付加する請求項１５乃至１７
    のいずれか一項に記載の高周波測定プローブの製造方法。 （ｇ０）同軸ケーブルに接続する前に、コプレーナ導体構造物中の導体を繋い
    でいる架橋部を除去する工程。
19. 【請求項１９】 工程（ｂ）から工程（ｄ）がフォトリトグラフィック法でな
    される請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の高周波測定プローブの製造方
    法。