JP2003506814A - ガラス基板から構成される磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

ガラス基板から構成される磁気ディスクの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 磁気ディスク製造に使用するためのガラス基板（１１０）の製造方法であって、この製造方法は、ａ）ガラスシート（１００）を形成する段階と、ｂ）ガラスシートの片面又は両面を被覆する保護シート（１０２ａ，１０２ｂ）を形成する段階と、ｃ）ガラスシートをワークピース（１０４）に切断する段階と、ｄ）ワークピースを円板形の基板（１１０）に切断する段階と、ｅ）基板縁部を縁部研磨処理にかける段階と、ｆ）保護層を除去する段階とを備える。重要なのは、保護層を基板の上に残すことによって、基板表面が損傷から保護されることである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基板から構成された磁気ディスクを作るための方法に関する
。本発明はまたガラス基板を作るための方法に関する。本発明はまたガラスシー
トをワークピースへ処理するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
当業者に知られている磁気ディスク（例えば図１におけるディスク１）の製造
方法では、下地層２（例えばＣｒ又はＣｒ合金）と、磁気層３（例えばＣｏ又は
Ｃｏ合金又はＦｅ合金）と、保護被膜４（例えば炭素）とを順次、円板形のガラ
ス基板５の上にスパッタする。磁気ディスクの製造において使用される基板は極
度に平坦で滑らかでなければならない。従って、多くの努力と費用とが基板製造
中にガラスを研磨するために費やされる。
【０００３】 ガラス基板を製造するための代表的な処理は以下の通りである。 １． 最初に、ガラスシート１０（図２）をフロート法又は延伸法を使用して
形成する。 これらの方法によって生産されたガラスは代表的に非常に滑らかである。 ２． ガラスシート１０を個別の正方形１２に切断する（代表的には１００mm
×１００mmの大きさで厚さは約１mmである。）。 ３． その後で、正方形１２から円板形の基板１４を切り取る。このためには
、正方形１２から中心に形成された内側部分１６と外側部分１８とを切取ること
を必要とする。これは鋸でひく処理か、又はスクライブと折損の処理を使用して
行なう。 ４． 基板１４の内側と外側の直径縁部２４，２６に面取り部２２を形成する
。（図３は基板１４の横断面図であって、面取り部２２を示している。）。これ
は一般に難しい操作である。複数回のラッピングと研磨の段階を用いてこれを行
なう。 ５． 基板１４は仕上げられて、その表面は非常に滑らかで、欠陥はわずかに
有するかまたは有さない。これは１又は複数回のラッピング又はグラインディン
グ段階と１又は複数回の研磨段階とによって成し遂げられる。
【０００４】 上述したグラインディング、ラッピング、及び研磨の段階は極度に時間がかか
って高価である。これらの段階の間に、２５０〜１０００μｍのガラスが除去さ
れて、結果としての基板が極度に平坦で滑らかであることが確保され、例えば２
〜４Å（オングストローム）のＲａを有する。（代表的には、フロート法又は延
伸法によって形成されたガラスは非常に滑らかであるが非常に平坦というわけで
はない。面取り及び上述した様々な製造段階は、ガラス表面にかすり傷と損傷を
導入する。従って、ａ）基板を平坦にするために、そして、ｂ）ガラスを再び滑
らかにさせるために、研磨が実行される。）。これを行なうために、研磨段階は
基板に多くの製造コストを加える。そのような研磨の必要性を解消する方法が見
つかると望ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
磁気ディスクの製造中にそのような多くの研磨が必要である理由のひとつは、
上述した様々な製造段階中においてガラスの表面にガラスの破片が突き刺さるた
めであることが見い出された。これらの破片はガラスの表面を引っ掻いて損傷さ
せ、それにより多くのラッピングと研磨とを必要にさせる。様々な製造段階中に
ガラスの上に保護層を提供することによって、そのような多くの処理の必要性は
最小にされる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
１の実施形態では、基板縁部を面取りする代わりに縁部研磨技術を用いて基板
縁部を丸める。従来技術においては、基板が多くのラッピングと研磨を（例えば
、面取りの結果）受けなければならないのは既定の結論だったが、そのようなラ
ッピングや研磨は実質的に避けられるか又は最小にできることが見い出された。
このことから、本発明による処理においてはガラスワークピースを保護層で保護
するのが有利である。
【０００７】 本発明の１の実施形態によれば、保護層は、ガラス製造処理の初めにおいて例
えばガラスが１シートの形態であるときに、形成される。そして、ガラスがその
最終的な形態（例えば、ディスク製造のためのガラス基板）にされた後に保護層
は除去される。従って、この実施形態では、保護層は基板の製造処理のほとんど
乃至すべてにわたってガラスの上に存在し続けて、基板の製造処理の完了時に又
は完了近くのときに除去される。
【０００８】 本発明の他の実施形態によれば、ワークピースが損傷する可能性のある処理段
階にワークピースがかけられる前にガラスピースの上に保護層を配置する。処理
段階の後で保護層は除去される。この処理段階とは、鋸でひくこと、スクライブ
や、折損すること、１台の作業ステーションから別の作業ステーションへガラス
を搬送すること、基板の縁部研磨、基板を積重ねること、基板を面取りすること
（例えば、レーザーか機械的な手段を使用する）、または、他の処理段階である
。保護被膜は製造処理中に何回かガラスに配置したりガラスから除去したりする
ことができる。本発明のいくつかの実施形態によれば、単一のワークピースの処
理中又は搬送中にワークピースの上に保護被膜を配置する。
【０００９】 本発明による１の実施形態の方法はガラスシートを提供する段階から始まる。
ガラスシートは代表的にはフロート法によって形成される。しかしながら、ガラ
スシートは延伸法などの他の技術によって形成してもよい。
【００１０】 それから、ガラスシートの片面又は代表的には両面が保護層で覆われる。保護
層は高分子又は他の材料でよくて、ガラスシートの片側（又は両側）の表面を破
片や他の汚染物質から保護する。重要性なことは、保護層は、ガラスシートの表
面がこれらの粒子によって引っ掻かれるのを防ぐということである。
【００１１】 保護層で覆われた後に１の実施形態ではガラスシートはより小さいワークピー
スに切断される。これは多数の方法のいずれによっても行なうことができ、例え
ば鋸でひいたり又はスクライブして折損する。スクライブして折損する場合には
、スクライブは機械的に実行できる（例えばダイヤモンドスクライブツールを使
用する。）。代わりに、放射エネルギー（例えばレーザー）を使用してガラスシ
ートをスクライブしてもよい。（保護層の一部は代表的にはレーザースクライブ
中に焼失する。機械的なスクライブ又は切断中には代表的には保護層の一部は切
断される。しかしながら、形成される基板において最終的に主たる表面として使
われるガラスワークピースの部分には、保護層は残り続けて保護し続ける。
【００１２】 １の実施形態では、レーザースクライブの後にガラスシートは弗化物イオンを
含んだ酸性のエッチング溶液にさらされる。このエッチング溶液はレーザーに露
光されたシートの部分を優先的に攻撃することが見い出された。この理由から、
ワークピースの縁部は他のスクライブ及び折損技術を用いるのに比べてより滑ら
かで良好に形成される。）。
【００１３】 １の実施形態では、ガラスシートの両面が同時にスクライブされる。これはま
た、結果としてのより小さいワークピースの縁部の形状を改善する。
【００１４】 上述の切断又はスクライブ及び折損処理の後で個々の基板が、より小さいワー
クピースから切り取られる。これは、ガラスシートをより小さいワークピースへ
切断するための上述した技術のいずれかを使用して達することができる。重要な
ことは、この処理中において保護層がワークピースに残り続けてワークピースが
引っ掻かれることから保護し続けることである。
【００１５】 その後、基板には面取り部が形成される。これはいくつかの異なったやり方で
実行できる。例えば１の実施形態においては、面取り部はレーザー切断技術を使
用して形成される。
【００１６】 他の実施形態においては、面取り部を形成する代わりに、基板の角部は縁部研
磨技術を使用して丸められる。１の実施形態では、この処理は基板の縁部に縁部
研磨材料（ＣｅＯ2又は他のガラス研磨材料を含むスラリー）を塗布することに
よって実行される。以下に説明するように、これは基板の縁部を研磨して基板の
角部を丸める。
【００１７】 １の実施形態においては、何枚かの基板が積重ねられて、それらの縁部が同時
に研磨される。重要なことは、各基板の両面に保護層が残り続けて、この処理中
に基板を保護し続けることである。基板上の保護層はガラスよりも柔らかい。積
重ねられたガラス基板のＩＤとＯＤは例えばスラリーを使用した研磨処理にかけ
られる。ＩＤとＯＤとにおける保護層の部分が最初に除去される。これはＩＤと
ＯＤとの角部におけるガラス基板の部分をスラリーに露出させ、スラリーが基板
の角部を丸めるのを可能にする。ガラス基板には面取り部を形成することは必要
ではなく、製造処理においては単に基板の角部を丸めることで十分であることが
見い出された。特に、基板は面取り部を欠いていても基板を損傷させることなし
に安全に扱うことができる。また、縁部が丸められて鋭くないために、基板は人
間によって及び関連する処理機器によって安全に扱われる。さらに、基板の角部
を面取りしないことによって、面取りに関連するガラス材料への出費と損傷を避
けられる。その後で、基板は積重ねからばらばらにされる。
【００１８】 基板が積重ねられている間に例えば縁部研磨によって基板の複数の縁部を丸め
ることができるけれども、他の実施形態では例えば縁部研磨によって一度に１枚
の基板の縁部を丸める。
【００１９】 基板から保護層が除去されるのはこの実施形態の処理においてはこの時点であ
る。重要性なことは、上記処理段階を通して保護層が基板の上にあったので、基
板は滑らかで引っ掻かれていないことである。基板をディスク完成のための状態
にするにはただ最小限の研磨だけが（たとえあるにはせよ）必要である。
【００２０】 任意的には、基板は化学的な強化段階にかけてもよい。化学的な強化の後で基
板は再び清浄にされる。ディスクは代表的には、基板の上に下地層、磁気層、及
び保護被膜をこの順序で例えばスパッタリングで堆積することによって完成する
。その後で、保護被膜に潤滑剤層が塗布される。
【００２１】 本発明の他の見地によれば、ガラスシートから基板が切り取られた後に基板表
面に保護層を存在させることなしに基板は縁部研磨にかけられる。そのような処
理においては、Ｏ−リングのようなスペーサーのセットを使用して基板は互いに
隔てられる。スペーサーは代表的には基板のデータ記録領域においては基板と接
触しない。むしろ、代表的にはスペーサーは基板の「クランプ領域」において基
板と接触する。（基板の完成後には代表的には、基板表面の上には磁気層が堆積
される。データ記録領域は後日、データが記録されるディスク表面の領域である
。クランプ領域はディスクが回転するスピンドルに固定されるところである。）
。スペーサーは代表的にはデータ記録領域と接触しないので、データ記録領域へ
の損傷は避けられる。本発明による縁部研磨は、従来技術の基板に通常適用され
ていたような、研磨及びラッピングの多くを避ける。これは、従来技術の面取り
処理が多くのラッピングと研磨とを必要としたからである。基板を面取りしない
ことでラッピングと研磨との多くが避けられる。
【００２２】 縁部研磨の後には基板は研磨段階にかけられる。それから、基板は化学的な強
化にかけられる。その後、磁気ディスクの様々な層を基板に堆積する。
【００２３】 上述のように、縁部研磨は基板の角部を丸める。１の実施形態では、角部の曲
率半径（内側の直径における、外側の直径における、又は内側と外側の両方の直
径における曲率半径）は代表的には２０〜１２０μｍの間であって、望ましくは
７５μｍ±２５μｍである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
Ｉ．第１の実施形態 本発明による方法はガラスシート１００を形成する段階から開始する（図４に
おける段階Ａ）。１の実施形態では、ガラスシート１００（図５）はフロート法
によって形成されるが、延伸などの他の技術を使用してもよい。ここで用いる場
合においては用語「延伸」には、下方延伸、オーバーフロー溶融延伸（例えばDo
ckertyに与えられた米国特許第３，３３８，６９６号において開示される。）、
及び類似した処理を含んでいる。また、Dockertyに与えられた米国特許第３，６
８２，６０９号も参照されたい（’６９６号と’６０９号の特許は参照によりこ
の場所に取り入れられる。）。ガラスは代表的には珪酸塩グラスで例えばアルミ
ノ珪酸塩又は硼珪酸塩であるが、添加物のない又は異なった追加添加物をもった
他のタイプのガラスも使用できる。
【００２５】 ガラスシート１００の上下の表面１００ａ及び１００ｂはそれぞれ保護層１０
２ａ及び１０２ｂで被覆される（図４の段階Ｂ）。１の実施形態では、保護層１
０２はラテックスのような水溶性の材料である。他の実施形態では層１０２は水
溶性でない高分子である。重要性なことは、保護層１０２がその後の製造処理中
においてガラスシート１００を損傷から保護することである。（１の実施形態で
は保護層はガラスシート１００の片面だけに塗布される。これは基板の片面だけ
の上に磁気層を持っている磁気ディスクを生産するためには特に実際的であろう
。従って、基板の反対面の品質はあまり重要ではない。）。
【００２６】 それから、ガラスシート１００は個々のワークピース１０４へと切断される（
段階Ｃ）。ワークピース１０４は代表的には正方形の形状であって、１００ｍｍ
×１００ｍｍで代表的にはｌｍｍの厚さであるが、他の形状やサイズとしてもよ
い。シート１００は鋸でひくことでワークピース１０４に切断できる。代わりに
、シート１００はスクライブして折損することでワークピースに切断してもよい
。スクライブは、ダイヤモンドスクライブツールを使用してシート１００を機械
的にスクライブして成し遂げたり、レーザースクライブや、レーザースクライブ
とそれに続くエッチング（例えば以下で説明するように）によって成し遂げるこ
とができる。（図５には、このスクライブ操作中にガラスシート１００に形成さ
れたスクライブ線１０１を破線にて示している。図５ではシート１００を５つ分
の正方形の幅だけとして示しているけれども、シート１００は何ｍの幅でも良い
し、何十ｍの長さでも良い。従って、シート１００は図示しているよりもずっと
多くの正方形１０４を含んでいる。）。ダイヤモンド又はレーザーによるスクラ
イブ中には、保護層１０２はスクライブ線が形成された箇所においては代表的に
はダイヤモンドスクライブツールによって切断されるか、または、レーザーによ
って焼失するが、層１０２はそれ以外の箇所についてはこの処理中においても完
全なままで残っている。
【００２７】 １の実施形態では、ガラスシート１００はシート１００の両面においてダイヤ
モンド又はレーザーでスクライブされる。これは縁部の輪郭を改善することにつ
ながる。（この理由は、シート１００の両面をスクライブするとガラスシートの
片面のスクライブ線からガラスシートの他の面のスクライブ線へとクラックが伝
播するからである。言い換えれば、クラックの２つの終了点がスクライブ中に形
成される。これによれば、シート１００の片面だけにスクライブ線を設けてスク
ライブ中にクラックの片側だけの終了点を形成するのと比べて、結果としてのク
ラックが良好に形成される。この原理は１９９９年９月２８日にHsiehらによっ
て出願された米国特許出願第０９／４０７，００３号において例示されており、
同文献を参照してこの場所に組み入れる。）。ダイヤモンド又はレーザーでのス
クライブの後にガラスシート１００はスクライブ線に沿って折損されて個々のガ
ラス正方形１０４となる。（シート１００の両面が望ましいが、他の実施形態に
おいてはシート１００の片面だけをスクライブする。）。
【００２８】 ガラスシート１００が正方形のワークピース１０４に形成された後で、ワーク
ピース１０４からガラス基板１１０が切り取られる（段階Ｄ）。これは鋸でひく
ことによっても良いし、機械的なスクライブと折損とによっても良いし、又はレ
ーザースクライブと折損とによっても良い。基板は約９５ｍｍの外側の直径を有
するが、他のサイズもまた使用できる（例えば２５〜９５ｍｍ）。内側の直径は
例えば１０〜２５ｍｍである。
【００２９】 レーザースクライブを使用する１の実施形態においては、レーザービーム（例
えば、ＣＯ2レーザーからの）がワークピース上のスクライブ線をトレースして
、これに続いてレーザースクライブされた材料に冷たい流体（例えば、冷たいガ
スか液体）を適用し、その後にエッチング段階を行なう。１９９９年９月２８日
にHsiehらによって出願された米国特許出願第０９／４０７，６３０号を参照し
てこの場所に取り入れる。この処理中には、レーザースクライブの後にシート１
００は酸性の溶液を含む弗化物例えば弗化水素酸にさらされる。代わりに、弗化
水素アンモニウムとＨ2ＳＯ4のような酸との溶液を使用してもよい。そのような
溶液の１つの例は、５wt.％の弗化水素アンモニウムと、常温での５％体積のＨ2 ＳＯ4と、トルエンスルフォン酸などの界面活性剤とを含有する。（この材料はE
ltesol TSX/Aとして販売され、Albright & Wilson社によって製造されている。
）。溶液を例えば２８〜６８ｋＨｚの超音波で撹拌している間にエッチングは完
成する。１の実施形態では、溶液は４０ｋＨｚで撹拌される。’６３０号の出願
によれば、上述の処理は滑らかなスクライブマーク構造を提供して、スクライブ
及び折損中に精密な描写力を提供するために特に有利であると説明している。
【００３０】 図６に示すように、基板１１０は円板形であって内側の円形孔１１１を形成さ
れて有している。孔１１１は、代表的には上述したスクライブと折損とによって
形成される。後で説明するように、孔１１１は、ディスクドライブにおいて完成
したディスクをスピンドルに取付けるのに使用される。図６はまた、保護層１０
２ａ，１０２ｂの部分が製造処理のこの時点において基板１１０の上下の表面に
残り続けているのを示している。従って、保護層１０２ａ，１０２ｂは基板１１
０の主たる表面を保護し続ける。
【００３１】 ガラス基板１１０はその後に縁部研磨技術にかけられる（図４の段階Ｅ）。こ
の処理の１の実施形態においては、基板１１０は例えば図７に示す如く積重ねら
れる。保護層としてシート材料を使用することのひとつの利点は、シートの厚み
を概略良好に制御できることである。すべてのワークピースの間に再現性のある
大きさの空間を持つことによって、与えられた積重ねにおいて、そしてそれぞれ
の積重ねについて、縁部の輪郭が良好に制御されて、再現性がある。
【００３２】 任意的には、基板１１０は積重ね中に接着剤で接着してもよい。接着剤は保護
層であってもよい。接着剤が保護層として機能する実施形態においては、基板１
１０を積重ねる前に実質的に固体であるか、又は粘性の非常に高い成分を少なく
とも１つ含むのが好ましい。この成分は存在する可能性のあるガラス破片が動く
ことを防いで、それにより基板１１０の主たる表面が引っ掻かれるのを防ぐ。接
着剤の塗布された基板を互いに接合するには例えば、ａ）様々な基板上の接着剤
層を熱融合するか、ｂ）存在する可能性のあるいかなる粒子の余分な動きも防ぐ
のに十分な粘性の接着剤を使用するか、又は、ｃ）接着剤の被膜の表面部分を一
時的に液化するような溶剤を塗布して、それにより基板上の接着剤の被膜を接合
する。これは著しい力がワークピースに作用するような孔あけ作業（後述）中に
おいては特に有用であって、それなくしては、個々のワークピースが互いに動い
てしまうことになる。縁部研磨中に接着剤を使用するのならば、上述した理由か
ら、接着剤をワークピース同士の間で一定した厚さに配置するのが望ましい。
【００３３】 その後で、基板１１０の縁部は化学機械的な研磨処理（“ＣＭＰ”）にかけら
れる。この処理中には研磨スラリー例えばＣｅＯ2のような粒子を含有したスラ
リーが積重ねに塗布される。また、スラリーは添加物と界面活性剤とを含有する
。代わりに、ＣｅＯ2以外の研磨剤を使用してもよい。（１の実施形態では機械
的な研磨が使用されて、スラリーは、アルミナや珪石粉、ダイヤモンド、又は他
の研磨粒子のような研磨粒子を含む。）。スラリーは、研磨パッド１２０を使用
して基板に塗布される。（スラリーは代表的にはパッド１２０と積重ね１２２と
の間に導入される。）。これは２つの主要な利点を有する： １．ディスクのＯＤの損傷したガラス材料を除去する。（これには、ガラスの
切断やスクライブ及び折損によって損傷したガラス材料を含む。）。 ２．この研磨段階が基板１１０の縁部を丸める。
【００３４】 基板縁部が丸められる理由は図８を参照すると理解できる。図８を参照すると
、概略円筒状の研磨パッド１２０が基板１１０の積重ね１２２のＯＤを研磨する
。図示のように、積重ね１２２はガラス基板１１０と保護層１０２とを備える。
保護層１０２は代表的には基板１１０より軟質の材料で作られていて、それがた
めに、基板１１０よりも急速に研磨されて摩耗する。保護層１０２が摩耗すると
、それらは基板１１０の上下の表面の外側の部分を研磨スラリーに露出させて、
それにより研磨スラリーは露出した部分を研磨すると共に基板１１０の角部の縁
部を丸めることができる。
【００３５】 図７及び図８においては１個の研磨パッドが示されて、基板１１０の積重ね１
２０のＯＤを研磨している。しかしながら、他の実施形態では、２個以上のパッ
ドを使用して同時に積重ねのＯＤを研磨できる。この処理中には積重ね１２０は
例えば矢印Ａの方向へ回転する。代わりに、パッドが積重ね１２０の周りを回転
してもよい。さらに、パッド１２２は矢印Ｂの方向へその中央の軸線を中心とし
て回転する。
【００３６】 基板１１０のＯＤの研磨よりも前に又は後に又は同時に、基板１１０のＩＤは
同様の研磨処理にかけられて、細長い研磨パッド（図示せず）が使用され、それ
により基板１１０のＩＤにおいて基板１１０の角部を丸める。
【００３７】 この実施形態では、基板１１０の角部は丸められるが面取りされることはない
。丸めた角部を有する基板は面取りした縁部をもった基板とちょうど同じように
機能する。
【００３８】 図７及び図８は基板１１０の積重ねがそれらの縁部を同時に研磨されるのを示
しているが、他の実施形態においては基板１１０の縁部は一度にひとつ研磨され
る。
【００３９】 研磨の後には、基板１１０の積重ねをばらして、保護層１０２を除去する（段
階Ｆ）。（上述のように、１の実施形態では層１０２の材料は水溶性であるから
層１０２は水で除去される。）。次に、基板１１０は最小限の研磨段階にかけら
れてから清浄にされる（段階Ｇ）。この研磨段階は「波打ち」を排除するために
デザインされている。波打ちは長い波長の表面の欠陥、例えば平坦さの変化であ
って、ディスクと共に使用する読み書きヘッドのサイズよりも長い波長、例えば
数ミリ〜１ｃｍのオーダーの波長を有する。１９９９年３月４日にBajorekらに
よって出願された米国特許出願第０９／２６２，３６５号を参照されたく、同文
献をここに参照して組み入れる。
【００４０】 上述した最小限の研磨段階は、他の従来技術のグラインディングやラッピング
や研磨の段階であって、面取りや切断、積重ね又は積重ねをばらす際に生じた損
傷を除去するために使用されるような段階と混同すべきではない。（グラインデ
ィングは代表的には砥石を用いた極度に攻撃的な過程である。ラッピングは研磨
の攻撃的な態様のものであって、自由な又は固定された研磨材を用い、材料を大
きく除去するが、受入れることができない荒い表面仕上を作る。研磨とは非常に
微細な態様の材料除去であって、代表的には自由な研摩材を用いて非常に滑らか
な表面仕上をもたらす。）。これらの従来技術によるグラインディング、ラッピ
ング、及び研磨の段階中には２５０〜１０００μｍの間のガラスを除去すること
が必要である。対照的に、上述した最小限の研磨段階は代表的には約１００μｍ
未満のガラスを除去し、１の実施形態においては約５μｍ又はそれ未満のガラス
を除去する。従って、本発明において実行される研磨は、従来技術の処理段階に
おけるグラインディングやラッピング及び研磨と比べればはるかに安価である。
【００４１】 最小限の研磨段階は上述したようにオリジナルのガラスシート（例えば１．５
ÅのＲａを有する）の短い波長の滑らかさを実質的に妨害することがない。（も
ともとフロート法によって生産され、そのように形成されたガラスシートは低い
Ｒａを有するけれども、従来技術による処理がガラスを損傷するのでガラスは、
損傷した材料を除去して再び滑らかな表面を作るために実質的には研磨しなけれ
ばならない。製造中のガラスの損傷は本発明において避けられるか、または減少
するのでガラスの初期の滑らかさが保たれ、基板を過度の研磨とラッピングにか
けて初期の滑らかさを再び作り出すような必要はなくなる。）。
【００４２】 本発明の１の実施形態においては最小限の研磨段階が実行されるが、他の実施
形態においては最小限の研磨段階は実行されない。
【００４３】 任意的には、この時点でガラス基板１１０が化学的な強化にかけられる（段階
Ｈ）。当業者において良く知られているように化学的な強化はＮａを含んでいる
ガラスに実行される。化学的な強化中には基板は溶融状態のカリウム（Ｋ）塩の
浴槽に浸される。Ｎａイオンがガラスから拡散放出する一方でＫイオンはガラス
に拡散侵入する。ＫイオンはＮａイオンより大きい直径を有するので、Ｋイオン
は基板表面に隣接した圧縮領域を形成して、これが基板を伝わってクラックが伝
播することを防ぎ、その結果より強い基板となる。化学的に強化された後でガラ
ス基板は清浄にされる。
【００４４】 その後、基板１１０は磁気ディスクを製造するのに使用される。これは代表的
には下地層（例えばＣｒ、Ｃｒ合金、ＮｉＡｌ、又はＮｉＰ）を堆積し、磁性Ｃ
ｏ合金を堆積し、そして、保護層（例えば炭素）を堆積することによって成し遂
げられる。堆積は代表的にはスパッタリングによって果される（段階Ｋ）。（処
理のこの部分においては、２以上の下地層、磁気層、及び保護被膜を基板上に形
成してもよい。）。使用可能な関連した製造処理のひとつの詳細について、１９
９７年１２月４日にBerteroらによって出願された米国特許出願第０８／８９４
，７５３号にて明らかにされており、参照してここに組み入れる。
【００４５】 基板は磁気ディスクを製造するために使用された後にはディスクは磁気ハード
ディスク装置に提供されて、例えば、図９に模式的に示したディスクドライブ２
００のようになる。図９を参照すると、ディスクドライブ２００は本発明による
製造処理を使用して形成された磁気ディスク２０２を備える。読み書きヘッド２
０４ａ，２０４ｂは磁気ディスク２０２の上下の表面２０２ａ，２０２ｂにそれ
ぞれ近接させて保持され、このためにサスペンションアーム２０６ａ，２０６ｂ
が用いられる。アーム２０６ａ，２０６ｂはアクチュエータ２０８に取付けられ
て、ヘッド２０４はディスク２０２に対して動かされ、ヘッド２０４がディスク
２０２の上の異なったトラックにアクセスできるようにする。
【００４６】 ディスク２０２はスピンドル２１０に取り付けられ、このスピンドルはディス
ク２０２を回転させるためのモーター２１２へ結合される。使用中にはディスク
２０２が回転して、そして、ヘッド２０４ａ，２０４ｂはディスク２０２の回転
に対応して形成される空気クッションの上を「浮上」する。
【００４７】 II．第２の実施形態 本発明の他の実施形態では、ガラス正方形１０４を切断して基板にする前に正
方形１０４を積重ねて積重ね３００を形成する（図１０）。任意的には、積重ね
中には正方形１０４は接着剤で互いに接合される。従って、ガラス正方形の積重
ねを同時に処理できてコストを最小にする。（正方形１０４を互いに接合するの
に使用される接着剤は保護層である場合があり、例えば保護層１０２がそれであ
る。上述した実施形態と同様に、保護層として機能する接着剤は代表的にはワー
クピース間の粒子の存在に起因する損傷を防ぐようにデザインされている。上述
したようにこの文脈において接着剤の使用は特に有利である。）。
【００４８】 次に、ガラスの正方形はボーリング処理にかけられて、この処理中に丸い孔３
０２（図１０において破線で示す）がドリル又は中ぐりされて、接合された正方
形１０４を貫通する。孔３０２は製造されるガラス基板のＩＤを構成する。第２
の切断ツールがガラスの正方形１０４の積重ね３００から丸い部分３０４（これ
も図１０において破線で示している）を切り出す。この丸い部分３０４が、製造
されるガラスの円板形の基板１１０の積重ね１２２を構成する。この部分の処理
中に使用される孔あけツールや切断ツールは在来のものである。
【００４９】 その後で、ガラス基板１１０の積重ね１２２は上述したような縁部研磨にかけ
られる。縁部研磨の後には基板は積重ねからばらばらにされて、処理は上述した
ように続く。重要性なのは、保護層１０２は積重ね、切断、縁部研磨、及びばら
ばらにする間、基板１１０を保護していることである。
【００５０】 III．第３の実施形態 図１１を参照すると、ガラスシート１００は保護層１０２で覆われている。シ
ート１００を正方形に切断してその後で正方形から基板を切り取るのに代えて、
ガラス基板は直接ガラスシート１００から切り取られる。これは、鋸でひいて又
は又はスクライブと折損とによって成し遂げられる。１の実施形態では、１又は
複数のレーザービームがガラスシート１００の円形の経路に沿ってトレースして
それによりガラスシート１００をスクライブする（図１１参照）。（先の実施形
態において保護層１０２の一部分はこの処理段階中にレーザービームによって焼
き抜ける。）。他の実施形態では１又は複数の機械的な切断ツール、例えばダイ
ヤモンドスクライブツールがシート１００の丸い領域のセットをスクライブする
。（レーザービーム又はスクライブツールは図１１においては模式的に符号１０
６で示されている。）。これらのスクライブ線は基板の内側と外側の直径の両方
を形成し、図１１においては破線１０５にて示されている。代表的には、スクラ
イブツール１０６によってスクライブ線の並びが形成されて、シート１００は方
向Ｄへ動かされて、そして、さらに他のスクライブ線の並びがシート１００に形
成される。（図１１には４組だけのスクライブ線をシート１００に並べて形成し
ているが、いくつかの実施形態においては、シート１００は何ｍもの幅で数多く
のセットのスクライブ線が同時にシート１００に並べて形成される。）。
【００５１】 更に他の実施形態においては、スクライブツールかレーザービームを使用する
ことの代わりに、複数の鋸がシート１００の複数の丸い領域を切断する。いずれ
にしても本実施形態では、シートを最初に正方形のワークピース１０４に切断す
ることなしに、シート１００から丸い基板を切り出す。
【００５２】 スクライブの場合には、例えば上で組み入れた米国特許出願第０９／４０７，
００３号で開示されているように、基板縁部を良好に形成するのを確実にするた
めに、ガラスシート１００の両面を（レーザー又は機械的なスクライブを使用し
て）スクライブしてもよい。レーザースクライブの場合には、例えば上で組み入
れた米国特許出願第０９／４０７，６３０号で開示されているように、ガラスシ
ート１００は弗化物イオンを含んだ酸性溶液にさらされて、その後でシート１０
０は折損作業にかけられて、基板１１０を形成する。
【００５３】 シート１００を個々の基板１１０に切断した後には上述したのと同様に処理は
続く。言い換えれば、基板は積重ねられて縁部研磨にかけられる。その後で、上
述した如く、基板は積重ねからばらばらにされて処理される。
【００５４】 IV．第４の実施形態 縁部研磨は必ずしも基板１１０上に保護層を有するわけではなしに実行できる
。例えば、図１２Ａと図１２Ｂを参照すると、積重ね２００の中の基板１１０は
Ｏ−リング２０２などのスペーサーによって互いに隔てることができる。このた
めに、基板１１０同士の間には空間２０４がある。積重ね２００はスピンドル２
０６に取り付けられて矢印Ｃの向きへ基板１１０を回転させる。（スピンドル２
０６は代表的にはモーターと結合される。）。同時に円筒状の柔らかい研磨パッ
ド２０８が、基板１１０の角部を丸めるために基板１１０の外側の縁部を研磨す
る。パッド２０８は代表的には矢印Ｄの方向へ回転する。（パッド２０８はまた
代表的にはモーターと結合されてパッド２０８を回転させる。）。任意的には、
同時に、例えば矢印Ｅによって表されるようにパッド２０８は上下に動かされる
。スラリーは研磨パッドと基板との間に導入される。上述したように、このスラ
リーは水性の溶媒で分散される酸化セリウムスラリーでもよい。そのようなスラ
リーは日本のMitsui Corporation社から入手可能なMirek E-30を使用して作るこ
とができる。Mirek E-30は粉末の形態で水と（任意的にはさらに１又は複数の界
面活性剤を加えて）混ぜ合せることでスラリーを形成する。スラリー中の酸化セ
リウムの濃度は５〜２０重量％でよい。代わりに、珪石粉やアルミナ又はダイヤ
モンドのスラリーを使用できる。
【００５５】 基板１１０の外側の縁部を磨いた後には、図１３Ａと図１３Ｂに示すように、
基板１１０の内側の縁部を、例えば研磨パッド２１０を使用して、研磨する。こ
の段階中にはパッド２１０は例えば矢印Ｆの方向へ回転する。同時に、基板１１
０は矢印Ｇの方向へ回転する。（回転力はこの処理の部分中には基板の外側の縁
部を介して基板１１０に適用できる。）。この処理中にはパッド２１０は上下に
動かされる。
【００５６】 望ましくは、Ｏ−リング２０２は基板の内側の直径におけるデータ記録領域外
でのみ基板１１０と接触する。例えば、Ｏ−リング２０２と基板１１０との間の
接触領域は、基板の内側の直径から１ないし２mmの範囲の領域に制限することが
できる。
【００５７】 単なる例ではあるが、Ｏ−リング２０２はヴァイトン（Viton）や、ニトリル
、buta-N、テフロン（ＰＴＦＥ）、シリコーン、又は他の適切な材料とすること
ができる。Ｏ−リングは基板１１０同士を互いに０．５〜３mmだけ隔てることが
できる。パッド２０８及び２１０は微孔質のポリウレタンで、例えば日本のMipo
x社又はデラウェア州のRodel Corp社から入手できる。研磨中には、パッド２０
８，２１０と基板１１０との回転速度は１０〜２５００ｒｐｍの間にする。パッ
ド２０８及び２１０は０〜１００ストローク／秒の周期で上下に動いて、ストロ
ークの距離は０〜２５mmである。
【００５８】 基板の角部の曲率半径は２０〜１２０μｍの間にあり、５０〜１００μｍが好
ましい。これは基板１１０の外側の縁部については約３０分間の研磨時間で成し
遂げることができ、内側の縁部については１０分間の研磨時間で成し遂げられる
が、これはパッドと基板との間の接触圧のようなパラメータに依存する。
【００５９】 Ｏ−リング２０２を使用して基板１１０を隔てさせて研磨パッドがアクセスし
て基板の角部を丸めることができるようにしているが、他の実施形態においては
別の手段（例えば他の形状を有するスペーサー）を使用して基板を互いに隔てる
ことができる。例えば円形の横断面を有するＯ−リング２０２を使用することの
代わりに、他の実施形態では正方形や矩形又は他の横断面を持っているリングを
使用できる。例えば図１２Ａ’に示すように、正方形の横断面を有するリング２
０２’を使用できる。代わりに、いかなる形状のスペーサーも、基板１１０同士
を互いに隔てるために使用できる。さらに、スペーサーは連続したないし閉じた
形状である必要はない。あらゆる手段によってディスク間に配置されるような１
又は複数の挿入物ないし材料の小片をスペーサーとして使用できる。さらに例示
的な実施形態としては、ディスクはＯＤ又はＩＤの縁部に沿ってかかる縁部に沿
って距離を隔てた一点又は複数の点にて保持してもよい（カセットの溝がディス
クを保持するのと同じ様なやり方である。）。上述の実施形態においてはＩＤか
ＯＤの１つはそのようなやり方で保持されるが、ＯＤかＩＤのもう片方はここで
説明したように研磨される。一般に、処理される連続したひとつの直径部分の間
に間隔を作り出すいかなる手段も採用することができる。しかしながら、再び言
うと、基板１１０のデータ記録領域にまでは延びることのないスペーサーが好ま
しい（ただしすべての実施形態において必須とは言えない。）。
【００６０】 本発明について特定の実施形態に関して説明したけれども、発明の精神と範囲
とから逸脱することなしに形態や詳細を変更できることを当業者は認識するだろ
う。例えば、基板を形成するためにガラスを切断し又は折損するには異なる技術
を使用することができる。さらに、セラミックや他の材料などのガラスを含む材
料以外の異なったタイプの材料も本発明において使用できる。フロート法の代わ
りに異なった基板製造技術を使用できる。いくつかの実施形態ではガラスのシー
トの周辺部分は切り取られて処分され、基板を製造するのに使用されることはな
い。従って、基板はガラスシートのまさしくその縁部のガラスからは形成されな
い（例えばもしもガラスシートの縁部がより低品質の材料ならば。）。縁部研磨
中に基板の表面に存在するいかなる層も、基板の内側と外側との縁部へいたるす
べての範囲に延びる必要はない。基板は上述したのとは異なる内側と外側の直径
と厚みとを有することができる。例えば基板は０．４〜１．３ｍｍの厚みを有す
ることができる。上述した本発明の１の実施形態とは異なる形態及び特徴を独立
して実施したり、または上述した他の実施形態の異なる形態と組合わせて実施し
たりすることもできることに留意すべきである。従って、そのようなすべての変
形は本発明の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来技術によって製造されてなるガラス基板から構成された磁気ディ
スクを示す図である。
【図２】 図２は、従来技術によるガラス基板製造の処理の流れを説明する図である。
【図３】 図３は、面取りされた縁部を含んでいる従来技術によるガラス基板を示す横断
面図である。
【図４】 図４は、本発明によるガラス基板の製造のための処理の流れを示した流れ図で
ある。
【図５】 図５は、保護層によって被覆されたガラスシートを示した図である。
【図６】 図６は、図５のガラスシートから形成されたガラス基板を示した図である。
【図７】 図７は、基板の積重ねが縁部研磨にかけられている様子を示した図である。
【図８】 図８は、縁部研磨段階にかけられている図７の基板の積重ねを示した拡大図で
あって、縁部研磨中に基板の縁部が丸められる様子を示している。
【図９】 図９は、本発明による方法を使用して製造されたディスクを備えるディスクド
ライブを示した図である。
【図１０】 図１０は、本発明の第２の実施形態による製造処理中における組み立てられた
ガラスの正方形の積重ねを示した図である。
【図１１】 図１１は、本発明の第３の実施形態による方法中において直接基板に切断され
るガラスシートを示した図である。
【図１２】 図１２Ａは、本発明の１の実施形態において、基板の積重ねがそれらの外側の
直径にて縁部研磨にかけられている間の様子を示した横断面図であり、基板はＯ
−リングのセットによって互いに隔てられている。また図１２Ａ’は、本発明の
他の実施形態において、基板の積重ねがそれらの外側の直径にて縁部研磨にかけ
られている間の様子を示した横断面図であり、基板は矩形の横断面を有するＯ−
リングのセットによって互いに隔てられている。さらに図１２Ｂは、図１２Ａに
示した基板の積重ねがそれらの外側の直径にて縁部研磨にかけられている間の様
子を示した上平面図である。
【図１３】 図１３Ａは、基板の積重ねがそれらの内側の直径にて縁部研磨にかけられてい
る間の様子を示した横断面図である。また、図１３Ｂは、基板の積重ねがそれら
の内側の直径にて縁部研磨にかけられている間の様子を示した上平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 バジョレック クリストファー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95032 ロス ガトス クローヴァー ウ ェイ 120 (72)発明者 フレデリックス オーウェン ジェイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95448 ヒールズバーグ シャブリ ロー ド 1550 Ｆターム(参考） 4G015 FA01 FB01 4G059 AA09 AB05 AB09 AC03 5D006 CB04 CB07 DA03 5D112 AA02 AA24 BA03 BA09

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気ディスク基板を製造するための方法であって、前記方法
    は前記基板の角部を丸める段階を備えていることを特徴とする製造方法。
  2. 【請求項２】 前記基板は面取りされていない角部を有することを特徴とす
    る請求項１記載の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記角部の前記丸めの後において、前記角部は約２０〜１２
    ０μｍの間の曲率半径を有することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記基板の上に磁気層を形成する段階をさらに備えているこ
    とを特徴とする請求項１記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記基板と前記磁気層との間に下地層を提供する段階をさら
    に備えていることを特徴とする請求項４記載の製造方法。
  6. 【請求項６】 基板の積重ねを提供し、前記基板は面取りされていない外側
    縁部を有し、前記丸めは前記基板の積重ねの面取りされていない縁部を研磨する
    ことを含み、それにより前記研磨中に、前記基板の積重ねの角部は丸められる前
    記方法であって、前記方法はさらに、 前記基板の積重ねをばらばらにする段階と、 前記基板の上に磁気層を形成する段階とを備えていることを特徴とする請求項
    １記載の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記基板は面取りされていない内側縁部を有し、前記方法は
    また、前記基板の前記面取りされていない内側縁部を研磨して前記内側縁部の角
    部を丸める段階を備えていることを特徴とする請求項６記載の製造方法。
  8. 【請求項８】 材料の層を前記積重ねの中の前記基板同士の間に提供し、前
    記材料の層は研磨中に基板の材料に比べてより急速に侵食し、そして、前記材料
    の層が侵食するとき、前記基板の主たる表面の一部分が露出して、それにより前
    記主たる表面の前記一部分を露出させて、研磨中に前記縁部を丸めさせることを
    特徴とする請求項６又は７のいずれか１項に記載の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記基板と前記磁気層との間に下地層を提供すると共に、前
    記磁気層の上に保護被膜を提供する段階をさらに備えていることを特徴とする請
    求項６，７，又は８のいずれか１項に記載の製造方法。
  10. 【請求項１０】 縁部の研磨中に前記基板を互いに隔てるためにスペーサー
    を提供することを特徴とする請求項６又は７のいずれか１項に記載の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記スペーサーはリングであることを特徴とする請求項１
    ０記載の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載の方法によって製造された磁気ディスク。
  13. 【請求項１３】 基板から構成された磁気ディスクであって、前記基板は面
    取りされていない丸められた外側の縁部を備え、前記磁気ディスクはさらに前記
    基板の上に磁気層を備えていることを特徴とする磁気ディスク。
  14. 【請求項１４】 前記基板はガラス又はガラスセラミックから作られている
    ことを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスク。
  15. 【請求項１５】 前記丸められた外側の縁部は、２０〜１２０μｍの間の曲
    率半径を有する角部を有することを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスク。
  16. 【請求項１６】 前記基板と前記磁気層の間に下地層を備え、前記ディスク
    がさらに前記磁気層の上に保護被膜を備えていることを特徴とする請求項１３又
    は１４のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
  17. 【請求項１７】 基板を製造するための方法であって、上記方法が、 材料のシートの上に保護被膜を塗布する段階と、 前記保護被膜を塗布した後に、材料のシートを円板形の基板に切断する段階と
    、 材料のシートの円板形の基板への前記切断の後に保護被膜を除去する段階とを
    備えていることを特徴とする製造方法。
  18. 【請求項１８】 材料のシートの円板形の基板への前記切断は、 前記保護被膜を塗布した後に、材料のシートをワークピースへ切断する段階と
    、 ワークピースを円板形の基板に切断する段階とを備えていることを特徴とする
    請求項１７記載の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記保護被膜は前記材料のシートの両面に塗布されること
    を特徴とする請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記保護被膜は前記材料のシートの片面だけに塗布される
    ことを特徴とする請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記基板を縁部研磨して、前記縁部研磨によって基板の角
    部を丸めて、前記縁部研磨中に前記保護被膜は前記基板上に残り続ける段階をさ
    らに備えていることを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の製
    造方法。
  22. 【請求項２２】 前記基板の縁部に面取り部を形成する段階をさらに備えて
    いることを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記材料のシートはガラス又はガラスセラミックから構成
    されていることを特徴とする請求項１７乃至２１のいずれか１項に記載の製造方
    法。
  24. 【請求項２４】 前記基板の上に磁気層を堆積する段階をさらに備えている
    ことを特徴とする請求項１７乃至２３のいずれか１項に記載の製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記基板と前記磁気層との間に下地層を形成すると共に、
    前記磁気層の上に被膜を形成する段階をさらに備えていることを特徴とする請求
    項２４記載の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記ワークピースの円板形の基板への前記切断が、 前記ワークピースを積重ねる段階と、 前記積重ねを貫通するように中央のコアを切断して、前記基板の内側の直径を
    形成する段階と、 前記積重ねから外側の廃棄部分を切り取って、それにより前記基板の外側の直
    径を形成し、前記積重ね、中央のコアの切断、及び、前記外側の廃棄部分の切り
    取りの間に前記保護層が前記ワークピース上に残り続けることを特徴とする請求
    項１９記載の製造方法。
  27. 【請求項２７】 保護層がないならばワークピースの表面が機械的な損傷を
    受けるであろう段階を実行するのに先だってワークピースに保護層を塗布する段
    階と、 ワークピースを処理段階にかけて、この段階中には保護層がワークピースを機
    械的な損傷から保護する段階と、 保護層を除去する段階と、 を備えた方法であって、 前記方法の終わりには前記ワークピースを磁気ディスクのための基板に形成す
    ることを特徴とする方法。
  28. 【請求項２８】 前記処理はスクライブして折損する段階を備えていること
    を特徴とする請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記処理段階は積重ねる段階と積重ねをばらす段階とを備
    えていることを特徴とする請求項２７記載の方法。
  30. 【請求項３０】 処理段階は、１つの操作ステーションから別の操作ステー
    ションまでワークピースを搬送する段階を備えていることを特徴とする請求項２
    ９記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記基板上に磁気層を形成する段階をさらに備えているこ
    とを特徴とする請求項２９記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記基板と前記磁気層との間に下地層を形成すると共に、
    前記磁気層の上に保護被膜を形成する段階をさらに備えていることを特徴とする
    請求項３１記載の方法。
  33. 【請求項３３】 ワークピースに第２の保護層を塗布する段階と、 ワークピースを処理段階にかけて、この段階中には保護層がワークピースを機
    械的な損傷から保護する段階と、 第２の保護層を除去する段階とをさらに備えていることを特徴とする請求項２
    ７記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記スペーサーは保護層であることを特徴とする請求項１
    ０記載の製造方法。
  35. 【請求項３５】 保護層がないならばワークピースの表面が機械的な損傷を
    受ける危険にさらされるであろう段階を実行するのに先だってワークピースに保
    護層を塗布する段階と、 ワークピースを処理段階にかけて、この段階中には保護層がワークピースを保
    護する段階と、 保護層を除去する段階と、 を備えた方法であって、 前記方法の終わりには前記ワークピースを磁気ディスクのための基板に形成す
    ることを特徴とする方法。
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