JP2003348464A - 撮像信号処理方法、撮像信号処理装置、撮像装置 - Google Patents

撮像信号処理方法、撮像信号処理装置、撮像装置

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JP2003348464A JP2002157055A JP2002157055A JP2003348464A JP 2003348464 A JP2003348464 A JP 2003348464A JP 2002157055 A JP2002157055 A JP 2002157055A JP 2002157055 A JP2002157055 A JP 2002157055A JP 2003348464 A JP2003348464 A JP 2003348464A
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clamp
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勉 春田
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康秋 久松
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電流出力型の固体撮像素子との組合せにマッ
チしたクランプ回路を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子3から出力される電流モー
ドの撮像信号を、電流信号検出部5にて電流モードでC
DS処理することでFPNノイズを抑制した後、電流信
号検出部5から出力された撮像信号S0を可変利得増幅
器200にて所定レベルに増幅した後、電流電圧変換部
220で電圧信号S3に変換する。電流出力型の差動増
幅器252と電流加算部280とを有するクランプ回路
250においては、差動増幅器252にて、電圧信号S
3と基準電圧源290からの基準電圧とを比較し、差電
圧が零となるようにクランプ電流Scpを電流加算部28
0に帰還する。全体として、電流型のクランプ回路が構
成されるので、電流加算部280は、信号電流S1とク
ランプ電流Scpとを単純に加算する簡易な構成でよくな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の撮
像信号処理方法および装置並びに撮像装置に関する。よ
り詳細には、CMOS型撮像素子や増幅型撮像素子な
ど、画素にて得た画素信号を電流信号として出力する電
流出力方式の固体撮像素子から出力された撮像信号の直
流レベルを一定値に保持するクランプ技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、固体撮像装置は、フォトダイオ
ードなどで構成された各受光素子で光電変換を行ない、
発生した電荷を検出回路によって検出し、その後増幅
し、順次出力する。この検出回路は、検出動作とリセッ
ト動作を交互に行なう場合が殆どで、リセットノイズと
いわれるノイズ信号を発生し、その影響で画素ごとにオ
フセット成分を生じる。また、この検出回路が受光素子
ごとに設けられている、いわゆる増幅型固体撮像素子の
場合には、この検出回路自体のばらつきが問題となり、
固定パターンノイズ(FPN;Fixed Pattern Noise )
といわれるノイズ信号の発生原因となる。このFPN信
号は既知である相関2重サンプリング(Correlated Dou
ble Sampling:以下CDSという)といわれる信号処理
方式によって取り除くことができる。
【0003】一方、CDS回路によってノイズ除去され
た信号は、PGA(Programmable Gain Amp :可変利得
増幅器)などの信号処理を通過した後、A/D変換器
(アナログデジタル変換器)によってデジタル信号へと
変換され、デジタル信号処理によって映像信号が形成さ
れる。
【0004】また、一般には、固体撮像装置から出力さ
れる信号のDCレベル(直流レベル)は、電源電圧、温
度、あるいは半導体製造プロセスなどのバラ付きなどさ
まざまな要因で変動するため、画素信号がCDS回路、
PGA、A/D変換器と通過していく間に、クランプ回
路を用いて任意の時間に任意のDCレベルにクランプ
(保持)する。たとえば、固体撮像装置の場合、DCレ
ベルは、撮像素子のOPB(OPtical Black :光学的
黒)レベルを基準レベルに合わせることで行なわれるこ
とが多い。このクランプ回路の実現方法としては、従来
より様々な構成が提案されている。
【0005】図12は、従来より用いられている固体撮
像装置の構成例を示す概略ブロック図である。ここで図
12(A)〜図12(D)に示す構成では、電流出力型
の固体撮像素子を用いる場合を例に説明する。固体撮像
素子3から出力された電流モードの撮像信号は、I/V
(電流電圧)変換回路902で電圧信号に変換され、C
DS回路903、PGA904、DCシフト回路90
5、A/D変換器906と通過し、最終的にはデジタル
信号処理回路へと送出される。
【0006】クランプ回路900としては、A/D変換
器906の手前に配された差動増幅器907により、出
力信号レベルと基準電圧源908の基準電圧とを比較し
て、その差がなくなるようにDCシフト回路905に帰
還をかけてクランプをかける構成としている。
【0007】この構成では、クランプをかけるための帰
還信号をPGA904の後に帰還しているが、さらに手
前に帰還する構成とすることもできる。たとえばPGA
904の手前に帰還する場合は、PGA904の入力信
号レベルが管理されるため、DCレベルのバラツキによ
ってPGA904のダイナミックレンジが減少すること
を防ぐ効果も得られる。ただし、CDS回路903の手
前に帰還することは現実的でない。CDS回路903の
減算処理によって、一度DC成分が除去されてしまうか
らである。CDS回路903の手前に帰還することは不
可能ではないが、前記事情により、CDS後に再度DC
レベルを合わせることが必要になるので、事実上CDS
回路903の手前に帰還する構成のクランプ回路が無駄
になる。
【0008】これに対して図12(B)は、CDS回路
903のダイナミックレンジ確保のために、もう1つ独
立のクランプ回路901を備えた点に特徴を有する。図
示するように、CDS回路903の手前にDCシフト回
路909を挿入し、CDS回路903の入力レベルが任
意の基準電圧源922の直流電圧と等しくなるように差
動増幅器910によってモニタし、帰還をかける構成と
している。
【0009】このように、図12(A)や図12(B)
で示した従来のクランプ回路は、信号のDCレベルの変
動を吸収することで、映像信号の黒浮きや黒沈みといっ
た問題を防ぐとともに、CDS回路903やPGA90
4といったアナログ回路のダイナミックレンジ確保とい
う観点からも必要とされている。
【0010】ここで問題となるのは、図12(A)や図
12(B)に例示した従来の固体撮像装置においては、
クランプをかけるために必ずDCシフト回路が必要とさ
れ、システムがより複雑化していくということである。
一般的に、CDS回路やPGAといった信号処理回路
は、電圧で信号を処理するものであり、この場合、クラ
ンプ回路もやはり電圧信号に帰還をかけることで実現さ
れる。したがって、DCシフト回路905,909は、
電圧加算器のようなものを用いて構成されるが、場合に
よっては大きめの容量素子を用いて一度信号のDC成分
をカットしてしまうようなやり方もある。
【0011】図12(C)は、図12(A)におけるD
Cシフト回路905を電圧加算器を用いて構成した場合
の例を示す。抵抗素子911,912,913、および
差動増幅器914、基準電圧源915から構成されるの
が電圧加算器で、可変利得増幅器904の出力電圧に、
差動増幅器907の出力電圧を足し合わせたものをA/
D変換器906へと出力する。A/D変換器906の入
力電圧をバッファ916を介してスイッチ素子917の
入力端へ渡し、このスイッチ素子917をクランプパル
スで制御することによりクランプ電位をホールドコンデ
ンサ918に保持する。差動増幅器907は、スイッチ
素子917で制御される任意の時間において、A/D変
換器906の入力電圧を監視し、それが基準電圧源90
8と同じ電圧になるように適当な電圧を抵抗素子91
2、すなわち電圧加算器の入力に対して帰還をかけるこ
とになる。
【0012】図12(D)は、図12(A)におけるD
Cシフト回路905を容量素子を用いて構成した場合の
例を示す。可変利得増幅器904の出力信号を容量素子
917で受け取り、そのDC成分をカットし、バッファ
918を介してA/D変換器906へと出力する。失っ
たDC成分はスイッチ素子919で制御される任意の時
間に差動増幅器907によって与えられ、容量素子91
7によって保持される。差動増幅器907はA/D変換
器906の入力信号電圧を監視し、それが基準電圧源9
08と同じになるように容量素子917に対して帰還を
かけることになる。
【0013】このように、電圧信号に対してクランプを
かける場合に必要なDCシフト回路は、図12(C)の
ような電圧加算器や、図12(D)のように容量素子を
用いる必要があり、回路規模の増大やレイアウト面積増
大の原因となる。特に、大きめの容量素子を半導体基板
上に形成することはレイアウト面積の問題上難しく、か
といって半導体外部に出してしまう場合にはPAD(端
子)数増大といった新たな問題を引き起こす。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
固体撮像装置においては、電流電圧変換回路、CDS回
路、PGA、あるいはA/D変換器などの複雑なアナロ
グ信号処理回路を必要としてきた上に、システム上、撮
像信号のDCレベルを安定させるクランプ回路が必要で
あり、このため図12(C)や図12(D)に示すよう
に、DCシフト回路が新たに必要となり、これが、シス
テムの更なる複雑化の原因となっていた。
【0015】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、電圧加算器などを利用したDCシフト回路など
の特別な回路を用いることなくクランプ回路を構成する
ことのできる撮像信号処理方法および装置並びに撮像装
置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明に係る撮像信号処
理方法は、固体撮像素子から電流信号として出力される
撮像信号の直流レベルを一定値に保持する撮像信号処理
方法であって、撮像信号における所定期間の直流レベル
を検知し、この検知した直流レベルと予め定められてい
る基準値との差が略零となるように、撮像信号にクラン
プ電流を帰還することとした。
【0017】本発明に係る撮像信号処理装置は、前記本
発明に係る撮像信号処理方法を実施する装置であって、
撮像信号における所定期間の直流レベルを検知し、この
検知した直流レベルと予め定められている基準値とを比
較することで直流レベルと基準値との差を求める直流レ
ベル比較部と、直流レベル比較部が求めた直流レベルと
基準値との差が略零となるように撮像信号にクランプ電
流を帰還する電流帰還部とを備えた。
【0018】電流帰還部としては、たとえば、電圧信号
がゲート端子に印加されるMOSトランジスタを含み、
このMOSトランジスタの定電流特性を用いてクランプ
電流を生成するものとすればよい。
【0019】前記直流レベル比較部は、電圧信号で前記
比較をするものであることが好ましい。このために、撮
像信号処理装置としては、固体撮像素子から出力される
撮像信号を電圧信号に変換する電流電圧変換部をさらに
備えた構成とする。そして、直流レベル比較部は、電流
電圧変換部により変換された電圧信号における所定期間
の直流レベルと予め定められている基準値としての基準
直流電圧とを比較する構成とする。
【0020】また本発明に係る撮像信号処理装置は、固
体撮像素子の各画素から画素信号線を介して出力される
電流信号に含まれているオフセット成分を電流モードで
抑制する電流型CDS機能を備えた電流信号検出部と組
み合わせるのが好ましい。
【0021】この電流型CDS機能を備えた電流信号検
出部としては、リセット期間に対応する入力フェーズ時
に電流信号におけるリセット期間の電流成分を受けて保
持し、検出期間に対応する出力フェーズ時には入力フェ
ーズ時に保持した電流成分を出力するカレントコピアを
具備し、電流信号における検出期間には、この検出期間
の成分とカレントコピアの電流入出力端子から出力され
る成分との差を求めることで固定パターンノイズを抑制
する構成を取り得る。
【0022】また、電流信号をオンオフするスイッチ素
子と、リセット期間におけるスイッチ素子のオン時に電
流信号を受けて当該電流信号に応じた電圧を保持する容
量素子と、固体撮像素子側に接続された入力側の素子と
出力側の素子とがミラー接続されたカレントミラー回路
とを具備し、電流信号における検出期間には、カレント
ミラー回路の出力側の素子から出力される検出期間の成
分と容量素子が保持している電圧に応じた電流成分との
差を求めることで固定パターンノイズを抑制する構成と
してもよい。
【0023】あるいは、電流信号をオンオフするスイッ
チ素子と、リセット期間における記スイッチ素子のオン
時に電流信号を受けてこの電流信号に応じた電圧を保持
する容量素子と、容量素子の側に配された入力側の素子
と出力側の素子とがミラー接続されたカレントミラー回
路とを具備し、電流信号における検出期間には、この検
出期間の成分と容量素子が保持している電圧に応じた電
流成分であってカレントミラー回路の出力側の素子から
出力された電流成分との差を求めることで固定パターン
ノイズを抑制する構成とすることもできる。
【0024】なお、カレントコピアを具備する構成の電
流信号検出部と組み合わせる場合には、電流帰還部は、
リセット期間には撮像信号へのクランプ電流の帰還を停
止する構成とすることが好ましい。さらには、リセット
期間に撮像信号への帰還を停止させたクランプ電流を、
たとえば電流電圧変換部の動作基準点を規定する基準電
圧源など、予め定められた基準電圧源に還流させる構成
とすると、より好ましい。
【0025】本発明に係る撮像装置は、各画素からの電
流信号を画素信号線を介して出力する固体撮像素子と、
本発明に係る撮像信号処理装置とを具備したものであ
る。
【0026】
【作用】上記構成においては、直流レベル比較部が、固
体撮像素子から出力される電流モードの撮像信号のま
ま、もしくはこの電流モードの撮像信号を電流電圧変換
した電圧信号で検知することで、撮像信号における所定
期間の直流レベルを検知する。そして、この検知した直
流レベルと予め定められている基準値とを比較すること
で撮像信号の直流レベルと基準値との差を求める。電流
帰還部は、直流レベル比較部が求めた直流レベルと基準
値との差が略零となるように、電流モードの撮像信号に
クランプ電流を帰還する。
【0027】つまり、上記構成においては、従来のよう
な電圧信号でフィードバックする構成のクランプとは異
なり、電流帰還型のクランプ構成を用いて信号電流に直
接クランプ電流を加えることで、撮像信号の直流レベル
を制御する。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
【0029】図1は、電流出力方式の固体撮像素子と本
発明に係る撮像信号処理装置とを備えた撮像装置の一実
施形態の構成例を示す図である。この撮像装置1は、固
体撮像素子3として、たとえばCMOS型撮像素子を備
えている。また撮像装置1は、固体撮像素子3の後段
に、電圧動作点設定部7および電流サンプリング部9を
具備した電流信号検出部5と電流クランプ部26とを備
えている。なお、固体撮像素子3と電流信号検出部5お
よび電流クランプ部26とを1つの半導体基板上に形成
してもよい。
【0030】図1(A)において、固体撮像素子3を構
成する感光部(センサアレイ)10の単位画素11は、
フォトダイオード12、増幅用トランジスタ13、垂直
選択用トランジスタ14、およびリセット用トランジス
タ15によって構成されている。これらトランジスタ1
3〜15として、本例では、NchMOSトランジスタが
用いられている。単位画素11がX方向(列方向)およ
びY方向(行方向)に配列されて画素部を構成してい
る。なお、ここでは、図面の簡略化のために、m行n列
の画素のみを示している。
【0031】単位画素11において、垂直選択用トラン
ジスタ14のゲート電極には垂直走査回路16から垂直
選択線17を通して垂直走査パルスφVmが与えられ、
リセット用トランジスタ15のゲート電極には垂直走査
回路16から垂直リセット線18を通して垂直リセット
パルスφVR mが与えられる。また、フォトダイオード
12で光電変換された信号電荷は増幅用トランジスタ1
3で信号電流に変換され、垂直選択用トランジスタ14
を通して垂直信号線19に出力される。
【0032】垂直信号線19と水平信号線20との間に
は、水平選択用トランジスタ21が接続されている。こ
の水平選択用トランジスタ21のゲート電極には、水平
走査回路22から水平走査パルスφHnが与えられる。
これにより、画素11から垂直信号線19に出力された
信号電流は、水平選択用トランジスタ21を通して水平
信号線20に流れる。
【0033】水平信号線20の一方の端部には、電流信
号検出部5が接続され、その内部の電圧動作点設定部7
および電流サンプリング部9を介して、さらに電流クラ
ンプ部26が接続されている。電流信号検出部5として
は、たとえば、本願出願人による特願2002−102
108号に記載の、電流モードのCDS処理機能を備え
たものを使用するのが好ましい。
【0034】電圧動作点設定部7は、常に水平信号線2
0の電圧を略一定レベル(たとえばGNDレベル付近)
に安定に保つ。電流サンプリング部9は、画素信号線の
一例である水平信号線20を通じて画素信号を電流とし
て受け取り、その電流をサンプリングすることによっ
て、電流信号中に含まれているオフセット電流を取り除
き、純粋な信号だけを取り出す。これにより、画素信号
内に含まれるFPN(固定パターンノイズ)を抑圧す
る。
【0035】電流クランプ部26は、水平信号線20か
ら電流信号検出部5を通して入力される信号電流の所定
位置(具体的には光学的黒レベル;OPB)をクランプ
することで、電流信号の基準レベルであるOPBレベル
を一定値に保持する。この電流クランプ部26の後段に
は、必要に応じて、電流クランプ部26から入力される
信号電流を信号電圧に変換して出力する電流電圧変換回
路が設けられる。
【0036】固体撮像素子3は、感光部(センサアレ
イ)10にフォトダイオード11が縦横に並べられてい
る他(図1(B)を参照)、垂直および水平の各走査回
路などの出力制御回路や出力回路(ともに図示せず)な
どを備えている。必要に応じて、個々のフォトダイオー
ド11上にマイクロレンズを配して撮像対象の画を集光
する構成としてもよい。
【0037】図1(B)に示すように、感光部10の端
の一部には、フォトダイオード11の上部を遮光したセ
ンサ列(遮光部)を並べてある。この部分の出力は常に
光の無い部分で黒のレベル(光学的黒レベル)となる
が、このような画素をOPB画素という。このOPB画
素は、垂直走査の開始側の数ライン(ライン;1水平走
査期間)分と、水平走査の開始側の数画素分だけ設けら
れるのが一般的である。
【0038】電流クランプ部26は、電流モードで電流
信号検出部5から出力された撮像信号における所定期間
の直流レベルを検知し、この検知した直流レベルと予め
定められている基準値との差が略零となるように、撮像
信号にクランプ電流を帰還する。具体的には、この電流
クランプ部26は、出力回路202と、クランプ回路2
50と、加算部280とを有している。この電流クラン
プ部26は、OPB画素の出力信号を検知し、その値と
予め設定した基準値との大小の比較を行なう。本実施形
態においては、電流信号検出部5から出力される電流信
号を出力回路202にて電圧信号に変換し、この電圧信
号中のOPBレベルと電圧基準値とをクランプ回路25
0にて比較する。
【0039】そして、クランプ回路250は、OPB画
素の出力が電圧基準値よりも大きければ小さくなるよう
に、比較結果に応じてクランプレベル(つまりOPBレ
ベル)を変動させOPB画素の出力レベルを基準値に収
束させるよう負帰還制御を行なう。本構成例では、電流
信号検出部5によるCDS処理の後に電流クランプ部2
6からの帰還信号を電流(クランプ電流)で加算してお
り、これにより、その後の信号のDCレベルを希望する
値(予め設定した基準値)に変動させることが可能であ
る。
【0040】図2は、上記構成の撮像装置1における電
流クランプ部26の機能構成を、撮像装置1の全体とと
もに示したブロック図である。図示するように、電流ク
ランプ部26は、電流利得を制御する可変利得増幅器
(PGA)200と、電流信号を電圧信号に変換する出
力回路202の一例である電流電圧変換部(以下電流電
圧変換部220という)と、クランプ回路250とを備
える。
【0041】クランプ回路250は、電流電圧変換部2
20から出力された電圧信号S3を監視(モニタリン
グ)してその結果をクランプ電流Scpとして出力する電
流出力型の差動増幅器252を有する。つまり、電流出
力型の差動増幅器252は、撮像信号における所定期間
の直流レベルを検知し、この検知した直流レベルと予め
定められている基準値とを比較することで直流レベルと
基準値との差を求める直流レベル比較部と、直流レベル
と基準値との差が略零となるように撮像信号にクランプ
電流を帰還する電流帰還部との、両機能を備える。
【0042】たとえば、電流出力型の差動増幅器252
の所定位置(場所は回路構成により変わる)には、クラ
ンプのタイミングを規定するクランプパルスが入力され
る。具体的には、固体撮像素子3のOPB画素位置に応
じたパルスが入力されることで、OPBクランプが実現
される。
【0043】また電流クランプ部26は、可変利得増幅
器200により所定レベルに電流増幅された電流信号S
1と差動増幅器252からのクランプ電流Scpとを加算
して合成電流S2を出力する電流加算部280と、差動
増幅器252の動作基準点を設定する動作基準点設定部
の一例である基準電圧源290とを備える。電流クラン
プ部26の後段には、アナログ信号をデジタル信号に変
換する信号処理系統用のA/D変換器28が接続されて
いる。
【0044】この構成において、電流信号検出部5は、
電流型の固体撮像素子3から出力された撮像信号を、電
流信号のままCDSの減算処理をして電流信号S0とし
て検出し、この電流信号S0を可変利得増幅器200に
供給する。可変利得増幅器200は、電流信号検出部5
にてCDS処理された電流信号S0を所定レベルに増幅
し電流加算部280の一方の端子に供給する。電流電圧
変換部220は、電流加算部280から供給される電流
信号S2を電圧信号S3に変換する。この電圧信号S3
は、信号処理系用の多ビット(たとえば8〜11ビッ
ト)のA/D変換器28によりデジタル信号に変換され
る。
【0045】クランプ回路250を構成する差動増幅器
252は、電流電圧変換部220から出力される電圧信
号S3の光学的黒レベルの電圧値を監視し、その結果を
クランプ電流Scpとして電流加算部280に供給して、
電流モードで電流電圧変換部220の入力に帰還をかけ
る。つまり、固体撮像素子3、電流信号検出部5、可変
利得増幅器200、電流電圧変換部220などが純粋な
信号成分以外にオフセット成分を出力してしまうので、
出力信号にはDCレベル変動が起こってしまう。これを
クランプ電流Scpにより吸収するために、クランプ回路
250が設けられている。
【0046】この構成例のクランプ機能は、電流電圧変
換部220から出力される電圧信号S3のOPB画素の
出力レベルを差動増幅器252で任意の基準電圧源29
0の基準電圧V1と比較し、その差がなくなるように電
流の形で可変利得増幅器200の後に帰還をかけること
で実現している。すでに電流信号検出部5にてCDSの
減算処理が終了しているため、この位置でクランプをか
けることができる。
【0047】また、電流で帰還をかけるため、抵抗など
を利用した電圧加算器のような特別な回路が不要であ
り、単純に可変利得増幅器200からの信号電流S1に
クランプ電流Scpを加えるだけで、OPB画素の信号成
分のDCレベルを制御することができるという利点があ
る。このため、システムを単純化することができ、部品
点数も削減することができる。
【0048】また、CDS機能を有する電流信号検出部
5や可変利得増幅器200は、電流信号で信号処理を行
なうため、限られた電源電圧のなかで信号を処理する場
合において、電圧信号で処理するよりも回路のダイナミ
ックレンジを確保しやすいという利点もある。このた
め、従来技術の図12で例示したような、CDS回路9
03のダイナミックレンジ確保のための独立したDCシ
フト回路909のようなものは特に必要とせず、電流電
圧変換部220で電圧信号に変換する手前に一度電流ク
ランプ部26で帰還をかけるだけで、アナログ回路のダ
イナミックレンジ確保という目的も達成することができ
る。
【0049】また、この例では、電流信号検出部5の後
に可変利得増幅器200を入れているが、CDS機能を
有する電流信号検出部5の手前に可変利得増幅器200
を入れることもでき、特に必要ない場合は可変利得増幅
器200を省略することもできる。また、可変利得増幅
器200に限らず、電流型のサンプルホールド回路な
ど、他の回路ブロックが挿入されてもよい。
【0050】なお、この例では、クランプ電流を可変利
得増幅器200の後段に帰還しているが、電流信号検出
部5の直後に帰還することもできる。この場合、可変利
得増幅器200のゲインを変えたときに、固体撮像素子
3および電流信号検出部5の出すオフセット成分と、そ
れを除去するためのクランプ電流に同じようにゲインが
掛かるため、可変利得増幅器200のゲインを変えたと
きにクランプが外れにくいという利点がある。ただし、
クランプ電流のノイズ成分も一緒にゲイン制御されてし
まい、ゲインアップされたときにはS/N上不利になる
虞れがある。
【0051】図3は、電流信号検出部5の一実施形態の
構成例を示す図である。ここで図3(A)は、その回路
図、図3(B)は動作を説明するためのタイミングチャ
ートである。図示する構成は、電圧動作点設定部7とし
てカレントミラー70を使用し、電流サンプリング部9
としてカレントコピア(電流記憶セル)90を使用した
点に特徴を有する。なお、この構成は、本願出願人によ
る特願2002−102108号に記載の電流信号検出
部の一実施形態の構成と同じである。
【0052】カレントミラー70は、固体撮像素子3の
画素信号線の一例である水平信号線20を介して出力さ
れる電流信号を受け取り、この受け取った電流信号の大
きさに対応する大きさの電流信号を出力する電流/電流
変換部の一例である。
【0053】このカレントミラー70は、図3(A)に
示すように、ドレインおよびゲートが水平信号線20に
共通に接続され、かつソースが電位の基準であるグラン
ドに接続された入力側の素子としてのNchMOSトラン
ジスタQ71と、このNchMOSトランジスタQ71と
ゲートが共通に接続され、かつソースがグランド(GN
D)に接続された出力側の素子としてのNchMOSトラ
ンジスタQ72とから構成されている。すなわち、固体
撮像素子3から信号が流れてくる画素信号線20をNch
MOSトランジスタQ71,Q72からなるカレントミ
ラー70に接続する。両NchMOSトランジスタQ7
1,Q72としては同じ特性のものが用いられる。
【0054】また、図3(A)に示すように、カレント
コピア90は、入出力端子としてのドレインがNchMO
SトランジスタQ72のドレインと接続され、ソースが
電源線VDDに接続されたPchMOSトランジスタQ9
1と、このPchMOSトランジスタQ91のゲートと電
源線VDDとの間に接続されたサンプリング用の容量素
子C91と、PchMOSトランジスタQ91のゲートと
ドレイン間に接続されたスイッチ素子SW91と、Pch
MOSトランジスタQ91のドレインと電流出力端子Io
utとの間に接続されたスイッチ素子SW92とから構成
されている。
【0055】すなわち、先ず、カレントミラー70の出
力、つまりNchMOSトランジスタQ72のドレイン端
子を、PchMOSトランジスタQ91のドレイン端子に
接続する。PchMOSトランジスタQ91のゲートに
は、サンプリング用の容量素子C91が電源電圧VDD
との間に接続され、また、ゲートとドレインの間にスイ
ッチ素子SW91が挿入され、カレントコピア90とし
て構成される。
【0056】NchMOSトランジスタQ72とPchMO
SトランジスタQ91のドレイン端子同士をつないだノ
ードの先には、スイッチ素子SW92が接続され、出力
端子Ioutに接続される。
【0057】ここで、図3(A1)に示すように、スイ
ッチ素子SW91を導通状態、スイッチ素子SW92を
非導通状態に制御するとカレントコピア90は入力フェ
ーズとなり、図3(A2)に示すように、スイッチ素子
SW91を非導通状態、スイッチ素子SW92を導通状
態に制御するとカレントコピア90は出力フェーズとな
る。
【0058】なお、この図3(A)の例では、固体撮像
素子3が増幅トランジスタ13としてNchMOSトラン
ジスタを備えているので、これに応じて、カレントミラ
ー70としてNchMOSトランジスタを、カレントコピ
ア90としてPchMOSトランジスタをそれぞれ使用し
ているが、固体撮像素子3が、増幅トランジスタ13と
してPchMOSトランジスタを備えている場合には、カ
レントミラー70およびカレントコピア90の形態も、
図3(A)にて使用しているトランジスタのNchとPch
の極性を反転させたものを使用すればよい。
【0059】図3(B)には、固体撮像素子3の出力信
号波形IINと合わせて、スイッチ素子SW91の制御パ
ルスΦRST、スイッチ素子SW92の制御パルスΦD
ET、および出力端子Ioutに現れる出力信号波形Ioutと
が示されている。ただし、制御パルスΦRST,ΦDE
Tは、ハイ(H)期間にそれぞれのスイッチ素子を導通
状態(オン)、ロー(L)期間に非導通状態(オフ)に
制御するものとする。このΦRSTとΦDETのスイッ
チ制御によって、PchMOSトランジスタQ91および
容量素子C91はカレントコピアとして動作する。
【0060】固体撮像素子3から水平信号線20を介し
て、カレントミラー70のNchMOSトランジスタQ
71に、図3(B)に示す信号波形の信号電流IINが供
給される。この信号波形は、電流出力型の固体撮像素子
の一般的な出力信号波形と同じである。たとえば、1画
素期間内にはリセット期間と検出期間とがあり、リセッ
ト期間にはオフセット成分の信号Ioffが、検出期間には
検出電流“Ioff−Isig”が出力される。その差分である
Isigが本来必要な信号電流となる。
【0061】固体撮像素子3から出力されたこの信号電
流IINは、画素信号線20を介してNchMOSトランジ
スタQ71,Q72から構成されるカレントミラー70
に供給される。カレントミラー70は入力と出力の電流
が同じになるように働くため、NchMOSトランジスタ
Q71に入力された信号電流は、そのままNchMOSト
ランジスタQ72のドレインに現れる。
【0062】固体撮像素子3の出力信号IINがリセット
期間にあるときには、図3(A1)に示すように、制御
パルスΦRSTのH期間によってスイッチ素子SW91
を導通状態、制御パルスΦDETのL期間によってスイ
ッチ素子SW92を非導通状態に制御する。このときカ
レントコピア90は入力フェーズとなり、固体撮像素子
3からカレントミラー70を介して流れてきた電流Ioff
をすべて入力する。
【0063】そして、このときの信号電流(オフセット
成分)Ioffの大きさに応じた電圧がPchMOSトランジ
スタQ91のゲート端子に現れ、次の瞬間スイッチ素子
SW91を非導通状態にすることで、そのときのゲート
電圧を容量素子C91が記憶する。このカレントコピア
90は出力フェーズとなり、先に入力したオフセット電
流Ioffを記憶し、そのまま流し続けようとする。
【0064】この状態で次に固体撮像素子3の出力信号
IINは検出期間に移り、“Ioff−Isig”という信号がカ
レントミラー70を介して流れ込んでくるが、カレント
コピア90は出力フェーズにあるため、先に容量素子C
91に記憶した電流Ioffを流し続けようとする。このと
きスイッチ素子SW92を導通状態にしてやることで、
カレントコピア90の記憶した電流Ioffと、カレントミ
ラー70を介して流れ込んでくる信号電流“Ioff−Isi
g”の差分だけがIout端子に現れることになる。すなわ
ち、“Iout=Ioff−(Ioff−Isig)=Isig”となり、オ
フセット成分Ioffを含まない純粋な信号IsigだけがIout
端子に現れることになる。
【0065】このように、図3に示した構成を用いるこ
とで、FPNの原因となるオフセット電流Ioffを取り除
き、本来の信号成分Isigだけを出力端子Ioutから電流信
号Ioutとして取り出すことができ、電流モードのCDS
処理機能(すなわちFPN抑制機能)を実現することが
できる。なお、この出力電流信号は連続波となっていな
いが、サンプリングによって連続波に変換される。
【0066】この回路は、NchMOSトランジスタQ7
1,Q72からなる1つのカレントミラー70と、Pch
MOSトランジスタQ91、容量素子C91、およびス
イッチ素子SW91,SW92からなる1つのカレント
コピア90だけで構成され、非常に回路構成が簡単で素
子数が少ないという特徴を持つ。また、電流サンプリン
グ部9として機能するカレントコピア90に対する制御
も、リセット期間中に記憶、検出期間中に出力と、2つ
のフェーズを持つだけなので、非常に制御が簡単である
という特徴をもつ。
【0067】また、画素信号線20の電位は、カレント
ミラー70を構成するダイオード接続されたNchMOS
トランジスタQ71によって常に決定され、NchMOS
トランジスタQ71のVth+その時の電流値とトランジ
スタサイズに応じたバイアス値となる。トランジスタの
Vthとサイズを適切に選択することよってGND付近で
常に安定にすることができる。そして、これにより、固
体撮像素子3内の増幅トランジスタ13は常に良好な増
幅率を保ち、リニアリティの悪化を防ぐことができる。
【0068】図4は、撮像装置1のより具体的な構成例
を示した図であって、上記図3に示したカレントコピア
を利用する電流信号検出部5の一実施形態とともに、可
変利得増幅器200や電流電圧変換部220の一実施形
態を示したものである。
【0069】電流信号検出部5の後段に設けられた可変
利得増幅器200は、NchMOSトランジスタQ20
1,Q202,Q203,Q204、このNchMOSト
ランジスタQ201〜Q204のそれぞれ対応するよう
に設けられた電流源I201,I202,I203,I
204、およびNchMOSトランジスタQ202〜Q2
04と対応する電流源I202〜I204のそれぞれの
間に配されたスイッチ素子SW202a,SW202
b,SW203a,SW203b,SW204a,SW
204bを備えたカレントミラー回路により構成されて
いる。
【0070】図示した例では、電流入力側にNchMOS
トランジスタQ201および電流源I201が配され、
電流出力側にNchMOSトランジスタQ202〜Q20
4および電流源I202〜I204がスイッチ切替え可
能に配されている。つまり、出力側にカレントミラー回
路の出力段を3並列した構成としている。ただしこれ
は、必要なゲインに応じて構成されるもので、特に3並
列に限るわけではない。また、NchMOSトランジスタ
でカレントミラー回路を構成しているが、PchMOSト
ランジスタを用いて構成してもよい。
【0071】電流信号検出部5から出力された電流信号
S0は、カレントミラー構成の可変利得増幅器200の
入力側であるNchMOSトランジスタQ202のゲート
端子に入力される。カレントミラー回路は単に入力され
た電流をそのミラー比に応じて出力するだけであるが、
そのミラー比を可変にすることで可変利得動作させるこ
とができる。ここで、ミラー比を可変にするために設け
られたのが、スイッチ素子SW202a〜SW204b
である。このスイッチ素子SW202a〜SW204b
を必要なゲインに応じて導通させると、ミラー比を決定
することができる。また、電流信号検出部5からの信号
電流S1が“0”になっても、可変利得増幅器200が
動作するように、バイアス電流を流す機構として、電流
源I201〜I204を備えている。
【0072】この可変利得増幅器200の後段に設けら
れた電流電圧変換部220は、差動増幅器222と、こ
の差動増幅器222の反転入力端子(−)と出力端子と
の間に配された抵抗素子224と、差動増幅器222の
非反転入力端子(+)と基準電圧(具体的にはGND
(接地))との間に配された基準電圧源226とを備え
る。基準電圧源226は、電流電圧変換部220にて電
流電圧変換作用を行なう場合の電圧の基準となるもので
ある。
【0073】可変利得増幅器200から出力された電流
信号S1は、電流電圧変換部220を構成する差動増幅
器222の反転入力端子(−)に直接に入力される。ま
た、差動増幅器222の反転入力端子(−)には、電流
モードのクランプ機能を有する差動増幅器252からク
ランプ電流Scpも直接に入力される。
【0074】つまり、この構成によれば、差動増幅器2
22の反転入力端子(−)にて、可変利得増幅器200
からの電流信号S1と、差動増幅器252からのクラン
プ電流Scpとが合成され、差動増幅器222にて直ちに
電圧信号S3に変換される。差動増幅器222の反転入
力端子(−)にて直接に電流加算しているので、抵抗な
どを利用した電圧加算器のような特別な回路は必要とし
ないので、部品点数を削減することができる。電流出力
型の固体撮像素子3との組合せにマッチした電流型のク
ランプ回路とすることができる。
【0075】この構成において、差動増幅器252は、
スイッチ素子254で制御される任意の時間(前例では
OPBのタイミング)において、A/D変換器28の入
力電圧、つまり電流電圧変換部220から出力された電
圧信号S3を監視し、差動増幅器252の非反転入力端
子(+)に接続された基準電圧源290の電圧との差が
なくなるように、電流電圧変換部220の入力(本例で
は差動増幅器222の反転入力端子(−))に対して電
流モードで帰還をかける。なお、スイッチ素子254が
オフしている期間に、オン時に監視していた値を保持す
るために、サンプルホールド回路などを差動増幅器25
2の手前に挿入してもよい。
【0076】ここで、このような電流帰還型の電流クラ
ンプ部26によれば、電圧帰還型の場合に必要だった電
圧加算器や、DC成分をカットするための容量素子など
が不要になり、単純に信号電流S1にクランプ電流Scp
を加えるだけでクランプができる。このため、部品点数
を削減することができ、また信号が通過する回路数を減
らすことができるため、ノイズの混入なども少なくする
ことができる。
【0077】また、クランプ電流を注入する回路自体
は、たとえばMOSトランジスタの定電流特性を用いる
ことで簡単に形成することができ、システムの複雑化を
抑えることができる。特に、図4で例示した電流信号検
出部5のような電流型のCDS回路を構成することで、
電流帰還型のクランプ回路を用いることができ、システ
ムの単純化に貢献する。たとえば、CMOSトランジス
タなどを用いて、固体撮像素子3、電流信号検出部5、
および電流クランプ部26を、一体的に半導体基板上に
構成することもできる。
【0078】さらに、CDS機能を有する電流信号検出
部5や可変利得増幅器200は電流型の信号処理を行な
うため、限られた電源電圧のなかで信号を処理する場合
において、電圧信号で処理するよりも回路のダイナミッ
クレンジを確保しやすいという利点もある。
【0079】図5は、クランプ回路250の具体的な構
成例を示す図である。ここで、図5(A)に示す一例
は、電流出力型の差動増幅器252をCMOSトランジ
スタで具体的に構成した場合を示している。電流出力型
の差動増幅器252は、差動増幅器252aと、PchM
OSトランジスタ252bと、サンプリング回路252
cとから構成されている。サンプリング回路252c
は、スイッチ素子252dとホールドコンデンサ252
eとを含む。ホールドコンデンサ252eは、クランプ
パルスで規定されるクランプ期間にサンプリングした差
動増幅器252aの出力電圧を保持する。
【0080】また、クランプ回路250は、サンプリン
グ回路252cとPchMOSトランジスタ252bとの
間に、ホールドコンデンサ252eに保持されているサ
ンプリング電圧を受けて、それに応じてPchMOSトラ
ンジスタ252bのゲート端子を制御するクランプ電圧
Vcpを発生する制御電圧発生回路260を有する。
【0081】PchMOSトランジスタ252bのソース
端子は電圧源(本例ではVDD)に接続され、ドレイン
端子は電流電圧変換部220の入力に接続される。図4
に示した電流電圧変換部220との対応では、ドレイン
端子は差動増幅器222の反転入力端子(−)に接続さ
れ、PchMOSトランジスタ252bで生成されたクラ
ンプ電流Scpが差動増幅器222の反転入力端子(−)
に入力される構成とする。
【0082】PchMOSトランジスタ252bが飽和領
域で動作するような電圧を制御電圧発生回路260が加
えることで、PchMOSトランジスタ252bはゲート
−ソース間の電圧に応じた電流を流す電流源として動作
する。つまり、PchMOSトランジスタ252bは、制
御電圧発生回路260から出力されるクランプ電圧Vcp
をクランプ電流Scpに変換する電圧電流変換部として機
能する。これにより、クランプ回路250は、電流出力
型のクランプ回路としての機能を果たすことができる。
【0083】なお、制御電圧発生回路260を用いるこ
となく、ホールドコンデンサ252eに保持されている
サンプリング電圧を直接PchMOSトランジスタ252
bのゲート端子に加える構成としても、出力信号のDC
レベルを制御する、つまりクランプ機能を作動させるこ
とができる。
【0084】また、図5(A)に示す一例では、PchM
OSトランジスタ252bのみでクランプ電流Scpを電
流電圧変換部220の入力に供給する構成としている
が、PchMOSトランジスタ252bをNchMOSトラ
ンジスタに置き換えて、電流電圧変換部220の入力か
らクランプ電流ScpをNchMOSトランジスタ側に引き
込む構成としてもよい。また、PchMOSトランジスタ
およびNchMOSトランジスタの両方を用いて、電流の
流れる方向を切り替えて使う構成とすることもできる。
【0085】また、図5(A)に示す一例では、PchM
OSトランジスタ252bを用いて、制御電圧発生回路
260から出力されるクランプ電圧Vcpをクランプ電流
Scpに変換するようにしていたが、これに限らず、差動
増幅器252aの出力端子を電流出力型の構成とするこ
とで、制御電圧発生回路260やMOSトランジスタな
どによる電圧電流変換部を設けることなく、その電流出
力型の差動増幅器の出力にて直接にクランプ電流Scpを
発生させる構成とすることもできる。
【0086】図5(B)に示す第2例は、PchMOSト
ランジスタ252bのドレイン端子に3端子スイッチ素
子258を挿入した構成例を示している。3端子スイッ
チ素子258は、入力端子aがPchMOSトランジスタ
252bのドレイン端子と接続され、一方の出力端子b
が電流電圧変換部220の入力部に接続され、他方の出
力端子cが電流電圧変換部220の動作基準点と接続さ
れる構成とする。
【0087】図4に示した電流電圧変換部220との対
応では、出力端子bは差動増幅器222の反転入力端子
(−)に接続され、PchMOSトランジスタ252bで
生成されたクランプ電流Scpが3端子スイッチ素子25
8を介して差動増幅器222の反転入力端子(−)に入
力される構成とする。また、出力端子cは電流電圧変換
部220の非反転入力端子(+)と接続され、その非反
転入力端子(+)に接続された基準電圧源226と同じ
基準電圧V2が印加されるようにする。以下、3端子ス
イッチ素子258の役割について説明する。
【0088】図3にて電流信号検出部5の具体例を挙げ
たように、カレントコピアセルを用いて電流モードでC
DS処理をする場合、リセット期間にサンプリングのた
めにスイッチ素子SW92を閉じる必要がある。このと
き、可変利得増幅器200やクランプ回路250には信
号電流S1が流れてこないことになるので、電流電圧変
換部220には、クランプ電流Scpだけが流れ込むこと
になる。
【0089】クランプ電流Scpは信号電流が流れている
期間に電流電圧変換部220のダイナミックレンジがき
ちんと確保されるように流れているため、信号電流S1
がなくなってしまうと、クランプ電流Scpのせいで電流
電圧変換部220が一時的にそのダイナミックレンジを
はずしてしまう可能性がある。一般的に差動増幅器を用
いて作られているI/V変換回路の場合は、一旦ダイナ
ミックレンジから外れてしまうと動作スピードが極端に
遅くなるなど、通常の動作状態に復帰するのに時間がか
かる場合がある。
【0090】このような問題を避けるために、スイッチ
素子SW92のオンオフ制御と同じタイミングでスイッ
チ素子258をオンオフ制御する。すなわち、スイッチ
素子SW92が非導通状態になって信号電流S1が電流
電圧変換部220側に流れてこなくなったときに、スイ
ッチ素子258を出力端子bから切断して電流電圧変換
部220の入力部とPchMOSトランジスタ252bと
を切り離す。これにより、電流電圧変換部220に入力
される撮像信号S1へのクランプ電流Scpの帰還を停止
することで、電流電圧変換部220へのクランプ電流S
cpの流入を防ぎ、ダイナミックレンジをはずしてしまう
ことを防ぐようにする。
【0091】また、単純にスイッチ素子258を切断し
てしまうと、PchMOSトランジスタ252bからのク
ランプ電流Scpが流れ込む先を失い、クランプ電流Scp
の電流値が“0”になってしまう。すると次にスイッチ
素子258を出力端子b側に接続してクランプ電流Scp
を流し始めたときに、所望の電流値に落ち着くまでに時
間がかかってしまうため、規定の時間内に信号を忠実に
再現できなくなってしまう虞れがある。
【0092】そこで、スイッチ素子258を単純にオン
オフ制御するのではなく、図5(B)に示すように、ス
イッチ素子SW92を非導通状態にするときにはスイッ
チ素子258を出力端子bから出力端子c側に切り替
え、電流電圧変換部220の非反転入力端子(+)側に
接続することで、この非反転入力端子(+)の接続され
ている基準電圧源226につなぎ変える。つまり、スイ
ッチ素子SW92を非導通状態にするリセット期間に
は、撮像信号へのクランプ電流Scpの帰還を停止させる
とともに、この帰還を停止させたクランプ電流Scpを、
電流電圧変換部220の動作基準点を設定するための基
準電圧源226に向けて還流させる。
【0093】こうすることで、クランプ電流Scpを流し
込むPchMOSトランジスタ252bから見れば、クラ
ンプ電流Scpを電流電圧変換部220に流し込んでいる
ときも、遮断(カット)しているときも、見かけ上何も
変わらないように見えるため、常に制御電圧発生回路2
60によって制御された電流を流し続けることができ、
クランプ電流Scpの安定性を保つことができる。つま
り、常にクランプ電流Scpの安定性を保ち、次に再びク
ランプ電流Scpを撮像信号S1に流し込むときにすぐに
所望の電流が得られるようになる。
【0094】図5(C)に示す第3例は、制御電圧発生
回路260の具体的な構成例を示している。この制御電
圧発生回路260は、差動増幅器262、PchMOSト
ランジスタ264、および抵抗素子266を有する。P
chMOSトランジスタ264は、ソース端子が電圧源
(本例ではVDD)に接続され、ゲート端子がPchMO
Sトランジスタ252bのゲート端子と共通に差動増幅
器262の出力端子と接続され、ドレイン端子が差動増
幅器262の非反転入力端子(+)と接続されている。
差動増幅器262の反転入力端子(−)に差動増幅器2
52aの出力電圧が入力される。
【0095】この構成において、制御電圧発生回路26
0は、差動増幅器252aの出力電圧を受けて、PchM
OSトランジスタ252bを駆動するのに適当な電圧を
発生する。すなわち、差動増幅器262は、差動増幅器
252aの出力電圧と、抵抗素子266に加わる電圧が
同じになるようにPchMOSトランジスタ264のゲー
ト電圧を制御する。このとき、PchMOSトランジスタ
264に流れる電流は、抵抗素子266とそれに加わる
電圧とで制御されるため、その電流値を流せるだけのP
chMOSトランジスタ264のゲート電圧が自動的に決
まる。
【0096】PchMOSトランジスタ264とその後段
のPchMOSトランジスタ252bの能力(性能/特
性)を全く同じにして、かつPchMOSトランジスタ2
64,252bが飽和領域で動作するようにその能力や
抵抗素子266の値を決めておくと、PchMOSトラン
ジスタ264のゲート電圧をそのままPchMOSトラン
ジスタ252bのゲート端子にも供給することで、Pch
MOSトランジスタ264,252bの流れる電流を全
く同じにすることができる。つまり、PchMOSトラン
ジスタ252bが流すクランプ電流Scpを抵抗素子26
6とそれに加わる電圧とで制御することができる。
【0097】なお、図5(C)で挙げた制御電圧発生回
路260の構成例はあくまで一例であって、その他さま
ざまな構成例を取り得る。たとえば、差動増幅器252
aをコンパレータとして使用し、その後段の制御電圧発
生回路260をデジタル回路を用いてさまざまな処理を
行なう構成、すなわちデジタル回路による演算処理部を
備えた構成としてもよい。この場合には、デジタル回路
の処理結果(デジタル値)をD/A変換器を用いてアナ
ログ信号(たとえば電圧信号)に戻し、PchMOSトラ
ンジスタ252bの入力電圧として供給することで、P
chMOSトランジスタ252bにてクランプ電流Scpを
発生させることもできる。
【0098】以上説明したように、上記実施形態の構成
によれば、電流帰還型のクランプ回路を用いるようにし
たので、電圧帰還型の場合に必要だった電圧加算器やD
C成分カットするための容量素子などが不要になり、単
純に信号電流にクランプ電流を帰還するだけでDCクラ
ンプが可能となる。このため、部品点数を削減すること
ができ、また信号が通過する回路数を減らすことができ
るため、ノイズの混入なども少なくすることができる。
【0099】加えて、図5にて具体的構成例を示したよ
うに、クランプ電流を注入する回路自体は、MOSトラ
ンジスタの定電流特性を用いることで簡単に形成するこ
とができ、システムの複雑化を抑えることができる。さ
らに、電流型の信号処理を行なう構成のCDS回路やP
GA回路と組合せることで、限られた電源電圧のなかで
信号を処理する場合において、電圧信号で処理するより
も回路のダイナミックレンジを確保しやすいという効果
を享受することもできる。
【0100】図6は、電流信号検出部5の他の実施形態
の構成例を示す図である。ここで図6(A)は、その回
路図、図6(B)は動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。なお、この構成は、本願出願人による特
願2002−102108号に記載の電流信号検出部の
第6実施形態の構成と同じである。
【0101】この実施形態の電流信号検出部5は、電圧
動作点設定部7として図3に示した実施形態と同様にカ
レントミラー70を使用する一方、電流サンプリング部
9として、図3に示した実施形態のカレントコピア90
に代えて、スイッチ素子SW81、スイッチ素子SW8
1のオン時に電流信号を受けて当該電流信号に応じた電
圧を保持する容量素子C81、およびカレントミラー8
0、スイッチ素子SW81がオンしているときに他のト
ランジスタとの間でカレントミラーを形成するトランジ
スタQ83を使用する点に特徴を有する。スイッチ素子
SW81および容量素子C81からなるサンプル・アン
ド・ホールド(S/H)回路と、カレントミラーとによ
って、カレントコピア90と同様の作用をさせるもので
ある。
【0102】カレントミラー80は、電圧動作点設定部
7として機能するカレントミラー70の構成要素である
NchMOSトランジスタQ72のドレイン側に、ドレイ
ンおよびゲートが共通に接続され、かつソースが電源V
DDに接続された入力側の素子であるPchMOSトラン
ジスタQ81と、このPchMOSトランジスタQ81と
ゲートが共通に接続され、かつソースが電源VDDに接
続された出力側の素子であるPchMOSトランジスタQ
82とから構成されている。両PchMOSトランジスタ
Q81,Q82としては同じ特性のものが用いられる。
【0103】また、NchMOSトランジスタQ71のゲ
ートは、スイッチ素子SW81を介して容量素子C81
の一端およびNchMOSトランジスタQ83のゲートに
接続されている。容量素子C81の他端およびNchMO
SトランジスタQ83のソースは、電圧基準であるGN
Dに接続されている。
【0104】スイッチ素子SW81には、これを制御す
る制御パルスΦRSTが供給され、制御パルスΦRST
がH期間のみスイッチ素子SW81は導通(オン)する
ものとする。図6に示すように、固体撮像素子3の出力
電流がリセット期間にあるときのみ、スイッチ素子SW
81を導通(オン)させる。スイッチ素子SW81がオ
ンしているとき、NchMOSトランジスタQ71,Q8
3はカレントミラーを形成する。
【0105】次に、この実施形態の電流信号検出部5の
動作を説明する。先ず、NchMOSトランジスタQ7
1,Q72はカレントミラー70を形成しており、Nch
MOSトランジスタQ72はNchMOSトランジスタQ
71の受け取った信号電流IINをそのまま流すように動
作する。さらに、NchMOSトランジスタQ72の出力
電流は、PchMOSトランジスタQ81,Q82から形
成されたカレントミラー80に入力され、PchMOSト
ランジスタQ82ドレインにそのまま出力電流として表
れる。
【0106】たとえば、固体撮像素子3の出力電流がリ
セット期間にあるときには、カレントミラー70は、オ
フセット電流IoffをそのままPchMOSトランジスタQ
81,Q82からなるカレントミラー80に入力し、さ
らにカレントミラー80は、リセット期間のオフセット
電流IoffをそのままNchMOSトランジスタQ83や出
力端子Ioutに向けて出力する。
【0107】また、このリセット期間には、スイッチ素
子SW81を介してNchMOSトランジスタQ71,Q
83のゲート同士が接続されカレントミラーを形成する
ため、リセット期間のオフセット電流Ioffが、そのまま
NchMOSトランジスタQ83のドレインに現れる。ま
た、このとき、NchMOSトランジスタQ71のゲート
は、スイッチ素子SW81を介して容量素子C81と接
続されるので、NchMOSトランジスタQ71のゲート
電圧は容量素子C81に記憶保持される。
【0108】ここで、NchMOSトランジスタQ83と
PchMOSトランジスタQ82の電流の差分が出力端子
Ioutに出力されることになるが、この時点ではNchMO
SトランジスタQ83とPchMOSトランジスタQ82
はお互い同じ大きさのオフセット電流Ioffを流している
ため、図6(B)に示すように、出力電流Ioutは“0”
である。
【0109】次に、固体撮像素子3の出力電流が検出期
間では、スイッチ素子SW81は非導通状態(オフ)に
ある。このとき、リセット期間にNchMOSトランジス
タQ71が流していた電流に対応したゲート電圧が容量
素子C81に記憶保持され、NchMOSトランジスタQ
83のゲートに供給されている。このため、NchMOS
トランジスタQ83は、スイッチ素子SW81がオフの
ときにも、容量素子C81に記憶された電圧に応じた電
流を流す。
【0110】NchMOSトランジスタQ71,Q81を
同じサイズにしておくと、スイッチ素子SW81がオフ
時にもNchMOSトランジスタQ83は、結果的に固体
撮像素子3のリセット期間のオフセット電流Ioffを記憶
し、流し続ける。つまり、NchMOSトランジスタQ8
3は、先のリセット期間のオフセット電流Ioffを記憶し
たままである。
【0111】また、検出期間には、NchMOSトランジ
スタQ72はNchMOSトランジスタQ71とカレント
ミラーを形成しているため、検出期間の検出電流“Ioff
−Isig”をそのままPchMOSトランジスタQ81,Q
82からなるカレントミラー80に入力し、さらにカレ
ントミラー80は、検出期間の検出電流“Ioff−Isig”
をそのままNchMOSトランジスタQ83や出力端子Io
utに向けて出力する。
【0112】ここで、NchMOSトランジスタQ83と
PchMOSトランジスタQ82の電流の差分が出力端子
Ioutに出力されることになるため、図6(B)に示すよ
うに、“Iout=(Ioff−Isig)−Ioff=−Isig”となっ
て、信号成分だけが出力端子Ioutから出力されることに
なる。つまり、リセット期間のオフセット電流IoffをN
chMOSトランジスタQ83から流し、検出期間の検出
電流“Ioff−Isig”をPchMOSトランジスタQ81,
Q82からなるカレントミラー80で折り返して流すこ
とで引き算を行なうことで、オフセット成分Ioffを含ま
ない純粋な信号成分“−Isig”を生成するようにしてい
る。
【0113】要するに、電流サンプリング部9は、電流
信号IINにおける検出期間には、カレントミラー80の
出力側の素子であるPchMOSトランジスタQ82から
出力される電流成分“Ioff−Isig”と容量素子C81が
保持している電圧に応じた電流成分Ioffとの差を求める
ことで、オフセット成分が抑制された信号成分“−Isi
g”を抽出する。
【0114】このように、電流サンプリング部9として
カレントコピアを用いない図6に示す実施形態の構成に
おいても、カレントコピアを用いた一〜第5実施形態と
出力電流の向きが逆にはなるが、FPNの原因となるオ
フセット電流Ioffを取り除き、本来の信号成分“−Isi
g”だけを出力端子Ioutから電流信号Ioutとして取り出
すことができ、電流モードのCDS回路としての機能を
果たすことができる。
【0115】なお、図3に示す実施形態と異なり、リセ
ット期間にスイッチ素子SW81への制御信号ΦRST
がオフのときには、リセットノイズ成分が出力端子Iout
に現れるが、連続した信号電圧にする過程、すなわち、
電流クランプ部26内の電流電圧変換部220によるI
/V変換後にサンプル・アンド・ホールド回路によって
連続信号に変換される過程で、取り除くことができるの
で問題とならない。
【0116】また、この実施形態の回路も、NchMOS
トランジスタQ71,Q72からなる1つのカレントミ
ラー70と、スイッチ素子SW81、容量素子C81、
およびPchMOSトランジスタQ81,Q82からなる
1つのカレントミラー80、並びにスイッチ素子SW8
1がオンしているときにNchMOSトランジスタQ71
との間でカレントミラーを形成するNchMOSトランジ
スタQ83で構成される電流サンプリング部9だけで構
成され、先の実施形態とほぼ同様に非常に回路構成が簡
単で素子数が少ないという特徴を持つ。また、電流サン
プリング部9の制御も、リセット期間中に記憶、検出期
間中に出力と、2つのフェーズを持つだけなので、非常
に制御が簡単であるという特徴をもつ。
【0117】図7は、クランプ回路の他の実施形態の構
成例を示す図である。ここで、図7(A)は、その構成
を示すブロック図であり、図7(B)は、このクランプ
回路にて使用されるパルス信号のタイミングチャートで
ある。
【0118】本実施形態のクランプ回路300の構成
は、信号処理系統用のA/D変換器28とは独立に設け
られた専用のA/D変換部を含むデジタル回路の演算処
理部を備え、デジタル回路の処理結果(デジタル値)を
D/A変換器を用いてアナログ電圧信号に戻し、PchM
OSトランジスタ252bの入力電圧として供給するこ
とで、PchMOSトランジスタ252bにてクランプ電
流Scpを発生させる構成とした点に特徴を有する。ま
た、このクランプ回路300は、応答速度が比較的高速
のスタートアップモードと、応答速度が比較的低速のノ
ーマルモードの何れか一方で動作可能に構成されてい
る。
【0119】図7(A)に示すように、本実施形態のク
ランプ回路300は、先の実施形態のクランプ回路25
0における差動増幅器252aに相当する比較器(コン
パレータ)302と、比較パルスCPの数をカウントす
るアップダウンカウンタ304と、アップダウンカウン
タ304のカウント値CNTが所定条件に合致するか否
かを判定する判定回路306とを備える。アップダウン
カウンタ304のリセット端子RSTには、インバータ
308で垂直同期信号VSを反転させた反転垂直同期信
号NVSが入力され、この反転垂直同期信号NVSごと
にカウント値CNT1がリセットされるようになっている。
【0120】また、クランプ回路300は、アップダウ
ンカウント機能を有するレジスタカウンタ310と、レ
ジスタカウンタ310のカウント値CNT2を直接にアナロ
グ電圧に変換するD/A変換器312と、D/A変換器
312から出力されたアナログ電圧を電流信号に変換す
る電圧電流変換器(V/I変換器)314とを備える。
電圧電流変換器314から出力される電流信号(クラン
プ電流Scp)は、電流電圧変換部220の入力部へ供給
される。
【0121】レジスタカウンタ310から電流電圧変換
部220までの制御系統は、カウント値CNT2をアップす
ればOPBレベルが上昇し、逆にカウント値CNT2がダウ
ンすればOPBレベルを低下させるような極性とする。
電圧電流変換器314としては、先の実施形態のクラン
プ回路250におけるPchMOSトランジスタ252b
を用いればよい。この場合、D/A変換器312の出力
をPchMOSトランジスタ252bのゲート端子に接続
する。前記のような制御極性となるように、必要に応じ
て反転増幅器を設けるなどすればよい。
【0122】レジスタカウンタ310は、クランプ回路
300の動作モードに応じて、カウントする対象が異な
るようになっている。この仕組みのために、クランプ回
路300は、モード切替判定回路320と、このモード
切替判定回路320の制御の元でレジスタカウンタ31
0のクロック端子CKに入力されるパルスを垂直同期信
号VSおよび比較パルスCPの何れか一方に切り替える
第1スイッチ322と、同じくレジスタカウンタ310
のアップ/ダウン切替端子(U/D)に入力される信号
を比較器302の出力および判定回路306の何れか一
方に切り替える第2スイッチ324とを備える。
【0123】アップダウンカウンタ304とレジスタカ
ウンタ310とは、カウント対象が異なるものの、基本
的な動作はアップダウンカウント機能を備える点で同じ
である。ただし、レジスタカウンタ310のカウント値
CNT2は、直接後段のD/A変換器312のレジスタ値を
担うことになるので、レジスタカウンタ310には、収
束させたいOPBレベルに応じた初期値D1がセットさ
れる。
【0124】そして、電流電圧変換部220から得られ
る撮像信号S3をデジタル信号に変換しデジタル信号処
理をする信号処理系統用のA/D変換器28とは独立
に、信号処理系統用のA/D変換部よりもビット分解能
が劣る直流レベル比較用のA/D変換部として、比較器
302や、アップダウンカウンタ304あるいはレジス
タカウンタ310が設けられている。
【0125】たとえば、スタートアップモード時には、
比較器302とレジスタカウンタ310により、事実上
のサンプリング周波数が比較パルスCPの周波数となる
実質的に1ビットのA/D変換部が構成される。またノ
ーマルモード時には、比較器302とアップダウンカウ
ンタ304により、実質的に1ビットのA/D変換部が
構成される。また、判定回路306やレジスタカウンタ
310は、直流レベル比較用のA/D変換部として機能
する比較器302やアップダウンカウンタ304もしく
は当該レジスタカウンタ310により得られたデジタル
データに基づいて、直流レベルと基準値との差に応じた
制御電圧信号をデジタル信号処理により求めるデジタル
演算処理部として機能する。
【0126】クランプ回路300にて使用される動作制
御用の垂直同期信号VSおよび比較パルスCPは図示し
ない図示しないタイミングジェネレータから発せられ
る。ここで、図7(B)に示すように、垂直同期信号V
Sは、1フレーム(または1フィールド)の最初に送出
されるパルスである。また比較パルスCPは、感光部1
0の各水平走査ライン(1H)の最初に送出される水平
同期信号HSに連動して、水平走査方向の先頭側におけ
るOPB画素位置で送出されるパルスである。この比較
パルスCPは、固体撮像素子3の水平走査方向の先頭側
に用意されたOPB画素の任意の1列の出力信号と基準
電圧を比較パルスCPのタイミングで比較するためのも
のである。なお、垂直走査方向の先頭側におけるOPB
画素位置では、この比較パルスCPが送出されないよう
にする。
【0127】比較器302の一方の入力端子には基準電
圧発生回路303から基準電圧V3が入力される。基準
電圧発生回路303は、固定の基準電圧ではなく、比較
パルスCPごとに略一定幅でスイングさせた(高電圧側
と低電圧側とを交互に切り替えた)基準電圧V3を発生
する。基準電圧V3はOPBレベルを収束させたい電圧
であり、その中央値V30とスイング幅ΔV3は、電流
クランプ部26の後段の信号処理に合わせて決まる。
【0128】比較器302は、この基準電圧V3と電流
電圧変換部220から出力される電圧信号S3との大小
を比較し結果をデジタル値で出力する。具体的には、
“基準電圧V3>電圧信号S3”であれば“H;ハイ”
を出力し、それ以外は“L:ロー”を出力する。この比
較結果は、スタートアップ時にはレジスタカウンタ31
0のアップ/ダウン切替端子(U/D)に入力され、ノ
ーマルモード時にはアップダウンカウンタ304のアッ
プ/ダウン切替端子(U/D)に入力される。
【0129】アップダウンカウンタ304および判定回
路306は、ノーマルモード時にのみ動作する部分であ
る。アップダウンカウンタ304は、このアップ/ダウ
ン切替端子(U/D)が“H”すなわち“基準電圧V3
>電圧信号S3”のときに比較パルスCPがクロック端
子CKに入力されるとカウント値CNT1を“+1”する。
逆に、アップ/ダウン切替端子(U/D)が“L”すな
わち“基準電圧V3≦電圧信号S3”のときに比較パル
スCPがクロック端子CKに入力されるとカウント値CN
T1を“−1”する。
【0130】ここで図7(B)に示すように、比較パル
スCPは、OPB画素位置で送出されるものなので、結
果として、比較器302とアップダウンカウンタ304
とにより、水平走査方向のOPB画素の所定列の出力信
号S3と基準電圧V3を比較パルスCPのタイミングで
比較し、その比較結果をアップダウンカウンタ304の
カウント値CNT1に反映させることになる。
【0131】アップダウンカウンタ304のカウント値
CNT1は、判定回路306の一方の入力端子に入力され
る。判定回路306は、具体的にはデジタルコンパレー
タとして構成されており、判定基準としてD0(デジタ
ル値)が他方の入力端子に入力されている。
【0132】判定回路306は、アップダウンカウンタ
304のカウント値CNT1が正の判定基準値“D0”を上
回ったら、次の垂直同期信号VSでレジスタカウンタ3
10のカウント値CNT2を“−1”する信号を出力する。
逆に、負の判定基準値“−D0”を下回ったら、レジス
タカウンタ310のカウント値CNT2を“+1”する信号
を出力する。判定回路306の出力は、レジスタカウン
タ310のアップ/ダウン切替端子(U/D)に入力さ
れる。
【0133】比較器302の比較出力を使用するのがス
タートアップモード時にはレジスタカウンタ310、ノ
ーマルモード時にはアップダウンカウンタ304である
点で異なるものの、その比較出力に基づくカウント動作
は、スタートアップモードとノーマルモードともに、水
平同期信号HS後の比較パルスCPで行なう。つまり、
実質的には、基準電圧V3とOPBレベルとの比較動作
は水平同期信号HS後の比較パルスCPのみで行なわれ
る。
【0134】よって、この比較パルスCPがアクティブ
以外の時間帯は比較器302や基準電圧発生回路303
は動作不要である。むしろ動作させておくと、比較器3
02や基準電圧発生回路303にはDC電流が流れ、消
費電流の無駄になるので、比較パルスCPがアクティブ
のタイミングだけイネーブル(Enable)であればよい。
そこで、本実施形態では、オンオフ制御部309によ
り、水平同期信号HSで立ち上がり比較パルスCPで立
ち下がる制御信号を作り、この制御信号で比較器302
や基準電圧発生回路303にイネーブル(Enable)をか
けるように構成している。オンオフ制御部309の具体
的な回路は図示を省略する。これにより、消費電流を削
減することができる。
【0135】上記構成のクランプ回路300は、スター
トアップモードおよびノーマルモードの何れにおいて
も、電流電圧変換部220の出力する電圧信号S3のO
PB画素出力レベルが基準電圧V3より大きいとき比較
器302の出力が“L”になるように接続され、レジス
タカウンタ310のカウント値CNT2を“1”小さくし、
D/A変換器312のアナログ出力を“1LSB”分小
さくするように作用する。この結果、電流電圧変換部2
20のOPB画素出力レベル(OPBレベル)も小さく
なり基準電圧V3との差が減少するように、全体が負帰
還制御システムを形成する。
【0136】比較パルスCPと垂直同期信号VSとは、
図7(B)から分かるように、比較パルスCPの方が高
周波数である。よって、電圧電流変換器314のレジス
タ値を設定するレジスタカウンタ310のクロック入力
端子CKに比較パルスCPが入力されているときには、
全体の制御系は比較的高速に動作する。クランプ回路3
00は、この動作状態をスタートアップモードとする。
一方、クロック入力端子CKに垂直同期信号VSが入力
されているときには、全体の制御系は比較的低速に動作
する。クランプ回路300は、この状態をノーマルモー
ドとする。
【0137】ところで、OPB画素出力と基準電圧V3
との差が電圧電流変換器314の“1LSB”の変動に
よる出力の変化より小さくなると、比較ごとに電圧電流
変換器314の出力電圧を上げ下げするような状態にな
る。この状態は、上記のデジタル制御の観点からいえば
安定点ということができるが、この電圧変動が画像ムラ
に現れると安定点とはいえず、むしろ発振状態と捉える
の方が適切である。一方、この状態は、OPB画素出力
と基準電圧V3が十分近いことを示している。
【0138】そこで、実際の制御に際しては、OPB画
素出力が基準電圧V3から大きく離れているときに基準
電圧V3に近づける動作状態をスタートアップモード
(モード出力L)とし、比較パルスCPに基づいてレジ
スタカウンタ310をカウント動作させることで比較的
高速に動作させる。そして、スタートアップモードで動
作させたときにOPB画素出力と基準電圧V3とが十分
近い状態となったことをモード切替判定回路320が検
知したら低速動作のノーマルモード(モード出力H)に
移行させる。そして、ノーマルモード時には、上記発振
状態が生じないよう、スタートアップモード時よりも低
速且つ低感度で動作させることとする。
【0139】モード切替判定回路320は、D/A変換
器312の出力電圧の上げ状態から下げ状態への変化を
監視することでOPB画素出力が基準電圧V3に近づい
たか否かを判断する。この判断方法としては、D/A変
換器312の出力電圧の上げ状態から下げ状態への変化
をレジスタカウンタ310のカウント値CNT2の状態で判
断するような1回で行なうことも可能である。また、数
回の上げ下げをカウントして検知することも可能であ
る。
【0140】図8は、クランプ回路300におけるスタ
ートアップモードの制御動作を示すフローチャートであ
る。先ずクランプ回路300は、“スタートアップモー
ドの初期化”を行なう(S100)。たとえば、モード
切替判定回路320はモード出力を“L”にセットす
る。またクランプ回路300は、レジスタカウンタ31
0に初期値D1をセットする。これを受けて、電圧電流
変換器314から初期値D1に応じた電圧が出力され、
これを受けた電圧電流変換器314が初期のクランプ電
流Scpを電流電圧変換部220の入力部に供給する。
【0141】次に、クランプ回路300は、電流電圧変
換部220の電圧信号S3が示すOPBレベルと基準電
圧V3とを比較し、この比較結果を、D/A変換器31
2のレジスタ値を担うレジスタカウンタ310に入力す
る。結果の取り込みはOPB画素を出力しているタイミ
ングで立ち上がる比較パルスCPで行なうことによりO
PB画素と基準電圧V3の比較結果として反映する。
【0142】具体的には、先ず、比較器302とレジス
タカウンタ310とにより、電流電圧変換部220の電
圧信号S3が示すOPBレベルと基準電圧V3とを比較
パルスCPに基づいて比較する(S102)。OPBレ
ベルが基準電圧V3よりも大きければ、レジスタカウン
タ310は、レジスタカウンタ値CNT2を“−1”する
(S102−YES,S110)。これを受けて、D/
A変換器312は、その出力電圧を低下させる(S11
2)。これにより、OPBレベルが低下する(S11
4)。この後、ステップS102に戻り、次の水平走査
について上記処理(S102〜S114)を繰り返す。
つまり、OPBレベルが基準電圧V3以下となるまで、
水平走査のOPB画素ごとに上記処理を繰り返すことで
OPBレベルを基準電圧V3まで低下させる。
【0143】逆に、OPBレベルが基準電圧V3以下の
とき(小さいか等しいとき)は、レジスタカウンタ31
0はレジスタカウンタ値CNT2を“+1”する(S102
−NO,S120)。これを受けて、D/A変換器31
2は、その出力電圧を上昇させる(S122)。これに
より、OPBレベルが低上昇する(S124)。この
後、ステップS102に戻り、次の水平走査について上
記処理(S102〜S124)を繰り返す。つまり、O
PBレベルが基準電圧V3以上となるまで、水平走査の
OPB画素ごとに上記処理を繰り返すことでOPBレベ
ルを基準電圧V3まで上昇させる。
【0144】この過程で、モード切替判定回路320
は、レジスタカウンタ310のカウント値CNT2を監視
し、カウント値CNT2のアップからダウンへの変化、ある
いはダウンからアップへの変化の回数をカウントする
(S130)。そして、このカウント数が予め定めてあ
るノーマルモードへの切替条件を満足するか否かを判定
する(S132)。切替条件を満足するときには、モー
ド切替判定回路320は、モード出力を“L”から
“H”に切り替えることで、クランプ回路300をノー
マルモードに移行させる(S134)。
【0145】ステップS122,S132によるOPB
レベル制御電圧の切替えは比較パルスCPごとになされ
るので、比較的高速の制御動作となる。つまり、スター
トアップモード時には、OPBクランプレベルを設定値
に急速に収束させるモードとして動作させることができ
る。
【0146】なお、ノーマルモードに移行した後、何ら
かの原因でクランプ動作が不安定になりOPBレベルが
所定範囲外になったときには、モード切替判定回路32
0は、モード出力を“H”から“L”に切り替えること
で、クランプ回路300をスタートアップモードに移行
させる(S140)。これにより、上記の高速な引き込
み動作を再起動することができる。
【0147】図9は、クランプ回路300におけるノー
マルモードの制御動作を説明する図である。ここで、図
9(A)は制御手順を示すフローチャートであり、図9
(B)は、基準電圧発生回路303が発生する基準電圧
V3の一例を示す図である。
【0148】スタートアップモードからノーマルモード
に移行すると、クランプ回路300は、先ずアップダウ
ンカウンタ304のカウント値CNT1を初期化する(S2
00)。また、このノーマルモードでは、比較器302
の比較出力を、垂直同期信号VSで毎回クリアされるレ
ジスタカウンタ310側に切り替え入力する。
【0149】そして、1フレーム中、OPB画素出力の
レベルが基準電圧V3より大きければ“+1”、小さけ
れば“−1”を繰り返し、カウンタ値CNT1が正の基準値
“D0”を上回ったら、判定回路306が次の垂直同期
信号VSでレジスタカウンタ310のカウント値CNT2を
“−1”する信号を送る。逆に、負の基準値“−D0”
を下回ったら、カウント値CNT2“+1”する信号を送
る。
【0150】具体的には、先ず、比較器302とアップ
ダウンカウンタ304とにより、電流電圧変換部220
の電圧信号S3が示すOPBレベルと基準電圧V3とを
比較パルスCPに基づいて比較する(S202)。OP
Bレベルが基準電圧V3よりも大きければ、アップダウ
ンカウンタ304は、カウンタ値CNT1を“+1”する
(S204)。逆に、OPBレベルが基準電圧V3以下
のとき(小さいか等しいとき)は、アップダウンカウン
タ304はカウンタ値CNT1を“−1”する(S20
6)。判定回路306は、カウント値CNT1と判定基準D
0とを比較し、その結果をレジスタカウンタ310に入
力する。レジスタカウンタ310のクロック端子CKに
は垂直同期信号VSが入力されており、レジスタカウン
タ310は、判定回路306の判定結果を垂直同期信号
VSごとにチェックする(S210)。
【0151】ここで図9(B)に示すように、基準電圧
発生回路303は、ノーマルモード時の基準電圧V3を
比較パルスCPごとに変動幅ΔV3だけ上下に変動させ
ている。これに応じて、たとえば、アップダウンカウン
タ304のカウント値CNT1が“±64”を超えたところ
でレジスタカウンタ310を動作させるように判定回路
306に、判定基準値D0として“64”をセットす
る。OPB画素出力が基準電圧V3の大きいレベル“V
3+”より大きい場合、アップダウンカウンタ304は
比較パルスCPの都度に“+1”を繰り返し64回目の
比較で“+64”に達する(S202,S204,S2
10)。
【0152】そして、カウンタ値CNT1が正の基準値“D
0”(前例では64)を上回っていると判定回路306
の判定結果が示しているときには、レジスタカウンタ3
10は、次の垂直同期信号VSと同時にカウント値CNT2
を“−1”する(S220)。これを受けて、D/A変
換器312は、その出力電圧を低下させる(S22
2)。これにより、OPBレベルが低下する(S22
4)。この後、ステップS200に戻り、次のフレーム
について上記処理(S200〜S224)を繰り返す。
つまり、OPB画素出力が基準電圧V3の中央値V30
に近づくまで、上記処理を繰り返す。
【0153】逆に、OPB画素出力が基準電圧V3の小
さいレベル“V3−”より大きい場合、アップダウンカ
ウンタ304は比較パルスCPの都度に“−1”を繰り
返し64回目の比較で“−64”に達する(S202,
S206,S210)。そして、カウンタ値CNT1が負の
基準値“−D0”(前例では−64)を下回っていると
判定回路306の判定結果が示しているときには、レジ
スタカウンタ310は、次の垂直同期信号VSと同時に
カウント値CNT2を“+1”する(S230)。これを受
けて、D/A変換器312は、その出力電圧を上昇させ
る(S232)。これにより、OPBレベルが上昇する
(S234)。この後、ステップS200に戻り、次の
フレームについて上記処理(S200〜S234)を繰
り返す。つまり、OPB画素出力が基準電圧V3の中央
値V30に近づくまで、上記処理を繰り返す。
【0154】一方、OPB画素出力が基準電圧V3の大
きいレベル“V3+”と小さいレベル“V3−”の間に
あるときは、比較パルスCPに基づく比較ごとにアップ
ダウンカウンタ304は、そのカウント値CNT1に対する
“+1”と“−1”を繰り返すことになる。この結果、
アップダウンカウンタは“±64”に達することができ
ずクランプレベルは固定されたままとなる。このよう
に、基準電圧V3の変動幅ΔV3は、クランプ回路30
0の不感帯として作用する。クランプレベルは、レジス
タカウンタ310のカウント値CNT2をD/A変換器31
2でアナログ値に直したものに対応するもので離散的な
値をとる。D/A変換器312の1LSB分に応じたク
ランプレベル変動分より基準電圧V3の変動幅ΔV3を
大きくとることで、OPB画素出力を不感帯に落とし込
むことができる。
【0155】つまり、このノーマルモードでは、スター
トアップモードよりも低感度でOPBクランプ動作をさ
せることができる。またこのことにより、ノイズに対す
る安定性を確保することができる。ただし現実には、O
PB画素出力にノイズが混入するため平均的には不感帯
に落ち込んでいても、瞬間的には変動幅を超えることが
ある。ノイズが大きい場合、確率的に先の例でいえば6
4回カウントアップあるいはカウントダウンすることも
ありえる。この変動は、次のフレームで戻る確率が高
く、これを繰り返すと面フリッカとなる。この場合は、
基準電圧V3の変動幅ΔV3を調整することにより、O
PBクランプの感度を設定することができる。
【0156】また、ノーマルモードではレジスタカウン
タ310の変化を垂直同期信号VSに同期して行なう。
つまり事実上のサンプリング周波数が垂直同期信号VS
の周波数となる。これは1枚の画像の先頭部分でクラン
プレベルを変化させることを意味する。これにより、画
像途中にクランプノイズが混入することを防ぐことがで
きるという効果がある。また、ステップS222,S2
32によるOPBレベル制御電圧の切替えは垂直同期信
号VSごとになされるので、比較的ゆっくりとした制御
動作となる。この点では、OPBクランプ制御を安定的
に動作させる上で効果が高い。つまり、ノーマルモード
では、OPBレベルが基準値にほぼ収束したところで、
クランプレベルの変動に対し感度の低い状態で動作させ
ることができる。
【0157】なお、ノーマルモードに移行した後、何ら
かの原因でクランプ動作が不安定になりOPBレベルが
所定範囲外になったときには(S202)、モード切替
判定回路320は、モード出力を“H”から“L”に切
り替えることで、クランプ回路300をスタートアップ
モードに移行させる(S240)。これにより、スター
トアップモードによる高速な引き込み動作を再起動する
ことができる。
【0158】以上のように、デジタル回路による演算処
理部は、固体撮像素子3が出力する光学的黒レベル(O
PB)をある一定の設定値に固定させるために必要なD
Cシフト量、つまり固体撮像素子3におけるOPBクラ
ンプレベルをデジタル値で保持することにより、アナロ
グ値で保持するときのような、外付け容量を必要としな
い。このため、部品点数の削減や実装面積の縮小しつ
つ、画面内での黒レベル変動を抑えるOPBクランプ機
能をデジタル処理にて実現することができる。
【0159】また、クランプレベルをデジタル化する回
路(A/D変換器)を信号系統とは独立に設けること
で、低分解能のA/D変換器を利用することができる。
たとえば、OPBレベルのデジタル化を比較器302つ
まり1ビットでデジタル化するコンパレータを利用する
ことができ、多ビットのA/D変換器を使う場合に比
べ、サンプリング周波数を低くすることでデジタルノイ
ズの問題を緩和し回路規模を小さくすることができる。
よって、クランプ回路300を固体撮像素子3と同一の
半導体基板上に集積することにより、高集積化が可能な
クランプシステムを有する固体撮像装置を提供すること
ができる。
【0160】また、OPBレベルの変動に対する動作速
度や感度の違う複数のモードを切替制御する、たとえば
高速且つ通常感度のスタートアップモードと、低速且つ
不感帯付きのノーマルモードとを持つことにより、高速
の引き込みとノイズに対する安定性という相反する特性
を持たせることができる。これにより、スタンバイ解除
時や、PGAのゲイン変更などによる急激なオフセット
量の変動に伴なう大幅なクランプレベルの変動に対し、
急速に値を収束させることができ、また安定状態におい
ては感度を抑えることにより、ノイズによるクランプレ
ベルの変動を抑えることができる。
【0161】図10は、クランプ回路250の他の構成
例を示すブロック図である。上記実施形態の構成では、
電流信号検出部5にて得られた信号電流S0を電流電圧
変換部220で電圧信号S3に変換し、この電圧信号S
3を監視してDCクランプを実現していたが、本実施形
態では、撮像信号を電流モードのままで監視するように
構成した点に特徴を有する。
【0162】この構成のクランプ回路250は、電流信
号検出部5からの信号電流S2を受け取るカレントミラ
ー構成の電流検知回路293と、カレントミラー構成の
基準電流源296とを備えている。電流検知回路293
は、受け取った信号電流をS2を差動増幅器252に渡
すカレントミラー部294と、カレントミラー部294
で射影された信号電流S2を受け取り電流電圧変換部2
20に渡すカレントミラー部295とを含む。
【0163】差動増幅器252の所定位置(場所は回路
構成により変わる)には、クランプのタイミングを規定
するクランプパルスが入力される。具体的には、固体撮
像素子3のOPB画素位置に応じたパルスが入力される
ことで、OPBクランプが実現される。この差動増幅器
252は、電流入力且つ電流出力型のものであり、電流
検知回路293のカレントミラー部294にて検知され
た信号電流S2(もしくはこれに対応する電流)と基準
電流源296で規定される基準電流S4とを比較して、
その差がなくなるように電流加算部280にクランプ電
流Scpを帰還する。これにより、電流クランプ部26の
後段に設けられた電流電圧変換部220の入力部では、
信号電流S2のDCレベルが一定値に保持される。
【0164】図11は、撮像信号を電流モードのままで
監視する構成の他の例を示す図である。この構成のクラ
ンプ回路250は、電流信号検出部5からの信号電流S
2をスイッチ素子297aを介して受け取るカレントミ
ラー構成の電流検知回路298と、カレントミラー構成
の基準電流源299とを備えている。スイッチ素子29
7aは、クランプパルスで制御されクランプレベルを監
視するタイミングを規定する。これに対応するように、
クランプ回路250と電流電圧変換部220との間には
クランプパルスと逆極性のパルスで制御されるスイッチ
素子297bが設けられる。このスイッチ素子297b
は、クランプパルスを逆極性にするためのインバータ2
97cを介して、クランプパルスにより制御される。
【0165】差動増幅器252は、電流入力且つ電流出
力型のものであり、電流検知回路298で検知された信
号電流S2(もしくはこれに対応する電流)と基準電流
源299で規定される基準電流S4とを比較して、その
差がなくなるように電流加算部280にクランプ電流S
cpを帰還する。これにより、電流クランプ部26の後段
に設けられた電流電圧変換部220の入力部では、信号
電流S2のDCレベルが一定値に保持される。
【0166】なお図10や図11に示した電流モードの
ままで監視する構成においても、電流信号検出部5と電
流加算部280との間に、可変利得増幅器200を設け
てもよい。そしてこの場合にも、クランプ電流Scpの帰
還先は、可変利得増幅器200の前段側および後段側
(電流加算部280の手前)の何れであってもよい。
【0167】以上説明したように、上記の各実施形態に
よれば、CMOSセンサなどの電流出力型の固体撮像素
子との組合せにおいて、撮像信号の直流レベルを安定化
させるクランプ回路を電流帰還型のクランプ回路とした
ことで、従来のような電圧帰還型の構成の場合に必要だ
った電圧加算器やDC成分カットするための容量素子な
どが不要になり、単純に信号電流にクランプ電流を帰還
するだけで、出力信号のDCレベルを安定化する直流ク
ランプが可能となる。このため、部品点数を削減するこ
とができ、また信号が通過する回路数を減らすことがで
きるため、ノイズの混入なども少なくすることができ
る。
【0168】さらに、クランプ電流を注入する回路自体
は、MOSトランジスタの定電流特性を用いることで簡
単に形成することができ、システムの単純化や素子数の
低減に貢献することができる。つまり、電流出力型の固
体撮像素子との組合せにおいて、電流信号検出部を構成
する電圧動作点設定部や電流サンプリング部あるいはク
ランプ部をすべて電流動作型の構成とすることで、撮像
部(受光部/画素部)と同一の半導体基板に電流信号検
出部やクランプ部を形成した一体型の固体撮像素子その
ものを撮像装置とすることができ、非常に都合がよい。
【0169】また、CDS回路やPGA回路も電流型の
信号処理を行なう構成とし、これらと電流帰還型のクラ
ンプ部とを組み合わせることで、限られた電源電圧のな
かで信号を処理する場合において、電圧信号で処理する
よりも回路のダイナミックレンジを確保しやすいという
利点もある。
【0170】以上、本発明を実施形態を用いて説明した
が、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に
は限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実
施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そ
のような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的
範囲に含まれる。
【0171】また、上記の実施形態は、クレーム(請求
項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施形
態の中で説明されている特徴の組合せの全てが発明の解
決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態に
は種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の
構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を
抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つか
の構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおい
て、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明とし
て抽出され得る。
【0172】たとえば、上記実施形態では、電流モード
でCDS機能をなす電流信号検出部5の具体例として、
本願出願人による特願2002−102108号に記載
の第1あるいは第6実施形態の構成を利用したが、これ
に限らず、特願2002−102108号に記載のその
他の実施形態の構成を利用することもできる。勿論、特
願2002−102108号に記載の構成例に限らず、
固体撮像素子3にて取得した信号を電流信号で電流クラ
ンプ部26側に伝達する構成のものであればよい。たと
えば、“IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE,VOL4
4,No10「On-Focal-Plane Signal Processing for Curre
nt-Mode Active Pixel Sensors;以下文献1という)”
にて提案されてる、2セル構成のカレントコピアを用い
たFPN抑制回路(CDS回路)と組み合わせてもかま
わない。
【0173】またたとえば、固体撮像素子3と電流クラ
ンプ部26との間に電流モードで動作するCDS回路を
備えていなくてもよい。この場合、電流クランプ部26
の後段にて電圧モードでCDS処理をすればよい。ただ
しこの場合、前述の説明から分かるように、全体として
の回路規模が大幅に増えるので、得策ではない。つま
り、電流信号として撮像信号を出力する固体撮像素子3
と電流モードでクランプ動作する電流クランプ部26と
の組合せにおいては、その間に電流モードでCDS処理
する電流信号検出部5を設ける構成が最も好ましい構成
となる。そして、これにより、部材を極力少なくするこ
とができ、スペースやコストの面で効果が大きい。
【0174】また上記実施形態では、MOSトランジス
タを用いて、電圧動作点設定部や電流サンプリング部、
あるいはクランプ電流を撮像信号に帰還するための電流
帰還部を構成する例を説明したが、接合(Junction)型
電界効果トランジスタやバイポーラ(Bipolar )型トラ
ンジスタを用いた構成であってもよい。
【0175】さらに、上記実施形態では感光部が行列状
(2次元状)に配されたエリアセンサを例に説明した
が、これに限らず、ラインセンサであってもよい。
【0176】また、上記実施形態で述べた各回路を、こ
れらとは相補関係となるものに変形可能なのはいうまで
もない。
【0177】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電流帰
還型のクランプ回路を用いることによって、電圧帰還型
の場合に必要だった電圧加算器や、DC成分カットする
ための容量素子などが不要になり、単純に信号電流にク
ランプ電流を加えてやるだけで直流クランプが可能とな
る。このため、出力信号のDCレベルの安定化やアナロ
グ回路のダイナミックレンジの確保とともに、システム
の単純化や素子数の低減に貢献することができる。特
に、CMOSセンサなどの電流出力型の固体撮像素子お
よび電流動作型のCDS回路と組み合わせる場合に有効
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】電流出力方式の固体撮像素子と本発明に係る撮
像信号処理装置とを備えた撮像装置の一実施形態の構成
例を示す図である。
【図2】電流クランプ部を撮像装置の全体とともに示し
たブロック図である。
【図3】電流信号検出部の一実施形態の構成例を示す図
である。
【図4】撮像装置のより具体的な構成例を示した図であ
る。
【図5】クランプ回路の具体的な構成例を示す図であ
る。
【図6】電流信号検出部の他の実施形態の構成例を示す
図である。
【図7】クランプ回路の他の実施形態の構成例を示す図
である。
【図8】クランプ回路におけるスタートアップモードの
制御動作を示すフローチャートである。
【図9】クランプ回路におけるノーマルモードの制御動
作を説明する図である。
【図10】クランプ回路の他の構成例を示すブロック図
である。
【図11】撮像信号を電流モードのままで監視する構成
の他の例を示す図である。
【図12】従来より用いられている固体撮像装置の構成
例を示す概略ブロック図である。
【符号の説明】
1…撮像装置、3…固体撮像素子、5…電流信号検出
部、7…電圧動作点設定部、9…電流サンプリング部、
26…電流クランプ部、28…A/D変換器、200…
可変利得増幅器、220…電流電圧変換部、250…ク
ランプ回路、252…差動増幅器、260…制御電圧発
生回路、280…電流加算部、290…基準電圧源、3
00…クランプ回路、302…比較器、303…基準電
圧発生回路、304…アップダウンカウンタ、306…
判定回路、309…オンオフ制御部、310…レジスタ
カウンタ、312…D/A変換器、314…電圧電流変
換器、320…モード切替判定回路
フロントページの続き (72)発明者 久松 康秋 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 ソニー・エルエスアイ・デザイン株式会 社内 (72)発明者 安井 幸弘 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 ソニー・エルエスアイ・デザイン株式会 社内 Fターム(参考) 5C021 PA03 PA13 PA17 PA52 PA92 XA03 XA13 XA41 5C024 CX04 CX31 GY31 GZ36 HX09 HX18 HX23 HX29 HX32

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体撮像素子から電流信号として出力さ
    れる撮像信号の直流レベルを一定値に保持する撮像信号
    処理方法であって、 前記撮像信号における所定期間の直流レベルを検知し、
    この検知した直流レベルと予め定められている基準値と
    の差が略零となるように、前記撮像信号にクランプ電流
    を帰還することを特徴とする撮像信号処理方法。
  2. 【請求項2】 固体撮像素子から電流信号として出力さ
    れる撮像信号の直流レベルを一定値に保持する撮像信号
    処理装置であって、 前記撮像信号における所定期間の直流レベルを検知し、
    この検知した前記直流レベルと予め定められている基準
    値とを比較することで前記直流レベルと前記基準値との
    差を求める直流レベル比較部と、 前記直流レベル比較部が求めた前記直流レベルと前記基
    準値との差が略零となるように前記撮像信号にクランプ
    電流を帰還する電流帰還部とを備えたことを特徴とする
    撮像信号処理装置。
  3. 【請求項3】 前記固体撮像素子から出力される撮像信
    号を電圧信号に変換する電流電圧変換部をさらに備え、 前記直流レベル比較部は、前記電流電圧変換部により変
    換された前記電圧信号における前記所定期間の直流レベ
    ルと、前記予め定められている基準値としての基準直流
    電圧とを比較することを特徴とする請求項2に記載の撮
    像信号処理装置。
  4. 【請求項4】 前記直流レベル比較部は、前記直流レベ
    ルと前記基準値との差に応じた制御電圧信号を出力する
    制御電圧発生部を有し、 前記電流帰還部は、前記制御電圧発生部から出力された
    前記制御電圧信号に基づいて前記クランプ電流を生成す
    る電圧電流変換部を有することを特徴とする請求項2に
    記載の撮像信号処理装置。
  5. 【請求項5】 前記電圧電流変換部は、前記制御電圧信
    号がゲート端子に印加されるMOSトランジスタを含
    み、当該MOSトランジスタの定電流特性を用いて前記
    クランプ電流を生成することを特徴とする請求項4に記
    載の撮像信号処理装置。
  6. 【請求項6】 前記固体撮像素子の各画素から画素信号
    線を介して出力される電流信号に含まれているオフセッ
    ト成分を抑制する電流信号検出部であって、前記画素信
    号線を介して出力される前記電流信号を、この電流信号
    の形態のままで受け取り、前記画素ごとに、受け取った
    前記電流信号におけるリセット期間の成分をサンプリン
    グし、このサンプリングした成分と前記電流信号におけ
    る検出期間の成分との差を求め、これにより、前記オフ
    セット成分が抑制された前記撮像信号を抽出する電流信
    号検出部を有し、 前記直流レベル比較部は、前記電流信号検出部が検出し
    た前記撮像信号における前記所定期間の直流レベルを検
    知することを特徴とする請求項2に記載の撮像信号処理
    装置。
  7. 【請求項7】 前記電流信号検出部は、前記リセット期
    間に対応する入力フェーズ時に前記電流信号における前
    記リセット期間の電流成分を受けて保持し、前記検出期
    間に対応する出力フェーズ時には前記入力フェーズ時に
    保持した電流成分を出力するカレントコピアを具備し、 前記電流信号における検出期間には、当該検出期間の成
    分と前記カレントコピアの前記電流入出力端子から出力
    される成分との差を求めることを特徴とする請求項6に
    記載の撮像信号処理装置。
  8. 【請求項8】 前記電流帰還部は、前記リセット期間に
    は前記撮像信号への前記クランプ電流の帰還を停止する
    ことを特徴とする請求項7に記載の撮像信号処理装置。
  9. 【請求項9】 前記電流帰還部は、前記リセット期間に
    前記撮像信号への帰還を停止させた前記クランプ電流
    を、予め定められた基準電圧源に還流させることを特徴
    とする請求項8に記載の撮像信号処理装置。
  10. 【請求項10】 前記基準電圧源により動作基準点が設
    定され、前記固体撮像素子から出力される電流モードの
    撮像信号を電圧信号に変換する電流電圧変換部を有する
    ことを特徴とする請求項9に記載の撮像信号処理装置。
  11. 【請求項11】 前記直流レベル比較部は、前記撮像信
    号をデジタル信号に変換しデジタル信号処理をする信号
    処理系統用のA/D変換部とは独立に、前記信号処理系
    統用のA/D変換部よりもビット分解能が劣る直流レベ
    ル比較用のA/D変換部を有することを特徴とする請求
    項2に記載の撮像信号処理装置。
  12. 【請求項12】 前記直流レベル比較用のA/D変換部
    は、前記撮像信号における前記所定期間の直流レベルと
    前記予め定められている基準値とを比較する1ビットの
    A/D変換部であることを特徴とする請求項11に記載
    の撮像信号処理装置。
  13. 【請求項13】 前記直流レベル比較部は、前記直流レ
    ベル比較用のA/D変換部により得られた前記所定期間
    の直流レベルを表すデジタルデータに基づいて、前記直
    流レベルと前記基準値との差に応じた制御電圧信号をデ
    ジタル信号処理により求めるデジタル演算処理部を有
    し、 前記電流帰還部は、前記デジタル演算処理部により得ら
    れた前記制御電圧信号に基づいて前記クランプ電流を生
    成する電圧電流変換部を有することを特徴とする請求項
    11に記載の撮像信号処理装置。
  14. 【請求項14】 各画素からの電流信号を画素信号線を
    介して出力する固体撮像素子と、 前記固体撮像素子から前記電流信号として出力される撮
    像信号における所定期間の直流レベルを検知し、この検
    知した前記直流レベルと予め定められている基準値とを
    比較することで前記直流レベルと前記基準値との差を求
    める直流レベル比較部と、 前記直流レベル比較部が求めた前記直流レベルと前記基
    準値との差が略零となるように前記撮像信号にクランプ
    電流を帰還する電流帰還部とを備えたことを特徴とする
    撮像装置。
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