JP2003324325A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
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- JP2003324325A JP2003324325A JP2002273169A JP2002273169A JP2003324325A JP 2003324325 A JP2003324325 A JP 2003324325A JP 2002273169 A JP2002273169 A JP 2002273169A JP 2002273169 A JP2002273169 A JP 2002273169A JP 2003324325 A JP2003324325 A JP 2003324325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱的に安定動作しかつ低歪の電力増幅器を提
供する。 【解決手段】 この電力増幅器では、バイポーラトラン
ジスタＱ１のベース端子Ｂとベースバイアス電圧供給端
子ＶＢの間に接続された抵抗ＲＢの両端には、第１およ
び第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺを経由した高周
波成分についてのバイパス経路ができる。したがって、
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢから抵抗ＲＢに向かう
ベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り
振られる。したがって、抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が
実効的に抑制され、ゲインコンプレッションを抑制する
ことができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。ま
た、第１および第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺの
少なくとも一方は、そのインピーダンスが直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通であるた
め、温度上昇によるベース電流増大を抵抗ＲＢでの電圧
降下によって抑制できる。
供する。 【解決手段】 この電力増幅器では、バイポーラトラン
ジスタＱ１のベース端子Ｂとベースバイアス電圧供給端
子ＶＢの間に接続された抵抗ＲＢの両端には、第１およ
び第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺを経由した高周
波成分についてのバイパス経路ができる。したがって、
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢから抵抗ＲＢに向かう
ベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り
振られる。したがって、抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が
実効的に抑制され、ゲインコンプレッションを抑制する
ことができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。ま
た、第１および第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺの
少なくとも一方は、そのインピーダンスが直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通であるた
め、温度上昇によるベース電流増大を抵抗ＲＢでの電圧
降下によって抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、携帯電話等の高
周波帯で使用される低歪みで発熱に対する動作安定度の
高い電力増幅器に関する。
周波帯で使用される低歪みで発熱に対する動作安定度の
高い電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタは、ＧａＡs ヘ
テロ接合バイポーラトランジスタを代表として、携帯電
話等の電力増幅器に用いられている。
テロ接合バイポーラトランジスタを代表として、携帯電
話等の電力増幅器に用いられている。
【０００３】また、バイポーラトランジスタは、熱的な
正帰還特性を有するデバイスであり、発熱によってベー
スおよびコレクタ電流が増大するので、熱的な安定動作
のために、温度上昇によるコレクタ電流増大を抑制する
回路が付加されるのが一般的である。
正帰還特性を有するデバイスであり、発熱によってベー
スおよびコレクタ電流が増大するので、熱的な安定動作
のために、温度上昇によるコレクタ電流増大を抑制する
回路が付加されるのが一般的である。
【０００４】また、送信用電力増幅器にバイポーラトラ
ンジスタを使用する場合は、出力電力を大きくするため
に、複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して所
定の出力電力を得ることが一般的である。この場合、個
別のトランジスタ間の温度の不均一性によって、特定の
トランジスタに電流が集中してしまい、理想的な並列動
作が得られなかったり、最悪の場合、素子破壊を招いた
りする。このため、温度上昇によるコレクタ電流増大を
抑制する回路の付加は必須である。
ンジスタを使用する場合は、出力電力を大きくするため
に、複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して所
定の出力電力を得ることが一般的である。この場合、個
別のトランジスタ間の温度の不均一性によって、特定の
トランジスタに電流が集中してしまい、理想的な並列動
作が得られなかったり、最悪の場合、素子破壊を招いた
りする。このため、温度上昇によるコレクタ電流増大を
抑制する回路の付加は必須である。
【０００５】この温度上昇によるコレクタ電流増大を抑
制する回路として、ベース端子とベースバイアス電源の
間に抵抗を挿入した回路がある。この回路では、温度上
昇によるベース電流増大が、上記抵抗での電圧降下によ
って抑制されるので、結果的にコレクタ電流の増大が抑
制される。
制する回路として、ベース端子とベースバイアス電源の
間に抵抗を挿入した回路がある。この回路では、温度上
昇によるベース電流増大が、上記抵抗での電圧降下によ
って抑制されるので、結果的にコレクタ電流の増大が抑
制される。
【０００６】この回路構成を複数のバイポーラトランジ
スタの並列動作に適用した従来例(米国特許(ＵＳ ５６
０８３５３))を、図１１に示す。
スタの並列動作に適用した従来例(米国特許(ＵＳ ５６
０８３５３))を、図１１に示す。
【０００７】この従来例は、ｎ個のバイポーラトランジ
スタＱ１０１〜Ｑ１０ｎの並列動作を行う回路であり、
Ｑ１０１〜Ｑ１０ｎはエミッタ接地バイポーラトランジ
スタ、ＲＢ１０１〜ＲＢ１０ｎは、各トランジスタＱ１
０１〜Ｑ１０ｎのベース端子とベース電源ＶＢの間に接
続された抵抗である。また、Ｃ１０１〜Ｃ１０ｎは、各
トランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース端子と信号入
力端子ＲＦＩＮの間に接続されたキャパシタである。こ
のキャパシタＣ１０１〜Ｃ１０ｎは、信号入力端子ＲＦ
ＩＮとベース電源端子ＶＢを直流に対して分離しつつ、
信号入力端子ＲＦＩＮから入力された高周波信号を各バ
イポーラトランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース端子
に導く機能を有する。
スタＱ１０１〜Ｑ１０ｎの並列動作を行う回路であり、
Ｑ１０１〜Ｑ１０ｎはエミッタ接地バイポーラトランジ
スタ、ＲＢ１０１〜ＲＢ１０ｎは、各トランジスタＱ１
０１〜Ｑ１０ｎのベース端子とベース電源ＶＢの間に接
続された抵抗である。また、Ｃ１０１〜Ｃ１０ｎは、各
トランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース端子と信号入
力端子ＲＦＩＮの間に接続されたキャパシタである。こ
のキャパシタＣ１０１〜Ｃ１０ｎは、信号入力端子ＲＦ
ＩＮとベース電源端子ＶＢを直流に対して分離しつつ、
信号入力端子ＲＦＩＮから入力された高周波信号を各バ
イポーラトランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース端子
に導く機能を有する。
【０００８】また、この回路では、個別のバイポーラト
ランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎの温度が不均一になり、
各バイポーラトランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース
電流の不均一な分布が生じた場合でも、抵抗ＲＢ１０１
〜Ｒ１０ｎでの電圧降下が、ベース電流が低いトランジ
スタＱ１０ｋ(ｋ＝１〜ｎ)では小さく、ベース電流が高
いトランジスタＱ１０ｋ(ｋ＝１〜ｎ)では大きくなる。
この結果として、各バイポーラトランジスタＱ１０ｋ
(ｋ＝１〜ｎ)のコレクタ電流が均一化され、熱的な安定
動作が得られる。
ランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎの温度が不均一になり、
各バイポーラトランジスタＱ１０１〜Ｑ１０ｎのベース
電流の不均一な分布が生じた場合でも、抵抗ＲＢ１０１
〜Ｒ１０ｎでの電圧降下が、ベース電流が低いトランジ
スタＱ１０ｋ(ｋ＝１〜ｎ)では小さく、ベース電流が高
いトランジスタＱ１０ｋ(ｋ＝１〜ｎ)では大きくなる。
この結果として、各バイポーラトランジスタＱ１０ｋ
(ｋ＝１〜ｎ)のコレクタ電流が均一化され、熱的な安定
動作が得られる。
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５６０８３５３号明細書
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
デジタル変復調方式を用いる通信装置用の電力増幅器
に、上記従来例におけるバイポーラトランジスタ回路を
使用する場合には、以下の課題がある。
デジタル変復調方式を用いる通信装置用の電力増幅器
に、上記従来例におけるバイポーラトランジスタ回路を
使用する場合には、以下の課題がある。
【００１１】すなわち、デジタル変調方式としては、Ｑ
ＰＳＫ(４元位相偏移変調)やＱＡＭ(４元振幅変調)等、
信号の振幅と位相の両方に情報を乗せる方式が一般に用
いられるため、信号波形の忠実な増幅が必要であり、電
力増幅器には低歪み動作が要求される。したがって、こ
のような電力増幅器では、入力信号の電流振幅(ベース
電流振幅)の増大に比例した出力電流振幅(コレクタ電流
振幅)を出力する必要がある。
ＰＳＫ(４元位相偏移変調)やＱＡＭ(４元振幅変調)等、
信号の振幅と位相の両方に情報を乗せる方式が一般に用
いられるため、信号波形の忠実な増幅が必要であり、電
力増幅器には低歪み動作が要求される。したがって、こ
のような電力増幅器では、入力信号の電流振幅(ベース
電流振幅)の増大に比例した出力電流振幅(コレクタ電流
振幅)を出力する必要がある。
【００１２】ところが、上記従来例では、コレクタ電流
振幅が大きくなるに従い、ベース電流の増大によって、
抵抗ＲＢ１０１〜ＲＢ１０ｎでの電圧降下が大きくなる
ので、ベース電流振幅の増大とコレクタ電流振幅の増大
が比例関係を維持できなくなる。これは、いわゆるゲイ
ンコンプレッションであり、増幅器に振幅歪みが生じて
しまう。
振幅が大きくなるに従い、ベース電流の増大によって、
抵抗ＲＢ１０１〜ＲＢ１０ｎでの電圧降下が大きくなる
ので、ベース電流振幅の増大とコレクタ電流振幅の増大
が比例関係を維持できなくなる。これは、いわゆるゲイ
ンコンプレッションであり、増幅器に振幅歪みが生じて
しまう。
【００１３】そこで、この発明は、上記の課題を解決す
るためになされたものであり、熱的に安定動作しかつ低
歪の電力増幅器を提供することを目的とする。
るためになされたものであり、熱的に安定動作しかつ低
歪の電力増幅器を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の電力増幅器は、コレクタ端子が信号出力
端子に接続されたエミッタ接地バイポーラトランジスタ
と、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース
端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続された
抵抗と、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子と上記ベースバイアス電圧供給端子との間に上
記抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通であるインピーダン
ス回路部とを備えたことを特徴としている。
め、この発明の電力増幅器は、コレクタ端子が信号出力
端子に接続されたエミッタ接地バイポーラトランジスタ
と、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース
端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続された
抵抗と、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子と上記ベースバイアス電圧供給端子との間に上
記抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通であるインピーダン
ス回路部とを備えたことを特徴としている。
【００１５】この発明の電力増幅器では、上記抵抗に対
して並列に接続され、直流成分に対して開放であると共
に交流成分に対して導通であるインピーダンス回路部
が、交流信号に関して上記抵抗をバイパスするバイパス
経路を構成する。これにより、上記ベースバイアス電圧
供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の
一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、
上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記
ゲインコンプレッションを抑制することができ、電力増
幅器の低歪み動作が可能となる。
して並列に接続され、直流成分に対して開放であると共
に交流成分に対して導通であるインピーダンス回路部
が、交流信号に関して上記抵抗をバイパスするバイパス
経路を構成する。これにより、上記ベースバイアス電圧
供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の
一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、
上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記
ゲインコンプレッションを抑制することができ、電力増
幅器の低歪み動作が可能となる。
【００１６】また、上記インピーダンス回路部は、直流
成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通で
あるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗で
の電圧降下によって抑制できる。これにより、結果的
に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と
低歪み動作の両立が可能となる。
成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通で
あるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗で
の電圧降下によって抑制できる。これにより、結果的
に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と
低歪み動作の両立が可能となる。
【００１７】また、一実施形態では、上記電力増幅器に
おいて、上記インピーダンス回路部は、一方の端子が上
記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子に
接続され、他方の端子が信号入力端子に接続された第１
のインピーダンス回路と、一方の端子が上記信号入力端
子に接続され、他方の端子が上記ベースバイアス電圧供
給端子に接続された第２のインピーダンス回路とを有
し、上記第１のインピーダンス回路または上記第２のイ
ンピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分に対して
開放であると共に交流成分に対して導通である。
おいて、上記インピーダンス回路部は、一方の端子が上
記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子に
接続され、他方の端子が信号入力端子に接続された第１
のインピーダンス回路と、一方の端子が上記信号入力端
子に接続され、他方の端子が上記ベースバイアス電圧供
給端子に接続された第２のインピーダンス回路とを有
し、上記第１のインピーダンス回路または上記第２のイ
ンピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分に対して
開放であると共に交流成分に対して導通である。
【００１８】この実施形態では、バイポーラトランジス
タのベース端子とベースバイアス電圧供給端子の間に接
続された抵抗の両端には、第１および第２のインピーダ
ンス回路を経由した高周波成分についてのバイパス経路
ができる。したがって、上記ベースバイアス電圧供給端
子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の一部が
上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、上記抵
抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記ゲイン
コンプレッションを抑制することができ、電力増幅器の
低歪み動作が可能となる。
タのベース端子とベースバイアス電圧供給端子の間に接
続された抵抗の両端には、第１および第２のインピーダ
ンス回路を経由した高周波成分についてのバイパス経路
ができる。したがって、上記ベースバイアス電圧供給端
子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の一部が
上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、上記抵
抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記ゲイン
コンプレッションを抑制することができ、電力増幅器の
低歪み動作が可能となる。
【００１９】また、上記第１および第２のインピーダン
ス回路の少なくとも一方は、その両端インピーダンスが
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるため、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
ス回路の少なくとも一方は、その両端インピーダンスが
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるため、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
【００２０】また、一実施形態は、上記エミッタ接地バ
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路とが構成する増幅部を複数個だけ備え、上記
複数個の増幅部の第１のインピーダンス回路または上記
第２のインピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分
に対して開放であると共に交流成分に対して導通であ
る。
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路とが構成する増幅部を複数個だけ備え、上記
複数個の増幅部の第１のインピーダンス回路または上記
第２のインピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分
に対して開放であると共に交流成分に対して導通であ
る。
【００２１】この一実施形態では、上記増幅部を複数個
だけ備え、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタを
複数個だけ並列接続して電力増幅器を構成した。この場
合においても、直流に対しては開放となる第１のインピ
ーダンス回路または第２のインピーダンス回路の少なく
とも一方でもって、交流信号に関して上記抵抗をバイパ
スするバイパス経路を構成する。
だけ備え、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタを
複数個だけ並列接続して電力増幅器を構成した。この場
合においても、直流に対しては開放となる第１のインピ
ーダンス回路または第２のインピーダンス回路の少なく
とも一方でもって、交流信号に関して上記抵抗をバイパ
スするバイパス経路を構成する。
【００２２】この構成により、上記ベースバイアス電圧
供給端子と各バイポーラトランジスタのベース端子との
間のベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ
割り振られる。これにより、実効的に各抵抗での電圧降
下の増大が抑制され、上記従来例で見られたゲインコン
プレッションを抑制することができ、電力増幅器の低歪
み動作が可能となる。
供給端子と各バイポーラトランジスタのベース端子との
間のベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ
割り振られる。これにより、実効的に各抵抗での電圧降
下の増大が抑制され、上記従来例で見られたゲインコン
プレッションを抑制することができ、電力増幅器の低歪
み動作が可能となる。
【００２３】また、温度上昇によるベース電流増大は、
各抵抗での電圧降下によって抑制されるので、結果的
に、各バイポーラトランジスタのコレクタ電流の増大が
抑制され、熱的に均一かつ安定な動作と低歪み動作の両
立が可能となる。
各抵抗での電圧降下によって抑制されるので、結果的
に、各バイポーラトランジスタのコレクタ電流の増大が
抑制され、熱的に均一かつ安定な動作と低歪み動作の両
立が可能となる。
【００２４】また、一実施形態では、上記インピーダン
ス回路部は、一方の端子が信号入力端子に接続され、他
方の端子が上記エミッタ接地バイポーラトランジスタの
ベース端子に接続された第１のインピーダンス回路と、
一方の端子が上記ベースバイアス電圧供給端子に接続さ
れ、他方の端子が上記ベース端子に接続された第２のイ
ンピーダンス回路とを有し、上記第２のインピーダンス
回路が直流成分に対して開放であると共に交流成分に対
して導通である。
ス回路部は、一方の端子が信号入力端子に接続され、他
方の端子が上記エミッタ接地バイポーラトランジスタの
ベース端子に接続された第１のインピーダンス回路と、
一方の端子が上記ベースバイアス電圧供給端子に接続さ
れ、他方の端子が上記ベース端子に接続された第２のイ
ンピーダンス回路とを有し、上記第２のインピーダンス
回路が直流成分に対して開放であると共に交流成分に対
して導通である。
【００２５】この一実施形態の電力増幅器では、上記ベ
ースバイアス電圧供給端子とベース端子との間に接続さ
れた第２のインピーダンス回路が直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通である。
ースバイアス電圧供給端子とベース端子との間に接続さ
れた第２のインピーダンス回路が直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通である。
【００２６】したがって、上記第２のインピーダンス回
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００２７】また、上記第２のインピーダンス回路は、
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
【００２８】また、一実施形態は、上記エミッタ接地バ
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路と上記第２のインピーダンス回路とが構成す
る増幅部を複数個だけ備え、上記複数個の増幅部の上記
第２のインピーダンス回路が直流成分に対して開放であ
ると共に交流成分に対して導通である。
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路と上記第２のインピーダンス回路とが構成す
る増幅部を複数個だけ備え、上記複数個の増幅部の上記
第２のインピーダンス回路が直流成分に対して開放であ
ると共に交流成分に対して導通である。
【００２９】この実施形態では、各増幅部が有する第２
のインピーダンス回路は直流成分に対して開放であると
共に交流成分に対して導通である。
のインピーダンス回路は直流成分に対して開放であると
共に交流成分に対して導通である。
【００３０】したがって、上記第２のインピーダンス回
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００３１】また、上記第２のインピーダンス回路は、
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
【００３２】また、一実施形態では、上記第１または第
２インピーダンス回路のうちの少なくとも一方が、キャ
パシタを有し、このキャパシタによって、直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通になってい
る。
２インピーダンス回路のうちの少なくとも一方が、キャ
パシタを有し、このキャパシタによって、直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通になってい
る。
【００３３】この実施形態の電力増幅器では、上記第１
または第２のインピーダンス回路の少なくとも一方は上
記キャパシタでもって、直流成分に対して開放であると
共に交流成分に対して導通な回路とすることができる。
したがって、簡単な回路構成でもって第１または第２の
インピーダンス回路の少なくとも一方を実現できる。
または第２のインピーダンス回路の少なくとも一方は上
記キャパシタでもって、直流成分に対して開放であると
共に交流成分に対して導通な回路とすることができる。
したがって、簡単な回路構成でもって第１または第２の
インピーダンス回路の少なくとも一方を実現できる。
【００３４】また、一実施形態では、上記第２のインピ
ーダンス回路は、キャパシタを有し、このキャパシタに
よって、直流成分に対して開放であると共に交流成分に
対して導通になっている。
ーダンス回路は、キャパシタを有し、このキャパシタに
よって、直流成分に対して開放であると共に交流成分に
対して導通になっている。
【００３５】この実施形態では、上記第２のインピーダ
ンス回路は、上記キャパシタでもって、直流成分に対し
て開放であると共に交流成分に対して導通の回路とする
ことができる。したがって、簡単な回路構成でもって上
記第２のインピーダンス回路を実現できる。
ンス回路は、上記キャパシタでもって、直流成分に対し
て開放であると共に交流成分に対して導通の回路とする
ことができる。したがって、簡単な回路構成でもって上
記第２のインピーダンス回路を実現できる。
【００３６】また、一実施形態では、ベース電圧供給手
段を備え、上記ベース電圧供給端子と上記ベース電圧供
給手段との間に可変インピーダンス回路が接続されてい
る。
段を備え、上記ベース電圧供給端子と上記ベース電圧供
給手段との間に可変インピーダンス回路が接続されてい
る。
【００３７】この実施形態では、上記可変インピーダン
ス回路は、入力される信号の振幅に依存して、インピー
ダンスが変化する。このような可変インピーダンス回路
は、たとえば、可変インピーダンス素子としてのダイオ
ードあるいはバイポーラトランジスタを含んでいる。こ
の可変インピーダンス回路によれば、入力信号電力の増
大に伴って、ベース電圧供給手段から供給される電流が
増大したときに、ベース電圧供給手段とベース電圧供給
端子との間のインピーダンスが低下し、可変インピーダ
ンス回路での電圧降下が低減される。したがって、この
実施形態は、歪みをさらに抑制できる電力増幅器とな
る。
ス回路は、入力される信号の振幅に依存して、インピー
ダンスが変化する。このような可変インピーダンス回路
は、たとえば、可変インピーダンス素子としてのダイオ
ードあるいはバイポーラトランジスタを含んでいる。こ
の可変インピーダンス回路によれば、入力信号電力の増
大に伴って、ベース電圧供給手段から供給される電流が
増大したときに、ベース電圧供給手段とベース電圧供給
端子との間のインピーダンスが低下し、可変インピーダ
ンス回路での電圧降下が低減される。したがって、この
実施形態は、歪みをさらに抑制できる電力増幅器とな
る。
【００３８】一方、上記可変インピーダンス素子は温度
に依存する特性を有するので、上記可変インピーダンス
素子の付加は電力増幅器の熱的不安定動作を招く要因に
なるが、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続さ
れた抵抗による熱的安定動作効果によって、上記熱的不
安定動作を回避できる。
に依存する特性を有するので、上記可変インピーダンス
素子の付加は電力増幅器の熱的不安定動作を招く要因に
なるが、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続さ
れた抵抗による熱的安定動作効果によって、上記熱的不
安定動作を回避できる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００４０】(第１の実施の形態)図１に、この発明の電
力増幅器の第１の実施の形態を示す。この第１実施形態
の電力増幅器は、ベース端子Ｂ,コレクタ端子Ｃoを有し
たエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１と、ベー
スバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間に接続
された抵抗ＲＢを備える。上記エミッタ接地型バイポー
ラトランジスタＱ１のコレクタ端子Ｃoは信号出力端子
ＲＦＯＵＴに接続されている。
力増幅器の第１の実施の形態を示す。この第１実施形態
の電力増幅器は、ベース端子Ｂ,コレクタ端子Ｃoを有し
たエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１と、ベー
スバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間に接続
された抵抗ＲＢを備える。上記エミッタ接地型バイポー
ラトランジスタＱ１のコレクタ端子Ｃoは信号出力端子
ＲＦＯＵＴに接続されている。
【００４１】また、この第１実施形態の電力増幅器は、
２端子Ｐａ１,Ｐｂ１を有する第１のインピーダンス回
路Ｚ１を備え、このインピーダンス回路Ｚ１は、その端
子Ｐａ１が信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、端子Ｐｂ
１が上記ベース端子Ｂに接続されている。また、この第
１実施形態は、第２のインピーダンス回路ＺＺを備え、
この第２のインピーダンス回路ＺＺの端子Ｐａが上記信
号入力端子ＲＦＩＮに接続され、端子Ｐｂが上記ベース
バイアス電圧供給端子ＶＢに接続されている。
２端子Ｐａ１,Ｐｂ１を有する第１のインピーダンス回
路Ｚ１を備え、このインピーダンス回路Ｚ１は、その端
子Ｐａ１が信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、端子Ｐｂ
１が上記ベース端子Ｂに接続されている。また、この第
１実施形態は、第２のインピーダンス回路ＺＺを備え、
この第２のインピーダンス回路ＺＺの端子Ｐａが上記信
号入力端子ＲＦＩＮに接続され、端子Ｐｂが上記ベース
バイアス電圧供給端子ＶＢに接続されている。
【００４２】ここで、第１インピーダンス回路Ｚ１と第
２インピーダンス回路ＺＺのうちの少なくとも一方は、
その２端子間が直流成分に対して開放状態であるととも
に交流成分に対して導通状態である。上記第１インピー
ダンス回路Ｚ１と第２インピーダンス回路ＺＺがインピ
ーダンス回路部ＺＩ１をなす。
２インピーダンス回路ＺＺのうちの少なくとも一方は、
その２端子間が直流成分に対して開放状態であるととも
に交流成分に対して導通状態である。上記第１インピー
ダンス回路Ｚ１と第２インピーダンス回路ＺＺがインピ
ーダンス回路部ＺＩ１をなす。
【００４３】したがって、この第１実施形態では、直流
に対してはベースバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端
子Ｂとの間にあるのは抵抗ＲＢのみである。したがっ
て、温度上昇によるベース電流増大が上記抵抗ＲＢでの
電圧降下によって抑制される。これにより、結果的に、
エミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ
電流の増大を抑制できるので、トランジスタＱ１の周囲
温度の変化あるいは自己発熱に対して安定な動作を確保
できる。
に対してはベースバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端
子Ｂとの間にあるのは抵抗ＲＢのみである。したがっ
て、温度上昇によるベース電流増大が上記抵抗ＲＢでの
電圧降下によって抑制される。これにより、結果的に、
エミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ
電流の増大を抑制できるので、トランジスタＱ１の周囲
温度の変化あるいは自己発熱に対して安定な動作を確保
できる。
【００４４】一方、信号入力端子ＲＦＩＮから入力され
た高周波信号は、インピーダンス回路Ｚ１を経由して、
ベース端子Ｂに導かれる。高周波的には、バイポーラト
ランジスタＱ１のベース端子Ｂとベースバイアス電圧供
給端子ＶＢの間に接続された抵抗ＲＢの両端には、第
１,第２インピーダンス回路Ｚ１,ＺＺを経由した高周波
成分についてのバイパス経路ができる。したがって、上
記抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一部が上記
バイパス経路へ割り振られる。したがって、実効的に、
上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制され、上述した
ゲインコンプレッションを抑制することができ、電力増
幅器の低歪み動作が可能となる。
た高周波信号は、インピーダンス回路Ｚ１を経由して、
ベース端子Ｂに導かれる。高周波的には、バイポーラト
ランジスタＱ１のベース端子Ｂとベースバイアス電圧供
給端子ＶＢの間に接続された抵抗ＲＢの両端には、第
１,第２インピーダンス回路Ｚ１,ＺＺを経由した高周波
成分についてのバイパス経路ができる。したがって、上
記抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一部が上記
バイパス経路へ割り振られる。したがって、実効的に、
上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制され、上述した
ゲインコンプレッションを抑制することができ、電力増
幅器の低歪み動作が可能となる。
【００４５】また、この第１実施形態では、第１,第２
のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺによって、抵抗ＲＢに
対する高周波成分についてのバイパス経路を形成してい
るので、このバイパス経路での信号の通過位相あるいは
通過振幅を変えることによっても、ベース端子Ｂに注入
される電流波形を調整できる。また、この第１実施形態
では、上記バイパス経路を、２つのインピーダンス回路
Ｚ１,ＺＺで構成しているので、上述のような、ベース
端子Ｂへ注入される電流波形の調整の自由度が高い回路
構成となる。
のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺによって、抵抗ＲＢに
対する高周波成分についてのバイパス経路を形成してい
るので、このバイパス経路での信号の通過位相あるいは
通過振幅を変えることによっても、ベース端子Ｂに注入
される電流波形を調整できる。また、この第１実施形態
では、上記バイパス経路を、２つのインピーダンス回路
Ｚ１,ＺＺで構成しているので、上述のような、ベース
端子Ｂへ注入される電流波形の調整の自由度が高い回路
構成となる。
【００４６】(第２の実施の形態)次に、図２に、この発
明の電力増幅器の第２の実施の形態を示す。この第２の
実施形態は、前述の第１の実施形態に比べて、具体的か
つ簡素な実施形態の一例であり、図１における第１のイ
ンピーダンス回路Ｚ１をキャパシタＣ１で構成し、第２
のインピーダンス回路ＺＺをキャパシタＣａ１で構成し
たものである。
明の電力増幅器の第２の実施の形態を示す。この第２の
実施形態は、前述の第１の実施形態に比べて、具体的か
つ簡素な実施形態の一例であり、図１における第１のイ
ンピーダンス回路Ｚ１をキャパシタＣ１で構成し、第２
のインピーダンス回路ＺＺをキャパシタＣａ１で構成し
たものである。
【００４７】この第２実施形態によれば、直流に対して
開放となるとともに交流に対して導通となる第１,第２
のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺをキャパシタＣ１,Ｃａ
１のような簡素な素子で回路構成でき、前述の第１実施
形態と同様に、熱的な安定動作と低歪み動作の両立を実
現できる。
開放となるとともに交流に対して導通となる第１,第２
のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺをキャパシタＣ１,Ｃａ
１のような簡素な素子で回路構成でき、前述の第１実施
形態と同様に、熱的な安定動作と低歪み動作の両立を実
現できる。
【００４８】(第３の実施の形態)次に、図３に、この発
明の第３の実施形態を示す。この第３実施形態は、前述
の第２実施形態において、キャパシタＣａ１に直列に抵
抗Ｒａ１を接続した直列回路を第２のインピーダンス回
路としたものである。第１のインピーダンス回路は、第
２実施形態と同様、キャパシタＣ１で構成した。
明の第３の実施形態を示す。この第３実施形態は、前述
の第２実施形態において、キャパシタＣａ１に直列に抵
抗Ｒａ１を接続した直列回路を第２のインピーダンス回
路としたものである。第１のインピーダンス回路は、第
２実施形態と同様、キャパシタＣ１で構成した。
【００４９】この第３実施形態によれば、この第２のイ
ンピーダンス回路を構成する抵抗Ｒａ１の抵抗値によっ
て、抵抗ＲＢを流れるベース電流の交流成分を調整でき
る。したがって、この第３実施形態によれば、第２の実
施形態に比べて、電力増幅器のゲインコンプレッション
を高精度に抑制できる。
ンピーダンス回路を構成する抵抗Ｒａ１の抵抗値によっ
て、抵抗ＲＢを流れるベース電流の交流成分を調整でき
る。したがって、この第３実施形態によれば、第２の実
施形態に比べて、電力増幅器のゲインコンプレッション
を高精度に抑制できる。
【００５０】(第４の実施の形態)次に、図４に、この発
明の電力増幅器の第４の実施形態を示す。この第４実施
形態は、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃoを有するエミ
ッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１と、ベースバイ
アス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間に接続された
抵抗ＲＢとを有する。上記エミッタ接地型バイポーラト
ランジスタＱ１のコレクタ端子Ｃoは信号出力端子ＲＦ
ＯＵＴに接続されている。
明の電力増幅器の第４の実施形態を示す。この第４実施
形態は、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃoを有するエミ
ッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１と、ベースバイ
アス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間に接続された
抵抗ＲＢとを有する。上記エミッタ接地型バイポーラト
ランジスタＱ１のコレクタ端子Ｃoは信号出力端子ＲＦ
ＯＵＴに接続されている。
【００５１】また、この第４実施形態は、信号入力端子
ＲＦＩＮに端子Ｐａ１が接続され、ベース端子Ｂに端子
Ｐｂ１が接続された第１のインピーダンス回路Ｚ１と、
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢに端子Ｐａが接続さ
れ、ベース端子Ｂに端子Ｐｂが接続された第２のインピ
ーダンス回路ＺＺを有する。この第１,第２のインピー
ダンス回路Ｚ１,ＺＺがインピーダンス回路部ＺＩ２を
なす。
ＲＦＩＮに端子Ｐａ１が接続され、ベース端子Ｂに端子
Ｐｂ１が接続された第１のインピーダンス回路Ｚ１と、
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢに端子Ｐａが接続さ
れ、ベース端子Ｂに端子Ｐｂが接続された第２のインピ
ーダンス回路ＺＺを有する。この第１,第２のインピー
ダンス回路Ｚ１,ＺＺがインピーダンス回路部ＺＩ２を
なす。
【００５２】この第４実施形態では、第２のインピーダ
ンス回路ＺＺは、その２端子Ｐａ,Ｐｂ間が直流に対し
て開放状態にあるとともに交流に対して導通となる。し
たがって、この第４実施形態では、直流に対してはベー
スバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間にある
のは抵抗ＲＢのみである。
ンス回路ＺＺは、その２端子Ｐａ,Ｐｂ間が直流に対し
て開放状態にあるとともに交流に対して導通となる。し
たがって、この第４実施形態では、直流に対してはベー
スバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂの間にある
のは抵抗ＲＢのみである。
【００５３】したがって、この第４実施形態では、温度
上昇によるベース電流増大を、上記抵抗ＲＢでの電圧降
下によって抑制できるので、結果的にコレクタ電流の増
大を抑制できる。したがって、トランジスタＱ１の周囲
温度の変化あるいは自己発熱に対する安定な動作を確保
できる。
上昇によるベース電流増大を、上記抵抗ＲＢでの電圧降
下によって抑制できるので、結果的にコレクタ電流の増
大を抑制できる。したがって、トランジスタＱ１の周囲
温度の変化あるいは自己発熱に対する安定な動作を確保
できる。
【００５４】一方、信号入力端子ＲＦＩＮから入力され
た高周波信号は、インピーダンス回路Ｚ１を経由してベ
ース端子Ｂに導かれる。この第４実施形態では、高周波
的には、バイポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂと
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢの間に接続された抵抗
ＲＢの両端には、第２インピーダンス回路ＺＺが構成す
る高周波成分についてのバイパス経路ができる。したが
って、上記抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一
部が上記バイパス経路へ割り振られることになり、実効
的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制され、上記
従来例の課題であるゲインコンプレッションを抑制する
ことができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
た高周波信号は、インピーダンス回路Ｚ１を経由してベ
ース端子Ｂに導かれる。この第４実施形態では、高周波
的には、バイポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂと
ベースバイアス電圧供給端子ＶＢの間に接続された抵抗
ＲＢの両端には、第２インピーダンス回路ＺＺが構成す
る高周波成分についてのバイパス経路ができる。したが
って、上記抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一
部が上記バイパス経路へ割り振られることになり、実効
的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制され、上記
従来例の課題であるゲインコンプレッションを抑制する
ことができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００５５】(第５の実施形態)次に、図５に、この発明
における電力増幅器の第５の実施の形態を示す。この第
５実施形態は、第４の実施形態のより具体的かつ簡素な
実施形態の一例である。すなわち、この第５実施形態で
は、図４に示した第１インピーダンス回路Ｚ１をキャパ
シタＣ１とし、第２インピーダンス回路ＺＺをキャパシ
タＣａ１としたものである。
における電力増幅器の第５の実施の形態を示す。この第
５実施形態は、第４の実施形態のより具体的かつ簡素な
実施形態の一例である。すなわち、この第５実施形態で
は、図４に示した第１インピーダンス回路Ｚ１をキャパ
シタＣ１とし、第２インピーダンス回路ＺＺをキャパシ
タＣａ１としたものである。
【００５６】この第５実施形態では、このようなキャパ
シタＣ１,キャパシタＣａ１からなる簡素な回路構成の
第１インピーダンス回路Ｚ１,第２インピーダンス回路
ＺＺによって、第４実施形態と同様に、熱的な安定動作
と低歪み動作とを両立できる。
シタＣ１,キャパシタＣａ１からなる簡素な回路構成の
第１インピーダンス回路Ｚ１,第２インピーダンス回路
ＺＺによって、第４実施形態と同様に、熱的な安定動作
と低歪み動作とを両立できる。
【００５７】なお、上記第１から５の実施形態において
は、１つのバイポーラトランジスタＱ１を備えたが、上
記信号入力端子ＲＦＩＮと信号出力端子ＲＦＯＵＴとの
間に並列接続された複数のエミッタ接地バイポーラトラ
ンジスタを備えてもよい。
は、１つのバイポーラトランジスタＱ１を備えたが、上
記信号入力端子ＲＦＩＮと信号出力端子ＲＦＯＵＴとの
間に並列接続された複数のエミッタ接地バイポーラトラ
ンジスタを備えてもよい。
【００５８】(第６の実施形態)次に、図６に、この発明
の電力増幅器の第６の実施形態を示す。この第６実施形
態は、エミッタ接地型のｎ個のバイポーラトランジスタ
Ｑ１〜Ｑｎを備える。エミッタ接地型バイポーラトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎは、そのコレクタ端子Ｃo１〜Ｃoｎが
信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続され、エミッタが接地さ
れている。
の電力増幅器の第６の実施形態を示す。この第６実施形
態は、エミッタ接地型のｎ個のバイポーラトランジスタ
Ｑ１〜Ｑｎを備える。エミッタ接地型バイポーラトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎは、そのコレクタ端子Ｃo１〜Ｃoｎが
信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続され、エミッタが接地さ
れている。
【００５９】また、１番目のエミッタ接地型バイポーラ
トランジスタＱ１は、そのベース端子Ｂ１が第１のイン
ピーダンス回路Ｚ１の端子Ｐｂ１および抵抗ＲＢ１に接
続されている。また、上記インピーダンス回路Ｚ１の端
子Ｐａ１は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、抵抗Ｒ
Ｂ１はベース端子Ｂ１とベースバイアス電圧供給端子Ｖ
Ｂとの間に接続されている。
トランジスタＱ１は、そのベース端子Ｂ１が第１のイン
ピーダンス回路Ｚ１の端子Ｐｂ１および抵抗ＲＢ１に接
続されている。また、上記インピーダンス回路Ｚ１の端
子Ｐａ１は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、抵抗Ｒ
Ｂ１はベース端子Ｂ１とベースバイアス電圧供給端子Ｖ
Ｂとの間に接続されている。
【００６０】同様に、ｋ番目(ｋ＝２〜ｎ)のエミッタ接
地型バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース
端子Ｂｋは、ｋ番目の第１インピーダンス回路Ｚｋ(ｋ
＝２〜ｎ)の端子Ｐｂｋ(ｋ＝２〜ｎ)およびｋ番目の抵
抗ＲＢｋに接続されている。また、ｋ番目のインピーダ
ンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)の端子Ｐａｋ(ｋ＝２〜ｎ)
は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、ｋ番目の抵抗Ｒ
Ｂｋ(ｋ＝２〜ｎ)はｋ番目のトランジスタＱｋ(ｋ＝２
〜ｎ)のベース端子Ｂｋとベースバイアス電圧供給端子
ＶＢとの間に接続されている。
地型バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース
端子Ｂｋは、ｋ番目の第１インピーダンス回路Ｚｋ(ｋ
＝２〜ｎ)の端子Ｐｂｋ(ｋ＝２〜ｎ)およびｋ番目の抵
抗ＲＢｋに接続されている。また、ｋ番目のインピーダ
ンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)の端子Ｐａｋ(ｋ＝２〜ｎ)
は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、ｋ番目の抵抗Ｒ
Ｂｋ(ｋ＝２〜ｎ)はｋ番目のトランジスタＱｋ(ｋ＝２
〜ｎ)のベース端子Ｂｋとベースバイアス電圧供給端子
ＶＢとの間に接続されている。
【００６１】また、１個の第２のインピーダンス回路Ｚ
Ｚは、信号入力端子ＲＦＩＮとベースバイアス電圧供給
端子ＶＢとの間に接続されている。
Ｚは、信号入力端子ＲＦＩＮとベースバイアス電圧供給
端子ＶＢとの間に接続されている。
【００６２】上記１番目のエミッタ接地型バイポーラト
ランジスタＱ１と第１のインピーダンス回路Ｚ１と抵抗
ＲＢ１が１番目の増幅部Ｕ１を構成し、上記ｋ番目のエ
ミッタ接地型バイポーラトランジスタＱｋと第１のイン
ピーダンス回路Ｚｋと抵抗ＲＢｋがｋ番目の増幅部Ｕｋ
を構成している。したがって、この第６実施形態では、
ｎ個のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ
ｎとｎ個の抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎとｎ個の第１インピーダ
ンス回路Ｚ１〜Ｚｎからなるｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎを
備え、このｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎは、信号出力端子Ｒ
ＦＯＵＴと信号入力端子ＲＦＩＮ,ベースバイアス電圧
供給端子ＶＢとの間に並列に接続されている。
ランジスタＱ１と第１のインピーダンス回路Ｚ１と抵抗
ＲＢ１が１番目の増幅部Ｕ１を構成し、上記ｋ番目のエ
ミッタ接地型バイポーラトランジスタＱｋと第１のイン
ピーダンス回路Ｚｋと抵抗ＲＢｋがｋ番目の増幅部Ｕｋ
を構成している。したがって、この第６実施形態では、
ｎ個のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ
ｎとｎ個の抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎとｎ個の第１インピーダ
ンス回路Ｚ１〜Ｚｎからなるｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎを
備え、このｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎは、信号出力端子Ｒ
ＦＯＵＴと信号入力端子ＲＦＩＮ,ベースバイアス電圧
供給端子ＶＢとの間に並列に接続されている。
【００６３】この第６実施形態では、ｎ個の第１インピ
ーダンス回路(Ｚ１〜Ｚｎ)のすべてと、１個の第２イン
ピーダンス回路ＺＺとのうちの少なくとも一方は、その
２端子間が直流成分に対して開放状態にあるとともに交
流成分に対して導通である。
ーダンス回路(Ｚ１〜Ｚｎ)のすべてと、１個の第２イン
ピーダンス回路ＺＺとのうちの少なくとも一方は、その
２端子間が直流成分に対して開放状態にあるとともに交
流成分に対して導通である。
【００６４】したがって、この第６実施形態では、直流
に対してはベースバイアス電圧供給端子ＶＢと各バイポ
ーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子Ｂ１〜Ｂｎの
間にあるのは抵抗ＲＢ１〜ｎのみである。
に対してはベースバイアス電圧供給端子ＶＢと各バイポ
ーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子Ｂ１〜Ｂｎの
間にあるのは抵抗ＲＢ１〜ｎのみである。
【００６５】したがって、この第６実施形態では、温度
上昇による各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベー
ス電流増大を上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)での電圧降下
によって抑制できる。したがって、結果的に、各バイポ
ーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタ電流の増大を抑
制できる。したがって、各バイポーラトランジスタＱ１
〜Ｑｎの周囲温度の変化あるいは自己発熱に対して安定
な動作を確保できる。
上昇による各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベー
ス電流増大を上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)での電圧降下
によって抑制できる。したがって、結果的に、各バイポ
ーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタ電流の増大を抑
制できる。したがって、各バイポーラトランジスタＱ１
〜Ｑｎの周囲温度の変化あるいは自己発熱に対して安定
な動作を確保できる。
【００６６】一方、信号入力端子ＲＦＩＮから入力され
た高周波信号は、第１インピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎに
よって、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース
端子Ｂ１〜Ｂｎに導かれる。
た高周波信号は、第１インピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎに
よって、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース
端子Ｂ１〜Ｂｎに導かれる。
【００６７】この第６実施形態では、高周波的には、各
バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)のベース端子
Ｂｋ(ｋ＝１〜ｎ)とベースバイアス電圧供給端子ＶＢの
間に接続された抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)の両端には、第
２のインピーダンス回路ＺＺと第１のインピーダンス回
路Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)を経由した高周波成分についてのバ
イパス経路が形成される。したがって、上記抵抗ＲＢｋ
(ｋ＝１〜ｎ)に向かうベース電流の交流成分の一部が上
記バイパス経路へ割り振られる。このため、実効的に、
上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)での電圧降下の増大が抑制
され、上記従来例の課題であるゲインコンプレッション
を抑制することができ、電力増幅器の低歪み動作が可能
となる。
バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)のベース端子
Ｂｋ(ｋ＝１〜ｎ)とベースバイアス電圧供給端子ＶＢの
間に接続された抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)の両端には、第
２のインピーダンス回路ＺＺと第１のインピーダンス回
路Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)を経由した高周波成分についてのバ
イパス経路が形成される。したがって、上記抵抗ＲＢｋ
(ｋ＝１〜ｎ)に向かうベース電流の交流成分の一部が上
記バイパス経路へ割り振られる。このため、実効的に、
上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)での電圧降下の増大が抑制
され、上記従来例の課題であるゲインコンプレッション
を抑制することができ、電力増幅器の低歪み動作が可能
となる。
【００６８】また、この第６実施形態では、１個の第２
インピーダンス回路ＺＺおよびｎ個の第１インピーダン
ス回路Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)によって、ｎ個の抵抗ＲＢｋ
(ｋ＝１〜ｎ)についての高周波成分についてのバイパス
経路を形成している。この場合、各バイパス経路での信
号の通過位相あるいは通過振幅を変えることによって
も、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子
Ｂ１〜Ｂｎに注入される電流波形を調整できる。この第
６実施形態では、上記各バイパス経路において２つのイ
ンピーダンス回路ＺＺ,Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)が介在してい
るので、この２つのインピーダンス回路ＺＺ,Ｚｋ(ｋ＝
１〜ｎ)によって、各ベース端子Ｂ１〜Ｂｎへ注入され
る電流波形の調整の自由度を高くすることができる。
インピーダンス回路ＺＺおよびｎ個の第１インピーダン
ス回路Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)によって、ｎ個の抵抗ＲＢｋ
(ｋ＝１〜ｎ)についての高周波成分についてのバイパス
経路を形成している。この場合、各バイパス経路での信
号の通過位相あるいは通過振幅を変えることによって
も、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子
Ｂ１〜Ｂｎに注入される電流波形を調整できる。この第
６実施形態では、上記各バイパス経路において２つのイ
ンピーダンス回路ＺＺ,Ｚｋ(ｋ＝１〜ｎ)が介在してい
るので、この２つのインピーダンス回路ＺＺ,Ｚｋ(ｋ＝
１〜ｎ)によって、各ベース端子Ｂ１〜Ｂｎへ注入され
る電流波形の調整の自由度を高くすることができる。
【００６９】なお、携帯電話や無線ＬＡＮ(ローカルエ
リア・ネットワーク)等の通信装置に用いられる送信用
電力増幅器では、所定の出力を得るために、この第６実
施形態のごとく、複数のバイポーラトランジスタを並列
に接続して増幅動作をするのが一般的である。したがっ
て、この第６実施形態の電力増幅器によれば、これらの
用途に使用する場合の好ましい実施形態となる。
リア・ネットワーク)等の通信装置に用いられる送信用
電力増幅器では、所定の出力を得るために、この第６実
施形態のごとく、複数のバイポーラトランジスタを並列
に接続して増幅動作をするのが一般的である。したがっ
て、この第６実施形態の電力増幅器によれば、これらの
用途に使用する場合の好ましい実施形態となる。
【００７０】(第７の実施の形態)次に、図７に、この発
明の電力増幅器の第７の実施の形態を示すものである。
この第７実施形態は、前述の第６実施形態のより具体的
かつ簡素な実施形態の一例である。この第７実施形態
は、図６におけるｎ個のインピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎ
を、ｎ個のキャパシタＣ１〜Ｃｎで構成し、かつ、１つ
の第２インピーダンス回路ＺＺを１個のキャパシタＣａ
ｘで構成したものである。
明の電力増幅器の第７の実施の形態を示すものである。
この第７実施形態は、前述の第６実施形態のより具体的
かつ簡素な実施形態の一例である。この第７実施形態
は、図６におけるｎ個のインピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎ
を、ｎ個のキャパシタＣ１〜Ｃｎで構成し、かつ、１つ
の第２インピーダンス回路ＺＺを１個のキャパシタＣａ
ｘで構成したものである。
【００７１】この第７実施形態の電力増幅器によれば、
ｎ個のキャパシタＣ１〜Ｃｎ,１個のキャパシタＣａｘ
で第１,第２のインピーダンス回路を構成した簡素な回
路構成でもって、前述の第６実施形態と同様、熱的な安
定動作と低歪み動作とを両立できる。
ｎ個のキャパシタＣ１〜Ｃｎ,１個のキャパシタＣａｘ
で第１,第２のインピーダンス回路を構成した簡素な回
路構成でもって、前述の第６実施形態と同様、熱的な安
定動作と低歪み動作とを両立できる。
【００７２】(第８の実施の形態)次に、図８に、この発
明の電力増幅器の第８の実施形態を示す。この第８実施
形態は、前述の第７実施形態におけるキャパシタＣａｘ
に換えて、このキャパシタＣａｘに抵抗Ｒａｘを直列に
接続した直列回路を備え、この直列回路が第２のインピ
ーダンス回路を構成している。
明の電力増幅器の第８の実施形態を示す。この第８実施
形態は、前述の第７実施形態におけるキャパシタＣａｘ
に換えて、このキャパシタＣａｘに抵抗Ｒａｘを直列に
接続した直列回路を備え、この直列回路が第２のインピ
ーダンス回路を構成している。
【００７３】この第８実施形態では、１個の抵抗Ｒａｘ
の抵抗値によって、ｎ個の各抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)を
流れるベース電流の交流成分を調整できる。したがっ
て、この第８実施形態によれば、第７の実施形態に比べ
て、電力増幅器のゲインコンプレッションを高精度に抑
制できる。
の抵抗値によって、ｎ個の各抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)を
流れるベース電流の交流成分を調整できる。したがっ
て、この第８実施形態によれば、第７の実施形態に比べ
て、電力増幅器のゲインコンプレッションを高精度に抑
制できる。
【００７４】(第９の実施の形態)次に、図９に、この発
明の電力増幅器の第９の実施形態を示す。この第９実施
形態は、ｎ個のエミッタ接地型のバイポーラトランジス
タＱ１〜Ｑｎを備えている。このｎ個のエミッタ接地型
バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタ端子Ｃo
１〜Ｃoｎは信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続されてい
る。
明の電力増幅器の第９の実施形態を示す。この第９実施
形態は、ｎ個のエミッタ接地型のバイポーラトランジス
タＱ１〜Ｑｎを備えている。このｎ個のエミッタ接地型
バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタ端子Ｃo
１〜Ｃoｎは信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続されてい
る。
【００７５】このｎ個のエミッタ接地型バイポーラトラ
ンジスタＱ１〜Ｑｎのうちの１番目のエミッタ接地型バ
イポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂ１と信号入力
端子ＲＦＩＮとの間には１番目の第１のインピーダンス
回路Ｚ１が接続されている。また、上記ベース端子Ｂ１
とベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間には、１番目
の抵抗ＲＢ１と１番目の第２のインピーダンス回路Ｚｘ
１とが並列に接続されている。
ンジスタＱ１〜Ｑｎのうちの１番目のエミッタ接地型バ
イポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂ１と信号入力
端子ＲＦＩＮとの間には１番目の第１のインピーダンス
回路Ｚ１が接続されている。また、上記ベース端子Ｂ１
とベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間には、１番目
の抵抗ＲＢ１と１番目の第２のインピーダンス回路Ｚｘ
１とが並列に接続されている。
【００７６】同様に、ｋ番目のエミッタ接地型バイポー
ラトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース端子Ｂｋ(ｋ
＝２〜ｎ)と信号入力端子ＲＦＩＮとの間には、ｋ番目
の第１のインピーダンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)が接続さ
れている。また、上記ベース端子Ｂｋとベースバイアス
電圧供給端子ＶＢとの間には、ｋ番目の抵抗ＲＢｋとｋ
番目の第２のインピーダンス回路Ｚｘｋ(ｋ＝２〜ｎ)と
が並列に接続されている。
ラトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース端子Ｂｋ(ｋ
＝２〜ｎ)と信号入力端子ＲＦＩＮとの間には、ｋ番目
の第１のインピーダンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)が接続さ
れている。また、上記ベース端子Ｂｋとベースバイアス
電圧供給端子ＶＢとの間には、ｋ番目の抵抗ＲＢｋとｋ
番目の第２のインピーダンス回路Ｚｘｋ(ｋ＝２〜ｎ)と
が並列に接続されている。
【００７７】上記１番目のエミッタ接地型バイポーラト
ランジスタＱ１と第１のインピーダンス回路Ｚ１と抵抗
ＲＢ１と第２のインピーダンス回路Ｚｘ１が１番目の増
幅部Ｖ１を構成し、上記ｋ番目のエミッタ接地型バイポ
ーラトランジスタＱｋと第１のインピーダンス回路Ｚｋ
と抵抗ＲＢｋと第２のインピーダンス回路Ｚｘｋがｋ番
目の増幅部Ｖｋを構成している。したがって、この第９
実施形態では、ｎ個のエミッタ接地型バイポーラトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎとｎ個の抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎとｎ個の
第１インピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎとｎ個の第２インピ
ーダンス回路Ｚｘ１〜Ｚｘｎからなるｎ個の増幅部Ｖ１
〜Ｖｎを備え、このｎ個の増幅部Ｖ１〜Ｖｎは、信号出
力端子ＲＦＯＵＴと信号入力端子ＲＦＩＮ,ベースバイ
アス電圧供給端子ＶＢとの間に並列に接続されている。
ランジスタＱ１と第１のインピーダンス回路Ｚ１と抵抗
ＲＢ１と第２のインピーダンス回路Ｚｘ１が１番目の増
幅部Ｖ１を構成し、上記ｋ番目のエミッタ接地型バイポ
ーラトランジスタＱｋと第１のインピーダンス回路Ｚｋ
と抵抗ＲＢｋと第２のインピーダンス回路Ｚｘｋがｋ番
目の増幅部Ｖｋを構成している。したがって、この第９
実施形態では、ｎ個のエミッタ接地型バイポーラトラン
ジスタＱ１〜Ｑｎとｎ個の抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎとｎ個の
第１インピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎとｎ個の第２インピ
ーダンス回路Ｚｘ１〜Ｚｘｎからなるｎ個の増幅部Ｖ１
〜Ｖｎを備え、このｎ個の増幅部Ｖ１〜Ｖｎは、信号出
力端子ＲＦＯＵＴと信号入力端子ＲＦＩＮ,ベースバイ
アス電圧供給端子ＶＢとの間に並列に接続されている。
【００７８】この第９実施形態では、上記ｎ個の第２の
インピーダンス回路Ｚｘｋ(ｋ＝１〜ｎ)は、その２端子
Ｐｘａｋ,Ｐｘｂｋ(ｋ＝１〜ｎ)間が直流成分に対して
開放状態にあると共に交流成分に対して導通である。
インピーダンス回路Ｚｘｋ(ｋ＝１〜ｎ)は、その２端子
Ｐｘａｋ,Ｐｘｂｋ(ｋ＝１〜ｎ)間が直流成分に対して
開放状態にあると共に交流成分に対して導通である。
【００７９】したがって、この第９実施形態では、直流
に対しては、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢと各バイ
ポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)のベース端子Ｂｋ
(ｋ＝１〜ｎ)の間にあるのは抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)の
みである。したがって、この第９実施形態では、温度上
昇によるベース電流増大が、上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜
ｎ)での電圧降下によって抑制される。したがって、結
果的に、各バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)の
コレクタ電流の増大を抑制できるから、トランジスタＱ
１〜Ｑｎの周囲温度の変化あるいは自己発熱に対して安
定な動作を確保できる。
に対しては、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢと各バイ
ポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)のベース端子Ｂｋ
(ｋ＝１〜ｎ)の間にあるのは抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜ｎ)の
みである。したがって、この第９実施形態では、温度上
昇によるベース電流増大が、上記抵抗ＲＢｋ(ｋ＝１〜
ｎ)での電圧降下によって抑制される。したがって、結
果的に、各バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝１〜ｎ)の
コレクタ電流の増大を抑制できるから、トランジスタＱ
１〜Ｑｎの周囲温度の変化あるいは自己発熱に対して安
定な動作を確保できる。
【００８０】一方、信号入力端子ＲＦＩＮから入力され
た高周波信号は、ｎ個の第１のインピーダンス回路Ｚ１
〜Ｚｎによって、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎ
のベース端子Ｂ１〜Ｂｎに導かれる。
た高周波信号は、ｎ個の第１のインピーダンス回路Ｚ１
〜Ｚｎによって、各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎ
のベース端子Ｂ１〜Ｂｎに導かれる。
【００８１】また、この実施形態では、高周波的には、
各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子Ｂ１
〜Ｂｎとベースバイアス電圧供給端子ＶＢの間に接続さ
れた抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎの両端には、第２のインピーダ
ンス回路Ｚｘ１〜Ｚｘｎを経由した高周波成分について
のバイパス経路ができる。したがって、上記抵抗ＲＢ１
〜ＲＢｎに向かって流れるベース電流の交流成分の一部
が上記バイパス経路へ割り振られるので、上記抵抗ＲＢ
１〜ＲＢｎでの電圧降下の増大を実効的に抑制でき、ゲ
インコンプレッションを抑制でき、電力増幅器の低歪み
動作が可能となる。
各バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子Ｂ１
〜Ｂｎとベースバイアス電圧供給端子ＶＢの間に接続さ
れた抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎの両端には、第２のインピーダ
ンス回路Ｚｘ１〜Ｚｘｎを経由した高周波成分について
のバイパス経路ができる。したがって、上記抵抗ＲＢ１
〜ＲＢｎに向かって流れるベース電流の交流成分の一部
が上記バイパス経路へ割り振られるので、上記抵抗ＲＢ
１〜ＲＢｎでの電圧降下の増大を実効的に抑制でき、ゲ
インコンプレッションを抑制でき、電力増幅器の低歪み
動作が可能となる。
【００８２】携帯電話や無線ＬＡＮ等の通信装置に用い
られる送信用電力増幅器では、所定の出力を得るために
複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して増幅動
作をするのが一般的である。したがって、この第９実施
形態における電力増幅器はこれらの用途に使用する場合
の好ましい実施形態となる。
られる送信用電力増幅器では、所定の出力を得るために
複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して増幅動
作をするのが一般的である。したがって、この第９実施
形態における電力増幅器はこれらの用途に使用する場合
の好ましい実施形態となる。
【００８３】(第１０の実施の形態)次に、図１０に、こ
の発明の電力増幅器の第１０の実施の形態を示す。この
第１０実施形態は、前述の第９実施形態のより具体的か
つ簡素な実施形態の一例である。すなわち、この第１０
実施形態は、図９における第２のインピーダンス回路Ｚ
ｘ１〜ＺｘｎをキャパシタＣｘ１〜Ｃｘｎで構成し、第
１のインピーダンス回路Ｚ１〜ＺｎをキャパシタＣ１〜
Ｃｎで構成している。この第１０実施形態によれば、こ
のような簡素な回路構成でもって、熱的な安定動作と低
歪み動作の両立を実現できる。
の発明の電力増幅器の第１０の実施の形態を示す。この
第１０実施形態は、前述の第９実施形態のより具体的か
つ簡素な実施形態の一例である。すなわち、この第１０
実施形態は、図９における第２のインピーダンス回路Ｚ
ｘ１〜ＺｘｎをキャパシタＣｘ１〜Ｃｘｎで構成し、第
１のインピーダンス回路Ｚ１〜ＺｎをキャパシタＣ１〜
Ｃｎで構成している。この第１０実施形態によれば、こ
のような簡素な回路構成でもって、熱的な安定動作と低
歪み動作の両立を実現できる。
【００８４】（第１１の実施の形態）次に、図１２に、
この発明の第１１の実施の形態を示す。この第１１実施
形態の電力増幅器は、上述の図１に示される第１実施形
態の電力増幅器Ａｍｐ１のベースバイアス電圧供給端子
ＶＢとベース電圧供給手段であるベース電圧供給回路１
２１との間に、可変インピーダンス回路１２２が接続さ
れている。すなわち、この第１１実施形態では、図１の
電力増幅器Ａｍｐ１の増幅用バイポーラトランジスタＱ
１のベースＢとベース電圧供給回路１２１との間に可変
インピーダンス回路１２２が接続されている。
この発明の第１１の実施の形態を示す。この第１１実施
形態の電力増幅器は、上述の図１に示される第１実施形
態の電力増幅器Ａｍｐ１のベースバイアス電圧供給端子
ＶＢとベース電圧供給手段であるベース電圧供給回路１
２１との間に、可変インピーダンス回路１２２が接続さ
れている。すなわち、この第１１実施形態では、図１の
電力増幅器Ａｍｐ１の増幅用バイポーラトランジスタＱ
１のベースＢとベース電圧供給回路１２１との間に可変
インピーダンス回路１２２が接続されている。
【００８５】上記可変インピーダンス回路１２２のイン
ピーダンスは、この可変インピーダンス回路１２２を流
れる電流値に依存する。つまり、この可変インピーダン
ス回路１２２の存在により、入力信号電力の増大に伴っ
て上記ベース電圧供給回路１２１から供給される電流が
増大したときに、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとベ
ース電圧供給回路１２１との間のインピーダンスが低下
する。したがって、上記増幅用バイポーラトランジスタ
Ｑ１のベースＢへの入力信号の信号電力が増大したとき
に、上記可変インピーダンス回路１２２での電圧降下が
低減されることになるので、電力増幅器としての歪みを
一層抑制することができる。
ピーダンスは、この可変インピーダンス回路１２２を流
れる電流値に依存する。つまり、この可変インピーダン
ス回路１２２の存在により、入力信号電力の増大に伴っ
て上記ベース電圧供給回路１２１から供給される電流が
増大したときに、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとベ
ース電圧供給回路１２１との間のインピーダンスが低下
する。したがって、上記増幅用バイポーラトランジスタ
Ｑ１のベースＢへの入力信号の信号電力が増大したとき
に、上記可変インピーダンス回路１２２での電圧降下が
低減されることになるので、電力増幅器としての歪みを
一層抑制することができる。
【００８６】また、上記可変インピーダンス回路１２２
は、例えば、可変インピーダンス素子としてのダイオー
ド、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ接合、
あるいはベース−コレクタ接合などにより実現される。
これらの可変インピーダンス素子は、温度に依存する特
性を有するため、増幅用バイポーラトランジスタＱ１の
ベース−エミッタ接合の温度特性に上記可変インピーダ
ンス素子が持つ温度特性が重畳される。従来では、この
ことに起因して、温度上昇によるベース電流の増大がよ
り顕著になり、電力増幅器の熱的不安定動作を招く要因
になっていた。これに対して、この第１１実施形態で
は、増幅器Ａｍｐ１を構成する図１の抵抗ＲＢによる電
圧降下によって、温度上昇によるベース電流の増大を抑
制でき、かつ、この抵抗ＲＢを付加しても電力増幅器の
低歪み動作を実現できる。
は、例えば、可変インピーダンス素子としてのダイオー
ド、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ接合、
あるいはベース−コレクタ接合などにより実現される。
これらの可変インピーダンス素子は、温度に依存する特
性を有するため、増幅用バイポーラトランジスタＱ１の
ベース−エミッタ接合の温度特性に上記可変インピーダ
ンス素子が持つ温度特性が重畳される。従来では、この
ことに起因して、温度上昇によるベース電流の増大がよ
り顕著になり、電力増幅器の熱的不安定動作を招く要因
になっていた。これに対して、この第１１実施形態で
は、増幅器Ａｍｐ１を構成する図１の抵抗ＲＢによる電
圧降下によって、温度上昇によるベース電流の増大を抑
制でき、かつ、この抵抗ＲＢを付加しても電力増幅器の
低歪み動作を実現できる。
【００８７】(第１２の実施の形態)次に、図１３に、第
１２の実施形態を示す。この第１２実施形態は、図１２
に示した第１１の実施の形態における可変インピーダン
ス回路１２２をより具体的な回路構成の可変インピーダ
ンス回路１３２とした。
１２の実施形態を示す。この第１２実施形態は、図１２
に示した第１１の実施の形態における可変インピーダン
ス回路１２２をより具体的な回路構成の可変インピーダ
ンス回路１３２とした。
【００８８】この第１２実施形態の構成例では、可変イ
ンピーダンス素子をダイオードＤｘとした。このダイオ
ードＤｘは、ベース電圧供給手段であるベース電圧供給
回路１２１とベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間
に、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢに向かって順方向
に接続されている。このダイオードＤｘとベース電圧供
給回路１２１との間に抵抗Ｒｘ１が接続され、このダイ
オードＤｘと抵抗Ｒｘ１との接続点Ｐｘとグランドとの
間に、抵抗Ｒｘ２とキャパシタＣｘとが直列に接続され
ている。
ンピーダンス素子をダイオードＤｘとした。このダイオ
ードＤｘは、ベース電圧供給手段であるベース電圧供給
回路１２１とベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間
に、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢに向かって順方向
に接続されている。このダイオードＤｘとベース電圧供
給回路１２１との間に抵抗Ｒｘ１が接続され、このダイ
オードＤｘと抵抗Ｒｘ１との接続点Ｐｘとグランドとの
間に、抵抗Ｒｘ２とキャパシタＣｘとが直列に接続され
ている。
【００８９】この抵抗Ｒｘ１,Ｒｘ２、およびキャパシ
タＣｘは、バイアス調整および可変インピーダンス量の
調整のためのものであり、各素子(抵抗Ｒｘ１,Ｒｘ２お
よびキャパシタＣｘ)の抵抗値,容量値は適宜設定され
る。
タＣｘは、バイアス調整および可変インピーダンス量の
調整のためのものであり、各素子(抵抗Ｒｘ１,Ｒｘ２お
よびキャパシタＣｘ)の抵抗値,容量値は適宜設定され
る。
【００９０】(第１３の実施の形態)次に、図１４に、第
１３の実施形態を示す。この第１３の実施形態は、図１
２に示した第１１の実施の形態における可変インピーダ
ンス回路１２２をより具体的な回路構成の可変インピー
ダンス回路１４２とした。
１３の実施形態を示す。この第１３の実施形態は、図１
２に示した第１１の実施の形態における可変インピーダ
ンス回路１２２をより具体的な回路構成の可変インピー
ダンス回路１４２とした。
【００９１】この第１３実施形態の構成においては、可
変インピーダンス素子はバイポーラトランジスタＱｘの
ベース−エミッタ接合により構成される。このバイポー
ラトランジスタＱｘは、エミッタがベースバイアス電圧
供給端子ＶＢに接続され、コレクタが抵抗Ｒｘ１を介し
て、ベース電圧供給手段であるベース電圧供給回路１２
１に接続されている。また、このバイポーラトランジス
タＱｘのベースは、上記コレクタに接続されている。
変インピーダンス素子はバイポーラトランジスタＱｘの
ベース−エミッタ接合により構成される。このバイポー
ラトランジスタＱｘは、エミッタがベースバイアス電圧
供給端子ＶＢに接続され、コレクタが抵抗Ｒｘ１を介し
て、ベース電圧供給手段であるベース電圧供給回路１２
１に接続されている。また、このバイポーラトランジス
タＱｘのベースは、上記コレクタに接続されている。
【００９２】上記コレクタと抵抗Ｒｘ１との接続点Ｐｘ
１は、上記コレクタとベースとの接続点Ｐｘ２に接続さ
れ、この接続点Ｐｘ２とグランドとの間には、抵抗Ｒｘ
２とキャパシタＣｘが直列に接続されている。
１は、上記コレクタとベースとの接続点Ｐｘ２に接続さ
れ、この接続点Ｐｘ２とグランドとの間には、抵抗Ｒｘ
２とキャパシタＣｘが直列に接続されている。
【００９３】この抵抗Ｒｘ１,Ｒｘ２、およびキャパシ
タＣｘは、バイアス調整および可変インピーダンス量の
調整のためのものであり、各素子(Ｒｘ１,Ｒｘ２および
Ｃｘ)の抵抗値,容量値は適宜設定される。
タＣｘは、バイアス調整および可変インピーダンス量の
調整のためのものであり、各素子(Ｒｘ１,Ｒｘ２および
Ｃｘ)の抵抗値,容量値は適宜設定される。
【００９４】(第１４の実施の形態)次に、図１５に、第
１４の実施の形態を示す。この第１４実施形態は、図１
２の第１１実施形態のベース電圧供給回路１２１に替え
て、第１のベース電圧供給回路１５１と第２のベース電
圧供給回路１５２を備える。また、この第１４実施形態
では、図１２の可変インピーダンス回路１２２に替え
て、可変インピーダンス回路１５３を備える。
１４の実施の形態を示す。この第１４実施形態は、図１
２の第１１実施形態のベース電圧供給回路１２１に替え
て、第１のベース電圧供給回路１５１と第２のベース電
圧供給回路１５２を備える。また、この第１４実施形態
では、図１２の可変インピーダンス回路１２２に替え
て、可変インピーダンス回路１５３を備える。
【００９５】この第１４実施形態では、可変インピーダ
ンス素子をバイポーラトランジスタＱｘとした。このバ
イポーラトランジスタＱｘは、エミッタがベースバイア
ス電圧供給端子ＶＢに接続され、コレクタが第２のベー
ス電圧供給回路１５２に接続されている。また、このバ
イポーラトランジスタＱｘのベースは、抵抗Ｒｘ１１を
経由して、第１のベース電圧供給回路１５１に接続され
ている。また、上記ベースと抵抗Ｒｘ１１との接続点Ｐ
ｘ１１とグランドとの間には、抵抗Ｒｘ２２とキャパシ
タＣｘｘとが直列に接続されている。
ンス素子をバイポーラトランジスタＱｘとした。このバ
イポーラトランジスタＱｘは、エミッタがベースバイア
ス電圧供給端子ＶＢに接続され、コレクタが第２のベー
ス電圧供給回路１５２に接続されている。また、このバ
イポーラトランジスタＱｘのベースは、抵抗Ｒｘ１１を
経由して、第１のベース電圧供給回路１５１に接続され
ている。また、上記ベースと抵抗Ｒｘ１１との接続点Ｐ
ｘ１１とグランドとの間には、抵抗Ｒｘ２２とキャパシ
タＣｘｘとが直列に接続されている。
【００９６】図１５に示す構成例においては、可変イン
ピーダンス素子はバイポーラトランジスタＱｘのベース
−エミッタ接合により構成されるが、バイポーラトラン
ジスタＱｘのベースが第１ベース電圧供給回路１５１に
接続され、コレクタが第２ベース電圧供給回路１５２に
接続されている点が、図１４の構成例と異なる。この第
１４実施形態では、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢへ
供給する電流は、バイポーラトランジスタＱｘ１のコレ
クタに直結された第２ベース電圧供給回路１５２から供
給できる。したがって、電力増幅器Ａｍｐ１の図１に示
す電力増幅用トランジスタＱ１へのベース電流供給能力
が高く、高出力時のゲインコンプレッションを抑制でき
る。
ピーダンス素子はバイポーラトランジスタＱｘのベース
−エミッタ接合により構成されるが、バイポーラトラン
ジスタＱｘのベースが第１ベース電圧供給回路１５１に
接続され、コレクタが第２ベース電圧供給回路１５２に
接続されている点が、図１４の構成例と異なる。この第
１４実施形態では、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢへ
供給する電流は、バイポーラトランジスタＱｘ１のコレ
クタに直結された第２ベース電圧供給回路１５２から供
給できる。したがって、電力増幅器Ａｍｐ１の図１に示
す電力増幅用トランジスタＱ１へのベース電流供給能力
が高く、高出力時のゲインコンプレッションを抑制でき
る。
【００９７】なお、図１２〜図１５に示した第１１〜第
１４の実施形態では、電力増幅器Ａｍｐ１として、図１
に示した第１実施形態を備えたが、この電力増幅器Ａｍ
ｐ１を、図２〜図１０に示した第２〜第１０実施形態の
うちのいずれか１つの電力増幅器としてもよい。
１４の実施形態では、電力増幅器Ａｍｐ１として、図１
に示した第１実施形態を備えたが、この電力増幅器Ａｍ
ｐ１を、図２〜図１０に示した第２〜第１０実施形態の
うちのいずれか１つの電力増幅器としてもよい。
【００９８】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の電
力増幅器は、エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続さ
れた抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開
放であると共に交流成分に対して導通であるインピーダ
ンス回路部が、交流信号に関して上記抵抗をバイパスす
るバイパス経路を構成する。これにより、ベースバイア
ス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交流
成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したが
って、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
力増幅器は、エミッタ接地バイポーラトランジスタのベ
ース端子とベースバイアス電圧供給端子との間に接続さ
れた抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開
放であると共に交流成分に対して導通であるインピーダ
ンス回路部が、交流信号に関して上記抵抗をバイパスす
るバイパス経路を構成する。これにより、ベースバイア
ス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交流
成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したが
って、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００９９】また、上記インピーダンス回路部は、直流
成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通で
あるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗で
の電圧降下によって抑制できる。これにより、結果的
に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と
低歪み動作の両立が可能となる。
成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通で
あるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗で
の電圧降下によって抑制できる。これにより、結果的
に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と
低歪み動作の両立が可能となる。
【０１００】また、一実施形態では、バイポーラトラン
ジスタのベース端子とベースバイアス電圧供給端子の間
に接続された抵抗の両端には、第１および第２のインピ
ーダンス回路を経由した高周波成分についてのバイパス
経路ができる。したがって、ベースバイアス電圧供給端
子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の一部が
上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、上記抵
抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記ゲイン
コンプレッションを抑制することができ、電力増幅器の
低歪み動作が可能となる。
ジスタのベース端子とベースバイアス電圧供給端子の間
に接続された抵抗の両端には、第１および第２のインピ
ーダンス回路を経由した高周波成分についてのバイパス
経路ができる。したがって、ベースバイアス電圧供給端
子から上記抵抗に向かうベース電流の交流成分の一部が
上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、上記抵
抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、上記ゲイン
コンプレッションを抑制することができ、電力増幅器の
低歪み動作が可能となる。
【０１０１】また、上記第１および第２のインピーダン
ス回路の少なくとも一方は、インピーダンスが直流成分
に対して開放であると共に交流成分に対して導通である
ため、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗での電
圧降下によって抑制できる。これにより、結果的に、コ
レクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と低歪み
動作の両立が可能となる。
ス回路の少なくとも一方は、インピーダンスが直流成分
に対して開放であると共に交流成分に対して導通である
ため、温度上昇によるベース電流増大を上記抵抗での電
圧降下によって抑制できる。これにより、結果的に、コ
レクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作と低歪み
動作の両立が可能となる。
【０１０２】また、一実施形態は、上記エミッタ接地バ
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路とが構成する増幅部を複数個だけ備え、上記
エミッタ接地バイポーラトランジスタを複数個だけ並列
接続して電力増幅器を構成した。この場合においても、
直流に対しては開放となる第１のインピーダンス回路ま
たは第２のインピーダンス回路の少なくとも一方でもっ
て、交流信号に関して上記抵抗をバイパスするバイパス
経路を構成する。
イポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピー
ダンス回路とが構成する増幅部を複数個だけ備え、上記
エミッタ接地バイポーラトランジスタを複数個だけ並列
接続して電力増幅器を構成した。この場合においても、
直流に対しては開放となる第１のインピーダンス回路ま
たは第２のインピーダンス回路の少なくとも一方でもっ
て、交流信号に関して上記抵抗をバイパスするバイパス
経路を構成する。
【０１０３】この構成により、上記ベースバイアス電圧
供給端子と各バイポーラトランジスタのベース端子との
間のベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ
割り振られる。これにより、実効的に各抵抗での電圧降
下の増大が抑制され、従来例で見られたゲインコンプレ
ッションを抑制することができ、電力増幅器の低歪み動
作が可能となる。
供給端子と各バイポーラトランジスタのベース端子との
間のベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ
割り振られる。これにより、実効的に各抵抗での電圧降
下の増大が抑制され、従来例で見られたゲインコンプレ
ッションを抑制することができ、電力増幅器の低歪み動
作が可能となる。
【０１０４】また、温度上昇によるベース電流増大は、
各抵抗での電圧降下によって抑制されるので、結果的
に、各バイポーラトランジスタのコレクタ電流の増大が
抑制され、熱的に均一かつ安定な動作と低歪み動作の両
立が可能となる。
各抵抗での電圧降下によって抑制されるので、結果的
に、各バイポーラトランジスタのコレクタ電流の増大が
抑制され、熱的に均一かつ安定な動作と低歪み動作の両
立が可能となる。
【０１０５】また、一実施形態では、上記インピーダン
ス回路部は、一方の端子が上記ベースバイアス電圧供給
端子に接続され、他方の端子が上記ベース端子に接続さ
れた第２のインピーダンス回路を有し、上記第２のイン
ピーダンス回路が直流成分に対して開放であると共に交
流成分に対して導通である。
ス回路部は、一方の端子が上記ベースバイアス電圧供給
端子に接続され、他方の端子が上記ベース端子に接続さ
れた第２のインピーダンス回路を有し、上記第２のイン
ピーダンス回路が直流成分に対して開放であると共に交
流成分に対して導通である。
【０１０６】したがって、上記第２のインピーダンス回
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【０１０７】また、上記第２のインピーダンス回路は、
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
【０１０８】また、一実施形態では、上記エミッタ接地
バイポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピ
ーダンス回路と上記第２のインピーダンス回路とが構成
する増幅部を複数個だけ備え、各増幅部が有する第２の
インピーダンス回路は直流成分に対して開放であると共
に交流成分に対して導通である。
バイポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピ
ーダンス回路と上記第２のインピーダンス回路とが構成
する増幅部を複数個だけ備え、各増幅部が有する第２の
インピーダンス回路は直流成分に対して開放であると共
に交流成分に対して導通である。
【０１０９】したがって、上記第２のインピーダンス回
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
路が、交流信号に関して上記抵抗を直接にバイパスする
バイパス経路を構成する。これにより、上記ベースバイ
アス電圧供給端子から上記抵抗に向かうベース電流の交
流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。した
がって、上記抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制さ
れ、上記ゲインコンプレッションを抑制することがで
き、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【０１１０】また、上記第２のインピーダンス回路は、
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であるので、温度上昇によるベース電流増大を上記抵
抗での電圧降下によって抑制できる。これにより、結果
的に、コレクタ電流の増大が抑制され、熱的な安定動作
と低歪み動作の両立が可能となる。
【０１１１】また、一実施形態では、上記第１または第
２インピーダンス回路のうちの少なくとも一方が、キャ
パシタを有し、このキャパシタによって、直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通になってい
る。したがって、簡単な回路構成でもって第１または第
２のインピーダンス回路の少なくとも一方を実現でき
る。
２インピーダンス回路のうちの少なくとも一方が、キャ
パシタを有し、このキャパシタによって、直流成分に対
して開放であると共に交流成分に対して導通になってい
る。したがって、簡単な回路構成でもって第１または第
２のインピーダンス回路の少なくとも一方を実現でき
る。
【０１１２】また、一実施形態では、上記第２のインピ
ーダンス回路は、キャパシタを有し、このキャパシタに
よって、直流成分に対して開放であると共に交流成分に
対して導通になっている。したがって、簡単な回路構成
でもって上記第２のインピーダンス回路を実現できる。
ーダンス回路は、キャパシタを有し、このキャパシタに
よって、直流成分に対して開放であると共に交流成分に
対して導通になっている。したがって、簡単な回路構成
でもって上記第２のインピーダンス回路を実現できる。
【図１】 この発明の電力増幅器の第１の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】 この発明の電力増幅器の第２の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図３】 この発明の電力増幅器の第３の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図４】 この発明の電力増幅器の第４の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図５】 この発明の電力増幅器の第５の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図６】 この発明の電力増幅器の第６の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図７】 この発明の電力増幅器の第７の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図８】 この発明の電力増幅器の第８の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図９】 この発明の電力増幅器の第９の実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図１０】 この発明の電力増幅器の第１０の実施形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図１１】 従来の電力増幅器を示す回路図である。
【図１２】 この発明の電力増幅器の第１１の実施形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図１３】 この発明の電力増幅器の第１２の実施形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図１４】 この発明の電力増幅器の第１３の実施形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図１５】 この発明の電力増幅器の第１４の実施形態
を示す回路図である。
を示す回路図である。
Ｑ１〜Ｑｎ…エミッタ接地型バイポーラトランジスタ、
Ｑｘ…バイポーラトランジスタ、
Ｄｘ…ダイオード、
Ｚ１〜Ｚｎ…第１のインピーダンス回路、
ＺＺ,Ｚｘ１〜Ｚｘｎ…第２のインピーダンス回路、
ＲＦＩＮ…信号入力端子、ＲＦＯＵＴ…信号出力端子、
ＶＢ…ベースバイアス電圧供給端子、
Ｂ,Ｂ１〜Ｂｎ…ベース端子、Ｃo,Ｃo１〜Ｃoｎ…コレ
クタ端子、 ＲＢ,ＲＢ１〜ＲＢｎ,Ｒｘ１,Ｒｘ11,Ｒｘ２,Ｒｘ22…
抵抗、 Ｃ１〜Ｃｎ,Ｃａ１,Ｃａｘ,Ｃｘ１〜Ｃｘｎ,Ｃｘ,Ｃxx
…キャパシタ、 １２１,１５１,１５２…ベース電圧供給回路、 １２２,１３２,１４２,１５３…可変インピーダンス回
路。
クタ端子、 ＲＢ,ＲＢ１〜ＲＢｎ,Ｒｘ１,Ｒｘ11,Ｒｘ２,Ｒｘ22…
抵抗、 Ｃ１〜Ｃｎ,Ｃａ１,Ｃａｘ,Ｃｘ１〜Ｃｘｎ,Ｃｘ,Ｃxx
…キャパシタ、 １２１,１５１,１５２…ベース電圧供給回路、 １２２,１３２,１４２,１５３…可変インピーダンス回
路。
─────────────────────────────────────────────────────
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Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA41 CA22 FA11 GN01
HA02 HA19 HA25 HA29 KA00
KA12 MA19 SA13 TA01
5J091 AA01 AA41 CA22 FA11 HA02
HA19 HA25 HA29 KA00 KA12
MA19 SA13 TA01
5J092 AA01 AA41 CA22 FA11 HA02
HA19 HA25 HA29 KA00 KA12
MA19 SA13 TA01 VL08
Claims (9)
- 【請求項１】 コレクタ端子が信号出力端子に接続され
たエミッタ接地バイポーラトランジスタと、上記エミッ
タ接地バイポーラトランジスタのベース端子とベースバ
イアス電圧供給端子との間に接続された抵抗と、 上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子
と上記ベースバイアス電圧供給端子との間に上記抵抗に
対して並列に接続され、直流成分に対して開放であると
共に交流成分に対して導通であるインピーダンス回路部
とを備えたことを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電力増幅器において、 上記インピーダンス回路部は、 一方の端子が上記エミッタ接地バイポーラトランジスタ
のベース端子に接続され、他方の端子が信号入力端子に
接続された第１のインピーダンス回路と、 一方の端子が上記信号入力端子に接続され、他方の端子
が上記ベースバイアス電圧供給端子に接続された第２の
インピーダンス回路とを有し、 上記第１のインピーダンス回路または上記第２のインピ
ーダンス回路の少なくとも一方が直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通であることを特徴と
する電力増幅器。 - 【請求項３】 請求項２に記載の電力増幅器において、 上記エミッタ接地バイポーラトランジスタと上記抵抗と
上記第１のインピーダンス回路とが構成する増幅部を複
数個だけ備え、 上記複数個の増幅部の第１のインピーダンス回路または
上記第２のインピーダンス回路の少なくとも一方が直流
成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通で
あることを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項４】 請求項１に記載の電力増幅器において、 上記インピーダンス回路部は、 一方の端子が信号入力端子に接続され、他方の端子が上
記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子に
接続された第１のインピーダンス回路と、 一方の端子が上記ベースバイアス電圧供給端子に接続さ
れ、他方の端子が上記ベース端子に接続された第２のイ
ンピーダンス回路とを有し、 上記第２のインピーダンス回路が直流成分に対して開放
であると共に交流成分に対して導通であることを特徴と
する電力増幅器。 - 【請求項５】 請求項４に記載の電力増幅器において、 上記エミッタ接地バイポーラトランジスタと上記抵抗と
上記第１のインピーダンス回路と上記第２のインピーダ
ンス回路とが構成する増幅部を複数個だけ備え、 上記複数個の増幅部の上記第２のインピーダンス回路が
直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導
通であることを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項６】 請求項２または３に記載の電力増幅器に
おいて、 上記第１または第２インピーダンス回路のうちの少なく
とも一方が、キャパシタを有し、このキャパシタによっ
て、直流成分に対して開放であると共に交流成分に対し
て導通になっていることを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項７】 請求項４または５に記載の電力増幅器に
おいて、上記第２のインピーダンス回路は、キャパシタ
を有し、このキャパシタによって、直流成分に対して開
放であると共に交流成分に対して導通になっていること
を特徴とする電力増幅器。 - 【請求項８】 請求項１に記載の電力増幅器において、 ベース電圧供給手段を備え、 上記ベースバイアス電圧供給端子と上記ベース電圧供給
手段との間に、可変インピーダンス回路が接続されてい
ることを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項９】 請求項８に記載の電力増幅器において、 上記可変インピーダンス回路は、ダイオードあるいはバ
イポーラトランジスタを含んでいることを特徴とする電
力増幅器。
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| CN101924522A (zh) * | 2010-09-07 | 2010-12-22 | 沈阳中科微电子有限公司 | 带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器 |
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