JP2003322975A

JP2003322975A - パターン形成方法

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Publication number: JP2003322975A
Application number: JP2002132531A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Sato; 弘章佐藤
Original assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 2002-05-08
Filing date: 2002-05-08
Publication date: 2003-11-14
Anticipated expiration: 2022-05-08
Also published as: JP4125537B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プリント配線板、プラズマディスプレイパネ
ル（ＰＤＰ）の隔壁形成、電極形成、電鋳法製品等の製
造のためのパターン形成において、ラインの高さが異な
る凹凸模様（ライン自体に段差をつけたり、他のライン
との間で高さを異ならせた凹凸模様）を同一基板に形成
させる。【解決手段】基板表面に第１の感光性樹脂組成物層を
設け、パターンマスクを介して露光をして露光部を硬化
させ、その後更にその上に第２の感光性樹脂組成物層を
設け、前記露光部の一部又は全部を遮光すると共に未露
光部の一部を露光をして硬化させ、必要に応じて以下こ
の操作を順次繰り返した後、現像して未露光部を除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の隔壁形成、電
極形成、電気カミソリの外刃等の電鋳法製品等の製造の
ためのパターン形成方法に関し、更に詳しくは同一の基
板上にライン高さの異なる高精細の凹凸模様を形成させ
るためのパターン形成方法を提供する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板、プラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）の隔壁形成、電極形成、電鋳法製品等
の製造のための感光性樹脂組成物層のパターン形成は、
基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパターンマスクを
介して露光を行ない硬化部（露光部）と未硬化部（未露
光部）よりなる画像を形成させた後、希薄な炭酸ナトリ
ウム水溶液や水酸化ナトリウム水溶液あるいはトリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液を使用して、未露光
部分を選択的に溶解させる湿式現像が通常行われてい
る。また、場合によっては比較的硬度の高い粉体を用い
たサンドブラスト工法にて、感光性樹脂組成物の露光
部、未露光部のブラスト耐性の差を利用して乾式現像も
行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、技術革
新に伴い軽薄短小化が進む中で、１枚の基板上に比較的
ラフな配線部分と非常にファインな配線部分とが混在し
た回路設計が必要とされることが多く、従来のパターン
形成方法では厳しい現像工程管理を余儀なくされ、その
対策が望まれるところである。

【０００４】

【問題を解決するための手段】そこで、本発明者はかか
る事情に鑑み鋭意研究をした結果、基板表面に第１の感
光性樹脂組成物層を設け、パターンマスクを介して露光
をして露光部を硬化させ、その後更にその上に第２の感
光性樹脂組成物層を設け、前記露光部の一部又は全部を
遮光すると共に未露光部の一部を露光をして硬化させ、
必要に応じて以下この操作を順次繰り返した後、現像し
て未露光部を除去して基板表面に高さの異なるラインを
形成させる場合、その目的を達成し得ることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
まず、本発明で使用する基材は特に制限はなく、プリン
ト配線基板用の銅張積層体、ガラス板、低融点ガラスペ
ースト、積層ガラス、その他各種セラミック、ステンレ
ススチール等の金属板等の任意の物が対象となる。

【０００６】かかる基材に設けられる感光性樹脂組成物
層はベースポリマー、エチレン性不飽和化合物及び光重
合開始剤等を主成分とする組成物である。ベースポリマ
ーとしては分子中にウレタン結合とエチレン性不飽和基
をもつ樹脂、特にウレタンアクリル系樹脂が好適に使用
され、その他アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、セ
ルロース誘導体等任意のものが単独で、又は２種以上併
用して使用可能である。本発明では、多くの場合パター
ンマスクを介して露光した後、未露光部分をアルカリ溶
液で現像するので樹脂中にはカルボキシル基を含有させ
ることが望ましく、樹脂の酸価は１０〜２５０ｍｇＫＯ
Ｈ／ｇが適当である。プラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）の隔壁形成等の製造で、場合によってアルカリ現
像に変えて基材面を直接サンドブラスト加工で研削する
ときは、耐ブラスト性の点でカルボキシル基を含有しな
い樹脂の使用が好ましいこともある。

【０００７】本発明ではアルカリ現像性や耐サンドブラ
スト性及び基材との密着性のバランスの点で、特にカル
ボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂（Ａ）が有用で
あり、それ単独で又は（Ａ）を主体としこれとカルボキ
シル基含有アクリル系樹脂あるいはカルボキシル基含有
セルロース誘導体を併用するのが有利である。カルボキ
シル基含有アクリル系樹脂あるいはカルボキシル基含有
セルロース誘導体を併用する場合、その混合量は（Ａ）
に対して５０重量％以下、好ましくは３〜４０重量％が
適当である。

【０００８】本発明で用いるカルボキシル基含有ウレタ
ンアクリル系樹脂（Ａ）は特に限定されないが、カルボ
キシル基含有ジオール化合物とジイソシアネート化合物
を１：２のモル比で反応させて得られる化合物（I）
に、ポリオール系化合物（II）を付加させ、更に（メ
タ）アクリロイル基含有ヒドロキシ化合物（III）を付
加させて得られるものが好ましく、更にはかかるカルボ
キシル基含有ジオール化合物の分子量が５００以下で、
かつジイソシアネート化合物の分子量が３００以下で、
更に化合物（I）の（Ａ）中に占める重量割合は１５〜
６５重量％が好ましい。かかるジオール化合物の分子量
が５００を越えると反応溶媒への溶解性が低下してジイ
ソシアネート系化合物との反応性が低下し、また、かか
るジイソシアネート系化合物の分子量が３００を越える
とジオール化合物との反応性が低下して好ましくない。

【０００９】上記の分子量が５００以下のカルボキシル
基含有ジオール化合物としては、具体的に酒石酸、２，
４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息
香酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）ブタン酸、
２，２−ビス（ヒドロキシエチル）ブタン酸、２，２−
ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２−ビス
（ヒドロキシエチル）プロピオン酸、２，２−ビス（ヒ
ドロキシプロピル）プロピオン酸、ジヒドロキシメチル
酢酸、ビス（４−ヒドロキシフェニル）酢酸、４，４−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン酸、ホモゲン
チジン酸等を挙げることができ、好適には２，２−ビス
（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２−ビス（ヒ
ドロキシエチル）プロピオン酸、２，２−ビス（ヒドロ
キシメチル）ブタン酸が使用される。

【００１０】また、分子量が３００以下のジイソシアネ
ート系化合物としては、具体的にヘキサメチレンジイソ
シアネート、ヘプタメチレンジイソシアネート、２，２
−ジメチルペンタン−１，５−ジイソシアネート、オク
タメチレンジイソシアネート、２，５−ジメチルヘキサ
ン−１，６−ジイソシアネート、２，２，４−トリメチ
ルペンタン−１，５−ジイソシアネート、ノナメチレン
ジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサンジ
イソシアネート、デカメチレンジイソシアネート、ウン
デカメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソ
シアネート、トリデカメチレンジイソシアネート、ペン
タデカメチレンジイソシアネート、ブテンジイソシアネ
ート、１，３−ブタジエンー１，４−ジイソシアネー
ト、２−ブチニレンジイソシアネート、２，４−トリレ
ンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、
１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリ
レンジイソシアネート等を挙げることができ、好適には
ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネートが使用される。

【００１１】かかるジオール化合物とジイソシアネート
化合物を反応させるにあたっては、公知の反応手段を用
いることができ、例えばジイソシアネートに安定な溶媒
（酢酸エチル等）中で６０〜９０℃の温度で反応させれ
ばよい。但し、本発明においては、上記の如くジオール
化合物とジイソシアネート化合物の反応モル比を理論値
として１：２にすること（実際の仕込みに当たっては数
％程度の誤差は許容される）が好ましく、かかる条件を
逸脱すると両末端にイソシアネートを付加することがで
きず、後述するエチレン性不飽和基の導入が困難となり
好ましくない。

【００１２】次いで、上記の如くジオール化合物とジイ
ソシアネート化合物を反応させて得られた化合物（I）
に、ポリオール系化合物（II）を付加させるのである
が、かかる（II）としては、ポリエーテル系ポリオー
ル、ポリエステル系ポリオール、ポリカーボネート系ポ
リオール、アクリル系ポリオール、ポリブタジエン系ポ
リオール、ポリオレフィン系ポリオール等いずれも使用
できる。ポリオール系化合物（II）としては例えば、エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレ
ングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレング
リコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコ
ール、１，４−ブタンジオール、ポリブチレングリコー
ル、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコー
ル、シクロヘキサンジメタノール、水素添加ビスフェノ
ールＡ、ポリカプロラクトン、トリメチロールエタン、
トリメチロールプロパン、ポリトリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ポリペンタエリスリトー
ル、ソルビトール、マンニトール、アラビトール、キシ
リトール、ガラクチトール、グリセリン、ポリグリセリ
ン、ポリテトラメチレングリコール等の多価アルコール
や、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイ
ド、エチレンオキサイド／プロピレンオキサイドのブロ
ック又はランダム共重合の少なくとも１種の構造を有す
るポリエーテルポリオール、該多価アルコール又はポリ
エーテルポリオールと無水マレイン酸、マレイン酸、フ
マール酸、無水イタコン酸、イタコン酸、アジピン酸、
イソフタル酸等の多塩基酸との縮合物であるポリエステ
ルポリオール、カプロラクトン変性ポリテトラメチレン
ポリオール等のカプロラクトン変性ポリオール、ポリオ
レフィン系ポリオール等が挙げられる。

【００１３】これらの中でも分子量が５００以上のも
の、特に分子量５００〜４０００のものが用いられ、か
かる分子量が５００未満では耐サンドブラスト性が低下
して好ましくない。かかる付加反応においては、公知の
方法を採用することができ、例えば、上記の如くジオー
ル化合物とジイソシアネート化合物を反応させて得られ
た化合物（I）溶液中にポリオール系化合物（II）を添
加し、６０〜９０℃の温度で反応させればよい。また、
反応を促進するためにジブチルチンラウレート等の公知
の触媒を添加することもできる。

【００１４】更に、上記得られた化合物に必要に応じて
ジイソシアネートを追加反応させた後、（メタ）アクリ
ロイル基含有ヒドロキシ化合物（III）を付加させるこ
とにより、カルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂
（Ａ）が得られるのであって、かかる（メタ）アクリロ
イル基含有ヒドロキシ化合物（III）としては、２−ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル
（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイロキシ
エチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、グリセリ
ンジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−アク
リロイロキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトールトリ（メタ）アクリレート、上記（メタ）
アクリロイル基含有ヒドロキシ化合物にε−カプトラク
トンを開環付加した化合物等が挙げられ、好適には２−
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキ
シプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクリレートが使用される。

【００１５】かくしてカルボキシル基含有ウレタンアク
リル系樹脂（Ａ）が得られるのであるが、本発明では、
上記の如く化合物（I）の（Ａ）中に占める重量割合が
１５〜６５重量％であることが好ましく、かかる含有量
が１５重量％未満では硬化レジストの十分な強度が得ら
れず、逆に６５重量％を越えると硬化レジストの耐サン
ドブラスト性が低下して好ましくない。該化合物（I）
の重量割合を調整するには、上記の反応において化合物
（I）〜（III）の割合をコントロールすればよい。
（Ａ）の酸価は１０〜９０ｍｇＫＯＨ／ｇ、望ましくは
２０〜７０ｍｇＫＯＨ／ｇにすることが耐サンドブラス
ト性及び基材との密着性、更にはアルカリ現像性のバラ
ンスの点で有利である。酸価の調整にあたっては、上記
の各薬剤の反応モル数やポリオール系化合物の分子量を
選択すれば良い。

【００１６】本発明で使用できるカルボキシル基含有樹
脂として（Ａ）以外に、カルボキシル基含有アクリル系
樹脂、カルボキシル基含有セルロース誘導体が例示され
る。カルボキシル基含有アクリル樹脂は、主として（メ
タ）アクリル酸アルキルエステルとエチレン性不飽和カ
ルボン酸との共重合体である。アクリル樹脂の酸価は５
０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲が適当である。上記
（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしてはメチル
（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、
ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル
（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレー
ト、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−
ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）ア
クリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレー
ト、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メ
タ）アクリレート等が挙げられ、好ましくはメチル（メ
タ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−
ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メ
タ）アクリレート等が有用である。

【００１７】エチレン性不飽和カルボン酸としては（メ
タ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル
酸、イタコン酸、クロトン酸、アコニット酸、ケイ皮
酸、モノアルキルマレート、モノアルキルフマレート、
モノアルキルイタコネート、無水シトラコン酸、シトラ
コン酸等が挙げられ、好ましくは（メタ）アクリル酸、
マレイン酸、無水マレイン酸である。

【００１８】アクリル樹脂を共重合によって製造する時
に、他の共重合可能なモノマーを併用することもでき、
該モノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メ
タ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルア
ミド等の水酸基含有不飽和モノマー、グリシジル（メ
タ）アクリレート、アリルグリシジル（メタ）アクリレ
ート等のグリシジル基含有不飽和モノマー、（メタ）ア
クリルアミド、Ｎ−（メタ）アクリルアミドメチルトリ
メチルアンモニウムクロライド、アリルトリメチルアン
モニウムクロライド、ジメチルアリルビニルケトン、Ｎ
−ビニルピロリドン、プロピオン酸ビニル、ステアリン
酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、
スチレン等が挙げられ、２−ヒドロキシエチル（メタ）
アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリ
レート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、グリ
シジル（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、スチレンが
有用である。

【００１９】カルボキシル基含有セルロース誘導体とし
てはヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテート、
ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテートサクシ
ネート、セルロースアセテートヘキサヒドロフタレー
ト、ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテートフ
タレート、ヒドロキシプルピルメチルセルロースヘキサ
ヒドロフタレート等が代表例として例示される。該誘導
体の酸価は５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲が適当で
ある。

【００２０】上記のカルボキシル基を含有しないウレタ
ンアクリル系樹脂（Ｂ）を得る方法としては特に限定は
なく、例えば、ジイソシアネート（２，４−または２，
６−トリレンジイソシアネート、ｍ−またはｐ−キシリ
レンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネー
ト、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートま
たはその変性物や重合体、ヘキサメチレンジイソシアネ
ート、イソホロンジイソシアネート、１，４−テトラメ
チレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート
等）と分子量が５００〜１００００、特に５００〜４０
００のポリオール（ポリエーテル系ポリオール、ポリエ
ステル系ポリオール、ポリカーボネート系ポリオール、
アクリル系ポリオール、ポリブタジエン系ポリオール、
ポリオレフィン系ポリオール等）を混合して６０〜９０
℃で反応させ、ついで５０〜８０℃程度の温度で、（メ
タ）アクリロイル基含有ヒドロキシ化合物を反応させる
ことにより目的とするアクリルウレタン系樹脂（Ｂ）を
得ることができる。上記の反応においては適宜触媒を用
いることも勿論可能である。また、上記の各成分の反応
モル数は要求物性により任意に設定可能である。

【００２１】かかる（メタ）アクリロイル基含有ヒドロ
キシ化合物としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２
−（メタ）アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプ
ロピルフタレート、グリセリンジ（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピル
（メタ）アクリレート等が挙げられ、好適には２−ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピル（メタ）アクリレートが使用される。

【００２２】本発明で使用する感光性樹脂組成物におい
て、カルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂（Ａ）
及びカルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹
脂（Ｂ）を併用する場合、（Ａ）／（Ｂ）は９５／５〜
５０／５０（重量比）、望ましくは９０／１０〜８５／
１５（重量比）が好ましく、（Ｂ）の配合が上記範囲を
越えて多過ぎるとアルカリで未露光部分を現像する時
に、現像不良や解像性の低下につながって好ましくな
い。カルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂（Ａ）
に他のカルボキシル基含有樹脂を併用する場合も、カル
ボキシル基含有樹脂の合計量に対して（Ｂ）の割合を上
記範囲に設定すれば良い。

【００２３】更に上記ウレタンアクリル系樹脂をベース
ポリマーとして使用する時には、光重合開始剤（Ｃ）が
併用される。（Ｃ）としては特に限定されず、公知の光
重合開始剤を用いることができるが、Ｐ，Ｐ′−ビス
（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、Ｐ，Ｐ′−ビス
（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、Ｐ，Ｐ′−ビス
（ジブチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチル
エーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンゾインイ
ソブチルエーテル、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安
息香酸メチル、ベンジルジフェニルジスルフィド、ベン
ジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチル、アン
トラキノン、ナフトキノン、３，３’−ジメチル−４−
メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、ジクロロア
セトフェノン、２−クロロチオキサントン、２−メチル
チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、
２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジクロロ
−４−フェノキシアセトフェノン、フェニルグリオキシ
レート、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ジベゾス
パロン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒド
ロキシ−２−メチル−１−プロパノン、２−メチル−
［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−
１−プロパノン、トリブロモフェニルスルホン、トリブ
ロモメチルフェニルスルホンが挙げられる。

【００２４】又２，４，６−［トリス（トリクロロメチ
ル）］−１，３，５−トリアジン、２，４−［ビス（ト
リクロロメチル）］−６−（４’−メトキシフェニル）
−１，３，５−トリアジン、２，４−［ビス（トリクロ
ロメチル）］−６−（４’−メトキシナフチル）−１，
３，５−トリアジン、２，４−［ビス（トリクロロメチ
ル）］−６−（ピペロニル）−１，３，５−トリアジ
ン、２，４−［ビス（トリクロロメチル）］−６−
（４’−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン
等のトリアジン誘導体、アクリジン及び９−フェニルア
クリジン等のアクリジン誘導体、２，２’−ビス（ｏ−
クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニ
ル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−
クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニ
ル−１，１’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−
フルオロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェ
ニル−１，１’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ
−メトキシフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフ
ェニル−１，１’−ビイミダゾール、２，２’−ビス
（ｐ−メトキシフェニル）−４，５，４’，５’−テト
ラフェニル−１，１’−ビイミダゾール、２，４，
２’，４’−ビス［ビ（ｐ−メトキシフェニル）］−
５，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミダゾール、
２，２’−ビス（２，４−ジメトキシフェニル）−４，
５，４’，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミダゾー
ル、２，２’−ビス（ｐ−メチルチオフェニル）−４，
５，４’，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミダゾー
ル、ビス（２，４，５−トリフェニル）−１，１’−ビ
イミダゾール等や公昭４５−３７３７７号公報に開示さ
れる１，２’−、１，４’−、２，４’−で共有結合し
ている互変異性体等のヘキサアリールビイミダゾール誘
導体、トリフェニルフォスフィン、トリフェニルホスフ
ィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフ
ェニルホスフィンオキシド、そのほかにも２−ベンゾイ
ル−２−ジメチルアミノ−１−［４−モルフォリノフェ
ニル］−ブタンなどを挙げることができ、好適にはヘキ
サアリールビイミダゾール誘導体の使用が有利である。

【００２５】光重合開始剤（Ｃ）の配合量としては、上
記の（Ａ）あるいは（Ａ）および（Ｂ）の総和１００重
量部に対して０．１〜２０重量部、より望ましくは、１
〜７重量部である。かかる配合量が０．１重量部未満で
は感度が著しく低下して良好な作業性が得られず、逆に
２０重量部を越えると感光性樹脂組成物をドライフイル
ムフォトレジスト（ＤＦＲ）化して製品化したときの保
存安定性が低下して好ましくない。

【００２６】更に本発明においては、ロイコ染料（Ｄ）
を含有することも好ましく、かかるロイコ染料（Ｄ）と
しては、ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−ｏ−トリ
ル）メチレンジルチオフェニルメタン、ビス（４−Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノ−ｏ−トリル）ベンジルチオフェニ
ルメタン、ロイコクリスタルバイオレット、ロイコマラ
カイトグリーン、ロイコダイアモンドグリーン等が挙げ
られ、中でもロイコクリスタルバイオレット、ロイコマ
ラカイトグリーン、ロイコダイアモンドグリーンの１種
または２種以上が好適に用いられる。かかるロイコ染料
（Ｄ）の配合量は、（Ａ）あるいは（Ａ）および（Ｂ）
の総和１００重量部に対して０．０５〜３重量部、より
望ましく０．１〜１重量部である。かかる配合量が０．
０５重量部未満では感度が著しく低下して良好な作業性
が得られず、逆に３重量部を越えるとＤＦＲ化したとき
の保存安定性が低下して好ましくない。

【００２７】本発明で使用する感光性樹脂組成物には、
上記の（Ａ）〜（Ｄ）以外に、エチレン性不飽和化合物
が併用されても良く、かかる化合物の具体例として２−
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキ
シプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチ
ル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロ
キシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アク
リロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、
３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メ
タ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、
フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート、Ｎ−メ
チロール（メタ）アクリルアミド等の単官能モノマーが
挙げられる。

【００２８】又エチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、
テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール
ジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性ビス
フェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、プロピレンオ
キサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリス
リトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコール
ジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチ
レングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリ
レート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アク
リレート、ヒドロキシピバリン酸変性ネオペンチルグリ
コールジ（メタ）アクリレート等の２官能モノマー、ト
リメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペン
タエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリ（メ
タ）アクリロイルオキシエトキシトリメチロールプロパ
ン、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）ア
クリレート等の３官能以上のモノマー等のエチレン性不
飽和化合物を配合することもできる。

【００２９】かかるエチレン性不飽和化合物の配合量
は、（Ａ）あるいは（Ａ）および（Ｂ）の総和１００重
量部に対して、０〜２０重量部が好ましく、更には０〜
１０重量部で、かかる配合量が２０重量部を越えると硬
化レジストが硬くなり過ぎて、アルカリ現像性、耐サン
ドブラスト性の低下を招いて好ましくない。

【００３０】また、そのほかクリスタルバイオレット，
マラカイトグリーン，ブリリアントグリーン，パテント
ブルー，メチルバイオレット，ビクトリアブルー，ロー
ズアニリン，パラフクシン，エチレンバイオレット等の
着色染料、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱重合
禁止剤、溶剤、表面張力改質材、安定剤、連鎖移動剤、
消泡剤、難燃剤などの添加剤を適宜添加することができ
る。

【００３１】本発明では、上記感光性樹脂組成物はドラ
イフイルムフォトレジスト（ＤＦＲ）として使用される
のが有利であり、そのためにはポリエステルフイルム、
ポリプロピレンフイルム、ポリスチレンフイルム等の支
持体面に、上記感光性樹脂組成物に塗工した後、その塗
工面の上からポリエチレンフイルム、ポリビニルアルコ
ール系フイルムなどの保護フィルムを被覆する。勿論デ
ィップコート法、フローコート法、スクリーン印刷法等
の常法により、基材上に直接塗工し厚さ１〜１５０μｍ
の感光層を容易に形成することもできる。塗工時にメチ
ルエチルケトン、メチルセロソルブアセテート、エチル
セロソルブアセテート、シクロヘキサン、メチルセルソ
ルブ、塩化メチレン、１，１，１−トリクロルエタン等
の溶剤を併用することもできる。

【００３２】本発明の方法に従って、基板表面に高さの
異なるラインを得るためのパターンを形成させるには、
まず基板表面に第１の感光性樹脂組成物層を設ける。基
材面に感光性樹脂組成物層を設けるには、支持体と感光
性樹脂組成物層との接着力及び保護フイルムと感光性樹
脂組成物層との接着力を比較し、接着力の低い方のフイ
ルムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側を基材に貼
り付ける。続いて、パターンマスクを介して露光をして
露光部を硬化させる。その後更にその上に第２の感光性
樹脂組成物層を設け、前記露光部の一部又は全部を遮光
すると共に未露光部の一部を露光して硬化させ、必要に
応じて以下この操作を順次繰り返す。

【００３３】本発明では目的とする凹凸模様に応じて、
パターンマスクの種類を適宜変更すれば良く、第１の感
光性樹脂組成物層の露光後、第２の感光性樹脂組成物層
の露光にあたり、第１の露光部の一部又は全部を遮光す
ると共に未露光部の一部を露光するのであるが、例えば
第１の露光部（硬化部）の一部のみを遮光し、該硬化部
の両側又は片側に接触する状態で、第２の露光を行えば
ライン自体に段差をもつパターンが形成され、第１の露
光部（硬化部）の全部を遮光し、未露光部（未硬化部、
スペース部）に第２の露光を行えば、ラインの高さが異
なるパターンが形成される。この時、ラインの高さのみ
でなくラインやスペースの幅を任意に調整することも無
論可能である。

【００３４】露光は通常紫外線照射により行い、その際
の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボン
アーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカ
ルランプなどが用いられる。露光量は５００〜１０００
０Ｊ／ｍ²程度が実用的である。紫外線照射後は、必要
に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることもできる。

【００３５】引き続いて基板の現像を行い凹凸模様を形
成させる。まず露光後のレジスト上のフイルムを剥離除
去してから、直ちに未露光部分をサンドブラスト加工し
ても良いが、未露光部分の一部又は全部を炭酸ソーダ、
炭酸カリウム等のアルカリ濃度０．１〜２重量％程度の
稀薄水溶液を用いてアルカリ現像行ってから、サンドブ
ラスト加工を実施するのが有利である。

【００３６】サンドブラスト加工は粒子径が０．１〜１
００μｍ程度のＳｉＣ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等を用い
て、ブラスト圧０．０５〜１０ＭＰａで吹き付けること
により実施される。最終用途によって未露光部分のみを
サンドブラスト研削したり、未露光部分ばかりでなく更
にその下部の基材を研削する。前者はプリント配線基板
や電鋳製品の製造等に、後者はＰＤＰの隔壁や電極形
成、セラミックの加工、ＳｉＣ基板の加工、シリコーン
ウエハーのダイシングやＰＺＴ（圧電素子）の加工、ガ
ラスの食刻等で採用される。

【００３７】かかる処理により基材面高さの異なる凹凸
模様が形成され、ＰＤＰ関連の用途では直ちに、プリン
ト配線板や電鋳製品の製造では凹凸基板にメッキ加工等
を行った後、基板表面に残存している硬化レジスト（露
光部分）の剥離を行う。硬化レジストの剥離除去は、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの０．１〜５重量
％程度の濃度のアルカリ水溶液からなるアルカリ剥離液
を用いて行う。また、アルカリ水溶液で剥離させる代わ
りに、硬化レジストのパターンを焼失させることも可能
である。

【００３８】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。なお、実施例中「％」、「部」とあるのは、断り
のない限り重量基準を意味する。実施例１（カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂の調製）温
度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口
を備えた４つ口フラスコに、２，２−ビス（ヒドロキシ
メチル）プロピオン酸１１９．５ｇ（０．８９ｍｏｌ）
とイソホロンジイソシアネート３９６．２ｇ（１．７８
ｍｏｌ）、酢酸エチル４３５ｇを仕込み、窒素雰囲気
下、８０℃で反応させ残存イソシアネート基が８．３％
となった時点で分子量１０００のポリエチレングリコー
ル４４５．６ｇ（０．４５ｍｏｌ）を加え、ジブチルス
ズラウリレート０．１５ｇを加えて更に反応させた。残
存イソシアネート基が３．０％となった時点で５５℃に
冷却した後、２ーヒドロキシエチルアクリレート１０
２．１ｇ（０．８８ｍｏｌ）を加え反応させ、残存イソ
シアネート基が０．３％となった時に反応を終了して、
カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂（Ａ１）を得
た。得られたカルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂
（Ａ１）溶液のイソシアネート含有率は０．３％、酸価
は３０．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【００３９】（ドープの調製）上記のカルボキシル基含
有ウレタンアクリル樹脂（Ａ１）溶液１４２．９部［固
形分換算でウレタンアクリル樹脂（Ａ１）１００部］、
２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，
５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール７
部、ロイコダイアモンドグリーン０．３部、ｐ，ｐ’−
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．２、マラカ
イトグリーン０．０３部、２，２−ジメトキシ−２−ベ
ンジルアセトフェノン、３部及びメチルエチルケトン４
５．０を配合してよく混合し、ドープを調製した。

【００４０】（ＤＦＲの作製）次にドープを、ギャップ
４ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリエ
ステルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒放置した
後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ３
分間乾燥して、感光性樹脂組成物層の膜厚２５μｍのＤ
ＦＲとした（ただし保護フィルムは設けていない）。

【００４１】（高さ、ライン幅の異なるプリント配線基
板の製造）このＤＦＲをオーブンで６０℃に予熱した銅
張り積層基板（縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ）上に、ラ
ミネートロール温度７０℃、同ロール圧０．３ＭＰａ、
ラミネート速度２ｍ／ｍｉｎにてラミネートした

【００４２】ラミネート後、室温に１０分間放置するこ
とにより除熱し、オーク製作所製平行露光機「ＥＸＭ−
１２０１」にて第１回目の露光を行った。使用したパタ
ーンマスクは右側半分がすべて光遮断され、左側半分が
ライン幅が２０μｍ、スペース幅が２０μｍのものであ
った。続いて支持体フイルムを剥離した後、上記と同じ
ＤＦＲをラミネートし、左側半分がすべて光遮断され、
右側半分がライン幅が５０μｍ、スペース幅が５０μ
ｍ、ライン幅が５０μｍのパターンマスクを介して第２
回目の露光を行った。

【００４３】露光後の基材を０．３％炭酸ナトリウム水
溶液を用い２０℃、スプレー圧０．１２ＭＰａで１分間
アルカリ現像し、未露光部分を現像し右側半分にＬ／Ｓ
＝２０／２０で高さ２５μｍの凹凸を、左側半分にＬ／
Ｓ＝５０／５０で高さ５０μｍの凹凸をもつ基板を得
た。その基板に銅メッキを施し、４０℃の３％水酸化ナ
トリウム水溶液を０．１２ＭＰａの圧力でスプレーし硬
化レジストを剥離したたところ、右側半分にＬ／Ｓ＝２
０／２０で高さ２５μｍの銅ライン、左側半分にＬ／Ｓ
＝５０／５０で高さ２５μｍの銅ラインの凹凸をもつ基
板を得た。解像力、形状とも極めて良好であった。凹凸
の形状の概略は図１の通りであった。

【００４４】実施例２（カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂の調製）温
度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口
を備えた４つ口フラスコに、２，２−ビス（ヒドロキシ
メチル）プロピオン酸８５．１４ｇ（０．６３ｍｏｌ）
とヘキサメチレンジイソシアネート２１３．６６ｇ
（１．２７ｍｏｌ）、酢酸エチル４５０．２３ｇを仕込
み、窒素雰囲気下、７８℃で反応させ、残存イソシアネ
ート基が７．６％となった時点で分子量６００のポリエ
チレングリコール（II）５６９．７５ｇ（０．９５ｍｏ
ｌ）を加え、更にジブチルスズラウリレート０．１５ｇ
を加えて更に約５時間反応させた。残存イソシアネート
基が０．５％となった時点でヘキサメチレンジイソシア
ネート１０７．４０ｇ（０．６４ｍｏｌ）を新たに加え
て反応を続け、残存イソシアネート基が２．３％となっ
たところで温度を６０℃に下げ、２ーヒドロキシエチル
アクリレート７７．００ｇ（０．６６ｍｏｌ）を加え反
応させ、残存イソシアネート基が０．３％となった時に
反応を終了して、カルボキシル基含有ウレタンアクリル
樹脂（Ａ２）溶液を得た。得られたカルボキシル基含有
ウレタンアクリル樹脂（Ａ２）のイソシアネート含有率
は０．３％、酸価は２３．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
上記のカルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂（Ａ
２）溶液を用いて、実施例１と同じ処方でＤＦＲを得
た。

【００４５】（高さの異なる隔壁を持つＰＤＰ用パネル
の製造）このＤＦＲをオーブンで６０℃に予熱したガラ
ス基板上に、ラミネートロール温度７０℃、同ロール圧
０．３ＭＰａ、ラミネート速度２ｍ／ｍｉｎにてラミネ
ートした。ラミネート後、室温に１０分間放置すること
により除熱し、オーク製作所製平行露光機「ＥＸＭ−１
２０１」にて第１回目の露光を行った。使用したパター
ンマスクはライン幅が６０μｍ、スペース幅が４８０μ
ｍのものであった。続いて支持体フイルムを剥離した
後、上記と同じＤＦＲをラミネートし、第１回目で使用
したパターンマスクと同じものを、露光部が前記の未露
光部の中間に位置するように配置し第２回目の露光を行
った。

【００４６】露光後の基材を０．３％炭酸ナトリウム水
溶液を用い２０℃、スプレー圧０．１２ＭＰａで１．５
分間アルカリ現像し、硬化部（ライン幅６０μｍ、高さ
２５μｍ）、スペース部（幅２１０μｍ）、硬化部（ラ
イン幅６０μｍ、高さ５０μｍ）、スペース部（幅２１
０μｍ）の繰り返しから構成される凹凸を有する基板を
得た。続いて、不二製作所社製の「ＰＮＥＵＭＡＢＬ
ＡＳＴＥＲ」（ハイパーノズル、エアー圧：０．３ＭＰ
ａ、切削剤：ＳｉＣ＃６００［平均粒径：２３μｍ］、
粉体供給量：２２０ｇ／ｍｉｎ）を用いて、ガン高さ３
ｃｍ、ガン移動幅２４ｃｍ、ガン移動速度２０ｍ／ｍｉ
ｎの条件で、高さ２５μｍの硬化部がブラスト加工で
完全に消失し、その下のガラスが５０μｍ削れるまでブ
ラスト加工を継続することにより、高さの異なる隔壁を
有する基板を得た。４０℃の３％水酸化ナトリウム水溶
液を０．１２ＭＰａでスプレーし硬化レジストを剥離し
たところ、ブラストされていない５０μｍ幅のラインが
ピッチ５３０μｍで形成され、そのピッチ中央部にガラ
ス表層から５０μｍ程低くなった凸部ラインを各々有
し、且つその両側に最深部が１５０μｍの溝ラインを有
する３次元構造体を得た。凹凸の形状の概略は図２の通
りであった。

【００４７】実施例３（カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル樹脂の
調製）温度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹
き込み口を備えた４つ口フラスコにイソホロンジイソシ
アネート２００ｇ（０．９ｍｏｌ）、酢酸エチル３７３
ｇ及び分子量１０００のポリエチレングリコール６００
ｇ（０．６ｍｏｌ）を仕込み、窒素雰囲気下、８０℃で
反応させ、残存イソシアネート基が２．３％となった時
点で温度を下げ始め、６０℃に下がったところで２ーヒ
ドロキシエチルアクリレート７１ｇ（０．６ｍｏｌ）を
加えて６０℃で反応を継続した。残存イソシアネート基
が０．３％となった時に反応を終了して、カルボキシル
基を含有しないウレタンアクリル樹脂（Ｂ）を得た。上
記で得られたカルボキシル基を含有しないウレタンアク
リル樹脂（Ｂ）のイソシアネート含有率は０．３％、酸
価は０ｍｇＫＯＨ／ｇ、樹脂分は７２％であった。

【００４８】実施例１において、カルボキシル基含有ウ
レタンアクリル樹脂（Ａ１）に上記カルボキシルを含有
しないウレタンアクリル樹脂（Ｂ）を固形分換算で（Ａ
１）／（Ｂ）＝６５／３５の割合で併用した以外は実施
例１と同様にしてＤＦＲを製造した。

【００４９】（高さの異なる隔壁を持つＰＤＰ用パネル
の製造）このＤＦＲをオーブンで６０℃に予熱したガラ
ス基板上に、ラミネートロール温度７０℃、同ロール圧
０．３ＭＰａ、ラミネート速度２ｍ／ｍｉｎにてラミネ
ートした。ラミネート後、室温に１０分間放置すること
により除熱し、オーク製作所製平行露光機「ＥＸＭ−１
２０１」にて第１回目の露光を行った。使用したパター
ンマスクはライン幅が６０μｍ、スペース幅が４８０μ
ｍのものであった。続いて支持体フイルムを剥離した
後、上記と同じＤＦＲをラミネートし、第１回目で使用
したパターンマスクと同じものを、露光部が前記の未露
光部の中間に位置するように配置し第２回目の露光を行
った。

【００５０】露光後の基材を０．３％炭酸ナトリウム水
溶液を用い２０℃、スプレー圧０．１２ＭＰａで１．５
分間アルカリ現像し、硬化部（ライン幅６０μｍ、高さ
２５μｍ）、スペース部（幅２１０μｍ）、硬化部（ラ
イン幅６０μｍ、高さ５０μｍ）、スペース部（幅２１
０μｍ）の繰り返しからなる構成の凹凸をもつ基板を得
た。続いて、不二製作所社製の「ＰＮＥＵＭＡＢＬＡ
ＳＴＥＲ」（ハイパーノズル、エアー圧：０．３ＭＰ
ａ、切削剤：ＳｉＣ＃６００［平均粒径：２３μｍ］、
粉体供給量：２２０ｇ／ｍｉｎ）を用いて、ガン高さ３
ｃｍ、ガン移動幅２４ｃｍ、ガン移動速度２０ｍ／ｍｉ
ｎの条件で、高さ２５μｍの硬化部がブラスト加工で完
全に消失し、その下のガラスが５０μｍ削れるまでブラ
スト加工を継続することにより、高さの異なる隔壁を有
する基板を得た。４０℃の３％水酸化ナトリウム水溶液
を０．１２ＭＰａでスプレーし硬化レジストを剥離した
ところ、ブラストされていない５０μｍ幅のラインがピ
ッチ５３０μｍで形成され、そのピッチ中央部にガラス
表層から５０μｍ程低くなった凸部ラインを各々有し、
且つその両側に最深部が２５０μｍの溝ラインを有する
３次元構造体を得た。凹凸の形状の概略は図３の通りで
あった。

【００５１】実施例４（カルボキシル基を有するアクリル樹脂の調製）温度
計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口を
備えた４つ口フラスコにメチルメタクリレート／エチル
アクリレート／スチレン／メタクリル酸を５５ｇ／２０
ｇ／３ｇ／２２ｇ入れ、更にメチルエチルケトン：１３
０ｇとメチルセロソルブ２０ｇを入れ還流した。そこ
に、アゾビスイソブチロニトリルを０．１ｇを入れ重合
開始とし、そこから１時間毎に４回アゾビスイソブチロ
ニトリルを０．１ｇづつ計４回添加し、その後更に還流
下１０時間反応を継続してアクリル樹脂を得た。１５０
℃、２時間乾燥での乾燥残分は３８．５重量％であっ
た。また、取り出した乾燥残分に関し分析したところ、
酸価１４０．４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：６．
８万（ＧＰＣによるスチレン換算法測定にて）、数平均
分子量３．５７万であった。上記アクリル樹脂２６０
ｇ、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ
アクリレート（大阪有機化学工業社製：ビスコート＃３
６０）４５ｇとポリプロピレングリコールジアクリレー
ト（新中村化学社製：ＮＫエステルＡＰＧ４００）１５
ｇ、２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，
４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾー
ル５部、ロイコダイアモンドグリーン０．４部、ｐ，
ｐ’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．１、
マラカイトグリーン０．０５部及びメチルエチルケトン
２２ｇを配合してよく混合し、ドープを調製した。

【００５２】（ＤＦＲの作製）次に上記ドープを、ギャ
ップ１０ミルのアプリケーターを用いて厚さ１９μｍの
ポリエステルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒放
置した後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれ
ぞれ３分間乾燥して、感光性樹脂組成物層の膜厚５０μ
ｍのＤＦＲとした（ただし保護フィルムは設けていな
い）。

【００５３】（ドット自体が段差を持つ電鋳製品の製
造）このＤＦＲをオーブンで８０℃に予熱したステンレ
ススチール板上に、ラミネートロール温度１００℃、同
ロール圧０．３ＭＰａ、ラミネート速度０．５ｍ／ｍｉ
ｎにてラミネートした。ラミネート後、室温に１０分間
放置することにより除熱し、オーク製作所製平行露光機
「ＥＸＭ−１２０１」にて第１回目の露光を行った。使
用したパターンマスクは一辺が８０μｍの正方形で、各
ドットの間隔が７００μｍとなるよう一列に並んだもの
であった。続いて支持体フイルムを剥離した後、上記と
同じＤＦＲを重ねてラミネートし、上記のドットの中央
部に、一辺が３０μのドットが配するパターンマスクを
介して第２回目の露光を行った。

【００５４】露光後の基材を０．６％炭酸ナトリウム水
溶液を用い２０℃、スプレー圧０．１２ＭＰａで２．５
分間アルカリ現像し、高さが５０μｍで一辺が８０μｍ
角のドットの中央部に更に高さが５０μｍ厚で一辺が３
０μｍ角のドットが載った段差のあるパターンを持つ基
板を得た。その基板にニッケルメッキを施した後にステ
ンレススチール板上からメッキ物ごと剥離した後に、４
０℃の３％水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬することに
より硬化レジストを剥離したたところ、全体がニッケル
で出き、８０μｍ角の抜け部の奥が３０μｍ角の抜け部
になっている段差を有する電鋳構造板を得た。抜け部の
形状、サイドウォールとも極めて良好な電鋳製品であっ
た。凹凸の形状の概略は図４の通りであった。

【００５５】

【発明の効果】本発明では基板表面に第１の感光性樹脂
組成物層を設け、パターンマスクを介して露光をして露
光部を硬化させ、その後更にその上に第２の感光性樹脂
組成物層を設け、前記露光部の一部又は全部を遮光する
と共に未露光部の一部を露光をして硬化させ、必要に応
じて以下この操作を順次繰り返した後、現像して未露光
部を除去することにより、基板表面に高さの異なるライ
ンを効率良く形成させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で形成される凹凸形状の概略図

【図２】実施例２で形成される凹凸形状の概略図

【図３】実施例３で形成される凹凸形状の概略図

【図４】実施例４で形成される凹凸形状の概略図

【符号の説明】１高さの高い凸部２高いの低い凸部３凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に第１の感光性樹脂組成物層を
設け、パターンマスクを介して露光をして露光部を硬化
させ、その後更にその上に第２の感光性樹脂組成物層を
設け、前記露光部の一部又は全部を遮光すると共に未露
光部の一部を露光して硬化させ、必要に応じて以下この
操作を順次繰り返した後、現像して未露光部を除去して
基板表面に高さの異なるラインを形成させることを特徴
とするパターン形成方法。
【請求項２】感光性樹脂組成物層が、分子中にウレタ
ン結合とエチレン性不飽和基をもつ樹脂を含有すること
を特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】分子中にウレタン結合とエチレン性不飽
和基をもつ樹脂が、ウレタンアクリル系樹脂であること
を特徴とする請求項１〜２いずれか記載のパターン形成
方法。
【請求項４】感光性樹脂組成物層がドライフイルムフ
ォトレジストであることを特徴とする請求項１〜３いず
れか記載のパターン形成方法。
【請求項５】基板としてステンレススチール板を用い
て電鋳用に使用するパターンを形成させることを特徴と
する請求項１〜４いずれか記載のパターン形成方法。
【請求項６】基板として銅張り積層板を用いてプリン
ト配線基板用に使用するパターンを形成させることを特
徴とする請求項１〜４いずれか記載のパターン形成方
法。
【請求項７】基板としてガラス板を用いてプラズマデ
ィスプレイパネル用に使用するパターンを形成させるこ
とを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のパターン形
成方法。