JP2003315813A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 液体吐出手段を介して第１の金属粒子を含む第１の液体材料を基板上に形成された中間層上に配置し導電膜を形成する導電膜形成工程と、を有することを特徴とする導電膜の形成方法。
2. 液体吐出手段を介して第２の液体材料を基板上に配置し中間層を形成する中間層形成工程と、
   前記中間層形成工程後に、第１の金属粒子を含む、前記第２の液体材料とは異なる第１の液体材料を前記中間層上に配置し導電膜を形成する導電膜形成工程と、を有することを特徴とする導電膜の形成方法。
3. 第１の金属粒子を含む第１の液体材料及び該第１の液体材料とは異なる第２の液体材料に対する基板の接触角を大きくする表面処理工程と、
   前記表面処理工程の後に、液体吐出手段を介して前記第２の液体材料を前記基板上に配置し中間層を形成する中間層形成工程と、
   前記中間層形成工程後に、前記第１の液体材料を前記中間層上に配置し導電膜を形成する導電膜形成工程と、を有することを特徴とする導電膜の形成方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の導電膜の形成方法において、
   前記中間層は前記基板に対する前記導電膜の密着力を向上させるものであって、前記導電膜の形状に対応して前記基板の一部に形成されることを特徴とする導電膜の形成方法。
5. 請求項４に記載の導電膜の形成方法において、
   前記中間層は複数の膜が互いに離間した状態で配置されてなることを特徴とする導電膜の形成方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の導電膜の形成方法において、
   前記第２の液体材料は、前記第１の金属微粒子と異なる第２の微粒子を含むことを特徴とする導電膜の形成方法。
7. 請求項６に記載の導電膜の形成方法において、
   前記第２の微粒子は、マンガン、クロム、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリコン、バナジウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属または前記金属の酸化物を含有する微粒子であることを特徴とする導電膜の形成方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の導電膜の形成方法において、
   前記第１の金属微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、のいずれかの金属の超微粒子、または前記金属を含む合金の超微粒子であることを特徴とする導電膜の形成方法。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の導電膜の形成方法を用いることを特徴とする膜構造体の製造方法。
10. 請求項９に記載の膜構造体の形成方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置の形成方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。