JP2003311448A - メモリーカード成形品のレーザーマーキング方法、メモリーカード成形品、メモリーカード用熱可塑性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有彩色の下地に白色のマーキングを、凹凸を
生じさせることなくコントラスト高く形成することがで
きるメモリーカード成形品のレーザーマーキング方法を
提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂組成物を成形して得られる
下地が有彩色のメモリーカード成形品にレーザーを照射
して白色発色のレーザーマーキング加工を施す。この際
に、ＹＡＧレーザーの第２次高調波を照射してレーザー
マーキングを行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄肉部を有するメ
モリーカード成形品のレーザーマーキング方法、このレ
ーザーマーキング方法でマーキングが施されたメモリー
カード成形品、及びこのレーザーマーキング方法の実施
に用いられるメモリーカード用熱可塑性樹脂組成物に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】メモリーカードは、基板に半導体メモリ
ーを実装し、ハウジングとなるメモリーカード成形品内
にこの基板を内装することによって形成されるものであ
る。そしてメモリーカード成形品は、基板の半導体メモ
リーを実装する凹所を形成するため、その部分を部分的
に極薄肉部として成形する必要がある。そこでこのよう
な部分的に極薄肉部を成形するのに適した図１のような
射出圧縮成形法が本出願人等によって提案されている
（特願２００１−０４０７３０として特許出願）。

【０００３】すなわち図１において１は一対の分割金型
１ａ，１ｂからなる成形金型であり、各分割金型１ａ，
１ｂの対向面にはキャビティ２を形成するための半部２
ａ，２ｂがそれぞれ凹設してある。３は圧縮成形用のコ
アであって、一方の分割金型１ａにその先部をキャビテ
ィ２内に突出する状態で配設してあり、他方の分割金型
１ｂの側へさらに突出するようにスライド移動自在にし
てある。４は分割金型１ａ，１ｂの間に形成したゲート
である。

【０００４】そして、射出成形機から射出された溶融状
態の熱可塑性樹脂組成物の成形材料５は、まず（Ａ１）
及び（Ｂ１）に示すように均一な平行流となってキャビ
ティ２内を流れるが、コア３が突出する部分に達する
と、コア３の先端面とキャビティ２の内面との間の箇所
は狭く流動抵抗が大きいので、コア３の先端面とキャビ
ティ２の内面の間を流れる成形材料５ａの流速よりコア
３の両側を流れる成形材料５ｂの流速が速くなり、（Ａ
２）及び（Ｂ２）に示すように、両成形材料５ａ，５ｂ
の先端位置に差ができ、このままでは（Ａ３）及び（Ｂ
３）に示すように未充填部分が生じたり、あるいは成形
材料５ｂ，５ｂがキャビティ２の末端部で先に合流して
ウエルドラインが生じたりするおそれがある。そこで、
（Ａ３）及び（Ｂ３）のように不完全な状態でキャビテ
ィ２内に成形材料５が充填された後、射出を停止し、さ
らにコア３を分割金型１ｂの側へスライドさせてキャビ
ティ２内に突出させることによって、（Ａ４）及び（Ｂ
４）に示すように、コア３で圧縮成形を行ない、コア３
の先端面とキャビティ２の内面の間に成形材料５を完全
に充填させると共に薄肉部１１を成形することができ
る。このようにして、半導体メモリーを実装するための
凹所１２を薄肉部１１の成形によって形成したメモリー
カード成形品１０を射出圧縮成形法で作製することがで
きるものである。

【０００５】そして、このように成形して得られたメモ
リーカード成形品の表面には、所望の文字、記号、図柄
を表すマーキングが施される。メモリーカード成形品に
マーキングを行う方法としては、熱硬化性インクを用い
た印刷や、ラベルの貼り付けによる方法が一般的であ
る。しかし、樹脂成形品であるメモリーカード成形品の
表面は一般に化学的活性が乏しく、インクの密着性が不
十分で印刷の耐久性を長期に亘って得ることが難しいと
いう問題があり、またラベルを張り付ける方法では生産
性の点で問題がある。

【０００６】一方、このような方法を解決して、再現性
よく、簡便にマーキングを施すことができるマーキング
方法として、レーザーを照射して熱可塑性樹脂組成物に
マーキングを行う方法が特開昭６０−１５５４９３号や
特開昭６１−１９２７３７号公報等で提案されている。
具体的にはその方法として、次のようなものが提案され
ている。例えば特開昭５８−６７４９６号公報などで提
案されているような、レーザーを照射した部分の表面状
態を租面化させるように変化させことによってマーキン
グする方法、例えば特開昭６３−２１６７９０号公報、
特公昭６１−１１７７１号公報、特公昭６１−４１３２
０号公報などで提案されているような、レーザーの照射
で変色あるいは脱色可能な充填物を成形品に添加してお
き、レーザー照射によって変色あるいは脱色させてマー
キングする方法、例えば特開平２−２４２２２０号公報
などで提案されているような、レーザーの照射による樹
脂の焼け焦げを利用してマーキングする方法などがあ
る。

【０００７】このようにこれらは、レーザーを照射した
部分を局所的に加熱し、樹脂表面に溶解、気化、発泡、
炭化等の熱的な変化を起させることによりマーキングを
行なったり、あるいは変色や脱色可能な充填物を成形品
に添加しておき、レーザー照射で変色あるいは脱色させ
ることによりマーキングを行うものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、薄肉部を有す
るメモリーカード成形品にレーザーマーキングを行なう
場合、従来から汎用されているレーザー、例えば基本波
Ｎｄ；ＹＡＧレーザーなどを薄肉部に照射してレーザー
マーキングを施す場合、レーザー照射部分に凹凸が生じ
ることなく、鮮明なコントラストでマーキングすること
が難しく、コントラストが高く触感が良好なマーキング
を行なうことは非常に困難である。特にメモリーカード
成形品が青色など有彩色（黒色及び白色以外の色をい
う）に着色されている場合、有彩色の下地に白色系のマ
ーキングを形成することは極めて難しいものであった。

【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、有彩色の下地に白色のマーキングを、凹凸を生じ
させることなくコントラスト高く形成することができる
メモリーカード成形品のレーザーマーキング方法を提供
することを目的とするものであり、またこのようなメモ
リーカード成形品の製造に適した熱可塑性樹脂組成物を
提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
メモリーカード成形品のレーザーマーキング方法は、熱
可塑性樹脂組成物を成形して得られる下地が有彩色のメ
モリーカード成形品にレーザーを照射して白色発色のレ
ーザーマーキング加工を施すにあたって、ＹＡＧレーザ
ーの第２次高調波を照射してレーザーマーキングを行な
うことを特徴とするものである。

【００１１】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、レーザー光の照射でドットを形成すると共にレーザ
ー光のスキャンでこのドットを連ねることによってレー
ザーマーキングを行なうにあたって、スキャン速度を１
００〜６００ｍｍ／ｓｅｃ、レーザーパワーとしてのＹ
ＡＧレーザーの発光強度を２０〜３０Ａ、Ｑスイッチ発
振周波数を４〜１２ｋＨｚ、ドットを結ぶラインの間隔
を０．０５〜０．１０ｍｍに設定して、レーザーマーキ
ングを行なうことを特徴とするものである。

【００１２】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、メモリーカード成形品はレーザーマーキングを
施す薄肉部の厚みが０．１〜１．０ｍｍであることを特
徴とするものである。

【００１３】本発明の請求項４に係るメモリーカード成
形品は、請求項１乃至３のいずれかに記載のレーザーマ
ーキング方法でマーキングが形成されて成ることを特徴
とするものである。

【００１４】本発明の請求項５に係るメモリーカード用
熱可塑性樹脂組成物は、請求項１乃至４のいずれかに記
載の熱可塑性樹脂組成物であって、（Ａ）ポリカーボネ
ート樹脂、（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂を含有して成ることを特
徴とするものである。

【００１５】また請求項６の発明は、請求項５におい
て、（Ｃ）ポリカーボネート系樹脂セグメント（ａ）に
対して、ビニル系樹脂セグメント（ｂ）が、分岐、また
は架橋構造的に化学結合したグラフト共重合体を含有し
て成ることを特徴とするものである。

【００１６】また請求項７の発明は、請求項５又は６に
おいて、（Ｄ）結晶性樹脂を含有して成ることを特徴と
するものである。

【００１７】また請求項８の発明は、請求項５乃至７の
いずれかにおいて、（Ｅ）熱重量分析における昇温１０
℃／分、温度３２０℃における重量減少が３質量％以下
である着色剤を含有して成ることを特徴とするものであ
る。

【００１８】また請求項９の発明は、請求項５乃至８の
いずれかにおいて、（Ｆ）ジエン系ゴム状重合体からな
る内核とビニル系共重合体からなる最外殻を有する多層
構造重合体を含有して成ることを特徴とするものであ
る。

【００１９】また請求項１０の発明は、請求項５乃至９
のいずれかにおいて、（Ｇ）結晶核剤を含有して成るこ
とを特徴とするものである。

【００２０】また請求項１１の発明は、請求項５乃至１
０のいずれかにおいて、（Ａ）ポリカーボネート樹脂
が、測定温度２８０℃、荷重２．１ｋｇでのＭＦＲ値が
１０ｇ／分以上のものであることを特徴とするものであ
る。

【００２１】また請求項１２の発明は、請求項５乃至１
１のいずれかにおいて、（Ａ）ポリカーボネート樹脂と
（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂の合計量中、（Ａ）ポリカーボネー
ト樹脂を３０〜９０質量％、（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂を７０
〜１０質量％含有して成ることを特徴とするものであ
る。

【００２２】また請求項１３の発明は、請求項６乃至１
２のいずれかにおいて、（Ｃ）グラフト共重合体におい
て、ポリカーボネート系樹脂セグメント（ａ）とビニル
系樹脂セグメント(ｂ)の比率が、ポリカーボネート系樹
脂セグメント（ａ）が５〜９５質量％、ビニル系樹脂セ
グメント(ｂ)が９５〜５質量％であることを特徴とする
ものである。

【００２３】また請求項１４の発明は、請求項６乃至１
３のいずれかにおいて、（Ｃ）グラフト共重合体におい
て、ビニル系樹脂セグメント（ｂ）が、下記一般式「化
２」で示される繰り返し単位からなる重合体セグメン
ト、又はＮ−置換マレイミド単位からなる重合体セグメ
ント、又はα，β−不飽和酸のグリシジルエステル単位
からなる重合体セグメントであることを特徴とするもの
である。

【００２４】

【化２】

【００２５】（ただし、Ｒ₁は水素、またはＣ数１〜３
の低級アルキル基、Ｘ₁は、−COOCH₃、−COOC₂H₅、−CO
OC₄H₉、−COOCH₂CH(C₂H₅)C₄H₉、−C₆H₅、−CNから選ば
れた１種または２種以上の基を表す。） また請求項１５の発明は、請求項１４において、（Ｃ）
グラフト共重合体において、ビニル系樹脂セグメント
（ｂ）のＮ−置換マレイミド単位からなる重合体セグメ
ントが、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、又はＮ−フェ
ニルマレイミド重合体から選択された少なくとも１つを
含むことを特徴とするものである。

【００２６】また請求項１６の発明は、請求項６乃至１
５のいずれかにおいて、（Ｃ）グラフト共重合体の配合
量が、（Ａ）ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）ＡＢＳ系樹
脂の合計量１００質量部に対して、０．５〜１０質量部
であることを特徴とするものである。

【００２７】また請求項１７の発明は、請求項７乃至１
６のいずれかにおいて、（Ｄ）結晶性樹脂が、融点が１
５０℃以上のものであることを特徴とするものである。

【００２８】また請求項１８の発明は、請求項７乃至１
７のいずれかにおいて、（Ｄ）結晶性樹脂が、溶融させ
たものを液体窒素中に急冷し、これをＤＳＣを用いて、
昇温速度１０℃/分で３０℃〜３００℃の範囲で測定し
た際の、結晶化開始温度が１００℃以上のものであるこ
とを特徴とするものである。

【００２９】また請求項１９の発明は、請求項７乃至１
８のいずれかにおいて、（Ｄ）結晶性樹脂が、ポリエチ
レンテレフタレートであることを特徴とするものであ
る。

【００３０】また請求項２０の発明は、請求項７乃至１
９のいずれかにおいて、（Ｄ）結晶性樹脂の配合量が、
（Ａ）ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂の合
計量１００質量部に対して、０．５〜１０質量部である
ことを特徴とするものである。

【００３１】また請求項２１の発明は、請求項８乃至２
０のいずれかにおいて、（Ｅ）着色剤の配合量が、
（Ａ）〜（Ｇ）の合計量中、２質量％以下であることを
特徴とするものである。

【００３２】また請求項２２の発明は、請求項９乃至２
１のいずれかにおいて、（Ｆ）ジエン系ゴム状重合体か
らなる内核とビニル系共重合体からなる最外殻を有する
多層構造重合体の配合量が、（Ａ）ポリカーボネート樹
脂１００質量部に対して、０．５〜３０質量部であるこ
とを特徴とするものである。

【００３３】また請求項２３の発明は、請求項１０乃至
２２のいずれかにおいて、（Ｇ）結晶核剤が、タルク、
カオリン、マイカ、シリカ、ガラスビーズ、フレーク、
Ｌ／Ｄが５０未満の無機繊維、ウイスカ−状無機充填材
から選択された少なくとも１つであることを特徴とする
ものである。

【００３４】また請求項２４の発明は、請求項１０乃至
２３のいずれかにおいて、（Ｇ）結晶核剤の配合量が、
（Ｄ）結晶性樹脂１００質量部に対して、０．０５〜１
０質量部であることを特徴とするものである。

【００３５】また請求項２５の発明は、請求項５乃至２
４のいずれかにおいて、スパイラルフロー金型（金型内
の流路断面の厚み０．８ｍｍ、幅６．０ｍｍ）に、シリ
ンダー温度３００℃、射出圧力９８．１ＭＰａ（１００
０ｋｇ／ｃｍ²）、金型温度８５℃の条件で射出成形し
たときの、成形されたスパイラル長さが８０ｍｍ以上で
あることを特徴とするものである。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００３７】本発明において、薄肉部を設けて成形した
メモリーカード成形品の表面にレーザーマーキングを行
なうにあたって、青色など有彩色（非黒色及び非白色、
つまり黒色及び白色を除く色）に着色したメモリーカー
ド成形品に白色のマーキングを、下地の有彩色と白色と
のコントラストが高く、またマーキング部分に凹凸が発
生しないように施すためには、非線形光学結晶を用いた
レーザー光を選択的に使用し、このレーザー光を照射し
てマーキングを行なうことが必要である。

【００３８】ここで、非線形光学結晶とは、光と非線形
光学結晶の非線形相互作用によって基本周波数νのｎ倍
の周波数ｎν（ｎは整数）の光を発生するための結晶で
あり、具体的にはβ−ＢａＢ₂Ｏ₄、ＬｉＢ₃Ｏ₅などがあ
る。非線形光学結晶を用いるレーザーとしては、次のも
のが知られている。すなわち基本波である第１次高調波
Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（波長＝１０６４ｎｍ）、第２次
高調波Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（波長＝５３２ｎｍ）、第
３次高調波Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（波長＝３５５ｎ
ｍ）、第４次高調波Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（波長＝２６
６ｎｍ）、第２次高調波半導体レーザー（波長＝４２９
ｎｍ等）などがある。

【００３９】本発明ではこれらのうちレーザーの波長
が、第２次高調波Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（波長＝５３２
ｎｍ）を用いるものである。そして、有彩色に着色した
メモリーカード成形品の表面にこれらのＹＡＧレーザー
の第２次高調波のレーザーを照射してマーキングを行な
うことによって、有彩色の下地に白色のマーキングをコ
ントラスト高く形成することができるものであり、特に
メモリーカード成形品の０．１〜１ｍｍ程度の厚みの薄
肉部にレーザーマーキングを行なうにあたって、マーキ
ング部分に凹凸が発生せず、触感の良好なマーキングを
施すことが可能になるものである。またメモリーカード
成形品の樹脂において、これらの波長に対するレーザー
の吸収が少なく、メモリーカード成形品の物性を低下さ
せることも殆どないものである。

【００４０】ここで、メモリーカード成形品の表面にレ
ーザーマーキングを行なうにあたっては、レーザー光を
集光してメモリーカード成形品の表面に照射することに
よってポイント（ドットともいう）を形成し、レーザー
光をスキャンして移動させながら多数のポイントを形成
することによって、ポイントの集合体として文字、記
号、図形等を表現するようにしている。すなわち図３
（ａ）に示すように、レーザー光の照射によってドット
状のポイントＰを形成し、矢印方向にレーザー光をスキ
ャンしながら多数のポイントＰを連ねるように形成する
ことによって、多数のポイントＰが一本の線として連続
するラインＬを作成し、さらにレーザー光をスキャンし
ながらポイントＰを連ねるように形成してラインＬを作
成することによって、図３（ｂ）に示すように複数本の
ラインＬを並列させる。このようにポイントＰを連ねた
ラインＬによって文字、記号、図形等の形状を表現し、
このラインＬを並列させることによって文字、記号、図
形等の太さを表現することができるものである。

【００４１】ここで上記のようにＹＡＧレーザーの第２
次高調波を使用してレーザーマーキングを行なう際に、
レーザーのスキャン速度、すなわちポイントをマーキン
グする速度は１００〜６００ｍｍ／ｓｅｃの範囲が好ま
しい。レーザーのスキャン速度が１００ｍｍ／ｓｅｃ未
満であると鮮明なマーキングを得ることが難しくなり、
逆に６００ｍｍ／ｓｅｃを超えるとメモリーカード成形
品の物性を低下させたり、マーキング部に極端な凹凸が
発生したりするおそれがある。また、レーザーパワー、
つまりＹＡＧレーザーの発光強度は２０〜３０Ａの範囲
が好ましい。レーザーパワーが２０Ａ未満であると鮮明
なマーキングを得ることが難しくなり、逆に３０Ａを超
えるとメモリーカード成形品の物性を低下させたり、マ
ーキング部に極端な凹凸が発生したりするおそれがあ
る。さらに、レーザーをＱスイッチでパルス発振して照
射するにあたって、Ｑスイッチ発振周波数は、４〜１２
ｋＨｚの範囲が好ましい。レーザーのＱスイッチ発振周
波数が４ｋＨｚ未満であると、鮮明なマーキングを得る
ことが難しくなり、逆に１２ｋＨｚを超えるとメモリー
カード成形品の物性を低下させたり、マーキング部に極
端な凹凸が発生したりするおそれがある。また、ライン
間隔、つまりレーザーポイントの間隔は０．０５〜０．
１０ｍｍであることが好ましい。ライン間隔が０．０５
ｍｍ未満であると、レーザーの間隔が狭くなってレーザ
ーポイントが重なり合い、メモリーカード成形品に変形
が生じたり、焼けが生じたりする可能性がある。逆にラ
イン間隔が０．１０ｍｍを超えるとレーザーポイントの
間隔が広くなりすぎ、白色発色が弱くなるおそれがあ
る。

【００４２】次に、本発明のレーザーマーキング方法で
マーキングを行なうのに適していると共に、上記のよう
な薄肉部を有するメモリーカード成形品を、図１のよう
な射出圧縮成形法で成形するのに適した熱可塑性樹脂組
成物について説明する。

【００４３】すなわち、本発明で用いる熱可塑性樹脂組
成物は、（Ａ）ポリカーボネート樹脂、（Ｂ）ＡＢＳ系
樹脂を主成分とするものである。そしてさらに、（Ｃ）
ポリカーボネート系樹脂セグメント（ａ）に対して、ビ
ニル系樹脂セグメント（ｂ）が、分岐、または架橋構造
的に化学結合したグラフト共重合体や、（Ｄ）結晶性樹
脂や、（Ｅ）熱重量分析における昇温１０℃／分、温度
３２０℃における重量減少が３質量％以下である着色剤
や、及び（Ｆ）ジエン系ゴム状重合体からなる内核とビ
ニル系共重合体からなる最外殻を有する多層構造重合体
や、（Ｇ）結晶核剤を配合することもできるものであ
る。

【００４４】本発明において用いられるポリカーボネー
ト樹脂（Ａ）は、ジヒドロキシジアリールアルカンから
得られるものであり、任意に枝分かれしていてもよい。
このポリカーボネート樹脂は公知の方法により製造する
ことができるものであり、一般にヒドロキシ及び／又は
ポリヒドロキシ化合物をホスゲン又は炭酸のジエステル
と反応させることにより製造される。ジヒドロキシジア
リールアルカンはヒドロキシ基に関しオルトの位置にア
ルキル基、塩素原子又は臭素原子を有するものも含むも
のであり、ジヒドロキシジアリールアルカンの好ましい
具体例としては４，４′−ジヒドロキシ−２，２−ジフ
エニルプロパン（ビスフエノールＡ）、テトラメチルビ
スフエノールＡ、ビス−（４−ヒドロキシフエニル）−
ｐ−ジイソフロピルベンゼン等を挙げることができる。
また分岐したポリカーボネート樹脂は、例えばヒドロキ
シ化合物の一部、例えば０．２〜２モル％をポリヒドロ
キシで置換することにより製造される。ポリヒドロキシ
化合物の具体例としては１，４−ビス−（４′,４，
２′−ジヒドロキシトリフエニルメチル）−ベンゼン、
フロログルシノール、４，６−ジメチル−２，４，６−
トリ−（４−ヒドロキシフエニル）−ヘプテン−２、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキ
シフエニル）−ヘプタン、１，３，５−トリ−（４−ヒ
ドロキシフエニル）−ベンゼン、１，１，１−トリ−
（４−ヒドロキシフエニル）−エタン、２，２−ビス
〔４，４−（４，４′−ジヒドロキシフエニル）−シク
ロヘキシル〕−プロパン等を挙げることができる。

【００４５】ここで、ポリカーボネート樹脂（Ａ）は、
ＭＦＲ（メルトフローレート；ＪＩＳ Ｋ ７２１０）
値が、測定温度２８０℃、荷重２．１ｋｇの測定条件で
１０ｇ／分以上のものが好ましい。ＭＦＲ値が１０ｇ／
分未満であると、流動性が不十分であって成形性が悪化
するおそれがある。またＭＦＲ値が１００ｇ／分を超え
ると、樹脂の機械的強度が低下し実用上使用できなくな
るおそれがあるので、ＭＦＲ値が１００ｇ／分以下であ
ることが好ましい。

【００４６】また本発明においてポリカーボネート樹脂
（Ａ）は、−３０℃におけるアイゾット衝撃強度が１０
０Ｊ／ｍ以上のものであることが好ましい。−３０℃に
おけるアイゾット衝撃強度が１００Ｊ／ｍ未満である
と、メモリーカード成形品のヒートショック試験におい
て低温時にメモリーカード成形品にクラックが発生する
恐れがある。アイゾット衝撃強度の上限は特に設定され
るものではないが、−３０℃におけるアイゾット衝撃強
度が１０００Ｊ／ｍを超えるものは、流動性が低下し成
形性が悪化する恐れがあるので、好ましくない。

【００４７】ポリカーボネート樹脂（Ａ）は市販品を使
用することができるものであり、例えば、住友ダウ
（株）製の「カリバー」、三菱エンジニアリングプラス
チックス（株）製の「ユーピロン」、帝人化成（株）製
の「パンライト」等（いずれも商品名）を挙げることが
できる。

【００４８】上記ポリカーボネート樹脂（Ａ）は１種を
単独で用いる他、２種以上を混合して用いることができ
るものであり、ポリカーボネート樹脂（Ａ）の配合量は
ポリカーボネート樹脂（Ａ）と下記のＡＢＳ系樹脂
（Ｂ）の合計中において、３０〜９０質量％の範囲にな
るように設定するのが好ましい。ポリカーボネート樹脂
（Ａ）の配合量が３０質量％未満では、耐熱性が不十分
になり、逆に９０質量％を超える場合は、成形性や耐薬
品性等の点で劣るので、それぞれ好ましくない。

【００４９】次に、本発明において用いられるＡＢＳ系
樹脂（Ｂ）は、ゴム状重合体の存在下に、スチレン、α
−メチルスチレン等で代表される芳香族ビニル系単量
体、メタクリル酸メチル、アクリル酸メチル等で代表さ
れる（メタ）アクリル酸エステル系単量体、アクリロニ
トリル、メタクリロニトリル等で代表されるシアン化ビ
ニル系単量体、Ｎ−フェニルマレイミドで代表される
α，β−不飽和ジカルボン酸イミド系単量体などから選
ばれた少なくとも１種のビニル系単量体を、グラフト共
重合させて得られるものであり、その代表例としてはＡ
ＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹
脂、ＭＢＳ（メチルメタクリレート−スチレン−ブタジ
エン）樹脂、ＡＥＳ（アクリロニトリル−エチレン−ス
チレン）樹脂などを挙げることができる。

【００５０】ここでゴム状重合体としてはポリブタジエ
ンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム
（ＮＢＲ）、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム（ＳＢ
Ｒ）等のジエン系ゴム、ポリブチルアクリレート、ポリ
プロピルアクリレート等のアクリル系ゴムおよびエチレ
ン−プロピレン−ジエン系ゴム（ＥＰＤＭ）等を用いる
ことができる。

【００５１】またこのゴム状重合体にグラフト共重合せ
しめるビニル系単量体は芳香族ビニル系単量体０〜９０
質量％、（メタ）アクリル酸エステル系単量体０〜１０
０質量％およびシアン化ビニル系単量体及び／又はα，
β−不飽和ジカルボン酸イミド系単量体０〜４０質量％
の割合が適当であり、この組成外においては耐衝撃性や
他の機械的性質が阻害される場合がある。ゴム状重合体
にグラフト共重合せしめるビニル系単量体の組合せとし
てはスチレン／アクリロニトリル、スチレン／メタクリ
ル酸メチル／アクリロニトリル、メタクリル酸メチル単
独、メタクリル酸メチル／アクリロニトリル、スチレン
／メタクリル酸メチル、α−メチルスチレン／メタクリ
ル酸メチル／アクリロニトリルなどが挙げられる。ただ
しＡＢＳ系樹脂（Ａ）におけるゴム状重合体とビニル系
単量体の割合は重要であり、ゴム状重合体５〜８０質量
部、特に１５〜７０質量部の存在下に、ビニル系単量体
９５〜２０質量部、特に８５〜３０質量部（合計１００
質量部）を重合することが必要である。ゴム状重合体の
割合が５質量部未満では得られるＡＢＳ系樹脂の耐衝撃
性が不充分になり、また８０質量部を超えると、得られ
るＡＢＳ系樹脂の機械的性質が劣り、耐衝撃性改良効果
も発現しないため好ましくない。

【００５２】ＡＢＳ系樹脂（Ｂ）は、アイゾット衝撃強
度が、２００Ｊ/ｍ以上であるものが好ましい。アイゾ
ット衝撃強度が２００Ｊ／ｍ未満であると、組成物を成
形して得られたメモリーカード成形品の衝撃強度が不十
分になるおそれがある。アイゾット衝撃強度の上限値は
特に設定されるものではないが、実用上の上限は３２０
Ｊ／ｍである。尚、このアイゾット衝撃強度の数値は、
ＡＳＴＭ Ｄ２５６に従って、１３ｍｍ×６５ｍｍ×
６．４ｍｍのアイゾット試験片（ノッチ付き）について
測定されたものである。

【００５３】尚、上記のＡＢＳ系樹脂（Ｂ）は乳化重
合、塊状重合および塊状−懸濁重合などの公知の重合法
により製造することができるものであるが、ＡＢＳ系樹
脂としては上記のグラフト法によって得られたもののみ
ならず、グラフト・ブレンド法によって得られたものも
同様に使用できるものであり、この方法によって得られ
るＡＢＳ系樹脂も同様に広く知られている。ＡＢＳ系樹
脂（Ｂ）は市販品を使用することができるものであり、
例えば、日本エイアンドエル（株）製の「クララスチッ
ク」、「サンタック」、東レ（株）製の「トヨラック」
等（いずれも商品名）を挙げることができる。

【００５４】上記のＡＢＳ樹脂（Ｂ）は１種を単独で用
いる他、２種以上を混合して用いることができるもので
あり、ＡＢＳ樹脂（Ｂ）の配合量は、ポリカーボネート
樹脂（Ａ）とＡＢＳ系樹脂（Ｂ）の合計中において、１
０〜７０質量％の範囲になるように設定するのが好まし
い。ＡＢＳ樹脂（Ｂ）の配合量が１０質量％未満では、
成形性が悪化するおそれがあり、逆に７０質量％を超え
る場合は、成形品の耐熱性が低下するおそれがある。

【００５５】次に、本発明において使用されるグラフト
共重合体（Ｃ）は、ポリカーボネート系樹脂セグメント
（ａ）とビニル系樹脂セグメント（ｂ）から構成される
ものであり、ポリカーボネート系樹脂セグメント（ａ）
にビニル系樹脂セグメント（ｂ）が分岐、または架橋構
造的に化学結合したものである。

【００５６】ポリカーボネート系樹脂セグメント（ａ）
には既述したポリカーボネート樹脂（Ａ）と同じものを
使用することができる。このときのポリカーボネート樹
脂は粒径が０．１〜５ｍｍ程度の粉状又はペレット状で
あることが好ましい。粒径が０．１ｍｍ未満であると、
グラフト共重合体（Ｃ）を合成する際の作業性が低下
し、粒径が５ｍｍを超えると、グラフト共重合体（Ｃ）
を合成する際の懸濁液中での分散が困難であるばかりで
なく、ビニル系樹脂セグメント（ｂ）を構成するビニル
単量体等の含浸時間が長くなる問題が生じる。またポリ
カーボネート樹脂は多孔質であることが含浸する上でよ
り好ましい。

【００５７】また、ビニル系樹脂セグメント（ｂ）と
は、上記の一般式「化１」で示される繰り返し単位から
なる重合体セグメント、Ｎ−置換マレイミド単位からな
る重合体セグメント、α，β−不飽和酸のグリシジルエ
ステル単位からなる重合体セグメントであり、具体的に
は、スチレン、核置換スチレン、α−置換スチレンなど
の芳香族ビニル単量体、シアン化ビニル単量体、（メ
タ）アクリル酸エステル単量体、マレイミド単量体から
選択される１種以上の単量体を重合して得られるビニル
系樹脂のことである。特に、芳香族ビニル単量体を５０
質量％以上含むビニル系重合体は、相溶化効果が良好な
ために好ましい。

【００５８】また、グラフト共重合体（Ｃ）において、
ビニル系樹脂セグメント（ｂ）のＮ−置換マレイミド単
位からなる重合体セグメントとして、Ｎ−シクロヘキシ
ルマレイミド、又はＮ−フェニルマレイミド重合体から
選択された少なくとも１つを含むグラフト共重合体であ
るものが好ましい。このグラフト共重合体（Ｃ）は、耐
熱性が高いので好ましい。

【００５９】さらにグラフト共重合体（Ｃ）において、
ビニル系樹脂セグメント（ｂ）のα，β−不飽和酸のグ
リシジルエステル単位からなる重合体セグメントとして
は、メタクリル酸のグリシジルエステルの重合体を含む
グラフト共重合体が好ましい。このグラフト共重合体
（Ｃ）は、グリシジル基を有することで更に相溶性を高
めることができる為好ましい。

【００６０】グラフト共重合体（Ｃ）中のビニル系樹脂
セグメント（ｂ）の数平均重合度は好ましくは１０〜５
０００、さらに好ましくは１００〜２０００である。数
平均重合度が１０未満であると、熱可塑性樹脂組成物を
成形して得られた成形品の耐衝撃性を向上させることは
可能であるが、耐熱性が低下するため好ましくない。ま
た、数平均重合度が５０００を超えると、溶融粘度が高
くなり、成形性が低下したり、表面光沢が低下したりす
るために好ましくない。

【００６１】またグラフト共重合体（Ｃ）において、ポ
リカーボネート系樹脂セグメント（ａ）とビニル系樹脂
セグメント（ｂ）の比率は、ポリカーボネート系樹脂セ
グメントが好ましくは５〜９５質量％、さらに好ましく
は３０〜９０質量％、最も好ましくは５０〜８０質量
％、従って、ビニル系樹脂は好ましくは９５〜５質量
％、さらに好ましくは７０〜１０質量％、最も好ましく
は５０〜２０質量％である。ポリカーボネート系樹脂セ
グメントが５質量％未満あるいは９５質量％を超える
と、グラフト共重合体（Ｃ）の相溶化能力が低下するた
め、耐衝撃性などの機械的物性や耐熱性が低下するとと
もに、外観が悪化して好ましくない。

【００６２】そしてグラフト共重合体（Ｃ）の配合量
は、ポリカーボネート系樹脂（Ａ）とＡＢＳ系樹脂
（Ｂ）との合計量１００質量部に対して０．５〜１０質
量部が好ましく、さらに好ましくは１〜１０質量部の範
囲である。グラフト共重合体（Ｃ）の配合量が０．５質
量部未満であると、ポリカーボネート系樹脂（Ａ）とＡ
ＢＳ系樹脂（Ｂ）の相溶性が改善されにくく、層状剥離
を起こしたり、充分な衝撃強度が得られ難くなる。ま
た、グラフト共重合体（Ｃ）の配合量が１００質量部を
超えると、機械的物性や耐熱性が低下するおそれがあ
り、好ましくない。従って、グラフト共重合体（Ｃ）の
配合量を０．５〜１０質量部の範囲に設定することによ
り、ポリカーボネート系樹脂（Ａ）とＡＢＳ系樹脂
（Ｂ）の相溶性を改善して、熱可塑性樹脂組成物を成形
して得られる成形品の機械的物性や耐熱性、さらには成
形加工性や外観を効果的に改善することができるもので
ある。

【００６３】上記のグラフト共重合体（Ｃ）を調製する
際のグラフト化法は、一般によく知られている連鎖移動
法、電離性放射線照射法等いずれの方法によってもよい
が、最も好ましいのは、下記に示す方法によるものであ
る。以下の方法によれば、グラフト効率が高く、熱によ
る二次的凝集が起こらないため、性能の発現がより効果
的であり、また製造方法が簡便であるからである。

【００６４】すなわち、まず、ポリカーボネート系樹脂
粒子１００質量部を水に懸濁せしめる。この懸濁液に、
別に調製した次の溶液を加える。この溶液はビニル単量
体の１種又は２種以上の混合物５〜９９質量部に、下記
一般式「化３」又は「化４」で表されるラジカル重合性
有機過酸化物の１種又は２種以上の混合物を該ビニル単
量体１００質量部に対して０．１〜１０質量部と、１０
時間の半減期を得るための分解温度が４０〜９０℃であ
るラジカル重合開始剤をビニル単量体とラジカル重合性
有機過酸化物との合計１００質量部に対して０．０１〜
５質量部とを溶解せしめたものである。

【００６５】そして、ラジカル重合開始剤の分解が実質
的に起こらない条件で加熱し、ビニル単量体、ラジカル
重合性有機過酸化物及びラジカル重合開始剤をポリカー
ボネート系樹脂粒子中に含浸せしめる。次いで、この水
性懸濁液の温度を上昇せしめ、ビニル単量体とラジカル
重合性有機過酸化物とをポリカーボネート系樹脂粒子中
で共重合せしめて、グラフト化前駆体を得る。このグラ
フト化前駆体を直接ポリカーボネート樹脂（Ａ）とＡＢ
Ｓ系樹脂（Ｂ）と共に溶融混合してもよい。

【００６６】また、グラフト化前駆体を１５０〜３５０
℃の溶融下、混練することにより、グラフト共重合体
（Ｃ）を得ることもできる。このとき、グラフト化前駆
体に、別にポリカーボネート系樹脂、ビニル系重合体又
はＡＢＳ系樹脂を混合し、溶融下に混練してもグラフト
共重合体（Ｃ）を得ることができる。最も好ましいのは
グラフト化前駆体を混練し得られたグラフト共重合体
（Ｃ）である。

【００６７】ここで、一般式「化３」で表されるラジカ
ル重合性有機過酸化物を次に示す。

【００６８】

【化３】

【００６９】（式中、Ｒ₁は水素原子又は炭素数１〜２
のアルキル基、Ｒ₂は水素原子又はメチル基、Ｒ₃及びＲ
₄はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₅は炭素数１
〜１２のアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニ
ル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を示す。ｍ
は１又は２である。） また、一般式「化４」で表されるラジカル重合性有機過
酸化物を次に示す。

【００７０】

【化４】

【００７１】（式中、Ｒ₆は水素原子又は炭素数１〜４
のアルキル基、Ｒ₇は水素原子又はメチル基、Ｒ₈及びＲ
₉はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₁₀は炭素数
１〜１２のアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェ
ニル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を示す。
ｎは０、１又は２である。） 上記の一般式「化３」で表されるラジカル重合性有機過
酸化物として、具体的には、ｔ−ブチルペルオキシアク
リロイロキシエチルカーボネート；ｔ−アミルペルオキ
シアクリロイロキシエチルカーボネート；ｔ−ヘキシル
ペルオキシアクリロイロキシエチルカーボネート；１，
１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシアクリロイ
ロキシエチルカーボネート；クミルペルオキシアクリロ
イロキシエチルカーボネート；ｐ−イソプロピルクミル
ペルオキシアクリロイロキシエチルカーボネート；ｔ−
ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネー
ト；ｔ−アミルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ
ーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキシメタクリロイロキ
シエチルカーボネート；１，１，３，３−テトラメチル
ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネー
ト；クミルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボ
ネート；ｐ−イソプロピルクミルペルオキシメタクリロ
イロキシエチルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシメ
タクリロイロキシエチルカーボネート；ｔ−アミルペル
オキシアクリロイロキシエトキシエチルカーボネート；
ｔ−ヘキシルペルオキシアクリロイロキシエトキシエチ
ルカーボネート；１，１，３，３−テトラメチルブチル
ペルオキシアクリロイロキシエトキシエチルカーボネー
ト；クミルペルオキシアクリロイロキシエトキシエチル
カーボネート；ｐ−イソプロピルクミルペルオキシアク
リロイロキシエトキシエチルカーボネート；ｔ―ブチル
ペルオキシメタクリロイロキシエトキシエチルカーボネ
ート；ｔ−アミルペルオキシメタクリロイロキシエトキ
シエチルカーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキシメタク
リロイロキシエトキシエチルカーボネート；１，１，
３，３−テトラメチルブチルペルオキシメタクリロイロ
キシエトキシエチルカーボネート；クミルペルオキシメ
タクリロイロキシエトキシエチルカーボネート；ｐ−イ
ソプロピルクミルペルオキシメタクリロイロキシエトキ
シエチルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシアクリロ
イロキシイソプロピルカーボネート；ｔ−アミルペルオ
キシアクリロイロキシイソプロピルカーボネート；ｔ−
ヘキシルペルオキシアクリロイロキシイソプロピルカー
ボネート；１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオ
キシアクリロイロキシイソプロピルカーボネート；クミ
ルペルオキシアクリロイロキシイソプロピルカーボネー
ト；ｐ−イソプロピルクミルペルオキシアクリロイロキ
シイソプロピルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシメ
タクリロイロキシイソプロピルカーボネート；ｔ−アミ
ルペルオキシメタクリロイロキシイソプロピルカーボネ
ート；ｔ−ヘキシルペルオキシメタクリロイロキシイソ
プロピルカーボネート；１，１，３，３−テトラメチル
ブチルペルオキシメタクリロイロキシイソプロピルカー
ボネート；クミルペルオキシメタクリロイロキシイソプ
ロピルカーボネート；ｐ−イソプロピルクミルペルオキ
シメタクリロイロキシイソプロピルカーボネート等が例
示される。

【００７２】また上記の一般式「化４」で表されるラジ
カル重合性有機過酸化物としては、ｔ−ブチルペルオキ
シアリルカーボネート；ｔ−アミルペルオキシアリルカ
ーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキシアリルカーボネー
ト；１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシア
リルカーボネート；ｐ−メンタンペルオキシアリルカー
ボネート；クミルペルオキシアリルカーボネート；ｔ−
ブチルペルオキシメタリルカーボネート；ｔ−アミルペ
ルオキシメタリルカーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキ
シメタリルカーボネート；１，１，３，３−テトラメチ
ルブチルペルオキシメタリルカーボネート；ｐ−メンタ
ンペルオキシメタリルカーボネート；クミルペルオキシ
メタリルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシアリロキ
シエチルカーボネート；ｔ−アミルペルオキシアリロキ
シエチルカーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキシアリロ
キシエチルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシメタリ
ロキシエチルカーボネート；ｔ−アミルペルキシメタリ
ロキシエチルカーボネート；ｔ―ヘキシルペルオキシメ
タリロキシエチルカーボネート；ｔ−ブチルペルオキシ
アリロキシイソプロピルカーボネート；ｔ−アミルペル
オキシアリロキシイソプロピルカーボネート；ｔ−ヘキ
シルペルオキシアリロキシイソプロピルカーボネート；
ｔ−ブチルペルオキシメタリロキシイソプロピルカーボ
ネート；ｔ−アミルペルオキシメタリロキシイソプロピ
ルカーボネート；ｔ−ヘキシルペルオキシメタリロキシ
イソプロピルカーボネート等が例示される。

【００７３】中でも好ましい化合物は、ｔ−ブチルペル
オキシアクリロイロキシエチルカーボネート；ｔ−ブチ
ルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネート；
ｔ−ブチルペルオキシアリルカーボネート；ｔ−ブチル
ペルオキシメタリルカーボネートである。

【００７４】また、グラフト共重合体（Ｃ）としては、
熱重量分析において、昇温１０℃／分、温度３３０℃で
の質量減少が、５質量％以下であるものが望ましい。こ
れは、質量減少が５質量％を超えるものであると、材料
溶融混練時や成形時に揮発分により成形性が悪化するお
それがあるためである。質量減少は小さい程好ましく、
理想的には０質量％であるが、実用上の下限は０．１質
量％である。このようなグラフト共重合体（Ｃ）として
は、日本油脂（株）製の「モディパー」として市販され
ているものを使用することができる。

【００７５】次に、本発明で（Ｄ）成分として用いる結
晶性樹脂は、融点１５０℃以上のものが使用される。耐
熱性を高く得る点で融点が１５０℃以上であることが好
ましいのである。結晶性樹脂（Ｄ）はポリカーボネート
樹脂（Ａ）とＡＢＳ系樹脂（Ｂ）と併用して使用される
ため、融点が高すぎると成形温度が高くなって樹脂の分
解が生じるので、結晶性樹脂（Ｄ）は３５０℃以下であ
ることが好ましい。

【００７６】この結晶性樹脂（Ｄ）として具体的には、
ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、シンジオタクチック構造を有す
るポリスチレン共重合体等などを用いることができ、こ
れらを１種単独で用いる他、複数種を併用することもで
きる。特に好ましいのは、溶融させたものを液体窒素中
に急冷したサンプルを、ＤＳＣ（Differential Scannin
g Calorimeter;差動走査熱量計）を用いて１０℃/分の
昇温速度３０℃〜３００℃の範囲で測定した際に、結晶
化開始温度が１００℃以上で観察されるものである。こ
のように１００℃以上で結晶化温度が観察されるもの
は、実際の成形時において、金型中での溶融状態が長く
なり射出圧縮成形方法において外観良好な成形品を得る
ことができるものである。結晶性樹脂（Ｄ）として最も
好ましいのは、結晶化の遅いポリエチレンテレフタレー
トである。これらは市販品を使用することができる。

【００７７】結晶性樹脂（Ｄ）の配合量は、ポリカーボ
ネート樹脂（Ａ）とＡＢＳ系樹脂（Ｂ）の合計量１００
質量部に対して、０．５〜１０質量部の範囲が好まし
い。結晶性樹脂（Ｄ）の配合量が０．５質量部未満で
は、成形性の向上の効果を十分に得ることができず、逆
に１０質量部を超える場合は、成形品の外観が悪化する
傾向がある。

【００７８】次に、本発明で（Ｅ）成分として用いる着
色剤としては、熱重量分析における昇温１０℃／分の条
件で、温度３２０℃まで加熱したときの重量減少が３質
量％以下であることが必須である。この重量減少が３質
量％を超える着色剤を用いると、メモリーカード成形品
の外観を悪化させるおそれがあり、またメモリーカード
成形品の強度を低下させてしまうおそれがある。着色剤
の重量減少は小さい程好ましく、理想的には０質量％で
あるが、実用上の下限は０．０５質量％である。

【００７９】本発明において着色剤（Ｅ）としては、熱
重量分析において昇温１０℃／分、温度３２０℃におけ
る重量減少が３質量％以下である条件を満たせば、公知
の各種の顔料又は染料を使用することができるものであ
り、例えば、赤口黄鉛等の橙色顔料、弁柄等の赤色染顔
料、コバルトバイオレット等の紫色染顔料、コバルトブ
ルー等の青色染顔料、フタロシアニングリーン等の緑色
染顔料等を使用することができる。更に、最新顔料便覧
（日本顔料技術協会編、昭和５２年発行）を参考にして
適宜選択して使用することができるものである。

【００８０】この着色剤（Ｅ）の配合量は、（Ａ）〜
（Ｇ）の各成分の合計量中で２質量％以下であることが
好ましい。特に好ましいのは、（Ａ）〜（Ｇ）の各成分
の合計量中で１質量％以下である。着色剤（Ｅ）成分の
配合量が２質量％を超える場合は、メモリーカード成形
品の外観を悪化させるおそれがあり、またメモリーカー
ド成形品の強度を低下させてしまうおそれがある。着色
剤の配合量の下限は特に設定されないが、少な過ぎると
メモリーカード成形品を着色する目的が達成されないの
で、０．１質量％以上配合するのが好ましい。

【００８１】次に、本発明で（Ｆ）成分として用いる、
ジエン系ゴム状重合体からなる内核とビニル系共重合体
からなる最外殻を有する多層構造重合体は、例えば、先
の段階の重合体を後の段階の重合体が順次被覆するよう
な連続した多段階シード重合によって製造されるコア／
シェル構造の重合体であり、基本的な重合体構造は、ガ
ラス転移温度の低いジエン系ゴム状重合体からなるコア
と樹脂組成物におけるマトリックスとの接着性を改善す
るビニル系共重合体からなる最外殻のシェルを有する多
層構造重合体である。

【００８２】ここで、内核を形成するジエン系ゴム状重
合体におけるゴム成分としては、ポリブタジエン、スチ
レン−ブタジエン共重合体、ポリイソプレン、ブタジエ
ン−イソプレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合
体等を挙げることができるものであり、これらのなかで
もポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重合体がよ
り好ましい。

【００８３】また最外殻を形成するビニル系共重合体と
しては、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、ｍ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレ
ン、エチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン等
の核アルキル置換スチレン、α−メチルスチレン、α−
メチル−ｐ−メチルスチレン等のα位アルキル置換スチ
レン、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート等
のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル等の不飽和ニトリル化合物、無水マレイン酸
等の酸無水物等の単独重合体および共重合体を挙げるこ
とができるものであり、これらのなかでもアルキル（メ
タ）アクリレート系重合体がより好ましい。

【００８４】ジエン系ゴム状重合体からなる内核とビニ
ル系共重合体からなる最外殻を有する多層構造重合体
（Ｆ）の配合量は、ポリカーボネート樹脂（Ａ）１００
質量部に対し、０．５〜３０質量部の範囲が好ましく、
より好ましくは０．５〜１０質量部であり、さらに好ま
しくは１〜５質量部である。配合量が１質量部未満、特
に０．５質量部未満であると、メモリーカード成形品の
衝撃強度が低下し易くなり、逆に１０質量部を超える
と、特に３０重量部を超えるとメモリーカード成形品の
耐熱性が低下し易くなる。

【００８５】次に、本発明で（Ｇ）成分として用いる結
晶核剤としては、タルク、マイカ、カオリン、ガラスビ
ーズ、珪藻土、シリカ、炭酸カルシウム、フレーク、Ｌ
／Ｄ（Ｌは平均長さ、Ｄは平均直径）＜５０の無機繊
維、ウイスカー状無機充填材などを挙げることができ、
これらは１種単独で用いる他、複数種を併用することも
できる。結晶核剤（Ｅ）は粒径が５０μｍ以下のものが
好ましい。これらの無機粉末である結晶核剤（Ｅ）は市
販のカップリング剤で処理をしておいてもよい。

【００８６】上記のタルクとしては、焼成タルクや酸処
理タルクが好ましい。また無機繊維として、ガラスファ
イバー、ミルドファイバーなどを挙げることができるも
のであり、これらは市販品を使用できる。さらにウイス
カー状無機充填材としては、例えば四国化成工業（株）
製の「アルボレックス」、松下アムテック（株）製の
「パナテトラ」などを挙げることができる。このウイス
カー状無機充填材の中では、酸化亜鉛ウイスカーが特に
好ましい。この酸化亜鉛ウイスカーの中でも、３次元構
造を有するものが好ましい。３次元構造とは、核部とこ
の核部から異なる複数軸方向に伸びた針状結晶部とから
なるものをいい、前記針状結晶部の基部の径が、０．３
〜１４μｍであり、基部から先端までの長さが３〜２０
０μｍであるものが好ましく用いられる。これらは、ｐ
Ｈが中性付近の為、ポリカーボネート樹脂の分子量低下
等を引き起こし難いので適している。

【００８７】結晶核剤（Ｇ）の配合量は、結晶性樹脂
（Ｄ）１００質量部に対して、０．０５〜１０質量部の
範囲が好ましい。結晶核剤（Ｇ）の配合量が０．０５質
量部満では、結晶核剤（Ｇ）の添加によって得られる、
成形時にメモリーカード成形品の外観に変形が生じるこ
とを防止する効果を十分に得ることができず、逆に１０
質量部を超える場合は、成形時の外観が低下する傾向が
ある。

【００８８】本発明の熱可塑性樹脂組成物には、必要に
応じて、本発明の目的を損なわない限り、他の合成樹
脂、エラストマー、酸化防止剤、結晶化促進剤、カップ
リング剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等を配合すること
ができる。合成樹脂やエラストマーとしては、例えば、
ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオキシメ
チレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリ塩化ビニリ
デン樹脂、ポリフッ化ビニリデン樹脂、ポリアミド樹脂
（ナイロン６樹脂、ナイロン６６樹脂、ナイロン６１０
樹脂 、共重合ナイロン樹脂）、ポリアリレート樹脂、
ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポ
リフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケト
ン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、AS樹脂、石油
樹脂、石炭樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルニトリ
ル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等
の合成樹脂やポリオレフィンゴム、オレフィン系共重合
体、水素添加ゴム等のエラストマーを挙げることができ
る。これらは、２種類以上を混合して使用することがで
きる。

【００８９】また酸化防止剤としては、リン系酸化防止
剤、フェノール系酸化防止剤等があげられる。また、こ
れらは、単独で使用しても良いし、２種類以上を混合し
て使用することができる。

【００９０】またカップリング剤としては、シラン系化
合物、チタネート系化合物、アルミニウム系化合物等が
あげられ、特にシラン系化合物が好ましい。シラン系と
しては、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン等のアミノシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、ｐ−スチ
リルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビ
ニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシラ
ン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメ
ルカプトシラン、イミダゾールシラン、更に、エポキシ
系、アミノ系、ビニル系の高分子タイプのシラン等があ
る。また、これらは、単独で使用しても良いし、２種類
以上を混合して使用することができる。

【００９１】本発明に係る熱可塑性樹脂組成物を製造す
るにあたっては、上記の各成分をヘンシェルミキサー等
の混合機で混合・混練し、これをペレタイズすることに
よって行なうことができるが、予め必要成分の一部をマ
スターバッチ化して混合・混練した後、他の成分を加え
てエクストルーダ等の混練機で再度混練し、これをペレ
タイズすることによっても行なうことができる。後者の
方法では、まず結晶性樹脂（Ｄ）と結晶核剤（Ｇ）の成
分を混練し、この後、この混練物をポリカーボネート樹
脂（Ａ）、ＡＢＳ樹脂（Ｂ）、グラフト共重合体
（Ｃ）、着色剤（Ｅ）など他の成分と共に二度めの混練
をするようにするのが好ましい。結晶性樹脂（Ｄ）と結
晶核剤（Ｇ）を先に混合しておくことによって、結晶性
樹脂（Ｄ）と結晶核剤（Ｇ）の分散性を向上させること
ができるものである。

【００９２】このようにして得られる熱可塑性樹脂組成
物の成形の際の流動性は、スパイラルフロー試験によっ
て評価することができるが、スパイラルフロー金型（金
型内のスパイラル流路の断面の厚み０．８ｍｍ、幅６．
０ｍｍ）に、シリンダー温度３００℃、射出圧力９８．
１ＭＰａ（１０００ｋｇ／ｃｍ²）、金型温度８５℃の
条件で射出成形したときに、成形されるスパイラル長さ
が８０ｍｍ以上であることが好ましい。スパイラル長さ
が８０ｍｍ未満であると、流動性が不十分であって良好
な成形性を得ることができない。しかし、スパイラル長
さが５００ｍｍ以上である場合には、得られた成形品は
機械的強度が低下して実用上使用できなくなるおそれが
あるので、これが上限である。

【００９３】そして上記のようにして調製した熱可塑性
樹脂組成物を用い、既述の図１の方法で射出圧縮成形を
行なうことによって、薄肉部を有するメモリーカード成
形品を作製することができるものである。

【００９４】また、上記の熱可塑性樹脂組成物からなる
メモリーカード成形品に対し、薄肉部などその所望位置
に前述した特定の選択されたレーザー光を照射するだけ
で、容易に下地の色とコントラストが高く凹凸のほとん
どないマーキングを得ることがきるものである。ここ
で、所望の形状のマーキングを行うためには、例えば、
図３に示すような、レーザー光を適当な大きさのスポッ
トにしてメモリーカード成形品の表面を走査させる方法
の他に、レーザー光をマスクに通すことによって所望の
パターン形状のレーザー光とし、これをメモリーカード
成形品の表面に照射する方法等を採用することができ
る。

【００９５】

【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。

【００９６】（実施例１〜４５、比較例１〜６）ポリカ
ーボネート樹脂、ＡＢＳ系樹脂、グラフト共重合体、結
晶性樹脂、着色剤、多層構造重合体、結晶核剤として、
下記のものを用い、表１〜表６に示す配合量で、まず結
晶性樹脂と結晶核剤とを混練した後、さらにこれに他の
成分を配合して溶融混練し、熱可塑性樹脂組成物を得
た。 ○ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂） ・樹脂Ａ：ポリカーボネート樹脂（住友ダウ（株）製
「カリバー（品番３０１−１５）」、ＭＦＲ：１５ｇ／
分（２８０℃／２．１ｋｇ）、−３０℃アイゾット衝撃
強度７５０Ｊ/ｍ）） ・樹脂Ｂ：ポリカーボネート樹脂（住友ダウ（株）製
「カリバー（品番３０１−３０）」、ＭＦＲ：３０ｇ／
分（２８０℃／２．１ｋｇ）、−３０℃アイゾット衝撃
強度１７０Ｊ/ｍ）） ・樹脂Ｃ：ポリカーボネート樹脂（三菱エンジニアリン
グプラスチック（株）製「ユーピロン（品番Ｈ４００
０）」、ＭＦＲ：７０ｇ／分（２８０℃／２．１ｋ
ｇ））、−２３℃アイゾット衝撃強度１１０Ｊ/ｍ） ・樹脂Ｄ：ポリカーボネート樹脂（住友ダウ（株）製
「カリバー（品番４０１−３０）」、ＭＦＲ：３０ｇ／
分（２８０℃／２．１ｋｇ）、−３０℃アイゾット衝撃
強度２９４Ｊ/ｍ） ○ＡＢＳ系樹脂 ・樹脂Ａ：日本エイアンドエル（株）製「クララステッ
ク（品番ＧＡ５０１）」（２３℃アイゾット衝撃強度２
９４Ｊ／ｍ） ・樹脂Ｂ：日本エイアンドエル（株）製「クララステッ
ク（品番ＧＡ７０４）」（２３℃アイゾット衝撃強度２
４５Ｊ／ｍ） ・樹脂Ｃ：日本エイアンドエル（株）製「サンタック
（品番ＡＴ０８）」（２３℃アイゾット衝撃強度１３７
Ｊ／ｍ） ○結晶性樹脂 ・樹脂Ａ：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（ク
ラレ（株）製「クラペット（品番ＫＬ２３６Ｒ）」、融
点２６０℃、結晶化温度１３９℃） ・樹脂Ｂ：ポリアセタール（ＰＯＭ）（三菱エンジニア
リングプラスチック（株）製「ユピタール（品番Ｆ４
０）」、融点１６５℃） ・樹脂Ｃ：シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）
（出光石油化学（株）製「ザレック（品番Ｓ１０
０）」、融点２７０℃、結晶化温度１５０℃） ・樹脂Ｄ：ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）（三
菱レイヨン（株）製「タフペット（品番Ｎ１３０
０）」、融点２３０℃） ○着色剤 ・着色剤Ａ：青色着色剤（山陽化工（株）製「（品番Ｃ
Ｙ−Ｓ２７７２Ｈ）」、重量減少２．４０質量％） ・着色剤Ｂ：青色着色剤（山陽化工（株）製「（品番Ｃ
Ｙ−Ｓ２７９０Ｈ）」、重量減少２．４９質量％） ○多層構造重合体 ・多層構造重合体Ａ：メタクリル酸アルキル/ブタジエ
ン/スチレン共重合体（三菱レイヨン（株）製「メタブ
レン Ｃ２２３Ａ」） ○結晶核剤 ・核剤Ａ：タルク（林化成（株）製「ミクロンホワイト
（品番５０００Ｒ）」、平均粒径２．８μｍ） ・核剤Ｂ：焼成タルク（富士タルク（株）製「品番ＳＴ
１００」、平均粒径６μｍ、ｐＨ８．６） ・核剤Ｃ：酸性処理タルク（日本タルク（株）製「品番
ＲＯＳＥ ＴＡＬＣ」、平均粒径１５μｍ、ｐＨ７．
５） ・核剤Ｄ：カオリン（富士タルク（株）製「品番特月中
和」、平均粒径３μｍ、ｐＨ８．４） ・核剤Ｅ：マイカ（林化成（株）製「品番＃８００
０）」、平均粒径５μｍ） ・核剤Ｆ：酸化亜鉛ウイスカ（松下アムテック（株）製
「パナテトラ（品番ＷＺ０５０１）」、針状短繊維長２
〜５０μｍ、針状短繊維径０．２〜３μｍ） ・核剤Ｇ：ウイスカ（四国化成工業（株）製「アルボレ
ックス（品番Ｍ２０）」、平均繊維長２０μｍ、平均繊
維径０．７５μｍ） ○グラフト共重合体 ・共重合体Ａ：ポリカーボネート−ポリスチレングラフ
ト共重合体（日本油脂（株）製流動性改善グレード「モ
ディパ（品番Ｃ Ｌ１５０Ｄ）」、ＰＣ／ＰＳ＝５０／
５０、重量減少１．２質量％） ・共重合体Ｂ：ポリカーボネート−アクリロニトリルス
チレングラフト共重合体（日本油脂（株）製「モディパ
（品番Ｃ Ｌ４３０Ｄ）」、ＰＣ／ＡＳ＝７０／３０
（質量比、以下同じ）、重量減少１．５質量％、ＭＦＲ
３ｇ／分） ・共重合体Ｃ：ポリカーボネート−アクリロニトリルス
チレングラフト共重合体（日本油脂（株）製「モディパ
（品番Ｃ Ｈ４３０Ｄ）」、ＰＣ／ＡＳ＝７０／３０、
重量減少１．２質量％、ＭＦＲ５ｇ／分） ・共重合体Ｄ：ポリカーボネート−アクリロニトリルス
チレン−フェニルマレイミドグラフト共重合体（日本油
脂（株）製「モディパ試作品」、ＰＣ／ＡＳ／ＰＭＩ＝
７０／２５／５、重量減少１．０質量％、ＭＦＲ５ｇ／
分） ・共重合体Ｅ：ポリカーボネート−アクリロニトリルス
チレン−シクロヘキシルマレイミドグラフト共重合体
（日本油脂（株）製「モディパ試作品」、ＰＣ／ＡＳ／
ＣＨＭＩ＝７０／２５／５、重量減少１．０質量％） ・共重合体Ｇ：ポリカーボネート−アクリロニトリルス
チレン−グリシジルメタクリレートグラフト共重合体
（日本油脂（株）製「モディパ試作品）」、ＰＣ／ＡＳ
／ＧＭＡ＝７０／２５／５、重量減少１．１質量％） そして上記のようにして得た熱可塑性樹脂組成物を成形
材料として用い、図１のようにして射出圧縮成形するこ
とによって、図２のような成形品を作製した。

【００９７】（評価） （１）薄肉成形性 図２に示す、寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み０．１５
ｍｍ、外周部分の厚みが２ｍｍの薄肉成形品を１０個射
出圧縮成形し、外観を観察して変形の認められる成形品
の個数をカウントすることによって、薄肉の成形性を評
価した。結果を表１〜表６に示す。

【００９８】（２）流動性 スパイラルフロー金型（金型内の流路断面の厚み０．８
ｍｍ、幅６．０ｍｍ）に、シリンダー温度３００℃、射
出圧力９８．１ＭＰａ（１０００ｋｇ／ｃｍ²）、金型
温度８５℃の条件で射出成形を行ない、成形されたスパ
イラル長さを測定し、流動性の指標として評価した。結
果を表１〜表６に示す。

【００９９】（３）熱変形温度 ＡＳＴＭ Ｄ６４８に従って、１．８２ＭＰａの条件で
評価した。結果を表１〜表６に示す。

【０１００】（４）ノッチ付きアイゾット衝撃強度 ＡＳＴＭ Ｄ２５６に従って、１３ｍｍ×６５ｍｍ×
３．２ｍｍのアイゾット衝撃試験片（ノッチ付き）を成
形し、これを２３℃で評価した。結果を表１〜表６に示
す。

【０１０１】（５）レーザーマーキング性 薄肉成形性評価で用いた試験片の薄肉部に、ＬＤ励起レ
ーザーマーカー（ロフィン丸紅レーザー（株）製「ＲＳ
Ｍ１０６Ｄ−ＳＨＧ」、印字範囲１５×１５ｍｍ）によ
って、波長５３２ｎｍの第２次高調波Ｎｄ；ＹＡＧレー
ザー（可視光）を照射し、あるいはＬＤ励起レーザーマ
ーカー（ロフィン丸紅レーザー（株）製「ＲＳＭ１０６
Ｄ」、印字範囲１５×１５ｍｍ）によって、波長１０６
４ｎｍの第１次高調波Ｎｄ；ＹＡＧレーザー（可視光）
を照射してマーキングを行なった。照射したレーザーの
種類、レーザー照射時のスキャン速度（Scan）、レーザ
ーパワー（Power）、Ｑスイッチ発振周波数（Freq）、
ライン間隔（Line）の各条件を表１〜表６に示す。

【０１０２】マーキングの評価は、マーキング個所の凹
凸の有無、白色マーキング性によって行なった。ここ
で、マーキング箇所の凹凸の有無は、目視観察で判定
し、（凹凸有りのサンプル数）／（全サンプル数）とし
て評価した。また白色マーキング性は、目視で判定し、
鮮明に白い場合は「○」、白い場合は「△」、灰色又は
こげ茶色の場合は「×」と評価した。結果を表１〜表６
に示す。

【０１０３】

【表１】

【０１０４】

【表２】

【０１０５】

【表３】

【０１０６】

【表４】

【０１０７】

【表５】

【０１０８】

【表６】

【０１０９】表１〜表６にみられるように、各実施例の
熱可塑性樹脂組成物は、流動性が良好であって、薄肉成
形性が良く、また熱変形温度が高く、耐熱性に優れると
共に耐衝撃強度も高いものであった。

【０１１０】また各実施例のものは、マーキング部の凹
凸が殆どなくコントラストの高い白色系の発色マーキン
グが達成されているものであった。

【０１１１】

【発明の効果】上記のように本発明に係るメモリーカー
ド成形品のレーザーマーキング方法は、熱可塑性樹脂組
成物を成形して得られる下地が有彩色のメモリーカード
成形品にレーザーを照射して白色発色のレーザーマーキ
ング加工を施すにあたって、ＹＡＧレーザーの第２次高
調波を照射してレーザーマーキングを行なうようにした
ので、薄肉部を有するメモリーカード成形品の有彩色の
下地に白色のマーキングを、凹凸を生じさせることなく
コントラスト高く形成することができるものである。

【０１１２】また本発明に係るメモリーカード成形品用
熱可塑性樹脂組成物は、（Ａ）ポリカーボネート樹脂、
（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂を主成分とし、さらに（Ｃ）ポリカ
ーボネート系樹脂セグメント（ａ）に対して、ビニル系
樹脂セグメント（ｂ）が、分岐、または架橋構造的に化
学結合したグラフト共重合体、（Ｄ）結晶性樹脂、
（Ｅ）熱重量分析における昇温１０℃／分、温度３２０
℃における重量減少が３質量％以下である着色剤、及び
（Ｆ）ジエン系ゴム状重合体からなる内核とビニル系共
重合体からなる最外殻を有する多層構造重合体、（Ｇ）
結晶核剤を配合したものであるから、流動性が良好であ
って、薄肉部を成形性良く成形してメモリーカード成形
品を得ることができるものであり、また熱変形温度が高
くて耐熱性に優れると共に耐衝撃強度も高いメモリーカ
ード成形品を得ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】射出圧縮成形工法を工程順に示す説明図であ
り、（Ａ）は概略平面図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図２】実施例及び比較例で成形した薄肉成形品の形状
及び寸法を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。

【図３】レーザーマーキングを示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ拡大図である。

【符号の説明】

１ 成形金型 ２ キャビティ ３ コア ４ ゲート ５ 成形材料

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 55/02 Ｃ０８Ｌ 55/02 69/00 69/00 101/00 101/00 Ｇ０６Ｋ 19/077 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｋ (72)発明者 大津 正明 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AB01 CA01 CA02 CA04 CA08 CD06 CE03 DA09 4J002 AA004 BC034 BN145 BN15X BN173 CB004 CF064 CF074 CG00W DE107 DJ027 DJ037 DJ047 DJ057 DK007 DL007 FA017 FA037 FA087 FD096 FD207 GS00 4J026 AB17 AC10 AC15 BA05 BA27 BA29 BA31 BA38 DB05 DB15 DB29 DB32 DB40 GA01 GA09 5B035 AA00 BB04 BC00

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂組成物を成形して得られる
   下地が有彩色のメモリーカード成形品にレーザーを照射
   して白色発色のレーザーマーキング加工を施すにあたっ
   て、ＹＡＧレーザーの第２次高調波を照射してレーザー
   マーキングを行なうことを特徴とするメモリーカード成
   形品のレーザーマーキング方法。
2. 【請求項２】 レーザー光の照射でドットを形成すると
   共にレーザー光のスキャンでこのドットを連ねることに
   よってレーザーマーキングを行なうにあたって、スキャ
   ン速度を１００〜６００ｍｍ／ｓｅｃ、レーザーパワー
   としてのＹＡＧレーザーの発光強度を２０〜３０Ａ、Ｑ
   スイッチ発振周波数を４〜１２ｋＨｚ、ドットを結ぶラ
   インの間隔を０．０５〜０．１０ｍｍに設定して、レー
   ザーマーキングを行なうことを特徴とする請求項１に記
   載のメモリーカード成形品のレーザーマーキング方法。
3. 【請求項３】 メモリーカード成形品はレーザーマーキ
   ングを施す薄肉部の厚みが０．１〜１．０ｍｍであるこ
   とを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリーカード
   成形品のレーザーマーキング方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のレー
   ザーマーキング方法でマーキングが形成されて成ること
   を特徴とするメモリーカード成形品。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の熱可
   塑性樹脂組成物であって、（Ａ）ポリカーボネート樹
   脂、（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂を含有して成ることを特徴とす
   るメモリーカード用熱可塑性樹脂組成物。
6. 【請求項６】 （Ｃ）ポリカーボネート系樹脂セグメン
   ト（ａ）に対して、ビニル系樹脂セグメント（ｂ）が、
   分岐、または架橋構造的に化学結合したグラフト共重合
   体を含有して成ることを特徴とする請求項５に記載のメ
   モリーカード用熱可塑性樹脂組成物。
7. 【請求項７】 （Ｄ）結晶性樹脂を含有して成ることを
   特徴とする請求項５又は６に記載のメモリーカード用熱
   可塑性樹脂組成物。
8. 【請求項８】 （Ｅ）熱重量分析における昇温１０℃／
   分、温度３２０℃における重量減少が３質量％以下であ
   る着色剤を含有して成ることを特徴とする請求項５乃至
   ７のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組
   成物。
9. 【請求項９】 （Ｆ）ジエン系ゴム状重合体からなる内
   核とビニル系共重合体からなる最外殻を有する多層構造
   重合体を含有して成ることを特徴とする請求項５乃至８
   のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成
   物。
10. 【請求項１０】 （Ｇ）結晶核剤を含有して成ることを
    特徴とする請求項５乃至９のいずれかに記載のメモリー
    カード用熱可塑性樹脂組成物。
11. 【請求項１１】 （Ａ）ポリカーボネート樹脂が、測定
    温度２８０℃、荷重２．１ｋｇでのＭＦＲ値が１０ｇ／
    分以上のものであることを特徴とする請求項５乃至１０
    のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成
    物。
12. 【請求項１２】 （Ａ）ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）
    ＡＢＳ系樹脂の合計量中、（Ａ）ポリカーボネート樹脂
    を３０〜９０質量％、（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂を７０〜１０
    質量％含有して成ることを特徴とする請求項５乃至１１
    のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成
    物。
13. 【請求項１３】 （Ｃ）グラフト共重合体において、ポ
    リカーボネート系樹脂セグメント（ａ）とビニル系樹脂
    セグメント(ｂ)の比率が、ポリカーボネート系樹脂セグ
    メント（ａ）が５〜９５質量％、ビニル系樹脂セグメン
    ト(ｂ)が９５〜５質量％であることを特徴とする請求項
    ６乃至１２のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑
    性樹脂組成物。
14. 【請求項１４】 （Ｃ）グラフト共重合体において、ビ
    ニル系樹脂セグメント（ｂ）が、下記一般式「化１」で
    示される繰り返し単位からなる重合体セグメント、又は
    Ｎ−置換マレイミド単位からなる重合体セグメント、又
    はα，β−不飽和酸のグリシジルエステル単位からなる
    重合体セグメントであることを特徴とする請求項６乃至
    １３のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂
    組成物。 【化１】 （ただし、Ｒ₁は水素、またはＣ数１〜３の低級アルキ
    ル基、Ｘ₁は、−COOCH₃、−COOC₂H₅、−COOC₄H₉、−COO
    CH₂CH(C₂H₅)C₄H₉、−C₆H₅、−CNから選ばれた１種また
    は２種以上の基を表す。）
15. 【請求項１５】 （Ｃ）グラフト共重合体において、ビ
    ニル系樹脂セグメント（ｂ）のＮ−置換マレイミド単位
    からなる重合体セグメントが、Ｎ−シクロヘキシルマレ
    イミド、又はＮ−フェニルマレイミド重合体から選択さ
    れた少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１４
    に記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成物。
16. 【請求項１６】 （Ｃ）グラフト共重合体の配合量が、
    （Ａ）ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂の合
    計量１００質量部に対して、０．５〜１０質量部である
    ことを特徴とする請求項６乃至１５のいずれかに記載の
    メモリーカード用熱可塑性樹脂組成物。
17. 【請求項１７】 （Ｄ）結晶性樹脂が、融点が１５０℃
    以上のものであることを特徴とする請求項７乃至１６の
    いずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成
    物。
18. 【請求項１８】 （Ｄ）結晶性樹脂が、溶融させたもの
    を液体窒素中に急冷し、これをＤＳＣを用いて、昇温速
    度１０℃/分で３０℃〜３００℃の範囲で測定した際
    の、結晶化開始温度が１００℃以上のものであることを
    特徴とする請求項７乃至１７のいずれかに記載のメモリ
    ーカード用熱可塑性樹脂組成物。
19. 【請求項１９】 （Ｄ）結晶性樹脂が、ポリエチレンテ
    レフタレートであることを特徴とする請求項７乃至１８
    のいずれかに記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成
    物。
20. 【請求項２０】 （Ｄ）結晶性樹脂の配合量が、（Ａ）
    ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）ＡＢＳ系樹脂の合計量１
    ００質量部に対して、０．５〜１０質量部であることを
    特徴とする請求項７乃至１９のいずれかに記載のメモリ
    ーカード用熱可塑性樹脂組成物。
21. 【請求項２１】 （Ｅ）着色剤の配合量が、（Ａ）〜
    （Ｇ）の合計量中、２質量％以下であることを特徴とす
    る請求項８乃至２０のいずれかに記載のメモリーカード
    用熱可塑性樹脂組成物。
22. 【請求項２２】 （Ｆ）ジエン系ゴム状重合体からなる
    内核とビニル系共重合体からなる最外殻を有する多層構
    造重合体の配合量が、（Ａ）ポリカーボネート樹脂１０
    ０質量部に対して、０．５〜３０質量部であることを特
    徴とする請求項９乃至２１のいずれかに記載のメモリー
    カード用熱可塑性樹脂組成物。
23. 【請求項２３】 （Ｇ）結晶核剤が、タルク、カオリ
    ン、マイカ、シリカ、ガラスビーズ、フレーク、Ｌ／Ｄ
    が５０未満の無機繊維、ウイスカ−状無機充填材から選
    択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項
    １０乃至２２のいずれかに記載のメモリーカード用熱可
    塑性樹脂組成物。
24. 【請求項２４】 （Ｇ）結晶核剤の配合量が、（Ｄ）結
    晶性樹脂１００質量部に対して、０．０５〜１０質量部
    であることを特徴とする請求項１０乃至２３のいずれか
    に記載のメモリーカード用熱可塑性樹脂組成物。
25. 【請求項２５】 スパイラルフロー金型（金型内の流路
    断面の厚み０．８ｍｍ、幅６．０ｍｍ）に、シリンダー
    温度３００℃、射出圧力９８．１ＭＰａ（１０００ｋｇ
    ／ｃｍ²）、金型温度８５℃の条件で射出成形したとき
    の、成形されたスパイラル長さが８０ｍｍ以上であるこ
    とを特徴とする請求項５乃至２４のいずれかに記載のメ
    モリーカード用熱可塑性樹脂組成物。