|
JP2005079203A
(ja)
|
2003-08-28 |
2005-03-24 |
Canon Inc |
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP2005150156A
(ja)
*
|
2003-11-11 |
2005-06-09 |
Toshiba Corp |
磁気記憶装置
|
|
WO2005086254A1
(en)
|
2004-03-10 |
2005-09-15 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member
|
|
JP4401826B2
(ja)
|
2004-03-10 |
2010-01-20 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP4401836B2
(ja)
|
2004-03-24 |
2010-01-20 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP2005322895A
(ja)
*
|
2004-04-09 |
2005-11-17 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス
|
|
JP2006165533A
(ja)
*
|
2004-11-11 |
2006-06-22 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
電界効果トランジスタ
|
|
KR101192615B1
(ko)
|
2004-11-11 |
2012-10-18 |
미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 |
전계 효과 트랜지스터
|
|
JP2006303423A
(ja)
*
|
2005-03-25 |
2006-11-02 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
電界効果トランジスタ
|
|
JP4696700B2
(ja)
*
|
2005-06-06 |
2011-06-08 |
三菱化学株式会社 |
有機半導体薄膜の製造方法、有機電子デバイスの製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法
|
|
US7695999B2
(en)
*
|
2005-09-06 |
2010-04-13 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Production method of semiconductor device
|
|
US7435989B2
(en)
|
2005-09-06 |
2008-10-14 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound
|
|
WO2007077648A1
(ja)
*
|
2006-01-06 |
2007-07-12 |
Fuji Electric Holdings Co., Ltd. |
薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法
|
|
JP5044226B2
(ja)
*
|
2006-01-27 |
2012-10-10 |
国立大学法人愛媛大学 |
ビシクロポルフィリン化合物、ビシクロピロール化合物、化合物の製造方法、有機半導体及びその製造方法
|
|
US9136489B2
(en)
|
2006-05-02 |
2015-09-15 |
Mitsubishi Chemical Corporation |
Method for producing organic photoelectric conversion device and organic photoelectric conversion device
|
|
JP5243714B2
(ja)
*
|
2006-11-29 |
2013-07-24 |
三菱化学株式会社 |
有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
|
|
JP2007324587A
(ja)
*
|
2006-05-02 |
2007-12-13 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
有機光電変換素子の製造方法
|
|
JP2008016834A
(ja)
*
|
2006-06-09 |
2008-01-24 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
|
|
US7829375B2
(en)
|
2007-07-18 |
2010-11-09 |
Konica Minolta Holdings, Inc. |
Method for manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
|
|
WO2009034971A1
(ja)
|
2007-09-12 |
2009-03-19 |
Fujifilm Corporation |
置換基脱離化合物の製造方法、有機半導体膜およびその製造方法
|
|
JP2009105336A
(ja)
*
|
2007-10-25 |
2009-05-14 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
膜の製造方法、有機電子素子の製造方法及びナフタロシアニン膜
|
|
US20110089412A1
(en)
|
2008-06-16 |
2011-04-21 |
Shigeo Fujimori |
Patterning method, production method of device using the patterning method, and device
|
|
JP5177145B2
(ja)
|
2008-08-05 |
2013-04-03 |
東レ株式会社 |
デバイスの製造方法
|
|
JP5531243B2
(ja)
*
|
2009-01-23 |
2014-06-25 |
三菱化学株式会社 |
半導体デバイスの製造方法及び太陽電池
|
|
WO2010117021A1
(ja)
|
2009-04-10 |
2010-10-14 |
三菱化学株式会社 |
電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス
|
|
JP2011074161A
(ja)
*
|
2009-09-29 |
2011-04-14 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
ジアザポルフィリン化合物又はその塩、半導体材料、膜、電子デバイス、電界効果トランジスタ、及び光電変換素子
|
|
CN102668704A
(zh)
|
2009-12-03 |
2012-09-12 |
东丽株式会社 |
供体基板、图案化方法和器件的制造方法
|
|
KR101266828B1
(ko)
|
2010-03-31 |
2013-05-27 |
도레이 카부시키가이샤 |
전사용 도너 기판, 디바이스의 제조 방법 및 유기 el 소자
|
|
JP2012231149A
(ja)
*
|
2012-06-05 |
2012-11-22 |
Mitsubishi Chemicals Corp |
有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
|
|
US20160072071A1
(en)
|
2013-04-12 |
2016-03-10 |
Selmo Entertainment Japan |
Photoelectric Conversion Element, Photoelectric Conversion Element Having Storage/Discharge Function, and Secondary Battery
|
|
JP6455007B2
(ja)
|
2013-08-29 |
2019-01-23 |
日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 |
ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
|
|
JP6455008B2
(ja)
|
2013-08-29 |
2019-01-23 |
日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 |
ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
|
|
WO2018025914A1
(ja)
*
|
2016-08-03 |
2018-02-08 |
日本碍子株式会社 |
反応生成物の製法
|
|
CN113659076A
(zh)
*
|
2021-07-27 |
2021-11-16 |
光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 |
畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器
|