JP2003272534A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光効率に優れる新規なセル構造をもつＰＤＰ
の提供を目的とする。 【解決手段】基板対の第１の基板上に配列する表示電極
のそれぞれを、一方向に並ぶ複数のセルに跨る細長い給
電部と、セルごとに給電部から電極配列方向に張り出し
て第２の基板に近づく放電部とを有した立体形状をもつ
ように形成する。
の提供を目的とする。 【解決手段】基板対の第１の基板上に配列する表示電極
のそれぞれを、一方向に並ぶ複数のセルに跨る細長い給
電部と、セルごとに給電部から電極配列方向に張り出し
て第２の基板に近づく放電部とを有した立体形状をもつ
ように形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）およびそ
の製造方法に関する。
レイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは広視野角の薄型表示デバイスとし
て注目されている。ハイビジョン分野へ用途が拡がる
中、より明るい高性能のＰＤＰが望まれている。
て注目されている。ハイビジョン分野へ用途が拡がる
中、より明るい高性能のＰＤＰが望まれている。
【０００３】
【従来の技術】大画面のテレビジョン表示デバイスとし
て面放電タイプのＡＣ型ＰＤＰが使用されている。ここ
でいう面放電タイプは、セルの発光量を決める表示放電
において陽極および陰極となる第１および第２の表示電
極を、前面側または背面側の基板の上に平行に配列し、
表示電極対と交差するようにアドレス電極を配列した３
電極構造をもつ。表示電極の配列には、マトリクス表示
の行ごとに１対ずつ配列する形態と、第１および第２の
表示電極を１本ずつ交互に等間隔に配列する形態とがあ
る。後者の場合、２行に対して３本の割合で表示電極が
対応し、配列の両端を除く表示電極は隣リ合う２行の表
示に係わる。面放電タイプでは、カラー表示のための蛍
光体層を表示電極対からパネル厚さ方向に遠ざけて配置
することができ、それによって放電時のイオン衝撃によ
る蛍光体層の劣化を低減することができる。面放電タイ
プは、第１および第２の表示電極を前面基板と背面基板
とに振り分けて配置する対向放電タイプと比べて、長寿
命化に適している。
て面放電タイプのＡＣ型ＰＤＰが使用されている。ここ
でいう面放電タイプは、セルの発光量を決める表示放電
において陽極および陰極となる第１および第２の表示電
極を、前面側または背面側の基板の上に平行に配列し、
表示電極対と交差するようにアドレス電極を配列した３
電極構造をもつ。表示電極の配列には、マトリクス表示
の行ごとに１対ずつ配列する形態と、第１および第２の
表示電極を１本ずつ交互に等間隔に配列する形態とがあ
る。後者の場合、２行に対して３本の割合で表示電極が
対応し、配列の両端を除く表示電極は隣リ合う２行の表
示に係わる。面放電タイプでは、カラー表示のための蛍
光体層を表示電極対からパネル厚さ方向に遠ざけて配置
することができ、それによって放電時のイオン衝撃によ
る蛍光体層の劣化を低減することができる。面放電タイ
プは、第１および第２の表示電極を前面基板と背面基板
とに振り分けて配置する対向放電タイプと比べて、長寿
命化に適している。
【０００４】従来のＰＤＰにおける表示電極は、基板上
に成膜した導電性薄膜のパターニングによって形成され
ていた。つまり、表示電極は細長い膜状導体であり、そ
の表面（放電面）が基板面と実質的に平行であった。
に成膜した導電性薄膜のパターニングによって形成され
ていた。つまり、表示電極は細長い膜状導体であり、そ
の表面（放電面）が基板面と実質的に平行であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、面放
電の放電開始電圧が同程度のギャップ長をもつ対向放電
タイプよりも高いことから、発光効率が低いという問題
があった。
電の放電開始電圧が同程度のギャップ長をもつ対向放電
タイプよりも高いことから、発光効率が低いという問題
があった。
【０００６】本発明は、発光効率に優れる新規なセル構
造をもつＰＤＰの提供を目的としている。他の目的は、
新規なセル構造をもつＰＤＰを作製可能な生産性の高い
製造方法を提供することである。
造をもつＰＤＰの提供を目的としている。他の目的は、
新規なセル構造をもつＰＤＰを作製可能な生産性の高い
製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、基板
対の第１の基板上に配列する表示電極のそれぞれを、一
方向に並ぶ複数のセルに跨る細長い給電部と、セルごと
に給電部から電極配列方向に張り出して第２の基板に近
づく放電部とを有した立体形状をもつように形成する。
これによって、表示電極における放電に寄与する主面
を、基板面に対してほぼ直交しかつ隣り合う表示電極の
主面と放電ガス空間を挟んで対向するように配置する。
隣り合う表示電極の放電部どうしの距離が給電部どうし
の距離よりも短い構造では、放電部どうしの間で最も放
電が生じ易い。表示電極の立体形状は、基板上に溝を形
成し、溝の底面および側面を覆うように導電膜を設け、
導電膜をパターニングする方法によって得られる。
対の第１の基板上に配列する表示電極のそれぞれを、一
方向に並ぶ複数のセルに跨る細長い給電部と、セルごと
に給電部から電極配列方向に張り出して第２の基板に近
づく放電部とを有した立体形状をもつように形成する。
これによって、表示電極における放電に寄与する主面
を、基板面に対してほぼ直交しかつ隣り合う表示電極の
主面と放電ガス空間を挟んで対向するように配置する。
隣り合う表示電極の放電部どうしの距離が給電部どうし
の距離よりも短い構造では、放電部どうしの間で最も放
電が生じ易い。表示電極の立体形状は、基板上に溝を形
成し、溝の底面および側面を覆うように導電膜を設け、
導電膜をパターニングする方法によって得られる。
【０００８】放電形態はガス空間を挟む電極間の対向放
電（ただし、電荷移動方向はパネル厚さ方向ではなく、
基板面に沿った方向である）となる。この放電形態を
“面方向対向放電”と呼称する。面方向対向放電では主
面が対向するので、従来の面放電と比べて放電開始電圧
が低い。また、放電部の面積の選定により、放電電流を
最適化して発光効率を高めることができる。
電（ただし、電荷移動方向はパネル厚さ方向ではなく、
基板面に沿った方向である）となる。この放電形態を
“面方向対向放電”と呼称する。面方向対向放電では主
面が対向するので、従来の面放電と比べて放電開始電圧
が低い。また、放電部の面積の選定により、放電電流を
最適化して発光効率を高めることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＰＤＰのセル
構造の模式図、図２は表示電極の要部の構造を示す図で
ある。なお、図１では誘電体の保護膜が描かれていな
い。
構造の模式図、図２は表示電極の要部の構造を示す図で
ある。なお、図１では誘電体の保護膜が描かれていな
い。
【００１０】図示のＰＤＰ１は、マトリクス表示の行
（ｒｏｗ）および列（ｃｏｌｏｍｎ）を構成するように
多数のセルが配置されたカラー表示デバイスであり、一
対の基板構体１０，２０からなる。基板構体１０，２０
は、いわゆる外囲器を構成する基板１１，２１とその内
面側に形成されたセル構成要素とからなる構造体であ
る。図１は、表示面における１行内の２列、すなわち２
個のセルについて、その近傍を含む構造を示している。
（ｒｏｗ）および列（ｃｏｌｏｍｎ）を構成するように
多数のセルが配置されたカラー表示デバイスであり、一
対の基板構体１０，２０からなる。基板構体１０，２０
は、いわゆる外囲器を構成する基板１１，２１とその内
面側に形成されたセル構成要素とからなる構造体であ
る。図１は、表示面における１行内の２列、すなわち２
個のセルについて、その近傍を含む構造を示している。
【００１１】背面側の基板構体２０の構成は公知の典型
的な面放電型ＰＤＰと同様である。背面側のガラス基板
２１の内面に１列に１本ずつアドレス電極Ａが配列さ
れ、アドレス電極Ａを覆う絶縁体層の上に列の境界位置
ごとに平面視直線帯状の隔壁２９が形成されている。そ
して、隔壁間の領域および隔壁２９の側面を被覆するよ
うに、カラー表示のための蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２
８Ｂが設けられている。色配列は列ごとに色分けした
Ｒ，Ｇ，Ｂの繰り返しパターンである。表示画像の１画
素には１行内の３列 (３個のセル）が対応する。なお、
隔壁パターンは図示のストライプパターンに限らず、セ
ルごとに基板間隙を区画するメッシュパターンであって
もよい。
的な面放電型ＰＤＰと同様である。背面側のガラス基板
２１の内面に１列に１本ずつアドレス電極Ａが配列さ
れ、アドレス電極Ａを覆う絶縁体層の上に列の境界位置
ごとに平面視直線帯状の隔壁２９が形成されている。そ
して、隔壁間の領域および隔壁２９の側面を被覆するよ
うに、カラー表示のための蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２
８Ｂが設けられている。色配列は列ごとに色分けした
Ｒ，Ｇ，Ｂの繰り返しパターンである。表示画像の１画
素には１行内の３列 (３個のセル）が対応する。なお、
隔壁パターンは図示のストライプパターンに限らず、セ
ルごとに基板間隙を区画するメッシュパターンであって
もよい。
【００１２】前面側の基板構体１０は本発明に特有の構
造をもつ。前面側のガラス基板１１の内面には、基板対
の対向間隙をセルごとに区画する平面視格子状の隔壁を
設けるように、各セルに１つずつ平面視四角形の窪みが
形成されている。格子状の隔壁のうち、行方向に沿った
部分（これを水平壁という）１１９の上部に、表示電極
Ｘおよび表示電極Ｙが配置されている。隣り合う水平壁
１１９の一方に表示電極Ｘが配置され、他方に表示電極
Ｙが配置されている。表示面の全体における表示電極
Ｘ，Ｙの配列形態は、２行に３本の割合で表示電極Ｘと
表示電極Ｙとを１本ずつ交互に等間隔に並べ、隣り合う
電極どうしを電極対とする形態である。表示電極総数は
行数に１を加えた数となる。表示電極Ｘおよび表示電極
Ｙは、隔壁と重なる平面視格子状の絶縁体１７によって
被覆されている。なお、隔壁のうち、列方向に沿った部
分（これを垂直壁という）は、行方向の放電のクロスト
ークを防止する。ただし、クロストークが起こりにくい
場合や駆動制御でクロストークを防止できる場合には、
垂直壁を省略することができる。
造をもつ。前面側のガラス基板１１の内面には、基板対
の対向間隙をセルごとに区画する平面視格子状の隔壁を
設けるように、各セルに１つずつ平面視四角形の窪みが
形成されている。格子状の隔壁のうち、行方向に沿った
部分（これを水平壁という）１１９の上部に、表示電極
Ｘおよび表示電極Ｙが配置されている。隣り合う水平壁
１１９の一方に表示電極Ｘが配置され、他方に表示電極
Ｙが配置されている。表示面の全体における表示電極
Ｘ，Ｙの配列形態は、２行に３本の割合で表示電極Ｘと
表示電極Ｙとを１本ずつ交互に等間隔に並べ、隣り合う
電極どうしを電極対とする形態である。表示電極総数は
行数に１を加えた数となる。表示電極Ｘおよび表示電極
Ｙは、隔壁と重なる平面視格子状の絶縁体１７によって
被覆されている。なお、隔壁のうち、列方向に沿った部
分（これを垂直壁という）は、行方向の放電のクロスト
ークを防止する。ただし、クロストークが起こりにくい
場合や駆動制御でクロストークを防止できる場合には、
垂直壁を省略することができる。
【００１３】表示電極Ｘおよび表示電極Ｙは、表示面の
行方向の全長にわたって連続する細長い給電部４２と、
セルごとに給電部４２から電極配列方向に張り出す複数
の放電部４３とを有した導電膜である。図２のとおり、
放電部４３はその先端が給電部４２よにも背面側へ突出
するように湾曲しており、基板面に対してほぼ直交する
面を有する。この直交する面が放電に係る主面となる。
表示電極Ｘの主面は、隣り合う表示電極Ｙの主面と放電
ガス空間を挟んで対向する。表示電極Ｘおよび表示電極
Ｙを構成する導電膜の厚さが２μｍ程度であるのに対し
て、放電部４３の高さ(主面の長さ）ｈは５０μｍ程度
である。主面どうしが対向し、かつ主面どうしの距離が
給電部４２どうしの距離より短いので、隣り合う表示電
極間に駆動電圧を印加すると、互いに対向する放電部ど
うしの間で面方向対向放電８２が生じる。
行方向の全長にわたって連続する細長い給電部４２と、
セルごとに給電部４２から電極配列方向に張り出す複数
の放電部４３とを有した導電膜である。図２のとおり、
放電部４３はその先端が給電部４２よにも背面側へ突出
するように湾曲しており、基板面に対してほぼ直交する
面を有する。この直交する面が放電に係る主面となる。
表示電極Ｘの主面は、隣り合う表示電極Ｙの主面と放電
ガス空間を挟んで対向する。表示電極Ｘおよび表示電極
Ｙを構成する導電膜の厚さが２μｍ程度であるのに対し
て、放電部４３の高さ(主面の長さ）ｈは５０μｍ程度
である。主面どうしが対向し、かつ主面どうしの距離が
給電部４２どうしの距離より短いので、隣り合う表示電
極間に駆動電圧を印加すると、互いに対向する放電部ど
うしの間で面方向対向放電８２が生じる。
【００１４】図３は図１の３−３矢視断面の構造を示す
図であり、図４は図１の４−４矢視断面の構造を示す図
である。これらの図のとおり、実際には表示電極Ｘ，Ｙ
は絶縁体１７および耐スパッタ保護膜１８によって被覆
されている。保護膜１８の材質はマグネシアである。絶
縁体１７を設けることによって、隣り合う表示電極Ｘ，
Ｙにおける給電部４２どうしの間や給電部４２と放電部
４３との間での放電が確実に抑制される。
図であり、図４は図１の４−４矢視断面の構造を示す図
である。これらの図のとおり、実際には表示電極Ｘ，Ｙ
は絶縁体１７および耐スパッタ保護膜１８によって被覆
されている。保護膜１８の材質はマグネシアである。絶
縁体１７を設けることによって、隣り合う表示電極Ｘ，
Ｙにおける給電部４２どうしの間や給電部４２と放電部
４３との間での放電が確実に抑制される。
【００１５】図４のとおり、表示電極Ｘ，Ｙにおける放
電部４３は水平壁１１９で区画された放電ガス空間３１
の両端に配置される。面方向対向放電８２が生じる放電
部４３どうしの間の距離は列方向のセル寸法に近い十分
に大きな値であるので、放電８２は陽光柱が延びた高輝
度の放電となる。また、表示電極間の静電容量が小さい
ので、容量の充電に費やす無駄な電力が少ないことも、
発光効率の向上に寄与する。放電８２は蛍光体層（図示
は蛍光体層２８Ｇ）から離れた位置で起こるので、ＰＤ
Ｐ１では、従来の面放電タイプＰＤＰと同様に蛍光体が
劣化しにくい。
電部４３は水平壁１１９で区画された放電ガス空間３１
の両端に配置される。面方向対向放電８２が生じる放電
部４３どうしの間の距離は列方向のセル寸法に近い十分
に大きな値であるので、放電８２は陽光柱が延びた高輝
度の放電となる。また、表示電極間の静電容量が小さい
ので、容量の充電に費やす無駄な電力が少ないことも、
発光効率の向上に寄与する。放電８２は蛍光体層（図示
は蛍光体層２８Ｇ）から離れた位置で起こるので、ＰＤ
Ｐ１では、従来の面放電タイプＰＤＰと同様に蛍光体が
劣化しにくい。
【００１６】以上の構成のＰＤＰ１による表示の駆動シ
ーケンスの概略は、次のとおりである。ＰＤＰ１の電極
構成では配列の両端を除く表示電極Ｘ，Ｙが隣り合う２
行に共通であるので、１フレームを奇数行のデータを表
示するフィールドと偶数行のデータを表示するフィール
ドとに分けるインタレース駆動を行う。各フィールドの
アドレス期間において、表示電極Ｙをスキャン電極とし
て用いて行選択を行い、それと同時に、選択行のうちの
点灯すべきセルに対応したアドレス電極Ａを選択電位に
バイアスする。これによって点灯すべきセルの表示電極
Ｙとアドレス電極Ａとの間でアドレス放電を生じさせ
る。全ての行について順に同様の処理を行い、点灯すべ
きセルに所定量の壁電荷を形成する。アドレス期間に続
く表示期間において、表示対象の全行の表示電極Ｘと表
示電極Ｙとの間に維持電圧を印加し、それによって壁電
荷の存在する点灯すべきセルのみで面方向対向放電８２
を生じさせる。面方向対向放電のエネルギーを受けて放
電ガスが紫外線を放射する。この紫外線が蛍光体層２８
Ｇを励起し、蛍光体層２８Ｇが表示光８５を発する。
ーケンスの概略は、次のとおりである。ＰＤＰ１の電極
構成では配列の両端を除く表示電極Ｘ，Ｙが隣り合う２
行に共通であるので、１フレームを奇数行のデータを表
示するフィールドと偶数行のデータを表示するフィール
ドとに分けるインタレース駆動を行う。各フィールドの
アドレス期間において、表示電極Ｙをスキャン電極とし
て用いて行選択を行い、それと同時に、選択行のうちの
点灯すべきセルに対応したアドレス電極Ａを選択電位に
バイアスする。これによって点灯すべきセルの表示電極
Ｙとアドレス電極Ａとの間でアドレス放電を生じさせ
る。全ての行について順に同様の処理を行い、点灯すべ
きセルに所定量の壁電荷を形成する。アドレス期間に続
く表示期間において、表示対象の全行の表示電極Ｘと表
示電極Ｙとの間に維持電圧を印加し、それによって壁電
荷の存在する点灯すべきセルのみで面方向対向放電８２
を生じさせる。面方向対向放電のエネルギーを受けて放
電ガスが紫外線を放射する。この紫外線が蛍光体層２８
Ｇを励起し、蛍光体層２８Ｇが表示光８５を発する。
【００１７】ＰＤＰ１の製造には、各ガラス基板１１，
２１について別個に上述の構成要素を設けて基板構体１
０，２０を得る工程、基板構体１０，２０を対向配置し
て周囲を封止する工程、および内部を清浄して放電ガス
を封入する工程がある。以下、基板構体１０の製造工程
を説明する。
２１について別個に上述の構成要素を設けて基板構体１
０，２０を得る工程、基板構体１０，２０を対向配置し
て周囲を封止する工程、および内部を清浄して放電ガス
を封入する工程がある。以下、基板構体１０の製造工程
を説明する。
【００１８】図５は前面側製造工程の説明図である。図
５（Ａ）のように、平板状のガラス基板１１ａの表面
に、立体構造の表示電極を形成するのに必要な深さ５０
μｍの複数の溝１１１を等間隔に形成する。形成にはサ
ンドブラスト法を用いる。切削は、溝に対応したネガパ
ターンのマスクをドライフィルムを用いて形成した後に
行う。切削材としてはアルミナが好適である。
５（Ａ）のように、平板状のガラス基板１１ａの表面
に、立体構造の表示電極を形成するのに必要な深さ５０
μｍの複数の溝１１１を等間隔に形成する。形成にはサ
ンドブラスト法を用いる。切削は、溝に対応したネガパ
ターンのマスクをドライフィルムを用いて形成した後に
行う。切削材としてはアルミナが好適である。
【００１９】次に、溝１１１を含めてガラス基板１１ａ
の表面における表示面領域全体を一様に覆う導電材料膜
を形成する。手法としては、銀（Ａｇ）を主成分とする
感光性厚膜材料を印刷する方法、および真空蒸着に代表
される薄膜法がある。クロム(Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／ク
ロムの積層が薄膜の好適例である。導電材料膜をフォト
リソグラフィによってパターニングし、表示電極Ｘ，Ｙ
を形成する。電極形成後、表示電極Ｘ，Ｙを含めてガラ
ス基板１１ａの表示面領域全体に低融点ガラスペースト
を塗布し、塗布層を焼成して絶縁体層１７ａを形成する
（図５（Ｂ）参照）。図示では溝１１１が完全に埋まっ
て絶縁体層１７ａの表面が平坦であるが、必ずしも溝１
１１が完全に埋まる必要はなく、表示電極Ｘ，Ｙの絶縁
が十分であれば、絶縁体層１７ａの表面が溝１１１の位
置で窪んでいてもよい。絶縁体層１７ａの形成手法は厚
膜法に限らず、気相成長法（ＣＶＤ）やゾル−ゲル法と
いった他の方法を用いてもよい。
の表面における表示面領域全体を一様に覆う導電材料膜
を形成する。手法としては、銀（Ａｇ）を主成分とする
感光性厚膜材料を印刷する方法、および真空蒸着に代表
される薄膜法がある。クロム(Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／ク
ロムの積層が薄膜の好適例である。導電材料膜をフォト
リソグラフィによってパターニングし、表示電極Ｘ，Ｙ
を形成する。電極形成後、表示電極Ｘ，Ｙを含めてガラ
ス基板１１ａの表示面領域全体に低融点ガラスペースト
を塗布し、塗布層を焼成して絶縁体層１７ａを形成する
（図５（Ｂ）参照）。図示では溝１１１が完全に埋まっ
て絶縁体層１７ａの表面が平坦であるが、必ずしも溝１
１１が完全に埋まる必要はなく、表示電極Ｘ，Ｙの絶縁
が十分であれば、絶縁体層１７ａの表面が溝１１１の位
置で窪んでいてもよい。絶縁体層１７ａの形成手法は厚
膜法に限らず、気相成長法（ＣＶＤ）やゾル−ゲル法と
いった他の方法を用いてもよい。
【００２０】続いて図５（Ｃ）のように、絶縁体層１７
ａおよびガラス基板１１ａにおける表示電極Ｘ，Ｙの配
列間隙の部分を、サンドブラスト法によって溝１１１よ
りも深く削る。例えば、水平壁１１９の高さを１００μ
ｍから１５０μｍの範囲内の値となるようにガラス基板
１１ａを削る。この切削に好適な切削材はアルミナであ
る。深く削ることによって放電ガス空間が広がり、面方
向対向放電が起こり易くなって発光効率が高まる。ただ
し、表示電極Ｘ，Ｙを露出させないことが必須である。
放電部４３と放電ガス空間との間に厚さ３０μｍ程度の
ガラスが誘電体として残るようにする。以後において、
保護膜を形成すれば、前面側の製造が終わる。なお、焼
成によって絶縁体層１７ａを形成せずに、低融点ペース
トを乾燥させた段階で切削を行い、切削終了後にペース
トを焼成して絶縁体１７を形成してもよい。
ａおよびガラス基板１１ａにおける表示電極Ｘ，Ｙの配
列間隙の部分を、サンドブラスト法によって溝１１１よ
りも深く削る。例えば、水平壁１１９の高さを１００μ
ｍから１５０μｍの範囲内の値となるようにガラス基板
１１ａを削る。この切削に好適な切削材はアルミナであ
る。深く削ることによって放電ガス空間が広がり、面方
向対向放電が起こり易くなって発光効率が高まる。ただ
し、表示電極Ｘ，Ｙを露出させないことが必須である。
放電部４３と放電ガス空間との間に厚さ３０μｍ程度の
ガラスが誘電体として残るようにする。以後において、
保護膜を形成すれば、前面側の製造が終わる。なお、焼
成によって絶縁体層１７ａを形成せずに、低融点ペース
トを乾燥させた段階で切削を行い、切削終了後にペース
トを焼成して絶縁体１７を形成してもよい。
【００２１】図６は表示電極を配置する溝の第１例を示
す図、図７は表示電極を配置する溝の第２例を示す図で
ある。図６において表示電極Ｘ，Ｙが形成される溝１１
１の平面視形状は、一定幅の帯状である。この例の長所
としては、溝１１１の形成が容易であること、および電
極のパターニングの信頼性の高いことが挙げられる。図
７において表示電極Ｘ，Ｙは溝１１１に代わる溝１１２
の内壁に形成されている。溝１１１の平面視形状は、行
の全長にわたる帯部とセルごとに帯部から張り出した短
冊部とを有する表示電極Ｘ，Ｙの形状とほぼ一致する。
この例の長所としては次の２点が挙げられる。第１は、
導電材料層の形成に、比較的に粘度の小さいペーストを
溝１１２に充填する手法が使えることである。充填後に
ペーストを乾燥させると、溝１１２の壁面に沿った薄い
層となる。第２は、給電部４２と放電ガス空間との間に
介在するガラスの厚さｄ１が放電部４２との間に介在す
るガラスの厚さｄ１より大きくなり、絶縁および静電容
量の低減の観点で有利になることである。図７（Ｂ）の
ように、溝１１２における給電部４２に対応した部分の
幅は小さいので、電極形成のための導電膜のパターニン
グに際しては、溝１１２の底まで確実に露光するため
に、斜め露光や散乱光による露光を行うのが好ましい。
す図、図７は表示電極を配置する溝の第２例を示す図で
ある。図６において表示電極Ｘ，Ｙが形成される溝１１
１の平面視形状は、一定幅の帯状である。この例の長所
としては、溝１１１の形成が容易であること、および電
極のパターニングの信頼性の高いことが挙げられる。図
７において表示電極Ｘ，Ｙは溝１１１に代わる溝１１２
の内壁に形成されている。溝１１１の平面視形状は、行
の全長にわたる帯部とセルごとに帯部から張り出した短
冊部とを有する表示電極Ｘ，Ｙの形状とほぼ一致する。
この例の長所としては次の２点が挙げられる。第１は、
導電材料層の形成に、比較的に粘度の小さいペーストを
溝１１２に充填する手法が使えることである。充填後に
ペーストを乾燥させると、溝１１２の壁面に沿った薄い
層となる。第２は、給電部４２と放電ガス空間との間に
介在するガラスの厚さｄ１が放電部４２との間に介在す
るガラスの厚さｄ１より大きくなり、絶縁および静電容
量の低減の観点で有利になることである。図７（Ｂ）の
ように、溝１１２における給電部４２に対応した部分の
幅は小さいので、電極形成のための導電膜のパターニン
グに際しては、溝１１２の底まで確実に露光するため
に、斜め露光や散乱光による露光を行うのが好ましい。
【００２２】図８は前面側製造工程の他の例の説明図で
ある。図８（Ａ）のように、平板状のガラス基板１２ａ
の表面における表示面領域全体に低融点ガラスペースト
を塗布し、ペーストを乾燥させる。乾燥したペースト層
の上にドライフィルムを用いて溝形成用の切削マスクを
設け、サンドブラストによってペースト層の露出部分を
削る。切削材の好適例は炭酸カルシウムである。切削後
のペースト層を焼成し、溝１１２を有した低融点ガラス
層１３ａを形成する。
ある。図８（Ａ）のように、平板状のガラス基板１２ａ
の表面における表示面領域全体に低融点ガラスペースト
を塗布し、ペーストを乾燥させる。乾燥したペースト層
の上にドライフィルムを用いて溝形成用の切削マスクを
設け、サンドブラストによってペースト層の露出部分を
削る。切削材の好適例は炭酸カルシウムである。切削後
のペースト層を焼成し、溝１１２を有した低融点ガラス
層１３ａを形成する。
【００２３】次に図５の例と同様に、表示電極Ｘ，Ｙお
よび絶縁体層１７ａを形成する(図８（Ｂ））。そし
て、絶縁体層１７ａ、低融点ガラス層１３ａ、およびガ
ラス基板１２ａにおける表示電極Ｘ，Ｙの配列間隙の部
分を、サンドブラスト法によって溝１１１よりも深く削
る。
よび絶縁体層１７ａを形成する(図８（Ｂ））。そし
て、絶縁体層１７ａ、低融点ガラス層１３ａ、およびガ
ラス基板１２ａにおける表示電極Ｘ，Ｙの配列間隙の部
分を、サンドブラスト法によって溝１１１よりも深く削
る。
【００２４】なお、溝１１２を有した低融点ガラス層１
３ａの形成には、公知の隔壁形成技術である積層印刷
法、アディティブ法、感光性隔壁形成法、および転写隔
壁形成法のいずれかを用いることも可能である。特に転
写隔壁形成法を用いると、放電ガス空間を区画する隔壁
とその頂上部に配置されるべき溝とを同時に形成するこ
とができるので、電極形成後に基板を削る必要がなくな
って製造工程数が大幅に減少する。
３ａの形成には、公知の隔壁形成技術である積層印刷
法、アディティブ法、感光性隔壁形成法、および転写隔
壁形成法のいずれかを用いることも可能である。特に転
写隔壁形成法を用いると、放電ガス空間を区画する隔壁
とその頂上部に配置されるべき溝とを同時に形成するこ
とができるので、電極形成後に基板を削る必要がなくな
って製造工程数が大幅に減少する。
【００２５】図９は他のＰＤＰのセル構造の模式図であ
る。ＰＤＰ２では、背面側の基板２１ｂに図２と同様の
立体構造をもつ表示電極Ｘ，Ｙが配列されている。表示
電極Ｘ，Ｙは、隔壁２９ｂの上部の溝２１１の中に形成
され、絶縁体２７によって覆われている。基板２１ｂに
おける電極間隙の部分には蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２
８Ｂが設けられている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８
Ｂの配置に関しては、上端が表示電極Ｘ，Ｙに近づき過
ぎないことが重要である。スクリーン印刷で蛍光体層を
形成する場合であっても、ペーストの調整によって適正
に蛍光体を配置することができる。フォトリソグラフィ
を用いる場合には形状を精密に制御することができる。
アドレス電極Ａについては、蛍光体層の背面側に配置す
る図示の形態および前面側の基板１１ｂに配置する形態
がある。また、基板１１ｂに放電ガス空間を区画する隔
壁を設けてもよい。
る。ＰＤＰ２では、背面側の基板２１ｂに図２と同様の
立体構造をもつ表示電極Ｘ，Ｙが配列されている。表示
電極Ｘ，Ｙは、隔壁２９ｂの上部の溝２１１の中に形成
され、絶縁体２７によって覆われている。基板２１ｂに
おける電極間隙の部分には蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２
８Ｂが設けられている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８
Ｂの配置に関しては、上端が表示電極Ｘ，Ｙに近づき過
ぎないことが重要である。スクリーン印刷で蛍光体層を
形成する場合であっても、ペーストの調整によって適正
に蛍光体を配置することができる。フォトリソグラフィ
を用いる場合には形状を精密に制御することができる。
アドレス電極Ａについては、蛍光体層の背面側に配置す
る図示の形態および前面側の基板１１ｂに配置する形態
がある。また、基板１１ｂに放電ガス空間を区画する隔
壁を設けてもよい。
【００２６】以上の実施例においては、サンドブラスト
によって底面と側面とが滑らかにつながった溝１１１，
１１２が得られるので、表示電極Ｘ，Ｙの形成における
導電材料膜のステップカバレッジが良好となり、給電部
４２と放電部４３との間の断線が起こりにくい。
によって底面と側面とが滑らかにつながった溝１１１，
１１２が得られるので、表示電極Ｘ，Ｙの形成における
導電材料膜のステップカバレッジが良好となり、給電部
４２と放電部４３との間の断線が起こりにくい。
【００２７】上述の実施例において、表示電極Ｘ，Ｙの
うちの給電部４２のみについて、めっきにより導体を積
層し、表示電極Ｘ，Ｙの導電性を高めることができる。
うちの給電部４２のみについて、めっきにより導体を積
層し、表示電極Ｘ，Ｙの導電性を高めることができる。
【００２８】
【発明の効果】請求項１ないし請求項６の発明によれ
ば、面放電タイプと比べて表示放電が起こり易くなって
発光効率が高まるとともに、表示電極における放電に直
接に関与する主面の面積を選定することによって放電電
流を最適化することができる。また、表示電極間隙を面
放電タイプよりも拡げることができるので、十分に長い
陽光柱を生じさせて輝度を高め、かつ静電容量による無
駄な電力消費を低減することが可能となる。
ば、面放電タイプと比べて表示放電が起こり易くなって
発光効率が高まるとともに、表示電極における放電に直
接に関与する主面の面積を選定することによって放電電
流を最適化することができる。また、表示電極間隙を面
放電タイプよりも拡げることができるので、十分に長い
陽光柱を生じさせて輝度を高め、かつ静電容量による無
駄な電力消費を低減することが可能となる。
【００２９】請求項７または請求項８の発明によれば、
新規な構造をもつプラズマディスプレイパネルを製造す
ることができる。
新規な構造をもつプラズマディスプレイパネルを製造す
ることができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰのセル構造の模式図であ
る。
る。
【図２】表示電極の要部の構造を示す図である。
【図３】図１の３−３矢視断面の構造を示す図である。
【図４】図１の４−４矢視断面の構造を示す図である。
【図５】前面側製造工程の説明図である。
【図６】表示電極を配置する溝の第１例を示す図であ
る。
る。
【図７】表示電極を配置する溝の第２例を示す図であ
る。
る。
【図８】前面側製造工程の他の例の説明図である。
【図９】他のＰＤＰのセル構造の模式図である。
１１，２１，１１ｂ，２１ｂ ガラス基板
Ｘ，Ｙ 表示電極
４２ 給電部
４３ 放電部
３１ 放電ガス空間
１７ 絶縁体
１１９ 水平壁(隔壁）
１１１，１１２ 溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 井上 和則
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 5C027 AA10
5C040 FA01 FA04 GA02 GB03 GC04
GC12 GC19 GC20 GF02 GF03
JA07 JA17 LA05 MA03 MA12
MA20
Claims (8)
- 【請求項１】対向配置された第１および第２の基板によ
って外囲器が構成され、 前記第１の基板の内面上に表示電極が配列され、 前記表示電極のそれぞれが、一方向に並ぶ複数のセルに
跨る細長い給電部と、セルごとに前記給電部から電極配
列方向に張り出した複数の放電部とを有するパターニン
グされた導電膜であり、かつ前記放電部の先端が前記給
電部よりも前記第２の基板に近い立体構造をもち、 隣り合う表示電極の前記放電部どうしの間に放電ガス空
間が存在し、 前記表示電極は絶縁体で被覆されており、 隣り合う表示電極間に駆動電圧を印加したときに、互い
に対向する前記放電部どうしの間で最も放電が生じ易い
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】各表示電極において、前記放電部と前記放
電ガス空間との距離が前記給電部と前記放電ガス空間と
の距離よりも短い請求項１記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項３】対向配置された一対の基板によって外囲器
が構成され、 マトリクス表示の行の境界位置に行の全長にわたって基
板対の対向間隙を局部的に狭める隔壁が設けられ、 前記隔壁の上部に行の全長にわたる細長い溝が設けら
れ、 前記溝の底面をその全長にわたって覆いかつセルごとに
側面の一部を覆う導電膜が表示電極として設けられ、 隣り合う表示電極の前記放電部どうしの間に放電ガス空
間が存在し、 隣り合う表示電極間に駆動電圧を印加したときに、互い
に対向する前記溝の側面どうしの間で最も放電が生じ易
いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】前記表示電極を被覆しかつ前記溝を埋める
絶縁体を有する請求項３記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項５】前記表示電極は、平面視において、行の全
長にわたる帯部とセルごとに前記帯部から張り出した短
冊部とを有する形状にパターニングされている請求項３
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】前記溝の平面視形状は前記表示電極に一致
する形状である請求項５記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項７】基板に細長い溝の配列を形成する工程と、 前記溝の底面および側面を覆う導電膜を形成する工程
と、 前記導電膜をパターニングして表示電極の配列を形成す
る工程と、 前記表示電極を絶縁体で被覆する工程と、 前記基板における表示電極の配列間隙の部分を、前記表
示電極が露出しないように前記溝よりも深く削る工程と
を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】基板上に配置された誘電体層に細長い溝の
配列を形成する工程と、 前記溝の底面および側面を覆う導電膜を形成する工程
と、 前記導電膜をパターニングして表示電極の配列を形成す
る工程と、 前記表示電極を絶縁体で被覆する工程と、 前記誘電体層における表示電極の配列間隙の部分を、前
記表示電極が露出しないように前記溝よりも深く削る工
程とを有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074848A JP3753171B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR1020020086619A KR100899256B1 (ko) | 2002-03-18 | 2002-12-30 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074848A JP3753171B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272534A true JP2003272534A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3753171B2 JP3753171B2 (ja) | 2006-03-08 |
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ID=28035331
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|---|---|---|---|
| JP2002074848A Expired - Fee Related JP3753171B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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| WO2007029779A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| KR100739050B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100795676B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널 및 그 제조방법 |
| US7629747B2 (en) | 2004-10-21 | 2009-12-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel having specific electrode structure |
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| KR100647588B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2006-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 구비한 평판 표시 장치 |
| US7279837B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-10-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel comprising discharge electrodes disposed within opaque upper barrier ribs |
| KR20050110906A (ko) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100637466B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100658745B1 (ko) * | 2004-12-07 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동 방법 |
| KR100599630B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2006236975A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Samsung Sdi Co Ltd | ガス放電表示装置及びその製造方法 |
| KR100914111B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2009-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100740127B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| KR100686852B1 (ko) | 2005-12-15 | 2007-02-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시장치 |
| KR100751371B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR20070098061A (ko) * | 2006-03-30 | 2007-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3580461B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2004-10-20 | パイオニア株式会社 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
| JP3688114B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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-
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- 2002-03-18 JP JP2002074848A patent/JP3753171B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2003
- 2003-01-03 US US10/335,413 patent/US6833673B2/en not_active Expired - Fee Related
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