JP2003249711A

JP2003249711A - 光通信モジュール

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Publication number: JP2003249711A
Application number: JP2002049205A
Authority: JP
Inventors: Shigenobu Maruyama; 重信丸山; Kazutami Kawamoto; 和民川本; Hiroo Furuichi; 浩朗古市; Toru Yoshida; 亨吉田; Isamu Yoshida; 勇吉田; Katsuya Ono; 勝也大野; Osamu Yamada; 収山田; Masaru Ibe; 大井辺; Shigeru Tokita; 茂時田; Tarou Tonozuka; 太郎土濃塚
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-05
Anticipated expiration: 2022-02-26
Also published as: JP4015440B2

Abstract

(57)【要約】【課題】レセプタクル型光通信モジュールの伝送容量
を増加させること。【解決手段】キャンステムを貫通したセラッミック基
板上に、特性インピーダンスを約５０Ωに整合した高速
信号伝送配線と、該高速信号伝送配線の一端に半田接続
部を具備する送信用キャンパッケージ及び受信用キャン
パッケージのそれぞれの半田接続部と、該高速信号伝送
配線の一端に半田接続部を具備し、送受信モジュールの
周辺回路や通信制御回路を搭載すると共に、光通信モジ
ュールをマザーボードに接続するためのコネクタ部を備
えるプリント基板上の半田接続部との間を、特性インピ
ーダンスを約５０Ωに整合した高速信号伝送配線と、該
高速信号伝送配線の両端に半田接続部を備えたフレキシ
ブル配線基板で接続した構造の光通信モジュール。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信のためのレ
ーザ光を送受信する発光素子や受光素子を実装した光通
信モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信で使用される発光素子（レーザダ
イオード）や受光素子（フォトダイオード）は、レンズ
や必要な電子部品等と共に各種パッケージに収納され
る。各種パッケージの内、パッケージ内部の受発光素子
に対して外部から光ファイバを接続（挿抜）して使用す
るレセプタクル型光通信モジュールには、モジュールの
組立性や取り扱い性の観点から、キャンパッケージ構造
が採用されている。キャンパッケージの典型的な構造
は、特開平８−１１４７２８により開示されている。本
従来例では、コバール等の金属からなる円盤状のステム
上に受発光素子を搭載し、受発光素子の搭載面にコバー
ル等の金属からなる円筒状のキャップを溶接で固定し
て、内部に不活性ガスを充填・封止する。受発光素子の
リードピンはガラス材料によってステム穴に固定され、
ステムとは電気的に絶縁された状態でステムを貫通して
いる。キャップの中央部にはレンズがガラス封着されて
いる。この様に、キャンパッケージ内部を気密封止する
ことで、パッケージ外部の水分や酸素等の侵入を防ぎ、
受発光素子等の劣化や特性変動を抑制し、長期間にわた
る信頼性を確保している。

【０００３】レセプタクル型光通信モジュールは、上記
キャンパッケージと、電子部品を実装した回路基板（受
発光素子の周辺回路や通信制御回路）が１つの筐体に格
納され、更にキャンパッケージに対して外部から光ファ
イバを接続（挿抜）するためのレセプタクル型の光コネ
クタが前記筐体と一体構造となっている。レセプタクル
型光通信モジュール内部の構造例は、特開２００１−２
９８２１７により開示されている。本従来例は、電子部
品搭載領域とキャンパッケージ搭載領域を設けた１枚の
フレキシブルプリント基板を使用する点が特徴であり、
これにより光通信モジュール形状の小型化が図られてい
る。また、光通信モジュールをマザーボードに実装する
際、フレキシブルプリント基板を挟持するリードピンに
対して外力が発生しても、それがキャンパッケージとフ
レキシブルプリント基板との接続部に伝搬することはな
く、両者の電気的な接続の信頼性が損なわれることがな
い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記第１
・第２の従来例においては、ステムにリードピンを直接
貫通させた構造のキャンパッケージを使用しているた
め、ステムに設ける穴の直径が１ｍｍ程度となり、リー
ドピン数を増やすことが不可能である。そのため、レー
ザダイオードを駆動するドライバＬＳＩや、フォトダイ
オードの信号を増幅する増幅ＬＳＩをキャンパッケージ
内に収納できず、パッケージの外に設置せざるを得な
い。このことは、受発光素子とドライバＬＳＩや増幅Ｌ
ＳＩとの距離が長くなることを意味しており、高速信号
伝送への適用が困難であった。また、上記したリードピ
ン構造では、高速信号伝送配線の特性インピーダンス
（通常、５０±２Ωであり、これを約５０Ωという）の
マッチングを取ることが困難であった。そのため、キャ
ンパッケージの光モジュールは２．５Ｇｂｉｔ／ｓ以下
の通信に用いられているのが実状となっている。

【０００５】また上記第２の従来例においては、光通信
モジュールをマザーボードに実装する際、フレキシブル
回路基板を挟持するリードピンに外力が加わると、該リ
ードピンとフレキシブルプリント基板との接続部が破損
し、電気的な接続が得られなくなることで光通信モジュ
ールの性能が損なわれる恐れがある。更に、キャンパッ
ケージの放熱を考慮した実装構造となっていないため、
光通信モジュールを長時間使用した際に、キャンパッケ
ージの発熱によって通信性能が損なわれる恐れがある。

【０００６】本願に含まれる発明の目的の１は、キャン
パッケージの入出力信号配線（高速信号伝送配線）と受
発光素子の周辺回路や通信制御回路を実装した回路基板
との間を、高速信号伝送配線の特性インピーダンス（通
常約５０Ω）でマッチングすることにより、高速信号伝
送（１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上）を実現するレセプタクル型
光通信モジュールを提供することである。本願に含まれ
る発明の他の目的は、光通信モジュールをマザーボード
に実装する際に光通信モジュールに対して生じる外力
が、光通信モジュールの性能に影響を与えない構造のレ
セプタクル型光通信モジュールを提供することである。
本願に含まれる発明の他の目的は、光通信モジュールを
長時間連続使用した際に、キャンパッケージの発熱によ
って通信性能が損なわれることのない構造のレセプタク
ル型光通信モジュールを提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を解決する手段
として、以下の手段がある。キャンステムを貫通したセ
ラッミック基板上に、特性インピーダンスを約５０Ωに
整合した高速信号伝送配線と、該高速信号伝送配線の一
端に半田接続部を具備するキャンパッケージ（送信モジ
ュール）を実装した光通信モジュールによって達成され
る。またキャンステムを貫通したセラッミック基板上
に、特性インピーダンスを約５０Ωに整合した高速信号
伝送配線と、該高速信号伝送配線の一端に半田接続部を
具備するキャンパッケージ（受信モジュール）を実装し
た光通信モジュールによっても達成される。特性インピ
ーダンスを約５０Ωに整合した高速信号伝送配線と、該
高速信号伝送配線の両端に半田接続部を備えたフレキシ
ブル配線基板を実装した光通信モジュールによって達成
される。

【０００８】また上記は、特性インピーダンスを約５０
Ωに整合した高速信号伝送配線と、該高速信号配線から
の電磁波の輻射を抑制するためのシールド層と、該高速
信号伝送配線の両端に半田接続部を備えたフレキシブル
配線基板を実装した光通信モジュールによって達成され
る。また上記は、特性インピーダンスを約５０Ωに整合
した高速信号伝送配線と、該高速信号伝送配線の一端に
半田接続部を具備し、送受信モジュールの周辺回路や通
信制御回路を搭載するプリント基板を実装した光通信モ
ジュールによって達成される。

【０００９】上記は、特性インピーダンスを約５０Ωに
整合した高速信号伝送配線と、該高速信号伝送配線の一
端に半田接続部を具備し、送受信モジュールの周辺回路
や通信制御回路を搭載すると共に、光通信モジュールを
マザーボードに接続するためのコネクタ部を備えるプリ
ント基板を実装した光通信モジュールによって達成され
る。または、キャンステムを貫通したセラッミック基板
上に、特性インピーダンスを約５０Ωに整合した高速信
号伝送配線と、該高速信号伝送配線の一端に半田接続部
を具備する送信用キャンパッケージ及び受信用キャンパ
ッケージのそれぞれの半田接続部と、特性インピーダン
スを約５０Ωに整合した高速信号伝送配線と、該高速信
号伝送配線の一端に半田接続部を具備し、送受信モジュ
ールの周辺回路や通信制御回路を搭載すると共に、光通
信モジュールをマザーボードに接続するためのコネクタ
部を備えるプリント基板上の半田接続部との間を、特性
インピーダンスを約５０Ωに整合した高速信号伝送配線
と、該高速信号伝送配線の両端に半田接続部を備えたフ
レキシブル配線基板で接続した構造の光通信モジュール
によって達成される。

【００１０】送信モジュールに内蔵されたレーザダイオ
ードのドライバＬＳＩからの発熱を、送信モジュールの
金属ステムと、放熱ブロックを介して筐体に放熱する構
造とした光通信モジュールによって達成される。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本実施例で使用するレーザ
ダイオードを搭載した送信用モジュール１００の構造を
示す断面図である。図１（２）及び図１（３）はそれぞ
れ、図１（１）のＡ−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図であ
る。配線が形成されたセラミック基板１０３は、円盤状
のキャンステム１０１を貫いて固定されている。また金
属ステム１０４はキャンステム１０１の上面に配置・固
定されている。レーザダイオードキャリア１０５、レー
ザダイオード１０６、ドライバＬＳＩ１０７、モニタフ
ォトダイオード１０８、サーミスタ１０９、バイアス端
子用インダクタ１１０等は、金属ステム１０４の光軸と
平行な面上に配置・固定されている。キャンステム１０
１の上面には、キャンキャップ１１１を固定する。キャ
ンキャップ１１１の上面中央部にはレンズ１１２が固定
されている。

【００１２】次に個々の部分について詳細に説明する。
円盤状のキャンステム１０１はコバール等の金属製ステ
ムであり、予めセラミック基板１０３を貫通させるため
の基板貫通孔１０２が形成されている。セラミック基板
１０３はアルミナ、窒化アルミ等であり、電気回路とし
て必要な配線及びワイヤボンディング用電極（詳細は図
示せず）やモジュール外部との接続に必要な外部電極１
１３が形成してある。配線形成はタングステン等のペー
ストの印刷、焼成によるが、必要に応じてスルーホール
を形成し、多層配線基板とする。ワイヤボンディング用
電極や外部電極１１３のタングステン等の上にはＮｉ／
Ａｕめっきを施す。セラミック基板１０３の、基板貫通
孔１０２に於いて固定される部分には、その全周にタン
グステン／Ｎｉ／Ａｕのメタライズを形成し、基板貫通
孔１０２に於いて、キャンステム１０１と銀ロウ等で固
定する。なおセラミック基板の配線形成面には絶縁層１
２０（アルミナ）が設けられている。以上の様に、キャ
ンステム１０１とセラミック基板１０３との接続部の気
密性を確保する。

【００１３】金属ステム１０４は銅−タングステン合金
のように、熱伝導率が大きく（200W/(m・K)）、且つキ
ャンステム１０１のコバール及びセラミック基板１０３
のアルミナもしくは窒化アルミ等と熱膨張係数が同等
（5〜7x10^-6/℃）の金属から成り、キャンステム１０１
に銀ロウ等で固定する。銅−タングステン合金の金属ス
テム１０４は、後述するドライバＬＳＩ１０７の発熱を
キャンステム１０１へ効率よく伝導して逃がす作用を果
たす。レーザダイオードキャリア１０５は、金属ステム
１０４の光軸と平行な面上に搭載されている。この搭載
は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによっ
て行う。レーザダイオードキャリア１０５は、窒化アル
ミ等のセラミック基板であり、インピーダンス整合抵抗
１２１が形成されている。インピーダンス整合抵抗１２
１は、例えば、レーザダイオードキャリア１０５上に形
成されたニッケル−クロム等の薄膜抵抗もしくは、チッ
プ抵抗等を用いる。レーザダイオード１０６はこのレー
ザダイオードキャリア１０５に搭載する。この搭載は、
例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行
う。レーザダイオード１０６の信号光はレンズ１１２方
向に発せられ、その発光中心は円盤状のキャンステム１
０１の中心に位置するように金属ステム１０４、レーザ
ダイオードキャリア１０５及び、レーザダイオード１０
６の位置が決定される。インピーダンス整合抵抗１２１
が不要の場合は、レーザダイオードキャリア１０５を用
いないで、レーザダイオード１０６を直接金属ステム１
０４に搭載しても良い。

【００１４】レーザダイオード１０６を駆動するドライ
バＬＳＩ１０７は、レーザダイオードキャリア１０５の
できるだけ近くの金属ステム１０４上に搭載した。この
搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるはんだ付
けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によって行
う。本実施例では、ドライバＬＳＩ１０７の端子数は１
７本であり、前記したようにセラミック基板１０３をキ
ャンステム１０１に貫通させる構造を採用する事によっ
て、ドライバＬＳＩ１０７をレーザダイオード１０６の
近くに設置して、且つ１７本の配線１１４をキャン外部
に取り出すことができた。なお図中では、説明の簡略化
のために、配線１１４を８本で表現している。

【００１５】モニターフォトダイオード１０８は、予め
モニターフォトダイオードキャリア１２２に搭載され、
その受光面がレーザダイオード１０６の後方発光を受光
できる位置に配置される。モニターフォトダイオード１
０８のモニターフォトダイオードキャリア１２２への搭
載および、モニターフォトダイオードキャリア１２２の
金属ステム１０４への搭載は、例えば、金−すず、すず
−銀等のはんだ付けによって行う。モニターフォトダイ
オードキャリア１２２には、モニターフォトダイオード
１０８搭載面及び、セラミック基板１０３表面と平行な
面に配線が形成されている。

【００１６】レーザダイオード１０６の温度をモニタす
るサーミスタ１０９は、金属ステム１０４との電気絶縁
をとるために窒化アルミ等のサーミスタキャリア１２３
に搭載し、サーミスタキャリア１２３をレーザダイオー
ド１０６近傍の金属ステム１０４上に配置する。サーミ
スタ１０９のサーミスタキャリア１２３への搭載およ
び、サーミスタキャリア１２３の金属ステム１０４への
搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けに
よって行う。サーミスタ１０９は、レーザダイオードキ
ャリア１０５に搭載しても良い。更に本実施例では、レ
ーザダイオード１０６のバイアス電位を与えるための端
子に、レーザダイオード１０６の高周波駆動信号がバイ
アス端子から外部に漏れ出すことを防ぐためのインダク
タ１１０を、セラミック基板１０３上に搭載した。イン
ダクタ１１０のセラミック基板１０３への搭載は、例え
ば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。
上記した各部品は、ワイヤボンディングやリボンボンデ
ィングにより、電気的に接続される。

【００１７】一方、円筒形状のキャンキャップ１１１
は、コバール等のキャンステム１０１と同じ材料で成形
されたものであり、その上面中央部は開口されて、レン
ズ１１２がガラス封着される。本実施例ではレンズ１１
２として、レーザダイオード１０６からのレーザ光と、
これを受ける光ファイバ（図示せず）との光結合効率を
高く取る目的で、球面収差の少ない非球面レンズを用い
たが、レーザ光パワーが十分に大きい場合はより低価格
のボールレンズを用いても良い。キャンキャップ１１１
は、レーザダイオード１０６の発光中心とレンズ１１２
の中心が一致するように、キャンステム１０１に取り付
ける。その方法は、例えばキャンキャップ１１１をキャ
ンステム１０１に重ねた状態で、レーザダイオード１０
６を発光させ、レンズ１１２から出射するレーザ光パワ
ーを測定しながら、キャンステム１０１上でのキャンキ
ャップ１１１の最適位置を求め、キャンキャップ１１１
とキャンステム１０１とを抵抗溶接法でリング状に溶接
する。また、レンズ１１２をキャンモジュールの外部に
取り付けるような構成を用いる場合は、キャンキャップ
１１１の上面中央部開口にはガラス板（図示せず）を取
り付けても良い。この時、要求信頼度によっては必ずし
も気密封止に限定せず、接着剤などを用いた非気密性の
封止であっても良い。

【００１８】図２は図１に示したセラッミック基板１０
３上の外部電極１１３の説明図である。セラミック基板
１０３上の高速信号伝送配線１１５〜１１９はコプレナ
構造となっており、信号配線である差動信号配線１１６
及び１１８の２本から成り、お互いに正負の符号が反転
した信号を伝送させる。この差動信号伝送方式により、
信号のエネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制する
ことができる。差動信号配線１１６及び１１８の両側及
び、配線間にはグランド配線１１５、１１７、１１９を
形成した。高速信号伝送配線１１５〜１１９の配線幅Ｌ
１０１〜Ｌ１０５と配線間隔Ｓ１０１〜Ｓ１０４は、セ
ラミック基板１０３の厚さｔ１と誘電率、並びに高速信
号伝送配線１１５〜１１９の材料であるタングステンの
膜厚（図示せず）と導電率をパラメータとして決定され
たもので、配線の特性インピーダンスとして約５０Ω
（通常、５０±２Ωであり、以後これを約５０Ωとい
う）が得られる関係に調節されている。また、高速信号
伝送配線１１５〜１１９には、セラミック基板１０３の
端部において、後述するフレキシブル配線基板と半田接
続を行うための接続部Ｃ１が設けられている。接続部Ｃ
１における高速信号伝送配線１１５〜１１９の配線幅Ｌ
１０６〜Ｌ１１０と配線間隔Ｓ１０５〜Ｓ１０８につい
ては、接続部Ｃ１以外の領域とは異なる設計となってい
る。接続部Ｃ１における配線幅Ｌ１０６〜Ｌ１１０と配
線間隔Ｓ１０５〜Ｓ１０８については、セラミック基板
１０３の厚さｔ１と誘電率、並びに高速信号伝送配線１
１５〜１１９の材料であるタングステンの膜厚（図示せ
ず）と導電率、並びに後述するフレキシブル基板との接
続に使用する半田の物性値や、フレキシブル基板を構成
する配線や誘電体の物性値等を考慮して決定されてお
り、フレキシブル基板との接続が行われた時点で接続部
Ｃ１における配線の特性インピーダンスが約５０Ωとな
る関係に調節されている。

【００１９】図３は本実施例で使用するフォトダイオー
ドを搭載した受信用モジュール２００の構造を示す断面
図である。図３（２）及び図３（３）はそれぞれ、図３
（１）のＡ−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図である。図３
では、フォトダイオードの機能を果たす素子として、フ
ォトダイオード及びプリアンプを一体化したＯＥＩＣ
（Ｏｐｔｏ−ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩＣ）を用いた。
先ず、全体構造を説明する。配線が形成されたセラミッ
クブロック２０３は、円盤状のキャンステム２０１のセ
ラミックブロック貫通孔２０４を貫いて固定されてい
る。ＯＥＩＣ２０５は、セラミックブロック２０３の光
軸と垂直あるいは斜めに交わるＯＥＩＣ搭載面２０２上
に搭載されている。更にＯＥＩＣ搭載面２０２上には、
ＯＥＩＣ２０５の近傍に、ＯＥＩＣ２０５の電源電圧を
安定化させるためのコンデンサ２０６を配置する。キャ
ンステム２０１の上面には、キャンキャップ２０７を固
定する。キャンキャップ２０７の上面中央部にはレンズ
２０８が固定されている。

【００２０】次に個々の部分について詳細に説明する。
円盤状のキャンステム２０１はコバール等の金属製ステ
ムであり、予めセラミックブロック２０３を貫通させる
ためのセラミックブロック貫通孔２０４が形成されてい
る。セラミックブロック２０３はアルミナ、窒化アルミ
等であり、電気回路として必要な配線及びワイヤボンデ
ィング用電極やモジュール外部との接続に必要な外部電
極２０９が形成してある。配線形成はタングステン等の
ペーストの印刷、焼成によって形成し、フォトダイオー
ド搭載面２０２上の配線と外部電極形成面上の配線２１
０〜２１３とは、上記両面の交わる線の部分において接
続されている。即ちセラミックブロック２０３の配線
は、セラミックブロック２０３の表面のみに形成する。
ワイヤボンディング用電極や外部電極２０９にはタング
ステン等の上にＮｉ／Ａｕめっきを施す。なお、セラミ
ック基板１０３の材料としては、上述した他に、ムライ
ト、ガラスセラミック等を用いてもよい。あるいは、ジ
ルコニアガラス等の誘電体材料を使用することも可能で
ある。

【００２１】セラミックブロック２０３の、ブロック貫
通孔２０４に於いて固定される部分には、絶縁層２１４
（アルミナ）を設け、絶縁層２１４の表面を含めてセラ
ミックブロック２０３の全周（ブロック貫通孔３５との
固定部分）にタングステン／Ｎｉ／Ａｕのステム接合用
メタライズを形成し、銀ロウ等でキャンステム２０１と
固定する。以上の様に、キャンステム２０１とセラミッ
クブロック２０３との接続部の気密性を確保する。

【００２２】ＯＥＩＣ２０５のＯＥＩＣ搭載面２０２へ
の搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付け
もしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によって行う。
なおＯＥＩＣ２０５に内蔵されているフォトダイオード
２１５の受光面の中心が円盤状のキャンステム２０１の
中心に位置するように、セラミックブロック２０３及
び、ＯＥＩＣ２０５の位置が決定される。また図３で
は、フォトダイオード及びプリアンプを一体化したＯＥ
ＩＣ２０５及び、特性インピーダンスを約５０Ωに整合
させた信号配線２１２を用いて、低ノイズで高速な信号
伝送が実現した。なお、信号配線２１２の両側にはグラ
ンド配線２１１及び２１３が配置されている。ＯＥＩＣ
２０５に対して電源等を供給する目的の配線２１０は２
本で、信号配線２１１〜２１３と合わせて合計５本の配
線をキャン外部に取り出している。ＯＥＩＣ２０５の信
号配線を作動伝送とした場合等、キャン外部により多く
の配線を取り出す必要性が生じた場合でも、本構造の受
信モジュールであれば容易に対応することができる。Ｏ
ＥＩＣ２０５はキャン内部においてワイヤボンディング
やリボンボンディングにより、配線に接続されている。

【００２３】一方、円筒形状のキャンキャップ２０７
は、コバール等のキャンステム２０１と同じ材料で成形
されたものであり、その上面中央部は開口されて、レン
ズ２０８がガラス封着される。図３では、レンズ１２と
して低価格なボールレンズを用いたが、必要とする性能
に応じてより高性能な非球面レンズ等を用いても良い。
キャンキャップ２０７は、ＯＥＩＣ２０５に内蔵されて
いるフォトダイオード２１５の受光面の中心とレンズ２
０８の中心が一致するように、キャンステム２０１に取
り付ける。その方法は、例えばキャンキャップ２０７を
キャンステム２０１に重ねた状態で、外部からレーザー
光をレンズ２０８を介してフォトダイオード２１５に導
き、フォトダイオード２１５の受光パワーを測定しなが
ら、キャンステム２０１上でのキャンキャップ２０７の
最適位置を求め、キャンキャップ２０７とキャンステム
２０１とを抵抗溶接法でリング状に溶接する。また、レ
ンズ２０８をキャンモジュール２００と切り離して取り
付けるような構成を用いる場合は、キャンキャップ２０
７の上面中央部開口にはガラス板（図示せず）を取り付
けても良い。この時、要求信頼度によっては必ずしも気
密封止に限定せず、接着剤などを用いた非気密性の封止
であっても良い。

【００２４】図４は図２に示したセラッミックブロック
２０３上の外部電極２０９の説明図である。セラミック
ブロック２０３上の高速信号伝送配線２１１〜２１３は
コプレナ構造になっており、信号配線２１２と、そのの
両側のグランド配線２１１、２１３で構成されている。
高速信号伝送配線２１１〜２１３の配線幅Ｌ２０１〜Ｌ
２０３と配線間隔Ｓ２０１、Ｓ２０２は、セラミックブ
ロック２０３の厚さｔ２と誘電率、並びに高速信号伝送
配線２１１〜２１３の材料であるタングステンの膜厚
（図示せず）と導電率をパラメータとして決定されたも
ので、配線の特性インピーダンスとして約５０Ωが得ら
れる関係に調節されている。また、高速信号伝送配線２
１１〜２１３には、セラミックブロック２０３の端部に
おいて、後述するフレキシブル配線基板と半田接続を行
うための接続部Ｃ２が設けられている。接続部Ｃ２にお
ける高速信号伝送配線２１１〜２１３の配線幅Ｌ２０４
〜Ｌ２０６と配線間隔Ｓ２０３、Ｓ２０４については、
接続部Ｃ２以外の領域とは異なる設計となっている。接
続部Ｃ２における配線幅Ｌ２０４〜Ｌ２０６と配線間隔
Ｓ２０３、Ｓ２０４については、セラミックブロック２
０３の厚さｔ２と誘電率、並びに高速信号伝送配線２１
１〜２１３の材料であるタングステンの膜厚（図示せ
ず）と導電率、並びに後述するフレキシブル基板との接
続に使用する半田の物性値や、フレキシブル基板を構成
する配線や誘電体の物性値等を考慮して決定されてお
り、フレキシブル基板との接続が行われた時点で接続部
Ｃ２における配線の特性インピーダンスが約５０Ωとな
る関係に調節されている。

【００２５】図５は、図１の送信モジュール１００を格
納した送信光学系モジュール３０１の構造を示した説明
図である。ステンレス製の数点の構成部品から成るケー
ス３０２には、送信モジュール１００のレンズ１１２か
ら出射されるレーザ光を導光するためのファイバキャピ
ラリ３０４と、ファイバキャピラリ３０４に入射するレ
ーザ光の反射を防止するためのアイソレータ３０３と、
送信モジュール１００が一体化された構造となってい
る。ケース３０２の構成部品と送信モジュール１００
は、全て溶接により接続されるが、最終的に送信モジュ
ール１００のレンズ１１２から出射されるレーザ光が、
ファイバキャピラリ３０４の中心部のコア３０５に最も
効率良く入射するように位置決めされた上で、送信モジ
ュール１００をケース３０２に溶接・固定する。この位
置決めは、セラミック基板１０３上の配線１１４にレー
ザダイオードを点灯させる為の疑似信号を入力した上
で、ファイバキャピラリ３０５によって導光・出射され
るレーザ光（図示せず）の強度を、別途設けたパワーメ
ータ等（図示せず）でモニタしながら実施する。送信モ
ジュール１００とファイバキャピラリ３０５によって封
止されたケース３０２の内部空間は、不活性ガスが充填
されている。

【００２６】図６は、図３の受信モジュール２００を格
納した受信光学系モジュール３０６の構造を示した説明
図である。ステンレス製の数点の構成部品から成るケー
ス３０７には、受信モジュール３０６の外側から入射す
るレーザ光（図示せず）を導光するためのファイバキャ
ピラリ３０８と、受信モジュール２００が一体化された
構造となっている。ケース３０７の構成部品と受信モジ
ュール２００は、全て溶接により接続されるが、最終的
に受信モジュール２００内部のフォトダイオードが、フ
ァイバキャピラリ３０８の中心部のコア３０９から出射
されるレーザ光をレンズ２０８を介して最も効率良く検
出するように位置決めされた上で、受信モジュール２０
０をケース３０７に溶接・固定する。この位置決めは、
セラミック基板２０３上の配線２１０にフォトダイオー
ドを動作させる為の電圧を印加した上で、受信光学系モ
ジュール３０６の外部からレーザ光をファイバキャピラ
リ３０８のコア３０９に入射させ、受信モジュール２０
０内部のフォトダイオードの検出信号をセラミック基板
２０３上の信号配線２１１〜２１３で検出しながら調節
する。受信モジュール２００とファイバキャピラリ３０
８によって封止されたケース３０７の内部空間は、不活
性ガスが充填されている。

【００２７】図７は送受信機能を備えた、レセプタクル
型光通信モジュール（トランシーバモジュール）の実装
構造を示した説明図である。（１）は平面図（一部断面
図）、（２）は（１）のＡ−Ａ’断面図、（３）は
（１）のＢ−Ｂ’断面図である。本光通信モジュール
は、送信モジュール１００を内蔵した送信光学系モジュ
ール３０１と、受信モジュール２００を内蔵した受信光
学系モジュール３０６と、両光学系モジュールの制御回
路を実装したフ゜リント基板６００と、送受信光学系モジュ
ールに対して外部から光ファイバを接続すするためのレ
セプタクル部６０２が１つの筐体６０１に格納された構
成である。プリント基板６００にはコネクタ部６３０が
形成されており、複数の光通信通信モジュールを１枚の
マザーボード（図示せず）上に設たコネクタ勘合部に挿
入して使用することができる。コネクタ部６３０には、
マザーボードからプリント基板６００に電源を供給した
り、両者間で信号のやりとりを行うための配線６３１が
設けられている。配線６３１は銅製で、その表面には金
メッキが施されている。

【００２８】レセプタクル部６０２では、スリーブ６０
９により送受信光学系モジュールのファイバキャピラリ
の外形が拘束されており、光通信モジュールの外部から
送受信側にそれぞれ挿入されるコネクタ先端のファイバ
キャピラリ（図示せず）が、スリーブ６０９内に圧入さ
れることで、光量ロスを抑えた光結合を実現している。

【００２９】図８はプリント基板６００上に設けられた
配線パターンの説明図である。図８（１）は送信光学系
側３０１側の配線パターンの説明図である。プリント基
板６００上の高速信号伝送配線６１１〜６１５はコプレ
ナ構造で、信号配線である差動信号配線６１２及び６１
４の２本から成り、お互いに正負の符号が反転した信号
を伝送させる。この差動信号伝送方式により、信号のエ
ネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制することがで
きる。差動信号配線６１２及び６１４の両側及び、配線
間にはグランド配線６１１、６１３、６１５を形成し
た。高速信号伝送配線６１１〜６１５の配線幅Ｌ３０１
〜Ｌ３０５と配線間隔Ｓ３０１〜Ｓ３０４は、プリント
基板６００の厚さと誘電率、並びに高速信号伝送配線６
１１〜６１５の材料である銅の膜厚（図示せず）と導電
率をパラメータとして決定されたもので、配線の特性イ
ンピーダンスとして約５０Ωが得られる関係に調節され
ている。また、高速信号伝送配線６１１〜６１５には、
プリント基板６００の端部において、後述するフレキシ
ブル配線基板と半田接続を行うための接続部Ｃ３が設け
られている。接続部Ｃ３における高速信号伝送配線６１
１〜６１５の配線幅Ｌ３０６〜Ｌ３１０と配線間隔Ｓ３
０５〜Ｓ３０８については、接続部Ｃ３以外の領域とは
異なる設計となっている。接続部Ｃ３における配線幅Ｌ
３０６〜Ｌ３１０と配線間隔Ｓ３０５〜Ｓ３０８につい
ては、プリント基板６００の厚さと誘電率、並びに高速
信号伝送配線６１１〜６１５の材料である銅の膜厚（図
示せず）と導電率、並びに後述するフレキシブル基板と
の接続に使用する半田の物性値や、フレキシブル基板を
構成する配線や誘電体の物性値等を考慮して決定されて
おり、フレキシブル基板との接続が行われた時点で接続
部Ｃ１における配線の特性インピーダンスが約５０Ωと
なる関係に調節されている。配線６１０は、送信モジュ
ール１００内部に格納されているレーザダイオードの制
御信号線である。

【００３０】図８（２）はプリント基板６００上に設け
られた受信光学系３０６側の配線パターンの説明図であ
る。プリント基板６００上の高速信号伝送配線６２１〜
６２３はコプレナ構造で、信号配線６２２と、その両側
のグランド配線６２１、６２３で構成されている。高速
信号伝送配線６２１〜６２３の配線幅Ｌ４０１〜Ｌ４０
３と配線間隔Ｓ４０１、Ｓ４０２は、プリント基板６０
０の厚さと誘電率、並びに高速信号伝送配線６２１〜６
２３の材料である銅の膜厚（図示せず）と導電率をパラ
メータとして決定されたもので、配線の特性インピーダ
ンスとして約５０Ωが得られる関係に調節されている。
また、高速信号伝送配線６２１〜６２３には、プリント
基板６００の端部において、後述するフレキシブル配線
基板と半田接続を行うための接続部Ｃ４が設けられてい
る。接続部Ｃ４における高速信号伝送配線６２１〜６２
３の配線幅Ｌ４０４〜Ｌ４０６と配線間隔Ｓ４０３、Ｓ
４０４については、接続部Ｃ４以外の領域とは異なる設
計となっている。接続部Ｃ４における配線幅Ｌ４０４〜
Ｌ４０６と配線間隔Ｓ４０３、Ｓ４０４については、プ
リント基板６００の厚さと誘電率、並びに高速信号伝送
配線６２１〜６２３の材料である銅の膜厚（図示せず）
と導電率、並びに後述するフレキシブル基板との接続に
使用する半田の物性値や、フレキシブル基板を構成する
配線や誘電体の物性値等を考慮して決定されており、フ
レキシブル基板との接続が行われた時点で接続部Ｃ４に
おける配線の特性インピーダンスが約５０Ωとなる関係
に調節されている。配線６２０は、受信モジュール２０
０内部に格納されたフォトダイオードに電源等を供給す
るための配線である。

【００３１】図７で説明した通り、送信光学系モジュー
ル３０１、並びに受信光学系モジュール３０６は、レセ
プタクル部６０２のコネクタ６０３〜６０５、並びに６
０６〜６０８の実装位置を基準として筐体６０１内に固
定されている。一方で、プリント基板６００は、筐体６
０１内部の所定位置にネジで固定される。送信光学系モ
ジュール３０１側のセラミック基板１０３とプリント基
板６００、並びに受信光学系モジュール３０６側のセラ
ミックブロック２０３とプリント基板６００を直接接続
させる為には、セラミク基板１０３、セラミックブロッ
ク２０３、プリント基板６００の平行度や直交度を精密
に一致させることが必要となり、光通信モジュールの組
立コストが増大する。仮に直接接続が実現したとして
も、光通信モジュールをマザーボード（図示せず）に実
装する場合、プリント基板６００のコネクタ部６３０に
外力が加わってしまうため、セラミック基板１０３とプ
リント基板６００の接続部、及びセラミクブロック２０
３とプリント基板６００の接続部に前記外力が伝搬し、
接続部の信頼性が損なわれてしまう。

【００３２】本発明では、送信光学系モジュール３０１
側のセラミック基板１０３とプリント基板６００の実装
位置関係のずれを吸収する目的で、送信光学系モジュー
ル３０１側のセラミック基板１０３上の接続部Ｃ１とプ
リント基板６００上の接続部Ｃ３を、高速信号（１０Ｇ
ｂｉｔ／ｓ以上）を伝送することが可能な専用のフレキ
シブル配線基板４００で電気的に接続する。同様に受信
光学系モジュール３０６側のセラミックブロック２０３
上の接続部Ｃ２とプリント基板６００上の接続部Ｃ４に
ついても、高速信号（１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上）を伝送す
ることが可能な、専用のフレキシブル配線基板５００で
電気的に接続する。

【００３３】図９は送信光学系モジュール３０１側に用
いるフレキシブル配線基板の説明図である。（１）は平
面図、（２）は正面図、（３）はフレキシブル配線基板
４００の任意の配線の断面図（配線の方向と平行）であ
り、全ての配線は同一の断面構造となっている。フレキ
シブル配線基板４００には、膜厚ｔ３（本実施例では約
３０μm）の配線４０１〜４０６（本実施例では銅）が
形成されており、その上下に誘電体層４０７（本実施例
ではポリイミド）をｔ４（本実施例では約５０μm）、
ｔ５（本実施例では約５０μm）だけ積層した構造であ
る。配線４０１〜４０６の材料としては銅の他に、Ｎｉ
Ｃｒ、Ａｌ（Ｗ、Ｂｅ）、Ｐｔ、Ａｕ等の材料、あいは
これらを組み合わせた材料を使用することができる。高
速信号伝送配線４０１〜４０５はコプレナ構造で、信号
配線である差動信号配線４０２及び４０４の２本から成
り、お互いに正負の符号が反転した信号を伝送させる。
この差動信号伝送方式により、信号のエネルギーロス及
び外部への不要輻射を抑制することができる。差動信号
配線４０２及び４０４の両側及び、配線間にはグランド
配線４０１、４０３、４０５を形成した。高速信号伝送
配線４０１〜４０５の配線幅Ｌ５０１〜Ｌ５０５と配線
間隔Ｓ５０１〜Ｓ５０４は、配線４０１〜４０６の上下
に積層されている誘電体層４０７の膜厚ｔ４、ｔ５及び
誘電率と、高速信号伝送配線４０１〜４０５の材料であ
る銅の膜厚ｔ３と導電率をパラメータとして決定された
もので、配線の特性インピーダンスとして約５０Ωが得
られる関係に調節されている。本実施例では、配線４０
１〜４０５の幅Ｌ５０１〜Ｌ５０５が約２００μm、配
線間隔Ｓ５０１〜５０４は約１００μmである。配線４
０６は送信モジュール１００内部に格納されているレー
ザダイオードの制御信号線であり直流信号の伝送が主と
なるため、配線４０６の幅と配線４０６どうしの間隔に
ついては配線の特性インピーダンスを考慮する必要がな
い。フレキシブル配線基板の全長は約１５ｍｍ、全幅は
約８ｍｍである。

【００３４】フレキシブル配線基板４００の両端には、
送信光学系モジュール３０１側のセラミック基板１０３
上の接続部Ｃ１との接続部Ｃ５と、プリント基板６００
上の接続部Ｃ３との接続部Ｃ６が設けられている。フレ
キシブル基板４００の両端の接続部Ｃ５及びＣ６の配線
４０１〜４０６上には、２０μm程度の厚さの半田メッ
キ４０１’〜４０６’及び４０１’’〜４０６’’が形
成されている。

【００３５】図１０はフレキシブル基板４００の両端に
設けられた接続部の構造を示した図である。（１）は接
続部Ｃ５、（２）は接続部Ｃ６の説明図である。接続部
Ｃ５における高速信号伝送配線４０１〜４０５の配線幅
Ｌ１０６〜Ｌ１１０と配線間隔Ｓ１０５〜Ｓ１０８につ
いては、接続部Ｃ５以外の領域とは異なる設計となって
いる。接続部Ｃ５における配線幅Ｌ１０６〜Ｌ１１０と
配線間隔Ｓ１０５〜Ｓ１０８については、送信光学系モ
ジュール３０１側のセラミック基板１０３の厚さｔ１と
誘電率、並びにセラミック基板１０３上に形成された高
速信号伝送配線１１５〜１１９の材料であるタングステ
ンの膜厚（図示せず）と導電率、並びにフレキシブル配
線基板４００の配線４０１〜４０５の膜厚ｔ３と伝導
率、並びにフレキシブル配線基板４００の誘電体層４０
７の膜厚ｔ４、ｔ５と誘電率、並びに接続部Ｃ５に形成
された半田４０１’〜４０５’の膜厚と伝導率を考慮し
て決定されており、セラミック基板１０３上の接続部Ｃ
１とフレキシブル基板４００の接続部Ｃ５が半田４０
１’〜４０５’により接続された状態で、接続部Ｃ５に
おける配線の特性インピーダンスが約５０Ωとなる関係
に調節されている。なお、セラミック基板１０３上の接
続部Ｃ１における高速信号伝送配線１１５〜１１９と、
フレキシブル配線基板４００の接続部Ｃ５における高速
信号伝送配線４０１〜４０５は、それぞれ対応する配線
どうしの幅Ｌ１０６〜Ｌ１０９と配線間隔Ｓ１０５〜Ｓ
１０８の寸法が同一となっている。

【００３６】フレキシブル配線基板４００の接続部Ｃ６
における高速信号伝送配線４０１〜４０５の配線幅Ｌ３
０６〜Ｌ３１０と配線間隔Ｓ３０５〜Ｓ３０８について
は、接続部Ｃ６以外の領域とは異なる設計となってい
る。接続部Ｃ５における配線幅Ｌ３０６〜Ｌ３１０と配
線間隔Ｓ３０５〜Ｓ３０８については、プリント基板６
００の厚さと誘電率、並びにプリント基板６００上に形
成された高速信号伝送配線６２１から６２３の材料であ
る銅の膜厚（図示せず）と導電率、並びにフレキシブル
配線基板４００の配線４０１〜４０５の膜厚ｔ３と伝導
率、並びにフレキシブル配線基板４００の誘電体層４０
７の膜厚ｔ４、ｔ５と誘電率、並びに接続部Ｃ６に形成
された半田４０１’’〜４０５’’の膜厚と伝導率を考
慮して決定されており、プリント基板６００上の接続部
Ｃ４とフレキシブル基板４００の接続部Ｃ６が半田４０
１’’〜４０５’’により接続された状態で、接続部Ｃ
６における配線の特性インピーダンスが約５０Ωとなる
関係に調節されている。なお、プリント基板６００上の
接続部Ｃ４における高速信号伝送配線６２１〜６２３
と、フレキシブル配線基板４００の接続部Ｃ６における
高速信号伝送配線４０１〜４０５は、それぞれ対応する
配線どうしの幅Ｌ３０６〜Ｌ３０９と配線間隔Ｓ３０５
〜Ｓ３０８の寸法が同一となっている。

【００３７】図１１は、図９及び図１０に示したフレキ
シブル配線基板４００を用いて、送信光学系モジュール
３０１側のセラミック基板１０３上の接続部Ｃ１と、プ
リント基板６００上の接続部Ｃ３が接続された第１の実
施例を示した説明図である。図１１（１）は平面図、
（２）は側面図である。フレキシブル基板４００の接続
手順としては、光通信モジュールの筐体６０１の内部に
送信光学系モジュール３０１と、受信光学系モジュール
３０６と、プリント基板６００の全てを格納・固定した
後に、フレキシブル基板４００の接続部Ｃ５とセラミッ
ク基板１０３の接続部Ｃ１との位置関係を図示しないハ
ンドリング機構により調節し、図示しない加熱装置を用
いてフレキシブル基板４００側から加熱し、接続部の半
田４０１’〜４０５’を溶融させて接続部Ｃ５とＣ１を
接続する。その後、フレキシブル基板４００の接続部Ｃ
６とプリント基板６００の接続部Ｃ３との位置関係を図
示しないハンドリング機構により調節し、図示しない加
熱装置を用いてフレキシブル基板４００側から加熱し、
接続部の半田４０１’’〜４０５’’を溶融させて接続
部Ｃ６とＣ３を接続する。セラミック基板１０３とプリ
ント基板６００との間隔ｄは約８ｍｍである。

【００３８】以上の様に、送信光学系３０１とプリント
基板６００との間の信号の接続をフレキシブル配線基板
４００で行うことで、光通信モジュール内における送信
光学系３０１とプリント基板６００との相対的な位置関
係にばらつきが生じても、常に一定の条件で安定した接
続が可能となる。また、品種等の差異によって、セラミ
ック基板１０３の厚さｔ１や、プリント基板６００の厚
さｔ６や、セラミック基板１０３とプリント基板６００
間の距離ｄまたはそれぞれの基板上における接続部の高
さの違いｈ等が変動しても、同一のフレキシブル配線基
板４００を使用して信頼性の高い接続が実現する。更
に、フレキシブル配線基板の接続部Ｃ５に使用される半
田４０１’〜４０５’と、接続部Ｃ６に使用される半田
４０１’’〜４０５’’については、例えばすず・銀等
の組成を変える等の手法で半田の融点に１０゜Ｃ〜２０
゜Ｃ程度の違いを設けておき、接続の手順の早い方に高
融点半田を用いれば、一方の（接続が終了した）半田が
他方の加熱時の熱伝導で溶融する等と言った不具合を防
止できる。

【００３９】なおここまでは、送信光学系モジュール３
０１とプリント基板６００の接続について述べてきた
が、受信光学系モジュール３０６とプリント基板６００
の接続時には、フレキシブル基板５００を使用する。フ
レキシブル基板５００の構造は、フレキシブル基板の配
線の本数や高速信号伝送配線の配線幅・配線間隔が異な
るのみで、高速信号伝送配線の特性インピーダンスを約
５０Ωに整合させる為の基本的な考え方は、フレキシブ
ル基板４００を例として説明した場合と全く同一となる
為、説明を割愛する。

【００４０】図１２は、図９及び図１０に示したフレキ
シブル配線基板４００を用いて、送信光学系モジュール
３０１側のセラミック基板１０３上の接続部Ｃ１と、プ
リント基板６００上の接続部Ｃ３が接続された第２の実
施例を示した説明図である。図１２（１）は平面図、
（２）は側面図である。本実施例で使用するフレキシブ
ル基板４００の全長は２５ｍｍであり、フレキシブル基
板４００を予め台形型にフォーミングして（折り曲げ
て）用いている。フレキシブル基板４００の接続手順と
しては、光通信モジュールの筐体６０１の内部に送信光
学系モジュール３０１と、受信光学系モジュール３０６
と、プリント基板６００の全てを格納・固定した後に、
フレキシブル基板４００の接続部Ｃ５とセラミック基板
１０３の接続部Ｃ１との位置関係を図示しないハンドリ
ング機構により調節し、図示しない加熱装置を用いてフ
レキシブル基板４００側から加熱し、接続部の半田４０
１’〜４０５’を溶融させて接続部Ｃ５とＣ１を接続す
る。その後、フレキシブル基板４００の接続部Ｃ６とプ
リント基板６００の接続部Ｃ３との位置関係を図示しな
いハンドリング機構により調節し、図示しない加熱装置
を用いてフレキシブル基板４００側から加熱し、接続部
の半田４０１’’〜４０５’’を溶融させて接続部Ｃ６
とＣ３を接続する。セラミック基板１０３とプリント基
板６００との間隔ｄは約８ｍｍである。

【００４１】本実施例によれば、前記第１の実施例で説
明した利点の他に、接続終了後のフレキシブル配線基板
４００の形状に起因して接続部（半田）に加わる応力を
緩和することが可能である。即ち、前記第１の実施例で
は、接続が終了したフレキシブル基板４００の弓形の形
状の影響で、どちらか一方の接続部（半田）のみに応力
が集中する可能性があり、接続部の信頼性が損なわれる
恐れがあった。本実施例によれば、フレキシブル配線基
板４００を接続する前に予め台形型にフォーミングして
おくことで、接続部（半田）に加わる応力を大幅に低減
することが可能となる。なお、フレキシブル配線基板４
００を予めフォーミングしておく場合、セラミック基板
１０３とプリント基板６００間の距離ｄや、セラミック
基板１０３上の接続部Ｃ１とプリント基板６００上の接
続部Ｃ３の高さの差ｈ等の条件によっては、フレキシブ
ル配線基板４００の形状は、クランク型や三角型等が最
適となる場合もある。

【００４２】更に、接続後の半田に加わる応力を低減さ
せる方法として、セラミック基板１０３とプリント基板
６００上の接続部周辺を接着剤等の樹脂４１０、４１１
で補強しても良い。但し、高速信号伝送配線の特性イン
ピーダンスにできるだけ変化を与えない様にする必用が
あることから、使用する樹脂４１０、４１１の材料は、
フレキシブル配線基板４００の誘電体層と同じ材料（例
えばポリイミド）、或いは比誘電率ができるだけ１に近
い材料が望ましい。なお樹脂４１０は、セラミック基板
１０３上の配線１１４並びに高速伝送線路１１５〜１１
９と、フレキシブル配線基板４００の配線４０６並びに
高速伝送線路４０１〜４０５とをそれぞれ接続している
半田メッキどうしの間（例えば４０３’と４０４’）に
も充填されている。また、樹脂４１１は、プリント基板
６００上の配線６１０並びに高速伝送線路６１１〜６１
５と、フレキシブル配線基板４００の配線４０６並びに
高速伝送線路４０１〜４０５とをそれぞれ接続している
半田メッキどうしの間（例えば４０３’’と４０
４’’）にも充填されている。更に、図１６に示した如
くセラミック基板１０３及びプリント基板６００に樹脂
補強用のスペースＡ１、Ａ２を準備して樹脂４１０及び
４１１を設けても良い。

【００４３】図１３は、図９及び図１０で説明したフレ
キシブル配線基板４００とは異なるタイプのフレキシブ
ル配線基板４５０（送信光学系モジュール３０１側）の
説明図である。（１）は平面図、（２）は正面図、
（３）はフレキシブル配線基板４５０の任意の配線の断
面図（配線の方向と平行）であり、コプレナ構造の高速
信号伝送配線４０１〜４０５の上部に膜厚ｔ８（本実施
例では約３０μm）の銅製のシールド層４５１を設けた
断面構造となっている。

【００４４】フレキシブル配線基板４５０には、膜厚ｔ
３（本実施例では約３０μm）の配線４０１〜４０６
（本実施例では銅）が形成されており、その上下に誘電
体層４０７（本実施例ではポリイミド）をｔ７（本実施
例では約１００μm）、ｔ５（本実施例では約５０μm）
だけ積層した構造である。高速信号伝送配線４０１〜４
０５は、信号配線である差動信号配線４０２及び４０４
の２本から成り、お互いに正負の符号が反転した信号を
伝送させる。この差動信号伝送方式により、信号のエネ
ルギーロス及び外部への不要輻射を抑制することができ
る。差動信号配線４０２及び４０４の両側及び、配線間
にはグランド配線４０１、４０３、４０５を形成し、グ
ランド配線４０１、４０３、４０５とシールド層４５１
をビアホール４５２（材質は銅）で接続した。高速信号
伝送配線４０１〜４０５の配線幅Ｌ６０１〜Ｌ６０５と
配線間隔Ｓ６０１〜Ｓ６０４は、配線４０１〜４０６の
下に積層されている誘電体層４０７の膜厚ｔ５及び誘電
率と、配線４０１〜４０６とその上部のシールド層４５
２までの間隔ｔ９と、高速信号伝送配線４０１〜４０５
の材料である銅の膜厚ｔ３と導電率をパラメータとして
決定されたもので、配線の特性インピーダンスとして約
５０Ωが得られる関係に調節されている。配線４０６は
送信モジュール１００内部に格納されているレーザダイ
オードの制御信号線であり直流信号の伝送が主となるた
め、配線４０６の幅と配線４０６どうしの間隔について
は配線の特性インピーダンスを考慮する必要がない。フ
レキシブル配線基板の全長は約１５ｍｍ、全幅は約８ｍ
ｍである。

【００４５】フレキシブル配線基板４５０の両端には、
送信光学系モジュール３０１側のセラミック基板１０３
上の接続部Ｃ１との接続部Ｃ５と、プリント基板６００
上の接続部Ｃ３との接続部Ｃ６が設けられている。フレ
キシブル基板４００の両端の接続部Ｃ５及びＣ６の配線
４０１〜４０６上には、２０μm程度の厚さの半田メッ
キ４０１’〜４０６’及び４０１’’〜４０６’’が形
成されている。接続部Ｃ１との接続部Ｃ５の構造につい
ては、図１０と同じであるため、ここでは説明を割愛す
る。また、シールド付きフレキシブル配線基板４５０に
ついても、図１２で説明した如く予め台形型にフォーミ
ングして（折り曲げて）用いることが可能である。ま
た、図１３では送信光学系モジュール３０１とプリント
基板６００の接続について述べたが、受信光学系モジュ
ール３０６とプリント基板６００の接続時に使用するフ
レキシブル基板についても、シールド付きの構造のフレ
キシブル基板を採用することができる。この場合は、フ
レキシブル基板の配線の本数や高速信号伝送配線の配線
幅・配線間隔が異なるのみで、高速信号伝送配線の特性
インピーダンスを約５０Ωに整合させる為の基本的な考
え方は、フレキシブル基板４５０を例として説明した場
合と全く同一となる為、説明を割愛する。

【００４６】図１３に示したシールド付きフレキシブル
配線基板の採用により、フレキシブル配線基板からの信
号の不要な輻射が抑制されると同時に、プリント基板６
００等に実装されている電子部品等からのノイズをフレ
キシブル配線基板で受信してしまう等の信号クロストー
クを避けることが可能となる。また、光通信モジュール
の筐体６０１に格納された送信モジュールと受信モジュ
ールのフレキシブル配線基板どうしの間で生じる信号ク
ロストークを低減することができる。

【００４７】次に、図１に示した構造の送信用モジュー
ルにおいて、該送信用モジュール内部から発生する熱を
効率的に放熱することを目的とした送信用モジュールの
構造と、該送信用モジュールを実装するレセプタクル型
光通信モジュールの構造について説明する。図１４は、
レーザダイオードを搭載した第２の送信用モジュールの
構造を示す断面図である。図１４（２）及び図１４
（３）はそれぞれ、図１４（１）のＡ−Ａ’断面図、Ｂ
−Ｂ’断面図である。配線が形成されたセラミック基板
１０３は、円盤状のキャンステム１０１を貫いて固定さ
れている。また金属ステム１０４’についても、キャン
ステム１０１を貫いて固定されている。レーザダイオー
ドキャリア１０５、レーザダイオード１０６、ドライバ
ＬＳＩ１０７、モニタフォトダイオード１０８、サーミ
スタ１０９、バイアス端子用インダクタ１１０等は、金
属ステム１０４’の光軸と平行な面上に配置・固定され
ている。キャンステム１０１の上面には、キャンキャッ
プ１１１を固定する。キャンキャップ１１１の上面中央
部にはレンズ１１２が固定されている。

【００４８】円盤状のキャンステム１０１はコバール等
の金属製ステムであり、予めセラミック基板１０３及び
金属ステム１０４’を貫通させるための基板貫通孔１０
２が形成されている。セラミック基板１０３はアルミ
ナ、窒化アルミ等であり、電気回路として必要な配線及
びワイヤボンディング用電極（詳細は図示せず）やモジ
ュール外部との接続に必要な外部電極１１３が形成して
ある。配線形成はタングステン等のペーストの印刷、焼
成によるが、必要に応じてスルーホールを形成し、多層
配線基板とする。ワイヤボンディング用電極や外部電極
１１３のタングステン等の上にはＮｉ／Ａｕめっきを施
す。セラミック基板１０３の、基板貫通孔１０２に於い
てキャンステム１０１と接触する部分には、タングステ
ン／Ｎｉ／Ａｕのメタライズが形成されている。金属ス
テム１０４’は銅−タングステン合金のように、熱伝導
率が大きく（200W/(m・K)）、且つキャンステム１０１
のコバール及びセラミック基板１０３のアルミナもしく
は窒化アルミ等と熱膨張係数が同等（5〜7x10^-6/℃）の
金属から成る。金属ステム１０４’の、基板貫通孔１０
２に於いてキャンステム１０１と接触する部分について
も、タングステン／Ｎｉ／Ａｕのメタライズが形成され
ている。銅−タングステン合金の金属ステム１０４’
は、後述するドライバＬＳＩ１０７の発熱をキャンステ
ム１０１へ効率よく伝導して逃がす作用を果たす。セラ
ミック基板１０３と金属ステム１０４’は、基板貫通孔
１０２に於いて、キャンステム１０１と銀ロウ等で固定
されている。なおセラミック基板の配線形成面には絶縁
層１２０（アルミナ）が設けられている。以上の様に、
キャンステム１０１とセラミック基板１０３並びに金属
ステム１０４’との接続部の気密性を確保する。

【００４９】レーザダイオードキャリア１０５は、金属
ステム１０４’の光軸と平行な面上に搭載されている。
この搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付
けによって行う。レーザダイオードキャリア１０５は、
窒化アルミ等のセラミック基板であり、インピーダンス
整合抵抗１２１が形成されている。インピーダンス整合
抵抗１２１は、例えば、レーザダイオードキャリア１０
５上に形成されたニッケル−クロム等の薄膜抵抗もしく
は、チップ抵抗等を用いる。レーザダイオード１０６は
このレーザダイオードキャリア１０５に搭載する。この
搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けに
よって行う。レーザダイオード１０６の信号光はレンズ
１１２方向に発せられ、その発光中心は円盤状のキャン
ステム１０１の中心に位置するように金属ステム１０
４’、レーザダイオードキャリア１０５及び、レーザダ
イオード１０６の位置が決定される。インピーダンス整
合抵抗１２１が不要の場合は、レーザダイオードキャリ
ア１０５を用いないで、レーザダイオード１０６を直接
金属ステム１０４に搭載しても良い。

【００５０】レーザダイオード１０６を駆動するドライ
バＬＳＩ１０７は、レーザダイオードキャリア１０５の
できるだけ近くの金属ステム１０４’上に搭載した。こ
の搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるはんだ
付けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によって行
う。本実施例では、ドライバＬＳＩ１０７の端子数は１
７本であり、前記したようにセラミック基板１０３をキ
ャンステム１０１に貫通させる構造を採用する事によっ
て、ドライバＬＳＩ１０７をレーザダイオード１０６の
近くに設置して、且つ１７本の配線１１４をキャン外部
に取り出すことができた。なお図中では、説明の簡略化
のために、配線１１４を８本で表現している。

【００５１】モニターフォトダイオード１０８は、予め
モニターフォトダイオードキャリア１２２に搭載され、
その受光面がレーザダイオード１０６の後方発光を受光
できる位置に配置される。モニターフォトダイオード１
０８のモニターフォトダイオードキャリア１２２への搭
載および、モニターフォトダイオードキャリア１２２の
金属ステム１０４’への搭載は、例えば金−すず、すず
−銀等のはんだ付けによって行う。モニターフォトダイ
オードキャリア１２２には、モニターフォトダイオード
１０８搭載面及び、セラミック基板１０３表面と平行な
面に配線が形成されている。

【００５２】レーザダイオード１０６の温度をモニタす
るサーミスタ１０９は、金属ステム１０４’との電気絶
縁をとるために窒化アルミ等のサーミスタキャリア１２
３に搭載し、サーミスタキャリア１２３をレーザダイオ
ード１０６近傍の金属ステム１０４’上に配置する。サ
ーミスタ１０９のサーミスタキャリア１２３への搭載お
よび、サーミスタキャリア１２３の金属ステム１０４’
への搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付
けによって行う。サーミスタ１０９は、レーザダイオー
ドキャリア１０５に搭載しても良い。更に本実施例で
は、レーザダイオード１０６のバイアス電位を与えるた
めの端子に、レーザダイオード１０６の高周波駆動信号
がバイアス端子から外部に漏れ出すことを防ぐためのイ
ンダクタ１１０を、セラミック基板１０３上に搭載し
た。インダクタ１１０のセラミック基板１０３への搭載
は、例えば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによっ
て行う。上記した各部品は、ワイヤボンディングやリボ
ンボンディングにより、電気的に接続される。

【００５３】一方、円筒形状のキャンキャップ１１１
は、コバール等のキャンステム１０１と同じ材料で成形
されたものであり、その上面中央部は開口されて、レン
ズ１１２がガラス封着される。本実施例ではレンズ１１
２として、レーザダイオード１０６からのレーザ光と、
これを受ける光ファイバ（図示せず）との光結合効率を
高く取る目的で、球面収差の少ない非球面レンズを用い
たが、レーザ光パワーが十分に大きい場合はより低価格
のボールレンズを用いても良い。キャンキャップ１１１
は、レーザダイオード１０６の発光中心とレンズ１１２
の中心が一致するように、キャンステム１０１に取り付
ける。その方法は、例えばキャンキャップ１１１をキャ
ンステム１０１に重ねた状態で、レーザダイオード１０
６を発光させ、レンズ１１２から出射するレーザ光パワ
ーを測定しながら、キャンステム１０１上でのキャンキ
ャップ１１１の最適位置を求め、キャンキャップ１１１
とキャンステム１０１とを抵抗溶接法でリング状に溶接
する。また、レンズ１１２をキャンモジュールの外部に
取り付けるような構成を用いる場合は、キャンキャップ
１１１の上面中央部開口にはガラス板（図示せず）を取
り付けても良い。この時、要求信頼度によっては必ずし
も気密封止に限定せず、接着剤などを用いた非気密性の
封止であっても良い。

【００５４】図１５は送受信機能を備えた、第２のレセ
プタクル型光通信モジュール（トランシーバモジュー
ル）の実装構造を示した説明図である。（１）は平面図
（一部断面図）、（２）は（１）のＡ−Ａ’断面図、
（３）は（１）のＢ−Ｂ’断面図である。本光通信モジ
ュールは、送信モジュール１００’を内蔵した送信光学
系モジュール３０１と、受信モジュール２００を内蔵し
た受信光学系モジュール３０６と、両光学系モジュール
の制御回路を実装したプリント基板６００と、送受信光
学系モジュールに対して外部から光ファイバを接続すす
るためのレセプタクル部６０２が１つの筐体６０１に格
納された構成である。プリント基板６００にはコネクタ
部６３０が形成されており、複数の光通信通信モジュー
ルを１枚のマザーボード（図示せず）上に設たコネクタ
勘合部に挿入して使用することができる。コネクタ部６
３０には、マザーボードからプリント基板６００に電源
を供給したり、両者間で信号のやりとりを行うための配
線６３１が設けられている。配線６３１は銅から成り、
その表面には金メッキが施されている。

【００５５】レセプタクル部６０２では、スリーブ６０
９により送受信光学系モジュールのファイバキャピラリ
の外形が拘束されており、光通信モジュールの外部から
送受信側にそれぞれ挿入されるコネクタ先端のファイバ
キャピラリ（図示せず）が、スリーブ６０９内に圧入さ
れることで、光量ロスを抑えた光結合を実現している。
送信光学系モジュール３０１側のセラミック基板１０３
とプリント基板６００、並びに受信光学系モジュール３
０６側のセラミックブロック２０３とプリント基板６０
０間は、前述したフレキシブル配線基板４００並びに５
００で電気的に接続されている。

【００５６】本実施例では、送信モジュール１００’に
内蔵されたレーザダイオード１０６のドライバＬＳＩ１
０７からの発熱を、送信モジュール１００’の金属ステ
ム１０４’と、放熱ブロック６５０を介して筐体６０１
に伝導する構造とした。放熱ブロック６５０は、例えば
銅−タングステン等の熱伝導に優れた材料で形成され
る。放熱ブロック６５０と金属ステム１０４’並びに筐
体６０１との間は、金−すず、すず−銀等のはんだ付け
で接続する。ここで、放熱ブロック６５０と金属ステム
１０４’との間の接続、または放熱ブロック６５０と筐
体６０１との間の接続のどちらか一方あるいは両方を、
図示しない銅テープ等の粘着性熱伝導シートにより行う
ことも可能である。更に、粘着性熱伝導シートとして弾
性材料を使用することで、筐体６０１に加わった外力が
放熱ブロック６５０を介して金属ステム１０４’に伝搬
することを防げる。

【００５７】放熱ブロック６５０の採用により、送信モ
ジュール１００’内部のドライバＬＳＩ１０７から生じ
た熱の影響により、セラミック基板１０３と金属ステム
１０４’の熱膨張率の差異で生じるセラミック基板１０
３と金属ステム１０４’の反りを抑制することができ
る。これによって、送信モジュール１００’のトラッキ
ンエラー（レーザダイオード１０６の光軸ずれ）を抑制
することができ、光通信モジュールの動作の信頼性が向
上する。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、送信側光学系モジュー
ルとプリント基板間、並びに受信側光学系モジュールと
プリント基板間の信号接続を、コプレナ構造の信号伝送
配線と、配線の両端に半田接続部を備えた構造のフレキ
シブル配線基板で実現することで、高速な信号伝送（１
０Ｇｂｉｔ／ｓ以上）が可能なレセプタクル型光通信モ
ジュールが実現する。また、送信側光学系モジュールと
プリント基板間、並びに受信側光学系モジュールとプリ
ント基板間の信号接続を、フレキシブル配線基板で実現
することで、光通信モジュール内部において送信用光学
系モジュールとプリント基板間、並びに受信用光学系モ
ジュールとプリント基板間の実装位置関係にばらつきが
生じた場合でも、それらの間の電気的な接続の信頼性を
確保できる。

【００５９】また、送信側光学系モジュールとプリント
基板間、並びに受信側光学系モジュールとプリント基板
間の信号接続を、フレキシブル配線基板で実現すること
で、マザーボードに対して光通信モジュールを挿抜する
際等にプリント基板に加わる外力が、送信側光学系モジ
ュールとプリント基板間、並びに受信側光学系モジュー
ルとプリント基板間の接続部に伝わることがなく、それ
らの間の電気的な接続の信頼性を確保できる。

【００６０】また、送信モジュールに内蔵されたレーザ
ダイオードのドライバＬＳＩからの発熱を、送信モジュ
ールの金属ステムと、放熱ブロックを介して筐体に伝導
する構造とした送信モジュールにより、送信モジュール
のトラッキンエラーを抑制することができ、光通信モジ
ュールの動作の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザダイオードを搭載した送信用モジュール
の構造を示す断面図。

【図２】セラッミック基板１０３上の外部電極の説明
図。

【図３】フォトダイオードを搭載した受信用モジュール
の構造を示す断面図。

【図４】セラッミックブロック上の外部電極の説明図。

【図５】送信モジュールを格納した送信光学系モジュー
ルの構造を示した説明図。

【図６】受信モジュールを格納した受信光学系モジュー
ルの構造を示した説明図。

【図７】送信モジュールと受信モジュールを内蔵したレ
セプタクル型光通信モジュールの実装構造を示した説明
図。

【図８】プリント基板上に設けられた配線パターンの説
明図。

【図９】送信光学系モジュール側に用いるフレキシブル
配線基板の説明図。

【図１０】フレキシブル基板４００の両端に設けられた
接続部の構造を示した図。

【図１１】セラミック基板上の接続部Ｃ１とプリント基
板上の接続部Ｃ３を接続する第１の実施例を示した説明
図。

【図１２】セラミック基板上の接続部Ｃ１とプリント基
板上の接続部Ｃ３を接続する第２の実施例を示した説明
図。

【図１３】送信光学系モジュール側に用いるシールド付
きフレキシブル配線基板の説明図。

【図１４】レーザダイオードを搭載した第２の送信用モ
ジュールの構造を示す断面図。

【図１５】送信モジュールと受信モジュールを内蔵した
第２のレセプタクル型光通信モジュールの実装構造を示
した説明図。

【図１６】セラミック基板上の接続部Ｃ１とプリント基
板上の接続部Ｃ３を接続する第３の実施例を示した説明
図。

【符号の説明】

１００…送信モジュール、１０３…セラミック基板、２
００…受信モジュール、２０３…セラミックブロック、
３０１…送信光学系モジュール、３０６…受信光学系モ
ジュール、４００…送信側フレキシブル配線基板、５０
０…受信側フレキシブル配線基板、６００…プリント基
板、６０１…筐体、６０２…レセプタクル部、６３０…
コネクタ部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28 (72)発明者古市浩朗神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者吉田亨神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者吉田勇神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者大野勝也神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者山田収神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者井辺大神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者時田茂神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者土濃塚太郎神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AB27 AB28 BA02 EA14 EA27 EA28 FA02 FA29 5F088 AA01 BA10 BA16 BB01 EA07 EA09 EA16 JA03 JA07 JA12 JA14 KA02 5K002 AA01 AA03 AA07 BA01 BA13 BA31 BA32 CA02 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光通信モジュールの外部から光ファイバを
接続するためのレセプタクル部と、発光素子をキャンパ
ッケージに格納・封止し、前記発光素子の信号伝送線路
を形成したセラミック基板をキャンステムに貫通させた
構造の送信モジュールを具備する光通信モジュールであ
って、前記送信モジュールの信号伝送線路の高周波特性
インピーダンスが約５０Ωに整合され、且つ該信号伝送
路の一端に半田接続部が形成されていることを特徴とす
る光通信モジュール。
【請求項２】光通信モジュールの外部から光ファイバを
接続するためのレセプタクル部と、受光素子をキャンパ
ッケージに格納・封止し、前記受光素子の信号伝送線路
を形成したセラミック基板をキャンステムに貫通させた
構造の受信モジュールを具備する光通信モジュールであ
って、前記受信モジュールの信号伝送線路の高周波特性
インピーダンスが約５０Ωに整合され、且つ該信号伝送
路の一端に半田接続部が形成されていることを特徴とす
る光通信モジュール。
【請求項３】特許請求の範囲第１項及び第２項に記載の
光通信モジュールにおいて、高周波信号伝送線路がセラ
ミック基板上に形成され、且つ該高周波信号伝送線路が
コプレナ構造であることを特徴とする光通信モジュー
ル。
【請求項４】光通信モジュールの外部から光ファイバを
接続するためのレセプタクル部と、発光素子または受光
素子をキャンパッケージに格納・封止し、前記発光素子
または受光素子の信号伝送線路を形成したセラミック基
板をキャンステムに貫通させた構造の送信モジュールま
たは受信モジュールと、発光素子または受光素子の周辺
回路を実装したプリント基板を具備する光通信モジュー
ルであって、前記プリント基板の信号伝送線路の高周波
特性インピーダンスが約５０Ωに整合され、且つ該信号
伝送路の一端に半田接続部が形成されていることを特徴
とする光通信モジュール。
【請求項５】特許請求の範囲第４項に記載の光通信モジ
ュールにおいて、高周波信号伝送線路がプリント基板上
に形成され、且つ該高周波信号伝送線路がコプレナ構造
であることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項６】特許請求の範囲第４項及び第５項に記載の
光通信モジュールにおいて、発光素子または受光素子の
周辺回路を実装したプリント基板の一部に、該プリント
基板と光通信モジュールの外部の基板との間で電気的な
接続を達成するためのコネクタ勘合部が設けられている
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項７】光通信モジュールの外部から光ファイバを
接続するためのレセプタクル部と、発光素子または受光
素子をキャンパッケージに格納・封止し、前記発光素子
または受光素子の信号伝送線路を形成したセラミック基
板をキャンステムに貫通させた構造の送信モジュールま
たは受信モジュールと、発光素子または受光素子の周辺
回路を実装したプリント基板を具備する光通信モジュー
ルであって、前記送信モジュールまたは受信モジュール
のセラミック基板上に設けられた信号伝送路の半田接続
部と、前記プリント基板基板上に設けられた信号伝送路
の半田接続部との間が、高周波特性インピーダンスが約
５０Ωに整合された信号伝送線路及び該信号伝送線路の
両端に半田接続部を有するフレキシブル配線基板で接続
されたことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項８】特許請求の範囲第７項に記載の光通信モジ
ュールにおいて、フレキシブル配線に設けられた高周波
信号伝送路がコプレナ構造であることを特徴とする光通
信モジュール。
【請求項９】特許請求の範囲第７項に記載の光通信モジ
ュールにおいて、フレキシブル配線に設けられた高周波
信号伝送路がコプレナ構造であり、且つ前記高周波信号
伝送路にシールド層が設けられたことを特徴とする光通
信モジュール。
【請求項１０】特許請求の範囲第７項及び第８項及び第
９項に記載の光通信モジュールにおいて、送信モジュー
ルまたは受信モジュールのセラミック基板上に設けられ
た信号伝送路と、フレキシブル配線基板の信号伝送路と
間の半田接続部における高周波特性インピーダンスが、
約５０Ωに整合されたことを特徴とする光通信モジュー
ル。
【請求項１１】特許請求の範囲第１０項に記載の光通信
モジュールにおいて、送信モジュールまたは受信モジュ
ールのセラミック基板上に設けられた信号伝送路と、フ
レキシブル配線基板の信号伝送路と間の半田接続部が、
樹脂で補強されていることを特徴とする光通信モジュー
ル。
【請求項１２】特許請求の範囲第７項及び第８項及び第
９項に記載の光通信モジュールにおいて、発光素子また
は受光素子の周辺回路を実装したプリント基板上に設け
られた信号伝送路と、フレキシブル配線基板の信号伝送
路と間の半田接続部における高周波特性インピーダンス
が、約５０Ωに整合されたことを特徴とする光通信モジ
ュール。
【請求項１３】特許請求の範囲第１２項に記載の光通信
モジュールにおいて、発光素子または受光素子の周辺回
路を実装したプリント基板上に設けられた信号伝送路
と、フレキシブル配線基板の信号伝送路と間の半田接続
部が樹脂で補強されていることを特徴とする光通信モジ
ュール。
【請求項１４】光通信モジュールの外部から光ファイバ
を接続するためのレセプタクル部と、発光素子をキャン
パッケージに格納・封止し、前記発光素子の信号伝送線
路を形成したセラミック基板並びに前記発行素子を実装
した金属ステムをキャンステムに貫通させた構造の送信
モジュールと、前記発光素子の周辺回路を実装したプリ
ント基板を具備し、これら全てを筐体に格納した構造の
光通信モジュールであって、前記送信モジュールの金属
ステムと、前記筐体との間に放熱構造を設けたことを特
徴とする光通信モジュール。
【請求項１５】特許請求の範囲第１項及び第２項に記載
の光通信モジュールにおいて、発光素子または受光素子
の信号伝送線路を形成したセラミック基板上に、フレキ
シブル配線基板との半田接続部を樹脂補強するための樹
脂補強用スペースを設けたことを特徴とする光通信モジ
ュール。
【請求項１６】特許請求の範囲第２項に記載の光通信モ
ジュールにおいて、発光素子または受光素子の周辺回路
を実装したプリント基板上に、フレキシブル配線基板と
の半田接続部を樹脂補強するための樹脂補強用スペース
を設けたことを特徴とする光通信モジュール。