CN113875103B - 光模块 - Google Patents

光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN113875103B
CN113875103B CN201980096736.4A CN201980096736A CN113875103B CN 113875103 B CN113875103 B CN 113875103B CN 201980096736 A CN201980096736 A CN 201980096736A CN 113875103 B CN113875103 B CN 113875103B
Authority
CN
China
Prior art keywords
printed circuit
flexible printed
circuit board
wiring layer
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980096736.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113875103A (zh
Inventor
白尾瑞基
中村诚希
长谷川清智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN113875103A publication Critical patent/CN113875103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113875103B publication Critical patent/CN113875103B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0403—Mechanical elements; Supports for optical elements; Scanning arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0215—Grounding of printed circuits by connection to external grounding means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049—Wire bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

金属管座(10)具有形成有FPC插入部(11b)的圆筒部(11)和从圆筒部(11)的一个平面(11a)直立的基座(12)。一端开放的筒状的透镜盖(20)固定于圆筒部(11)的一个平面(11a)的周边部，在底部搭载有透镜(30)。搭载于基座(12)的一个平面的基板(40)具有信号布线层(41)和接地布线层(42)。光半导体元件(50)搭载于基板(40)，具有与基板(40)的信号布线层(41)连接的信号端子(51)和与基板(40)的接地布线层(42)连接的接地端子(53)。FPC基板(70)贯通FPC插入部(11b)并与基座(12)的一个平面对置配置。FPC基板(70)具有通过金属线(63)与基板(40)的信号布线层(41)连接的信号布线层(71)。

Description

光模块
技术领域
本发明涉及光模块，例如涉及搭载有作为发光元件的光通信用半导体激光器的光发送模块、搭载有作为受光元件的光通信用光电二极管的光接收模块、搭载有光通信用半导体激光器和光通信用光电二极管的光收发模块。
背景技术
作为光通信用的光模块，已知有专利文献1。
特别是，在专利文献1的图14及其相关记载部分中示出了如下的光模块。即，在固定于管座的表面的基座固定有半导体激光器。用于传输调制电信号的引线端子贯通管座，通过密封玻璃保持于贯通孔，在内侧经由电线与在安装于基座的散热用基板的表面形成的金属化布线连接。用于供给电力的引线端子贯通管座，通过玻璃材料保持于贯通孔，在内侧与监视半导体激光器的输出的光电二极管等连接。接地引脚焊接于管座。
柔性布线基板(FPC)整体配置在管座的外侧，形成有与管座连接的接地线。此外，虽然没有明确的记载，但柔性布线基板在管座的外侧通过焊料与用于传输调制电信号的引线端子和用于供给电力的引线端子连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-18862号公报
发明内容
发明所要解决的课题
专利文献1所示的光模块利用贯通了管座的引线端子来传输对半导体激光器供给的调制电信号和电力，因此若引线端子过细，则在制造时容易弯曲，在试验时难以取得电接触。
此外，需要左右阻抗的密封玻璃的介电常数、引线端子与密封玻璃的热线膨胀系数之差适当，设计自由度低。
为了获得一般的50Ω的阻抗，在密封玻璃的玻璃相对介电常数为6.0、成为同轴结构的外导体的管座的孔径为1.2mm时，引线端子的直径成为0.2mm，容易弯曲，存在量产性差的问题。
而且，引线端子的存在于管座内侧的部分成为电感成分，还存在使高频特性劣化的问题。
本发明是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于得到一种金属管座的结构简单且阻抗管理容易、并且高频特性优异的光模块。
用于解决课题的手段
本发明的光模块具备：金属管座，其具有形成有FPC插入部的圆筒部和从该圆筒部的一个平面直立的基座；
一端开放的筒状的透镜盖，其覆盖金属管座的基座，透镜盖的开口端面与金属管座的圆筒部的一个平面的周边部接触而被固定，在透镜盖的底部搭载有透镜；
陶瓷基板，其搭载于金属管座的基座的一个平面，具有形成于一个主面的信号布线层和接地布线层；
光半导体元件，其搭载于陶瓷基板的一个主面，并具有发光元件，该发光元件具有与陶瓷基板的信号布线层电连接的信号端子和与陶瓷基板的接地布线层电连接的接地端子，并且该发光元件向透镜的方向照射光；以及
柔性印刷电路基板，其一端部贯通金属管座的圆筒部的FPC插入部而与金属管座的基座的一个平面对置，另一端部位于金属管座的外部，柔性印刷电路基板具有在一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成、且在一端部通过金属线与陶瓷基板的信号布线层电连接的信号布线层。
发明效果
根据本发明，金属管座的结构简单，阻抗管理容易，能够得到优异的高频特性。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的光模块的、以剖面表示金属管座10和透镜盖20的主视图。
图2是示出本发明的实施方式1的光模块的、以剖面表示透镜盖20的俯视图。
图3是示出本发明的实施方式1的光模块的关键部分放大俯视图。
图4是示出本发明的实施方式2的光模块的、以剖面表示金属管座10和透镜盖20的主视图。
图5是示出本发明的实施方式2的光模块的、以剖面表示透镜盖20的俯视图。
图6是示出本发明的实施方式3的光模块中的陶瓷基板40与柔性印刷电路基板70的关系的关键部分放大俯视图。
图7是示出本发明的实施方式3的光模块中的陶瓷基板40与柔性印刷电路基板70的关系的关键部分放大剖视图。
图8是示出本发明的实施方式3的光模块的应用例的主视图。
图9是示出本发明的实施方式4的光模块的、以剖面表示金属管座10和透镜盖20的主视图。
图10是示出本发明的实施方式5的光模块的、以剖面表示金属管座10和透镜盖20的主视图。
图11是示出本发明的实施方式5的光模块中的位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的上层基材70f的表面的俯视图。
图12是示出本发明的实施方式5的光模块中的位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的下层基材70c的表面的俯视图。
图13是示出本发明的实施方式5的光模块中的位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的下层基材70c的背面的俯视图。
图14是示出本发明的实施方式6的光模块的、以剖面表示金属管座10和透镜盖20的主视图。
具体实施方式
以下，为了更详细地说明本发明，根据附图，对用于实施本发明的方式进行说明。
实施方式1
作为本发明的方式1的光模块，基于图1至图3，对搭载有作为发光元件的光通信用半导体激光器的光发送模块、即半导体激光模块进行说明。半导体激光模块是在TO-CAN封装中搭载有光通信用半导体激光器的结构。
金属管座10具备由圆板状的金属构成的圆筒部11和从该圆筒部11的一个平面11a垂直地直立的平板状的基座12。圆筒部11在中央部形成有FPC插入部11b。FPC插入部11b是开口面为长方形状的贯通孔。基座12的一个平面12a与FPC插入部11b的位于图示下侧的开口端面处于同一个平面上。
圆筒部11和基座12在本实施方式1中一体地形成，但也可以分别构成，并利用焊料等固定而一体化。
透镜盖20由一端开放的具有底部21和侧壁部22的圆筒状的金属形成。在透镜盖20的底部21形成有搭载、即安装透镜30的透镜安装用开口部21a。透镜30以在透镜盖20的内外维持气密性的方式安装于底部21的透镜安装用开口部21a。
透镜盖20的侧壁部22的端面、即一端开放端面22a与金属管座10的圆筒部11的一个平面11a的周端部接触并通过焊料等固定。其结果，透镜盖20在其中空部20a配置了金属管座10的基座12，并覆盖基座12。此外，在一端开放端面22a，也以在透镜盖20的内外维持气密性的方式将透镜盖20的一端开放端面22a固定于金属管座10的圆筒部11的一个平面11a。该固定、安装在制造工序的最后进行。
陶瓷基板40搭载、即安装于金属管座10的基座12的一个平面12a。陶瓷基板40的材料使用热线膨胀系数与构成光半导体元件50的半导体激光器接近的氮化铝。陶瓷基板40的厚度为200μm，以使陶瓷基板40与金属管座10的基座12的热膨胀所产生的应力不会传递至半导体激光器。另外，陶瓷基板40的厚度为200μm以上300μm以下即可。
在陶瓷基板40的一个主面40a上，在靠透镜盖20的底部21侧的端部，通过蒸镀等设置有传递高频信号的陶瓷基板信号布线层41(以下，为了简化而称为信号布线层41)、流通回流电流的陶瓷基板接地布线层42(以下，为了简化而称为接地布线层42)、用于与驱动构成光半导体元件50的半导体激光器的IC的阻抗匹配的50Ω的终端电阻43、以及电阻连接布线层44。驱动半导体激光器的IC在本实施方式1中是电场吸收型(EA：Electro-absorption)调制器。
如图3所示，接地布线层42在陶瓷基板40的一个主面40a上形成有：中央线42a，其在从底部21朝向圆筒部11的方向即长度方向上延伸；周边线42b，其与该中央线42a隔开间隔而并行配置；以及端部线42c，其在陶瓷基板40的靠底部21侧的端部(以下，称为一个端部)从周边线42b的端部经由中央线42a而延伸至与周边线42b相反的一侧。中央线42a和周边线42b也可以延伸至与一个端部相反的一侧即另一端。
如图3所示，信号布线层41在陶瓷基板40的一个主面40a的一个端部，与中央线42a和周边线42b绝缘地形成在中央线42a与周边线42b之间。
如图3所示，电阻连接布线层44在陶瓷基板40的一个主面40a的一个端部，与中央线42a绝缘地形成在与端部线42c的延伸端部对置的位置。
如图3所示，终端电阻43的一端与电阻连接布线层44连接，另一端与接地布线层42的端部线42c的延伸端部连接。
陶瓷基板40的另一个主面40b与金属管座10的基座12的一个平面12a接触而被固定。其结果是，金属管座10的基座12相对于陶瓷基板40发挥作为散热体的功能。即，由光半导体元件50和终端电阻43产生的发热经由陶瓷基板40从金属管座10的基座12传递到圆筒部11而向外部散热。
作为半导体激光器的光半导体元件50(以下，称为发光元件50a)搭载于陶瓷基板40的一个主面40a。半导体激光器使用电场吸收型调制器集成激光器(EML：Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser)。电场吸收型调制器集成激光器由电场吸收型调制器和分布反馈型(DFB：Distributed Feedback Bragg-Reflector)激光器构成。此外，在该实施方式1中，在电场吸收型调制器集成激光器的内部搭载、集成有接收分布反馈型激光器的背面光并监视输出光的光电二极管。如果不需要监视，则也可以不集成光电二极管。
发光元件50a在上表面设置有作为EA调制器焊盘的信号端子51和作为DFB激光器焊盘的电源端子52，在下表面设置有由接地层形成的接地端子53。
发光元件50a向透镜30的方向照射作为激光的光，经由透镜30而聚光或转换为平行光并向外部照射光。
即，从发光元件50a射出的光的方向相对于金属管座10的基座12的一个平面12a、即安装面是水平方向。因此，是适合于沿水平方向射出光的端面射出型的半导体激光器的结构。
信号端子51是在内部与电场吸收型调制器电连接并露出到外部的焊盘，利用由金构成的金属线61通过引线键合(wire bonding)而与陶瓷基板40的信号布线层41电连接，并利用由金构成的金属线62通过引线键合而与陶瓷基板40的电阻连接布线层44电连接。
电源端子52是被供给各种电源、在本例中为直流电源，在内部与分布反馈型激光器等电连接并露出到外部的焊盘。
接地端子53是与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a接触而电连接的接地层。接地端子53直接通过焊料或导电性粘接剂等而与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a电连接和机械连接。
柔性印刷电路基板(FPC：Flexible printed circuits)70被配置为，一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与所述金属管座10的基座12的一个平面12a对置，另一端部位于圆筒部11的外部。柔性印刷电路基板70在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封。密封材料80是玻璃材料，能够将柔性印刷电路基板70与金属管座10的圆筒部11之间气密地密封。
柔性印刷电路基板70的一端部的一部分与陶瓷基板40的一部分、即与底部21相反的一侧重叠而被固定。陶瓷基板40构成为被柔性印刷电路基板70的一端部的一部分与金属管座10的基座12夹持。此外，柔性印刷电路基板70在金属管座10的圆筒部11和基座12这两个点被固定。
另外，在数据中心那样的被管理的环境下所使用的光模块中，也可以不是在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封的光模块。
在柔性印刷电路基板70中，在一个主面70a上通过蒸镀等形成有从一端部延伸到另一端部的传递高频信号的信号布线层71、和与该信号布线层71隔开间隔地并行配置的被供给各种电源、在本例中为直流电源的电源布线层72，在另一个主面70b的整个区域通过蒸镀等形成有接地层73。在本实施方式1中，信号布线层71被作为光通信用半导体激光器用途而使用，因此被设为特性阻抗50Ω的高频线路。另外，信号布线层71和电源布线层72也可以由利用线状的导体箔形成的传输线路构成。此外，接地层73作为接地布线发挥功能。
柔性印刷电路基板70除了一般的聚酰亚胺之外，还使用高频信号的损失小的液晶聚合物、特氟隆(注册商标)这样的材料。此外，柔性印刷电路基板70的厚度从弯曲性、即如果变厚则变硬而安装性变差的观点、和阻抗设计的容易性、即如果过薄则用于得到特性阻抗50Ω的信号布线层71的宽度强烈地受到制造公差的影响的观点出发，为50μm。
信号布线层71利用由金构成的金属线63通过引线键合而与陶瓷基板40的信号布线层41电连接。信号布线层71以陶瓷基板40的信号布线层41为基准，以金属线63在允许的范围内最短化的方式安装于一个主面70a的位置。
此外，在通过柔性印刷电路基板70与陶瓷基板40的重叠而使柔性印刷电路基板70的信号布线层71与陶瓷基板40的信号布线层41对置配置的情况下，也可以不是利用金属线63进行电连接，而是在柔性印刷电路基板70形成通孔，在另一个主面70b形成与通孔电连接的焊盘，使该焊盘与陶瓷基板40的信号布线层41接触而进行电连接。在该情况下，可以使图3所示的陶瓷基板40的信号布线层41延长至柔性印刷电路基板70的信号布线层71的正下方。
电源布线层72利用由金构成的金属线64通过引线键合而与发光元件50a的电源端子52电连接。电源布线层72以发光元件50a的电源端子52为基准以金属线64在允许的范围内最短化的方式安装于一个主面70a的位置。
接地层73形成为在另一个主面70b露出金属图案。接地层73直接通过焊料或导电性粘接剂等而与陶瓷基板40的接地布线层42电连接和机械连接。
柔性印刷电路基板70的安装是在将发光元件50a安装于陶瓷基板40之后进行的，因此在发光元件50a的接地端子53与陶瓷基板40的接地布线层42的连接中使用焊料的情况下，需要在比发光元件50a的接地端子53与陶瓷基板40的接地布线层42的连接所使用的焊料的熔点低的温度下进行该柔性印刷电路基板70的安装。因此，发光元件50a的接地端子53与陶瓷基板40的接地布线层42的连接所使用的焊料使用高熔点的uSn焊料，在接地层73与陶瓷基板40的接地布线层42的连接中使用熔点比uSn焊料低的SnAgCu焊料或者固化温度低的导电性粘接剂。
如此，由于采用了将柔性印刷电路基板70的接地层73与陶瓷基板40的接地布线层42直接电连接的结构，因此能够获得良好的高频特性和连接强度。
在上述实施方式1的半导体激光模块中，使用电场吸收型调制器集成激光器作为发光元件50a，构成为设置有终端电阻43的单相驱动(在特性阻抗50Ω的柔性印刷电路基板70上形成的信号布线层71仅为1根)。在该情况下，为了得到频带补偿和低驱动电压动作这样的滤波效果，形成于陶瓷基板40的终端电阻43的电阻值使用30Ω～70Ω。
此外，也可以将形成于陶瓷基板40的信号布线层41及形成于柔性印刷电路基板70的信号布线层71分别设为100欧姆的差动对接线，设为以差动进行动作的电场吸收型调制器集成激光器(EML)或马赫曾德调制器。
而且，也可以将形成于陶瓷基板40的信号布线层41和形成于柔性印刷电路基板70的信号布线层71分别设为50欧姆的差动对接线，设为不需要终端电阻的调制激光器。
接着，对这样构成的半导体激光模块的制造方法进行说明。
工序1
准备金属管座10和一端开放的筒状的透镜盖20，该金属管座10具有形成有FPC插入部11b的圆筒部11和从该圆筒部11的一个平面11a直立的基座12，该透镜盖20在底部21搭载有透镜30。
进而，准备陶瓷基板40，该陶瓷基板40在一个主面40a上形成有信号布线层41和接地布线层42，在该陶瓷基板40上，搭载了作为具备分布反馈型激光器和电场吸收型调制器的电场吸收型调制器集成激光器的发光元件50a，并且进行了必要的电路布线。发光元件50a向陶瓷基板40的搭载是通过利用焊料等将发光元件50a的接地端子53与陶瓷基板40的接地布线层42接合固定并电连接和机械连接来进行的。
此外，准备柔性印刷电路基板70，该柔性印刷电路基板70在一个主面70a形成有信号布线层71和电源布线层72，在另一个主面70b的整个区域形成有接地层73。
工序2
将搭载有发光元件50a的陶瓷基板40搭载于金属管座10的基座12的一个平面12a。该搭载通过通常已知的方法，将陶瓷基板40的另一个主面接合固定于基座12的一个平面12a。
另一方面，柔性印刷电路基板70被配置为，一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与所述金属管座10的基座12的一个平面12a对置，柔性印刷电路基板的一端部的一部分与所述陶瓷基板的一部分重叠，另一端部位于圆筒部11的外部。
在该配置时，形成于柔性印刷电路基板70的另一个主面70b的接地层73和形成于陶瓷基板40的一个主面40a的接地布线层42通过焊料等接合固定，从而电连接和机械连接。
此外，柔性印刷电路基板70在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封。
使用密封材料80的密封是在将透镜盖20安装于圆筒部11之前，因此密封时产生的气体不会对陶瓷基板40及发光元件50a等造成影响。
在这样的状态下，通过引线键合，发光元件50a的信号端子51与陶瓷基板40的信号布线层41通过金属线61电连接，发光元件50a的信号端子51与陶瓷基板40的电阻连接布线层44通过金属线62电连接，柔性印刷电路基板70的信号布线层71与陶瓷基板40的信号布线层41通过金属线63电连接，柔性印刷电路基板70的电源布线层72与发光元件50a的电源端子52通过金属线64电连接。
工序3
使透镜盖20的侧壁部22的端面、即一端开放端面22a与金属管座10的圆筒部11的一个平面11a的周端部接触并通过焊料等将透镜盖20固定。其结果是，透镜盖20在其中空部20a配置了金属管座10的基座12，并覆盖基座12、搭载有发光元件50a的陶瓷基板40和柔性印刷电路基板70的一端部。
接着，对这样构成的实施方式1的半导体激光模块的效果进行说明。
首先，第一，金属管座10构成为具有形成有FPC插入部11b的圆板状的圆筒部11和从该圆筒部11的一个平面11a直立的基座12，在一个主面40a具有信号布线层41及接地布线层42且搭载有发光元件50a的陶瓷基板40搭载于金属管座10的基座12的一个平面12a，在一个主面具有以从一端部延伸至另一端部的方式形成的信号布线层71和电源布线层72、且在另一个主面具有接地层73的柔性印刷电路基板70的一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与金属管座10的基座12的一个平面12a对置，该柔性印刷电路基板70的另一端部位于金属管座10的外部，因此，
(i)能够将金属管座10形成为圆筒部11和基座12这样的简单的结构、即没有凸缘和台阶等的简单的结构，能够通过冲压加工容易地进行制造；
(ii)由于构成为利用柔性印刷电路基板70将高频信号和电源直接提供给陶瓷基板40和发光元件50a，因此阻抗管理容易，并且高频特性优异；
(iii)由于将发光元件50a搭载于陶瓷基板40，因此能够在将发光元件50a的合格品搭载于陶瓷基板40的状态下进行挑选；
(iv)由发光元件50a产生的发热能够经由陶瓷基板40从金属管座10的基座12传递到圆筒部11而向外部散热；
(v)发光元件50a的输出光通过配置在与金属管座10的圆筒部11对置的位置的透镜30聚光或转换为平行光，因此能够使用端面射出型激光器。
第二，柔性印刷电路基板70的信号布线层71以陶瓷基板40的信号布线层41为基准，以金属线63在允许的范围内最短化的方式安装于一个主面70a的位置，电源布线层72以发光元件50a的电源端子52为基准，以金属线64在允许的范围内最短化的方式安装于一个主面70a的位置，因此能够抑制高频信号的劣化。
第三，由于柔性印刷电路基板70的接地层73直接通过焊料或导电性粘接剂等而与陶瓷基板40的接地布线层42电连接和机械连接，因此回流电流的路径极短，从而高频特性优异。
第四，由氮化铝构成陶瓷基板40，将发光元件50a搭载于陶瓷基板40，因此发光元件50a搭载于线膨胀系数一致的陶瓷基板40上，因此发光元件50a的可靠性优异。
第五，柔性印刷电路基板70在将透镜盖20安装于圆筒部11之前，在圆筒部11的FPC插入部11b使用密封材料80进行密封，因此密封时产生的气体不会对陶瓷基板40和发光元件50a等造成影响。
实施方式2
基于图4和图5，对作为本发明的方式2的光模块的半导体激光模块进行说明。
本发明的方式2的半导体激光模块的不同点在于，本发明的方式1的半导体激光模块中，柔性印刷电路基板70的一端部的一部分与陶瓷基板40的一部分重叠，柔性印刷电路基板70的接地层73与陶瓷基板40的接地布线层42接触而电连接，与此相对，本发明的方式2的半导体激光模块中，柔性印刷电路基板70的一端部的另一个主面70b与金属管座10的基座12的一个平面12a接触配置，柔性印刷电路基板70的接地层与陶瓷基板40的接地布线层42通过金属线67和金属线68而电连接。
此外，在图4和图5中，与图1至图3中标注的标号相同的标号表示与图1至图3所示的部分相同或者相当的部分。
因此，以下以与实施方式1的不同点为主体进行说明。
在陶瓷基板40的一个主面40a，通过蒸镀等而设置有传递高频信号的信号布线层41、流通有回流电流的接地布线层42、50Ω的终端电阻43、电阻连接布线层44、电源布线层45。
接地布线层42在陶瓷基板40的一个主面40a上具有：端部线42c，其沿着底部21侧的端面(以下，称为一端面)而形成；中央线42a，其以从端部线42c的中央延伸至圆筒部11侧的端面(以下，称为另一端面)的方式形成；和周边线42b，其以从端部线42c的一端沿着陶瓷基板40的一个侧面延伸至另一端面的方式形成。
信号布线层41在陶瓷基板40的一个主面40a上，与接地布线层42隔离而电绝缘，并以延伸至陶瓷基板40的另一端面的方式形成在中央线42a与周边线42b之间。
电源布线层45在陶瓷基板40的一个主面40a的另一侧面侧，与电阻连接布线层44及中央线42a隔离而电绝缘，并以延伸至陶瓷基板40的另一端面的方式形成。
陶瓷基板40的信号布线层41和电阻连接布线层44分别通过引线键合，利用金属线61和金属线62与发光元件50a的信号端子51电连接。
陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a直接通过焊料或导电性粘接剂等而与发光元件50a的接地端子53电连接和机械连接。
陶瓷基板40的电源布线层45通过金属线65与发光元件50a的电源端子52电连接。
柔性印刷电路基板70的一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与所述金属管座10的基座12的一个平面12a对置，且与基座12的一个平面12a接触配置，柔性印刷电路基板70的另一端部配置成位于圆筒部11的外部。即，柔性印刷电路基板70的一端部侧的另一个主面70b与基座12的一个平面12a位于同一个平面上，与陶瓷基板40的另一个主面40b位于同一个平面上。
此外，FPC插入部11b的下表面也与基座12的一个平面12a位于同一个平面上。
柔性印刷电路基板70在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封。密封材料80是玻璃材料，能够将柔性印刷电路基板70与金属管座10的圆筒部11之间气密地密封。
另外，对于在数据中心那样的被管理的环境下所使用的光模块，也可以不是在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封的光模块。
优选柔性印刷电路基板70的一端部侧的端面与陶瓷基板40的另一侧面接触，优选为150μm以下。
因此，柔性印刷电路基板70及陶瓷基板40直接安装于金属管座10的基座12，利用焊料或导电性粘接剂接合并固定于金属管座10的基座12的一个主面40a。
柔性印刷电路基板70在一个主面70a上形成有从一端部延伸到另一端部的传递高频信号的信号布线层71、和与该信号布线层71隔开间隔地并行配置的被供给各种电源、在本例中为直流电源的电源布线层72，在另一个主面70b的整个区域形成有接地层73。此外，柔性印刷电路基板70在一端部的一个主面70a上，通过蒸镀等形成有经由对贯通的孔的侧面进行了金属化的开孔通孔(未图示)而与接地层73电连接的接地焊盘层74和接地焊盘层75。接地层73、接地焊盘层74和接地焊盘层75作为接地布线发挥功能。
在该实施方式2中，信号布线层71形成特性阻抗50Ω的微带线路，该线路宽度为100μm。
柔性印刷电路基板70除了一般的聚酰亚胺之外，还使用高频信号的损失小的液晶聚合物、特氟隆(注册商标)这样的材料，厚度为50μm。柔性印刷电路基板70的厚度只要比50μm厚、且不足陶瓷基板40的厚度即最大300μm即可。
信号布线层71利用由金构成的金属线63通过引线键合而与陶瓷基板40的信号布线层41电连接。信号布线层71以陶瓷基板40的信号布线层41为基准而与信号布线层41形成在同一直线上。由此，能够极力缩短金属线63，能够防止高频特性的劣化。
电源布线层72利用由金构成的金属线66通过引线键合而与陶瓷基板40的电源布线层45电连接。电源布线层72以陶瓷基板40的电源布线层45为基准而与电源布线层45形成在同一直线上。由此，能够极力缩短金属线66。
接地焊盘层74和接地焊盘层75分别通过由金构成的金属线67和金属线68而与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a和周边线42b电连接。接地焊盘层74和接地焊盘层75分别以陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a和周边线42b为基准而与中央线42a和周边线42b形成在同一直线上。由此，能够极力缩短金属线67和金属线68，能够防止高频特性的劣化。
此外，对于连接接地焊盘层74和接地焊盘层75与接地层73的通孔的形成位置，由于使回流电流在接地层73中流动，因此，为了确保高频特性，使成为回流电流的路径的开孔通孔尽量接近接地焊盘层74和接地焊盘层75中的金属线67和金属线68的连接位置。
通过尽量接近，在利用焊料或导电性粘接剂将柔性印刷电路基板70接合于金属管座10的基座12时，焊料或导电性粘接剂经由开孔通孔流出到柔性印刷电路基板70的一个主面70a，有可能阻碍金属线67及金属线68与接地焊盘层74及接地焊盘层75的连接，在这样的情况下，使用将金属糊填充于通孔的填充通孔。
在这样构成的实施方式2的半导体激光模块中，也起到如下效果。
除了上述所示的本发明的实施方式1的半导体激光模块中的第一(i)至(V)和第四效果以及第五效果之外，还起到以下这样的效果。
即，第六，使柔性印刷电路基板70的一端部侧的另一个主面70b和陶瓷基板40的另一个主面40b与基座12的一个平面12a位于同一个平面上而直接安装于金属管座10的基座12，利用焊料或导电性粘接剂接合并固定于金属管座10的基座12的一个主面40a，因此能够使陶瓷基板40的大小比实施方式1的半导体激光模块中的陶瓷基板40的大小小。
第七，除了柔性印刷电路基板70的一端部侧的端面与陶瓷基板40的另一侧面之间的间隙为0～150μm以外，柔性印刷电路基板70的信号布线层71以陶瓷基板40的信号布线层41为基准而与信号布线层41形成在同一直线上，因此能够极力缩短金属线63，能够防止高频特性的劣化。
第八，柔性印刷电路基板70的接地焊盘层74和接地焊盘层75分别以陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a和周边线42b为基准而与中央线42a和周边线42b形成在同一直线上，因此能够极力缩短金属线67和金属线68，回流电流的路径极短，从而高频特性优异。
实施方式3
基于图6和图7，对作为本发明的方式3的光模块的半导体激光模块进行说明。
本发明的方式3的半导体激光模块与本发明的方式2的半导体激光模块仅仅是柔性印刷电路基板70的结构不同，其他方面相同。
另外，各图中，相同标号表示相同或相当的部分。
柔性印刷电路基板70在一个主面70a通过蒸镀或导体箔等，按照电源布线层72-接地布线层76-信号布线层71-接地布线层77的顺序并行地形成有：信号布线层71，其从一端部延伸至另一端部，传递高频信号；电源布线层72，其与该信号布线层71隔开间隔地并行配置，被供给各种电源、在本例中为直流电源；以及一对接地布线层76和接地布线层77，其流通有回流电流，在另一个主面70b的整个区域通过蒸镀等而形成有接地层73。
此外，由于柔性印刷电路基板70在信号布线层71与接地层73之间存在较弱的耦合，因此在该实施方式3中，通过在长度方向上等间隔地配置的多个开孔通孔78(1)～78(n)而对接地布线层76与接地层73进行电连接，并通过在长度方向上等间隔地配置的多个开孔通孔79(1)～79(n)而对接地布线层77与接地层73进行电连接。
多个开孔通孔78(1)～78(n)中的最靠近陶瓷基板40的开孔通孔78(1)的形成位置比接地布线层76与金属线67的连接位置向圆筒部11侧远离500μm(0.5mm)。即，从上述连接位置至上述形成位置的距离L为500μm(0.5mm)。
此外，多个开孔通孔79(1)～79(n)中的最靠近陶瓷基板40的开孔通孔79(1)的形成位置比接地布线层77与金属线68的连接位置向圆筒部11侧远离500μm(0.5mm)。即，从上述连接位置至上述形成位置的距离L为500μm(0.5mm)。
此外，从上述连接位置至上述形成位置的距离L至少为500μm即可。即，如果为500μm以上，则在利用焊料或导电性粘接剂90将柔性印刷电路基板70接合于金属管座10的基座12时，如图7所示，即使焊料或导电性粘接剂90a经由开孔通孔78(1)～78(n)和开孔通孔79(1)～79(n)流出到柔性印刷电路基板70的一个主面70a，也不会阻碍金属线67和金属线68与接地布线层76和接地布线层77的连接。
柔性印刷电路基板70除了一般的聚酰亚胺之外，还使用高频信号的损失小的液晶聚合物、特氟隆(注册商标)这样的材料，相对介电常数为3.2，厚度T为200μm(参照图7)。另外，柔性印刷电路基板70的厚度T比50μm厚，优选为100μm以上，且不足陶瓷基板40的厚度、即最大300μm即可。
通过将柔性印刷电路基板70的厚度T设为比50μm厚，优选设为100μm以上且不足300μm，在利用焊料或导电性粘接剂90将柔性印刷电路基板70接合于金属管座10的基座12时，能够抑制焊料或导电性粘接剂90a经由开孔通孔78(1)～78(n)和开孔通孔79(1)～79(n)流出到柔性印刷电路基板70的一个主面70a。
此外，如果通过加厚柔性印刷电路基板70的厚度T而使信号布线层71与接地层73之间的耦合对高频特性造成的影响减弱至能够忽略的程度，则也可以不形成开孔通孔78(1)～78(n)和开孔通孔79(1)～79(n)。
并且，在不需要将柔性印刷电路基板70较大地弯曲的、图8所示那样的柔性印刷电路基板70与电连接于柔性印刷电路基板70的另一端部的印刷电路板(PCB：printedcircuit board)100之间处于平行或低阶差的位置关系的应用例中，应用上述厚度T的厚度较厚的柔性印刷电路基板70的情况下，柔性印刷电路基板70的可靠性提高。
由于信号布线层71形成在一对接地布线层76与接地布线层77之间，因此通过一对接地布线层76和接地布线层77形成特性阻抗为50Ω的接地-信号线-接地(GSG)类型的共面线路。如图7所示，信号布线层71形成共面线路，因此信号布线层71的线路宽度W为100μm，另外，信号布线层71与接地布线层76之间的间隔D、以及信号布线层71与接地布线层77之间的间隔D均为50μm。
在这样构成的实施方式3的半导体激光模块中，也起到如下的效果。
与上述所示的实施方式2的半导体激光模块同样地，除了本发明的实施方式1的半导体激光模块中的第一(i)至(V)和第四效果以及第五效果、以及本发明的实施方式2的半导体激光模块中的第六效果至第八效果之外，还起到以下这样的效果。
即，第九，由于柔性印刷电路基板70的接地布线层76和接地布线层77分别以陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a和周边线42b为基准而与中央线42a和周边线42b形成在同一直线上，因此能够极力缩短金属线67和金属线68，回流电流的路径极短，从而高频特性优异。
第十，在通过信号布线层71和一对接地布线层76和接地布线层77形成特性阻抗为50Ω的接地-信号线-接地(GSG)类型的共面线路的柔性印刷电路基板70中，通过使柔性印刷电路基板70的厚度T比50μm厚，优选为100μm以上且不足300μm(不足陶瓷基板40的厚度)，在利用焊料或者导电性粘接剂90将柔性印刷电路基板70接合于金属管座10的基座12时，能够抑制焊料或者导电性粘接剂90a经由开孔通孔78(1)～78(n)和开孔通孔79(1)～79(n)流出到柔性印刷电路基板70的一个主面70a。
此外，由于采用厚度T较厚的柔性印刷电路基板70，因此能够减小柔性印刷电路基板70的一个主面70a与陶瓷基板40的一个主面40a的平面位置阶差，能够缩短金属线63、金属线66、金属线67以及金属线68的长度，从而高频特性优异。
进而，在将厚度T较厚的柔性印刷电路基板70应用于柔性印刷电路基板70与印刷电路板100之间处于平行或低阶差的位置关系的应用例的情况下，柔性印刷电路基板70的可靠性提高。
第十一，由于在通过信号布线层71、一对接地布线层76和接地布线层77而形成特性阻抗为50Ω的接地-信号线-接地(GSG)型的共面线路的柔性印刷电路基板70中，通过开孔通孔78(1)～78(n)和开孔通孔79(1)～79(n)而将接地布线层76和接地布线层77分别与接地层73连接，因此能够抑制存在于信号布线层71与接地层73之间的较弱的耦合所产生的影响。
并且，由于将从接地布线层76与金属线67的连接位置到距陶瓷基板40最近的开孔通孔78(1)的形成位置为止的距离L、和从接地布线层77与金属线68的连接位置到距陶瓷基板40最近的开孔通孔79(1)的形成位置为止的距离L设为500μm以上，因此在利用焊料或导电性粘接剂90将柔性印刷电路基板70接合于金属管座10的基座12时，即使焊料或导电性粘接剂90a经由开孔通孔78(1)和开孔通孔79(1)流出到柔性印刷电路基板70的一个主面70a，也不会阻碍金属线67和金属线68与接地布线层76和接地布线层77的连接。
实施方式4
基于图9，对作为本发明的方式4的光模块的半导体激光模块进行说明。
本发明的方式4的半导体激光模块与本发明的方式2和实施方式3的半导体激光模块仅仅是柔性印刷电路基板70的结构不同，其他方面相同。
即，相对于实施方式2和实施方式3的半导体激光模块中的柔性印刷电路基板70，设置了使信号布线层71从基材70c的一端部侧的端面突出的电极突出部71a，将该电极突出部71a直接通过焊料与形成于陶瓷基板40的信号布线层41连接。以下以该点为主体进行说明。
另外，各图中，相同标号表示相同或相当的部分。
形成于柔性印刷电路基板70的传递高频信号的信号布线层71从基材70c的一端部延伸至另一端部，还具有从基材70c的一端部突出的电极突出部71a。
优选柔性印刷电路基板70的基材70c的一端部侧的端面与陶瓷基板40的另一侧面接触，优选间隙为150μm以下。
柔性印刷电路基板70在一端部具有固定部70d和从固定部70d到末端的弯曲部70e。
柔性印刷电路基板70的一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与所述金属管座10的基座12的一个平面12a对置地配置，另一端部配置成位于圆筒部11的外部。从圆筒部11的FPC插入部11b位于圆筒部11的内侧的固定部70d与基座12的一个平面12a接触，位于固定部70d的另一个主面70b与基座12的一个平面12a位于同一个平面上，且与陶瓷基板40的另一个主面40b位于同一个平面上。
柔性印刷电路基板70的固定部70d与基座12的一个平面12a接触，通过焊料或导电性粘接剂固定。
柔性印刷电路基板70的弯曲部70e向远离基座12的一个平面12a的方向弯曲，柔性印刷电路基板70的基材70c的一端部侧的端面与陶瓷基板40的另一侧面对置，信号布线层71的电极突出部71a通过弯曲部70e自身的欲从弯曲的形状恢复为笔直的反作用力，在向信号布线层41的方向施加力的状态下与陶瓷基板40的信号布线层41接触。
在反作用力弱的情况下，使用焊料或导电性粘接剂使电极突出部71a与陶瓷基板40的信号布线层41直接电连接。
从陶瓷基板40的接地布线层42起的柔性印刷电路基板70的返回路径也可以是与实施方式2的半导体激光模块同样地，在一端部的一个主面70a设置有经由开孔通孔(未图示)与接地层73电连接的接地焊盘层74和接地焊盘层75的结构。
从陶瓷基板40的接地布线层42起的柔性印刷电路基板70的返回路径也可以是与实施方式3的半导体激光模块同样地，设置有形成于一个主面70a且在中间夹着信号布线层71的、流通回流电流的一对接地布线层76和接地布线层77的结构。
在采用具有与信号布线层71一起构成共面线路的一对接地布线层76和接地布线层77的结构的情况下，与信号布线层71同样地，接地布线层76和接地布线层77分别构成为从基材70c的一端部延伸到另一端部，还具有从基材70c的一端部突出的电极突出部。
接地布线层76的电极突出部在通过弯曲部70e自身的反作用力而向信号布线层41的方向施加了力的状态下与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a接触，从而进行电连接。
此外，接地布线层77的电极突出部在通过弯曲部70e自身的反作用力而向信号布线层41的方向施加了力的状态下与陶瓷基板40的接地布线层42的周边线42b接触，从而进行电连接。
在该情况下也一样，在反作用力较弱的情况下，使用焊料或导电性粘接剂而使电极突出部与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a、以及电极突出部与陶瓷基板40的接地布线层42的周边线42b直接电连接。
在这样构成的实施方式4的半导体激光模块中，除了与本发明的实施方式2或实施方式3的半导体激光模块同样的效果之外，还起到如下的效果。
即，第十二，柔性印刷电路基板70的信号布线层71通过其电极突出部71a与陶瓷基板40的信号布线层41直接电连接，因此能够防止高频特性的劣化，能够进行更高速的信号传输。
此外，在使用构成为具有与信号布线层71一起构成共面线路的一对接地布线层76和接地布线层77的柔性印刷电路基板70的情况下，一对接地布线层76和接地布线层77分别通过它们的电极突出部与陶瓷基板40的接地布线层42的中央线42a和周边线42b直接电连接，因此能够防止高频特性的劣化，能够进行更高速的信号传输。
实施方式5
基于图10至图13，对作为本发明的实施方式5的光模块的半导体激光模块进行说明。
本发明的方式5的半导体激光模块与本发明的方式2的半导体激光模块仅仅是柔性印刷电路基板70的结构不同，其他方面相同。
即，相对于实施方式2的半导体激光模块中的柔性印刷电路基板70，采用了如下的金属层为3层结构的柔性印刷电路基板70：在形成于一个主面的信号布线层71和电源布线层72的表面形成有上层基材70f，在上层基材70f的表面形成有表面接地层73a。以下以该点为主体进行说明。
另外，各图中，相同标号表示相同或相当的部分。
柔性印刷电路基板70在一个主面70a上通过蒸镀等而形成有从一端部延伸到另一端部的传递高频信号的信号布线层71、和与该信号布线层71隔开间隔地并行配置的被供给各种电源、在本例中为直流电源的电源布线层72，在另一个主面70b的整个区域通过蒸镀等而形成有接地层73。信号布线层71和电源布线层72是形成于下层基材70c的表面的金属层，接地层73是形成于下层基材70c的背面的金属层。位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的接地层73未被绝缘体等覆盖而露出。
柔性印刷电路基板70在下层基材70c的表面上形成有上层基材70f。
下层基材70c及上层基材70f除了聚酰亚胺以外，还使用高频信号的损失小的液晶聚合物、特氟隆(注册商标)这样的材料。
柔性印刷电路基板70在位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的上层基材70f的表面上遍及宽度方向整个区域地形成有表面接地层73a。该表面接地层73a是形成于上层基材70f的表面的金属层，未被绝缘体等覆盖而露出。
柔性印刷电路基板70中，位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的柔性印刷电路基板70的两侧面、即下层基材70c及上层基材70f的两侧面被加工成凹部形状，在该凹部形状的侧面形成有被金属化而将接地层73与表面接地层73a电连接的城堡形结构110。城堡形结构110未被绝缘体等覆盖而露出。
柔性印刷电路基板70的一端部贯通金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b而与所述金属管座10的基座12的一个平面12a对置，且与基座12的一个平面12a接触配置，另一端部配置成位于圆筒部11的外部。
柔性印刷电路基板70直接安装于金属管座10的基座12，利用焊料或导电性粘接剂接合并固定于金属管座10的基座12的一个平面12a。
柔性印刷电路基板70在圆筒部11的FPC插入部11b中使用密封材料80进行密封。
密封材料80是焊料，能够将柔性印刷电路基板70与金属管座10的圆筒部11之间气密地密封。
此外，柔性印刷电路基板70的接地层73、表面接地层73a和城堡形结构110与金属管座10的圆筒部11通过作为焊料的密封材料80而电连接。
柔性印刷电路基板70在位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的部分，通过接地层73、表面接地层73a以及城堡形结构110而使得周围被金属包围并接地。其结果是，位于FPC插入部11b的信号布线层71与外部完全绝缘，不会受到密封材料80的影响，得到了稳定的信号布线层71的阻抗。
此外，由于使用焊料作为密封材料80，因此能够避免在密封材料80中成为问题的水分子的透过，作为半导体激光器的发光元件50a的可靠性提高。
另外，柔性印刷电路基板70的信号布线层71经由开孔通孔71c与形成于上层基材70f的表面的信号布线焊盘71b电连接。信号布线焊盘71b通过金属线69与陶瓷基板40的信号布线层41电连接。
同样地，虽然未图示，但柔性印刷电路基板70的电源布线层72也经由开孔通孔与形成于上层基材70f的表面的电源布线焊盘电连接。电源布线焊盘通过金属线与陶瓷基板40的电源布线层45电连接。
在这样构成的实施方式3的半导体激光模块中，也起到如下的效果。
与上述所示的实施方式2的半导体激光模块同样地，除了本发明的实施方式1的半导体激光模块中的第一(i)至(V)和第四效果以及第五效果、以及本发明的实施方式2的半导体激光模块中的第六效果之外，还起到如下的效果。
即，第十三，在位于金属管座10的圆筒部11的FPC插入部11b的部分，通过接地层73、表面接地层73a及城堡形结构110将柔性印刷电路基板70的周围利用金属完全包围，且使用焊料作为密封材料80，因此FPC插入部11b的气密性提高，发光元件50a的可靠性提高，并且得到了稳定的信号布线层71的阻抗。
此外，本发明的实施方式5的半导体激光模块示出了在实施方式2的半导体激光模块中应用了金属层为3层结构的柔性印刷电路基板70的情况，但也可以在实施方式1、实施方式3、实施方式4的半导体激光模块中应用金属层为3层结构的柔性印刷电路基板70。
实施方式6
基于图14，对作为本发明的方式6的光模块的、搭载有作为受光元件的光通信用光电二极管的光接收模块进行说明。
本发明的实施方式1至实施方式5的光模块使用作为发光元件的半导体激光器作为光半导体元件50，但本发明的实施方式6的光模块使用作为受光元件的端面受光型的光电二极管(PD：Photodiode)，具体而言使用波导型光电二极管作为光半导体元件50，其他方面相同。
以下，对使用波导型光电二极管作为本发明的实施方式1的光模块中的光半导体元件50的例子进行说明。
另外，各图中，相同标号表示相同或相当的部分。
此外，使用波导型光电二极管作为本发明的实施方式2至实施方式5的光模块中的光半导体元件50的例子也与使用波导型光电二极管作为本发明的实施方式1的光模块中的光半导体元件50的例子相同。
光半导体元件50(以下称为受光元件50b)是现有文献《M.Nakaji，et al，Highlyreliable wave-guide photodiode with wide bandwidth of 50GHz at the lowoperation voltage of-1.5V，Optical Fiber Communications Conference，2003.》所示的波导型光电二极管。
受光元件50b在上表面设置有作为阳极电极端子的电源端子54和作为阴极电极端子的信号输出端子55。
受光元件50b以受光面朝向透镜30的方向的方式搭载于陶瓷基板40的一个主面40a，接收来自外部的光透过透镜30而聚光或转换为平行光后的光。
作为放大器的跨阻放大器(TIA：Transimpedance Amplifier)120接近受光元件50b而搭载于陶瓷基板40的一个主面40a。
跨阻放大器120在上表面设置有用于向受光元件50b供给电力的电源端子121、接受来自受光元件50b的输出电流的信号输入端子122、将输入的输出电流转换为电压并放大输出的差动对的信号输出端子123和信号输出端子124。
受光元件50b的电源端子54利用由金构成的金属线131通过引线键合而与跨阻放大器120的电源端子121电连接。
受光元件50b的信号输出端子55利用由金构成的金属线132通过引线键合而与跨阻放大器120的信号输入端子122电连接。
跨阻放大器120的差动对的信号输出端子123和信号输出端子124分别与在柔性印刷电路基板70的一个主面70a上以从一端部延伸到另一端部的方式并行形成的传输输入信号的差动对的信号布线层71d和信号布线层71e对应地，利用由金构成的金属线133和金属线134通过引线键合而电连接。
另外，在本实施方式6中，将跨阻放大器120搭载于陶瓷基板40的一个主面40a，但只要与受光元件50b接近地配置，则也可以搭载于金属管座10的基座12的一个平面12a上、或者柔性印刷电路基板70的一个主面70a上。
在这样构成的实施方式6的光模块中，也起到与本发明的实施方式1的光模块同样的效果。
此外，在使用波导型光电二极管作为本发明的实施方式2至实施方式5的光模块中的光半导体元件50的情况下，也分别起到与实施方式2至实施方式5的光模块同样的效果。
此外，本发明的实施方式6的光模块中，将受光元件50b和跨阻放大器120搭载于陶瓷基板40的一个主面40a，但还可以将本发明的实施方式2至实施方式5的光模块所示的发光元件50a搭载于陶瓷基板40的一个主面40a。
即，是搭载有光通信用半导体激光器和光电二极管的光收发模块。
在光收发模块中，在陶瓷基板40的一个主面40a搭载发光元件50a、受光元件50b和跨阻放大器120。
在该情况下，在柔性印刷电路基板70的一个主面70a上并行地形成发光元件50a用的信号布线层71、受光元件50b用的信号布线层71d和信号布线层71e。
此外，本发明在其发明的范围内能够进行各实施方式的自由组合、或者各实施方式的任意的构成要素的变形、或者各实施方式中的任意的构成要素的省略。
产业上的可利用性
本发明的光模块如实施方式1至实施方式5所示，能够用作光通信用的光发送模块，如实施方式6所示，能够用作光通信用的光接收模块，两者能够用作搭载有发光元件和受光元件两者的光收发模块。
标号说明
10：金属管座；11：圆筒部；11a：一个平面；11b：FPC插入部；12：基座；20：透镜盖；21：底部；22：侧壁部；22a：一端开放端面；30：透镜；40：陶瓷基板；40a：一个主面；40b：另一个主面；41：信号布线层；42：接地布线层；43：终端电阻；44：电阻连接布线层；50：光半导体元件；50a：发光元件；50b：受光元件；51：信号端子；52：电源端子；53：接地端子；61～64：金属线；70：柔性印刷电路基板；70a：一个主面；70b：另一个主面；70c：基材(下层基材)；70d：固定部；70e：弯曲部；70f：上层基材；71：信号布线层；71a：电极突出部；71d：信号布线层；71e：信号布线层；72：电源布线层；73：接地层；73a：表面接地层；74：接地焊盘层；75：接地焊盘层；76：接地布线层；77：接地布线层；78(1)～78(n)：开孔通孔；79(1)～79(n)：开孔通孔；80：密封材料；110：城堡形结构。

Claims (21)

1.一种光模块，其具备：
金属管座，其具有形成有FPC插入部的圆筒部和从该圆筒部的一个平面直立的基座；
一端开放的筒状的透镜盖，其覆盖所述金属管座的基座，该透镜盖的开口端面与所述金属管座的圆筒部的一个平面的周边部接触而被固定，在该透镜盖的底部搭载有透镜；
陶瓷基板，其搭载于所述金属管座的基座的一个平面，具有形成于一个主面的信号布线层和接地布线层；
光半导体元件，其搭载于所述陶瓷基板的一个主面，并具有发光元件，该发光元件具有与所述陶瓷基板的信号布线层电连接的信号端子和与所述陶瓷基板的接地布线层电连接的接地端子，并且该发光元件向透镜的方向照射光；以及
柔性印刷电路基板，其一端部贯通所述金属管座的圆筒部的FPC插入部而与所述金属管座的基座的一个平面对置，另一端部位于所述金属管座的外部，该柔性印刷电路基板具有在一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成、且在一端部通过金属线与所述陶瓷基板的信号布线层电连接的信号布线层。
2.根据权利要求1所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在另一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成的接地层，
所述柔性印刷电路基板的一端部的一部分与所述陶瓷基板的一部分重叠，所述柔性印刷电路基板的接地层与所述陶瓷基板的接地布线层接触而电连接。
3.根据权利要求1所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在另一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成的接地层，
所述柔性印刷电路基板的一端部的另一个主面与所述基座的一个平面接触，所述柔性印刷电路基板的一端部侧的端面与所述陶瓷基板的侧面对置配置。
4.根据权利要求3所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有经由开孔通孔与形成于另一个主面的接地层电连接的接地焊盘，
所述柔性印刷电路基板的接地焊盘与所述陶瓷基板的接地布线层通过金属线电连接。
5.根据权利要求1所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在一个主面以夹着信号布线层从一端部延伸至另一端部的方式形成的一对接地布线层，该一对接地布线层与所述信号布线层构成共面线路，
所述柔性印刷电路基板的一端部的另一个主面与所述基座的一个平面接触，所述柔性印刷电路基板的一端部侧的端面与所述陶瓷基板的侧面对置配置，
所述柔性印刷电路基板的一对接地布线层分别通过金属线与所述陶瓷基板的接地布线层电连接。
6.根据权利要求5所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在另一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成、并经由多个开孔通孔与形成于一个主面的所述一对接地布线层分别电连接的接地层，
从一个接地布线层与金属线的连接位置到距离陶瓷基板最近的开孔通孔的形成位置为止的距离、以及从另一个接地布线层与金属线的连接位置到距离陶瓷基板最近的开孔通孔的形成位置为止的距离为500μm以上。
7.根据权利要求5或6所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板的厚度比50μm厚，且比所述陶瓷基板薄。
8.根据权利要求1或2所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有：上层基材，其在形成于一个主面的信号布线层和电源布线层的表面上形成；表面接地层，其在位于所述金属管座的圆筒部的FPC插入部的上层基材的表面上遍及宽度方向整个区域而形成；以及城堡形结构，其形成于位于所述金属管座的圆筒部的FPC插入部的柔性印刷电路基板的两侧面，将形成于另一个主面的接地层与所述表面接地层电连接，
在所述柔性印刷电路基板中，位于所述金属管座的圆筒部的FPC插入部的、形成于另一个主面的接地层、所述表面接地层以及所述城堡形结构通过作为焊料的密封材料与所述金属管座的圆筒部电连接。
9.根据权利要求1至6中的任意一项所述的光模块，其中，
所述光半导体元件的发光元件是端面射出型的半导体激光器。
10.根据权利要求1至6中的任意一项所述的光模块，其中，
所述光半导体元件还具有受光元件，该受光元件接收透过所述透镜的光。
11.根据权利要求10所述的光模块，其中，
所述光半导体元件的受光元件是端面受光型的光电二极管。
12.一种光模块，其具备：
金属管座，其具有形成有FPC插入部的圆筒部和从该圆筒部的一个平面直立的基座；
一端开放的筒状的透镜盖，其覆盖所述金属管座的基座，该透镜盖的开口端面与所述金属管座的圆筒部的一个平面的周边部接触而被固定，在该透镜盖的底部搭载有透镜；
陶瓷基板，其搭载于所述金属管座的基座的一个平面，具有形成于一个主面的信号布线层和接地布线层；
光半导体元件，其搭载于所述陶瓷基板的一个主面，并具有与所述陶瓷基板的信号布线层电连接的信号端子和与所述陶瓷基板的接地布线层电连接的接地端子；以及
柔性印刷电路基板，其一端部贯通所述金属管座的圆筒部的FPC插入部而与所述金属管座的基座的一个平面对置，另一端部位于所述金属管座的外部，该柔性印刷电路基板具有在一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成的信号布线层，
所述柔性印刷电路基板具备：固定部，其从所述FPC插入部位于所述圆筒部的内侧，与所述基座的一个平面接触而被固定；以及弯曲部，其从该固定部到末端向远离所述基座的一个平面的方向弯曲，该弯曲部的端面与所述陶瓷基板的侧面对置配置，
所述柔性印刷电路基板的信号布线层设置有电极突出部，该电极突出部从所述柔性印刷电路基板的基材的弯曲部的端面突出，并与所述陶瓷基板的信号布线层接触而电连接。
13.根据权利要求12所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在一个主面以夹着信号布线层从一端部延伸至另一端部的方式形成的一对接地布线层，该一对接地布线层与所述信号布线层构成共面线路，
所述柔性印刷电路基板的一对接地布线层分别设置有电极突出部，该电极突出部从所述柔性印刷电路基板的基材的弯曲部的端面突出，并与所述陶瓷基板的接地布线层接触而电连接。
14.根据权利要求12或13所述的光模块，其中，
所述光半导体元件的发光元件是端面射出型的半导体激光器。
15.根据权利要求12或13所述的光模块，其中，
所述光半导体元件还具有受光元件，该受光元件接收透过所述透镜的光。
16.根据权利要求15所述的光模块，其中，
所述光半导体元件的受光元件是端面受光型的光电二极管。
17.一种光模块，其具备：
金属管座，其具有形成有FPC插入部的圆筒部和从该圆筒部的一个平面直立的基座；
一端开放的筒状的透镜盖，其覆盖所述金属管座的基座，该透镜盖的开口端面与所述金属管座的圆筒部的一个平面的周边部接触而被固定，在该透镜盖的底部搭载有透镜；
陶瓷基板，其搭载于所述金属管座的基座的一个平面；
光半导体元件，其搭载于所述陶瓷基板的一个主面，并具有接收透过所述透镜的光的受光元件；
放大器，其搭载于所述陶瓷基板的一个主面或所述金属管座的基座的一个平面，并具有信号输出端子和接收来自所述受光元件的输出的信号输入端子；以及
柔性印刷电路基板，其一端部贯通所述金属管座的圆筒部的FPC插入部而与所述金属管座的基座的一个平面对置，另一端部位于所述金属管座的外部，该柔性印刷电路基板具有在一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成、且在一端部通过金属线与所述放大器的信号输出端子电连接的信号布线层。
18.根据权利要求17所述的光模块，其中，
所述光半导体元件的受光元件是端面受光型的光电二极管，所述放大器是跨阻放大器。
19.根据权利要求17或18所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在另一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成的接地层，
所述柔性印刷电路基板的一端部的一部分与所述陶瓷基板的一部分重叠，所述柔性印刷电路基板的接地层与形成于所述陶瓷基板的一个主面的接地布线层接触而电连接。
20.根据权利要求17或18所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有在另一个主面以从一端部延伸至另一端部的方式形成的接地层，
所述柔性印刷电路基板的一端部的另一个主面与所述基座的一个平面接触，所述柔性印刷电路基板的一端部侧的端面与所述陶瓷基板的侧面对置配置。
21.根据权利要求20所述的光模块，其中，
所述柔性印刷电路基板具有经由开孔通孔与形成于另一个主面的接地层电连接的接地焊盘，
所述柔性印刷电路基板的接地焊盘与形成于所述陶瓷基板的一个主面的接地布线层通过金属线电连接。
CN201980096736.4A 2019-05-29 2019-05-29 光模块 Active CN113875103B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/021364 WO2020240738A1 (ja) 2019-05-29 2019-05-29 光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113875103A CN113875103A (zh) 2021-12-31
CN113875103B true CN113875103B (zh) 2024-05-10

Family

ID=73552055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980096736.4A Active CN113875103B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 光模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11703378B2 (zh)
JP (1) JP6995247B2 (zh)
CN (1) CN113875103B (zh)
WO (1) WO2020240738A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6784793B2 (ja) * 2019-04-12 2020-11-11 株式会社フジクラ レーザモジュール及びその製造方法
WO2020240738A1 (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 三菱電機株式会社 光モジュール
JP2022143754A (ja) * 2021-03-18 2022-10-03 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
CN115188868A (zh) * 2021-04-07 2022-10-14 宁波环球广电科技有限公司 内置热电制冷器的to封装光发射器件
US12033678B2 (en) * 2021-09-16 2024-07-09 International Business Machines Corporation Cable bonding protection for head dimensional stability
CN117458256B (zh) * 2023-10-25 2024-05-07 无锡市博精电子有限公司 To管座以及to管座的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249711A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Opnext Japan Inc 光通信モジュール
CN1917204A (zh) * 2005-08-04 2007-02-21 恩益禧电子股份有限公司 带柔性基板的光组件
CN1972558A (zh) * 2005-10-31 2007-05-30 索尼株式会社 柔性印刷电路板以及具有其的模块和器件
JP2007287767A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 光サブアセンブリ
CN101068064A (zh) * 2006-03-28 2007-11-07 三菱电机株式会社 光学元件用组件及使用该组件的光学半导体器件
JP2011108940A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール用実装構成およびｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール
CN108205171A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 日本奥兰若株式会社 光模块以及光传输装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3815802B2 (ja) * 1994-07-01 2006-08-30 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JPH08227532A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Toshiba Corp 光ヘッド装置
JP2970580B2 (ja) * 1997-03-21 1999-11-02 日本電気株式会社 半導体チップ、光受信モジュールおよび光受信モジュールの製造方法
JP2002198605A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Chichibu Fuji Co Ltd 半導体レーザユニット
US7215886B2 (en) * 2002-02-04 2007-05-08 Hitachi, Ltd. Optical communication module
JP3998526B2 (ja) * 2002-07-12 2007-10-31 三菱電機株式会社 光半導体用パッケージ
JP2004207259A (ja) 2002-10-04 2004-07-22 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2004170808A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール、及び光ネットワーク
JP4058764B2 (ja) * 2003-06-26 2008-03-12 住友電気工業株式会社 通信モジュール
US20050018994A1 (en) 2003-07-24 2005-01-27 Oepic, Inc. Active and passive to-can extension boards
JP2005142238A (ja) 2003-11-04 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システム
JP2010135688A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール製造方法
JP2010135687A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
US8723283B2 (en) * 2011-02-10 2014-05-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical module
JP5631773B2 (ja) 2011-02-22 2014-11-26 日本電信電話株式会社 光送信モジュール
JP5631772B2 (ja) * 2011-02-22 2014-11-26 日本電信電話株式会社 光送信モジュール
JP5631774B2 (ja) 2011-02-22 2014-11-26 日本電信電話株式会社 光送信モジュール
JP2015088641A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 三菱電機株式会社 光モジュール
JP6430160B2 (ja) 2014-07-07 2018-11-28 日本オクラロ株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JP6576665B2 (ja) 2015-04-01 2019-09-18 新光電気工業株式会社 光素子用パッケージ及び光素子装置
US10534239B2 (en) * 2016-06-03 2020-01-14 Mitsubishi Electric Corporation Optical modulator
JP6749807B2 (ja) 2016-07-26 2020-09-02 新光電気工業株式会社 光半導体装置
CN110226270B (zh) * 2017-01-20 2021-09-28 三菱电机株式会社 光模块
WO2019193706A1 (ja) * 2018-04-05 2019-10-10 三菱電機株式会社 光モジュール
CN111971860B (zh) * 2018-04-11 2022-02-15 三菱电机株式会社 光模块
WO2020240738A1 (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 三菱電機株式会社 光モジュール

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249711A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Opnext Japan Inc 光通信モジュール
CN1917204A (zh) * 2005-08-04 2007-02-21 恩益禧电子股份有限公司 带柔性基板的光组件
CN1972558A (zh) * 2005-10-31 2007-05-30 索尼株式会社 柔性印刷电路板以及具有其的模块和器件
CN101068064A (zh) * 2006-03-28 2007-11-07 三菱电机株式会社 光学元件用组件及使用该组件的光学半导体器件
JP2007287767A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 光サブアセンブリ
JP2011108940A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール用実装構成およびｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール
CN108205171A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 日本奥兰若株式会社 光模块以及光传输装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113875103A (zh) 2021-12-31
US11703378B2 (en) 2023-07-18
WO2020240738A1 (ja) 2020-12-03
US20220057256A1 (en) 2022-02-24
JP6995247B2 (ja) 2022-02-04
JPWO2020240738A1 (ja) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113875103B (zh) 光模块
CN107430293B (zh) 光电路
JP3998526B2 (ja) 光半導体用パッケージ
US20110008056A1 (en) Connection device and optical device
US7039083B2 (en) High speed optical transmission assembly
CN113327990B (zh) 光学模块
KR20120054209A (ko) 광 모듈
EP3428961B1 (en) Package for storing functional element, semiconductor device and ln modulator
CN112436375A (zh) 半导体光学设备
JP7063695B2 (ja) 光モジュール
JP6228561B2 (ja) 高周波伝送線路および光回路
JP4212845B2 (ja) 光半導体素子モジュール
JP2004093606A (ja) 光モジュール及び光伝送装置
JP6228560B2 (ja) 高周波伝送線路および光回路
JP2019186379A (ja) 光モジュール
JP7036646B2 (ja) 半導体素子用パッケージおよび半導体装置
JP6671567B1 (ja) 光モジュール
US11722221B2 (en) Optical module
JP2004259880A (ja) 光半導体装置
JP7526691B2 (ja) 光モジュール
US20240072512A1 (en) Optical semiconductor device
US20040173376A1 (en) Electrical connection arrangement, component and method for high speed optical transceivers
CN117063356A (zh) 光接收组件、光模块、通信设备
JP2016181539A (ja) 光回路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant