JP2008103774A - 高周波光伝送モジュールおよび光伝送器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス封止された同軸部を有するステムを介して内部に半導体レーザ素子が気密収納された半導体レーザモジュールであって、前記ステム同軸部より半導体レーザ素子に至る放熱用基板上に導電パターンが形成され、ステム同軸部および半導体レーザ素子の間をそれぞれワイヤボンディングあるいははんだ付けで接続されている前記半導体レーザモジュールであり、前記放熱用基板上パターンと前記ステム同軸部と半導体レーザモジュールのリード実装部のインピーダンスをそれぞれZ1、Z2、Z3とした場合、Z1≦Z2<Z3あるいはZ3>Z1>Z2であることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
部を密着実装させ、且つ強度確保を行なう手段としてはフレキシブル基板実装が既に実現されている。特開2001−144366号公報にはインピーダンス整合が取られたフレキシブル基板実装されたLD駆動回路の例が開示されている(特許文献2)。
前記ステム同軸部より半導体レーザ素子に至る放熱用基板上にマイクロストリップ線路又はコプレーナ線路にてパターンが形成され、ステム同軸部および半導体レーザ素子の間をそれぞれワイヤボンディング或いははんだ付けで接続されている前記半導体レーザモジュールや光伝送器であり、
前記放熱用基板上パターンと前記ステム同軸部と半導体レーザモジュールのリード実装部のインピーダンスをそれぞれZ1、Z2、Z3とした場合、Z1≦Z2<Z3あるいはZ3>Z1>Z2であることを特徴としている。モジュールの放熱用基板上のパターンとステム同軸部のインピーダンスZ1及びZ2を小さくした例である。即ち、このようなインピーダンスの不整合な関係を取りつつ、所望高周波帯域で信号の透過特性が低下せずに確保する手法を取るのである。
<実施例1>
本発明の代表的な例を図1及び図2に示す。図1は当該半導体レーザモジュールの断面図、図2の(a)はその斜視図、図2の(b)は同軸部の軸方位と直交する面での断面図である。
<実施例2>
本実施例1に示した例は、LDを駆動させる入力部が単相であった場合でも充分に成り立つ。例えばステム1とレンズ一体型キャップ7に覆われた実装エリア内においてLDのアノード部をワイヤボンディング等でGND接続し、カソード部をリードピンへ引き出すような接続を採った場合に相当する。実施例を図11に示す。この場合、GND接続(アノード部〜GNDピン)がステム1本体を通して接続可能なため、同軸リード変換用基板4a等は省略可能である。その他の構成はこれまでの例と同様なので詳細説明は省略する。
Claims (5)
- ステムと、当該ステムの一方の面に、放熱用基板と、前記放熱用基板に搭載された半導体レーザ素子と、前記放熱用基板上の導電パターンと、前記ステムに搭載されたガラス封止された同軸部と、を前記ステムに気密封止体によって気密封止されて有し、前記ステムの前記同軸部とは反対側の面に射出されたリード線部を有し、且つ
前記半導体レーザ素子の両端子は前記放熱用基板上の所定の導電パターンと、前記放熱用基板上の導電パターンの他方の端部は所定の前記同軸部とがワイヤボンディング或いは半田付けで接続され、
前記放熱用基板上の導電パターンは、誘電率8.5のセラミックを用いて基板厚0.15mm、パターン幅0.5mmのマイクロストリップラインであり、
前記ステムは熱膨張率12のSPCであり、
前記ステム同軸部は、熱膨張率が9.4かつ誘電率が6.8のガラスを用い、リード径が0.3mm、かつガラス径が0.9mmであり、
前記リード線部から前記導電パターンにおける前記半導体レーザ素子の搭載部までの長さ6.5mmであり、
前記放熱用基板上の導電パターン、前記ガラス封止された同軸部、及び前記リード線部のインピーダンスをそれぞれ20Ω、25Ω、50Ωとしたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザ素子のアノード及びカソードをそれぞれ独立に前記同軸部へ接続したリード部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記放熱用基板上の導電パターンより前記リード線部に直接電気的接続がなされることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子のアノード端子、ケース端子およびカソード端子を同一線上の並びに配置させたことを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザモジュール。
- 請求項1より請求項4のいずれかに記載の半導体レーザモジュールを有することを特徴とする光伝送器。
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