JP6445268B2 - 光モジュール、光送受信モジュール、及びフレキシブル基板 - Google Patents

Description

本発明は、光モジュール、光送受信モジュール、及びフレキシブル基板に関する。

例えば光通信に、光半導体素子を備える光モジュールが用いられている。かかる光モジュールは、筐体をさらに備え、光半導体素子は、筐体の中に収容されている。かかる光モジュールは、電気信号を伝送するために、リード端子をさらに備える。リード端子は、筐体を貫通するとともに、筐体本体とは電気的には接続されていない（すなわち、絶縁されている）。筐体を貫通するリード端子の筐体内側の端部は、ワイヤ等により、筐体の中に収容される光半導体素子に接続される。かかる光モジュールは、リード端子の筐体外側の端部と接続される配線基板を備える。リード端子の該端部は、配線基板上に形成される信号線路と接続される。

一般に、伝送線路における特性インピーダンスの不整合箇所で、電気信号の反射が生じやすくなり、伝搬する電気信号に歪みが生じ、光モジュールの高周波特性に影響を及ぼす。特性インピーダンスの不整合は、上述の光モジュールにおいては、例えば、リード端子のうち筐体を貫通している部分と配線基板との間や、リード端子のうち筐体を貫通している部分と筐体内部へ突出している部分との間、などで生じ得る。

特性インピーダンスの不整合を補償してかかる不整合を抑制する技術が、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。特許文献１に開示のキャンパッケージ型光半導体装置は、ステム底面と接着されるフレキシブル回路基板の面との密着性を向上させるために、リードピンの溶接部に掘り込みを設けたステムを備えている（図２参照）。密着性が向上したことにより、リードピンにおいてインダクタンスが大きくなることが抑制される。また、特許文献２に開示のフレキシブルプリント基板では、フレキシブルプリント基板とリードピンとの接合部でのインピーダンスの変化が緩和されるように、フレキシブルプリント基板上に形成される配線パターンに加工が施されて、光波形の特性の確保が図られている。

特開２００６−０８０４１８号公報 特開２００９−２９５７１７号公報

近年、光モジュールには、高周波特性の向上とともに、さらなる低コスト化が望まれている。それゆえ、光半導体素子のみならず、これを収容する筐体や周辺部材について安価な構成が望まれている。しかしながら、特許文献１に開示されるステムのように、インピーダンス不整合を緩和させるために特別な加工をパッケージに施すと、その加工工程の追加や少量化によるコスト増を招くこととなる。また、特許文献２に開示されるフレキシブルプリント基板の配線パターンでは、高周波特性の向上に限界がある。

本発明は、かかる課題を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高周波特性の向上を低コストで実現出来る光モジュール、光送受信モジュール、及びフレキシブル基板を提供することにある。

（１）上記課題を解決するために、本発明にかかる光モジュールは、光半導体素子と、前記光半導体素子を収容する、筐体と、前記筐体を貫通するとともに前記筐体とは電気的に絶縁され、前記光半導体素子と電気的に接続される、リード端子と、前記リード端子に電気的に接続される信号線路が形成される、配線基板と、を備える、光モジュールであって、前記信号線路は、第１の幅で延伸する第１の信号線路部と、前記第１の幅より狭い第２の幅で延伸する第２の信号線路部と、オープンスタブ部と、前記リード端子が貫通する貫通孔端部と、を含み、前記第２の信号線路部及び前記オープンスタブ部とは、前記第１の信号線路部と前記貫通孔端部との間に、直列に接続して配置される。

（２）上記（１）に記載の光モジュールであって、前記第２の信号線路部と、前記オープンスタブ部とが、前記第１の信号線路部から前記貫通孔端部へこの順で配置されてもよい。

（３）上記（１）又は（２）に記載の光モジュールであって、前記第２の信号線路部と、前記オープンスタブ部は、前記配線基板のうち前記筐体に接続される領域に形成されてもよい。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記筐体は前記リード端子を貫通させるための貫通孔を有し、前記貫通孔の径は１ｍｍ以下であってもよい。

（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記リード端子が、前記筐体の内側に１ｍｍ以上突出していてもよい。

（６）上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記筐体が前記配線基板に接続される部分はステムであり、前記ステムの外径は５．６ｍｍ以下であってもよい。

（７）本発明に係る光送受信モジュールは、上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の光モジュールと、他の光モジュールと、を備える光送受信モジュールであって、前記光モジュールと前記他の光モジュールのいずれか一方が光送信器であり、他方が光受信器であってもよい。

（８）本発明に係るフレキシブル基板は、第１の幅で延伸する第１の信号線路部と、光モジュールの筐体に貫通するとともに前記筐体とは電気的に絶縁して配置されるリード端子を貫通させて接続させるための貫通孔端部と、前記第１の幅より狭い第２の幅で延伸する第２の信号線路部と、オープンスタブ部と、を含む信号線路、が形成されるフレキシブル基板であって、前記第２の信号線路部と、前記オープンスタブ部とは、前記第１の信号線路部と前記貫通孔端部との間に、直列に接続して配置されてもよい。

本発明により、高周波特性の向上を低コストで実現出来る光モジュール、光送受信モジュール、及びフレキシブル基板が提供される。

本発明の第１の実施形態に係る光モジュールの構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るステムの正面図である。 本発明の第１の実施形態に係るステムの断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフレキシブル基板の上面図である。 本発明の第２の実施形態に係るフレキシブル基板の上面図である。 光モジュールの反射特性を示す図である。 光モジュールのインピーダンス変化を示すスミスチャートである。

以下に、図面に基づき、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、以下に示す図は、あくまで、実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光モジュール２０の構造を示す断面図である。当該実施形態に係る光モジュール２０は、ＣＡＮ型光送信モジュール（例えば、ＴＯＳＡ）である。光モジュール２０は、半導体レーザ素子４と筐体１０とを備える。筐体１０は、ステム１とキャップ９とで構成され、電気的に接地されている。筐体１０の内部には、半導体レーザ素子４が収容される。

光モジュール２０は、４本のリード端子２を備えており、４本のリード端子２は、１対（２本）のリード端子２ａと、１本のリード端子２ｂと、１本のリード端子２ｃである。リード端子２は、リード又はリードピンとも呼ばれている。リード端子２ａ，２ｂは、ステム１を貫通するとともに、ステム１とは電気的には接続されず（すなわち、絶縁されて）配置される。リード端子２ａ，２ｂを貫通させるために、ステム１は、厚さ方向（ステム１の底面に対して垂直に延びる方向）に貫通する貫通孔を有している。この貫通孔の内側にリード端子２ａ，２ｂが配置され、貫通孔の側面とリード端子２ａ，２ｂの間の空間に充填された絶縁体３によって、リード端子２ａ，２ｂは貫通孔の内側で保持されるとともに、ステム１と電気的に絶縁される。また、リード端子２ｃはステム１に溶接され、ステム１と電気的に接続される。ここで、絶縁体３はたとえばガラス材である。１対のリード端子２ａは、半導体レーザ素子４に電気的に接続され、変調電気信号を半導体レーザ素子４へ伝送するための端子である。なお、光モジュール２０は差動方式で駆動される。リード端子２ｂは、半導体レーザ素子４以外の部材に電力を供給するための端子である。リード端子２ｂは、例えば、半導体レーザ素子４の出力をモニタするフォトダイオード（図示せず）に接続される。なお、光モジュール２０は、フォトダイオードが必要ない場合など、必ずしもリード端子２ｂを備えていなくてもよい。

光モジュール２０は、信号線路が形成される配線基板を備えている。ここで、配線基板は、フレキシブル基板７（フレキシブルプリント基板：ＦＰＣ）であり、フレキシブル基板７はステム１（筐体１０）に接して配置される。４本のリード端子２は、ステム１（筐体１０）の外側へ突出する部分をそれぞれ有している。フレキシブル基板７には、リード端子２の配置に対応して、４個のスルーホール（貫通孔）が形成されている。フレキシブル基板７の４個のスルーホールに、４本のリード端子２をそれぞれ貫通させ、半田８によって、リード端子２とフレキシブル基板７とが接合される。当該実施形態に係る光モジュールの主な特徴はフレキシブル基板７の構成にあり、特に、リード端子２ａに電気的に接続される信号線路の形状にある。この詳細については後述する。

ステム１の表面（筐体１０内部の面）に台座１ａが固定され、台座１ａはステム１と電気的に接続されている。台座１ａには、半田材や導電性接着剤などを用いて、放熱用基板５が取り付けられ、放熱用基板５の上側に半導体レーザ素子４が固定される。放熱用基板５は、高い熱伝導率を有するとともに、半導体レーザ素子４に近い熱膨張係数を有する絶縁性の材料（例えば、窒化アルミニウム）によって形成される。放熱用基板５の表面にメタライズ配線が形成されている。

リード端子２ａは、図１に示すように、ステム１から筐体１０の内側に突出している。リード端子２ａの筐体１０内側の端部は、ワイヤ６を介して、放熱用基板５の表面に形成されるメタライズ配線に電気的に接続されている。また、半導体レーザ素子４とメタライズ配線も他のワイヤ６を介して電気的に接続されている。

キャップ９には開口が形成され、この開口にレンズ１１が配置されており、筐体１０は気密性が確保されている。レンズ１１は半導体レーザ素子４が出射する光を集めて、筐体１０の外側へ出射し、出射される光は光ファイバを伝搬していく。

図２Ａは、当該実施形態に係るステム１の正面図であり、図２Ｂは、当該実施形態に係るステム１の断面図である。ステム１の外観は円盤形状をしており、ステム１の底面は外径が５．６ｍｍの円形である。図２Ａ及び図２Ｂには、リード端子２ａがステム１を貫通して固定されている状態が示されている。図２Ｂに示す断面は、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線による断面である。リード端子２ａのうち、ステム１の内部を貫通する部分が同軸部であり、同軸部とステム１と絶縁体３とで同軸線路を構成している。

図３は、当該実施形態に係るフレキシブル基板７の上面図である。フレキシブル基板７の表面には、図３に示す信号線路パターンが形成されており、裏面には導体層が形成されている。信号線路パターンと導体層とで、マイクロストリップ線路を構成している。ここでは、図３には、１対のリード端子２ａに接続される１対のマイクロストリップ線路が示されており、１対のマイクロストリップ線路により、フレキシブル基板７に差動伝送線路が形成されている。フレキシブル基板７に形成される１対の信号線路それぞれは、図３の下側に配置される端子から図３の上側へ第１の幅で延伸する第１の信号線路部１２と、リード端子２ａが貫通するランドパターン１３（貫通孔端部）と、第１の信号線路部１２とランドパターン１３との間に、直列に接続して配置される、第２の信号線路部１４ａ及びオープンスタブ部１５ａと、を含んでいる。各第１の信号線路部１２の図の下端は端子となっており、１対の端子は駆動デバイス（図示せず）に接続され、駆動デバイスが出力する差動電気信号が、フレキシブル基板７に形成される差動伝送線路及び１対のリード端子２ａなどを介して、半導体レーザ素子４へ伝送される。ランドパターン１３にはリード端子２ａが貫通してリード端子２ａと接続され、フレキシブル基板７に形成される信号線路の端部（貫通孔端部）である。第２の信号線路部１４ａは第２の幅で図３の縦方向に延伸しており、第２の幅は第１の幅より狭い。当該実施形態では、１対の第１の信号線路部１２は、所定の間隔で図の下側から上側に延伸し、リード端子２ｃに接続されるランドパターンを避けるよう、該所定の幅より広がって上側にさらに延伸する。第２の信号線路部１４ａは、第１の信号線路部１２の図の上端と、中心線を重ねるように接続される。オープンスタブ部１５ａは扇形形状をしており、ランドパターン１３に接して配置される。

１対の第１の信号線路部１２は、接続される駆動デバイスの出力インピーダンスに整合するように設計されており、第１の信号線路部１２の幅は第１の幅となっている。ここでは、第１の信号線路部１２それぞれは２５Ωにインピーダンス整合されている。第２の信号線路部１４ａそれぞれの幅は（第１の幅より狭い）第２の幅となっており、第１の信号線路部１２と比較して、高いインピーダンスとなっているので、インダクティブ（誘電性）に作用する。オープンスタブ部１５ａは、第１の信号線路部１２と比較して、低いインピーダンスとなっているので、キャパシティブ（容量性）に作用する。よって、第２の信号線路部１４ａとオープンスタブ部１５ａとで、インピーダンス整合回路を形成している。すなわち、第１信号線路部１２とランドパターン１３との間に、インピーダンス整合回路が配置されており、インピーダンス整合回路は、第２の信号線路部１４ａとオープンスタブ部１５ａとが直列に接続している。なお、当該実施形態に係るインピーダンス整合回路は、第１の信号線路部１２からランドパターン１３へ、第２の信号線路部１４ａとオープンスタブ部１５ａとがこの順で配置されている。

上述の通り、インピーダンス不整合は、リード端子２ａにおいて生じ得る。リード端子２ａとランドパターン１３との接合部分でもインピーダンス不整合は生じるが、支配的なインピーダンス不整合は、リード端子２ａのうち、ステム１の内部を貫通する部分（同軸部）と、筐体１０内部へ突出する部分（内側突出部）と、の間で生じていると考えられる。同軸部に対して内側突出部は大きなインダクタンス成分を持っているからである。かかるインダクタンス成分が、フレキシブル基板７に形成されるインピーダンス整合回路によって打ち消されるので、インピーダンス不整合が抑制され、反射特性が改善される。よって、光モジュール２０の高周波特性が向上される。特に、伝送速度が２．５Ｇｂｉｔ／ｓ以下の低速通信用の廉価なパッケージでは、加工のし易さからリード端子２ａの内側突出部が１ｍｍ以上筐体１０から突出している場合があり、反射特性に影響をする。それゆえ、本発明の効果は、内側突出部が１ｍｍ以上ある場合に特に顕著となる。

当該実施形態に係る光モジュールは、特許文献１と異なり、筐体１０（ステム１）に特別な加工を必要としていない。また、本発明の主な特徴は、フレキシブル基板７に形成される信号線路パターンの形状にあり、かかる信号線路パターンの形成は製造工程の工程数を増加させるものではない。すなわち、当該実施形態に係る光モジュールによって、大量生産が可能な低速光通信用の廉価なパッケージを用いて、例えば、１０Ｇｂｉｔ／ｓ級の高速光通信用の光モジュールを実現することが出来る。当該実施形態により、低速通信用のステム１を用いて、１０Ｇｂｉｔ／ｓ級の高速光信号を出力可能な光送信モジュールが実現する。

なお、図３に示すオープンスタブ部１５ａは扇型形状をしており、かかる扇形の中心が、ランドパターン１３の内側の貫通孔の中心と、一致するようにオープンスタブ部１５ａは配置されている。第１の信号線路部１２からランドパターン１３を通ってリード端子２ａへ伝搬する電気信号は、第２の信号線路部１４ａからインダクティブな作用を、オープンスタブ部１５ａからキャパシティブな作用を受けている。それゆえ、第１信号線路部１２とランドパターン１３との間に配置されるインピーダンス整合回路は、第２の信号線路部１４ａとオープンスタブ部１５ａとが直列に接続していると言える。

フレキシブル基板７に形成される信号線路のうち、インピーダンス整合回路となる部分は、インピーダンス不整合が生じ得る箇所（ランドパターン１３とリード端子２ａとの接合部分や、リード端子２ａの同軸部と内側突出部の境界）に出来る限り近くに配置されるのが望ましい。よって、図３に示すフレキシブル基板７のうち、一点鎖線で示される円形の領域は、フレキシブル基板７と筐体１０とが接して配置（接続される）領域であり、インピーダンス整合回路は、かかるこの領域に形成されるのが望ましい。特に、配線基板がフレキシブル基板である場合、かかる領域は筐体１０に接して安定的に平面に維持されているので、安定的なインピーダンス整合が実現出来る。

当該実施形態に係る光モジュールの筐体１０はＣＡＮ型であり、筐体１０がフレキシブル基板７と接続される部分はステム１である。本発明の効果は、ステム１に貫通して配置されるリード端子と接続する場合により顕著となる。さらに、ステム１の外径が５．６ｍｍ以下であるときに、その効果はさらに高まる。また、支配的なインピーダンス不整合の箇所は、リード端子２ａの同軸部と内側突出部の境界であると考えられるが、かかるインピーダンス不整合は、同軸部の貫通孔の径（内径）が１ｍｍ以下であるときにより顕著となる。よって、本発明は、貫通孔の径が１ｍｍ以下であるときに最適である。

［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態に係るフレキシブル基板７の上面図である。当該実施形態に係るフレキシブル基板７は、表面に形成される信号線路パターンが図３に示す第１の実施形態に係るフレキシブル基板７と異なっているが、それ以外の構成については第１の実施形態と同じである。フレキシブル基板７以外の構成も、当該実施形態と第１の実施形態とは同じである。

当該実施形態に係る１対の信号線路それぞれは、第１の信号線路部１２と、第２の信号線路部１４ｂと、オープンスタブ部１５ｂと、ランドパターン１３とを含んでいる。１対の第１の信号線路部１２は、第１の実施形態と同様に、リード端子２ｃに接続されるランドパターンを避けるよう、広がって上側に延伸する。第２の信号線路部１４ｂは、第１の信号線路部１２の図の上端と、内縁を重ねるように接続される。オープンスタブ部１５ｂは矩形状をしており、オープンスタブ部１５ｂは、第２の信号線路部１４ｂと内縁を重ねるように接続され、第２の信号線路部１４ｂランドパターン１３との間を図の横方向外側へ広がる横長の矩形状である。第１の実施形態と同様に、第２の信号線路部１４ｂとオープンスタブ部１５ｂとで、インピーダンス整合回路を形成している。ここで、伝送速度が１０Ｇｂｉｔ／ｓの光送信モジュールにおける信号線路の次元を一例として記す。オープンスタブ部１５ｂの幅Ｗ１（図の横方向の長さ）は、０．７１６ｍｍで、長さＬ１（図の縦方向の長さ）は、０．３５６ｍｍである。第２の信号線路部１４ｂの第２の幅（図の横方向の長さ）は、０．１ｍｍであり、長さＬ２（図の縦方向の長さ）は、０．４３５ｍｍである。そして、第１の信号線路部１２の第１の幅（図の横方向の長さ）は０．２５５ｍｍである。

第１の実施形態及び第２の実施形態に係る光モジュールは同様の効果を奏するが、以下に、詳細を説明する。図５は光モジュールの反射特性を示す図である。図５に示す破線は、従来技術に係る信号線路パターンを有する光モジュールの反射特性Ｓ（１，１）を示しており、実線は、第１の（又は、第２の）実施形態に係る光モジュール２０の反射特性Ｓ（１，１）を示している。図の縦軸は、反射特性Ｓ（１，１）が単位ｄＢで、横軸は周波数ｆｒｅｑで単位はＧＨｚである。ここで、従来技術に係る信号線路パターンとは、本発明と異なり、インピーダンス整合回路を設けない信号線路パターンであり、当該実施形態に係るフレキシブル基板７の信号線路パターンから、第２の信号線路部１４ａ（１４ｂ）及びオープンスタブ部１５ａ（１５ｂ）を取り除き、第１の信号線路部１２が延伸してランドパターン１３に接続するものと同等である。

従来技術に係る光モジュール（破線）の反射特性が−１０ｄＢ以下となる帯域は１０．２ＧＨｚ以下であり、かかる光モジュールでは、１０ＧＨｚ帯の光送信モジュールとして用いることは出来ない。もしくは、用いた場合は、光波形がゆがみ、例えばマスク仕様規定に対して、歩留まりが生じることとなり、コストアップの原因となる。しかしながら、当該実施形態に係る光モジュール（実線）の反射特性が−１０ｄＢ以下となる帯域は、１３．４ＧＨｚ以下と、３．２ＧＨｚも高周波側に広がっている。よって、光モジュールの高周波特性は向上しており、当該実施形態に係る光モジュールは格別の効果を奏している。

図６は、光モジュールのインピーダンス変化を示すスミスチャートである。図５と同様に、図６に示す破線は、従来技術に係る光モジュールのインピーダンス変化を、実線は、当該実施形態に係る光モジュールのインピーダンス変化を、それぞれ示しており、反射特性の変化を２５Ωで規格化したものである。図６に示す曲線（実線及び破線）は、周波数を０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで変化させたときのインピーダンス変化である。また、点ｍ１は、周波数１０ＧＨｚのときのインピーダンスを示している。図６に示す通り、破線上にある点ｍ１は、第２の信号線路部によって変化Ｔ１（インダクティブ）をし、さらに、オープンスタブ部によって変化Ｔ２（キャパシティブ）をすることにより、実線上にある点ｍ１は、従来技術（破線）と比べてスミスチャートの中心（２５Ω）により近づくことが出来ており、インピーダンスの整合性が向上し、特に、１０ＧＨｚ〜１３ＧＨｚの帯域における反射特性が向上される。

以上、本発明の実施形態に係る光モジュールについて説明した。上述の実施形態に係る光モジュールはＣＡＮ型光送信モジュール（例えば、ＴＯＳＡ）であり、光半導体素子は半導体レーザ素子であったが、これに限定されることはない。ＣＡＮ型光受信モジュール（例えば、ＲＯＳＡ）であってもよく、この場合、光半導体素子は半導体受光素子である。また、本発明に係る光送受信モジュール（光送受信機）は、本発明に係る光モジュールと、他の光モジュールを備えている。本発明に係る光モジュールが光送信モジュール（又は光受信モジュール）である場合、当該他の光モジュールは光受信モジュール（又は光送信モジュール）であり、当該他の光モジュールは、本発明に係る光モジュールであっても、公知の光モジュールであってもよい。

また、上述の実施形態において、支配的なインピーダンス整合の箇所は、リード端子２ａの同軸部と内側突出部の境界であり、同軸部に対して内側突出部は大きなインダクタンス成分を持っているから、インピーダンス整合回路は、第１の信号線路部からランドパターンへ、第２の信号線路とオープンスタブ部がこの順で配置されている。しかし、インピーダンス整合がキャパシタンス成分に起因する場合は、インピーダンス整合回路は、上記順番と反対に、第１の信号線路部からランドパターンへ、オープンスタブ部と第２の信号線路とがこの順で配置されていてもよい。さらに、上述の実施形態に係る光モジュールが差動伝送線路を形成する配線基板を備える場合について説明したが、これに限定されることはなく、例えば、信号線路が１本である場合、すなわち、伝送線路が所謂シングルエンドである場合であってもよい。本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、広く適用することができる。

１ ステム、１ａ 台座、２，２ａ，２ｂ，２ｃ リード端子、３ 絶縁体、４ 半導体レーザ素子、５ 放熱用基板、６ ワイヤ、７ フレキシブル基板、８ 半田、９ キャップ、１０ 筐体、１１ レンズ、１２ 第１の信号線路部、１３ ランドパターン、１４ａ，１４ｂ 第２の信号線路部、１５ａ，１５ｂ オープンスタブ部、２０ 光モジュール。

Claims (6)

1. 光半導体素子と、
   前記光半導体素子を収容する、筐体と、
   前記筐体を貫通するとともに前記筐体とは電気的に絶縁され、前記光半導体素子と電気的に接続される、リード端子と、
   前記リード端子に電気的に接続される信号線路が形成される、配線基板と、
   を備える、光モジュールであって、
   前記信号線路は、第１の幅で延伸する第１の信号線路部と、前記第１の幅より狭い第２の幅で延伸する第２の信号線路部と、オープンスタブ部と、前記リード端子が貫通する貫通孔端部と、を含み、
   前記第２の信号線路部及び前記オープンスタブ部とは、前記第１の信号線路部と前記貫通孔端部との間に、直列に接続して配置され、
   前記第２の信号線路部と、前記オープンスタブ部とが、前記第１の信号線路部から前記貫通孔端部へこの順で配置され、
   前記配線基板は前記リード端子を貫通させて接続させるための貫通孔端部を有し、
   前記オープンスタブ部は前記貫通孔端部に接して配置される、
   ことを特徴とする、光モジュール。
2. 請求項１に記載の光モジュールであって、
   前記第２の信号線路部と、前記オープンスタブ部は、前記配線基板のうち前記筐体に接続される領域に形成される、
   ことを特徴とする、光モジュール。
3. 請求項１又は２に記載の光モジュールであって、
   前記筐体は前記リード端子を貫通させるための貫通孔を有し、前記貫通孔の径は１ｍｍ以下である、
   ことを特徴とする、光モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジュールであって、
   前記リード端子が、前記筐体の内側に１ｍｍ以上突出している、
   ことを特徴とする、光モジュール。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の光モジュールであって、
   前記筐体が前記配線基板に接続される部分はステムであり、前記ステムの外径は５．６ｍｍ以下である、
   ことを特徴とする、光モジュール。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の光モジュールと、他の光モジュールと、を備える光送受信モジュールであって、
   前記光モジュールと前記他の光モジュールのいずれか一方が光送信器であり、他方が光受信器である、
   ことを特徴とする、光送受信モジュール。

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