JP2003243443A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2003243443A
JP2003243443A JP2002035683A JP2002035683A JP2003243443A JP 2003243443 A JP2003243443 A JP 2003243443A JP 2002035683 A JP2002035683 A JP 2002035683A JP 2002035683 A JP2002035683 A JP 2002035683A JP 2003243443 A JP2003243443 A JP 2003243443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding pad
bonding
semiconductor device
layer
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002035683A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ichikawa
敬 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2002035683A priority Critical patent/JP2003243443A/ja
Priority to US10/214,574 priority patent/US20030151149A1/en
Publication of JP2003243443A publication Critical patent/JP2003243443A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05073—Single internal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05555—Shape in top view being circular or elliptic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4807—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な製造工程で密着性に優れたボンディン
グパッドを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置１は、ボンディング
ワイヤとなる金ワイヤ５を接続するためのボンディング
パッド４を備えている。ボンディングパッド４は、絶縁
層３の平坦な表面上に形成されており、かつボンディン
グパッド４のボール部６が接続される接続領域に複数の
凹部８を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、より具体的には、ボンディングワイヤを接続するた
めのボンディングパッドを備えた半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置においてボンディング
ワイヤを接続するためのボンディングパッドはアルミニ
ウム（Ａｌ）などの金属膜で形成されている。このボン
ディングパッドに金ワイヤの先をボール状にして押し付
けて、超音波と熱とにより接続部に相互拡散層を形成す
ることによって、ボンディングパッドに電気的・物理的
にボンディングワイヤが接続されている。以下、従来の
ボンディングパッドを備えた半導体装置について具体的
に説明する。
【０００３】図１２および図１３は、従来のボンディン
グパッドを備えた半導体装置の構成を概略的に示す断面
図および平面図である。なお図１２は、図１３のＸＩＩ
−ＸＩＩ線に沿う概略断面図である。
【０００４】図１２および図１３を参照して、半導体装
置１０１は、シリコンなどからなる半導体素子１０２
と、この半導体素子１０２の上面に絶縁層１０３を介し
て形成されたボンディングパッド（配線用パッド）１０
４と、このボンディングパッド１０４に電気的に接続さ
れた金ワイヤ（ボンディングワイヤ）１０５とを有して
いる。ボンディングパッド１０４と接続される金ワイヤ
１０５の先端は、火花放電などで形成されたボール部１
０６となっている。このボール部１０６のボンディング
パッド１０４との接合界面には、超音波や熱によって相
互拡散領域１０７が形成されている。この相互拡散領域
１０７によって金ワイヤ１０５とボンディングパッド１
０４とが物理的・電気的に接続されている。
【０００５】このようなボンディングパッド１０４と金
ワイヤ１０５のボール部１０６とを接合するためには、
まずボール部１０６が上方からキャピラリで加圧され、
ボンディングパッド１０４の上面に押付けられる。そし
て、２００℃〜３００℃の温度に加熱された状態で、ボ
ール部１０６とボンディングパッド１０４との間での金
属間拡散を利用して相互拡散領域１０７を形成すること
で熱圧着が行なわれる。この熱圧着とともに超音波を加
えて金属間拡散が促進されてもよい。
【０００６】このような接続法では、ボール部１０６と
ボンディングパッド１０４との圧着部分は、図１４に示
すように、ボール部１０６の外周部（たとえばハッチン
グ領域）に偏る。また、超音波熱圧着によって、相互拡
散領域１０７が形成されるため、超音波のパワーが足り
ないと相互拡散領域１０７が作られないこともあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の相互拡散領域１
０７は、ワイヤボンディング時の超音波によって生じる
ボール部１０６とボンディングパッド１０４との摩擦力
が大きいほど形成されやすい傾向にある。しかし、上述
した従来例では、ボンディングパッド１０４の上面が平
面であったため、ワイヤボンディング時の超音波によっ
て生じるボール部１０６とボンディングパッド１０４と
の間の摩擦力が小さくなる。このため、ボール部１０６
とボンディングパッド１０４との間で相互拡散領域１０
７が効果的に形成されにくい。よって、製造工程および
完成品の使用中において、ボール部１０６がボンディン
グパッド１０４から剥がれるという問題が散発してい
た。
【０００８】固着力を高めたボンディングパッドを形成
する方法が、たとえば特開昭５７−２３２４７号公報に
記載されている。図１５〜図１８は、特開昭５７−２３
２４７号公報に記載されたボンディングパッドの製造法
を工程順に示す概略断面図である。
【０００９】図１５を参照して、半導体基板２０２上
に、ＳｉＯ2層２０３が形成され、そのＳｉＯ2層２０３
に選択エッチングが施される。これにより、ＳｉＯ2層
２０３にストライプ状の凹部２０３ａが形成される。
【００１０】図１６を参照して、ＳｉＯ2層２０３上に
再びＳｉＯ2層が形成される。これにより、ＳｉＯ2層２
０３の表面にストライプ状の凹部２０３ａの形状を反映
したストライプ状の凹部２０３ｂが形成される。
【００１１】図１７を参照して、ＳｉＯ2層２０３上に
Ａｌ層２０４が蒸着される。このＡｌ層２０４のボンデ
ィングパッド部には、ＳｉＯ2層２０３の上面の凹凸を
反映した凹凸が形成される。
【００１２】図１８を参照して、Ａｌ層２０４の凹凸を
有するボンディングパッド部にワイヤボンディングが施
される。それによりボンディングワイヤ２０５がＡｌ層
２０４に電気的に接続される。
【００１３】この公報には、Ａｌ層２０４のボンディン
グパッド部に凹凸が設けられているため、ボンディング
ワイヤ２０５とＡｌ層２０４との間で十分な固着力を得
ることができると記載されている。
【００１４】しかしながら、ボンディングパッドに凹凸
を形成するために、下地のＳｉＯ2層２０３に段差を設
ける必要があり、製造工程が煩雑になるという問題点が
あった。
【００１５】また、Ａｌ層２０４は、通常、段差被覆性
の悪いスパッタリング法により形成される。このため、
ＳｉＯ2層２０３に凹凸があると、図１９に示すように
Ａｌ層２０４はＳｉＯ2層２０３表面の凹部上端では厚
く形成されるが、凹部の下端では薄く形成される。この
ため、そのＡｌ層２０４上に形成されるボンディングワ
イヤ２０５は、Ａｌ層２０４表面の凹部を十分に充填し
きれず、かえって密着性が悪くなるおそれもある。
【００１６】それゆえ、本発明の目的は、簡易な製造工
程で密着性に優れたボンディングパッドを有する半導体
装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ボンディングワイヤを接続するためのボンディングパッ
ドを備えた半導体装置であって、ボンディングパッドは
平坦な表面上に形成されており、かつボンディングパッ
ドのボンディングワイヤが接続される接続領域には凹部
が形成されている。
【００１８】本発明の半導体装置によれば、ボンディン
グパッドのボンディングワイヤが接続される接続領域に
は凹部が形成されているため、ボンディングパッドとボ
ンディングワイヤとの接合界面に相互拡散領域を効率的
に形成することができる。このため、ボンディングパッ
ドとボンディングワイヤとの密着性を良好とすることが
できる。
【００１９】また、ボンディングパッドは平坦な表面上
に形成されているため、ボンディングパッドの下層に凹
凸を形成する必要がなく、その分、製造工程を簡略化す
ることができる。さらに、ボンディングパッドの下層に
凹凸を形成する必要がないため、ボンディングパッドの
段差被覆性に基づく密着性の悪化も生じない。
【００２０】上記の半導体装置において好ましくは、凹
部は、ボンディングパッドの上面から下面に貫通する孔
である。
【００２１】これにより、凹部の深さを最大限にできる
ため、ワイヤーボンディング時のボンディングパッドと
ボンディングワイヤとの摩擦力も大きくできる。よっ
て、ボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合
界面に相互拡散領域をより効率的に形成することができ
る。
【００２２】上記の半導体装置において好ましくは、凹
部は溝状である。このように凹部を溝状にした場合で
も、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２３】上記の半導体装置において好ましくは、ボ
ンディングパッドは少なくとも２層の導電層が積層され
た構成を有し、積層された導電層のうち最上層の前記導
電層に前記凹部が形成されている。
【００２４】このような導電層が積層された構成のボン
ディングパッドにも本発明を適用することができる。
【００２５】上記の半導体装置において好ましくは、接
続領域のうち前記ボンディングワイヤが前記ボンディン
グパッドと密着しやすい外周領域に、円形の溝状に前記
孔が形成されている。
【００２６】これにより、さらに密着性を高めることが
できる。上記の半導体装置において好ましくは、接続領
域のうちボンディングワイヤがボンディングパッドと密
着しにくい内周領域に凹部が形成されている。
【００２７】これにより、内周領域の密着性を改善する
ことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
【００２９】（実施の形態１）図１および図２は、本発
明の実施の形態１におけるボンディングパッドを有する
半導体装置の構成を概略的に示す断面図および平面図で
ある。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線に沿う概略断面図
に対応する。
【００３０】図１および図２を参照して、半導体装置１
は、シリコンなどからなる半導体素子２と、この半導体
素子２の上面に形成された絶縁層３と、この絶縁層３上
に形成されたボンディングパッド４と、このボンディン
グパッド４に電気的に接続された金ワイヤ５とを有して
いる。
【００３１】ボンディングパッド４に接続される金ワイ
ヤ５の先端は、火花放電などで形成されたボール部６と
なっている。このボール部６のボンディングパッド４と
の接合界面には、超音波や熱によって相互拡散領域７が
形成されている。これにより、金ワイヤ５とボンディン
グパッド４とが物理的・電気的に接続されている。
【００３２】このボンディングパッド４のボール部６が
接合される表面には複数の凹部８が形成されている。複
数の凹部８の各々は、ボンディングパッド４の上面から
下面に貫通する孔であり、所定方向に延びる溝状のスリ
ットである。
【００３３】本実施の形態においてボンディングパッド
４と金ワイヤ５のボール部６とを接合するには、まずボ
ール部６が上方からキャピラリで加圧され、ボンディン
グパッド４の上面に押付けられる。２００℃〜３００℃
の温度に加熱した状態で、ボール部６とボンディングパ
ッド４との間での金属間拡散を利用して相互拡散領域７
を形成することにより熱圧着が行われる。なお、熱圧着
とともに超音波を加えて金属間拡散が促進されてもよ
い。
【００３４】本実施の形態によれば、ボンディングパッ
ド４のボール部６が接続される接続領域に凹部８が形成
されているため、ボンディングパッド４とボール部６と
の接合界面に相互拡散領域７を効率的に形成することが
できる。なぜなら、相互拡散領域７は、ワイヤボンディ
ング時に与えられる超音波で生じるボンディングパッド
４とボール部６との摩擦力が大きいほど効率的に形成さ
れるものであり、凹部８によってその摩擦力が大きくな
るからである。相互拡散領域７を効率的に形成すること
ができるため、ボンディングパッド４とボール部６との
密着性を良好とすることができる。
【００３５】また、ボンディングパッド４が形成される
絶縁層３の表面は平坦であり、凹凸は形成されていな
い。このため、絶縁層３に凹凸を形成する工程が不要と
なるため、従来例よりも製造工程を簡略化することがで
きる。また、ボンディングパッド４に凹部８を形成する
には、ボンディングパッド４のマスクデータに凹部８用
のパターンを追加するだけでよい。このため、ボンディ
ングパッド４に凹部８を形成することによる製造工程の
追加はない。
【００３６】さらに、ボンディングパッド４の下層であ
る絶縁層３の表面に凹凸を形成する必要がないため、ボ
ンディングパッド４の段差被覆性に基づく密着性の悪化
も生じない。
【００３７】（実施の形態２）図３および図４は、本発
明の実施の形態２におけるボンディングパッドを有する
半導体装置の構成を概略的に示す断面図および平面図で
ある。なお図３は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う概略
断面図である。
【００３８】図３および図４を参照して、本実施の形態
の構成は、実施の形態１の構成と比較して、凹部８の形
状が異なる。本実施の形態の凹部８は、ボンディングパ
ッド４とボール部６との接合領域であって特に相互拡散
領域７の形成され難い中央部にのみ位置している。
【００３９】ここで、ボンディングパッド４とボール部
６との接合部の直径をたとえば８０μｍとすると、相互
拡散領域７の形成されやすい外周領域は直径５０μｍ〜
７０μｍの範囲内であり、それ以外の領域（直径５０μ
ｍ未満の内周領域および直径７０μｍを超える最外周領
域）が相互拡散領域７の形成されにくい領域となる。よ
って、ボンディングパッド４とボール部６との接合部の
直径をＸとすると、相互拡散領域７の形成されやすい外
周領域は直径（５０／８０）Ｘ〜（７０／８０）Ｘの範
囲内であり、それ以外の領域（直径（５０／８０）Ｘ未
満の内周領域および直径（７０／８０）Ｘを超える最外
周領域）が相互拡散領域７の形成されにくい領域とな
る。
【００４０】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】本実施の形態によれば、凹部８がボンディ
ングパッド４とボール部６との接合領域中央部のみに集
中している。この接合領域の中央部は、上述したように
相互拡散領域７が作られにくい領域である。しかし、凹
部８を形成したことにより、ワイヤボンディング時にお
ける接合領域中央部でのボンディングパッド４とボール
部６との摩擦力が大きくなり、相互拡散領域７が形成さ
れやすくなる。これにより、接合領域中央部のボンディ
ングパッド４とボール部６との密着性を改善することが
できるため、接合領域全体における密着性を良好とする
ことができる。
【００４２】（実施の形態３）図５および図６は、本発
明の実施の形態３におけるボンディングパッドを有する
半導体装置の構成を概略的に示す断面図および平面図で
ある。なお図５は、図６のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図で
ある。
【００４３】図５および図６を参照して、本実施の形態
の構成は、実施の形態１の構成と比較して、ボンディン
グパッドが複数層（たとえば２層）の導電層４、９によ
り形成されている点と、凹部８が円形の溝状である点と
において異なる。
【００４４】ボンディングパッドは、絶縁層３上に形成
された導電層９と、その導電層９上に形成された第２の
導電層４との２層の積層構造を有している。この第２の
導電層４には円形の溝状を有する凹部８が形成されてい
る。この凹部８は、ボンディングパッド４とボール部６
との接合領域の圧着されやすい外周領域に配置されてお
り、かつ第２の導電層４の上面から下面に貫通する孔で
ある。
【００４５】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４６】本実施の形態によれば、ボンディングパッ
ド４、９とボール部６との接合領域において圧着されや
すい外周領域に凹部８が形成されている。このため、こ
の外周領域において相互拡散領域７がさらに形成されや
すくなり、その部分におけるボンディングパッド４、９
とボール部６との密着性をさらに向上させることができ
る。
【００４７】（実施の形態４）図７および図８は、本発
明の実施の形態４におけるボンディングパッドを有する
半導体装置の構成を概略的に示す断面図および平面図で
ある。なお図７は、図８のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う概略
断面図である。
【００４８】図７および図８を参照して、本実施の形態
の構成は、実施の形態３の構成と比較して、円形の溝状
の凹部８がボンディングパッド４、９およびボール部６
との接合領域の相互拡散領域７が形成されやすい外周領
域のみならず、相互拡散領域７が形成されにくい内周領
域にも形成されている点において異なる。つまり、直径
が異なる複数の円形の溝状の凹部８の各々が、中心を同
じくして配置されている。
【００４９】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５０】本実施の形態によれば、ボンディングパッ
ド４、９とボール部６との接合領域のうち相互拡散領域
７が形成されにくい内周領域にも凹部８が形成されてい
る。このため、その内周領域において相互拡散領域７が
形成されやすくなり、ボンディングパッド４、９とボー
ル部６との密着性を改善することが可能となる。
【００５１】なお、実施の形態３および４においては、
ボンディングパッド４、９が複数の導電層の積層された
構造よりなる場合について説明したが、図９および図１
０の断面図に示すように、ボンディングパッドは凹部８
を有する単一の導電層４から形成されていてもよい。
【００５２】また、実施の形態１〜４においては、凹部
８の平面形状として溝状のものについて説明したが、図
１１の平面図に示すように孔状のものであってもよく、
ボンディングパッドの表面に凹凸を形成できるものであ
ればいかなる形状であってもよい。
【００５３】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、ボンディングパッドのボンディングワイヤが
接続される接続領域には凹部が形成されているため、ボ
ンディングパッドとボンディングワイヤとの接合界面に
相互拡散領域を効率的に形成することができる。このた
め、ボンディングパッドとボンディングワイヤとの密着
性を良好とすることができる。
【００５５】また、ボンディングパッドは平坦な表面上
に形成されているため、ボンディングパッドの下層に凹
凸を形成する必要がなく、その分、製造工程を簡略化す
ることができる。さらに、ボンディングパッドの下層に
凹凸を形成する必要がないため、ボンディングパッドの
段差被覆性に基づく密着性の悪化も生じない。
【００５６】上記の半導体装置において好ましくは、凹
部は、ボンディングパッドの上面から下面に貫通する孔
である。これにより、凹部の深さを最大限にできるた
め、ワイヤーボンディング時のボンディングパッドとボ
ンディングワイヤとの摩擦力も大きくできる。よって、
ボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合界面
に相互拡散領域をより効率的に形成することができる。
【００５７】上記の半導体装置において好ましくは、凹
部は溝状である。このように凹部を溝状にした場合で
も、上記と同様の効果を得ることができる。
【００５８】上記の半導体装置において好ましくは、ボ
ンディングパッドは少なくとも２層の導電層が積層され
た構成を有し、積層された導電層のうち最上層の前記導
電層に前記凹部が形成されている。このような導電層が
積層された構成のボンディングパッドにも本発明を適用
することができる。
【００５９】上記の半導体装置において好ましくは、接
続領域のうち前記ボンディングワイヤが前記ボンディン
グパッドと密着しやすい外周領域に、円形の溝状に前記
孔が形成されている。これにより、さらに密着性を高め
ることができる。
【００６０】上記の半導体装置において好ましくは、接
続領域のうちボンディングワイヤがボンディングパッド
と密着しにくい内周領域に凹部が形成されている。これ
により、内周領域の密着性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す断面図
である。
【図２】 本発明の実施の形態１におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す平面図
である。
【図３】 本発明の実施の形態２におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す断面図
である。
【図４】 本発明の実施の形態２におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す平面図
である。
【図５】 本発明の実施の形態３におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す断面図
である。
【図６】 本発明の実施の形態３におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す平面図
である。
【図７】 本発明の実施の形態４におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す断面図
である。
【図８】 本発明の実施の形態４におけるボンディング
パッドを有する半導体装置の構成を概略的に示す平面図
である。
【図９】 本発明の実施の形態３におけるボンディング
パッドを有する半導体装置のボンディングパッドが単一
の導電層からなる構成を示す概略断面図である。
【図１０】 本発明の実施の形態４におけるボンディン
グパッドを有する半導体装置のボンディングパッドが単
一の導電層からなる構成を示す概略断面図である。
【図１１】 本発明における凹部が孔状であることを説
明するための図である。
【図１２】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１３】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図１４】 ボンディングパッドとボール部との圧着さ
れやすい領域を示す平面図である。
【図１５】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１６】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１７】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１８】 従来のボンディングパッドを有する半導体
装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１９】 ボンディングパッドの段差被覆性がよくな
いために生じる問題を説明するための概略断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体装置、２ 半導体素子、３ 絶縁層、４ ボ
ンディングパッド、５金ワイヤ、６ ボール部、７ 相
互拡散領域、８ 凹部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボンディングワイヤを接続するためのボ
    ンディングパッドを備えた半導体装置であって、 前記ボンディングパッドは、平坦な表面上に形成されて
    おり、かつ前記ボンディングパッドの前記ボンディング
    ワイヤが接続される接続領域には凹部が形成されている
    ことを特徴とする、半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記凹部は、前記ボンディングパッドの
    上面から下面に貫通する孔であることを特徴とする、請
    求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記凹部は溝状であることを特徴とす
    る、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記ボンディングパッドは少なくとも２
    層の導電層が積層された構成を有し、積層された導電層
    のうち最上層の前記導電層に前記凹部が形成されている
    ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半
    導体装置。
  5. 【請求項５】 前記接続領域のうち前記ボンディングワ
    イヤが前記ボンディングパッドと密着しやすい外周領域
    に、円形の溝状に前記孔が形成されていることを特徴と
    する、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記接続領域のうち前記ボンディングワ
    イヤが前記ボンディングパッドと密着しにくい内周領域
    に前記凹部が形成されていることを特徴とする、請求項
    １〜５のいずれかに記載の半導体装置。
JP2002035683A 2002-02-13 2002-02-13 半導体装置 Withdrawn JP2003243443A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002035683A JP2003243443A (ja) 2002-02-13 2002-02-13 半導体装置
US10/214,574 US20030151149A1 (en) 2002-02-13 2002-08-09 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002035683A JP2003243443A (ja) 2002-02-13 2002-02-13 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003243443A true JP2003243443A (ja) 2003-08-29

Family

ID=27654982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002035683A Withdrawn JP2003243443A (ja) 2002-02-13 2002-02-13 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030151149A1 (ja)
JP (1) JP2003243443A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015242A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング構造、半導体装置の製造方法
KR20130103400A (ko) 2012-03-08 2013-09-23 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
JP2016025107A (ja) * 2014-07-16 2016-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
US9508678B2 (en) 2014-02-07 2016-11-29 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device
JP2019152625A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 株式会社デンソー 電子装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060175711A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Hannstar Display Corporation Structure and method for bonding an IC chip
JP4533804B2 (ja) * 2005-06-02 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8174119B2 (en) * 2006-11-10 2012-05-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package with embedded die
JP2010114134A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Toshiba Corp 半導体装置
JP2010278141A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の検査方法
US9881870B2 (en) * 2015-12-30 2018-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN110729207B (zh) * 2019-10-12 2021-07-13 闳康技术检测(上海)有限公司 一种封装打线的键合方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3526376B2 (ja) * 1996-08-21 2004-05-10 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5929521A (en) * 1997-03-26 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
TW437030B (en) * 2000-02-03 2001-05-28 Taiwan Semiconductor Mfg Bonding pad structure and method for making the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015242A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング構造、半導体装置の製造方法
KR20130103400A (ko) 2012-03-08 2013-09-23 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
US8686573B2 (en) 2012-03-08 2014-04-01 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9230930B2 (en) 2012-03-08 2016-01-05 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9368463B2 (en) 2012-03-08 2016-06-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9508678B2 (en) 2014-02-07 2016-11-29 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device
JP2016025107A (ja) * 2014-07-16 2016-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2019152625A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 株式会社デンソー 電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20030151149A1 (en) 2003-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003209134A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH11340319A (ja) 多層配線構造及びそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法
JP2003243443A (ja) 半導体装置
JP2007317740A (ja) 配線基板及びその製造方法ならびに半導体装置
JP2964999B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH05283467A (ja) 半導体集積回路装置
US6369331B1 (en) Printed circuit board for semiconductor package and method of making same
JP2001358169A (ja) 半導体装置
US9899300B2 (en) Semiconductor device
JP4046568B2 (ja) 半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法
JP2004140093A (ja) ボンディングパッド及びその形成方法
JP2004158679A (ja) ボンディングパッド及びその形成方法
JP4481065B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11121458A (ja) 半導体装置
JP3996045B2 (ja) 半導体装置
JP2006210802A (ja) 半導体装置
JP6470320B2 (ja) 半導体装置
JP2005268374A (ja) 半導体素子とその製造方法、及び半導体装置
JP2002164381A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH09223759A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP7022784B2 (ja) 半導体装置
JP4178083B2 (ja) 半導体装置及びその超音波ボンディング方法
JPH10270491A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04348047A (ja) 半導体集積回路電極
JP2003100766A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050510