JP2003233043A - 電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール - Google Patents
電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュールにおいて、ＲＦコネクタを通して
外部から高周波制御信号を供給する際の損失を回避でき
る好ましい構成を提供する。 【解決手段】信号電極と接地電極が形成された電気光学
効果により光位相を変化させる素子と、前記素子の信号
電極にマイクロ波領域の制御信号を供給する中心導体と
外部導体を有するコネクタと、誘電体基板に前記素子の
信号電極及び接地電極と、前記コネクタの中心導体と外
部導体とを接続するコプレーナ線路が形成された中継基
板を備え、前記中継基板の、前記コネクタの中心導体が
配置された下側領域部分に空気層が形成されていること
を特徴とする。
搭載した光モジュールにおいて、ＲＦコネクタを通して
外部から高周波制御信号を供給する際の損失を回避でき
る好ましい構成を提供する。 【解決手段】信号電極と接地電極が形成された電気光学
効果により光位相を変化させる素子と、前記素子の信号
電極にマイクロ波領域の制御信号を供給する中心導体と
外部導体を有するコネクタと、誘電体基板に前記素子の
信号電極及び接地電極と、前記コネクタの中心導体と外
部導体とを接続するコプレーナ線路が形成された中継基
板を備え、前記中継基板の、前記コネクタの中心導体が
配置された下側領域部分に空気層が形成されていること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学効果によ
り光位相を変化させる素子を搭載した光モジュールに関
する。
り光位相を変化させる素子を搭載した光モジュールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】大容量で広帯域な通信システムとして、
光通信システムが適用されている。かかる光通信システ
ムにおいて、通信容量拡大の需要に伴い、ますますビッ
トレートの高速化が求められている。
光通信システムが適用されている。かかる光通信システ
ムにおいて、通信容量拡大の需要に伴い、ますますビッ
トレートの高速化が求められている。
【０００３】一方、光通信システムには、強誘電体結晶
等に電場を加えたときに屈折率の変化を生じる電気光学
効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュ
ールが、光変調器、光ビーム偏光器、電気シャッター等
として用いられている。
等に電場を加えたときに屈折率の変化を生じる電気光学
効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュ
ールが、光変調器、光ビーム偏光器、電気シャッター等
として用いられている。
【０００４】かかる光モジュールに搭載される、電気光
学効果により光位相を変化させる素子（以下単に電気光
学効果素子という）は、LiNbO3やLiTaO2の電気光学結晶
から切り出された基板にＩＣ技術を用いて、Ｔｉ等の金
属膜をパターニングにより形成後、熱拡散し、あるいは
安息香酸中でプロトン交換する等して形成される光導波
路を有する。さらに光導波路近傍に所要の電極が形成さ
れる。
学効果により光位相を変化させる素子（以下単に電気光
学効果素子という）は、LiNbO3やLiTaO2の電気光学結晶
から切り出された基板にＩＣ技術を用いて、Ｔｉ等の金
属膜をパターニングにより形成後、熱拡散し、あるいは
安息香酸中でプロトン交換する等して形成される光導波
路を有する。さらに光導波路近傍に所要の電極が形成さ
れる。
【０００５】光モジュールは、かかる電気光学効果素子
の外部から光導波路に光信号を供給し、光導波路近傍に
形成された電極にマイクロ波帯の高周波制御信号を供給
する構成を有するものである。
の外部から光導波路に光信号を供給し、光導波路近傍に
形成された電極にマイクロ波帯の高周波制御信号を供給
する構成を有するものである。
【０００６】図１は、光モジュールを光変調器として用
いる場合の一構成例を示すカバーを外した状態の上面図
である。シールド筐体１内に電気光学効果素子２が収容
されている。図２は、模式的に電気光学効果素子２の構
成を示す図である。
いる場合の一構成例を示すカバーを外した状態の上面図
である。シールド筐体１内に電気光学効果素子２が収容
されている。図２は、模式的に電気光学効果素子２の構
成を示す図である。
【０００７】光変調器として機能するために、図２に模
式的に示される電気光学効果素子２に形成された光導波
路１０は、一例として２つの平行な導波路に分岐され、
マッハツェンダ導波路を構成している。図２において、
図２Ｂは図２Ａの平面図において、ａ線に沿う断面図で
あり、図２Ｃはｂ線に沿う断面図である。
式的に示される電気光学効果素子２に形成された光導波
路１０は、一例として２つの平行な導波路に分岐され、
マッハツェンダ導波路を構成している。図２において、
図２Ｂは図２Ａの平面図において、ａ線に沿う断面図で
あり、図２Ｃはｂ線に沿う断面図である。
【０００８】一例として、電気光学効果素子２の基板を
LiNbO3結晶のＺ軸方向に切り出したＺカット基板を用
い、電極をシングル電極、変調方式を強度変調とする場
合、この分岐された２つの平行な導波路の一方の真上に
信号電極２０が、そして他方の真上に接地電極２２が配
置されている。なお、光導波路１０の分岐された２つの
平行導波路中を伝搬する光信号が信号電極２０及び、接
地電極２２により吸収されるのを防ぐために、基板と信
号電極２０及び接地電極２２との間に、SiO2等によるバ
ッファ層が設けられる。
LiNbO3結晶のＺ軸方向に切り出したＺカット基板を用
い、電極をシングル電極、変調方式を強度変調とする場
合、この分岐された２つの平行な導波路の一方の真上に
信号電極２０が、そして他方の真上に接地電極２２が配
置されている。なお、光導波路１０の分岐された２つの
平行導波路中を伝搬する光信号が信号電極２０及び、接
地電極２２により吸収されるのを防ぐために、基板と信
号電極２０及び接地電極２２との間に、SiO2等によるバ
ッファ層が設けられる。
【０００９】図２において、光信号は導波路１０の入射
側（Opt In）に入力される。光変調器として機能させる
ために、この光信号の伝搬方向と同じ方向に変調信号と
して、信号源２５から出力されるマイクロ波信号が信号
電極２０に供給される。したがって、分岐された平行光
導波路の屈折率が、マイクロ波信号の極性に対応して、
互いに反対方向に変化され、これにより平行光導波路の
光位相差が変化し、図２において光導波路１０の出射側
（Opt Out）から強度変調された光信号が出力される。
側（Opt In）に入力される。光変調器として機能させる
ために、この光信号の伝搬方向と同じ方向に変調信号と
して、信号源２５から出力されるマイクロ波信号が信号
電極２０に供給される。したがって、分岐された平行光
導波路の屈折率が、マイクロ波信号の極性に対応して、
互いに反対方向に変化され、これにより平行光導波路の
光位相差が変化し、図２において光導波路１０の出射側
（Opt Out）から強度変調された光信号が出力される。
【００１０】ここで、信号源２５から供給される変調信
号としてのマイクロ波である高周波信号は、図１に示す
光モジュールの構成において、中心導体３０と外部導体
３１を有するＲＦコネクタ３を通して信号電極２０と接
地電極２１，２２間に供給される。
号としてのマイクロ波である高周波信号は、図１に示す
光モジュールの構成において、中心導体３０と外部導体
３１を有するＲＦコネクタ３を通して信号電極２０と接
地電極２１，２２間に供給される。
【００１１】この時、図１に示すような従来構成におい
て、ＲＦコネクタ３の中心導体３０は、スライディング
コンタクト部材３２に挿入され、電気光学効果素子２の
信号電極２０とスライディングコンタクト部材３２との
ボンディングにより接続され、ＲＦコネクタ３の外部導
体３１は、電気光学効果素子２の接地電極２１，２２に
ワイヤボンディング２３により接続される構成であっ
た。
て、ＲＦコネクタ３の中心導体３０は、スライディング
コンタクト部材３２に挿入され、電気光学効果素子２の
信号電極２０とスライディングコンタクト部材３２との
ボンディングにより接続され、ＲＦコネクタ３の外部導
体３１は、電気光学効果素子２の接地電極２１，２２に
ワイヤボンディング２３により接続される構成であっ
た。
【００１２】しかし、ボンディングのためには、ボンデ
ィングツールを入れるスペースが必要なためＲＦコネク
タ３の中心導体３０をＲＦコネクタ３の同軸状態から突
き出すことが避けられなかった。そのためにＲＦコネク
タ３の中心導体３０が突き出した部分は特性インピーダ
ンスが高くなり、インピーダンス不整合を生じていた。
ィングツールを入れるスペースが必要なためＲＦコネク
タ３の中心導体３０をＲＦコネクタ３の同軸状態から突
き出すことが避けられなかった。そのためにＲＦコネク
タ３の中心導体３０が突き出した部分は特性インピーダ
ンスが高くなり、インピーダンス不整合を生じていた。
【００１３】さらに、高周波信号の波長が電気光学効果
素子２の電極の大きさに比べて大きい場合には、特性に
それほどの影響はなかったが、波長が小さくなると電気
光学効果素子２の高周波特性に影響を及ぼし、高周波信
号の放射および反射が生じ、電気光学効果素子２におけ
る広帯域な伝送特性を得ることができなくなる。また、
スライディングコンタクト部材３２とＲＦコネクタ３の
中心導体３０は数十μmと非常に微細なものである。こ
のために組立時の作業性が非常に悪い。
素子２の電極の大きさに比べて大きい場合には、特性に
それほどの影響はなかったが、波長が小さくなると電気
光学効果素子２の高周波特性に影響を及ぼし、高周波信
号の放射および反射が生じ、電気光学効果素子２におけ
る広帯域な伝送特性を得ることができなくなる。また、
スライディングコンタクト部材３２とＲＦコネクタ３の
中心導体３０は数十μmと非常に微細なものである。こ
のために組立時の作業性が非常に悪い。
【００１４】かかる問題に対する解決策として、本発明
者等は、中継基板を用いる方法の採用を検討してきた。
しかし、中継基板を介してのＲＦコネクタ３と電気光学
効果素子２との接続において、それぞれの部位自身で特
性インピーダンスを、例えば５０Ωとなるように設計し
ても、ＲＦコネクタ３と中継基板間の接続において、イ
ンピーダンスの急激な変化を避けられないものであっ
た。これにより結果として伝送損失が大きくなるという
問題を未だ有していた。
者等は、中継基板を用いる方法の採用を検討してきた。
しかし、中継基板を介してのＲＦコネクタ３と電気光学
効果素子２との接続において、それぞれの部位自身で特
性インピーダンスを、例えば５０Ωとなるように設計し
ても、ＲＦコネクタ３と中継基板間の接続において、イ
ンピーダンスの急激な変化を避けられないものであっ
た。これにより結果として伝送損失が大きくなるという
問題を未だ有していた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュールにおいて、ＲＦコネクタを通して
外部から高周波制御信号を供給する際の損失を回避でき
る好ましい構成を提供することにある。
目的は、電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュールにおいて、ＲＦコネクタを通して
外部から高周波制御信号を供給する際の損失を回避でき
る好ましい構成を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の本発明の課題を解
決しうる電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュールは、第１の態様として、信号電極
と接地電極が形成され、電気光学効果により光位相を変
化させる素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域
の制御信号を供給する中心導体と外部導体を有するコネ
クタと、誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極
と、前記コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコ
プレーナ線路が形成された中継基板を備え、前記中継基
板の、前記コネクタの中心導体が配置された下側領域部
分に空気層が形成されていることを特徴とする。
決しうる電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュールは、第１の態様として、信号電極
と接地電極が形成され、電気光学効果により光位相を変
化させる素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域
の制御信号を供給する中心導体と外部導体を有するコネ
クタと、誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極
と、前記コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコ
プレーナ線路が形成された中継基板を備え、前記中継基
板の、前記コネクタの中心導体が配置された下側領域部
分に空気層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第２の態様として、第１の態様において、前記
中継基板の、前記コネクタの中心導体が配置された下側
領域部分の空気層は、前記誘電体基板の前記コネクタと
対向する側面の切り欠きにより形成されていることを特
徴とする。
ールは、第２の態様として、第１の態様において、前記
中継基板の、前記コネクタの中心導体が配置された下側
領域部分の空気層は、前記誘電体基板の前記コネクタと
対向する側面の切り欠きにより形成されていることを特
徴とする。
【００１８】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第３の態様として、第２の態様において、前記
コプレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配
置された接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が
前記コネクタの外部導体の径より小さいことを特徴とす
る。
ールは、第３の態様として、第２の態様において、前記
コプレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配
置された接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が
前記コネクタの外部導体の径より小さいことを特徴とす
る。
【００１９】さらに、上記の本発明の課題を解決しうる
光モジュールは、第４の態様として、信号電極と接地電
極が形成され、電気光学効果により光位相を変化させる
素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信
号を供給する中心導体と外部導体を有するコネクタと、
誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記
コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ
線路が形成された中継基板を備え、前記中継基板に対向
する領域の前記コネクタの外部導体の径が拡張されてい
ることを特徴とする。
光モジュールは、第４の態様として、信号電極と接地電
極が形成され、電気光学効果により光位相を変化させる
素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信
号を供給する中心導体と外部導体を有するコネクタと、
誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記
コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ
線路が形成された中継基板を備え、前記中継基板に対向
する領域の前記コネクタの外部導体の径が拡張されてい
ることを特徴とする。
【００２０】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第５の態様として、信号電極と接地電極が形成
され、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、
前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基
板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタ
の中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形
成された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネク
タの中心導体が配置される下側領域の部分が、テーパ状
に面取りされ、空気層を形成していることを特徴とする
光モジュール。
ールは、第５の態様として、信号電極と接地電極が形成
され、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、
前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基
板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタ
の中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形
成された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネク
タの中心導体が配置される下側領域の部分が、テーパ状
に面取りされ、空気層を形成していることを特徴とする
光モジュール。
【００２１】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第６の態様として、第４又は５の態様におい
て、前記コプレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の
両側に配置された接地電極で構成され、前記接地電極間
の間隔が前記コネクタの外部導体の径より大きいことを
特徴とする。
ールは、第６の態様として、第４又は５の態様におい
て、前記コプレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の
両側に配置された接地電極で構成され、前記接地電極間
の間隔が前記コネクタの外部導体の径より大きいことを
特徴とする。
【００２２】さらに、上記の本発明の課題を解決しうる
光モジュールは、第７の態様として、 信号電極と接地
電極が形成され、電気光学効果により光位相を変化させ
る素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御
信号を供給する中心導体と外部導体を有するコネクタ
と、誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、
前記コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレ
ーナ線路が形成された中継基板と、前記中継基板の前記
誘電体基板を搭載する金属体を有し、前記中継基板の、
前記コネクタの中心導体が配置された下側領域に対応す
る前記金属体の部分に空気層が形成されていることを特
徴とする光モジュール。
光モジュールは、第７の態様として、 信号電極と接地
電極が形成され、電気光学効果により光位相を変化させ
る素子と、前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御
信号を供給する中心導体と外部導体を有するコネクタ
と、誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、
前記コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレ
ーナ線路が形成された中継基板と、前記中継基板の前記
誘電体基板を搭載する金属体を有し、前記中継基板の、
前記コネクタの中心導体が配置された下側領域に対応す
る前記金属体の部分に空気層が形成されていることを特
徴とする光モジュール。
【００２３】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第８の態様として、信号電極と接地電極が形成
され、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、
前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基
板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタ
の中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形
成された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を
搭載する金属体を有し、前記中継基板の前記誘電体基板
は、複数のＶＩＡにより前記金属体と電気的に接続され
ていることを特徴とする。
ールは、第８の態様として、信号電極と接地電極が形成
され、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、
前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基
板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタ
の中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形
成された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を
搭載する金属体を有し、前記中継基板の前記誘電体基板
は、複数のＶＩＡにより前記金属体と電気的に接続され
ていることを特徴とする。
【００２４】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第９の態様として、第８の態様において、前記
誘電体基板は多層構造を有し、中間層に内導体を形成
し、前記内導体で、前記複数のＶＩＡを接続しているこ
とを特徴とする。
ールは、第９の態様として、第８の態様において、前記
誘電体基板は多層構造を有し、中間層に内導体を形成
し、前記内導体で、前記複数のＶＩＡを接続しているこ
とを特徴とする。
【００２５】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第１０の態様として、第９の態様において、前
記複数のＶＩＡの内、前記中継基板の、前記コネクタの
中心導体が配置された領域にあるＶＩＡに関しては、前
記内導体と非接続であることを特徴とする電気光学効果
により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュー
ル。
ールは、第１０の態様として、第９の態様において、前
記複数のＶＩＡの内、前記中継基板の、前記コネクタの
中心導体が配置された領域にあるＶＩＡに関しては、前
記内導体と非接続であることを特徴とする電気光学効果
により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュー
ル。
【００２６】上記の本発明の課題を解決しうる光モジュ
ールは、第１１の態様として、第１，４，又は５の態様
において、前記コネクタの中心導体が接続される前記中
継基板のコプレーナ線路の信号電極の幅が、前記中心導
体の径より小さいことを特徴とする。
ールは、第１１の態様として、第１，４，又は５の態様
において、前記コネクタの中心導体が接続される前記中
継基板のコプレーナ線路の信号電極の幅が、前記中心導
体の径より小さいことを特徴とする。
【００２７】さらに、上記の本発明の課題を解決しうる
光モジュールは、第１２の態様として、第１，４，又は
５の態様において、前記コネクタの中心導体が接続され
る前記中継基板のコプレーナ線路の信号電極の形状が、
前記コネクタに向かって広がるテーパ部と前記コネクタ
に向かって狭まるテーパ部を有する菱形を成し、前記信
号電極の両側に配置される接地電極の形状が、前記コネ
クタに向かって広がるテーパ部に対応するテーバ部を有
することを特徴とする。
光モジュールは、第１２の態様として、第１，４，又は
５の態様において、前記コネクタの中心導体が接続され
る前記中継基板のコプレーナ線路の信号電極の形状が、
前記コネクタに向かって広がるテーパ部と前記コネクタ
に向かって狭まるテーパ部を有する菱形を成し、前記信
号電極の両側に配置される接地電極の形状が、前記コネ
クタに向かって広がるテーパ部に対応するテーバ部を有
することを特徴とする。
【００２８】また、上記の本発明の課題を解決しうる光
モジュールは、第１３の態様として、第１、４又は５の
態様において、前記コプレーナ線路の信号電極幅は、前
記コネクタの中心導体の直径よりも小さいことを特徴と
する。
モジュールは、第１３の態様として、第１、４又は５の
態様において、前記コプレーナ線路の信号電極幅は、前
記コネクタの中心導体の直径よりも小さいことを特徴と
する。
【００２９】本発明の特徴は、更に以下に図面に従い説
明される本発明の実施の形態から明らかになる。
明される本発明の実施の形態から明らかになる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態例を説
明するが、本発明の理解を容易とするために、本発明の
実施の形態例の説明に先だって、本発明者等が検討した
光モジュールにおいて、電気光学効果素子２の信号電極
２０及び接地電極２１，２２と、ＲＦコネクタ３の中心
導体２０及び外部導体２１との接続を、中継基板を介し
て行う方法について図面を用いて説明する。
明するが、本発明の理解を容易とするために、本発明の
実施の形態例の説明に先だって、本発明者等が検討した
光モジュールにおいて、電気光学効果素子２の信号電極
２０及び接地電極２１，２２と、ＲＦコネクタ３の中心
導体２０及び外部導体２１との接続を、中継基板を介し
て行う方法について図面を用いて説明する。
【００３１】図３は、本発明者等による構想により検討
した光モジュールの構成例である。図１と同様に、光モ
ジュールのカバーを外した状態の上面図である。図４
は、図３のａ−ｂ線で切断した入力側の斜視図である。
した光モジュールの構成例である。図１と同様に、光モ
ジュールのカバーを外した状態の上面図である。図４
は、図３のａ−ｂ線で切断した入力側の斜視図である。
【００３２】図１と入出力関係が逆に示されているが、
図１の構成との基本的相違は、コプレーナ中継基板４０
を有している点にある。コプレーナ中継基板４０は、Ｒ
Ｆコネクタ３の中心導体３０と、外部導体３１に対応し
て、中心に信号電極２００，その両側に接地電極２１
０，２２０を配した広い電極面積を有している。
図１の構成との基本的相違は、コプレーナ中継基板４０
を有している点にある。コプレーナ中継基板４０は、Ｒ
Ｆコネクタ３の中心導体３０と、外部導体３１に対応し
て、中心に信号電極２００，その両側に接地電極２１
０，２２０を配した広い電極面積を有している。
【００３３】さらに、コプレーナ中継基板４０は、電気
光学効果素子２の基板材料より小さな誘電率の誘電体基
板、例えばAlO3基板を焼成して得られるセラミック板４
００上に前記の信号電極２００及び、その両側に配置し
た接地電極２１０，２２０を有している。かかる構成に
よりコプレーナ中継基板４０自身での特性インピーダン
スは、ＲＦコネクタ３及び電気光学効果素子２と同様
に、例えば５０Ωに設計される。
光学効果素子２の基板材料より小さな誘電率の誘電体基
板、例えばAlO3基板を焼成して得られるセラミック板４
００上に前記の信号電極２００及び、その両側に配置し
た接地電極２１０，２２０を有している。かかる構成に
よりコプレーナ中継基板４０自身での特性インピーダン
スは、ＲＦコネクタ３及び電気光学効果素子２と同様
に、例えば５０Ωに設計される。
【００３４】コプレーナ中継基板４０の電極２００（２
１０，２２０）と電気光学効果素子２の電極２０（２
１，２３）との間は、ボンディングワイヤ２３で接続さ
れている。一方、コプレーナ中継基板４０とＲＦコネク
タ３との接続は、外部導体３１に関しては、金リボン１
１により行われ、また、内部導体３０に関しては、図５
に示すようなスライディングコンタク部材３２を用いて
行われる。
１０，２２０）と電気光学効果素子２の電極２０（２
１，２３）との間は、ボンディングワイヤ２３で接続さ
れている。一方、コプレーナ中継基板４０とＲＦコネク
タ３との接続は、外部導体３１に関しては、金リボン１
１により行われ、また、内部導体３０に関しては、図５
に示すようなスライディングコンタク部材３２を用いて
行われる。
【００３５】スライディングコンタク部材３２は、スリ
ット３２０を有し、ＲＦコネクタ３の中心導体３０が挿
入されるリング部と、リング部から突き出たテラス部３
２１を有している。したがって、ＲＦコネクタ３の中心
導体３０の中心線からの断面を示す図６に示されるよう
に、テラス部３２１は、コプレーナ中継基板４０の信号
電極２２０に接する様に平行に配置される。
ット３２０を有し、ＲＦコネクタ３の中心導体３０が挿
入されるリング部と、リング部から突き出たテラス部３
２１を有している。したがって、ＲＦコネクタ３の中心
導体３０の中心線からの断面を示す図６に示されるよう
に、テラス部３２１は、コプレーナ中継基板４０の信号
電極２２０に接する様に平行に配置される。
【００３６】さらに、スライディングコンタク部材３２
のテラス部３２１と、コプレーナ中継基板４０の対応す
る信号電極２００とはボンディングにより接続される。
のテラス部３２１と、コプレーナ中継基板４０の対応す
る信号電極２００とはボンディングにより接続される。
【００３７】かかる構造により、従来の図１に示す構造
との比較において、組立作業の容易性が得られる。しか
し、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０の接続に
関して、前者が同軸構造であり、後者がコプレーナ構造
であるという構造における違いが存在する。これにより
単独での特性インピーダンスが等しくても両者の接合部
において電磁界の乱れが生じ、特性に劣化を生じるとい
う問題がある。
との比較において、組立作業の容易性が得られる。しか
し、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０の接続に
関して、前者が同軸構造であり、後者がコプレーナ構造
であるという構造における違いが存在する。これにより
単独での特性インピーダンスが等しくても両者の接合部
において電磁界の乱れが生じ、特性に劣化を生じるとい
う問題がある。
【００３８】かかる点を図７により更に説明する。図７
は、電気力線のモードについて説明する図である。図７
Ａは、ＲＦコネクタ３の電気力線モードであり、中心導
体３０から誘電体、中空であれば空気を介して外部導体
３に向かっている。一方、図７Ｂは、コプレーナ中継基
板４０の電気力線モードである。金属体２４上に置かれ
た誘電体基板、例えば、セラミック板４００上の信号電
極２００からセラミック板４００を介して、両側の接地
電極２１０，２２０に向かっている。
は、電気力線のモードについて説明する図である。図７
Ａは、ＲＦコネクタ３の電気力線モードであり、中心導
体３０から誘電体、中空であれば空気を介して外部導体
３に向かっている。一方、図７Ｂは、コプレーナ中継基
板４０の電気力線モードである。金属体２４上に置かれ
た誘電体基板、例えば、セラミック板４００上の信号電
極２００からセラミック板４００を介して、両側の接地
電極２１０，２２０に向かっている。
【００３９】したがって、ＲＦコネクタ３及びコプレー
ナ中継基板４０のそれぞれにおいて単独で特性インピー
ダンスを考える場合は、図７に示す電気力線モードを考
えれば良い。
ナ中継基板４０のそれぞれにおいて単独で特性インピー
ダンスを考える場合は、図７に示す電気力線モードを考
えれば良い。
【００４０】ここで、特性インピーダンスは、
Ｚｏ＝√[Ｒ2＋（１／ｊωＣ＋ｊωＬ）2] ・・・式１ で表され、
ただし、上記容量Ｃは、Ｃ∝εr・Ｓ／ｄ （Ｓ：断面
積、ｄ：距離）である。
積、ｄ：距離）である。
【００４１】ＲＦコネクタ３の中心導体３０と外部導体
３１の間は空気であると考える。空気の場合、比誘電率
εrは、εrair＝１ である。一方、コプレーナ中継基
板４０が、Al2O3を焼成して得られるセラミック板であ
る場合、比誘電率εrは セラミックの比誘電率に等しい
εrc＝５〜４０である。
３１の間は空気であると考える。空気の場合、比誘電率
εrは、εrair＝１ である。一方、コプレーナ中継基
板４０が、Al2O3を焼成して得られるセラミック板であ
る場合、比誘電率εrは セラミックの比誘電率に等しい
εrc＝５〜４０である。
【００４２】したがって、ＲＦコネクタ３及び、コプレ
ーナ中継基板４０の特性インピーダンスはそれぞれに対
応する比誘電率を用いて特定される。
ーナ中継基板４０の特性インピーダンスはそれぞれに対
応する比誘電率を用いて特定される。
【００４３】しかし、図６の断面図に示したように、Ｒ
Ｆコネクタ３とコプレーナ中継基板４０を接続する場
合、境界領域で、電気力線の好ましくない結合が生じ
る。すなわち、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプ
レーナ中継基板４０の接地導体２１０，２２０との間で
電気力線が結合し、コプレーナ中継基板４０の信号電極
２００は、ＲＦコネクタ３の外部導体３１との間で電気
力線が結合する。
Ｆコネクタ３とコプレーナ中継基板４０を接続する場
合、境界領域で、電気力線の好ましくない結合が生じ
る。すなわち、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプ
レーナ中継基板４０の接地導体２１０，２２０との間で
電気力線が結合し、コプレーナ中継基板４０の信号電極
２００は、ＲＦコネクタ３の外部導体３１との間で電気
力線が結合する。
【００４４】これにより特性インピーダンスにおいて、
大きな変化が生じ、ＲＦコネクタ３から入力される高周
波信号の放射並びに反射が大きくなり、結果として光デ
バイスの伝送損失をもたらすことになる。
大きな変化が生じ、ＲＦコネクタ３から入力される高周
波信号の放射並びに反射が大きくなり、結果として光デ
バイスの伝送損失をもたらすことになる。
【００４５】したがって、本発明の目的は、かかる問題
に対し更に検討し、ＲＦコネクタ３を通して外部から高
周波制御信号を供給する際の損失を回避できる好ましい
接続構造を有する光モジュールを提供することにある。
に対し更に検討し、ＲＦコネクタ３を通して外部から高
周波制御信号を供給する際の損失を回避できる好ましい
接続構造を有する光モジュールを提供することにある。
【００４６】図８は、本発明の第１の実施の形態例を示
す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等に
よる検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光学
効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図９は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断面
図であり、図１０は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継
基板４０の関係を示す上面図である。
す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等に
よる検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光学
効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図９は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断面
図であり、図１０は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継
基板４０の関係を示す上面図である。
【００４７】この実施の形態例において、コプレーナ中
継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板上
に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンディ
ングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２の
信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信号
電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号電
極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネクタ
３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続さ
れている。
継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板上
に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンディ
ングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２の
信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信号
電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号電
極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネクタ
３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続さ
れている。
【００４８】この実施の形態例では、特に図１０に示す
上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極２１０，
２２０間の間隔Ｗより、大きい場合の例である。
上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極２１０，
２２０間の間隔Ｗより、大きい場合の例である。
【００４９】したがって、この例においては、ＲＦコネ
クタ３とコプレーナ中継基板４０との接続において、Ｒ
Ｆコネクタ３の中心導体３０とコプレーナ中継基板４０
の接地導体２１０，２２０との間での電気力線の結合
が、コプレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコ
ネクタ３の外部導体３１との間で生じる電気力線の結合
よりも強く現れる。
クタ３とコプレーナ中継基板４０との接続において、Ｒ
Ｆコネクタ３の中心導体３０とコプレーナ中継基板４０
の接地導体２１０，２２０との間での電気力線の結合
が、コプレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコ
ネクタ３の外部導体３１との間で生じる電気力線の結合
よりも強く現れる。
【００５０】したがって、本発明は、図８〜図１０に示
す第１の実施の形態例では、ＲＦコネクタ３とコプレー
ナ中継基板４０を接続する場合において、ＲＦコネクタ
３の中心導体３０と、コプレーナ中継基板４０の接地導
体２１０，２２０との間で電気力線が結合しないように
構成する。具体的には、コプレーナ中継基板４０のＲＦ
コネクタ３の中心導体３０が配置される下側領域の部分
であって、前記ＲＦコネクタ３と対向する側面側に切り
欠き１１１を設けている。この切り欠きにより、図９，
図１０に示すように、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と
外部導体３１間の空気層１１０と繋がった空気層を形成
する。
す第１の実施の形態例では、ＲＦコネクタ３とコプレー
ナ中継基板４０を接続する場合において、ＲＦコネクタ
３の中心導体３０と、コプレーナ中継基板４０の接地導
体２１０，２２０との間で電気力線が結合しないように
構成する。具体的には、コプレーナ中継基板４０のＲＦ
コネクタ３の中心導体３０が配置される下側領域の部分
であって、前記ＲＦコネクタ３と対向する側面側に切り
欠き１１１を設けている。この切り欠きにより、図９，
図１０に示すように、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と
外部導体３１間の空気層１１０と繋がった空気層を形成
する。
【００５１】かかる切り欠き１１１に生じた空気層によ
って、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプレーナ中
継基板４０の接地導体２１０，２２０との間の電気的な
距離が遠くなり、これらの間での電気力線の結合を弱め
ることが可能である。
って、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプレーナ中
継基板４０の接地導体２１０，２２０との間の電気的な
距離が遠くなり、これらの間での電気力線の結合を弱め
ることが可能である。
【００５２】一方、この実施の形態例では、ＲＦコネク
タ３の外部導体３１の径が、コプレーナ中継基板４０の
接地電極２１０，２２０間の間隔幅より大きいので、コ
プレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコネクタ
３の外部導体３１との間で電気力線が結合する影響はも
ともと少ない。
タ３の外部導体３１の径が、コプレーナ中継基板４０の
接地電極２１０，２２０間の間隔幅より大きいので、コ
プレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコネクタ
３の外部導体３１との間で電気力線が結合する影響はも
ともと少ない。
【００５３】したがって、第１の実施の形態例におい
て、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０との接続
において、特性インピーダンスの大きな変化を解消する
ことができる。
て、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０との接続
において、特性インピーダンスの大きな変化を解消する
ことができる。
【００５４】図１１は、本発明の第２の実施の形態例を
示す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等
による検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光
学効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図１２は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断
面図であり、図１３は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中
継基板４０の関係を示す上面図である。さらに、図１４
は、図１３のａ−ｂ線の断面であり、ＲＦコネクタ側３
から観察した図である。
示す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等
による検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光
学効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図１２は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断
面図であり、図１３は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中
継基板４０の関係を示す上面図である。さらに、図１４
は、図１３のａ−ｂ線の断面であり、ＲＦコネクタ側３
から観察した図である。
【００５５】この実施の形態例においても、コプレーナ
中継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板
上に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンデ
ィングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２
の信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信
号電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号
電極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネク
タ３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続
されている。
中継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板
上に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンデ
ィングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２
の信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信
号電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号
電極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネク
タ３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続
されている。
【００５６】この実施の形態例では、特に図１３に示す
上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極２１０，
２２０間の間隔Ｗより、小さい場合の例である。
上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極２１０，
２２０間の間隔Ｗより、小さい場合の例である。
【００５７】この例では、従って、コプレーナ中継基板
４０の信号電極２００とＲＦコネクタ３の外部導体３１
との間の電気的距離が近くなり、電気力線の結合も強く
なる。さらに、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプ
レーナ中継基板４０の接地電極２１０，２２０との間の
電気力線の結合も先の第１の実施の形態例と同様であ
る。
４０の信号電極２００とＲＦコネクタ３の外部導体３１
との間の電気的距離が近くなり、電気力線の結合も強く
なる。さらに、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、コプ
レーナ中継基板４０の接地電極２１０，２２０との間の
電気力線の結合も先の第１の実施の形態例と同様であ
る。
【００５８】この第２の実施の形態例では、コプレーナ
中継基板４０の、ＲＦコネクタ３の中心導体３０が配置
される下側領域の部分が、テーパ状に面取りされ、空気
層１１２を形成している。したがって、図１２に示すＲ
Ｆコネクタ３の中心導体３０に沿う断面図では、空気層
１１２は、三角形状で示される。
中継基板４０の、ＲＦコネクタ３の中心導体３０が配置
される下側領域の部分が、テーパ状に面取りされ、空気
層１１２を形成している。したがって、図１２に示すＲ
Ｆコネクタ３の中心導体３０に沿う断面図では、空気層
１１２は、三角形状で示される。
【００５９】かかる三角形状での面取りにより生じた空
気層１１２により、コプレーナ中継基板４０の信号電極
２００と、ＲＦコネクタ３の外部導体３１との電気的距
離が遠くなる。また、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と
コプレーナ中継基板４０上にある接地電極２１０，２２
０との間も空気層１１２を介することにより電気的距離
が遠くなる。
気層１１２により、コプレーナ中継基板４０の信号電極
２００と、ＲＦコネクタ３の外部導体３１との電気的距
離が遠くなる。また、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と
コプレーナ中継基板４０上にある接地電極２１０，２２
０との間も空気層１１２を介することにより電気的距離
が遠くなる。
【００６０】これにより、ＲＦコネクタ３の中心導体３
０とコプレーナ中継基板４０の相互間の電気的結合を減
少させることができ、コプレーナ中継基板４０とＲＦコ
ネクタ３の接続における特性インピーダンスの大きな変
化を避けることできる。
０とコプレーナ中継基板４０の相互間の電気的結合を減
少させることができ、コプレーナ中継基板４０とＲＦコ
ネクタ３の接続における特性インピーダンスの大きな変
化を避けることできる。
【００６１】図１５は、本発明の第３の実施の形態例を
示す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等
による検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光
学効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図１６は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断
面図であり、図１７は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中
継基板４０の関係を示す上面図である。
示す図である。先に図４に関連して説明した本発明者等
による検討対象としたコプレーナ中継基板４０を電気光
学効果素子２とＲＦコネクタ３との間に置いた構成であ
る。図１６は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断
面図であり、図１７は、ＲＦコネクタ３とコプレーナ中
継基板４０の関係を示す上面図である。
【００６２】この実施の形態例においても、コプレーナ
中継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板
上に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンデ
ィングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２
の信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信
号電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号
電極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネク
タ３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続
されている。
中継基板４０の誘電体基板４００例えば、セラミック板
上に成膜された電極２００，２１０，２２０は、ボンデ
ィングワイヤ２３により、それぞれ電気光学効果素子２
の信号電極２０、接地電極２１，２２に接続される。信
号電極２０と接続されるコプレーナ中継基板４０の信号
電極２００は、コプレーナ中継基板４０上でＲＦコネク
タ３の中心導体３０と例えば、金錫のロウ材１２で接続
されている。
【００６３】さらに、この実施の形態例では、特に図１
７に示す上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の
外部導体３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極
２１０，２２０間の間隔Ｗより、比較的に小さい場合の
例である。
７に示す上面図から明らかなように、ＲＦコネクタ３の
外部導体３１の径がコプレーナ中継基板４０の接地電極
２１０，２２０間の間隔Ｗより、比較的に小さい場合の
例である。
【００６４】この第３の実施の形態例では、従って、コ
プレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコネクタ
３の外部導体３１との間の電気的距離が近くなり、電気
力線の結合の割合も大きくなる。したがって、コプレー
ナ中継基板４０に対向する、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の領域を面取りして、その径が拡張されている。
プレーナ中継基板４０の信号電極２００とＲＦコネクタ
３の外部導体３１との間の電気的距離が近くなり、電気
力線の結合の割合も大きくなる。したがって、コプレー
ナ中継基板４０に対向する、ＲＦコネクタ３の外部導体
３１の領域を面取りして、その径が拡張されている。
【００６５】この外部導体３１の面取りにより径の拡張
部分は、図１６において、三角形の断面として示され、
図１７において、切り欠き線１１４として示されてい
る。そして、先の例と同様に、かかる外部導体３１の面
取りにより空気層１１３が形成される。これにより、コ
プレーナ中継基板４０上の信号電極２００とＲＦコネク
タ３の外部導体３１との電気的距離を遠くすることがで
きる。
部分は、図１６において、三角形の断面として示され、
図１７において、切り欠き線１１４として示されてい
る。そして、先の例と同様に、かかる外部導体３１の面
取りにより空気層１１３が形成される。これにより、コ
プレーナ中継基板４０上の信号電極２００とＲＦコネク
タ３の外部導体３１との電気的距離を遠くすることがで
きる。
【００６６】ここで、コプレーナ中継基板４０における
電気力線のモードを図７により再度考察する。図７Ｂに
おいては、電気力線は全て、誘電帯基板４００内で信号
電極２００と接地電極２１０及び２２０との間で結合し
ている。
電気力線のモードを図７により再度考察する。図７Ｂに
おいては、電気力線は全て、誘電帯基板４００内で信号
電極２００と接地電極２１０及び２２０との間で結合し
ている。
【００６７】誘電帯基板４００は、凡そ１mm程度の厚さ
で形成され、シールド筐体１と共通接地電位にある金属
体２４上に配置される。したがって、信号電極２００に
流れる信号レベルが大きい場合、図７Ｃに示すように電
気力線は信号電極２００と金属体２４との間でも結合す
ることになる。
で形成され、シールド筐体１と共通接地電位にある金属
体２４上に配置される。したがって、信号電極２００に
流れる信号レベルが大きい場合、図７Ｃに示すように電
気力線は信号電極２００と金属体２４との間でも結合す
ることになる。
【００６８】かかる場合は、コプレーナ中継基板４０と
接続される領域におけるＲＦコネクタ３の中心導体３０
のインピーダンスが大きくなる。これにより、ＲＦコネ
クタ３から供給される高周波信号の損失を招くことにあ
る。
接続される領域におけるＲＦコネクタ３の中心導体３０
のインピーダンスが大きくなる。これにより、ＲＦコネ
クタ３から供給される高周波信号の損失を招くことにあ
る。
【００６９】図１８、図１９は、かかる不都合を解消す
る実施の形態例である。図１８は、ＲＦコネクタ３の中
心導体３０に沿う断面図であり、図１９は、図１８のａ
−ｂ線に沿う断面図であり、ＲＦコネクタ３の方向に見
た図である。
る実施の形態例である。図１８は、ＲＦコネクタ３の中
心導体３０に沿う断面図であり、図１９は、図１８のａ
−ｂ線に沿う断面図であり、ＲＦコネクタ３の方向に見
た図である。
【００７０】特徴は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０の
コプレーナ中継基板４０上に位置する領域に対応する金
属体２４に切り欠き部１１４を設け、空気層としている
ことである。これにより、コプレーナ中継基板４０の信
号電極２００と金属体２４との間の電気的な距離が遠く
なり、これらの間で図７Ｃに示すような電気力線の結合
は生じなくなる。そして、図１９に示す断面において、
ＲＦコネクタ３の中心導体３０のコプレーナ中継基板４
０に接続される領域を一体で、特性インピーダンスにな
るように設定できる。
コプレーナ中継基板４０上に位置する領域に対応する金
属体２４に切り欠き部１１４を設け、空気層としている
ことである。これにより、コプレーナ中継基板４０の信
号電極２００と金属体２４との間の電気的な距離が遠く
なり、これらの間で図７Ｃに示すような電気力線の結合
は生じなくなる。そして、図１９に示す断面において、
ＲＦコネクタ３の中心導体３０のコプレーナ中継基板４
０に接続される領域を一体で、特性インピーダンスにな
るように設定できる。
【００７１】なお、図１８に示す例では、先の第１の実
施の形態例に適用した図が示されているが、第２、第３
の実施の形態例にも当然に適用できるものである。
施の形態例に適用した図が示されているが、第２、第３
の実施の形態例にも当然に適用できるものである。
【００７２】図２０、図２１は、更に別の本発明の実施
の形態例であり、これは先のいずれの実施の形態におい
て、適用することが可能である。
の形態例であり、これは先のいずれの実施の形態におい
て、適用することが可能である。
【００７３】先に図７Ｂにより説明したように、信号電
極２００と接地電極２１０，２２０を有するコプレーナ
中継基板４０上のコプレーナ線路は、信号電極２００と
接地電極２１０，２２０間に電気力線が結合する。した
がって、接地電極２１０，２２０のみである場合、電位
が接地ＧＮＤから浮いており、相互のバランスを失うこ
とがある。
極２００と接地電極２１０，２２０を有するコプレーナ
中継基板４０上のコプレーナ線路は、信号電極２００と
接地電極２１０，２２０間に電気力線が結合する。した
がって、接地電極２１０，２２０のみである場合、電位
が接地ＧＮＤから浮いており、相互のバランスを失うこ
とがある。
【００７４】これに対応する構成が図２０の実施の形態
構成である。図２０の実施の形態例の断面図を図２１に
示す。図２０及び図２１において、金属体２４上の誘電
体基板４００には複数のＶＩＡ５０が形成される。
構成である。図２０の実施の形態例の断面図を図２１に
示す。図２０及び図２１において、金属体２４上の誘電
体基板４００には複数のＶＩＡ５０が形成される。
【００７５】さらに、誘電体基板４００は多層を有し、
中間層に内導体５１が形成される。この内導体５１によ
り複数のＶＩＡ５０は、互いに接続されている。さら
に、ＶＩＡ５０を介して金属体２４に接続し、強固に接
地ＧＮＤに電位を固定される。これらにより、接地電極
２１０，２２０の電位バランスを電極全体に渉って維持
することが可能である。
中間層に内導体５１が形成される。この内導体５１によ
り複数のＶＩＡ５０は、互いに接続されている。さら
に、ＶＩＡ５０を介して金属体２４に接続し、強固に接
地ＧＮＤに電位を固定される。これらにより、接地電極
２１０，２２０の電位バランスを電極全体に渉って維持
することが可能である。
【００７６】図２１は、図２０の実施の形態例をＲＦコ
ネクタ３側からコプレーナ中継基板４０に向かって見た
断面図である。ここで、ＲＦコネクタ３の中心導体３０
の近傍にあるＶＩＡ５３は、内導体５１及び金属体２４
とは接続されていない。
ネクタ３側からコプレーナ中継基板４０に向かって見た
断面図である。ここで、ＲＦコネクタ３の中心導体３０
の近傍にあるＶＩＡ５３は、内導体５１及び金属体２４
とは接続されていない。
【００７７】この理由は、中心導体３０と接地電極２１
０，２２０との間の電気力線の結合を防ぐためであり、
且つ、誘電体基板４００の製造過程時に、他のＶＩＡ５
０と共通に形成しておき、ＲＦコネクタ３とコプレーナ
中継基板４０の接続における総合的なインピーダンスの
調整のために利用される。これにより、ＲＦコネクタ３
の中心導体３０のコプレーナ中継基板４０に接続される
領域を一体で、特性インピーダンスになるように設定で
きる。
０，２２０との間の電気力線の結合を防ぐためであり、
且つ、誘電体基板４００の製造過程時に、他のＶＩＡ５
０と共通に形成しておき、ＲＦコネクタ３とコプレーナ
中継基板４０の接続における総合的なインピーダンスの
調整のために利用される。これにより、ＲＦコネクタ３
の中心導体３０のコプレーナ中継基板４０に接続される
領域を一体で、特性インピーダンスになるように設定で
きる。
【００７８】なお、図２０における複数のＶＩＡ５０を
設ける代わりに、コプレーナ中継基板４０の表面側から
接地電極２１０及び２２０間を図示しないフライングワ
イヤで接続して共通接地電位に固定することも可能であ
る。
設ける代わりに、コプレーナ中継基板４０の表面側から
接地電極２１０及び２２０間を図示しないフライングワ
イヤで接続して共通接地電位に固定することも可能であ
る。
【００７９】次に、上記に説明した各実施の形態例にお
けるコプレーナ中継基板４０の信号電極２００の好まし
い電極形状について考察する。
けるコプレーナ中継基板４０の信号電極２００の好まし
い電極形状について考察する。
【００８０】図２２に示す電極形状は、プレーナ中継基
板４０上の信号電極２００のＲＦコネクタ３側の先端部
と接地電極２１０，２２０の形状に特徴を有する。
板４０上の信号電極２００のＲＦコネクタ３側の先端部
と接地電極２１０，２２０の形状に特徴を有する。
【００８１】すなわち、コプレーナ中継基板４０上の信
号電極２００のＲＦコネクタ３側の先端部を、ＲＦコネ
クタ３に向かって広がるテーパ部（図１８、２０１参
照）とＲＦコネクタ３に向かって狭まるテーパ部（図１
８、２０２参照）を有する菱形形状としている。さら
に、接地導体２１０，２２０も信号電極２００の先端部
の広がるテーパ部分に対応したテーパ部（図１８、２０
３，２０４参照）を有している。
号電極２００のＲＦコネクタ３側の先端部を、ＲＦコネ
クタ３に向かって広がるテーパ部（図１８、２０１参
照）とＲＦコネクタ３に向かって狭まるテーパ部（図１
８、２０２参照）を有する菱形形状としている。さら
に、接地導体２１０，２２０も信号電極２００の先端部
の広がるテーパ部分に対応したテーパ部（図１８、２０
３，２０４参照）を有している。
【００８２】かかるコプレーナ中継基板４０上の信号電
極２００と接地電極２１０，２２０の形状により、コプ
レーナ中継基板４０の信号電極２００と、ＲＦコネクタ
３１との距離及び、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、
コプレーナ中継基板４０上の接地電極２１０，２２０と
の距離を遠くすることができる。これにより相互間の電
気力線の結合を弱めることが可能である。
極２００と接地電極２１０，２２０の形状により、コプ
レーナ中継基板４０の信号電極２００と、ＲＦコネクタ
３１との距離及び、ＲＦコネクタ３の中心導体３０と、
コプレーナ中継基板４０上の接地電極２１０，２２０と
の距離を遠くすることができる。これにより相互間の電
気力線の結合を弱めることが可能である。
【００８３】図２３は、ＲＦコネクタ３の中心導体３０
の接続されるコプレーナ中継基板４０の主信号電極２０
０の幅について考察する図である。先に図７において説
明した様にコプレーナ線路における電気力線のモード
は、図７Ｂに示す如くであり、図７Ｃに示すように金属
体２４との間で電気力線の結合を生じさせないために
は、信号電極２００と接地電極間で結合する電気力線の
密度の高めることが必要である。
の接続されるコプレーナ中継基板４０の主信号電極２０
０の幅について考察する図である。先に図７において説
明した様にコプレーナ線路における電気力線のモード
は、図７Ｂに示す如くであり、図７Ｃに示すように金属
体２４との間で電気力線の結合を生じさせないために
は、信号電極２００と接地電極間で結合する電気力線の
密度の高めることが必要である。
【００８４】このために、図２３Ａに示すようにＲＦコ
ネクタ３の中心導体３０の径よりも幅の広い信号電極２
００とするよりも、図２３Ｃに示すように信号電極２０
０の幅を中心導体３０の径よりも小さくすることが有利
である。この場合、信号電極２００と中心導体３０との
接続は、中心導体３０の側面からロウ材２により行われ
るが、信号電極２００の幅が狭くなると、ロウ材１２に
よる接続が困難になる場合が想定される。
ネクタ３の中心導体３０の径よりも幅の広い信号電極２
００とするよりも、図２３Ｃに示すように信号電極２０
０の幅を中心導体３０の径よりも小さくすることが有利
である。この場合、信号電極２００と中心導体３０との
接続は、中心導体３０の側面からロウ材２により行われ
るが、信号電極２００の幅が狭くなると、ロウ材１２に
よる接続が困難になる場合が想定される。
【００８５】かかる場合は、図２１に示されるように、
信号電極２００と接続される中心導体３０の薄く成形し
（図２１，３０１参照）、ロウ材１２により信号電極２
００に接続するようにすることが望ましい。
信号電極２００と接続される中心導体３０の薄く成形し
（図２１，３０１参照）、ロウ材１２により信号電極２
００に接続するようにすることが望ましい。
【００８６】上記の実施の形態例の説明において、光モ
ジュール内の光電気効果素子２として変調器とする場合
を例にしたが、本発明の適用はこれに限定されるもので
はない。また、変調器としては、誘電体基板をＺカッ
ト、電極をシングル電極とし、変調方式を強度変調とし
て例示して説明したが、本発明の適用は、これに限定さ
れるものではない。
ジュール内の光電気効果素子２として変調器とする場合
を例にしたが、本発明の適用はこれに限定されるもので
はない。また、変調器としては、誘電体基板をＺカッ
ト、電極をシングル電極とし、変調方式を強度変調とし
て例示して説明したが、本発明の適用は、これに限定さ
れるものではない。
【００８７】すなわち、変調器として、他に誘電体基板
がＺカットで、強度変調方式とする場合、電極をデュア
ル電極とすることも可能である。変調方式を位相変調方
式、偏波変調方式とすることも可能である。さらに、誘
電体基板をＸカットとする場合も、電極構成及び変調方
式に関し、同様の組合せとすることが可能である。
がＺカットで、強度変調方式とする場合、電極をデュア
ル電極とすることも可能である。変調方式を位相変調方
式、偏波変調方式とすることも可能である。さらに、誘
電体基板をＸカットとする場合も、電極構成及び変調方
式に関し、同様の組合せとすることが可能である。
【００８８】（付記１）信号電極と接地電極が形成さ
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネクタ
の中心導体が配置された下側領域部分に空気層が形成さ
れていることを特徴とする電気光学効果により光位相を
変化させる素子を搭載した光モジュール。
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネクタ
の中心導体が配置された下側領域部分に空気層が形成さ
れていることを特徴とする電気光学効果により光位相を
変化させる素子を搭載した光モジュール。
【００８９】（付記２）付記１において、前記中継基板
の、前記コネクタの中心導体が配置された下側領域部分
の空気層は、前記誘電体基板の前記コネクタと対向する
側面の切り欠きにより形成されていることを特徴とする
電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した
光モジュール。
の、前記コネクタの中心導体が配置された下側領域部分
の空気層は、前記誘電体基板の前記コネクタと対向する
側面の切り欠きにより形成されていることを特徴とする
電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した
光モジュール。
【００９０】（付記３）付記２において、前記コプレー
ナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配置された
接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が前記コネ
クタの外部導体の径より小さいことを特徴とする光位相
を変化させる素子を搭載した光モジュール。
ナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配置された
接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が前記コネ
クタの外部導体の径より小さいことを特徴とする光位相
を変化させる素子を搭載した光モジュール。
【００９１】（付記４）信号電極と接地電極が形成さ
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板に対向する領域の
前記コネクタの外部導体の径が拡張されていることを特
徴とする電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュール。
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板に対向する領域の
前記コネクタの外部導体の径が拡張されていることを特
徴とする電気光学効果により光位相を変化させる素子を
搭載した光モジュール。
【００９２】（付記５）信号電極と接地電極が形成さ
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネクタ
の中心導体が配置される下側領域の部分が、テーパ状に
面取りされ、空気層を形成していることを特徴とする電
気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光
モジュール。
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板を備え、前記中継基板の、前記コネクタ
の中心導体が配置される下側領域の部分が、テーパ状に
面取りされ、空気層を形成していることを特徴とする電
気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光
モジュール。
【００９３】（付記６）付記４又は５において、前記コ
プレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配置
された接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が前
記コネクタの外部導体の径より大きいことを特徴とする
光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
プレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側に配置
された接地電極で構成され、前記接地電極間の間隔が前
記コネクタの外部導体の径より大きいことを特徴とする
光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
【００９４】（付記７）信号電極と接地電極が形成さ
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を搭
載する金属体を有し、前記中継基板の、前記コネクタの
中心導体が配置された下側領域に対応する前記金属体の
部分に空気層が形成されていることを特徴とする電気光
学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジ
ュール。
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を搭
載する金属体を有し、前記中継基板の、前記コネクタの
中心導体が配置された下側領域に対応する前記金属体の
部分に空気層が形成されていることを特徴とする電気光
学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジ
ュール。
【００９５】（付記８）信号電極と接地電極が形成さ
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を搭
載する金属体を有し、前記中継基板の前記誘電体基板
は、複数のＶＩＡにより前記金属体と電気的に接続され
ていることを特徴とする電気光学効果により光位相を変
化させる素子を搭載した光モジュール。
れ、電気光学効果により光位相を変化させる素子と、前
記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給す
る中心導体と外部導体を有するコネクタと、誘電体基板
に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記コネクタの
中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ線路が形成
された中継基板と、前記中継基板の前記誘電体基板を搭
載する金属体を有し、前記中継基板の前記誘電体基板
は、複数のＶＩＡにより前記金属体と電気的に接続され
ていることを特徴とする電気光学効果により光位相を変
化させる素子を搭載した光モジュール。
【００９６】（付記９）付記８において、前記誘電体基
板は多層構造を有し、中間層に内導体を形成し、前記内
導体で、前記複数のＶＩＡを接続していることを特徴と
する電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載
した電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載
した光モジュール。
板は多層構造を有し、中間層に内導体を形成し、前記内
導体で、前記複数のＶＩＡを接続していることを特徴と
する電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載
した電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載
した光モジュール。
【００９７】（付記１０）付記９において、前記複数の
ＶＩＡの内、前記中継基板の、前記コネクタの中心導体
が配置された領域にあるＶＩＡに関しては、前記内導体
と非接続であることを特徴とする電気光学効果により光
位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
ＶＩＡの内、前記中継基板の、前記コネクタの中心導体
が配置された領域にあるＶＩＡに関しては、前記内導体
と非接続であることを特徴とする電気光学効果により光
位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
【００９８】（付記１１）付記１、４又は５の何れかに
おいて、前記コネクタの中心導体が接続される前記中継
基板のコプレーナ線路の信号電極の幅が、前記中心導体
の径より小さいことを特徴とする電気光学効果により光
位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
おいて、前記コネクタの中心導体が接続される前記中継
基板のコプレーナ線路の信号電極の幅が、前記中心導体
の径より小さいことを特徴とする電気光学効果により光
位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。
【００９９】（付記１２）付記１、４又は５の何れかに
おいて、前記コネクタの中心導体が接続される前記中継
基板のコプレーナ線路の信号電極の形状が、前記コネク
タに向かって広がるテーパ部と前記コネクタに向かって
狭まるテーパ部を有する菱形を成し、前記信号電極の両
側に配置される接地電極の形状が、前記コネクタに向か
って広がるテーパ部に対応するテーバ部を有することを
特徴とする電気光学効果により光位相を変化させる素子
を搭載した光モジュール。
おいて、前記コネクタの中心導体が接続される前記中継
基板のコプレーナ線路の信号電極の形状が、前記コネク
タに向かって広がるテーパ部と前記コネクタに向かって
狭まるテーパ部を有する菱形を成し、前記信号電極の両
側に配置される接地電極の形状が、前記コネクタに向か
って広がるテーパ部に対応するテーバ部を有することを
特徴とする電気光学効果により光位相を変化させる素子
を搭載した光モジュール。
【０１００】（付記１３）付記１、４又は５の何れかに
おいて、前記コプレーナ線路の信号電極幅は、前記コネ
クタの中心導体の直径よりも小さいことを特徴とする電
気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光
モジュール。
おいて、前記コプレーナ線路の信号電極幅は、前記コネ
クタの中心導体の直径よりも小さいことを特徴とする電
気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光
モジュール。
【０１０１】
【発明の効果】以上図面に従い、実施の形態例を説明し
たように、本発明によりＲＦコネクタの外部導体とコプ
レーナ中継基板の信号電極間に直接電気力線の結合を生
じさせることく、外部ＲＦケーブルからＲＦコネクタを
介して、光モジュール内の光電気効果素子に制御用高周
波信号を供給可能である。
たように、本発明によりＲＦコネクタの外部導体とコプ
レーナ中継基板の信号電極間に直接電気力線の結合を生
じさせることく、外部ＲＦケーブルからＲＦコネクタを
介して、光モジュール内の光電気効果素子に制御用高周
波信号を供給可能である。
【０１０２】これにより光モジュールにおいて、広帯域
な高周波特性を得ることが可能である。
な高周波特性を得ることが可能である。
【図１】光モジュールを光変調器として用いる場合の一
構成例を示すカバーを外した状態の上面図である。
構成例を示すカバーを外した状態の上面図である。
【図２】模式的に電気光学効果素子２の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明者等による構想により検討した光モジュ
ールの構成例である。
ールの構成例である。
【図４】図３のａ−ｂ線で切断した入力側の斜視図であ
る。
る。
【図５】スライディングコンタク部材３２を説明する図
である。
である。
【図６】ＲＦコネクタ３の中心導体３０の中心線からの
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図７】電気力線のモードについて説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態例を示す図である。
【図９】ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断面図で
ある。
ある。
【図１０】ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０の
関係を示す上面図である。
関係を示す上面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態例を示す図であ
る。
る。
【図１２】ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断面図
である。
である。
【図１３】ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０の
関係を示す上面図である。
関係を示す上面図である。
【図１４】図１３のａ−ｂ線の断面であり、ＲＦコネク
タ側３から観察した図である。
タ側３から観察した図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態例を示す図であ
る。
る。
【図１６】ＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿う断面図
である。
である。
【図１７】ＲＦコネクタ３とコプレーナ中継基板４０の
関係を示す上面図である。
関係を示す上面図である。
【図１８】図７Ｃに示すように電気力線は信号電極２０
０と金属体２４との間でも結合する不都合を解消する実
施の形態例におけるＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿
う断面図である。
０と金属体２４との間でも結合する不都合を解消する実
施の形態例におけるＲＦコネクタ３の中心導体３０に沿
う断面図である。
【図１９】図１８のａ−ｂ線に沿う断面図であり、ＲＦ
コネクタ３の方向に見た図である。
コネクタ３の方向に見た図である。
【図２０】さらに別の本発明の実施の形態例を示す図で
ある。
ある。
【図２１】図２０の実施の形態例の断面を示す図であ
る。
る。
【図２２】プレーナ中継基板４０上の信号電極２００の
ＲＦコネクタ３側の先端部と接地電極２１０，２２０の
形状に特徴を有する信号電極の形状を示す図である。
ＲＦコネクタ３側の先端部と接地電極２１０，２２０の
形状に特徴を有する信号電極の形状を示す図である。
【図２３】ＲＦコネクタ３の中心導体３０の接続される
コプレーナ中継基板４０の主信号電極２００の幅につい
て考察する図である。
コプレーナ中継基板４０の主信号電極２００の幅につい
て考察する図である。
１ シールド筐体
２ 光電気効果素子
１１ 金リボン
１２ ロウ材
２０ 光電気効果素子の信号電極
２１、２２ 光電気効果素子の接地電極
２４ 金属体
４０ コプレーナ中継基板
２００ コプレーナ中継基板の信号電極
２１０、２２０ コプレーナ中継基板の接地電極
２３ ボンディングワイヤ
２５ 制御信号源
３ ＲＦコネクタ
３０ 中心導体
３１ 外部導体
４００ 誘電体基板
１１１ 空気層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石坂 哲男
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 田中 剛人
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 BA01 BA03 CA04
DA03 EA05 EB04 EB12 EB15
HA14
Claims (5)
- 【請求項１】信号電極と接地電極が形成され、電気光学
効果により光位相を変化させる素子と、 前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、 誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記
コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ
線路が形成された中継基板を備え、 前記中継基板の、前記コネクタの中心導体が配置された
下側領域部分に空気層が形成されていることを特徴とす
る電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載し
た光モジュール。 - 【請求項２】請求項１において、 前記中継基板の、前記コネクタの中心導体が配置された
下側領域部分の空気層は、前記誘電体基板の前記コネク
タと対向する側面の切り欠きにより形成されていること
を特徴とする電気光学効果により光位相を変化させる素
子を搭載した光モジュール。 - 【請求項３】請求項２において、 前記コプレーナ線路は、信号電極と、該信号電極の両側
に配置された接地電極で構成され、前記接地電極間の間
隔が前記コネクタの外部導体の径より小さいことを特徴
とする光位相を変化させる素子を搭載した光モジュー
ル。 - 【請求項４】信号電極と接地電極が形成され、電気光学
効果により光位相を変化させる素子と、 前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、 誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記
コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ
線路が形成された中継基板を備え、 前記中継基板に対向する領域の前記コネクタの外部導体
の径が拡張されていることを特徴とする電気光学効果に
より光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール。 - 【請求項５】信号電極と接地電極が形成され、電気光学
効果により光位相を変化させる素子と、 前記素子の信号電極にマイクロ波領域の制御信号を供給
する中心導体と外部導体を有するコネクタと、 誘電体基板に前記素子の信号電極及び接地電極と、前記
コネクタの中心導体と外部導体とを接続するコプレーナ
線路が形成された中継基板を備え、 前記中継基板の、前記コネクタの中心導体が配置される
下側領域の部分が、テーパ状に面取りされ、空気層を形
成していることを特徴とする電気光学効果により光位相
を変化させる素子を搭載した光モジュール。
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-
2002
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- 2002-08-21 EP EP02018233A patent/EP1335237B1/en not_active Expired - Fee Related
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