JP6332436B1 - Ｆｐｃ付き光変調器及びそれを用いた光送信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号入力用のリードピンと光変調素子の電極との間を中継する中継基板を備える光変調器において、当該中継基板上の導体パターンとリードピンとの接続部のインピーダンス不整合に起因する光変調特性の悪化を防止する。【解決手段】筺体（１１４ａ等）に収容された信号電極（１１２ａ等）を備える光変調素子（１０２）と、高周波信号を入力するためのリードピン（１１６ａ等）と、前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板（１１８）と、前記リードピンの長さ方向に沿って、少なくとも前記リードピンと前記導体パターンとの接続部分（２０４ａ等）の位置を含む範囲に延在する導電性の延在部（２２０等）を備え、当該延在部は前記筺体と電気的に接続されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、光変調器に関し、特に、筺体に設けられた高周波信号入力用の導体（例えばリードピン）と光変調素子の電極との間を中継する中継基板を備える光変調器及び当該光変調器を用いた光伝送装置に関する。

高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、導波路型の光変調素子を組み込んだ光変調器が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ_３（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

このＬＮ基板を用いた光変調素子では、マッハツェンダ型光導波路と、当該光導波路に変調信号である高周波信号を印加するためのＲＦ電極と、当該導波路における変調特性を良好に保つため種々の調整を行うためのバイアス電極と、が設けられている。そして、光変調素子に設けられたこれらの電極は、当該光変調素子を収容する光変調器の筺体に設けられたリードピンやコネクタを介して、光変調器に変調動作を行わせるための電子回路が搭載された回路基板に接続される。

光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）やＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization - Quadrature Phase Shift Keying）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっており、基幹光伝送ネットワークにおいて用いられているが、メトロネットワークにも導入されつつある。

ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＱＰＳＫ光変調器）やＤＰ−ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器）は、所謂ネスト型と呼ばれる入れ子構造になった複数のマハツェンダ型光導波路を備えるとともに、複数の高周波信号電極及び複数のバイアス電極を備える（例えば、特許文献１参照）。このため、光変調器の筺体のサイズが大型化する傾向がある。しかし昨今では、これとは逆に当該変調器に対する小型化の要求が高まっている。

この小型化の要求に対応する一つの策として、従来、ＲＦ電極のインタフェースとして光変調器の筺体に設けられていたプッシュオン型の同軸コネクタを、バイアス電極用のインタフェースと同様のリードピン、及びこれらのリードピンと電気的に接続されるＦＰＣ（フレキシブル配線板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）に置き換えることで外部の回路基板との電気的接続を可能とした光変調器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

例えば、ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器では、それぞれにＲＦ電極を有する４つのマッハツェンダ型光導波路で構成される光変調素子が用いられる。この場合、光変調器の筺体に４つのプッシュオン型同軸コネクタを設けたのでは筺体の大型化は避けられないが、同軸コネクタに代えてリードピンとＦＰＣとを用いれば、小型化が可能となる。

また、光変調器の筺体のリードピンと、当該光変調器に変調動作を行わせるための電子回路（駆動回路）が搭載された回路基板と、の間が、上記ＦＰＣを介して接続されるので、従来用いていた同軸ケーブルの余長処理を行う必要が無くなり、光送信装置内における光変調器の実装スペースを縮小することができる。

このような、筺体に高周波電気信号入力用のリードピンを備える光変調器では、一般に、当該リードピンと筺体内に収容された光変調素子の電極との間が、当該筺体内に配された中継基板を介して接続される（例えば、特許文献１参照）。

図１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、そのような従来の光変調器の構成の一例を示す図である。ここで、図１３Ａは、回路基板１３３０上に搭載された従来の光変調器１３００の構成を示す平面図、図１３Ｂは当該従来の光変調器１３００の側面図、図１３Ｃは当該従来の光変調器１３００の底面図である。本光変調器１３００は、光変調素子１３０２と、光変調素子１３０２を収容する筺体１３０４と、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）１３０６と、光変調素子１３０２に光を入射するための光ファイバ１３０８と、光変調素子１３０２から出力される光を筺体１３０４の外部へ導く光ファイバ１３１０と、を備える。

光変調素子１３０２は、例えばＬＮ基板上に設けられた４つのマッハツェンダ型光導波路と、当該マッハツェンダ型光導波路上にそれぞれ設けられて光導波路内を伝搬する光波を変調する４つの高周波電極（ＲＦ電極）１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄと、を備えたＤＰ―ＱＰＳＫ光変調器である。

筺体１３０４は、光変調素子１３０２が固定されるケース１３１４ａとカバー１３１４ｂとで構成されている。なお、筺体１３０４内部における構成の理解を容易するため、図１３Ａにおいては、カバー１３１４ｂの一部のみを図示左方に示している。

ケース１３０４ａには、４つのリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄが設けられている。これらのリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、ガラス封止部１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄ（後述）で封止されており、筺体１３０４の底面（図１３Ｃに示す面）から外部に延在し、ＦＰＣ１３０６上に形成されたスルーホールとハンダ等により接続されている。

リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、中継基板１３１８を介して、光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄの一端のそれぞれと、電気的に接続されている。

ＲＦ電極１３１２ａ，１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄの他端のそれぞれは、終端器１３２０により電気的に終端されている。

図１４Ａは、図１３Ａに示す光変調器１３００のＦ部の部分詳細図、図１４Ｂは、図１３Ａに示す光変調器１３００のＧＧ断面矢視図である。リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、ケース１３１４ａに設けられたガラス封止部１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄを介して、それぞれ筺体１３０４内部から筺体１３０４外部へ延在し、当該筺体１３０４の下面（図１３Ｃに示す面）から突出してＦＰＣ１３０６のスルーホールにハンダ固定されている。

リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、図１４Ａにおける中継基板１３１８の図示下側（図１４Ｂにおける中継基板１３１８の図示左側）の辺（リードピン側エッジ１４１０）の近傍であって且つ中継基板１３１８上に設けられた導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄのそれぞれの端部に対向する位置に、それぞれ配されている。ここで、リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄが導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄのそれぞれの端部と対向しているリードピン側エッジ１４１０の部分を、それぞれ接続部１４０４ａ、１４０４ｂ、１４０４ｃ、１４０４ｄと称する。

リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄと導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄとは、それぞれ、接続部１４０４ａ、１４０４ｂ、１４０４ｃ、１４０４ｄにおいてハンダ１４０８ａ、１４０８ｂ、１４０８ｃ、１４０８ｄにより電気的に接続されている。

中継基板１３１８上に設けられる導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄは、図１４Ａにおける中継基板１３１８の図示上側（図１４Ｂにおける中継基板１３１８の図示右側）の辺（変調器側エッジ１４１２）の近傍に配された、光変調素子１３０２の図示下端部（図１４Ｂにおける光変調素子１３０２の図示左端）のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ１４０６ａ、１４０６ｂ、１４０６ｃ、１４０６ｄにより電気的に接続されている。

中継基板１３１８上に形成される導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄは、通常、各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄから当該各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄに対応する各ＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄまでの高周波信号の伝搬距離を最短にして、信号伝搬損失とスキュー（伝搬遅延時間差）とを最小にすべく、互いに平行な直線パターンとして構成されている。したがって、光変調器１３００は、各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄ間の間隔と各ＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄ間の間隔とが同じとなるように構成されている。

また、一般に、上記ガラス封止部１４００ａ等により封止されたリードピン１３１６ａ等から入力される電気信号は数十ＧＨｚの高周波信号（マイクロ波信号）である。このためリードピン１３１６ａ等の設計インピーダンス（特性インピーダンスの設計値）と、中継基板１３１８上に形成される導体パターン１４０２ａ等の設計インピーダンス、及び光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ等の設計インピーダンスは例えば互いに同じ値（例えば５０Ω）にすることによりインピーダンス整合が図られる。これによりリードピン１３１６ａ等から中継基板１３１８上の導体パターン１４０２ａ等を経由して光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ等に至るまでの高周波伝送路における高周波信号の反射や放射が抑制される。

上記構成により、光変調器１３００では、回路基板１３３０上に形成された導体パターン１３３２ａ、１３３２ｂ、１３３２ｃ、１３３２ｄ（図１３Ａ）からＦＰＣ１３０６を介してリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄに入力された高周波電気信号が、中継基板１３１８を介して光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄへ入力される。

しかしながら、上記のようにインピーダンス整合を図った光変調器１３００においても、光変調素子１３０２の各ＲＦ電極１３１２ａ等にノイズ信号成分が重畳され、光変調器１３００のアイパターン消光比やジッター等の高周波特性が劣化し、光送信装置の伝送特性が劣化するなどの問題が発生する場合がある。

本発明の発明者は、この問題について鋭意検討した結果、この問題の一因が、光変調器１３００の作製時に発生する、導体パターン１４０２ａ等とリードピン１３１６ａ等とを接続するハンダ１４０８ａ等を含む接続部１４０４ａ等の部分（又は当該部分とその周辺部分）におけるインピーダンス不整合であるとの知見を得た。

すなわち、光変調器１３００の作製時に、接続部１４０４ａ等においてハンダ１４０８ａ等を用いてリードピン１３１６ａ等と導体パターン１４０２ａ等とを接続すると、例えば当該ハンダ１４０８ａ等の量や形状等に起因して、及び又はリードピン１３１６ａ等と導体パターン１４０２ａ等の端部との間の距離等に起因して、ハンダ１４０８ａ等を含む上記接続部１４０４ａ等における特性インピーダンスが、設計値と異なる値に変化する。このためリードピン１３１６ａ等及び導体パターン１４０２ａ等の特性インピーダンスに対して差異を生ずる。その結果、当該接続部１４０４ａ等の部分において（又は当該部分とその近傍において）電磁放射が発生し、リードピン１３１６ａ等及び導体パターン１４０２ａ等で構成される高周波信号経路のそれぞれを伝搬する高周波信号間においてクロストークが生じ、当該クロストークがノイズとなって光変調器１３００の高周波特性を悪化させるのである。

一般に、２つの高周波伝送媒体間の接続部においては、当該接続部において電気的特性が不連続となることからインピーダンス不整合が生じやすい。上述のように、光変調器１３００においては、中継基板１３１８上の導体パターン１４０２ａ等とリードピン１３１６ａ等とは、接続部１４０４ａ等において例えばハンダ１４０８ａ等により接続される。導体パターン１４０２ａ等とリードピン１３１６ａ等との間を埋めるハンダ１４０８ａ等の特性インピーダンスは、当該ハンダの（例えば成分や組成比で定まる）電気的特性に依存することは勿論、当該ハンダ１４０８ａ等の形状（高周波伝搬方向に沿ったハンダ１４０８ａ等の長さや幅のみならず、当該ハンダ部分の表面凹凸などの空間的形状）にも依存する。

このため、接続部１４０４ａ等の部分の特性インピーダンスを設計値から変化させることなく、当該接続部１４０４ａ等においてハンダ１４０８ａ等を用いて導体パターン１４０２ａ等とリードピン１３１６ａ等とを接続し、当該接続部１４０４ａ等における特性インピーダンスが導体パターン１４０２ａ等の特性インピーダンスと同じ一定値となるように光変調器１３００を作製しようとする場合には、ハンダ付け作業等における極めて高い熟練を要することとなり得る。

そして、リードピン１３１６ａ等と導体パターン１４０２ａ等との間の、ハンダ１４０８ａ等を含む接続部１４０４ａ等の部分（又は当該部分とその周辺）においてインピーダンス不整合が生ずれば、リードピン１３１６ａ等を伝搬してきた高周波信号は当該インピーダンス不整合部分において電磁放射となって空間へ放射されることとなる。このため当該電磁放射を介して、リードピン１３１６ａ等と導体パターン１４０２ａ等とで構成される高周波伝送経路のそれぞれの間でクロストークが発生することとなる。特にＤＰ−ＱＰＳＫ変調器のように４つのＲＦ電極が協働して光変調動作を行うデバイスの場合には、上記クロストークによって生じた各高周波伝送経路における雑音は、最終的には上記４つのＲＦ電極のそれぞれに重畳された４つのノイズの相乗効果となって現れ、変調光のアイパターン消光比やジッター等の高周波特性を悪化させることとなる。

特開２０１６-１０９９４１号

上記背景より、高周波信号入力用のリードピンと光変調素子の電極との間を中継する中継基板を備える光変調器において、当該中継基板上に形成された導体パターンと、筺体に設けられたリードピンと、の間の接続部において発生するインピーダンス不整合に起因した電磁放射を抑制して、光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することが望まれている。

本発明の一の態様は、筺体に収容された信号電極を備える光変調素子と、高周波信号を入力するためのリードピンと、前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板と、を備える光変調器であって、前記リードピンの長さ方向に沿って、少なくとも前記リードピンと前記導体パターンとの接続部分の位置を含む範囲に延在する導電性の延在部を備え、当該延在部は前記筺体と電気的に接続されている。
本発明の他の態様によると、前記リードピンと前記導体パターンが実際に電気的に接続される前の、前記光変調素子の動作周波数領域における前記接続部の特性インピーダンスが、前記リードピン及び又は前記導体パターンの特性インピーダンスより高くなるように構成されている。
本発明の他の態様によると、前記延在部が前記範囲に延在する距離は、前記中継基板上における前記導体パターンの厚さよりも大きい。
本発明の他の態様によると、前記延在部と前記中継基板上に形成されたグランドパターンとの間が、導電体により電気的に接続されている。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記リードピンを挟んで対向する部分を含み、当該対向する部分のそれぞれが、前記リードピンの長さ方向に沿って、前記接続部分の位置を含む範囲に延在している。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記対向する部分を含む部分により、前記リードピンの径方向において当該リードピンを囲うように構成されている。
本発明の他の態様によると、前記リードピンを複数備え、前記延在部は、互いに隣接する少なくとも２つの前記リードピンを包括的に囲う部分を含み、前記囲う部分により包括的に囲まれたリードピンの一つと、当該リードピンに隣接するリードピンであって前記囲う部分により包括的に囲まれていないリードピンと、の間の間隔は、前記囲う部分により包括的に囲まれたリードピン同志の間隔より広い。
本発明の他の態様によると、前記対向する部分間が、前記リードピンの前記長さ方向の端部を跨いで配された導電体により電気的に接続されている。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記筺体と一体に作製される。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記筺体とは別体として作製され且つ当該筺体に固定され且つ電気的に接続される。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記中継基板を固定するための台座部を備える。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記中継基板と当接している。
本発明の他の態様によると、前記延在部は、前記中継基板から所定の距離を隔てて設けられている。
本発明の他の態様は、上記いずれかの光変調器と、当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、を備える光送信装置である。

本発明の第１の実施形態に係る光変調器の構成を示す、当該光変調器の平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る光変調器の側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る光変調器の底面図である。 図１Ａに示す光変調器の、Ａ部の部分詳細図である。 図１Ａに示す光変調器の、ＢＢ断面矢視図である。 図２Ａに示す第１の実施形態に係る光変調器の、ケースに設けられた延在部周辺の部分詳細を示す斜視図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第1の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第1の変形例に係る光変調器の、ケースに設けられた延在部周辺の部分詳細を示す斜視図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第２の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第３の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第３の変形例に係る光変調器の、ケースに設けられた延在部周辺の部分詳細を示す斜視図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第４の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第５の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第５の変形例に係る光変調器における、延在部をケースに実装したときの位置関係を示す図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第６の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第６の変形例に係る光変調器における、延在部をケースに実装するときの、中継基板、延在部、及びケースの位置関係を示す図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第７の変形例に係る光変調器の、中継基板周辺の構成を示す部分詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器についての第７の変形例に係る光変調器の、ケースに設けられた延在部周辺の部分詳細を示す斜視図である。 図１１Ａに示す第7の変形例の他の例を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。 従来の光変調器の構成を示す、当該光変調器の平面図である。 従来の光変調器の側面図である。 従来の光変調器の底面図である。 図１３Ａに示す光変調器の、Ｆ部の部分詳細図である。 図１３Ａに示す光変調器の、ＧＧ断面矢視図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。ここで、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、それぞれ本光変調器１００の平面図、側面図、底面図である。

本光変調器１００は、光変調素子１０２と、光変調素子１０２を収容する筺体１０４と、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）１０６と、光変調素子１０２に光を入射するための光ファイバ１０８と、光変調素子１０２から出力される光を筺体１０４の外部へ導く光ファイバ１１０と、を備える。

光変調素子１０２は、例えばＬＮ基板上に設けられた４つのマッハツェンダ型光導波路と、当該マッハツェンダ型光導波路上にそれぞれ設けられて光導波路内を伝搬する光波を変調する４つの高周波電極（ＲＦ電極）１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと、を備えたＤＰ―ＱＰＳＫ光変調器である。光変調素子１０２から出力される２つの光は、例えばレンズ光学系（不図示）により偏波合成され、光ファイバ１１０を介して筺体１０４の外部へ導かれる。

筺体１０４は、光変調素子１０２が固定されるケース１１４ａとカバー１１４ｂとで構成されている。なお、筺体１０４内部における構成の理解を容易するため、図１Ａにおいては、カバー１１４ｂの一部のみを図示左方に示しているが、実際には、カバー１１４ｂは、箱状のケース１１４ａの全体を覆うように配されて筺体１０４の内部を気密封止する。

ケース１１４ａには、高周波信号入力用の導体である４つのリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄが設けられている。これらのリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、筺体１０４の底面（図１Ｃに示す面）から外部に延在し、ＦＰＣ１０６上に形成されたスルーホールとハンダ等により接続されている。また、ケース１１４ａは、導電性素材（例えばステンレス等の金属や、金等の金属薄膜がコートされた素材）で構成されており、ＦＰＣ１０６を介して、又は伝送装置等に光変調器１００を実装する際にケース１０４ａと外部構造物とが接触することにより、グランドラインに接続される。

リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、中継基板１１８を介して光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの一端と、それぞれ電気的に接続されている。なお、中継基板１１８の構成については後述する。

ＲＦ電極１１２ａ，１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄは、それぞれ、動作周波数範囲において特性インピーダンスが所定の値（例えば、本実施形態では５０Ω）となるように設計されており、ＲＦ電極１１２ａ，１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの他端は、それぞれ、上記所定の値のインピーダンス（例えば、５０Ω）を持つ終端器１２０により終端されている。なお、以下において「特性インピーダンス」とは、特に断りのない限り、光変調素子１０２の動作周波数範囲における特性インピーダンスを言うものとする。

図２Ａは、図１Ａに示す光変調器１００のＡ部の部分詳細図、図２Ｂは、図１Ａに示す光変調器１００のＢＢ断面矢視図である。中継基板１１８上には、４つの導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄが設けられている。当該導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、例えば直線状パターンであり、図２Ａにおける中継基板１１８の図示上側（図２Ｂにおける中継基板１１８の図示右側）の辺（変調器側エッジ２１２）の近傍に配された、光変調素子１０２の図示下端部（図２Ｂにおける光変調素子１０２の図示左端）部のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄにより電気的に接続されている。

中継基板１１８上に設けられる導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ，１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと同じ特性インピーダンス（例えば、５０Ω）を持つように設計されている。当該導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、例えば、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、グランデットコプレーナ線路など、高周波用の信号線路として公知の線路構造を用いて構成されるものとすることができ、当該構造に合わせて、中継基板１１８上にはグランドパターンも設けられている（不図示）。また、当該グランドパターンは、従来技術に従い、ＦＰＣ１０６上のグランド用導体パターン（不図示）と接続された付加的なリードピン（不図示）を介して、及び又は導電性の筺体１０４との付加的な電気接続を介して外部のグランドラインに接続されると共に、ワイヤボンディング等により光変調素子１０２上のグランド用パターン（不図示）に接続される。

リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ，１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと同じ特性インピーダンス（例えば、５０Ω）を持つように設計されており、ケース１１４ａに設けられたガラス封止部２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄを介して、それぞれ筺体１０４内部から筺体１０４外部へ延在し、当該筺体１０４の下面（図１Ｃに示す面）から突出してＦＰＣ１０６のスルーホールにハンダ固定されている。

また、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、図２Ａにおける中継基板１１８の図示下側（図２Ｂにおける中継基板１１８の図示左側）の辺（リードピン側エッジ２１０）の近傍であって且つ中継基板１１８上に設けられた導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれの端部に対向する位置に、それぞれ配されている。ここで、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄが導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれの端部と対向しているリードピン側エッジ２１０の部分を、それぞれ接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄと称する。

リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとは、それぞれ、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄにおいてハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより電気的に接続されている。

上記構成により、例えば筺体１０４外部に設けられた駆動装置（例えば駆動回路が構成されたプリント配線板（ＰＷＢ））から、ＦＰＣ１０６を介してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに入力された高周波信号は、中継基板１１８上の導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄを介して、それぞれ光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに入力され、光変調素子１０２において光変調動作が行われる。

特に、本実施形態では、上記構成に加えて、ケース１１４ａ内のリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの近傍部分に、ケース１１４ａと一体に形成された延在部２２０（図２Ａ、２Ｂにおけるハッチング部分）が設けられている。図３は、ケース１１４ａに設けられた延在部２２０周辺の部分詳細を示す斜視図である。なお、図３においては、延在部２２０の構成についての理解を容易にするため、ケース１１４ａ、延在部２２０、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、及び図中において点線で示す中継基板１１８のみを示し、他の構成要素については記載を省略している。

延在部２２０は、ケース１１４ａの内側面１１４ａ−１から延在してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを当該リードピンの径方向において囲うように構成されていると共に、各リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿ってケース１１４ａの底面１１４ａ−２から延在するよう構成されている。

そして、本光変調器１００は、上記延在部２２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンス（以下、単に「設計上の特性インピーダンス」という）が、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成されている。

本願発明の発明者は、ケースに設けられたリードピン及び当該リードピンと光変調素子電極とを中継する中継基板を備える光変調器の製造ばらつきを綿密に調査した結果、リードピンと中継基板上の導体パターンとの間をハンダ等により接続することで、当該リードピンと導体パターンとの接続部（又は、当該接続部とその周辺部）における特性インピーダンスが、設計上の特性インピーダンスより小さくなる方向に変化／分布するとの知見を得た。

上述のようにインピーダンスが低下する理由は、理想的なハンダ接続状態に比べ、現実的には接続部におけるハンダ量が多い、ハンダの位置が理想より偏る、ハンダが中継基板とリードピンの隙間に入り込む等の理由により、本来空間や空気層であるべき領域の少なくとも一部がハンダで満たされる事が原因として想定される。

本発明は上記知見に基づくものであり、本実施形態の光変調器１００では、上記のように、グランドラインに接続されるケース１１４ａに、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って延在する延在部２２０を設ける。接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスは、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きな値となるように構成されている。接続部の特性インピーダンスは、例えば接続部におけるリードピンと中継基板上の導体パターンとの間隔、中継基板の誘電率、またはリードピンとケース内壁面または延在部との距離など設計パラメータを調整することで大きくすることができる。

このため、光変調器１００においては、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスは、当該光変調器１００の作製後（すなわち、リードピン１１６ａ等と導体パターン２０２ａ等とをハンダ２０８ａ等で接続することによる当該特性インピーダンスの減少後）においては、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスとほぼ一致するものとなる。その結果、これら接続部及び又はその近傍におけるインピーダンス不整合の発生が抑制され、当該部分及び又はその近傍での電磁放射が抑制されるので、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等を含む高周波信号伝送経路のそれぞれの間での、当該電磁放射を介したクロストークによるノイズの発生を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することができる。

また、本実施形態では、延在部２２０がリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを囲うように設けられているので、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ及びその近傍を効果的にシールドして、これらの部分からの電磁放射を更に抑制して、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を更に十分に防止することができる。

なお、本実施形態では、延在部２２０は、ケース１１４ａの内部において、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って、当該リードピンの全長以上の長さに亘って延在するものとしたが（図３）、延在部２２０がリードピン１１６ａ等の長さ方向に沿って延在する位置範囲は、これに限らず、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該部分とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスがリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きくなる限りにおいて、任意の位置範囲とすることができる。例えば、延在部２２０の位置範囲を、リードピン１１６ａ等の長さ方向に沿った接続部２０４ａ等の位置（又は中継基板１１８の位置）を含む位置範囲として、当該位置範囲の長さをリードピンの全長未満の長さ又は所定の長さ（例えば、中継基板１１８上に形成された導体パターン２０２ａ等の厚さ（膜厚）に相当する距離を超える長さ）とすることができる。尚、ここでの「接続部２０４ａ等の位置を含む位置範囲」とは、例えば図２Ｂにおいて図示左側より延在部２２０と接続部２０４ａを透視したとき、接続部２０４ａが延在部２２０に包含される位置関係を表す。

また、本実施形態では、図２Ａ、図３において、延在部２２０は、その上端部（ケース１１４ａの底面から最も離れた端部）がリードピン１１６ａ等の上端部より高いものとして描かれているが、これに限らず、延在部２２０の上端部はリードピン１１６ａ等の上端部より低くてもよい。

また、本実施形態では、延在部２２０は、図２Ａ、図３に示すように、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの外周の一部を連続的に囲うように設けられるものとしたが、これに限らず、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスがリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きくなる限りにおいて、任意の形状とすることができる。例えば、延在部２２０は、ケース１１４ａからリードピン１１６ａ等の長さ方向に沿って立ち上がる複数の柱状突起として形成されるものとしてもよい。また、延在部２２０は、ケース１１４ａと別体として構成され、光変調器１００の作製時にケース１１４ａ内に組み込まれて、例えばハンダによりケース１１４ａ内に固定されるものとしてもよい。

また、本実施形態と同様にリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを囲うように延在部を構成する場合には、本実施形態のようにリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの外周の一部を連続的に囲うように設ける構成とするほか（図２Ａ、図３参照））、例えば延在部を上記のような複数の柱状突起で構成されるものとし、当該柱状突起によりリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの外周の一部を離散的に囲うよう構成してもよい。

また、本実施形態では、延在部２２０は、中継基板１１８に当接するものとしたが（図２Ａ参照）、これに限らず、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスがリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きくなる限りにおいて、延在部２２０を、中継基板１１８と接触しないように設けるものとすることができる。

次に、第１の実施形態に係る光変調器の変形例を、図４Ａから図１１Ｂを用いて説明する。
〔第１の変形例〕
まず、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第１の変形例について説明する。第１の変形例に係る光変調器４００は、光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０のうち、リードピン１１６ａ等を挟んで対向する部分間が、導電体である導電性ワイヤ（例えば、金ワイヤ）により、対応するリードピン１１６ａ等の上方を跨ぐように電気的に接続されている。

図４Ａは、本変形例に係る光変調器４００のうち中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であって、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。また、図４Ｂは、ケース１１４ａに設けられた延在部２２０周辺の部分詳細を示す斜視図であり、第１の実施形態における図３に相当する図である。なお、本変形例に係る光変調器４００の構成は、後述する導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄを備える点以外は光変調器１００と同じであるので、当該導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

図４Ａ、４Ｂに示すように、光変調器４００では、延在部２２０のうち、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを挟んでそれぞれ対向する部分間が、それぞれ導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄにより、それぞれリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの上方を跨ぐように電気的に接続されている。ここで、導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄは、例えば金ワイヤとすることができる。

これにより、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺部分）における特性インピーダンスを、それぞれ対応するリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを跨ぐ導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄの素材、形状、配線ルート等により調整して、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスに対し精度よく一致させることができる。

より具体的には、例えば接続部２０４ａの特性インピーダンスは、リードピン１１６ａを跨ぐ導電性ワイヤ４３０ａの素材、太さ、長さ、数、及び又はリードピン１１６ａの位置に対する相対的な配線ルート（例えば、リードピン１１６ａの上面（当該リードピン１１６ａの、長さ方向に沿った端部又は端面）をケース１１４ａの底面に向かって見下ろしたときに当該リードピン１１６ａの上面と重なる導電性ワイヤ４３０ａの長さ、及び又は導電性ワイヤ４３０ａのうちリードピン１１６ａ上面から最も離れた部分から当該リードピン１１６ａ上面までの距離、あるいは、リードピン１１６ａの上方に向かって弧（又は曲線）を成すように設けられた導電性ワイヤ４３０ａの、当該弧（又は曲線）の最高点の高さ）により、調整（例えば、当該ワイヤがない場合に比べて特性インピーダンスが小さくなる方向に調整）することができる。

なお、図４Ａ、４Ｂにおいては、導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄがそれぞれ２本づつ設けられているが、これら導電性ワイヤの本数は、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄのそれぞれにおける、対応するリードピン１１６ａ等と導体パターン２０２ａ等とを接続した後の特性インピーダンスと、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスとの差異の大きさに応じて、ゼロ以上のそれぞれ異なる本数であるものとすることができる。

〔第２の変形例〕
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第２の変形例について説明する。第２の変形例に係る光変調器５００は、光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０のうち、リードピン１１６ａ等を挟んで対向する部分と、中継基板１１８上のグランドパターンとの間が、導電体である導電性ワイヤ（例えば、金ワイヤ）により電気的に接続されている。

図５は、本変形例に係る光変調器５００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。なお、本変形例に係る光変調器５００の構成は、後述する導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄを備える点以外は光変調器１００と同じであるので、当該導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

図５に示すように、光変調器５００では、延在部２２０のうち、リードピン１１６ａ等を挟んで対向する部分（すなわち、中継基板１１８と当接している５つの部分）が、それぞれ、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄにより、中継基板１１８上に設けられたグランドパターン（不図示）と電気的に接続されている。ここで、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄは、例えば金ワイヤとすることができる。

これにより、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄにおける特性インピーダンスを、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄの素材、数、形状（太さや長さ）、配線ルート（例えば、中継基板１１８上方に向かって弧（又は曲線）を成すように設けられた導電性ワイヤ５３２ａ等の、当該弧（又は曲線）の最高点の高さ）等により、細かく微調整して、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスに対し精度よく一致させることができる。

なお、図５に示す構成は、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄのみを用いているが、これに限らず、図５に示す構成と図４Ａ、図４Ｂに示す構成を組み合わせてもよい。すなわち、図５に示す構成において、図４Ａ、４Ｂに示す導電性ワイヤ４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄに相当する導電性ワイヤを用いて、延在部２２０のうちリードピン１１６ａ等を挟んで対向する部分間をリードピン１１６ａ等の上方を跨ぐように電気的に接続して、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの特性インピーダンスを粗調整し、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄを用いて当該特性インピーダンスの微調整を行うものとすることができる。

また、図５においては、導電性ワイヤ５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄがそれぞれ２本づつ設けられているが、これら導電性ワイヤの本数は、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄのそれぞれにおける、対応するリードピン１１６ａ等と導体パターン２０２ａ等とを接続した後の特性インピーダンスと、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスとの差異の大きさに応じて、ゼロ以上のそれぞれ異なる本数であるものとすることができる。

〔第３の変形例〕
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第３の変形例について説明する。第３の変形例に係る光変調器は、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０を備えるケース１１４ａに代えて、当該延在部２２０と異なる形状を有する延在部６２０（後述）を備えたケース６１４ａ（後述）を有する。

図６Ａは、本変形例に係る光変調器６００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。本変形例に係る光変調器６００は、上述のように第１の実施形態に係る光変調器１００における延在部２２０とは異なる形状を有する延在部６２０（図示ハッチング部分）を備えるケース６１４ａを有する。

図６Ｂは、ケース６１４ａに設けられた延在部６２０周辺の部分詳細を示す斜視図であり、第１の実施形態における図３に相当する図である。なお、本変形例に係る光変調器６００の構成は、ケース１１４ａに代えて後述する延在部６２０を有するケース６１４ａを備える点以外は光変調器１００と同じであるので、当該延在部６２０及びケース６１４ａ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

延在部６２０は、延在部２２０のようにリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを囲う形状ではなく、ケース６１４ａの底面６１４ａ−２から立ち上がり、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを挟むように、且つ当該リードピンの長さ方向に沿って延在する、５本の柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅで構成されている。本変形例では、延在部６２０は、予めケース６１４ａの一部として、当該ケース６１４ａと一体に形成されている。また、本変形例では、延在部６２０を構成する柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅは、中継基板１１８のリードピン側エッジ２１０と当接するよう構成されている。

そして、光変調器６００は、光変調器１００の場合と同様に、延在部６２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンスが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成されている。

これにより、光変調器６００では、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様に、当該光変調器６００の作製後における接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスとほぼ一致させて、これら接続部及びその近傍における電磁放射を抑制することができる。その結果、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄを含む各高周波信号伝送回路間での、当該電磁放射を介したクロストークによるノイズの発生を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することができる。また、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、当該をリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを挟むように配された５本の柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅによりシールドされるので、当該シールド効果によっても、上記高周波信号伝送回路間でのクロストークが抑制される。

なお、本変形例では、延在部６２０を構成する柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅは、ケース６１４ａの内部において、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って、当該リードピンの全長以上の長さに亘って延在するものとしたが（図６Ｂ）、延在部６２０を構成する柱状突起６２０ａ等がリードピン１１６ａ等の長さ方向に沿って延在する位置範囲は、これに限らず、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該部分とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスがリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きくなる限りにおいて、任意の位置範囲とすることができる。例えば、延在部６２０を構成する柱状突起６２０ａ等の位置範囲を、リードピン１１６ａ等の長さ方向に沿った接続部２０４ａ等の位置（又は中継基板１１８の位置）を含む位置範囲として、当該位置範囲の長さをリードピンの全長未満の長さ又は所定の長さ（例えば、中継基板１１８上に形成された導体パターン２０２ａ等の膜厚に相当する距離を超える長さ）とすることができる。

さらに、本変形例においても、第１の変形例と同様に、柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅのうちリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを挟んでそれぞれ対向する部分の間を、導電性ワイヤにより、それぞれリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの上方を跨ぐように電気的に接続することで、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺）の特性インピーダンスを調整するものとすることができる。

また、本変形例においても、第２の変形例と同様に、中継基板１１８上に設けられたグランドパターン（不図示）と柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅとの間を導電性ワイヤにより電気的に接続することで、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺）の特性インピーダンスを細かく調整するものとすることができる。

〔第４の変形例〕
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第４の変形例について説明する。第４の変形例に係る光変調器は、第３の変形例に係る光変調器６００と同様の構成を有するが、延在部６２０を備えるケース６１４ａに代えて、当該延在部６２０と異なる形状又は配置を有する延在部を備えたケースを有する。

図７は、本変形例に係る光変調器７００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第４の変形例における図６Ａに相当する図である。本変形例に係る光変調器７００は、上述のように、延在部６２０と異なる形状又は配置を有する延在部７２０（図示ハッチング部分）を備えるケース７１４ａを有する。なお、本変形例に係る光変調器７００の構成は、ケース１１４ａに代えて延在部７２０を有するケース７１４ａを備える点以外は光変調器１００と同じであるので、当該延在部７２０及びケース７１４ａ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

延在部７２０は、第３の変形例における延在部６２０と同様に、当該ケース７１４ａと一体に形成されてケース７１４ａの底面から立ち上がり、リードピン１１６
ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを挟むように、且つ当該リードピンの長さ方向に沿って延在する、５本の柱状突起７２０ａ、７２０ｂ、７２０ｃ、７２０ｄ、７２０ｅで構成されている。ただし、柱状突起７２０ａ、７２０ｂ、７２０ｃ、７２０ｄ、７２０ｅは、延在部６２０の柱状突起６２０ａ、６２０ｂ、６２０ｃ、６２０ｄ、６２０ｅとは異なり、中継基板１１８のリードピン側エッジ２１０と当接しない位置に配されている。

そして、光変調器７００は、光変調器１００の場合と同様に、延在部７２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンスが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成されている。

これにより、光変調器７００では、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様に、当該光変調器７００の作製後における接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを、リードピン１１６ａ等及び導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスとほぼ一致させて、これら接続部及びその近傍における電磁放射を抑制することができる。その結果、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄを含む各高周波信号伝送回路間での、当該電磁放射を介したクロストークによるノイズの発生を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することができる。また、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、当該をリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを挟むように配された５本の柱状突起７２０ａ、７２０ｂ、７２０ｃ、７２０ｄ、７２０ｅによりシールドされるので、当該シールド効果によっても、上記高周波信号伝送回路間でのクロストークが抑制される。

特に、上述したように、本変形例では、延在部７２０を構成する柱状突起７２０ａ、７２０ｂ、７２０ｃ、７２０ｄ、７２０ｅは、中継基板１１８と当接しない位置に配されているので、中継基板１１８と柱状突起７２０ａ等との間の距離も設計パラメータとして用いることができ、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスの設計自由度が大きくなる。

なお、本変形例においても、第１の変形例及び又は第２の変形例と同様に、第１の変形例における導電性ワイヤ４３０ａ等及び又は第２の変形例における導電性ワイヤ５３２ａ等に相当する導電性ワイヤを、それぞれ第１の変形例及び又は第２の変形例で示した位置と同様の位置にそれぞれ配置して、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は、当該部分とその周辺部分）の特性インピーダンスを調整するものとすることができる。また、本変形例においても、延在部をケースとは別体に構成し、当該延在部をケースに組み込んで光変調器を構成するものとすることができる。

〔第５の変形例〕
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第５の変形例である光変調器について説明する。第５の変形例に係る光変調器は、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えて、それぞれが別体として形成された延在部とケースとを備える点が異なる。

図８Ａは、本変形例に係る光変調器８００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第１の実施形態における図２Ａに相当する部分詳細図である。本変形例に係る光変調器８００は、上述のように、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えて、それぞれが別体として形成された延在部８２０（図示ハッチング部分）とケース８１４ａとを備える。なお、本変形例に係る光変調器８００の構成は、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えてそれぞれ別体である延在部８２０とケース８１４ａとを備える点以外は光変調器１００と同じであるので、当該延在部８２０及びケース８１４ａ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

図８Ｂは、別体である延在部８２０をケース８１４ａに実装したときの、ケース８１４ａ、延在部８２０、及び中継基板１１８の位置関係を示す図である。なお、図８Ｂにおいては、上記位置関係の理解を容易にするため、ケース８１４ａ、延在部８２０、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、及び中継基板１１８のみを示し、他の構成要素については記載を省略している。

延在部８２０は、図８Ａ、図８Ｂに示すように、光変調器８００の作製時にケース８１４ａ内に実装され、例えばハンダやロウ材により、ケース８１４ａの内側面８１４ａ−１及び又は底面８１４ａ−２に固定され且つ電気的に接続される。

また、延在部８２０は、ケース８１４ａに実装された状態においてケース８１４ａの内側面８１４ａ−１側から延在してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを当該リードピンの径方向において囲うように構成されていると共に、ケース８１４ａの底面８１４ａ−２側から各リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って延在するように構成されている。

そして、本光変調器８００は、光変調器１００と同様に、延在部８２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンスが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成される。

これにより、光変調器８００は、光変調器１００と同様に、当該光変調器８００の作製後における接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスとほぼ一致させて、これら接続部及びその近傍における電磁放射を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を防止することができる。また、本実施形態では、延在部８２０がリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを囲うように設けられているので、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ及びその近傍を効果的にシールドして、これらの部分からの電磁放射を更に抑制して、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を更に十分に防止することができる。

なお、本変形例においても、第１の変形例及び第２の変形例と同様に、第１の変形例における導電性ワイヤ４３０ａ等及び又は第２の変形例における導電性ワイヤ５３２ａ等に相当する導電性ワイヤを、それぞれ第１の変形例及び又は第２の変形例で示した位置と同様の位置にそれぞれ配置して、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺）の特性インピーダンスを調整するものとすることができる。

〔第６の変形例〕
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第６の変形例である光変調器について説明する。第６の変形例に係る光変調器は、第５の変形例に係る光変調器８００と同様の構成を有し、ケースと別体に作製された延在部を備え、光変調器の作製時に当該延在部がケースに固定され且つ電気的に接続される。ただし、第６の変形例における延在部は、第５の変形例における延在部８２０とは異なり、中継基板１１８を固定する台座部が一体に形成されている。

図９は、本変形例に係る光変調器９００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第５の変形例における図８Ａに相当する部分詳細図である。本変形例に係る光変調器９００は、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えて、それぞれが別体として形成された延在部９２０（図示ハッチング部分）とケース９１４ａとを備える。

図１０は、別体である延在部９２０をケース９１４ａに実装するときの、中継基板１１８、延在部９２０、及びケース９１４ａの位置関係を示す図である。なお、図１０においては、上記位置関係の理解を容易にするため、ケース９１４ａ、延在部９２０、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、及び中継基板１１８のみを示し、他の構成要素については記載を省略している。

延在部９２０は、中継基板１１８を固定する台座部１０２１が一体に形成されており、中継基板１１８は、例えばハンダやロウ材等により、予め延在部９２０の台座部１０２１上に固定される。その後、中継基板１１８が実装された延在部９２０が、ケース９１４ａ内に実装され、例えば上記ハンダ又はロウ材よりも低融点のハンダやロウ材により、ケース１０１４ａに対し固定され且つ電気的に接続される。

なお、本変形例に係る光変調器９００の構成は、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えて、それぞれ別体である延在部９２０とケース９１４ａとを備えること及び中継基板１１８が固定される台座部１０２１が延在部９２０と一体に形成されていること以外は光変調器１００と同じであるので、台座部１０２１、延在部９２０、及びケース９１４ａ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

延在部９２０の台座部１０２１上に中継基板１１８を固定する際の、当該延在部９２０における中継基板１１８の位置は、中継基板１１８のリードピン側エッジ２１０を延在部９２０の４つの突起部９２２ａ、９２２ｂ、９２２ｃ、９２２ｄに当接させることにより容易に定められる。また、このような延在部９２０への中継基板１１８の固定は、ケース９１４ａの外部において行うことができるので、台座部１０２１上への中継基板１１８の固定の際には、台座部１０２１への中継基板１１８の押圧力を十分高くして、台座部１０２１と中継基板１１８との間のハンダ材やロウ材の厚さを均一にすることができる。その結果、環境温度や動作温度の変動時に当該ハンダ材やロウ材がそれらの厚さ方向に膨張又は収縮することによって生ずる中継基板１１８への応力を低減して、光変調器９００の信頼度を向上することができる。

さらに、延在部９２０の素材を、例えば光変調素子１０２の素材の線膨張係数と、ケース９１４ａの素材の線膨張係数との間の、中間的な線膨張係数を有する素材とすることにより、環境温度や動作温度の変動時に生ずる中継基板１１８への応力を更に低減して、光変調器９００の信頼度を更に向上することができるため、このような構成は更に好適である。

例えば中継基板がアルミナ等のセラミック材料であり、ケースがＳＵＳ材など金属の場合、延在部９２０の素材としては、これらの中間的な線膨張係数材料である５０アロイ（Ｆｅ、Ｎｉ）等の材料を選択する事が出来る。このような構成とすることにより線膨張係数差による基板割れ等の発生を抑制し信頼性を向上させる事が出来、また中継基板の大きさの制限の緩和や、設計の選択肢を広げられる等の効果を得ることもできる。

図９に戻り、延在部９２０は、ケース９１４ａ内に実装され、例えばハンダやロウ材により、ケース９１４ａの内側面９１４ａ−１及び又は底面９１４ａ−２に固定され且つ電気的に接続される。また、延在部９２０は、ケース９１４ａに実装された状態においてケース９１４ａの内側面９１４ａ−１側から延在してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれを当該リードピンの径方向において囲うように構成されていると共に、ケース９１４ａの底面９１４ａ−２側から各リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って延在するように構成されている。

そして、本光変調器９００は、光変調器１００と同様に、延在部９２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンスが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成される。

これにより、光変調器９００は、光変調器１００と同様に、当該光変調器９００の作製後における接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスとほぼ一致させて、これら接続部及びその近傍における電磁放射を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を防止することができる。また、本実施形態では、延在部９２０がリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを囲うように設けられているので、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ及びその近傍を効果的にシールドして、これらの部分からの電磁放射を更に抑制して、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を更に十分に防止することができる。

なお、本変形例においても、第１の変形例及び第２の変形例と同様に、第１の変形例における導電性ワイヤ４３０ａ等及び又は第２の変形例における導電性ワイヤ５３２ａ等に相当する導電性ワイヤを、それぞれ第１の変形例及び又は第２の変形例で示した位置と同様の位置にそれぞれ配置して、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺）の特性インピーダンスを調整するものとすることができる。

＜第７の変形例＞
次に、第１の実施形態に係る光変調器１００についての第７の変形例について説明する。第７の変形例に係る光変調器は、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様の構成を有するが、延在部２２０を備えるケース１１４ａに代えて、当該延在部２２０と異なる形状を有する延在部を備えたケースを有する点が異なる。

図１１Ａは、本変形例に係る光変調器１１００のうち、中継基板１１８周辺の構成を示す部分詳細図であり、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。本変形例に係る光変調器１１００は、上述のように第１の実施形態に係る光変調器１００における延在部２２０とは異なる形状を有する延在部１１２０を備えるケース１１１４ａを有する。なお、本変形例に係る光変調器１１００の構成は、延在部２２０が一体に形成されたケース１１４ａに代えて、延在部２２０とは異なる形状を有する延在部１１２０を備えるケース１１１４ａを有する点以外は光変調器１００と同じであるので、延在部１１２０及びケース１１１４ａ以外の構成要素については、上述した光変調器１００についての説明を援用するものとする。

本変形例では、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄをグループ化し、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂで構成されるグループと、ＲＦ電極１１２ｃ、１１２ｄで構成されるグループとに分ける。また、ＲＦ電極についての当該グループ化と対応するように、各ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対応するリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄをグループ化し、リードピン１１６ａ、１１６ｂとで構成されるグループと、リードピン１１６ｃ、１１６ｄで構成されるグループとに分ける。

そして、延在部１１２０は、ケース１１１４ａの内側面１１１４ａ−１から延在する部分が、上記グループ化されたリードピンの各グループを囲うように構成されている。なお、このようなＲＦ電極のグループ化（従って、これに対応するリードピンのグループ化）は、例えば、光変調素子１０２上に形成された各ＲＦ電極１１２ａ等がそれぞれ制御する各光導波路の、当該光変調素子１０２における機能のグループ化に基づいて行うことができる。

例えば、ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器である本変形例の光変調器１１００では、一方の偏波光を変調する一方の２つのマッハツェンダ型光導波路（例えば、図１Ａに示す光変調素子１０２における図示上側の２つのマッハツェンダ型光導波路）と、他方の偏波光を変調する他方の２つのマッハツェンダ型光導波路（例えば、図１Ａに示す光変調素子１０２における図示下側の２つのマッハツェンダ型光導波路）と、をそれぞれ一つのグループとしてグループ化している。

そして、当該グループ化に基づいて、一方のグループである上記一方の２つマッハツェンダ型光導波路をそれぞれ制御する２つのＲＦ電極（例えば、ＲＦ電極１１２ａとＲＦ電極１１２ｂ）を一つのＲＦ電極グループとすると共に当該２つのＲＦ電極に対応するリードピン（例えば、リードピン１１６ａとリードピン１１６ｂ）を一つのリードピングループとしている。また、他方のグループである上記他方の２つマッハツェンダ型光導波路をそれぞれ制御する２つのＲＦ電極（例えば、ＲＦ電極１１２ｃとＲＦ電極１１２ｄ）を他の一つのＲＦ電極グループとすると共に当該２つのＲＦ電極に対応するリードピン（例えば、リードピン１１６ｃとリードピン１１６ｄ）を他の一つのリードピングループとしている。

図１１Ｂは、ケース１１１４ａに設けられた延在部１１２０周辺の部分詳細を示す斜視図である。なお、図１１Ｂにおいては、延在部１１２０の構成についての理解を容易にするため、ケース１１１４ａ、延在部１１２０、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、及び図中において点線で示す中継基板１１８のみを示し、他の構成要素については記載を省略している。

延在部１１２０は、上述のようにケース１１１４ａの内側面１１１４ａ−１から延在してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを、それぞれグループ毎に、当該リードピンの径方向において囲うように（すなわち、リードピン１１６ａ及び１１６ｂで構成されるグループと、リードピン１１６ｃ及び１１６ｄで構成されるグループと、をそれぞれを囲うように）構成されている。また、延在部１１２０は、各リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿ってケース１１１４ａの底面１１１４ａ−２から延在するよう構成されている。本変形例では、延在部１１２０は、予めケース１１１４ａの一部として、当該ケース１１４ａと一体に形成されている。

そして、本光変調器１１００は、上記延在部１１２０を設けることにより、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄとをそれぞれハンダ２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄにより接続する前の、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上の（又は理論上の）特性インピーダンスが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンス（本実施形態では５０Ω）より大きな値（例えば、５３Ω）となるように構成されている。

これにより、光変調器１１００では、光変調器１００と同様に、当該光変調器１１００の作製後における接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスとほぼ一致させて、これら接続部及びその近傍における電磁放射を抑制することができる。その結果、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄを含む各高周波信号伝送回路間でのクロストークによるノイズの発生を抑制して、光変調素子１０２における光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することができる。

また、光変調器１１００では、延在部１１２０は、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを、それぞれグループ毎に囲うように、延在部２２０に比べて単純化した構成となっており、且つリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを、互いに相手のグループに対してシールドしている。したがって、光変調器１１００では、延在部１１２０の構成を単純化しつつ、例えば互いの間でのクロストークが光変調素子１０２における変調特性に特に大きく影響するような、高周波伝送経路のグループ間でのクロストークを防止して、光変調素子１０２における光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することができる。

なお、本変形例では、各グループを構成するリードピン間（例えばリードピン１１６ａとリードピン１１６ｂとの間）の間隔と、異なるグループに属する隣接するリードピン間（すなわち、リードピン１１６ｂとリードピン１１６ｃ）の間隔とが同じとなっているが（図１１Ａ）、これに限らず、例えば図１１Ｃに示すように、各グループを構成するリードピン間の間隔（例えばリードピン１１６ａとリードピン１１６ｂ’との間の間隔、及び又リードピン１１６ｃ’とリードピン１１６ｄとの間の間隔）と、異なるグループに属する隣接するリードピン間の間隔（すなわち、リードピン１１６ｂ’とリードピン１１６ｃ’との間の間隔）とを異ならせる（例えば後者を前者に対して広くする）ものとすることもできる。また、各グループ毎に、グループ内でのリードピン間の距離を異ならせるものとしてもよい。

すなわち、延在部は、互いに隣接する少なくとも２つのリードピンを包括的に囲う部分を含み、当該囲う部分により包括的に囲まれたリードピンの一つと、当該リードピンに隣接するリードピンであって当該囲う部分により包括的に囲まれていないリードピンと、の間の間隔が、上記囲う部分により包括的に囲まれたリードピン同志の間隔より広いものとすることができる。

また、本変形例では、延在部１１２０は、ケース１１１４ａの内部において、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの長さ方向に沿って、当該リードピンの全長以上の長さに亘って延在するものとした（図１１Ｂ）。ただし、延在部１１２０がリードピン１１６ａ等の長さ方向に沿って延在する位置範囲は、上記に限らず、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様に、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの部分（又は当該部分とその周辺部分）の設計上の特性インピーダンスがリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ及び導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの特性インピーダンスより大きくなる限りにおいて、任意の位置範囲とすることができる。例えば、延在部２２０の位置範囲を、リードピン１１６ａ等の長さ方向に沿った接続部２０４ａ等の位置（又は中継基板１１８の位置）を含む位置範囲として、当該位置範囲の長さをリードピンの全長未満の長さ又は所定の長さ（例えば、中継基板１１８上に形成された導体パターン２０２ａ等の膜厚に相当する距離を超える長さ）とすることができる。

さらに、本変形例においても、第１の変形例及び又は第２の変形例と同様に、第１の変形例における導電性ワイヤ４３０ａ等及び又は第２の変形例における導電性ワイヤ５３２ａ等に相当する導電性ワイヤを、それぞれ第１の変形例及び又は第２の変形例で示した位置と同様の位置にそれぞれ配置して、接続部２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ（又は、当該接続部とその周辺）の特性インピーダンスを調整するものとすることができる。

ここで、第７の変形例において、第１の変形例における導電性ワイヤ４３０ａ等に相当する導電性ワイヤを設ける場合には、延在部１１２０のうち、グループ化されたリードピン１１６ａ及び１１６ｂを挟んで対向する部分間、及び又はグループ化されたリードピン１１６ｃ及び１１６ｄを挟んで対向する部分間を当該導電性ワイヤで接続すればよい。

この場合、当該導電性ワイヤの素材、長さ、本数等により、一のグループを構成する２つのリードピン（例えば１１６ａと１１６ｂ）に対応する２つの接続部（例えば２０４ａと２０４ｂ）の部分の特性インピーダンスを同時に変化させて調整することができる。また、例えば、リードピン１１６ａ及び１１６ｂの上面位置に対する相対的な導電性ワイヤの配線ルート（例えば、リードピン１１６ａ、１１６ｂのそれぞれの上面（当該リードピン１１６ａ。１１６ｂの、長さ方向に沿ったそれぞれの端部又は端面）をケース１１４ａの底面に向かって見下ろしたときにリードピン１１６ａ、１１６ｂの上面と重なる導電性ワイヤのそれぞれの部分の長さ、及び又は導電性ワイヤのうちリードピン１１６ａ、１１６ｂの上面からそれぞれ最も離れた部分から対応する当該上面までの距離）を調整することにより、２つの接続部２０４ａ及び２０４ｂの各部分の特性インピーダンスを個別に調整することもできる。

＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に係る光変調器１００及び上述した第１ないし第７の変形例に係る光変調器４００、５００、６００、７００、８００、９００、１１００のいずれかを搭載した光送信装置である。

図１２は、本実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。本光送信装置１２００は、光変調器１２０２と、光変調器１２０２に光を入射する光源１２０４と、変調信号生成部１２０６と、変調データ生成部１２０８と、を有する。

光変調器１２０２は、上述した光変調器１００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１１００のいずれか一の光変調器とすることができる。ただし、以下の説明においては、冗長な記載を避けて理解を容易にするため、光変調器１２０２として光変調器１００が用いられているものとする。

変調データ生成部１２０８は、外部から与えられる送信データを受信して、当該送信データを送信するための変調データ（例えば、送信データを所定のデータフォーマットに変換又は加工したデータ）を生成し、当該生成した変調データを変調信号生成部１２０６へ出力する。

変調信号生成部１２０６は、光変調器１２０２に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路（ドライブ回路）であり、変調データ生成部１２０８が出力した変調データに基づき、光変調器１２０２に当該変調データに従った光変調動作を行わせるための高周波信号である変調信号を生成して、光変調器１２０２に入力する。当該変調信号は、光変調器１２０２である光変調器１００が備える光変調素子１０２の４つのＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対応する４つのＲＦ信号から成る。

当該４つのＲＦ信号は、光変調器１２０２である光変調器１００のＦＰＣ１０６を介してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに入力され、中継基板１１８を介して上記ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄにそれぞれ印加される。

これにより、光源１２０４から出力された光は、光変調器１２０２により変調され、変調光となって光送信装置１２００から出力される。

特に、本光送信装置１２００では、光変調器１２０２として、上述した構成を有する光変調器１００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１１００のいずれか一の光変調器を用いるので、安定且つ良好な光変調特性を確保することができ、従って、安定且つ良好な伝送特性を実現することができる。

なお、上述した各実施形態では、ＬＮを基板として用いた４つのＲＦ電極を有する光変調素子を備える光変調器を示したが、本発明は、これに限らず、４つ以外の数の複数のＲＦ電極を持つ光変調器、及び又はＬＮ以外の材料を基板として用いる光変調器にも、同様に適用することができる。

以上、説明したように、上述した実施形態に係る光変調器（１００等）は、信号電極（１１２ａ等）を備える光変調素子（１０２等）と、高周波信号を入力するためのリードピン（１１６ａ等）と、上記リードピンと上記信号電極とを電気的に接続する導体パターン（２０２ａ等）が形成された中継基板（１１８等）と、を備え、更に、上記リードピンの長さ方向に沿って、少なくとも当該リードピンと上記導体パターンとの接続部（２０４ａ等）の位置を含む範囲に延在する導電性の延在部（２２０等）を有する。また、光変調器（１００等）は、上記延在部があることにより、リードピンと導体パターンとをそれぞれハンダ（２０８ａ等）により接続する前の、接続部（又は当該接続部とその周辺部分）の設計上又は理論上の特性インピーダンスが、導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスより大きな値となるように構成されている。

これにより、本光変調器（１００等）では、当該光変調器作製後における上記接続部（又は当該接続部とその周辺部分）の特性インピーダンスを導体パターン２０２ａ等の特性インピーダンスと一致させ、且つ上記接続部や上記リードピンをシールドして、光変調素子１０２における光変調特性の悪化を防止することができる。

１００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１１００、１３００・・・光変調器、１０２・・・光変調素子、１０４、１３０４・・・筺体、１０６、１３０６・・・ＦＰＣ、１０８、１１０、１３０８、１３１０・・・光ファイバ、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄ・・・ＲＦ電極、１１４ａ、６１４ａ、７１４ａ、８１４ａ、９１４ａ、１１１４ａ、１３１４ａ・・・ケース、１１４ｂ、１３１４ｂ・・・カバー、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄ・・・リードピン、１１８、１３１８・・・中継基板、１２０、１３２０・・・終端器、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ、１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄ・・・ガラス封止部、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、１３３２ａ、１３３２ｂ、１３３２ｃ、１３３２ｄ、１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄ・・・導体パターン、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ、１４０４ａ、１４０４ｂ、１４０４ｃ、１４０４ｄ・・・接続部、２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄ、４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ、５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄ、５３２ｅ、１４０６ａ、１４０６ｂ、１４０６ｃ、１４０６ｄ・・・ワイヤ、２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄ、１４０８ａ、１４０８ｂ、１４０８ｃ、１４０８ｄ・・・ハンダ、２１０、１４１０・・・リードピン側エッジ、２１２、１４１２・・・変調器側エッジ、２２０、６２０、７２０、８２０、９２０、１１２０・・・延在部、１２００・・・光送信装置、１２０４・・・光源、１２０６・・・変調信号生成部、１２０８・・・変調データ生成部、１３３０・・・回路基板。

Claims (10)

1. 筺体に収容された、信号電極を備える４つのマッハツェンダ型光導波路で構成される少なくとも一つのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器を構成する光変調素子と、
   高周波信号を入力するためのリードピンと、
   前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板と、
   を備える光変調器であって、
   前記リードピンは、一方の偏波光を変調する一方の２つの前記マッハツェンダ型光導波路の信号電極に接続される第１の２本のリードピンと、他方の偏波光を変調する他方の２つの前記マッハツェンダ型光導波路の信号電極に接続される第２の２本のリードピンと、で構成され、
   前記リードピンと前記導体パターンとは屈曲して接続され、
   前記リードピンの長さ方向に沿って、少なくとも前記リードピンと前記導体パターンとの接続部の位置を含む範囲に延在する導電性の延在部を前記筐体内部に備え、
   当該延在部は前記筺体と電気的に接続されており、
   前記リードピンは前記中継基板に隣接し、
   前記延在部は、前記第１の２本のリードピンと前記第２の２本のリードピンとを、それぞれ、前記リードピンの径方向から包括的に囲い、且つ、前記中継基板のうち前記リードピンに隣接するエッジまで延在するか、又は前記中継基板のうち前記リードピンに隣接するエッジに当接しない位置まで延在するように構成されている、
   光変調器。
2. 互いに隣接する、前記第１の２本のリードピンのうちの一のリードピンと前記第２の２本のリードピンのうちの一のリードピンとの間の間隔は、前記第１の２本のリードピン同志の間隔及び前記第２の２本のリードピン同志の間隔より広い、
   請求項１に記載の光変調器。
3. 筺体に収容された、信号電極を備える光変調素子と、
   高周波信号を入力するためのリードピンと、
   前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板と、
   を備える光変調器であって、
   前記リードピンと前記導体パターンとは屈曲して接続され、
   前記リードピンの長さ方向に沿って、少なくとも前記リードピンと前記導体パターンとの接続部の位置を含む範囲に延在する導電性の延在部を前記筐体内部に備え、
   当該延在部は前記筺体と電気的に接続されており、
   前記リードピンは前記中継基板に隣接し、
   前記延在部は、前記リードピンを当該リードピンの径方向から囲い、且つ、前記中継基板のうち前記リードピンに隣接するエッジまで延在するか、又は前記中継基板のうち前記リードピンに隣接するエッジに当接しない位置まで延在するように構成されており、
   前記リードピンと前記導体パターンとが実際に電気的に接続される前の、前記光変調素子の動作周波数領域における前記接続部の特性インピーダンスが、前記リードピン及び又は前記導体パターンの特性インピーダンスより高くなるように構成されている、
   光変調器。
4. 前記延在部が前記範囲に延在する距離は、前記中継基板上における前記導体パターンの厚さよりも大きい、
   請求項１ないし３のいずれか一項に記載の光変調器。
5. 前記延在部と前記中継基板上に形成されたグランドパターンとの間が、導電体により電気的に接続されている、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
6. 前記延在部のうち前記リードピンを挟んで対向する部分の間が、前記リードピンの前記長さ方向の端部を跨いで配された導電体により電気的に接続されている、
   請求項１ないし５のいずれか一項に記載の光変調器。
7. 前記延在部は、前記筺体とは別体として作製され、当該筺体に固定され且つ電気的に接続される、
   請求項１ないし６のいずれか一項に記載の光変調器。
8. 前記延在部は、前記中継基板を固定するための台座部を備える、
   請求項７に記載の光変調器。
9. 前記延在部は、前記中継基板と当接している、
   請求項１ないし８のいずれか一項に記載の光変調器。
10. 請求項１ないし９のいずれか一項に記載の光変調器と、
    当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、
    を備える、
    光送信装置。

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