JP2003218145A - 樹脂封止型の半導体装置の製造法 - Google Patents

樹脂封止型の半導体装置の製造法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子とインナーリードをワイヤーボン
ドにより電気的に接続する際に、ワイヤーボンドの低ル
ープ化を安定して確実に行なうことができる樹脂封止型
の半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体素子２と、外部端子への電気的導
通をとるためのインナーリード１と、の間の電気的接続
のためにワイヤーボンド３を用いる樹脂封止型の半導体
装置の製造方法において、ワイヤーボンド３の第１ボン
ドを行なう半導体素子２の第１表面２０を、ワイヤーボ
ンド３の第２ボンドを行なうインナーリード１の第２表
面３０よりも高い第１支持状態６０に支持して、ワイヤ
ーボンド３による半導体素子２とインナーリード１との
電気的導通をとる電気的導通ステップＳＴ１と、半導体
素子２を第１支持状態６０から第１支持状態６０よりも
低い第２支持状態６５に引き下げた状態で、半導体素子
２を樹脂により封止する封止ステップＳＴ２と、を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体樹脂と外部
端子用のインナーリードへの接続のためにワイヤーボン
ドを用いた樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関し、
特に半導体装置の薄型化を達成しようとする樹脂封止型
の半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型化と薄型化が進んでいる。
【０００３】図４は、従来の樹脂封止型の半導体装置の
構造を示している。半導体装置の薄型化を目的として、
半導体装置１０００の裏面側には外部電極を有してい
る。半導体装置１０００は、インナーリード１００１、
ダイパッド１００７およびそのダイパッド１００７を支
持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレー
ム１０１０を備えている。
【０００４】ダイパッド１００７の上には、半導体素子
１００２が接着剤により接合されている。半導体素子１
００２の電極パッド１００３とインナーリード１００１
とは、金属細線１００５により電気的に接続されてい
る。
【０００５】ダイパッド１００７、半導体素子１００
２、インナーリード１００１の一部分、吊りリード及び
金属細線１００５は、封止樹脂１００６により封止され
ている。この構造ではインナーリード１００１の裏面側
には封止樹脂は存在しておらず、インナーリード１００
１の裏面側は露出されている。この露出面を含むインナ
ーリード１００１の下部が外部電極となっている。
【０００６】このような従来の樹脂封止型の半導体装置
１０００においては、封止樹脂１００６の裏面とダイパ
ッド１００７の裏面とが共通の面上にある。すなわちリ
ードフレーム１０１０の裏面側は実質的に封止されてい
ないので、薄型の樹脂封止型の半導体装置が実現でき
る。
【０００７】さらにより半導体装置の薄型化をはかるた
めに、図５に示すようにいわゆるダイパッドが無い従来
の別の形式の樹脂封止型の半導体装置１１００が提案さ
れている。図５に示す従来の樹脂封止型の半導体装置の
製造方法について図６と図７を参照して説明する。
【０００８】図６（ａ）では、このタイプの樹脂封止型
の半導体装置に用いるリードフレームを示しており、こ
のリードフレームのインナーリード２００１がハーフエ
ッチングされている。このリードフレームはダイパッド
を有していない。図６（ｂ）では、インナーリード２０
０１の裏面には仮固定用のテープ２００５が貼り付けら
れる。この仮固定用のテープ２００５は、たとえばポリ
イミドの基材上に粘着層を施したようなものである。図
６（ｃ）では、半導体素子（半導体チップとも呼んでい
る）２００２が仮固定用のテープ２００５に接着され
る。
【０００９】次に図７（ｄ）では、半導体素子２００２
の電極パッドとインナーリード２００１が、金属細線２
００３により電気的に接続される。この時に、金属細線
２００３がリードフレーム２００１の上面２０１０より
も上に出ないように、金属細線２００３のワイヤールー
プの高さｈを低くする必要がある。この時に、ワイヤー
ボンド用の治具２００４が、リードフレームや仮固定用
テープ２００５を下から支持している。
【００１０】図７（ｅ）では、図７（ｄ）のワイヤーボ
ンド用の治具２００４を除去したのちに、インナーリー
ド２００１の開口部内に封止樹脂２００６を入れて、仮
固定用のテープ２００５からインナーリード２００１の
上面２０１０までの空間を封止する。
【００１１】図７（ｆ）では、仮固定用のテープ２００
５を剥離する。そして、外装メッキおよび外形カットを
行なうことにより、図５に示すような薄型化をはかった
樹脂封止型の半導体装置１１００が完成する。
【００１２】このタイプの樹脂封止型の半導体装置１１
００は、ダイパッドがないため、その厚さがリードフレ
ーム厚さにできるので、より薄型化が可能である。ま
た、リードフレーム厚や半導体素子を薄くすることで、
さらに薄型化された樹脂封止型の半導体装置が実現可能
である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】この構造の樹脂封止型
の半導体装置をより薄型化するためには、リードフレー
ムや半導体素子を薄くするとともに、ワイヤーボンドの
ループ高さも低くする必要がある。
【００１４】半導体素子の厚さは現行５０μｍくらいま
で、リードフレームの厚さは２００μｍ（ハーフエッチ
ング量１００μｍ）くらいまでそれぞれ薄型化が可能で
ある。また、ワイヤーボンドを覆い隠すために、ワイヤ
ーボンドの上部からの封止樹脂厚は３０μｍくらい必要
である。従って、この場合、ワイヤーボンドの最大の高
さは、半導体素子上から１２０μｍ以内に抑え、インナ
ーリードから７０μｍ以内に抑えることができる低ルー
プのワイヤーボンドが要求される。
【００１５】ワイヤーボンドのループ高さは、ワイヤー
長や、第１ボンド点と第２ボンド点の段差に影響を受け
るが、ワイヤー長が１ｍｍで、ボンド点段差が２００μ
ｍ（第１ボンド点の方が高い場合）の場合には、半導体
装置のループ制御の向上や、ワイヤーボンドの開発によ
り、第１ボンド点から１００μｍ前後までの低ループが
可能である。
【００１６】ただし、図５に示すような構造の樹脂封止
型の半導体装置１１００において厚さを２００μｍまで
薄くしようとした場合には、半導体素子の上面が、イン
ナーリード２００１の上面より下にあるので、ワイヤー
ボンドである金属細線２００３は低い方から高い方へと
ほぼ垂直に打ち上げるようになってしまう。つまり金属
細線２００３は、半導体２００６の表面の第１ボンド点
Ｂ１からインナーリード２００１の第２ボンドＢ２へ打
ち上げる方式になってしまう。
【００１７】通常のワイヤーボンドは、高い方から低い
方への打ち下げ方式であり、この場合の方が、低い方か
ら高い方への打ち上げ方式に比べて、ワイヤーボンドが
第２ボンド点Ｂ２に向かって引っ張られるために、低ル
ープが形成されやすい。これに対して、図５のようにワ
イヤーボンドを低い方から高い方へ打ち上げる場合に
は、ループ高さの頂点はワイヤーボンドの第１ボンド点
Ｂ１の近傍ではなく、ループの中央部が膨らむ形状とな
りやすい。
【００１８】従って、従来の、低い方から高い方へ打ち
上げる方式では、ループ高さを１００μｍの低ループの
ワイヤーボンドを安定的に行なうことは難しいという課
題がある。
【００１９】そこで本発明は上記課題を解決し、半導体
素子とインナーリードをワイヤーボンドにより電気的に
接続する際に、ワイヤーボンドの低ループ化を安定して
確実に行なうことができる樹脂封止型の半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体素子と、外部端子への電気的導通をとるためのインナ
ーリードと、の間の電気的接続のためにワイヤーボンド
を用いる樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
前記ワイヤーボンドの第１ボンドを行なう前記半導体素
子の第１表面を、前記ワイヤーボンドの第２ボンドを行
なう前記インナーリードの第２表面よりも高い第１支持
状態に支持して、前記ワイヤーボンドによる前記半導体
素子と前記インナーリードとの前記電気的導通をとる電
気的導通ステップと、前記半導体素子を前記第１支持状
態から前記第１支持状態よりも低い第２支持状態に引き
下げた状態で、前記半導体素子を樹脂により封止する封
止ステップと、を含むことを特徴とする樹脂封止型の半
導体装置の製造方法である。
【００２１】請求項１では、電気的導通ステップにおい
て、ワイヤーボンドの第１ボンドを行なう半導体素子の
第１表面を、ワイヤーボンドの第２ボンドを行なうイン
ナーリードの表面よりも高い第１支持状態に支持する。
そしてワイヤーボンドによる半導体素子とインナーリー
ドとの電気的な接続を取る。この電気的導通ステップが
終わった後に、樹脂封止ステップに移り、この樹脂封止
ステップでは、半導体素子を第１支持状態からこの第１
支持状態よりも低い第２支持状態に下げた状態で、半導
体素子を樹脂により封止する。
【００２２】これにより、ワイヤーボンドにより半導体
素子とインナーリードを電気的に接続を行なう場合に
は、第１ボンドを行なう位置が第２ボンドを行なう位置
よりも高い状態に支持しているので、低ループのワイヤ
ーボンド形状を形成しやすい。そして封止ステップで
は、ワイヤーボンドにより電気的接続を行なったのち
に、第１ボンドを接続した半導体素子を第１状態から第
２状態に機械的に引き下げることで、さらにワイヤーボ
ンドの形状の低ループ化をはかることができる。
【００２３】請求項２の発明は、請求項１に記載の樹脂
封止型の半導体装置の製造方法において、前記封止ステ
ップでは、前記第２支持状態の前記半導体素子の前記第
１表面は、前記インナーリードの前記第２表面よりも低
い位置に位置される。
【００２４】請求項３の発明は、請求項１に記載の樹脂
封止型の半導体装置の製造方法において、前記封止ステ
ップでの前記半導体素子の前記第１支持状態から前記第
２支持状態への位置の変更は、前記インナーリードの開
口部内で行なう。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【００２６】図１（ａ）ないし図１（ｃ）と、図２
（ｄ）ないし図２（ｆ）は、本発明の樹脂封止型の半導
体装置の製造方法の好ましい実施の形態を示している。
【００２７】図１と図２に示す製造方法は、図２（ｆ）
に示す完成された樹脂封止型の半導体装置１０を製造す
るための方法である。この樹脂封止型の半導体装置１０
は、厚みＷの薄型化を図ることができるとともに、ワイ
ヤーボンドのループ高さを低くしたものである。図１
（ａ）ないし図１（ｃ）は図３に示す本発明の製造方法
の電気導通ステップＳＴ１を示し、図２（ｄ）ないし図
２（ｆ）は封止ステップＳＴ２を示している。
【００２８】図１（ａ）は、リードフレームのインナー
リード１の断面構造例を示している。インナーリード１
はハーフエッチングされており、ダイパッドのないリー
ドフレームである。インナーリード１は、樹脂内外部端
子への電気的な導通を取るための部材である。図１
（ｂ）は、インナーリード１、半導体素子２、ワイヤー
ボンドとしての金属細線３および治具４を示している。
【００２９】リードフレームのインナーリード１と半導
体素子２は、ワイヤーボンド装置にセットする。ワイヤ
ーボンドによる電気的な接続を行なう際には、リードフ
レームのインナーリード１および半導体素子２は、図１
（ｂ）のように治具４により支持される。この治具４を
用意するのであるが、この治具４の形状は半導体素子２
を支持する支持部分５と、インナーリード１を支持する
支持部分６を有している。支持部分６は平板状の部分で
あるが、この支持部分５は支持部分６の中央に突出する
ようにして設けられている。支持部分５は板状の部材で
あるが、これにより治具４の中央部がインナーリード１
の開口部７０に合わせて高くなっている。
【００３０】図１（ｂ）のように、支持部分５の上に半
導体素子２を載せることにより、半導体素子２の第１表
面２０が、インナーリード１の第２表面３０よりもＺ方
向すなわちワイヤーボンド装置の高さ方向に関して高く
設定されている。
【００３１】図１（ｂ）の治具４の構造としては、治具
４の中央部から真空が引けるような構造になっている。
この治具４を用いて、半導体素子２の上面である第１表
面２０が、インナーリード１の上面である第２表面３０
よりも高い状態で支持される。半導体素子２が支持部分
５に対して固定される方式としては、真空吸引による固
定方式を利用する。
【００３２】この状態で、図１（ｂ）に示すように、半
導体素子２の第１表面２０に設けられた電極パッド３４
と、インナーリード１の第２表面３０が、ワイヤーボン
ドである金属細線３により電気的に導通される。図１
（ｃ）は、半導体素子２の第１位支持状態６０を示して
おり、ワイヤーボンド後の半導体素子２は、金属細線３
の張力でインナーリード１に対して支持されている。第
１表面２０は第２表面３０よりも高い位置にある。
【００３３】図１（ａ）ないし図１（ｃ）は、図３に示
す電気導通ステップＳＴ１を示している。図２（ｄ）な
いし図２（ｆ）を参照して、図３の封止ステップＳＴ２
について説明する。図２（ｄ）に示すように、図１
（ａ）ないし図１（ｃ）の電気的導通ステップＳＴ１が
終わったのちに、リードフレームのインナーリード１の
裏面１Ａと半導体装置２の裏面２Ａに対して仮固定用の
テープ５を接着する。この時に半導体装置２は仮固定用
のテープ５に接着するために、半導体素子２の裏面２Ａ
がインナーリード１の裏面１Ａと同じ高さまでＺ１方向
に機械的に押し下げられる。
【００３４】これにより、インナーリード１の裏面１Ａ
と半導体素子２の裏面２Ａが同じ面上に位置され、半導
体素子２は図１（ｂ）と図１（ｃ）に示す第１支持状態
６０から、図２（ｅ）に示す第２支持状態６５に押し下
げられることになる。
【００３５】これにより、ワイヤーボンドである金属細
線３は全体的にＺ１方向に機械的に引っ張られるため
に、図２（ｄ）に示す第２支持状態６５の半導体素子２
と、図１（ｃ）に示す第１支持状態６０の半導体素子２
とを比べると、金属細線３のワイヤーボンド形状が低ル
ープになる。
【００３６】図２（ｅ）では、仮固定用のテープ５を裏
面１Ａ、裏面２Ａに貼り付けた状態で封止樹脂６をイン
ナーリード１の開口部７０に入れる。この封止樹脂６は
複数本の金属細線３と半導体素子２をインナーリード１
に対して封止する。つまり封止樹脂６は、仮固定用のテ
ープ５からインナーリード１の最も上面７７の範囲まで
の空間を封止し、これにより電気的な絶縁を行なうこと
ができる。
【００３７】そして図２（ｆ）に示すようにテープ５の
剥離の行ない、外形メッキと外形カットを行なうこと
で、図２（ｆ）に示す樹脂封止型の半導体装置１０が完
成する。
【００３８】図２（ｆ）の樹脂封止型の半導体装置１０
では、ワイヤーボンドである金属細線３が、図２（ｄ）
に示すようにＺ１方向に押し下げられていることから、
各金属細線３の最大の高さ部分は、インナーリード１に
最も上面７７よりも内側に位置している。インナーリー
ド１の表面３０が、最も上の上面７７に対してＺ１方向
に窪んだ形状になっている。そして半導体素子２の第１
表面２０はインナーリード１の第２表面３０よりもさら
にＺ方向に関して下側に位置している。
【００３９】このことから、樹脂封止型の半導体装置１
０の各金属細線３は封止樹脂６の中に完全に埋没して、
埋没した状態で電気的な絶縁を得ており、金属細線３が
封止樹脂６の外部に突出して出るようなことは全くな
い。しかも樹脂封止型の半導体装置１０の幅Ｗは、イン
ナーリード１の幅Ｗと同じに設定できるので、樹脂封止
型の半導体装置１０の幅（厚みともいう）はインナーリ
ードの幅Ｗまで薄型化を図ることができる。
【００４０】本発明の実施の形態の製造方法では、製造
コストの低いワイヤーボンドを用いた樹脂封止型の半導
体装置を提供することができ、たとえば図２（ｆ）の樹
脂封止型の半導体装置１０の幅Ｗが２００μｍという薄
型のものを安定して製造することができる。
【００４１】図１（ｂ）に示す金属細線３の第１ボンド
（ｆｉｒｓｔ ｂｏｎｄｉｎｇ）点３Ａが、金属細線３
が第２ボンド（ｓｅｃｏｎｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）点３Ｂ
に比べて高い位置にある。すなわち金属細線３の第１ボ
ンドを行なう半導体素子２の第１表面２０は、金属細線
３の第２ボンドを行なうためのインナーリード１の第２
表面３０よりもＺ方向に関して高い位置にある。そして
図２（ｆ）で示すように完成された樹脂封止型の半導体
装置では、第１ボンド点３Ａは第２ボンド点３Ｂよりも
低い位置に位置されている。
【００４２】第１ボンド点３Ａが第２ボンド点３Ｂより
も図２（ｆ）で示すように低くなっている構造の場合に
おいても、図１と図２に示す本発明の樹脂封止型の半導
体装置の製造方法を用いることにより、ワイヤーボンド
である金属細線３の低ループ化が安定してかつ確実に行
なうことができる。つまりワイヤーボンド時には図１
（ｂ）に示すように第１ボンド点３Ａが第２ボンド点３
Ｂよりも高い第１支持状態６０に支持して、低ループワ
イヤーボンドを形成しやすくしている。そして図２
（ｆ）に示すようにワイヤーボンド後には、第１ボンド
点３Ａは第２ボンド点３Ｂよりも低い位置になるよう
に、半導体素子２は図２（ｄ）に示すようにＺ１方向に
機械的に押し下げて第２支持状態６５にすることで、図
２（ｆ）に示すように各金属細線３のループ形状の低ル
ープ化をはかることができるのである。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子とインナーリードをワイヤーボンドにより電
気的に接続する際に、ワイヤーボンドの低ループ化を安
定して確実に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型の半導体装置の製造方法に
おける電気的導通ステップを示す図。
【図２】本発明の樹脂封止型の半導体装置の製造方法に
おける封止ステップを示す図。
【図３】電気的ステップと封止ステップを示す図。
【図４】従来の樹脂封止型の半導体装置の構造例を示す
図。
【図５】従来の別の樹脂封止型の半導体装置の構造例を
示す図。
【図６】図５に示す従来の樹脂封止型の半導体装置の製
造方法を示す図。
【図７】図６の従来の樹脂封止型の半導体装置の製造方
法のあとのステップを示す図。
【符号の説明】
１・・・インナーリード、２・・・半導体素子、３・・
・金属細線（ワイヤーボンドの一例）、６・・・封止樹
脂、２０・・・第１表面、３０・・・第２表面、６０・
・・第１支持状態、６５・・・第２支持状態、３Ａ・・
・第１ボンド点、３Ｂ・・・第２ボンド点

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、外部端子への電気的導通
    をとるためのインナーリードと、の間の電気的接続のた
    めにワイヤーボンドを用いる樹脂封止型の半導体装置の
    製造方法において、 前記ワイヤーボンドの第１ボンドを行なう前記半導体素
    子の第１表面を、前記ワイヤーボンドの第２ボンドを行
    なう前記インナーリードの第２表面よりも高い第１支持
    状態に支持して、前記ワイヤーボンドによる前記半導体
    素子と前記インナーリードとの前記電気的導通をとる電
    気的導通ステップと、 前記半導体素子を前記第１支持状態から前記第１支持状
    態よりも低い第２支持状態に引き下げた状態で、前記半
    導体素子を樹脂により封止する封止ステップと、 を含むことを特徴とする樹脂封止型の半導体装置の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 前記封止ステップでは、前記第２支持状
    態の前記半導体素子の前記第１表面は、前記インナーリ
    ードの前記第２表面よりも低い位置に位置される請求項
    １に記載の樹脂封止型の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記封止ステップでの前記半導体素子の
    前記第１支持状態から前記第２支持状態への位置の変更
    は、前記インナーリードの開口部内で行なう請求項１に
    記載の樹脂封止型の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087123A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2012004625A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Fujitsu Ltd 振動子デバイスの作製方法および振動子デバイス
WO2016051726A1 (ja) * 2014-10-03 2016-04-07 旭化成エレクトロニクス株式会社 ホールセンサの製造方法及びホールセンサ並びにレンズモジュール

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087123A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2012004625A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Fujitsu Ltd 振動子デバイスの作製方法および振動子デバイス
WO2016051726A1 (ja) * 2014-10-03 2016-04-07 旭化成エレクトロニクス株式会社 ホールセンサの製造方法及びホールセンサ並びにレンズモジュール
JP6085726B2 (ja) * 2014-10-03 2017-02-22 旭化成エレクトロニクス株式会社 ホールセンサの製造方法及びホールセンサ並びにレンズモジュール
KR20170028378A (ko) * 2014-10-03 2017-03-13 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈
JPWO2016051726A1 (ja) * 2014-10-03 2017-04-27 旭化成エレクトロニクス株式会社 ホールセンサの製造方法及びホールセンサ並びにレンズモジュール
KR101868760B1 (ko) * 2014-10-03 2018-06-18 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈

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