JP2003204222A - 圧電振動デバイスの製造方法、圧電振動デバイスおよびセラミックパッケージ、並びにリアルタイムクロック - Google Patents
圧電振動デバイスの製造方法、圧電振動デバイスおよびセラミックパッケージ、並びにリアルタイムクロックInfo
- Publication number
- JP2003204222A JP2003204222A JP2002264141A JP2002264141A JP2003204222A JP 2003204222 A JP2003204222 A JP 2003204222A JP 2002264141 A JP2002264141 A JP 2002264141A JP 2002264141 A JP2002264141 A JP 2002264141A JP 2003204222 A JP2003204222 A JP 2003204222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric vibrating
- recess
- mounting
- chip
- vibrating piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 振動片実装部の真空度を低下させることがな
く、周波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバ
イスを得る。 【解決手段】 ＩＣチップ実装に先立ってパッケージに
形成した専用の凹部に圧電振動片を実装し、当該凹部を
外部雰囲気と連通状態で凹部開口にリッドを実装した
後、外部連絡を真空下で遮断して当該振動片実装凹部を
密閉し、前記圧電振動片の適性判別処理の後にＩＣチッ
プを実装する。前記圧電振動片は音叉形振動片とし、前
記リッドはガラスにより構成すればよい。また、前記外
部雰囲気への連通孔を金ベースの材料により埋め込み遮
蔽し、前記圧電振動片の周波数調整により飛散する材料
を捕捉可能とすればよい。
く、周波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバ
イスを得る。 【解決手段】 ＩＣチップ実装に先立ってパッケージに
形成した専用の凹部に圧電振動片を実装し、当該凹部を
外部雰囲気と連通状態で凹部開口にリッドを実装した
後、外部連絡を真空下で遮断して当該振動片実装凹部を
密閉し、前記圧電振動片の適性判別処理の後にＩＣチッ
プを実装する。前記圧電振動片は音叉形振動片とし、前
記リッドはガラスにより構成すればよい。また、前記外
部雰囲気への連通孔を金ベースの材料により埋め込み遮
蔽し、前記圧電振動片の周波数調整により飛散する材料
を捕捉可能とすればよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に圧電振動デバイ
ス、その製造方法、およびセラミックパッケージ、並び
にリアルタイムクロックに関する。
ス、その製造方法、およびセラミックパッケージ、並び
にリアルタイムクロックに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セラミックパッケージ型の水晶
発振器は、セラミックパッケージに形成された凹部内に
ＩＣチップや水晶振動子を実装するようになっている。
このような実装部品を収容する凹部構造をもつセラミッ
クパッケージは、通常ＡＴカット振動片を実装するデバ
イスに用いられ、部品点数により３〜５層の積層構造と
して構成されている。
発振器は、セラミックパッケージに形成された凹部内に
ＩＣチップや水晶振動子を実装するようになっている。
このような実装部品を収容する凹部構造をもつセラミッ
クパッケージは、通常ＡＴカット振動片を実装するデバ
イスに用いられ、部品点数により３〜５層の積層構造と
して構成されている。
【０００３】ところが、音叉型圧電振動片を装備するデ
バイスでは、振動片を真空中で収容する必要があるた
め、通常内部を真空状態にしたシリンダ内部に振動片を
固定したシリンダ型振動子を用いている。そして、この
振動子を駆動するＩＣチップとともに、全体を樹脂モー
ルドした圧電振動デバイスとして構成されている。これ
を図６に示す。すなわち、真空とされたシリンダ１の内
部に音叉型振動片２を実装収容しておき、これをＩＣチ
ップ３に隣接するように配設しておき、外側部から電極
端子５を引き出した状態で全体を樹脂モールド材４によ
り包囲しつつ成形して、一つのパッケージを製造してい
る。本願発明に関連する先行技術文献としては、特許文
献１が挙げられる。
バイスでは、振動片を真空中で収容する必要があるた
め、通常内部を真空状態にしたシリンダ内部に振動片を
固定したシリンダ型振動子を用いている。そして、この
振動子を駆動するＩＣチップとともに、全体を樹脂モー
ルドした圧電振動デバイスとして構成されている。これ
を図６に示す。すなわち、真空とされたシリンダ１の内
部に音叉型振動片２を実装収容しておき、これをＩＣチ
ップ３に隣接するように配設しておき、外側部から電極
端子５を引き出した状態で全体を樹脂モールド材４によ
り包囲しつつ成形して、一つのパッケージを製造してい
る。本願発明に関連する先行技術文献としては、特許文
献１が挙げられる。
【０００４】
【特許文献１】実開昭５４−３５８７０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、例えば、音
叉型圧電振動片を装備する音叉型振動デバイスを小型化
しようとすると、シリンダ容器の厚み以下にはできず、
また、ＩＣチップと併設してしまうと、シリンダ寸法に
より平面上の面積がやはり大きくなってしまう。そこ
で、ＡＴカット振動子の場合と同様に、セラミックパッ
ケージの中央に形成した凹部にＩＣチップとともに音叉
型振動片を実装しようとすると、次のような問題が生じ
てしまう。
叉型圧電振動片を装備する音叉型振動デバイスを小型化
しようとすると、シリンダ容器の厚み以下にはできず、
また、ＩＣチップと併設してしまうと、シリンダ寸法に
より平面上の面積がやはり大きくなってしまう。そこ
で、ＡＴカット振動子の場合と同様に、セラミックパッ
ケージの中央に形成した凹部にＩＣチップとともに音叉
型振動片を実装しようとすると、次のような問題が生じ
てしまう。
【０００６】すなわち、セラミックパッケージに音叉型
振動片とＩＣチップを一体で真空封止すると、パッケー
ジに内包されているガスが振動片を実装した真空室内に
放出されて真空度が低下してしまう。これにより、音叉
型振動片の特性が悪化してしまう。
振動片とＩＣチップを一体で真空封止すると、パッケー
ジに内包されているガスが振動片を実装した真空室内に
放出されて真空度が低下してしまう。これにより、音叉
型振動片の特性が悪化してしまう。
【０００７】また、音叉型振動片とＩＣチップとを実装
後に真空封止するため、音叉型振動片不良でも良品ＩＣ
チップを破棄することになる。これは、音叉型振動片の
実装後で真空封止前に、音叉型振動片自体の良否判定が
行えないからである。加えて、ＩＣチップの影響によ
り、音叉型振動片のＣＩ値等の測定が行えないという問
題もある。
後に真空封止するため、音叉型振動片不良でも良品ＩＣ
チップを破棄することになる。これは、音叉型振動片の
実装後で真空封止前に、音叉型振動片自体の良否判定が
行えないからである。加えて、ＩＣチップの影響によ
り、音叉型振動片のＣＩ値等の測定が行えないという問
題もある。
【０００８】また、後の周波数調整のためにリッドとし
て透明ガラスを用いると、透明ガラスのため、ＩＣチッ
プ表面に光が当たらないように遮光処理する必要があ
る。更に、ＩＣチップの表面側は空間が形成されるため
放熱性が悪く、ＩＣチップ裏面のみの放熱作用となって
放熱効果が低い問題がある。また、ＩＣチップ裏面か
ら、小型薄型化の要求を満たすために近い位置関係にあ
る圧電振動片実装部に伝わる熱が多い。
て透明ガラスを用いると、透明ガラスのため、ＩＣチッ
プ表面に光が当たらないように遮光処理する必要があ
る。更に、ＩＣチップの表面側は空間が形成されるため
放熱性が悪く、ＩＣチップ裏面のみの放熱作用となって
放熱効果が低い問題がある。また、ＩＣチップ裏面か
ら、小型薄型化の要求を満たすために近い位置関係にあ
る圧電振動片実装部に伝わる熱が多い。
【０００９】また更に、低融点ガラス封止ではＩＣチッ
プに例えば３５０℃以上の温度がかかるため、ＩＣチッ
プのアルミＰＡＤとＡｕボールの接続の信頼性が低下す
る虞がある。従って、Ａｕ線を用いる場合には、極力短
時間かつ低温での低融点ガラス封止が求められる。高温
あるいは長時間の低融点ガラス封止の場合には、アルミ
線でのボンディングを用いる。
プに例えば３５０℃以上の温度がかかるため、ＩＣチッ
プのアルミＰＡＤとＡｕボールの接続の信頼性が低下す
る虞がある。従って、Ａｕ線を用いる場合には、極力短
時間かつ低温での低融点ガラス封止が求められる。高温
あるいは長時間の低融点ガラス封止の場合には、アルミ
線でのボンディングを用いる。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に着目してな
されたもので、特に音叉型振動片を用いたデバイスの場
合、振動片実装部の真空度を低下させることがなく、周
波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバイス、
その製造方法、およびセラミックパッケージ、並びにリ
アルタイムクロックを提供することを目的とする。ま
た、振動片実装後の良品のみにＩＣチップを実装できる
ようにして加工歩留まりを向上させることを目的とす
る。更には、放熱効果を高くして振動子特性を劣化させ
ないようにすることを目的とする。
されたもので、特に音叉型振動片を用いたデバイスの場
合、振動片実装部の真空度を低下させることがなく、周
波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバイス、
その製造方法、およびセラミックパッケージ、並びにリ
アルタイムクロックを提供することを目的とする。ま
た、振動片実装後の良品のみにＩＣチップを実装できる
ようにして加工歩留まりを向上させることを目的とす
る。更には、放熱効果を高くして振動子特性を劣化させ
ないようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る圧電振動デバイスの製造方法は、ＩＣ
チップ実装に先立ってパッケージに形成した専用の凹部
に圧電振動片を実装し、当該凹部を外部雰囲気と連通状
態で凹部開口にリッドを実装した後、外部連絡を真空下
で遮断して当該振動片実装凹部を密閉し、前記圧電振動
片の適性判別処理の後にＩＣチップを実装することを特
徴としている。
に、本発明に係る圧電振動デバイスの製造方法は、ＩＣ
チップ実装に先立ってパッケージに形成した専用の凹部
に圧電振動片を実装し、当該凹部を外部雰囲気と連通状
態で凹部開口にリッドを実装した後、外部連絡を真空下
で遮断して当該振動片実装凹部を密閉し、前記圧電振動
片の適性判別処理の後にＩＣチップを実装することを特
徴としている。
【００１２】また、本発明は、パッケージに形成した第
１の凹部に圧電振動片を実装するとともに、前記第１凹
部を外部雰囲気に連通しつつリッドを取付けた後、前記
第１凹部に設けた外部雰囲気への連通を真空下で遮蔽密
閉し、前記圧電振動片の適正判別処理を行った後に、パ
ッケージに形成した第２の凹部に駆動用ＩＣチップを実
装するように構成できる。また、前記圧電振動片は音叉
型振動片とすることができる。前記リッドはガラスとす
ることができる。併せて、前記外部雰囲気への連通孔を
金ベースの材料により埋め込み遮蔽し、前記圧電振動片
の周波数調整により飛散する材料を捕捉可能とすればよ
り好ましい。
１の凹部に圧電振動片を実装するとともに、前記第１凹
部を外部雰囲気に連通しつつリッドを取付けた後、前記
第１凹部に設けた外部雰囲気への連通を真空下で遮蔽密
閉し、前記圧電振動片の適正判別処理を行った後に、パ
ッケージに形成した第２の凹部に駆動用ＩＣチップを実
装するように構成できる。また、前記圧電振動片は音叉
型振動片とすることができる。前記リッドはガラスとす
ることができる。併せて、前記外部雰囲気への連通孔を
金ベースの材料により埋め込み遮蔽し、前記圧電振動片
の周波数調整により飛散する材料を捕捉可能とすればよ
り好ましい。
【００１３】本発明は、凹部を片面に形成したパッケー
ジに圧電振動片を実装した後、凹部を外部連通したまま
開口にリッドを実装して凹部の封止をなし、真空下にお
いて外部連通孔を封止し、前記圧電振動片の特性検査を
行い、しかる後、前記凹部と別に形成された凹部に圧電
振動片駆動用のＩＣチップ実装をなし、当該ＩＣチップ
を樹脂封止する前若しくは樹脂封止した後、製品の特性
検査をなす工程を経て製造するように構成できる。
ジに圧電振動片を実装した後、凹部を外部連通したまま
開口にリッドを実装して凹部の封止をなし、真空下にお
いて外部連通孔を封止し、前記圧電振動片の特性検査を
行い、しかる後、前記凹部と別に形成された凹部に圧電
振動片駆動用のＩＣチップ実装をなし、当該ＩＣチップ
を樹脂封止する前若しくは樹脂封止した後、製品の特性
検査をなす工程を経て製造するように構成できる。
【００１４】また、本発明に係る圧電振動デバイスは、
パッケージ本体に各々独立して形成された圧電振動片実
装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用凹部とが形成され、
前記圧電振動片実装用凹部には真空下での後埋め用の外
部連通孔を形成してなり、各凹部内に圧電振動片と駆動
用ＩＣチップとを個別に実装してなることを特徴として
いる。
パッケージ本体に各々独立して形成された圧電振動片実
装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用凹部とが形成され、
前記圧電振動片実装用凹部には真空下での後埋め用の外
部連通孔を形成してなり、各凹部内に圧電振動片と駆動
用ＩＣチップとを個別に実装してなることを特徴として
いる。
【００１５】前記振動片実装用凹部の開口部とＩＣチッ
プ実装用凹部の開口部とはパッケージの表裏面に別個に
形成すればよく、前記パッケージ本体は圧電振動片実装
用空間を形成したプレートと、振動片駆動用ＩＣチップ
実装用空間を形成したプレートとを積層することにより
形成され、両プレートに実装用凹部を形成するようにで
きる。
プ実装用凹部の開口部とはパッケージの表裏面に別個に
形成すればよく、前記パッケージ本体は圧電振動片実装
用空間を形成したプレートと、振動片駆動用ＩＣチップ
実装用空間を形成したプレートとを積層することにより
形成され、両プレートに実装用凹部を形成するようにで
きる。
【００１６】あるいは、前記パッケージ本体を圧電振動
片実装用凹部と振動片駆動用ＩＣチップ実装用貫通空間
を形成したプレートと、当該プレートに積層され前記圧
電振動片実装用凹部の開口を塞いで前記圧電振動片収容
用の密閉空間を形成するリッドとからなり、当該実装凹
部の開口を塞ぐリッドにより前記振動片駆動用ＩＣチッ
プ実装用空間の一方を塞いでＩＣチップ実装用凹部を形
成し、前記リッド内面にＩＣチップを実装した構成とし
てよい。更に、前記外部連絡通孔は前記圧電振動片の周
波数調整部位の直下に形成すればよい。
片実装用凹部と振動片駆動用ＩＣチップ実装用貫通空間
を形成したプレートと、当該プレートに積層され前記圧
電振動片実装用凹部の開口を塞いで前記圧電振動片収容
用の密閉空間を形成するリッドとからなり、当該実装凹
部の開口を塞ぐリッドにより前記振動片駆動用ＩＣチッ
プ実装用空間の一方を塞いでＩＣチップ実装用凹部を形
成し、前記リッド内面にＩＣチップを実装した構成とし
てよい。更に、前記外部連絡通孔は前記圧電振動片の周
波数調整部位の直下に形成すればよい。
【００１７】本発明に係るセラミックパッケージは、圧
電振動デバイス用のセラミックパッケージであって、パ
ッケージ本体の表裏面に各々独立して形成された凹部を
有し、一方の凹部にはリッドにより密閉される開口とと
ともに真空下での後埋め用の外部連絡通孔を形成してな
ることを特徴としている。
電振動デバイス用のセラミックパッケージであって、パ
ッケージ本体の表裏面に各々独立して形成された凹部を
有し、一方の凹部にはリッドにより密閉される開口とと
ともに真空下での後埋め用の外部連絡通孔を形成してな
ることを特徴としている。
【００１８】更に、本発明に係るリアルタイムクロック
は、パッケージ本体に各々独立して形成された音叉型振
動片実装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用凹部とが形成
され、前記音叉型振動片実装用凹部に振動片を実装し、
その後開口部を封止してなるガラスリッドを備え、前記
音叉型振動片実装用凹部に予め形成されて真空下にて埋
め込み遮蔽された後埋め用の外部連通孔を有し、他の凹
部に個別実装された音叉型振動片の駆動用ＩＣチップを
実装した圧電振動デバイスを搭載してなることを特徴と
するものである。
は、パッケージ本体に各々独立して形成された音叉型振
動片実装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用凹部とが形成
され、前記音叉型振動片実装用凹部に振動片を実装し、
その後開口部を封止してなるガラスリッドを備え、前記
音叉型振動片実装用凹部に予め形成されて真空下にて埋
め込み遮蔽された後埋め用の外部連通孔を有し、他の凹
部に個別実装された音叉型振動片の駆動用ＩＣチップを
実装した圧電振動デバイスを搭載してなることを特徴と
するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る圧電振動デバ
イスの製造方法、圧電振動デバイスおよびセラミックパ
ッケージ、並びにリアルタイムクロックの具体的実施形
態を、図面を参照して、詳細に説明する。まず、本発明
の第１の実施形態に係る圧電振動デバイスを図２に示
す。同図（１）はデバイス断面図であり、同図（２）は
リッド側平面図、同図（３）は底面図を示している。こ
れらの図に示すように、第１の実施形態に係る圧電振動
デバイス１０は、セラミック絶縁基板で形成された３層
のプレートを積層して形成されたパッケージ本体１２を
有しており、その表裏面に各々左右に位置をずらして形
成された音叉型振動片１４の実装用第１凹部１６、およ
び発振回路を有するＩＣチップ１８の実装用第２凹部２
０を設けている。これら凹部１６、２０を形成するた
め、パッケージ本体１２は圧電振動片実装用空間を形成
した第１プレート１２ａと、振動片駆動用ＩＣチップ実
装用空間を形成した第２プレート１２ｂとを積層すると
ともに、第２プレート１２ｂ側に樹脂モールド空間を形
成する第３のプレート１２ｃを積層することにより形成
されている。この積層構造によりパッケージ本体１２の
両面に各々実装用凹部１６、２０が形成されることにな
る。
イスの製造方法、圧電振動デバイスおよびセラミックパ
ッケージ、並びにリアルタイムクロックの具体的実施形
態を、図面を参照して、詳細に説明する。まず、本発明
の第１の実施形態に係る圧電振動デバイスを図２に示
す。同図（１）はデバイス断面図であり、同図（２）は
リッド側平面図、同図（３）は底面図を示している。こ
れらの図に示すように、第１の実施形態に係る圧電振動
デバイス１０は、セラミック絶縁基板で形成された３層
のプレートを積層して形成されたパッケージ本体１２を
有しており、その表裏面に各々左右に位置をずらして形
成された音叉型振動片１４の実装用第１凹部１６、およ
び発振回路を有するＩＣチップ１８の実装用第２凹部２
０を設けている。これら凹部１６、２０を形成するた
め、パッケージ本体１２は圧電振動片実装用空間を形成
した第１プレート１２ａと、振動片駆動用ＩＣチップ実
装用空間を形成した第２プレート１２ｂとを積層すると
ともに、第２プレート１２ｂ側に樹脂モールド空間を形
成する第３のプレート１２ｃを積層することにより形成
されている。この積層構造によりパッケージ本体１２の
両面に各々実装用凹部１６、２０が形成されることにな
る。
【００２０】前記パッケージ本体１２に、後述するよう
に、ＩＣチップ１８の実装に先立ってパッケージ本体１
２に形成した専用の第１凹部１６に音叉型振動片１４を
実装し、当該第１凹部１６を外部雰囲気と通孔２２を介
して連通状態を保持したまま、第１凹部１６の開口を覆
うようにリッド２４を実装した後、外部連絡となってい
る通孔２２を、真空下において、Ａｕ−Ｓｎ合金もしく
はＡｕ−Ｇｅ合金などからなる封止材２６により後埋め
することで密閉遮断し、当該振動片実装用の第１凹部１
６を真空密閉する。そして、前記音叉型振動片１４の適
性判別処理の後にＩＣチップ１８を第２凹部２０に実装
し、第２凹部２０内にモールド樹脂２８を充填するよう
にしたものである。
に、ＩＣチップ１８の実装に先立ってパッケージ本体１
２に形成した専用の第１凹部１６に音叉型振動片１４を
実装し、当該第１凹部１６を外部雰囲気と通孔２２を介
して連通状態を保持したまま、第１凹部１６の開口を覆
うようにリッド２４を実装した後、外部連絡となってい
る通孔２２を、真空下において、Ａｕ−Ｓｎ合金もしく
はＡｕ−Ｇｅ合金などからなる封止材２６により後埋め
することで密閉遮断し、当該振動片実装用の第１凹部１
６を真空密閉する。そして、前記音叉型振動片１４の適
性判別処理の後にＩＣチップ１８を第２凹部２０に実装
し、第２凹部２０内にモールド樹脂２８を充填するよう
にしたものである。
【００２１】リッド２４はパッケージ本体１２の上面全
体に積層接着されるガラスから構成され、図２（２）に
示しているように、コーナ部分が角にならないように面
取りアールを施して割れを防止している。音叉型振動片
１４は比較的小片であるので、横長のパッケージ本体１
２の片側に寄せて形成された第１凹部１６の内部に実装
し、ガラスリッド２４は第１凹部１６の面積より大きい
パッケージ本体１２との接合面部分で積層接着されるよ
うになっている。これにより、リッド２４にかなり薄い
ガラスを用いても割れることが防止される。一方、パッ
ケージ本体１２の反対面側に形成されている第２凹部２
０には、ＩＣチップ１８が実装されるが、ＩＣチップ１
８を実装した後、ワイヤボンディングが施される。第２
プレート１２ｂには、Ｗ（タングステン）あるいはＭｏ
（モリブデン）等の金属でメタライズされ、Ｎｉ＋Ａｕ
メッキされた入出力用電極（図示せず）が形成されてお
り、この電極と前記ＩＣチップ１８のワイヤボンディン
グパッドとがＡｕボンディングワイヤ２９により電気的
に接続されている。
体に積層接着されるガラスから構成され、図２（２）に
示しているように、コーナ部分が角にならないように面
取りアールを施して割れを防止している。音叉型振動片
１４は比較的小片であるので、横長のパッケージ本体１
２の片側に寄せて形成された第１凹部１６の内部に実装
し、ガラスリッド２４は第１凹部１６の面積より大きい
パッケージ本体１２との接合面部分で積層接着されるよ
うになっている。これにより、リッド２４にかなり薄い
ガラスを用いても割れることが防止される。一方、パッ
ケージ本体１２の反対面側に形成されている第２凹部２
０には、ＩＣチップ１８が実装されるが、ＩＣチップ１
８を実装した後、ワイヤボンディングが施される。第２
プレート１２ｂには、Ｗ（タングステン）あるいはＭｏ
（モリブデン）等の金属でメタライズされ、Ｎｉ＋Ａｕ
メッキされた入出力用電極（図示せず）が形成されてお
り、この電極と前記ＩＣチップ１８のワイヤボンディン
グパッドとがＡｕボンディングワイヤ２９により電気的
に接続されている。
【００２２】なお、上記デバイス１０にはパッケージ本
体１２の側縁部分にスルーホールにより形成された外部
端子３０が設けられている。これは特に第２プレート１
２ｂに形成した回路から引き出された端子であり、種々
の信号の入出力をこの外部端子を通じて行うようにして
いる。
体１２の側縁部分にスルーホールにより形成された外部
端子３０が設けられている。これは特に第２プレート１
２ｂに形成した回路から引き出された端子であり、種々
の信号の入出力をこの外部端子を通じて行うようにして
いる。
【００２３】このような圧電振動デバイス１０を製造す
る工程を、図１を参照して、説明する。最初にセラミッ
クパッケージ本体１２に形成されている第１凹部１６の
内部にＡｇペーストを用いて音叉型振動片１４を実装し
た後、乾燥する（同図（１））。接着部が乾燥した後、
ガラスからなるリッド２４をパッケージ本体１２の表面
に積層し、第１凹部１４の開口を閉塞するように覆う
（同図（２））。このリッド２４の実装に際しては接着
温度が３２０℃程度となり、この加熱処理によりパッケ
ージ本体１２や接着剤からガスが放出されるが、第１凹
部１６内が通孔２２により外部に通じているため、放出
ガスが外部に流出することになる。これによってガスが
第１凹部１６内に留まることがなくなり、音叉型振動片
１４へのガス付着による特性変化を防止できる。
る工程を、図１を参照して、説明する。最初にセラミッ
クパッケージ本体１２に形成されている第１凹部１６の
内部にＡｇペーストを用いて音叉型振動片１４を実装し
た後、乾燥する（同図（１））。接着部が乾燥した後、
ガラスからなるリッド２４をパッケージ本体１２の表面
に積層し、第１凹部１４の開口を閉塞するように覆う
（同図（２））。このリッド２４の実装に際しては接着
温度が３２０℃程度となり、この加熱処理によりパッケ
ージ本体１２や接着剤からガスが放出されるが、第１凹
部１６内が通孔２２により外部に通じているため、放出
ガスが外部に流出することになる。これによってガスが
第１凹部１６内に留まることがなくなり、音叉型振動片
１４へのガス付着による特性変化を防止できる。
【００２４】このリッド２４の実装後、予めパッケージ
本体１２を加熱処理し、内部に包含されている水分など
を飛ばした後、パッケージ本体１２を真空下においてお
き、図１（３）に示すように、Ａｕ−Ｇｅボールからな
る孔封止材２６を通孔２２に装着して、レーザ照射によ
り遮蔽密閉する。これによって、音叉型振動片１４が実
装されている第１凹部１６内は真空保持される。この音
叉型振動片１４を実装し完全密封した後、振動片の特性
検査を行い（同図（４））、振動片が周波数調整可能範
囲に入っているか否かの適正判別処理を行って振動片が
良品であるか、不良品であるかの判定が行われる。この
処理により、ＮＧ製品がＩＣチップ１８の実装前に取り
除かれ、無駄にＩＣチップ１８を廃棄処分することが防
止される。
本体１２を加熱処理し、内部に包含されている水分など
を飛ばした後、パッケージ本体１２を真空下においてお
き、図１（３）に示すように、Ａｕ−Ｇｅボールからな
る孔封止材２６を通孔２２に装着して、レーザ照射によ
り遮蔽密閉する。これによって、音叉型振動片１４が実
装されている第１凹部１６内は真空保持される。この音
叉型振動片１４を実装し完全密封した後、振動片の特性
検査を行い（同図（４））、振動片が周波数調整可能範
囲に入っているか否かの適正判別処理を行って振動片が
良品であるか、不良品であるかの判定が行われる。この
処理により、ＮＧ製品がＩＣチップ１８の実装前に取り
除かれ、無駄にＩＣチップ１８を廃棄処分することが防
止される。
【００２５】特性検査によって適正であると判定された
音叉型振動片１４を実装しているパッケージ本体１２の
みが次工程に進み、パッケージ本体１２を反転して第２
凹部２０の内部にＩＣチップ１８をＡｇペーストにより
ダイアタッチして接着固定し、所定温度下において乾燥
した後、Ａｕ線によりワイヤボンディングを施して固定
実装するのである（図１（６））。
音叉型振動片１４を実装しているパッケージ本体１２の
みが次工程に進み、パッケージ本体１２を反転して第２
凹部２０の内部にＩＣチップ１８をＡｇペーストにより
ダイアタッチして接着固定し、所定温度下において乾燥
した後、Ａｕ線によりワイヤボンディングを施して固定
実装するのである（図１（６））。
【００２６】その後は、ＩＣ実装空間内部にエポキシ樹
脂などのモールド樹脂２８をポッティングし（同図
（７））、乾燥固化による樹脂封止を完了させる（同図
（８））。この樹脂封止の後の製品に対し周波数調整を
行う（同図（９））。これは音叉型振動片１４をＩＣチ
ップ１８で駆動することにより得られる出力周波数を検
出しつつガラスリッド２４を介してレーザを照射し、音
叉から周波数調整分の重りを除去することで行う。この
とき、前記外部雰囲気への連通孔２２を除去領域の直下
に配置し、埋め込んでいるＡｕ−Ｇｅボールなど金ベー
スの材料の表面を臨ませ、ここに前記音叉型振動片１４
の周波数調整により飛散する金属製の重り材料を捕捉す
るようにすることが望ましい。このような周波数調整を
製品状態で行った後、マーキングを施して完成品とする
のである（同図（１０））。
脂などのモールド樹脂２８をポッティングし（同図
（７））、乾燥固化による樹脂封止を完了させる（同図
（８））。この樹脂封止の後の製品に対し周波数調整を
行う（同図（９））。これは音叉型振動片１４をＩＣチ
ップ１８で駆動することにより得られる出力周波数を検
出しつつガラスリッド２４を介してレーザを照射し、音
叉から周波数調整分の重りを除去することで行う。この
とき、前記外部雰囲気への連通孔２２を除去領域の直下
に配置し、埋め込んでいるＡｕ−Ｇｅボールなど金ベー
スの材料の表面を臨ませ、ここに前記音叉型振動片１４
の周波数調整により飛散する金属製の重り材料を捕捉す
るようにすることが望ましい。このような周波数調整を
製品状態で行った後、マーキングを施して完成品とする
のである（同図（１０））。
【００２７】このように構成された圧電振動デバイス１
０とその製造方法に関する実施形態によれば、セラミッ
クパッケージ本体１２において、音叉型振動片１４の実
装を行う第１凹部１６の開口部がパッケージ表面の横位
置に配設され、また、真空封止用に外部に貫通された連
通孔２２が開口部に設置されている。そして、ＩＣチッ
プ１８の実装を行う第２凹部２０の開口部がパッケージ
本体１２における裏面の、音叉型振動片実装部の横に設
置されているので、実装厚みが極めて薄くなり、同時に
体積量も小さくできるので、小容積小面積の圧電振動デ
バイスを得ることができる。圧電振動片の振動腕に溝や
長穴を設け、励振電極を形成することにより、極めて効
率的な圧電振動片が構成できる。このような圧電振動片
を採用することにより、平面実装面積も十分小さくする
ことができる。
０とその製造方法に関する実施形態によれば、セラミッ
クパッケージ本体１２において、音叉型振動片１４の実
装を行う第１凹部１６の開口部がパッケージ表面の横位
置に配設され、また、真空封止用に外部に貫通された連
通孔２２が開口部に設置されている。そして、ＩＣチッ
プ１８の実装を行う第２凹部２０の開口部がパッケージ
本体１２における裏面の、音叉型振動片実装部の横に設
置されているので、実装厚みが極めて薄くなり、同時に
体積量も小さくできるので、小容積小面積の圧電振動デ
バイスを得ることができる。圧電振動片の振動腕に溝や
長穴を設け、励振電極を形成することにより、極めて効
率的な圧電振動片が構成できる。このような圧電振動片
を採用することにより、平面実装面積も十分小さくする
ことができる。
【００２８】振動片の実装は、音叉をＡｇペースト（シ
リコン系）で接着し、また、開口部へのリッドを透明ガ
ラス板により形成しつつ、空間接合面積を小さくして破
損の危険性を回避した構造になっている。更に、低融点
ガラスでパッケージとガラスを接着するが、接着剤から
発生するガスの影響を振動片１４に及ぼすことが少な
い。同時に真空度を低下させる影響も小さくなってい
る。リッド２４はパッケージ本体１２の全体を覆うくら
いのサイズであり、第１凹部１６の覆う面積より固体接
合面積が大きいため、強度が高いものとなっている。
リコン系）で接着し、また、開口部へのリッドを透明ガ
ラス板により形成しつつ、空間接合面積を小さくして破
損の危険性を回避した構造になっている。更に、低融点
ガラスでパッケージとガラスを接着するが、接着剤から
発生するガスの影響を振動片１４に及ぼすことが少な
い。同時に真空度を低下させる影響も小さくなってい
る。リッド２４はパッケージ本体１２の全体を覆うくら
いのサイズであり、第１凹部１６の覆う面積より固体接
合面積が大きいため、強度が高いものとなっている。
【００２９】特にこの実施形態では、振動片実装内部を
真空にするための封止を真空中でＡｕ−Ｓｎや、Ａｕ−
Ｇｅボールなどの封止材２６をレーザによって溶かし封
止するので、振動片１４の接着剤やガラスリッド２４の
接着剤から出るガスを外部に放出した後に真空処理でき
る。したがって、振動片１４へのガス付着による劣化の
防止効果が高い。
真空にするための封止を真空中でＡｕ−Ｓｎや、Ａｕ−
Ｇｅボールなどの封止材２６をレーザによって溶かし封
止するので、振動片１４の接着剤やガラスリッド２４の
接着剤から出るガスを外部に放出した後に真空処理でき
る。したがって、振動片１４へのガス付着による劣化の
防止効果が高い。
【００３０】また、振動片１４の特性検査をＩＣチップ
１８の実装前に行うので、不良水晶振動片をここで検出
でき、ＩＣチップ１８を搭載した後になって、無駄に振
動片１４やＩＣチップ１８等を廃棄処分する必要がな
い。ＩＣチップ１８の実装に関して、ＩＣチップ１８は
Ａｕ線によるワイヤボンディング、Ａｌ線によるエッジ
ボンディングやＦＣＢなどが可能となり、ＩＣ実装の工
法を選ばない利点が得られる。更に、樹脂によるＩＣチ
ップ１８の封止を行うので、光遮蔽が確実になされ、ま
た、周波数調整がガラスリッド２４を介してレーザによ
り音叉先端の重りを取ることによって容易に行える。こ
の周波数調整は、製品の組立後に発振周波数を監視しな
がら実施できるので、ＩＣの容量バラツキに関係なく、
高精度な発振周波数を有する商品を得ることができる。
また、周波数調整加工における熱や衝撃による影響はほ
とんどないので、無視できるレベルの周波数変化に抑え
ることができる。
１８の実装前に行うので、不良水晶振動片をここで検出
でき、ＩＣチップ１８を搭載した後になって、無駄に振
動片１４やＩＣチップ１８等を廃棄処分する必要がな
い。ＩＣチップ１８の実装に関して、ＩＣチップ１８は
Ａｕ線によるワイヤボンディング、Ａｌ線によるエッジ
ボンディングやＦＣＢなどが可能となり、ＩＣ実装の工
法を選ばない利点が得られる。更に、樹脂によるＩＣチ
ップ１８の封止を行うので、光遮蔽が確実になされ、ま
た、周波数調整がガラスリッド２４を介してレーザによ
り音叉先端の重りを取ることによって容易に行える。こ
の周波数調整は、製品の組立後に発振周波数を監視しな
がら実施できるので、ＩＣの容量バラツキに関係なく、
高精度な発振周波数を有する商品を得ることができる。
また、周波数調整加工における熱や衝撃による影響はほ
とんどないので、無視できるレベルの周波数変化に抑え
ることができる。
【００３１】図３は第２実施形態に係る圧電振動デバイ
スを示している。この第２実施形態はＩＣチップ１８の
実装面をリッド２４の内面にした点が図２に示す第１の
実施形態と異なるところである。その他の構成は第１実
施形態の場合と同じである。更に、図４は第３実施形態
に係るデバイスを示しており、これは第１凹部１６の開
孔部分をガラスリッド２４で覆い、第２凹部２０の底を
リッド２４ではなくセラミックプレート１２ｄにより形
成するようにし、ガラスリッド２４と同一平面となるよ
うに設定したものである。
スを示している。この第２実施形態はＩＣチップ１８の
実装面をリッド２４の内面にした点が図２に示す第１の
実施形態と異なるところである。その他の構成は第１実
施形態の場合と同じである。更に、図４は第３実施形態
に係るデバイスを示しており、これは第１凹部１６の開
孔部分をガラスリッド２４で覆い、第２凹部２０の底を
リッド２４ではなくセラミックプレート１２ｄにより形
成するようにし、ガラスリッド２４と同一平面となるよ
うに設定したものである。
【００３２】これら第２、第３実施形態に係るデバイス
によっても第１実施形態と同様の作用効果を得ることが
できる。特にこれら第２、第３実施形態の場合には薄型
にできる効果が高い利点がある。また、上述した圧電振
動デバイスを搭載してリアルタイムクロックを構成すれ
ばよい。回路構成を図５に示す。リアルタイムクロック
の場合には、図２（３），図３（３）および図５から理
解できるように、一般発振器と異なり外部接続端子数が
多い。このデバイスをリアルタイムクロック３２として
用いることにより、小型で薄い構造とすることができ
る。本願は、小型薄型であるにもかかわらず外部端子を
多数設けることができる構造である。従って、発明の実
施の形態はリアルタイムクロックで説明したが、本願
は、多出力圧電振動デバイスや各種高機能圧電振動デバ
イスにも適している。
によっても第１実施形態と同様の作用効果を得ることが
できる。特にこれら第２、第３実施形態の場合には薄型
にできる効果が高い利点がある。また、上述した圧電振
動デバイスを搭載してリアルタイムクロックを構成すれ
ばよい。回路構成を図５に示す。リアルタイムクロック
の場合には、図２（３），図３（３）および図５から理
解できるように、一般発振器と異なり外部接続端子数が
多い。このデバイスをリアルタイムクロック３２として
用いることにより、小型で薄い構造とすることができ
る。本願は、小型薄型であるにもかかわらず外部端子を
多数設けることができる構造である。従って、発明の実
施の形態はリアルタイムクロックで説明したが、本願
は、多出力圧電振動デバイスや各種高機能圧電振動デバ
イスにも適している。
【００３３】なお、上記実施形態では圧電振動片として
音叉型振動片を用いた例を説明したが、ＡＴカット振動
片を用いることもできる。この場合には、第１凹部１６
内を真空にする必要がないが、一旦真空引きした後、通
口２２を用いて窒素ガスを封入する構造とすればよい。
また、リッド２４もガラスではなく金属リッドを用いる
ことができる。さらに、上記実施形態では圧電振動片と
して音叉型振動片を用いた例を説明したが、真空雰囲気
下での振動を要する腕を有する圧電振動片にも十分適用
できるものである。
音叉型振動片を用いた例を説明したが、ＡＴカット振動
片を用いることもできる。この場合には、第１凹部１６
内を真空にする必要がないが、一旦真空引きした後、通
口２２を用いて窒素ガスを封入する構造とすればよい。
また、リッド２４もガラスではなく金属リッドを用いる
ことができる。さらに、上記実施形態では圧電振動片と
して音叉型振動片を用いた例を説明したが、真空雰囲気
下での振動を要する腕を有する圧電振動片にも十分適用
できるものである。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
振動片実装部の真空度の低下や振動片の特性を劣化させ
ることがなく、周波数精度やエージング特性に優れた圧
電振動デバイス、その製造方法、およびセラミックパッ
ケージ、並びにリアルタイムクロックを得ることができ
る。また、振動片実装後の良品のみにＩＣチップを実装
できるようにして加工歩留まりを向上させることがで
き、放熱効果を高くして振動子精度を劣化させないよう
にすることも可能となる。
振動片実装部の真空度の低下や振動片の特性を劣化させ
ることがなく、周波数精度やエージング特性に優れた圧
電振動デバイス、その製造方法、およびセラミックパッ
ケージ、並びにリアルタイムクロックを得ることができ
る。また、振動片実装後の良品のみにＩＣチップを実装
できるようにして加工歩留まりを向上させることがで
き、放熱効果を高くして振動子精度を劣化させないよう
にすることも可能となる。
【図１】 本発明の実施形態に係る圧電振動デバイスの
製造工程図である。
製造工程図である。
【図２】 本発明に係る圧電振動デバイスの第１実施形
態を示すもので、（１）は断面図、（２）は平面図、
（３）は底面図である。
態を示すもので、（１）は断面図、（２）は平面図、
（３）は底面図である。
【図３】 本発明に係る圧電振動デバイスの第２実施形
態を示すもので、（１）は断面図、（２）は平面図、
（３）は底面図である。
態を示すもので、（１）は断面図、（２）は平面図、
（３）は底面図である。
【図４】 本発明に係る圧電振動デバイスの第３実施形
態の断面図である。
態の断面図である。
【図５】 同リアルタイムクロックの回路構成図であ
る。
る。
【図６】 従来の音叉型圧電振動デバイスの断面図であ
る。
る。
１０………圧電振動デバイス、１２………パッケージ本
体、１４………音叉型振動片、１６………第１凹部、１
８………ＩＣチップ、２０………第２凹部、２２………
通孔、２４………リッド、２６………封止材、２８……
…モールド樹脂、３０………外部電極。
体、１４………音叉型振動片、１６………第１凹部、１
８………ＩＣチップ、２０………第２凹部、２２………
通孔、２４………リッド、２６………封止材、２８……
…モールド樹脂、３０………外部電極。
Claims (13)
- 【請求項１】 ＩＣチップ実装に先立ってパッケージに
形成した専用の凹部に圧電振動片を実装し、当該凹部を
外部雰囲気と連通状態で凹部開口にリッドを実装した
後、外部連絡を真空下で遮断して当該振動片実装凹部を
密閉し、前記圧電振動片の適性判別処理の後にＩＣチッ
プを実装することを特徴とする圧電振動デバイスの製造
方法。 - 【請求項２】 パッケージに形成した第１の凹部に圧電
振動片を実装するとともに、前記第１凹部を外部雰囲気
に連通しつつリッドを取付けた後、前記第１凹部に設け
た外部雰囲気への連通を真空下で遮蔽密閉し、前記圧電
振動片の適正判別処理を行った後に、パッケージに形成
した第２の凹部に駆動用ＩＣチップを実装することを特
徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 前記圧電振動片は音叉型振動片であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の圧電振動デバ
イスの製造方法。 - 【請求項４】 前記リッドはガラスであることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１に記載の圧電振動デバ
イスの製造方法。 - 【請求項５】 前記外部雰囲気への連通孔を金ベースの
材料により埋め込み遮蔽し、前記圧電振動片の周波数調
整により飛散する材料を捕捉可能としたことを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか１に記載の圧電振動デバイ
スの製造方法。 - 【請求項６】 凹部を片面に形成したパッケージに圧電
振動片を実装した後、凹部を外部連通したまま開口にリ
ッドを実装して凹部の封止をなし、真空下において外部
連通孔を封止し、前記圧電振動片の特性検査を行い、し
かる後、前記凹部と別に形成された凹部に圧電振動片駆
動用のＩＣチップ実装をなし、当該ＩＣチップを樹脂封
止する前若しくは樹脂封止した後、製品の特性検査をな
す工程を経て製造することを特徴とする圧電振動デバイ
スの製造方法。 - 【請求項７】 パッケージ本体に各々独立して形成され
た圧電振動片実装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用凹部
とが形成され、前記圧電振動片実装用凹部には真空下で
の後埋め用の外部連通孔を形成してなり、各凹部内に圧
電振動片と駆動用ＩＣチップとを個別に実装してなるこ
とを特徴とする圧電振動デバイス。 - 【請求項８】 前記振動片実装用凹部の開口部とＩＣチ
ップ実装用凹部の開口部とはパッケージの表裏面に別個
に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の圧
電振動デバイス。 - 【請求項９】 前記パッケージ本体は圧電振動片実装用
空間を形成したプレートと、振動片駆動用ＩＣチップ実
装用空間を形成したプレートとを積層することにより形
成され、両プレートに実装用凹部を形成してなることを
特徴とする請求項８に記載の圧電振動デバイス。 - 【請求項１０】 前記パッケージ本体を圧電振動片実装
用凹部と振動片駆動用ＩＣチップ実装用貫通空間を形成
したプレートと、当該プレートに積層され前記圧電振動
片実装用凹部の開口を塞いで前記圧電振動片収容用の密
閉空間を形成するリッドとからなり、当該実装凹部の開
口を塞ぐリッドにより前記振動片駆動用ＩＣチップ実装
用空間の一方を塞いでＩＣチップ実装用凹部を形成し、
前記リッド内面にＩＣチップを実装してなることを特徴
とする請求項８に記載の圧電振動デバイス。 - 【請求項１１】 前記外部連絡通孔は前記圧電振動片の
周波数調整部位の直下に形成されていることを特徴とす
る請求項８に記載の圧電振動デバイス。 - 【請求項１２】 圧電振動デバイス用のセラミックパッ
ケージであって、パッケージ本体の表裏面に各々独立し
て形成された凹部を有し、一方の凹部にはリッドにより
密閉される開口ととともに真空下での後埋め用の外部連
絡通孔を形成してなることを特徴とするセラミックパッ
ケージ。 - 【請求項１３】 パッケージ本体に各々独立して形成さ
れた音叉型振動片実装用凹部と駆動用ＩＣチップ実装用
凹部とが形成され、前記音叉型振動片実装用凹部に振動
片を実装し、その後開口部を封止してなるガラスリッド
を備え、前記音叉型振動片実装用凹部に予め形成されて
真空下にて埋め込み遮蔽された後埋め用の外部連通孔を
有し、他の凹部に個別実装された音叉型振動片の駆動用
ＩＣチップを実装した圧電振動デバイスを搭載してなる
リアルタイムクロック。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264141A JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
| US10/278,971 US7429814B2 (en) | 2001-10-31 | 2002-10-24 | Apparatus and methods for manufacturing a piezoelectric resonator device |
| CNB021481342A CN1270439C (zh) | 2001-10-31 | 2002-10-30 | 压电振动装置及其制造方法、陶瓷封装体及实时时钟 |
| KR10-2002-0066421A KR100473969B1 (ko) | 2001-10-31 | 2002-10-30 | 압전 진동 디바이스의 제조 방법, 압전 진동 디바이스 및세라믹 패키지와 실시간 클럭 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001334144 | 2001-10-31 | ||
| JP2001-334144 | 2001-10-31 | ||
| JP2002264141A JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204222A true JP2003204222A (ja) | 2003-07-18 |
| JP2003204222A5 JP2003204222A5 (ja) | 2005-10-27 |
| JP4058760B2 JP4058760B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=26624234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002264141A Expired - Fee Related JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7429814B2 (ja) |
| JP (1) | JP4058760B2 (ja) |
| KR (1) | KR100473969B1 (ja) |
| CN (1) | CN1270439C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173750A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
| JP2007243536A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4998620B2 (ja) | 2009-09-14 | 2012-08-15 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動装置の製造方法 |
| JP2011139024A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | パッケージ、および、それを用いた振動デバイス |
| JP2012120014A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 圧電振動素子、その製造方法、圧電振動子及び圧電発振器 |
| TWI446125B (zh) * | 2012-05-25 | 2014-07-21 | Ubiq Semiconductor Corp | 即時時鐘模組之封裝體及其封裝方法 |
| DE102013102210B4 (de) * | 2013-03-06 | 2016-04-07 | Epcos Ag | Zur Miniaturisierung geeignetes elektrisches Bauelement mit verringerter Verkopplung |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138214A (en) * | 1989-12-27 | 1992-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric transducer and method of adjusting oscillation frequency thereof |
| JPH03243010A (ja) | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Seiko Electronic Components Ltd | 小型水晶振動子 |
| JPH08316732A (ja) | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振器およびその製造方法 |
| JP3248410B2 (ja) | 1995-10-25 | 2002-01-21 | 松下電器産業株式会社 | 発振装置 |
| JPH09298440A (ja) | 1996-04-26 | 1997-11-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用容器並びにこれを用いた圧電装置及びその 製造方法 |
| US5893726A (en) * | 1997-12-15 | 1999-04-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package with pre-fabricated cover and method of fabrication |
| US6229249B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-05-08 | Kyocera Corporation | Surface-mount type crystal oscillator |
| JP3523502B2 (ja) | 1998-09-28 | 2004-04-26 | 京セラ株式会社 | 圧電振動子用容器ならびに圧電振動子およびその製造方法 |
| JP2000134037A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
| JP2000134058A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
| JP2000269741A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器及び製造方法 |
| JP2000295039A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
| JP2000307368A (ja) | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子の製造方法 |
| JP2001028517A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| JP2001044760A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子及び電圧制御発振器並びにその製造方法 |
| JP2002118423A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| JP2002151994A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶振動子のパッケージ構造およびその製造方法 |
| JP2002319838A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及びそのパッケージ |
| JP2002280865A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
| JP3444420B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2003-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US6777613B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-08-17 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | Multifunctional crystal unit and method of manufacturing the same |
| JP3783235B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2006-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
-
2002
- 2002-09-10 JP JP2002264141A patent/JP4058760B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-24 US US10/278,971 patent/US7429814B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-30 CN CNB021481342A patent/CN1270439C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-30 KR KR10-2002-0066421A patent/KR100473969B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173750A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
| JP4572383B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス |
| JP2007243536A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100473969B1 (ko) | 2005-03-10 |
| JP4058760B2 (ja) | 2008-03-12 |
| CN1415431A (zh) | 2003-05-07 |
| KR20030036033A (ko) | 2003-05-09 |
| US7429814B2 (en) | 2008-09-30 |
| US20070200461A1 (en) | 2007-08-30 |
| CN1270439C (zh) | 2006-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6114635A (en) | Chip-scale electronic component package | |
| US8570110B2 (en) | Surface mount type crystal unit | |
| JP2004328505A (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2003204222A (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法、圧電振動デバイスおよびセラミックパッケージ、並びにリアルタイムクロック | |
| JP3870931B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| US7521843B2 (en) | Piezoelectric device | |
| JP2004056760A (ja) | 圧電デバイスと圧電デバイス用パッケージ、圧電デバイスの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 | |
| JP2010103600A (ja) | 振動子およびその製造方法 | |
| JP2008252836A (ja) | 圧電発振器 | |
| US8093101B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
| JP2002026679A (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージ | |
| JPH10303690A (ja) | 表面弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP2003032042A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
| JP3991274B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2011082736A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2010219876A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2003051719A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
| JP2008011125A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH02211705A (ja) | 圧電発振器 | |
| KR20080051711A (ko) | 반도체 칩 패키지 및 제조방법 | |
| JP2002026656A (ja) | Ｓａｗ発振器 | |
| JP2007180701A (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| CN219205144U (zh) | 芯片封装结构 | |
| WO2024111495A1 (ja) | 薄板サーミスタおよび薄板サーミスタ搭載型圧電振動デバイス | |
| KR100305673B1 (ko) | 적외선 검출기 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050824 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050824 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |