JP2003174345A - 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 - Google Patents
表面弾性波フィルターパッケージ製造方法Info
- Publication number
- JP2003174345A JP2003174345A JP2002108828A JP2002108828A JP2003174345A JP 2003174345 A JP2003174345 A JP 2003174345A JP 2002108828 A JP2002108828 A JP 2002108828A JP 2002108828 A JP2002108828 A JP 2002108828A JP 2003174345 A JP2003174345 A JP 2003174345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- chips
- saw filter
- package substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02913—Measures for shielding against electromagnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1078—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
ウェーハを基板に搭載した後に工程進行段階によって2
次に亙る分離工程を行うことにより、複数個のSAWフ
ィルターパッケージを一括して製造することにある。 【解決手段】 本発明のSAWチップパッケージ製造方
法は、複数個のSAWフィルターチップ13aを設けた
ウェーハ13と該チップ13aの形成位置に対応して複
数個の搭載部12aを設けたパッケージ基板12とを備
え、前記パッケージ基板12上にアンダーフィル16を
形成してから前記ウェーハ13を基板上に配置した後に
チップ間のウェーハ領域13b’を除去し、次いで金属
遮蔽層の形成とチップ外郭部に対するモールディング工
程を行った後に各パッケージ毎に分離することにより複
数個のSAWフィルターパッケージを単純な工程でも量
産できる製造方法を提供する。
Description
face Acoustic Wave)フィルターパッ
ケージの製造方法に関するものであって、より詳細には
複数個のSAWフィルターチップを設けたウェーハを各
チップに対応する搭載位置を設けたパッケージ基板に搭
載して2次に亙る分離工程を経て複数個のSAWフィル
ターパッケージを同時に製造できるSAWフィルターチ
ップパッケージの製造方法に関するものである。
ィルターという。)とは、周波数選択度を提供すべくR
F(無線周波数)フィルターまたはIF(影像周波数)
フィルターに応用される電子部品のことをいう。SAW
フィルターは表面近傍や表面に沿って弾性波を伝播する
活性化領域を含み、該活性化領域は表面状態によって大
変敏感に影響を受ける。
に、表面を外部の物理的影響から遮断すべくプロテクタ
ー(protector)を付着してエアーギャップ領域
を形成する。次いで、前記プロテクターを設けたSAW
フィルターチップを基板上に配置し、チップ外郭部に外
部の電気的影響を遮断すべく金属遮蔽層(metal s
hiel layer)を形成することによってパッケー
ジを完成する。このように、外部に敏感なSAWフィル
ターチップを保護するためのパッケージ工程は他の素子
のパッケージ工程と異なり大変複雑になり、殆どの工程
は個別SAWフィルターチップ毎の工程に依存せざるを
得ない。
フィルターチップのパッケージ製造方法をより詳細に説
明する。図3(A)ないし図3(F)は従来のSAWフ
ィルターチップのパッケージ製造工程を各段階毎に示す
工程断面図である。
SAWフィルターチップを設けたウェーハ(図示せず)を
個別チップ毎に分離してSAWフィルターチップ103
を備え、前記チップ103を配置する数個の搭載部10
2aを設ける基板102を設ける。さらに、SAWフィ
ルターチップ103の下面にエアーギャップを形成すべ
くプロテクター105を設け、前記基板の各搭載部10
2aは上面にフリップチップボンディングのためにバン
プ104を配置する。
AWフィルターチップ103を基板102の各搭載部に
個別に配置する。ここではフリップチップボンディング
方式により前記チップ103を基板102の配線部分と
電気的に連結すると同時に機械的に固定させる。そし
て、図3(C)に示すように、基板とチップとの空間に
アンダーフィル106(underfill)を充填す
る。基板とチップとの間にアンダーフィル106を形成
してからも、チップ103の下面の活性化領域はプロテ
クター105により形成されたエアーギャップにより保
護することができる。
縁端部のステップカバレージ(step coverag
e)を改善すべくフィレット107(fillet)を形
成する。前記フィレット107は絶縁物質から成り、チ
ップ103の縁端部に比較的緩やかな傾斜部を提供する
ことにより円滑なメッキ作業を図ることができる。
(E)に示すように、メッキ法によりチップ103の外
郭部に金属遮蔽層108を形成する。ここで、金属遮蔽
層108の形成工程は、外部に対する信頼性を確保すべ
く電気的影響を遮断することのできるメッキ層を形成し
た後、大気露出から発生し得る酸化現象を防止すべくメ
ッキ層をさらに形成する。前記金属遮蔽層108の形成
工程が完了すると、完成品を識別すべくマーキング作業
を施す。即ち、図3(F)に示すように、金属遮蔽層1
08の上端面に濃色系のペーストを塗布し識別層109
を形成する。
Wフィルターチップのパッケージ製造方法においては、
基板上に複数個のSAWパッケージチップを形成する実
際の工程が各チップ単位で行われる。即ち、ウェーハ単
位で生産された複数個のチップを個別チップに分離した
後に各々チップをパッケージ基板に搭載し、各チップと
基板との間にアンダーフィルを形成しなければならず、
さらにフィレットまたは金属遮蔽層形成工程やマーキン
グ工程においても個別チップ単位で工程を進めなければ
ならない。従って、全体としてのパッケージ製造工程が
大変複雑になる。また、アンダーフィル形成工程におい
て、隣接したチップの下部に形成されたアンダーフィル
が相互連結する場合、金属メッキ工程において該アンダ
ーフィルの連結幅だけパッケージの側面下端に金属遮蔽
層が形成されないこともある。従って、これに鑑みて個
別チップ単位の精密なアンダーフィル工程が要求され
る。
プ単位で各工程を行う為、全体の工程のみならず個別工
程段階までも複雑にならざるを得ない。とりわけ、SA
Wフィルターパッケージは外部ノイズに対する遮蔽性の
確保及び信頼性の向上のための金属遮蔽層形成工程やこ
のためのフィレット形成工程等、それ自体の工程が複雑
で一括した工程方式を採用するにも困難であった。従っ
て、当技術分野においては、外部の信頼性を確保できる
構造を形成しながら、ウェーハ単位で一括した工程を実
行可能なSAWフィルターパッケージの製造工程が要求
されてきた。
なされたものであり、その目的は、複数個のSAWフィ
ルターチップを形成したウェーハと該チップ形成位置に
対応する複数個の搭載部を設けた基板とを備え、前記ウ
ェーハを前記基板に搭載した後に工程進行段階によって
2次に亙る分離工程を行うことにより、複数個のSAW
フィルターパッケージを一括して製造できるパッケージ
の製造方法を提供することにある。
に、本発明は、複数個のSAWフィルターチップを形成
したウェーハと、前記ウェーハに形成したチップの位置
に対応する位置に複数個の搭載部を設けたパッケージ基
板を備える段階と、前記パッケージ基板に設ける複数個
の搭載部にアンダーフィルを形成する段階と、前記複数
個のSAWフィルターチップが前記複数個の搭載部に各
々連結されるよう前記ウェーハを前記パッケージ基板上
に配置する段階と、前記複数個のSAWフィルターチッ
プ単位で分離するため前記SAWフィルターチップの間
のウェーハ領域を除去する段階と、前記分離した複数個
のSAWフィルターチップの外郭部に金属遮蔽層を形成
する段階と、前記パッケージ基板の上面を樹脂類でモー
ルディングする段階と、前記SAWフィルターチップパ
ッケージ単位で前記モールディングしたパッケージ基板
を分離する段階とを有することを要旨とする。
ージ基板の搭載部は各々、前記チップとパッケージ基板
とをフリップチップボンディング方式で連結すべく複数
個のバンプを設け、前記SAWフィルターチップを基板
に形成された配線に電気的に連結すると同時に機械的に
固定することができる。また、 本発明においては、前
記SAWフィルターチップの間のウェーハ領域を除去す
べくエッチング工程または所定の切断幅を有するブレー
ド中いずれか一つを選択して用いることができる。ブレ
ードを使用する場合には、前記チップの間の領域幅と実
質的に同一な切断幅を有するブレードを使用することが
好ましい。さらに、前記SAWフィルターチップパッケ
ージの境界に沿ってブレードを用いて前記モールディン
グしたパッケージ基板を分離することができる。前記S
AWフィルターチップパッケージの境界は前記チップの
間の実質的な中央部分と定めることができる。さらに、
前記モールディングしたパッケージ基板を分離する段階
において使用するブレードの切断幅は、前記チップの間
のウェーハ領域を除去する段階において使用するブレー
ドのものよりずっと小さいことが好ましい。
SAWフィルターチップの間のウェーハ領域を除去した
後に露出する前記SAWフィルターチップの側壁に絶縁
性物質によりフィレット(fillet)を形成する段階
を追加することもできる。前記フィレットは、エッチン
グ等によるウェーハ分離工程において側面下端に露出し
たアンダーフィルの損傷部分を補償する役目と共に、金
属遮蔽層を形成する工程を容易にすべくステップカバレ
ージ(step-coverage)を改善する機能も働
く。本発明の好ましき実施の形態においては、前記金属
遮蔽層を形成する段階は、スプレー方式により導電性エ
ポキシで形成することがよい。スプレー方式による場
合、チップ側面の段差に影響されず金属遮蔽層をチップ
外郭全体に形成できるという利点がある。さらに、本発
明においては、前記パッケージ基板の上面をEMC(e
poxy molding compound)トップモ
ールディング法により直方体形状等の単純な外郭形態に
容易にモールディングすることができる。こうした単純
な形状は構造的に堅固という利点がある。ここで用いる
樹脂類としては熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、またはエ
ポキシ樹脂等を挙げられる。
ましき実施の形態をより詳細に説明する。図1(A)な
いし図2(D)は本発明の好ましき実施の形態によるS
AWフィルターチップパッケージの製造工程を各段階毎
に示す工程断面図である。
SAWフィルターチップ13aを形成したウェーハ13
と、複数個のチップを連結すべく複数個の搭載部12a
を設けたパッケージ基板(パッケージ用基板)12を備
える。前記ウェーハ13上の各SAWフィルターチップ
13aの位置は、前記パッケージ基板12の複数個の搭
載部12aの位置と一致する。さらに、前記ウェーハ1
3に形成された複数個のSAWフィルターチップ13a
は各々その下面にプロテクター15を設けて表面を保護
すべくエアーギャップ領域を成し、前記パッケージ基板
12は前記搭載部12bの上面にSAWフィルターチッ
プ13とのフリップチップボンディングのためのバンプ
14を設けることができる。
搭載した後にアンダーフィル形成工程を行ったが、本発
明においてはウェーハ13の搭載前にアンダーフィル材
を先に供給する。つまり、図1(B)に示すように、ア
ンダーフィル材16をパッケージ基板12の上面全体に
供給し、前記アンダーフィル材16が硬化する前に、図
1(C)に示すように前記ウェーハ12上に形成した複
数個のチップ13aが各搭載部12bに一致するよう前
記ウェーハ13をパッケージ基板12上に配置する。こ
こで、各搭載部12b上のバンプ14を用いて各チップ
13aをパッケージ基板12に形成した配線部分と電気
的に連結すると同時に機械的に固定させる。
AWフィルターチップ13aの間のウェーハ領域13
b’を除去して前記複数個のSAWフィルターチップ1
3aに各々分離する。こうしたチップウェーハ分離工程
はエッチング工程やブレードを用いたダイシング(di
cing)工程で行うことができる。前記ウェーハ領域
分離工程は、前記除去するチップの間の領域下のアンダ
ーフィルまで除去する方が、後続のメッキ工程により形
成される金属遮蔽層をチップ側面まで充分に形成でき
る。
ェーハ領域分離工程後に前記SAWフィルターチップ1
3aの側面にフィレット17をさらに形成することもで
きる。前記フィレット17は各チップ13aの側面が傾
斜になるよう形成した絶縁物質から成る構造物として、
チップ側面部と基板の段差を緩和することができる。即
ち、ステップカバレージを改善して後続の金属遮蔽層の
形成工程を円滑に行えるようにする。さらに、前記分離
した複数個のSAWフィルターチップ13aの外郭部に
金属遮蔽層18を形成する。前記金属遮蔽層18はチッ
プ上端領域及び前記フィレット17が形成されたチップ
側面領域を含むチップ13aの全領域に形成される。前
記金属遮蔽層18は外部からのノイズの影響を遮断する
役目を果たし、一般的にメッキ法により形成する。
他の工程により形成することもできる。例えば、スプレ
ー方式を用いて導電性エポキシを塗布することによって
金属遮蔽層を形成することもできる。スプレー方式によ
る金属遮蔽層形成工程はチップと基板の段差による塗布
不良の問題が起こらない為、図2(A)に示すフィレッ
ト形成工程を省略することもできる。
ィルターチップ13aを配置したパッケージ基板12の
上面を樹脂類で塗布し樹脂モールディング部20を形成
する。即ち、樹脂類物質をチップ13aの全上端面はも
ちろん、チップの間のウェーハ領域13bに形成された
凹部13b'を全て充填することで樹脂モールディング
部20を形成する。ここで用いる樹脂類としては熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂等を選択的に採択
でき、エポキシを用いたモールディング法とEMC(e
poxy molding compound)トップモ
ールディング法等を選択的に利用することができる。エ
ポキシを用いる場合に、その流れ性によりパッケージ基
板の外部にエポキシが溢れるおそれがあるので、前記パ
ッケージ基板12の製造にあたって予め基板12上の外
郭部を取り囲むダム構造物(図示せず)を形成しておくこ
とが好ましい。
AWフィルターチップパッケージ単位に前記モールディ
ングしたパッケージ基板12を分離する。該工程におい
ては図1(D)のウェーハ分離工程と異なりチップパッ
ケージ間の境界に沿って微細な切削工程を施さねばなら
ないので、切断幅の狭いブレード22を用いる。つま
り、図1(D)のウェーハ分離工程および切断幅の狭い
ブレード22による2次に亙る分離工程を経て複数個の
SAWフィルターパッケージを同時に製造できる。前記
SAWフィルターチップパッケージの境界はチップ間領
域の中央部分に定めることが好ましい。全てのチップパ
ッケージ間領域の中央部分を切削線として分離すること
により図2(D)に示すような個別SAWパッケージチ
ップパッケージを得ることができる。
及び添付の図面により限定されるものではなく、添付し
た請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に
記載した本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な
る形態の置換、変形及び変更が可能なことは、当業界に
おいて通常の知識を有する者には明らかである。
ッケージ製造方法によると、複数個のSAWフィルター
チップを形成したウェーハと該チップの形成位置に対応
する複数個の搭載部を有するパッケージ基板を設け、前
記パッケージ基板上にアンダーフィルを形成した後にチ
ップ間のウェーハ領域を除去し、次いで金属遮蔽層形成
とチップ外郭部のモールディング工程を行ってから各パ
ッケージ単位に分離することによって、複数個のSAW
フィルターパッケージを簡単な工程で効率良く生産する
ことができる。
よるSAWフィルターチップパッケージの製造工程を各
段階毎に示す工程断面図である。
よるSAWフィルターチップパッケージの製造工程を各
段階毎に示す工程断面図である。
チップパッケージの製造工程を各段階毎に示す工程断面
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 複数個のSAWフィルターチップが形成
されたウェーハと、前記ウェーハに形成されたチップの
位置と対応する位置に複数個の搭載部を設けたパッケー
ジ基板を備える段階と、 前記パッケージ基板に設けられた前記複数個の搭載部に
アンダーフィルを形成する段階と、 前記複数個のSAWフィルターチップが前記複数個の搭
載部に各々連結させる前記ウェーハを前記パッケージ基
板上に配置する段階と、 前記複数個のSAWフィルターチップ単位で分離する前
記SAWフィルターチップ間のウェーハ領域を除去する
段階と、 前記分離された複数個のSAWフィルターチップの外郭
部に金属遮蔽層を形成する段階と、 前記パッケージ基板の上面を樹脂類によりモールディン
グする段階と、 前記SAWフィルターチップパッケージ単位で前記モー
ルディングしたパッケージ基板を分離する段階と、 を有することを特徴とする表面弾性波フィルターパッケ
ージ製造方法。 - 【請求項2】 前記パッケージ基板の各搭載部は、前記
SAWフィルターチップと電気的、機械的に連結する複
数個のバンプが設けられることを特徴とする請求項1に
記載の表面弾性波フィルターパッケージ製造方法。 - 【請求項3】 前記SAWフィルターチップ間のウェー
ハ領域を除去する段階は、 エッチング工程を用いて前記SAWフィルターチップ間
のウェーハ領域を除去する段階であることを特徴とする
請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージ製造
方法。 - 【請求項4】 前記SAWフィルターチップ間のウェー
ハ領域を除去する段階は、 前記チップ間の領域幅と実質的に同一な切断幅を有する
ブレードを用いて前記複数個のSAWフィルターチップ
単位に分離する前記ウェーハをダイシング(dicin
g)することを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波
フィルターパッケージ製造方法。 - 【請求項5】 前記モールディングされたパッケージ基
板を分離する段階は、 前記SAWフィルターチップパッケージの境界に沿って
ブレードを用いて前記モールディングされたパッケージ
基板を分離する段階であることを特徴とする請求項1に
記載の表面弾性波フィルターパッケージ製造方法。 - 【請求項6】 前記SAWフィルターチップパッケージ
の境界は、前記チップ間の実質的に中央部分に定めるこ
とを特徴とする請求項5に記載の表面弾性波フィルター
パッケージ製造方法。 - 【請求項7】 前記モールディングされたパッケージ基
板を分離する段階において用いるブレードの切断幅は前
記チップ間のウェーハ領域を除去する段階に用いるブレ
ードの切断幅より小さいことを特徴とする請求項5に記
載の表面弾性波フィルターパッケージ製造方法。 - 【請求項8】 前記金属遮蔽層を形成する段階は、 スプレー方式により導電性エポキシで形成する段階であ
ることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィル
ターパッケージ製造方法。 - 【請求項9】 前記パッケージ基板の上面をモールディ
ングする段階は、 EMC(epoxy molding compound)
トップモールディング法によりモールディングする段階
であることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フ
ィルターパッケージ製造方法。 - 【請求項10】 前記パッケージ基板の上面をモールデ
ィングするのに用いる樹脂類は、 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及びエポキシ樹脂から成る
グループの中から選択されたいずれか一種の物質である
ことを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルタ
ーパッケージ製造方法。 - 【請求項11】 前記パッケージ基板は、その縁端部に
沿って前記パッケージ基板を取り囲むダム構造物が設け
られることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フ
ィルターパッケージ製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2001-77278 | 2001-12-07 | ||
KR10-2001-0077278A KR100431181B1 (ko) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003174345A true JP2003174345A (ja) | 2003-06-20 |
JP3836746B2 JP3836746B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=19716766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002108828A Expired - Fee Related JP3836746B2 (ja) | 2001-12-07 | 2002-04-11 | 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6670206B2 (ja) |
JP (1) | JP3836746B2 (ja) |
KR (1) | KR100431181B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005094257A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP2005328205A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型sawデバイス及びその製造方法 |
JP2006217225A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
WO2006093078A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
CN108288614A (zh) * | 2017-01-10 | 2018-07-17 | 株式会社迪思科 | 半导体器件芯片和半导体器件芯片的制造方法 |
KR102064380B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2020-01-10 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6798931B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-09-28 | Digital Optics Corp. | Separating of optical integrated modules and structures formed thereby |
JP2003045901A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
US7176506B2 (en) | 2001-08-28 | 2007-02-13 | Tessera, Inc. | High frequency chip packages with connecting elements |
JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
TWI256719B (en) * | 2002-03-06 | 2006-06-11 | Via Tech Inc | Semiconductor device package module and manufacturing method thereof |
KR20030082129A (ko) * | 2002-04-16 | 2003-10-22 | 넥스콘세미텍(주) | 휴대용 단말기 배터리 보호회로의 패키지 제조방법 |
JP3529050B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2004-05-24 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3702961B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2005-10-05 | 東洋通信機株式会社 | 表面実装型sawデバイスの製造方法 |
US7754537B2 (en) * | 2003-02-25 | 2010-07-13 | Tessera, Inc. | Manufacture of mountable capped chips |
JP3689414B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2005-08-31 | 東洋通信機株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
KR100541084B1 (ko) | 2003-08-20 | 2006-01-11 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 및 그에 사용되는패키지 시트 |
TWI301336B (en) * | 2003-12-24 | 2008-09-21 | Delta Electronics Inc | High frequency filter |
CN1670978B (zh) * | 2004-02-26 | 2010-12-29 | 京瓷株式会社 | 电子装置的制造方法 |
CN100477513C (zh) * | 2004-06-28 | 2009-04-08 | 京瓷株式会社 | 声表面波装置的制造方法以及无线通信设备 |
US8143095B2 (en) | 2005-03-22 | 2012-03-27 | Tessera, Inc. | Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips |
KR100691160B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법 |
JP4750523B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-08-17 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5229988B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 流体アクチュエータ並びにこれを用いた発熱装置及び分析装置 |
CN100485932C (zh) * | 2005-12-22 | 2009-05-06 | 株式会社东芝 | 半导体器件、电气设备 |
US7936062B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-05-03 | Tessera Technologies Ireland Limited | Wafer level chip packaging |
DE102006005994A1 (de) * | 2006-02-08 | 2007-08-16 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung derartiger Halbleiterbauteile |
KR100679684B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-02-06 | 삼성전자주식회사 | 외곽에 보호층이 형성된 웨이퍼 레벨 반도체 소자 제조방법 |
JP4886485B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
US8604605B2 (en) | 2007-01-05 | 2013-12-10 | Invensas Corp. | Microelectronic assembly with multi-layer support structure |
US7687895B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-03-30 | Infineon Technologies Ag | Workpiece with semiconductor chips and molding, semiconductor device and method for producing a workpiece with semiconductors chips |
DE102007020656B4 (de) | 2007-04-30 | 2009-05-07 | Infineon Technologies Ag | Werkstück mit Halbleiterchips, Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Werkstücks mit Halbleiterchips |
US8101460B2 (en) | 2008-06-04 | 2012-01-24 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of shielding semiconductor die from inter-device interference |
US7981730B2 (en) * | 2008-07-09 | 2011-07-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated conformal shielding method and process using redistributed chip packaging |
FR2940588B1 (fr) * | 2008-12-19 | 2011-01-07 | St Microelectronics Grenoble | Ensemble multicomposant blinde a montage en surface |
US8987030B2 (en) * | 2009-08-13 | 2015-03-24 | Knowles Electronics, Llc | MEMS package and a method for manufacturing the same |
US9399574B2 (en) | 2009-08-13 | 2016-07-26 | Knowles Electronics Llc | MEMS package and a method for manufacturing the same |
US20110221053A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Qualcomm Incorporated | Pre-processing to reduce wafer level warpage |
US9324659B2 (en) * | 2011-08-01 | 2016-04-26 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming POP with stacked semiconductor die and bumps formed directly on the lower die |
US20130075892A1 (en) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for Three Dimensional Integrated Circuit Fabrication |
KR20130123682A (ko) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
KR101998455B1 (ko) | 2012-12-11 | 2019-07-09 | 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 | 듀플렉서들 및 공존 무선 통신 시스템들을 위한 수동 누설 소거 회로망들 |
FR3003688B1 (fr) * | 2013-03-22 | 2016-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'assemblage flip chip comportant le pre-enrobage d'elements d'interconnexion |
WO2015089091A1 (en) | 2013-12-10 | 2015-06-18 | University Of Southern California | Enhancing isolation and impedance matching in hybrid-based cancellation networks and duplexers |
WO2015123586A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | University Of Southern California | Reflection and hybrid reflection filters |
WO2015123668A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | University Of Southern California | Hybrid-based cancellation in presence of antenna mismatch |
WO2015127097A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | University Of Southern California | Miniature acoustic resonator-based filters and duplexers |
US9892952B2 (en) * | 2014-07-25 | 2018-02-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture |
US10242957B2 (en) * | 2015-02-27 | 2019-03-26 | Qualcomm Incorporated | Compartment shielding in flip-chip (FC) module |
US9866201B2 (en) | 2015-09-08 | 2018-01-09 | Abtum Inc. | All-acoustic duplexers using directional couplers |
US9762416B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-09-12 | Abtum Inc. | Reflection coefficient reader |
US10581650B2 (en) | 2015-09-08 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Enhancing isolation in radio frequency multiplexers |
US9912326B2 (en) | 2015-09-08 | 2018-03-06 | Abtum Inc. | Method for tuning feed-forward canceller |
US9755668B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-09-05 | Abtum Inc. | Radio frequency complex reflection coefficient reader |
US10038458B2 (en) | 2015-10-06 | 2018-07-31 | Abtum Inc. | Reflection-based radio-frequency multiplexers |
US10476530B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-12 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid-coupler-based radio frequency multiplexers |
CN210201797U (zh) | 2016-09-21 | 2020-03-27 | Qorvo美国公司 | 射频双工器和具有增强隔离的可调谐射频双工器 |
KR20180107877A (ko) | 2017-03-23 | 2018-10-04 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
TWI636533B (zh) | 2017-09-15 | 2018-09-21 | Industrial Technology Research Institute | 半導體封裝結構 |
WO2021114140A1 (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 广东省半导体产业技术研究院 | 滤波芯片封装方法及封装结构 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103820B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1994-12-14 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
JPH07111438A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置、及びその製造方法 |
JPH1084014A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-03-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6096155A (en) * | 1996-09-27 | 2000-08-01 | Digital Optics Corporation | Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements |
JPH10256417A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
JPH11150440A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nec Corp | フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造 |
DE19806818C1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-11-04 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements |
US5969461A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-19 | Cts Corporation | Surface acoustic wave device package and method |
US6008070A (en) * | 1998-05-21 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Wafer level fabrication and assembly of chip scale packages |
JP3306382B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2002-07-24 | 東光株式会社 | 表面弾性波素子の製造方法 |
JP3423897B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2003-07-07 | 宮崎沖電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001044226A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6287894B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-09-11 | Andersen Laboratories, Inc. | Acoustic device packaged at wafer level |
FR2799883B1 (fr) * | 1999-10-15 | 2003-05-30 | Thomson Csf | Procede d'encapsulation de composants electroniques |
US6514789B2 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-04 | Motorola, Inc. | Component and method for manufacture |
US6242283B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-06-05 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wafer level packaging process of semiconductor |
US6310403B1 (en) * | 2000-08-31 | 2001-10-30 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing components and component thereof |
-
2001
- 2001-12-07 KR KR10-2001-0077278A patent/KR100431181B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-11 JP JP2002108828A patent/JP3836746B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-11 US US10/119,725 patent/US6670206B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005094257A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP2005328205A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型sawデバイス及びその製造方法 |
JP2006217225A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
WO2006093078A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
US7474175B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device |
CN1943111B (zh) * | 2005-03-03 | 2010-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 弹性表面波装置 |
CN108288614A (zh) * | 2017-01-10 | 2018-07-17 | 株式会社迪思科 | 半导体器件芯片和半导体器件芯片的制造方法 |
CN108288614B (zh) * | 2017-01-10 | 2023-03-28 | 株式会社迪思科 | 半导体器件芯片的制造方法 |
KR102064380B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2020-01-10 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
US11637539B2 (en) | 2018-06-22 | 2023-04-25 | Wisol Co., Ltd. | Surface acoustic wave device package and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030109077A1 (en) | 2003-06-12 |
KR20030046940A (ko) | 2003-06-18 |
JP3836746B2 (ja) | 2006-10-25 |
KR100431181B1 (ko) | 2004-05-12 |
US6670206B2 (en) | 2003-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3836746B2 (ja) | 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 | |
US7488620B2 (en) | Method of fabricating leadframe based flash memory cards including singulation by straight line cuts | |
US7934313B1 (en) | Package structure fabrication method | |
KR100431180B1 (ko) | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 | |
JP4452235B2 (ja) | パッケージ構造とその製造方法 | |
US20070296079A1 (en) | Heat dissipating structure and method for fabricating the same | |
JP2001244281A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI430425B (zh) | 採用凸塊技術之積體電路封裝件系統 | |
US9842794B2 (en) | Semiconductor package with integrated heatsink | |
KR101374145B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2006294701A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US10461002B2 (en) | Fabrication method of electronic module | |
JP2008211125A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11081435B2 (en) | Package substrate and flip-chip package circuit including the same | |
US8999763B2 (en) | Package including an interposer having at least one topological feature | |
TWI606525B (zh) | 具有鍍覆引線之積體電路封裝系統及其製造方法 | |
KR100871379B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조방법 | |
US8629537B2 (en) | Padless die support integrated circuit package system | |
US20080006933A1 (en) | Heat-dissipating package structure and fabrication method thereof | |
KR101565016B1 (ko) | 휨 개선을 위한 반도체 패키지 구조 및 방법 | |
JP2003163313A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9184067B1 (en) | Methods of mitigating defects for semiconductor packages | |
KR20090009137U (ko) | 인쇄회로기판 | |
KR20140137535A (ko) | 집적회로 패키지 제조방법 | |
JP2003338589A (ja) | Bgaパッケージ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060111 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |