JP2003167365A - 単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents

単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ

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JP2003167365A
JP2003167365A JP2002237791A JP2002237791A JP2003167365A JP 2003167365 A JP2003167365 A JP 2003167365A JP 2002237791 A JP2002237791 A JP 2002237791A JP 2002237791 A JP2002237791 A JP 2002237791A JP 2003167365 A JP2003167365 A JP 2003167365A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電性、感度が良好で、かつ耐光性、耐久性
に優れ、複写プロセスを繰り返しても静電特性の安定性
に富んだ単層型電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 アゾ化合物(Ar(−N=N−C
p)n:Arは芳香族炭化水素基または芳香族複素環
基、Cpはカップラー残基)と高分子電荷輸送物質とを
含む感光体を用い、導電性支持体上に直接または中間層
を介して単層の感光層を設ける。この単層型電子写真感
光体を帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、ク
リーニング手段、除電手段などを備えた感光体として電
子写真装置に搭載する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真プロセスを
用いた複写機、プリンター等に用いられる単層型電子写
真用感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写
真装置用プロセスカートリッジに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電体としては、大きく分けて種々の無機及
び有機光導電体が知られている。ここにいう「電子写真
方式」とは、一般に、光導電性の感光体をまず暗所で、
例えば、コロナ放電によって帯電させ、次いで像露光
し、露光部のみの電荷を選択的に逸散させて静電潜像を
得、この潜像部を染料、顔料などの着色剤と高分子材料
などで構成されるトナーで現像し、可視化して画像を形
成するようにした、いわゆるカールソンプロセスと呼ば
れる画像形成プロセスである。有機の光導電体を用いた
感光体は無機光導電体に比べ、感光波長域の自由度、成
膜性、可撓性、膜の透明性、量産性、毒性やコスト面等
において利点を持つため、有機材料を用いた感光体の開
発が積極的になされ、実用に供されている。
【0003】実用化された感光体のほとんどは、電荷発
生機能を有する層(CGL)と電荷輸送機能を有する層
(CTL)とからなる積層型の構成であり、もっぱら負
帯電プロセスに用いられている。その理由は積層型で
は機械的強度に富み、膜厚の設計が可能なCTLを表面
層に配置することでプロセスに供された状態で十分な機
械的耐久性を感光体に保持させることが可能となるから
である。また、高速複写プロセスにおいても支障のな
い程度の高い電荷移動度を示す有機材料は現在のところ
ほとんど正孔移動の性質を示すドナー性化合物に限られ
ているため、ドナー性化合物で形成されたCTLを表面
側に配置した感光体となり、その帯電極性は負帯電とな
るためである。しかしながら、このような機能分離構造
は新たな問題を生じている。
【0004】その1つ目は感光体の負帯電に由来するも
のである。電子写真プロセスにおける信頼性の高い帯電
方式はコロナ帯電、或いは接触帯電によるものであり、
ほとんどの複写機、プリンターにはこの方式が採用され
ている。しかし周知のごとく、正極性と比較して負極性
の帯電は不安定である。また、負極性のコロナ帯電は化
学的損傷を引き起こす物質であるオゾン、及びNOxの
発生をより多く伴うため、環境問題、或いは感光体の損
傷の点で問題を有している。また、接触帯電では、オゾ
ン、NOxの発生量は非常に少ないが、感光体に近接す
る帯電方式のため、感光体に多大の損傷を与える問題を
有している。
【0005】2つ目は、感光体の積層構造に由来するも
のである。有機材料を用いた感光体の製造では、真空蒸
着法よりも安価な溶液塗布法を用いることが可能である
が、このような積層タイプの感光体を製造すためには少
なくとも2回の塗布操作、通常は感光体の帯電性確保の
ため導電性支持体上(導電性支持体と感光層との間)に
中間層を設けてあるため3回の塗布操作が必要であり、
これら複数回の塗布操作は感光体のコストアップにつな
がる。さらに、感度及び耐久性のバランスを保ち、か
つ、良好な画像を得るために、CGLの厚さをサブミク
ロンの範囲で管理することも製造コストをいっそう引き
上げる要因となっている。
【0006】こうした問題を考慮すると、有機材料を用
いた感光体としては、正帯電プロセスでの使用が可能な
単層型構成が望ましい事が理解できる。さらに、該感光
体がそのまま、或いは若干の変更で負帯電プロセスに用
いことが可能であれば、安価で使用環境の自由度が高い
利点を有する感光体を創製することが出来る事も理解さ
れる。
【0007】従来、単層型の感光体としては、ポリビ
ニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンとからなる
電荷移動錯体感光体(USP3489237)、チア
ピリリウム染料とポリカーボネートからなる共晶錯体
(J.Appl.Phys.495555(197
8))、ペリレン系顔料及びヒドラゾン化合物が樹脂
中に分散された感光体(特開平2−37354号)があ
る。このうち、、は感光体の感度が低い上、静電
的、機械的耐久性は低く、繰り返し使用の点で問題があ
った。は感光体の感度が低いため、高速の複写プロセ
スには不適な欠点を伴っていた。さらに、実用化されて
いる積層型感光体の成分を単に分散した場合には、帯電
電位、感度が低く、特に、耐光性や静電的、機械的耐久
性が低い等のため、繰り返しの使用で静電特性が大きく
変動する欠点があった。このように、単層型感光体にお
いては高感度で高耐久な有機材料の開発が課題となって
いる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、帯電
性、感度が良好で、かつ、耐光性、耐久性に優れ、複写
プロセスを繰り返しても静電特性の安定性に富んだ単層
型電子写真感光体を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、感光層に下記一般式
(1)で示されるアゾ化合物と高分子電荷輸送物質とを
含有する単層型電子写真感光体が上記目的に対して有効
であることを見出し、本発明に至った。
【0010】
【化63】
【0011】(一般式(1)中、Arは結合基を介して
結合しても良い置換または無置換の芳香族炭化水素基ま
たは芳香族複素環基を、Cpはカップラー残基を、nは
1、2、3、4の整数を示す。該Cpの少なくとも1つ
は下記一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)より
選ばれたカップラー残基である。
【0012】
【化64】
【0013】一般式(2)、一般式(3)、一般式
(4)中、R51、R52、R53、R54、R 55及びR56は水
素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、X51
水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または
無置換の芳香族炭化水素基、置換または無置換の複素環
基、置換または無置換のアミノ基を、Y51は置換または
無置換のアルキレン基、置換または無置換の芳香族性を
有する2価の有機残基、置換または無置換の複素環芳香
族性を有する2価の有機残基、−CO−Z−で示される
カルボニル基含有2価の有機残基(ただし、Zは置換ま
たは無置換のアルキレン基、置換または無置換の芳香族
性を有する2価の有機残基、置換または無置換の複素環
芳香族性を有する2価の有機残基を示す。)を示す。)
【0014】すなわち、上記課題は、本発明の「導電性
支持体上に直接または中間層を介して単層の感光層を設
けてなる単層型電子写真感光体において、感光層に一般
式(1)で示されるアゾ化合物と高分子電荷輸送物質と
を含有することを特徴とする単層型電子写真感光体」、
及び「前記アゾ化合物において、一般式(2)で示され
るカップラー残基が一般式(5)で示されるカップラー
残基であることを特徴とする単層型電子写真感光体」、
及び「前記アゾ化合物において、一般式(1)中のnが
2、3、4の時、Cpの少なくとも1つは一般式(6)
で示されるカップラー残基であることを特徴とする請求
項1記載の単層型電子写真感光体」、及び「前記アゾ化
合物において、一般式(1)中のnが2、3、4の時、
Cpの少なくとも1つは一般式(7)、一般式(8)よ
り選ばれたカップラー残基であることを特徴とする単層
型電子写真感光体」により達成される。
【0015】また、上記課題は、本発明の「前記感光層
は、さらに、アクセプター性化合物を含有することを特
徴とする単層型電子写真感光体」、及び「前記アクセプ
ター性化合物が一般式(9)で示される2,3−ジフェ
ニルインデン化合物であることを特徴とする単層型電子
写真感光体」、及び「前記感光層は、さらに、フェノー
ル化合物を含有することを特徴とする単層型電子写真感
光体」、及び「前記フェノール化合物が一般式(10)
で示されるフェノール化合物であることを特徴とする単
層型電子写真感光体」、及び「導電性支持体上に直接ま
たは中間層を介して単層の感光層を設けてなる単層型電
子写真感光体において、前記感光層は少なくとも電荷発
生物質、及び電荷輸送物質よりなり、かつ該電荷発生物
質が一般式(1)で示されるアゾ化合物であり、該電荷
輸送物質が高分子電荷輸送物質であることを特徴とする
単層型電子写真感光体」及び「前記アゾ化合物が一般式
(11)で示されるジスアゾ化合物であることを特徴と
する単層型電子写真感光体」、及び「前記ジスアゾ化合
物が一般式(12)で示されるジスアゾ化合物であるこ
とを特徴とする単層型電子写真感光体」、及び「前記ア
ゾ化合物が一般式(13)あるいは一般式(14)で示
されるジスアゾ化合物であることを特徴とする単層型電
子写真感光体」、及び「前記ジスアゾ化合物が一般式
(15)あるいは一般式(16)で示されるジスアゾ化
合物であることを特徴とする単層型電子写真感光体」に
より達成される。
【0016】
【化65】
【0017】
【化66】
【0018】
【化67】
【0019】
【化68】
【0020】
【化69】
【0021】
【化70】
【0022】
【化71】
【0023】
【化72】
【0024】
【化73】
【0025】
【化74】
【0026】
【化75】
【0027】
【化76】
【0028】また、上記課題は、本発明の「前記高分子
電荷輸送物質がポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ
エステル、ポリエーテルの少なくともいずれか1つであ
ることを特徴とする単層型電子写真感光体」、及び「前
記高分子電荷輸送物質がトリアリールアミン構造を有す
る高分子化合物であることを特徴とする単層型電子写真
感光体」、及び「前記高分子電荷輸送物質がトリアルー
ルアミン構造を有するポリカーボネートであることを特
徴とする単層型電子写真感光体」、及び「前記高分子電
荷輸送物質が一般式(1D)〜(11D)で表されるト
リアリールアミン構造を有するポリカーボネートである
ことを特徴とする単層型電子写真感光体」により達成さ
れる。なお、一般式(1D)〜(11D)で表されるト
リアリールアミン構造は、以降の実施の形態で示す。
【0029】またさらに上記課題は、本発明の「前記単
層型電子写真感光体を用い、帯電、像露光、現像、及び
転写を行うことを特徴とする電子写真方法」、及び「前
記単層型電子写真感光体を有すると共に、帯電手段、像
露光手段、現像手段、及び転写手段を備えたことを特徴
とする電子写真装置」、及び「前記単層型電子写真感光
体と、帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、及
びクリーニング手段から選ばれる少なくとも1つの手段
とを一体的に形成し、電子写真装置本体に脱着自在とし
たことを特徴とするプロセスカートリッジ」により達成
される。
【0030】このような感光体は帯電性と感度が良好
で、かつ耐光性、耐久性に優れ、低速から高速の複写プ
ロセスまで好適であり、さらには、モノクロ又はフルカ
ラー用のアナログ複写機から光書き込み用にLD或いは
LED光を使用したページプリンター用の感光体まで適
用することが可能である。
【0031】本感光体で特に重要なことは、特定のカッ
プラー残基を有するアゾ化合物を含有することにある。
このことにより、感光体の高感度化、静電特性の向上、
さらには耐光性、耐久性の向上が図られている。この諸
特性向上の理由は現時点では定かでないが、本発明で用
いられている新規なカップラー化合物は、アゾ化合物
のアゾ基をカップラー残基で保護できるような立体的寄
与、アゾ化合物の酸化電位を高めるような電子的寄与
をしていると推測され、それらに起因するアゾ化合物の
分子構造、さらにはその分子構造から引き起こされる分
子間相互作用が、感光層中での効率の良い電荷発生に大
きな影響を与えていると共に、アゾ化合物自体の光や酸
化性ガス等に対する安定性を高めていると考えられる。
【0032】さらに、本発明の高分子電荷輸送物質を併
用することで、感光層中に非常に均質な電荷移動マトリ
ックスが形成され、電荷発生物質からの電荷の注入、電
荷の移動がよりスムーズで、かつ機械的強度の向上した
感光体が得られている。これらは本発明の高分子電荷輸
送物質がポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステ
ル、ポリエーテルの少なくともいずれか1つの重合体で
あることに起因し、成膜性が良好で機械的強度が強く、
優れた耐摩耗性を示すためと考えられる。また、本発明
の高分子電荷輸送物質がトリアリールアミン構造を有す
ることで高い移動度も達成されている。本発明の高分子
電荷輸送物質の中でも、特に高分子電荷輸送物質がトリ
アリールアミン構造を有するポリカーボネートである場
合は諸特性の向上に効果がある。また、高分子電荷輸送
物質の併用により、従来の単層型感光体では困難であっ
た湿式現像プロセスへの対応も可能となる。さらに、ア
クセプター性化合物を併用することで、光照射により発
生した大多数の電子をアクセプター性化合物側に移動さ
せることができ、感光体の実用に支障を来たさない帯電
性、感度、静電特性の高耐久化が実現できる。さらに、
フェノール化合物を併用することで、フェノール化合物
が酸化防止剤として働くため、静電特性の高耐久化が実
現できる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子写真感光体に
ついて詳しく説明する。本発明の単層型電子写真感光体
は、上記したように、感光層中に前記一般式(1)で示
されるアゾ化合物と高分子電荷輸送物質とを有効成分と
して含有する感光層を設けたものである。
【0034】本発明の主要な構成単位である前記一般式
(1)で示されるアゾ化合物について、さらに詳しく説
明する。一般式(1)で示されるアゾ化合物中、Arで
表される結合基を介して結合してもよい置換基を有して
もよい芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレ
ン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン、ピレ
ンなどの芳香族炭化水素、フラン、チオフェン、ピリジ
ン、インドール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、ア
クリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、
ベンゾトリゾール、オキサジアゾール、チアジアゾー
ルなどの複素環、さらに上記芳香族環を直接或いは芳香
族基または非芳香族基で結合したもの、例えば、トリフ
ェニルアミン、ジフェニルアミン、N−メチルジフェニ
ルアミン、ビフェニル、ターフェニル、ビナフチル、フ
ルオレノン、フェナンスレンキノン、アントラキノン、
ベンズアンスロン、ジフェニルオキサジアゾール、フェ
ニルベンゾオキサゾール、ジフェニルメタン、ジフェニ
ルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ス
チルベン、ジスチリルベンゼン、テトラフェニル−p−
フェニレンジアミン、テトラフェニルベンジジンモノピ
リジルジフェニルアミン、などが挙げられる。
【0035】上記中心骨格の中でも、一般式(12)、
一般式(15)、一般式(16)中で示されるフルオレ
ノン系中心骨格は、本発明中の新規カップラー残基との
組み合わせで得られるアゾ化合物が高感度で、かつ優れ
た耐久性を示すため、特に好ましい。
【0036】上記環の有する置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基
などのアミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、
ハロメチル基などが挙げられる。以下、表1、表2に中
心骨格Arの例を示す。
【0037】
【表1】
【0038】
【表2】
【0039】一般式(2)、一般式(3)、一般式
(4)、一般式(11)、一般式(12)、一般式(1
3)、一般式(14)、一般式(15)、一般式(1
6)中、R 51、R52、R53、R54、R55、R56は、水素
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキ
シ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニ
ルアミノ基などのアミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、
シアノ基、アセチル基、置換基を有してもよいベンゾイ
ル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよい
フェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいカルバ
モイル基等を示す。
【0040】一般式(2)、一般式(11)、一般式
(12)中、X51は水素原子、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチ
ル基、デシル基などのアルキル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基などの環状アルキル基、フェニル基、
ナフチル基、アントラセニル基、フェナンスレニル基、
ピレニル基などの芳香族炭化水素基、ピリジル基、ピラ
ジノ基、キノリノ基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾ
リル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾ
リル基、ベンゾイミダゾリル基、インドリル基などの複
素環基、メチルアミノ基、エチルアミノ基などのアルキ
ルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基など
の芳香族アミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミ
ノ基などのカルボアミノ基等を示す。
【0041】これら上記の置換基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、ベ
ンジル基、フェネチル基、メトキシメチル基などの置換
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基な
どのアルコキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、
置換基を有してもよいナフチル基、アントラセニル基、
フェナンスレニル基、ピレニル基などの芳香族基、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ヒド
ロキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、アセチルア
ミノ基、置換基を有してもよいベンゾイルアミノ基など
のカルボアミノ基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、
置換基を有してもよいベンゾイル基、アルコキシカルボ
ニル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル
基、置換基を有してもよいカルバモイル基などが挙げら
れる。
【0042】一般式(2)で示されるカップラー残基の
中でも、特に一般式(5)で示されるカップラー残基
は、本発明において得られるアゾ化合物が高感度で、か
つ優れた帯電安定性を示すため、好ましい。一般式
(5)中、A1はフェニル基、ナフチル基、アントラセ
ニル基、フェナンスレニル基、ピレニル基などの芳香族
炭化水素基、ピリジル基、ピラジノ基、キノリノ基、オ
キサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾ
リル基、インドリル基などの複素環基を示し、それらの
置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などのアルキル基、ベンジル基、フェネチル基、メ
トキシメチル基などの置換アルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基、置換基を
有してもよいフェニル基、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シア
ノ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い
カルバモイル基などが挙げられる。
【0043】一般式(3)、一般式(4)、一般式(1
3)、一般式(14)、一般式(15)、一般式(1
6)中、Y51は置換または無置換のアルキレン基、置換
または無置換の芳香族性を有する2価の有機残基、置換
または無置換の複素環芳香族性を有する2価の有機残
基、−CO−Z−で示されるカルボニル基含有2価の有
機残基(ただし、Zは置換または無置換のアルキレン
基、置換または無置換の芳香族性を有する2価の有機残
基、置換または無置換の複素環芳香族性を有する2価の
有機残基を示す。)を示す。
【0044】アルキレン基としては、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基が挙げられる。ただし、アルキレン基の炭素―炭
素結合で芳香環が形成されてもよい。芳香族性を有する
2価の有機残基としては、o−フェニレン基、1,8−
ナフチレン基、2,3−ナフチレン基、1,2−アンス
リレン基、9,10−フェナンスリレン基等が挙げら
れ、複素環芳香族性を有する2価の有機残基としては、
3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル
基、5,6−ピリミジンジイル基、6,7−ベンズイミ
ダゾールジイル基、6,7−キノリンジイル基等が挙げ
られ、カルボニル基含有2価の有機残基としては、2−
ベンゾイル基、2−ナフチルカルボニル基等が挙げられ
る。
【0045】これら上記の置換基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、ベ
ンジル基、フェネチル基、メトキシメチル基などの置換
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基な
どのアルコキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、
置換基を有してもよいナフチル基、アントラセニル基、
フェナンスレニル基、ピレニル基などの芳香族基、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ヒド
ロキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、アセチルア
ミノ基、置換基を有してもよいベンゾイルアミノ基など
のカルボアミノ基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、
置換基を有してもよいベンゾイル基、アルコキシカルボ
ニル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル
基、置換基を有してもよいカルバモイル基などが挙げら
れる。
【0046】一般式(2)に対応するカップラー化合物
の例を表3〜10に、また一般式(3)および一般式
(4)に対応するカップラー化合物の例を表11〜13
に示す。
【0047】
【表3】
【0048】
【表4】
【0049】
【表5】
【0050】
【表6】
【0051】
【表7】
【0052】
【表8】
【0053】
【表9】
【0054】
【表10】
【0055】
【表11】
【0056】
【表12】
【0057】
【表13】
【0058】また、上記の一般式(2)、一般式
(3)、一般式(4)で表されるカップラー残基以外に
共存しても良いカップラー残基(Cp’)としては、例
えば、フェノール類、ナフトール類などのフェノール性
水酸基を有する化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ
化合物、アミノナフトール類などのアミノ基とフェノー
ル性水酸基を有する化合物、脂肪族もしくは芳香族のエ
ノール性ケトン基を有する化合物(活性メチレン基を有
する化合物)などが用いられる。さらに、好ましいもの
は、下記一般式(Cp1)〜(Cp15)で表されるも
のである。
【0059】
【化77】
【0060】一般式(Cp1)〜(Cp4)中、X1
1、Z1、l及びmは、それぞれ下記のものを表す。 X1:−OH、−N(R11)(R12)、または−NHS
2−R13(R11およびR12は水素または置換もしくは
無置換のアルキル基を表わし、R13は置換もしくは無置
換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基
を表す。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または−CON(R14)(Y2)〔R14は水素、アルキ
ル基またはその置換体、フェニル基またはその置換体を
表し、Y2は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体、あるいは−N=C(R15)(R16
(但し、R15は炭化水素環基またはその置換体、複素環
基またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R16は水素、アルキル基、フェニル基またはその置
換体を表わすか、あるいはR15及びR16はそれらに結合
する炭素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。〕 Z1:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環また
はその置換体 l:1または2の整数 m:1または2の整数
【0061】
【化78】
【0062】〔一般式(Cp5)中、R17は置換もしく
は、無置換の炭化水素基を表し、X 1は前記に同じであ
る。〕
【0063】
【化79】
【0064】〔一般式(Cp6)中、W1は芳香族炭化
水素の2価基または窒素原子を環内に含む複素環の2価
基を表す。これらの環は、置換または無置換でもよい。
1は前記に同じである。〕
【0065】
【化80】
【0066】〔一般式(Cp7)中、R18はアルキル
基、カルバモイル基、カルボキシ基またはそのエステル
を表し、Ar1は炭化水素環基またはその置換体を表
し、X1は前記と同じである。〕
【0067】
【化81】
【0068】〔一般式(Cp8)、(Cp9)中、R19
は水素または置換もしくは無置換の炭化水素基を表し、
Ar2は炭化水素環基またはその置換体を表す。〕
【0069】前記一般式(Cp1)〜(Cp4)のZ1
の炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが
例示でき、また置換基を有してもよい複素環としてはイ
ンドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾ
フラン環などが例示できる。Z1の環における置換基と
しては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。
【0070】Y2またはR15における炭化水素環基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニ
ル基などが、また、複素環基としてはピリジル基、チェ
ニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、
さらに、R15およびR16が結合して形成する環として
は、フルオレン環などが例示できる。
【0071】Y2またはR15の炭化水素環基または複素
環基あるいはR15およびR16によって形成される環にお
ける置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩
素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基、トリ
フルオロメチル基などのハロメチル基、ニトロ基、シア
ノ基、カルボキシル基またはそのエステル、水酸基、−
SO3Naなどのスルホン酸塩基などが挙げられる。
【0072】R14のフェニル基の置換体としては塩素原
子または臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。R
17またはR19における炭化水素基の代表例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置換
体が例示できる。R17またはR19の炭化水素基における
置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子、水酸基、ニトロ基な
どが例示できる。
【0073】Ar1またはAr2における炭化水素環基と
しては、フェニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示で
きる。また、X1の中では特に水酸基が適当である。
【0074】上記カップラー残基の中でも好ましいの
は、一般式(Cp2)、(Cp5)、(Cp6)、(C
p7)、(Cp8)および(Cp9)で示されるもので
あり、この中でも上記一般式におけるX1が水酸基のも
のが好ましい。一般式(Cp2)で示されるカップラー
残基の中でも、特に下記一般式(Cp10)
【0075】
【化82】
【0076】(Y1およびZ1は前記に同じ。)で表され
るカップラー残基が好ましく、さらに好ましくは下記一
般式(Cp11)
【0077】
【化83】
【0078】(Z1、Y2およびR14は前記と同じ。)で
表されるカップラー残基である。さらにまた、上記好ま
しいカップラー残基の中でも特に下記一般式(Cp1
2)または(Cp13)
【0079】
【化84】
【0080】(Z1、R14、R15およびR16は前記に同
じであり、またR20としては上記のY2の置換基が例示
できる。)で表されるものが適当である。
【0081】また、一般式(Cp6)で示されるカップ
ラー残基の中でも、特に下記一般式(Cp14)あるい
は一般式(Cp15)で表されるカップラー残基が好ま
しい。
【0082】
【化85】
【0083】(Wは芳香族炭化水素の2価基または窒
素原子を環内に含む複素環の2価基を表す。これらの環
は、置換または無置換でもよい。)
【0084】上記好ましいカップラー残基の中でも、特
に一般式(6)、一般式(7)、一般式(8)で示され
るカップラー残基は、本発明中の新規カップラー残基と
の組み合わせで得られるアゾ化合物が高感度で、かつ優
れた帯電安定性を示すため、好ましい。
【0085】表14〜表38に、一般式(Cp1)〜
(Cp15)に対応するカップラー化合物の例を示す。
【0086】
【表14】
【0087】
【表15】
【0088】
【表16】
【0089】
【表17】
【0090】
【表18】
【0091】
【表19】
【0092】
【表20】
【0093】
【表21】
【0094】
【表22】
【0095】
【表23】
【0096】
【表24】
【0097】
【表25】
【0098】
【表26】
【0099】
【表27】
【0100】
【表28】
【0101】
【表29】
【0102】
【表30】
【0103】
【表31】
【0104】
【表32】
【0105】
【表33】
【0106】
【表34】
【0107】
【表35】
【0108】
【表36】
【0109】
【表37】
【0110】
【表38】
【0111】本発明の前記一般式(1)で表されるアゾ
化合物は、例えば、中心骨格(Ar部分)に対応するア
ミノ化合物を出発原料とし、これをジアゾ化してジアゾ
ニウム塩として単離したのち、これを適当な有機溶媒
(N,N−ジメチルホルムアミドなど)中で、それぞれ
対応するカップラー化合物とアルカリの存在下でカップ
リング反応させることにより製造することができる。本
発明の一般式(1)のアゾ化合物中、n=2以上のアゾ
化合物は、2種以上のカップラー化合物の使用が可能で
ある。その場合、ジアゾニウム化合物に、本発明中の新
規カップラー化合物と、後述の一般式(Cp1)〜(C
p15)に対応するカップラー化合物とを2段階に順に
反応させるか、或いは最初のカップリンク反応によって
得られるジアゾニウム塩化合物を単離した後、更にそれ
ぞれに対応するカップラー化合物を反応することによっ
て得ることができる。
【0112】以上のような本発明の一般式(1)で示さ
れるアゾ化合物の具体例を表39〜表44に示すが、表
中では簡略化のため、n、中心骨格(Ar部分)及びカ
ップラー化合物(Cp)を示し、それら各々の番号の組
合せでアゾ化合物を示す。なお、具体例により本発明の
アゾ化合物が限定されるものではない。
【0113】
【表39】
【0114】
【表40】
【0115】
【表41】
【0116】
【表42】
【0117】
【表43】
【0118】
【表44】
【0119】本発明で用いられる一般式(1)で示され
るアゾ化合物の感光層全体に占める量は0.1〜40重
量%、好ましくは0.3〜25重量%である。
【0120】次に、本発明の主要な構成単位である一般
式(1D)〜(11D)で示される高分子電荷輸送物質
について、さらに詳しく説明する。下記一般式(1D)
で表される高分子電荷輸送物質を示す。
【0121】
【化86】
【0122】{式中、R’1、R’2、R’3は、それぞ
れ独立して置換もしくは無置換のアルキル基またはハロ
ゲン原子を表し、R’4は水素原子または置換もしくは
無置換のアルキル基を表す。R1、R2は置換もしくは無
置換のアリール基を表す。o、p、qは、それぞれ独立
して0〜4の整数を表す。k、jは組成を表し、0.1
≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数
を表し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価
基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A):
【0123】
【化87】
【0124】〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して
置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハ
ロゲン原子を表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは
単結合、炭素原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキレン基、−O−、−S−、−SO−、−S
2−、−CO−、−CO−O−Z−O−CO−(式中
Zは脂肪族の2価基を表す。)または下記一般式(B)
【0125】
【化88】
【0126】(式中、aは1〜20の整数を表し、bは
1〜2000の整数を表す。R26、R 27は置換または無
置換のアルキル基またはアリール基を表す。)を表す。
24とR25、R26とR27はそれぞれ同一でも異なってい
てもよい。〕で表される2価基を表す。}
【0127】R’1、R’2、R’3のアルキル基は、好
ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好まし
くはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。R’4の置換もしくは無
置換のアルキル基としては、上記のR’1、R’2、R’
3と同様のものが挙げられる。
【0128】R’1、R’2のアリール基としては、フェ
ニル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル
基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフ
ェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などの複素環基などが挙げられる。
【0129】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有していてもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:上記のR’1、R’2、R’3のアル
キル基として示したものと同様のものが挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表す。具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミ
ノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられる。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0130】Xは下記一般式(1D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(1D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0131】
【化89】
【0132】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。1,3−プロパンジオ
ール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオ
ール、1,6−へキサンジオール、1,8−オクタンジ
オール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,
3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プ
ロパンジオール、2−エチル−1,3−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサ
ンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−1,4‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルなどが挙げられる。また、芳香環を有するジオールと
しては、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、1,1ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、
2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
4,4′‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、4,4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサ
ンテン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒド
ロキシベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス
(4−ヒドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フ
ェノール変性シリコーンオイルなどが挙げられる。
【0133】次に、下記一般式(2D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0134】
【化90】
【0135】〔式中、R3、R4は置換もしくは無置換の
アリール基を表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または
異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1
≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数
を表し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式
(1D)に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0136】R3、R4のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、または下
記一般式(イ)で示される非縮合多環基などが挙げられ
る。
【0137】
【化91】
【0138】〔式中、Wは、−O−、−S−、−SO
−、−SO2−、−CO−および下記一般式(ロ)、
(ハ)、(ニ)、(ホ)
【0139】
【化92】
【0140】(式中、cは1〜12の整数を表し、d、
e、fは1〜3の整数表す。)で示す2価基を表す。〕
【0141】また、Ar1、Ar2、Ar3のアリレン基
としては、R3、R4で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。
【0142】R3、R4のアリール基、Ar1、Ar2、A
3のアリレン基は以下に示す基を置換基として有して
もよい。また、これらの置換基は上記一般式(イ)、
(ニ)、(ホ)におけるR31、R32、R33の具体例でも
ある。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)一般式−N(R42)(R43)で表される置換アミ
ノ基。(式中、R42及びR43は各々独立に上記(2)で
示したアルキル基、または上記R3、R4で示したアリー
ル基を表し、好ましいアリール基としては、例えばフェ
ニル基、ビフェニル基またはナフチル基が挙げられ、こ
れらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基
またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。ま
たアリール基上の炭素原子と共同で環を形成しても良
い。具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−
フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N、
N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、
ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基などが挙げ
られる。 (7)メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基な
ど。
【0143】Xは下記一般式(2D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(2D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0144】
【化93】
【0145】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0146】次に、下記一般式(3D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0147】
【化94】
【0148】〔式中、R5、R6は置換もしくは無置換の
アリール基を表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または
異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1
≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数
を表し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式
(1D)に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0149】R5、R6のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。
【0150】また、Ar4、Ar5、Ar6のアリレン基
としては、R5、R6で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。R5、R6のアリール基、Ar4、Ar5、Ar
6のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0151】Xは下記一般式(3D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(3D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0152】
【化95】
【0153】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0154】次に、下記一般式(4D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0155】
【化96】
【0156】〔式中、R7、R8は置換もしくは無置換の
アリール基を表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または
異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1
≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数
を表し、5〜5000の整数である。rは1〜5の整数
を表す。Xは前記一般式(1D)に記載されたものと同
様の基を表す。〕
【0157】R7、R8のアリール基の具体例としては、
一般式(3D)の説明においてR5、R6のアリール基の
具体例として例示したものを挙げることができ、A
7、Ar8、Ar9のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3D)の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。
【0158】Xは下記一般式(4D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(4D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0159】
【化97】
【0160】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0161】次に、下記一般式(5D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0162】
【化98】
【0163】〔式中、R9、R10は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar10、Ar1 1、Ar12は同一ま
たは異なるアリレン基を表す。X1、X2は置換もしくは
無置換のエチレン基または置換もしくは無置換のビニレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1D)に記載
されたものと同様の基を表す。〕
【0164】R9、R10のアリール基の具体例として
は、一般式(3D)の説明においてR5、R6のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、A
10、Ar11、Ar12のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3D)の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。X1、X2のエチレン基また
はビニレン基における置換基としては、シアノ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、一般式(3D)の説明においてR
5、R6のアリール基の具体例として例示したアリール
基、あるいは一般式(3D)の説明においてアリール基
またはアリレン基における置換基として例示したアルキ
ル基などが挙げられる。
【0165】Xは下記一般式(5D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(5D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0166】
【化99】
【0167】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0168】次に、下記一般式(6D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0169】
【化100】
【0170】〔式中、R11、R12、R13、R14は置換も
しくは無置換のアリール基を表し、Ar13、Ar14、A
15、Ar16は同一または異なるアリレン基を表す。Y
1、Y2、Y3は単結合、置換もしくは無置換のアルキレ
ン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換
もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫
黄原子またはビニレン基を表し、同一であっても異なっ
ていてもよい。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、
0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5
〜5000の整数である。Xは前記一般式(1D)に記
載されたものと同様の基を表す。〕
【0171】R11、R12、R13、R14のアリール基の具
体例としては、一般式(3D)の説明においてR5、R6
のアリール基の具体例として例示したものを挙げること
ができ、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16のアリレン基
の具体例としては、それらアリール基の2価の基を挙げ
ることができる。また、これらアリール基またはアリレ
ン基における置換基の具体例としては、一般式(3D)
の説明においてアリール基またはアリレン基における置
換基として例示したものを挙げることができる。
【0172】Y1、Y2、Y3のアルキレン基としては、
一般式(3D)の説明においてアリール基またはアリレ
ン基における置換基として例示したアルキル基より誘導
される2価の基が挙げられる。具体的には、メチレン
基、エチレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチ
レン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、ジフルオ
ロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン
基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4−メ
チルフェニルメチレン基、2,2−プロピレン基、2,
2−ブチレン基、ジフェニルメチレン基などを挙げるこ
とができる。シクロアルキレン基としては、1,1−シ
クロペンチレン基、1,1−シクロヘキシレン基、1,
1−シクロオクチレン基などを挙げることができる。ま
た、アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテ
ル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテ
ル基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポリテトラメ
チレンエーテル基などが挙げられる。
【0173】Xは下記一般式(6D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(6D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0174】
【化101】
【0175】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0176】次に、下記一般式(7D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0177】
【化102】
【0178】〔式中、R15、R16は水素原子、置換もし
くは無置換のアリール基を表し、R 15とR16は環を形成
していてもよい。Ar17、Ar18、Ar19は同一または
異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1
≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数
を表し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式
(1D)に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0179】R15、R16のアリール基の具体例として
は、一般式(3D)の説明においてR 5、R6のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、ま
たR15とR16が環を形成する場合としては、9−フルオ
リニデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンなどを挙げることができる。Ar17、Ar18、Ar
19のアリレン基の具体例としては、それらアリール基の
2価の基を挙げることができる。また、これらアリール
基またはアリレン基における置換基の具体例としては、
一般式(3D)の説明においてアリール基またはアリレ
ン基における置換基として例示したものを挙げることが
できる。
【0180】Xは下記一般式(7D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(7D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0181】
【化103】
【0182】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0183】次に、下記一般式(8D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0184】
【化104】
【0185】〔式中、R17は置換もしくは無置換のアリ
ール基を表し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一
または異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、
0.1≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し
単位数を表し、5〜5000の整数である。Xは前記一
般式(1D)に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0186】R17のアリール基の具体例としては、一般
式(3D)の説明においてR5、R6のアリール基の具体
例として例示したものを挙げることができ、Ar20、A
21、Ar22、Ar23のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3D)の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。
【0187】Xは下記一般式(8D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(8D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0188】
【化105】
【0189】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0190】次に、下記一般式(9D)で表される高分
子電荷輸送物質を示す。
【0191】
【化106】
【0192】〔式中、R18、R19、R20、R21は置換も
しくは無置換のアリール基を表し、Ar24、Ar25、A
26、Ar27、Ar28は同一または異なるアリレン基を
表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは前記一般式(1D)に記載された
ものと同様の基を表す。〕
【0193】R18、R19、R20、R21のアリール基の具
体例としては、一般式(3D)の説明においてR5、R6
のアリール基の具体例として例示したものを挙げること
ができ、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28のア
リレン基の具体例としては、それらアリール基の2価の
基を挙げることができる。また、これらアリール基また
はアリレン基における置換基の具体例としては、一般式
(3D)の説明においてアリール基またはアリレン基に
おける置換基として例示したものを挙げることができ
る。
【0194】Xは下記一般式(9D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(9D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0195】
【化107】
【0196】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0197】次に、下記一般式(10D)でで表される
高分子電荷輸送物質を示す。
【0198】
【化108】
【0199】〔式中、R22、R23は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar29、Ar 30、Ar31は同一ま
たは異なるアリレン基を表す。k、jは組成を表し、
0.1≦k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し
単位数を表し、5〜5000の整数である。Xは前記一
般式(1D)に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0200】R22、R23のアリール基の具体例として
は、一般式(3D)の説明においてR 5、R6のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、A
29、Ar30、Ar31のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3D)の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。
【0201】Xは下記一般式(10D′)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エス
テル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)
のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラ
ンダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、
Xは下記一般式(10D′)のトリアリールアミノ基を
有するジオール化合物と下記一般式(C)から誘導され
るビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返
し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネートは交互共重合体となる。
【0202】
【化109】
【0203】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0204】次に、下記一般式(11D)で表される高
分子電荷輸送物質を示す。
【0205】
【化110】
【0206】(式(11D)中、Ar32、Ar33、Ar
35およびAr36は置換もしくは無置換のアリレン基を表
し、Ar34は置換もしくは無置換のアリール基を表す。
Zはアリレン基または−Ar37−Za−Ar37−を表
し、Ar37は置換もしくは無置換のアリレン基を表す。
ZaはO、Sまたはアルキレン基を表す。RおよびR’
は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基または−O−を表す。
hは0または1を表す。k、jは組成を表し、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を
表し、5〜5000の整数である。Xは置換または無置
換の脂肪族2価基、置換または無置換の環状脂肪族2価
基、置換または無置換の芳香族2価基、またはこれらを
連結してできる2価基、または下記一般式(A’)、一
般式(F)、一般式(G)で表される2価基を表す。
【0207】
【化111】
【0208】(式(A’)、(F)、(G)中、R24
25、R55、R56は、それぞれ独立して置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ま
たはハロゲン原子を表す。l、mはそれぞれ独立して0
〜4の整数、s、tはそれぞれ独立して0〜3の整数を
表す。R24、R25、R55、R56がそれぞれに複数個存在
する時は同一でも異なっていてもよい。)、Yは単結
合、炭素原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキレン基、1つ以上の炭素原子数1〜10のアル
キレン基と1つ以上の酸素原子及び硫黄原子から構成さ
れる2価基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
−CO−、−COO−、−CO−O−Z1−O−CO
−、−CO−Z2−CO−(式中Z1、Z2は置換もしく
は無置換の脂肪族2価基、または置換もしくは無置換の
アリレン基を表す)、または下記一般式(B)、一般式
(H)〜(N)を表す。
【0209】
【化112】
【0210】(式(B)、(H)〜(N)中、R26、R
27はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアリール基を表す。R57、R
58、R 64はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしく
は無置換のアリール基を表す。R59、R60、R61
62、R63はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、、置換もしくは
無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール
基を表す。R58とR59は結合して炭素数5〜12の炭素
環を形成してもよい。R 65とR66は端結合または炭素数
1〜4のアルキレン基を表す。aは1〜20の整数、b
は1〜2000の整数、uとwは0〜4の整数、vは1
または2を表す。R26、R27、R57、R64がそれぞれに
複数個存在する時は同一でも異なっていてもよい。))
【0211】Ar34のアリール基の具体例としては、一
般式(3D)の説明においてAr5、Ar6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、Ar
32、Ar33、Ar35、Ar36のアリレン基の具体例とし
ては、それらアリール基の2価の基を挙げることができ
る。また、これらアリール基、アリレン基における置換
基の具体例としては、一般式(3D)の説明においてア
リール基またはアリレン基における置換基として例示し
たものを挙げることができる。
【0212】Xは下記一般式(11D’)のジオール化
合物をホスゲン法、エステル交換法等を用いて重合する
時に、下記一般式(C)のジオール化合物を併用するこ
とにより導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネート樹脂はランダム重合体、またはブロック重合体と
なる。また、Xは一般式(11D’)のジオール化合物
と一般式(C)から誘導されるビスクロロホーメートと
の重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂は交互共重合
体となる。
【0213】
【化113】
【0214】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1D)の説明において例示したも
のを挙げることができる。
【0215】一般式(1D)〜(11D)の例示化合物
を下記構造式に示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
【0216】
【化114】
【0217】
【化115】
【0218】
【化116】
【0219】
【化117】
【0220】
【化118】
【0221】
【化119】
【0222】
【化120】
【0223】
【化121】
【0224】
【化122】
【0225】
【化123】
【0226】
【化124】
【0227】
【化125】
【0228】
【化126】
【0229】
【化127】
【0230】
【化128】
【0231】
【化129】
【0232】
【化130】
【0233】
【化131】
【0234】本発明で用いられる高分子電荷輸送物質の
感光層全体に占める量は20〜95重量%、好ましくは
30〜80重量%である。
【0235】本発明の感光層においては、必要に応じて
無機物質あるいは有機物質からなる電荷発生物質が用い
られている。無機物質としては、例えば、セレン、セレ
ン−テルル、硫化カドミウム、硫化カドミウム−セレ
ン、α−シリコンなど、有機物質としては、例えば、シ
ーアイピグメントブルー25(カラーインデックスCI
21180)、シーアイピグメントレッド41(CI
21200)、シーアイアシッドレッド52(CI 4
5100)、シーアイベーシックレッド3(CI452
10)、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭5
3−95033号公報)、ジスチリルベンゼン骨格を有
するアゾ顔料(特開昭53−133445号公報)、ト
リフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−
132347号公報)、ジベンゾチオフェン骨格を有す
るアゾ顔料(特開昭54−21728号公報)、オキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−127
42号公報)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料(特
開昭54−22834号公報)、ビススチルベン骨格を
有するアゾ顔料(特開昭54−17733号公報)、ジ
スチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開
昭54−2129号公報)、ジスチリルカルバゾール骨
格を有するアゾ顔料(特開昭54−14967号公報)
などのアゾ顔料、例えば、シーアイピグメントブルー1
6(CI 74100)、チタニルフタロシアニンなどの
フタロシアニン系顔料、例えば、シーアイバットブラウ
ン5(CI 73410)、シーアイバットダイ(CI
73030)などのインジコ系顔料、アルゴスカーレッ
トB(バイエル社製)、インタンスレンスカーレットR
(バイエル社製)などのペリレン顔料、さらには前記し
た一般式(1)で示されるアゾ化合物等が好適に使用さ
れる。
【0236】これらの電荷発生物質は単独あるいは2種
類以上が併用されても良い。また、電荷発生物質の感光
層に占める量は0.1〜40重量%、好ましくは0.3
〜25重量%である。
【0237】さらに、感光層に用いられる電荷発生物質
は特定の結晶変換処理を行ってから用いても良い。結晶
変換処理方法としては、例えば、溶媒処理、機械的処
理、加熱処理等がある。溶媒処理とは、室温下あるいは
加熱下での、溶媒中における顔料の懸濁攪拌処理を示
し、ミリング処理とは、例えばガラスビーズ、スチ−ル
ビーズ、アルミナボール等を用いてサンドミル、ボール
ミル等のミリング装置を用いて、常温もしくは加熱下行
う処理を示す。ミリング処理においては上記ミリングメ
ディアとともに溶媒を添加した系で行ってもよい。
【0238】これらの処理に使用する溶媒としては、例
えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロ
リドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジン、ジメ
チルスルホキシド、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、1,2−ジクロルエタン、1,1,1−トリクロ
ルエタン、ジクロルメタン、1,1,2−トリクロルエタ
ン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブ
タノール、2−メトキシエタノール等を挙げることがで
きる。
【0239】本発明の感光層においては、必要に応じて
電荷輸送物質が用いられている。電荷輸送物質として
は、例えば、ポリ−N−カルバゾール及びその誘導体、
ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘
導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導
体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オ
キサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニル
アミン誘導体、及び下記の一般式で示される低分子電荷
輸送物質、さらには前記した一般式(1D)〜(10
D)で示される高分子電荷輸送物質が好適に使用され
る。以下に低分子電荷輸送物質の例示化合物を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
【0240】
【化132】
【0241】(一般式(T1)中、R1はメチル基、エ
チル基、2−ヒドロキシエチル基または2−クロルエチ
ル基を表し、Rはメチル基、エチル基、ベンジル基ま
たはフェニル基を表し、Rは水素原子、塩素原子、臭
素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表
す。)
【0242】
【化133】
【0243】(一般式(T2)中、Ar1はナフタレン
環、アントラセン環、スチリル環及びそれらの置換体あ
るいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、R
はアルキル基またはベンジル基を表す。)
【0244】
【化134】
【0245】(一般式(T3)中、Rはアルキル基、
ベンジル基、フェニル基またはナフチル基を表し、 R
は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜
3のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキル
アミノ基またはジアリールアミノ基を表し、nは1〜4
の整数を表し、nが2以上の時、Rは同じでも異なっ
ていてもよい。 Rは水素原子またはメトキシ基を表
す。)
【0246】
【化135】
【0247】(一般式(T4)中、 R8は炭素数1〜1
1のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
は複素環基を表し、 R9とR10はそれぞれ同一でも異な
っていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル
基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置
換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、R9
10 は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していて
も良い。 R11は同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を表す。)
【0248】
【化136】
【0249】(一般式(T5)中、R12は水素原子また
はハロゲン原子を表し、Ar2は置換もしくは無置換の
フェニル基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾ
リル基を表す。)
【0250】
【化137】
【0251】(一般式(T6)中、 R13は水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基
または炭素数1〜4のアルキル基を表し、Ar3
【0252】
【化138】
【0253】を表し、 R14は炭素数1〜4のアルキル
基を表し、R15は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜
4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジ
アルキルアミノ基を表し、nは1または2であって、n
が2の時、R15は同一でも異なっていてもよく、R16
17は水素原子、炭素数1〜4の置換もしくは無置換の
アルキル基、または置換もしくは無置換のベンジル基を
表す。)
【0254】
【化139】
【0255】(一般式(T7)中、R18はカルバゾリル
基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基
あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、ス
チリル基、ナフチル基、またはアントリル基であって、
これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、ア
ルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲ
ン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、N−アルキル
−N−アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びア
セチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。)
【0256】
【化140】
【0257】(一般式(T8)中、R19は低級アルキル
基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはベンジル
基を表し、R20は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは
低級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基
を表し、nは1または2の整数を表す。)
【0258】
【化141】
【0259】(一般式(T9)中、R21は水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R
22およびR23はアルキル基、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表
し、R24は水素原子、低級アルキル基または置換もしく
は無置換のフェニル基を表し、また、Ar4は置換もし
くは無置換のフェニル基またはナフチル基を表す。)
【0260】
【化142】
【0261】(一般式(T10)中、nは0または1の
整数、R25は水素原子、アルキル基または置換もしくは
無置換のフェニル基を表し、Ar5は置換もしくは未置
換のアリール基を表し、R26は置換アルキル基を含むア
ルキル基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を
表し、A1は次式
【0262】
【化143】
【0263】9−アントリル基、または置換もしくは無
置換のカルバゾリル基を表し、ここでR27は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または次式
【0264】
【化144】
【0265】(ただし、R28およびR29はアルキル基、
置換もしくは無置換のアラルキル基または置換もしくは
無置換のアリール基を示し、 R28およびR29は同じで
も異なっていてもよく、 R29は環を形成してもよい)
を表す。mは0〜3の整数を表し、mが2以上の時、R
27は同一でも異なってもよい。また、nが0の時、A1
とR25は共同で環を形成してもよい。)
【0266】
【化145】
【0267】(一般式(T11)中、R30、R31および
32は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
ハロゲン原子またはジアルキルアミノ基を表し、nは0
または1を表す。)
【0268】
【化146】
【0269】(一般式(T12)中、R33およびR34
置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは
無置換のアリール基を表し、A2は置換アミノ基、置換
もしくは無置換のアリール基またはアリル基を表す。)
【0270】
【化147】
【0271】(一般式(T13)中、X1は水素原子、
低級アルキル基またはハロゲン原子を表し、R35は置換
アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは無置
換のアリール基を表し、A3は置換アミノ基または置換
もしくは無置換のアリール基を表す。)
【0272】
【化148】
【0273】(一般式(T14)中、R36は低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、n
は0〜4の整数を表し、R37とR38は同じでも異なって
いてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子を表す。)
【0274】
【化149】
【0275】(一般式(T15)中、R39、R41および
42は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコ
キシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換
もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換
もしくは無置換のアリール基を、R40は水素原子、アル
コキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロ
ゲン原子を表す。ただし、R39、R40、R41およびR42
はすべて水素原子である場合は除く。また、k、l、m
およびnは1、2、3または4の整数であり、それぞれ
が2、3または4の整数の時、前記R39、R40、R41
よびR42は同じでも異なっていてもよい。)
【0276】
【化150】
【0277】(一般式(T16)中、Ar6は炭素数1
8個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、 R43
およびR44は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無
置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換
のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても
よい。)
【0278】
【化151】
【0279】(一般式(T17)中、Ar7は置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基を表し、A4は次式
【0280】
【化152】
【0281】を表す。ただし、Ar8は置換もしくは無
置換の芳香族炭化水素基を表し、R45およびR46は置換
もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置
換のアリール基である。)
【0282】
【化153】
【0283】(一般式(T18)中、Ar9は置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基を、R4 7は水素原子、置
換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無
置換のアリール基を表す。nは0または1、mは1また
は2であって、n=0、m=1の場合、Ar9とR47
共同で環を形成してもよい。)
【0284】一般式(T1)で表される化合物には、例
えば、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1−
メチル−1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾ
ール−3−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒ
ドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−
1,1−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【0285】一般式(T2)で表される化合物には、例
えば、4−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−
1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナ
フタレン−1−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニ
ルヒドラゾンなどがある。
【0286】一般式(T3)で表される化合物には、例
えば、4−メトキシベンズアルデヒド−1−メチル−1
−フェニルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアル
デヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニル
ヒドラゾン、4−メトキシベンズアルデヒド−1−(4
−メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミ
ノベンズアルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒド
ラゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,
1−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【0287】一般式(T4)で表される化合物には、例
えば、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)
プロパン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プ
ロパン、2,2’−ジメチル−4,4’−ビス(ジエチル
アミノ)−トリフェニルメタンなどがある。
【0288】一般式(T5)で表される化合物には、例
えば、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)アントラセンなどがある。
【0289】一般式(T6)で表される化合物には、例
えば、9−(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオ
レン、3−(9−フルオレニリデン)−9−エチルカル
バゾールなどがある。
【0290】一般式(T7)で表される化合物には、例
えば、1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベ
ンゼンなどがある。
【0291】一般式(T8)で表される化合物には、例
えば、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、3−
(4−メトキシスチリル)−9−エチルカルバゾールな
どがある。
【0292】一般式(T9)で表される化合物には、例
えば、4−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジ
ルアミノスチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、
1−(4−ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1
−(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレンなどがあ
る。
【0293】一般式(T10)で表される化合物には、
例えば、4'−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチル
ベン、4'−ビス(4−メチルフェニル)アミノ−α−
フェニルスチルベンなどがある。
【0294】一般式(T11)で表される化合物には、
例えば、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ンなどがある。
【0295】一般式(T12)で表される化合物には、
例えば、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)
−1,3,4−オキサジアゾール、2−N,N−ジフェニ
ルアミノ−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、2−(4−ジメチルアミノ
フェニル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾールなどがある。
【0296】一般式(T13)で表される化合物には、
例えば、2−N,N−ジフェニルアミノ−5−(N−エ
チルカルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサジア
ゾール、2−(4−ジエチルアミノフェニル)−5−
(N−エチルカルバゾール−3−イル)−1,3,4−オ
キサジアゾールなどがある。
【0297】一般式(T14)で表されるベンジジン化
合物には、例えば、N,N’−ジフェニル− N,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]
−4,4’−ジアミン、3,3’−ジメチル−N,N,
N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)−[1,
1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミンなどがある。
【0298】一般式(T15)で表されるビフェニルア
ミン化合物には、例えば、4’−メトキシ− N,N−ジ
フェニル−[1,1’−ビフェニル]−4−アミン、4’
−メチル− N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,
1’−ビフェニル]−4−アミン、4’−メトキシ−
N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,1’−ビフ
ェニル]−4−アミンなどがある。
【0299】一般式(T16)で表されるトリアリール
アミン化合物には、例えば、1−ジフェニルアミノピレ
ン、1−ジ(p−トリルアミノ)ピレンなどがある。
【0300】一般式(T17)で表されるジオレフィン
芳香族化合物には、例えば、1、4−ビス(4−ジフェ
ニルアミノスチリル)ベンゼン、1,4−ビス[4−ジ
(p−トリル)アミノスチリル]ベンゼンなどがある。
【0301】一般式(T18)で表されるスチリルピレ
ン化合物には、例えば、1−(4−ジフェニルアミノス
チリル)ピレン、1− [4−ジ(p−トリル)アミノス
チリル]ピレンなどがある。
【0302】これらの電荷輸送物質は単独あるいは2種
類以上が併用されてもよい。また、電荷輸送物質の感光
層に占める量は15〜95重量%、好ましくは30〜8
0重量%である。
【0303】また、本発明の感光層においては、必要に
応じてアクセプター性化合物が用いられている。本発明
で使用されるアクセプター性化合物としては、例えば、
クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、
テトラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9
−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、
2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリ
ニトロ−インデノ4H−インデノ[1,2−b]チオフェ
ン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェ
ン−5,5−ジオキサイド、下記構造式(Q−1)、下
記構造式(Q−2)のアクセプター性化合物等を挙げる
ことができる。
【0304】
【化154】
【0305】さらに、下記一般式(9)で示される2,
3−ジフェニルインデン化合物は高分子電荷輸送物質と
の相溶性が良く、また電子輸送能が高いことから好適に
使用される。
【0306】
【化155】
【0307】一般式(9)中、Q1〜Q4は水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブ
チル基、t−ブチル基などのアルキル基、ベンジル基、
メトキシメチル基、メトキシエチル基などの置換アルキ
ル基、シアノ基、またはニトロ基を表し、QおよびQ
は水素原子、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原
子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プ
ロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基などのアルキル
基、ベンジル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基
などの置換アルキル基、シアノ基、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル
基、ベンジルオキシカルボニル基、メトキシエチルカル
ボニル基などの置換アルキルカルボニル基、フェニル
基、ナフチル基などのアリール基を表し、その置換基と
してはメチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル
基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、フッ素原
子、塩素原子などのハロゲン原子を挙げることができ
る。一般式(9)においては、下記構造式(Q−3)で
示される(2,3−ジフェニル−1−インデン)マロノ
ニトリルが特に好適に使用される。
【0308】
【化156】
【0309】これらのアクセプター性化合物は単独ある
いは2種類以上が併用されてもよい。また、アクセプタ
ー性化合物の感光層に占める量は1〜40重量%、好ま
しくは5〜40重量%である。
【0310】本発明の感光層では、必要に応じて結着剤
を加えることができる。感光層形成時に用いる結着剤
は、従来から知られている絶縁性が良い電子写真感光体
用結着剤であればいかなる物質も使用でき、特に限定は
ない。例えば、ポリエチレン樹脂、ポリビニルブチラー
ル樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹
脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、
ならびにこれらの樹脂の繰り返し単位のうち2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂
のほか、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機
半導体が挙げられる。これらの結着剤は単独または2種
類以上の混合物として用いることが出来る。また、結着
剤の感光層に占める量は30〜95重量%、好ましくは
40〜70重量%である。
【0311】また、本発明の感光層においては、必要に
応じて可塑剤、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、滑剤
などの添加剤を加えることができる。可塑剤としてはハ
ロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジブチルフ
タレート、酸化防止剤、光安定剤としてはフェノール化
合物、ハイドロキノン化合物、ヒンダードフェノール化
合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードアミンとヒ
ンダードフェノールとが同一分子中に存在する化合物等
が挙げられる。フェノール化合物の中では、下記一般式
(10)で示されるものが繰り返し使用における帯電性
の向上に効果があるので特に好ましい。
【0312】
【化157】
【0313】一般式(10)中、E1〜E8は水素原子、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピ
ル基、n−ブチル基、t−ブチル基などのアルキル基、
ベンジル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基など
の置換アルキル基、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基などのアルコキシカルボニル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、メトキシエチルカルボニル基などの
置換アルキルカルボニル基、フェニル基、ナフチル基な
どのアリール基、その置換基としてはメチル基、エチル
基などのアルキル基、フェニル基、メトキシ基、エトキ
シ基、フェノキシ基、フッ素原子、塩素原子などのハロ
ゲン原子などを示す。
【0314】これらフェノール化合物の感光層における
含有量は0.1〜50重量%、好ましくは、0.1〜3
0重量%の範囲である。フェノール化合物の含有量が
0.1重量%よりも少ないと、繰り返し使用時の耐久性
の向上に対する効果が充分でなく、また50重量%より
も多いと機械的耐久性の低下、及び感度の低下を来た
す。一般式(10)で示されるフェノール化合物の具体
例を下記構造式(E−1)〜(E−8)に示すが、本発
明に係わるフェノール化合物はこれらに限定されるもの
ではない。
【0315】
【化158】
【0316】本発明で用いることができる導電性基体
(導電性支持体)としては、アルミニウム、ニッケル、
銅、チタン、金、ステンレス等の金属板、金属ドラムま
たは金属箔、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、
金、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸着したプラスチ
ックフィルム、或いは導電性物質を塗布した紙、プラス
チックフィルムまたはドラム等が挙げられる。
【0317】また、必要に応じて導電性基体上に中間層
を設けてもよい。中間層は一般に樹脂を主成分とする
が、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布するこ
とを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い
樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、
ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナト
リウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチ
ル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン
樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成す
る硬化型樹脂等が挙げられる。中間層にはモアレ防止、
残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミ
ナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で
例示される金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。こ
れらの中間層は前述の感光層の如く適当な溶媒、塗工法
を用いて形成することができる。さらに、本発明の中間
層としては、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、クロムカップリング剤等を使用することもでき
る。この他、Al23を陽極酸化にて設けたものや、ポ
リパラキシリレン(パリレン)等の有機物、SiO2
SnO2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を真空
薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。中間層
の膜厚は0〜5μmが適当である。
【0318】さらに、耐摩擦性など機械的耐久性を向上
させるために、必要に応じて感光層上に保護層を設けて
もよい。保護層に使用される材料としてはABS樹脂、
オレフィン−ビニルモノマー共重合体樹脂、塩素化ポリ
エーテル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセ
タール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリアクリレート樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリ
ブチレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフ
ェニレンオキシド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、AS樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化
ビニリデン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。保護層
には耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチ
レンのようなフッ素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら
の樹脂に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の
無機材料を分散したものを添加することができる。
【0319】保護層の形成方法としては通常の塗布法が
採用できる。保護層の膜厚は0.1〜10μm程度が適
当である。また、上記のほかに真空薄膜作製法にて形成
したa−C、a−SiCなどの公知材料を保護層として
用いることもできる。
【0320】本発明の感光体は、前記の材料を有機溶媒
中に溶解または分散して感光層形成液を調整し、これ
を、上記導電性支持体上に、あるいは中間層を介して浸
漬法やブレード塗布法、スプレー塗布法で塗布し乾燥す
ることで形成される。また、必要に応じ、予め電荷発生
物質を分散し他の材料と合わせて溶解または分散し、感
光層形成液を調整することも可能である。分散方法とし
ては、例えば、ボールミル分散、超音波分散、ホモミキ
サー分散等が挙げられる。感光層の分散液或いは溶液を
調整する際に使用する溶媒としては、例えば、N,N−
ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロ
ルベンゼン、1,2−ジクロルエタン、1,1,1−トリ
クロルエタン、ジクロルメタン、1,1,2−トリクロル
エタン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン、ジオ
キソラン等を挙げることができる。
【0321】本発明の感光層の膜厚は、5〜100μ
m、好ましくは10〜40μmが適当である。5μより
薄いと帯電性が低下し、逆に、100μより厚いと感度
の低下をもたらす。
【0322】次に、電子写真方法、電子写真装置、及び
電子写真装置用プロセスカートリッジについて詳しく説
明する。図1は、本発明の電子写真方法、電子写真装
置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジを説明す
るための概略図であり、下記するような変形例も本発明
の範疇に属するものである。
【0323】図1において、感光体1は導電性支持体上
に単層型感光層が設けられている。感光体1はドラム状
の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状
のものであっても良い。帯電チャージャ3、転写前チャ
ージャ7、転写チャージャ10、分離チャージャ11、
クリーニング前チャージャ13には、コロトロン、スコ
ロトロン、固体帯電器(ソリッド・ステート・チャージ
ャー)、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられ
る。転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できる
が、図1に示されるように転写チャージャーと分離チャ
ージャーを併用したものが効果的である。
【0324】画像露光部5、除電ランプ2等の光源に
は、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水
銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード(LED)、半導
体レーザー(LD)、エレクトロルミネッセンス(E
L)などの発光物全般を用いることができる。そして、
所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカッ
トフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフ
ィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルタ
ー、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用い
ることもできる。かかる光源等は、図1に示される工程
の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニ
ング工程、あるいは前露光などの工程を設けることによ
り、感光体に光が照射される。
【0325】現像ユニット6により感光体1上に現像さ
れたトナーは、転写紙9に転写されるが、全部が転写さ
れるわけではなく、感光体1上に残存するトナーも生ず
る。このようなトナーは、ファーブラシ14およびブレ
ード15により、感光体より除去される。クリーニング
は、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、
クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラ
シを始めとする公知のものが用いられる。
【0326】電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画
像露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の静電潜
像が形成される。これを負(正)極性のトナー(検電微
粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正
(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られ
る。かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、
また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【0327】図2には、本発明による電子写真プロセス
の別の例を示す。感光体21は本発明の感光層を有して
おり、駆動ローラ22a,22bにより駆動され、帯電
チャージャ23による帯電、像露光源24による像露
光、現像(図示せず)、転写チャージャ25を用いる転
写、光源26によるクリーニング前露光、クリーニング
ブラシ27によるクリーニング、除電光源28による除
電が繰返し行なわれる。図2においては、感光体21
(勿論この場合は導電性支持体が透光性である)に導電性
支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれ
る。
【0328】以上の図示した電子写真プロセスは、本発
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図2において支持
体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感
光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照
射を支持体側から行ってもよい。
【0329】一方、光照射工程は、像露光、クリーニン
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
【0330】以上に示すような画像形成手段は、複写装
置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれ
ていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装
置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジと
は、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手
段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ1
つの装置(部品)である。プロセスカートリッジの形状
等は多く挙げられるが、一般的な例として、図3に示す
ものが挙げられる。感光体16は、導電性支持体上に単
層型感光層が設けられている。
【0331】
【実施例】以下、本発明を合成例、製造例、実施例を挙
げて説明するが、これにより本発明の合成例、製造例、
実施例の様態が限定されるものではない。
【0332】<合成例1> [9−メトキシフェナンスレン−1,2−ジカルボン酸
ジメチルエステルの合成]1−メトキシ−4−ビニルナ
フタレン 18.42g(0.1mol)、及びアセチレ
ンジカルボン酸ジメチルエステル 28.42g(0.
2mol)をニトロベンゼン200mlに溶解し、13
0℃にて7時間反応させた。放冷後、減圧下にてニトロ
ベンゼンを留去し、残渣に対してシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒n−ヘキサン:酢酸エチル=
9:1)処理を施し、23.08gの粗製物を得た。更
に、n−ブタノールより再結晶して、19.85g(収
率61.2%)の目的のフェナンスレン化合物を得た。
融点は150.2〜151.0℃であった。このフェナ
ンスレン化合物の赤外線吸収スペクトルを図4に、元素
分析結果を表45に示す。
【0333】
【表45】
【0334】<合成例2> [9−ヒドロキシフェナンスレン−1,2−ジカルボン
酸無水物の合成]合成例1で得られた9−メトキシフェ
ナンスレン−1,2−ジカルボン酸ジメチルエステル
8.11g(0.025mol)を塩化メチレン100
mlに溶解し、窒素ガス気流下、氷冷、攪拌しながら、
1M 三臭化ホウ素/塩化メチレン溶液100ml
(0.1mol)を60分を要して滴下し、更に、室温
下にて5時間攪拌反応させた。続いて、反応物を氷上に
注ぎ、水を加え、更に、炭酸水素ナトリウム 8.4g
(0.1mol)を加えて充分に攪拌を行ない、析出し
た結晶をろ取した。その後、500mlのイオン交換水
にて2回洗浄し、60℃で減圧下にて乾燥して、5.8
4g(収率88.4%)の目的のフェナンスレン化合物
を得た。このフェナンスレン化合物の赤外線吸収スペク
トルを図5に、元素分析結果を表46に示す。
【0335】
【表46】
【0336】<合成例3> [カップラー化合物No.C5の合成]合成例2で得られ
た9−ヒドロキシフェナンスレン−1,2−ジカルボン
酸無水物 5.28g(0.02mol)、及びベンジ
ルアミン 4.29g(0.04mol)を酢酸100
ml中、環流下、12時間攪拌反応させた。放冷後、反
応物を氷上に注ぎ、析出した結晶をろ取した。その後、
500mlのイオン交換水にて洗浄し、60℃で減圧下
にて乾燥して、粗製物 6.68gを得た。得られた粗
製物をn−ブタノール/ジオキサンの混合溶媒より再結
晶して、5.58g(収率79.0%)のカップラー化
合物(No.C5)を得た。融点は307.9〜32
1.8℃であった。このカップラー化合物の赤外線吸収
スペクトルを図6に、元素分析結果を表47に示す。
【0337】
【表47】
【0338】<製造例1> [アゾ化合物No.P19の製造]N−ベンジル−9−ヒ
ドロキシ−1,2−フェナンスレンジカルボン酸イミド
(カップラーNo.C5の化合物)1.06g(3mm
ol)をDMF100mlに溶解し、室温にて、予め
2,7−ジアミノ−9−フルオレノンより合成された9
−フルオレノン−2,7−ビスジアゾニウムテトラフル
オロボレート0.61g(1.5mmol)を加えた。
次いで、10重量%酢酸ナトリウム水溶液4.92gを
10分を要して滴下し、室温にて6時間攪拌反応した。
生成している沈殿をろ別し、室温にてDMF120ml
で3回洗浄し、次に、水120mlで2回洗浄した。7
0℃で減圧下に乾燥して、アゾ化合物(No.P19)
0.62g(収率44.0%)を得た。このアゾ化合物
の赤外線吸収スペクトルを図7に、元素分析結果を表4
8に示す。
【0339】
【表48】
【0340】<製造例2> [アゾ化合物No.P20の製造]N−ベンジル−9−ヒ
ドロキシ−1,2−フェナンスレンジカルボン酸イミド
(カップラーNo.C5の化合物)0.53g(1.5
mmol)をDMF60mlに溶解し、室温にて、予め
2,7−ジアミノ−9−フルオレノンより合成された9
−フルオレノン−2,7−ビスジアゾニウムテトラフル
オロボレート 0.61g(1.5mmol)を加え、
10分間室温攪拌した。次いで、2−ヒドロキシ−3−
(2−クロロフェニルカルバモイル)ナフタレン(カッ
プラーNo.17の化合物)0.45g(1.5mmo
l)とDMF40mlからなる溶液を加える。次いで、
10重量%酢酸ナトリウム水溶液4.92gを10分を
要して滴下し、室温にて6時間攪拌反応した。生成して
いる沈殿をろ別し、室温にてDMF120mlで3回洗
浄し、次に、水120mlで2回洗浄した。70゜Cで減
圧下に乾燥して、アゾ化合物(No.P20)0.62
g(収率49.3%)を得た。このアゾ化合物の赤外線
吸収スペクトルを図8に、元素分析結果を表49に示
す。
【0341】
【表49】
【0342】<実施例1>アルミニウム蒸着ポリエステ
ルフィルム上にメタノール/ブタノール混合溶媒に溶解
したポリアミド樹脂(CM−8000:東レ社製)溶液
をドクターブレードで塗布し、100℃で5分乾燥して
0.5μmの中間層を設けた。次に、アゾ化合物(例示
化合物No.P19)0.5gを、高分子電荷輸送物質
(例示化合物1D−01)0.5gとテトラヒドロフラ
ン19gよりなる溶液と共にボールミリング分散した
後、組成比がアゾ化合物2重量%、高分子電荷輸送物質
80重量%、アクセプター性化合物(例示化合物Q−
3)18重量%、シリコーンオイル(KF−50:信越
化学工業社製)0.001重量%となるように高分子電
荷輸送物質、アクセプター性化合物、テトラヒドロフラ
ン、及びシリコーンオイルを加え、固形分20重量%の
感光体塗布液を調製した。このようにして調製した感光
体塗布液を前記中間層上にドクターブレードにて塗布
し、120℃で20分乾燥し、厚さ20μmの感光層を
有する単層型電子写真感光体を作製した。
【0343】<実施例2〜11>実施例1で用いたアゾ
化合物、高分子電荷輸送物質、アクセプター性化合物の
代りに、それぞれ表50に示すアゾ化合物、高分子電荷
輸送物質、アクセプター性化合物を用いたこと以外は実
施例1と同様にして単層型電子写真感光体を作製した。
【0344】
【表50】
【0345】<実施例12>アルミニウム蒸着ポリエス
テルフィルム上にメタノール/ブタノール混合溶媒に溶
解したポリアミド樹脂(CM−8000:東レ社製)溶
液をドクターブレードで塗布し、100℃で5分乾燥し
て0.5μmの中間層を設けた。次に、アゾ化合物(例
示化合物No.P20)0.5gを、高分子電荷輸送物
質(例示化合物11D−02)0.5gとテトラヒドロ
フラン19gよりなる溶液と共にボールミリング分散し
た後、組成比がアゾ化合物2重量%、高分子電荷輸送物
質77.5重量%、アクセプター性化合物(例示化合物
Q−3)18重量%、フェノール化合物(例示化合物E
−2)2.5重量%、シリコーンオイル(KF−50:
信越化学工業社製)0.001重量%となるように高分
子電荷輸送物質、アクセプター性化合物、フェノール化
合物、テトラヒドロフラン、及びシリコーンオイルを加
え、固形分20重量%の感光体塗布液を調整した。この
ようにして調整した感光体塗布液を前記中間層上にドク
ターブレードにて塗布し、120℃で20分乾燥し、厚
さ20μmの感光層を有する単層型電子写真感光体を作
製した。
【0346】<実施例13>実施例12で用いたアゾ化
合物の代わりに、例示アゾ化合物(No.P181)を
用いたこと以外は、実施例12と同様にして感光体を作
製した。
【0347】<実施例14>実施例12で用いたアゾ化
合物の代わりに、例示アゾ化合物(No.P183)を
用いたこと以外は、実施例12と同様にして感光体を作
製した。
【0348】<比較例1>アルミニウム蒸着ポリエステ
ルフィルム上にメタノール/ブタノール混合溶媒に溶解
したポリアミド樹脂(CM−8000:東レ社製)溶液
をドクターブレードで塗布し、100℃で5分乾燥して
0.5μmの中間層を設けた。次に、下記構造式(CG
M−1)で示される電荷発生物質0.5gを、ポリカー
ボネート樹脂(PCX−5:帝人化成社製)0.5gと
テトラヒドロフラン19gよりなる溶液と共にボールミ
リング分散した後、組成比が電荷発生物質2重量%、ポ
リカーボネート樹脂50重量%、下記構造式(CTM−
1)で示される電荷輸送物質30重量%、 前記構造式
(Q−3)で示されるアクセプター性化合物18重量
%、シリコーンオイル(KF−50:信越化学工業社
製)0.001重量%となるように電荷輸送物質、アク
セプター性化合物、テトラヒドロフラン、及びシリコー
ンオイルを加え、固形分20重量%の感光体塗布液を調
整した。このようにして調整した感光体塗布液を前記中
間層上にドクターブレードにて塗布し、120℃で20
分乾燥し、厚さ20μmの感光層を有する単層型電子写
真感光体を作製した。
【0349】
【化159】
【0350】(評価1)実施例実施例1〜14、並びに
比較例1の単層型電子写真感光体について、25℃/5
5%RHの環境下、静電複写紙試験装置EPA−820
0(川口電気作製所製)を用い、暗所で+6KVのコロ
ナ放電を20秒間行って帯電させ、さらに20秒間暗所
に放置した後、表面電位V0(V)を測定した。次い
で、感光体表面の照度が5.3luxになるようにタン
グステンランプを照射して、その表面電位がV0の1/
2になるまでの時間(sec)を求め、可視域での感度
として半減露光量E1/2(lux・sec)を算出し
た。続いて、感光体表面を工業規格JIS K7204
(1995)に従い、テーバー摩耗試験(東洋精機社
製)にてCS−5摩耗輪を使用し、荷重1Kgで300
0回転の摩耗試験を行い、摩耗量を測定した。結果を表
51に示す。
【0351】
【表51】
【0352】(評価2)実施例4、実施例12並びに比
較例1の単層型電子写真感光体を線速260mm/sの
ドラムに装着し、プラス帯電、露光、光クエンチを50
00回繰り返し、初期、及び、5000回後の帯電電位
Vd(V)と露光後電位Vl(V)とを測定した。結果
を表52に示す。
【0353】
【表52】
【0354】上記評価1及び評価2の結果より、本発明
のアゾ化合物と高分子電荷輸送物質とを含有する感光体
は、可視域での感度が良好であるほか感光体表面の摩耗
量も少なく耐光性、耐久性に優れ、帯電、露光、光クエ
ンチなどの複写プロセスを繰り返しても静電特性の安定
性していることが分かる。
【0355】
【発明の効果】本発明の単層型電子写真用感光体は、帯
電性、感度が良好で、かつ、耐光性、耐久性に優れ、繰
り返し複写プロセスに対しても静電特性の安定性に富ん
だものである。また、本発明により、優れた電子写真感
光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置
用プロセスカートリッジを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子写真方法、電子写真装置及び電子
写真装置用プロセスカートリッジを説明するための電子
写真装置概略構成図である。
【図2】本発明の電子写真プロセスの別の一例を示す電
子写真装置概略構成図である。
【図3】電子写真装置における画像形成手段であるプロ
セスカートリッジの一例を示す概略構成図である。
【図4】合成例1で得られた本発明に用いるフェナンス
レン化合物の赤外線吸収スペクトル図である。
【図5】合成例2で得られた本発明に用いるフェナンス
レン化合物の赤外線吸収スペクトル図である。
【図6】合成例3で得られた本発明に用いるカップラー
化合物の赤外線吸収スペクトル図である。
【図7】製造例1で得られた本発明に用いるアゾ化合物
の赤外線吸収スペクトル図である。
【図8】製造例2で得られた本発明に用いるアゾ化合物
の赤外線吸収スペクトル図である。
【符号の説明】
1 感光体 2 除電ランプ 3 帯電チャージャ 4 イレーサ 5 画像露光部 6 現像ユニット 7 転写前チャージャ 8 レジストローラ 9 転写紙 10 転写チャージャ 11 分離チャージャ 12 分離爪 13 クリーニング前チャージャ 14 ファーブラシ 15 クリーニングブラシ 16 感光体 17 帯電チャージャ 18 クリーニングブラシ 19 画像露光部 20 現像ローラ 21 感光体 22a 駆動ローラ 22b 駆動ローラ 23 帯電チャージャ 24 像露光源 25 転写チャージャ 26 光源 27 クリーニングブラシ 28 除電光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03G 5/06 G03G 5/06 345D 346 346A 347 347A 348 348 350 350B 350C 351 351A 351B 352 352 354 354 354A 356 356 360 360B 362 362 365 365C C08G 64/12 C08G 64/12 G03G 5/05 101 G03G 5/05 101 104 104B 5/07 103 5/07 103 5/14 101 5/14 101 Fターム(参考) 2H068 AA13 AA16 AA19 AA20 AA31 AA41 BA12 BA14 BA42 BA44 BA45 BA47 BA48 BA49 BA51 BA52 BA53 BA63 BB14 BB23 BB25 BB29 BB49 FA01 FA03 FA27 4J029 AA09 AA10 AC01 AC02 AE04 BA02 BB12C BB13A BB13B BD09A BE03 BE07 BF09 BF14 BG08Y BH01 BH02 BH04 DA02 DA09 DB07 DB11 DB13

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性支持体上に直接または中間層を介
    して単層の感光層を設けてなる単層型電子写真感光体に
    おいて、前記感光層に下記一般式(1): 【化1】 (一般式(1)中、Arは結合基を介して結合してもよ
    い置換または無置換の芳香族炭化水素基または芳香族複
    素環基を、Cpはカップラー残基を、nは1、2、3、
    4の整数を示す。該Cpの少なくとも1つは一般式
    (2): 【化2】 または一般式(3): 【化3】 あるいは一般式(4): 【化4】 (一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)中、
    51、R52、R53、R54、R 55及びR56は水素原子、ア
    ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ヒ
    ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、X51は水素原子、
    置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の芳
    香族炭化水素基、置換または無置換の複素環基、置換ま
    たは無置換のアミノ基を、Y51は置換または無置換のア
    ルキレン基、置換または無置換の芳香族性を有する2価
    の有機残基、置換または無置換の複素環芳香族性を有す
    る2価の有機残基、−CO−Z−で示されるカルボニル
    基含有2価の有機残基(ただし、Zは置換または無置換
    のアルキレン基、置換または無置換の芳香族性を有する
    2価の有機残基、置換または無置換の複素環芳香族性を
    有する2価の有機残基を示す。)を示す。)より選ばれ
    たカップラー残基を示す。)で示されるアゾ化合物と高
    分子電荷輸送物質とを含有することを特徴とする単層型
    電子写真感光体。
  2. 【請求項2】 前記アゾ化合物において、一般式(2)
    で示されるカップラー残基が下記一般式(5)で示され
    るカップラー残基であることを特徴とする請求項1に記
    載の単層型電子写真感光体。 【化5】 (一般式(5)中、A1は置換または無置換の芳香族炭
    化水素基、置換または無置換の複素環基、mは1〜6の
    整数を示す。)
  3. 【請求項3】 前記アゾ化合物において、一般式(1)
    中のnが2、3、4の時、Cpの少なくとも1つは下記
    一般式(6): 【化6】 (一般式(6)中、Z1は炭化水素環またはその置換
    体、複素環基またはその置換体を表し、R14は水素、ア
    ルキル基またはその置換体、フェニル基またはその置換
    体を表し、Y2は炭化水素環基またはその置換体、複素
    環基またはその置換体を表す。)で示されるカップラー
    残基であることを特徴とする請求項1に記載の単層型電
    子写真感光体。
  4. 【請求項4】 前記アゾ化合物において、一般式(1)
    中のnが2、3、4の時、Cpの少なくとも1つは下記
    一般式(7): 【化7】 または下記一般式(8): 【化8】 (一般式(7)、一般式(8)中、W1は芳香族炭化水
    素の2価基または窒素原子を環内に含む複素環の2価基
    を表わす。これらの環は置換または無置換でもよい。)
    より選ばれたカップラー残基であることを特徴とする請
    求項1に記載の単層型電子写真感光体。
  5. 【請求項5】 前記高分子電荷輸送物質がポリカーボネ
    ート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエーテルの少
    なくともいずれか1つの重合体であることを特徴とする
    請求項1に記載の単層型電子写真感光体。
  6. 【請求項6】 前記高分子電荷輸送物質がトリアリール
    アミン構造を有する高分子化合物であることを特徴とす
    る請求項1に記載の単層型電子写真感光体。
  7. 【請求項7】 前記高分子電荷輸送物質がトリアリール
    アミン構造を有するポリカーボネートであることを特徴
    とする請求項1に記載の単層型電子写真感光体。
  8. 【請求項8】 前記トリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートが下記一般式(1D): 【化9】 {式中、R’1、R’2、R’3は、それぞれ独立して置
    換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
    し、R’4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
    キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
    ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
    整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
    族の2価基、または下記一般式(A): 【化10】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化11】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  9. 【請求項9】 前記トリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートが下記一般式(2D): 【化12】 {式中、R3、R4は置換もしくは無置換のアリール基を
    表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
    ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
    族の2価基、または下記一般式(A): 【化13】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化14】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  10. 【請求項10】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(3D): 【化15】 {式中、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を
    表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
    ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
    族の2価基、または下記一般式(A): 【化16】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化17】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  11. 【請求項11】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(4D): 【化18】 {式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を
    表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
    ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
    脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、または下記一般
    式(A): 【化19】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化20】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  12. 【請求項12】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(5D): 【化21】 {式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基
    を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
    リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
    レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
    k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
    であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
    数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
    または下記一般式(A): 【化22】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化23】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  13. 【請求項13】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(6D): 【化24】 {式中、R11、R12、R13、R14は置換もしくは無置換
    のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
    は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
    は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
    しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
    換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
    ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
    い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
    0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
    0の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2
    価基、または下記一般式(A): 【化25】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化26】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  14. 【請求項14】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(7D): 【化27】 {式中、R15、R16は水素原子、置換もしくは無置換の
    アリール基を表し、R15とR16は環を形成していてもよ
    い。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリレ
    ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
    族の2価基、または下記一般式(A): 【化28】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化29】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  15. 【請求項15】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(8D): 【化30】 {式中、R17は置換もしくは無置換のアリール基を表
    し、Ar20、Ar21、Ar 22、Ar23は同一または異な
    るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
    ≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
    し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
    環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A): 【化31】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化32】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  16. 【請求項16】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(9D): 【化33】 {式中、R18、R19、R20、R21は置換もしくは無置換
    のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
    27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
    k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
    であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
    数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
    または下記一般式(A): 【化34】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化35】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  17. 【請求項17】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(10D): 【化36】 {式中、R22、R23は置換もしくは無置換のアリール基
    を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
    リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
    1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
    し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
    環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A): 【化37】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
    原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
    レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
    O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
    2価基を表す。)、または下記一般式(B): 【化38】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
    の整数を表す。R26、R 27は置換または無置換のアルキ
    ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25
    26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。〕
    で表される2価基を表す。}で表される高分子電荷輸送
    物質であることを特徴とする請求項7に記載の単層型電
    子写真感光体。
  18. 【請求項18】 前記トリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートが下記一般式(11D): 【化39】 (式(11D)中、Ar32、Ar33、Ar35およびAr
    36は置換もしくは無置換のアリレン基を表し、Ar34
    置換もしくは無置換のアリール基を表す。Zはアリレン
    基または−Ar37−Za−Ar37−を表し、Ar37は置
    換もしくは無置換のアリレン基を表す。ZaはO、Sま
    たはアルキレン基を表す。RおよびR’は直鎖または分
    岐鎖のアルキレン基、または−O−を表す。hは0また
    は1を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
    ≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
    5000の整数である。Xは置換または無置換の脂肪族
    2価基、置換または無置換の環状脂肪族2価基、置換ま
    たは無置換の芳香族2価基、またはこれらを連結してで
    きる2価基、または下記一般式(A’)、一般式
    (F)、一般式(G)で表される2価基を表す。 【化40】 【化41】 【化42】 (式(A’)、(F)、(G)中、R24、R25、R55
    56は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキ
    ル基、置換もしくは無置換のアリール基またはハロゲン
    原子を表す。l、mはそれぞれ独立して0〜4の整数、
    s、tはそれぞれ独立して0〜3の整数を表す。R24
    25、R55、R56がそれぞれに複数個存在する時は同一
    でも異なっていてもよい。)、Yは単結合、炭素原子数
    1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
    基、1つ以上の炭素原子数1〜10のアルキレン基と1
    つ以上の酸素原子及び硫黄原子から構成される2価基、
    −O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−
    COO−、−CO−O−Z1−O−CO−、−CO−Z2
    −CO−(式中Z1、Z2は置換もしくは無置換の脂肪族
    2価基、または置換もしくは無置換のアリレン基を表
    す)、または下記一般式(B)、一般式(H)〜(N)
    を表す。 【化43】 【化44】 【化45】 【化46】 【化47】 【化48】 【化49】 【化50】 (式(B)、(H)〜(N)中、R26、R27はそれぞれ
    独立して置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
    は無置換のアリール基を表す。R57、R58、R64はハロ
    ゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
    くは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリ
    ール基を表す。R59、R60、R61、R62、R63はそれぞ
    れ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置
    換のアルキル基、、置換もしくは無置換のアルコキシ
    基、置換もしくは無置換のアリール基を表す。R58とR
    59は結合して炭素数5〜12の炭素環を形成してもよ
    い。R65とR66は端結合または炭素数1〜4のアルキレ
    ン基を表す。aは1〜20の整数、bは1〜2000の
    整数、uとwは0〜4の整数、vは1または2を表す。
    26、R27、R57、R64がそれぞれに複数個存在する時
    は同一でも異なっていてもよい。))で表される高分子
    電荷輸送物質であることを特徴とする請求項7に記載の
    単層型電子写真感光体。
  19. 【請求項19】 前記感光層は、さらに、アクセプター
    性化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の
    単層型電子写真感光体。
  20. 【請求項20】 前記アクセプター性化合物が下記一般
    式(9): 【化51】 (式(9)中、Q1、Q2、Q3、Q4は水素原子、ハロゲ
    ン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、シアノ基、
    またはニトロ基を表し、Q5およびQ6は水素原子置換も
    しくは無置換のアリール基、シアノ基、アルコキシカル
    ボニル基、またはアリールオキシカルボニル基を表
    す。)で示される2,3−ジフェニルインデン化合物で
    あることを特徴とする請求項19に記載の単層型電子写
    真感光体。
  21. 【請求項21】 前記感光層は、さらに、フェノール化
    合物を含有することを特徴とする請求項19に記載の単
    層型電子写真感光体。
  22. 【請求項22】 前記フェノール化合物が下記一般式
    (10): 【化52】 (一般式(10)中、E1〜E8は水素原子、置換または
    無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシカ
    ルボニル基、置換または無置換のアリール基、置換また
    は無置換のアルコキシ基を表す。)で示されるフェノー
    ル化合物であることを特徴とする請求項21に記載の単
    層型電子写真感光体。
  23. 【請求項23】 導電性支持体上に直接または中間層を
    介して単層の感光層を設けてなる単層型電子写真感光体
    において、前記感光層は少なくとも電荷発生物質、及び
    電荷輸送物質よりなり、かつ、該電荷発生物質が下記一
    般式(1): 【化53】 (一般式(1)中、Arは結合基を介して結合してもよ
    い置換または無置換の芳香族炭化水素基または芳香族複
    素環基を、Cpはカップラー残基を、nは1、2、3、
    4の整数を示す。該Cpの少なくとも1つは一般式
    (2): 【化54】 または一般式(3): 【化55】 あるいは一般式(4): 【化56】 (一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)中、
    51、R52、R53、R54、R 55及びR56は水素原子、ア
    ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ヒ
    ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、X51は水素原子、
    置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の芳
    香族炭化水素基、置換または無置換の複素環基、置換ま
    たは無置換のアミノ基を、Y51は置換または無置換のア
    ルキレン基、置換または無置換の芳香族性を有する2価
    の有機残基、置換または無置換の複素環芳香族性を有す
    る2価の有機残基、−CO−Z−で示されるカルボニル
    基含有2価の有機残基(ただし、Zは置換または無置換
    のアルキレン基、置換または無置換の芳香族性を有する
    2価の有機残基、置換または無置換の複素環芳香族性を
    有する2価の有機残基を示す。)を示す。)より選ばれ
    たカップラー残基を示す。)で示されるアゾ化合物であ
    り、該電荷輸送物質が高分子電荷輸送物質であることを
    特徴とする単層型電子写真感光体。
  24. 【請求項24】 前記アゾ化合物が下記一般式(1
    1): 【化57】 (一般式(11)中、Arは結合基を介して結合しても
    良い置換または無置換の芳香族炭化水素基または芳香族
    複素環基を、Cp’はカップラー残基を、R51、R52
    53、R54、R55及びR56は水素原子、アルキル基、ア
    ルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシ基、
    ニトロ基、シアノ基を、X51は水素原子、置換または無
    置換のアルキル基、置換または無置換の芳香族炭化水素
    基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換の
    アミノ基を、n1は1、2の整数を、n2は0、1の整数
    を示す。)で示されるジスアゾ化合物であることを特徴
    とする請求項23に記載の単層型電子写真感光体。
  25. 【請求項25】 前記ジスアゾ化合物が下記一般式(1
    2): 【化58】 (一般式(12)中、Cp’はカップラー残基を、
    51、R52、R53、R54、R 55及びR56は水素原子、ア
    ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ヒ
    ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、X51は水素原子、
    置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の芳
    香族炭化水素基、置換または無置換の複素環基、置換ま
    たは無置換のアミノ基を、n1は1、2の整数を、n2
    0、1の整数を示す。)で示されるジスアゾ化合物であ
    ることを特徴とする請求項24に記載の単層型電子写真
    感光体。
  26. 【請求項26】 前記アゾ化合物が下記一般式(13)
    あるいは一般式(14): 【化59】 【化60】 (一般式(13)、一般式(14)中、Arは結合基を
    介して結合しても良い置換または無置換の芳香族炭化水
    素基または芳香族複素環基を、Cp’はカップラー残基
    を、R51、R52、R53、R54、R55及びR56は水素原
    子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ
    基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、Y51は置換
    または無置換のアルキレン基、置換または無置換の芳香
    族性を有する2価の有機残基、置換または無置換の複素
    環芳香族性を有する2価の有機残基、−CO−Z−で示
    されるカルボニル基含有2価の有機残基(ただし、Zは
    置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換の
    芳香族性を有する2価の有機残基、置換または無置換の
    複素環芳香族性を有する2価の有機残基を示す)を、n
    1は1、2の整数を、n2は0、1の整数を示す。)で示
    されるジスアゾ化合物であることを特徴とする請求項2
    3に記載の単層型電子写真感光体。
  27. 【請求項27】 前記ジスアゾ化合物が下記一般式(1
    5)あるいは一般式(16): 【化61】 【化62】 (一般式(15)、一般式(16)中、Cp’はカップ
    ラー残基を、R51、R52、R53、R54、R55及びR56
    水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
    アミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基を、Y
    51は置換または無置換のアルキレン基、置換または無
    置換の芳香族性を有する2価の有機残基、置換または無
    置換の複素環芳香族性を有する2価の有機残基、−CO
    −Z−で示されるカルボニル基含有2価の有機残基(た
    だし、Zは置換または無置換のアルキレン基、置換また
    は無置換の芳香族性を有する2価の有機残基、置換また
    は無置換の複素環芳香族性を有する2価の有機残基を示
    す)を、n1は1、2の整数を、n2は0、1の整数を示
    す。)で示されるジスアゾ化合物であることを特徴とす
    る請求項26に記載の単層型電子写真感光体。
  28. 【請求項28】 請求項1〜27のいずれかに記載の単
    層型電子写真感光体を用い、帯電、像露光、現像、及び
    転写を行うことを特徴とする電子写真方法。
  29. 【請求項29】 請求項1〜27のいずれかに記載の単
    層型電子写真感光体を有すると共に、帯電手段、像露光
    手段、現像手段、及び転写手段を備えたことを特徴とす
    る電子写真装置。
  30. 【請求項30】 請求項1〜27のいずれかに記載の単
    層型電子写真感光体と、帯電手段、像露光手段、現像手
    段、転写手段、及びクリーニング手段から選ばれる少な
    くとも1つの手段とを一体的に形成し、電子写真装置本
    体に脱着自在としたことを特徴とするプロセスカートリ
    ッジ。
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