JP2002082460A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い感度を有し、且つ繰り返し使用時の
耐摩耗性に優れた電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、前記感光層中に、下記一般式
（１）、及び一般式（２）を同時に含有するテトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物の少なくとも１種と、高分子
電荷輸送物質の少なくとも１種とを含有することを特徴
とする電子写真感光体。 【化１】 （式（１）、（２）中、Ｒ₁₀₁は水素原子、置換または
無置換の低級アルキル基、置換または無置換のアルコキ
シ基、置換または無置換のアリール基、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は
独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のア
ルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または
無置換のシクロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を表わ
し、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は互いに環を形成していても良い。ｎ
は１または２を表わす。Ｍは、金属、金属酸化物、金属
水酸化物、金属ハロゲン化物、水素原子が２個付加した
形を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物と高分子電荷輸送物質とを用いる電
子写真感光体並びにそれを用いた電子写真方法、電子写
真装置および電子写真装置用プロセスカートリッジに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電体としては大きく分けて種々の無機及び
有機光導電体が知られている。ここにいう「電子写真方
式」とは、一般に光導電性の感光体をまず暗所で、例え
ばコロナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、露光
部のみの電荷を選択的に逸散させて静電潜像を得、この
潜像部を染料、顔料などの着色剤と高分子材料などで構
成されるトナーで現像し、可視化して画像を形成するよ
うにした、いわゆるカールソンプロセスとよばれる画像
形成プロセスである。有機の光導電体を用いた感光体
は、無機光導電体に比べ感光波長域の自由度、成膜性、
可撓性、膜の透明性、量産性、毒性やコスト面等におい
て利点を持つため、現在ではほとんどの感光体には有機
光導電体が用いられている。また、この電子写真方式お
よび類似プロセスにおいて繰り返し使用される感光体に
は、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電
位、分光感度特性に代表される静電特性が優れているこ
とが要求される。

【０００３】近年ではこの電子写真方式を用いた情報処
理システム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報
をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデ
ジタル記録方式を用いたプリンターは、そのプリント品
質、信頼性において向上が著しい。また、このデジタル
記録方式はプリンターのみならず通常の複写機にも応用
され、所謂デジタル複写機が開発されている。さらに、
このデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加
されるため今後その需要性が益々高まっていくと予想さ
れる。

【０００４】このようなデジタル記録方式に対応させる
感光体には従来からあるアナログ方式とは異なった特性
が要求されている。例えば、光源としては現在のところ
小型で、安価な信頼性の高い半導体レーザー（ＬＤ）や
発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在よ
く使われているＬＤの発光波長域は近赤外光領域にあ
り、ＬＥＤの発光波長は６５０ｎｍより長波長である。
このため上記デジタル記録方式における感光体への要求
事項に加え、可視光領域から近赤外光領域に高い感度を
有することが感光体に望まれる。

【０００５】この観点から、スクエアリリウム染料（特
開昭４９−１０５５３６号公報、及び同５８−２１４１
６号公報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ顔料（特
開昭６１−１５１６５９号公報）、フタロシアニン顔料
（特開昭４８−３４１８９号公報、及び同５７−１４８
７４号公報）等が、デジタル記録用の光導電体として提
案されている。特にテトラアザポルフィリン誘導体であ
るフタロシアニン顔料は、長波長域まで感光波長域を持
つと共に高い光感度を有し、また中心金属や結晶形の種
類によって様々な特性のバリエーションが得られること
からデジタル記録用の光導電体として盛んに研究が行わ
れている。これまで知られている良好な感度を示すフタ
ロシアニン顔料としては、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型
無金属フタロシアニン、τ型無金属フタロシアニン、バ
ナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等が挙
げられる。中でも特開昭６４―１７０６６号公報、特開
平３−１２８９７３号公報、特開平５−９８１８２号公
報によって高感度のチタニルフタロシアニン顔料が提案
されている。これらのチタニルフタロシアニン顔料の分
光波長域は７００〜８６０ｎｍに最大吸収を示してお
り、半導体レーザー光に対して極めて高感度を示すもの
である。しかしながら、上述の特許公報に示されるチタ
ニルフタロシアニン顔料を電子写真感光体に用いた場
合、感度的には充分であるものの、繰り返し疲労による
帯電性の低下や、感度特性においては温度、湿度依存性
が大きいなど、実用上多くの問題を残している［Y. Fuj
imaki, Proc. IS&T's 7th International Congress on
Advances in Non-Impact PrintingTechnologies, 1, 26
9 (1991)；K. Daimon, et al. : J. Imaging Sci. Tech
nol., 40, 249 (1996)］。

【０００６】また、チタニルフタロシアニンをトリハロ
酢酸で処理する方法については、特公平８−６０５０号
公報、特開平８−２８３５９９号公報、特開平２−２６
９７７６号公報に開示されており、特開平２−３９１６
０号公報,、特開平３−２７１１１号公報,、特開平４−
２８３５８１号公報,、特開平４−１１３３６１号公報
にはフタロシアニンとフタロシアニン窒素同構体、フタ
ロシアニンイオウ同構体顔料の混合物が光導電体として
有用であることが開示されている。

【０００７】しかしながら、これらを用いた電子写真感
光体は可視域、近赤外域における感度、帯電特性、繰返
し使用への耐久性等の点で前記感光体の要求事項を充分
満足するものではなかった。

【０００８】一方、電子写真感光体に用いる電荷輸送物
質についても数多くの開発がなされてきた。電荷輸送物
質の多くは低分子化合物として開発されているが、低分
子化合物は単独では成膜性がないため、通常不活性高分
子に分散・混合して用いられる。しかしながら、電荷発
生物質と電荷輸送物質と組み合わせて用いる機能分離型
の電子写真感光体においては、低分子電荷輸送物質と不
活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カー
ルソンプロセスにおいては、繰り返し使用による膜削れ
が生じやすいという欠点がある。また、この構成の電荷
輸送層は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセス
の高速化あるいは小型化の障害となっていた。これは、
通常、低分子電荷輸送物質が電荷輸送層において５０重
量％以下の含有量で使用されることに起因している。す
なわち、低分子電荷輸送物質の含有量を増すことにより
電荷移動度をある程度上げることは可能であるが、低分
子電荷輸送物質の含有量が増えることで成膜性が劣化
し、繰り返し使用による膜削れが大きくなるためであ
る。

【０００９】このような欠点を改良するために高分子型
の電荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭５０−８２
０５６号公報、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭
５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公
報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７
８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特
開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公
報、特開平３−５０５５５号公報、特開平４−１７５３
３７号公報、特開平４−２２５０１４号公報、特開平４
−２３０７６７号公報、特開平５−２３２７２７号公
報、特開平５−３１０９０４号公報などに高分子電荷輸
送物質が開示されている。

【００１０】これらの高分子電荷輸送物質を用いた場合
には、電荷輸送層を高分子化合物だけで構成することが
できるため、成膜性が良好で機械的強度が強く耐摩耗性
に優れた電荷輸送層を得ることができ、繰り返し使用に
よる膜削れを防止することができる。

【００１１】しかしながら、電荷発生物質と高分子電荷
輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の電子写真
感光体は、低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べて光
感度が劣っているという欠点があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上記
のような問題点を解決し、高い感度を有し、且つ繰り返
し使用時の耐摩耗性に優れた電子写真感光体を提供する
ことにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、前
記感光層中に、下記一般式（１）及び一般式（２）を同
時に含有するテトラアザポルフィリン誘導体混合物の少
なくとも１種と、高分子電荷輸送物質の少なくとも１種
とを含有することを特徴とする電子写真感光体が提供さ
れる。さらに、前記高分子電荷輸送物質がポリカーボネ
ート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエーテルの少
なくとも１つであることを特徴とする電子写真感光体、
前記高分子電荷輸送物質がトリアリールアミン構造を有
する高分子化合物であることを特徴とする電子写真感光
体、前記高分子電荷輸送物質がトリアリールアミン構造
を有するポリカーボネートであることを特徴とする電子
写真感光体、前記高分子電荷輸送物質が下記一般式（１
Ｄ）〜（１０Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートの少なくとも１つであることを
特徴とする電子写真感光体が提供される。

【００１４】一般式（１）及び一般式（２）を同時に含
有するテトラアザポルフィリン誘導体混合物を用いるこ
とにより、可視域、近赤外域における高い感度、良好な
帯電特性、繰り返し使用時の耐久性に優れた電子写真感
光体を得ることができる。一般式（１）及び一般式
（２）のテトラアザポルフィリン誘導体混合物において
は、一般式（１）のテトラアザポルフィリン誘導体が非
常に有効に作用していると思われる。また、電荷輸送物
質としてポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステ
ル、ポリエーテルの高分子電荷輸送物質、特に一般式
（１Ｄ）〜（１０Ｄ）で表されるトリアリールアミン構
造を有する高分子電荷輸送物質を用いることにより、感
光層の成膜性が良好であり繰り返し使用時の耐摩耗性に
優れた、且つオゾンやＮＯｘガスによる帯電特性や感度
などの劣化が少ない耐ガス性に優れた電子写真感光体を
得ることができる。

【００１５】以下に本発明の電子写真感光体に用いられ
る一般式（１）及び一般式（２）を同時に含有するテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物について説明する。

【００１６】

【化３２】 （（１）、（２）式中、Ｒ₁₀₁は水素原子、置換または
無置換の低級アルキル基、置換または無置換のアルコキ
シ基、置換または無置換のアリール基、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は
独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のア
ルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または
無置換のシクロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を表わ
し、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は互いに環を形成していても良い。ｎ
は１または２を表わす。Ｍは、金属、金属酸化物、金属
水酸化物、金属ハロゲン化物、水素原子が２個付加した
形を表わす。）

【００１７】一般式（１）に示すテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物は、例えば下記一般式（３）で示される
ニトリル誘導体、下記一般式（４）で表されるフタロニ
トリル誘導体、下記一般式（５）で表される１、３−ジ
イミノイソインドリン誘導体を、必要に応じて金属また
は金属を有する化合物と共に、無溶媒か、α−クロロナ
フタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の
ハロゲン系溶剤、ペンタノール、オクタノール等のアル
コ−ル系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン等のアミン系溶剤、ベンゼン、トルエ
ン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒の存在下で反応さ
せる事により得ることができる。金属としては、具体的
には、例えばＭｇ、Ｌｉ、Ｎａ、また金属を有する化合
物として、例えばＴｉＣｌ₄、ＣｏＣｌ₂、ＣｕＣｌ₂、
ＣｕＣｌ、ＩｎＣｌ₃、ＩｎＢｒ₃、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣ
ｌ₂、ＶＣｌ₃等の金属ハロゲン化物、Ｔｉ（ＯＢ
ｕ）₄、Ｍｇ（ＯＥｔ）₂等のアルコキシ金属等が挙げら
れる。

【００１８】本発明に使用されるテトラアザポルフィリ
ン混合物を得るためには、まず下式に従い、相当するニ
トリル誘導体（３）を合成する。反応は通常無溶媒か、
エタノール、ブタノ−ル等のアルコ−ル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、ジク
ロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン系溶
剤、酢酸等の酸性溶媒の存在下で加熱する事により得る
ことができる。反応収率、原料の溶解性向上の目的で、
酢酸、硫酸、塩酸等の酸性触媒の存在下で反応させるこ
とが好ましい。反応温度は通常室温〜３００℃で行い、
特に４０℃〜２００℃で行うことが、反応収率の点から
好ましい。

【００１９】

【化３３】 （Ｒ₁₀₁は水素原子、置換または無置換の低級アルキル
基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置
換のアリール基を表わし、ｎは１または２を表わす。）

【００２０】また、フタロニトリル誘導体（４）、１，
３−ジイミノイソインドリン誘導体（５）は、「フタロ
シアニン−化学と機能−」（白井・小林著）に示される
公知の手法により得られるが、一部市販されている化合
物もある。

【００２１】

【化３４】 （Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は独立に水素原子、ハロゲン原子、置換
または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリー
ル基、置換または無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基、シアノ基を表わし、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は互いに環を形成
していても良い。）

【００２２】また、該反応は必要に応じて尿素、ホルム
アミド、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−
ウンデセン（ＤＢＵ）等のアミン系触媒の存在下反応を
行っても良い。ここで一般式（３）と（４）、または
（３）と（５）の混合割合（モル比）は、０．００１：
９９．９９９〜９９．９９９：０．００１、好適には
０．１：９９．９〜９９．９：０．１（モル比）とする
ことが好ましい。（３）の混合割合が前述の混合割合よ
り少なく、（４）または（５）の混合割合が前述の混合
割合より多い場合、電子写真特性において残留電位の増
加、帯電性の低下を来す恐れがある。逆に、（３）の混
合割合が前述の混合割合より多く、（４）または（５）
の混合割合が前述の混合割合より少ない場合、電子写真
特性において帯電性の低下を来す恐れがある。反応温度
は通常室温〜３００℃で行い、特に１００℃〜１８０℃
で行うことが反応収率の点から好ましい。

【００２３】また、一般式（１）、一般式（２）に示さ
れるテトラアザポルフィリン誘導体混合物のうち、Ｍ＝
Ｍｇ、Ｌｉ、Ｎａであるテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を酸性溶媒中で処理する事により、Ｍに水素原子
が２個付加した形をとるテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を高収率で得ることが可能である。ここでいう酸
性溶媒とはトリフルオロ酢酸、硫酸などを示す。

【００２４】本発明に使用するテトラアザポルフィリン
誘導体混合物は、原料（出発物質）として異種のニトリ
ル化合物を混合して合成するため、合成方法、反応条件
により、置換基の位置が異なる異性体が同時に合成され
る場合がある。更に、請求項１に示す一般式（１）、
（２）だけでなく多量体が同時に合成される場合がある
が、本発明に使用するテトラアザポルフィリン誘導体混
合物は、これらの異性体、多量体の有無、種類、数は限
定されるものではなく、これらを単離することなく、テ
トラアザポルフィリン誘導体混合物として使用すること
が可能である。

【００２５】表１に一般式（１）、（２）の例示化合物
を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２６】

【表１】

【００２７】一般式（１）、一般式（２）におけるＲ
₁₀₁は水素原子、置換または無置換の低級アルキル基、
置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換の
アリール基が挙げられる。具体的には置換または無置換
の低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、iso−プロピル基、tert−ブチル基、sec−
ブチル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、トリフルオ
ロメチル基等が挙げられ、置換または無置換のアルコキ
シ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基が挙げられ、置換または無置換のアリール基としては
フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基が挙げられ
る。置換基Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅としては、各々独立に水素原
子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子や置換または無
置換のアルキル基、アリール基等が挙げられる。具体的
にハロゲン原子としてヨウ素原子、臭素原子、塩素原
子、フッ素原子が挙げられ、置換または無置換のアルキ
ル基としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、is
o−プロピル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、ｎ−
ブチル基、iso−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル
基、４−メチルベンジル基等が挙げられる。また、置換
または無置換のアリール基としてはフェニル基、ナフチ
ル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ピレニル
基、フルオレニル基、９,９−ジメチル−２−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５
Ｈ−ジベンゾ[ａ，ｄ]シクロヘプテニリデンフェニル
基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピリジニル
基、ピロリジル基、オキサゾリル基等が挙げられ、これ
らアリール基は上述したアルキル基、アルコキシ基、及
びハロゲン原子を有していても良い。また、本発明に使
用するテトラアザポルフィリン誘導体混合物は、置換基
の位置の異なる異性体が混合されても良い。更に、Ｒ
₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は互いに環を形成しても良い。

【００２８】また、本発明において使用するテトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物は、合成する際に使用する金
属種に応じて中心金属Ｍの異なるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物を合成することが可能である。一般式
（１）、（２）においてＭは、金属、例えばＣｕ、Ｍ
ｇ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｉｎ等の金属原子、ＴｉＯ、ＶＯ等の
金属酸化物、金属水酸化物、金属ハロゲン化物、水素原
子が２個付加した形を表わすが、本発明に使用するテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物は、Ｍが異なるテトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を、複数混合して使用す
ることも可能である。

【００２９】本発明において使用するテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物は、結晶変換処理を行ってから用い
てもよい。結晶変換処理方法としては、酸性溶媒中で溶
解、または、スラリ−化させた後、得られた溶液または
スラリ−を例えば、単独の有機溶媒または水、あるいは
２種以上の有機溶媒を混合した混合溶媒、あるいは有機
溶媒と水を混合した混合溶媒中に滴下する、あるいは、
得られた溶液またはスラリ−中に、単独の有機溶媒また
は水、あるいは２種以上の有機溶媒を混合した混合溶
媒、あるいは有機溶媒と水を混合した混合溶媒を滴下す
る等の方法が好ましい。

【００３０】また、該テトラアザポルフィリン誘導体混
合物は、他の方法により結晶変換処理を行っても良い。
他の結晶変換処理方法としては、例えば酸処理、溶媒処
理、機械的処理、加熱処理等がある。酸処理とは、硫
酸、トリクロロ酢酸などの酸中に０℃〜室温で顔料を溶
解させた後、これを氷、水もしくは難溶な有機溶媒に滴
下して顔料の結晶を析出させ、濾過等の手段により結晶
を得ることを示す。溶媒処理とは、室温下あるいは加熱
下での、溶媒中における顔料の懸濁攪拌処理を示し、ミ
リング処理とは、例えばガラスビーズ、スチールビー
ズ、アルミナボール等を用いてサンドミル、ボールミル
等のミリング装置を用いて、常温もしくは加熱下行う処
理を示す。ミリング処理においては上記ミリングメディ
アとともに溶媒を添加した系でおこなっても良い。これ
らの処理に使用する溶媒としては、例えばベンゼン、ト
ルエン、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、メタノー
ル、エタノール、ベンジルアルコール、アセトン、シク
ロヘキサノン、メチルエチルケトン、ｎ−ブチルエーテ
ル、エチレングリコール、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、キノ
リン、ピリジン、ジメチルスルホキシド、水等があり、
またこれらの溶媒を混合しておこなっても良い。

【００３１】本発明において使用するテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物は、ＣｕＫαのＸ線回折においてブ
ラッグ角２θ±０．２゜＝９．１°、１０．４°、１
２．１°、１２．９°、１４．９°、１５．４°、１
５．８°、２０．５°、２３．１°、２６．１°、２
６．９°に強い回折ピ−クを有するテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物、ブラッグ角２θ±０．２゜＝７．４
゜、１０．１°、１２．４°、１６．１°、２２．４
゜、２４．１２゜、２５．２゜、２８．５゜に強い回折
ピ−クを有するテトラアザポルフィリン誘導体混合物、
ブラッグ角２θ±０．２゜＝７．４°、９．６°、１
４．９°、２４．１°、２７．１゜に強い回折ピ−クを
有するテトラアザポルフィリン誘導体混合物、ブラッグ
角２θ±０．２゜＝２７．２゜に強い回折ピ−クを有
し、かつブラッグ角２θ±０．２゜＝４゜〜１０゜の範
囲に回折ピ−クが全く存在しないテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物が好適に使用されるが、これらに限定さ
れるものではない。その中でも、特に、ＣｕＫαのＸ線
回折においてブラッグ角２θ±０．２゜＝２７．２゜に
強い回折ピ−クを有し、かつブラッグ角２θ±０．２゜
＝４゜〜１０゜の範囲に回折ピ−クが全く存在しないテ
トラアザポルフィリン誘導体混合物は良好な電子写真特
性を示し、高感度な電子写真感光体が提供されるため好
適に使用される。ブラッグ角２θ±０．２゜＝４゜〜１
０゜の範囲に回折ピ−クが全く存在しないとは、該ブラ
ッグ角範囲において、結晶に起因するピ−クはもちろ
ん、微結晶の存在に起因する強度が弱く半値幅の広いピ
−ク、及び一般にガラス状態にある場合に見られる明確
なピ−クではない強度の弱いハロ−が検出されないこと
を意味する。ブラッグ角２θ±０．２゜＝４゜〜１０゜
の範囲に、微弱であっても結晶や微結晶に起因するピ−
ク、ガラス状態に起因する強度の弱いハロ−が存在する
場合、結晶変換処理中、感光体作製過程において、また
は時間の経過に伴って他の結晶型に変換され、電子写真
特性に悪影響を及ぼす場合がある。原因は明確になって
いないが、ブラッグ角２θ±０．２゜＝４゜〜１０゜の
範囲にピ−ク、ハロ−を検出させる原因となっている結
晶、もしくは微結晶が種となり、他の結晶型への結晶変
換が進行するものと推測される。しかし、ここで使用す
るブラッグ角２θ±０．２゜＝４゜〜１０゜の範囲に回
折ピ−クが全く存在しないテトラアザポルフィリン誘導
体混合物は、特に結晶型の安定性に優れ、有機溶媒中に
おける保存によっても安定に結晶型を保持する。一方、
電子写真感光体の感光層を設ける際、テトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物を適当な溶媒と、もしくは必要に応
じてバインダー樹脂を加え、例えば、ボールミル、超音
波、ホモミキサー等を用いて分散もしくは溶解せしめ、
感光層塗布液とし、これを塗布し乾燥させることにより
設けることができる。本発明で使用するテトラアザポル
フィリン誘導体混合物は結晶型の安定性に優れるため、
分散処理によっても結晶型が変化することがない。その
ため、信頼性に優れる高感度な電子写真感光体の提供が
可能となり、また、感光層塗布液の長期保存が可能であ
ることから、生産コストの低減が可能となった。

【００３２】次に、本発明の電子写真感光体に用いられ
る一般式（１Ｄ）〜（１０Ｄ）で表される高分子電荷輸
送物質について説明する。一般式（１Ｄ）で表される高
分子電荷輸送物質を示す。

【００３３】

【化３５】 ｛式中、Ｒ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃は、それぞれ独立して置
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
わし、Ｒ′₄は水素原子または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わす。Ｒ₁、Ｒ₂は置換もしくは無置換のア
リール基を表わす。ｏ、ｐ、ｑは、それぞれ独立して０
〜４の整数を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を
表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価
基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表
される２価基を表わす。

【００３４】

【化３６】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｃ
Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の
２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ）

【００３５】

【化３７】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
よい。〕｝

【００３６】Ｒ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃のアルキル基は、好
ましくは、炭素数１〜１２とりわけ炭素数１〜８、さら
に好ましくは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキ
ル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、
水酸基、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェ
ニル基、またはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル
基もしくは炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されたフ
ェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ
る。Ｒ′₄の置換もしくは無置換のアルキル基として
は、上記のＲ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃と同様のものが挙げら
れる。Ｒ₁、Ｒ₂のアリール基としては、フェニル基など
の芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基
などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基
などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基などが挙げられる。

【００３７】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有していてもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：上記のＲ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃のアル
キル基として示したものと同様のものが挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₄₁）：Ｒ₄₁は上記（２）で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、炭素数１〜４
のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基またはハロ
ゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基などが挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は上記（２）
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルア
ミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。

【００３８】Ｘは下記一般式（１Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（１Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００３９】

【化３８】 （式中、Ｒ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃、Ｒ′₄、Ｒ₁、Ｒ₂、ｏ、
ｐ、ｑ、およびＸは前記定義と同一である。）

【００４０】一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。１，３−プロパンジオ
ール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオ
ール、１，６−へキサンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，
３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオール、１，４−シクロヘキサ
ンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−１，４‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルなどが挙げられる。また、芳香環を有するジオールと
しては、４，４′−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、１，１ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
４，４′‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３′−
ジメチル−４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、４，４′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサ
ンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベ
ンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒド
ロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス
（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フ
ェノール変性シリコーンオイルなどが挙げられる。

【００４１】次に、一般式（２Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００４２】

【化３９】 〔式中、Ｒ₃、Ｒ₄は置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一または異なるアリ
レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
し、５〜５０００の整数である。Ｘは前記一般式（１
Ｄ）に記載されたものと同様の基を表わす。〕

【００４３】Ｒ₃、Ｒ₄のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、または下
記一般式（イ）で示される非縮合多環基などが挙げられ
る。

【００４４】

【化４０】 〔式中、Ｗは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−および下記一般式（ロ）、（ハ）、
（ニ）、（ホ）で示す２価基を表わす。

【００４５】

【化４１】 （式中、ｃは１〜１２の整数を表わし、ｄ、ｅ、ｆは１
〜３の整数を表わす。）〕

【００４６】また、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃のアリレン基
としては、Ｒ₃、Ｒ₄で示したアリール基の２価の基が挙
げられる。Ｒ₃、Ｒ₄のアリール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ
₃のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。また、これらの置換基は上記一般式（イ）、
（ニ）、（ホ）におけるＲ₃₁、Ｒ₃₂、Ｒ₃₃の具体例でも
ある。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、炭素数１〜１２とりわ
け炭素数１〜８、さらに好ましくは炭素数１〜４の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、炭素数１〜４
のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、炭
素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコ
キシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体
的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プ
ロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル
基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロ
キシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチ
ル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロ
ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベン
ジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₄₁）：Ｒ₄₁は上記（２）で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、炭素数１〜４
のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基またはハロ
ゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基などが挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 （６）一般式 −Ｎ(Ｒ₄₂)(Ｒ₄₃) で表される置換アミ
ノ基。式中、Ｒ₄₂及びＲ₄₃は各々独立に上記（２）で示
したアルキル基、または上記Ｒ₃、Ｒ₄で示したアリール
基を表わし、好ましいアリール基としては、例えばフェ
ニル基、ビフェニル基またはナフチル基が挙げられ、こ
れらは炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のア
ルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても
良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成し
ても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
基、Ｎ、Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基な
どが挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基な
ど。

【００４７】Ｘは下記一般式（２Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（２Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００４８】

【化４２】 （式中、Ｒ₃、Ｒ₄、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、およびＸは
前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００４９】次に、一般式（３Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００５０】

【化４３】 〔式中、Ｒ₅、Ｒ₆は置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一または異なるアリ
レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
し、５〜５０００の整数である。Ｘは前記一般式（１
Ｄ）に記載されたものと同様の基を表わす。〕

【００５１】Ｒ₅、Ｒ₆のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。

【００５２】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆のアリレン基
としては、Ｒ₅、Ｒ₆で示したアリール基の２価の基が挙
げられる。Ｒ₅、Ｒ₆のアリール基、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ
₆のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、炭素数１〜１２とりわ
け炭素数１〜８、さらに好ましくは炭素数１〜４の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、炭素数１〜４
のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、炭
素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコ
キシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体
的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プ
ロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル
基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロ
キシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチ
ル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロ
ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベン
ジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₄₁）：Ｒ₄₁は上記（２）で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、炭素数１〜４
のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基またはハロ
ゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基などが挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は上記（２）
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルア
ミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。

【００５３】Ｘは下記一般式（３Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（３Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００５４】

【化４４】 （式中、Ｒ₅、Ｒ₆、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆、およびＸは
前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００５５】次に、一般式（４Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００５６】

【化４５】 〔式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一または異なるアリ
レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
し、５〜５０００の整数である。ｒは１〜５の整数を表
わす。Ｘは前記一般式（１Ｄ）に記載されたものと同様
の基を表わす。〕

【００５７】Ｒ₇、Ｒ₈のアリール基の具体例としては、
一般式（３Ｄ）の説明においてＲ₅、Ｒ₆のアリール基の
具体例として例示したものを挙げることができ、Ａ
ｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の２価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。

【００５８】Ｘは下記一般式（４Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（４Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００５９】

【化４６】 （式中、Ｒ₇、Ｒ₈、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉、およびＸは
前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００６０】次に、一般式（５Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００６１】

【化４７】 〔式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換もしくは無置換のアリール基
を表わし、Ａｒ₁₀、Ａｒ_{1 1}、Ａｒ₁₂は同一または異なる
アリレン基を表わす。Ｘ₁、Ｘ₂は置換もしくは無置換の
エチレン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表
わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ
≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜５
０００の整数である。Ｘは前記一般式（１Ｄ）に記載さ
れたものと同様の基を表わす。〕

【００６２】Ｒ₉、Ｒ₁₀のアリール基の具体例として
は、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ₅、Ｒ₆のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、Ａ
ｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の２価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。Ｘ₁、Ｘ₂のエチレン基また
はビニレン基における置換基としては、シアノ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ
₅、Ｒ₆のアリール基の具体例として例示したアリール
基、あるいは一般式（３Ｄ）の説明においてアリール基
またはアリレン基における置換基として例示したアルキ
ル基などが挙げられる。

【００６３】Ｘは下記一般式（５Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（５Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００６４】

【化４８】 （式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂、Ｘ₁、Ｘ
₂、およびＸは前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００６５】次に、一般式（６Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００６６】

【化４９】 〔式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換もしくは無置換
のアリール基を表わし、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ
₁₆は同一または異なるアリレン基を表わす。Ｙ₁、Ｙ₂、
Ｙ₃は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置
換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは
無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子ま
たはビニレン基を表わし、同一であっても異なっていて
もよい。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦
ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜
５０００の整数である。Ｘは前記一般式（１Ｄ）に記載
されたものと同様の基を表わす。〕

【００６７】Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基の具
体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ₅、Ｒ₆
のアリール基の具体例として例示したものを挙げること
ができ、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆のアリレン基
の具体例としては、それらアリール基の２価の基を挙げ
ることができる。また、これらアリール基またはアリレ
ン基における置換基の具体例としては、一般式（３Ｄ）
の説明においてアリール基またはアリレン基における置
換基として例示したものを挙げることができる。

【００６８】Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃のアルキレン基としては、
一般式（３Ｄ）の説明においてアリール基またはアリレ
ン基における置換基として例示したアルキル基より誘導
される２価の基が挙げられる。具体的には、メチレン
基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチ
レン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオ
ロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン
基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メ
チルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，
２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基などを挙げるこ
とができる。シクロアルキレン基としては、１，１−シ
クロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，
１−シクロオクチレン基などを挙げることができる。ま
た、アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテ
ル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテ
ル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメ
チレンエーテル基などが挙げられる。

【００６９】Ｘは下記一般式（６Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（６Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００７０】

【化５０】 （式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａ
ｒ₁₅、Ａｒ₁₆、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、およびＸは前記定義と
同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００７１】次に、一般式（７Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００７２】

【化５１】 〔式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆は水素原子、置換もしくは無置換の
アリール基を表わし、Ｒ ₁₅とＲ₁₆は環を形成していても
よい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一または異なるアリ
レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
し、５〜５０００の整数である。Ｘは前記一般式（１
Ｄ）に記載されたものと同様の基を表わす。〕

【００７３】Ｒ₁₅、Ｒ₁₆のアリール基の具体例として
は、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ ₅、Ｒ₆のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、ま
たＲ₁₅とＲ₁₆が環を形成する場合としては、９−フルオ
リニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンなどを挙げることができる。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ
₁₉のアリレン基の具体例としては、それらアリール基の
２価の基を挙げることができる。また、これらアリール
基またはアリレン基における置換基の具体例としては、
一般式（３Ｄ）の説明においてアリール基またはアリレ
ン基における置換基として例示したものを挙げることが
できる。

【００７４】Ｘは下記一般式（７Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（７Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００７５】

【化５２】 （式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉、および
Ｘは前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００７６】次に、一般式（８Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００７７】

【化５３】 〔式中、Ｒ₁₇は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一または異な
るアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１
≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数
を表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは前記一般式
（１Ｄ）に記載されたものと同様の基を表わす。〕

【００７８】Ｒ₁₇のアリール基の具体例としては、一般
式（３Ｄ）の説明においてＲ₅、Ｒ₆のアリール基の具体
例として例示したものを挙げることができ、Ａｒ₂₀、Ａ
ｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の２価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。

【００７９】Ｘは下記一般式（８Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（８Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００８０】

【化５４】 （式中、Ｒ₁₇、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃、およ
びＸは前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００８１】次に、一般式（９Ｄ）で表される高分子電
荷輸送物質を示す。

【００８２】

【化５５】 〔式中、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁は置換もしくは無置換
のアリール基を表わし、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ
₂₇、Ａｒ₂₈は同一または異なるアリレン基を表わす。
ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．
９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜５０００
の整数である。Ｘは前記一般式（１Ｄ）に記載されたも
のと同様の基を表わす。〕

【００８３】Ｒ₁₈、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁のアリール基の具
体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ₅、Ｒ₆
のアリール基の具体例として例示したものを挙げること
ができ、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈のア
リレン基の具体例としては、それらアリール基の２価の
基を挙げることができる。また、これらアリール基また
はアリレン基における置換基の具体例としては、一般式
（３Ｄ）の説明においてアリール基またはアリレン基に
おける置換基として例示したものを挙げることができ
る。

【００８４】Ｘは下記一般式（９Ｄ′）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、またはブロック共重合体となる。また、
Ｘは下記一般式（９Ｄ′）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導される
ビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し
単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボ
ネートは交互共重合体となる。

【００８５】

【化５６】 （式中、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａ
ｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈、およびＸは前記定義と同一であ
る。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００８６】次に、一般式（１０Ｄ）でで表される高分
子電荷輸送物質を示す。

【００８７】

【化５７】 〔式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃は置換もしくは無置換のアリール基
を表わし、Ａｒ₂₉、Ａｒ ₃₀、Ａｒ₃₁は同一または異なる
アリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を
表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは前記一般式
（１Ｄ）に記載されたものと同様の基を表わす。〕

【００８８】Ｒ₂₂、Ｒ₂₃のアリール基の具体例として
は、一般式（３Ｄ）の説明においてＲ ₅、Ｒ₆のアリール
基の具体例として例示したものを挙げることができ、Ａ
ｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁のアリレン基の具体例としては、
それらアリール基の２価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式（３Ｄ）の説明においてアリ
ール基またはアリレン基における置換基として例示した
ものを挙げることができる。

【００８９】Ｘは下記一般式（１０Ｄ′）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エス
テル交換法等を用い重合するときに、下記一般式（Ｃ）
のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラ
ンダム共重合体、またはブロック共重合体となる。ま
た、Ｘは下記一般式（１０Ｄ′）のトリアリールアミノ
基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｃ）から誘導
されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰
り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリ
カーボネートは交互共重合体となる。

【００９０】

【化５８】 （式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁、および
は前記定義と同一である。） 一般式（Ｃ）のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式（１Ｄ）の説明において例示したものを挙げるこ
とができる。

【００９１】一般式（１Ｄ）〜（１０Ｄ）の例示化合物
を下記に示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。（下記式中、ｎは重合数である。）

【００９２】

【化５９】

【００９３】

【化６０】

【００９４】

【化６１】

【００９５】

【化６２】

【００９６】

【化６３】

【００９７】

【化６４】

【００９８】

【化６５】

【００９９】

【化６６】

【０１００】

【化６７】

【０１０１】

【化６８】

【０１０２】

【化６９】

【０１０３】

【化７０】

【０１０４】

【化７１】

【０１０５】

【化７２】

【０１０６】

【化７３】

【０１０７】

【化７４】

【０１０８】

【化７５】

【０１０９】本発明で使用するテトラアザポルフィリン
誘導体混合物は、電荷輸送物質と組み合わせて単層型も
しくは積層型（機能分離型）の電子写真用感光体として
使用することができる。層構成としては単層型の場合、
導電性基体の上に、結着剤中にテトラアザポルフィリン
誘導体混合物と、高分子電荷輸送物質を組み合わせて分
散させた感光層を設ける。機能分離型の場合は、基体上
にテトラアザポルフィリン誘導体混合物よりなる電荷発
生層、その上に高分子電荷輸送物質よりなる電荷輸送層
を形成するものであるが、電荷発生層、電荷輸送層を逆
に積層しても良い。

【０１１０】また、接着性、電荷ブロッキング性を向上
させるために、感光層と基体との間に中間層を設けても
良い。さらに、耐摩擦性など、機械的耐久性を向上させ
るために、感光層上に保護層を設けても良い。

【０１１１】電荷発生層は、テトラアザポルフィリン誘
導体混合物を、適当な溶媒に、必要に応じてバインダー
樹脂を加え溶解もしくは分散せしめ、塗布し乾燥させる
ことにより設けることができる。

【０１１２】テトラアザポルフィリン誘導体混合物の分
散方法としては、例えば、ボールミル、超音波、ホモミ
キサー等が挙げられ、また塗布手段としては、ディッピ
ング塗工法、ブレード塗工法、スプレー塗工法等が挙げ
られる。

【０１１３】テトラアザポルフィリン誘導体混合物を分
散せしめて感光層を形成する場合、層中への分散性を良
くするために、そのテトラアザポルフィリン誘導体混合
物は２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒径のも
のが好ましい。ただし、上記の粒径があまりに小さいと
かえって凝集しやすく、層の抵抗が上昇したり、結晶欠
陥が増えて感度及び繰り返し特性が低下したり、或いは
微細化する上で限界があるから、平均粒径の下限を０．
０１μｍとするのが好ましい。

【０１１４】感光層の分散液或いは溶液を調製する際に
使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、
１、２−ジクロルエタン、１、１、１−トリクロルエタ
ン、ジクロルメタン、１、１、２−トリクロルエタン、
トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げるこ
とができる。

【０１１５】感光層形成時に用いる結着剤としては、絶
縁性がよい従来から知られている電子写真感光体用結着
剤であれば何でも使用でき、特に限定はない。例えば、
ポリエチレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン
樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹
脂、重縮合型樹脂、ならびにこれらの樹脂の繰り返し単
位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合
体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂等の絶縁性樹脂などが挙げられる。これらのバイン
ダー樹脂は単独または２種類以上の混合物として用いる
ことが出来る。また、電荷発生層のバインダー樹脂とし
て上述のバインダー樹脂の他に、高分子電荷輸送物質を
用いることができる。高分子電荷輸送物質としては、前
記一般式（１Ｄ）乃至（１０Ｄ）で表される高分子電荷
輸送物質も良好に用いられるが、その他の高分子電荷輸
送物質として以下のものが挙げられる。

【０１１６】（ａ）主鎖および／または側鎖にカルバゾ
ール環を有する重合体、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５４
−９６３２号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特
開平４−１８３７１９号公報、特開平６−２３４８４１
号公報に記載の化合物等が例示できる。 （ｂ）主鎖および／または側鎖にヒドラゾン構造を有す
る重合体、例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特
開昭６１−２０９５３号公報、特開昭６１−２９６３５
８号公報、特開平１−１３４４５６号公報、特開平１−
１７９１６４号公報、特開平３−１８０８５１号公報、
特開平３−１８０８５２号公報、特開平３−５０５５５
号公報、特開平５−３１０９０４号公報、特開平６−２
３４８４０号公報に記載の化合物等が例示できる。 （ｃ）ポリシリレン重合体、例えば、特開昭６３−２８
５５５２号公報、特開平５−１９４９７号公報、特開平
５−７０５９５号公報に記載の化合物等が例示できる。 （ｄ）主鎖および／または側鎖に第３級アミン構造を有
する重合体、例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニ
ル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１
号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平１−１７
２８号公報、特開平１−１０５２６０号公報、特開平２
−１６７３３５号公報、特開平５−６６５９８号公報、
特開平５−４０３５０号公報に記載の化合物等が例示で
きる。 （ｅ）その他の重合体、例えば、ニトロピレンのホルム
アルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報、
特開昭５６−１５０７４９号公報、特開平６−２３４８
３６号公報、特開平６−２３４８３７号公報に記載の化
合物等が例示できる。

【０１１７】さらに、上記重合体だけでなく、電子供与
性基を有する重合体として、公知の単量体の共重合体、
ブロック重合体、グラフト重合体、またはスターポリマ
ー、あるいは、例えば特開平３−１０９４０６号公報に
開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体
等を用いることも可能である。

【０１１８】本発明で使用するテトラアザポルフィリン
誘導体混合物は、例えば以下に示す様な顔料と混合、分
散して使用しても良い。有機顔料としては、例えば、シ
ーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスCI 2
1180）、シーアイピグメントレッド41(CI 21200)、シー
アイアシッドレッド52(CI 45100)、シーアイベーシック
レッド3(CI 45210)、カルバゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭53-95033号公報に記載）、ジスチリルベンゼ
ン骨格を有するアゾ顔料（特開昭53-133445号公報）、
トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭53-1
32347号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭54-21728号公報に記載）、オキサジ
アゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭54-12742号公報
に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭
54-22834号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有する
アゾ顔料（特開昭54-17733号公報に記載）、ジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭54-212
9号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭54-14967号公報に記載）などのアゾ
顔料、例えば、シーアイピグメントブルー16(CI 7410
0)、チタニルフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔
料、例えば、シーアイバットブラウン5(CI 73410)、シ
ーアイバットダイ(CI 73030)などのインジコ系顔料、ア
ルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレン
スカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料な
どが挙げられる。なお、これらの有機顔料は単独あるい
は２種類以上が併用されても良い。

【０１１９】以上のような層構成、物質を用いて感光体
を作成する場合には、膜厚、物質の割合に好ましい範囲
がある。機能分離型（基体／電荷発生層／電荷輸送層）
の場合、電荷発生層において、必要に応じて結着剤が使
用され、その場合結着剤に対するテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物の割合は２０重量％以上、膜厚は０．０
１〜５μmが好ましい。

【０１２０】次に、電荷輸送層について説明する。電荷
輸送層は前記一般式（１Ｄ）〜（１０Ｄ）で表される高
分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、電荷輸送層
を形成するには高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解
ないし分散し、これを塗布し乾燥させればよい。電荷輸
送層の膜厚は５〜１００μmとするのが好ましい。ま
た、必要により適当な不活性高分子、低分子電荷輸送物
質、可塑剤またはレベリング剤などを添加することもで
きる。電荷輸送層に併用できる不活性高分子としては、
ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェ
ノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、
ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコ
ン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリア
クリルアミド、フェノキシ樹脂などがが挙げられる。こ
れらの不活性高分子は、単独または２種以上の混合物と
して用いることが出来る。電荷輸送層に併用できる低分
子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とが
ある。

【０１２１】正孔輸送物質としては、例えば、ポリ−Ｎ
−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルム
アルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、
ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下
の一般式で示される化合物があり、中でも一般式（１
３）のスチルベン系化合物は電荷輸送能が高いという点
で好適に使用される。

【０１２２】以下に正孔輸送物質の例示化合物を示す
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 [１]（特開昭55-154955号、特開昭55-156954号公報に記
載）

【０１２３】

【化７６】 〔（６）式中、Ｒ¹はメチル基、エチル基、２−ヒドロ
キシエチル基または２−クロルエチル基を表わし、Ｒ²
はメチル基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を
表わし、Ｒ³は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基またはニトロ基を表わす。〕｝

【０１２４】[２]（特開昭55-52063号公報に記載）

【０１２５】

【化７７】 〔（７）式中、Ａｒ¹はナフタレン環、アントラセン
環、スチリル環及びそれらの置換体あるいはピリジン
環、フラン環、チオフェン環を表わし、Ｒ⁴はアルキル
基またはベンジル基を表わす。〕

【０１２６】[３]（特開昭56-81850号公報に記載）

【０１２７】

【化７８】 〔（８）式中、Ｒ⁵はアルキル基、ベンジル基、フェニ
ル基またはナフチル基を表わし、 Ｒ⁶は水素原子、炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジア
リールアミノ基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わし、
ｎが２以上のときはＲ⁶は同じでも異なっていても良
い。 Ｒ⁷は水素原子またはメトキシ基を表わす。〕

【０１２８】[４]（特公昭51-10983号公報に記載）

【０１２９】

【化７９】 〔（９）式中、 Ｒ⁸は炭素数１〜１１のアルキル基、置
換もしくは無置換のフェニル基または複素環基を表わ
し、 Ｒ⁹、Ｒ¹⁰はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基、クロルアルキル基または置換もしくは無置
換のアラルキル基を表わし、また、 Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに
結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。Ｒ¹¹は
同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４
のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
す。〕

【０１３０】[５]（特開昭51-94829号公報に記載）

【０１３１】

【化８０】 〔（１０）式中、Ｒ¹²は水素原子またはハロゲン原子を
表わし、Ａｒ²は置換もしくは無置換のフェニル基、ナ
フチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を表わ
す。〕

【０１３２】[６]（特開昭52-128373号公報に記載）

【０１３３】

【化８１】 〔（１１）式中、 Ｒ¹³は水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜
４のアルキル基を表わし、Ａｒ³は

【０１３４】

【化８２】 を表わし、Ｒ¹⁴は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、
Ｒ¹⁵は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルア
ミノ基を表わし、ｎは１または２であって、ｎが２のと
きはＲ¹⁵は同一でも異なっていてもよく、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷は
水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のベンジル基を表わ
す。〕

【０１３５】[７]（特開昭56-29245号公報に記載）

【０１３６】

【化８３】 〔（１３）式中、Ｒ¹⁸はカルバゾリル基、ピリジル基、
チェニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ
置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチ
ル基、またはアントリル基であって、これらの置換基が
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カル
ボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ
基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アラルキ
ルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基
からなる群から選ばれた基を表わす。〕

【０１３７】[８]（特開昭58-58552号公報に記載）

【０１３８】

【化８４】 〔（１４）式中、 Ｒ¹⁹は低級アルキル基、置換もしく
は無置換のフェニル基、またはベンジル基を表わし、
Ｒ²⁰は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキ
ル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表わし、
ｎは１または２の整数を表わす。〕

【０１３９】[９]（特開昭57-73075号公報に記載）

【０１４０】

【化８５】 〔（１５）式中、Ｒ²¹は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、 Ｒ²²およびＲ²³
はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基ある
いは置換もしくは無置換のアリール基を表わし、 Ｒ²⁴
は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換
のフェニル基を表わし、また、Ａｒ⁴は置換もしくは無
置換のフェニル基またはナフチル基を表わす。〕

【０１４１】[１０]（特開昭58-198043号公報に記載）

【０１４２】

【化８６】 〔（１６）式中、ｎは０または１の整数、Ｒ²⁵は水素原
子、アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基
を表わし、Ａｒ⁵は置換もしくは未置換のアリール基を
表わし、Ｒ²⁶は置換アルキル基を含むアルキル基、ある
いは置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ａ¹は

【０１４３】

【化８７】 ９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾ
リル基を表わし、ここでＲ²⁷は水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン原子または

【０１４４】

【化８８】 （ただし、Ｒ²⁸およびＲ²⁹はアルキル基、置換もしくは
無置換のアラルキル基または置換もしくは無置換のアリ
ール基を示し、 Ｒ²⁸およびＲ²⁹は同じでも異なってい
てもよく、Ｒ²⁹は環を形成しても良い）を表わし、ｍは
０〜３の整数を表わし、ｍが２以上の時はＲ²⁷は同一で
も異なっても良い。また、ｎが０の時、ＡとＲ²⁵は共同
で環を形成しても良い。〕

【０１４５】[１１]（特開昭49-105537号公報に記載）

【０１４６】

【化８９】 〔（１８）式中、Ｒ³⁰、Ｒ³¹およびＲ³²は水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子または
ジアルキルアミノ基を表わし、ｎは０または１を表わ
す。〕

【０１４７】[１２]（特開昭52-139066号公報に記載）

【０１４８】

【化９０】 〔（１９）式中、 Ｒ³³およびＲ³⁴は置換アルキル基を
含むアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール
基を表わし、Ａ²は置換アミノ基、置換もしくは未置換
のアリール基を表わす。〕

【０１４９】[１３]（特開昭52-139065号公報に記載）

【０１５０】

【化９１】 〔（２０）式中、Ｘ¹は水素原子、低級アルキル基また
はハロゲン原子を表わし、Ｒ³⁵は置換アルキル基を含む
アルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、 Ａ³は置換アミノ基または置換もしくは無置換
のアリール基を表わす。〕

【０１５１】[１４]（特開昭58-32372号公報に記載）

【０１５２】

【化９２】 〔（２１）式中、Ｒ³⁶は低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子を表わし、ｎは０〜４の整数を
表わし、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸は同じでも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を表わす。〕

【０１５３】[１５]（特開平2-178669号公報に記載）

【０１５４】

【化９３】 〔（２２）式中、Ｒ³⁹、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²は水素原子、ア
ミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオ
キシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のア
ルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換のア
リール基を、Ｒ⁴⁰は水素原子、アルコキシ基、置換もし
くは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表わす。
ただし、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²はすべて水素原子
である場合は除く。また、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは１、
２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または
４の整数の時は、前記Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²は同
じでも異なっていても良い。〕

【０１５５】[１６]（特開平3-285960号公報に記載）

【０１５６】

【化９４】 〔（２３）式中、Ａｒ⁶は炭素数１８個以下の縮合多環
式炭化水素基を表わし、また、Ｒ⁴³およびＲ⁴⁴は水素原
子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、
アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表わ
し、それぞれ同じでも異なっていても良い。〕

【０１５７】[１７]（特願昭62-98394号公報に記載）

【０１５８】

【化９５】 〔（２４）式中、Ａｒ⁷は置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基を表わし、Ａ⁴は

【０１５９】

【化９６】 を表わす。ただし、Ａｒ′は置換もしくは無置換の芳香
族炭化水素基を表わし、Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は置換もしくは
無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリ
ール基である。〕

【０１６０】[１８]（特開平4-230764号公報に記載）

【０１６１】

【化９７】 〔（２５）式中、Ａｒ⁸は置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基を、Ｒ⁴⁷は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を
表わす。ｎは０または１、ｍは１または２であって、ｎ
＝０、ｍ＝１の場合、Ａｒ⁸とＲ⁴⁷は共同で環を形成し
ても良い。〕

【０１６２】一般式（６）で表される化合物には、例え
ば、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メ
チル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾー
ル−３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒド
ラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−
１、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。

【０１６３】一般式（７）で表される化合物には、例え
ば、４−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−１
−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフ
タレン−１−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニル
ヒドラゾンなどがある。

【０１６４】一般式（８）で表される化合物には、例え
ば、４−メトキシベンズアルデヒド−１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデ
ヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−１、１−ジフェニルヒ
ドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド−１−（４−
メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラ
ゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１、１
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。

【０１６５】一般式（９）で表される化合物には、例え
ば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プ
ロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタ
ン、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プ
ロパン、２，２′−ジメチル−４，４′−ビス（ジエチ
ルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。

【０１６６】一般式（１０）で表される化合物には、例
えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセ
ン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）アントラセンなどがある。

【０１６７】一般式（１１）で表される化合物には、例
えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオ
レン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカル
バゾールなどがある。

【０１６８】一般式（１３）で表される化合物には、例
えば、１、２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベ
ンゼン、１、２−ビス（２、４−ジメトキシスチリル）
ベンゼンなどがある。

【０１６９】一般式（１４）で表される化合物には、例
えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−
（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールな
どがある。

【０１７０】一般式（１５）で表される化合物には、例
えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジ
ルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、
１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１
−（４−ジエチルアミノスチリル）ナフタレンなどがあ
る。

【０１７１】一般式（１６）で表される化合物には、例
えば、４′−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベ
ン、４′−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フ
ェニルスチルベンなどがある。

【０１７２】一般式（１８）で表される化合物には、例
えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン
などがある。

【０１７３】一般式（１９）で表される化合物には、例
えば、２、５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニ
ルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノ
フェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾールなどがある。

【０１７４】一般式（２０）で表される化合物には、例
えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチ
ルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジア
ゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−
（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−
オキサジアゾールなどがある。

【０１７５】一般式（２１）で表されるベンジジン化合
物には、例えば、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−[１，１′−ビフェニル]−
４，４′−ジアミン、３，３′−ジメチル−Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４−メチルフェニル）−
[１，１′−ビフェニル]−４，４′−ジアミンなどがあ
る。

【０１７６】一般式（２２）で表されるビフェニルアミ
ン化合物には、例えば、４′−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニル−[１，１′−ビフェニル]−４−アミン、４′−
メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−[１，
１′−ビフェニル]−４−アミン、４′−メトキシ−
Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−[１，１′−ビ
フェニル]−４−アミンなどがある。

【０１７７】一般式（２３）で表されるトリアリールア
ミン化合物には、例えば、１−ジフェニルアミノピレ
ン、１−ジ（p−トリルアミノ）ピレンなどがある。

【０１７８】一般式（２４）で表されるジオレフィン芳
香族化合物には、例えば、１、４−ビス（４−ジフェニ
ルアミノスチリル）ベンゼン、１、４−ビス[４−ジ（p
−トリル）アミノスチリル]ベンゼンなどがある。

【０１７９】一般式（２５）で表されるスチリルピレン
化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチ
リル）ピレン、１−[４−ジ（p−トリル）アミノスチリ
ル]ピレンなどがある。

【０１８０】また、電子輸送物質としては、例えば、ク
ロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９
−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−
フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサント
ン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，
８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ[１、２−ｂ]
チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベン
ゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどを挙げること
ができ、さらに下記式（２６）で示される（２、３−ジ
フェニル−１−インデニリデン）マロノニトリル、及び
下記式（２７）、（２８）に挙げる電子輸送物質を好適
に使用することができる。

【０１８１】

【化９８】 これらの電荷輸送物質は単独または２種類以上混合して
用いられる。その使用量は、高分子電荷輸送物質１００
重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。

【０１８２】レベリング剤としては、ジメチルシリコー
ンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用
量は、高分子電荷輸送物質１００重量部に対して０〜１
重量部程度が適当である。

【０１８３】単層型の感光体の場合は、その感光層中の
高分子電荷輸送物質に対するテトラアザポルフィリン誘
導体混合物の割合は５〜９５重量％、膜厚は１０〜１０
０μｍとするのが好ましい。

【０１８４】さらに、本発明における電子写真感光体に
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度の低下、残
留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加する
ことができる。特に、酸化防止剤を高分子電荷輸送物質
を含む層に添加することにより、感度の低下や残留電位
の上昇をより良く防止することができる。

【０１８５】酸化防止剤としては、例えば、２，６−ジ
−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシア
ニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ
ール、ステアリールβ−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなどのモノフェ
ノール系化合物、２，２′−メチレン−ビス−（４−メ
チル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２′−メチレ
ン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）、４，４′−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、４，４′−ブチリデンビス−（３−
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）などのビスフェノ
ール系化合物、１，１，３−トリス−（２−メチル−４
−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，
３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テ
トラキス−［メチレン−３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブ
チル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メ
タン、ビス［３，３′−ビス（４′−ヒドロキシ−３′
−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコー
ルエステル、トコフェロール類などの高分子フェノール
系化合物、Ｎ−フェニル−Ｎ′−イソプロピル−ｐ−フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブ
チル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ−イソプ
ロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン
などのパラフェニレンジアミン類、２，５−ジ−ｔ−オ
クチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキ
ノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５
−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチ
ルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−
メチルハイドロキノンなどのハイドロキノン類、ジラウ
リル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステアリー
ル３，３′−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−
３，３′−チオジプロピオネートなどの有機硫黄化合物
類、トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）
ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノ
キシ）ホスフインなどの有機燐化合物類が挙げられる。
これらの化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの
酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入
手できる。酸化防止剤の添加量としては、高分子電荷輸
送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部が好
ましく、特に２〜３０重量部が好ましい。

【０１８６】導電性支持体としては、体積抵抗１×１０
¹⁰Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、チタン、銅、銀、金、白金など
の金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を
蒸着またはスパッタリングによりフィルム状もしくは円
筒状のプラスチックまたは紙などに被覆したもの、ある
いはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステ
ンレスなどの板およびそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押
し出し、引き抜き等の工法で素管化したのち切削、超仕
上げ、研磨等で表面処理して管などを使用することがで
きる。

【０１８７】また、必要に応じて導電性基体上に中間層
が設けられる。中間層は一般には樹脂を主成分とする
が、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布するこ
とを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い
樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、
ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナト
リウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチ
ル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタ
ン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラ
ミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する
硬化型樹脂等が挙げられる。また、中間層にはモアレ防
止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム
等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよ
い。これらの中間層は前述の感光層の如く適当な溶媒、
塗工法を用いて形成することができる。更に、本発明の
中間層として、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤、クロムカップリング剤等を使用することもでき
る。この他、本発明の中間層には、Ａｌ₂Ｏ₃を陽極酸化
にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等
の有機物やＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、Ｃｅ
Ｏ₂等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好
に使用できる。このほかにも公知のものを用いることが
できる。中間層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１８８】更に、保護層に使用される材料としてはＡ
ＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共
重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリアクリレート、ポリアリールスルホン、ポリブ
チレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリプ
ロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポ
リスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合
体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはそ
の他、耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエ
チレンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら
の樹脂に酸化チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無
機材料を分散したもの等を添加することができる。保護
層の形成法としては通常の塗布法が採用される。なお保
護層の厚さは０．１〜１０μｍ程度が適当である。ま
た、以上のほかに真空薄膜作成法にて形成したａ−Ｃ、
ａ−ＳｉＣなど公知の材料を保護層として用いることが
できる。

【０１８９】本発明で使用するテトラアザポルフィリン
誘導体混合物は、電子写真感光体の光導電体として有用
であるばかりでなく、太陽電池、光ディスク等のエレク
トロニクス分野で電子デバイスとして好適に使用するこ
とが可能である。

【０１９０】次に図面を用いて本発明の電子写真方法お
よび電子写真装置を詳しく説明する。図１は、本発明の
電子写真プロセスおよび電子写真装置を説明するための
概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に
属するものである。

【０１９１】図１において、感光体１は本発明の感光体
であり、ドラム状の形状を示しているが、シート状、エ
ンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージ
ャ３、転写前チャージャ７、転写チャージャ１０、分離
チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、
コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ス
テート・チャージャ）、帯電ローラを始めとする公知の
手段が用いられる。

【０１９２】転写手段には、一般に上記の帯電器が使用
できるが、図に示されるように転写チャージャと分離チ
ャージャを併用したものが効果的である。

【０１９３】また、画像露光部５、除電ランプ２等の光
源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンラン
プ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセ
ンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。
そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャ
ープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外
カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フ
ィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルター
を用いることもできる。 かかる光源等は、図１に示さ
れる工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、
クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設ける
ことにより、感光体に光が照射される。

【０１９４】さて、現像ユニット６により感光体１上に
現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が
転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナー
も生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およ
びブレード１５により、感光体より除去される。クリー
ニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることも
あり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファ
ーブラシを始めとする公知のものが用いられる。

【０１９５】電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像
露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が
形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）
で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性
のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。

【０１９６】かかる現像手段には、公知の方法が適用さ
れるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。

【０１９７】図２には、本発明による電子写真プロセス
の別の例を示す。感光体２１は本発明の感光体であり、
駆動ローラ２２ａ、２２ｂにより駆動され、帯電器２３
による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せ
ず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリー
ニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２
８による除電が繰り返し行なわれる。図２においては、
感光体２１（もちろんこの場合は支持体が透光性であ
る）に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行な
われる。

【０１９８】以上の電子写真プロセスは、本発明におけ
る実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施
形態も可能である。例えば、図２において支持体側より
クリーニング前露光を行なっているが、これは感光層側
から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支
持体側から行なってもよい。

【０１９９】一方、光照射工程は、像露光、クリーニン
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、及びその他の公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。

【０２００】以上に示すような画像形成手段は、複写装
置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれ
ていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装
置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジと
は、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手
段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１
つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状
等は多く挙げられるが、一般的な例として、図３に示す
ものが挙げられる。感光体１６は、導電性支持体上に本
発明の感光層を有してなるものである。

【０２０１】

【発明の実施の形態】以下、本発明をテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物の合成例、合成例で得られたテトラ
アザポルフィリン誘導体混合物の結晶処理である製造
例、および実施例により説明するが、これにより本発明
の実施例の態様が限定されるものではない。

【０２０２】合成例１（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの合成
１）

【０２０３】

【化９９】 上記中間体（３５）を０．００１６ｍｏｌ、フタロニト
リルを０．３２ｍｏｌ、Ｔｉ(ＯＢｕ)₄を０．０９ｍｏ
ｌ、尿素を０．１６ｍｏｌとオクタノ−ル２００ｍｌを
攪拌混合し、窒素気流下、徐々に１５０℃まで昇温し、
反応温度を１５０〜１６０℃に保ちながら、６時間加熱
攪拌した。反応終了後、放冷した後ろ過し、ついでオク
タノ−ルで充分に洗浄し、更にメタノ−ル、トルエン、
水で数回洗浄した後、乾燥し収率７５％のチタニルテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。ここで得たチ
タニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物の質量分析
の結果、 （ａ）表１の例示化合物における、一般式（１）のＮ
ｏ.１−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 （ｂ）表１の例示化合物における、一般式（２）のＮ
ｏ.１−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 である化合物の分子量に相当するピ−クが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。

【０２０４】ここで得たチタニルテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物２０ｇを、濃硫酸２００ｇを氷水浴で攪
拌冷却した中に少しずつ溶解し、約１時間攪拌後２００
０ｍｌの氷水中に注ぎ、析出した結晶をろ取し、結晶を
酸が残留しなくなるまで蒸留水で結晶を洗浄した後乾燥
し、１８ｇのチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混
合物を得た。

【０２０５】合成例２（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの合成
２） 前記中間体（３５）を０．００２ｍｏｌ、フタロニトリ
ルを０．０８４ｍｏｌ、Ｔｉ(ＯＢｕ)₄を０．０２４ｍ
ｏｌ、尿素を０．０４３ｍｏｌとオクタノ−ル２００ｍ
ｌを攪拌混合し、窒素気流下、徐々に１５０℃まで昇温
し、反応温度を１５０〜１６０℃に保ちながら、６時間
加熱攪拌した。反応終了後、放冷した後ろ過し、ついで
オクタノ−ルで充分に洗浄し、更にメタノ−ル、トルエ
ン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率７５％のチタニル
テトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。ここで得
たチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物の質量
分析の結果、 （ａ）表１の例示化合物における、一般式（１）のＮ
ｏ.１−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 （ｂ）表１の例示化合物における、一般式（２）のＮ
ｏ.１−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 である化合物の分子量に相当するピ−クが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。

【０２０６】合成例３（例示化合物Ｎｏ．２−Ｂの合
成）

【０２０７】

【化１００】 上記中間体（３６）を０．００１６ｍｏｌ、フタロニト
リルを０．３２ｍｏｌ、Ｔｉ(ＯＢｕ)₄を０．０９ｍｏ
ｌ、尿素を０．１６ｍｏｌとオクタノ−ル２００ｍｌを
攪拌混合し、窒素気流下、徐々に１５０℃まで昇温し、
反応温度を１５０〜１６０℃に保ちながら、６時間加熱
攪拌した。反応終了後、放冷した後ろ過し、ついでオク
タノ−ルで充分に洗浄し、更にメタノ−ル、トルエン、
水で数回洗浄した後、乾燥し収率７５％のチタニルテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。ここで得たチ
タニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物の質量分析
の結果、 （ａ）表１の例示化合物における、一般式（１）のＮ
ｏ.２−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 （ｂ）表１の例示化合物における、一般式（２）のＮ
ｏ.２−Ｂのテトラアザポルフィリン誘導体 である化合物の分子量に相当するピ−クが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。

【０２０８】ここで得たチタニルテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物２０ｇを、濃硫酸２００ｇを氷水浴で攪
拌冷却した中に少しずつ溶解し、約１時間攪拌後２００
０ｍｌの氷水中に注ぎ、析出した結晶をろ取し、、酸が
残留しなくなるまで結晶を蒸留水で洗浄した後乾燥し、
１８ｇのチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物
を得た。

【０２０９】合成例４（例示化合物Ｎｏ．２−Ａの合
成）

【０２１０】

【化１０１】 上記中間体（３７）を０．００１６ｍｏｌ、フタロニト
リルを０．３２ｍｏｌ、Ｔｉ(ＯＢｕ)₄を０．０９ｍｏ
ｌ、尿素を０．１６ｍｏｌとオクタノ−ル２００ｍｌを
攪拌混合し、窒素気流下、徐々に１５０℃まで昇温し、
反応温度を１５０〜１６０℃に保ちながら、６時間加熱
攪拌した。反応終了後、放冷した後ろ過し、ついでオク
タノ−ルで充分に洗浄し、更にメタノ−ル、トルエン、
水で数回洗浄した後、乾燥し収率７５％のチタニルテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。ここで得たチ
タニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物の質量分析
の結果、 （ａ）表１の例示化合物における、一般式（１）のＮ
ｏ.２−Ａのテトラアザポルフィリン誘導体 （ｂ）表１の例示化合物における、一般式（２）のＮ
ｏ.２−Ａのテトラアザポルフィリン誘導体 である化合物の分子量に相当するピ−クが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。

【０２１１】ここで得たチタニルテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物２０ｇを、濃硫酸２００ｇを氷水浴で攪
拌冷却した中に少しずつ溶解し、約１時間攪拌後２００
０ｍｌの氷水中に注ぎ、析出した結晶をろ取し、、酸が
残留しなくなるまで結晶を蒸留水で洗浄した後乾燥し、
１８ｇのチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物
を得た。

【０２１２】合成例５(表１の例示化合物Ｎｏ．１−Ｃ
の合成） 前記中間体（３５）を０．００１６ｍｏｌ、フタロニト
リルを０．３２ｍｏｌ、（Ｃ₂Ｈ₅Ｏ）₂Ｍｇを０．０８
ｍｏｌ、ペンタノ−ル２００ｍｌを攪拌混合し、窒素気
流下、徐々に１５０℃まで昇温し、反応温度を１５０〜
１６０℃の間に保ちながら６時間加熱攪拌した。反応終
了後、放冷した後ろ過し、ついでオクタノ−ルで充分に
洗浄し、更にメタノ−ル、トルエン、水で数回洗浄した
後、乾燥し収率８９％のマグネシウムテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物を得た。

【０２１３】このマグネシウムテトラアザポルフィリン
誘導体混合物２０ｇを５℃で、トリフルオロ酢酸４００
ｍｌ中に少しずつ加え、約１時間、５℃以下の温度を保
ちながら攪拌した後、３０００ｍｌの氷水中に、ゆっく
り注ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しな
くなるまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率９０％で無金属テ
トラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。ここで得た
無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の質量分析
の結果、 （ａ）表１の例示化合物における、一般式（１）のＮ
ｏ.１−Ｃのテトラアザポルフィリン誘導体 （ｂ）表１の例示化合物における、一般式（２）のＮ
ｏ.１−Ｃのテトラアザポルフィリン誘導体 である化合物の分子量に相当するピ−クが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。

【０２１４】比較合成例（チタニルフタロシアニンの合
成） フタロニトリルを０．１ｍｏｌ、Ｔｉ(ＯＢｕ)₄を０．
０２５ｍｏｌ、尿素を０．０５ｍｏｌとオクタノ−ル２
００ｍｌを攪拌混合し、窒素気流下、徐々に１５０℃ま
で昇温し、反応温度を１５０〜１６０℃に保ちながら、
６時間加熱攪拌した。反応終了後、放冷した後ろ過し、
ついでオクタノ−ルで充分に洗浄し、更にメタノ−ル、
トルエン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率７０％のチ
タニルフタロシアニンを得た。

【０２１５】製造例１ 濃硫酸１００ｇを氷水浴で攪拌冷却し、これに合成例２
で得られたチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合
物１０ｇを少しずつ溶解し、約１時間攪拌後１０００ｍ
ｌの氷水中に注ぎ、析出した結晶をろ取し、酸が残留し
なくなるまで蒸留水で洗浄した後乾燥し、９ｇのチタニ
ルテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。

【０２１６】製造例２（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理１） 製造例１で得られた、チタニルテトラアザポルフィリン
誘導体混合物１ｇを三角フラスコ中に入れ、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド２０ｍｌと共に加熱攪拌下４時間環
流する。室温まで冷却し、ろ過、乾燥したところ、０．
９６ｇのチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物
を得た。

【０２１７】製造例３（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理２） 製造例１で得られた、チタニルテトラアザポルフィリン
誘導体混合物１ｇを三角フラスコ中に入れ、メチルエチ
ルケトン２０ｍｌと共に加熱攪拌下４時間環流する。室
温まで冷却し、ろ過、乾燥したところ、０．９７ｇのチ
タニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。

【０２１８】製造例４ 濃硫酸５０ｇを氷水浴で攪拌冷却し、これに合成例１で
得られたチタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物
５ｇを少しずつ溶解し、約１時間攪拌後５００ｍｌの氷
水中に注ぎ、析出した結晶をろ過し、酸が残留しなくな
るまで蒸留水で洗浄し、湿ケ−キ２０ｇを得た（固形分
濃度２０％）。

【０２１９】製造例５（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理３） 製造例４で得られたチタニルテトラアザポルフィリン誘
導体混合物の湿ケ−キ１５ｇに蒸留水１２ｇ、テトラヒ
ドロフラン１２０ｇを加え、室温にて６時間攪拌した。
これをろ過、乾燥し、チタニルテトラアザポルフィリン
誘導体混合物３．５ｇを得た。

【０２２０】製造例６（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理４） 製造例４で得られたチタニルテトラアザポルフィリン誘
導体混合物の湿ケ−キ１５ｇに蒸留水１２ｇ、トルエン
１２０ｇを加え、室温にて６時間攪拌した。これをろ
過、乾燥し、チタニルテトラアザポルフィリン誘導体混
合物３．６ｇを得た。

【０２２１】製造例７（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理５） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、合成例１で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物１ｇを溶解し、１時間攪拌した
後、この溶液を、ジクロロメタン１００ｍｌとメタノ−
ル１００ｍｌの混合溶媒中に氷浴上で攪拌しながら５分
間で滴下した。析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残留
しなくなるまで蒸留水で洗浄、乾燥しチタニルテトラア
ザポルフィリン誘導体混合物を得た。

【０２２２】製造例８（例示化合物Ｎｏ．１−Ｂの結晶
処理６） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、合成例１で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物１ｇを溶解し、１時間攪拌した
後、この溶液を、ジクロロメタン１００ｍｌとメタノ−
ル１００ｍｌの混合溶媒中に氷浴上で攪拌しながら７５
分間で滴下した。析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残
留しなくなるまで蒸留水で洗浄、乾燥しチタニルテトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を得た。

【０２２３】製造例９（例示化合物Ｎｏ．２−Ｂの結晶
処理） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、合成例３で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物１ｇを溶解し、１時間攪拌した
後、この溶液を、テトラヒドロフラン２５ｍｌと水２５
ｍｌの混合溶媒中に氷浴上で攪拌しながら５分間で滴下
した。更にメタノ−ル５０ｍｌを加え１時間攪拌した
後、析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄、乾燥しチタニルテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物を得た。

【０２２４】製造例１０（例示化合物Ｎｏ．２−Ａの結
晶処理） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、合成例４で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物１ｇを溶解し、１時間攪拌した
後、この溶液を、テトラヒドロフラン２５ｍｌと水２５
ｍｌの混合溶媒中に氷浴上で攪拌しながら５分間で滴下
した。更にメタノ−ル５０ｍｌを加え１時間攪拌した
後、析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄、乾燥しチタニルテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物を得た。

【０２２５】製造例１１（例示化合物Ｎｏ．１−Ｃの結
晶処理） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、合成例５で得られた無金属テトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物１ｇを溶解し、１時間攪拌した後、
この溶液を、テトラヒドロフラン２５ｍｌと水２５ｍｌ
の混合溶媒中に氷浴上で攪拌しながら５分間で滴下し
た。更にメタノ−ル５０ｍｌを加え１時間攪拌した後、
析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残留しなくなるまで
蒸留水で洗浄、乾燥し無金属テトラアザポルフィリン誘
導体混合物を得た。

【０２２６】比較製造例（チタニルフタロシアニンの結
晶処理） トリフルオロ酢酸２ｍｌとジクロロメタン８ｍｌの混合
溶媒中に、比較合成例で得られたチタニルフタロシアニ
ン１ｇを溶解し、１時間攪拌した後、この溶液を、メタ
ノ−ル１００ｍｌ中に氷浴上で攪拌しながら５分間で滴
下した。析出した結晶をろ取し、結晶を酸が残留しなく
なるまで蒸留水で洗浄、乾燥しチタニルフタロシアニン
を得た。

【０２２７】製造例１〜１１、および比較製造例で得ら
れたテトラアザポルフィリン誘導体混合物並びにチタニ
ルフタロシアニンについて、Ｘ線回折スペクトルを以下
に示す条件で測定した。結果を図４〜図１５に示す。 Ｘ線管球 Ｃｕ（波長１．５４Å） 電圧 ５０ｋＶ 電流 ３０ｍＡ 走査速度 １deg／min 走査範囲 ４〜４０deg

【０２２８】実施例１ 製造例２で得られたチタニルテトラアザポルフィリン誘
導体混合物３部、ポリビニルブチラール樹脂１部（ＢＭ
―Ｓ：積水化学工業製）、酢酸ブチル８０部からなる分
散液をボールミルポットに取り、φ２ｍｍのＰＳＺボー
ルを使用し、３時間ボールミリングし電荷発生層塗布液
を調製した。この塗布液をアルミ板上に塗布後１００℃
で２０分間乾燥し、厚さ約０．３μｍの電荷発生層を形
成した。続いて、前記構造式（ＰＤ−４９）で示される
高分子電荷輸送物質１５部、ジクロロメタン１００部の
電荷輸送層塗布液を調製し、前記電荷発生層上に塗布後
１２０℃で２０分乾燥し、厚さ約２０μｍの電荷輸送層
を形成し、電子写真感光体を作製した。

【０２２９】実施例２〜９ 実施例１におけるチタニルテトラアザポルフィリン誘導
体混合物と高分子電荷輸送物質とを表２のチタニルテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物と高分子電荷輸送物質
にかえた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製
した。

【０２３０】

【表２】

【０２３１】比較例 比較製造例で得られたチタニルフタロシアニン３部、ポ
リビニルブチラール樹脂１部（ＢＭ―Ｓ：積水化学工業
製）、酢酸ブチル８０部からなる分散液をボールミルポ
ットに取り、φ２ｍｍのＰＳＺボールを使用し、３時間
ボールミリングし電荷発生層塗布液を調製した。この塗
布液をアルミ板上に塗布後１００℃で２０分間乾燥し、
厚さ約０．３μｍの電荷発生層を形成した。続いて、下
記構造式（Ｔ−１）で示される電荷輸送物質７部、ポリ
カーボネート樹脂（ＰＣＸ−５：帝人化成社製）１０
部、トルエン６８部、シリコーンオイル（ＫＦ−５０：
信越化学社製）０．０００２部の電荷輸送層塗布液を調
製し、前記電荷発生層上に塗布後１２０℃で２０分乾燥
し、厚さ約２８μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感
光体を作製した。

【０２３２】

【化１０２】

【０２３３】上記実施例１〜９、並びに比較例で作製し
た感光体の静電特性を２５℃／５５％ＲＨの環境下でＥ
ＰＡ−８１００（川口電気製作所製）を用い、ダイナミ
ック方式にて測定した。まず、印可電圧−６ＫＶで２０
秒間帯電した後、２０秒間暗減衰した時の表面電位Ｖ₀
（Ｖ）を測定し、ついで７８０ｎｍの単色光を感光体表
面での照度が１μＷ／ｃｍ²になるように照射して、感
光体の表面電位が−８００Ｖから−４００Ｖまでに要す
る半減露光量Ｅｍ１／２（μＪ／ｃｍ²）をＬＤ光源域
（近赤外域）の感度として測定した。さらに、感光体表
面を工業規格ＪＩＳ Ｋ ７２０４（１９９５）に従い、
テーバー摩耗試験（東洋精機社製）にてＣＳ−５摩耗輪
を使用し、荷重１Ｋｇで３０００回転の摩耗試験を行
い、摩耗量を測定した。結果を表３に示す。

【０２３４】

【表３】

【０２３５】

【発明の効果】以上の結果から明らかなように、本発明
のテトラアザポルフィリン誘導体混合物ならびに高分子
電荷輸送物質を用いた電子写真感光体は、感度、耐摩耗
性に優れ、感光体として有用なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真プロセスおよび電子写真装置
を説明するための概略図である。

【図２】本発明による電子写真プロセスの別の例を示す
図である。

【図３】プロセスカートリッジの一般的な例を示す図で
ある。

【図４】製造例１で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図５】製造例２で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図６】製造例３で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図７】製造例４で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図８】製造例５で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図９】製造例６で得られたチタニルテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１０】製造例７で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１１】製造例８で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１２】製造例９で得られたチタニルテトラアザポル
フィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１３】製造例１０で得られたチタニルテトラアザポ
ルフィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１４】製造例１１で得られた無金属テトラアザポル
フィリン誘導体混合物のＸ線回折パターンである。

【図１５】比較製造例で得られたチタニルフタロシアニ
ンのＸ線回折パターンである。

【符号の説明】

１ 感光体 ２ 除電ランプ ３ 帯電チャージャ ４ イレーサ ５ 画像露光部 ６ 現像ユニット ７ 転写前チャージャ ８ レジストローラ ９ 転写紙 １０ 転写チャージャ １１ 分離チャージャ １２ 分離爪 １３ クリーニング前チャージャ １４ ファーブラシ １５ クリーニングブラシ １６ 感光体 １７ 帯電チャージャ １８ クリーニングチャージャ １９ 画像露光部 ２０ 現像ローラ ２１ 感光体 ２２ａ 駆動ローラ ２２ｂ 駆動ローラ ２３ 帯電チャージャ ２４ 像露光部 ２５ 転写チャージャ ２６ クリーニング前露光 ２７ クリーニングブラシ ２８ 除電光源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 所司 正幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田所 薫 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 千秋 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 佐々木 正臣 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H068 AA13 AA19 AA20 BA12 BA38 BB23 BB25 BB29 BB32 BB40 BB49 FA03 FA13 FA27

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
   真感光体において、前記感光層中に、下記一般式
   （１）、及び一般式（２）を同時に含有するテトラアザ
   ポルフィリン誘導体混合物の少なくとも１種と、高分子
   電荷輸送物質の少なくとも１種とを含有することを特徴
   とする電子写真感光体。 【化１】 （式（１）、（２）中、Ｒ₁₀₁は水素原子、置換または
   無置換の低級アルキル基、置換または無置換のアルコキ
   シ基、置換または無置換のアリール基、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は
   独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のア
   ルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または
   無置換のシクロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を表わ
   し、Ｒ₁₀₂〜Ｒ₁₀₅は互いに環を形成していても良い。ｎ
   は１または２を表わす。Ｍは、金属、金属酸化物、金属
   水酸化物、金属ハロゲン化物、水素原子が２個付加した
   形を表わす。）
2. 【請求項２】 前記高分子電荷輸送物質がポリカーボネ
   ート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエーテルの少
   なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の電
   子写真感光体。
3. 【請求項３】 前記高分子電荷輸送物質がトリアリール
   アミン構造を有する高分子化合物であることを特徴とす
   る請求項１記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 前記高分子電荷輸送物質がトリアリール
   アミン構造を有するポリカーボネートであることを特徴
   とする請求項１記載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 前記ポリカーボネートが下記一般式（１
   Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポリカ
   ーボネートであることを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体。 【化２】 ｛式中、Ｒ′₁、Ｒ′₂、Ｒ′₃は、それぞれ独立して置
   換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
   わし、Ｒ′₄は水素原子または置換もしくは無置換のア
   ルキル基を表わす。Ｒ₁、Ｒ₂は置換もしくは無置換のア
   リール基を表わす。ｏ、ｐ、ｑは、それぞれ独立して０
   〜４の整数を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を
   表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価
   基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表
   される２価基を表わす。 【化３】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
   無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
   表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
   炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
   ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
   −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
   族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化４】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
   ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
   ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
   とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
   よい。〕｝
6. 【請求項６】 前記ポリカーボネートが下記一般式（２
   Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポリカ
   ーボネートであることを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体。 【化５】 ｛式中、Ｒ₃、Ｒ₄は置換もしくは無置換のアリール基を
   表わし、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一または異なるアリ
   レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
   １、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
   し、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、
   環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表され
   る２価基を表わす。 【化６】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
   無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
   表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
   炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
   ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
   −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
   族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化７】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
   ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
   ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
   とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
   よい。〕｝
7. 【請求項７】 前記ポリカーボネートが下記一般式（３
   Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポリカ
   ーボネートであることを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体。 【化８】 ｛式中、Ｒ₅、Ｒ₆は置換もしくは無置換のアリール基を
   表わし、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一または異なるアリ
   レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
   １、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
   し、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、
   環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表され
   る２価基を表わす。 【化９】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
   無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
   表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
   炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
   ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
   −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
   族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化１０】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
   ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
   ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
   とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
   よい。〕｝
8. 【請求項８】 前記ポリカーボネートが下記一般式（４
   Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポリカ
   ーボネートであることを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体。 【化１１】 ｛式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換もしくは無置換のアリール基を
   表わし、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一または異なるアリ
   レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
   １、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
   し、５〜５０００の整数である。ｒは１〜５の整数を表
   わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、また
   は下記一般式（Ａ）で表される２価基を表わす。 【化１２】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
   無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
   表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
   炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
   ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
   −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
   族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化１３】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
   ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
   ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
   とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
   よい。〕｝
9. 【請求項９】 前記ポリカーボネートが下記一般式（５
   Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポリカ
   ーボネートであることを特徴とする請求項４記載の電子
   写真感光体。 【化１４】 ｛式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換もしくは無置換のアリール基
   を表わし、Ａｒ₁₀、Ａｒ_{1 1}、Ａｒ₁₂は同一または異なる
   アリレン基を表わす。Ｘ₁、Ｘ₂は置換もしくは無置換の
   エチレン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表
   わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ
   ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜５
   ０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族
   の２価基、または下記一般式（Ａ）で表される２価基を
   表わす。 【化１５】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
   無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
   表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
   炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
   ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
   −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
   族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化１６】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
   ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
   ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
   とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
   よい。〕｝
10. 【請求項１０】 前記ポリカーボネートが下記一般式
    （６Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートであることを特徴とする請求項４記載の
    電子写真感光体。 【化１７】 ｛式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換もしくは無置換
    のアリール基を表わし、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ
    ₁₆は同一または異なるアリレン基を表わす。Ｙ₁、Ｙ₂、
    Ｙ₃は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置
    換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは
    無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子ま
    たはビニレン基を表わし、同一であっても異なっていて
    もよい。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦
    ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜
    ５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪
    族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表される２価基
    を表わす。 【化１８】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
    炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
    ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
    −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
    族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化１９】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
    ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
    ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
    とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
    よい。〕｝
11. 【請求項１１】 前記ポリカーボネートが下記一般式
    （７Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートであることを特徴とする請求項４記載の
    電子写真感光体。 【化２０】 ｛式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆は水素原子、置換もしくは無置換の
    アリール基を表わし、Ｒ ₁₅とＲ₁₆は環を形成していても
    よい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一または異なるアリ
    レン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦
    １、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を表わ
    し、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、
    環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表され
    る２価基を表わす。 【化２１】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
    炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
    ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
    −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
    族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化２２】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
    ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
    ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
    とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
    よい。〕｝
12. 【請求項１２】 前記ポリカーボネートが下記一般式
    （８Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートであることを特徴とする請求項４記載の
    電子写真感光体。 【化２３】 ｛式中、Ｒ₁₇は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
    し、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一または異な
    るアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１
    ≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数
    を表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２
    価基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で
    表される２価基を表わす。 【化２４】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
    炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
    ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
    −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
    族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化２５】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
    ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
    ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
    とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
    よい。〕｝
13. 【請求項１３】 前記ポリカーボネートが下記一般式
    （９Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有するポ
    リカーボネートであることを特徴とする請求項４記載の
    電子写真感光体。 【化２６】 ｛式中、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁は置換もしくは無置換
    のアリール基を表わし、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ
    ₂₇、Ａｒ₂₈は同一または異なるアリレン基を表わす。
    ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．
    ９であり、ｎは繰り返し単位数を表わし、５〜５０００
    の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価
    基、または下記一般式（Ａ）で表される２価基を表わ
    す。 【化２７】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
    炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
    ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
    −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
    族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化２８】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
    ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
    ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
    とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
    よい。〕｝
14. 【請求項１４】 前記ポリカーボネートが下記一般式
    （１０Ｄ）で表されるトリアリールアミン構造を有する
    ポリカーボネートであることを特徴とする請求項４記載
    の電子写真感光体。 【化２９】 ｛式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃は置換もしくは無置換のアリール基
    を表わし、Ａｒ₂₉、Ａｒ ₃₀、Ａｒ₃₁は同一または異なる
    アリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
    ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９であり、ｎは繰り返し単位数を
    表わし、５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価
    基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式（Ａ）で表
    される２価基を表わす。 【化３０】 〔式中、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は、それぞれ独立して置換もしくは
    無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
    表わし、ｌ、ｍは０〜４の整数を表わす。Ｙは単結合、
    炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
    ルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
    −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪
    族の２価基を表わす）または下記一般式（Ｂ） 【化３１】 （式中、ａは１〜２０の整数を表わし、ｂは１〜２００
    ０の整数を表わす。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換または無置換のア
    ルキル基またはアリール基を表わす。）を表わす。Ｒ₂₄
    とＲ₂₅、Ｒ₂₆とＲ₂₇はそれぞれ同一でも異なっていても
    よい。〕｝
15. 【請求項１５】電子写真感光体に少なくとも帯電、画像
    露光、現像、転写、クリーニング、除電を繰り返し行な
    う電子写真方法において、該電子写真感光体が請求項１
    〜１４のいずれかに記載の電子写真感光体であることを
    特徴とする電子写真方法。
16. 【請求項１６】少なくとも帯電手段、画像露光手段、現
    像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段および
    電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、
    該電子写真感光体が請求項１〜１４のいずれかに記載の
    電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
17. 【請求項１７】少なくとも電子写真感光体を具備してな
    る電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電
    子写真感光体が請求項１〜１４のいずれかに記載の電子
    写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロ
    セスカートリッジ。