JP2003142649A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】内部接続が充分大きな機械的強度でなされてい
るか否かを判定することができる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】この半導体装置は、親チップ１と子チップ
２とを互いの活性面を対向させて接合してなる。子チッ
プ２の活性面には、内部接続用電極５および横ずれ確認
用電極６が形成されている。親チップ１の活性面には、
内部接続用電極５および横ずれ確認用電極６に対応する
位置に、内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４が
形成されている。子チップ２が親チップ１の所定の適正
位置に配置されたとき（図２（ｂ）に２点鎖線で示
す）、内部接続用電極３，５は互いに位置を合わせて重
なり、横ずれ確認用電極４，６は位置がずれて重なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの表
面に他の半導体チップを重ね合わせて接続するチップオ
ンチップ構造を有する半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の半導体チップを互いに接続して樹
脂モールドしたマルチチップ型半導体装置の形態の１つ
として、一対の半導体チップの活性面を対向させて接続
したチップオンチップ構造がある。このような構造の半
導体装置は、活性面に内部接続用電極が形成された一対
の半導体チップが、それぞれの活性面を対向させられ、
対応する内部接続用電極同士が接続（内部接続）される
ように活性面内方向の位置合わせをして接合される。

【０００３】内部接続用電極は、たとえば、活性面から
突出した突起（バンプ）として形成されているが、複数
の内部接続用電極の高さには、ばらつきがある。したが
って、互いの半導体チップの活性面を平行にして対向さ
せたとき、対応する各組の内部接続用電極の高さの和は
一定ではない。このため、高さの和が大きい組の内部接
続用電極は互いの間隔が狭く、高さの和が小さい組の内
部接続用電極は互いの間隔が広くなる。内部接続用電極
を相互接続するとき、高さの和が大きい組の内部接続用
電極を加圧により押しつぶすことにより、高さの和が小
さい組の内部接続用電極を含むすべての内部接続用電極
が相互に接続（接合）される。

【０００４】半導体チップの１つは外部取出用電極を備
えており、この外部取出用電極はリードフレームなどの
外部接続用部材に接続されている。この外部接続用部材
を介して、この半導体装置を他の配線基板などに接続で
きる。内部接続が良好になされている場合、外部接続用
部材を端子として所定の入出力特性が得られる。各半導
体チップには内部接続用電極が多数設けられており、対
応する内部接続用電極のすべての相互接続が良好でない
と、半導体装置として所定の入出力特性が得られず不良
品となる。内部接続の状態の確認は、完成された半導体
装置としてだけではなく、製造工程における中間検査と
しても行われる。中間検査においては、内部接続の良否
を確認するために、外部取出用電極を介して電気特性が
測定される。すなわち、外部取出用電極のすべてに電気
特性測定用のプローブをあて、所期の入出力特性を有す
るか否かが調べられたり、特定の組の外部取出用電極の
間の導通状態などを測定することが行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、すべての対
応する内部接続用電極同士が電気的に接続されていて
も、内部接続用電極同士が所定の相対位置から活性面内
方向にずれて接合されている場合がある。このような場
合は、内部接続用電極同士が所定の相対位置で接合され
ている場合と比べて、接合面積は小さい。このため、こ
のような接合部の機械的強度は低く、わずかな荷重がか
かっても接合が破壊されるおそれがある。したがって、
このような内部接続用電極同士の接合を有する半導体装
置は、不良と判定されるべきものである。

【０００６】しかしながら、このような場合でも、従来
の電気的な方法による検査では、内部接続は良好と判定
されることが多い。なぜなら、内部接続用電極同士の接
合面積がよほど小さくならない限り、顕著な電気抵抗の
上昇は認められないので、電気的な検査では接合面積の
大小を判定することはできないからである。また、活性
面内方向の位置合わせが正確になされている場合でも、
加圧などにより内部接続用電極同士を接合するとき、高
さの和が小さい組の内部接続用電極に関しては、接合面
積が小さくなる。接合面積が小さい内部接続用電極が多
数存在すると、内部接続用電極を介した半導体チップ相
互の接合は充分な強度でなされないことがある。このよ
うな場合にも、従来の検査方法では接合の良否を判定す
ることができなかった。

【０００７】そこで、この発明の目的は、内部接続が充
分大きな機械的強度でなされているか否かを判定するこ
とができる半導体装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題を解決するための請求項１記載の発明は、活性面
（１ａ）に第１の内部接続用電極（３）および第１の横
ずれ確認用電極（４）を有する第１の半導体チップ
（１）と、活性面（２ａ）に上記第１の内部接続用電極
に対応する第２の内部接続用電極（５）および上記第１
の横ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極
（６）を有する第２の半導体チップ（２）とを、それぞ
れの上記活性面を対向させて接続してなる半導体装置で
あって、上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ず
れ確認用電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第
２の内部接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置
で接続されたときに互いに接続され、上記第１の内部接
続用電極と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が
保たれる範囲内で上記活性面内の所定の方向（Ａ，Ｂ，
Ｃ）に一定の距離以上ずれたときに互いに接続されない
位置に配されていることを特徴とする半導体装置であ
る。

【０００９】なお、括弧内の英数字は後述の実施形態に
おける対応構成要素等を示す。以下、この項において同
じ。内部接続用電極および横ずれ確認用電極は、活性面
から突出した突起（バンプ）状のものであってもよい。
この発明によれば、対応する第１および第２の内部接続
用電極がすべて電気的に接続されていた場合でも、これ
らが所定の相対位置から活性面内の所定の方向に所定の
距離以上ずれて接合されていた場合は、第１および第２
の横ずれ確認用電極が接続されない。したがって、第１
および第２の横ずれ確認用電極の間に電気的導通が得ら
れなかった場合は、第１および第２の内部接続用電極
が、活性面内方向に関して所定の相対位置から相互に所
定の距離以上ずれていると判定できる。

【００１０】このような場合、対応する第１および第２
の内部接続用電極は、接合されて電気的導通があったと
しても、これらの接合面積は小さくなっており、接合部
の機械的強度は低い。したがって、このような半導体装
置は、第１および第２の横ずれ確認用電極の間の電気的
導通の有無を調べることにより、内部接続が充分大きな
機械的強度でなされているか否かを判定できる。第１お
よび第２の半導体チップには、第１および第２の横ずれ
確認用電極が接続されることにより外部取出電極のうち
の特定の一対（導通確認用電極対）の間が短絡されるよ
うな配線が設けられていてもよい。この場合、導通確認
用電極対の間の電気的導通を調べることにより、第１お
よび第２の横ずれ確認用電極が電気的に接続されている
か否かを確認できる。

【００１１】第１および第２の横ずれ確認用電極の大き
さおよび形状は、上記の役割を果たす限り任意に定める
ことができる。たとえば、第１および第２の横ずれ確認
用電極と第１および第２の内部接続用電極とは、大きさ
および形状がすべて同じであってもよい。この場合、第
１および第２の内部接続用電極が所定の相対位置にある
とき、第１および第２の横ずれ確認用電極は、平面視に
おいて互いに位置がずれて重なるように配置されていて
もよい。また、第１および第２の横ずれ確認用電極は、
互いに異なる大きさおよび形状を有していてもよい。

【００１２】第１および第２の横ずれ確認用電極の一方
は、２つの電極を含む接続確認用電極対であってもよ
い。この場合、第１および第２の横ずれ確認用電極の他
方は、この接続確認用電極対の間を電気的に短絡する短
絡用配線であってもよい。接続確認用電極対を構成する
２つの電極は、短絡用配線が接続されていないときに、
電気的に絶縁状態にあるものとすることができる。この
場合、接続確認用電極対は、第１および第２の内部接続
用電極が所定の相対位置で接続されたときに短絡用配線
により短絡され、第１および第２の内部接続用電極が互
いの接続が保たれる範囲内で活性面内の所定の方向に所
定の距離以上ずれたときに短絡されないようにすること
ができる。この場合も同様に、接続確認用電極対の間の
電気的導通の有無を調べることにより、活性面内方向の
ずれを知ることができ、第１および第２の内部接続用電
極が充分な接合強度で接合されているか否かを判定する
ことができる。

【００１３】請求項２記載の発明は、上記第１の横ずれ
確認用電極（４ａ〜４ｄ，４ｅ〜４ｈ）と上記第２の横
ずれ確認用電極（６ａ〜６ｄ，６ｅ〜６ｈ）とが複数組
備えられており、少なくとも２組の上記第１の横ずれ確
認用電極および上記第２の横ずれ確認用電極に関して、
上記所定の方向が互いに異なっていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置である。この発明によれば、
第１および第２の内部接続用電極が、所定の相対位置か
ら活性面内の所定の複数の方向に所定の距離以上ずれた
場合に、いずれかの組の第１および第２の横ずれ確認用
電極が接触しなくなる。すなわち、第１および第２の横
ずれ確認用電極の間の電気的導通の有無を調べることに
より、活性面内の複数の方向に関する第１および第２の
内部接続用電極のずれを知ることができる。

【００１４】第１および第２の横ずれ確認用電極は、た
とえば、第１および第２の内部接続用電極が第１および
第２の半導体チップの中心から見て９０°ずつの角度間
隔にある４方向に関して所定の距離以上ずれた場合、そ
れぞれ接続しなくなるような４組のものとすることがで
きる。この場合、第１および第２の内部接続用電極は、
活性面内のいずれの方向にずれた場合でも、第１および
第２の横ずれ確認用電極の間の電気的導通の有無によ
り、ずれがあることを知ることができる。

【００１５】請求項３記載の発明は、活性面から突出し
た複数の第１の内部接続用電極および第１の基準高さ電
極（１１）を有する第１の半導体チップと、活性面から
突出し上記第１の内部接続用電極に対応する複数の第２
の内部接続用電極および上記第１の基準高さ電極（１
２）に対応する第２の基準高さ電極を有する第２の半導
体チップとを、互いの活性面を対向させて接続してなる
ことを特徴とする半導体装置であって、接続前の上記第
１の基準高さ電極の高さと上記第２の基準高さ電極の高
さとの和が、接続前の上記第１の内部接続用電極の高さ
（Ｈ３）と、対応する上記第２の内部接続用電極の高さ
（Ｈ５）との和のうち最も小さいものより小さいことを
特徴とする半導体装置である。

【００１６】この発明によれば、第１および第２の半導
体チップが、互いの活性面を平行にして近接されたと
き、まず、対応する第１および第２の内部接続用電極の
うち、高さの和が最も大きいものが接触する。そして、
たとえば、加圧により高さの和が大きい第１および第２
の内部接続用電極つぶされて、互いの活性面がさらに近
接されていく。すると、各組の第１および第２の内部接
続用電極は、それらの高さの和が大きい順に接合されて
いく。そして、高さの和が最も小さい第１および第２の
内部接続用電極が接合された後、第１および第２の基準
高さ電極が接合される（接触する）。

【００１７】すなわち、第１および第２の基準高さ電極
が接合されていれば（接触していれば）、すべての組の
第１および第２の内部接続用電極が接合されていること
になる。第１および第２の基準高さ電極の高さの和が充
分小さい場合、第１および第２の基準高さ電極が接合
（接触）するまで互いの活性面が近接されると、第１お
よび第２の内部接続用電極のうち高さの和が最も小さい
ものが充分な機械的強度で接合される。

【００１８】実際には、個々の第１および第２の半導体
チップのすべてについて、すべての第１および第２の内
部接続用電極の高さを測定し、それらの測定値に基づい
て基準高さ電極の高さを上記の条件が満たされるように
調整することは不可能である。そこで、第１および第２
の基準高さ電極の高さを、たとえば、予め測定されたい
くつかの第１および第２の内部接続用電極の高さのデー
タに基づく一定の値とすることができる。

【００１９】ここで、予め測定された第１および第２の
内部接続用電極の高さの平均値がａ１，ａ２で、その標
準偏差がσ１，σ２であるとする。そして、第１および
第２の内部接続用電極を互いに接合する際の加重が、±
３σ１，±３σ２の高さばらつきを有する第１および第
２の内部接続用電極のすべてが接続される大きさである
とする。第１および第２の基準高さ電極は、たとえば、
ａ１−３σ１，ａ２−３σ２とすることができる。

【００２０】この場合、第１の基準高さ電極の高さは、
第１の内部接続用電極のうち最も高さが低いものより充
分低くなることが多い。また、第２の基準高さ電極の高
さは、第２の内部接続用電極のうち最も高さが低いもの
より充分低くなることが多い。ただし、内部接続用電極
の数は、充分少ないものとする。したがって、ほとんど
の場合、１つの半導体装置において、第１および第２の
基準高さ電極の和は、対応する第１および第２の内部接
続用電極の高さの和のうち最も小さいものより、充分小
さくなる。これにより、ほとんどの場合、第１および第
２の基準高さ電極が相互に接触していれば、第１および
第２の内部接続用電極間の接合状態は良好となる。

【００２１】第１および第２の内部接続用電極や第１お
よび第２の基準高さ電極は、たとえば、めっきにより形
成できる。その際、たとえば、第１および第２の内部接
続用電極のみをそれぞれ３σ１，３σ２の高さだけ成長
させる。その後、第１の内部接続用電極と第１の基準高
さ電極とを同時にａ１−３σ１の高さ成長させ、第２の
内部接続用電極と第２の基準高さ電極とを同時にａ２−
３σ２の高さ成長させる。これにより、第１および第２
の内部接続用電極の高さは、それぞれａ１，ａ２とな
り、第１および第２の基準高さ電極の高さは、それぞれ
ａ１−３σ１，ａ２−３σ２となる。

【００２２】第１および第２の基準高さ電極は、正確に
所定の高さにされていなければならないので、めっきな
どによる形成後、エッチングなどにより微調整すること
としてもよい。請求項４記載の発明は、活性面から突出
した複数の第１の内部接続用電極、第１の横ずれ確認用
電極、および第１の基準高さ電極を有する第１の半導体
チップと、活性面から突出し上記第１の内部接続用電極
に対応する複数の第２の内部接続用電極、上記第１の横
ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極、お
よび上記第１の基準高さ電極に対応する第２の基準高さ
電極を有する第２の半導体チップとを、互いの活性面を
対向させて接続してなる半導体装置であって、接続前の
上記第１の基準高さ電極の高さと上記第２の基準高さ電
極の高さとの和が、接続前の上記第１の内部接続用電極
の高さと、対応する上記第２の内部接続用電極の高さと
の和のうち最も小さいものより小さく、上記第１の横ず
れ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが、上記
第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが
活性面内方向の所定の相対位置で接続されたときに互い
に接続され、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内
部接続用電極とが互いの接続が保たれる範囲内で上記活
性面内の所定の方向に一定の距離以上ずれたときに互い
に接続されない位置に配されていることを特徴とする半
導体装置である。

【００２３】この発明によれば、請求項１記載の発明の
効果と請求項３記載の発明の効果とを同時に奏すること
ができる。第１および第２の半導体チップにそれぞれ備
えられて組をなす電極が、第１および第２の横ずれ確認
用電極と第１および第２の基準高さ電極との両方の役割
を兼ねていてもよい。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断
面図である。この半導体装置は、第１の半導体チップと
しての親チップ１と、第２の半導体チップとしての子チ
ップ２とを、重ね合わせて接合した、いわゆるチップオ
ンチップ(Chip-On-Chip)構造を有している。子チップ２
は、親チップ１より小さく、親チップ１のほぼ中央部に
配されている。

【００２５】親チップ１および子チップ２の互いに対向
する表面は、それぞれ、機能素子や配線などが形成され
た活性面１ａ，２ａとなっている。親チップ１の活性面
１ａには、内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４
が設けられている。内部接続用電極３および横ずれ確認
用電極４は、活性面１ａから突出したバンプ（突起）と
して形成されている。活性面１ａの周縁部近傍で、活性
面２ａが対向していない部分には、外部取出用電極１７
が設けられている。

【００２６】子チップ２の活性面２ａには、内部接続用
電極３に対応する位置に内部接続用電極５が設けられて
おり、横ずれ確認用電極４にほぼ対応する位置に横ずれ
確認用電極６が設けられている。内部接続用電極５およ
び横ずれ確認用電極６は、活性面２ａから突出したバン
プとして形成されている。内部接続用電極３と内部接続
用電極５とが接合され、横ずれ確認用電極４と横ずれ確
認用電極６とが接合されている。

【００２７】親チップ１の側方には、親チップ１と間隔
をあけて、側方へ延びるリードフレーム９が配されてい
る。外部取出用電極１７とリードフレーム９とは、ボン
ディングワイヤ８により接続されている。親チップ１、
子チップ２、ボンディングワイヤ８、およびボンディン
グワイヤ８とリードフレーム９との接続部を含む領域
は、封止用樹脂１０で封止されて保護されている。図２
は、内部接続用電極３，５および横ずれ確認用電極４，
６の配置を示す図解的な平面図である。図２（ａ）に
は、子チップ２における内部接続用電極５および横ずれ
確認用６の配置を示しており、図２（ｂ）には、親チッ
プ１における内部接続用電極３および横ずれ確認用電極
４の配置を示している。

【００２８】親チップ１および子チップ２は、平面視に
おいて矩形（ほぼ正方形）の形状を有している。内部接
続用電極５は、子チップ２の周縁部近傍に、子チップ２
の４辺に沿って配されている。横ずれ確認用電極６は、
４つの横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄを含んでおり、それ
ぞれが子チップ２の４つの角部近傍に配されている。す
なわち、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、互いに離間し
て配置されている。横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、内
部接続用電極５に比して、子チップ２のより周縁部側に
配置されている。横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、それ
ぞれ隣接した内部接続用電極５ａ〜５ｄと接続されてい
る。

【００２９】内部接続用電極３および横ずれ確認用電極
４は、親チップ１において、それぞれ内部接続用電極５
および横ずれ確認用電極６に対応する位置に配置されて
いる。横ずれ確認用電極４は、横ずれ確認用電極６ａ〜
６ｄにそれぞれ対応する４つの横ずれ確認用電極４ａ〜
４ｄを含んでいる。内部接続用電極３は、親チップ１の
周縁部からほぼ等しい距離だけ内方に向かった位置に、
互いにほぼ等しい間隔で配列している。

【００３０】内部接続用電極３，５および横ずれ確認用
電極４，６は、すべて同じ形状（平面視においてほぼ正
方形）および大きさを有している。子チップ２が親チッ
プ１の所定の位置（図２（ｂ）に２点鎖線で示す。）に
配されているとき、内部接続用電極３と内部接続用電極
５とは、平面視においてほぼ完全に位置が重なる。一
方、このとき、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、図２
（ｂ）に２点鎖線で示すように、横ずれ確認用電極４ａ
〜４ｄとは、位置がずれて重なる。横ずれ確認用電極６
ａ〜６ｄは、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄに対して、接
続が保たれる範囲内で子チップ２のより周縁部側に配置
されている。横ずれ確認用４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄの幅
（一辺の長さ）をＬｂとすると、横ずれ確認用電極４ａ
〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとは、一対の辺に
沿う方向およびこれに直交する他の対の辺に沿う方向
に、それぞれＬｂ／３だけ重なるようにずれている。す
なわち、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電
極６ａ〜６ｄとは、それぞれの面積のおよそ９分の１の
面積で重なっている。

【００３１】横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと、内部接続
用電極５ａ〜５ｄに対応する内部接続用電極３ａ〜３ｄ
とは、それぞれ親チップ１の周縁部近傍に配置された導
通確認用電極対７ａ〜７ｄと接続されている。すなわ
ち、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄは、導通確認用電極対
７ａ〜７ｄを構成する電極の一方と接続されており、内
部接続用電極３ａ〜３ｄは、導通確認用電極対７ａ〜７
ｄを構成する電極の他方と接続されている。

【００３２】以上のような構成により、子チップ２が親
チップ１上の所定の位置に配されていた場合、導通確認
用電極対７ａ〜７ｄの一方から、横ずれ確認用電極４ａ
〜４ｄ、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄ、内部接続用電極
５ａ〜５ｄ、および内部接続用電極３ａ〜３ｄを介して
導通確認用電極対７ａ〜７ｄの他方に至る回路が形成さ
れる。すなわち、導通確認用電極対７ａ〜７ｄをそれぞ
れ構成する２つの電極の間は、短絡状態となる。したが
って、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間の電気的導通の
有無を調べることにより、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ
と横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとが接触しているか否か
を知ることができる。

【００３３】導通確認用電極対７ａ〜７ｄのうち、横ず
れ確認用電極６ａ〜６ｄと接続されている電極は、中間
検査における電気的導通確認のためにのみ使用し、リー
ドフレーム９と接続されないものとすることができる。
この場合、最終的な形態の半導体装置において、導通確
認用電極対７ａ〜７ｄを構成する２つの電極を含む回路
は形成されない。したがって、内部接続用電極３ａ〜３
ｄや内部接続用電極５ａ〜５ｄは、通常の内部接続用電
極３，５として使用できる。また、導通確認用電極対７
ａ〜７ｄのうち、内部接続用電極３ａ〜３ｄと接続され
ている電極は、外部取出用電極１７として使用できる。

【００３４】図３は、親チップ１と子チップ２との接続
状態を示す図解的な側面図である。図３は、親チップ１
と子チップ２とを、横ずれ確認用電極４ｃ，４ｄ，６
ｃ，６ｄが配置されている側から見たものであり、横ず
れ確認用電極４ｃ，６ｃの近傍を示している。図３
（ａ）は、子チップ２が親チップ１に対して所定の適正
位置に配置された状態を示している。このとき、内部接
続用電極３，５は、活性面１ａ，２ａの面内方向に関し
て互いに位置が揃っており、横ずれ確認用電極４ｃ，６
ｃは、互いに位置がずれている。内部接続用電極３と内
部接続用電極５との接合部の幅は、バンプとして形成さ
れた内部接続用電極３，５および横ずれ確認用電極４，
６の幅Ｌｂ（以下、「電極幅Ｌｂ」という。）にほぼ等
しい。横ずれ確認用電極４ｃと横ずれ確認用電極６ｃと
の接合部の幅は、電極幅Ｌｂのおよそ３分の１である。
電極幅は、たとえば、２０μｍとすることができる。

【００３５】図３（ｂ）は、子チップ２が、親チップ１
に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、子チップ
２の中心から見て横ずれ確認用電極６ｂ，６ｃが配置さ
れている方向（矢印Ａの方向）にずれた状態を示す。内
部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、
電極幅Ｌｂのおよそ２分の１であり、横ずれ確認用電極
４ｃと横ずれ確認用電極６ｃとは、接触していない。し
たがって、このような場合、導通確認用電極対７ｃの間
に電気的導通は得られない。

【００３６】内部接続用電極３と内部接続用電極５と
は、接合しているのでこれらの間には電気的導通が得ら
れる。しかも、接合部の幅は、電極幅Ｌｂに対して極端
に（たとえば、桁違いに）狭くはなっていないため、内
部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部を含む部
分の電気抵抗は、適正な接合が行われた場合（図３
（ａ））と比べて、大きな差はない。このため、従来の
電気的方法による検査では、内部接続用電極３と内部接
続用電極５とは、正常に接合されているものと判定され
る。

【００３７】ところが、図３（ｂ）のような状態の場
合、電気的には正常に接続されていても、内部接続用電
極３と内部接続用電極５との接合面積が小さいため、機
械的強度が充分ではない。このため、わずかな荷重がか
かっても、これらの接合が破壊されるおそれがある。し
たがって、このような状態の半導体装置は、不良と判定
すべきである。本実施形態の半導体装置では、横ずれ確
認用電極４ｃと横ずれ確認用電極６ｃとの間の電気的導
通の有無を調べることにより、内部接続用電極３と内部
接続用電極５とが、電気的に接続されているか否かに加
えて、充分な強度で機械的に接合されているか否かを判
定できる。すなわち、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃの間
に導通が得られた場合は、内部接続用電極５は内部接続
用電極３に対して、矢印Ａの方向に関して電極幅Ｌｂの
３分の１以上の距離はずれていないことがわかる。した
がって、内部接続用電極５は、矢印Ａ方向のずれによる
内部接続用電極３との接合強度不良および電気的接続不
良は生じていないものと（内部接続は良好であると）判
定される。

【００３８】一方、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃの間に
導通が得られなかった場合は、内部接続用電極５は内部
接続用電極３に対して、矢印Ａの方向に関して電極幅Ｌ
ｂの３分の１以上の距離ずれていることがわかる。この
場合、内部接続用電極５は、矢印Ａの方向のずれによる
内部接続用電極３との接合強度不良が生じているか、ま
たは電気的接続不良（接合もされていない状態）が生じ
ているものと判定される。いずれの不良が生じていた場
合でも半導体装置としては不良品なので、両者を区別す
る必要はない。

【００３９】以上は、子チップ２が親チップ１に対して
矢印Ａの方向にずれた場合（図３（ｂ））であり、この
とき、横ずれ確認用電極４ｂと横ずれ確認用電極６ｂと
の間についても、同様に電気的導通が得られない。子チ
ップ２が親チップ１に対して矢印Ａと反対の方向に電極
幅Ｌｂの３分の１以上の距離ずれた場合は、横ずれ確認
用電極４ａ，４ｄと横ずれ確認用電極６ａ，６ｄとの間
の電気的導通が得られない。

【００４０】同様に、子チップ２が、親チップ１に対し
て、紙面垂直方向手前側に電極幅Ｌｂの３分の１以上の
距離ずれた場合は、横ずれ確認用電極４ｃ，４ｄと横ず
れ確認用電極６ｃ，６ｄとの間の導通が得られなくな
る。子チップ２が、親チップ１に対して、紙面垂直方向
奥側にずれると横ずれ確認用電極４ａ，４ｂと横ずれ確
認用電極６ａ，６ｂとの間の導通が得られなくなる。ま
た、子チップ２が親チップ１上の所定の適正位置から平
行移動するようにずれた場合の他、子チップ２が活性面
２ａの面内で回転するようにずれた場合も、いずれかの
組の横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄの間の導
通が得られなくなる。すなわち、子チップ２が、親チッ
プ１に対して活性面１ａ，２ａの面内でどのようにずれ
た場合でも、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄ
の間の電気的導通を調べることにより、内部接続が良好
であるか否かを判定できる。また、電気的導通の有無を
調べる横ずれ確認用電極４，６は４組なので、簡易に検
査をすることができる。

【００４１】内部接続用電極３と内部接続用電極５との
ずれが大きくなるほど、これらの接合面積が小さくなり
機械的強度が低下する。ずれがどの程度のときに、機械
的強度が許容レベル以下になるかにより、横ずれ確認用
電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとの相対
的な位置関係を任意に設定することができる。たとえ
ば、内部接続用電極３，５が相互にわずかにずれて接合
されても、これらの接合部の強度が許容レベル以下にな
る場合は、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄが
相互にわずかにずれても接触しないように配置すること
ができる。

【００４２】図４は、本発明の第２の実施形態に係る半
導体装置における、内部接続用電極および横ずれ確認用
電極の配置を示す図解的な平面図である。図２に示す構
成要素と同じ構成要素の部分は、同じ参照符号を付して
説明を省略する。図４（ａ）には、子チップ２における
内部接続用電極５および横ずれ確認用６の配置を示して
おり、図４（ｂ）には、親チップ１における内部接続用
電極３および横ずれ確認用電極４の配置を示している。

【００４３】横ずれ確認用電極６は４つの短絡用配線６
ｅ〜６ｈを含んでおり、短絡用配線６ｅ〜６ｈは、子チ
ップ２の４つの角部近傍にそれぞれ配置されている。す
なわち、短絡用配線６ｅ〜６ｈは、互いに離間して配さ
れている。短絡用配線６ｅ〜６ｈは、平面視において長
方形の形状を有しており、一対の辺の長さが電極幅Ｌｂ
に等しく、他の一対の辺の長さが電極幅Ｌｂより長くな
っている。親チップ１には、横ずれ確認用電極４が形成
されている。横ずれ確認用電極４は、横ずれ確認用電極
６ｅ〜６ｈに対応する４対の接続確認用電極対４ｅ〜４
ｈを含んでいる。それぞれの接続確認用電極対４ｅ〜４
ｈは、互いに近接した２つの電極を含んでいる。これら
の２つの電極は、対応する短絡用配線６ｅ〜６ｈの長手
方向に沿って配列している。

【００４４】接続確認用電極対４ｅを構成する電極と接
続確認用電極対４ｇを構成する電極とは、親チップ１の
一対の対辺に沿う方向に配列している。接続確認用電極
対４ｆを構成する電極と接続確認用電極対４ｈを構成す
る電極とは、親チップ１の他の一対の対辺に沿う方向に
配列している。子チップ２が親チップ１の所定の適正位
置（図４（ｂ）に２点鎖線で示す。）に配されていると
き、接続確認用電極対４ｅ〜４ｈは、それぞれ短絡用配
線６ｅ〜６ｈ（図４（ｂ）に２点鎖線で示す。）により
短絡されている。それぞれの接続確認用電極対４ｅ〜４
ｈを構成する２つの電極は、短絡用配線６ｅ〜６ｈが接
合（接触）されていないときは、互いに電気的に絶縁し
た状態にある。

【００４５】接続確認用電極対４ｅ〜４ｈは、親チップ
１の周縁部近傍に配された導通確認用電極対７ｅ〜７ｈ
とそれぞれ接続されている。図５は、図４に示す親チッ
プ１と子チップ２との接続状態を示す図解的な側面図で
ある。図５は、親チップ１と子チップ２とを、接続確認
用電極４ｇ，４ｈおよび短絡用配線６ｇ，６ｈが配され
ている側から見たものであり、接続確認用電極対４ｇお
よび短絡用配線６ｇの近傍を示している。

【００４６】子チップ２が親チップ１に対して所定の適
正位置に配置されたとき（図５（ａ））、内部接続用電
極３と内部接続用電極５とは、活性面１ａ，２ａの面内
方向に関して位置が揃う。接続確認用電極対４ｇを構成
する２つの電極は、いずれも短絡用配線６ｇと接触（接
合）して、これらの間が電気的に短絡される。短絡用配
線６ｇの幅は、接続確認用電極対４ｇを構成する２つの
電極の間の距離よりわずかに大きい。接続確認用電極対
４ｇを構成する２つの電極は、それぞれ、短絡用配線６
ｇと電極幅Ｌｂの３分の１程度の幅で接触して（接合さ
れて）いる。

【００４７】図５（ｂ）は、子チップ２が、親チップ１
に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、親チップ
１の中心から見て短絡用配線６ｆ，６ｇが配置されてい
る方向（矢印Ｂの方向）にずれた状態を示す。内部接続
用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、電極幅
Ｌｂのおよそ２分の１である。短絡用配線６ｇは、接続
確認用電極対４ｇを構成する一方（親チップ１の側方
側）の電極とは接続しているが、接続確認用電極対４ｇ
を構成する他方（親チップ１の内方側）の電極とは接触
していない。したがって、このような場合、導通確認用
電極対７ｇの間に電気的導通は得られない。

【００４８】図５（ｃ）は、子チップ２が、親チップ１
に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、親チップ
１の中心から見て短絡用配線６ｅ，６ｈが配置されてい
る方向（矢印Ｃの方向）にずれた状態を示す。内部接続
用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、電極幅
Ｌｂのおよそ２分の１である。短絡用配線６ｇは、接続
確認用電極対４ｇを構成する一方（親チップ１の内方
側）の電極とは接続しているが、接続確認用電極対４ｇ
を構成する他方（親チップ１の側方側）の電極とは接触
していない。したがって、このような場合も、導通確認
用電極対７ｇの間に電気的導通は得られない。

【００４９】このように、この実施形態においては、１
組の短絡用配線６ｇおよび接続確認用電極対４ｇで、互
いに逆の方向（矢印Ｂの方向および矢印Ｃの方向）のず
れによる、内部接続の不良を知ることができる。子チッ
プ２が、矢印Ｂの方向または矢印Ｃの方向にずれた場
合、接続確認用電極対４ｅと短絡用配線６ｅとの間（導
通確認用電極対７ｅの間）の導通も得られなくなる。子
チップ２が、紙面に垂直な方向（手前方向または奥方
向）にずれた場合、接続確認用電極対４ｆ，４ｈと短絡
用配線６ｆ，６ｈとの間（導通確認用電極対７ｆ，７ｈ
の間）の導通も得られなくなる。また、子チップ２が親
チップ１上の所定の適正位置から平行移動するようにず
れた場合の他、子チップ２が活性面２ａ内で回転するよ
うにずれた場合も、いずれかの接続確認用電極対４ｅ〜
４ｈと短絡用配線６ｅ〜６ｈとの間の導通が得られなく
なる。

【００５０】したがって、この実施形態においても、子
チップ２が、親チップ１に対して活性面１ａ，２ａの面
内方向に関してどのようにずれていても、接続確認用電
極対４ｅ〜４ｈと短絡用配線６ｅ〜６ｈとの間の電気的
導通を調べることにより、内部接続の不良が生じている
ことを知ることができる。横ずれ確認用電極４，６の数
は、１組の親チップ１および子チップ２に対して４組で
なくともよく、３組以下または５組以上であってもよ
い。たとえば、第１の実施形態の半導体装置において、
横ずれ確認用電極４，６は、一対の対角近傍に設けられ
た横ずれ確認用電極４ａ，４ｃおよび横ずれ確認用電極
６ａ，６ｃのみであってもよい。この場合でも、活性面
１ａ，２ａの面内のどのような方向のずれによる内部接
続の不良も知ることができる。

【００５１】また、活性面１ａ，２ａ内のすべての方向
のずれに対する内部接続状態の不良を知る必要がない場
合は、たとえば、横ずれ確認用電極４，６の数は１組で
あってもよい。このように、目的や必要な判定精度に応
じて、横ずれ確認用電極４，６の数を任意に定めること
ができる。横ずれ確認用電極６は、子チップ２の角部近
傍に配置されていなくてもよく、たとえば、子チップ２
の辺の中央部に対向する位置に配置されていてもよい。
横ずれ確認用電極６の位置に応じて、横ずれ確認用電極
４を親チップ１上の適当な位置に配置することができ
る。

【００５２】図６は、本発明の第３の実施形態に係る半
導体装置における電極の配置を示す図解的な平面図であ
る。図６（ａ）には、子チップ２における電極の配置を
示しており、図６（ｂ）には、親チップ１における電極
の配置を示している。図２に示す構成要素と同じ構成要
素の部分は、同じ参照符号を付して説明を省略する。子
チップ２には、内部接続用電極５および基準高さ電極１
２が配されている。基準高さ電極１２は４つの基準高さ
電極１２ａ〜１２ｄを含んでおり、基準高さ電極１２ａ
〜１２ｄは、子チップ２の４つの角部近傍にそれぞれ配
置されている。

【００５３】親チップ１には、内部接続用電極５および
基準高さ電極１２にそれぞれ対応するように、内部接続
用電極３および基準高さ電極１１が配置されている。基
準高さ電極１１は、基準高さ電極１２ａ〜１２ｄに対応
する互いに離間した４対の基準高さ電極対１１ａ〜１１
ｄを含んでいる。それぞれの基準高さ電極対１１ａ〜１
１ｄは、互いに近接した２つの電極を含んでいる。内部
接続用電極３，５が互いに所定の相対位置（適正位置）
で接続されたとき、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄは、
平面視において基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの分布領域
内に位置する。基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄは、親チ
ップ１の周縁部に配された導通確認用電極対７ａ〜７ｄ
とそれぞれ接続されている。

【００５４】図７は、図６の親チップ１と子チップ２と
の接続状態を示す図解的な側面図である。図７は、親チ
ップ１と子チップ２とを、基準高さ電極対１１ｃ，１１
ｄおよび基準高さ電極１２ｃ，１２ｄが配置されている
側から見たものであり、基準高さ電極対１１ｃおよび基
準高さ電極１２ｃの近傍を示している。内部接続用電極
３および内部接続用電極５は、それぞれ活性面１ａ，２
ａから突出したバンプとして形成されている。内部接続
用電極３，５の高さは、一定しておらずばらつきを有し
ている。基準高さ電極１１（基準高さ電極対１１ａ〜１
１ｄ）も活性面１ａから突出したバンプとして形成され
ている。基準高さ電極１１の高さは、内部接続用電極３
のうち最も高さが低いものより低くなるように設定され
ている。

【００５５】具体的には、内部接続用電極３の高さの平
均値がａ１であり、その標準偏差がσ１である場合、基
準高さ電極１１の高さはａ１−３σ１に調整されてい
る。ここで、平均値ａ１および標準偏差σ１は、個々の
親チップ１ごとに求められたものではなく、予めいくつ
かの親チップ１について測定されたデータに基づいて定
められたものである。この値は、すべての親チップ１に
ついて一律に採用される。

【００５６】同様に、基準高さ電極１２も活性面２ａか
ら突出したバンプとして形成されており、その高さは内
部接続用電極５の高さの平均値ａ２および標準偏差σ２
に基づき、ａ２−３σ２に調整されている。図７には、
内部接続用電極５ｅ，５ｆおよび基準高さ電極１２ｃ
は、すべて同じ高さで示している。基準高さ電極１１の
高さをこのように定めると、内部接続用電極３の数が充
分少ない場合、ほとんどの親チップ１において、基準高
さ電極１１の高さはすべての内部接続用電極３の高さよ
り低くなる。また、基準高さ電極１２の高さをこのよう
に定めると、内部接続用電極５の数が充分少ない場合、
ほとんどの子チップ２において、基準高さ電極１２の高
さはすべての内部接続用電極５の高さより低くなる。こ
れにより、基準高さ電極１１の高さと基準高さ電極１２
の高さとの和は、ほとんどの場合、対応する組の内部接
続用電極３の高さと内部接続用電極５の高さの和のうち
最も小さいものより小さくなる。

【００５７】内部接続用電極３，５および基準高さ電極
１１，１２は、たとえば、めっきなどの方法により形成
することができる。このとき、内部接続用電極３，５の
各々は、成長（形成）速度の差などにより高さのばらつ
きが生じる。ばらつきの大きさは、たとえば、６σ１や
６σ２で２μｍ程度である。内部接続用電極３，５は、
たとえば、基準高さ電極１１，１２より長時間成長させ
ることにより、基準高さ電極１１，１２より高く形成す
ることができる。すなわち、最初に、内部接続用電極
３，５のみを、平均高さがそれぞれ３σ１，３σ２にな
るまで成長させる。このとき、活性面１ａ，２ａ上にお
いて基準高さ電極１１，１２を形成する部分には、たと
えば、マスクを形成しておき、基準高さ電極１１，１２
が成長しないようにする。その後、マスクは除去する。
次に、内部接続用電極３と基準高さ電極１１とを同時
に、平均高さがａ１−３σ１だけ成長させ、内部接続用
電極５と基準高さ電極１２とを同時に、平均高さがａ２
−３σ２だけ成長させる。これにより、内部接続用電極
３，５の高さの平均は、それぞれａ１，ａ２となり、基
準高さ電極１１，１２の高さは、それぞれａ１−３σ
１，ａ２−３σ２となる。

【００５８】また、基準高さ電極１１，１２が形成され
る部分の活性面１ａ，２ａは、内部接続用電極３，５が
形成される部分の活性面１ａ，２ａより低く（たとえ
ば、平坦な活性面１ａ，２ａに設けられた凹所として）
形成されていてもよい。この場合、内部接続用電極３と
基準高さ電極１１とを同時に成長させることにより、基
準高さ電極１１は内部接続用電極３より低くなる。ま
た、内部接続用電極５と基準高さ電極１２とを同時に成
長させることにより、基準高さ電極１２は内部接続用電
極５より低くなる。

【００５９】基準高さ電極１１および基準高さ電極１２
は、正確に所定の高さにされていなければならないの
で、めっきなどの方法による形成後、エッチングなどに
より微調整することとしてもよい。半導体装置の製造工
程において、内部接続用電極３，５を相互に接続する
際、まず、親チップ１と子チップ２とが、活性面１ａ，
２ａが互いに平行になるように対向させられる。そし
て、内部接続用電極３，５が、それぞれ対応するもの同
士が所定の相対位置になるように、活性面１ａ，２ａの
面内方向の位置合わせがされる（図７（ａ））。このと
き、内部接続用電極３，５相互の間隔は、内部接続用電
極３の高さＨ３と内部接続用電極５の高さＨ５の和Ｈ３
＋Ｈ５が大きい組では狭く、高さＨ３と高さＨ５との和
Ｈ３＋Ｈ５が小さい組では広くなっている。

【００６０】続いて、活性面１ａと活性面２ａとが近接
され、まず、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が、
最も大きい組の内部接続用電極３ｅ，５ｅが相互に接触
する（図７（ｂ））。さらに、加圧により活性面１ａと
活性面２ａとを近接させると、内部接続用電極３ｅ，５
ｅは押しつぶされて接合し、各内部接続用電極３，５の
組は、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が大きい順
に接触し、接合されていく。そして、高さＨ３と高さＨ
５との和Ｈ３＋Ｈ５が最も小さい組の内部接続用電極３
ｆ，５ｆが相互に接触し、押しつぶされて接合される
（図７（ｃ））。

【００６１】さらに、加圧により活性面１ａと活性面２
ａとを近接させると、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと
基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとが接触する（図７
（ｄ））。加圧の力の大きさが、±３σ１，３σ２の高
さばらつきを有する内部接続用電極３，５を接合（接
触）させるために必要な大きさに設定されているとき、
この状態で接合は終了する。したがって、基準高さ電極
対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとがそ
れぞれ接触していることが確認されれば、すべての組の
内部接続用電極３，５が接合していると判定することが
できる。基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極
１２ａ〜１２ｄとがそれぞれ接触しているか否かは、導
通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に電気的導通があるか否
かを調べることにより知ることができる。

【００６２】導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に電気的
導通がある状態では、すべての組の内部接続用電極３，
５は電気的に接続されている。また、基準高さ電極１
１，１２の高さの和が、内部接続用電極３ｆ，５ｆの高
さの和と比べて、充分小さい場合は、内部接続用電極３
ｆ，５ｆは相互に充分大きな機械的強度で接合されてい
る。内部接続用電極３，５の数が少ないとき、基準高さ
電極１１，１２の高さの和は、内部接続用電極３ｆ，５
ｆの高さの和（高さの和Ｈ３＋Ｈ５が最も小さいもの）
と比べて充分小さくなる確率が高い。このとき、他の内
部接続用電極３，５は、当然に相互に充分大きな機械的
強度で接合されている。したがって、このような半導体
装置は良品と判定することができる。

【００６３】基準高さ電極１１，１２の高さの和が、内
部接続用電極３ｆ，５ｆの高さの和と比べて、わずかに
小さいにすぎない場合は、内部接続用電極３ｆ，５ｆを
含む少数の組の内部接続用電極３，５の接合強度は、充
分大きくない可能性がある。上記の判定方法では、この
場合でも半導体装置は良品と判定される。しかし、大多
数の組の内部接続用電極３，５の接合について、機械的
強度が充分高ければ、全体として機械的強度は充分大き
いので、半導体装置としては良品と判定して差し支えな
い。

【００６４】一方、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に
電気的導通がなく、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基
準高さ電極１２ａ〜１２ｄとがそれぞれ接触していない
ことが確認されれば、図７（ｂ）のように、いずれかの
組の内部接続用電極３，５が接合されていない可能性が
ある。また、図７（ｃ）のように、すべての組の内部接
続用電極３，５について電気的に接続されていても、接
合強度が充分大きくない組の内部接続用電極３，５（内
部接続用電極３ｆ，５ｆなど）が多数存在する可能性も
ある。これらの場合、半導体装置は不良品と判定され
る。

【００６５】活性面１ａと活性面１ｂとが平行でない場
合など、いずれかの組の基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄ
および基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの間のみ接触（接
合）しない場合が生じうる。この場合は、いずれかの導
通確認用電極対７ａ〜７ｄの間にのみ電気的導通が得ら
れない。このとき、接触していない組の基準高さ電極対
１１ａ〜１１ｄおよび基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの近
傍の内部接続用電極３，５のうち、高さの和Ｈ３＋Ｈ５
が小さいものについては、接合されていない（接触して
いない）可能性が高い。このような場合、半導体装置と
しては不良品と判定することができる。

【００６６】以上のように、このような半導体装置は、
基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜
１２ｄとの電気的導通の有無を調べることにより、内部
接続用電極３，５の間が電気的に接続されており、か
つ、全体として充分高い機械的強度で接合されているか
否かを判定することができる。しかも、判定にあたっ
て、電気的導通の有無を調べる基準高さ電極１１，１２
の数は４組なので、検査が簡易である。

【００６７】内部接続用電極３，５の数が多い場合（た
とえば、１０００ピンを越える場合）、１つの半導体装
置において、高さの和が基準高さ電極１１，１２の高さ
の和より小さい内部接続用電極３，５の組が存在する確
率が高くなる。この場合は、基準高さ電極１１，１２の
高さを、たとえば、ａ１−４σ１，ａ２−４σ２とする
など、より低くすればよい。基準高さ電極１１，１２の
数は少なくとも３組とし、それぞれが互いに離間して配
置されていることが好ましい。この場合、内部接続の不
良が、活性面１ａと活性面１ｂとが平行になっていない
ことにより生じていても、不良が生じていることを知る
ことができる。すなわち、このような場合、活性面１ａ
と活性面１ｂとの間隔が広い部分（内部接続用電極３，
５の接続不良が生じやすい部分）に、いずれかの組の基
準高さ電極１１，１２が存在する確率が高い。したがっ
て、いずれかの組の基準高さ電極１１、１２に接続不良
が生じる確率が高い。

【００６８】しかし、本発明において、基準高さ電極１
１，１２の数や配置は、これらに限定されるものではな
く、内部接続用電極３，５および基準高さ電極１１，１
２の高さの精度やこれらの接合工程の再現性などにより
任意に定めることができる。１つの半導体装置に、横ず
れ確認用電極４，６および基準高さ電極１１，１２の双
方が備えられていてもよい。この場合、一組の電極が、
横ずれ確認用電極４，６および基準高さ電極１１，１２
の双方の役割を兼ねていてもよい。たとえば、基準高さ
電極１２ａ〜１２ｄが、図７に示す短絡用配線６ｅ〜６
ｈのように、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄを構成する
２つの電極間の間隔より、わずかに広い幅を有して基準
高さ電極対１１ａ〜１１ｄの間を短絡するものであって
もよい。

【００６９】この場合、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄ
と基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとは、内部接続用電極
３，５が、高さ方向に充分近接して接合されていないも
のを含んでいる場合、または（および）活性面１ａ，１
ｂの面内方向にずれて接合されている場合に、接合（接
触）しなくなる。したがって、基準高さ電極対１１ａ〜
１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとの電気的導通の
有無を調べることにより、このような２つの態様の内部
接続不良の少なくともいずれかが生じていることを知る
ことができる。

【００７０】内部接続用電極５は、子チップ２の周縁部
近傍に配置されていなくてもよく、たとえば、活性面２
ａのほぼ全面にわたって格子状に配列されていてもよ
い。内部接続用電極３は、内部接続用電極５の配置に応
じて、親チップ１上の適当な位置に配置することができ
る。内部接続用電極３，５、横ずれ確認用電極４，６、
および基準高さ電極１１，１２は、半田などのいわゆる
軟ろうで形成されていてもよい。この場合、内部接続用
電極３，５の相互の接合は溶融／凝固によるものとする
ことができる。横ずれ確認用電極４，６の相互のずれ幅
や基準高さ電極１１，１２の高さは、内部接続用電極
３，５の溶融／凝固による体積膨張／収縮や、融液の流
動性などを勘案して決めることができる。

【００７１】以上の実施形態は、いずれも１つの親チッ
プ１の上に１つの子チップ２が接続された場合である
が、１つの親チップ１の上に複数の子チップ２が接続さ
れていてもよい。その他、特許請求の範囲に記載された
事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図
解的な断面図である。

【図２】図１の半導体装置における、内部接続用電極お
よび横ずれ確認用電極の配置を示す図解的な平面図であ
る。

【図３】図１の半導体装置の親チップと子チップとの接
続状態を示す図解的な側面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置にお
ける、内部接続用電極および横ずれ確認用電極の配置を
示す図解的な平面図である。

【図５】図４の親チップと子チップとの接続状態を示す
図解的な側面図である。

【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置にお
ける電極の配置を示す図解的な平面図である。

【図７】図６の親チップと子チップとの接続状態を示す
図解的な側面図である。

【符号の説明】

１ 親チップ ２ 子チップ １ａ，２ａ 活性面 ３，５ 内部接続用電極 ４，６ 横ずれ確認用電極 １１，１２ 基準高さ電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】活性面に第１の内部接続用電極および第１
   の横ずれ確認用電極を有する第１の半導体チップと、活
   性面に上記第１の内部接続用電極に対応する第２の内部
   接続用電極および上記第１の横ずれ確認用電極に対応す
   る第２の横ずれ確認用電極を有する第２の半導体チップ
   とを、それぞれの上記活性面を対向させて接続してなる
   半導体装置であって、 上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用
   電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部
   接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続さ
   れたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極
   と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる
   範囲内で上記活性面内の所定の方向に一定の距離以上ず
   れたときに互いに接続されない位置に配されていること
   を特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の
   横ずれ確認用電極とが複数組備えられており、少なくと
   も２組の上記第１の横ずれ確認用電極および上記第２の
   横ずれ確認用電極に関して、上記所定の方向が互いに異
   なっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
   置。
3. 【請求項３】活性面から突出した複数の第１の内部接続
   用電極および第１の基準高さ電極を有する第１の半導体
   チップと、活性面から突出し上記第１の内部接続用電極
   に対応する複数の第２の内部接続用電極および上記第１
   の基準高さ電極に対応する第２の基準高さ電極を有する
   第２の半導体チップとを、互いの活性面を対向させて接
   続してなることを特徴とする半導体装置であって、 接続前における上記第１の基準高さ電極の高さと上記第
   ２の基準高さ電極の高さとの和が、接続前における上記
   第１の内部接続用電極の高さと、対応する上記第２の内
   部接続用電極の高さとの和のうち最も小さいものより小
   さいことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】活性面から突出した複数の第１の内部接続
   用電極、第１の横ずれ確認用電極、および第１の基準高
   さ電極を有する第１の半導体チップと、活性面から突出
   し上記第１の内部接続用電極に対応する複数の第２の内
   部接続用電極、上記第１の横ずれ確認用電極に対応する
   第２の横ずれ確認用電極、および上記第１の基準高さ電
   極に対応する第２の基準高さ電極を有する第２の半導体
   チップとを、互いの活性面を対向させて接続してなる半
   導体装置であって 接続前における上記第１の基準高さ電極の高さと上記第
   ２の基準高さ電極の高さとの和が、接続前における上記
   第１の内部接続用電極の高さと、対応する上記第２の内
   部接続用電極の高さとの和のうち最も小さいものより小
   さく、 上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用
   電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部
   接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続さ
   れたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極
   と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる
   範囲内で上記活性面内の所定の方向に一定の距離以上ず
   れたときに互いに接続されない位置に配されていること
   を特徴とする半導体装置。