JP2004260033A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バンプ同士の接合によって半導体チップを実装基板に実装する場合に、バンプ相互の位置ずれによって接合不良が発生しやくなる。
【解決手段】半導体チップ1上に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせバンプ3を形成するとともに、半導体チップ1が実装される実装基板4上に第2の接続用バンプ5と第2のバンプを形成し、半導体チップ1を実装基板4に実装する際に、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6との噛み合わせによってバンプ2,5相互の位置ずれを修正し、半導体チップ1と実装基板4とを正確に位置合わせできるようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体チップ1上に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせバンプ3を形成するとともに、半導体チップ1が実装される実装基板4上に第2の接続用バンプ5と第2のバンプを形成し、半導体チップ1を実装基板4に実装する際に、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6との噛み合わせによってバンプ2,5相互の位置ずれを修正し、半導体チップ1と実装基板4とを正確に位置合わせできるようにする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ同士の接合によって半導体チップを実装基板に実装する際に用いて好適な半導体装置の製造方法と、これによって製造される半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、高性能な半導体装置のパッケージ形態の一つとして、CPU(中央演算処理装置)やメモリなどの複数のLSI(Large Scale Integration)デバイスを単一のパッケージに形成してシステム化を実現したSIP(System in Package)が知られている。SIPの中には、複数の半導体チップを共通の実装基板(インターポーザ)に実装したパッケージ形態を採用したものがある。また、SIPの実装基板として、これに実装される半導体チップよりも大径の半導体チップを採用したもの(チップオンチップ型のSIP)もある。
【0003】
このようなSIPのパッケージ形態を採用した半導体装置の実装方式として、近年では、多ピン化や狭ピッチ化に対応するために、フリップチップ方式が実用化されている。フリップチップ方式では、半導体チップの電極上にバンプ(金属突起)を形成し、このバンプを介して当該半導体チップを実装基板に実装することから、バンプの形成方法や接合方法が重要となっている。
【0004】
また、フリップチップ方式では、複数のバンプを形成した半導体チップを、同じく複数のバンプを形成した実装基板にフリップチップボンダー(以下、「ボンダー」と略称)で実装する。このような実装構造をもつSIPなどの半導体装置(半導体パッケージ)を製造する場合は、ボンダーを用いて、半導体チップと実装基板を画像認識等によって位置決めした後、半導体チップ側に形成したバンプと実装基板側に形成したバンプを互いに突き合わせて加圧することになる。
【0005】
そのため、半導体チップと実装基板の位置決めが正確に行われないと、実際にバンプ同士を突き合わせて加圧したときに、バンプ相互の位置ずれによって横滑りが発生し、これに伴うチ半導体チップの横ずれによって接合不良(バンプ接合部の抵抗値上昇、オープン不良、ショート不良など)を招きやすいものとなる。また、半導体チップの横ずれの度合いは、ボンダーの熱膨張による寸法変化によっても変わり、バンプ同士の横滑りの度合いは、バンプ同士を加圧するときのボンダーの変形によっても変わる。
【0006】
この対策としては、第1に、ボンダーの構成として、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策が考えられ、第2に、バンプ形成後に各々のバンプの先端を平坦化するスタンピング工程を設けるなどの対策が考えられる。しかしながら、第1の対策をとった場合は、ボンダーの高額化や大型化を招くという別の問題が生じ、第2の対策をとった場合は、スタンピング工程の追加によって製造工程が複雑化し、かつスタンピングによってバンプが汚染するという別の問題が生じる。
【0007】
そこで従来においては、フリップチップ接合に際して、電子回路素子であるチップにスタッドバンプを形成するとともに、そのチップを実装する回路基板にガイド穴を形成し、スタッドバンプの先端突出部をガイド穴に挿入して位置合わせする技術が開示されている(特許文献1)。
【0008】
【特許文献1】
特開平7−50316号公報(請求項1−2、第3図)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に開示された技術では、チップ上にはんだバンプを形成する工程とは別工程でスタッドバンプを形成する必要があるとともに、回路基板上にはんだバンプを形成する工程とは別工程でガイド穴を形成する必要がある。そのため、製造工程が複雑化してしまう。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップに第1のバンプを形成するとともに、半導体チップが実装される実装基板に第1のバンプと噛み合う位置関係で第2のバンプを形成し、半導体チップを実装基板に実装する際に、第1のバンプと第2のバンプとの噛み合わせによって半導体チップと実装基板とを位置合わせするものである。
【0011】
この半導体装置の製造方法においては、半導体チップと実装基板にそれぞれ第1のバンプと第2のバンプを形成しておき、実際に半導体チップを実装基板に実装する際に、第1のバンプと第2のバンプとを噛み合わせることにより、電気的に接続(導通)すべきバンプ同士の横滑りやこれに伴う半導体チップの横ずれが抑制され、結果的に半導体チップと実装基板との位置合わせが正確になされる。
【0012】
また、本発明に係る半導体装置は、第1のバンプが形成された半導体チップと、この半導体チップが実装されるとともに、第1のバンプと噛み合う第2のバンプが形成された実装基板とを備えるものである。
【0013】
この半導体装置においては、その製造工程で半導体チップを実装基板に実装するときに、第1のバンプと第2のバンプとが噛み合うことになるため、電気的に接続(導通)すべきバンプ同士の横滑りやこれに伴う半導体チップの横ずれを抑制し、半導体チップと実装基板との位置合わせを正確に行うことが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0015】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを実装基板に実装するにあたって、両者の電極部分をバンプ同士の接合によって電気的に接続するフリップチップ方式を採用するもので、以下にその具体的な手順を述べる。
【0016】
先ず、半導体チップを実装基板に実装するのに先立って、図1に示すように、半導体チップ1に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を形成する一方、実装基板4に第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成する。半導体チップ1は、例えばLSIチップからなるもので、実装基板4は、例えばSiインターポーザ(シリコンインターポーザ)からなるものである。
【0017】
半導体チップ1においては、ベースとなるシリコン基板7上に配線層8が積層され、さらにこの配線層8を覆うようにパッシベーション膜(最終保護膜)9が積層されている。パッシベーション膜9は半導体チップ1の最表面に積層されている。また、配線層8上の所定の位置には電極パッド10,11が形成されている。
【0018】
この半導体チップ1に対しては、電極パッド10,11の開口部にそれぞれ第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を同時に形成する。バンプとしては、バンプ形成材料にはんだ材を用いたはんだバンプを採用することができる。各々のバンプ2,3の形状はほぼ半球状とする。バンプ形成方法としては、例えば、ディップ法、無電解メッキ法、電解メッキ法などを用いることができる。電解メッキ法を採用した場合は、メッキ後にリフローによってバンプを半球状に成形する。また、第1の接続用バンプ2はバリアメタル12を介して電極パッド10上に形成し、第1の噛み合わせ用バンプ3はバリアメタル13を介して電極パッド11上に形成する。バリアメタル12,13は、金属間での化合物の生成を防止するもので、例えばニッケルによって形成される。
【0019】
また、半導体チップ1上においては、図2に示すように、第1の接続用バンプ2をチップ外周部に複数(多数)形成するとともに、共通の対角線上に位置するチップコーナー部(図中破線の円で囲んだ部分)C1に、それぞれ第1の噛み合わせ用バンプ3を4つずつ形成する。これら第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3は、半導体集積回路が形成された回路形成領域S1を囲む位置に形成する。ただし、第1の噛み合わせ用バンプ3については、チップコーナー部C1と回路形成領域S1の両方に同時に形成することも可能である。
【0020】
一方、実装基板2においては、ベースとなるシリコン基板14上に絶縁膜15が積層され、さらにこの絶縁膜15を覆うようにパッシベーション膜(最終保護膜)16が積層されている。パッシベーション膜16は、実装基板2の最表面に積層されている。また、絶縁膜15上の所定の位置には電極パッド17,18が形成されている。
【0021】
この実装基板2に対しては、電極パッド17,18の開口部にそれぞれ第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を同時に形成する。バンプとしては、バンプ形成材料にはんだ材を用いたはんだバンプを採用することができる。各々のバンプ5,6の形状はほぼ半球状とする。バンプ形成方法としては、例えば、ディップ法、無電解メッキ法、電解メッキ法などを用いることができる。電解メッキ法を採用した場合は、メッキ後にリフローによってバンプを半球状に成形する。また、第2の接続用バンプ5はバリアメタル19を介して電極パッド17上に形成し、第2の噛み合わせ用バンプ6はバリアメタル20を介して電極パッド18上に形成する。バリアメタル19,20は、金属間での化合物の生成を防止するもので、例えばニッケルによって形成される。
【0022】
また、実装基板2は、図3に示すように、平面視長方形に形成されるとともに、上記半導体チップ1が実装されるチップ実装領域S2と、別の半導体チップ(後述)が実装されるチップ実装領域S3とを横並びに設けた構成となっている。また、実装基板2の長辺部の近傍には、当該実装基板2の長手方向に沿ってテスト用、実装用又はそれらを兼用する電極パッド21が複数形成されたものとなっている。
【0023】
ちなみに、接続用バンプとは、半導体チップ1を実装基板2に実装する際に、半導体チップ1と実装基板2との間でバンプ同士の接合により電気的な接続(導通)をとるために形成されるバンプをいい、噛み合わせ用バンプとは、半導体チップ1を実装基板2に実装する際に、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップ1と実装基板2とを位置合わせするために形成されるバンプをいう。ただし、噛み合わせ用バンプは、接続用バンプを兼用するものであってもよい。
【0024】
上記構成の実装基板2上において、一方のチップ実装領域S2には第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成し、他方のチップ実装領域S3には第3の接続用バンプ22を形成する。第2の接続用バンプ5は上記第1の接続用バンプ2に対応して設けられ、第2の噛み合わせ用バンプ6は上記第1の噛み合わせ用バンプ3に対応して設けられる。さらに詳述すると、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5は互いに電気的な接続(導通)をとるために、同じレイアウトで形成される。
【0025】
これに対して、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6は互いに機械的な噛み合わせ状態を得るために、ピッチをずらして形成される。具体的には、互いに隣り合う4つの第2の噛み合わせ用バンプ6の間(中間部)に1つの第1の噛み合わせ用バンプ3が噛み合う位置関係で、それぞれ第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成する。また、半導体チップ1の1つのチップコーナー部C1に第1の噛み合わせ用バンプ3を4つ(合計で8個)形成し、これに対応して実装基板4のチップ実装領域S2の1つのコーナー部C2に第2の噛み合わせ用バンプ6を9つ(合計18個)形成する。
【0026】
このように半導体チップ1に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を形成する一方、実装基板4に第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成したら、その後、ボンダー(不図示)を用いて実装基板4に半導体チップ1をフリップチップ方式で実装する。このとき、ボンダーにおいて、実装基板4をボンディングステージ上に固定するとともに、半導体チップ1をチャックで保持する。そして、画像認識等により半導体チップ1と実装基板4の位置決めを行う。その際、上述のように半導体チップ1の対角コーナー部C1に第1の噛み合わせ用バンプ3を形成しておけば、この第1の噛み合わせ用バンプ3を位置決め用のマーク(アライメントマーク)として用いることができる。
【0027】
また、半導体チップ1と実装基板4とは互いにバンプ形成面を対向させた状態(一般的には半導体チップ1がフェースダウンとなる状態)で配置する。このとき、図4に示すように、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5は平面的に重なり合う状態で配置されるのに対し、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6は平面的にピッチずれした状態で配置される。
【0028】
続いて、ボンダーのチャックを下降させることにより、半導体チップ1を実装基板4に接触させる。このとき、例えばボンダーによる位置決め精度の不足により、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5の間に位置ずれが生じていても、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6が接触することで、それらの位置の狂いが自己修正(セルフアライメント)される。
【0029】
さらに詳述すると、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5が互いに位置ずれした状態(バンプの頂点がずれた状態)で接近し、そのまま押し込まれると、各々の接続用バンプ2,5が潰れる過程で横滑りが生じやすくなる。このとき、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を互いに噛み合わせることにより、接続用バンプ2,5同士の横滑りやこれに伴う導体チップ1の横ずれが抑制されるとともに、接続用バンプ2,5同士の位置ずれが自動的に修正される。その結果、半導体チップ1と実装基板4との位置合わせが正確に行われる。したがって、図5に示すように、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を噛み合わせた状態で、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5を確実に接合することができる。
【0030】
ちなみに、図4に示す他の半導体チップ23については、半導体チップ1を実装基板4に実装する前、又は実装した後に、実装基板4にフリップチップ方式で実装すればよい。
【0031】
また、第1,第2の噛み合わせバンプ3,6による半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めるうえでは、半導体チップ1のバンプ形成工程で第1の噛み合わせバンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することが望ましい。また、実装基板4のバンプ形成工程では第2の噛み合わせバンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成することが望ましい。半導体チップ1上ではウエハ表面(パッシベーション膜9の表面)K1をバンプ高さの基準(ゼロ基準)とし、実装基板4上では基板表面(バッシベーション膜16の表面)K2をバンプ高さの基準(ゼロ基準)とする。
【0032】
図6は半導体チップ上でのバンプ形成例として、第1の噛み合わせバンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成した状態を示している。図6においては、第1の噛み合わせ用バンプ3が第1の接続用バンプ2よりもΔH1寸法だけ高く形成されている。このように第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することにより、半導体チップ1を実装基板4に実装する場合に、第1の接続用バンプ2が第2の接続用バンプ5に突き当たる前に、第1の噛み合わせ用バンプ3を第2の噛み合わせ用バンプ6に噛み合わせることができる。
【0033】
これにより、半導体チップ1と実装基板4とを正確に位置合わせした状態で、第1の接続用バンプ2を第2の接続用バンプ5に押し付けることができるため、半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めることができる。また、実装基板4上で第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成した場合も、半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めることができる。さらに、半導体チップ1上で第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成する一方、実装基板4上で第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成してもよい。
【0034】
ここで、半導体チップ1上においてバンプの高さに高低差をつけるための具体的な方法について説明する。
【0035】
まず、電極パッド10,11の開口部にディップ方式でバンプを形成する場合は、上記図6において、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも大きくする。この場合、電極パッドの開口径が大きい方が、ディップで電極部分に付着するバンプ形成材料(はんだ材等)の量が多くなるため、より高いバンプが形成される。したがって、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも大きくすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。
【0036】
また、電極パッド10,11の開口部に電解メッキ方式でバンプを形成する場合は、上記図6において、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも小さくする。この場合、電解メッキによって電極パッド10,11の開口部に形成されるバンプの高さはほぼ同一になるものの、電解メッキ後のリフローによってバンプを半球状に成形すると、電極パッドの開口径が小さい方が、より高くバンプが盛り上がった状態となる。具体的に記述すると、電解メッキ後のバンプの形状を円柱状とし、リフロー後のバンプの形状を半球状として、リフロー前後でバンプの体積が変化しないものとすると、以下の数1式の関係が成り立つ。
【0037】
【数1】
【0038】
上記数1式に使用された記号は、図7に示すように、hは電解メッキ後のバンプ高さ、aはバンプの半径、Haはリフロー後のバンプ高さ、Rはバンプ球面の半径である。このうち、電解メッキ後のバンプ高さhは、はんだメッキを施すものとすると、はんだのメッキ成長高さに相当するものとなる。また、バンプ半径aは、バンプが形成される電極パッドの開口径(直径)の1/2に相当するものとなる。
【0039】
いま、仮に半径がa,bと異なる径のバンプが存在し、それぞれ同時に同じ高さhで電解メッキが施されたものとすると、半径bのバンプについては以下の数2式の関係が得られる。
【0040】
【数2】
【0041】
ここで、hをHa,Hbで表して、hを消去すると以下の数3式の上段の二式が得られるため、これをHbに関してカルダノの解法で解くと数3式の下段の式が得られる。
【0042】
【数3】
【0043】
また、上記解法結果をグラフで表すと、図8のようになる。この図8からも分かるように、バンプ径bが小さくなると、それにつれてバンプ高さHbが高くなる。したがって、先述のように第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも小さくすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。
【0044】
また、電極パッド10,11の開口部に電解メッキ方式でバンプを形成する場合は、第1の噛み合わせ用バンプ3の配列を、第1の接続用バンプ2の配列よりも疎にすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。この理由は、バンプの配列が密の領域と疎の領域を比較した場合に、疎の領域の方が、バンプを形成するときのメッキ成長速度が速くなるためである。
【0045】
なお、ここでは半導体チップ1上にバンプを形成する場合を例に挙げて説明したが、実装基板4上にバンプを形成する場合でも上記同様のことが言える。
【0046】
また、半導体チップ1上にセミアディティブ法でバンプを形成する場合は、図9に示すように、第1の接続用バンプ2を電極パッド10の上に形成するとともに、第1の噛み合わせ用バンプ3をパッシベーション膜9の上に形成することにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。この理由は、電極パッド10の表面とパッシベーション膜9の表面に若干の高低差ΔH2が生じ、この高低差ΔH2がそのままバンプ2,3の高低差となって現れるためである。この点は、実装基板4上にセミアディティブ法でバンプを形成する場合も同様である。すなわち、第2の接続用バンプ5を電極パッド17の上に形成するとともに、第2の噛み合わせ用バンプ6をパッシベーション膜16の上に形成することにより、第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成することができる。
【0047】
また、本発明の応用例として、図10に示すように、上記接続用バンプと噛み合わせ用バンプを兼用したバンプ2A,2Bを半導体チップ1上に形成するとともに、接続用バンプと噛み合わせ用バンプを兼用したバンプ5A,5Bを実装基板4上に形成するものとしてもよい。このうち、半導体チップ1上においては、4つのバンプ2Aの組と1つのバンプ2Bとを所定のピッチPで交互に配置する。また、実装基板4上においては、1つのバンプ5Aと4つのバンプ5Bの組とを上記と同じ所定のピッチPで交互に配置する。
【0048】
これにより、実装基板4上に半導体チップ1を対向状態に配置し、これを平面的に見た場合は、4つのバンプ2Aの間(中間部)にバンプ5Aが配置されるとともに、4つのバンプ5Bの間(中間部)にバンプ5Bが配置される。そのため、実装基板4に半導体チップ1を実装する際には、バンプ5Aが4つのバンプ2Aに噛み合うとともに、バンプ2Bが4つのバンプ5Bに噛み合う状態となる。したがって、半導体チップ1と実装基板4を正確に位置合わせした状態で、バンプ同士(バンプ2Aとバンプ5A、及びバンプ2Bとバンプ5B)を接合することができる。また、4つバンプ2Aの組と1つのバンプ2Bとを交互に配置するとともに、1つのバンプ5Aと4つのバンプ5Bの組とを交互に配置することにより、例えば、半導体チップ1に4つのバンプ2の組だけを連続的に配置し、これに対応して実装基板4に1つのバンプ5Bだけを連続的に配置する場合に比較して、半導体チップ1や実装基板4にバンプを形成するときのピッチPを狭くすることができる。
【0049】
図11は半導体チップと実装基板の間でバンプを噛み合わせるためのバンプの組み合わせ例を説明する図である。噛み合わせ用バンプの組み合わせとしては、第1の例として、バンプの個数が3:1の場合で、三角形の角部に配置された3つのバンプ24Aの間(中間部)に噛み合うように1つのバンプ24Bを配置するものが考えられる。また、第2の例として、バンプの個数が4:1の場合で、正方形の角部に配置された4つのバンプ25Aの間に噛み合うように1つのバンプ25Bを配置するものが考えられる。
【0050】
また、第3の例として、バンプの個数が3:3の場合で、三角形の角部に配置された3つのバンプ26Aの外寄りの谷間に噛み合うように逆三角形の角部に3つのバンプ26Bを配置するものが考えられる。また、第4の例として、バンプの個数が4:4の場合で、正方形の角部に配置された4つのバンプ27Aの外寄りの谷間に噛み合うように、それよりも寸法が大きく且つ90度向きが回転した正方形の角部に4つのバンプ27Bを配置するもの、さらには当該4つのバンプ27Bの中間部にバンプ27Cを追加してバンプの個数を4:5とし、このバンプ27Cを上記4つのバンプ27Aの中間部に噛み合うようにしたものが考えられる。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップに第1のバンプを形成するとともに、半導体チップが実装される実装基板に第1のバンプと噛み合う位置関係で第2のバンプを形成し、実際に半導体チップをフリップチップ方式で実装基板に実装する場合に、第1のバンプと第2のバンプとの噛み合わせによって半導体チップと実装基板とを位置合わせすることにより、半導体チップの横ずれを有効に抑制して、高い位置合わせ精度をもって半導体チップを実装基板に実装することができる。したがって、バンプ同士の接合によって半導体チップと実装基板とを電気的に接続する場合は、バンプ接合不良の発生を確実に防止することができる。また、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップと実装基板との位置合わせを行うため、この噛み合わせ用のバンプを電気的接続のためのバンプと同時に形成することにより、製造工程の複雑化を回避することができる。さらに、ボンダーの構成としても、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策をとる必要がなくなる。また、画像認識等によって半導体チップを位置決めする場合に高い位置決め精度を保証する必要がなくなるため、位置決めのための時間を短縮することができる。
【0052】
本発明の半導体装置によれば、その製造工程で半導体チップを実装基板に実装するときに、第1のバンプと第2のバンプとが噛み合うことになるため、半導体チップの横ずれを抑制して、半導体チップと実装基板とを正確に位置合わせすることができる。これにより、高い位置合わせ精度をもって半導体チップを実装基板に実装することが可能となる。したがって、バンプ同士の接合によって半導体チップと実装基板とを電気的に接続するものでは、バンプ接合不良の発生を確実に防止することができる。また、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップと実装基板の位置合わせを行えるため、この噛み合わせ用のバンプを電気的接続のためのバンプと同時に形成することにより、製造工程の複雑化を回避することができる。さらに、ボンダーの構成としても、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策をとる必要がなくなる。また、画像認識等によって半導体チップを位置決めする場合に高い位置決め精度を保証する必要がなくなるため、位置決めのための時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体チップを実装基板に実装するときの配置状態を示す側断面図である。
【図2】半導体チップ上でのバンプ配置例を示す平面図である。
【図3】実装基板上でのバンプ配置例を示す平面図である。
【図4】半導体チップと実装基板を重ね合わせたときのバンプ配置例を示す仮想平面図である。
【図5】半導体チップを実装基板に実装したときのバンプ接合状態を示す側断面図である。
【図6】半導体チップ上でバンプ高さに高低差をつけてバンプを形成した場合の配置例を示す側断面図である。
【図7】バンプ高さを計算で求めるときの寸法記号を示す図である。
【図8】バンプ径とバンプ高さの関係を示す図である。
【図9】半導体チップ上でバンプ高さに高低差をつけてバンプを形成する方法の一つをを説明する図である。
【図10】本発明の応用例を説明する図である。
【図11】噛み合わせ用バンプの組み合わせ例を説明する図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…第1の接続用バンプ、3…第1の噛み合わせ用バンプ、4…実装基板、5…第2の接続用バンプ、6…第2の噛み合わせ用バンプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ同士の接合によって半導体チップを実装基板に実装する際に用いて好適な半導体装置の製造方法と、これによって製造される半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、高性能な半導体装置のパッケージ形態の一つとして、CPU(中央演算処理装置)やメモリなどの複数のLSI(Large Scale Integration)デバイスを単一のパッケージに形成してシステム化を実現したSIP(System in Package)が知られている。SIPの中には、複数の半導体チップを共通の実装基板(インターポーザ)に実装したパッケージ形態を採用したものがある。また、SIPの実装基板として、これに実装される半導体チップよりも大径の半導体チップを採用したもの(チップオンチップ型のSIP)もある。
【0003】
このようなSIPのパッケージ形態を採用した半導体装置の実装方式として、近年では、多ピン化や狭ピッチ化に対応するために、フリップチップ方式が実用化されている。フリップチップ方式では、半導体チップの電極上にバンプ(金属突起)を形成し、このバンプを介して当該半導体チップを実装基板に実装することから、バンプの形成方法や接合方法が重要となっている。
【0004】
また、フリップチップ方式では、複数のバンプを形成した半導体チップを、同じく複数のバンプを形成した実装基板にフリップチップボンダー(以下、「ボンダー」と略称)で実装する。このような実装構造をもつSIPなどの半導体装置(半導体パッケージ)を製造する場合は、ボンダーを用いて、半導体チップと実装基板を画像認識等によって位置決めした後、半導体チップ側に形成したバンプと実装基板側に形成したバンプを互いに突き合わせて加圧することになる。
【0005】
そのため、半導体チップと実装基板の位置決めが正確に行われないと、実際にバンプ同士を突き合わせて加圧したときに、バンプ相互の位置ずれによって横滑りが発生し、これに伴うチ半導体チップの横ずれによって接合不良(バンプ接合部の抵抗値上昇、オープン不良、ショート不良など)を招きやすいものとなる。また、半導体チップの横ずれの度合いは、ボンダーの熱膨張による寸法変化によっても変わり、バンプ同士の横滑りの度合いは、バンプ同士を加圧するときのボンダーの変形によっても変わる。
【0006】
この対策としては、第1に、ボンダーの構成として、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策が考えられ、第2に、バンプ形成後に各々のバンプの先端を平坦化するスタンピング工程を設けるなどの対策が考えられる。しかしながら、第1の対策をとった場合は、ボンダーの高額化や大型化を招くという別の問題が生じ、第2の対策をとった場合は、スタンピング工程の追加によって製造工程が複雑化し、かつスタンピングによってバンプが汚染するという別の問題が生じる。
【0007】
そこで従来においては、フリップチップ接合に際して、電子回路素子であるチップにスタッドバンプを形成するとともに、そのチップを実装する回路基板にガイド穴を形成し、スタッドバンプの先端突出部をガイド穴に挿入して位置合わせする技術が開示されている(特許文献1)。
【0008】
【特許文献1】
特開平7−50316号公報(請求項1−2、第3図)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に開示された技術では、チップ上にはんだバンプを形成する工程とは別工程でスタッドバンプを形成する必要があるとともに、回路基板上にはんだバンプを形成する工程とは別工程でガイド穴を形成する必要がある。そのため、製造工程が複雑化してしまう。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップに第1のバンプを形成するとともに、半導体チップが実装される実装基板に第1のバンプと噛み合う位置関係で第2のバンプを形成し、半導体チップを実装基板に実装する際に、第1のバンプと第2のバンプとの噛み合わせによって半導体チップと実装基板とを位置合わせするものである。
【0011】
この半導体装置の製造方法においては、半導体チップと実装基板にそれぞれ第1のバンプと第2のバンプを形成しておき、実際に半導体チップを実装基板に実装する際に、第1のバンプと第2のバンプとを噛み合わせることにより、電気的に接続(導通)すべきバンプ同士の横滑りやこれに伴う半導体チップの横ずれが抑制され、結果的に半導体チップと実装基板との位置合わせが正確になされる。
【0012】
また、本発明に係る半導体装置は、第1のバンプが形成された半導体チップと、この半導体チップが実装されるとともに、第1のバンプと噛み合う第2のバンプが形成された実装基板とを備えるものである。
【0013】
この半導体装置においては、その製造工程で半導体チップを実装基板に実装するときに、第1のバンプと第2のバンプとが噛み合うことになるため、電気的に接続(導通)すべきバンプ同士の横滑りやこれに伴う半導体チップの横ずれを抑制し、半導体チップと実装基板との位置合わせを正確に行うことが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0015】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを実装基板に実装するにあたって、両者の電極部分をバンプ同士の接合によって電気的に接続するフリップチップ方式を採用するもので、以下にその具体的な手順を述べる。
【0016】
先ず、半導体チップを実装基板に実装するのに先立って、図1に示すように、半導体チップ1に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を形成する一方、実装基板4に第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成する。半導体チップ1は、例えばLSIチップからなるもので、実装基板4は、例えばSiインターポーザ(シリコンインターポーザ)からなるものである。
【0017】
半導体チップ1においては、ベースとなるシリコン基板7上に配線層8が積層され、さらにこの配線層8を覆うようにパッシベーション膜(最終保護膜)9が積層されている。パッシベーション膜9は半導体チップ1の最表面に積層されている。また、配線層8上の所定の位置には電極パッド10,11が形成されている。
【0018】
この半導体チップ1に対しては、電極パッド10,11の開口部にそれぞれ第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を同時に形成する。バンプとしては、バンプ形成材料にはんだ材を用いたはんだバンプを採用することができる。各々のバンプ2,3の形状はほぼ半球状とする。バンプ形成方法としては、例えば、ディップ法、無電解メッキ法、電解メッキ法などを用いることができる。電解メッキ法を採用した場合は、メッキ後にリフローによってバンプを半球状に成形する。また、第1の接続用バンプ2はバリアメタル12を介して電極パッド10上に形成し、第1の噛み合わせ用バンプ3はバリアメタル13を介して電極パッド11上に形成する。バリアメタル12,13は、金属間での化合物の生成を防止するもので、例えばニッケルによって形成される。
【0019】
また、半導体チップ1上においては、図2に示すように、第1の接続用バンプ2をチップ外周部に複数(多数)形成するとともに、共通の対角線上に位置するチップコーナー部(図中破線の円で囲んだ部分)C1に、それぞれ第1の噛み合わせ用バンプ3を4つずつ形成する。これら第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3は、半導体集積回路が形成された回路形成領域S1を囲む位置に形成する。ただし、第1の噛み合わせ用バンプ3については、チップコーナー部C1と回路形成領域S1の両方に同時に形成することも可能である。
【0020】
一方、実装基板2においては、ベースとなるシリコン基板14上に絶縁膜15が積層され、さらにこの絶縁膜15を覆うようにパッシベーション膜(最終保護膜)16が積層されている。パッシベーション膜16は、実装基板2の最表面に積層されている。また、絶縁膜15上の所定の位置には電極パッド17,18が形成されている。
【0021】
この実装基板2に対しては、電極パッド17,18の開口部にそれぞれ第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を同時に形成する。バンプとしては、バンプ形成材料にはんだ材を用いたはんだバンプを採用することができる。各々のバンプ5,6の形状はほぼ半球状とする。バンプ形成方法としては、例えば、ディップ法、無電解メッキ法、電解メッキ法などを用いることができる。電解メッキ法を採用した場合は、メッキ後にリフローによってバンプを半球状に成形する。また、第2の接続用バンプ5はバリアメタル19を介して電極パッド17上に形成し、第2の噛み合わせ用バンプ6はバリアメタル20を介して電極パッド18上に形成する。バリアメタル19,20は、金属間での化合物の生成を防止するもので、例えばニッケルによって形成される。
【0022】
また、実装基板2は、図3に示すように、平面視長方形に形成されるとともに、上記半導体チップ1が実装されるチップ実装領域S2と、別の半導体チップ(後述)が実装されるチップ実装領域S3とを横並びに設けた構成となっている。また、実装基板2の長辺部の近傍には、当該実装基板2の長手方向に沿ってテスト用、実装用又はそれらを兼用する電極パッド21が複数形成されたものとなっている。
【0023】
ちなみに、接続用バンプとは、半導体チップ1を実装基板2に実装する際に、半導体チップ1と実装基板2との間でバンプ同士の接合により電気的な接続(導通)をとるために形成されるバンプをいい、噛み合わせ用バンプとは、半導体チップ1を実装基板2に実装する際に、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップ1と実装基板2とを位置合わせするために形成されるバンプをいう。ただし、噛み合わせ用バンプは、接続用バンプを兼用するものであってもよい。
【0024】
上記構成の実装基板2上において、一方のチップ実装領域S2には第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成し、他方のチップ実装領域S3には第3の接続用バンプ22を形成する。第2の接続用バンプ5は上記第1の接続用バンプ2に対応して設けられ、第2の噛み合わせ用バンプ6は上記第1の噛み合わせ用バンプ3に対応して設けられる。さらに詳述すると、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5は互いに電気的な接続(導通)をとるために、同じレイアウトで形成される。
【0025】
これに対して、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6は互いに機械的な噛み合わせ状態を得るために、ピッチをずらして形成される。具体的には、互いに隣り合う4つの第2の噛み合わせ用バンプ6の間(中間部)に1つの第1の噛み合わせ用バンプ3が噛み合う位置関係で、それぞれ第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成する。また、半導体チップ1の1つのチップコーナー部C1に第1の噛み合わせ用バンプ3を4つ(合計で8個)形成し、これに対応して実装基板4のチップ実装領域S2の1つのコーナー部C2に第2の噛み合わせ用バンプ6を9つ(合計18個)形成する。
【0026】
このように半導体チップ1に第1の接続用バンプ2と第1の噛み合わせ用バンプ3を形成する一方、実装基板4に第2の接続用バンプ5と第2の噛み合わせ用バンプ6を形成したら、その後、ボンダー(不図示)を用いて実装基板4に半導体チップ1をフリップチップ方式で実装する。このとき、ボンダーにおいて、実装基板4をボンディングステージ上に固定するとともに、半導体チップ1をチャックで保持する。そして、画像認識等により半導体チップ1と実装基板4の位置決めを行う。その際、上述のように半導体チップ1の対角コーナー部C1に第1の噛み合わせ用バンプ3を形成しておけば、この第1の噛み合わせ用バンプ3を位置決め用のマーク(アライメントマーク)として用いることができる。
【0027】
また、半導体チップ1と実装基板4とは互いにバンプ形成面を対向させた状態(一般的には半導体チップ1がフェースダウンとなる状態)で配置する。このとき、図4に示すように、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5は平面的に重なり合う状態で配置されるのに対し、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6は平面的にピッチずれした状態で配置される。
【0028】
続いて、ボンダーのチャックを下降させることにより、半導体チップ1を実装基板4に接触させる。このとき、例えばボンダーによる位置決め精度の不足により、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5の間に位置ずれが生じていても、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6が接触することで、それらの位置の狂いが自己修正(セルフアライメント)される。
【0029】
さらに詳述すると、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5が互いに位置ずれした状態(バンプの頂点がずれた状態)で接近し、そのまま押し込まれると、各々の接続用バンプ2,5が潰れる過程で横滑りが生じやすくなる。このとき、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を互いに噛み合わせることにより、接続用バンプ2,5同士の横滑りやこれに伴う導体チップ1の横ずれが抑制されるとともに、接続用バンプ2,5同士の位置ずれが自動的に修正される。その結果、半導体チップ1と実装基板4との位置合わせが正確に行われる。したがって、図5に示すように、第1の噛み合わせ用バンプ3と第2の噛み合わせ用バンプ6を噛み合わせた状態で、第1の接続用バンプ2と第2の接続用バンプ5を確実に接合することができる。
【0030】
ちなみに、図4に示す他の半導体チップ23については、半導体チップ1を実装基板4に実装する前、又は実装した後に、実装基板4にフリップチップ方式で実装すればよい。
【0031】
また、第1,第2の噛み合わせバンプ3,6による半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めるうえでは、半導体チップ1のバンプ形成工程で第1の噛み合わせバンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することが望ましい。また、実装基板4のバンプ形成工程では第2の噛み合わせバンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成することが望ましい。半導体チップ1上ではウエハ表面(パッシベーション膜9の表面)K1をバンプ高さの基準(ゼロ基準)とし、実装基板4上では基板表面(バッシベーション膜16の表面)K2をバンプ高さの基準(ゼロ基準)とする。
【0032】
図6は半導体チップ上でのバンプ形成例として、第1の噛み合わせバンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成した状態を示している。図6においては、第1の噛み合わせ用バンプ3が第1の接続用バンプ2よりもΔH1寸法だけ高く形成されている。このように第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することにより、半導体チップ1を実装基板4に実装する場合に、第1の接続用バンプ2が第2の接続用バンプ5に突き当たる前に、第1の噛み合わせ用バンプ3を第2の噛み合わせ用バンプ6に噛み合わせることができる。
【0033】
これにより、半導体チップ1と実装基板4とを正確に位置合わせした状態で、第1の接続用バンプ2を第2の接続用バンプ5に押し付けることができるため、半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めることができる。また、実装基板4上で第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成した場合も、半導体チップ1の横ずれ防止効果を高めることができる。さらに、半導体チップ1上で第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成する一方、実装基板4上で第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成してもよい。
【0034】
ここで、半導体チップ1上においてバンプの高さに高低差をつけるための具体的な方法について説明する。
【0035】
まず、電極パッド10,11の開口部にディップ方式でバンプを形成する場合は、上記図6において、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも大きくする。この場合、電極パッドの開口径が大きい方が、ディップで電極部分に付着するバンプ形成材料(はんだ材等)の量が多くなるため、より高いバンプが形成される。したがって、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも大きくすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。
【0036】
また、電極パッド10,11の開口部に電解メッキ方式でバンプを形成する場合は、上記図6において、第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも小さくする。この場合、電解メッキによって電極パッド10,11の開口部に形成されるバンプの高さはほぼ同一になるものの、電解メッキ後のリフローによってバンプを半球状に成形すると、電極パッドの開口径が小さい方が、より高くバンプが盛り上がった状態となる。具体的に記述すると、電解メッキ後のバンプの形状を円柱状とし、リフロー後のバンプの形状を半球状として、リフロー前後でバンプの体積が変化しないものとすると、以下の数1式の関係が成り立つ。
【0037】
【数1】
【0038】
上記数1式に使用された記号は、図7に示すように、hは電解メッキ後のバンプ高さ、aはバンプの半径、Haはリフロー後のバンプ高さ、Rはバンプ球面の半径である。このうち、電解メッキ後のバンプ高さhは、はんだメッキを施すものとすると、はんだのメッキ成長高さに相当するものとなる。また、バンプ半径aは、バンプが形成される電極パッドの開口径(直径)の1/2に相当するものとなる。
【0039】
いま、仮に半径がa,bと異なる径のバンプが存在し、それぞれ同時に同じ高さhで電解メッキが施されたものとすると、半径bのバンプについては以下の数2式の関係が得られる。
【0040】
【数2】
【0041】
ここで、hをHa,Hbで表して、hを消去すると以下の数3式の上段の二式が得られるため、これをHbに関してカルダノの解法で解くと数3式の下段の式が得られる。
【0042】
【数3】
【0043】
また、上記解法結果をグラフで表すと、図8のようになる。この図8からも分かるように、バンプ径bが小さくなると、それにつれてバンプ高さHbが高くなる。したがって、先述のように第1の噛み合わせ用バンプ3が形成される電極パッド11の開口径dを、第1の接続用バンプ2が形成される電極パッド10の開口径Dよりも小さくすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。
【0044】
また、電極パッド10,11の開口部に電解メッキ方式でバンプを形成する場合は、第1の噛み合わせ用バンプ3の配列を、第1の接続用バンプ2の配列よりも疎にすることにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。この理由は、バンプの配列が密の領域と疎の領域を比較した場合に、疎の領域の方が、バンプを形成するときのメッキ成長速度が速くなるためである。
【0045】
なお、ここでは半導体チップ1上にバンプを形成する場合を例に挙げて説明したが、実装基板4上にバンプを形成する場合でも上記同様のことが言える。
【0046】
また、半導体チップ1上にセミアディティブ法でバンプを形成する場合は、図9に示すように、第1の接続用バンプ2を電極パッド10の上に形成するとともに、第1の噛み合わせ用バンプ3をパッシベーション膜9の上に形成することにより、第1の噛み合わせ用バンプ3を第1の接続用バンプ2よりも高く形成することができる。この理由は、電極パッド10の表面とパッシベーション膜9の表面に若干の高低差ΔH2が生じ、この高低差ΔH2がそのままバンプ2,3の高低差となって現れるためである。この点は、実装基板4上にセミアディティブ法でバンプを形成する場合も同様である。すなわち、第2の接続用バンプ5を電極パッド17の上に形成するとともに、第2の噛み合わせ用バンプ6をパッシベーション膜16の上に形成することにより、第2の噛み合わせ用バンプ6を第2の接続用バンプ5よりも高く形成することができる。
【0047】
また、本発明の応用例として、図10に示すように、上記接続用バンプと噛み合わせ用バンプを兼用したバンプ2A,2Bを半導体チップ1上に形成するとともに、接続用バンプと噛み合わせ用バンプを兼用したバンプ5A,5Bを実装基板4上に形成するものとしてもよい。このうち、半導体チップ1上においては、4つのバンプ2Aの組と1つのバンプ2Bとを所定のピッチPで交互に配置する。また、実装基板4上においては、1つのバンプ5Aと4つのバンプ5Bの組とを上記と同じ所定のピッチPで交互に配置する。
【0048】
これにより、実装基板4上に半導体チップ1を対向状態に配置し、これを平面的に見た場合は、4つのバンプ2Aの間(中間部)にバンプ5Aが配置されるとともに、4つのバンプ5Bの間(中間部)にバンプ5Bが配置される。そのため、実装基板4に半導体チップ1を実装する際には、バンプ5Aが4つのバンプ2Aに噛み合うとともに、バンプ2Bが4つのバンプ5Bに噛み合う状態となる。したがって、半導体チップ1と実装基板4を正確に位置合わせした状態で、バンプ同士(バンプ2Aとバンプ5A、及びバンプ2Bとバンプ5B)を接合することができる。また、4つバンプ2Aの組と1つのバンプ2Bとを交互に配置するとともに、1つのバンプ5Aと4つのバンプ5Bの組とを交互に配置することにより、例えば、半導体チップ1に4つのバンプ2の組だけを連続的に配置し、これに対応して実装基板4に1つのバンプ5Bだけを連続的に配置する場合に比較して、半導体チップ1や実装基板4にバンプを形成するときのピッチPを狭くすることができる。
【0049】
図11は半導体チップと実装基板の間でバンプを噛み合わせるためのバンプの組み合わせ例を説明する図である。噛み合わせ用バンプの組み合わせとしては、第1の例として、バンプの個数が3:1の場合で、三角形の角部に配置された3つのバンプ24Aの間(中間部)に噛み合うように1つのバンプ24Bを配置するものが考えられる。また、第2の例として、バンプの個数が4:1の場合で、正方形の角部に配置された4つのバンプ25Aの間に噛み合うように1つのバンプ25Bを配置するものが考えられる。
【0050】
また、第3の例として、バンプの個数が3:3の場合で、三角形の角部に配置された3つのバンプ26Aの外寄りの谷間に噛み合うように逆三角形の角部に3つのバンプ26Bを配置するものが考えられる。また、第4の例として、バンプの個数が4:4の場合で、正方形の角部に配置された4つのバンプ27Aの外寄りの谷間に噛み合うように、それよりも寸法が大きく且つ90度向きが回転した正方形の角部に4つのバンプ27Bを配置するもの、さらには当該4つのバンプ27Bの中間部にバンプ27Cを追加してバンプの個数を4:5とし、このバンプ27Cを上記4つのバンプ27Aの中間部に噛み合うようにしたものが考えられる。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップに第1のバンプを形成するとともに、半導体チップが実装される実装基板に第1のバンプと噛み合う位置関係で第2のバンプを形成し、実際に半導体チップをフリップチップ方式で実装基板に実装する場合に、第1のバンプと第2のバンプとの噛み合わせによって半導体チップと実装基板とを位置合わせすることにより、半導体チップの横ずれを有効に抑制して、高い位置合わせ精度をもって半導体チップを実装基板に実装することができる。したがって、バンプ同士の接合によって半導体チップと実装基板とを電気的に接続する場合は、バンプ接合不良の発生を確実に防止することができる。また、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップと実装基板との位置合わせを行うため、この噛み合わせ用のバンプを電気的接続のためのバンプと同時に形成することにより、製造工程の複雑化を回避することができる。さらに、ボンダーの構成としても、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策をとる必要がなくなる。また、画像認識等によって半導体チップを位置決めする場合に高い位置決め精度を保証する必要がなくなるため、位置決めのための時間を短縮することができる。
【0052】
本発明の半導体装置によれば、その製造工程で半導体チップを実装基板に実装するときに、第1のバンプと第2のバンプとが噛み合うことになるため、半導体チップの横ずれを抑制して、半導体チップと実装基板とを正確に位置合わせすることができる。これにより、高い位置合わせ精度をもって半導体チップを実装基板に実装することが可能となる。したがって、バンプ同士の接合によって半導体チップと実装基板とを電気的に接続するものでは、バンプ接合不良の発生を確実に防止することができる。また、バンプ同士の噛み合わせによって半導体チップと実装基板の位置合わせを行えるため、この噛み合わせ用のバンプを電気的接続のためのバンプと同時に形成することにより、製造工程の複雑化を回避することができる。さらに、ボンダーの構成としても、高精度な位置決め機能を持たせる、低熱膨張の材料を使う、フレームを厚くして高剛性化するなどの対策をとる必要がなくなる。また、画像認識等によって半導体チップを位置決めする場合に高い位置決め精度を保証する必要がなくなるため、位置決めのための時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体チップを実装基板に実装するときの配置状態を示す側断面図である。
【図2】半導体チップ上でのバンプ配置例を示す平面図である。
【図3】実装基板上でのバンプ配置例を示す平面図である。
【図4】半導体チップと実装基板を重ね合わせたときのバンプ配置例を示す仮想平面図である。
【図5】半導体チップを実装基板に実装したときのバンプ接合状態を示す側断面図である。
【図6】半導体チップ上でバンプ高さに高低差をつけてバンプを形成した場合の配置例を示す側断面図である。
【図7】バンプ高さを計算で求めるときの寸法記号を示す図である。
【図8】バンプ径とバンプ高さの関係を示す図である。
【図9】半導体チップ上でバンプ高さに高低差をつけてバンプを形成する方法の一つをを説明する図である。
【図10】本発明の応用例を説明する図である。
【図11】噛み合わせ用バンプの組み合わせ例を説明する図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…第1の接続用バンプ、3…第1の噛み合わせ用バンプ、4…実装基板、5…第2の接続用バンプ、6…第2の噛み合わせ用バンプ
Claims (8)
- 半導体チップ上に第1のバンプを形成するとともに、前記半導体チップが実装される実装基板上に前記第1のバンプと噛み合う位置関係で第2のバンプを形成し、
前記半導体チップを前記実装基板に実装する際に、前記第1のバンプと前記第2のバンプとの噛み合わせによって前記半導体チップと前記実装基板とを位置合わせする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上で前記第1のバンプをチップコーナー部に形成する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上に前記第1のバンプを形成するとき、又は前記実装基板上に前記第2のバンプを形成するときに、
前記第1のバンプ又は前記第2のバンプを、他のバンプよりも高く形成する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上又は前記実装基板上で電極パッドの開口部にディップ方式でバンプを形成するとともに、前記第1のバンプ又は前記第2のバンプが形成される電極パッドの開口径を、前記他のバンプが形成される電極バッドの開口径よりも大きくする
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上又は前記実装基板上で電極パッドの開口部に電解メッキ方式でバンプを形成するとともに、前記第1のバンプ又は前記第2のバンプが形成される電極パッドの開口径を、前記他のバンプが形成される電極バッドの開口径よりも小さくする
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上又は前記実装基板上で電極パッドの開口部に電解メッキ方式でバンプを形成するとともに、前記第1のバンプ又は前記第2のバンプの配列を、前記他のバンプの配列よりも疎にする
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップ上又は前記実装基板上でセミアディティブ法でバンプを形成するとともに、前記第1のバンプ又は前記第2のバンプを、前記半導体チップのバッシベーション膜の上又は前記実装基板のバッシベーション膜の上に形成する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 第1のバンプが形成された半導体チップと、
前記半導体チップが実装されるとともに、前記第1のバンプと噛み合う第2のバンプが形成された実装基板と
を備えることを特徴とする半導体装置。
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Publications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006210591A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013105953A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | はんだバンプのセルフアライメントに利用するスタッドの作成 |
JP2013115135A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 複数のチップ間の高精度アライメントに利用するスタッドの組合せの作成 |
-
2003
- 2003-02-27 JP JP2003050355A patent/JP2004260033A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156544A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Denso Corp | 基板の実装構造およびその実装方法 |
JP2006210591A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4573657B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013105953A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | はんだバンプのセルフアライメントに利用するスタッドの作成 |
JP2013115135A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 複数のチップ間の高精度アライメントに利用するスタッドの組合せの作成 |
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