JP2000294720A - 半導体集積回路パッケージ - Google Patents

半導体集積回路パッケージ

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JP2000294720A
JP2000294720A JP10032099A JP10032099A JP2000294720A JP 2000294720 A JP2000294720 A JP 2000294720A JP 10032099 A JP10032099 A JP 10032099A JP 10032099 A JP10032099 A JP 10032099A JP 2000294720 A JP2000294720 A JP 2000294720A
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wiring
lands
integrated circuit
semiconductor integrated
land
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Atsutake Asai
淳毅 朝井
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/4809Loop shape
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で複数のパッケージを相互に接続
して高密度実装を可能とし、全ての端子に対する電気的
試験を容易に行うことができる半導体集積回路パッケー
ジを提供する。 【解決手段】 第1配線基板2上に、チップ部品3を設
けるとともに、チップ部品3の各端子4が接続される第
1のランド5を設け、第2配線基板6上に、第2のラン
ド7を設ける。第1および第2配線基板2,6は、前記
第1のランド5が形成される一表面8と前記第2のラン
ド7が形成される一表面9とが対向し、第1配線基板2
の第1のランド5と第2配線基板6の第2のランド7と
の間に、異方導電性材料から成る接続部材10a〜10
dを介在して第1および第2のランド5,7を相互に接
続する。第1および第2配線基板2,6間の隙間は、モ
ールド層11によって封止し、第1および第2配線基板
2,6の対向する各一表面8,9とは反対側の各他表面
12,13に、第1および第2のランド5,7にそれぞ
れ導通する端子14,15を設け、両面に第1および第
2のランド5,7よりも幅の広い電極を露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、大規模集積回路
(略称LSI:Large Scale Integration)および集積
回路(略称IC:Integrated Circuit)などの半導体集
積回路チップ部品を実装した半導体集積回路パッケージ
の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】BGA(Ball Grid Array)などの半導
体集積回路パッケージ(以下、略称してパッケージと記
す場合がある)は、パッケージの片面にのみ、半田バン
プまたは半田ボールを形成し、このパッケージをプリン
ト基板上に、たとえばリフロー加熱などの手法によって
表面実装している。また、複数個の半導体集積回路パッ
ケージをプリント基板に実装する際には、各パッケージ
を平面的に並べて実装している。さらに、このようなパ
ッケージが実装されるプリント基板は、高密度実装を可
能にするため、多層基板が多く用いられている。
【0003】このようなプリント基板は、半導体集積回
路パッケージの実装前に、パッケージの各端子に接続さ
れるすべての配線に対して、パッケージが実装されたと
きと同様な接続状態にして、各配線にプローブピンを接
触させ、動作波形などの観察および試験が行われる。こ
のような動作波形の観察および試験を行うにあたって、
各配線は、高密度実装基板であるために各配線の幅およ
び間隔が微細であり、対象とする配線を検索してプロー
ブピンを接触させる際に、隣接する配線にもプローブピ
ンが接触してショートさせてしまうおそれがある。これ
を防止するために、プリント基板上の実装表面に各配線
に接続され、かつ各配線よりも幅および間隔の広いテス
トパッドを設け、このテストパッドにプローブピンを接
触させて前記試験を行っている。
【0004】このようなプリント基板の前記表面には、
前記幅の広いテストパッドを形成するための領域を確保
しなければならず、高密度実装の観点からみて、プリン
ト基板の実装表面に、製品としては不要な無駄な領域が
増加してしまう。また、プリント基板上にパッケージを
実装した後では、上述したように、対象とする配線以外
に隣接する配線にもプローブピンが接触して、ショート
による半導体集積回路を破壊する危険があるため、動作
波形の観測および試験は極めて困難である。しかも、半
導体集積回路の大規模化に伴い、端子数が増大し、パッ
ケージも大形化している。このため、プリント基板上の
配線パターンの複雑化および配線数の増大によって、回
路配線網による占有面積も大きくなり、機器全体の小形
化の障害となっている。
【0005】典型的な従来の技術は、特開平10−92
969号公報に開示されている。この従来の技術では、
両表面の入出力電極を電気的接続状態にした複数のBG
Aパッケージを積重して、単層または多層プリント基板
に実装することによって、各BGAパッケージの部品相
互間に共通して接続する配線を、短距離で垂直に立体化
し、共通して接続されない配線は、各BGAパッケージ
とプリント基板とにわたって設けられるフレキシブルプ
リント配線板などを用いて最短距離で接続する。これに
よってプリント基板の配線が減少して、耐ノイズ性が高
い高密度実装を可能としている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平10−9
2969号公報に示される従来の技術では、複数のBG
Aパッケージを積重して共通する配線は、半田ボールま
たは半田バンプによって上下に接続されるが、共通しな
い配線は、前記半田ボールまたは半田バンプによる上下
の接続とは構成の異なるフレキシブルプリント配線板な
どの別の接続手段によって接続しなければならないた
め、各パッケージ間の接続に手間を要し、生産性が悪い
という問題を有する。またこの従来の技術では、上記の
ように共通する配線、たとえばアース配線および電源ラ
インなどの配線に導通する半田ボールまたは半田バンプ
だけが上下に接続可能であるため、パッケージをプリン
ト基板へ実装する上で、配線の切り回しが複雑であり、
実装密度を向上する上で設計上の自由度が低いという問
題がある。さらに上記のように共通する配線に導通する
半田ボールまたは半田バンプだけが上下に接続され、各
パッケージ内にモールド樹脂によって封止される半導体
集積回路チップ部品のすべての端子に前記半田ボールま
たは半田バンプが導通していないため、半田ボールまた
は半田バンプにプローブピンを接触させるだけでは、す
べての端子に対して動作波形の確認および試験を行うこ
とができないという問題がある。
【0007】本発明の目的は、複数のパッケージを簡単
な構成で容易に接続して、実装密度を向上し、全ての端
子に対する電気的試験を容易に行うことができるように
した半導体集積回路パッケージを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明
は、複数層の配線を有する第1配線基板の一表面上に、
半導体集積回路チップ部品が配置されるとともに、この
半導体集積回路チップ部品の端子が接続される第1のラ
ンドが設けられ、複数層の配線を有する第2配線基板の
一表面上に、第2のランドが設けられ、第1および第2
配線基板は、前記第1のランドが形成される一表面と前
記第2のランドが形成される一表面とが対向して配置さ
れ、第1配線基板の第1のランドと第2配線基板の第2
のランドとの間に、異方導電性材料から成る接続部材を
介在して第1および第2のランドが相互に接続され、第
1および第2配線基板間の隙間は、モールド樹脂によっ
て封止され、第1および第2配線基板の対向する各一表
面とは反対側の各他表面に、第1および第2のランドに
それぞれ導通する端子が設けられることを特徴とする半
導体集積回路パッケージである。
【0009】本発明に従えば、複数層の配線を有する多
層基板とも呼ばれる第1配線基板の一表面上に、半導体
集積回路チップ部品が配置されるとともに、この半導体
集積回路チップ部品の端子が接続される第1のランドが
設けられる。また複数層の配線を有する第2配線基板の
一表面上には、第2のランドが設けられる。第1および
第2配線基板は、前記第1のランドが形成される一表面
と前記第2のランドが形成される一表面とが対向して配
置される。第1配線基板の第1のランドと第2配線基板
の第2のランドとの間には、異方導電性材料から成る接
続部材を介在して第1および第2のランドが相互に接続
される。第1および第2配線基板間の隙間は、モールド
樹脂によって封止され、第1および第2配線基板の対向
する各一表面とは反対側の各他表面に、第1および第2
のランドにそれぞれ導通する端子が設けられる。
【0010】このような構成によって、第1および第2
配線基板の各他表面上に、上記動作波形の確認および試
験を行うに際して、プローブピンが誤って隣接するラン
ド、したがって端子に接触しない程度の幅および間隔を
確保することができ、所望の各端子にプローブピンを接
触させて容易に動作波形などの確認および試験を行うこ
とができる。また、各端子は、半導体集積回路チップ部
品のすべての配線に導通させることができるため、第1
および第2配線基板のいずれか一方または双方の外部に
臨む端子を用いて、前記動作波形の確認および試験など
を行うことができる。また第1および第2配線基板間に
接続部材を挟持することによって、すべての配線に各端
子を個別にかつ確実に導通させることができるので、構
成が簡単であり、高い実装密度を容易に実現することが
できる。
【0011】請求項2記載の本発明は、請求項1記載の
構成において、第1および第2配線基板の各他表面のう
ち少なくともいずれか一方の端子には、導電性材料から
成るバンプが設けられることを特徴とする。
【0012】本発明に従えば、第1および第2配線基板
の各他表面のうち少なくともいずれか一方の端子には、
導電性材料から成るバンプが設けられるので、このバン
プが設けられる表面を対向させて、パッケージ同士を相
互に接続することができ、これによってもまた、高い実
装密度をより容易に実現することができる。
【0013】請求項3記載の本発明は、請求項1または
2記載の構成において、接続部材は、弾発性を有する異
方導電性材料から成ることを特徴とする。
【0014】本発明に従えば、接続部材は、弾発性を有
する異方導電性材料から成るので、第1および第2のラ
ンド間を個別に、しかも同時に接続することができ、パ
ッケージの生産効率を格段に向上することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の一形態の
半導体集積回路パッケージ1を簡略化して示す分解斜視
図であり、図2は図1に示される半導体集積回路パッケ
ージ1の断面図である。本実施の形態のスタック形半導
体集積回路パッケージ(以下、略称してパッケージと記
す場合がある)1は、片面の端子数がたとえば240〜
560ピンのBGA(Ball Grid Array)であって、複
数層の配線パターンを有する第1配線基板2上に、半導
体集積回路チップ部品(以下、チップ部品と略記する)
3が配置されるとともに、このチップ部品3の端子4が
接続される第1のランド5が設けられる。また複数層の
配線パターンを有する第2配線基板6上には、第2のラ
ンド7が設けられる。
【0016】第1および第2配線基板2,6は、前記第
1のランド5が形成される一表面8と前記第2のランド
5が形成される一表面9とが対向して配置され、第1配
線基板2の第1のランド5と第2配線基板6の第2のラ
ンド7との間に、異方導電性材料から成る接続部材10
a,10b,10c,10d(以下、総称する場合に
は、接続部材10と記す)を介在され、この接続部材1
0によって第1および第2のランド5,7が相互に接続
される。第1および第2配線基板2,6間の隙間は、た
とえばエポキシ樹脂から成るモールド層11によって封
止される。
【0017】第1および第2配線基板2,6の相互に対
向する各一表面8,9とは反対側の各他表面12,13
には、第1および第2のランド5,7にそれぞれ導通す
る外部端子である各複数の第1および第2パッド14,
15がマトリックス状に形成される。これらの第1およ
び第2パッド14,15には、バンプである半田ボール
16,17が設けられる。
【0018】具体的には、上記の第1および第2配線基
板2,6は、銅張積層板をコアとして、その上に導体層
と感光性樹脂から成る絶縁層とを交互に積重したビルド
アップ基板とも呼ばれる高密度プリント配線基板によっ
て実現されてもよい。前記チップ部品3は、たとえばL
SI(Large Scale Integration)のベアチップであ
り、その半導体集積回路チップ部品3の上面19の周縁
部に設けられる前述の複数の端子4は、ボンディングワ
イヤ21によって、第1配線基板2の第1のランド5の
中央寄りの端部に接続される。なお、図1では、図解を
容易にするため、一部のボンディングワイヤだけが示さ
れている。
【0019】前記接続部材10は、弾発性を有する異方
導電性材料から成る。この弾発性を有する異方導電性材
料としては、たとえば、電気絶縁性のシリコンごむと、
導電性のカーボンを配合したシリコンごむを、交互に積
層して構成された異方導電性ごむが用いられる。このよ
うな異方導電性ごむを用いることによって、第1および
第2配線基板2,6の各ランド5,7に各接続部材10
が常に弾発的に当接し、微小な幅および間隔で形成され
るいわゆるファインピッチの各ランド5,7を個別に接
続する必要がなく、同時に各ランド5,7間の確実な電
気的導通が得られる。また第1配線基板2の第1のラン
ド5上に各接続部材10を載置して、第2配線基板2,
6を乗載して挟持すればよいので、高精度で各接続部材
10を位置決めする必要がなく、容易かつ確実に第1お
よび第2のランド5,7を接続することができる。この
ように第1および第2配線基板2,6を接合するにあた
って、弾発性を有する異方導電性材料から成る接続部材
10を用いるので、製造が容易であり、生産性の向上を
図ることができる。
【0020】図3は、図1および図2に示されるパッケ
ージ1の一部の断面図である。上記のようにモールド層
11によって第1および第2配線基板2,6間の隙間を
封止するにあたっては、第1配線基板2と第2配線基板
6との間に各接続部材10を挟んだ後、各接続部材10
の周方向に隣接する長手方向両端部22a,22b間の
隙間23からモールド樹脂24を注入して硬化させ、各
接続部材10の相互に対向する各内面25によって囲ま
れた領域内のチップ部品3および各ボンディングワイヤ
21を第1配線基板2上で封止する。その後、各接続部
材10の外側にモールド樹脂27を注入して硬化させ
る。これらのモールド樹脂24,27は、たとえば、紫
外線で硬化するエポキシ系樹脂などの光硬化形合成樹脂
から成る。
【0021】このようにして第1および第2配線基板
2,6の各他表面12,13には、第1および第2の各
ランド5,7よりも幅および間隙の大きいパッド14,
15が設けられるので、隣接するパッドにプローブピン
28が接触してショートするという不具合を生じること
なしに動作波形確認および試験などを行うことができ
る。
【0022】図4は、パッケージ1がプリント基板26
に実装された状態を示す断面図である。上記のパッケー
ジ1は、たとえばリフロー加熱によってプリント基板2
6に実装される。このとき、パッケージ1の第1配線基
板2に設けられる半田ボール16が溶融して、プリント
基板26の表面に予め形成される配線パターンのランド
に接続されるが、同時に第2配線基板6の半田ボール1
7も溶融してバンプ29が形成される。このようにパッ
ケージ1をプリント基板26に実装した後も、第2配線
基板6の他表面13には、第1のランド5の幅および間
隔よりも大きな幅および間隔を有する略半球状のバンプ
29が、前記他表面13から露出し、さらには突出して
形成されるため、プローブピン28の先端部を任意のバ
ンプ29に選択的に直接、接触させ、前記従来の技術に
関連して述べたように、隣接するバンプに不所望に接触
してショートさせることなしに、動作波形の確認および
試験を容易に行うことができる。
【0023】図5は、図4に示されるプリント基板26
に実装されたパッケージ1上に他のパッケージ1aを積
重して実装した状態を示す断面図である。なお、図1〜
図4に示される構成と対応する部分には同一の参照符を
付し、重複を避けて説明は省略する。プリント基板26
には、2つのパッケージ1,1aが上下に重ねて実装さ
れる。これらのパッケージ1,1aは、構造的には類似
し、電気的機能の点で相違する。第1のパッケージ1を
図4に関連して述べたように、プリント基板26に実装
した後、その上方に第2のパッケージ1aが重ねて実装
される。
【0024】このように2つのパッケージ1,1aを上
下に積重してプリント基板26上に実装することによっ
て、プリント基板26上に占める各パッケージ1,1a
の面積は、パッケージ1つ分の面積だけでよく、実装密
度を向上することができる。また上段のパッケージ1a
の上面には、リフロー加熱によって溶融した前述のバン
プ29と同様なバンプ29aが形成されているため、プ
リント基板に実装後であっても、プローブピン28の先
端部を直接接触させて、2つのパッケージ1,1aの動
作波形の確認および試験を、同時または個別に行うこと
ができる。しかも、このようなプローブピン28の接触
は、前述したように、第1および第2のランド5,7の
幅および間隔に比べて大きいので、プローブピンの誤接
触を防止することができる。
【0025】
【発明の効果】請求項1記載の本発明によれば、複数層
の配線を有する多層基板とも呼ばれる第1配線基板の一
表面上に、半導体集積回路チップ部品が配置されるとと
もに、この半導体集積回路チップ部品の端子が接続され
る第1のランドが設けられる。また複数層の配線を有す
る第2配線基板の一表面上には、第2のランドが設けら
れる。第1および第2配線基板は、前記第1のランドが
形成される一表面と前記第2のランドが形成される一表
面とが対向して配置される。第1配線基板の第1のラン
ドと第2配線基板の第2のランドとの間には、異方導電
性材料から成る接続部材を介在して第1および第2のラ
ンドが相互に接続される。第1および第2配線基板間の
隙間は、モールド樹脂によって封止され、第1および第
2配線基板の対向する各一表面とは反対側の各他表面
に、第1および第2のランドにそれぞれ導通する端子が
設けられる。
【0026】このような構成によって、第1および第2
配線基板の各他表面上に、上記動作波形の確認および試
験を行うに際して、プローブピンが誤って隣接するラン
ド、したがって端子に接触しない程度の幅および間隔を
確保することができ、所望の各端子にプローブピンを接
触させて容易に動作波形などの確認および試験を行うこ
とができる。また、各端子は、半導体集積回路チップ部
品のすべての配線に導通させることができるため、第1
および第2配線基板のいずれか一方または双方の外部に
臨む端子を用いて、前記動作波形の確認および試験など
を行うことができる。また第1および第2配線基板間に
接続部材を挟持することによって、すべての配線に各端
子を個別にかつ確実に導通させることができるので、構
成が簡単であり、高い実装密度を容易に実現することが
できる。
【0027】請求項2記載の本発明によれば、第1およ
び第2配線基板の各他表面のうち少なくともいずれか一
方の端子には、導電性材料から成るバンプが設けられる
ので、このバンプが設けられる表面を対向させて、パッ
ケージ同士を相互に接続することができ、これによって
もまた、高い実装密度をより容易に実現することができ
る。
【0028】請求項3記載の本発明によれば、接続部材
は、弾発性を有する異方導電性材料から成るので、第1
および第2のランド間を個別に、しかも同時に接続する
ことができ、パッケージの生産効率を格段に向上するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態のスタック形半導体集積
回路パッケージ1を簡略化して示す分解斜視図である。
【図2】図1に示されるスタック形半導体集積回路パッ
ケージ1の断面図である。
【図3】図1および図2に示されるパッケージ1の一部
の断面図である。
【図4】パッケージ1がプリント基板26に実装された
状態を示す断面図である。
【図5】図3に示されるプリント基板26に実装された
パッケージ1上に他のパッケージ1aを積重して実装し
た状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1,1a 半導体集積回路パッケージ 2 第1配線基板 3 半導体集積回路チップ部品 4 半導体集積回路チップ部品の端子 5 第1のランド 6 第2配線基板 7 第2のランド 8 第1配線基板の一表面 9 第2配線基板の一表面 10,10a〜10d 接続部材 11 モールド層 12 第1配線基板の他表面 13 第2配線基板の他表面 14 第1パッド 15 第2パッド 16,17 半田ボール 19 半導体集積回路チップの上面 21 ボンディングワイヤ 24,27 モールド樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数層の配線を有する第1配線基板の一
    表面上に、半導体集積回路チップ部品が配置されるとと
    もに、この半導体集積回路チップ部品の端子が接続され
    る第1のランドが設けられ、 複数層の配線を有する第2配線基板の一表面上に、第2
    のランドが設けられ、第1および第2配線基板は、前記
    第1のランドが形成される一表面と前記第2のランドが
    形成される一表面とが対向して配置され、 第1配線基板の第1のランドと第2配線基板の第2のラ
    ンドとの間に、異方導電性材料から成る接続部材を介在
    して第1および第2のランドが相互に接続され、 第1および第2配線基板間の隙間は、モールド樹脂によ
    って封止され、 第1および第2配線基板の対向する各一表面とは反対側
    の各他表面に、第1および第2のランドにそれぞれ導通
    する端子が設けられることを特徴とする半導体集積回路
    パッケージ。
  2. 【請求項2】 第1および第2配線基板の各他表面のう
    ち少なくともいずれか一方の端子には、導電性材料から
    成るバンプが設けられることを特徴とする請求項1記載
    の半導体集積回路パッケージ。
  3. 【請求項3】 接続部材は、弾発性を有する異方導電性
    材料から成ることを特徴とする請求項1または2記載の
    半導体集積回路パッケージ。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6740964B2 (en) 2000-11-17 2004-05-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor package for three-dimensional mounting, fabrication method thereof, and semiconductor device
JP2008147628A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Stats Chippac Inc 多層半導体パッケージ
JP2008182285A (ja) * 2008-04-23 2008-08-07 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009506571A (ja) * 2005-08-31 2009-02-12 マイクロン テクノロジー, インク. インターポーザー基板に接続するための中間コンタクトを有するマイクロ電子デバイスおよびそれに関連する中間コンタクトを備えたマイクロ電子デバイスをパッケージする方法
WO2009093414A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Olympus Corporation 積層実装構造体
US7626254B2 (en) 2007-05-15 2009-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package using chip-embedded interposer substrate
US7642133B2 (en) 2006-09-27 2010-01-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making a semiconductor package and method of making a semiconductor device
JP2010192812A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Sharp Corp 電子機器モジュール
US8012797B2 (en) 2009-01-07 2011-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming stackable semiconductor device packages including openings with conductive bumps of specified geometries
US8076765B2 (en) 2009-01-07 2011-12-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages including openings partially exposing connecting elements, conductive bumps, or conductive conductors
US8143101B2 (en) 2007-03-23 2012-03-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and the method of making the same
US8158888B2 (en) 2008-07-03 2012-04-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Circuit substrate and method of fabricating the same and chip package structure
US8198131B2 (en) 2009-11-18 2012-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages
US8278746B2 (en) 2010-04-02 2012-10-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages including connecting elements
US8405212B2 (en) 2009-12-31 2013-03-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US8569885B2 (en) 2010-10-29 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stacked semiconductor packages and related methods
US8624374B2 (en) 2010-04-02 2014-01-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof
US8823156B2 (en) 2010-02-10 2014-09-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages having stacking functionality and including interposer
JP2014197597A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 ローム株式会社 半導体装置
US9171792B2 (en) 2011-02-28 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages having a side-by-side device arrangement and stacking functionality
US9196597B2 (en) 2010-01-13 2015-11-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US9349611B2 (en) 2010-03-22 2016-05-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2018113480A (ja) * 2018-04-04 2018-07-19 ローム株式会社 半導体装置

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6740964B2 (en) 2000-11-17 2004-05-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor package for three-dimensional mounting, fabrication method thereof, and semiconductor device
US7029953B2 (en) 2000-11-17 2006-04-18 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor package for three-dimensional mounting, fabrication method thereof, and semiconductor device
US8703599B2 (en) 2005-08-31 2014-04-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices having intermediate contacts for connection to interposer substrates, and associated methods of packaging microelectronic devices with intermediate contacts
US8319332B2 (en) 2005-08-31 2012-11-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices having intermediate contacts for connection to interposer substrates, and associated methods of packaging microelectronic devices with intermediate contacts
JP2009506571A (ja) * 2005-08-31 2009-02-12 マイクロン テクノロジー, インク. インターポーザー基板に接続するための中間コンタクトを有するマイクロ電子デバイスおよびそれに関連する中間コンタクトを備えたマイクロ電子デバイスをパッケージする方法
US7642133B2 (en) 2006-09-27 2010-01-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making a semiconductor package and method of making a semiconductor device
JP2008147628A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Stats Chippac Inc 多層半導体パッケージ
US8143101B2 (en) 2007-03-23 2012-03-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and the method of making the same
US7626254B2 (en) 2007-05-15 2009-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package using chip-embedded interposer substrate
WO2009093414A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Olympus Corporation 積層実装構造体
US8385081B2 (en) 2008-01-22 2013-02-26 Olympus Corporation Stacked mounting structure
JP2008182285A (ja) * 2008-04-23 2008-08-07 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4652428B2 (ja) * 2008-04-23 2011-03-16 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8158888B2 (en) 2008-07-03 2012-04-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Circuit substrate and method of fabricating the same and chip package structure
US8012797B2 (en) 2009-01-07 2011-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming stackable semiconductor device packages including openings with conductive bumps of specified geometries
US8076765B2 (en) 2009-01-07 2011-12-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages including openings partially exposing connecting elements, conductive bumps, or conductive conductors
JP2010192812A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Sharp Corp 電子機器モジュール
US8198131B2 (en) 2009-11-18 2012-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages
US8405212B2 (en) 2009-12-31 2013-03-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US9196597B2 (en) 2010-01-13 2015-11-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US8823156B2 (en) 2010-02-10 2014-09-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages having stacking functionality and including interposer
US9349611B2 (en) 2010-03-22 2016-05-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof
US8624374B2 (en) 2010-04-02 2014-01-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof
US8278746B2 (en) 2010-04-02 2012-10-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages including connecting elements
US8569885B2 (en) 2010-10-29 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stacked semiconductor packages and related methods
US9171792B2 (en) 2011-02-28 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages having a side-by-side device arrangement and stacking functionality
JP2014197597A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 ローム株式会社 半導体装置
JP2018113480A (ja) * 2018-04-04 2018-07-19 ローム株式会社 半導体装置

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