JP2003129220A - トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法 - Google Patents
トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法Info
- Publication number
- JP2003129220A JP2003129220A JP2001329030A JP2001329030A JP2003129220A JP 2003129220 A JP2003129220 A JP 2003129220A JP 2001329030 A JP2001329030 A JP 2001329030A JP 2001329030 A JP2001329030 A JP 2001329030A JP 2003129220 A JP2003129220 A JP 2003129220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic field
- triazine thiol
- solid
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜形成を容易に行ない、かつ薄膜表面の機
能性を維持しつつ薄膜の耐久性の向上を図った。 【解決手段】 固体表面に蒸着によりトリアジンチオー
ル誘導体の薄膜を形成するとき、トリアジンチオール誘
導体の１種または２種以上を固体表面に真空蒸着して積
層薄膜を形成する蒸着工程と、積層薄膜が形成された固
体に光照射してトリアジンチオール誘導体を重合する光
重合工程とを備え、蒸着工程にて固体に磁場を印加し
た。
能性を維持しつつ薄膜の耐久性の向上を図った。 【解決手段】 固体表面に蒸着によりトリアジンチオー
ル誘導体の薄膜を形成するとき、トリアジンチオール誘
導体の１種または２種以上を固体表面に真空蒸着して積
層薄膜を形成する蒸着工程と、積層薄膜が形成された固
体に光照射してトリアジンチオール誘導体を重合する光
重合工程とを備え、蒸着工程にて固体に磁場を印加し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着により固体表
面にトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するトリア
ジンチオール誘導体の薄膜形成方法に係り、詳しくは真
空蒸着によるトリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法
に関する。
面にトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するトリア
ジンチオール誘導体の薄膜形成方法に係り、詳しくは真
空蒸着によるトリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体表面にトリアジンチオール誘
導体の薄膜を形成する薄膜形成方法としては、例えば、
特開平５−３４５７６９号公報に記載のものがある。こ
こで示された薄膜形成方法は、浸漬法，電解重合法，ト
ライボ重合法等の湿式方法であり浸漬液や処理液を用い
て重合を行なうものである。これら従来の薄膜形成方法
によって形成された薄膜には、薄膜表面に露出する官能
基の性質により、非汚染性，非粘着性，離型性，防曇
性，潤滑性，接着性，塗装性および氷結防止性等の機能
性が付与される。
導体の薄膜を形成する薄膜形成方法としては、例えば、
特開平５−３４５７６９号公報に記載のものがある。こ
こで示された薄膜形成方法は、浸漬法，電解重合法，ト
ライボ重合法等の湿式方法であり浸漬液や処理液を用い
て重合を行なうものである。これら従来の薄膜形成方法
によって形成された薄膜には、薄膜表面に露出する官能
基の性質により、非汚染性，非粘着性，離型性，防曇
性，潤滑性，接着性，塗装性および氷結防止性等の機能
性が付与される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜形
成方法では、湿式方法ゆえに浸漬液や処理液の配水処理
等が必要になり薄膜形成処理が煩雑であるという問題が
あった。また、従来の薄膜形成方法で得られる薄膜は表
面に機能性が付与されるが、得られる薄膜の重合率及び
三次元化率が必ずしも満足のいくものではなく薄膜自体
の耐久性が十分でないという問題があった。
成方法では、湿式方法ゆえに浸漬液や処理液の配水処理
等が必要になり薄膜形成処理が煩雑であるという問題が
あった。また、従来の薄膜形成方法で得られる薄膜は表
面に機能性が付与されるが、得られる薄膜の重合率及び
三次元化率が必ずしも満足のいくものではなく薄膜自体
の耐久性が十分でないという問題があった。
【０００４】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、薄膜形成を容易に行ない、かつ薄膜表面の
機能性を維持しつつ薄膜の耐久性の向上を図ったトリア
ジンチオール誘導体の薄膜形成方法を提供することを目
的とする。
れたもので、薄膜形成を容易に行ない、かつ薄膜表面の
機能性を維持しつつ薄膜の耐久性の向上を図ったトリア
ジンチオール誘導体の薄膜形成方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るための本発明の技術的手段は、固体表面に蒸着により
トリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するトリアジン
チオール誘導体の薄膜形成方法において、一般式
るための本発明の技術的手段は、固体表面に蒸着により
トリアジンチオール誘導体の薄膜を形成するトリアジン
チオール誘導体の薄膜形成方法において、一般式
【０００６】
【化２】
【０００７】（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、夫々Ｈ，ＣＨ3 ，
Ｃ2 Ｈ5 ，Ｃ4 Ｈ9 ，Ｃ6 Ｈ13，Ｃ8 Ｈ17，Ｃ10Ｈ21，
Ｃ12Ｈ25，Ｃ18Ｈ37，Ｃ20Ｈ41，Ｃ22Ｈ45，Ｃ24Ｈ49，
ＣＦ3 Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ4 Ｆ9 Ｃ5 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ13Ｃ5 Ｈ
4 ，Ｃ8 Ｆ17Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ10Ｆ21Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ11Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｃ9 Ｆ17ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 Ｃ
Ｈ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ2 ，
Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，ＣＨ2 =
ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 )9，Ｃ8 Ｈ17
ＣＨ2 ＝Ｃ8 Ｈ16，Ｃ6 Ｈ11，Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｈ
5 ＣＨ2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯＣＨ
2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ
2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）9 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ
4 Ｆ9 ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ
2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＝Ｃ
ＨＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ
13ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）9 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，Ｃ4
Ｆ9 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ
2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＯＯＣＨ
2 ＣＨ2を示し、同じでも異なってもよい。Ｍは、Ｈま
たはアルカリ金属を示す。）で示されるトリアジンチオ
ール誘導体の１種または２種以上を固体表面に真空蒸着
して積層薄膜を形成する蒸着工程と、該積層薄膜が形成
された固体に光照射して上記トリアジンチオール誘導体
を重合する光重合工程とを備え、上記蒸着工程にて上記
固体に磁場を印加する構成とした。薄膜の形成は、浸漬
液や処理液を用いない乾式であるので、配水処理等が不
要になり薄膜の形成が容易になる。蒸着工程の際に、固
体に磁場を印加することによって固体表面ではトリアジ
ンチオール誘導体の結晶核が規則的に分子配列しながら
成長する。これは、トリアジンチオール誘導体の基本骨
格であるトリアジン環を飛び回る活性なπ電子の回転運
動が外部磁場により内部磁場を誘起するため、内部磁場
と外部磁場の反発エネルギーが小さい方向に分子回転が
起こるため規則的に分子配列する結晶核が形成されて膜
の分子密度が高くなると考察される。膜の分子密度が高
くなると、重合距離が短縮するので、重合度や三次元化
率を上げ易くなる。また、蒸着した薄膜に光を照射する
ことによって、薄膜の分子間どうしの化学反応により三
次元的な重合反応が生じる。蒸着した薄膜は磁場の印加
によって規則的に分子配列されているので、重合度や三
次元化率が上がり薄膜の耐久性が向上するものと考えら
れる。また、規則的に配列された官能基が表面に形成さ
れるので、薄膜表面の機能性も向上する。
Ｃ2 Ｈ5 ，Ｃ4 Ｈ9 ，Ｃ6 Ｈ13，Ｃ8 Ｈ17，Ｃ10Ｈ21，
Ｃ12Ｈ25，Ｃ18Ｈ37，Ｃ20Ｈ41，Ｃ22Ｈ45，Ｃ24Ｈ49，
ＣＦ3 Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ4 Ｆ9 Ｃ5 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ13Ｃ5 Ｈ
4 ，Ｃ8 Ｆ17Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ10Ｆ21Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ11Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｃ9 Ｆ17ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 Ｃ
Ｈ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ2 ，
Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，ＣＨ2 =
ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 )9，Ｃ8 Ｈ17
ＣＨ2 ＝Ｃ8 Ｈ16，Ｃ6 Ｈ11，Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｈ
5 ＣＨ2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯＣＨ
2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ
2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）9 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ
4 Ｆ9 ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ
2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＝Ｃ
ＨＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ
13ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ
2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）9 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，Ｃ4
Ｆ9 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ
2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＯＯＣＨ
2 ＣＨ2を示し、同じでも異なってもよい。Ｍは、Ｈま
たはアルカリ金属を示す。）で示されるトリアジンチオ
ール誘導体の１種または２種以上を固体表面に真空蒸着
して積層薄膜を形成する蒸着工程と、該積層薄膜が形成
された固体に光照射して上記トリアジンチオール誘導体
を重合する光重合工程とを備え、上記蒸着工程にて上記
固体に磁場を印加する構成とした。薄膜の形成は、浸漬
液や処理液を用いない乾式であるので、配水処理等が不
要になり薄膜の形成が容易になる。蒸着工程の際に、固
体に磁場を印加することによって固体表面ではトリアジ
ンチオール誘導体の結晶核が規則的に分子配列しながら
成長する。これは、トリアジンチオール誘導体の基本骨
格であるトリアジン環を飛び回る活性なπ電子の回転運
動が外部磁場により内部磁場を誘起するため、内部磁場
と外部磁場の反発エネルギーが小さい方向に分子回転が
起こるため規則的に分子配列する結晶核が形成されて膜
の分子密度が高くなると考察される。膜の分子密度が高
くなると、重合距離が短縮するので、重合度や三次元化
率を上げ易くなる。また、蒸着した薄膜に光を照射する
ことによって、薄膜の分子間どうしの化学反応により三
次元的な重合反応が生じる。蒸着した薄膜は磁場の印加
によって規則的に分子配列されているので、重合度や三
次元化率が上がり薄膜の耐久性が向上するものと考えら
れる。また、規則的に配列された官能基が表面に形成さ
れるので、薄膜表面の機能性も向上する。
【０００８】また、必要に応じ、上記磁場の印加を、上
記固体に磁石を付帯して行なう構成とした。磁場の印加
手段として、磁石の磁場を用いれば固体に磁場を容易に
印加することができる。更に、必要に応じ、上記磁場の
印加を、超伝導磁石で形成された磁場空間内に上記固体
を配置して行なう構成とした。超伝導磁石を用いれば、
固体に容易に強磁場を印加することができる。薄膜の形
成においては、磁場が強い程薄膜の分子配列を密にする
ことができるので、薄膜の分子密度が向上させられる。
更にまた、必要に応じ、上記印加する磁場強度Ｔ（テス
ラ）を、Ｔ≧０．０５とした構成とした。磁場の印加条
件を少なくとも０．０５Ｔ（テスラ）以上にすれば、形
成する薄膜に規則的な分子配列を与えることが可能にな
る。また、必要に応じ、上記印加する磁場強度Ｔ（テス
ラ）を、Ｔ≧１とした構成とした。磁場の印加条件を少
なくとも１Ｔ（テスラ）以上にすれば、蒸着源から固体
までを磁場環境下に置くことができるので、蒸着中にお
いても蒸着物質に磁場が作用して形成する薄膜に規則的
な分子配列をより密に与えることが可能になり薄膜の耐
久性を高める。
記固体に磁石を付帯して行なう構成とした。磁場の印加
手段として、磁石の磁場を用いれば固体に磁場を容易に
印加することができる。更に、必要に応じ、上記磁場の
印加を、超伝導磁石で形成された磁場空間内に上記固体
を配置して行なう構成とした。超伝導磁石を用いれば、
固体に容易に強磁場を印加することができる。薄膜の形
成においては、磁場が強い程薄膜の分子配列を密にする
ことができるので、薄膜の分子密度が向上させられる。
更にまた、必要に応じ、上記印加する磁場強度Ｔ（テス
ラ）を、Ｔ≧０．０５とした構成とした。磁場の印加条
件を少なくとも０．０５Ｔ（テスラ）以上にすれば、形
成する薄膜に規則的な分子配列を与えることが可能にな
る。また、必要に応じ、上記印加する磁場強度Ｔ（テス
ラ）を、Ｔ≧１とした構成とした。磁場の印加条件を少
なくとも１Ｔ（テスラ）以上にすれば、蒸着源から固体
までを磁場環境下に置くことができるので、蒸着中にお
いても蒸着物質に磁場が作用して形成する薄膜に規則的
な分子配列をより密に与えることが可能になり薄膜の耐
久性を高める。
【０００９】更に、必要に応じ、上記固体に強磁性体を
用いた構成とした。強磁性体に磁場を印加すれば、強磁
性体は磁化されて磁場を生じ、形成する薄膜に規則的な
分子配列を与えるように作用する。更にまた、必要に応
じ、上記蒸着工程前に、上記固体表面に強磁性材料を真
空蒸着した構成とした。固体表面に強磁性材料を蒸着さ
せると、固体に強磁性体を用いた構成と同様の作用が得
られ、特に、固体が非磁性材料の場合に有効になる。ま
た、必要に応じ、上記光重合工程にて、波長２００ｎｍ
〜４５０ｎｍの光照射を行なった構成とした。波長２０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線を薄膜に照射すれば、重合
反応を効率よく行なうことができる。更に、必要に応
じ、上記光重合工程にて、上記固体表面温度を１０℃〜
５０℃に保持した構成とした。１０℃未満及び５０℃を
越えると重合速度が遅くなり薄膜形成に時間を要してし
まい実用的ではなくなる。更にまた、必要に応じ、上記
光重合工程にて、上記固体に磁場を印加する構成とし
た。薄膜を構成する分子の規則性が磁場の印加によって
維持された状態で分子間どうしの化学反応により三次元
的な重合反応が起こり易くなり三次元化率が上がり薄膜
の耐久性が向上する。
用いた構成とした。強磁性体に磁場を印加すれば、強磁
性体は磁化されて磁場を生じ、形成する薄膜に規則的な
分子配列を与えるように作用する。更にまた、必要に応
じ、上記蒸着工程前に、上記固体表面に強磁性材料を真
空蒸着した構成とした。固体表面に強磁性材料を蒸着さ
せると、固体に強磁性体を用いた構成と同様の作用が得
られ、特に、固体が非磁性材料の場合に有効になる。ま
た、必要に応じ、上記光重合工程にて、波長２００ｎｍ
〜４５０ｎｍの光照射を行なった構成とした。波長２０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線を薄膜に照射すれば、重合
反応を効率よく行なうことができる。更に、必要に応
じ、上記光重合工程にて、上記固体表面温度を１０℃〜
５０℃に保持した構成とした。１０℃未満及び５０℃を
越えると重合速度が遅くなり薄膜形成に時間を要してし
まい実用的ではなくなる。更にまた、必要に応じ、上記
光重合工程にて、上記固体に磁場を印加する構成とし
た。薄膜を構成する分子の規則性が磁場の印加によって
維持された状態で分子間どうしの化学反応により三次元
的な重合反応が起こり易くなり三次元化率が上がり薄膜
の耐久性が向上する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の第一の実施の形態に係るトリアジンチオール誘導体の
薄膜形成方法（以下、薄膜形成方法と記す）について説
明する。図１に示すように、薄膜形成方法は、一般式
（１）で示されるトリアジンチオール誘導体の１種また
は２種以上を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成す
る蒸着工程と、積層薄膜が形成された固体に光照射して
トリアジンチオール誘導体を重合する光重合工程とがあ
り、蒸着工程にて固体に磁場を印加している。固体表面
は、鉄，鋳鉄，ステンレス，パーマロイ，銅，黄銅，リ
ン青銅，ニッケル，キュブロニッケル，錫，鉛，コバル
ト，半田，チタン，アルミニウム，クロム，金，銀，白
金，パラジウム，亜鉛等の金属表面及びこれらの酸化物
表面、リン酸塩処理金属表面、クロム酸塩処理金属表
面、シリコン表面、カーボン表面、化合物半導体表面、
酸化アルミナセラミックス表面、陶器表面、ガラス表
面、石英ガラス表面、超電導体セラミックス表面、木材
表面、紙表面、プラスチックス表面、エンジニアリング
プラスチックス表面、熱硬化性樹脂表面等あらゆる固体
の表面が薄膜形成の場の対象になる。また、固体表面に
は、強磁性材料を真空蒸着して強磁性材料の薄膜を形成
しておくことができる。蒸着条件は特に限定されず薄膜
が形成できればよい。
の第一の実施の形態に係るトリアジンチオール誘導体の
薄膜形成方法（以下、薄膜形成方法と記す）について説
明する。図１に示すように、薄膜形成方法は、一般式
（１）で示されるトリアジンチオール誘導体の１種また
は２種以上を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成す
る蒸着工程と、積層薄膜が形成された固体に光照射して
トリアジンチオール誘導体を重合する光重合工程とがあ
り、蒸着工程にて固体に磁場を印加している。固体表面
は、鉄，鋳鉄，ステンレス，パーマロイ，銅，黄銅，リ
ン青銅，ニッケル，キュブロニッケル，錫，鉛，コバル
ト，半田，チタン，アルミニウム，クロム，金，銀，白
金，パラジウム，亜鉛等の金属表面及びこれらの酸化物
表面、リン酸塩処理金属表面、クロム酸塩処理金属表
面、シリコン表面、カーボン表面、化合物半導体表面、
酸化アルミナセラミックス表面、陶器表面、ガラス表
面、石英ガラス表面、超電導体セラミックス表面、木材
表面、紙表面、プラスチックス表面、エンジニアリング
プラスチックス表面、熱硬化性樹脂表面等あらゆる固体
の表面が薄膜形成の場の対象になる。また、固体表面に
は、強磁性材料を真空蒸着して強磁性材料の薄膜を形成
しておくことができる。蒸着条件は特に限定されず薄膜
が形成できればよい。
【００１１】蒸着工程の真空蒸着には、図２に示す真空
蒸着装置Ｓを用いた。真空蒸着装置Ｓは、枠体１内に、
被覆対象とする固体（基板）２と、トリアジンチオール
誘導体（モノマー）を入れたるつぼ３（２種以上のトリ
アジンチオール誘導体を蒸着する場合には複数用いる）
と、蒸着した薄膜の厚さを計る水晶振動子式膜厚計４
と、るつぼ３を覆う開閉自在なシャッタ５（るつぼ３の
数分）と、基板２を覆う開閉自在なメインシャッタ６
と、基板２に磁場を印加する磁場形成部７と、内部を真
空状態にする真空ポンプ（図示省略）とを備えている。
磁場形成部７としては磁石を用い、非蒸着側の基板２表
面に直接付帯してある。
蒸着装置Ｓを用いた。真空蒸着装置Ｓは、枠体１内に、
被覆対象とする固体（基板）２と、トリアジンチオール
誘導体（モノマー）を入れたるつぼ３（２種以上のトリ
アジンチオール誘導体を蒸着する場合には複数用いる）
と、蒸着した薄膜の厚さを計る水晶振動子式膜厚計４
と、るつぼ３を覆う開閉自在なシャッタ５（るつぼ３の
数分）と、基板２を覆う開閉自在なメインシャッタ６
と、基板２に磁場を印加する磁場形成部７と、内部を真
空状態にする真空ポンプ（図示省略）とを備えている。
磁場形成部７としては磁石を用い、非蒸着側の基板２表
面に直接付帯してある。
【００１２】（蒸着工程）蒸着工程について以下説明す
る。真空蒸着装置Ｓ内を一定の真空度に調整後、るつぼ
３を図示しないヒータで加熱し蒸着源であるトリアジン
チオール誘導体を気化あるいは昇華させる。このとき、
シャッタ５及びメインシャッタ６は閉じておく。次い
で、シャッタ５を開けて蒸着源が気化あるいは昇華して
いることを水晶振動子式膜厚計４により確認した後、成
膜速度を所定の値に調整してメインシャッタ６を開いて
蒸着を開始する。目的の膜厚の膜が水晶振動子式膜厚計
４に形成されたならばシャッタ５及びメインシャッタ６
を閉じて蒸着源の加熱を止める。真空蒸着装置Ｓ内が充
分に冷えたところで大気ベントをおこない薄膜が形成さ
れた基板２を取り出す。具体的な、蒸着条件は次の通り
である。真空蒸着装置Ｓ内の真空度は、一般に１．０Ｐ
ａ〜１．０×１０-6Ｐａであり、好ましくは１．０×１
０-1Ｐａ〜１．０×１０-4Ｐａである。るつぼ３のヒー
タの温度は室温〜２５０℃、好ましくは５０℃〜２００
℃であるが、トリアジンチオール誘導体の分子量および
装置Ｓ内の真空度との兼ね合いで最適な温度範囲が決め
られるため一義的に定めることはできない。真空蒸着中
は、磁石が基板２に磁場を印加している。磁場の印加条
件は、０．０５Ｔ（テスラ）以上であり、磁場形成部７
の種類に応じて適宜選定される。固体表面が強磁性体の
場合には基板２の近傍に印加するだけでよく、０．１Ｔ
程度の低磁場であればよい。固体表面が常磁性体の場合
には、蒸着源から基板２までを磁場環境下として薄膜成
形する場合には１Ｔ以上の磁場強度が有効である。特
に、常磁性体表面に強磁性体の薄膜を形成した場合には
０．０５Ｔ以上の磁場を常磁性体表面に印加すれば足り
る。また、２種以上のトリアジンチオール誘導体を同時
にまたは別個に蒸着させる場合には、異なったトリアジ
ンチオール誘導体が入った複数のるつぼ３（対応するシ
ャッタ５）を用いて行なう。
る。真空蒸着装置Ｓ内を一定の真空度に調整後、るつぼ
３を図示しないヒータで加熱し蒸着源であるトリアジン
チオール誘導体を気化あるいは昇華させる。このとき、
シャッタ５及びメインシャッタ６は閉じておく。次い
で、シャッタ５を開けて蒸着源が気化あるいは昇華して
いることを水晶振動子式膜厚計４により確認した後、成
膜速度を所定の値に調整してメインシャッタ６を開いて
蒸着を開始する。目的の膜厚の膜が水晶振動子式膜厚計
４に形成されたならばシャッタ５及びメインシャッタ６
を閉じて蒸着源の加熱を止める。真空蒸着装置Ｓ内が充
分に冷えたところで大気ベントをおこない薄膜が形成さ
れた基板２を取り出す。具体的な、蒸着条件は次の通り
である。真空蒸着装置Ｓ内の真空度は、一般に１．０Ｐ
ａ〜１．０×１０-6Ｐａであり、好ましくは１．０×１
０-1Ｐａ〜１．０×１０-4Ｐａである。るつぼ３のヒー
タの温度は室温〜２５０℃、好ましくは５０℃〜２００
℃であるが、トリアジンチオール誘導体の分子量および
装置Ｓ内の真空度との兼ね合いで最適な温度範囲が決め
られるため一義的に定めることはできない。真空蒸着中
は、磁石が基板２に磁場を印加している。磁場の印加条
件は、０．０５Ｔ（テスラ）以上であり、磁場形成部７
の種類に応じて適宜選定される。固体表面が強磁性体の
場合には基板２の近傍に印加するだけでよく、０．１Ｔ
程度の低磁場であればよい。固体表面が常磁性体の場合
には、蒸着源から基板２までを磁場環境下として薄膜成
形する場合には１Ｔ以上の磁場強度が有効である。特
に、常磁性体表面に強磁性体の薄膜を形成した場合には
０．０５Ｔ以上の磁場を常磁性体表面に印加すれば足り
る。また、２種以上のトリアジンチオール誘導体を同時
にまたは別個に蒸着させる場合には、異なったトリアジ
ンチオール誘導体が入った複数のるつぼ３（対応するシ
ャッタ５）を用いて行なう。
【００１３】（光重合工程）光重合工程について以下説
明する。固体表面上に形成された薄膜に光照射を行ない
光重合を行なう。光重合においても、蒸着工程と同様に
磁場の印加を行なうことができる。光重合で用いる光線
は、Ｘ線，紫外線，赤外線等を用いることができ、２０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を有する紫外線が好ましく、
特に２８０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線がより好ましい。
光源としては、キセノンランプや水銀灯を利用すること
ができる。また、光線の照射時間は、０．０１秒〜１８
０分が好ましい。０．０１秒未満では重合率が不十分に
なり、１８０分を越えると重合速度が遅くなり薄膜形成
に時間を要してしまい実用的ではない。光重合の重合雰
囲気は、薄膜表面の官能基が酸化可能であればよく、空
気中や酸素を供給できる場であればよい。また、重合温
度条件は、１０℃〜５０℃が好ましい。１０℃未満及び
５０℃を越えると重合速度が遅くなり薄膜形成に時間を
要してしまい実用的ではない。磁場の印加条件は、蒸着
工程にて磁場を印加した場合と同様である。
明する。固体表面上に形成された薄膜に光照射を行ない
光重合を行なう。光重合においても、蒸着工程と同様に
磁場の印加を行なうことができる。光重合で用いる光線
は、Ｘ線，紫外線，赤外線等を用いることができ、２０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を有する紫外線が好ましく、
特に２８０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線がより好ましい。
光源としては、キセノンランプや水銀灯を利用すること
ができる。また、光線の照射時間は、０．０１秒〜１８
０分が好ましい。０．０１秒未満では重合率が不十分に
なり、１８０分を越えると重合速度が遅くなり薄膜形成
に時間を要してしまい実用的ではない。光重合の重合雰
囲気は、薄膜表面の官能基が酸化可能であればよく、空
気中や酸素を供給できる場であればよい。また、重合温
度条件は、１０℃〜５０℃が好ましい。１０℃未満及び
５０℃を越えると重合速度が遅くなり薄膜形成に時間を
要してしまい実用的ではない。磁場の印加条件は、蒸着
工程にて磁場を印加した場合と同様である。
【００１４】このような薄膜形成方法によれば、真空蒸
着では、真空中で蒸着原料が、加熱蒸発，昇華し「飛ば
す」ことによって空間のガス分子と衝突することなく種
々の固体表面に堆積する。従って、種々の固体表面に蒸
着原料を堆積させて薄膜を形成することができる。固体
表面の状態に応じ、真空中で飛ばされた蒸着原料は、固
体表面に結晶核を発生させて広がり衝突等し薄膜として
成長する。蒸着工程の際、固体に磁場を印加することに
よって固体表面ではトリアジンチオール誘導体の結晶核
が規則的に分子配列しながら成長する。これは、トリア
ジンチオール誘導体の基本骨格であるトリアジン環を飛
び回る活性なπ電子の回転運動が外部磁場により内部磁
場を誘起するため、内部磁場と外部磁場の反発エネルギ
ーが小さい方向に分子回転が起こるため規則的に分子配
列する結晶核が形成されるためと考察される。膜の分子
密度が高くなると、重合距離が短縮するので、重合度や
三次元化率を上げ易くなる。光重合工程の際、蒸着した
薄膜に光を照射することによって、薄膜の分子間どうし
の化学反応により三次元的な重合反応が生じる。蒸着し
た薄膜は磁場の印加によって規則的に分子配列されてい
るので、重合度や三次元化率が向上する。そのため、薄
膜の耐久性（特に耐食性）が向上するものと考えられ
る。また、規則的に配列された官能基が表面に形成され
ることによって、薄膜表面の機能性も向上することにな
る。薄膜表面の機能性とは、Ｒ1 ，Ｒ2 が有する非汚染
性，非粘着性，離型性，防曇性，潤滑性，接着性，塗装
性，氷結防止性のことである。
着では、真空中で蒸着原料が、加熱蒸発，昇華し「飛ば
す」ことによって空間のガス分子と衝突することなく種
々の固体表面に堆積する。従って、種々の固体表面に蒸
着原料を堆積させて薄膜を形成することができる。固体
表面の状態に応じ、真空中で飛ばされた蒸着原料は、固
体表面に結晶核を発生させて広がり衝突等し薄膜として
成長する。蒸着工程の際、固体に磁場を印加することに
よって固体表面ではトリアジンチオール誘導体の結晶核
が規則的に分子配列しながら成長する。これは、トリア
ジンチオール誘導体の基本骨格であるトリアジン環を飛
び回る活性なπ電子の回転運動が外部磁場により内部磁
場を誘起するため、内部磁場と外部磁場の反発エネルギ
ーが小さい方向に分子回転が起こるため規則的に分子配
列する結晶核が形成されるためと考察される。膜の分子
密度が高くなると、重合距離が短縮するので、重合度や
三次元化率を上げ易くなる。光重合工程の際、蒸着した
薄膜に光を照射することによって、薄膜の分子間どうし
の化学反応により三次元的な重合反応が生じる。蒸着し
た薄膜は磁場の印加によって規則的に分子配列されてい
るので、重合度や三次元化率が向上する。そのため、薄
膜の耐久性（特に耐食性）が向上するものと考えられ
る。また、規則的に配列された官能基が表面に形成され
ることによって、薄膜表面の機能性も向上することにな
る。薄膜表面の機能性とは、Ｒ1 ，Ｒ2 が有する非汚染
性，非粘着性，離型性，防曇性，潤滑性，接着性，塗装
性，氷結防止性のことである。
【００１５】次に、本発明の第二の実施の形態に係る薄
膜形成方法について説明する。第二の実施の形態に係る
薄膜形成方法は、第一の実施の形態に係る薄膜形成方法
とは異なり、磁場形成部７として磁石の代わりに超伝導
磁石を用い、図３に示すように、超伝導磁石で形成され
た磁場空間内に枠体１を配置した真空蒸着装置Ｓを用い
て固体に磁場を印加した。その他は、第一の実施の形態
と同様にして薄膜を形成した。第一の実施の形態に係る
薄膜形成方法に比べ固体に強い磁場を印加することがで
きるので、膜の分子密度がより高くなり、三次元化率が
より向上して薄膜の耐久性（特に耐食性）が向上するも
のと考察される。
膜形成方法について説明する。第二の実施の形態に係る
薄膜形成方法は、第一の実施の形態に係る薄膜形成方法
とは異なり、磁場形成部７として磁石の代わりに超伝導
磁石を用い、図３に示すように、超伝導磁石で形成され
た磁場空間内に枠体１を配置した真空蒸着装置Ｓを用い
て固体に磁場を印加した。その他は、第一の実施の形態
と同様にして薄膜を形成した。第一の実施の形態に係る
薄膜形成方法に比べ固体に強い磁場を印加することがで
きるので、膜の分子密度がより高くなり、三次元化率が
より向上して薄膜の耐久性（特に耐食性）が向上するも
のと考察される。
【００１６】次に、第一の実施の形態に係る薄膜形成方
法に係る実施例を比較例とともに説明する。また、各実
施例及び各比較例について、重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性等についての測定を行ない測定結果を
比較した。 （実施例１〜実施例５）実施例１〜実施例５は、図４の
表図に示す種類のトリアジンチオール誘導体（ＭはＨ）
を用いたもので、図２に示される真空蒸着装置Ｓを用い
て１種類のトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成し
た。各実施例において、先ず、トリアジンチオール誘導
体をるつぼ３に入れた。基板２には、成膜させる固体と
して鉄板（０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセトンで脱
脂処理済）を用いた。また、磁場形成部７にはネオジウ
ム合金磁石（直径３ｃｍ，厚さ１．５ｃｍ，表面磁束密
度０．４５Ｔ）を用い、基板２の裏面に付帯させた。次
いで、真空ポンプを作動させ電離真空計により装置Ｓ内
の圧力が５×１０-3Ｐａに達したら蒸着源ヒータ温度を
１１０℃〜１６０℃まで上げてシャッタ５を開けて成膜
速度が０．０２ｎｍ／秒であることを確認したらメイン
シャッタ６を開けて水晶振動子式膜厚計４により計測し
て膜厚５０ｎｍになったところで、メインシャッタ６及
びシャッタ５を閉じて、薄膜を形成した。そして、ヒー
タを止め原料を蒸発昇華しない温度まで大気ベントした
後、薄膜が形成された基板２を磁場形成部７とともに真
空蒸着装置Ｓから取出した。
法に係る実施例を比較例とともに説明する。また、各実
施例及び各比較例について、重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性等についての測定を行ない測定結果を
比較した。 （実施例１〜実施例５）実施例１〜実施例５は、図４の
表図に示す種類のトリアジンチオール誘導体（ＭはＨ）
を用いたもので、図２に示される真空蒸着装置Ｓを用い
て１種類のトリアジンチオール誘導体の薄膜を形成し
た。各実施例において、先ず、トリアジンチオール誘導
体をるつぼ３に入れた。基板２には、成膜させる固体と
して鉄板（０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセトンで脱
脂処理済）を用いた。また、磁場形成部７にはネオジウ
ム合金磁石（直径３ｃｍ，厚さ１．５ｃｍ，表面磁束密
度０．４５Ｔ）を用い、基板２の裏面に付帯させた。次
いで、真空ポンプを作動させ電離真空計により装置Ｓ内
の圧力が５×１０-3Ｐａに達したら蒸着源ヒータ温度を
１１０℃〜１６０℃まで上げてシャッタ５を開けて成膜
速度が０．０２ｎｍ／秒であることを確認したらメイン
シャッタ６を開けて水晶振動子式膜厚計４により計測し
て膜厚５０ｎｍになったところで、メインシャッタ６及
びシャッタ５を閉じて、薄膜を形成した。そして、ヒー
タを止め原料を蒸発昇華しない温度まで大気ベントした
後、薄膜が形成された基板２を磁場形成部７とともに真
空蒸着装置Ｓから取出した。
【００１７】形成した薄膜に、波長切替え型ハンディＵ
Ｖランプ（アズワン（株）製：ＳＬＵＶ−８）を用いて
波長２８０ｎｍ〜４００ｎｍ（出力９Ｗ）の紫外線を照
射距離６０ｍｍ、室温（２３℃）空気中にて６０分間照
射して重合処理した薄膜を得た。重合処理は、蒸着時と
同様に基板２に磁場形成部７を付帯させた状態で行なっ
た。こうして得られた薄膜の重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性を以下のようにして測定した（他の実
施例及び比較例においても同様に測定した）。重合率
は、２０℃のアルコールに２４時間浸漬して乾燥後の膜
厚をエリプソメータで測定して求めた。三次元化率は、
２０℃のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に２４時間浸漬
して乾燥後の膜厚をエリプソメータで測定して求めた。
耐食性は、ＪＩＳ Ｚ ２３７１の塩水噴霧試験方法に
より行ない腐食が目視にて確認できるまでの時間（ｈ
ｒ）を調べた。得られた重合率，三次元化率及び耐食性
を図４に示す。また、実施例１〜実施例５で得られた各
薄膜の表面に付与された機能性を図４に示す。図中にお
いて、機能性をａ（非汚染性），ｂ（非粘着性），ｃ
（離型性），ｄ（防曇性），ｅ（潤滑性），ｆ（接着
性），ｇ（塗装性），ｈ（氷結防止性）で示す。 （実施例６〜実施例１０）実施例６〜実施例１０は、図
４の表図に示すように、トリアジンチオール誘導体とし
て実施例１〜実施例５と同じものを用い、蒸着工程のみ
に磁場の印加を行ない、光重合工程において磁場の印加
を行なわなかった。その他は、実施例１〜実施例５と同
様にして薄膜を得た。得られた薄膜の重合率，三次元化
率，耐食性及び機能性を図４に示す。
Ｖランプ（アズワン（株）製：ＳＬＵＶ−８）を用いて
波長２８０ｎｍ〜４００ｎｍ（出力９Ｗ）の紫外線を照
射距離６０ｍｍ、室温（２３℃）空気中にて６０分間照
射して重合処理した薄膜を得た。重合処理は、蒸着時と
同様に基板２に磁場形成部７を付帯させた状態で行なっ
た。こうして得られた薄膜の重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性を以下のようにして測定した（他の実
施例及び比較例においても同様に測定した）。重合率
は、２０℃のアルコールに２４時間浸漬して乾燥後の膜
厚をエリプソメータで測定して求めた。三次元化率は、
２０℃のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に２４時間浸漬
して乾燥後の膜厚をエリプソメータで測定して求めた。
耐食性は、ＪＩＳ Ｚ ２３７１の塩水噴霧試験方法に
より行ない腐食が目視にて確認できるまでの時間（ｈ
ｒ）を調べた。得られた重合率，三次元化率及び耐食性
を図４に示す。また、実施例１〜実施例５で得られた各
薄膜の表面に付与された機能性を図４に示す。図中にお
いて、機能性をａ（非汚染性），ｂ（非粘着性），ｃ
（離型性），ｄ（防曇性），ｅ（潤滑性），ｆ（接着
性），ｇ（塗装性），ｈ（氷結防止性）で示す。 （実施例６〜実施例１０）実施例６〜実施例１０は、図
４の表図に示すように、トリアジンチオール誘導体とし
て実施例１〜実施例５と同じものを用い、蒸着工程のみ
に磁場の印加を行ない、光重合工程において磁場の印加
を行なわなかった。その他は、実施例１〜実施例５と同
様にして薄膜を得た。得られた薄膜の重合率，三次元化
率，耐食性及び機能性を図４に示す。
【００１８】（比較例１〜比較例５）比較例１〜比較例
５は、図５の表図に示すように、トリアジンチオール誘
導体として実施例１〜実施例５と同じものを用い、蒸着
工程において磁場の印加を行なわなかった。その他は、
実施例１〜実施例５と同様にして薄膜を得た。得られた
薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図５に示す。 （比較例６〜比較例１０）比較例６〜比較例１０は、図
５の表図に示すように、トリアジンチオール誘導体とし
て実施例６〜実施例１０と同じものを用い、蒸着工程及
び光重合工程において磁場の印加を行なわなかった。そ
の他は、実施例１〜実施例５と同様にして薄膜を得た。
得られた薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図５に
示す。
５は、図５の表図に示すように、トリアジンチオール誘
導体として実施例１〜実施例５と同じものを用い、蒸着
工程において磁場の印加を行なわなかった。その他は、
実施例１〜実施例５と同様にして薄膜を得た。得られた
薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図５に示す。 （比較例６〜比較例１０）比較例６〜比較例１０は、図
５の表図に示すように、トリアジンチオール誘導体とし
て実施例６〜実施例１０と同じものを用い、蒸着工程及
び光重合工程において磁場の印加を行なわなかった。そ
の他は、実施例１〜実施例５と同様にして薄膜を得た。
得られた薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図５に
示す。
【００１９】実施例１〜実施例１０及び比較例１〜比較
例１０で得られた薄膜の重合率，三次元化率及び機能性
を比較検討する。蒸着工程及び光重合工程にて基板２を
磁場雰囲気に晒した場合（実施例１〜実施例５）には、
得られた薄膜の重合率、特に三次元化率が高い傾向にあ
ることがわかる。蒸着工程にて基板２を磁場雰囲気に晒
した場合（実施例６〜実施例１０）には、得られた薄膜
の重合率及び三次元化率が高い傾向にあることがわか
る。蒸着工程にて基板２を磁場雰囲気に晒さない場合
（比較例１〜比較例５）には、光重合工程にて基板２を
磁場雰囲気に晒しても（比較例６〜比較例１０）得られ
た薄膜の重合率及び三次元化率が低いことがわかる。こ
のように、蒸着工程にて基板２に磁場を印加することに
よって、薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性が向上
し、更に光重合工程にて基板２に磁場を印加すれば薄膜
の三次元化率及び耐食性がより向上することがわかる。
例１０で得られた薄膜の重合率，三次元化率及び機能性
を比較検討する。蒸着工程及び光重合工程にて基板２を
磁場雰囲気に晒した場合（実施例１〜実施例５）には、
得られた薄膜の重合率、特に三次元化率が高い傾向にあ
ることがわかる。蒸着工程にて基板２を磁場雰囲気に晒
した場合（実施例６〜実施例１０）には、得られた薄膜
の重合率及び三次元化率が高い傾向にあることがわか
る。蒸着工程にて基板２を磁場雰囲気に晒さない場合
（比較例１〜比較例５）には、光重合工程にて基板２を
磁場雰囲気に晒しても（比較例６〜比較例１０）得られ
た薄膜の重合率及び三次元化率が低いことがわかる。こ
のように、蒸着工程にて基板２に磁場を印加することに
よって、薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性が向上
し、更に光重合工程にて基板２に磁場を印加すれば薄膜
の三次元化率及び耐食性がより向上することがわかる。
【００２０】（実施例１１〜実施例１５）実施例１１〜
実施例１５は、実施例１〜実施例５で用いた鉄板の代わ
りにガラス板を用いた。ここでは、蒸着工程前にガラス
板表面に強磁性体を予め真空蒸着して５０ｎｍの薄膜を
形成した。その他は、実施例１〜実施例５と同様にして
トリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜
の重合率，三次元化率及び機能性を図６に示す。 （比較例１１〜比較例１５）比較例１１〜比較例１５
は、トリアジンチオール誘導体として実施例１１〜実施
例１５と同じものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、実施例１１〜実施例１５と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率及び三次元化率を図６に示す。ガラ
ス板に蒸着した強磁性体は、実施例１〜実施例１０の基
板２に用いた鉄板と同じ作用を生じるので、蒸着工程に
て基板２に磁場を印加することによって、薄膜の重合率
及び三次元化率が向上させられることがわかる。
実施例１５は、実施例１〜実施例５で用いた鉄板の代わ
りにガラス板を用いた。ここでは、蒸着工程前にガラス
板表面に強磁性体を予め真空蒸着して５０ｎｍの薄膜を
形成した。その他は、実施例１〜実施例５と同様にして
トリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜
の重合率，三次元化率及び機能性を図６に示す。 （比較例１１〜比較例１５）比較例１１〜比較例１５
は、トリアジンチオール誘導体として実施例１１〜実施
例１５と同じものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、実施例１１〜実施例１５と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率及び三次元化率を図６に示す。ガラ
ス板に蒸着した強磁性体は、実施例１〜実施例１０の基
板２に用いた鉄板と同じ作用を生じるので、蒸着工程に
て基板２に磁場を印加することによって、薄膜の重合率
及び三次元化率が向上させられることがわかる。
【００２１】（実施例１６，実施例１７）実施例１６，
実施例１７は、図７の表図に示すように、２種類のトリ
アジンチオール誘導体を積層させた薄膜形成方法であ
る。蒸着に用いた２種類のトリアジンチオール誘導体の
組み合わせを図７に示す。組み合わせは、上記実施例で
用いたトリアジンチオール誘導体として実施例番号で表
わした。実施例１６，実施例１７は、図２に示される真
空蒸着装置Ｓを用いて２種類のトリアジンチオール誘導
体からなる積層薄膜を形成した。ここで、るつぼ３（シ
ャッタ５）は用いたトリアジンチオール誘導体の数（２
個）用いた。先ず、２種類のトリアジンチオール誘導体
を夫々別個のるつぼ３に入れた。基板２には、成膜させ
る固体として鉄板（０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセ
トンで脱脂処理済）を用いた。また、磁場形成部７には
ネオジウム合金磁石（直径３ｃｍ，厚さ１．５ｃｍ，表
面磁束密度０．４５Ｔ）を用い、基板２の裏面に付帯さ
せた。次に、真空ポンプを作動させ電離真空計により装
置Ｓ内の圧力が５×１０-3Ｐａに達したら蒸着源ヒータ
温度を１１０℃〜１６０℃まで上げて一方のシャッタ５
を開けて成膜速度が０．０２ｎｍ／秒であることを確認
したらメインシャッタ６を開けて水晶振動子式膜厚計４
により計測して膜厚２５ｎｍになったところで、メイン
シャッタ６及びシャッタ５を閉じて、１層目の薄膜を形
成した。続けて、他方のシャッタ５を開けて成膜速度が
０．０２ｎｍ／秒であることを確認したらメインシャッ
タ６を開けて水晶振動子式膜厚計４により計測して膜厚
２５ｎｍになったところで、メインシャッタ６及びシャ
ッタ５を閉じて、２層目の薄膜を形成した。このように
して、二層からなる積層薄膜を形成したら、ヒータを止
め原料を蒸発昇華しない温度まで大気ベントした後、積
層薄膜が形成された基板２を磁場形成部７とともに真空
蒸着装置Ｓから取出した。実施例１〜実施例５と同様
に、得られた薄膜（積層薄膜）に対して光重合工程を施
した。得られた薄膜の重合率（％），三次元化率（％）
及び耐食性を上記と同様に測定した。得られた薄膜の重
合率，三次元化率，耐食性及び機能性を図７に示す。 （比較例１６，比較例１７）比較例１６，比較例１７
は、トリアジンチオール誘導体として実施例１６，実施
例１７と同じものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、実施例１６，実施例１７と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図７に示
す。このように、蒸着工程及び光重合工程にて基板２に
磁場を印加することによって、積層薄膜においても重合
率，三次元化率及び耐食性が向上させられることがわか
る。
実施例１７は、図７の表図に示すように、２種類のトリ
アジンチオール誘導体を積層させた薄膜形成方法であ
る。蒸着に用いた２種類のトリアジンチオール誘導体の
組み合わせを図７に示す。組み合わせは、上記実施例で
用いたトリアジンチオール誘導体として実施例番号で表
わした。実施例１６，実施例１７は、図２に示される真
空蒸着装置Ｓを用いて２種類のトリアジンチオール誘導
体からなる積層薄膜を形成した。ここで、るつぼ３（シ
ャッタ５）は用いたトリアジンチオール誘導体の数（２
個）用いた。先ず、２種類のトリアジンチオール誘導体
を夫々別個のるつぼ３に入れた。基板２には、成膜させ
る固体として鉄板（０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセ
トンで脱脂処理済）を用いた。また、磁場形成部７には
ネオジウム合金磁石（直径３ｃｍ，厚さ１．５ｃｍ，表
面磁束密度０．４５Ｔ）を用い、基板２の裏面に付帯さ
せた。次に、真空ポンプを作動させ電離真空計により装
置Ｓ内の圧力が５×１０-3Ｐａに達したら蒸着源ヒータ
温度を１１０℃〜１６０℃まで上げて一方のシャッタ５
を開けて成膜速度が０．０２ｎｍ／秒であることを確認
したらメインシャッタ６を開けて水晶振動子式膜厚計４
により計測して膜厚２５ｎｍになったところで、メイン
シャッタ６及びシャッタ５を閉じて、１層目の薄膜を形
成した。続けて、他方のシャッタ５を開けて成膜速度が
０．０２ｎｍ／秒であることを確認したらメインシャッ
タ６を開けて水晶振動子式膜厚計４により計測して膜厚
２５ｎｍになったところで、メインシャッタ６及びシャ
ッタ５を閉じて、２層目の薄膜を形成した。このように
して、二層からなる積層薄膜を形成したら、ヒータを止
め原料を蒸発昇華しない温度まで大気ベントした後、積
層薄膜が形成された基板２を磁場形成部７とともに真空
蒸着装置Ｓから取出した。実施例１〜実施例５と同様
に、得られた薄膜（積層薄膜）に対して光重合工程を施
した。得られた薄膜の重合率（％），三次元化率（％）
及び耐食性を上記と同様に測定した。得られた薄膜の重
合率，三次元化率，耐食性及び機能性を図７に示す。 （比較例１６，比較例１７）比較例１６，比較例１７
は、トリアジンチオール誘導体として実施例１６，実施
例１７と同じものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、実施例１６，実施例１７と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率，三次元化率及び耐食性を図７に示
す。このように、蒸着工程及び光重合工程にて基板２に
磁場を印加することによって、積層薄膜においても重合
率，三次元化率及び耐食性が向上させられることがわか
る。
【００２２】（比較例１８）比較例１８は、トリアジン
チオール誘導体として実施例２と同じものを用い、蒸着
工程にて得られた薄膜を光重合することなく磁場印加し
たまま大気中１４０℃にて６０分間加熱（熱重合）し
た。その他は、実施例２と同様にしてトリアジンチオー
ル誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜の重合率及び三次
元化率を図８に示す。 （比較例１９）比較例１９は、トリアジンチオール誘導
体として実施例２と同じものを用い、熱重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、比較例１８と同様にしてト
リアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜の
重合率及び三次元化率を図８に示す。 （比較例２０）比較例２０は、トリアジンチオール誘導
体として実施例２と同じものを用い、蒸着工程及び熱重
合時に磁場を印加しなかった。その他は、比較例１８と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率及び三次元化率を図８に示す。この
ように、光重合の代わりに熱重合した場合には、光重合
を行なった場合のような重合率及び三次元化率を得るこ
とができないことがわかる。
チオール誘導体として実施例２と同じものを用い、蒸着
工程にて得られた薄膜を光重合することなく磁場印加し
たまま大気中１４０℃にて６０分間加熱（熱重合）し
た。その他は、実施例２と同様にしてトリアジンチオー
ル誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜の重合率及び三次
元化率を図８に示す。 （比較例１９）比較例１９は、トリアジンチオール誘導
体として実施例２と同じものを用い、熱重合時に磁場を
印加しなかった。その他は、比較例１８と同様にしてト
リアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得られた薄膜の
重合率及び三次元化率を図８に示す。 （比較例２０）比較例２０は、トリアジンチオール誘導
体として実施例２と同じものを用い、蒸着工程及び熱重
合時に磁場を印加しなかった。その他は、比較例１８と
同様にしてトリアジンチオール誘導体の薄膜を得た。得
られた薄膜の重合率及び三次元化率を図８に示す。この
ように、光重合の代わりに熱重合した場合には、光重合
を行なった場合のような重合率及び三次元化率を得るこ
とができないことがわかる。
【００２３】次に、第二の実施の形態に係る薄膜形成方
法に係る実施例を比較例とともに説明する。また、各実
施例及び各比較例について、重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性等についての測定を行ない測定結果を
比較した。 （実施例１８）実施例１８は、図９の表図に示す種類の
トリアジンチオール誘導体（ＭはＨ）を用いたもので、
図３に示される真空蒸着装置Ｓを用いて１種類のトリア
ジンチオール誘導体の薄膜を形成した。各実施例におい
て、先ず、トリアジンチオール誘導体をるつぼ３に入れ
た。基板２には、成膜させる固体としてステンレス板
（ＳＵＳ３４ ０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセトン
で脱脂処理済）を用いた。超伝導磁石が形成する磁場
（５Ｔ）に枠体１を置いた。次いで、真空ポンプを作動
させ電離真空計により装置Ｓ内の圧力が５×１０-3Ｐａ
に達したら蒸着源ヒータ温度を１１０℃〜１６０℃まで
上げてシャッタ５を開けて成膜速度が０．０２ｎｍ／秒
であることを確認したらメインシャッタ６を開けて水晶
振動子式膜厚計４により計測して膜厚５０ｎｍになった
ところで、メインシャッタ６及びシャッタ５を閉じて、
薄膜を形成した。光重合を行なうため、枠体１内に真空
用のドレインから石英製窓ガラスを通して波長切替え型
ハンディＵＶランプ（アズワン（株）製：ＳＬＵＶ−
８）を用いて波長２８０ｎｍ〜４００ｎｍ（出力９Ｗ）
の紫外線を照射距離６０ｍｍ、温度（２０℃）にて６０
分間照射して重合処理した薄膜を得た。光重合は、蒸着
時と同様の磁場環境下にて行なった。こうして得られた
薄膜の重合率（％），三次元化率（％），耐食性及び機
能性を図９に示す。 （実施例１９）実施例１９は、図９の表図に示すよう
に、トリアジンチオール誘導体として実施例１８と同じ
ものを用い、光重合時に磁場の印加を行なわなかった。
その他は、実施例１８と同様にして薄膜を得た。こうし
て得られた薄膜の重合率（％），三次元化率（％），耐
食性及び機能性を図９に示す。 （比較例２１）比較例２１は、図９の表図に示すよう
に、トリアジンチオール誘導体として実施例１８と同じ
ものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場の印加を行なわ
なかった。その他は、実施例１８と同様にして薄膜を得
た。こうして得られた薄膜の重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性を図９に示す。このように、強磁場中
にて蒸着工程及び光重合工程を行なって得られる薄膜
は、重合率，三次元化率及び耐食性が向上させられるこ
とがわかる。
法に係る実施例を比較例とともに説明する。また、各実
施例及び各比較例について、重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性等についての測定を行ない測定結果を
比較した。 （実施例１８）実施例１８は、図９の表図に示す種類の
トリアジンチオール誘導体（ＭはＨ）を用いたもので、
図３に示される真空蒸着装置Ｓを用いて１種類のトリア
ジンチオール誘導体の薄膜を形成した。各実施例におい
て、先ず、トリアジンチオール誘導体をるつぼ３に入れ
た。基板２には、成膜させる固体としてステンレス板
（ＳＵＳ３４ ０．２ｃｍ×３ｃｍ×５ｃｍ、アセトン
で脱脂処理済）を用いた。超伝導磁石が形成する磁場
（５Ｔ）に枠体１を置いた。次いで、真空ポンプを作動
させ電離真空計により装置Ｓ内の圧力が５×１０-3Ｐａ
に達したら蒸着源ヒータ温度を１１０℃〜１６０℃まで
上げてシャッタ５を開けて成膜速度が０．０２ｎｍ／秒
であることを確認したらメインシャッタ６を開けて水晶
振動子式膜厚計４により計測して膜厚５０ｎｍになった
ところで、メインシャッタ６及びシャッタ５を閉じて、
薄膜を形成した。光重合を行なうため、枠体１内に真空
用のドレインから石英製窓ガラスを通して波長切替え型
ハンディＵＶランプ（アズワン（株）製：ＳＬＵＶ−
８）を用いて波長２８０ｎｍ〜４００ｎｍ（出力９Ｗ）
の紫外線を照射距離６０ｍｍ、温度（２０℃）にて６０
分間照射して重合処理した薄膜を得た。光重合は、蒸着
時と同様の磁場環境下にて行なった。こうして得られた
薄膜の重合率（％），三次元化率（％），耐食性及び機
能性を図９に示す。 （実施例１９）実施例１９は、図９の表図に示すよう
に、トリアジンチオール誘導体として実施例１８と同じ
ものを用い、光重合時に磁場の印加を行なわなかった。
その他は、実施例１８と同様にして薄膜を得た。こうし
て得られた薄膜の重合率（％），三次元化率（％），耐
食性及び機能性を図９に示す。 （比較例２１）比較例２１は、図９の表図に示すよう
に、トリアジンチオール誘導体として実施例１８と同じ
ものを用い、蒸着時及び光重合時に磁場の印加を行なわ
なかった。その他は、実施例１８と同様にして薄膜を得
た。こうして得られた薄膜の重合率（％），三次元化率
（％）及び耐食性を図９に示す。このように、強磁場中
にて蒸着工程及び光重合工程を行なって得られる薄膜
は、重合率，三次元化率及び耐食性が向上させられるこ
とがわかる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、一般式（１）で示
されるトリアジンチオール誘導体の１種または２種以上
を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成する蒸着工程
と、積層薄膜が形成された固体に光照射してトリアジン
チオール誘導体を重合する光重合工程とを備え、蒸着工
程にて固体に磁場を印加する構成としたので、配水処理
等が不要な乾式法により容易に薄膜を形成することがで
きる。また、蒸着工程の際には、固体表面では磁場の影
響によりトリアジンチオール誘導体の結晶核が規則的に
分子配列しながら成長する。これは、トリアジンチオー
ル誘導体の基本骨格であるトリアジン環を飛び回る活性
なπ電子の回転運動が外部磁場により内部磁場を誘起す
るため、内部磁場と外部磁場の反発エネルギーが小さい
方向に分子回転が起こるため規則的に分子配列する結晶
核が形成されて膜の分子密度を高くすることができる。
そのため、トリアジンチオール誘導体は、光重合工程の
際には、規則的に分子配列されているので、光を照射さ
れることによって、分子間どうしの化学反応により三次
元的な重合反応が起こり易くなる。従って、薄膜の三次
元化率が上がるので薄膜の耐久性を向上することができ
る。また、規則的に配列された官能基が表面に形成され
るので、薄膜表面の機能性も向上する。
されるトリアジンチオール誘導体の１種または２種以上
を固体表面に真空蒸着して積層薄膜を形成する蒸着工程
と、積層薄膜が形成された固体に光照射してトリアジン
チオール誘導体を重合する光重合工程とを備え、蒸着工
程にて固体に磁場を印加する構成としたので、配水処理
等が不要な乾式法により容易に薄膜を形成することがで
きる。また、蒸着工程の際には、固体表面では磁場の影
響によりトリアジンチオール誘導体の結晶核が規則的に
分子配列しながら成長する。これは、トリアジンチオー
ル誘導体の基本骨格であるトリアジン環を飛び回る活性
なπ電子の回転運動が外部磁場により内部磁場を誘起す
るため、内部磁場と外部磁場の反発エネルギーが小さい
方向に分子回転が起こるため規則的に分子配列する結晶
核が形成されて膜の分子密度を高くすることができる。
そのため、トリアジンチオール誘導体は、光重合工程の
際には、規則的に分子配列されているので、光を照射さ
れることによって、分子間どうしの化学反応により三次
元的な重合反応が起こり易くなる。従って、薄膜の三次
元化率が上がるので薄膜の耐久性を向上することができ
る。また、規則的に配列された官能基が表面に形成され
るので、薄膜表面の機能性も向上する。
【００２５】また、磁場の印加を、固体に磁石を付帯し
て行なう構成とした場合には、固体に磁場を容易に印加
して目的とする薄膜を形成することができる。更に、磁
場の印加を、超伝導磁石で形成された磁場空間内に固体
を配置して行なう構成とした場合には、形成する薄膜の
分子密度を向上させることができる。更にまた、印加す
る磁場強度Ｔ（テスラ）を、Ｔ≧０．０５とした場合に
は、形成する薄膜に規則的な分子配列を与えることがで
きる。また、印加する磁場強度Ｔ（テスラ）を、Ｔ≧１
とした場合には、昇華または気化している蒸着物質にも
磁場を与えることができるので形成する薄膜に規則的な
分子配列をより密に与えることができる。更に、固体に
強磁性体を用いた場合には、固体表面に磁場傾斜が生じ
て膜形成を容易に行なわせることができる。更にまた、
蒸着工程前に、固体表面に強磁性材料を真空蒸着した場
合には、固体に強磁性体を用いた構成と同様の効果を得
ることができる。また、光重合工程にて、波長２００ｎ
ｍ〜４５０ｎｍの光照射を行なった場合には、重合反応
を効率よく行なうことができる。更に、光重合工程に
て、固体表面温度を１０℃〜５０℃に保持した場合に
は、薄膜形成の効率を向上させることができる。更にま
た、光重合工程にて、固体に磁場を印加する構成とした
場合には、三次元的な重合反応を起こり易くして薄膜の
耐久性を向上させることができる。
て行なう構成とした場合には、固体に磁場を容易に印加
して目的とする薄膜を形成することができる。更に、磁
場の印加を、超伝導磁石で形成された磁場空間内に固体
を配置して行なう構成とした場合には、形成する薄膜の
分子密度を向上させることができる。更にまた、印加す
る磁場強度Ｔ（テスラ）を、Ｔ≧０．０５とした場合に
は、形成する薄膜に規則的な分子配列を与えることがで
きる。また、印加する磁場強度Ｔ（テスラ）を、Ｔ≧１
とした場合には、昇華または気化している蒸着物質にも
磁場を与えることができるので形成する薄膜に規則的な
分子配列をより密に与えることができる。更に、固体に
強磁性体を用いた場合には、固体表面に磁場傾斜が生じ
て膜形成を容易に行なわせることができる。更にまた、
蒸着工程前に、固体表面に強磁性材料を真空蒸着した場
合には、固体に強磁性体を用いた構成と同様の効果を得
ることができる。また、光重合工程にて、波長２００ｎ
ｍ〜４５０ｎｍの光照射を行なった場合には、重合反応
を効率よく行なうことができる。更に、光重合工程に
て、固体表面温度を１０℃〜５０℃に保持した場合に
は、薄膜形成の効率を向上させることができる。更にま
た、光重合工程にて、固体に磁場を印加する構成とした
場合には、三次元的な重合反応を起こり易くして薄膜の
耐久性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るトリアジンチオール
誘導体の薄膜形成方法を示す工程図である。
誘導体の薄膜形成方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態に係るトリアジンチ
オール誘導体の薄膜形成方法に用いる真空蒸着装置の一
例を示す図である。
オール誘導体の薄膜形成方法に用いる真空蒸着装置の一
例を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態に係るトリアジンチ
オール誘導体の薄膜形成方法に用いる真空蒸着装置の一
例を示す図である。
オール誘導体の薄膜形成方法に用いる真空蒸着装置の一
例を示す図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態に係る実施例及び各
種測定結果を示す表図である。
種測定結果を示す表図である。
【図５】本発明の第一の実施の形態に係る比較例及び各
種測定結果を示す表図である。
種測定結果を示す表図である。
【図６】本発明の第一の実施の形態に係る実施例，比較
例及び各種測定結果を示す表図である。
例及び各種測定結果を示す表図である。
【図７】本発明の第一の実施の形態に係る実施例，比較
例及び各種測定結果を示す表図である。
例及び各種測定結果を示す表図である。
【図８】本発明の第一の実施の形態に係る比較例及び各
種測定結果を示す表図である。
種測定結果を示す表図である。
【図９】本発明の第二の実施の形態に係る実施例，比較
例及び各種測定結果を示す表図である。
例及び各種測定結果を示す表図である。
Ｓ 真空蒸着装置
１ 枠体
２ 基板
３ るつぼ
４ 水晶振動子式膜厚計
５ シャッタ
６ メインシャッタ
７ 磁場形成部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｃ０９Ｋ 3/00 １１２Ｚ
Ｃ２３Ｃ 14/24 Ｃ２３Ｃ 14/24 Ｎ
14/58 14/58 Ｃ
// Ｃ０３Ｃ 17/28 Ｃ０３Ｃ 17/28 Ａ
Ｃ０８Ｌ 87:00 Ｃ０８Ｌ 87:00
(72)発明者 馬場 守
岩手県盛岡市東緑が丘35−35
Ｆターム(参考） 4F071 AA58 AA61 AG14 AG15 BB11
BB12 BC01
4G059 AA08 AC21 AC22 AC24 AC30
FA01 FB01 GA01 GA04 GA14
GA15
4J031 BA11 BA15 BB03 BB04 BC07
4K029 AA02 AA04 AA09 AA11 BA62
BC00 CA01 CA11 GA00
Claims (10)
- 【請求項１】 固体表面に蒸着によりトリアジンチオー
ル誘導体の薄膜を形成するトリアジンチオール誘導体の
薄膜形成方法において、一般式 【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、夫々Ｈ，ＣＨ3 ，Ｃ2 Ｈ5 ，Ｃ
4 Ｈ9 ，Ｃ6 Ｈ13，Ｃ8 Ｈ17，Ｃ10Ｈ21，Ｃ12Ｈ25，Ｃ
18Ｈ37，Ｃ20Ｈ41，Ｃ22Ｈ45，Ｃ24Ｈ49，ＣＦ3 Ｃ6 Ｈ
4 ，Ｃ4 Ｆ9 Ｃ5 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ13Ｃ5 Ｈ4 ，Ｃ8 Ｆ17Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｃ10Ｆ21Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ6 Ｆ11Ｃ6 Ｈ4 ，Ｃ9 Ｆ
17ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13
ＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2
ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，ＣＨ2 = ＣＨ（ＣＨ2 ）
8 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 )9，Ｃ8 Ｈ17ＣＨ2 ＝Ｃ8 Ｈ
16，Ｃ6 Ｈ11，Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ2 ＣＨ
2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ
Ｈ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）8 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝
ＣＨ（ＣＨ2 ）9 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ4 Ｆ9 ＣＨ2
＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17
ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ2 ，Ｃ
4 Ｆ9 ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＨ2 ＣＨ
（ＯＨ）ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，
Ｃ10Ｆ21ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（Ｃ
Ｈ2 ）4 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（Ｃ
Ｈ2 ）8 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，ＣＨ2 ＝ＣＨ（Ｃ
Ｈ2 ）9 ＣＯＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 ）2 ，Ｃ4 Ｆ9 ＣＯＯＣ
Ｈ2 ＣＨ2 ，Ｃ6 Ｆ13ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ8 Ｆ17Ｃ
ＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ，Ｃ10Ｆ21ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2を示
し、同じでも異なってもよい。Ｍは、Ｈまたはアルカリ
金属を示す。）で示されるトリアジンチオール誘導体の
１種または２種以上を固体表面に真空蒸着して積層薄膜
を形成する蒸着工程と、該積層薄膜が形成された固体に
光照射して上記トリアジンチオール誘導体を重合する光
重合工程とを備え、上記蒸着工程にて上記固体に磁場を
印加することを特徴とするトリアジンチオール誘導体の
薄膜形成方法。 - 【請求項２】 上記磁場の印加を、上記固体に磁石を付
帯して行なうことを特徴とする請求項１記載のトリアジ
ンチオール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 上記磁場の印加を、超伝導磁石で形成さ
れた磁場空間内に上記固体を配置して行なうことを特徴
とする請求項１記載のトリアジンチオール誘導体の薄膜
形成方法。 - 【請求項４】 上記印加する磁場強度Ｔ（テスラ）を、
Ｔ≧０．０５としたことを特徴とする請求項１，２また
は３記載のトリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項５】 上記印加する磁場強度Ｔ（テスラ）を、
Ｔ≧１としたことを特徴とする請求項４記載のトリアジ
ンチオール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項６】 上記固体に強磁性体を用いたことを特徴
とする請求項１，２，３，４または５記載のトリアジン
チオール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項７】 上記蒸着工程前に、上記固体表面に強磁
性材料を真空蒸着したことを特徴とする請求項１，２，
３，４または５記載のトリアジンチオール誘導体の薄膜
形成方法。 - 【請求項８】 上記光重合工程にて、波長２００ｎｍ〜
４５０ｎｍの光照射を行なったことを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６または７記載のトリアジンチオ
ール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項９】 上記光重合工程にて、上記固体表面温度
を１０℃〜５０℃に保持したことを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６，７または８記載のトリアジン
チオール誘導体の薄膜形成方法。 - 【請求項１０】 上記光重合工程にて、上記固体に磁場
を印加することを特徴とする請求項１，２，３，４，
５，６，７，８または９記載のトリアジンチオール誘導
体の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329030A JP3672519B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329030A JP3672519B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003129220A true JP2003129220A (ja) | 2003-05-08 |
| JP3672519B2 JP3672519B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=19144996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001329030A Expired - Fee Related JP3672519B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3672519B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057055A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Tsunehisa Kimura | 磁場による精密配向体の製造方法 |
| WO2006057353A1 (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Kyoto University | 薄膜形成方法、蒸着源基板およびその製造方法 |
| JP2006194917A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Alps Electric Co Ltd | 光造形体及びその製造方法 |
| JP2007059520A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Iwate Univ | 微細加工方法及び微細加工構造並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP2007508161A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-04-05 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． | 複合材料の調製方法 |
| JP2007131556A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Iwate Univ | 機能性トリアジンジチオール及びその製造方法 |
| JP2009227857A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Iwate Industrial Research Center | 樹脂表面の改質方法及び表面改質樹脂 |
| JP2012109586A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-06-07 | Iwate Univ | 微細加工構造及び電子デバイス |
| JP2015027777A (ja) * | 2013-02-06 | 2015-02-12 | 東洋紡株式会社 | 積層フィルム |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329030A patent/JP3672519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4734250B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2011-07-27 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． | 複合材料の調製方法 |
| JP2007508161A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-04-05 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． | 複合材料の調製方法 |
| JP4658540B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-03-23 | 恒久 木村 | 磁場による精密配向体の製造方法 |
| JP2006057055A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Tsunehisa Kimura | 磁場による精密配向体の製造方法 |
| WO2006057353A1 (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Kyoto University | 薄膜形成方法、蒸着源基板およびその製造方法 |
| JP2006152352A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyoto Univ | 薄膜形成方法 |
| JP4716277B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-07-06 | 国立大学法人京都大学 | 薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法 |
| JP4688134B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-05-25 | アルプス電気株式会社 | 光造形体及びその製造方法 |
| JP2006194917A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Alps Electric Co Ltd | 光造形体及びその製造方法 |
| JP2007059520A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Iwate Univ | 微細加工方法及び微細加工構造並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP2007131556A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Iwate Univ | 機能性トリアジンジチオール及びその製造方法 |
| JP2009227857A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Iwate Industrial Research Center | 樹脂表面の改質方法及び表面改質樹脂 |
| JP2012109586A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-06-07 | Iwate Univ | 微細加工構造及び電子デバイス |
| JP2015027777A (ja) * | 2013-02-06 | 2015-02-12 | 東洋紡株式会社 | 積層フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3672519B2 (ja) | 2005-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3330143B2 (ja) | 低温プラズマおよび電着を使用した金属被覆方法 | |
| JP2003129220A (ja) | トリアジンチオール誘導体の薄膜形成方法 | |
| WO1999017892A1 (en) | Selective chemical vapor deposition of polymers | |
| JPH05503876A (ja) | 低温プラズマ処理およびプライマー処理を用いる鋼基体のコーティング方法 | |
| JPH0149788B2 (ja) | ||
| JPH0680805A (ja) | 僅かにざらざらした荒れた表面を有する平面状のポリエチレンテレフタレート材料ならびにその製造方法および利用法 | |
| Ouyang et al. | Structure and magnetic properties of iron oxide films deposited by excimer laser ablation of a metal-containing polymer | |
| JPH07504944A (ja) | プラスチック品の表面の予備処理法 | |
| Zekonyte et al. | Mechanisms of argon ion-beam surface modification of polystyrene | |
| CN110289349B (zh) | 一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜及其制备方法 | |
| JP2881058B2 (ja) | 潤滑剤及び潤滑剤の塗布方法と潤滑膜を形成した磁気記録媒体 | |
| JP4124471B2 (ja) | 金属表面の処理方法 | |
| CN108624843B (zh) | 一种表面增强拉曼散射基底的制备方法 | |
| JPH11140626A (ja) | トリアジンジチオ−ル誘導体の被膜生成方法ならびに被膜成分の重合方法 | |
| Dřı́nek et al. | TEA CO2 pulsed laser deposition of silicon suboxide films | |
| Jeon et al. | Adhesion characteristics of copper thin film deposited on PET substrate by electron cyclotron resonance–metal organic chemical vapor deposition | |
| CN206396319U (zh) | 一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置 | |
| US5147518A (en) | Process for adhering metal to polyimide film | |
| Akiyama et al. | Atmospheric pressure plasma liquid deposition of copper nanoparticles on poly (4-vinylpyridine)-grafted-poly (tetrafluoroethylene) surface and their autocatalytic properties | |
| Katsuki et al. | Preparation of carbazole polymer thin films chemically bound to substrate surface by physical vapor deposition combined with self-assembled monolayer | |
| JP4062537B2 (ja) | トリアジンジチオール誘導体の高分子薄膜生成方法 | |
| JP3069655B2 (ja) | ポリシルメチレンの製膜方法 | |
| JP3950967B2 (ja) | 真空紫外光を用いたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 | |
| JPH01168859A (ja) | ポリパラキシリレンのコーティング方法 | |
| JPH06316757A (ja) | 紫外レーザーによる有機多層膜製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |