CN206396319U - 一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置 - Google Patents

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李恺
吴卫东
罗炳池
罗江山
张吉强
谭秀兰
李文琦
金雷
何玉丹
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Abstract

本实用新型公开了一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,包括沉积室(1),所述沉积室(1)内上部设置有基片架(2),所述基片架(2)底部设置有基片(3),所述基片(3)下方设置有挡板(4),所述沉积室(1)内下部还设置有坩埚(6)、Ta蒸发舟(7)及电极(8),所述坩埚(6)、Ta蒸发舟(7)均固定在电极(8)上,坩埚(6)位于 Ta蒸发舟(7)内,所述电极(8)通过电源(10)供电,所述坩埚(6)底部还设置有热电偶(11),所述沉积室(1)还连接真空系统(9);采用本实用新型的装置,克服了金属铍的极大脆性,可制备最大尺寸达数十毫米、厚度介于1μm‑10μm的自支撑铍薄膜,而且所得的自支撑铍薄膜质量优良。

Description

一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置
技术领域
本实用新型涉及一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置。
背景技术
铍(Be)是稀有金属之一,具有密度低、熔点高、强度及弹性模量高、比热容极大等特点。特别是由于其对热中子的吸收截面在所有金属中最小,而散射截面大,同时对X射线具有极高的透过率,使其在核工业、航空航天、冶金工业及高科技领域具有重要的应用价值。同时铍也有显著的缺点,如脆性极大、剧毒等,限制了相关研究的开展及应用。
自支撑铍薄膜是指无衬底支撑而独立存在的铍薄膜,常用于加速器靶、X射线滤片、X射线光刻、同步加速器辐射电极、天基X射线望远镜中,但由于铍的剧毒特性及制备难度较大等,目前对其研究较少,相关正式研究结果及样品尚未见文献报道。
对于自支撑铍薄膜的制备,公开文献一般采用在可溶性衬底上直接沉积薄膜,然后将该可溶性衬底去除而得到自支撑薄膜的方法。由于直接可溶性衬底具有表面粗糙、易变形等缺点,从而使得在其表面沉积的铍薄膜质量较差,在脱膜过程中铍薄膜破裂,导致无法满足使用要求,即现有报道的方法适用性不强,相应的,也没有适合于自支撑铍薄膜制备的装置。
发明内容
本实用新型的目的就在于提供一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,以解决上述问题。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是这样的:一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,包括沉积室,所述沉积室内上部设置有基片架,所述基片架底部设置有基片,所述基片下方设置有挡板,所述沉积室内下部还设置有坩埚、Ta蒸发舟及电极,所述坩埚、Ta蒸发舟均固定在电极上,坩埚位于 Ta蒸发舟内,所述电极通过电源供电,所述坩埚底部还设置有热电偶,所述沉积室还连接真空系统;真空系统由机械泵及分子泵组成。
作为优选的技术方案:所述坩埚采用BN材料或BeO材料。坩埚材料可根据蒸发原料的不同而更换。
作为优选的技术方案:所述电极为高纯Cu材料。
作为优选的技术方案:所述基片为载玻片。
本实用新型的铍薄膜制备装置工作过程是:打开沉积室,将清洗后的基片固定在基片架上,同时将盛有蒸发原料的坩埚置于Ta蒸发舟内,关闭沉积室。开启真空系统,待真空达到1×10-5Pa后,打开交流电源,电流经电极到达Ta蒸发舟,焦耳热使Ta蒸发舟及坩埚开始升温。缓慢升高输出电压,待坩埚底部的热电偶测量的蒸发温度达实验要求后停止升压并保压,打开挡板,此时原料蒸发形成的蒸气流在飞行至基片表面时,由于过冷度较大使蒸气原子在基片上冷凝形核并逐渐长大成膜。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:采用本实用新型的装置进行制备大尺度自支撑铍薄膜。克服了金属铍的极大脆性,可制备最大尺寸达数十毫米、厚度介于1μm-10μm的自支撑铍薄膜,而且所得的自支撑铍薄膜质量优良。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1.沉积室、2.基片架、3.基片、4.挡板、5.蒸气束流、6.坩埚7.Ta蒸发舟、8.电极、9.真空系统、10.交流电源、11.热电偶。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
实施例:
一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,如图1所示,包括沉积室1,所述沉积室1内上部设置有基片架2,所述基片架2底部设置有基片3,所述基片3下方设置有挡板4,所述沉积室1内下部还设置有坩埚6、Ta蒸发舟7及电极8,所述坩埚6、Ta蒸发舟7均固定在电极8上,坩埚6位于 Ta蒸发舟7内,所述电极8通过电源10供电,所述坩埚6底部还设置有热电偶11,所述沉积室1还连接真空系统9,真空系统9由机械泵及分子泵组成;
该装置首先是对沉积室1抽真空,使其背景压强达到约1×10-5Pa,然后打开交流电源10,电流通过蒸发舟7,蒸发舟7被电流的焦耳热加热直至坩埚6内的镀料能被蒸发出来,形成蒸气束流5,入射到基片3表面,凝结形成固态薄膜;
其具体操作步骤为:
第一步:沉积薄膜前工作,抽真空
打开沉积室1,清洗载玻片3后将其置于基片架2上,采用BN材料作为蒸发坩埚6,并于其中放置少量分析纯级别的NaCl颗粒,然后将该坩埚置于Ta蒸发舟7内,将挡板4置于蒸发源正上方位置,关闭沉积室1;开启真空系统9,直至真空度达1×10-5Pa;
第二步:沉积NaCl薄膜
打开交流电源10,缓慢升高加热电压至蒸发温度300℃,以去除NaCl颗粒在空气中吸收的水分,除气2小时后,升高加热电压至蒸发温度560℃,打开挡板4开始正式镀膜;560℃时NaCl薄膜生长速率约30nm/min,沉积5分钟后,NaCl薄膜厚度约150nm,粗糙度Ra值约20nm;NaCl薄膜衬底沉积完成后,关闭交流电源10,关闭真空系统9;
第三步:沉积铍薄膜
打开沉积室1,取出BN材料的坩埚6,更换为BeO材料的坩埚6,同时在BeO材料的坩埚6中放入条状的金属铍切屑作为蒸发原料,且将开孔尺寸为5mm-30mm的掩膜片置于NaCl薄膜表面,将挡板4置于蒸发源正上方位置,关闭沉积室1,开启真空系统9,直至真空度达1×10-5Pa;打开交流电源10,缓慢升高加热电压至蒸发温度1050℃,打开挡板4开始正式镀膜;1050℃时铍薄膜生长速率约2.35nm/min,待所需厚度铍薄膜制备完成后,关闭交流电源10,关闭真空系统9,打开沉积室1,取出“NaCl+Be”复合薄膜样品,该复合薄膜外形尺寸即为掩膜片的开孔尺寸;
第四步:对“NaCl+Be”复合薄膜进行自然时效
将“NaCl+Be”复合薄膜置于电子防潮箱内,湿度设定在30%,时效时间30天;
第五步:对“NaCl+Be”复合薄膜进行脱膜处理
从电子防潮箱中取出“NaCl+Be”复合薄膜进行脱膜处理,由于铍薄膜脆性极大,为将脱膜过程中液体的表面张力降至最低以避免铍薄膜的破裂,采用蒸馏水含量约5% 的“乙醇+蒸馏水”混合液(25℃时,水的表面张力为0.072N/m,乙醇的表面张力为0.022N/m)对铍薄膜进行脱膜处理,即将该复合薄膜置于纯乙醇溶液中,采用滴管在薄膜上方滴入少许蒸馏水,以尽量降低液体表面张力并溶解NaCl薄膜衬底,铍薄膜顺利从NaCl衬底脱膜而不破裂,得到自支撑铍薄膜,该自支撑铍薄膜的外形尺寸等于掩膜片的开孔尺寸,实验步骤结束;
由于金属铍的剧毒性,实验全步骤必须有严格的防护措施。制备步骤在专门的铍防护实验室内进行,同时铍薄膜制备装置置于防护罩内,操作人员穿戴连体防护服及呼吸器进行工作。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,其特征在于:包括沉积室(1),所述沉积室(1)内上部设置有基片架(2),所述基片架(2)底部设置有基片(3),所述基片(3)下方设置有挡板(4),所述沉积室(1)内下部还设置有坩埚(6)、 Ta蒸发舟(7)及电极(8),所述坩埚(6)、Ta蒸发舟(7)均固定在电极(8)上,坩埚(6)位于 Ta蒸发舟(7)内,所述电极(8)通过电源(10)供电,所述坩埚(6)底部还设置有热电偶(11),所述沉积室(1)还连接真空系统(9)。
2.根据权利要求1所述的一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,其特征在于:所述坩埚(6)采用BN材料或BeO材料。
3.根据权利要求1所述的一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,其特征在于:所述电极(8)为高纯Cu材料。
4.根据权利要求1所述的一种大尺度自支撑铍薄膜的制备装置,其特征在于:所述基片(3)为载玻片。
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CN106544629A (zh) * 2017-01-19 2017-03-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种大尺度自支撑铍薄膜的制备方法及装置
CN110629168A (zh) * 2019-10-30 2019-12-31 东北大学 一种真空镀膜机的蒸发装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106544629A (zh) * 2017-01-19 2017-03-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种大尺度自支撑铍薄膜的制备方法及装置
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