JP2003124068A - コンデンサ用陽極箔、該陽極箔の製造方法及び該陽極箔を用いた固体電解コンデンサ - Google Patents
コンデンサ用陽極箔、該陽極箔の製造方法及び該陽極箔を用いた固体電解コンデンサInfo
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- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体電解コンデンサの陽極部の接合が確実に
かつ効率的に行え、生産性が向上する陽極箔を提供す
る。 【解決手段】 弁作用金属箔の一辺を金属製支持体に並
列して取り付け、前記金属箔の一部を電解液に浸漬して
電解エッチングを行った後、シュウ酸、アジピン酸、ホ
ウ酸、リン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から選ばれ
た少なくとも１種を含む電解液で一次化成する工程、該
一次化成電解液とは異なる組成の電解液で二次化成する
工程を含む化成処理を特徴とする固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、およびその方法で得られた陽極箔を
用いた固体電解コンデンサ。
かつ効率的に行え、生産性が向上する陽極箔を提供す
る。 【解決手段】 弁作用金属箔の一辺を金属製支持体に並
列して取り付け、前記金属箔の一部を電解液に浸漬して
電解エッチングを行った後、シュウ酸、アジピン酸、ホ
ウ酸、リン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から選ばれ
た少なくとも１種を含む電解液で一次化成する工程、該
一次化成電解液とは異なる組成の電解液で二次化成する
工程を含む化成処理を特徴とする固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、およびその方法で得られた陽極箔を
用いた固体電解コンデンサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に利用
される固体電解コンデンサ用の陽極箔、その製造方法及
びその箔を用いた固体電解コンデンサに関する。さらに
詳しく言えば、特に固体電解コンデンサ用アルミニウム
箔の表面の接触角が一定範囲にある良好なアルミニウム
箔を用いた固体電解コンデンサに関するものである。
される固体電解コンデンサ用の陽極箔、その製造方法及
びその箔を用いた固体電解コンデンサに関する。さらに
詳しく言えば、特に固体電解コンデンサ用アルミニウム
箔の表面の接触角が一定範囲にある良好なアルミニウム
箔を用いた固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、プリント基板の高密
度実装化、実装の効率化等の要請から電子部品のチップ
化、小型化が著しく進展し、これに伴い電解コンデンサ
のチップ化、小型化の要請が高まり、近年電解液を用い
ない固体電解コンデンサが急速に伸びてきている。
度実装化、実装の効率化等の要請から電子部品のチップ
化、小型化が著しく進展し、これに伴い電解コンデンサ
のチップ化、小型化の要請が高まり、近年電解液を用い
ない固体電解コンデンサが急速に伸びてきている。
【０００３】固体電解コンデンサは、一般的にアルミニ
ウム、タンタル、ニオブ、チタン及びその合金などの弁
作用金属からなる陽極体の表面をエッチングにより粗面
化してミクロンオーダーの微細孔を形成して表面積を拡
大し、その上に化成工程によって誘電体酸化皮膜を形成
し、さらに陽極部との間にセパレータ（マスキング）を
介して固体電解液を含浸させて陰極体としたコンデンサ
素子を巻回あるいは積層させて筒状の金属ケースに収納
し、金属ケースの開口部を封止部材によって密封するこ
とにより構成されている。また、チップ型の固体電解コ
ンデンサでは、誘電体酸化皮膜を形成した電解箔に含浸
させた固体電解質、その上のコロイダルカーボン層、銀
ペーストからなる陰極導電層を形成した後に外装部を形
成して構成される。
ウム、タンタル、ニオブ、チタン及びその合金などの弁
作用金属からなる陽極体の表面をエッチングにより粗面
化してミクロンオーダーの微細孔を形成して表面積を拡
大し、その上に化成工程によって誘電体酸化皮膜を形成
し、さらに陽極部との間にセパレータ（マスキング）を
介して固体電解液を含浸させて陰極体としたコンデンサ
素子を巻回あるいは積層させて筒状の金属ケースに収納
し、金属ケースの開口部を封止部材によって密封するこ
とにより構成されている。また、チップ型の固体電解コ
ンデンサでは、誘電体酸化皮膜を形成した電解箔に含浸
させた固体電解質、その上のコロイダルカーボン層、銀
ペーストからなる陰極導電層を形成した後に外装部を形
成して構成される。
【０００４】上記の弁作用金属の中でも、アルミニウム
はエッチング処理により容易に表面積を拡大でき、また
アルミニウムを陽極とする陽極酸化処理（化成処理）に
より表面に形成される酸化皮膜が誘電体として利用でき
るため、他のコンデンサに比べて小型で大容量でかつ安
価に製造できる特長があり、特に低圧用のアルミニウム
固体電解コンデンサとして広く用いられている。
はエッチング処理により容易に表面積を拡大でき、また
アルミニウムを陽極とする陽極酸化処理（化成処理）に
より表面に形成される酸化皮膜が誘電体として利用でき
るため、他のコンデンサに比べて小型で大容量でかつ安
価に製造できる特長があり、特に低圧用のアルミニウム
固体電解コンデンサとして広く用いられている。
【０００５】アルミニウム固体電解コンデンサに用いら
れる電極箔はアルミニウム箔を電気化学的または化学的
にエッチングしてその表面積を拡大した後、製品パター
ンの形状に打ち抜き、切り口部を化成処理して用いられ
ている。
れる電極箔はアルミニウム箔を電気化学的または化学的
にエッチングしてその表面積を拡大した後、製品パター
ンの形状に打ち抜き、切り口部を化成処理して用いられ
ている。
【０００６】また、アルミニウム箔のエッチング方法
は、塩素イオンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、硝酸な
どを添加した電解液中で、アルミニウム箔を正極とし、
かつアルミニウム箔に隣接させて配置された電極を負極
として直流電流を流してエッチングする直流電解エッチ
ング法と、塩素イオンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、
硝酸等を添加した電解液中で、アルミニウム箔の両側に
配置された電極間に交流電圧を印加しエッチングする交
流電解エッチング法とがある。
は、塩素イオンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、硝酸な
どを添加した電解液中で、アルミニウム箔を正極とし、
かつアルミニウム箔に隣接させて配置された電極を負極
として直流電流を流してエッチングする直流電解エッチ
ング法と、塩素イオンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、
硝酸等を添加した電解液中で、アルミニウム箔の両側に
配置された電極間に交流電圧を印加しエッチングする交
流電解エッチング法とがある。
【０００７】さらに、高容量の電極箔を得るためには、
化成においてはエッチング処理で形成された細孔が溶解
により崩れることを防ぐと共に化成皮膜が均一に形成さ
れ、かつ欠陥部がないことが必要である。
化成においてはエッチング処理で形成された細孔が溶解
により崩れることを防ぐと共に化成皮膜が均一に形成さ
れ、かつ欠陥部がないことが必要である。
【０００８】アルミニウム箔の表面撥水性に関しては、
エッチング処理後化成処理工程前に、エッチング面を微
アルカリまたは珪酸アルカリを含む熱水で処理し、次い
で形成された水和酸化物に撥水性を付与する水溶液で処
理する方法が提案されている（特開平６−１０４１４７
号公報）。また、エッチングする前に予備脱脂と表面の
均一性を付与するために水との接触角が３０〜８０度で
ある微細孔を有しないアルミニウム箔が提案されている
（特開平５−２１４４９８号公報）。
エッチング処理後化成処理工程前に、エッチング面を微
アルカリまたは珪酸アルカリを含む熱水で処理し、次い
で形成された水和酸化物に撥水性を付与する水溶液で処
理する方法が提案されている（特開平６−１０４１４７
号公報）。また、エッチングする前に予備脱脂と表面の
均一性を付与するために水との接触角が３０〜８０度で
ある微細孔を有しないアルミニウム箔が提案されている
（特開平５−２１４４９８号公報）。
【０００９】本発明者らは、先に所定の長方形の形状に
切断した金属箔（アルミニウム箔）の一辺を直線状の金
属製支持体（金属製ガイド）に並列して取り付け金属箔
の固体電解質を形成する全領域を化成処理し、ついで化
成領域の固体電解質を形成する陰極となる領域と陽極端
部となる境界域にマスキングを施した後、固体電解質を
形成する固体電解コンデンサ素子の製造方法を提案して
いる。この方法によれば切断により生じる切り口部分も
完全に化成することができるため、固体電解質や導電ペ
ーストの切口部への浸入による漏れ電流が防止できる。
切断した金属箔（アルミニウム箔）の一辺を直線状の金
属製支持体（金属製ガイド）に並列して取り付け金属箔
の固体電解質を形成する全領域を化成処理し、ついで化
成領域の固体電解質を形成する陰極となる領域と陽極端
部となる境界域にマスキングを施した後、固体電解質を
形成する固体電解コンデンサ素子の製造方法を提案して
いる。この方法によれば切断により生じる切り口部分も
完全に化成することができるため、固体電解質や導電ペ
ーストの切口部への浸入による漏れ電流が防止できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】固体電解コンデンサ
は、所定の容量のコンデンサとするために、切り口部分
を化成した素子を通常複数個積層して陽極端子に陽極リ
ード線を接続し、導電性重合体を含む導電体層に陰極リ
ード線を接続し、さらに全体をエポキシ樹脂等の絶縁性
樹脂で封止して固体電解コンデンサが作製されている。
は、所定の容量のコンデンサとするために、切り口部分
を化成した素子を通常複数個積層して陽極端子に陽極リ
ード線を接続し、導電性重合体を含む導電体層に陰極リ
ード線を接続し、さらに全体をエポキシ樹脂等の絶縁性
樹脂で封止して固体電解コンデンサが作製されている。
【００１１】しかし、固体電解コンデンサでは、弁作用
金属上の誘電体表面の撥水性により導電性重合体の付着
において重合条件を綿密にコントロールしなければ、導
電性重合体の形成が不均一になり、容量の低下、等価直
列抵抗（ＥＳＲ）の上昇及び漏れ電流の上昇につながる
という問題があった。
金属上の誘電体表面の撥水性により導電性重合体の付着
において重合条件を綿密にコントロールしなければ、導
電性重合体の形成が不均一になり、容量の低下、等価直
列抵抗（ＥＳＲ）の上昇及び漏れ電流の上昇につながる
という問題があった。
【００１２】したがって、本発明は上記従来技術の問題
点を解決し、固体電解コンデンサの容量を高め、安定し
た品質を有し、かつ生産性を向上できる固体電解コンデ
ンサ用陽極箔の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
点を解決し、固体電解コンデンサの容量を高め、安定し
た品質を有し、かつ生産性を向上できる固体電解コンデ
ンサ用陽極箔の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意検討
した結果、本発明者らは、電解エッチングを施したアル
ミニウム箔について、所定の電圧及び化成液で化成処理
する方法により、全面が均一的に化成された表面が得ら
れ、コンデンサ容量の増加、漏れ電流の低下及びＥＳＲ
の低下が見られた。また、積層型固体電解コンデンサで
はコンデンサ素子の積層時に陽極体部分の接合を確実に
かつ効率的に行え、生産性が向上することを見出して本
発明を完成した。
した結果、本発明者らは、電解エッチングを施したアル
ミニウム箔について、所定の電圧及び化成液で化成処理
する方法により、全面が均一的に化成された表面が得ら
れ、コンデンサ容量の増加、漏れ電流の低下及びＥＳＲ
の低下が見られた。また、積層型固体電解コンデンサで
はコンデンサ素子の積層時に陽極体部分の接合を確実に
かつ効率的に行え、生産性が向上することを見出して本
発明を完成した。
【００１４】すなわち、本発明は以下の固体電解コンデ
ンサ用陽極箔、その製造方法およびその陽極箔を用いた
固体電解コンデンサに関する。 １） 微細孔を有する弁作用金属を化成処理して誘電体
皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製造する方
法において、化成処理がシュウ酸、アジピン酸、ホウ
酸、リン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から選ばれた
少なくとも１種を含む電解液で一次化成する工程、該一
次化成電解液とは異なる組成の電解液で二次化成する工
程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ用陽極箔
の製造方法、 ２） 微細孔を有する弁作用金属を化成処理して誘電体
皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製造する方
法において、化成処理がシュウ酸、ホウ酸、リン酸、ケ
イ酸及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも１種
を含む電解液で一次化成する工程を経て、次いでそれを
熱処理する工程、そして、アジピン酸またはその塩を含
む電解液で二次化成する工程を含むことを特徴とする固
体電解コンデンサ用陽極箔の製造方法、 ３） 化成する工程が、２０Ｖ未満の電圧による化成処
理である上記１）または２）に記載の固体電解コンデン
サ用陽極箔の製造方法、 ４） 熱処理する工程が、２５０℃以上である上記２ま
たは３に記載の固体電解コンデンサ用陽極箔の製造方
法、 ５） 弁作用金属が、アルミニウム箔である上記１）乃
至４）のいずれかひとつに記載の固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、 ６） アルミニウム箔が、０．０５〜１ｍｍの厚さを有
するものである上記５）に記載の固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、 ７） 上記１）乃至６）のいずれかひとつに記載の陽極
箔の製造方法で得られた誘電体皮膜の表面が、１０〜１
００度の接触角を有することを特徴とする固体電解コン
デンサ用陽極箔、 ８） 上記１）乃至６）のいずれかひとつに記載の陽極
箔の製造方法を経て、次いで該陽極箔上に、固体電解質
を形成し、その上に導電体を形成することを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法、 ９） 上記７）に記載の陽極箔上に、固体電解質を形成
し、その上に導電体を形成する工程を含む固体電解コン
デンサの製造方法、 １０） 固体電解コンデンサを作製した時に陽極箔の陽
極端部となる領域と導電体層を形成する陰極となる領域
との境界部に予めマスキングを施す上記８）または９）
に記載の固体電解コンデンサの製造方法、 １１） 上記７）に記載の陽極箔上に、固体電解質層お
よび導電層を順次有する固体電解コンデンサ、 １２） 上記８）乃至１０）のいずれかひとつに記載の
固体電解コンデンサの製造方法を含む製造プロセスから
製造された固体電解コンデンサ。 １３） 固体電解質層が、導電性重合体を含むことを特
徴とする上記１１）または１２）に記載の固体電解コン
デンサ、 １４） 導電性重合体が、複素五員環を含む化合物また
はアニリン骨格を有する化合物の重合体を含んだもので
ある上記１３）に記載の固体電解コンデンサ、 １５） 複素五員環を含む化合物が、ピロール、チオフ
ェン、フラン、多環状スルフィド及びそれらの置換誘導
体から選ばれた少なくとも１種である上記１４）に記載
の固体電解コンデンサ、 １６） 複素五員環を含む化合物が、下記一般式（I）
ンサ用陽極箔、その製造方法およびその陽極箔を用いた
固体電解コンデンサに関する。 １） 微細孔を有する弁作用金属を化成処理して誘電体
皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製造する方
法において、化成処理がシュウ酸、アジピン酸、ホウ
酸、リン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から選ばれた
少なくとも１種を含む電解液で一次化成する工程、該一
次化成電解液とは異なる組成の電解液で二次化成する工
程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ用陽極箔
の製造方法、 ２） 微細孔を有する弁作用金属を化成処理して誘電体
皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製造する方
法において、化成処理がシュウ酸、ホウ酸、リン酸、ケ
イ酸及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも１種
を含む電解液で一次化成する工程を経て、次いでそれを
熱処理する工程、そして、アジピン酸またはその塩を含
む電解液で二次化成する工程を含むことを特徴とする固
体電解コンデンサ用陽極箔の製造方法、 ３） 化成する工程が、２０Ｖ未満の電圧による化成処
理である上記１）または２）に記載の固体電解コンデン
サ用陽極箔の製造方法、 ４） 熱処理する工程が、２５０℃以上である上記２ま
たは３に記載の固体電解コンデンサ用陽極箔の製造方
法、 ５） 弁作用金属が、アルミニウム箔である上記１）乃
至４）のいずれかひとつに記載の固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、 ６） アルミニウム箔が、０．０５〜１ｍｍの厚さを有
するものである上記５）に記載の固体電解コンデンサ用
陽極箔の製造方法、 ７） 上記１）乃至６）のいずれかひとつに記載の陽極
箔の製造方法で得られた誘電体皮膜の表面が、１０〜１
００度の接触角を有することを特徴とする固体電解コン
デンサ用陽極箔、 ８） 上記１）乃至６）のいずれかひとつに記載の陽極
箔の製造方法を経て、次いで該陽極箔上に、固体電解質
を形成し、その上に導電体を形成することを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法、 ９） 上記７）に記載の陽極箔上に、固体電解質を形成
し、その上に導電体を形成する工程を含む固体電解コン
デンサの製造方法、 １０） 固体電解コンデンサを作製した時に陽極箔の陽
極端部となる領域と導電体層を形成する陰極となる領域
との境界部に予めマスキングを施す上記８）または９）
に記載の固体電解コンデンサの製造方法、 １１） 上記７）に記載の陽極箔上に、固体電解質層お
よび導電層を順次有する固体電解コンデンサ、 １２） 上記８）乃至１０）のいずれかひとつに記載の
固体電解コンデンサの製造方法を含む製造プロセスから
製造された固体電解コンデンサ。 １３） 固体電解質層が、導電性重合体を含むことを特
徴とする上記１１）または１２）に記載の固体電解コン
デンサ、 １４） 導電性重合体が、複素五員環を含む化合物また
はアニリン骨格を有する化合物の重合体を含んだもので
ある上記１３）に記載の固体電解コンデンサ、 １５） 複素五員環を含む化合物が、ピロール、チオフ
ェン、フラン、多環状スルフィド及びそれらの置換誘導
体から選ばれた少なくとも１種である上記１４）に記載
の固体電解コンデンサ、 １６） 複素五員環を含む化合物が、下記一般式（I）
【化２】
（式中、置換基Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ1またはＲ2の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結
合して、かかる基により置換を受けている炭素原子とと
もに少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノの結合を任意に含んでもよい。）で示される
化合物である上記１４）に記載の固体電解コンデンサ。 １７） 複素五員環を含む化合物が、３，４−エチレン
ジオキシチオフェン及び１，３−ジヒドロイソチアナフ
テンから選ばれる化合物である上記１４）に記載の固体
電解コンデンサ、及び １８） 上記７）に記載の陽極箔に固体電解質層および
導電体層を有するコンデンサ素子を複数枚積層してなる
積層型固体電解コンデンサ。
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ1またはＲ2の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結
合して、かかる基により置換を受けている炭素原子とと
もに少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノの結合を任意に含んでもよい。）で示される
化合物である上記１４）に記載の固体電解コンデンサ。 １７） 複素五員環を含む化合物が、３，４−エチレン
ジオキシチオフェン及び１，３−ジヒドロイソチアナフ
テンから選ばれる化合物である上記１４）に記載の固体
電解コンデンサ、及び １８） 上記７）に記載の陽極箔に固体電解質層および
導電体層を有するコンデンサ素子を複数枚積層してなる
積層型固体電解コンデンサ。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しつつ本
発明の方法を説明する。
発明の方法を説明する。
【００１６】（アルミニウム）本発明で使用するアルミ
ニウム箔は、例えばロール状で市販されているアルミニ
ウム箔を固体コンデンサの形状に合わせて所定の形状に
裁断したものである。箔の厚みは、エッチング後のアル
ミニウム箔の強度が十分確保できる範囲であれば良く限
定されないが、例えば０．０５〜１ｍｍ、好ましくは
０．１〜０．４ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜０．２
ｍｍの範囲がよい。
ニウム箔は、例えばロール状で市販されているアルミニ
ウム箔を固体コンデンサの形状に合わせて所定の形状に
裁断したものである。箔の厚みは、エッチング後のアル
ミニウム箔の強度が十分確保できる範囲であれば良く限
定されないが、例えば０．０５〜１ｍｍ、好ましくは
０．１〜０．４ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜０．２
ｍｍの範囲がよい。
【００１７】アルミニウムとしては、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、ＶおよびＺｒからなる群から選ばれた少なく
とも一種の元素を含有するアルミニウム、好ましくは該
元素を１０〜１０００質量ｐｐｍ、さらに好ましくは１
０〜３００質量ｐｐｍ含有するものであればよい。
ｕ、Ｔｉ、ＶおよびＺｒからなる群から選ばれた少なく
とも一種の元素を含有するアルミニウム、好ましくは該
元素を１０〜１０００質量ｐｐｍ、さらに好ましくは１
０〜３００質量ｐｐｍ含有するものであればよい。
【００１８】特に、Ｓｉを１０〜１００質量ｐｐｍ、Ｆ
ｅを１０〜１００質量ｐｐｍ、およびＣｕを１０〜１０
０質量ｐｐｍ含有するアルミニウムが好ましい。
ｅを１０〜１００質量ｐｐｍ、およびＣｕを１０〜１０
０質量ｐｐｍ含有するアルミニウムが好ましい。
【００１９】また、アルミニウム箔は、箔圧延後の熱処
理（焼鈍）によって性質が変化する。熱処理を行ってい
ない「硬質箔」は、圧延方向に引き延ばされた細長い繊
維状結晶の集合体になっており、熱処理として３００〜
４００℃で焼鈍するとほぼ完全に一次再結晶を完了した
「軟質箔」となり、５５０〜６００℃で焼鈍すると、正
常結晶粒が成長した「極軟質箔」となる。本発明で使用
するアルミニウム箔は、上記のいずれの箔が使用できる
が、硬質箔が好ましい。
理（焼鈍）によって性質が変化する。熱処理を行ってい
ない「硬質箔」は、圧延方向に引き延ばされた細長い繊
維状結晶の集合体になっており、熱処理として３００〜
４００℃で焼鈍するとほぼ完全に一次再結晶を完了した
「軟質箔」となり、５５０〜６００℃で焼鈍すると、正
常結晶粒が成長した「極軟質箔」となる。本発明で使用
するアルミニウム箔は、上記のいずれの箔が使用できる
が、硬質箔が好ましい。
【００２０】裁断の形状は限定されないが、好ましくは
平板形素子単位として幅１〜５０ｍｍ、長さ１〜５０ｍ
ｍの範囲であれば良く、好ましくは幅２〜２０ｍｍ、長
さ２〜２０ｍｍ、より好ましくは幅２〜５ｍｍ、長さ２
〜６ｍｍである。
平板形素子単位として幅１〜５０ｍｍ、長さ１〜５０ｍ
ｍの範囲であれば良く、好ましくは幅２〜２０ｍｍ、長
さ２〜２０ｍｍ、より好ましくは幅２〜５ｍｍ、長さ２
〜６ｍｍである。
【００２１】本発明では上記所定の形状に裁断したアル
ミニウム箔（１）の一辺を金属製支持体（１０）に並列
して取り付ける（図１）。
ミニウム箔（１）の一辺を金属製支持体（１０）に並列
して取り付ける（図１）。
【００２２】（マスキング）本発明では、図２（Ａ）に
示すように前記アルミニウム箔（１）の陽極となる陽極
端部（２）と導電体層を形成する領域（３）との境界部
に予めマスキング（４）を施しておくことが好ましい。
示すように前記アルミニウム箔（１）の陽極となる陽極
端部（２）と導電体層を形成する領域（３）との境界部
に予めマスキング（４）を施しておくことが好ましい。
【００２３】マスキングは後に形成する導電体層（陰極
部）を確実に陽極部と絶縁する機能を有するだけでな
く、エッチング、化成処理、電解質形成、導電体形成工
程における処理液のはい上がりを防止する働きを有す
る。
部）を確実に陽極部と絶縁する機能を有するだけでな
く、エッチング、化成処理、電解質形成、導電体形成工
程における処理液のはい上がりを防止する働きを有す
る。
【００２４】使用するマスキング材としては、一般的な
耐熱性樹脂、好ましくは溶剤に可溶あるいは膨潤しうる
耐熱性樹脂またはその前駆体、無機質微粉とセルロース
系樹脂からなる組成物（特開平１１−８０５９６号公
報）などが使用できる。
耐熱性樹脂、好ましくは溶剤に可溶あるいは膨潤しうる
耐熱性樹脂またはその前駆体、無機質微粉とセルロース
系樹脂からなる組成物（特開平１１−８０５９６号公
報）などが使用できる。
【００２５】具体例としてはポリフェニルスルホン（Ｐ
ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エ
ステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テ
トラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合体等）、低分子量ポリイミド及びそれらの
誘導体などが挙げられる。低分子量ポリイミド、ポリエ
ーテルスルホン、フッ素樹脂及びそれらの前駆体が好ま
しく、特に低分子量ポリイミドが好ましい。
ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エ
ステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テ
トラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合体等）、低分子量ポリイミド及びそれらの
誘導体などが挙げられる。低分子量ポリイミド、ポリエ
ーテルスルホン、フッ素樹脂及びそれらの前駆体が好ま
しく、特に低分子量ポリイミドが好ましい。
【００２６】これらを有機溶剤の溶液あるいは分散液と
して線状に塗布し、加熱処理により熱変性し高分子化し
て硬化する。
して線状に塗布し、加熱処理により熱変性し高分子化し
て硬化する。
【００２７】また、マスキングとしては、ポリプロピレ
ン、ポリエステル、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂製等
のテープを貼付する方法、樹脂コートフィルム部を形成
する方法を採用することもできる。
ン、ポリエステル、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂製等
のテープを貼付する方法、樹脂コートフィルム部を形成
する方法を採用することもできる。
【００２８】（電解エッチング）上記金属製支持体に並
列して取り付けたアルミニウム箔の、陽極となる部分か
ら下、好ましくはマスキングを施した部分の下を塩素イ
オンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、硝酸等を添加した
電解液中で電解液に浸漬してエッチング処理する（図２
（Ｂ））。
列して取り付けたアルミニウム箔の、陽極となる部分か
ら下、好ましくはマスキングを施した部分の下を塩素イ
オンを含む水溶液中にリン酸、硫酸、硝酸等を添加した
電解液中で電解液に浸漬してエッチング処理する（図２
（Ｂ））。
【００２９】エッチングは周波数１〜１０００Ｈｚ、電
流密度０．０２５〜４Ａ／ｃｍ2、エッチング電気量
０．０２〜１００Ｃ／ｃｍ2の条件の交流エッチングを
行うが、交流の電流密度を徐々に上昇させ、その後一定
電流で交流電解エッチングを行うことが好ましい。
流密度０．０２５〜４Ａ／ｃｍ2、エッチング電気量
０．０２〜１００Ｃ／ｃｍ2の条件の交流エッチングを
行うが、交流の電流密度を徐々に上昇させ、その後一定
電流で交流電解エッチングを行うことが好ましい。
【００３０】また直流電解エッチングと交流電解エッチ
ングを併用し、最初に直流で、その後に交流電解エッチ
ングを行ってもよいし、直流電解エッチングのみでエッ
チングしてもよい。
ングを併用し、最初に直流で、その後に交流電解エッチ
ングを行ってもよいし、直流電解エッチングのみでエッ
チングしてもよい。
【００３１】（化成処理）ついで上記でエッチングされ
た部分（５）のみを化成処理する（図２（Ｃ））。
た部分（５）のみを化成処理する（図２（Ｃ））。
【００３２】化成処理は種々の方法によって行なうこと
ができるが、化成液の条件で、得られる誘電体（酸化）
皮膜の表面撥水性が異なってくることが判った。アルミ
ニウム箔の誘電体皮膜表面には水酸化アルミニウムが存
在していることが知られている。化成条件によって、こ
の水酸化アルミニウムの親水基を制御して水ぬれ性を好
ましい範囲にすることができる。化成処理の条件は表面
撥水性（水ぬれ性）を好ましい範囲にすることができれ
ば特に限定されるものではないが、例えば蓚酸、アジピ
ン酸、ホウ酸、リン酸、珪酸またはそれらの塩等の少な
くとも１種を含む電解液を用い１次化成し、その電解液
濃度が０．０５質量％〜２０質量％、温度が０℃〜９０
℃、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2〜６００ｍＡ／ｃ
ｍ2、電圧は処理する箔の化成電圧に応じた数値、化成
時間が６０分以内の条件で化成を行なう。さらに好まし
くは前記電解液濃度が０．１質量％〜１５質量％、温度
が２０℃〜７０℃、電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2〜１００
ｍＡ／ｃｍ2、化成時間が３０分以内の範囲内で条件を
選定する。次いで、１次化成電解液組成とは異なる電解
液で２次化成を行うのがよい。
ができるが、化成液の条件で、得られる誘電体（酸化）
皮膜の表面撥水性が異なってくることが判った。アルミ
ニウム箔の誘電体皮膜表面には水酸化アルミニウムが存
在していることが知られている。化成条件によって、こ
の水酸化アルミニウムの親水基を制御して水ぬれ性を好
ましい範囲にすることができる。化成処理の条件は表面
撥水性（水ぬれ性）を好ましい範囲にすることができれ
ば特に限定されるものではないが、例えば蓚酸、アジピ
ン酸、ホウ酸、リン酸、珪酸またはそれらの塩等の少な
くとも１種を含む電解液を用い１次化成し、その電解液
濃度が０．０５質量％〜２０質量％、温度が０℃〜９０
℃、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2〜６００ｍＡ／ｃ
ｍ2、電圧は処理する箔の化成電圧に応じた数値、化成
時間が６０分以内の条件で化成を行なう。さらに好まし
くは前記電解液濃度が０．１質量％〜１５質量％、温度
が２０℃〜７０℃、電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2〜１００
ｍＡ／ｃｍ2、化成時間が３０分以内の範囲内で条件を
選定する。次いで、１次化成電解液組成とは異なる電解
液で２次化成を行うのがよい。
【００３３】また、１次化成の後に、化成箔を好ましく
は２５０℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上６００
℃以下の熱処理を行うのがよい、さらに２次化成電解液
としてはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を分子内に２個
以上含むカルボン酸またはその塩がよく、例えばシュウ
酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸、フ
タール酸またはその塩が使用でき、ｐＨ６〜８付近、好
ましくはｐＨ６．５〜７．５である。
は２５０℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上６００
℃以下の熱処理を行うのがよい、さらに２次化成電解液
としてはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を分子内に２個
以上含むカルボン酸またはその塩がよく、例えばシュウ
酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸、フ
タール酸またはその塩が使用でき、ｐＨ６〜８付近、好
ましくはｐＨ６．５〜７．５である。
【００３４】必要に応じて３次、４次化成を行うことも
できる。また、化成処理の後に、必要により、例えば耐
水性向上のためのリン酸浸漬処理、皮膜強化のための熱
処理または沸騰水への浸漬処理等を行なうことができ
る。このようにして、得られた誘電体皮膜の表面が水に
対する接触角として１０〜１００度を有することが、好
ましくは１０〜９０度、さらに好ましくは４０〜９０度
を有することが、後述する固体電解質を形成するために
皮膜界面との接着性が良好になる。
できる。また、化成処理の後に、必要により、例えば耐
水性向上のためのリン酸浸漬処理、皮膜強化のための熱
処理または沸騰水への浸漬処理等を行なうことができ
る。このようにして、得られた誘電体皮膜の表面が水に
対する接触角として１０〜１００度を有することが、好
ましくは１０〜９０度、さらに好ましくは４０〜９０度
を有することが、後述する固体電解質を形成するために
皮膜界面との接着性が良好になる。
【００３５】接触角の測定は、表面を化学的に洗浄した
後、ゴニオメータ式接触角測定器で読みとるか、写真を
低倍率の顕微鏡に取り付け、角度目盛付載物台を回転し
て測定できる。
後、ゴニオメータ式接触角測定器で読みとるか、写真を
低倍率の顕微鏡に取り付け、角度目盛付載物台を回転し
て測定できる。
【００３６】表面撥水性（水ぬれ性）は誘電体皮膜を構
成する分子や原子の密度、結晶性、表面静電場、双極
子、水素結合性、酸・塩基相互作用に関係する表面官能
基などが関与する。詳細は不明だが、本発明で得られた
表面撥水性は汚れ、水分等による変化が少ない表面にな
っていて、表面撥水性の経時変化が少ないものである。
成する分子や原子の密度、結晶性、表面静電場、双極
子、水素結合性、酸・塩基相互作用に関係する表面官能
基などが関与する。詳細は不明だが、本発明で得られた
表面撥水性は汚れ、水分等による変化が少ない表面にな
っていて、表面撥水性の経時変化が少ないものである。
【００３７】以上により本発明の固体電解コンデンサ用
アルミニウム箔が得られるが、この後引き続く工程とし
て化成処理部分（６）に陰極層となる固体電解質（７）
を形成する（図３）。
アルミニウム箔が得られるが、この後引き続く工程とし
て化成処理部分（６）に陰極層となる固体電解質（７）
を形成する（図３）。
【００３８】（固体電解質の形成）本発明の固体電解コ
ンデンサに用いられる固体電解質を形成する導電性高分
子は限定されないが、好ましくはπ電子共役系構造を有
する導電性重合体、例えばチオフェン骨格を有する化合
物、多環状スルフィド骨格を有する化合物、ピロール骨
格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物、アニリ
ン骨格を有する化合物等で示される構造を繰り返し単位
として含む導電性重合体が挙げられる。
ンデンサに用いられる固体電解質を形成する導電性高分
子は限定されないが、好ましくはπ電子共役系構造を有
する導電性重合体、例えばチオフェン骨格を有する化合
物、多環状スルフィド骨格を有する化合物、ピロール骨
格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物、アニリ
ン骨格を有する化合物等で示される構造を繰り返し単位
として含む導電性重合体が挙げられる。
【００３９】導電性重合体の原料として用いられるモノ
マーのうち、チオフェン骨格を有する化合物としては、
一般式（Ｉ）
マーのうち、チオフェン骨格を有する化合物としては、
一般式（Ｉ）
【化３】
（式中、置換基Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して水素原
子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエス
テル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級も
しくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換フ
ェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。ま
たＲ1またはＲ2の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合
して、かかる基により置換を受けている炭素原子ととも
に少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和
炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよ
い。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エステ
ル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、
イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示されるも
のが挙げられる。
子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエス
テル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級も
しくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換フ
ェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。ま
たＲ1またはＲ2の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合
して、かかる基により置換を受けている炭素原子ととも
に少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和
炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよ
い。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エステ
ル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、
イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示されるも
のが挙げられる。
【００４０】具体的には、３−メチルチオフェン、３−
エチルチオフェン、３−プロピルチオフェン、３−ブチ
ルチオフェン、３−ペンチルチオフェン、３−ヘキシル
チオフェン、３−ヘプチルチオフェン、３−オクチルチ
オフェン、３−ノニルチオフェン、３−デシルチオフェ
ン、３−フルオロチオフェン、３−クロロチオフェン、
３−ブロモチオフェン、３−シアノチオフェン、３，４
−ジメチルチオフェン、３，４−ジエチルチオフェン、
３，４−ブチレンチオフェン、３，４−メチレンジオキ
シチオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン等
の誘導体を挙げることができる。これらの化合物は、一
般には市販されている化合物または公知の方法（例え
ば、Synthetic Metals誌，1986年，15巻，169頁）で準
備できる。
エチルチオフェン、３−プロピルチオフェン、３−ブチ
ルチオフェン、３−ペンチルチオフェン、３−ヘキシル
チオフェン、３−ヘプチルチオフェン、３−オクチルチ
オフェン、３−ノニルチオフェン、３−デシルチオフェ
ン、３−フルオロチオフェン、３−クロロチオフェン、
３−ブロモチオフェン、３−シアノチオフェン、３，４
−ジメチルチオフェン、３，４−ジエチルチオフェン、
３，４−ブチレンチオフェン、３，４−メチレンジオキ
シチオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン等
の誘導体を挙げることができる。これらの化合物は、一
般には市販されている化合物または公知の方法（例え
ば、Synthetic Metals誌，1986年，15巻，169頁）で準
備できる。
【００４１】また、例えば、多環状スルフィド骨格を有
する化合物としては、下記一般式（II）
する化合物としては、下記一般式（II）
【化４】
（式中、置換基Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、そ
れぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状もし
くは分岐状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコ
キシ基、アルキルエステル基、ハロゲン、ニトロ基、シ
アノ基、１級、２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、
フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる
一価の基を表わす。またＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及び
Ｒ8の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かか
る基により置換を受けている炭素原子とともに少なくと
も１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和炭化水素の
環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状
結合鎖にはカルボニル、エーテル、エステル、アミド、
スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノ等の結
合を任意に含んでもよい。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ
3〜Ｒ6を有するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表わ
し、０〜３の整数値である。式中の縮合環には窒素また
はＮ−オキシドを任意に含んでもよいが、その数だけ置
換基Ｒ3〜Ｒ6はないことになる。）で示されるものが挙
げられる。
れぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状もし
くは分岐状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコ
キシ基、アルキルエステル基、ハロゲン、ニトロ基、シ
アノ基、１級、２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、
フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる
一価の基を表わす。またＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及び
Ｒ8の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かか
る基により置換を受けている炭素原子とともに少なくと
も１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和炭化水素の
環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状
結合鎖にはカルボニル、エーテル、エステル、アミド、
スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノ等の結
合を任意に含んでもよい。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ
3〜Ｒ6を有するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表わ
し、０〜３の整数値である。式中の縮合環には窒素また
はＮ−オキシドを任意に含んでもよいが、その数だけ置
換基Ｒ3〜Ｒ6はないことになる。）で示されるものが挙
げられる。
【００４２】具体的には、１，３−ジヒドロ多環状スル
フィド（別名、１，３−ジヒドロベンゾ［ｃ］チオフェ
ン）骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロナフト
［２，３−ｃ］チオフェン骨格を有する化合物が使用で
きる。さらには１，３−ジヒドロアントラ［２，３−
ｃ］チオフェン骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロ
ナフタセノ［２，３−ｃ］チオフェン骨格を有する化合
物を挙げることができ、公知の方法、例えば特開平８−
３１５６号公報記載の方法により準備することができ
る。
フィド（別名、１，３−ジヒドロベンゾ［ｃ］チオフェ
ン）骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロナフト
［２，３−ｃ］チオフェン骨格を有する化合物が使用で
きる。さらには１，３−ジヒドロアントラ［２，３−
ｃ］チオフェン骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロ
ナフタセノ［２，３−ｃ］チオフェン骨格を有する化合
物を挙げることができ、公知の方法、例えば特開平８−
３１５６号公報記載の方法により準備することができ
る。
【００４３】また、例えば、１，３−ジヒドロナフト
［１，２−ｃ］チオフェン骨格を有する化合物、１，３
−ジヒドロフェナントラ［２，３−ｃ］チオフェン誘導
体、１，３−ジヒドロトリフェニロ［２，３−ｃ］チオ
フェン骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロベンゾ
［ａ］アントラセノ［７，８−ｃ］チオフェン誘導体等
も使用できる。
［１，２−ｃ］チオフェン骨格を有する化合物、１，３
−ジヒドロフェナントラ［２，３−ｃ］チオフェン誘導
体、１，３−ジヒドロトリフェニロ［２，３−ｃ］チオ
フェン骨格を有する化合物、１，３−ジヒドロベンゾ
［ａ］アントラセノ［７，８−ｃ］チオフェン誘導体等
も使用できる。
【００４４】縮合環に窒素またはＮ−オキシドを任意に
含んでいる化合物もあり、１，３−ジヒドロチエノ
［３，４−ｂ］キノキサリンや、１，３−ジヒドロチエ
ノ［３，４−ｂ］キノキサリン−４−オキシド、１，３
−ジヒドロチエノ［３，４−ｂ］キノキサリン−４，９
−ジオキシド等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。
含んでいる化合物もあり、１，３−ジヒドロチエノ
［３，４−ｂ］キノキサリンや、１，３−ジヒドロチエ
ノ［３，４−ｂ］キノキサリン−４−オキシド、１，３
−ジヒドロチエノ［３，４−ｂ］キノキサリン−４，９
−ジオキシド等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。
【００４５】また、ピロール骨格を有する化合物として
は、下記一般式（III）
は、下記一般式（III）
【化５】
（式中、置換基Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立して水素
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ9またはＲ10の炭化水素鎖は互いに任意の位置で
結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と
ともに少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示され
るものが挙げられる。
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ9またはＲ10の炭化水素鎖は互いに任意の位置で
結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と
ともに少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示され
るものが挙げられる。
【００４６】具体的には、３−メチルピロール、３−エ
チルピロール、３−プロピルピロール、３−ブチルピロ
ール、３−ペンチルピロール、３−ヘキシルピロール、
３−ヘプチルピロール、３−オクチルピロール、３−ノ
ニルピロール、３−デシルピロール、３−フルオロピロ
ール、３−クロロピロール、３−ブロモピロール、３−
シアノピロール、３，４−ジメチルピロール、３，４−
ジエチルピロール、３，４−ブチレンピロール、３，４
−メチレンジオキシピロール、３，４−エチレンジオキ
シピロール等の誘導体を挙げられるが、これらに限られ
ない。これらの化合物は、市販品または公知の方法で準
備できる。
チルピロール、３−プロピルピロール、３−ブチルピロ
ール、３−ペンチルピロール、３−ヘキシルピロール、
３−ヘプチルピロール、３−オクチルピロール、３−ノ
ニルピロール、３−デシルピロール、３−フルオロピロ
ール、３−クロロピロール、３−ブロモピロール、３−
シアノピロール、３，４−ジメチルピロール、３，４−
ジエチルピロール、３，４−ブチレンピロール、３，４
−メチレンジオキシピロール、３，４−エチレンジオキ
シピロール等の誘導体を挙げられるが、これらに限られ
ない。これらの化合物は、市販品または公知の方法で準
備できる。
【００４７】また、フラン骨格を有する化合物として
は、下記一般式（IV）
は、下記一般式（IV）
【化６】
（式中、置換基Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立して水素
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ11またはＲ12の炭化水素鎖は互いに任意の位置で
結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と
ともに少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示され
るものが挙げられる。
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ11またはＲ12の炭化水素鎖は互いに任意の位置で
結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と
ともに少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ等の結合を任意に含んでもよい。）で示され
るものが挙げられる。
【００４８】具体的には、３−メチルフラン、３−エチ
ルフラン、３−プロピルフラン、３−ブチルフラン、３
−ペンチルフラン、３−ヘキシルフラン、３−ヘプチル
フラン、３−オクチルフラン、３−ノニルフラン、３−
デシルフラン、３−フルオロフラン、３−クロロフラ
ン、３−ブロモフラン、３−シアノフラン、３，４−ジ
メチルフラン、３，４−ジエチルフラン、３，４−ブチ
レンフラン、３，４−メチレンジオキシフラン、３，４
−エチレンジオキシフラン等の誘導体が挙げられるが、
これらに限られるものではない。これらの化合物は市販
品または公知の方法で準備できる。
ルフラン、３−プロピルフラン、３−ブチルフラン、３
−ペンチルフラン、３−ヘキシルフラン、３−ヘプチル
フラン、３−オクチルフラン、３−ノニルフラン、３−
デシルフラン、３−フルオロフラン、３−クロロフラ
ン、３−ブロモフラン、３−シアノフラン、３，４−ジ
メチルフラン、３，４−ジエチルフラン、３，４−ブチ
レンフラン、３，４−メチレンジオキシフラン、３，４
−エチレンジオキシフラン等の誘導体が挙げられるが、
これらに限られるものではない。これらの化合物は市販
品または公知の方法で準備できる。
【００４９】また、アニリン骨格を有する化合物として
は、下記一般式（Ｖ）
は、下記一般式（Ｖ）
【化７】
（式中、置換基Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16は、それぞれ
独立して、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽
和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキ
ルエステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、
２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び
置換フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わ
す。またＲ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16の炭化水素鎖は互い
に任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けて
いる炭素原子とともに少なくとも１つ以上の３〜７員環
の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価
鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖にはカルボニル、
エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニ
ル、スルホニル、イミノ等の結合を任意に含んでもよ
い。）で示されるものが挙げられる。
独立して、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽
和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキ
ルエステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、
２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び
置換フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わ
す。またＲ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16の炭化水素鎖は互い
に任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けて
いる炭素原子とともに少なくとも１つ以上の３〜７員環
の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価
鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖にはカルボニル、
エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニ
ル、スルホニル、イミノ等の結合を任意に含んでもよ
い。）で示されるものが挙げられる。
【００５０】具体的には、２−メチルアニリン、２−エ
チルアニリン、２−プロピルアニリン、２−ブチルアニ
リン、２−ペンチルアニリン、２−ヘキシルアニリン、
２−ヘプチルアニリン、２−オクチルアニリン、２−ノ
ニルアニリン、２−デシルアニリン、２−フルオロアニ
リン、２−クロロアニリン、２−ブロモアニリン、２−
シアノアニリン、２，５−ジメチルアニリン、２，５−
ジエチルアニリン、２，３−ブチレンアニリン、２，３
−メチレンジオキシアニリン、２，３−エチレンジオキ
シアニリン等の誘導体が挙げられるが、これらに限られ
るものではない。これらの化合物は、市販品または公知
の方法で準備できる。
チルアニリン、２−プロピルアニリン、２−ブチルアニ
リン、２−ペンチルアニリン、２−ヘキシルアニリン、
２−ヘプチルアニリン、２−オクチルアニリン、２−ノ
ニルアニリン、２−デシルアニリン、２−フルオロアニ
リン、２−クロロアニリン、２−ブロモアニリン、２−
シアノアニリン、２，５−ジメチルアニリン、２，５−
ジエチルアニリン、２，３−ブチレンアニリン、２，３
−メチレンジオキシアニリン、２，３−エチレンジオキ
シアニリン等の誘導体が挙げられるが、これらに限られ
るものではない。これらの化合物は、市販品または公知
の方法で準備できる。
【００５１】また上記化合物群から選ばれる化合物を併
用し、共重合体として固体電解質を形成させても良い。
その時の重合性単量体の組成比などは重合条件等に依存
するが、好ましい組成比、重合条件などは簡単なテスト
により確認できる。例えば、モノマー及び酸化剤を好ま
しくは溶液の形態において、前後して別々にまたは一緒
に金属箔の酸化皮膜層に塗布して形成する方法（特開平
２−１５６１１号公報や特開平１０−３２１４５号公
報）等が利用できる。一般に導電性重合体には、アリー
ルスルホン酸塩系ドーパント、例えばベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アン
トラセンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸などの
塩をドーパント供与剤として用いることができる。
用し、共重合体として固体電解質を形成させても良い。
その時の重合性単量体の組成比などは重合条件等に依存
するが、好ましい組成比、重合条件などは簡単なテスト
により確認できる。例えば、モノマー及び酸化剤を好ま
しくは溶液の形態において、前後して別々にまたは一緒
に金属箔の酸化皮膜層に塗布して形成する方法（特開平
２−１５６１１号公報や特開平１０−３２１４５号公
報）等が利用できる。一般に導電性重合体には、アリー
ルスルホン酸塩系ドーパント、例えばベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アン
トラセンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸などの
塩をドーパント供与剤として用いることができる。
【００５２】固体電解質層（７）の表面に、カーボンペ
ースト層と金属粉含有導電性層を設けてコンデンサの陰
極部（８）が形成される（図３）。金属粉含有導電性層
は固体電解質層と密着接合し陰極として作用すると同時
に、最終コンデンサ製品（図４）の陰極リード端子
（９）を接合するための接着層となるものである。金属
粉含有導電性層の厚さは限定されないが、一般には１０
〜１００μｍ程度、好ましくは１０〜５０μｍ程度であ
る。
ースト層と金属粉含有導電性層を設けてコンデンサの陰
極部（８）が形成される（図３）。金属粉含有導電性層
は固体電解質層と密着接合し陰極として作用すると同時
に、最終コンデンサ製品（図４）の陰極リード端子
（９）を接合するための接着層となるものである。金属
粉含有導電性層の厚さは限定されないが、一般には１０
〜１００μｍ程度、好ましくは１０〜５０μｍ程度であ
る。
【００５３】本発明のコンデンサ素子は、少なくとも２
枚を積層した積層型のコンデンサとして通常用いられ
る。積層型固体電解コンデンサにおいては、リードフレ
ーム（１１）を面取り、つまり稜角の部分を少し平らに
削ったり、丸味をつけたりするリードフレーム形状にし
ても良い。
枚を積層した積層型のコンデンサとして通常用いられ
る。積層型固体電解コンデンサにおいては、リードフレ
ーム（１１）を面取り、つまり稜角の部分を少し平らに
削ったり、丸味をつけたりするリードフレーム形状にし
ても良い。
【００５４】また、リード端子（９）、（１３）の役目
をリードフレームの対向する陰極ボンディング部、陽極
ボンディング部にもたせたものとして使用しても良い。
をリードフレームの対向する陰極ボンディング部、陽極
ボンディング部にもたせたものとして使用しても良い。
【００５５】リードフレームの材料は一般的に使用され
るものであれば特に制限はないが、好ましくは銅系（例
えばＣｕ−Ｎｉ系、Ｃｕ−Ａｇ系、Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｃｕ
−Ｆｅ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｇ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系、
Ｃｕ−Ｃｏ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｓｎ−
Ｎｉ−Ｐ系合金等）の材料もしくは表面に銅系の材料の
メッキ処理を施した材料で構成すればリードフレームの
形状の工夫により抵抗の減少、リードフレームの面取り
作業性が良好になる等の効果が得られる。
るものであれば特に制限はないが、好ましくは銅系（例
えばＣｕ−Ｎｉ系、Ｃｕ−Ａｇ系、Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｃｕ
−Ｆｅ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｇ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系、
Ｃｕ−Ｃｏ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｓｎ−
Ｎｉ−Ｐ系合金等）の材料もしくは表面に銅系の材料の
メッキ処理を施した材料で構成すればリードフレームの
形状の工夫により抵抗の減少、リードフレームの面取り
作業性が良好になる等の効果が得られる。
【００５６】固体電解コンデンサ（１４）は、図４に断
面図を示す通り、陽極部（１２）に接合したリードフレ
ーム（１１）にリード端子（１３）を接合し、固体電解
質層（７）、カーボンペースト層および金属粉含有導電
性層からなる陰極部（８）にリード線（９）を接合し、
さらに全体をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂（１５）で封
止して得られる。
面図を示す通り、陽極部（１２）に接合したリードフレ
ーム（１１）にリード端子（１３）を接合し、固体電解
質層（７）、カーボンペースト層および金属粉含有導電
性層からなる陰極部（８）にリード線（９）を接合し、
さらに全体をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂（１５）で封
止して得られる。
【００５７】
【実施例】以下に本発明について代表的な例を示し、さ
らに具体的に説明する。なお、これらは説明のための単
なる例示であって、本発明はこれらに何等制限されるも
のではない。
らに具体的に説明する。なお、これらは説明のための単
なる例示であって、本発明はこれらに何等制限されるも
のではない。
【００５８】実施例１：エッチング処理工程
厚さ１５０μｍのアルミニウム箔を６０℃の第１電解液
（１０質量％塩酸＋０．５質量％硫酸水溶液）、３５℃
の第２電解液（１０質量％塩酸＋１．５質量％硫酸水溶
液）に浸漬して、交流電解エッチングを行った。さらに
３質量％硝酸水溶液でケミカルエッチングを行った。
（１０質量％塩酸＋０．５質量％硫酸水溶液）、３５℃
の第２電解液（１０質量％塩酸＋１．５質量％硫酸水溶
液）に浸漬して、交流電解エッチングを行った。さらに
３質量％硝酸水溶液でケミカルエッチングを行った。
【００５９】化成処理工程
アルミニウム箔を次の化成条件で検討した。蓚酸アンモ
ニウム水溶液中に浸して１３Ｖの電圧を印加して化成
し、珪酸ソーダ水溶液（５質量％）に入れ１３Ｖの電圧
で二次化成する。次に５００℃で熱処理して、三次化成
としてアジピン酸アンモニウム水溶液中に浸して１３Ｖ
の電圧を印加して、誘電体皮膜を形成した。このように
して得られた皮膜表面における水の接触角は、ゴニオメ
ータ式接触角測定器で測定し７２度を示した。
ニウム水溶液中に浸して１３Ｖの電圧を印加して化成
し、珪酸ソーダ水溶液（５質量％）に入れ１３Ｖの電圧
で二次化成する。次に５００℃で熱処理して、三次化成
としてアジピン酸アンモニウム水溶液中に浸して１３Ｖ
の電圧を印加して、誘電体皮膜を形成した。このように
して得られた皮膜表面における水の接触角は、ゴニオメ
ータ式接触角測定器で測定し７２度を示した。
【００６０】固体電解質形成工程
化成処理層領域に以下のようにして固体電解質を形成し
た。
た。
【００６１】すなわち、アルミ箔を３，４−エチレンジ
オキシチオフェン ２０質量％を含むイソプロパノール
溶液（溶液１）に浸漬し、引き上げて２５℃で５分間放
置した。次にモノマー溶液処理したアルミ箔部分を２−
アントラキノンスルホン酸ナトリウム（東京化成社製）
が0.07質量％となるように調製した過硫酸アンモニウム
水溶液３０質量％を含む水溶液（溶液２）に浸漬し、こ
れを６０℃で１０分間乾燥し、酸化重合を行った。溶液
１に浸漬してから溶液２に浸漬し酸化重合を行う操作を
２５回繰返して固体電解質層を形成した。金属製ガイド
からアルミニウム箔を切り出し、図３に示すような固体
電解コンデンサ素子として得た。
オキシチオフェン ２０質量％を含むイソプロパノール
溶液（溶液１）に浸漬し、引き上げて２５℃で５分間放
置した。次にモノマー溶液処理したアルミ箔部分を２−
アントラキノンスルホン酸ナトリウム（東京化成社製）
が0.07質量％となるように調製した過硫酸アンモニウム
水溶液３０質量％を含む水溶液（溶液２）に浸漬し、こ
れを６０℃で１０分間乾燥し、酸化重合を行った。溶液
１に浸漬してから溶液２に浸漬し酸化重合を行う操作を
２５回繰返して固体電解質層を形成した。金属製ガイド
からアルミニウム箔を切り出し、図３に示すような固体
電解コンデンサ素子として得た。
【００６２】チップ積層型固体電解コンデンサ素子の構
築と試験 固体電解コンデンサ素子をマスキング層を含む部分をリ
ードフレーム上に銀ペーストで接合しながら３枚重ね、
導電性重合体のついていない部分に陽極リード端子を溶
接により接続し、全体をエポキシ樹脂で封止し、１２０
℃で定格電圧を印加して２時間エージングして合計３０
個のチップ型固体電解コンデンサを作製した。作製した
積層型固体電解コンデンサの断面図を図４に示す。この
積層型固体電解コンデンサ素子について、２３０℃の温
度領域を３０秒通過させることによりリフロー試験を行
い、定格電圧印加後１分後の漏れ電流を測定し、測定値
が１ＣＶ以下のものについて漏れ電流の平均値（μＡ）
を求め、0.04ＣＶ以上を不良品として「不良品数／評価
数」を求めリフロー耐熱不良率とした。これらの結果を
表２に示す。
築と試験 固体電解コンデンサ素子をマスキング層を含む部分をリ
ードフレーム上に銀ペーストで接合しながら３枚重ね、
導電性重合体のついていない部分に陽極リード端子を溶
接により接続し、全体をエポキシ樹脂で封止し、１２０
℃で定格電圧を印加して２時間エージングして合計３０
個のチップ型固体電解コンデンサを作製した。作製した
積層型固体電解コンデンサの断面図を図４に示す。この
積層型固体電解コンデンサ素子について、２３０℃の温
度領域を３０秒通過させることによりリフロー試験を行
い、定格電圧印加後１分後の漏れ電流を測定し、測定値
が１ＣＶ以下のものについて漏れ電流の平均値（μＡ）
を求め、0.04ＣＶ以上を不良品として「不良品数／評価
数」を求めリフロー耐熱不良率とした。これらの結果を
表２に示す。
【００６３】実施例２〜１０：実施例２〜１０は実施例
１と同様に次の表１に示す化成条件で化成し、得られた
皮膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に
示した。また、実施例１と同様に積層型固体電解コンデ
ンサを作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いその
結果を表２に示す。
１と同様に次の表１に示す化成条件で化成し、得られた
皮膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に
示した。また、実施例１と同様に積層型固体電解コンデ
ンサを作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いその
結果を表２に示す。
【００６４】実施例１１：実施例２において、アルミ箔
の厚みを１５０μｍの代わりに３００μｍにした他は、
同様にして得られた皮膜表面における水の接触角を測定
しその結果を表１に示し、積層型固体電解コンデンサを
作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いその結果を
表２に示す。
の厚みを１５０μｍの代わりに３００μｍにした他は、
同様にして得られた皮膜表面における水の接触角を測定
しその結果を表１に示し、積層型固体電解コンデンサを
作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いその結果を
表２に示す。
【００６５】実施例１２：実施例１において、熱処理温
度を２５０℃以下で処理した他は、同様にして得られた
皮膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に
示し、積層型固体電解コンデンサを作製し、漏れ電流測
定、リフロー試験を行いその結果を表２に示す。
度を２５０℃以下で処理した他は、同様にして得られた
皮膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に
示し、積層型固体電解コンデンサを作製し、漏れ電流測
定、リフロー試験を行いその結果を表２に示す。
【００６６】参考例１：実施例１においてアルミニウム
箔の代わりに市販のエッチドアルミニウム箔を用い、エ
ッチング処理工程を除いた他は、同様にして得られた皮
膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に示
し、積層型固体電解コンデンサを作製し、漏れ電流測
定、リフロー試験を行いその結果を表２に示す。
箔の代わりに市販のエッチドアルミニウム箔を用い、エ
ッチング処理工程を除いた他は、同様にして得られた皮
膜表面における水の接触角を測定しその結果を表１に示
し、積層型固体電解コンデンサを作製し、漏れ電流測
定、リフロー試験を行いその結果を表２に示す。
【００６７】参考例２：実施例１において得られた化成
箔を、希薄なシリコーンオイルに浸して、乾燥したアル
ミニウム箔の皮膜表面における水の接触角を測定しその
結果を表１に示し、この箔を用いて積層型固体電解コン
デンサを作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いそ
の結果を表２に示す。
箔を、希薄なシリコーンオイルに浸して、乾燥したアル
ミニウム箔の皮膜表面における水の接触角を測定しその
結果を表１に示し、この箔を用いて積層型固体電解コン
デンサを作製し、漏れ電流測定、リフロー試験を行いそ
の結果を表２に示す。
【００６８】実施例１３：実施例２において、過硫酸ア
ンモニウムに代えて硫酸第２鉄を、また３，４−エチレ
ンジオキシチオフェンに代えて１，３−ジヒドロイソチ
アナフテンとした以外は、実施例１と同様にして３０個
のコンデンサを完成させた。これらコンデンサ素子の特
性評価を実施例１と同様に行い、その結果を表２に示し
た。
ンモニウムに代えて硫酸第２鉄を、また３，４−エチレ
ンジオキシチオフェンに代えて１，３−ジヒドロイソチ
アナフテンとした以外は、実施例１と同様にして３０個
のコンデンサを完成させた。これらコンデンサ素子の特
性評価を実施例１と同様に行い、その結果を表２に示し
た。
【００６９】実施例１４：実施例１において、３，４−
エチレンジオキシチオフェンに代えてピロールとした以
外は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成
させた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と
同様に行い、その結果を表２に示した。
エチレンジオキシチオフェンに代えてピロールとした以
外は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成
させた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と
同様に行い、その結果を表２に示した。
【００７０】実施例１５：実施例１において、３，４−
エチレンジオキシチオフェンに代えてフランとした以外
は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成さ
せた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と同
様に行い、その結果を表２に示した。
エチレンジオキシチオフェンに代えてフランとした以外
は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成さ
せた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と同
様に行い、その結果を表２に示した。
【００７１】実施例１６：実施例１において、３，４−
エチレンジオキシチオフェンに代えてアニリンとした以
外は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成
させた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と
同様に行い、その結果を表２に示した。
エチレンジオキシチオフェンに代えてアニリンとした以
外は、実施例１と同様にして３０個のコンデンサを完成
させた。これらコンデンサ素子の特性評価を実施例１と
同様に行い、その結果を表２に示した。
【表１】
【００７２】
【表２】
【００７３】
【発明の効果】本発明により得られる効果は次の通りで
ある。 （１）陽極箔、例えばアルミニウム箔は、エッチングを
施し、次に化成で得られる誘電体皮膜上の接触角が１０
〜１００度になるように化成を施すことが出きる。従っ
て、切断エッジ部からの漏れ電流が大幅に少なくなり、
さらに、固体電解質の形成が均一に起こりやすく、かつ
重合体が付着しやすくなる。また、均一な皮膜と重合体
の均一な付着により、製作後のコンデンサにおいてＥＳ
Ｒの低下がみられ、容量の向上がみられ、総合的にコン
デンサの歩留まりが向上する。 （２）要求される厚さでの陽極箔のエッチング設計がで
き、コンデンサとして任意の大容量を得ることができ
る。
ある。 （１）陽極箔、例えばアルミニウム箔は、エッチングを
施し、次に化成で得られる誘電体皮膜上の接触角が１０
〜１００度になるように化成を施すことが出きる。従っ
て、切断エッジ部からの漏れ電流が大幅に少なくなり、
さらに、固体電解質の形成が均一に起こりやすく、かつ
重合体が付着しやすくなる。また、均一な皮膜と重合体
の均一な付着により、製作後のコンデンサにおいてＥＳ
Ｒの低下がみられ、容量の向上がみられ、総合的にコン
デンサの歩留まりが向上する。 （２）要求される厚さでの陽極箔のエッチング設計がで
き、コンデンサとして任意の大容量を得ることができ
る。
【００７４】
【図１】 本発明の方法を実施するため金属支持体に取
り付ける陽極箔の配置を示す図。
り付ける陽極箔の配置を示す図。
【図２】 （Ａ）〜（Ｃ）は本発明の固体電解コンデン
サ用陽極箔の製造工程の説明図。
サ用陽極箔の製造工程の説明図。
【図３】 本発明の固体電解コンデンサ素子の断面図。
【図４】 本発明の固体電解コンデンサ素子からの積層
型固体電解コンデンサ例の断面図。
型固体電解コンデンサ例の断面図。
１ 弁作用金属箔（アルミニウム箔）
２ 陽極端部
３ 導電体層を形成する領域
４ マスキング
５ エッチング領域
６ 化成処理域
７ 固体電解質層
８ 陰極部
９ 陰極リード端子
１０ 金属製支持体（ガイド）
１１ リードフレーム
１２ 陽極部
１３ 陽極リード端子
１４ 固体電解コンデンサ
１５ 絶縁性樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小林 賢起
長野県大町市大字大町6850番地 昭和電工
株式会社大町生産・技術統括部内
(72)発明者 橋本 明
大阪府堺市海山町６丁224番 昭和電工株
式会社堺事業所内
Claims (18)
- 【請求項１】 微細孔を有する弁作用金属を化成処理し
て誘電体皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製
造する方法において、化成処理がシュウ酸、アジピン
酸、ホウ酸、リン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から
選ばれた少なくとも１種を含む電解液で一次化成する工
程、該一次化成電解液とは異なる組成の電解液で二次化
成する工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ
用陽極箔の製造方法。 - 【請求項２】 微細孔を有する弁作用金属を化成処理し
て誘電体皮膜を有する固体電解コンデンサ用陽極箔を製
造する方法において、化成処理がシュウ酸、ホウ酸、リ
ン酸、ケイ酸及びその塩からなる群から選ばれた少なく
とも１種を含む電解液で一次化成する工程を経て、次い
でそれを熱処理する工程、そしてアジピン酸またはその
塩を含む電解液で二次化成する工程を含むことを特徴と
する固体電解コンデンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項３】 化成する工程が、２０Ｖ未満の電圧によ
る化成処理である請求項１または２に記載の固体電解コ
ンデンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項４】 熱処理する工程が、２５０℃以上である
請求項２または３に記載の固体電解コンデンサ用陽極箔
の製造方法。 - 【請求項５】 弁作用金属が、アルミニウム箔である請
求項１乃至４のいずれかひとつに記載の固体電解コンデ
ンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項６】 アルミニウム箔が、０．０５〜１ｍｍの
厚さを有するものである請求項５に記載の固体電解コン
デンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかひとつに記載
の陽極箔の製造方法で得られた誘電体皮膜の表面が、１
０〜１００度の接触角を有することを特徴とする固体電
解コンデンサ用陽極箔。 - 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれかひとつに記載
の陽極箔の製造方法を経て、次いで該陽極箔上に固体電
解質を形成し、その上に導電体を形成することを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載の陽極箔上に、固体電解
質を形成し、その上に導電体を形成する工程を含む固体
電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 固体電解コンデンサを作製した時に陽
極箔の陽極端部となる領域と導電体層を形成する陰極と
なる領域との境界部に予めマスキングを施す請求項８ま
たは９に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項７に記載の陽極箔上に、固体電
解質層および導電層を順次有する固体電解コンデンサ。 - 【請求項１２】 請求項８乃至１０のいずれかひとつに
記載の固体電解コンデンサの製造方法を含む製造プロセ
スから製造された固体電解コンデンサ。 - 【請求項１３】 固体電解質層が、導電性重合体を含む
ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の固体電
解コンデンサ。 - 【請求項１４】 導電性重合体が、複素五員環を含む化
合物またはアニリン骨格を有する化合物の重合体を含ん
だものである請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項１５】 複素五員環を含む化合物が、ピロー
ル、チオフェン、フラン、多環状スルフィド及びそれら
の置換誘導体から選ばれた少なくとも１種である請求項
１４に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項１６】 複素五員環を含む化合物が、下記一般
式（I） 【化１】 （式中、置換基Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素
原子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルキルエ
ステル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級
もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換
フェニル基からなる群から選ばれる一価の基を表わす。
またＲ1またはＲ2の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結
合して、かかる基により置換を受けている炭素原子とと
もに少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽和または不
飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成しても
よい。前記環状結合鎖にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノの結合を任意に含んでもよい。）で示される
化合物である請求項１４に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項１７】 複素五員環を含む化合物が、３，４−
エチレンジオキシチオフェン及び１，３−ジヒドロイソ
チアナフテンから選ばれる化合物である請求項１４に記
載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項１８】 請求項７に記載の陽極箔に固体電解質
層および導電体層を有するコンデンサ素子を複数枚積層
してなる積層型固体電解コンデンサ。
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