JP4771218B2 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4771218B2 JP4771218B2 JP2006122760A JP2006122760A JP4771218B2 JP 4771218 B2 JP4771218 B2 JP 4771218B2 JP 2006122760 A JP2006122760 A JP 2006122760A JP 2006122760 A JP2006122760 A JP 2006122760A JP 4771218 B2 JP4771218 B2 JP 4771218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- anode substrate
- layer
- valve metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
1.微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極基体であって、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて形成される切断表面を有することを特徴とする固体電解コンデンサ用陽極基体。
2.微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極基体であって、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて微細孔を有する弁金属層端面を覆うことにより生じる弁金属延伸層が下記の条件式:
3.陽極基体が平板状または箔状であり、切断開始側の陽極基体表面と切断面との間の稜辺内部の角度が90°超135°以下の範囲内の角度で切断を行なうことにより得られる前記2に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
4.陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分の切断除去を行なって得られる前記2に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
5.陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を含む稜辺の面取りを行なって得られる前記2に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
6.陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を含む稜辺に整形部材を押し当てることにより突出を解消して得られる前記2に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
7.微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極基体であって、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて形成される切断表面の短軸方向に対して斜めもしくは平行な溝を含む前記2に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
8.斜めもしくは平行な溝の幅が0.1〜1000μmを含む前記7に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
9.斜めもしくは平行な溝のピッチが0.1〜100μmを含む前記7に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
10.斜めもしくは平行な溝の深さが0.1〜10μmである前記7に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
11.陽極基体がアルミニウムである前記1〜10のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
12.陽極基体が微細孔を有するアルミニウム化成箔を切断機により短冊状に切断し製造されたものである前記11に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
13.前記1〜12のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。
14.微細孔を有する弁作用金属表面に形成された誘電体皮膜上にモノマーを酸化剤により重合させて導電性重合体組成物を含む固体電解質層を設けた固体電解コンデンサの製造方法において、前記1〜12のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体を用い、モノマーを含む溶液に浸漬後乾燥する工程(工程1)、酸化剤を含む溶液に浸漬後乾燥する工程(工程2)を含む方法により、誘電体皮膜層を有する弁作用金属に固体電解質層を設けることを特徴とする前記13に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
15.誘電体皮膜層を有する弁作用金属をモノマー化合物を含む溶液に浸漬後乾燥する工程1、酸化剤を含む溶液に浸漬後乾燥する工程2を複数回繰り返す方法により誘電体皮膜層を有する弁作用金属に固体電解質層を設けることを特徴とする前記14に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
16.酸化剤が過硫酸塩である前記14または15に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
17.酸化剤を含む溶液が有機微粒子を含む懸濁液である前記14〜16のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
18.有機微粒子の平均粒子径(D50)が、1〜20μmの範囲である前記17に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
19.有機微粒子が脂肪族スルホン酸化合物、芳香族スルホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物、芳香族カルボン酸化合物、それらの塩、及びペプチド化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種である前記18に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
20.前記14〜19のいずれかに記載の製造方法で製造された固体電解コンデンサ。
本発明の陽極基体は、微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極基体であって、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて形成される切断表面を有するものであり、典型的には、微細孔を有しない弁金属を中心に含み、微細孔を有する弁金属層を外周に含む金属基体、好ましくは平板状または箔状の陽極基体である。
すなわち、典型例におけるその厚み方向の断面形状は図1に示すようなものである。
なお、本発明における弁金属延伸層(もしくはバリ)は、微細孔を有する弁金属層を実質的に含まず、前記微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて形成される切断表面を有する弁金属延伸層である。
すなわち、本発明の微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極其体に含まれる微細孔を有しない弁金属層は、切断の際に切断刃に引き摺られ、追随して引き伸ばされて形成される切断表面に溝を含んでいることが好ましく、切断表面の短軸方向に対して斜めもしくは平行な溝を含むことがより好ましい。より具体的には、切断表面の短軸方向に対して、好ましくは0度以上〜80度以下、より好ましくは0度以上〜45度以下、特に好ましくは0度以上〜30度以下の範囲で斜めもしくは平行な溝である。この斜めもしくは平行な溝が切断表面の短軸方向に対して80度を越える場合は、もはや溶液を保持する能力が低下し好ましくない。
なお微細な粉末を円盤状刃ユニットの刃表面に付着させ切断する場合は、粉末が凝集し二次粒子を形成するために使用する粉末径よりも部分的に溝のサイズが大きくなる場合があるが本発明においては特に問題なく使用できる。
陽極基体としては、これら金属の多孔質焼結体、エッチング等で表面処理された板(リボン、箔等を含む。)、線等が使用できるが、好ましくは平板状、箔状のものであり、より好ましくは微細孔を有するアルミニウム化成箔を切断機により短冊状に切断し製造したものである。
(1)切断開始側の陽極基体表面と切断面との間の稜辺内部の角度が(すなわち、図1中、角αで示す切断角の補角が)90°超135°以下の範囲内の角度で切断を行なう。
(2)弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を生じた場合において、その突出部分の切断を行なう
(3)弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を生じた場合において、その突出部分を含む稜辺の面取りを行なう。
(4)弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を生じた場合において、その突出部分を含む稜辺に整形部材を押し当てることにより突出部分を解消する。
(1)〜(3)は、例えば、2枚の刃を重ね合わせた切断機を使用することによって実施することができる。特に(1)は厚刃と薄刃の2枚の刃を合わせてなる複数の円盤状刃ユニットを微小な間隙を隔てて互い違いに配設することにより、一の円盤状刃ユニットの厚刃と他の円盤状刃ユニットの薄刃の間で切断を行ない得るようにしたスリッタを用い、陽極基体の原板を前記互い違いに配設した円盤状刃ユニット間に通して刃の切断方向に対して1〜15度傾いた方向に排出されるように前記間隙を調整して切断することにより実現できる。
金属多孔体の表面に誘電体酸化皮膜を形成する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、アルミニウム箔を使用する場合には、ホウ酸、リン酸、アジピン酸、またはそれらのナトリウム塩、アンモニウム塩などを含む水溶液中で陽極酸化して酸化皮膜を形成することができる。また、タンタル粉末の焼結体を使用する場合には、リン酸水溶液中で陽極酸化して、焼結体に酸化皮膜を形成することができる。
以下、本発明における微細孔を有する弁作用金属表面に形成された誘電体皮膜上に固体電解質層を形成する方法について順を追って説明する。
また、浸漬温度は、−10〜60℃が好ましく、0〜40℃が特に好ましい。−10℃未満では、溶剤が揮発するのに時間がかかり反応時間が長くなることから好ましくなく、60℃を超えると、溶剤及びモノマーの揮発を無視することができず濃度管理が困難になる。
本発明の工程2において用いられる溶液の溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン(THF)やジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ベンゾニトリル、N−メチルピロリジノン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロトン性極性溶媒;メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール類、または水あるいはこれらの混合溶媒を用いることができる。好ましくは、水、アルコール類またはケトン類あるいはそれらの混合系が望ましい。
可溶性の有機微粒子としては、平均粒子径(D50)が0.1〜20μmの範囲であることが好ましく、0.5〜15μmであることがより好ましい。可溶性の有機微粒子の平均粒子径(D50)が、20μmを超えると重合膜に形成される間隙が大きくなるため好ましくなく、0.1μm未満では、付着液の増量効果はなくなり水と同等になる。
本発明の方法では、形成される導電性重合体組成物を湿度、熱、応力等に耐性を有する厚さにするために含浸回数を制御する必要がある。
また、上記モノマー群から選ばれる化合物を併用し、共重合体として固体電解質を形成させても良い。その時の重合性単量体の組成比などは重合条件等に依存するものであり、好ましい組成比、重合条件は簡単なテストにより確認できる。
例えば、EDTモノマー及び酸化剤を好ましくは溶液の形態において、前後して別々にまたは一緒に金属箔の酸化皮膜層に塗布して形成する方法等が利用できる(特許第3040113号公報、米国特許第6229689号公報)。
こうして形成された導電性重合体組成物層の上に、陰極リード端子との電気的接触を良くするために導電体層を設けることが好ましい。導電体層は例えば導電ペースト、メッキや蒸着、導電樹脂フィルムの貼付等により形成される。
かくして得られる固体電解コンデンサ素子は、図3に示すように、通常、それを複数個積層し陽極端子に陽極リード線(6)を接続して、固体電解質層(4)上の導電体層(図示せず)には陰極リード線(7)を接続し、さらに全体に例えば樹脂モールド(8)、樹脂ケース、金属製の外装ケース、樹脂ディッピング等による外装を施すことにより、各種用途の固体電解コンデンサ(9)製品とする。
図1におけるxが30μm、y/z=0.3であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図4に示す。また、切断表面の拡大写真を図10に示す。このアルミニウム化成箔を短軸方向3mm×長軸方向10mmに切り出し、長軸方向を4mmと5mmの部分に区切るように、両面に幅1mmのポリイミド溶液を周状に塗布、乾燥させマスキングを作成した。この化成箔の3mm×4mmの部分を、10質量%のアジピン酸アンモニウム水溶液で4Vの電圧を印加して切り口部分に化成し、誘電体酸化皮膜を形成した。次に、このアルミニウム箔の3mm×4mmの部分を、3,4−エチレンジオキシチオフェンを溶解させた2.0mol/Lのイソプロピルアルコール(IPA)溶液に5秒間含浸し、これを室温で5分間乾燥し、2−アントラキノンスルホン酸ナトリウム(D50=11μm;シスメックス(株)製マスターサイザーを用いて測定。)が0.07質量%となるように調整した1.5mol/Lの過硫酸アンモニウム水溶液に5秒間浸漬した。続いてこのアルミニウム箔を40℃の大気中で10分間放置して酸化的重合を行った。さらにこの浸漬工程及び重合工程を全体で22回となるようにして、導電性重合体の固体電解質層をアルミニウム箔の外表面に形成した。最終的に生成したポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を50℃温水中で洗浄し、その後100℃で30分乾燥を行い、固体電解質層を形成した。
断面形状の顕微鏡観察によるコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は、22μmであった。次に、固体電解質層を形成した3mm×4mmの部分を、15質量%アジピン酸アンモニウム溶液中に浸漬し、固体電解質層を形成していない部分の弁作用金属箔に陽極の接点を設けて3.8Vの電圧を印加し、再化成を行った。
図1におけるxが30μm、y/z=0.5であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図5に示す。このアルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は19μmであった。
図1におけるxが30μm、y/z=0.8であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図6に示す。このアルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は17μmであった。
図1におけるxが30μm、y/z=1.0であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図7に示す。本アルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。なお、本アルミニウム化成箔は、短冊状に切断し回転軸に巻き取ったアルミニウム化成箔を切断面を下にして平板に押し付け突起部分を折り曲げて除去することにより製造した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は15μmであった。
図1におけるxが30μm、y/z=0.5であり、切断角αの補角(図1参照)が100°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。このアルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度100°の切断部分)の膜厚は21μmであった。
図1におけるxが30μm、y/z=1.2であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図8に示す。このアルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は3μmであった。
図1におけるxが30μm、y/z=1.5であり、切断角αの補角(図1参照)が110°、全体の厚さ(H)が110μmであるアルミニウム化成箔を使用した。断面形状の拡大写真を図9に示した。このアルミニウム化成箔を使用すること以外は実施例1と同様にして固体電解質を形成した。
実施例1と同様にして測定したコーナー部分(稜辺内部角度110°の切断部分)の膜厚は1μmであった。
2 誘電体(酸化皮膜)層
3 マスキング
4 半導体(固体電解質)層
5 導電体層
6,7 リード線
8 封止樹脂
9 固体電解コンデンサ
Claims (18)
- 微細孔を有する弁金属層と微細孔を有しない弁金属層とを含む金属基板を斜め切断した陽極基体であって、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて形成される切断表面を有し、微細孔を有しない弁金属層が切断刃に追随して引き伸ばされて微細孔を有する弁金属層端面を覆うことにより生じる弁金属延伸層が下記の条件式:
0≦y/z≦1
(式中、yは前記弁金属延伸層の基板厚み方向における厚さ、zは前記延伸層と接触している微細孔を有する弁金属層の基板厚み方向における厚さをそれぞれ表わす。)を満たし、前記切断表面の短軸方向に対して斜めもしくは平行な溝を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ用陽極基体。 - 陽極基体が平板状または箔状であり、切断開始側の陽極基体表面と切断面との間の稜辺内部の角度が90°超135°以下の範囲内の角度で切断を行なうことにより得られる請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分の切断除去を行なって得られる請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を含む稜辺の面取りを行なって得られる請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 陽極基体が平板状または箔状であり、弁金属延伸層が陽極基体表面より突出した部分を含む稜辺に整形部材を押し当てることにより突出を解消して得られる請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 斜めもしくは平行な溝の幅が0.1〜100μmである請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 斜めもしくは平行な溝のピッチが0.1〜100μmである請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 斜めもしくは平行な溝の深さが0.1〜10μmである請求項1に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 陽極基体がアルミニウムである請求項1〜8のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 陽極基体が微細孔を有するアルミニウム化成箔を切断機により短冊状に切断し製造されたものである請求項9に記載の固体電解コンデンサ用陽極基体。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。
- 微細孔を有する弁作用金属表面に形成された誘電体皮膜上にモノマーを酸化剤により重合させて導電性重合体組成物を含む固体電解質層を設けた固体電解コンデンサの製造方法において、請求項1〜10のいずれかに記載の固体電解コンデンサ用陽極基体を用い、モノマーを含む溶液に浸漬後乾燥する工程(工程1)、酸化剤を含む溶液に浸漬後乾燥する工程(工程2)を含む方法により、誘電体皮膜層を有する弁作用金属に固体電解質層を設けることを特徴とする請求項11に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 誘電体皮膜層を有する弁作用金属をモノマー化合物を含む溶液に浸漬後乾燥する工程1、酸化剤を含む溶液に浸漬後乾燥する工程2を複数回繰り返す方法により誘電体皮膜層を有する弁作用金属に固体電解質層を設けることを特徴とする請求項12に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 酸化剤が過硫酸塩である請求項12または13に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 酸化剤を含む溶液が有機微粒子を含む懸濁液である請求項12〜14に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 有機微粒子の平均粒子径(D50)が、1〜20μmの範囲である請求項15に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 有機微粒子が脂肪族スルホン酸化合物、芳香族スルホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物、芳香族カルボン酸化合物、それらの塩、及びペプチド化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項16に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 請求項12〜17のいずれかに記載の製造方法で製造された固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006122760A JP4771218B2 (ja) | 2005-04-27 | 2006-04-27 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005130110 | 2005-04-27 | ||
JP2005130110 | 2005-04-27 | ||
JP2006122760A JP4771218B2 (ja) | 2005-04-27 | 2006-04-27 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332632A JP2006332632A (ja) | 2006-12-07 |
JP4771218B2 true JP4771218B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=37553945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006122760A Active JP4771218B2 (ja) | 2005-04-27 | 2006-04-27 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4771218B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01251605A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-06 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2002158144A (ja) * | 2000-01-17 | 2002-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
JP4071469B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2008-04-02 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用陽極箔、該陽極箔の製造方法及び該陽極箔を用いた固体電解コンデンサ |
JP2004296611A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tdk Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006122760A patent/JP4771218B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006332632A (ja) | 2006-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4899438B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US7388741B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same | |
JP4836887B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ | |
US6867088B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same | |
TWI430305B (zh) | Solid electrolytic capacitors | |
WO2018020985A1 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
KR100279098B1 (ko) | 고체전해콘덴서의제조방법 | |
JP4683318B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
KR102104424B1 (ko) | 고체전해콘덴서의 제조방법 및 고체전해콘덴서 | |
US7697267B2 (en) | Capacitor and method for manufacturing same | |
JP2005109252A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4895172B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP5145940B2 (ja) | 固体電解質の製造方法、および固体電解コンデンサ | |
JP2004186684A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP5029937B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4771218B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4826237B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
TWI283877B (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same | |
JP2001006983A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4730654B2 (ja) | 固体電解質層形成方法及びこの方法を用いて製造される複合材料 | |
JP4126746B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
JP2006147900A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
WO2006118145A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2006324656A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2007165700A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090406 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4771218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |