TWI430305B - Solid electrolytic capacitors - Google Patents

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TWI430305B
TWI430305B TW095115067A TW95115067A TWI430305B TW I430305 B TWI430305 B TW I430305B TW 095115067 A TW095115067 A TW 095115067A TW 95115067 A TW95115067 A TW 95115067A TW I430305 B TWI430305 B TW I430305B
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Description

固體電解電容器
本發明係有關，使用導電性聚合物作為固體電解質層之固體電解電容器及其製造方法者。
固體電解電容器之基本元件，如圖2所示，一般而言，在由經過蝕刻處理之比表面積大的金屬箔所成陽極電極(1)上，形成介電體之氧化皮膜層(2)，於其外側形成作為對向電極之固體的半導體層(4)(以下稱為固體電解質)，因應需求尚形成導電糊料等導電體層(5)，製作而成。接著，將如此之元件單獨或層合後，連接於導線(6，7)，以環氧樹脂等密封樹脂(8)將全體完全封閉，作為固體電解電容器(9)零件，廣泛使用於電製品。
近年來，隨電機器之數位化、個人電腦之高速化，要求小型且大容量之電容器，於高頻率區域的低電阻之電容器。最近，有使用具電子傳導性之導電性聚合物作為固體電解質的提案。
一般而言，在介電體氧化皮膜上形成導電性聚合物之方法，有電解氧化聚合法及化學氧化聚合法。化學氧化聚合法，雖反應之控制或聚合膜形態之控制較為困難，但固體電解質之形成容易，且可於短時間大量生產之故，有各種方法之提案。例如有，藉由交替重複進行使陽極基體浸漬於含單體之溶液的步驟、與浸漬於含氧化劑之溶液的步驟，形成具有層狀結構之固體電解質的方法之揭示(專利文獻1：專利第3,187,380號公報，WO 9,928,932)。依此方法，藉由形成膜厚為0.01~5 μ m之層狀結構的固體電解質層，雖可製造高容量、低電阻，且耐熱性優越之固體電解電容器，為顯現此等之特性，必要形成將電容器元件之細孔內及外表面完全被覆的較厚固體電解質膜；為將複數之電容器層合，作為層合型電容器用之元件使用，要求固體電解質層全體一層之薄膜化。
有為在電容器元件之細孔內及外表面均勻形成固體電解質的技術之揭示。例如，在形成導電性聚合物之過程，藉由控制黏附於陽極體之氧化劑，在陽極體之外表面的黏附量之分佈狀態，可控制導電性聚合物之厚度的方法之揭示(專利文獻2：特開2003－188052號公報)。又，有對外周面，尤其隅角鄰之聚合膜形成極為重要的揭示(專利文獻3：特開2001－143968號公報)。
另一方面，有藉由去除電極箔之溢料，減少固體電解電容器之短路不良率的揭示(專利文獻4：特開平1－251605號公報及專利文獻5：特開2004－296611號公報)。專利文獻4中所謂溢料，係指切削時在電極箔之外側壁產生的部份；有藉由沖壓機使電極箔之切削端部成為楔型、凸狀、略半橢圓、略R狀、斜面之任一的組合之方法的揭示。以沖壓機成型，使存在於電極箔之多孔性層被破壞，以致信賴性降低。又，以沖壓進行後之溢料的狀態或電極箔之側面的微細結構，有關溢料在電極箔產生之由來等，均無明確的記載。另一方面，專利文獻5中有，藉由將預先切削而置入之閥金屬箔進行化成處理後予以物理切削，可防止閥金屬箔之溢料產生的記載。本方法，雖對溢料產生之防止有效，但切削後之切口產生新的金屬表面。因而，本閥金屬箔不能直接使用為電容器之電極，必要再重複煩雜的化成處理，非為經濟之方法。
專利文獻1：專利第3,187,380號公報
專利文獻2：特開2003-188052號公報
專利文獻3：特開2001-143968號公報
專利文獻4：特開平1-251605號公報
專利文獻5：特開2004-296611號公報
 [發明之揭示]
欲作為所定容量之固體電解電容器時，通常於將複數個電容器元件層合之陽極接頭，連接陽極導線，於含導電性聚合物之導電體層連接陰極導線，進而以環氧樹脂等絕緣性樹脂將全體封閉，製作而成；固體電解電容器，必要控制在電容器元件之陰極部份的導電性聚合物之聚合條件，使導電性聚合物增厚。不嚴密控制電容器元件陰極部份之導電性聚合物的聚合條件時，導電性聚合物之厚度成為不均勻的導電性聚合物之微薄部份，容易與糊料等介電體氧化皮膜層直接接觸，以致洩漏電流上升。又，在所定大小之固體電解電容器晶片可層合的電容器元件之枚數，由於元件之厚度的限制，固體電解電容器晶片之容量不能增大。尤其，在電容器元件之表面積較小的側面部及端面之稜邊部，導電性聚合物之黏附量容易造成不均勻，在導電性聚合物之微薄部份層合電容器元件時，有電容器元件容易直接接觸，易於引起洩漏電流上升的問題。
因此，本發明之課題係提供，全不增加短路不良，元件形狀之偏差極少，且可穩定製作薄電容器元件，能增加固體電解電容器晶片內之電容器元件的層合枚數而高容量化，進而等效串聯電阻之偏差小的層合型固體電解電容器元件及其製造方法。
本發明的工作同仁鑑於上述課題，經深入探討不斷研究之結果發現，將具有微細孔之陽極基體的傾斜切削的方法甚為有效。又，在將陽極基體傾斜切削之情況，查明陽極基體之不具微細孔的活門金屬，產生延伸之突出物。既知角落部份難以形成聚合膜，進而發現於此隅角部份形成突出物時妨礙聚合膜之形成，電容器元件與電容器元件容易直接接觸而造成洩漏電流的上升。尤其，陽極基體之不具微細孔的活門金屬，保持黏附於該表面之溶液的能力，比具有微細孔的多孔性層低之故，確認更進一步妨礙聚合膜之形成。
又，發現藉由在相對於陽極基體之不具微細孔的活門金屬層追隨切削刃延伸所形成之切削表面的短軸方向，具有傾斜或平行之溝的結構，可輔助無保持溶液之能力的該不具微細孔之活門金屬表面的吸液，容易形成聚合膜，且具有均勻之效果。
本發明的工作同仁又發現，藉由使用將稜邊之至少一部份倒稜的陽極基體，繼續在介電體皮膜上以氧化劑使單體進行聚合，形成固體電解質層之過程中，對活門作用金屬之隅角部及側面部進行均勻的聚合膜形成。即，發現藉由使陽極基體之隅角部及側面部的角度超過90°，對該隅角部可進行均勻的聚合膜形成。完成本發明。
進而，發現藉由在相對於施行倒稜之陽極基體的不具微細孔之活門金屬層追隨切削刃延伸所形成的切削表面之短軸方向，具有傾斜或平行之溝的結構，可輔助無保持溶液之能力的該部份表面之吸收，具有使聚合膜形成容易，且均勻的效果。
因此，本發明的工作同仁製造，將具有微細孔之陽極基體傾斜切削，且此時，使用陽極基體之不具微細孔的活門金屬延伸部份不超越陽極基體之外周的切削箔之固體電解電容器；如此而得之固體電解電容器，確認提升在介電體上所形成的固體電解質之密著性、高容量且介電損耗(tan δ)、洩漏電流、不良率極小。進而，藉由將複數個上述之諸時性優越的固體電解電容器元件予以層合，確認能進行電容器之小型．高容量化。
即，本發明係有關下述所示之固體電解電容器用陽極基板；含其之固體電解電容器；其固體電解電容器之製造方法；以其製造方法所製造之固體電解電容器；含稜邊之至少一部份倒稜的該陽極基體之固體電解電容器；使用其固體電解電容器，施行倒稜之固體電解電容器用陽極基體，在其固體電解電容器用陽極基體上設置介電體皮膜與固體電解質層、或在預先設置介電體皮膜之固體電解電容器用陽極基體上設置固體電解質層的固體電解電容器之製造方法；以其製造方法所製造之固體電解電容器者。
[1]一種固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之活門金屬層與不具微細孔之活門金屬層的金屬基板傾斜切削之陽極基體；其特徵為不具微細孔之活門金屬層具有追隨切削刃延伸所形成的切削表面。
[2]如上述[1]記載之固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之活門金屬層與不具微細孔之活門金屬層的金屬基板傾斜切削之陽極基體；不具微細孔之活門金屬層藉由追隨切削刃延伸，產生覆蓋具微細孔之活門金屬層端面的活門金屬延伸層，其滿足下述條件式：[數學式1]0≦y/z≦1(式中，y為該活門金屬延伸層之基板厚度方向的厚度；z為該延伸層接觸之具微細孔活門金屬層的基板方向厚度)。
[3]如上述[2]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；藉由以切削開始側之陽極基體表面與切削面間的稜邊內部之角度為90°以上135°以下的範圍進行切削而得。
[4]如上述[2]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；活門金屬延伸層係由陽極基體表面進行突出部份之切削去除而得。
[5]如上述[2]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；活門金屬延伸層係由陽極基體表面進行含突出部份之稜邊的倒稜而得。
[6]如上述[2]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；活門金屬延伸層係藉由自陽極基體表面進行將含突出部份之稜邊整體構件擠壓，消除突出而得。
[7]如上述[2]記載之固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之活門金屬層與不具微細孔之活門金屬層的金屬基板傾斜切削之陽極基體；相對於不具微細孔之活門金屬層追隨切削刃延伸所形成的切削表面之短軸方向，含有傾斜或平行之溝。
[8]如上述[7]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行之溝的寬度為0.1~1,000 μ m。
[9]如上述[7]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行之溝的間距為0.1~100 μ m。
[10]如上述[7]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行之溝的深度為0.1~10 μ m。
[11]如上述[1]~[10]項中任一項記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為鋁。
[12]如上述[11]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體係藉由切削機將具有微細孔之鋁化成箔切削為長方形而製造者。
[13]一種固體電解電容器，其特徵為含有上述[1]~[12]項中任一項記載之固體電解電容器用陽極基體。
[14]一種上述[13]記載之固體電解電容器的製造方法，其係在形成於具微細孔之閥作用金屬表面的介電體皮膜上，設置含有藉由氧化劑使單體聚合之導電性聚合物組成物的固體電解質層之固體電解電容器的製造方法；其特徵為採用上述[1]~[12]項中任一項記載之固體電解電容器用陽極基體，藉由包含：浸漬於含單體溶液後之乾燥步驟(步驟1)，浸漬於含氧化劑溶液後之乾燥步驟(步驟2)的方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
[15]一種上述[14]記載之固體電解電容器的製造方法，其係藉由將具有介電體皮膜層之閥作用金屬重複複數次：浸漬於含單體化合物溶液後，乾燥之步驟1，浸漬於含氧化劑溶液後，乾燥之步驟2的方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
[16]一種上述[14]或[15]記載之固體電解電容器的製造方法，其中氧化劑為過硫酸鹽。
[17]一種上述[14]~[16]項中任一項記載之固體電解電容器的製造方法，其中含氧化劑之溶液為含有機微粒子的懸浮液。
[18]一種上述[17]記載之固體電解電容器的製造方法，其中有機微粒子的平均粒徑(D5 0 )為1~20 μ m之範圍。
[19]一種上述[18]記載之固體電解電容器的製造方法，其中有機微粒子為選自脂肪族磺酸化合物、芳香族磺酸化合物、脂肪族羧酸化合物、芳香族羧酸化合物、此等之鹽、及肽化合物所成群之至少一種。
[20]一種固體電解電容器，其特徵為以上述[14]~[19]項中任一項記載之製造方法所製造。
[21]一種固體電解電容器，其特徵為含有使稜邊之至少一部份倒稜的上述[1]記載之陽極基體。
[22]如上述[21]記載之固體電解電容器，其中陽極基體為平板狀或箔狀；至少就設置固體電解質層區域而言，陽極基體之上面及/或下面、與側面及/或端面間的稜邊，經倒稜。
[23]如上述[22]記載之固體電解電容器，其中倒稜部位中，陽極基體之上面及/或下面、與側面及/或端面間的隅角部份之角度為90°以上未達180°。
[24]如上述[23]記載之固體電解電容器，其中陽極基體之側面及/或端面的厚度方向之剖面形狀，為尖端角度在90°以上未達180°之楔型。
[25]如上述[21]~[24]項中任一項記載之固體電解電容器，其中在倒稜後，陽極基體之上面與下面的寬度及/或長度相異。
[26]如上述[21]~[25]項中任一項記載之固體電解電容器，其中在倒稜後，陽極基體之側面及/或端面的厚度方向之剖面形狀，為三角形以上的凸多角形，構成該剖面形狀之隅角部份的各內角為90°以上未達180°。
[27]如上述[21]記載之固體電解電容器，其中陽極基體係，相對於施行倒稜處理之陽極基體中所含不具微細孔的活門金屬層追隨切削刃延伸所形成之切削表面的短軸方向，含有傾斜或平行溝之陽極基體。
[28]如上述[27]記載之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之寬度為0.1~100 μ m。
[29]如上述[27]記載之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之間距為0.1~100 μ m。
[30]如上述[27]記載之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之深度為0.1~10 μ m。
[31]如上述[21]~[30]項中任一項記載之固體電解電容器，其中陽極基體為活門作用金屬。
[32]一種固體電解電容器用陽極基體，其特徵為使用上述[21]~[31]項中任一項記載之固體電解電容器，稜邊之至少一部份施行倒稜。
[33]如上述[32]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之稜邊使切削刀傾斜施行倒稜。
[34]如上述[32]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之原板上將切條機傾斜，使上面與切削面間之稜邊內部的角度形成超過90°之陽極基體中間製品；接著，藉由在此中間製品下面側之稜邊，將切削刀傾斜，使與該切條機切削面間之稜邊內部的角度超過90°進行切削，成為施行上下兩稜邊倒稜之形狀。
[35]如上述[32]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之原板上將切條機傾斜，使下面與切削面間之稜邊內部的角度形成超過90°之陽極基體中間製品；接著，藉由在此中間製品上面側之稜邊，將切削刀傾斜，使與該切條機切削面間之稜邊內部的角度超過90°進行切削，成為施行上下兩稜邊倒稜之形狀。
[36]如上述[32]記載之固體電解電容器用陽極基體，其中藉由使厚刃與薄刃之2枚刀刃組合所成的複數圓盤狀刃單位，以微小空隙分隔且互為相異而配置；在其一之圓盤狀刃單位的厚刃與另一之圓盤狀刃單位的薄刃間，使用切條機進行切削，使陽極基體之原板通過該互為相異而配置的圓盤狀刃單位間，相對於刃之切削方面，調整該空隙使成為1~15度傾斜之方向排出，進行切削。
[37]如上述[32]記載之固體電解電容器用陽極基體，其係藉由將存在於具有旋轉彈性之支撐基體表面的研磨材料表面之被切削陽極基體的側面表面擠壓，而予以倒稜。
[38]一種固體電解電容器之製造方法，其特徵為在上述[28]~[37]項中任一項記載之固體電解電容器用陽極基體上，設置介電體皮膜與固體電解質層。
[39]一種固體電解電容器之製造方法，其特徵為在上述[28]~[37]項中任一項記載之預先設置介電體皮膜的固體電解電容器用陽極基體上，設置固體電解質層。
[40]如上述[38]或[39]記載之固體電解電容器的製造方法，其係藉由包含：浸漬於含單體之溶液後的乾燥步驟(步驟1)、浸漬於含氧化劑之溶液後的乾燥步驟(步驟2)之方法在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
[41]如上述[40]記載之固體電解電容器之製造方法，其係藉由將具有介電體皮膜層之閥作用金屬重複複數次：浸漬於含單體化合物之溶液後的乾燥步驟1、浸漬於含氧化劑之溶液後的乾燥步驟2之方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
[42]如上述[40]或[41]記載之固體電解電容器的製造方法，其中氧化劑為過硫酸鹽。
[43]如上述[40]或[41]記載之固體電解電容器的製造方法，其中含氧化劑之溶液為含有機微粒子之懸浮液。
[44]如上述[43]記載之固體電解電容器的製造方法，其中有機微粒子之平均粒徑(D50 )為0.1~20μm的範圍。
[45]如上述[43]或[44]記載之固體電解電容器的製造方法，其中有機微粒子為選自脂肪族磺酸化合物、芳香族磺酸化合物、脂肪族羧酸化合物、芳香族羧酸化合物，此等之鹽、及肽化合物所成群之至少一種。
[46]一種固體電解電容器，其特徵為以上述[38]~[45]項中任一項記載之製造方法所製造。
[用以實施發明之最佳形態]
參照圖式，說明本發明如下。
本發明之陽極基體，係將含有具微細孔之活門金屬層與不具微細孔之活門金屬層的金屬基板傾斜切削之陽極基體；不具微細孔之活門金屬層具有追隨切削刃延伸所形成的切削表面。典型而言，於核心含有不具微細孔之活門金屬，於外周含有具微細孔之活門金屬層的金屬基體，較佳為平板狀或箔狀之陽極基體。
即，典型例中其厚度方向之剖面形狀如圖1所示者。
圖1中，A1 及A2 為具有微細孔之活門金屬層(以下稱為微細孔層)、B為不具微細孔之活門金屬層、e為具有該B層追隨切削刃延伸所形成之切削表面的活門金屬延伸層(以下稱為活門金屬延伸層)又，x為不具微細孔之活門金屬層(該B層)的本來之厚度(即，僅為未延伸部份)，y為該延伸層e之基板厚度方向的厚度、z為具微細孔之活門金屬層(與該延伸層接觸側，即A2 )的基板厚度方向之厚度。在圖1中之箭頭方向切削陽極基體的情況，較柔軟之B層的端面拉出於切削刃，追隨延伸形成如圖1所示，產生具有切削表面之活門金屬延伸層e。
還有，本發明之活門金屬延伸層(或溢料)，實質上不含具有微細孔之活門金屬延伸層，該不具微細孔之活門金屬層，為具有追隨切削刃延伸所形成之切削表面的活門金屬延伸層。
本發明中，此活門金屬延伸層e必要下述條件式：[數學式2]0≦y/z≦1較佳為0≦y/z<1，更佳為0≦y/z≦0.95，最佳為0≦y/z0.90。
一般上，具微細孔之多孔性體，在存在於其表面之孔中以浸漬或噴霧等方法，將單體溶液及氧化劑溶液黏附或吸附於該表面，藉由維持其狀態，引起化學氧化聚合而形成聚合膜。不過，不具微細孔之活門金屬層，以浸漬或噴霧等方法黏附至表面之單體溶液及氧化劑溶液，由於其表面平滑之故而局部凝聚，凝聚的溶液形成液滴而流落之故不能保持，不能有效進行化學氧化聚合。本發明發現所形成的切削表面之溝，使不具微細孔之活門金屬層的平滑表面粗糙化，藉由提升在該表面之單體溶液及氧化劑溶液的溶液保持能力，可有效進行以往難以實施之不具微細孔的活門金屬表面或隅角部份之聚合膜形成。還有，本發明所形成之切削表面，包含具有其切削表面之不具微細孔的活門金屬延伸層之切削表面。
即，將本發明之含有具微細孔的活門金屬層、與不具微細孔之活門金屬層的金屬基板傾斜切削之之陽極基體中，所含之不具微細孔的活門金屬層，於切削之際，拉出於切削刃在追隨延伸所形成的切削表面，以含有溝為佳，以相對於切削表面的短軸方向、含有傾斜或平行之溝更佳。更具體而言，相對於切削表面之短軸方向，較佳為0度以上~80度以下，更佳為0度以上~45度以下，最佳為0度以上~30度以下之範圍的傾斜或平行之溝。此傾斜或平行之溝相對於切削表面的短軸方向超過80度時，保持溶液之能力降低甚不適合。
本發明中所形成的切削表面之溝的寬度，以0.1~1,000 μ m為佳，更佳為0.1~100 μ m，最佳為0.1~10 μ m。溝之寬度超過1,000 μ m時，寬度過寬溶液之保持能力不可期待，很不適合。溝之寬度未達0.1 μ m時，表面實質上與平滑之表面相同，極不適合。
本發明中所形成的切削表面之溝的間距，以0.1~1,000 μ m為佳，更佳為0.1~100 μ m，最佳為0.1~10 μ m。溝之間距超過1,000 μ m時，溝與溝之間距過大，不能期待隨溝數之增加而增大的溶液保持之複合效果，甚不適合。溝之間距未達0.1 μ m時，表面實質上與平滑之表面相同，非常不適合。
本發明中所形成的切削表面之溝的深度，依陽極基體之厚度而異，不能一概規定，較佳為0.1~100 μ m，更佳為0.1~10 μ m之範圍。還有，此溝之深度，以陽極基體的厚度之1~10%的範圍為佳。
本發明所形成的切削表面之溝，可藉由在圓盤狀刃單位之刃表面切削使用的圓盤狀刃單位形成所期望的微小之溝而形成。進而，亦可藉由在圓盤狀刃單位之刃表面黏附微細的粉體而形成。本發明的陽極基體之製造所使用的刃之溝，以在外周部表面或外周部表面與圓盤平面所成之稜邊部份形成為佳。
本發明的陽極基體之製造所使用的刃之溝的寬度，以0.1~100 μ m為佳，更佳為0.1~10 μ m。
本發明的陽極基體之製造所使用的刃之溝的間距，以0.1~100 μ m為佳，更佳為0.1~10 μ m。
本發明的陽極基體之製造所使用的刃之溝的深度，以0.01~10 μ m為佳，以0.1~1 μ m之範圍更佳。還有，溝之深度，以陽極基體的厚度之0.01~5%的範圍較適合。
進而，陽極基體的切削表面之溝，亦可藉由在圓盤狀刃單位之刃表面所黏附的微細粉體而形成。圖10為藉由黏附粉體切削，在鋁化成箔的切削表面所形成之溝，存在之結構的切削表面之放大照相。本發明中所使用之粉體，更具體而言，以與構成陽極基體之材料相同的原料為佳，以其氧化物或氮化物更佳。以鋁為基材之情況，有氧化鋁、或在表面具有氧化皮膜之鋁粉末等。鉭．鈮等情況，有氧化鉭、氧化鈮等。
還有，將微細粉末黏附於圓盤狀刃單位之刃表面進行切削之情況，粉末凝聚形成二次粒子之故，與使用之粉末徑比較，有部份大於溝之尺寸的情況，在本發明中沒有特別的問題，均可使用。
本發明中所使用之粉末，其二次粒子之尺寸或一次粒子之尺寸，以0.01~10 μ m之範圍為佳，以0.01~1 μ m之範圍更佳。
可使用於本發明之具有活門作用的金屬，有鋁、鉭、鈮、鈦、鋯、鎂、矽等金屬單體、或此等之合金等，以鋁最為適合。又，就多孔性之形態而言，為壓延箔之蝕刻物、微粉燒結體等多孔性成形體之形態時，均佳。
陽極基體可使用此等金屬之多孔性燒結體，以蝕刻等進行表面處理之板(包含螺帶、箔等)、線等；較佳為平板狀、箔狀者，更佳為藉由切條機將具微細孔之鋁化成箔切削成長方形而製造者。
活門作用金屬箔(陽極基體)之厚度(H)，依使用目的而異，通常使用厚度約40~300 μ m之箔。為製成薄型之固體電解電容器時，例如鋁箔使用80~250 μ m者，設置固體電解電容器之元件的最大高度以250 μ m以下為佳。金屬箔之大小及形狀隨用途而異，平板狀元件單位以寬度約1~50 mm、長度約1~50 mm之矩形者為佳，更佳為寬約2~15 mm、長約2~25 mm。
如此之陽極基體，為實現上述條件，例如有下述之方法，並不限定於此等。
(1)以切削開始側之陽極基體表面與切削面間的稜邊內部之角度(即，圖1中，角α所示之切削角的補角)在超過90°、135°以下的範圍進行切削。
(2)活門金屬延伸層為由陽極基體表面產生突出部份之情況，進行其突出部份之切削。
(3)活門金屬延伸層為由陽極基體表面產生突出部份之情況，進行含其突出部份之稜邊的倒稜。
(4)活門金屬延伸層為由陽極基體表面產生突出部份之情況，藉由進行將含突出部份之稜邊整體構件擠壓，消除突出部份。
(1)~(3)例如可藉由使用重疊2枚之刃的切削機予以實施。尤其(1)，藉由使厚刃與薄刃之2枚刀刃組合所成的複數之圓盤狀刃單位，以微小空隙分隔且互為相異而配置；在其一之圓盤狀刃單位的厚刃與另一之圓盤狀刃單位薄刃間，使用切條機進行切削，使陽極基體之厚板通過該互為相異而配置的圓盤狀刃單位間，藉由調整相對於刃之切削方向，使該空隙成為1~15度傾斜之方向排出而切削，可以實現。
(3)中進行包含含突出部份之稜邊的倒稜；就含有稜邊之至少一部份倒稜的陽極基體之固體電解電容器，說明如下。
本發明中，固體電解電容器使用之陽極基體，其厚度方向之剖面形狀不具90°以下之隅角部份，為減低90°以下之隅角部區域者。即，如圖11之以虛線表示，以往之固體電解電容器用陽極基體，其厚度方向之剖面形狀的隅角部實質為直角。本發明之圖11係沿實線所示之稜邊倒稜的形狀。此結果使陽極基體之隅角部份a或b的角度在90℃以上未達180°。還有，在本說明書及申請專利範圍中，「倒稜陽極基體」係以具有進行「倒稜」操作而得之形狀為佳，實際上不但進行「倒稜」操作而得的陽極基體，尚包含以任何成形方法實現「倒稜」後之形狀的陽極基體。
倒稜，可為就陽極基體之全稜邊進行，亦可僅就上述面與側面(端面)之間的隅角部份(圖11之A1)進行，亦可僅就下面與側面(端面)之間的隅角部份(圖11之A2)進行。又，亦可僅就陽極基體之上下面與側面之間的隅角部份進行，亦可僅就陽極基體之上下面與端面之間隅角部份進行。又，亦可僅就此等部份之一部份進行。於此，所謂「側面」，係指沿陽極基體之長邊(後述固體電解電容器之製造製程中，垂直於液面之邊)之面；所謂「端面」，係指沿陽極基體之短邊(後述固體電解電容器之製造製程中，在浸漬時以水平於液面而浸漬之邊)之面。
較佳為形成固體電解質層之區域全體，進行稜邊之倒稜。
本發明中藉由倒稜所實現之剖面形狀有各式各樣者。典型的係將陽極基板之厚度方向的剖面形狀，進行倒稜成楔型，構成楔型形狀的3個隅角部之1個隅角部的角度為90°以上未達180°，包含其外的2個隅角部之角度超過90°未達180°之陽極基板。又，例如圖11所示，可進行使厚度方向之剖面形狀為三角形abc的倒稜，亦可進行如圖12所示之使厚度方向的剖面形狀為台型abP(p1、p2)之倒稜。此情況，面p可為倒稜前之側面(或端面)的殘留者；亦可為一度成為圖11所示之三角形abc後，將其尖端部c再予以倒稜者。
又，三角形abc形狀之情況(圖13：去除圖11中之斜線部份者)，其尖端部c之角度c以90°以上未達180°為佳，以超過90°未達180°更佳。又，圖12、13中，角度a、b可為相異或相同者。構成此楔型形狀之隅角部份的角度a與角度b，以各為超越90°未達180°為佳。進而，構成楔型形狀之隅角部份的角度a、角度b各為超越90°未達180°時，角度c以90°以上未達180°為佳。
圖11~13中，可自上面之隅角部a的頂點，相對於下面垂直下降之垂線與下面的隅角部b交接；自上面之隅角部a的頂點，相對於下面垂直下降之垂線不與下面的隅角部d交接之情況(圖14中之x>0)亦包含於本發明。又，自上面之隅角部a的頂點，相對於下面垂直下降之垂線，不與隅角部f交接，成為y>0之情況(圖15)，亦包含於本發明。如此所形成之剖面形狀為包含三角形以上之凸多角形，構成該剖面形狀之隅角部的各角度較佳為90°以上未達180°(但，凸多角形為四角形之隅角部的角度全部為90°之情況除外)。
還有，圖14之情況，圖示之經施行倒稜處理的切削表面部份為上述之「側面」時，陽極基體的下面之寬度，於單側比上面之寬度長x(圖中未顯示的另一方之側面亦可進行相同之倒稜，此情況，下面之寬度合計比上面的寬度長2x)。圖14所示的該部份為上述之「端面」時，陽極基體之下面的長度比上面之長度長x。又，圖14之情況，構成楔型形狀之隅角部的角度a、角度e各為超過90°未達180°，角度d以90°以上、未達180°，x>0為佳。
圖15之情況，圖示之部份為上述「側面」時，陽極基體的下面之寬度，於單側比上面之寬度短y(圖中未顯示的另一方之側面亦可進行相同的倒稜，此情況，下面之寬度合計比上面的寬度短2y)。
又，圖15所示的部份為上述之「端面」時，陽極基體的下面之長度比上面的長度短y。又，圖15之情況，構成楔型形狀之隅角部的角度a、角度f各為超過90°未達180°，角度g以90°以上末達180°，y>0為佳。
又，圖12中，進行如將圖11之角c倒稜，亦可將a、b、c、d、e、f、g之任一倒稜，進而亦可將如此倒稜所產生之角再倒稜。但是，通常陽極基體為數十~數百μ m程度的厚度之故，現實上為圖11~15之形狀。
又，倒稜之形態，就各稜邊而言可為相異或相同者。
如上所述之陽極基體，例如可藉由在陽極基體之稜邊使切削刀傾斜施行倒稜而製造。亦可同時自陽極基體之上下使切削刀擠壓同時將上下之各稜邊倒稜。
又，就側面而言，在陽極基體之原板上將切條機傾斜，使上面與切削面間之稜邊內部的角度超過90°，形成陽極基體之中間製品；接著，藉由在此中間製品下面側之稜邊，將切削刀傾斜，使與該切條機切削面間之稜邊內部的角度超過90°進行切削，亦可實現倒稜形狀、其相反亦可(自下面側以切條機進行切削後，進行上面側之倒稜處理)。又，亦可藉由使厚刃與薄刃之2枚刀刃組合所成的複數圓盤狀刃單位，以微小空隙分隔且互為相異而配置；其在一之圓盤狀刃單位厚刃與另一之圓盤狀刃單位的薄刃間，使用切條機進行切削，使陽極基體之原板通過該互為相異而配置圓盤狀刃單位間，相對於刃之切削方向，調整該空隙使成為1~15度傾斜之方向排出進行切削。
另一方面，本發明之具有楔型形狀的陽極基體，可將經切削之側面，以螺帶狀或一定量卷取之鐵環狀研磨該側面而製造。更詳細而言，可藉由在存在於具彈力性之支撐基體表面的研磨材料，擠壓經切削之化成箔的側面表面，進行倒稜而製造。具有以多孔性且具微細孔之活門金屬層挾入不具微細孔之活門金屬層的陽極基體，具微細孔之活門金屬層比不具微細孔的活門金屬層層脆、其強度低之故，擠壓於研磨材料時，發現具微細孔之活門金屬層可選擇性被研磨，形成本發明之楔型形狀的側面。倒稜，以使用存在於具有彈力性之支撐基板的表面之研磨材料為佳。即，使用具有彈力性之支撐基板的情況，以強度更高之不具微細孔的活門金屬層為頂點使支撐基板彎曲，存在於其兩面之具微細孔的活門金屬層優先被研磨。在存在於不具彈力性之支撐基板的表面之研磨材料，擠壓經切削之化成箔的側面表面時，不具微細孔之活門金屬層被延伸，甚不適合。其中，將卷取於鐵環狀之陽極基體研磨的情況，所使用之研磨材料，以120號至2400號為佳，320號至500號更佳。研磨，可藉由使用存在於單作用與雙作用之研磨機等旋轉的基體之研磨材料研磨而製造，以雙作用研磨更佳。藉由雙作用之研磨，可消除鐵環材料之卷繞不齊的部份之故，即使將全體削入亦全無不具微細孔之活門金屬層被延伸，可均勻研磨，特別適合。
在不具微細孔之活門金屬層的表面形成溝，以與側面部份之研磨同時實施的方法較為適合。不過，在不藉由側面部份之研磨、形成所期望之溝的情況，亦可實施另外之溝加工的研磨。尤其，需要縮短研磨所需的時間時，有與對研磨表面之溝加工區分而實施的有效情況。更具體而言，在鐵環材料之卷繞不齊過於多量，需要研削加工的情況，以選擇另外之溝加工的研磨方法為佳。
本發明進而提供含如上所述之陽極基體的固體電解電容器。典型的結構如圖2所示。此係陽極基體(1)表面之介電體皮膜(2)，為通常將具有活門作用之金屬的多孔性成形體進行化成處理，進而形成固體電解質(4)(陰極部份)者。
在金屬多孔體之表面形成介電體氧化皮膜的方法，可採用眾所周知的方法。例如使用鋁箔之情況，可在含有硼酸、磷酸、己二酸、或此等之鈉鹽、銨鹽等水溶液中，進行陽極氧化而形成氧化皮膜。又，使用鉭粉末之燒結體的情況，可在磷酸水溶液中進行陽極氧化，在燒結體上形成氧化皮膜。
因應化成所使用之化成液、化學電壓等化成條件，製造之固體電解電容器必要的容量、耐電壓等，藉由預先實驗，確認適當之值予以設定。還有，進行化成處理之際，為確實防止化成液滲入成為固體電解電容器之陽極的部份，且與在後步驟形成之固體電解質(4)(陰極部份)絕緣，一般上設置掩蔽(3)。
掩蔽材料，可使用一般的耐熱性樹脂，較佳為在溶劑中可溶或膨潤之耐熱性樹脂或其先驅物，由無機質微粉與纖維素系樹脂所成之組成物等，材料沒有任何限制。具體而言有，聚苯碸(PPS)、聚醚碸(PES)、氰酸酯樹脂、氟樹脂(四氟乙烯、四氟乙烯．全氟烷基乙烯基醚共聚物等)、低分子量聚醯亞胺及此等之衍生物以及其先驅物等，以低分子量聚醯亞胺、聚醚碸、氟樹脂及其先驅物更為適合。
本發明係以，包含將活門作用金屬多孔體基板浸漬於氧化劑溶液後進行乾燥，徐徐提高在基板上之氧化劑溶劑濃度的步驟之有機聚合物單體的化學氧化聚合為基板。本發明之化學氧化聚合法，係在使單體黏附於陽極基體之具微細孔的介電體皮膜上，成為導電劑聚合物之摻雜劑的化合物存在下，引起氧化的聚合，將生成之聚合物組成物作為該固體電解質，形成於介電體表面上。
藉由本發明之方法所形成的導電性聚合物之固體電解質層，成為原纖維結構或薄層狀結構，如此之結構在廣範圍之聚合物鏈間重疊。本發明發現，使固體電解質層之全體厚度約為10~100 μ m之範圍，聚合物之層狀結構的空間為0.01~5 μ m，較佳為0.05~3 μ m，更佳為0.1~2 μ m之範圍，藉由聚合膜全體中固體電解質之各層間的空間佔有率為0.1~20%之範圍，聚合物鏈間之電子跳動容易，可提升電傳導度，提高低電阻等特性。
就在形成於本發明之具微細孔的活門作金屬表面之介電體皮膜上，形成固體電解質層之方法追加說明如下。
本發明中，浸漬於含單體溶液後之乾燥步驟1係為供給單體予介電體表面上及聚合物組成物上所實施。進而，為在介電體表面上及聚合物組成物上使單體均勻黏附，含浸於單體含有液後，在空氣中放置一定時間使溶劑氣化。此條件依溶劑之種類而異，大約在0℃以上至溶劑之沸點為止的溫度下進行。放置時間依溶劑之種類而異，大約為5秒~15分鐘；例如醇系溶劑以5分鐘以內為佳。藉由設定此放置時間，單體均勻黏附於介電體表面上；進而，可減少下步驟之浸漬於氧化劑含有液時的污染。
單體之供給，可藉由含有單體之溶液中所使用的溶劑種類、單體含有液之濃度、溶液溫度、浸漬時間等予以控制。
步驟1所使用之浸漬時間，為含有液中之單體成份充分黏附於金屬箔基板的介電體表面上之時間以上，未達15分鐘，較佳為0.1秒~10分鐘，更佳為1秒~7分鐘。
又，浸漬溫度以－10~60℃為佳，0~40℃更佳。未達－10℃時，溶劑揮發需要時間使反應時間增長，甚不適合；超過60℃時，不能忽略溶劑及單體之揮發，濃度管理增加困難。
單體含有液之濃度沒有特別的限制，可使用隨意之濃度者，從活門作用金屬之微細孔內的含浸性優越而言，以3~70質量%為佳，更佳為使用25~45質量%。
步驟1中所使用之溶液的溶劑，可使用例如四氫呋喃(THF)或二噁烷、二乙醚等醚類；丙酮、甲乙酮等酮類；二甲基甲醯胺、乙腈、苯甲腈、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)等非質子性極性溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；氯仿、二氯甲烷等非芳香族性之氯系溶劑；硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯等硝基化合物；甲醇、乙醇、丙醇等醇類；或水；或此等之混合溶劑。較佳為醇類或酮類或此等之混合系。
本發明中之單體，藉由對氧化劑含有液之浸漬及在一定的溫度範圍以所定時間保持於空氣中之步驟2，進行氧化聚合，為使聚合膜之形態更為細緻，以在空氣中保持之氧聚合為主的方法較佳。保持於空氣中之溫度，隨單體之種類而異，例如吡咯時以5℃以下為佳，噻吩系時以約30~60℃為必要。
聚合時間依存於浸漬時之單體的黏附量。黏附量係隨單體及氧化劑含有液的濃度或黏度等改變之故，不能一概規定，一般而言，一次之黏附量少時，可縮短聚合時間；又，一次之黏附量多時，必要更長之聚合時間。本發明之方法中，一次之聚合時間為10秒~30分鐘，較佳為3~15分鐘。
步驟2所使用之浸漬時間，為氧化劑成份充份黏附於金屬箔基板之介電體表面上的時間以上，未達15分鐘，較佳為0.1秒~10分鐘，更佳為1秒~7分鐘。
步驟2中所使用之氧化劑，有水溶液系之氧化劑與有機溶劑系之氧化劑等。本發明所使用之較佳水溶液系的氧化劑有，過氧二硫酸及其Na鹽、K鹽、NH4 鹽、硝酸鈰(IV)、硝酸鈰(IV)銨、硫酸鐵(III)、硝酸鐵(III)、氯化鐵(III)等。又，有機溶劑系之氧化劑有，有機磺酸之鐵鹽，例如(十二)烷基苯磺酸鐵(III)、對－甲苯磺酸鐵(III)等。
本發明之步驟2中所使用的溶液溶劑，可使用例如四氫呋喃(THF)或二噁烷、二乙醚等醚類；丙酮、甲乙酮等酮類；二甲基甲醯胺、乙腈、苯甲腈、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)等非質子性極性溶劑；甲醇、乙醇、丙醇等醇類；或水；或此等之混合溶劑。較佳為水、醇類或酮類或此等之混合系。
還有，氧化劑溶液之濃度以5~50質量%為佳；又氧化劑溶液之溫度以－15~60℃為佳。
步驟2中，較佳為使用含有有機微粒子之懸浮液。有機微粒子，藉由殘留於介電體表面上或聚合物組成物上，為輔助氧化劑及單體對以聚合膜填充細孔內之平滑的聚合膜表面之供給，甚為有效。尤其，藉由使用可溶性之有機微粒子，形成固體電解質層後，可溶解去除可溶性之有機微粒子，能提高電容器元件之信賴性。
溶解去除有機微粒子之過程中所使用的溶劑，可使用水；甲醇、乙醇、丙醇等醇類；丙酮、甲乙酮等酮類；二甲基甲醯胺、N－甲基－2－吡咯烷酮、二甲基亞碸等非質子性極性溶劑；以水或醇類、或此等之混合溶劑為佳，亦為可溶解氧化劑之溶劑時，可同時實施氧化劑之去除，極為適合。
還有，藉由使用強酸可去除之可溶性的無機微粒子，亦造成溶解活門作用金屬表面之介電體皮膜，或腐蝕等傷害之故，甚不適合。
可溶性之有機微粒子，以平均粒徑(D5 0 )在0.1~20 μ m之範圍為佳，0.5~15 μ m更佳。可溶性之有機微粒子的平均粒徑(D5 0 )超過20 μ m時，聚合膜中所形成之空隙增大，極不適合；未達0.1 μ m時，黏附液之增量效果消失，成為與水相同。
可溶性之有機微粒子的具體例，有脂肪族磺酸化合物、芳香族磺酸化合物、脂肪族羧酸化合物、芳香族羧酸化合物、肽化合物、或/及其鹽等；以使用芳香族磺酸化合物、芳香族羧酸化合物、肽化合物為佳。
芳香族磺酸化合物更具體而言，有苯磺酸、甲苯磺酸、萘磺酸、蒽磺酸、蒽醌磺酸及/或其鹽；芳香族羧酸化合物更具體而言，有苯甲酸、甲苯羧酸、萘羧基、蒽羧酸、蒽醌羧酸或/及其鹽；肽化合物更具體而言，有薩花庫精、愛吉優林、普利帕斯精、榭拉烏耶精等。
本發明之方法中，為獲得使所形成之導電性聚合物組成物具有濕度、熱、應力等之耐性的厚度，必要控制含浸次數。
藉由本發明形成固體電解質的較佳步驟之1為，重複進行以步驟1、步驟2之步驟為1循環的方法。該循環，藉由相對於1個陽極基體3次以上，較佳為重複8~30次，可形成所期望之固體電解質層。
還有，步驟1與步驟2可依逆順序進行。
依本發明，如後述之實施例所示，將具有介電體氧化皮膜鋁箔含浸於例如3,4-乙烯二氧噻吩(EDT)之異丙醇溶液，使其風乾將異丙醇完全去除後，含浸於約20質量%之氧化劑(過硫酸銨)水溶液後，於40℃程度加熱10分鐘，或重複實施本步驟，可獲得聚(3,4-乙烯二氧噻吩)之聚合物。
形成本發明中所使用之固體電解質的導電性聚合物，係具有介電子共軛結構之有機聚合物單體的聚合物；聚合度2以上2,000以下，較佳為3以上1,000以下，更佳為5以上200以下。具體而言有，含有以具噻吩骨架之化合物，具有多環狀硫化物骨架之化合物，具有吡咯骨架之化合物，具有呋喃骨架之化合物，具有苯胺骨架之化合物等所示的結構為重複單位之導電性聚合物等。
具有噻吩骨架之單體有，例如3-甲基噻吩、3-乙基噻吩、3-丙基噻吩、3-丁基噻吩、3-戊基噻吩、3-己基噻吩、3－庚基噻吩、3－辛基噻吩、3－壬基噻吩、3－癸基噻吩、3－氟噻吩、3－氯噻吩、3－溴噻吩、3－氰基噻吩、3,4－二甲基噻吩、3,4－二乙基噻吩、3,4－亞丁基噻吩、3,4－亞甲基二氧噻吩、3,4－乙烯二氧噻吩等衍生物等。此等化合物，可為一般之市售化合物或以眾所周知的方法準備(例如合成金屬誌，1986年，15卷，169頁)。
具有硫化物骨架之單體的具體例，可使用具有1,3－二氫多環狀硫化物(別名，1,3－二氫并[c]噻吩)骨架之化合物、具有1,3－二氫萘并[2,3－c]噻吩骨架之化合物。進而，具有1,3－二氫蒽并[2,3－c]噻吩骨架之化合物、具有1,3－二氫丁省[2,3－c]噻吩骨架之化合物等。此等可藉由眾所周知的方法準備；例如特開平8－3156號公報記載之方法。
又，具有1,3－二氫萘[1,2－c]噻吩骨架之化合物，亦可使用1,3－二氫菲并[2,3－c]噻吩衍生物、或具有1,3－二氫三聯苯并[2,3－c]噻吩骨架之化合物，1,3－二氫苯并[a]蒽并[7,8－c]噻吩衍生物等。
亦可使用縮合環中隨意含有氮或N－氧化物之化合物，例如1,3－二氫噻吩并[3,4－b]喹喔啉、或1,3－二氫噻吩并[3,4－b]喹喔啉－4－氧化物、1,3－二氫噻吩并[3,4－b]喹喔啉－4,9－二氧化物等。
具有吡咯骨架之單體有，例如3－甲基吡咯、3－乙基吡咯、3－丙基吡咯、3－丁基吡咯、3－戊基吡咯、3－己基吡咯、3－庚基吡咯、3－辛基吡咯、3－壬基吡咯、3－癸基吡咯、3－氟吡咯、3－氯吡咯、3－溴吡咯、3－氰基吡咯、3,4－二甲基吡咯、3,4－二乙基吡咯、3,4－亞丁基吡咯、3,4－亞甲基二氧吡咯、3,4－乙烯二氧吡咯等衍生物。此等化合物可使用市售品或以眾所周知的方法準備。
具有呋喃骨架之單體有，例如3－甲基呋喃、3－乙基呋喃、3－丙基呋喃、3－丁基呋喃、3－戊基呋喃、3－己基呋喃、3－庚基呋喃、3－辛基呋喃、3－壬基呋喃、3－癸基呋喃、3－氟呋喃、3－氯呋喃、3－溴呋喃、3－氰基呋喃、3,4－二甲基呋喃、3,4－二乙基呋喃、3,4－亞丁基呋喃、3,4－亞甲基二氧呋喃、3,4－乙烯二氧呋喃等衍生物。此等化合物可使用市售品或以眾所周知的方法準備。
具有苯胺骨架之單體有，例如2－甲基苯胺、2－乙基苯胺、2－丙基苯胺、2－丁基苯胺、2－戊基苯胺、2－己基苯胺、2－庚基苯胺、2－辛基苯胺、2－壬基苯胺、2－癸基苯胺、2－氟苯胺、2－氯苯胺、2－溴苯胺、2－氰基苯胺、2,5－二甲基苯胺、2,5－二乙基苯胺、2,3－亞丁基苯胺、2,3－亞甲基二氧苯胺、2,3－乙烯二氧苯胺等衍生物。此等化合物可使用市售品或以眾所周知的方法準備。
此等之中，以具有噻吩骨架或多環狀硫化物骨架之化合物為佳，以3,4－乙烯二氧噻吩(EDT)、1,3－二氫異硫茚最為適合。
選自上述化合物群之化合物的聚合條件等，沒有特別限制，可藉由簡單之實驗預先確認較佳的條件，能輕易實施。
又，併用選自上述單體群之化合物，亦可形成共聚物之固體電解質。此時聚合性單體之組成比等，依存於聚合條件；較佳之組成比、聚合條件可藉由簡單的試驗予以確認。
例如，使EDT單體及氧化劑在較佳為溶液之形態，可利用前後分別、或一起塗佈於金屬箔之氧化皮膜層而形成的方法等(專利第3,040,113號公報、美國專利第6,229,689號公報)。
本發明中適合使用之3,4－乙烯二氧噻吩(EDT)可溶於上述一價醇中，水的相溶不良之故，在與高濃度之氧化劑水溶液接觸時，EDT在其界面進行良好之聚合，形成原纖維結構或薄層狀結構之導電性聚合物固體電解質層。
本發明之製造方法中，形成固體電解質後之洗淨用溶劑，可使用例如四氫呋喃(THF)、或二噁烷、二乙醚等醚類；丙酮、甲乙酮等酮類；二甲基甲醯胺、乙腈、苯甲腈、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)等非質子性極性溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；氯仿、二氯甲烷等非芳香族性之氯系溶劑；硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯等硝基化合物；甲醇、乙醇、丙醇等醇類；甲酸、乙酸、丙酸等有機酸；該有機酸之酸酐(例如乙酸酐等)或水或此等之混合溶劑。較佳為水、醇類或酮類或此等之混合系。
如此所製造之固體電解質的導電度，約為0.1~200S/cm之範圍，較佳為約1~150S/cm，更佳為約10~100S/cm之範圍。
在如此所形成之導電性聚合物組成物層之上，為使與陰極導線接頭之電接觸良好，以設置導電體層為佳。導電體層，係例如藉由導電糊料、電鍍或蒸鍍、導電樹脂薄膜之黏合等而形成。
本發明，在形成導電體層後可予以壓縮。例如含彈性體之導電體層的情況，可藉由壓縮進行塑性變性，成為更薄，且具有使導電體層表面平滑化的效果。
如此而得之固體電解電容器元件，如圖3所示，通常使其複數個層合，在陽極接頭連接陽極導線(6)；在固體電解質層(4)上之導電體層(圖中未顯示)連接陰極導線(7)；進而藉由將全體例如以樹脂模具(8)、樹脂箱、金屬裝之外裝箱、樹脂容器等施行外裝，作為各種用途之固體電解電容器製品(9)。
就本發明，以代表性之例更具體說明如下。還有，本發明並非限定於此等者。
[實施例1]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝0.3、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖4所示。又，切削表面之放大照相如圖10所示。將此鋁化成確切取短軸方向3 mm×長軸方向10 mm，使長軸方向區分為4 mm與5 mm之部份，在雙面塗佈寬度1 mm之聚醯亞胺溶液為固狀，予以乾燥製成掩蔽。將此化成箱之3 mm×4 mm的部份，在10質量%之己二酸銨水溶液中施加4V之電壓在切口部份進行化成，形成介電體氧化皮膜。其次，將此鋁箔之3 mm×4 mm的部份，含浸於溶解3,4－乙烯二氧噻吩之2.0 mol/L的異丙醇(IPA)溶液中5秒，使其於室溫下乾燥5分鐘；浸漬於2－蒽醌磺酸鈉(D5 0 ＝11 μ m；採用西斯美庫斯股份有限公司製之馬斯達賽札測定)調整為0.07質量%的1.5 mol/L之過硫酸銨水溶液中5秒。接著，將此鋁箔放置於40℃之大氣中10分鐘，進行氧化聚合。進而，將此浸漬步驟及聚合步驟全體進行22次，使導電性聚合物之固體電解質層形成於鋁箔的外表面。將最終生成之聚(3,4－乙烯二氧噻吩)在50℃溫水中洗淨，其後於100℃進行乾燥10分鐘，即形成固體電解質層。
以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為22 μ m。其次，將形成固體電解質層之3 mm×4 mm的部份，浸漬於15質量%己二酸銨溶液中，在未形成固體電解質層之部份的活門作用金屬箔設置陽極之接點，施加3.8V之電壓，進行再化成。
其次，如圖3所示，在上述形成鋁箔之導電性聚合物組成物層的部份，黏附碳糊料與銀糊料，將上述鋁箔4枚層合，連接陰極導線接頭。又，在未形成導電性聚合物組成物層的部份，藉由焊接將陽極導線接頭連接。進而，以環氧樹脂將此層合元件封閉後，在125℃下施加額定電壓(2V)進行2小時之老化，完成合計30個電容器。
就此等30個層合電容器元件，測定作為初期特性的於120Hz之容量與損失係數(tan δ×100%)、等效串聯電阻(ESR)、及洩漏電流。還有，洩漏電流係於施加額定電壓1分鐘後測定。表1為此等測定值之平均值，與以0.002CV以上之洩漏電流為不良品時的不良率。於此，洩漏電流的平均值為扣除不良品所計算之值。
[實施例2]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝0.5、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖5所示。除使用此鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為19 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
[實施例3]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝0.8、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖6所示。除使用此鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為17 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
[實施例4]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝1.0、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖7所示。除使用本鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
還有，本鋁化成箔，係藉由將切削成長方形卷取於旋轉軸之鋁化成箔的切削面向下，擠壓於平板，使突出部份彎曲去除而製造。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為15 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
[實施例5]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝0.5、切削角α之補角(參照圖1)為100°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。除使用此鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度100°之切削部份)之膜厚為21 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
[比較例1]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝1.2、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖8所示。除使用此鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為3 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
[比較例2]
使用圖1中x為30 μ m、y/z＝1.5、切削角α之補角(參照圖1)為110°、全體之厚度(H)為110 μ m的鋁化成箔。剖面形狀之放大照相如圖9所示。除使用此鋁化成箔以外，與實施例1同樣進行，形成固體電解質。
與實施例1同樣進行，測得隅角部份(稜邊內部角度110°之切削部份)之膜厚為1 μ m。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例1同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例1同樣進行特性評估，其結果如表1所示。
下述實驗中所使用之鋁化成箔，係藉由使厚刃與薄刃之2枚刀刃組合所成的複數圓盤狀刃單位，以微小空隙分隔且互為相異而配置；其一之圓盤狀刃單位的厚刃、與另一之圓盤狀刃單位的薄刃間，使用切條機進行切削，使陽極基體之原板通過該互為相異而配置的圓盤狀刃單位間，相對於刃之切削方向，調整該空隙使成為1~15度傾斜之方向排出，進行切削。
[實施例6]
使用具有以圖13為準之楔型形狀，在厚度方向之剖面形狀中3個隅角部的角度a為165度、角度b為120度、角度c為90度的鋁化成箔(厚度100ul)。還有，此化成箔，係藉由以該切條機調整該空隙使排出角度成為5度而調製。剖面形狀之放大照相如圖16所示。又，切削表面之放大照相如圖21所示。將此鋁化成箔切取短軸方向3 mm×長軸方向10 mm，使長軸方向區分為4 mm與5 mm之部份，在雙面塗佈寬度1 mm之聚醯亞胺溶液為周狀，予以乾燥製成掩蔽。將此化成箔之3 mm×4 mm的部份，在10質量%之己二酸銨水溶液中施加4V之電壓在切口部份進行化成，形成介電體氧化皮膜。其次，將此鋁箔之3 mm×4 mm的部份，含浸於溶解3,4一乙烯二氧噻吩之2.0 mol/L的異丙醇(IPA)溶液中5秒，使其於室溫下乾燥5分鐘；浸漬於2－蒽醌磺酸鈉(D5 0 ＝11 μ m；採用西斯美庫斯股份有限公司製之馬斯達賽札測定)調整為0.07質量%的1.5 mol/L之過硫酸銨水溶液中5秒。接著，將此鋁箔放置於40℃之大氣中10分鐘，進行氧化聚合。進而，將此浸漬步驟及聚合步驟全體進行20次，使導電性聚合物之固體電解質層形成於鋁箔的外表面。將最終生成之聚(3,4－乙烯二氧噻吩)在50℃溫水中洗淨，其後於100℃進行乾燥30分鐘，即形成固體電解質層。
以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份之固體電解質層的膜厚，角a部份為17 μ m、角b部份為15 μ m、角c部份為15 μ m，甚為均勻。
其次，將形成固體電解質層之3 mm×4 mm的部份，浸漬於15質量%己二酸銨溶液中，在未形成固體電解質層之部份的活門作用金屬箔設置陽極之接點，施加3.8V之電壓，進行再化成。
其次，如圖3所示，在上述形成鋁箔之導電性聚合物組成物層的部份，黏附碳糊料與銀糊料，將上述鋁箔4枚層合，連接陰極導線接頭。又，在未形成導電性聚合物組成物層的部份，藉由焊接將陽極導線接頭連接。進而，以環氧樹脂將此層合元件封閉後，在125℃下施加額定電壓(2V)進行2小時之老化，完成合計30個電容器。
就此等30個層合電容器元件，測定作為初期特性的於120Hz之容量與損失係數(tan δ×100%)、等效串聯電阻(ESR)、及洩漏電流。還有，洩漏電流係於施加額定電壓1分鐘後測定。表2為此等測定值之平均值、與以0.002CV以上之洩漏電流為不良品時的不良率。於此，洩漏電流的平均值為扣除不良品所計算值。
[實施例7]
使用楔型之厚度方向的剖面形狀中3個隅角部之角度a為175°、角度b為120°、角度c為90°之鋁化成箔(厚度100 μ m)。剖面形狀之放大照相如圖17所示。還有，此化成箔，係藉由以該切條機調整該空隙使排出角度成為7度而調製。除使用鋁化成箔以外，與實施例6同樣進行，形成固體電解質。
以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份之固體電解質層的膜厚，角a部份為15 μ m、角b部份為12 μ m、角c部份為12 μ m，甚為均勻。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例6同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例6同樣進行特性評估，其結果如表2所示。
[實施例8]
使用楔型之厚度方向的剖面形狀中3個隅角部之角度a為105°、角度b為135°、角度c為105°之鋁化成箔(厚度100 μ m)。剖面形狀之放大照相如圖19所示。本鋁化成箔，係藉由在胺基甲酸系樹脂支撐體之表面以黏合500號的研磨材料之雙作用型的研磨機，研磨15分鐘所製造。除使用此鋁化成箔以外，與實施例6同樣進行，形成固體電解質。
以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份之固體電解質層的膜厚，角a部份為16 μ m、角b部份為14 μ m、角c部份為16 μ m，甚為均勻。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例6同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例6同樣進行特性評估，其結果如表2所示。
[實施例9]
使用具有以圖12為準之楔型形狀，在厚度方向之剖面形狀中4個隅角部的角度a為105°、角度b為105°、角度p1為165°、角度p2為165°之鋁化成箔(厚度100 μ m)。剖面形狀之放大照相如圖20所示。切削表面之放大照相如圖22所示。本鋁化成箔，係藉由在胺基甲酸系樹脂支撐體之表面以黏合320號之研磨材料的雙作用型之研磨機研磨15分鐘後，以耐水性研磨紙500號在相對於短軸方向之45°傾斜方向研磨2分鐘所製造。除使用此鋁化成箔以外，與實施例6同樣進行，形成固體電解質。
以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份之固體電解質層的膜厚，角a部份為15 μ m、角b部份為14 μ m、角p1部份為15 μ m、角p2部份為16 μ m，甚為均勻。
其次，再化成、碳糊料與銀糊料之塗佈、層合、陰極導線接頭之連接，以環氧樹脂封閉、老化操作均與實施例6同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例6同樣進行特性評估，其結果如表2所示。
[比較例3]
使用刀型之厚度方向的剖面形狀中2個隅角部之角度分別為70度、110度的鋁化成箔(厚度100 μ m)。剖面形狀之放大照相如圖18所示。除使用此鋁化成箔以外，與實施例6同樣進行，形成固體電解質。以顯微鏡觀測剖面形狀，隅角部份之固體電解質層的膜厚，為3 μ m與15 μ m，銳角之隅角部(角度70度之隅角部)的聚合膜較薄。其次，與實施例6同樣進行，完成合計30個電容器。就所得層合電容器元件，與實施例6同樣進行特性評估。其結果如表2所示。
[產業上利用性]
依本發明，可穩定製作極少短路不良、元件形狀之偏差甚少的薄型電容器元件；能提供適合於固體電解電容器晶片內之電容器元件的層合枚數可增加而高容量化、等效串聯電阻之偏差小的層合型固體電解電容器之固體電解電容器元件。
1‧‧‧陽極基體
2‧‧‧介電體(氧化皮膜)層
3‧‧‧掩蔽
4‧‧‧半導體(固體電解質)層
5‧‧‧導電體層
6，7．．．導線
8．．．密封樹脂
9．．．固體電解電容器
圖1為陽極基體之剖面圖。
圖2為使用電容器元件的固體電解電容器之一例剖面圖。
圖3為層合電容器元件之固體電解電容器的剖面圖。
圖4為實施例1使用之鋁化成箔側面剖面照相(200倍)。
圖5為實施例2使用之鋁化成箔側面剖面照相(500倍)。
圖6為實施例3使用之鋁化成箔側面剖面照相(200倍)。
圖7為實施例4使用之鋁化成箔側面剖面照相(500倍)。
圖8為比較例1使用之鋁化成箔側面剖面照相(500倍)。
圖9為比較例2使用之鋁化成箔側面剖面照相(200倍)。
圖10為比較例1使用之鋁化成箔側面剖面照相(500倍)。
圖11為本發明之一實施形態的固體電解電容器用陽極基體之結構(實線)與以往型(虛線)對比之部份剖面圖。
圖12為本發明之另一實施形態的固體電解電容器用陽極基體的結構(實線)與以往型(虛線)對比之部份剖面圖。
圖13為本發明之一實施形態的固體電解電容器用陽極基體之結構的部份剖面圖。
圖14為本發明之另一實施形態的固體電解電容器用陽極基體之結構的部份剖面圖。
圖15為本發明之又一實施形態的固體電解電容器用陽極基體之結構的部份剖面圖。
圖16為實施例6使用之鋁化成箔(陽極基體)的厚度方向之剖照相(500倍；圖中，明亮部份為鋁箔之未化成部份，黑暗部份為化成部份)。
圖17為實施例7使用之鋁化成箔(陽極基體)厚度方向的剖面照相。
圖18為比較例3使用之鋁化成箔(陽極基體)厚度方向的剖面照相。
圖19為實施例8使用之鋁化成箔(陽極基體)厚度方向的剖面照相。
圖20為實施例9使用之鋁化成箔(陽極基體)厚度方向的剖面照相。
圖21為實施例6使用之鋁化成箔(陽極基體)的切削表面之照相。
圖22為實施例9使用之鋁化成箔(陽極基體)的切削表面之照相。
1．．．陽極基體
2．．．介電體(氧化皮膜)層
3．．．掩蔽
4．．．半導體(固體電解質)層
5．．．導電體層
6，7．．．導線
8．．．密封樹脂
9．．．固體電解電容器

Claims (46)

  1. 一種固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之閥金屬層與不具微細孔之閥金屬層之金屬基板傾斜切削之陽極基體；其特徵為不具微細孔之閥金屬層具有追隨切削刃延伸所形成之切削表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之閥金屬層與不具微細孔之閥金屬層之金屬基板傾斜切削之陽極基體；不具微細孔之閥金屬層藉由追隨切削刃延伸，產生覆蓋具微細孔之閥金屬層端面的閥金屬延伸層，其滿足下述條件式：[數學式1]0≦y/z≦1(式中，y為該閥金屬延伸層之基板厚度方向之厚度；z為與該延伸層接觸之具微細孔閥金屬層之基板方向厚度)。
  3. 如申請專利範圍第2項之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；藉由以切削開始側之陽極基體表面與切削面間之稜邊內部之角度為超過90°且135°以下之範圍進行切削而得。
  4. 如申請專利範圍第2項之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；閥金屬延伸層係由陽極基體表面進行突出部份之切削去除而得。
  5. 如申請專利範圍第2項之固體電解電容器用陽極 基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；閥金屬延伸層係由陽極基體表面進行含突出部份之稜邊之倒稜而得。
  6. 如申請專利範圍第2項之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為平板狀或箔狀；閥金屬延伸層係藉由自將整形構件推抵在含有自陽極基體表面突出部份之稜邊消除突出而得。
  7. 如申請專利範圍第2項之固體電解電容器用陽極基體，其係將含有具微細孔之閥金屬層與不具微細孔之閥金屬層之金屬基板傾斜切削之陽極基體；相對於不具微細孔之閥金屬層追隨切削刃延伸所形成之切削表面之短軸方向，含有傾斜或平行之溝。
  8. 如申請專利範圍第7項之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行之溝寬度為0.1~100μm。
  9. 如申請專利範圍第7項之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行溝之間距為0.1~100μm。
  10. 如申請專利範圍第7項之固體電解電容器用陽極基體，其中傾斜或平行溝之深度為0.1~10μm。
  11. 如申請專利範圍第1~10項中任一項之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體為鋁。
  12. 如申請專利範圍第11項之固體電解電容器用陽極基體，其中陽極基體係藉由切削機將具有微細孔之鋁化成箔切削為長方形而製造者。
  13. 一種固體電解電容器，其特徵為含有申請專利範圍第1~12項中任一項之固體電解電容器用陽極基體。
  14. 一種如申請專利範圍第13項之固體電解電容器之製造方法，其係在形成於具微細孔之閥作用金屬表面之介電體皮膜上，設置含有藉由氧化劑使單體聚合之導電性聚合物組成物之固體電解質層之固體電解電容器製造方法；其特徵為採用申請專利範圍第1~12項中任一項之固體電解電容器用陽極基體，藉由包含：浸漬於含單體溶液後之乾燥步驟(步驟1)、浸漬於含氧化劑溶液後之乾燥步驟(步驟2)之方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
  15. 如申請專利範圍第14項之固體電解電容器之製造方法，其係藉由將具有介電體皮膜層之閥作用金屬重複複數次：浸漬於含單體化合物溶液後乾燥之步驟1、浸漬於含氧化劑溶液後乾燥之步驟2之方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之固體電解電容器的製造方法，其中氧化劑為過硫酸鹽。
  17. 如申請專利範圍第14或15項之固體電解電容器之製造方法，其中含氧化劑溶液為含有機微粒子之懸浮液。
  18. 如申請專利範圍第17項之固體電解電容器之製造方法，其中有機微粒子之平均粒徑(D50 )為1~20μm之範圍。
  19. 如申請專利範圍第18項之固體電解電容器之製造方法，其中有機微粒子為選自脂肪族磺酸化合物、芳香族磺酸化合物、脂肪族羧酸化合物、芳香族羧酸化合物、此等之鹽、及肽化合物所成群之至少一種。
  20. 一種固體電解電容器，其特徵為以申請專利範圍第14~19項中任一項之製造方法所製造。
  21. 一種固體電解電容器，其特徵為含有使稜邊之至少一部份倒稜之申請專利範圍第1項之陽極基體。
  22. 如申請專利範圍第21項之固體電解電容器，其中陽極基體為平板或箔狀；至少就設置固體電解質層區域而言，陽極基體之上面及/或下面、與側面及/或端面間的稜邊，經倒稜。
  23. 如申請專利範圍第22項之固體電解電容器，其中倒稜部位中，陽極基體之上面及/或下面、與側面及/或端面間之隅角部份之角度為超過90°未達180°。
  24. 如申請專利範圍第23項之固體電解電容器，其中陽極基體之側面及/或端面之厚度方向之剖面形狀，為尖端角度在90°以上未達180°之楔型。
  25. 如申請專利範圍第21~24項中任一項之固體電解電容器，其中在倒稜後，陽極基體之上面與下面之寬度及/或長度相異。
  26. 如申請專利範圍第21~24項中任一項之固體電解電容器，其中在倒稜後，陽極基體之側面及/或端面之厚度方向之剖面形狀，為三角形以上之凸多角形，構成該 剖面形狀之隅角部份之各內角為超過90°未達180°。
  27. 如申請專利範圍第21項之固體電解電容器，其中陽極基體係，相對於施行倒稜處理之陽極基體中所含不具微細孔之閥金屬層追隨切削刃延伸所形成之切削表面之短軸方向，含有傾斜或平行溝之陽極基體。
  28. 如申請專利範圍第27項之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之寬度為0.1~100μm。
  29. 如申請專利範圍第27項之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之間距為0.1~100μm。
  30. 如申請專利範圍第27項之固體電解電容器，其中陽極基體所含傾斜或平行溝之深度為0.1~10μm。
  31. 如申請專利範圍第21~30項中任一項之固體電解電容器，其中陽極基體為閥作用金屬。
  32. 一種固體電解電容器用陽極基體，其特徵為使用申請專利範圍第21~31項中任一項之固體電解電容器，稜邊之至少一部份施行倒稜。
  33. 如申請專利範圍第32項之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之稜邊使切削刀傾斜施行倒稜。
  34. 如申請專利範圍第32項之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之原板上將切條機傾斜，使上面與切削面間之稜邊內部之角度形成超過90°之陽極基體中間製品；接著，藉由在此中間製品下面側之稜邊，將切削刀傾斜，使與該切條機切削面間之稜邊內部之角度超過90°進行切削，成為施行上下兩稜邊倒稜之形狀。
  35. 如申請專利範圍第32項之固體電解電容器用陽極基體，其中在陽極基體之原板上將切條機傾斜，使下面與切削面間之稜邊內部之角度形成超過90°之陽極基體中間製品；接著藉由在此中間製品上面側之稜邊，將切削刀傾斜，使與該切條機切削面間之稜邊內部之角度超過90°進行切削，成為施行上下兩稜邊倒稜之形狀。
  36. 如申請專利範圍第32項之固體電解電容器用陽極基體，其中藉由使厚刃與薄刃之2枚刀刃組合所成之複數圓盤狀刃單位，以微小空隙分隔且互為相異而配置；在其一之圓盤狀刃單位之厚刃、與另一之圓盤狀刃單位之薄刃間，使用切條機進行切削，使陽極基體之原板通過該互為相異而配置之圓盤狀刃單位間，相對於刃之切削方向，調整該空隙使成為1~15度傾斜之方向排出，進行切削。
  37. 如申請專利範圍第32項之固體電解電容器用陽極基體，其係藉由將存在於具有旋轉彈性之支撐基體表面之研磨材料表面之被切削陽極基體側面表面擠壓，而予以倒稜。
  38. 一種固體電解電容器之製造方法，其特徵為在申請專利範圍第28~37項中任一項之固體電解電容器用陽極基體上，設置介電體皮膜與固體電解質層。
  39. 一種固體電解電容器之製造方法，其特徵為在申請專利範圍第28~37項中任一項之預先設置介電體皮膜之固體電解電容器用陽極基體上，設置固體電解質層。
  40. 如申請專利範圍第38或39項之固體電解電容器 之製造方法，其係藉由包含：浸漬於含單體之溶液後之乾燥步驟(步驟1)、浸漬於含氧化劑之溶液後之乾燥步驟(步驟2)之方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
  41. 如申請專利範圍第40項之固體電解電容器之製造方法，其係藉由將具有介電體皮膜層之閥作用金屬重複複數次：浸漬於含單體化合物溶液後的乾燥之步驟1、浸漬於含氧化劑溶液後之步驟2之方法，在具有介電體皮膜層之閥作用金屬上設置固體電解質層。
  42. 如申請專利範圍第40項之固體電解電容器之製造方法，其中氧化劑為過硫酸鹽。
  43. 如申請專利範圍第40項之固體電解電容器之製造方法，其中含氧化劑溶液為含有機微粒子之懸浮液。
  44. 如申請專利範圍第43項之固體電解電容器之製造方法，其中有機微粒子之平均粒徑(D50 )為0.1~20μm之範圍。
  45. 如申請專利範圍第43或44項之固體電解電容器之製造方法，其中有機微粒子為選自脂肪族磺酸化合物、芳香族磺酸化合物、脂肪族羧酸化合物、芳香族羧酸化合物，此等之鹽、及肽化合物所成群之至少一種。
  46. 一種固體電解電容器，其特徵為以申請專利範圍第38~45項中任一項之製造方法所製造。
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