JP2003119539A - 皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法 - Google Patents
皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温熱サイクル、腐食雰囲気下において強度
および耐食性を有する皮膜形成処理用アルミニウム合金
およびアルミニウム合金材を提供する。 【解決手段】 皮膜形成処理用アルミニウム合金は、Ｓ
ｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３〜２．０wt
％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、
ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１wt％以下に
規制され、残部がＡｌおよび他の不純物からなる。ま
た、耐食性に優れたアルミニウム合金材は、上記組成の
合金母材の表面に、陽極酸化処理皮膜、フッ化処理皮
膜、Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、
陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜等の耐食性皮
膜が形成されている。また、前記アルミニウム合金およ
び合金材は、ＣＶＤ装置用、ＰＶＤ装置用、ＬＣＤ製造
装置用、半導体製造装置用の材料に適している。
および耐食性を有する皮膜形成処理用アルミニウム合金
およびアルミニウム合金材を提供する。 【解決手段】 皮膜形成処理用アルミニウム合金は、Ｓ
ｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３〜２．０wt
％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、
ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１wt％以下に
規制され、残部がＡｌおよび他の不純物からなる。ま
た、耐食性に優れたアルミニウム合金材は、上記組成の
合金母材の表面に、陽極酸化処理皮膜、フッ化処理皮
膜、Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、
陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜等の耐食性皮
膜が形成されている。また、前記アルミニウム合金およ
び合金材は、ＣＶＤ装置用、ＰＶＤ装置用、ＬＣＤ製造
装置用、半導体製造装置用の材料に適している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体、
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の製造装置材料として好
適に使用され、皮膜形成処理によって優れた耐食性が得
られるアルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアル
ミニウム合金材およびその製造方法に関する。
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の製造装置材料として好
適に使用され、皮膜形成処理によって優れた耐食性が得
られるアルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアル
ミニウム合金材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体やＬＣＤ等の製造装置を構成する
チャンバー、サセプター、バッキングプレート等の部材
材料として、アルミニウム合金、特にＡｌ−Ｓｉ系のＪ
ＩＳ５０５２アルミニウム合金やＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系の
ＪＩＳ ６０６１アルミニウム合金からなる展伸材や鋳
物材が使用されることが多い。また、これらの製造装置
は高温で使用される上にシラン（ＳｉＨ4）やフッ素系
または塩素系のハロゲンガス等の腐食性ガス雰囲気で使
用されるため、各部材に陽極酸化処理を施して表面に硬
質の陽極酸化皮膜を形成し、耐食性を向上させている。
チャンバー、サセプター、バッキングプレート等の部材
材料として、アルミニウム合金、特にＡｌ−Ｓｉ系のＪ
ＩＳ５０５２アルミニウム合金やＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系の
ＪＩＳ ６０６１アルミニウム合金からなる展伸材や鋳
物材が使用されることが多い。また、これらの製造装置
は高温で使用される上にシラン（ＳｉＨ4）やフッ素系
または塩素系のハロゲンガス等の腐食性ガス雰囲気で使
用されるため、各部材に陽極酸化処理を施して表面に硬
質の陽極酸化皮膜を形成し、耐食性を向上させている。
【０００３】しかし、このような表面処理をしても使用
環境や使用頻度によっては早期に表面劣化が起こり、表
面処理の更新が必要であった。特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ処
理装置では、使用温度が室温から約４００℃までの広範
囲にわたり、しかも繰り返し熱応力が加わるため、母材
と陽極酸化皮膜との熱変形能の違いにより割れが生じる
ことがある。また長期使用の間には、顕著な損傷はなく
てもワークを処理する際に装置表面に接触して陽極酸化
皮膜が摩耗することもある。
環境や使用頻度によっては早期に表面劣化が起こり、表
面処理の更新が必要であった。特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ処
理装置では、使用温度が室温から約４００℃までの広範
囲にわたり、しかも繰り返し熱応力が加わるため、母材
と陽極酸化皮膜との熱変形能の違いにより割れが生じる
ことがある。また長期使用の間には、顕著な損傷はなく
てもワークを処理する際に装置表面に接触して陽極酸化
皮膜が摩耗することもある。
【０００４】そこで、半導体等の製造装置材料として、
例えば特開平１１−４３７３４号公報においてＭｎ、Ｃ
ｕ、Ｆｅを添加したアルミニウム合金が提案されてい
る。このアルミニウム合金は、重金属を添加することで
熱的に安定な金属間化合物を生成させるとともに、熱サ
イクルが加わったときに緩衝効果を果たす二重構造の陽
極酸化皮膜を生成させることによって、熱サイクルおよ
び腐食環境下における耐食性向上を図ったものである。
例えば特開平１１−４３７３４号公報においてＭｎ、Ｃ
ｕ、Ｆｅを添加したアルミニウム合金が提案されてい
る。このアルミニウム合金は、重金属を添加することで
熱的に安定な金属間化合物を生成させるとともに、熱サ
イクルが加わったときに緩衝効果を果たす二重構造の陽
極酸化皮膜を生成させることによって、熱サイクルおよ
び腐食環境下における耐食性向上を図ったものである。
【０００５】また、特開平８−９２６８４号公報におい
てフッ化処理用Ａｌ−Ｍｇ系合金が提案されている。こ
のアルミニウム合金は、フッ化処理により形成されるフ
ッ化不働態膜によって耐食性向上を図ったものである。
てフッ化処理用Ａｌ−Ｍｇ系合金が提案されている。こ
のアルミニウム合金は、フッ化処理により形成されるフ
ッ化不働態膜によって耐食性向上を図ったものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平１１−４３７３４号公報記載のアルミニウム合金
は、陽極酸化皮膜の欠陥から、母材中のＡｌ−Ｆｅ系等
の金属間化合物が腐食性ガスと反応して放出されたり、
あるいは陽極酸化皮膜中の金属間化合物が僅かずつ蒸発
または析出により放出されるという問題があった。この
ようなアルミニウム合金を、例えば半導体等の絶縁膜の
成膜装置に使用すると、処理チャンバー内が放出された
金属間化合物で汚染され、ひいては生成される絶縁膜が
金属間化合物で汚染されて膜質が低下するという問題が
あった。
特開平１１−４３７３４号公報記載のアルミニウム合金
は、陽極酸化皮膜の欠陥から、母材中のＡｌ−Ｆｅ系等
の金属間化合物が腐食性ガスと反応して放出されたり、
あるいは陽極酸化皮膜中の金属間化合物が僅かずつ蒸発
または析出により放出されるという問題があった。この
ようなアルミニウム合金を、例えば半導体等の絶縁膜の
成膜装置に使用すると、処理チャンバー内が放出された
金属間化合物で汚染され、ひいては生成される絶縁膜が
金属間化合物で汚染されて膜質が低下するという問題が
あった。
【０００７】また、特開平８−９２６８４号公報記載の
アルミニウム合金についても、形成されたフッ化不働態
膜による耐食性が不十分であり、さらなる耐食性の向上
が求められている。
アルミニウム合金についても、形成されたフッ化不働態
膜による耐食性が不十分であり、さらなる耐食性の向上
が求められている。
【０００８】この発明は、上述の技術背景に鑑み、高温
熱サイクル、腐食雰囲気下において強度および耐食性に
優れた皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食
性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法の提
供を目的とする。
熱サイクル、腐食雰囲気下において強度および耐食性に
優れた皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食
性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法の提
供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明の皮膜形成処理用アルミニウム合金は、Ｓ
ｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３〜２．０wt
％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、
ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１wt％以下に
規制され、残部がＡｌおよび他の不純物からなることを
基本要旨とする。
に、この発明の皮膜形成処理用アルミニウム合金は、Ｓ
ｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３〜２．０wt
％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、
ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１wt％以下に
規制され、残部がＡｌおよび他の不純物からなることを
基本要旨とする。
【００１０】前記皮膜形成処理用アルミニウム合金にお
いて、Ｓｉ含有量は０．４〜０．７wt％、Ｍｇ含有量は
０．５〜１．５wt％、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎお
よびＮｉの各含有量はそれぞれ０．０５wt％以下に規制
されていることが好ましい。
いて、Ｓｉ含有量は０．４〜０．７wt％、Ｍｇ含有量は
０．５〜１．５wt％、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎお
よびＮｉの各含有量はそれぞれ０．０５wt％以下に規制
されていることが好ましい。
【００１１】また、前記皮膜形成処理用アルミニウム合
金は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置
用アルミニウム合金、半導体製造装置用アルミニウム合
金として好適に使用される。
金は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置
用アルミニウム合金、半導体製造装置用アルミニウム合
金として好適に使用される。
【００１２】この発明の耐食性に優れたアルミニウム合
金材は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３
〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１
wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他の不純物から
なるアルミニウム合金母材の表面に、耐食性皮膜が形成
されてなることを基本要旨とする。
金材は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：０．３
〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ０．１
wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他の不純物から
なるアルミニウム合金母材の表面に、耐食性皮膜が形成
されてなることを基本要旨とする。
【００１３】前記耐食性に優れたアルミニウム合金材に
おいて、前記耐食性皮膜は、陽極酸化処理皮膜またはフ
ッ化処理皮膜の単独皮膜であることが好ましく、あるい
はＮｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、ま
たは陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜であるこ
とが好ましい。
おいて、前記耐食性皮膜は、陽極酸化処理皮膜またはフ
ッ化処理皮膜の単独皮膜であることが好ましく、あるい
はＮｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、ま
たは陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜であるこ
とが好ましい。
【００１４】また、前記アルミニウム合金母材における
Ｓｉ含有量は０．４〜０．７wt％、Ｍｇ含有量は０．５
〜１．５wt％、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮ
ｉの各含有量はそれぞれ０．０５wt％以下に規制されて
いることが好ましい。
Ｓｉ含有量は０．４〜０．７wt％、Ｍｇ含有量は０．５
〜１．５wt％、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮ
ｉの各含有量はそれぞれ０．０５wt％以下に規制されて
いることが好ましい。
【００１５】また、耐食性に優れたアルミニウム合金材
は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金材、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金材、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用アルミニウム合金材、半導体製造装置用アルミニウ
ム合金材として好適に使用される。
は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金材、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金材、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用アルミニウム合金材、半導体製造装置用アルミニウ
ム合金材として好適に使用される。
【００１６】この発明の耐食性に優れたアルミニウム合
金材の製造方法は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭ
ｇ：０．３〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそ
れぞれ０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他
の不純物からなるアルミニウム合金母材の表面に、耐食
性皮膜形成処理を施すことを基本要旨とする。
金材の製造方法は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭ
ｇ：０．３〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそ
れぞれ０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他
の不純物からなるアルミニウム合金母材の表面に、耐食
性皮膜形成処理を施すことを基本要旨とする。
【００１７】前記耐食性に優れたアルミニウム合金材
は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金材、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金材、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用アルミニウム合金材、半導体製造装置用アルミニウ
ム合金材として好適に使用される。
は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金材、ＰＶＤ装置用ア
ルミニウム合金材、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用アルミニウム合金材、半導体製造装置用アルミニウ
ム合金材として好適に使用される。
【００１８】この発明の皮膜形成処理用アルミニウム合
金、および耐食性に優れたアルミニウム合金材のアルミ
ニウム合金母材の化学組成において、各元素の添加意義
および規制意義は次のとおりである。
金、および耐食性に優れたアルミニウム合金材のアルミ
ニウム合金母材の化学組成において、各元素の添加意義
および規制意義は次のとおりである。
【００１９】ＳｉおよびＭｇはいずれも強度を向上させ
る元素である。Ｓｉが０．２wt％未満、Ｍｇが０．３wt
％未満では強度向上効果に乏しく、Ｓｉが１．０wt％を
超えると靱性が低下し、Ｍｇが２．０wt％を超えると加
工性が低下するという不都合がある。従って、Ｓｉ含有
量は０．２〜１．０wt％、Ｍｇ含有量は０．３〜２．０
wt％とする。さらに、Ｍｇには、フッ化処理を施した場
合にフッ素とともにフッ化不働態膜を形成させ、また機
械加工性を向上させる効果がある。好ましいＳｉ含有量
は０．４〜０．７wt％である。また、好ましいＭｇ含有
量０．５〜１．５wt％である。
る元素である。Ｓｉが０．２wt％未満、Ｍｇが０．３wt
％未満では強度向上効果に乏しく、Ｓｉが１．０wt％を
超えると靱性が低下し、Ｍｇが２．０wt％を超えると加
工性が低下するという不都合がある。従って、Ｓｉ含有
量は０．２〜１．０wt％、Ｍｇ含有量は０．３〜２．０
wt％とする。さらに、Ｍｇには、フッ化処理を施した場
合にフッ素とともにフッ化不働態膜を形成させ、また機
械加工性を向上させる効果がある。好ましいＳｉ含有量
は０．４〜０．７wt％である。また、好ましいＭｇ含有
量０．５〜１．５wt％である。
【００２０】また、不純物としての重金属Ｆｅ、Ｃｕ、
Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉが多量に含有されている
と、母材および皮膜中のＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物の生
成量が増し、皮膜欠陥から、金属間化合物が蒸発または
析出により放出され、あるいはハロゲンガス等の腐食性
ガスと反応して金属組織から脱落して放出される。重金
属単体でも放出される。また、重金属含有量および金属
間化合物量が増えると皮膜の欠陥が増大し、重金属およ
び金属間化合物が放出され易くなる。そして、このアル
ミニウム合金またはアルミニウム合金材がＣＶＤ装置用
材料、ＰＶＤ装置用材料、ＬＣＤ製造装置用材料、半導
体製造装置用材料として用いられる場合には、放出され
た重金属および金属間化合物が処理または製造されるＬ
ＣＤ、半導体等を汚染して製品品質を劣化させる。さら
に、強度向上のために上記範囲のＳｉ、Ｍｇの添加する
ためには、金属間化合物を生成させる不純物としての重
金属を規制する必要がある。このため、前記各重金属元
素はそれぞれ０．１wt％以下に規制して、金属間化合物
の生成量を抑制するとともに皮膜欠陥を減少させる必要
がある。これらの重金属元素の好ましい含有量はそれぞ
れ０．０５wt％以下である。
Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉが多量に含有されている
と、母材および皮膜中のＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物の生
成量が増し、皮膜欠陥から、金属間化合物が蒸発または
析出により放出され、あるいはハロゲンガス等の腐食性
ガスと反応して金属組織から脱落して放出される。重金
属単体でも放出される。また、重金属含有量および金属
間化合物量が増えると皮膜の欠陥が増大し、重金属およ
び金属間化合物が放出され易くなる。そして、このアル
ミニウム合金またはアルミニウム合金材がＣＶＤ装置用
材料、ＰＶＤ装置用材料、ＬＣＤ製造装置用材料、半導
体製造装置用材料として用いられる場合には、放出され
た重金属および金属間化合物が処理または製造されるＬ
ＣＤ、半導体等を汚染して製品品質を劣化させる。さら
に、強度向上のために上記範囲のＳｉ、Ｍｇの添加する
ためには、金属間化合物を生成させる不純物としての重
金属を規制する必要がある。このため、前記各重金属元
素はそれぞれ０．１wt％以下に規制して、金属間化合物
の生成量を抑制するとともに皮膜欠陥を減少させる必要
がある。これらの重金属元素の好ましい含有量はそれぞ
れ０．０５wt％以下である。
【００２１】この発明の耐食性に優れたアルミニウム合
金材は、上述した組成のアルミニウム合金母材の表面
に、耐食性皮膜が形成されている。前記皮膜は、上述し
たように母材合金の組成制御によって欠陥の少ない皮膜
に形成されているため、高温熱サイクル、腐食環境下に
おいても重金属および金属間化合物が放出されにくく、
優れた耐食性、特にガス耐食性を有し、ひいては合金材
としての耐食性が優れている。また、長時間の使用劣化
によって皮膜が割れたり摩耗して母材が露出した場合で
も、母材中の重金属含有量そのものが規制されているた
めに放出量も少なく、半導体等への汚染による悪影響も
少ない。
金材は、上述した組成のアルミニウム合金母材の表面
に、耐食性皮膜が形成されている。前記皮膜は、上述し
たように母材合金の組成制御によって欠陥の少ない皮膜
に形成されているため、高温熱サイクル、腐食環境下に
おいても重金属および金属間化合物が放出されにくく、
優れた耐食性、特にガス耐食性を有し、ひいては合金材
としての耐食性が優れている。また、長時間の使用劣化
によって皮膜が割れたり摩耗して母材が露出した場合で
も、母材中の重金属含有量そのものが規制されているた
めに放出量も少なく、半導体等への汚染による悪影響も
少ない。
【００２２】前記耐食性皮膜としては、陽極酸化処理皮
膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜、あるいはＮｉ−Ｐ
メッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、または陽極酸
化処理とフッ化処理による複合皮膜を例示でき、いずれ
も上述した優れた耐食性が得られる。これらのうち、単
独皮膜は皮膜形成処理が容易である点で推奨でき、複合
皮膜は異種皮膜の複合化により耐食性を相乗的に向上し
うる点で推奨できる。
膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜、あるいはＮｉ−Ｐ
メッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、または陽極酸
化処理とフッ化処理による複合皮膜を例示でき、いずれ
も上述した優れた耐食性が得られる。これらのうち、単
独皮膜は皮膜形成処理が容易である点で推奨でき、複合
皮膜は異種皮膜の複合化により耐食性を相乗的に向上し
うる点で推奨できる。
【００２３】なお、このような皮膜によって優れたガス
耐食性を有する合金材は、水に対しても優れた耐食性を
示す。
耐食性を有する合金材は、水に対しても優れた耐食性を
示す。
【００２４】前記耐食性に優れたアルミニウム合金材の
製造方法において、各耐食性皮膜形成処理は常法に従っ
て行えば良く、条件は限定されない。
製造方法において、各耐食性皮膜形成処理は常法に従っ
て行えば良く、条件は限定されない。
【００２５】陽極酸化処理は、硫酸浴、蓚酸浴等により
処理する。例えばアルミニウム合金材を半導体等製造装
置材料として使用する場合であれば、液組成：１０％Ｈ
2ＳＯ4、液温０+/-２℃、電流密度：ＤＣ２〜４．５Ａ
／ｄｍ2、電圧：２３〜１２０Ｖ、処理時間：６０分の
条件で処理すると、約５０μｍの硬質陽極酸化皮膜を形
成することができる。
処理する。例えばアルミニウム合金材を半導体等製造装
置材料として使用する場合であれば、液組成：１０％Ｈ
2ＳＯ4、液温０+/-２℃、電流密度：ＤＣ２〜４．５Ａ
／ｄｍ2、電圧：２３〜１２０Ｖ、処理時間：６０分の
条件で処理すると、約５０μｍの硬質陽極酸化皮膜を形
成することができる。
【００２６】フッ化処理は、加熱下でフッ素ガスまたは
フッ化物ガスをアルミニウム合金母材の表面に接触させ
るか、あるいは液体フッ化物を接触させる方法等を例示
でき、フッ化不働態皮膜を形成することができる。
フッ化物ガスをアルミニウム合金母材の表面に接触させ
るか、あるいは液体フッ化物を接触させる方法等を例示
でき、フッ化不働態皮膜を形成することができる。
【００２７】Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複
合皮膜を形成する場合は、例えば次亜りん酸塩を還元剤
とした硫酸ニッケル浴を用いてＮｉ−Ｐメッキ処理を施
してメッキ皮膜を形成した後、上述したフッ化処理を施
す。これにより、Ｎｉ−Ｐメッキ皮膜とフッ化不働態皮
膜との複合皮膜が形成される。
合皮膜を形成する場合は、例えば次亜りん酸塩を還元剤
とした硫酸ニッケル浴を用いてＮｉ−Ｐメッキ処理を施
してメッキ皮膜を形成した後、上述したフッ化処理を施
す。これにより、Ｎｉ−Ｐメッキ皮膜とフッ化不働態皮
膜との複合皮膜が形成される。
【００２８】また、陽極酸化処理とフッ化処理による複
合皮膜を形成する場合は、上述した陽極酸化処理を施し
て陽極酸化皮膜を形成した後、上述したフッ化処理を施
す。これにより、陽極酸化皮膜とフッ化不働態皮膜との
複合皮膜が形成される。
合皮膜を形成する場合は、上述した陽極酸化処理を施し
て陽極酸化皮膜を形成した後、上述したフッ化処理を施
す。これにより、陽極酸化皮膜とフッ化不働態皮膜との
複合皮膜が形成される。
【００２９】また、いずれの場合も、皮膜形成処理の前
処理として脱脂洗浄、エッチング、表面研磨等、後処理
としての洗浄、乾燥、加熱等は適宜行う。
処理として脱脂洗浄、エッチング、表面研磨等、後処理
としての洗浄、乾燥、加熱等は適宜行う。
【００３０】所要形状への加工も常法に従えば良く限定
されないが、半導体等製造装置材料として高温熱サイク
ル、腐食環境下で使用する場合は、切削、研削時および
接合時の残留応力を除去するために、それぞれの加工後
に３５０〜３８０℃で熱処理することが好ましい。
されないが、半導体等製造装置材料として高温熱サイク
ル、腐食環境下で使用する場合は、切削、研削時および
接合時の残留応力を除去するために、それぞれの加工後
に３５０〜３８０℃で熱処理することが好ましい。
【００３１】また、この発明のアルミニウム合金および
合金材は、高温、腐食ガス雰囲気に曝されるあらゆる部
材に適した合金および合金材であり、特にＣＶＤ装置
用、ＰＶＤ装置用、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用、半導体製造装置用のアルミニウム合金材料として
好適に使用される。
合金材は、高温、腐食ガス雰囲気に曝されるあらゆる部
材に適した合金および合金材であり、特にＣＶＤ装置
用、ＰＶＤ装置用、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装
置用、半導体製造装置用のアルミニウム合金材料として
好適に使用される。
【００３２】
【実施例】後掲の表１に示す各組成のアルミニウム合金
について、常法に従ってＤＣ鋳造した鋳塊を４５０〜６
００℃で均質化処理し、その後熱間圧延および冷間圧延
を施して厚さ４mmのアルミニウム合金板を製作した。
について、常法に従ってＤＣ鋳造した鋳塊を４５０〜６
００℃で均質化処理し、その後熱間圧延および冷間圧延
を施して厚さ４mmのアルミニウム合金板を製作した。
【００３３】５０mm×５０mmに切断した各アルミニウム
合金板に対し、下記条件で皮膜を形成した。ただし、比
較例１４は皮膜形成処理を施さなかった。 （硫酸陽極酸化皮膜の形成）浴組成：１５％Ｈ2ＳＯ4、
浴温：２５℃、電圧：２０Ｖ、処理時間：２０分で陽極
酸化処理を行い、膜厚：２０μｍの皮膜を形成した。 （蓚酸陽極酸化皮膜の形成）浴組成：４％（ＣＯＯＨ）
2・２Ｈ2Ｏ、浴温：２５℃、電圧：３０Ｖ、処理時間：
３０分で陽極酸化処理を行い、膜厚：１５μｍの皮膜を
形成した。 （フッ化処理皮膜の形成）前処理として化学研磨を行っ
た後、２０％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入した
チャンバー内で、２６０℃×２４時間保持し、膜厚５μ
ｍのフッ化不働態皮膜を形成した。 （Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理の複合皮膜の形成）
次亜りん酸塩を還元剤とした硫酸ニッケル浴中で、無電
解Ｎｉ−Ｐメッキを行い５μｍのメッキ皮膜を形成した
後、２０％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入したチ
ャンバー内で２６０℃×２４時間保持し、Ｎｉ−Ｐメッ
キ皮膜とフッ化不働態皮膜との複合皮膜を形成した。こ
の複合皮膜の膜厚は３０μｍであった。 （陽極酸化処理とフッ化処理の複合皮膜の形成）上述の
方法で２０μｍの硫酸陽極酸化皮膜を形成した後、２０
％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入したチャンバー
内で２６０℃×２４時間保持し、硫酸陽極酸化皮膜とフ
ッ化不働態皮膜との複合皮膜を形成した。この複合皮膜
の膜厚は１５μｍであった。
合金板に対し、下記条件で皮膜を形成した。ただし、比
較例１４は皮膜形成処理を施さなかった。 （硫酸陽極酸化皮膜の形成）浴組成：１５％Ｈ2ＳＯ4、
浴温：２５℃、電圧：２０Ｖ、処理時間：２０分で陽極
酸化処理を行い、膜厚：２０μｍの皮膜を形成した。 （蓚酸陽極酸化皮膜の形成）浴組成：４％（ＣＯＯＨ）
2・２Ｈ2Ｏ、浴温：２５℃、電圧：３０Ｖ、処理時間：
３０分で陽極酸化処理を行い、膜厚：１５μｍの皮膜を
形成した。 （フッ化処理皮膜の形成）前処理として化学研磨を行っ
た後、２０％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入した
チャンバー内で、２６０℃×２４時間保持し、膜厚５μ
ｍのフッ化不働態皮膜を形成した。 （Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理の複合皮膜の形成）
次亜りん酸塩を還元剤とした硫酸ニッケル浴中で、無電
解Ｎｉ−Ｐメッキを行い５μｍのメッキ皮膜を形成した
後、２０％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入したチ
ャンバー内で２６０℃×２４時間保持し、Ｎｉ−Ｐメッ
キ皮膜とフッ化不働態皮膜との複合皮膜を形成した。こ
の複合皮膜の膜厚は３０μｍであった。 （陽極酸化処理とフッ化処理の複合皮膜の形成）上述の
方法で２０μｍの硫酸陽極酸化皮膜を形成した後、２０
％フッ素ガス（Ｆ2）＋８０％Ｎ2を導入したチャンバー
内で２６０℃×２４時間保持し、硫酸陽極酸化皮膜とフ
ッ化不働態皮膜との複合皮膜を形成した。この複合皮膜
の膜厚は１５μｍであった。
【００３４】そして、各皮膜を形成したアルミニウム合
金板に対し、下記の方法によりガス耐食性試験および強
度試験を行った。 〔ガス耐食性試験〕前記アルミニウム合金板を、半導体
製造工程における絶縁膜の成膜装置の処理チャンバー内
に投入し、半導体絶縁膜の絶縁不良が発生するまでの時
間を計測した。試験に使用したシリコンウエーハは直径
２００mm、厚さ７００μｍ、チャンバー寸法は幅４００
mm×奥行き４００mm×高さ２００mmであり、絶縁膜の成
膜はプラズマＣＶＤ（４００℃、腐食性ガス：ＳｉＨ4
−Ｎ2Ｏ、プラズマ励起雰囲気）により行った。
金板に対し、下記の方法によりガス耐食性試験および強
度試験を行った。 〔ガス耐食性試験〕前記アルミニウム合金板を、半導体
製造工程における絶縁膜の成膜装置の処理チャンバー内
に投入し、半導体絶縁膜の絶縁不良が発生するまでの時
間を計測した。試験に使用したシリコンウエーハは直径
２００mm、厚さ７００μｍ、チャンバー寸法は幅４００
mm×奥行き４００mm×高さ２００mmであり、絶縁膜の成
膜はプラズマＣＶＤ（４００℃、腐食性ガス：ＳｉＨ4
−Ｎ2Ｏ、プラズマ励起雰囲気）により行った。
【００３５】前記絶縁膜の成膜試験において、絶縁不良
は、アルミニウム合金中に不純物として含有される重金
属またはこの重金属によって形成された金属間化合物が
絶縁膜を汚染し、ＳｉまたはＳｉＯ2への拡散係数が大
となったためであると推測される。従って、絶縁不良ま
での時間、換言すれば成膜可能時間が長いほどアルミニ
ウム合金母材または各皮膜からの重金属および金属間化
合物の放出量が少ないと評価することができる。評価結
果を表１に示す。
は、アルミニウム合金中に不純物として含有される重金
属またはこの重金属によって形成された金属間化合物が
絶縁膜を汚染し、ＳｉまたはＳｉＯ2への拡散係数が大
となったためであると推測される。従って、絶縁不良ま
での時間、換言すれば成膜可能時間が長いほどアルミニ
ウム合金母材または各皮膜からの重金属および金属間化
合物の放出量が少ないと評価することができる。評価結
果を表１に示す。
【００３６】なお、実施例９，１０の同一組成のアルミ
ニウム合金において、硫酸陽極酸化皮膜よりも蓚酸陽極
酸化皮膜の成膜可能時間が長いのは、蓚酸陽極酸化皮膜
の耐熱性によるものと推測される。
ニウム合金において、硫酸陽極酸化皮膜よりも蓚酸陽極
酸化皮膜の成膜可能時間が長いのは、蓚酸陽極酸化皮膜
の耐熱性によるものと推測される。
【００３７】また、複合皮膜を形成した２種類のアルミ
ニウム合金板（実施例１２，１３））が、陽極酸化処理
皮膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜（実施例１〜１
１）よりも成膜可能時間が長いのは異種皮膜の複合化に
よりガス耐食性が相乗的に向上したことによると考えら
れる。 〔強度試験〕ガス耐食性試験と同サンプルを用い、ＪＩ
Ｓ Ｚ２２０１に基づいて引張試験を行い、強度を比較
した。評価結果を表１に示す。
ニウム合金板（実施例１２，１３））が、陽極酸化処理
皮膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜（実施例１〜１
１）よりも成膜可能時間が長いのは異種皮膜の複合化に
よりガス耐食性が相乗的に向上したことによると考えら
れる。 〔強度試験〕ガス耐食性試験と同サンプルを用い、ＪＩ
Ｓ Ｚ２２０１に基づいて引張試験を行い、強度を比較
した。評価結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１の結果より、重金属の含有量を規制し
たアルミニウム合金、および各耐食性皮膜を形成したア
ルミニウム合金板は、高温、腐食雰囲気下における絶縁
膜の成膜可能時間が長く、母材または各皮膜からの重金
属および金属間化合物の放出量が少ないことを裏付けて
いる。また、重金属含有量の規制により、金属化合物の
生成量が少ないことに加え、欠陥の少ない皮膜が形成さ
れて、重金属や金属間化合物が放出されにくいことも成
膜可能時間延長に寄与していると推測される。さらに所
定量のＳｉおよびＭｇを含有することで優れた強度が得
られた。
たアルミニウム合金、および各耐食性皮膜を形成したア
ルミニウム合金板は、高温、腐食雰囲気下における絶縁
膜の成膜可能時間が長く、母材または各皮膜からの重金
属および金属間化合物の放出量が少ないことを裏付けて
いる。また、重金属含有量の規制により、金属化合物の
生成量が少ないことに加え、欠陥の少ない皮膜が形成さ
れて、重金属や金属間化合物が放出されにくいことも成
膜可能時間延長に寄与していると推測される。さらに所
定量のＳｉおよびＭｇを含有することで優れた強度が得
られた。
【００４０】これらの結果より、各実施例の皮膜形成処
理用アルミニウム合金および皮膜を形成したアルミニウ
ム合金板は、強度、耐食性が優れており、ＣＶＤ装置用
材料、ＰＶＤ装置用材料、ＬＣＤ製造装置用材料、半導
体製造装置用材料として好適である。
理用アルミニウム合金および皮膜を形成したアルミニウ
ム合金板は、強度、耐食性が優れており、ＣＶＤ装置用
材料、ＰＶＤ装置用材料、ＬＣＤ製造装置用材料、半導
体製造装置用材料として好適である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の皮膜形
成処理用アルミニウム合金は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt
％およびＭｇ：０．３〜２．０wt％を含有し、不純物と
してのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含
有量がそれぞれ０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌ
および他の不純物からなるから、母材および形成される
皮膜中の重金属含有量、およびこれらの重金属によって
形成される金属間化合物量が少ない。また、これらの量
が少ないことによって、欠陥の少ない皮膜を生成させる
ことができて耐食性が優れ、高温熱サイクル、腐食環境
下においても、皮膜欠陥からの重金属および金属間化合
物の放出量が少ない。さらに、Ｓｉ、Ｍｇの含有により
優れた強度が得ることができる。
成処理用アルミニウム合金は、Ｓｉ：０．２〜１．０wt
％およびＭｇ：０．３〜２．０wt％を含有し、不純物と
してのＦｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含
有量がそれぞれ０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌ
および他の不純物からなるから、母材および形成される
皮膜中の重金属含有量、およびこれらの重金属によって
形成される金属間化合物量が少ない。また、これらの量
が少ないことによって、欠陥の少ない皮膜を生成させる
ことができて耐食性が優れ、高温熱サイクル、腐食環境
下においても、皮膜欠陥からの重金属および金属間化合
物の放出量が少ない。さらに、Ｓｉ、Ｍｇの含有により
優れた強度が得ることができる。
【００４２】前記皮膜形成処理用アルミニウム合金にお
いて、Ｓｉ含有量が０．４〜０．７wt％である場合、あ
るいはＭｇ含有量がは０．５〜１．５wt％であるには、
特に優れた強度が得られる。
いて、Ｓｉ含有量が０．４〜０．７wt％である場合、あ
るいはＭｇ含有量がは０．５〜１．５wt％であるには、
特に優れた強度が得られる。
【００４３】また、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎおよ
びＮｉの各含有量がそれぞれ０．０５wt％以下に規制さ
れている場合には、特にこれらの重金属含有量および金
属間化合物の少ない皮膜を形成することができる。
びＮｉの各含有量がそれぞれ０．０５wt％以下に規制さ
れている場合には、特にこれらの重金属含有量および金
属間化合物の少ない皮膜を形成することができる。
【００４４】また、この発明の耐食性に優れたアルミニ
ウム合金材は、母材が上述の化学組成であり、重金属含
有量およびこれらの重金属によって形成される金属間化
合物量が少ない。このため、表面に形成されている耐食
性皮膜は欠陥の少ない耐食性に優れたものとなり、高温
熱サイクル、腐食環境下においても、皮膜欠陥からの重
金属および金属間化合物の放出量が少ない。また、Ｓ
ｉ、Ｍｇの含有によって母材強度が優れている。
ウム合金材は、母材が上述の化学組成であり、重金属含
有量およびこれらの重金属によって形成される金属間化
合物量が少ない。このため、表面に形成されている耐食
性皮膜は欠陥の少ない耐食性に優れたものとなり、高温
熱サイクル、腐食環境下においても、皮膜欠陥からの重
金属および金属間化合物の放出量が少ない。また、Ｓ
ｉ、Ｍｇの含有によって母材強度が優れている。
【００４５】従って、高温熱サイクル、腐食環境下で使
用されるＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、ＬＣＤ製造装置、半
導体製造装置等の材料として、この発明の皮膜形成処理
用アルミニウム合金または耐食性に優れたアルミニウム
合金材を使用することにより、これらの装置で処理また
は製造される製品への重金属および金属間化合物の汚染
を抑制し、製品品質を向上させることができる。さら
に、長時間の使用劣化によって耐食性皮膜が割れたり摩
耗して母材が露出した場合でも、重金属含有量そのもの
が規制されているから放出量も少なく、製品への汚染に
よる悪影響も少ない。
用されるＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、ＬＣＤ製造装置、半
導体製造装置等の材料として、この発明の皮膜形成処理
用アルミニウム合金または耐食性に優れたアルミニウム
合金材を使用することにより、これらの装置で処理また
は製造される製品への重金属および金属間化合物の汚染
を抑制し、製品品質を向上させることができる。さら
に、長時間の使用劣化によって耐食性皮膜が割れたり摩
耗して母材が露出した場合でも、重金属含有量そのもの
が規制されているから放出量も少なく、製品への汚染に
よる悪影響も少ない。
【００４６】特に、前記耐食性皮膜が、陽極酸化処理皮
膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜である場合は皮膜形
成処理が容易である。また、前記耐食性皮膜が、Ｎｉ−
Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、または陽極
酸化処理とフッ化処理による複合皮膜である場合には、
異種皮膜の複合化によって特に優れた耐食性が得られ
る。
膜またはフッ化処理皮膜の単独皮膜である場合は皮膜形
成処理が容易である。また、前記耐食性皮膜が、Ｎｉ−
Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、または陽極
酸化処理とフッ化処理による複合皮膜である場合には、
異種皮膜の複合化によって特に優れた耐食性が得られ
る。
【００４７】また、この発明の耐食性に優れたアルミニ
ウム合金材の製造方法は、上述の組成の合金母材に対し
て各皮膜形成処理を施すものであり、この発明の耐食性
に優れたアルミニウム合金材を製造することができる。
ウム合金材の製造方法は、上述の組成の合金母材に対し
て各皮膜形成処理を施すものであり、この発明の耐食性
に優れたアルミニウム合金材を製造することができる。
【００４８】また、この発明のアルミニウム合金および
合金材は耐食性に優れているから、高温、腐食ガス雰囲
気に曝されるあらゆる部材材料に適している。特にこの
ような環境で使用されるＣＶＤ装置用、ＰＶＤ装置用、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置用、半導体製造装
置用のアルミニウム合金材料として適し、優れた耐食性
を有するこれらの装置を構成することができる。
合金材は耐食性に優れているから、高温、腐食ガス雰囲
気に曝されるあらゆる部材材料に適している。特にこの
ような環境で使用されるＣＶＤ装置用、ＰＶＤ装置用、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置用、半導体製造装
置用のアルミニウム合金材料として適し、優れた耐食性
を有するこれらの装置を構成することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２５Ｄ 11/04 ３０８ Ｃ２５Ｄ 11/04 ３０８
// Ｃ２２Ｆ 1/00 ６１３ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６１３
６２３ ６２３
６４０ ６４０Ａ
６８２ ６８２
６８３ ６８３
６８５ ６８５
Claims (23)
- 【請求項１】 Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：
０．３〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃ
ｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ
０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他の不純
物からなることを特徴とする皮膜形成処理用アルミニウ
ム合金。 - 【請求項２】 Ｓｉ含有量は０．４〜０．７wt％である
請求項１に記載の皮膜形成処理用アルミニウム合金。 - 【請求項３】 Ｍｇ含有量は０．５〜１．５wt％である
請求項１または２に記載の皮膜形成処理用アルミニウム
合金。 - 【請求項４】 Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮ
ｉの各含有量はそれぞれ０．０５wt％以下に規制されて
いる請求項１〜３のいずれかに記載の皮膜形成処理用ア
ルミニウム合金。 - 【請求項５】 前記皮膜形成処理用アルミニウム合金
は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金である請求項１〜４
のいずれかに記載の皮膜形成処理用アルミニウム合金。 - 【請求項６】 前記皮膜形成処理用アルミニウム合金
は、ＰＶＤ装置用アルミニウム合金である請求項１〜４
のいずれかに記載の皮膜形成処理用アルミニウム合金。 - 【請求項７】 前記皮膜形成処理用アルミニウム合金
は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置用アルミニウ
ム合金である請求項１〜４のいずれかに記載の皮膜形成
処理用アルミニウム合金。 - 【請求項８】 前記皮膜形成処理用アルミニウム合金
は、半導体製造装置用アルミニウム合金である請求項１
〜４のいずれかに記載の皮膜形成処理用アルミニウム合
金。 - 【請求項９】 Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭｇ：
０．３〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦｅ、Ｃ
ｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそれぞれ
０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他の不純
物からなるアルミニウム合金母材の表面に、耐食性皮膜
が形成されてなることを特徴とする耐食性に優れたアル
ミニウム合金材。 - 【請求項１０】 前記耐食性皮膜は、陽極酸化処理皮膜
またはフッ化処理皮膜の単独皮膜である請求項９に記載
の耐食性に優れたアルミニウム合金材。 - 【請求項１１】 前記耐食性皮膜は、Ｎｉ−Ｐメッキ処
理とフッ化処理による複合皮膜、または陽極酸化処理と
フッ化処理による複合皮膜である請求項９に記載の耐食
性に優れたアルミニウム合金材。 - 【請求項１２】 前記アルミニウム合金母材におけるＳ
ｉ含有量は０．４〜０．７wt％である請求項９〜１１の
いずれかに記載の耐食性に優れたアルミニウム合金材。 - 【請求項１３】 前記アルミニウム合金母材におけるＭ
ｇ含有量は０．５〜１．５wt％である請求項９〜１２の
いずれかに記載の耐食性に優れたアルミニウム合金材。 - 【請求項１４】 前記アルミニウム合金母材におけるＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量はそ
れぞれ０．０５wt％以下に規制されている請求項９〜１
３のいずれかに記載の耐食性に優れたアルミニウム合金
材。 - 【請求項１５】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金である請求項９〜
１４のいずれかに記載の耐食性に優れたアルミニウム合
金材。 - 【請求項１６】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、ＰＶＤ装置用アルミニウム合金材である請求項９
〜１４のいずれかに記載の耐食性に優れたアルミニウム
合金材。 - 【請求項１７】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置用アルミニ
ウム合金材である請求項９〜１４のいずれかに記載の耐
食性に優れたアルミニウム合金材。 - 【請求項１８】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、半導体製造装置用アルミニウム合金材である請求
項９〜１４のいずれかに記載の皮膜形成処理用アルミニ
ウム合金材。 - 【請求項１９】 Ｓｉ：０．２〜１．０wt％およびＭ
ｇ：０．３〜２．０wt％を含有し、不純物としてのＦ
ｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、ＺｎおよびＮｉの各含有量がそ
れぞれ０．１wt％以下に規制され、残部がＡｌおよび他
の不純物からなるアルミニウム合金母材の表面に、耐食
性皮膜形成処理を施すことを特徴とする耐食性に優れた
アルミニウム合金材の製造方法。 - 【請求項２０】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、ＣＶＤ装置用アルミニウム合金材である請求項１
９に記載の耐食性に優れたアルミニウム合金材の製造方
法。 - 【請求項２１】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、ＰＶＤ装置用アルミニウム合金材である請求項１
９に記載の耐食性に優れたアルミニウム合金材の製造方
法。 - 【請求項２２】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造装置用アルミニ
ウム合金材である請求項１９に記載の耐食性に優れたア
ルミニウム合金材の製造方法。 - 【請求項２３】 前記耐食性に優れたアルミニウム合金
材は、半導体製造装置用アルミニウム合金材である請求
項１９に記載の耐食性に優れたアルミニウム合金材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315973A JP3871544B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003119539A true JP2003119539A (ja) | 2003-04-23 |
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| KR101235350B1 (ko) | 2010-08-11 | 2013-02-20 | (주)제이스 | 금속 모재의 표면 처리 방법 |
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| WO2023042812A1 (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | 昭和電工株式会社 | フッ化物皮膜形成用アルミニウム合金部材及びフッ化物皮膜を有するアルミニウム合金部材 |
-
2001
- 2001-10-12 JP JP2001315973A patent/JP3871544B2/ja not_active Expired - Fee Related
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