JP2003101018A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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JP2003101018A JP2002197871A JP2002197871A JP2003101018A JP 2003101018 A JP2003101018 A JP 2003101018A JP 2002197871 A JP2002197871 A JP 2002197871A JP 2002197871 A JP2002197871 A JP 2002197871A JP 2003101018 A JP2003101018 A JP 2003101018A
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    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 急激な金属−絶縁体相転移を利用した電界効
果トランジスタを提供すること。 【解決手段】 基板400上に配置されて充電ホールが
流入される時に急激な金属−絶縁体相転移を生じるモッ
ト絶縁体410と、その上に配置されて一定の電圧が印
加される時に充電ホールをモット絶縁体410に流入さ
せる強誘電体膜420と、その上に配置されて強誘電体
膜に一定の電圧を印加するゲート電極430と、モット
絶縁体410の第1表面と電気的に接続されるように形
成されたソース電極440と、モット絶縁体410の第
2表面と電気的に接続されるように形成されたドレーン
電極450とを備える。素子の集積度及びスイッチング
速度を大幅に向上でき、膜厚を大きく薄くしなくても低
電圧下で適切なドーピング用ホールを得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界効果トランジ
スタに関し、より詳細には、急激な金属−絶縁体相転移
を利用した電界効果トランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】現在、超小型及び超高速用スイッチング
トランジスタとしてMOS電界効果トランジスタ(Me
tal Oxide Semiconductor F
ield Effect Transistor;MO
SFET)が多用されている。MOSFETは、低いド
レーン電圧下で線形的特性を示す2つのpn接合構造を
基本構造として採用している。しかし、素子の集積度が
高くなるにつれてチャンネル長が略50nm以下に短く
なる場合、空乏層の増加によりキャリアの濃度が変わ
り、ゲートとチャンネルとの間を貫いて流れる電流が大
いに増える。
【0003】最近、このような問題を解決するための手
段として、ハバードの連続的な金属−絶縁体相転移(M
ott−Hubbard metal−Insulat
ortransition)、すなわち、2次相転移を
するモット−ハバード絶縁体をチャンネル層に使用する
モット電界効果トランジスタに関する研究が盛んになり
つつある。モット電界効果トランジスタは、金属−絶縁
体相転移によってオン/オフ動作を行い、MOSFET
とは異なって空乏層が存在しないことから、素子の集積
度を大幅に高められるだけではなく、MOSFETより
も高速のスイッチング特性を示すと知られている。
【0004】モット−ハバード電界効果トランジスタ
は、連続的に生じる金属−絶縁体相転移を利用するた
め、最適の金属的特性が得られるまでキャリアとして利
用される電荷を連続的に添加しなければならない。従っ
て、添加する電荷が高濃度でなければならない。一般
に、単位面積当り充電電荷量Nは、以下の式(1)のよ
うに表わせる。
【0005】
【数1】
【0006】ここで、εはゲート絶縁体の誘電率、eは
基本電荷、dはゲート絶縁体の厚さ、そしてVgはゲー
ト電圧を各々表わす。
【0007】例えば、モット−ハバード絶縁体として分
類される物質の一つであるLa2CuO4の場合、La2
CuO4にホールを添加すれば、La2-xSrxCuO
4(LSCO)の特性が示され、x=0.15(15
%)で最高のホールキャリアを有する金属となる。ここ
で、添加されたホールはキャリアとなる。通常、x=
0.15は高濃度であるため、N値が大きくなればゲー
ト絶縁体の誘電率が大きくなるか、絶縁体が薄くなる
か、それともゲート電圧が大きくならなければならな
い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電率
があまりにも大きくなれば、高速スイッチング動作下で
誘電体の疲労特性が急激に悪くなり、その結果、トラン
ジスタの寿命が短縮される。また、工程上の限界によっ
て絶縁体を薄めるには困難さがある。さらに、ゲート電
圧が大きくなる場合、電力消耗が増えて低電力用として
使用し難いという問題がある。
【0009】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、低濃度のホールを
添加しても最適の金属的特性が得られるように急激な金
属−絶縁体相転移を利用した電界効果トランジスタを提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の電界効果トラン
ジスタは、このような目的を達成するために、基板と、
該基板上に配置されて充電ホールが流入される時に急激
な金属−絶縁体相転移を生じるモット絶縁体と、該モッ
ト絶縁体上に配置されて一定の電圧が印加される時に前
記充電ホールを前記モット絶縁体に流入させる強誘電体
膜と、該強誘電体膜上に配置されて前記強誘電体膜に一
定の電圧を印加するゲート電極と、前記モット絶縁体の
第1表面と電気的に接続されるように形成されたソース
電極と、前記モット絶縁体の第2表面と電気的に接続さ
れるように形成されたドレーン電極とを備えることを特
徴とする。
【0011】前記基板は、SrTiO3基板であること
が望ましい。また、前記モット絶縁体は、LaTi
3、YTiO3またはh−BaTiO3物質よりなるこ
とが望ましい。また、前記強誘電体膜は、Ba1-xSrx
TiO3物質よりなることが望ましい。さらに、前記ソ
ース電極及び前記ドレーン電極は、前記強誘電体膜によ
って互いに分離されることが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。しかしながら、本発明の実
施形態を各種の形態に変形でき、本発明の範囲が後述す
る実施形態によって限定されることはない。
【0013】まず、本発明に係る電界効果トランジスタ
の動作原理について説明する。図1(a),(b)は、
一定の条件下で急激な金属−絶縁体相転移現象を示すモ
ット絶縁体の内部の原子配置を示した図である。
【0014】まず、図1(a)に示されたように、ある
原子に2つの電子が存在し、それら電子間に作用する反
発クーロン相互作用の強度Uが電子間の最大クーロンエ
ネルギーUcと同一になれば、すなわち、U/Uc=k
=1になれば、その原子に2つの電子が存在できず、そ
のうち一つの電子は隣りの原子へと移動しつつ束縛され
る。このように束縛されて金属的な電子構造を有する絶
縁体をモット絶縁体100と呼ぶ。
【0015】このようなモット絶縁体100に極めて低
濃度のホールが添加されれば、モット絶縁体100は、
クーロン相互作用が弱くなって金属に急激に相転移され
て金属相及び絶縁相を合わせ持つ不均一な金属的システ
ムに変わる。このように、急激な相転移現象は、”Hy
un−Tak Kim、Physica C 341−
348,259(2000)”に開示されている。ここ
で、不均一な金属的システムになる理由は、ホールの添
加によって電子の数が原子の数よりも少なくなるからで
ある。
【0016】この場合、図1(b)に示されたように、
クーロン相互作用の強度Uが最大クーロンエネルギーU
cよりも弱くなり、すなわち、U/Uc=k<1にな
り、これによりモット絶縁体100は局所的にブリンク
マン−ライスの強相関金属理論を従う強相関金属(図1
(b)のMにて表示)になる。ブリンクマン−ライスの
強相関金属理論は、”W.F.Brinkman,
T.M.Rice, Phys.Rev.B2, 43
02(1970)”に開示されている。
【0017】このような強相関金属は、1つの原子につ
き1つの電子を有する電子構造、すなわち、sエネルギ
ー帯に1つの電子が満たされた金属的電子構造及び電子
のキャリアを有する。このような現象を理論的により詳
細に説明すれば、以下の通りである。
【0018】図1(b)の金属領域Mにおいて、キャリ
アの有効質量m/mは、以下の式(2)のように表わ
される。
【0019】
【数2】
【0020】この場合、k<1を満足し、k=1近くの
ある値とk=1との間で急激な金属−絶縁体相転移が起
こる。このような理論式は、”W.F.Brinkma
n,T.M.Rice, Phys. Rev. B
2,4302(1970)”に開示されている。また、
強相関についての最初の理論は、”N.F.Mott,
Metal−Insulator Transiti
on, Chapter3,(Taylor&Fran
ces, 2nd edition, 1990”によ
り導き出された。
【0021】一方、図1Bの全体的な金属的システムに
おけるキャリアの有効質量m/mは、以下の式(3)
のように表わされる。
【0022】
【数3】
【0023】ここで、ρは伝導帯充填因子であって、原
子の数に対する電子(またはキャリア)の数の割合で表
わせる。この場合、k=1の時、ρ=1近くのある値で
ρ=1に急激な転移が起こり、このような理論は前述し
た”Hyun−Tak Kim、Physica C
341−348,259(2000)”に開示されてい
る。
【0024】例えば、物質Sr1-xLaxTiO3(SL
TO)の場合、SrTiO3(STO)モット絶縁体の
Sr+2をLa+3に置換することは電子をドーピングする
場合であり、逆に、LaTiO3(LTO)モット絶縁
体のLa+3をSr+2に置換することはホールをドーピン
グする場合である。
【0025】図2は、LaTiO3(LTO)モット絶
縁体に添加されるSr+2ホールの割合、すなわち伝導帯
充填因子値ρによる有効質量m/mをグラフに示した
図である。
【0026】図2に示されたように、k=1の場合、ρ
=1からρ=0.95まで、すなわち、LaTiO
3(LTO)モット絶縁体に添加されるSr+2ホールが
5%になるまで、キャリアの有効質量が最も大きい金属
からモット絶縁体に急激に相転移(グラフ中、矢印にて
表示)することが分かる。
【0027】この時、ρ=0.95に対応する電子量N
cは、約1.7×1022cm-3であることが実験的に観察
され、この実験結果は、”Y.Tokura, Y.T
aguchi, Y.Okada, Y.Fujish
ima,T.Arima,K.Kumagi, and
Y.Iye, Phys.Rev.Lett.70,
2126(1993)”及び”K.Kumagai,
T.Suzuki, Y.Taguchi, Y.O
kada, Y.Fujishima,and Y.T
okura, Phys. Rev. B48, 76
36(1993)”に開示されている。
【0028】一方、ρ=0.95以下、すなわちLa+3
の電子添加量が減ったり、あるいはSr+2のホール添加
量が5%以上に増えたりする場合には、キャリアの減少
による連続的な金属−絶縁体相転移現象が起こる。
【0029】図3は、LaTiO3(LTO)モット絶
縁体に添加されるSr+2ホールの割合、すなわち伝導帯
充填因子値ρによる電気伝導度σをグラフに示した図で
ある。図3において、σBRは金属における臨界電気伝導
度を表わす。
【0030】図3に示されたように、k=1の場合、ρ
=1からρ=0.95まで、すなわち、LaTiO
3(LTO)モット絶縁体に添加されるSr+2ホールが
5%になるまで電気伝導度が急激に上がってρ=0.9
5で最大の電気伝導度が得られるということが実験的に
観察され、この実験結果は、前述した”Y.Tokur
a, Y.Taguchi, Y.Okada, Y.
Fujishima, T.Arima, K.Kum
agi, and Y.Iye, Phys. Re
v. Lett. 70, 2126(1993)”及
び”K.Kumagai, T.Suzuki,Y.T
aguchi, Y.Okada, Y.Fujish
ima, and Y.Tokura, Phys.R
ev. B48,7636(1993)”に開示されて
いる。
【0031】図2及び図3の実験結果から、SrTiO
3(STO)モット絶縁体に電子を添加するよりも、L
aTiO3(LTO)モット絶縁体にホールを添加する
ことによって最大電気伝導度がより効率良く得られると
いうことが分かる。
【0032】図4は、本発明に係る急激な金属−絶縁体
相転移を利用した電界効果トランジスタを示した断面図
である。図4を参照すれば、SrTiO3(STO)基
板400上にLaTiO3(LTO)モット絶縁体41
0が配置される。モット絶縁体410はYTiO3モッ
ト絶縁体またはh−BaTiO3モット絶縁体でありう
る。モット絶縁体410の一部の表面上には、ゲート絶
縁膜として誘電率が200以上である強誘電体、例え
ば、Ba1-xSrxTiO3(BSTO)強誘電体膜42
0が形成される。このBa1-xSrxTiO3(BST
O)強誘電体膜420は、一定の電圧が印加されると
き、モット絶縁体410に充電ホールを流入させてモッ
ト絶縁体410に急激な金属−絶縁体相転移現象を生
じ、これにより導電チャンネル415が形成される。
【0033】強誘電体膜420上には、強誘電体膜42
0に一定の電圧を印加するためのゲート電極430が形
成される。また、モット絶縁体410の第1表面上には
ソース電極440が形成され、モット絶縁体410の第
2表面上には、ドレーン電極450が形成される。ソー
ス電極440及びドレーン電極450は強誘電体膜42
0によって互いに分離される。
【0034】このような電界効果トランジスタの動作過
程について説明すれば、以下の通りである。ソース電極
440及びドレーン電極450に一定の電圧を印加して
LaTiO3(LTO)モット絶縁体410の表面に一
定のポテンシャルを生じる。次に、ゲート電極430に
ゲート電圧を印加してBa1-xSrxTiO3(BST
O)強誘電体膜420から低濃度のSr+2充電ホールを
モット絶縁体410に注入させる。充電ホールが注入さ
れたLaTiO3(LTO)モット絶縁体410には急
激な金属−絶縁体相転移が起こり、その結果、導電チャ
ンネル415が形成される。また、この導電チャンネル
415を通じてソース電極440とドレーン電極450
との間に電流が流れる。
【0035】充電ホールの濃度が5%である時、すなわ
ち、ρ=0.95の時に、急激な金属−絶縁体相転移に
よって金属領域に形成される電子数は、約4×1014
cm 2になるが、この電子数は、通常のMOSFETの
チャンネルに存在する電子数(約1012/cm2)の約
100倍以上であるため、高い電流増幅を得ることがで
きる。
【0036】場合によっては、モット絶縁体410に充
電電子を注入することもある。しかし、充電ホールの代
わりに充電電子を注入する場合、電力消耗が増えるとい
う短所がある。すなわち、低濃度であるρ=0.95に
対応する静電ホール電荷の数Nchargeは、ゲート電圧V
gが0.12Vであり、強誘電体膜420の誘電率εが
200であり、そして強誘電体膜420の膜厚dが50
nmである場合に約4×1014/cm2になる。
【0037】すなわち、Ncharge=Vgε/edであ
る。従って、ホール濃度Nholeも同様に約4×1014
cm2とし、他の変数、すなわち強誘電体膜420の誘
電率ε及び膜厚dをトランジスタの製造条件に合わせて
適宜に変えればゲート電圧Vgを十分に小さくでき、そ
の結果、電力消耗を省ける。
【0038】しかし、高濃度ρ=0.95に対応する静
電電子をモット絶縁体410に注入する場合には、電子
の数Nelectronがホールの数Nholeよりも大きいために
強誘電体膜420の誘電率ε及び膜厚dを適宜に変えて
もホールを注入する場合よりもゲート電圧Vgが大きく
なってしまう。
【0039】従って、低濃度のホールを注入する場合よ
りも電力消耗が多い。この明細書では、本発明に係るト
ランジスタをモットまたはモット−ハバード(MH)電
界効果トランジスタと区別するために、モット−ブリン
クマン−ライス−キム(MBRK)トランジスタと名づ
ける。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
一に、空乏層が存在しないことからチャンネル長に制限
がなくなり、その結果、素子の集積度及びスイッチング
速度を大幅に向上できる。
【0041】また、第二に、ゲート絶縁膜として適切に
高い誘電率を有する強誘電体膜を使用することから、膜
厚を大きく薄くしなくても低電圧下で適切なドーピング
用ホールを得ることができる。
【0042】さらに、第三に、低濃度のホールをモット
絶縁体に注入して急激なモット−絶縁体相転移を引き起
こすことから、高い電流利得及び低い電力消耗を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電界効果トランジスタの動作原理
について説明するための図で、(a),(b)は、一定
の条件下で急激な金属−絶縁体相転移現象を示すモット
絶縁体の内部の原子配置を示した図である。
【図2】LaTiO3(LTO)モット絶縁体に添加さ
れるSr+2ホールの割合、すなわち、伝導帯充填因子値
ρによる有効質量m/mをグラフ示した図である。
【図3】LaTiO3(LTO)モット絶縁体に添加さ
れるSr+2ホールの割合、すなわち、伝導帯充填因子値
ρによる電気伝導度σをグラフ示した図である。
【図4】本発明に係る電界効果トランジスタを示した断
面図である。
【符号の説明】
100 モット絶縁体 400 基板 410 モット絶縁体 415 導電チャンネル 420 強誘電膜 430 ゲート電極 440 ソース電極 450 ドレーン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/78 301J (72)発明者 カン クヮンヨン 大韓民国 デジョン ユソング シンスン ドン サムスンハンウル アパートメント 110−802 Fターム(参考) 5F110 AA01 AA04 AA07 AA09 BB13 CC01 DD01 FF01 GG01 5F140 AA01 AA02 AA39 AC16 BA00 BD13

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、 該基板上に配置されて充電ホールが流入される時に急激
    な金属−絶縁体相転移を生じるモット絶縁体と、 該モット絶縁体上に配置されて一定の電圧が印加される
    時に前記充電ホールを前記モット絶縁体に流入させる強
    誘電体膜と、 該強誘電体膜上に配置されて前記強誘電体膜に一定の電
    圧を印加するゲート電極と、 前記モット絶縁体の第1表面と電気的に接続されるよう
    に形成されたソース電極と、 前記モット絶縁体の第2表面と電気的に接続されるよう
    に形成されたドレーン電極とを備えることを特徴とする
    電界効果トランジスタ。
  2. 【請求項2】 前記基板は、SrTiO3基板であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジス
    タ。
  3. 【請求項3】 前記モット絶縁体は、LaTiO3、Y
    TiO3またはh−BaTiO3物質よりなることを特徴
    とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
  4. 【請求項4】 前記強誘電体膜は、Ba1-xSrxTiO
    3物質よりなることを特徴とする請求項1に記載の電界
    効果トランジスタ。
  5. 【請求項5】 前記ソース電極及び前記ドレーン電極
    は、前記強誘電体膜によって互いに分離されることを特
    徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
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