KR100576704B1 - 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 - Google Patents
급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100576704B1 KR100576704B1 KR1020030078333A KR20030078333A KR100576704B1 KR 100576704 B1 KR100576704 B1 KR 100576704B1 KR 1020030078333 A KR1020030078333 A KR 1020030078333A KR 20030078333 A KR20030078333 A KR 20030078333A KR 100576704 B1 KR100576704 B1 KR 100576704B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase transition
- metal
- insulator phase
- insulator
- control circuit
- Prior art date
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 79
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 67
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.
금속-절연체 상전이, 모트 트랜지스터, 대전류 제어회로
Description
도 1은 급격한 금속-절연체 상전이형 소자의 전계-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 나타내 보인 도면이다.
도 3은 도 2의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자의 단면 구조를 나타내 보인 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로의 전압-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로의 전압-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다.
본 발명은 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로에 관한 것이다.
최근 채널길이를 감소시키는데 한계를 나타내는 기존의 모스전계효과트랜지스터(MOSFET)를 대신하여 연속적 금속-절연체 상전이를 일으키는 모트 절연체(Mott insulator)를 채널층으로 사용하는 모트전계효과트랜지스터가 제안된 바 있다. 그리고 이 모트전계효과트랜지스터는, 연속적으로 발생되는 금속-절연체 상전이를 이용하므로, 금속적 특성이 가장 잘 나타낼 때까지 연속적으로 전하운반자로 이용될 전자 도는 정공(hole)을 첨가하여야 하며, 따라서 첨가하는 전하가 고농도이어야 하는 제약이 있다. 따라서 최근에는 연속적인 금속-절연체 상전이를 나타내는 절연체 대신에 일정 조건하에서 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타내는 절연체를 이용하는 방법이 제안되었으며, 이는 미국 특허번호 제6,624,463호에 개시되어 있다. 여기에 개시되어 있는 전계효과트랜지스터는, 적은 농도의 정공 주입으로 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 보여준다.
도 1은 이와 같이 급격한 금속-절연체 상전이를 나타내는 물질을 이용하여 제작한 소자의 전계-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다.
도 1을 참조하면, 상기 소자의 양단에 일정 크기, 예컨대 대략 7MV/m의 전계(Efield)를 인가하면, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는 절연체에서 금속으로 급격하게 상전이하고, 소자의 양단에는 대량의 전류가 흐른다. 이와 같이 한계 이상의 큰 전류가 흐르게 도면 소자가 견디지 못하고 파탄(failure)될 수도 있다. 본 명세서에서는, 상기와 같이 일정크기 이상의 전계가 인가됨에 따라 급격하게 절연-금속체 상전이를 발생시키는 소자를 “급격한 금속-절연체 상전이형 소자”라고 정의하기로 한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는 급격한 금속-절연체 상전이로 인하여 대량의 전류가 급작스럽게 발생하며, 따라서 이 대량의 전류에 견디지 못할 경우, 이들 소자의 응용에 있어서 대량의 전류를 제어할 수 있는 제어회로가 반드시 요구되고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자에 흐르는 대량의 전류를 잘 제어하여 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되지 않도록 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원; 상기 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타내는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자; 및 상기 전원과 상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어할 수 있는 저항요소를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 저항요소는 상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와 직렬로 연결되는 것이 바람직하다.
상기 저항요소는 저항기인 것이 바람직하다. 이 경우 상기 저항기는 가변저항기인 것이 바람직하다.
경우에 따라서 상기 저항요소는 저항기로 사용될 수 있는 평면형 소자 패턴일 수도 있다.
상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 갖는 절연체막이 배치되는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 절연체는 바나듐옥사이드(Vanadium Oxide)를 포함할 수 있다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 실시예들은 여러가지 다른 형태들로 변형될 수 있으며, 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 3은 도 2의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자의 단면 구조를 나타내 보인 도면이다.
먼저 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전류제어회로는, 전원(100)과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)와, 그리고 저항요소(resistive element)(300)를 포함하여 구성된다. 전원(100)은 직류전원일 수도 있고 교류전원일 수도 있다. 직류전원인 경우 한 방향으로만 전류를 흐르게 하고, 교류전원인 경우에는 양 방향으로 전류를 흐르게 한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(210)상에 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 갖는 절연체(220)가 박막 형태로 배치되고, 절연체(220)의 양단에는 각각 제1 전극(230) 및 제2 전극(240)이 배치되는 구조를 갖는다. 기판(210)은 사파이어(Al2O3)기판일 수 있으며, 또는 실리콘(Si)기판일 수도 있다. 그 밖의 다른 물질로 이루어진 기판을 사용할 수도 있다는 것은 당연하다. 절연체(220)는 바나듐디옥사이드(VO2)를 포함한다. 저항요소(300)는 제어가능한 저항역할을 수행할 수 있는 요소이며, 대표적으로 저항기(resistor)를 포함한다. 특히 저항요소(300)는 저항값(R; Resistance)을 쉽게 조절할 수 있는 가변저항기일 수 있다. 경우에 따라서 저항요소(300)는 저항기로 사용될 수 있는 평면형(planar) 소자패턴일 수 있다. 이 평면형 소자패턴은 저항값이 길이에 비례하는 성질을 이용하며, 굴곡이 많은(meander type) 전송선, 다양한 평면형 인덕터(교류저항) 등을 만들어 연결시킴으로써 저항특성을 보이도록 하는 것이다. 이 경우 저항값은 전송선의 길이나 평면형 소자의 갯수 등을 조절함으로써 제어할 수 있다.
이와 같은 전류제어회로의 동작을 설명하면, 전원(100)에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)의 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 양단에 일정크기의 전계가 인가되면, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)의 절연체(220)는 급격한 금속-절연체 상전이 현상을 겪으면서 표면에 전류이동경로(도 3에서 점선으로 된 화살표로 표시)를 형성한다. 그리고 이 전류이동경로를 통해 제1 전극(230)으로부터 제2 전극(240)으로 대량의 전류가 이동된다. 이때 저항요소(300)에 의해 전류량이 감소되며, 즉 제어되며, 따라서 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)가 파탄에 이르지 않을 정도의 전류만이 흐를 수 있도록 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로의 전압-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다. 도 4에서 가로축은 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이에 인가되는 전압(V)이며, 세로축은 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이를 흐르는 전류밀도(J)이다.
도 4의 테스트에 사용된 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)는, 사파이어(Al2O3)기판(210) 및 바나듐디옥사이드(VO2) 절연체(220)를 갖는 소자로서, 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이의 채널길이는 5㎛이고 채널폭은 25㎛인 경우이다. 도 4에서 참조부호 “●”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 1.0㏀인 경우이고, 참조부호 “▲”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 2.5㏀인 경우이며, 그리고 참조부호 “▼”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 5.0㏀인 경우를 각각 나타낸다. 도 4에서 알 수 있듯이, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)가 절연체상태(도면에서 I로 표시)로 있는 경우에는 저항요소(300)의 저항값(R)이 다르더라도 큰 차이가 없지만, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)가 금속상태(도면에서 M으로 표시)로 있는 경우에는 저항요소(300)의 저항값(R)이 커짐에 따라 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)를 흐르는 전류가 완만하게 증가하는 경향을 나타낸다. 이 결과를 도 1의 경우, 즉 저항요소(300)가 존재하지 않는 경우와 비교해보면, 급격한 금속-절연체 상전이에 의해 생성된 대량의 전류에 의해서도 소자가 파되되는 현상이 방지될 수 있다는 것을 쉽게 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로의 전압-전류밀도 특성을 나타내 보인 그래프이다. 도 5에서 가로축은 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이에 인가되는 전압(V)이며, 세로축은 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이를 흐르는 전류밀도(J)이다.
도 5의 테스트에 사용된 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)는, 실리콘(Si)기판(210) 및 바나듐디옥사이드(VO2) 절연체(220)를 갖는 소자로서, 제1 전극(230) 및 제2 전극(240) 사이의 채널길이는 5㎛이고 채널폭은 25㎛인 경우이다. 도 5에서 참조부호 “■”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 110인 경우이고, 참조부호 “●”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 340인 경우이고, 참조부호 “▲”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 1.0㏀인 경우이고, 참조부호 “▼”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 5.0㏀인 경우이고, 그리고 참조부호 “◆”로 표시한 선은 저항요소(300)의 저항값(R)이 10㏀인 경우를 각각 나타낸다. 도 5에서 알 수 있듯이, 저항요소(300)의 저항값(R)이 커짐에 따라 급격한 금속-절연체 상전이형 소자(200)를 흐르는 전류가 완만하게 증가하는 경향을 나타낸다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로에 의하면, 급격한 금속-절연체 상전이 현상으로 인하여 대량의 전류가 발생하더라도 급격한 금속-절연체 상전이형 소자에 직렬로 연결된 저항요소에 의해 전류의 증가가 억제되므로, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자에 파탄을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 이 회로를 적용할 수 있다는 효과가 제공된다.
Claims (8)
- 인가 전계에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 갖는 전자소자; 및상기 전자소자에 직렬 연결된 저항요소를 포함하고,상기 저항요소는 상기 전자소자의 급격한 금속-절연체 상전이에 의해 발생하는 대전류를 감소시켜 상기 전자소자의 파탄을 방지하는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제1항에 있어서,상기 저항요소는 상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제1항에 있어서,상기 저항요소는 저항기인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제3항에 있어서,상기 저항기는 가변저항기인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제1항에 있어서,상기 저항요소는 저항기로 사용될 수 있는 평면형 소자패턴인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제1항에 있어서,상기 저항요소는 저항기로 사용될 수 있는 교류저항기인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제1항에 있어서,상기 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 갖는 절연체막이 배치되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
- 제6항에 있어서,상기 절연체는 바나듐옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030078333A KR100576704B1 (ko) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 |
US10/866,274 US6987290B2 (en) | 2003-11-06 | 2004-06-10 | Current-jump-control circuit including abrupt metal-insulator phase transition device |
EP04253582A EP1530244A3 (en) | 2003-11-06 | 2004-06-16 | Current-jump-control circuit including abrupt metal-insulator phase transition device |
CNB2004100620566A CN100337335C (zh) | 2003-11-06 | 2004-06-28 | 包括突然金属-绝缘体相变器件的电流跳变控制电路 |
JP2004233768A JP2005143283A (ja) | 2003-11-06 | 2004-08-10 | 電流制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030078333A KR100576704B1 (ko) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050043431A KR20050043431A (ko) | 2005-05-11 |
KR100576704B1 true KR100576704B1 (ko) | 2006-05-03 |
Family
ID=34431731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030078333A KR100576704B1 (ko) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6987290B2 (ko) |
EP (1) | EP1530244A3 (ko) |
JP (1) | JP2005143283A (ko) |
KR (1) | KR100576704B1 (ko) |
CN (1) | CN100337335C (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100964186B1 (ko) | 2007-11-12 | 2010-06-17 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(mit) 소자를 이용한 트랜지스터발열제어 회로 및 그 발열제어 방법 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609699B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-08 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질을 이용한 2단자반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP4143615B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2008-09-03 | エルピーダメモリ株式会社 | オンダイターミネーション回路 |
KR100714125B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2007-05-02 | 한국전자통신연구원 | 급격한 mit 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그회로를 포함한 전기전자시스템 |
WO2007013724A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Abrupt metal-insulator transition device, circuit for removing high-voltage noise using the abrupt metal-insulator transition device, and electrical and/or electronic system comprising the circuit |
KR100809397B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자 및 이를포함하는 디스플레이 |
KR100701159B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-03-28 | 한국전자통신연구원 | 병렬 전도층 구조를 갖는 금속-절연체 전이 소자 |
EP1979947B1 (en) * | 2006-02-01 | 2013-11-20 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Abrupt metal-insulator transition device with parallel conducting layers |
KR100825738B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2008-04-29 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전압조정 시스템 |
KR100825760B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2008-04-29 | 한국전자통신연구원 | 급격한 mit 소자, 그 소자를 이용한 mit 센서 및 그mit 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로 |
KR100825762B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2008-04-29 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(mit) 소자의 불연속 mit를연속적으로 측정하는 회로 및 그 회로를 이용한 mit센서 |
KR100864827B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-10-23 | 한국전자통신연구원 | Mit 소자를 이용한 논리회로 |
KR100864833B1 (ko) * | 2006-11-23 | 2008-10-23 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(mit) 소자 기반의 발진 회로 및 그발진 회로 구동방법 |
CN100461485C (zh) * | 2007-01-17 | 2009-02-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法 |
KR100842296B1 (ko) | 2007-03-12 | 2008-06-30 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(mit) 소자 기반의 발진 회로 및 그발진 회로의 발진 주파수 조절방법 |
KR100859717B1 (ko) * | 2007-05-07 | 2008-09-23 | 한국전자통신연구원 | 3 단자 mit 스위치, 그 스위치를 이용한 스위칭 시스템,및 그 스위치의 mit 제어방법 |
KR100901699B1 (ko) * | 2007-07-11 | 2009-06-08 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 상전이 메모리 셀 및 그의 제조 방법 |
US8076662B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-12-13 | President And Fellows Of Harvard College | Electric field induced phase transitions and dynamic tuning of the properties of oxide structures |
KR101109667B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-01-31 | 한국전자통신연구원 | 방열 성능이 향상된 전력 소자 패키지 |
US8362477B2 (en) | 2010-03-23 | 2013-01-29 | International Business Machines Corporation | High density memory device |
CN103117538B (zh) * | 2013-02-06 | 2015-04-08 | 中国科学院电工研究所 | 一种基于绝缘体-金属相变电阻的谐振型限流器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3588638A (en) * | 1969-05-27 | 1971-06-28 | Energy Conversion Devices Inc | Current controlling device including v02 |
DE2215878A1 (de) * | 1972-03-30 | 1973-12-06 | Siemens Ag | Magnetisch steuerbares festkoerperschaltelement |
GB2244859A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-11 | Philips Electronic Associated | MIM devices and active matrix displays incorporating such devices |
US6204139B1 (en) * | 1998-08-25 | 2001-03-20 | University Of Houston | Method for switching the properties of perovskite materials used in thin film resistors |
US6518609B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-02-11 | University Of Maryland | Niobium or vanadium substituted strontium titanate barrier intermediate a silicon underlayer and a functional metal oxide film |
KR100433623B1 (ko) | 2001-09-17 | 2004-05-31 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 상전이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 |
-
2003
- 2003-11-06 KR KR1020030078333A patent/KR100576704B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-06-10 US US10/866,274 patent/US6987290B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-16 EP EP04253582A patent/EP1530244A3/en not_active Withdrawn
- 2004-06-28 CN CNB2004100620566A patent/CN100337335C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-10 JP JP2004233768A patent/JP2005143283A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100964186B1 (ko) | 2007-11-12 | 2010-06-17 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(mit) 소자를 이용한 트랜지스터발열제어 회로 및 그 발열제어 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100337335C (zh) | 2007-09-12 |
US6987290B2 (en) | 2006-01-17 |
KR20050043431A (ko) | 2005-05-11 |
EP1530244A2 (en) | 2005-05-11 |
US20050098836A1 (en) | 2005-05-12 |
JP2005143283A (ja) | 2005-06-02 |
EP1530244A3 (en) | 2007-05-16 |
CN1614786A (zh) | 2005-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100576704B1 (ko) | 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 | |
KR100640001B1 (ko) | 급격한 mit 소자를 이용한 전기전자시스템 보호 회로 및그 회로를 포함한 전기전자시스템 | |
KR101025846B1 (ko) | 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터 | |
US20130242637A1 (en) | Memelectronic Device | |
US20070069193A1 (en) | Metal-insulator transition switching transistor and method for manufacturing the same | |
US7911756B2 (en) | Low-voltage noise preventing circuit using abrupt metal-insulator transition device | |
US10388782B2 (en) | Scalable current sense transistor | |
KR100467330B1 (ko) | 절연체 바나듐 산화막을 채널 영역으로 이용한 전계 효과트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US8390094B2 (en) | Switching element, variable inductor, and electronic circuit device having circuit configuration incorporating the switching element and the variable inductor | |
KR101036551B1 (ko) | 재설정 가능한 반도체 소자 | |
US7511355B2 (en) | Semiconductor device having fuse element | |
JP2011503836A (ja) | 三端子mitスイッチ、そのスイッチを利用したスイッチングシステム、及びそのスイッチのmit制御方法 | |
EP1979947B1 (en) | Abrupt metal-insulator transition device with parallel conducting layers | |
KR100701159B1 (ko) | 병렬 전도층 구조를 갖는 금속-절연체 전이 소자 | |
US8709882B2 (en) | Method to dynamically tune precision resistance | |
Lindner et al. | Simulated operation and properties of source-gated thin-film transistors | |
KR102476478B1 (ko) | 출력 전압/전류 적응형 기준 전압/전류를 갖는 확률론적 비트 소자 | |
KR102080644B1 (ko) | 원뿔형 또는 선형 에너지 밴드 구조체를 이용한 전기소자 연결선 | |
US7622789B2 (en) | Polymer transistor arrangement, integrated circuit arrangement and method for producing a polymer transistor arrangement | |
EP1787131A2 (en) | Radiation-tolerant inrush limiter | |
KR0155302B1 (ko) | 박막 전계효과 트랜지스터 | |
KR20220136596A (ko) | 안정적인 전류에 의해 제어되는 확률론적 비트 소자 | |
KR20090091642A (ko) | 금속-절연체 전이(mit) 소자의 자체발열 방지회로 및 그방지회로용 집적소자의 제조방법 | |
SAAD et al. | NANO-PHYSICS OF TRANSIENT PHENOMENON IN SEMICONDUCTING DEVICES AND CIRCUITS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |