JPH0878743A - 超電導電界効果型素子 - Google Patents
超電導電界効果型素子Info
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- JPH0878743A JPH0878743A JP7191261A JP19126195A JPH0878743A JP H0878743 A JPH0878743 A JP H0878743A JP 7191261 A JP7191261 A JP 7191261A JP 19126195 A JP19126195 A JP 19126195A JP H0878743 A JPH0878743 A JP H0878743A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 SrTiＯ3（１００）またはＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X （００１）基板５上に配置されたPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバ
ッファ層20と、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に配置さ
れたBaXSr1-xTiＯ3 バッファ層21と、BaXSr1-xTiＯ3 バ
ッファ層21上に配置された酸化物超電導体の超電導ソー
ス領域２および超電導ドレイン領域３と、超電導ソース
領域２および超電導ドレイン領域３間に配置された超電
導チャネル10と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層７
を介して配置されたゲート電極４とを具備する超電導電
界効果型素子。 【効果】 ゲート遮断時にリーク電流が流れないので、
素子の特性が優れている。また、電力消費も小さい。
7-X （００１）基板５上に配置されたPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバ
ッファ層20と、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に配置さ
れたBaXSr1-xTiＯ3 バッファ層21と、BaXSr1-xTiＯ3 バ
ッファ層21上に配置された酸化物超電導体の超電導ソー
ス領域２および超電導ドレイン領域３と、超電導ソース
領域２および超電導ドレイン領域３間に配置された超電
導チャネル10と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層７
を介して配置されたゲート電極４とを具備する超電導電
界効果型素子。 【効果】 ゲート遮断時にリーク電流が流れないので、
素子の特性が優れている。また、電力消費も小さい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導電界効果型素子
に関する。より詳細には、酸化物超電導薄膜で構成され
た超電導チャネル、超電導ソース領域および超電導ドレ
イン領域と、超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して
配置されたゲート電極とを備え、超電導チャネルに流れ
る電流を完全に遮断できる超電導電界効果型素子に関す
る。
に関する。より詳細には、酸化物超電導薄膜で構成され
た超電導チャネル、超電導ソース領域および超電導ドレ
イン領域と、超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して
配置されたゲート電極とを備え、超電導チャネルに流れ
る電流を完全に遮断できる超電導電界効果型素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超電導現象を利用した素子は、従来の半
導体素子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛
躍的に高性能化することができると考えられている。特
に近年研究が進んでいる酸化物超電導体を使用すること
により、比較的高い温度で動作する超電導素子を作製す
ることが可能である。実用上極めて重要だと考えられて
いる３端子の超電導素子の１つに、超電導体で形成され
た超電導チャネルに流れる超電導電流をゲート電極で制
御する超電導電界効果型素子がある。超電導電界効果型
素子は、電圧制御型の素子であって信号の増幅作用があ
り、電流密度が大きく、製造上も困難な微細加工を必要
としない。
導体素子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛
躍的に高性能化することができると考えられている。特
に近年研究が進んでいる酸化物超電導体を使用すること
により、比較的高い温度で動作する超電導素子を作製す
ることが可能である。実用上極めて重要だと考えられて
いる３端子の超電導素子の１つに、超電導体で形成され
た超電導チャネルに流れる超電導電流をゲート電極で制
御する超電導電界効果型素子がある。超電導電界効果型
素子は、電圧制御型の素子であって信号の増幅作用があ
り、電流密度が大きく、製造上も困難な微細加工を必要
としない。
【０００３】図３に超電導電界効果型素子の一例の概略
図を示す。図３に示した超電導電界効果型素子は、SrTi
Ｏ3 等の基板５上に形成されたPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ
層20上に配置されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体によ
る超電導チャネル10と、超電導チャネル10の両端付近に
それぞれ配置されたやはりＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導
体の超電導ソース領域２および超電導ドレイン領域３
と、超電導チャネル10上にSi3Ｎ4のゲート絶縁層７を介
して配置されたゲート電極４とを具備する。また、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３上にはそれ
ぞれソース電極12およびドレイン電極13が形成されてい
る。ゲート電極、ソース電極12およびドレイン電極13に
は、Au等の貴金属が使用されている。この超電導電界効
果型素子は、ソース電極12およびドレイン電極13から供
給され、超電導ソース領域２および超電導ドレイン電極
３間の超電導チャネル10を流れる超電導電流をゲート電
極４に印加する電圧で制御する。
図を示す。図３に示した超電導電界効果型素子は、SrTi
Ｏ3 等の基板５上に形成されたPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ
層20上に配置されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体によ
る超電導チャネル10と、超電導チャネル10の両端付近に
それぞれ配置されたやはりＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導
体の超電導ソース領域２および超電導ドレイン領域３
と、超電導チャネル10上にSi3Ｎ4のゲート絶縁層７を介
して配置されたゲート電極４とを具備する。また、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３上にはそれ
ぞれソース電極12およびドレイン電極13が形成されてい
る。ゲート電極、ソース電極12およびドレイン電極13に
は、Au等の貴金属が使用されている。この超電導電界効
果型素子は、ソース電極12およびドレイン電極13から供
給され、超電導ソース領域２および超電導ドレイン電極
３間の超電導チャネル10を流れる超電導電流をゲート電
極４に印加する電圧で制御する。
【０００４】上記の超電導電界効果型素子では、超電導
チャネル10を流れる電流をゲート電極４に印加する電圧
で制御する。そのため、超電導チャネル10のゲート部分
の厚さは５nm程度にしなければならず、また、ゲート絶
縁層７の厚さも10〜15nmにしなければならない。一方、
この極薄の超電導チャネルは、結晶性がよく、特性が優
れた酸化物超電導薄膜で構成されていなければならな
い。これを実現するために、上記超電導電界効果型素子
では、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体と、結晶構造が等
しく、格子定数が極めて近いPr1Ba2Cu3Ｏ7-yの層を基板
上に形成し、その上にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体で
超電導チャネルを形成している。このPr1Ba2Cu3Ｏ7-y
バッファ層により、基板と超電導チャネルとの間の相互
拡散が防止され、結晶の格子定数の不一致も解消され
る。よって、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層上には、Ｙ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜が良好に二次元成長する。
チャネル10を流れる電流をゲート電極４に印加する電圧
で制御する。そのため、超電導チャネル10のゲート部分
の厚さは５nm程度にしなければならず、また、ゲート絶
縁層７の厚さも10〜15nmにしなければならない。一方、
この極薄の超電導チャネルは、結晶性がよく、特性が優
れた酸化物超電導薄膜で構成されていなければならな
い。これを実現するために、上記超電導電界効果型素子
では、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体と、結晶構造が等
しく、格子定数が極めて近いPr1Ba2Cu3Ｏ7-yの層を基板
上に形成し、その上にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体で
超電導チャネルを形成している。このPr1Ba2Cu3Ｏ7-y
バッファ層により、基板と超電導チャネルとの間の相互
拡散が防止され、結晶の格子定数の不一致も解消され
る。よって、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層上には、Ｙ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜が良好に二次元成長する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の超電導電界効果型素子では、後処理によってはPr1B
a2Cu3Ｏ7-y 層の低温における抵抗値が極めて小さくな
ることがある。また、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X等一部の酸化物超
電導体が、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yと接して配置されると長距離
近接効果によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層中を超電導電流が流れ
ることがある。従って、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層と、
その上に配置されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の超
電導チャネルを有する従来の超電導電界効果型素子で
は、ゲート電極に印加された電圧により超電導チャネル
中に発生した空乏層が Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層に達
すると、 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層の表面の一部が超
電導状態となる。すなわち、ゲートが閉じられている状
態でもバッファ層をバイパスして、ソース−ドレイン間
に超電導電流が流れ、完全なオン／オフ動作を実現する
ことが難しい。
来の超電導電界効果型素子では、後処理によってはPr1B
a2Cu3Ｏ7-y 層の低温における抵抗値が極めて小さくな
ることがある。また、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X等一部の酸化物超
電導体が、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yと接して配置されると長距離
近接効果によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層中を超電導電流が流れ
ることがある。従って、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層と、
その上に配置されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の超
電導チャネルを有する従来の超電導電界効果型素子で
は、ゲート電極に印加された電圧により超電導チャネル
中に発生した空乏層が Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層に達
すると、 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層の表面の一部が超
電導状態となる。すなわち、ゲートが閉じられている状
態でもバッファ層をバイパスして、ソース−ドレイン間
に超電導電流が流れ、完全なオン／オフ動作を実現する
ことが難しい。
【０００６】そこで本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決した新規な構成の超電導電界効果型素子を提
供することにある。
題点を解決した新規な構成の超電導電界効果型素子を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、基板
と、この基板上に配置された酸化物超電導体で構成され
た超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と、基板
上で超電導ソース領域および超電導ドレイン領域間に配
置され、酸化物超電導体で構成された超電導チャネル
と、超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して配置さ
れ、超電導チャネルを流れる電流を制御するためのゲー
ト電圧が印加されるゲート電極とを備える超電導電界効
果型素子において、基板上の前記超電導電界効果型素子
全体の下側にBaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）で示される
材料のバッファ層を具備することを特徴とする超電導電
界効果型素子が提供される。
と、この基板上に配置された酸化物超電導体で構成され
た超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と、基板
上で超電導ソース領域および超電導ドレイン領域間に配
置され、酸化物超電導体で構成された超電導チャネル
と、超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して配置さ
れ、超電導チャネルを流れる電流を制御するためのゲー
ト電圧が印加されるゲート電極とを備える超電導電界効
果型素子において、基板上の前記超電導電界効果型素子
全体の下側にBaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）で示される
材料のバッファ層を具備することを特徴とする超電導電
界効果型素子が提供される。
【０００８】本発明の超電導電界効果型素子は、BaxSr
1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）のバッファ層の下にさらにPr1
Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層を備えることが好ましい。ま
た、本発明の超電導電界効果型素子は、基板が酸化物超
電導体で構成されていてもよい。
1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）のバッファ層の下にさらにPr1
Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層を備えることが好ましい。ま
た、本発明の超電導電界効果型素子は、基板が酸化物超
電導体で構成されていてもよい。
【０００９】
【作用】本発明の超電導電界効果型素子は、超電導電界
効果型素子全体の下側にBaxSr1-xTiＯ3（０≦ｘ≦１）
のバッファ層を具備するところにその主要な特徴があ
る。上記BaxSr1-xTiＯ3 は絶縁体であり、長距離近接効
果により超電導電流が流れるようなことがない。従っ
て、ゲート電極に適当な大きさの電圧を印加することに
より、超電導チャネルの電流を完全に遮断することがで
きる。
効果型素子全体の下側にBaxSr1-xTiＯ3（０≦ｘ≦１）
のバッファ層を具備するところにその主要な特徴があ
る。上記BaxSr1-xTiＯ3 は絶縁体であり、長距離近接効
果により超電導電流が流れるようなことがない。従っ
て、ゲート電極に適当な大きさの電圧を印加することに
より、超電導チャネルの電流を完全に遮断することがで
きる。
【００１０】また、BaxSr1-xTiＯ3 の結晶の格子定数
は、酸化物超電導体の格子定数に近く、酸化物超電導体
との間での相互拡散も小さいのでバッファ層としての特
性も良好である。
は、酸化物超電導体の格子定数に近く、酸化物超電導体
との間での相互拡散も小さいのでバッファ層としての特
性も良好である。
【００１１】本発明の超電導電界効果型素子では、上記
のBaxSr1-xTiＯ3 バッファ層の厚さは、10〜30nmが好ま
しい。厚さが10nm未満の場合、均一なバッファ層が形成
されないことがある。また、均一なバッファ層が形成で
きても、後述するよう下層にPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層
が形成されている場合には、トンネル効果によりPr1Ba2
Cu3Ｏ7-y バッファ層中に超電導電流が流れることがあ
る。一方、BaxSr1-xTiＯ3バッファ層の厚さが、30nmを
越えていても、その効果は変わらず、却って平滑なバッ
ファ層を形成することが難しくなる。
のBaxSr1-xTiＯ3 バッファ層の厚さは、10〜30nmが好ま
しい。厚さが10nm未満の場合、均一なバッファ層が形成
されないことがある。また、均一なバッファ層が形成で
きても、後述するよう下層にPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層
が形成されている場合には、トンネル効果によりPr1Ba2
Cu3Ｏ7-y バッファ層中に超電導電流が流れることがあ
る。一方、BaxSr1-xTiＯ3バッファ層の厚さが、30nmを
越えていても、その効果は変わらず、却って平滑なバッ
ファ層を形成することが難しくなる。
【００１２】また、本発明の超電導電界効果型素子で
は、上記のBaxSr1-xTiＯ3 バッファ層の下側に、さらに
Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層を備えることも好ましい。Pr
1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層により、基板とBaxSr1-xTiＯ3
のバッファ層との間の相互拡散が防止され、良質なBaxS
r1-xTiＯ3 のバッファ層が形成できるからである。この
場合、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層の厚さは10〜30nmが好
ましい。すなわち、本発明の超電導電界効果型素子にお
いては、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層により、超電導チャ
ネルを形成する酸化物超電導薄膜の結晶性、超電導特性
が改善されているだけでなく、BaxSr1-xTiＯ3 バッファ
層によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層へのリーク電流が防
止される。従って、従来のバッファ層を全く具備しない
超電導電界効果型素子およびPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層
しか具備しない超電導電界効果型素子と比較して、各種
特性が向上している。
は、上記のBaxSr1-xTiＯ3 バッファ層の下側に、さらに
Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層を備えることも好ましい。Pr
1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層により、基板とBaxSr1-xTiＯ3
のバッファ層との間の相互拡散が防止され、良質なBaxS
r1-xTiＯ3 のバッファ層が形成できるからである。この
場合、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層の厚さは10〜30nmが好
ましい。すなわち、本発明の超電導電界効果型素子にお
いては、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層により、超電導チャ
ネルを形成する酸化物超電導薄膜の結晶性、超電導特性
が改善されているだけでなく、BaxSr1-xTiＯ3 バッファ
層によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層へのリーク電流が防
止される。従って、従来のバッファ層を全く具備しない
超電導電界効果型素子およびPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層
しか具備しない超電導電界効果型素子と比較して、各種
特性が向上している。
【００１３】本発明の超電導電界効果型素子には、任意
の酸化物超電導体が使用できるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸
化物超電導体は安定的に高品質の結晶性のよい薄膜が得
られるので好ましい。また、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物
超電導体は、特にその超電導臨界温度Ｔc が高いので好
ましい。また、本発明の超電導電界効果型素子に使用す
る基板としては、MgＯ、SrTiＯ3等の絶縁体基板の他、
適当なバッファ層を成膜面上に有するSi等の半導体基板
および酸化物超電導体基板が使用できる。本発明の超電
導電界効果型素子に酸化物超電導体基板を使用した場合
には、その構成が、GaAsＭＥＳＦＥＴと類似したものに
なり、超電導集積回路に応用することが容易になる。
の酸化物超電導体が使用できるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸
化物超電導体は安定的に高品質の結晶性のよい薄膜が得
られるので好ましい。また、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物
超電導体は、特にその超電導臨界温度Ｔc が高いので好
ましい。また、本発明の超電導電界効果型素子に使用す
る基板としては、MgＯ、SrTiＯ3等の絶縁体基板の他、
適当なバッファ層を成膜面上に有するSi等の半導体基板
および酸化物超電導体基板が使用できる。本発明の超電
導電界効果型素子に酸化物超電導体基板を使用した場合
には、その構成が、GaAsＭＥＳＦＥＴと類似したものに
なり、超電導集積回路に応用することが容易になる。
【００１４】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１５】
実施例１ 本発明の超電導電界効果型素子を作製した。図１を参照
して、その工程を説明する。まず、図１(a)に示すよう
なSrTiＯ3（１００）基板５上に図１(b) に示すようｃ
軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20を成膜する。成膜
方法としては、ＭＢＥ法、特に反応性共蒸着法が好まし
い。反応性共蒸着法で成膜を行う際の主な成膜条件を以
下に示す。 基板温度 700 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Pr： 1300 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 10 nm Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20の厚さは、その上に良質の
BaxSr1-xTiＯ3層が形成できる10〜30nmが好ましい。
して、その工程を説明する。まず、図１(a)に示すよう
なSrTiＯ3（１００）基板５上に図１(b) に示すようｃ
軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20を成膜する。成膜
方法としては、ＭＢＥ法、特に反応性共蒸着法が好まし
い。反応性共蒸着法で成膜を行う際の主な成膜条件を以
下に示す。 基板温度 700 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Pr： 1300 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 10 nm Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20の厚さは、その上に良質の
BaxSr1-xTiＯ3層が形成できる10〜30nmが好ましい。
【００１６】次に、蒸着源をBaおよびTiに切り替えてPr
1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよう、B
aTiＯ3バッファ層21を連続して形成する。成膜条件を以
下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ba： 600 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 30 nm
1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよう、B
aTiＯ3バッファ層21を連続して形成する。成膜条件を以
下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ba： 600 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 30 nm
【００１７】続いて、蒸着源をＹ、BaおよびCuに切り替
えて、BaTiＯ3バッファ層21上に、連続してｃ軸配向の
Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１(d) に示すよ
う、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１の厚
さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の厚さとする。
主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 700 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ｙ： 1220 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 5 nm
えて、BaTiＯ3バッファ層21上に、連続してｃ軸配向の
Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１(d) に示すよ
う、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１の厚
さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の厚さとする。
主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 700 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ｙ： 1220 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 5 nm
【００１８】次に、図１(e) に示すよう、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。主な成膜条件を
以下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Sr： 600 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 15 nm
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。主な成膜条件を
以下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Sr： 600 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 15 nm
【００１９】ゲート絶縁層７は、MgＯ、Si3Ｎ4、BaxSr
1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも形成することができる。
一方、ゲート電極４は、Au以外にPt、Ag等の貴金属、多
結晶Si、酸化物超電導体を使用してもよい。
1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも形成することができる。
一方、ゲート電極４は、Au以外にPt、Ag等の貴金属、多
結晶Si、酸化物超電導体を使用してもよい。
【００２０】最後に、図１(f) に示すようＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１の超電導ソー
ス領域２および超電導ドレイン領域３間の部分が、超電
導チャネル10となる。超電導ソース領域２および超電導
ドレイン領域３は、コンタクトを形成するのに十分な 1
00nm以上の厚さとすることが好ましい。また、垂直方向
に大きな電流を流すことができるａ軸配向の酸化物超電
導薄膜で形成することが好ましい。ａ軸配向のＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の成膜条件を以下に示す。 基板温度 650 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ｙ： 1220 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 300 nm
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１の超電導ソー
ス領域２および超電導ドレイン領域３間の部分が、超電
導チャネル10となる。超電導ソース領域２および超電導
ドレイン領域３は、コンタクトを形成するのに十分な 1
00nm以上の厚さとすることが好ましい。また、垂直方向
に大きな電流を流すことができるａ軸配向の酸化物超電
導薄膜で形成することが好ましい。ａ軸配向のＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の成膜条件を以下に示す。 基板温度 650 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ｙ： 1220 ℃ Ba： 620 ℃ Cu： 1000 ℃ 膜厚 300 nm
【００２１】以上のように作製した本発明の超電導電界
効果型素子の特性を測定し、従来の超電導電界効果型素
子の特性と比較した。結果を図２(a)および(b)に示す。
図２(a)のグラフは、超電導電界効果型素子のゲート電
極に印加された電圧ＶGと超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域間電流ＩDSとの関係を示したものであ
る。本発明の超電導電界効果型素子の特性は実線で、従
来の超電導電界効果型素子の特性は破線で示してある。
図２(a)からわかるよう、従来の超電導電界効果型素子
では、電圧ＶG をいくら上げても電流ＩDSが僅かに流れ
るが、本発明の超電導電界効果型素子は、電圧ＶG を上
げると電流ＩDSが完全に遮断される。従って、本発明の
超電導電界効果型素子は、電流遮断時の損失が少なく、
消費電力が小さい。図２(b)のグラフは、本発明の超電
導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電流−電圧特
性を示す。図２(b)からわかるように、本発明の超電導
電界効果型素子のソース−ドレイン間の電流−電圧特性
は、理想的なものとなっている。
効果型素子の特性を測定し、従来の超電導電界効果型素
子の特性と比較した。結果を図２(a)および(b)に示す。
図２(a)のグラフは、超電導電界効果型素子のゲート電
極に印加された電圧ＶGと超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域間電流ＩDSとの関係を示したものであ
る。本発明の超電導電界効果型素子の特性は実線で、従
来の超電導電界効果型素子の特性は破線で示してある。
図２(a)からわかるよう、従来の超電導電界効果型素子
では、電圧ＶG をいくら上げても電流ＩDSが僅かに流れ
るが、本発明の超電導電界効果型素子は、電圧ＶG を上
げると電流ＩDSが完全に遮断される。従って、本発明の
超電導電界効果型素子は、電流遮断時の損失が少なく、
消費電力が小さい。図２(b)のグラフは、本発明の超電
導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電流−電圧特
性を示す。図２(b)からわかるように、本発明の超電導
電界効果型素子のソース−ドレイン間の電流−電圧特性
は、理想的なものとなっている。
【００２２】本実施例では、本発明の超電導電界効果型
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
【００２３】実施例２ 本発明の別の超電導電界効果型素子を作製した。本実施
例の超電導電界効果型素子は、バッファ層21が、Ba0.3S
r0.7SrTiＯ3 で構成されている点が実施例１のものと異
なり、他の部分は実施例１の素子と等しい。従って、以
下の説明は、実施例１との相違点を中心に行う。まず、
図１(a)に示すようなSrTiＯ3（１００）基板５上に図１
(b) に示すよう厚さ10nmのｃ軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバ
ッファ層20を反応性共蒸着法で成膜する。
例の超電導電界効果型素子は、バッファ層21が、Ba0.3S
r0.7SrTiＯ3 で構成されている点が実施例１のものと異
なり、他の部分は実施例１の素子と等しい。従って、以
下の説明は、実施例１との相違点を中心に行う。まず、
図１(a)に示すようなSrTiＯ3（１００）基板５上に図１
(b) に示すよう厚さ10nmのｃ軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバ
ッファ層20を反応性共蒸着法で成膜する。
【００２４】次に、蒸着源をBa、SrおよびTiに切り替え
てPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよ
う、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3バッファ層21を連続して形成す
る。成膜条件を以下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ba： 580 ℃ Sr： 590 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 30 nm
てPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよ
う、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3バッファ層21を連続して形成す
る。成膜条件を以下に示す。 基板温度 500 ℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍）（Ｏ3を70体積
％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Ba： 580 ℃ Sr： 590 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 30 nm
【００２５】続いて、蒸着源をＹ、BaおよびCuに切り替
えて、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3 バッファ層21上に、連続して
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１
(d) に示すよう、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜１の厚さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の
厚さとする。
えて、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3 バッファ層21上に、連続して
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１
(d) に示すよう、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜１の厚さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の
厚さとする。
【００２６】次に、図１(e) に示すよう、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。ゲート絶縁層７
は、MgＯ、Si3Ｎ4、BaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも
形成することができる。一方、ゲート電極４は、Au以外
にPt、Ag等の貴金属、多結晶Si、酸化物超電導体を使用
してもよい。
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。ゲート絶縁層７
は、MgＯ、Si3Ｎ4、BaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも
形成することができる。一方、ゲート電極４は、Au以外
にPt、Ag等の貴金属、多結晶Si、酸化物超電導体を使用
してもよい。
【００２７】最後に、図１(f) に示すようＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート電極
４の下側の部分が、超電導チャネル10となる。超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３は、コンタクト
を形成するのに十分な 100nm以上の厚さとすることが好
ましい。また、垂直方向に大きな電流を流すことができ
るａ軸配向の酸化物超電導薄膜で形成することが好まし
い。
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート電極
４の下側の部分が、超電導チャネル10となる。超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３は、コンタクト
を形成するのに十分な 100nm以上の厚さとすることが好
ましい。また、垂直方向に大きな電流を流すことができ
るａ軸配向の酸化物超電導薄膜で形成することが好まし
い。
【００２８】以上のように作製した本発明の超電導電界
効果型素子の特性を測定したところ、実施例１の超電導
電界効果型素子と同様、ゲート電圧ＶG を上げると電流
ＩDSが完全に遮断されることが確認された。また、本実
施例の超電導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電
流−電圧特性も、実施例１の超電導電界効果型素子と同
様理想的なものとなっている。
効果型素子の特性を測定したところ、実施例１の超電導
電界効果型素子と同様、ゲート電圧ＶG を上げると電流
ＩDSが完全に遮断されることが確認された。また、本実
施例の超電導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電
流−電圧特性も、実施例１の超電導電界効果型素子と同
様理想的なものとなっている。
【００２９】本実施例では、本発明の超電導電界効果型
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
【００３０】実施例３ 本発明のさらに別の超電導電界効果型素子を作製した。
本実施例の超電導電界効果型素子は、基板５が、Ｙ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体で構成されている点が実施例２
のものと異なり、他の部分は実施例２の素子と等しい。
従って、以下の説明は、実施例１および２との相違点を
中心に行う。まず、図１(a)に示すようなＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導体単結晶基板５の（００１）面上に図
１(b) に示すよう厚さ10nmのｃ軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y
バッファ層20を反応性共蒸着法で成膜する。Ｙ1Ba2Cu3
Ｏ7-X酸化物超電導体単結晶基板５は、溶融法で作製し
た５mm角で厚さ0.5 mmのものを使用した。
本実施例の超電導電界効果型素子は、基板５が、Ｙ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体で構成されている点が実施例２
のものと異なり、他の部分は実施例２の素子と等しい。
従って、以下の説明は、実施例１および２との相違点を
中心に行う。まず、図１(a)に示すようなＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導体単結晶基板５の（００１）面上に図
１(b) に示すよう厚さ10nmのｃ軸配向のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y
バッファ層20を反応性共蒸着法で成膜する。Ｙ1Ba2Cu3
Ｏ7-X酸化物超電導体単結晶基板５は、溶融法で作製し
た５mm角で厚さ0.5 mmのものを使用した。
【００３１】次に、蒸着源をBa、SrおよびTiに切り替え
てPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよ
う、厚さ30nmのBa0.3Sr0.7SrTiＯ3バッファ層21を連続
して形成する。成膜条件は実施例２と等しい。
てPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層20上に、図１(c)に示すよ
う、厚さ30nmのBa0.3Sr0.7SrTiＯ3バッファ層21を連続
して形成する。成膜条件は実施例２と等しい。
【００３２】続いて、蒸着源をＹ、BaおよびCuに切り替
えて、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3 バッファ層21上に、連続して
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１
(d) に示すよう、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜１の厚さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の
厚さとする。成膜条件は実施例１および２と等しい。
えて、Ba0.3Sr0.7SrTiＯ3 バッファ層21上に、連続して
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を図１
(d) に示すよう、成膜する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜１の厚さは、超電導チャネルに適当な５nm程度の
厚さとする。成膜条件は実施例１および２と等しい。
【００３３】次に、図１(e) に示すよう、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。ゲート絶縁層７
は、MgＯ、Si3Ｎ4、BaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも
形成することができる。一方、ゲート電極４は、Au以外
にPt、Ag等の貴金属、多結晶Si、酸化物超電導体を使用
してもよい。
7-X酸化物超電導薄膜１上に、ゲート絶縁層７をSrTiＯ3
で形成する。ゲート絶縁層７上に、Auでゲート電極４を
真空蒸着法で形成する。ゲート絶縁層７の厚さは、トン
ネル電流が流れないよう10nm以上の厚さにする必要があ
るが、厚すぎる場合には、ゲート電極に高い信号電圧を
印加しなければ超電導チャネル中を流れる超電導電流の
変調、制御を行うことができなくなる。従って、ゲート
絶縁層７の厚さは、100 nm以下とする。ゲート絶縁層７
は、MgＯ、Si3Ｎ4、BaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）でも
形成することができる。一方、ゲート電極４は、Au以外
にPt、Ag等の貴金属、多結晶Si、酸化物超電導体を使用
してもよい。
【００３４】最後に、図１(f) に示すようＹ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート電極
４の下側の部分が、超電導チャネル10となる。超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３は、コンタクト
を形成するのに十分な 100nm以上の厚さとすることが好
ましい。また、垂直方向に大きな電流を流すことができ
るａ軸配向の酸化物超電導薄膜で形成することが好まし
い。
7-X酸化物超電導薄膜を反応性共蒸着法で成膜し、超電
導ソース領域２および超電導ドレイン領域３を形成す
る。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート電極
４の下側の部分が、超電導チャネル10となる。超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３は、コンタクト
を形成するのに十分な 100nm以上の厚さとすることが好
ましい。また、垂直方向に大きな電流を流すことができ
るａ軸配向の酸化物超電導薄膜で形成することが好まし
い。
【００３５】以上のように作製した本発明の超電導電界
効果型素子の特性を測定したところ、実施例１の超電導
電界効果型素子と同様、ゲート電圧ＶG を上げると電流
ＩDSが完全に遮断されることが確認された。また、本実
施例の超電導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電
流−電圧特性も、実施例１および２の超電導電界効果型
素子と同様理想的なものとなっている。
効果型素子の特性を測定したところ、実施例１の超電導
電界効果型素子と同様、ゲート電圧ＶG を上げると電流
ＩDSが完全に遮断されることが確認された。また、本実
施例の超電導電界効果型素子のソース−ドレイン間の電
流−電圧特性も、実施例１および２の超電導電界効果型
素子と同様理想的なものとなっている。
【００３６】本実施例の超電導電界効果型素子は、Ｙ1B
a2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の基板を有し、その上に形成
されたバッファ層を利用して、活性領域および超電導電
極を形成している。この構成は、GaAs基板を使用したＭ
ＥＳＦＥＴと似ており、超電導集積回路に有利に応用可
能である。
a2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の基板を有し、その上に形成
されたバッファ層を利用して、活性領域および超電導電
極を形成している。この構成は、GaAs基板を使用したＭ
ＥＳＦＥＴと似ており、超電導集積回路に有利に応用可
能である。
【００３７】本実施例では、本発明の超電導電界効果型
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
素子の一例についてのみ説明したが、本発明の超電導電
界効果型素子の構成は、本実施例のものに限定されな
い。例えば、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域は、超電導チャネルに超電導電流を効率よく絞り込め
るよう超電導チャネルから厚さが緩やかに変化する形状
とすることもできる。また、超電導チャネル、ゲート絶
縁層およびゲート電極は、製造工程でセルフアラインす
るように構成することもできる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
新規な構成の超電導電界効果型素子が提供される。本発
明の超電導電界効果型素子は、ゲート電極に電圧を印加
してゲートを閉じているときに、リーク電流が流れない
ので従来の超電導電界効果型素子よりも優れた特性を示
す。また、消費電力も低下する。
新規な構成の超電導電界効果型素子が提供される。本発
明の超電導電界効果型素子は、ゲート電極に電圧を印加
してゲートを閉じているときに、リーク電流が流れない
ので従来の超電導電界効果型素子よりも優れた特性を示
す。また、消費電力も低下する。
【図１】本発明の超電導電界効果型素子を作製する工程
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２】本発明の超電導電界効果型素子の特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】従来の超電導電界効果型素子の構成を説明する
図である。
図である。
１ 酸化物超電導薄膜 ２ 超電導ソース領域 ３ 超電導ドレイン領域 ４ ゲート電極 ５ 基板 ７ ゲート絶縁層 10 超電導チャネル 20 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層 21 BaxTi1-xＯ3バッファ層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に配置された酸化物
超電導体で構成された超電導ソース領域および超電導ド
レイン領域と、基板上で超電導ソース領域および超電導
ドレイン領域間に配置され、酸化物超電導体で構成され
た超電導チャネルと、超電導チャネル上にゲート絶縁層
を介して配置され、超電導チャネルを流れる電流を制御
するためのゲート電圧が印加されるゲート電極とを備え
る超電導電界効果型素子において、基板上の前記超電導
電界効果型素子全体の下側にBaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦
１）で示される材料のバッファ層を具備することを特徴
とする超電導電界効果型素子。 - 【請求項２】 前記BaxSr1-xTiＯ3 （０≦ｘ≦１）材料
のバッファ層の下にさらにPr1Ba2Cu3Ｏ7-yバッファ層を
備えることを特徴とする請求項１に記載の超電導電界効
果型素子。 - 【請求項３】 前記基板が、酸化物超電導体で構成され
ていることを特徴とする請求項１または２に記載の超電
導電界効果型素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191261A JPH0878743A (ja) | 1994-07-04 | 1995-07-04 | 超電導電界効果型素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17475794 | 1994-07-04 | ||
| JP6-174757 | 1994-07-04 | ||
| JP7191261A JPH0878743A (ja) | 1994-07-04 | 1995-07-04 | 超電導電界効果型素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878743A true JPH0878743A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=26496252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7191261A Withdrawn JPH0878743A (ja) | 1994-07-04 | 1995-07-04 | 超電導電界効果型素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433623B1 (ko) * | 2001-09-17 | 2004-05-31 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 상전이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP7191261A patent/JPH0878743A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433623B1 (ko) * | 2001-09-17 | 2004-05-31 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 상전이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 |
| USRE42530E1 (en) | 2001-09-17 | 2011-07-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Device using a metal-insulator transition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |