JP2003076019A - ネガ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、かつ
通常のライン・アンド・スペースパターンにおいて、高
解像度で矩形のレジストパターンを形成することがで
き、現像後にレジストパターン欠陥(橋架け(ブリッジン
グ)、欠け）がなく、感度、現像性、寸法忠実度等にも優
れる化学増幅型ネガ型レジストのためのネガ型感放射線
性樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 (Ａ)フェノール性水酸基を有する重合性
不飽和化合物の重合単位を含有してなるアルカリ可溶性
樹脂、このアルカリ可溶性樹脂は重量平均分子量が４,
１００〜２０,０００であり、重量平均分子量／数平均
分子量の比が１.２５より大きく２.００以下である、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、および（Ｃ）酸架橋剤から
なるネガ型感放射線性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関する。さらに詳しくは、遠紫外線、Ｘ線あるい
は荷電粒子線の如き放射線を用いる微細加工に好適な化
学増幅型ネガ型レジストとして有用なネガ型感放射線性
樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、リ
ソグラフィーにおける加工サイズの微細化が急速に進行
しており、近年では、線幅０.２５μｍ以下の微細加工
を安定的に行なうことのできる技術が必要とされてい
る。そのため、用いられるレジストについても、０.２
５μｍ以下の微細パターンを高精度に形成できることが
求められており、その観点から、より波長の短い放射線
を利用したリソグラフィーが検討されている。

【０００３】このような短波長の放射線としては、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）およびＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）に代表される遠紫外
線、シンクロトロン放射線に代表されるＸ線、電子線に
代表される荷電粒子線等が用いられており、近年、これ
らの放射線に対応できる種々のレジストが検討されてい
る。そのようなレジストのうち特に注目されているもの
に、放射線の照射（以下、「露光」という。）によって
酸が生成し、この酸の触媒作用により現像液に対する溶
解性が変化する反応が起こる化学増幅型レジストが知ら
れている。

【０００４】ところで、レジストを用いて実際に集積回
路を製造する際には、通常、感放射線性成分、被膜形成
性樹脂成分等のレジスト構成成分を溶剤に溶解してレジ
スト溶液を調製し、該レジスト溶液を加工に供される基
板上に塗布してレジスト被膜を形成させたのち、該レジ
スト被膜に所定のマスクを介して露光し、現像し、それ
により微細加工に適したパターンを形成させる。その際
パターン断面の形状（パターン断面形状）が微細加工の
精度に重大な影響を与え、矩形の形状が好ましいとされ
ている。従来の化学増幅型ネガ型レジストは、露光部で
架橋反応を進行させることにより、現像液への溶解速度
を低下させてパターンを形成させるが、当該レジストの
現像液に対する露光部と非露光部との間の溶解速度のコ
ントラストが充分でないため、解像度が低く、またパタ
ーンの頭部形状が矩形にならず丸くなるという欠点があ
る。さらに露光部における現像液に対する溶解速度の低
下も十分でなく、パターンが現像液により膨潤したり、
蛇行したりする不都合もあった。

【０００５】特開平１−２９３３３９号公報および特開
平２−１５２７０号公報には、グリコールウリル樹脂等
のアミノ樹脂を架橋剤とする化学増幅型ネガ型レジスト
組成物が開示されているが、架橋剤の選択だけでは、
０.２５μｍ以下の微細パターンを満足できるレベルで
形成することが困難であった。

【０００６】一方、特開平６−３０１２００号公報に
は、Ｎ−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物か
らなる架橋剤を使用した化学増幅型ネガ型レジスト組成
物が開示されているが、このレジスト組成物は、集積回
路素子の製造に現像液として通常使用される２.３８重
量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水
溶液に対しては適用できないという問題があった。

【０００７】また、特開平５−３４９２２号公報には、
部分水素添加フェノール樹脂と単核体比率を規定したグ
リコールウリル樹脂架橋剤とを含有する化学増幅型ネガ
型レジスト組成物が提案されている。しかしながら、こ
のレジスト組成物を０.２５μｍ以下の微細パターンに
適用しても、満足できる性能を達成することが不可能で
あった。

【０００８】さらに近年、特に解像度を改善した化学増
幅型ネガ型レジスト組成物として、アルカリ可溶性樹脂
の分散度を規定した組成物が、特開平７−１２０９２４
号公報、特開平７−３１１４６３号公報、特開平８−４
４０６１号公報、特開平８−２９２５５９号、特開平１
０−１８６６６１公報等に開示されている。これらのレ
ジスト組成物は解像度には優れるものの、現像後のレジ
ストパターン欠陥（橋架け(ブリッジング)、欠け）が起
こる問題を有する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、通常
濃度のアルカリ現像液に適用でき、かつ通常のライン・
アンド・スペースパターンにおいて、高解像度で矩形の
レジストパターンを形成することができ、現像後にレジ
ストパターン欠陥(橋架け(ブリッジング)、欠け）がな
く、感度、現像性、寸法忠実度等にも優れる化学増幅型
ネガ型レジストとして好適なネガ型感放射線性樹脂組成
物を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的および利点は、以下の説
明から明らかになろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、(Ａ)フェノール性水酸基を有
する重合性不飽和化合物の重合単位を含有してなるアル
カリ可溶性樹脂、このアルカリ可溶性樹脂は重量平均分
子量が４,１００〜２０,０００であり、重量平均分子量
／数平均分子量の比が１.２５より大きく２.００以下で
ある、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、および（Ｃ）酸架橋
剤からなることを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成
物によって達成される。

【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）成分 本発明における（Ａ）成分は、フェノール性水酸基を有
する重合性不飽和化合物（以下、「フェノール性不飽和化
合物」という。）の重合単位すなわち重合性不飽和結合が
開裂した単位を含有してなるアルカリ可溶性樹脂であ
る。この樹脂は、好ましくは上記フェノール性不飽和化
合物の重合単位の他に、非置換または置換スチレン系化
合物（以下、単に「他のスチレン系化合物」という。）の重
合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単
位とを有する。

【００１３】フェノール性水酸基を有する重合性不飽和
化合物としては、例えばｏ−ビニルフェノール、ｍ−ビニ
ルフェノール、ｐ−ビニルフェノール、ｏ−イソプロペニ
ルフェノール、ｍ−イソプロペニルフェノールおよびｐ
−イソプロペニルフェノール等を挙げることができる。
これらのフェノール性不飽和化合物は、単独でまたは２
種以上を組合せて使用することができる。

【００１４】他のスチレン系化合物における置換基とし
ては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の如き炭素数１〜４の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基の如き炭素
数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子の如きハロゲン
原子等を挙げることができる。

【００１５】かかるスチレン系化合物の具体例として
は、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルス
チレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−
ｔ−ブチルスチレンの如きアルキル基で置換されたスチ
レン誘導体類；ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシス
チレン、ｐ−ｎ−プロポキシスチレン、ｐ−ｉ−プロポキ
シスチレン、ｐ−ｎ−ブトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキ
シスチレンの如きアルコキシル基で置換されたスチレン
誘導体；ｐ−フルオロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ
−ブロモスチレンの如きハロゲン原子で置換されたスチ
レン誘導体類を挙げることができる。これらの他のスチ
レン系化合物は、単独でまたは２種以上を組合せて使用
することができる。

【００１６】本発明における（Ａ）成分は、さらに、フェ
ノール性不飽和化合物および他のスチレン系化合物以外
の重合性不飽和化合物（以下、「他の不飽和化合物」とい
う。）の重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位を含
有することができる。他の不飽和化合物としては、例え
ば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリ
レート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピ
ル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレ
ート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル
（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレー
ト、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートの如きア
ルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレートの如きヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ
ート類；シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニ
ル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、イソボルニル（メタ）アクリレートの如き他の（メ
タ）アクリル酸エステル類；（メタ）アクリロニトリ
ル、α−クロロアクリロニトリル、α−クロロメチルアク
リロニトリル、シアン化ビニリデンの如き不飽和ニトリ
ル化合物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチル
（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチ
ル）（メタ）アクリルアミドの如き不飽和アミド化合
物；（メタ）アクリル酸、けい皮酸、マレイン酸、無水マ
レイン酸、フマル酸の如き不飽和カルボン酸（無水物）
類；マレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フ
ェニルマレイミドの如きマレイミド類；Ｎ−ビニルピロ
リドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムの如きヘテロ原子含
有する脂環式ビニル化合物等を挙げることができる。こ
れらの他の不飽和化合物は、単独でまたは２種類以上を
組合せて使用することができる。

【００１７】本発明における（Ａ）成分の具体例として
は、例えば、ｐ−ビニルフェノール／スチレン共重合体、
ｐ−ビニルフェノール／α−メチルスチレン共重合体、
ｐ−ビニルフェノノール／ｐ−メトキシスチレン共重合
体、ｐ−ビニルフェノール／ｐ−エトキシスチレン共重
合体、ｐ−ビニルフェノール／ｐ−ｎ−プロポキシスチ
レン共重合体、ｐ−ビニルフェノール／ｐ−ｎ−ブトキ
シスチレン共重合体の如きビニルフェノール／他のスチ
レン系化合物共重合体類；ｐ−イソプロペニルフェノー
ル／スチレン共重合体、ｐ−イソプロペニルフェノール
／α−メチルスチレン共重合体の如きイソプロペニルフ
ェノール／他のスチレン系化合物共重合体類；ｐ−ビニ
ルフェノール／スチレン／メチル（メタ）アクリレート
共重合体、ｐ−ビニルフェノール／スチレン／２−ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート共重合体、ｐ−ビニ
ルフェノール／スチレン／２−ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート共重合体、ｐ−ビニルフェノール／３
−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート共重合体の
如きビニルフェノール／スチレン／（メタ）アクリル酸
エステル共重合体類；ｐ−ビニルフェノール／スチレン
／（メタ）アクリロニトリル共重合体、ｐ−イソプロペ
ニルフェノール／スチレン／（メタ）アクリロニトリル
共重合体の如きフェノール不飽和化合物／スチレン／不
飽和ニトリル化合物共重合体類等を挙げることができ
る。

【００１８】本発明における（Ａ）成分のうち、特にｐ
−ビニルフェノール／スチレン共重合体、ｐ−ビニルフ
ェノール／α−メチルスチレン共重合体、ｐ−ビニルフ
ェノール／ｐ−メトキシスチレン共重合体およびｐ−ビ
ニルフェノール／ｐ−エトキシスチレン共重合体等が好
ましい。

【００１９】本発明における（Ａ）成分において、フェ
ノール性不飽和化合物に由来する繰り返し単位の含有率
は、好ましくは、５０〜９５モル％、より好ましくは５５
〜９５モル％、特に好ましくは６０〜９０モル％である。
この場合、フェノール性不飽和化合物に由来する繰り返
し単位の含有率が５０モル％未満では、アルカリ現像液
に対する溶解速度が低下し、レジストとしての現像性、
解像度等が損なわれる傾向があり、一方９５モル％を超
えると、アルカリ現像液に対する膨潤が起こり易くなり、
パターン形状が損なわれたり、パターン欠陥が発生する
おそれがある。

【００２０】本発明における（Ａ）成分の製造法として
は、例えば、 (Ｉ)ヒドロキシスチレンの水酸基を保護したモノマー、
例えば、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−アセトキシス
チレン、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等
と、場合により他のスチレン化合物および／または他の
不飽和化合物とを、ラジカル、アニオン、カチオン付加重
合させたのち、酸触媒、塩基性触媒を作用させて、保護
基を加水分解反応により脱離させる方法； (II)フェノール性不飽和化合物と、場合により他のスチ
レン系化合物および／または他の不飽和化合物とを、ラ
ジカル付加重合させる方法等を挙げることができる。こ
れらのうち、(Ｉ)の方法が好ましい。

【００２１】（Ｉ）の方法に使用される酸触媒として
は、例えば、塩酸、硫酸の如き無機酸を挙げることがで
きる。塩基性触媒としては、例えば、トリアルキルアミ
ンの如き有機塩基、水酸化ナトリウムの如き無機塩基を
挙げることができる。

【００２２】（Ａ）成分は、好ましくは、アニオン重合
で得られた樹脂とラジカル重合で得られた樹脂の混合物
からなる。その混合物は、好ましくはアニオン重合で得
られた（樹脂１００重量部とラジカル重合で得られた樹
脂３０〜３００重量部からなる。

【００２３】本発明における(Ａ)成分は、ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチ
レン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）が
４,１００〜２０,０００、好ましくは４,１００〜１５,
０００であり、さらに好ましくは４,１００〜１０,００
０、特に好ましくは４,５００〜１０,０００である。Ｍ
ｗが４,１００未満では、組成物の製膜性、レジストと
しての感度等が低下する傾向があり、一方２０,０００
を超えると、レジストとしての現像性低下およびパター
ン欠陥が発生する傾向がある。また、本発明における
（Ａ）成分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）によるＭｗとポリスチレン換算数平均分子
量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で
定義される分散度が１.２５＜（Ｍｗ／Ｍｎ）≦２.０
０、好ましくは１.２５＜（Ｍｗ／Ｍｎ）≦１.７０、さら
に好ましくは、１.２５＜（Ｍｗ／Ｍｎ）≦１.５０であ
る。分散度が１.２５以下ではレジストパターンの欠陥が
出易く、２.００を超えるとレジストとしての解像度等が
低下する傾向がある。

【００２４】なお、（Ａ）成分がアニオン重合で得られ
た樹脂とラジカル重合で得られた樹脂との混合物からな
る場合、アニオン重合で得られた樹脂の分散度は、好ま
しくは１.０以上１.３以下、さらに好ましくは１.０以
上１.２以下であり、ラジカル重合で得られた樹脂の分
散度は、好ましくは１.３以上１.８以下、さらに好まし
くは１.４以上１.７以下である。

【００２５】また、本発明における（Ａ）成分の２３℃
における２.３８重量％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液に対する溶解速度は、塗膜において、通
常、１０〜１３０ｎｍ／ｓ、好ましくは２０〜１００ｎ
ｍ／ｓである。溶解速度が１０ｎｍ未満では、アルカリ
現像液に対する溶解速度が低下し、レジストとしての現
像性、解像度等が損なわれる場合があり、一方１３０ｎ
ｍ／ｓを超えると、アルカリ現像液に対する膨潤が起こ
り易くなり、パターン形状が損なわれたり、パターン欠陥
が発生するおそれがある。

【００２６】上記の溶解速度とは、（Ａ）アルカリ可溶
性樹脂を溶媒に溶解したのちシリコンウエハー上に膜厚
約４００ｎｍで塗布し、９０℃で９０秒間加熱した後２
３℃における２.３８重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液に浸したときの秒あたりの膜減り量
をいう。

【００２７】（Ｂ）感放射線性酸発生剤 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「（Ｂ）酸発生剤」とい
う。）からなる。(Ｂ）酸発生剤としては、例えば、
オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾ
メタン化合物、ジスルフォニルメタン化合物、 ハロ
ゲン含有化合物、 スルホン化合物、 スルホン酸エス
テル化合物およびオキシムスルホネート化合物等を挙
げることができる。

【００２８】これらの（Ｂ）酸発生剤の例を以下に示
す。 オニウム塩：オニウム塩化合物としては、例えば下記
式（１）のスルホニウム塩、（２）のヨードニウム塩、
およびホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。

【００２９】

【化１】

【００３０】

【化２】

【００３１】式（１）および（２）において、Ｒ¹〜Ｒ¹⁵
は同一または異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるい
は環状のアルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状のアル
コキシ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子を示し、
Ｘ⁻はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基
またはハロゲン置換アリール基を示す。オニウム塩化合
物の具体例としては、 ａ．スルホニウム塩 トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウ
ム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウム−２−トルフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウム−４−トルフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウム−２,４−ジフルオロベンゼンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムペンタフルオロベンゼンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム−１−ナフタレンスルホ
ネート、ジフェニル−４−メチルフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−メ
チルフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジフェニル−４−メチルフェニルパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−４−メ
チルフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジフェニル−４−メチルフェニルスルホニウム１０−カ
ンファースルホネート、ジフェニル−２,４−ジメチルフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジフェニル−２,４−ジメチルフェニルスルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル−
２,４−ジメチルフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−２,４−ジメ
チルフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジフェニル−２,４−ジメチルフェニルスルホニウム１
０−カンファースルホネート、ジフェニル−２,４,６−
トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ジフェニル−２,４,６−トリメチルフェニ
ルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニル−２,４,６−トリメチルフェニルスルホ
ニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフ
ェニル−２,４,６−トリメチルフェニルスルホニウムｐ
−トルエンスルホネート、ジフェニル−２,４,６−トリ
メチルフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネ
ート、ジフェニル−４−ｔ−ブチルフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−
ｔ−ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジフェニル−４−ｔ−ブチルフェニ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジフェニル−４−ｔ−ブチルフェニルスルホニウム
ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル−４−ｔ−ブチ
ルフェニルスルホニウム−１０−カンファースルホネー
ト、ジフェニル−４−フルオロフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−フル
オロフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジフェニル−４−フルオロフェニルスルホ
ニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフ
ェニル−４−フルオロフェニルスルホニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、ジフェニル−４−フルオロフェニルス
ルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジフェニ
ル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェ
ニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム
パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル
−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ジフェニル
−４−メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ジフェニル−４−メトキシフェニルス
ルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
フェニル−４−メトキシフェニルスルホニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−４−メ
トキシフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ジフェニル−４−メトキシフェニルスルホニウム−
１０−カンファースルホネート、ジフェニル−４−ｔ−
ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ジフェニル−４−ｔ−ブトキシフェニルスル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフ
ェニル−４−ｔ−ブトキシフェニルスルホニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−４−
ｔ−ブトキシフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホ
ネート、ジフェニル−４−ｔ−ブトキシフェニルスルホ
ニウム−１０−カンファースルホネート、ビス（４−フ
ルオロフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス（４−フルオロフェニル）−
４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス（４−フルオロフェニル）−４−
メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−メトキシフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４
−メトキシフェニル）−フェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ビス（４−メトキシフェニ
ル）−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、トリス（４−フルオロフェニ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）スルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ト
リス（４−メトキシフェニル）スルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリス（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムｐ−トルエンスルホネート、トリス（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウム−１０−カンファースルホネート
等を挙げることができる。

【００３２】ｂ．ヨードニウム塩 ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル）ｐ−トルエンスルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−
２,４ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス(４−ｔ−
ブチルフェニル)ヨードニウムペンタフルオロベンゼン
スルホネート、ビス（３,４−ジメチルフェニル）ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（３,４
−ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ビス（３,４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ビス（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウム
ｐ−トルエンスルホネート、ビス（３,４−ジメチルフ
ェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス
（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ビス（３,４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ビス（３,４−ジメチルフェニル）ヨード
ニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ビス（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウム−
２,４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス(３,４
−ジメチルフェニル)ヨードニウムペンタフルオロベン
ゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨ
ードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウム−４−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−
２,４ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−
ニトロフェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨー
ドニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−
ニトロフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０−
カンファースルホネート、ビス（３−ニトロフェニル）
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（３−ニトロフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ビス（３−ニトロフェニル）ヨ
ードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ビス（３−ニトロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエン
スルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム
ベンゼンスルホネート、ビス（３−ニトロフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、４−メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタン
スルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨード
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−メトキシフェニル・フ
ェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホ
ネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
１０−カンファースルホネート、ビス（４−クロロフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−クロロフェニル）ヨードニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ビス（４−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−ト
ルエンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨード
ニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス
（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ビス（４−トリフルオロ
メチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ビス（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−トリフル
オロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム１０−カンファースルホネート。

【００３３】スルホンイミド化合物：スルホンイミド
化合物としては、例えば、下記式（３）

【００３４】

【化３】

【００３５】式（３）において、Ｖはアルキレン基、ア
リーレン基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ
¹⁶はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル
基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。で表
される化合物を挙げることができる。

【００３６】スルホンイミド化合物の具体例としては、
例えばＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオ
ロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプ
ト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ト
リフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシ
クロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］
ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）−７−
オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−
５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレ
イミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.
２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタル
イミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジ
フェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファー
スルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］
ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２.
２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）
ナフチルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオ
キシ）フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン
−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンス
ルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘ
プト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.
１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイ
ミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチル
イミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−
ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−
エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−
５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ
−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン
−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシ
クロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（２ートリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,
６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ
−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］
ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４ートリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.
１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイ
ミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベン
ゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ペンタ
フルオロベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ
−（ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ジフェ
ニルマレイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.
２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロベンゼン
スルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００３７】Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキ
サビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキ
シ）ナフチルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニル
オキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスル
ホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１−ナフ
タレンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト
−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−
ナフタレンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオ
キシ）ナフチルイミド等を挙げることができる。

【００３８】ジアゾメタン化合物：ジアゾメタン化合
物としては、例えば、下記式（４）で表される化合物を
挙げることができる。

【００３９】

【化４】

【００４０】式（４）において、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は相互
に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキ
ル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。

【００４１】ジアゾメタン化合物の具体例としては、例
えばビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−
トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２,４−ジ
メチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスル
ホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−クロロベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、
シクロヘキシルスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジ
アゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル・１,１−
ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス（１,１
−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１
−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３,
３−ジメチル−１,５−ジオキサスピロ [５.５] ドデカ
ン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス（１,４−ジ
オキサスピロ [４. ５] デカン−７−スルホニル）ジア
ゾメタン等を挙げることができる。

【００４２】ジスルフォニルメタン化合物：ジスルフ
ォニルメタン化合物としては、例えば、下記式（５）

【００４３】

【化５】

【００４４】式（５）において、Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は相互
に独立に１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素
基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基また
はヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、Ｘおよ
びＹは相互に独立にアリール基、水素原子、１価の直鎖
状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原子
を有する１価の他の有機基を示すか（但しＸおよびＹの
少なくとも一方がアリール基である）あるいはＸとＹが
相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する炭
素単環構造または炭素多環構造を形成しているか、ある
いはＸとＹが相互に連結して下記式（６）

【００４５】

【化６】

【００４６】式中、Ｘ’およびＹ’は相互に独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、
アリール基またはアラルキル基を示すか、あるいはそれ
らが結合している炭素原子と一緒になって炭素単環構造
を形成しており、ｍは２〜１０の整数である。で表され
る基を形成している。

【００４７】ハロゲン含有化合物 ハロゲン化合物としては、例えばハロアルキル基含有炭
化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物など
が好ましく用いられる。 ハロゲン含有化合物の具体例としては、トリス(２,３−
ジブロモプロピル)イソシアヌレート、α,α,α−トリブ
ロモメチルフェニルスルホン、トリブロモネオペンチル
アルコール、２,２−ビス(ブロモメチル)−１,３−プロ
パンジオール、ペンタエリトリトールテトラブロマイド、
２−(ブロモメチル)−２−(ヒドロキシメチル)−１,３
−プロパンジオール、ヘキサブロモヘキサン、ヘキサブロ
モヘプタン、ヘキサブロモシクロドデカン、テトラブロモ
−ｏ−クレゾール、テトラブロモビスフェノールＡビス
ヒドロキシエチルエーテル、２,４−ジブロモ−２,４−
ジメチル−３−ペンタノンなどの臭素化合物、ペンタエ
リトリトールテトラクロライド、フェニル−ビス−(トリ
クロロメチル)−ｓ−トリアジン、メトキシフェニル−ビ
ス(トリクロロメチル)−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビ
ス(トリクロロメチル)−ｓ−トリアジンなどの(トリク
ロロメチル)−ｓ−トリアジン誘導体や、１,１−ビス(４
−クロロフェニル)−２,２,２−トリクロロエタンなど
の塩素化合物、ヘキサヨードヘキサン、ｐ−ジヨードベン
ゼンなどのヨウ素化合物などが挙げられる。

【００４８】スルホン化合物 スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン、β−
スルホニルスルホン、これらのα−ジアゾ化合物などを
挙げることができる。 スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニル
スルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニル
スルホニル)メタン、４−トリスフェナシルスルホンなど
を挙げることができる。

【００４９】スルホン酸エステル化合物 スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルス
ルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、ア
リールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどを
挙げることができる。

【００５０】スルホン酸エステル化合物の具体例として
は、ベンゾイントシレート、ピロガノールトリストリフレ
ート、ピロガノールメタンスルホン酸トリエステル、ニト
ロベンジル−９,１０−ジエトキシアントラセン−２−
スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α
−メチロールベンゾインオクタンスルホン酸エステル、
α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホン
酸エステル、α−メチロールベンゾインドデシルスルホ
ン酸エステルなどを挙げることができる。

【００５１】オキシムスルホネート化合物 オキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式
（７）で表される化合物を挙げることができる。

【００５２】

【化７】

【００５３】式（７）において、Ｒ²¹およびＲ²²は互い
に独立に置換していてもよい直鎖、分岐または環状アル
キル基、置換していてもよいアリール基、置換していても
よいヘテロアリール基、置換していてもよいアラルキル
基を示す。

【００５４】オキシムスルホネート化合物の具体例とし
ては、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニ
ルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（ト
リフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニル
アセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニル
オキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−４−メト
キシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニ
ルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−ブロ
モフェニルアセトニトリル等を挙げることができる。

【００５５】本発明における前記（Ｂ）酸発生剤は、単
独でまたは２種以上を組合せて使用することができる。

【００５６】本発明における前記(Ｂ)酸発生剤のなか
で、オニウム塩、スルホン酸イミドが好ましく、さらに好
ましくは、オニウム塩、特に好ましくはフェノール性水
酸基含有オニウム塩を挙げることができる。 フェノール性水酸基を有するオニウム塩としては、上述
したもののうち、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェ
ニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロ
キシフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルス
ルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル−４
−ヒドロキシフェニルスルホニウム−１０−カンファー
スルホネート、ビス（４−フルオロフェニル）−４−ヒ
ドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−メトキシフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４
−メトキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−
ヒドロキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタン
スルホネートが挙げられる。

【００５７】また、フェノール性水酸基を有するオニウ
ム塩と、その他のオニウム塩とを混合して用いることに
より、感度、解像度と欠陥のバランスに優れるレジスト
パターンを形成することが可能になる。オニウム塩を混
合して用いる場合、フェノール性水酸基を有するオニウ
ム塩の使用量は、（Ｂ）酸発生剤全体に対して２０〜８
０重量％であることが好ましい。

【００５８】本発明において、（Ｂ）酸発生剤の使用量
は、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当
り、０.１〜２０重量部、より好ましくは０.５〜１５重
量部、さらに好ましくは１〜１０重量部である。(Ｂ)酸
発生剤の配合量が０.１重量部未満では、解像度が低下
し、２０重量部を越えるとパターン断面形状が低下す
る。

【００５９】（Ｃ）酸架橋剤 本発明における(Ｃ)酸架橋剤は、酸例えば露光により生
じた酸の存在下で、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂を
架橋しアルカリ現像液に対する溶解性を抑止することが
できるものであればよく、その種類は特に限定されな
い。例えば下記式(８)で表されるＮ−(アルコキシメチ
ル)グリコールウリル化合物、下記式(９)で表されるＮ
−(アルコキシメチル)ウレア化合物、下記式(１０)で表
されるＮ−(アルコキシメチル)メラミン化合物、下記式
(１１)で表されるＮ−(アルコキシメチル)エチレンウレ
ア化合物などのＮ−(アルコキシメチル)アミノ化合物お
よび下記式（１２）、（１３）、（１４）および（１５）
で表されるα−ヒドロキシイソプロピル基および／また
はα−ヒドロキシイソプロピル基の酸解離性誘導体を有
する化合物等を挙げることができる。

【００６０】

【化８】

【００６１】式（８）において、Ｒ²³〜Ｒ²⁶は独立に炭
素数１〜４のアルキル基を示す。

【００６２】式(８)で表されるＮ−(アルコキシメチル)
グリコールウリル化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ,Ｎ,
Ｎ−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル、Ｎ,Ｎ,
Ｎ,Ｎ−テトラ(エトキシメチル)グリコールウリル、Ｎ,
Ｎ,Ｎ,Ｎ−テトラ(ｎ−プロポキシメチル)グリコールウ
リル、Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−テトラ(ｉ−プロポキシメチル)グ
リコールウリル、Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−テトラ(ｎ−ブトキシメ
チル)グリコールウリル、Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−テトラ(ｔ−ブ
トキシメチル)グリコールウリルなどを挙げることがで
きる。

【００６３】

【化９】

【００６４】式（９）において、Ｒ²⁷〜Ｒ²⁸は独立に炭
素数１〜４のアルキル基を示す。

【００６５】式（９）で表されるＮ−(アルコキシメチ
ル)ウレア化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ−ジ(メトキ
シメチル)ウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(エトキシメチル)ウレア、
Ｎ,Ｎ−ジ(ｎ−プロポキシメチル)ウレア、Ｎ,Ｎ−ジ
(ｉ−プロポキシメチル)ウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｎ−ブトキ
シメチル)ウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｔ−ブトキシメチル)ウレ
アなどを挙げることができる。

【００６６】

【化１０】

【００６７】式（１０）において、Ｒ²⁹〜Ｒ³⁴は独立に
炭素数１〜４のアルキル基を示す。

【００６８】式(１０)で表されるＮ−(アルコキシメチ
ル)メラミン化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,
Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミン、 Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,
Ｎ,Ｎ−ヘキサ（エトキシメチル）メラミン、 Ｎ,Ｎ,Ｎ,
Ｎ,Ｎ,Ｎ−ヘキサ（ｎ−プロポキシメチル）メラミン、
Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−ヘキサ（ｉ−プロポキシメチル）
メラミン、 Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−ヘキサ（ｎ−ブトキシ
メチル）メラミン、 Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−ヘキサ（ｔ−
ブトキシメチル）メラミンなどを挙げることができる。

【００６９】

【化１１】

【００７０】式（１１）において、Ｒ³⁵〜Ｒ³⁸は独立に
炭素数１〜４のアルキル基を示す。

【００７１】式（１１)で表されるＮ−(アルコキシメチ
ル)エチレンウレア化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ−ジ
(メトキシメチル)−４,５−ジ（メトキシメチル）エチ
レンウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(エトキシメチル)−４,５−ジ
（エトキシメチル）エチレンウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｎ−プ
ロポキシメチル)−４,５−ジ（ｎ−プロポキシメチル）
エチレンウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｉ−プロポキシメチル)−
４,５−ジ（ｉ−プロポキシメチルメチル）エチレンウ
レア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｎ−ブトキシメチル)−４,５−ジ（ｎ
−ブトキシメチル）エチレンウレア、Ｎ,Ｎ−ジ(ｔ−ブ
トキシメチル)−４,５−ジ（ｔ−ブトキシメチルメチ
ル）エチレンウレアなどを挙げることができる。

【００７２】

【化１２】

【００７３】式（１２）において、各Ａは相互に独立に
α−ヒドロキシイソプロピル基または水素原子を示し、
但し少なくとも１個のＡがα−ヒドロキシイソプロピル
基であり、Ｒ³⁹は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数２〜
６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルカルボニル基また
は炭素数２〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカ
ルボニル基を示す。

【００７４】式（１２)で表される化合物の具体例とし
ては、α−ヒドロキシイソプロピルベンゼン、１,３−ビ
ス(α−ヒドロキシイソプロピル)ベンゼン、１,４−ビス
(α−ヒドロキシイソプロピル)ベンゼン、１,２,４−ト
リス(α−ヒドロキシイソプロピル)ベンゼン、１,３,５
−トリス(α−ヒドロキシイソプロピル)ベンゼンの如き
α−ヒドロキシイソプロピルベンゼン類；３−α−ヒド
ロキシイソプロピルフェノール、４−α−ヒドロキシイ
ソプロピルフェノール、３,５−ビス（α−ヒドロキシイ
ソプロピル）フェノール、２,４,６−トリス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）フェノールの如きα−ヒドロキシ
イソプロピルフェノール類；３−α−ヒドロキシイソプ
ロピルフェニル・メチルケトン、４−α−ヒドロキシイ
ソプロピルフェニル・メチルケトン、４−α−ヒドロキ
シイソプロピルフェニル・エチルケトン、４−α−ヒド
ロキシイソプロピルフェニル・ｎ−プロピルケトン、４
−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・イソプロピル
ケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル・ｎ
−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェ
ニル・ｔ−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロ
ピルフェニル・ｎ−ペンチルケトン、３,５−ビス（α−
ヒドロキシイソプロピル）フェニル・メチルケトン、３,
５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル・エ
チルケトン、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプ
ロピル）フェニル・メチルケトンの如きα−ヒドロキシ
イソプロピルフェニル・アルキルケトン類；３−α−ヒ
ドロキシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロ
キシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロキシ
イソプロピル安息香酸エチル、４−α−ヒドロキシイソ
プロピル安息香酸ｎ−プロピル、４−α−ヒドロキシイ
ソプロピル安息香酸イソプロピル、４−α−ヒドロキシ
イソプロピル安息香酸ｎ−ブチル、４−α−ヒドロキシ
イソプロピル安息香酸ｔ−ブチル、４−α−ヒドロキシ
イソプロピル安息香酸ｎ−ペンチル、３,５−ビス（α−
ヒドロキシイソプロピル）安息香酸メチル、３,５−ビス
（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸エチル、２,
４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香
酸メチルの如き４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香
酸アルキル類等を挙げることができる。

【００７５】

【化１３】

【００７６】式（１３）において、各Ａは相互に独立に
α−ヒドロキシイソプロピル基または水素原子を示し、
但し少なくとも１個のＡがα−ヒドロキシイソプロピル
基であり、Ｒ⁴⁰は単結合、炭素数１〜５の直鎖状もしくは
分岐状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−を
示す。

【００７７】式（１３)で表される化合物の具体例とし
ては、３−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、４
−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、３,５−ビ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３,
３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニ
ル、３,４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビ
フェニル、４,４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ビフェニル、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイ
ソプロピル）ビフェニル、３,３’,５−トリス（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）ビフェニル、３,４’,５−トリ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２,
３’,４,６,−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ビフェニル、２,４,４’,６,−テトラキス（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）ビフェニル、３,３’,５,５’
−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニ
ル、２,３’,４,５’,６−ペンタキス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）ビフェニル、２,２’,４,４’,６,６’
−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニ
ル等のα−ヒドロキシイソプロピルビフェニル類；

【００７８】３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニ
ルメタン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニル
メタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニ
ル）−２−フェニルエタン、１−（４−α−ヒドロキシ
イソプロピルフェニル）−２−フェニルプロパン、２−
（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フ
ェニルプロパン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピ
ルフェニル）−３−フェニルプロパン、１−（４−α−
ヒドロキシイソプロピルフェニル）−４−フェニルブタ
ン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）
−５−フェニルペンタン、３,５−ビス（α−ヒドロキ
シイソプロピルジフェニルメタン、３,３’−ビス（α
−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３,
４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニル
メタン、４,４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ジフェニルメタン、１,２−ビス（４−α−ヒドロ
キシイソプロピルフェニル）エタン、１,２−ビス（４
−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２,２
−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパ
ン、１,３−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニ
ル）プロパン、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソ
プロピル）ジフェニルメタン、３,３’,５−トリス（α
−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３,
４’,５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフ
ェニルメタン、２,３’,４,６−テトラキス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２,４,４’,
６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェ
ニルメタン、３,３’,５,５’−テトラキス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２,３’,４,
５’,６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）
ジフェニルメタン、２,２’,４,４’,６,６’−ヘキサ
キス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン
等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルアルカン
類；

【００７９】３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニ
ルエーテル、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニ
ルエーテル、３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ジフェニルエーテル、３,３’−ビス（α−ヒドロ
キシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３,４’−ビ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテ
ル、４,４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジ
フェニルエーテル、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）ジフェニルエーテル、３,３’,５−トリ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテ
ル、３,４’,５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ジフェニルエーテル、２,３’４,６−テトラキス
（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、
２,４,４’,６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロ
ピル）ジフェニルエーテル、３,３’,５,５’−テトラ
キス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテ
ル、２,３’,４,５’,６−ペンタキス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）ジフェニルエーテル、２,２’,４,４’,
６,６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）
ジフェニルエーテル等のα−ヒドロキシイソプロピルジ
フェニルエーテル類；３−α−ヒドロキシイソプロピル
ジフェニルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジ
フェニルケトン、３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプ
ロピル）ジフェニルケトン、３,３’−ビス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３,４’−ビ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、
４,４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェ
ニルケトン、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプ
ロピル）ジフェニルケトン、３,３’,５−トリス（α−
ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３,４’,
５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニル
ケトン、２,３’,４,６−テトラキス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）ジフェニルケトン、２,４,４’,６−テ
トラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケ
トン、３,３’,５,５’−テトラキス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）ジフェニルケトン、２,３’,４,５’,６
−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニ
ルケトン、２,２’,４,４’,６,６’−ヘキサキス（α
−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン等のα−
ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン類；

【００８０】３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸
フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フ
ェニル、安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェ
ニル、安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニ
ル、３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息
香酸フェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香
酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３−α−
ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロキシイ
ソプロピルフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル
安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、４
−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロ
キシイソプロピルフェニル、安息香酸３,５−ビス（α
−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２,４,６−トリ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸フェニル、
３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸
３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３,５−ビ
ス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸４−α−ヒ
ドロキシイソプロピルフェニル、３−α−ヒドロキシイ
ソプロピル安息香酸３,５−ビス（α−ヒドロキシイソ
プロピル）フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル
安息香酸３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）
フェニル、安息香酸２,４,６−トリス（α−ヒドロキシ
イソプロピル）フェニル、

【００８１】２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプ
ロピル）安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェ
ニル、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニ
ル、３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息
香酸３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェ
ニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２,４,
６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、
４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２,４,６−ト
リス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２,４,
６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸
３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニ
ル、３,５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息
香酸２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）
フェニル、２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソプロ
ピル）安息香酸２,４,６−トリス（α−ヒドロキシイソ
プロピル）フェニル等のα−ヒドロキシイソプロピル安
息香酸フェニル類等を挙げることができる。

【００８２】

【化１４】

【００８３】式（１４）において、各Ａは相互に独立に
α−ヒドロキシイソプロピル基または水素原子を示し、
但し少なくとも１個のＡがα−ヒドロキシイソプロピル
基である。）

【００８４】式（１４)の具体例としては、１−（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）ナフタレン、２−（α−ヒドロ
キシイソプロピル）ナフタレン、１,３−ビス（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）ナフタレン、１,４−ビス（α
−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１,５−ビス
（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１,６−
ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１,
７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、
２,６−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレ
ン、２,７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフ
タレン、１,３,５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ナフタレン、１,３,６−トリス（α−ヒドロキシイ
ソプロピル）ナフタレン、１,３,７−トリス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）ナフタレン、１,４,６−トリス
（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１,４,７
−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、
１,３,５,７−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）ナフタレン等を挙げることができる。

【００８５】

【化１５】

【００８６】式（１５）において、各Ａは相互に独立に
α−ヒドロキシイソプロピル基または水素原子を示し、
但し少なくとも１個のＡがα−ヒドロキシイソプロピル
基であり、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²は相互に独立に水素原子また
は炭素数１〜５の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を
示す。

【００８７】式（１５)の具体例としては、３−（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−３−（α
−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−４−
（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−エチル−
４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−
プロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラ
ン、２−イソプロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロ
ピル）フラン、２−ｎ−ブチル−４−（α−ヒドロキシ
イソプロピル）フラン、２−ｔ−ブチル−４−（α−ヒ
ドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−ペンチル−４
−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２,５−ジ
メチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、
２,５−ジエチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）フラン、３,４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピ
ル）フラン、２,５−ジメチル−３,４−ビス（α−ヒド
ロキシイソプロピル）フラン、２,５−ジエチル−３,４
−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン等を挙げ
ることができる。

【００８８】式（１２）、（１３）、（１４）および（１
５）で表されるα−ヒドロキシイソプロピル基含有化合
物は、例えば、以下の、等の方法により合成すること
ができる。 １,３−ジアセチルベンゼン等のアセチル基含有化合
物に、ＣＨ₃ＭｇＢｒ等のグリニヤール試薬を反応させて
メチル化した後、加水分解する方法。 １,３−ジイソプロピルベンゼン等のイソプロピル基
含有化合物を酸素等で酸化して過酸化物を生成させた
後、還元する方法。

【００８９】また、α−ヒドロキシイソプロピル基の酸
解離性誘導体を有する化合物としては、式（１２）、（１
３）、（１４）および（１５）の具体例として挙げた各
化合物におけるα−ヒドロキシイソプロピル基を部分的
または全て酸解離性基で置換した化合物に相当する化合
物を挙げることができる。

【００９０】酸解離性基としては、α−ヒドロキシイソ
プロピル基中の酸素原子と共にアセタール基を形成する
基（以下、「アセタール基」という。）、アシル基、１−分岐
アルコキシカルボニル基等を挙げることができる。アセ
タール基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−
エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉ
−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−
フェニルオキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、
２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピラニ
ル基等を挙げることができる。

【００９１】また、前記アシル基としては、例えば、アセ
チル基、プロピオニル基、ブチリル基等を挙げることがで
きる。また、前記１−分岐アルコキシカルボニル基として
は、例えば、イソプロポキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブト
キシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、１,１−
ジメチルプロポキシカルボニル基等を挙げることができ
る。さらに、前記以外の酸解離性基としては、例えば、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、トリメチルシリル基、
トリエチルシリル基、ｔ−ブチル基、トリメチルゲルミル
基、トリエチルゲルミル基、シクロペンチル基、シキロヘ
キシル基等を挙げることができる。

【００９２】本発明において、（Ｃ）酸架橋剤は、単独で
または２種以上混合して使用することができる。 本発明において、（Ｃ）酸架橋剤の使用量は、好ましく
は、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当
り、０.５〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量
部、さらに好ましくは２〜２０重量部である。(Ｃ)酸発
生剤の配合量が０.５重量部未満では、（Ａ）成分のア
ルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性の抑
止効果が小さく、レジストとして、残膜率が低下したり、
パターンの膨潤や蛇行を起こし易くなる傾向があり、一
方５０重量部を超えると、レジストとしての耐熱性が低
下する傾向がある。 本発明の組成物は上記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）成分
に加えて下記する他の成分を含有することができる。

【００９３】酸拡散制御剤 本発明においては、露光により酸発生剤から生じた酸の
レジスト被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域
での好ましくない化学反応を制御する作用等を有する酸
拡散制御剤を配合することがより好ましい。この様な酸
拡散制御剤を使用することにより、ネガ型感放射線性樹
脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとして、
解像性が向上するとともに、露光後の引き置き時間（Ｐ
ＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑え
ることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとな
る。このような酸拡散制御剤としては、窒素原子含有塩
基性化合物あるいは塩基性スルホニウム化合物、塩基性
ヨードニウム化合物のような放射分解性塩基化合物が挙
げられる。

【００９４】このような含窒素有機化合物としては、例
えば、下記式（１６）

【００９５】

【化１６】

【００９６】式（１６）において、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴およびＲ
⁴⁵は相互に独立に水素原子、アルキル基、アリール基ま
たはアラルキル基を示し、該アルキル基、アリール基お
よびアラルキル基はヒドロキシ基等の官能基で置換され
ていてもよい。で表される化合物（以下、「含窒素化合
物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有
するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（II）」と
いう。）、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物
および重合体（以下、これらをまとめて「含窒素化合物
（III)」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合
物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。

【００９７】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン、トリエタノールアミン、ジメ
チル−ｎ−ドデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルア
ミン等のトリアルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチル
アニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニ
リン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−
ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミ
ン、１−ナフチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げる
ことができる。

【００９８】含窒素化合物（II）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ' −テトラメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラキス（２−ヒド
ロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、４,４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、４,４’−ジアミノジフェニルエー
テル、４,４’−ジアミノベンゾフェノン、４,４’−ジ
アミノジフェニルアミン、２,２−ビス（４’−アミノ
フェニル）プロパン、２−（３’−アミノフェニル）−
２−（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（４’−
アミノフェニル）−２−（３’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、１,４−ビス［１’
−（４''−アミノフェニル）−１’−メチルエチル］ベ
ンゼン、１,３−ビス［１’−（４''−アミノフェニ
ル）−１’−メチルエチル］ベンゼン等を挙げることが
できる。

【００９９】含窒素化合物（III)としては、例えば、ポ
リエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノ
エチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができ
る。

【０１００】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセ
トアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。

【０１０１】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１,１−ジメチルウレア、１,３−ジ
メチルウレア、１,１,３,３−テトラメチルウレア、１,
３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等
を挙げることができる。 前記含窒素複素環化合物とし
ては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４
−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミ
ダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダ
ゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチル
ピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、
２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メ
チル−４−フェニルピリジン、２,２’２''−トリピリ
ジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノ
リン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類
のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリ
ン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４
−メチルモルホリン、ピペラジン、１,４−ジメチルピ
ペラジン、１,４−ジアザビシクロ［２.２.２］オクタ
ン等を挙げることができる。放射分解性塩基化合物とし
ては、下記式（１７）、(１８）で表される化合物が挙げ
られる。

【０１０２】

【化１７】

【０１０３】

【化１８】

【０１０４】式(１７)において、Ｒ⁴⁶〜Ｒ⁴⁸は同一でも
異なってもよく水素原子、アルキル基、アルコキシル
基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子を示す。式(１８)に
おいてＲ⁴⁹〜Ｒ⁵⁰は同一でも異なってもよく、水素原
子、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子を示す。Ｚ
^-は水酸基、サリチレート、ＲＣＯＯ^-（Ｒ＝Ｃ₁〜Ｃ₁₀
アルキル、アリール、アルキルアリール）を示す。

【０１０５】具体的には、トリフェニルスルホニウムハ
イドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチレ
ート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウ
ムサリチレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムサリチレート、４−ｔ−ブチルフェニル−４−
ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレートなどを挙
げることができる。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは
２種以上を一緒に使用することができる。

【０１０６】本発明において、酸拡散制御剤の使用量は、
（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当り、好
ましくは０.００１〜１０重量部、より好ましくは０.０
０５〜５重量部、さらに好ましくは０.０１〜３重量部
である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が０.００１
重量部未満では、プロセス条件によっては、レジストと
してのパターン形状、寸法忠実度等が劣化する傾向があ
り、さらに、露光から露光後の焼成（以下、「露光後ベ
ーク」という。）までの引き置き時間（Ｐｏｓｔ Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ）が長くなると、
パターン上層部においてパターン形状が劣化する傾向が
ある。一方酸拡散制御剤の配合量が１０重量部を超える
と、レジストとしての感度、未露光部の現像性等が低下
する傾向がある。

【０１０７】添加剤 さらに、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、溶
解制御剤、溶解促進剤、増感剤、界面活性剤等の各種添
加剤を配合することができる。前記溶解制御剤は、
（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液に対
する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御し、ア
ルカリ現像時の該樹脂の溶解速度を適度に減少させる作
用を有する成分である。このような溶解制御剤として
は、レジスト被膜の焼成、露光、現像等の工程において
化学変化しないものが好ましい。

【０１０８】前記溶解制御剤としては、例えば、ナフタ
レン、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等
の芳香族炭化水素類；アセトフェノン、ベンゾフェノ
ン、フェニルナフチルケトン等のケトン類；メチルフェ
ニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホ
ン等のスルホン類等を挙げることができる。これらの溶
解制御剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用する
ことができる。溶解制御剤の配合量は、使用される
（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂の種類に応じて適宜調
節されるが、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重
量部当たり、好ましくは５０重量部以下、より好ましく
は３０重量部以下である。

【０１０９】前記溶解促進剤は、（Ａ）成分のアルカリ
可溶性樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性が低すぎる
場合に、その溶解性を高めてアルカリ現像時の該樹脂の
溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分である。
このような溶解促進剤としては、レジスト被膜の焼成、
露光、現像等の工程において化学変化しないものが好ま
しい。前記溶解促進剤としては、例えば、ベンゼン環数
が２〜６個程度の低分子量のフェノール性化合物を挙げ
ることができ、具体的には、例えば、ビスフェノール
類、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン等を挙げるこ
とができる。これらの溶解促進剤は、単独でまたは２種
以上を一緒に使用することができる。

【０１１０】溶解促進剤の配合量は、使用される（Ａ）
成分のアルカリ可溶性樹脂の種類に応じて適宜調節され
るが、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当
たり、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０
重量部以下である。前記増感剤は、露光された放射線の
エネルギーを吸収してそのエネルギーを酸発生剤に伝達
し、それにより酸の生成量を増加する作用を示してレジ
ストの見掛けの感度を向上させる成分である。このよう
な増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセ
チル類、ピレン類、フェノチアジン類、エオシン、ロー
ズベンガラ等を挙げることができる。これらの増感剤
は、単独でまたは２種以上を一緒に使用することができ
る。

【０１１１】増感剤の配合量は、（Ａ）成分のアルカリ
可溶性樹脂１００重量部当たり、好ましくは５０重量部
以下、より好ましくは３０重量部以下である。前記界面
活性剤は、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布
性やストリエーション、レジストとしての現像性等を改
良する作用を有する成分である。

【０１１２】このような界面活性剤としては、アニオン
系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも
使用することができる。好ましい界面活性剤はノニオン
系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤の例として
は、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリ
エチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等、以下
商品名で、エフトップ（トーケムプロダクツ社製）、メ
ガファック（大日本インキ化学工業社製）、フロラード
（住友スリーエム社製）、アサヒガード、サーフロン
（以上、旭硝子社製）、ペポール（東邦化学工業社
製）、ＫＰ（信越化学工業社製）、ポリフロー（共栄社
油脂化学工業社製）等の各シリーズを挙げることができ
る。界面活性剤の配合量は、（Ａ）成分のアルカリ可溶
性樹脂１００重量部当たり、界面活性剤の有効成分とし
て、好ましくは、２重量部以下である。また、染料ある
いは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化
させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着
助剤を配合することにより、基板との接着性を改善する
ことができる。

【０１１３】溶剤 本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、その使用に際
して、固形分濃度が、好ましくは、５〜５０重量％とな
るように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０.２μｍ程
度のフィルターでろ過することによって、レジスト溶液
として調製される。

【０１１４】前記レジスト溶液の調製に使用される溶剤
としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル
アセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエ
ーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエ
ーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳
酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸アミル等の乳酸エステル
類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチ
ル、酢酸アミル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、
プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；
３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピ
オン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチ
ルプロピオン酸メチル、３−メトキシブチルアセテー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−
メトキシ−３−メチルプロピオン酸ブチル、３−メトキ
シ−３−メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビ
ン酸メチル、ピルビン酸エチルの如き他のエステル類；
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタ
ノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類；Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ラクトン
等のラクトン類等を挙げることができる。これらの溶剤
は、単独でまたは２種以上を一緒に使用することができ
る。

【０１１５】レジストパターンの形成 本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物からレジストパタ
ーンを形成する際には、前記レジスト溶液を、回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によっ
て、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆さ
れたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジス
ト被膜を形成したのち、所定のマスクパターンを介して
該レジスト被膜に露光する。

【０１１６】その際に使用することのできる放射線とし
ては、酸発生剤の種類に応じて、例えば、ｉ線等の紫外
線、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）および
ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外
線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒
子線の如き放射線を挙げることができ、これらのうち遠
紫外線が好適に使用される。また、露光量等の露光条件
は、ネガ型感放射線性樹脂組成物の配合組成等に応じ
て、適宜選定される。本発明においては、露光部におけ
る架橋反応をより効率的に進行させるために、露光後ベ
ークを行うことが好ましい。その加熱条件は、ネガ型感
放射線樹脂組成物の配合組成等により変わるが、好まし
くは３０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃で
ある。

【０１１７】次いで、露光されたレジスト被膜をアルカ
リ現像液で現像することにより、所定のレジストパター
ンを形成する。

【０１１８】前記アルカリ現像液としては、例えば、モ
ノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類、モノ−、
ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類、複素環式ア
ミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を、好ましく
は１〜１０重量％、より好ましくは１〜５重量％の濃度
となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ現像液には、メタノール、エタノー
ル等のアルコール類や界面活性剤を適量添加することも
できる。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現
像液を用いた場合は、一般に、現像後、水で洗浄する。

【０１１９】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の実
施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、こ
れらの実施例に何ら制約されるものではない。

【０１２０】

【実施例】実施例１〜１１および比較例１ 表１(但し、部は重量に基づく)に示す各成分を混合して
均一溶液としたのち、孔径０.２μｍのテフロン（登録商
標）製メンブランフィルターでろ過し異物を除去して、
レジスト溶液を調製した。

【０１２１】得られた各レジスト溶液を、直径８インチ
のシリコンウエハー上に回転塗布したのち、９０℃で焼
成して、膜厚０.４μｍのレジスト被膜を形成し、該レ
ジスト被膜に、マスクパターンを介してＫｒＦエキシマ
レーザー（波長２４８μｍ）を露光した。また、一部の実
施例は、ＫｒＦエキシマレーザーに替えて、簡易型の電
子線直描装置(５０ｋｅＶ)を用いて電子線を露光した。
露光後、１１０℃で１分間ベーク(ＰＥＢ)を行ったの
ち、２.３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液を用い、パドル法により、２３℃で６０秒
間現像を行ったのち、水で３０秒間洗浄し、乾燥して、
ネガ型のレジストパターンを形成した。得られた各レジ
ストパターンの評価結果を、表２に示す。

【０１２２】実施例および比較例中の各測定および評価
は、下記の方法により実施した。Ｍｗおよび分散度 東ソー（株）製高速ＧＰＣ装置ＨＬＣ−８１２０に、東
ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ^XL：２本、Ｇ
３０００Ｈ^XL：１本、Ｇ４０００Ｈ^XL：１本）を用い、
流量１.０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフ
ラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチ
レンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ
法により測定した。溶解速度 アルカリ可溶性樹脂を乳酸エチルに溶解したのちシリコ
ンウエハー上に膜厚約４００ｎｍで塗布し、９０℃で９
０秒間加熱した後２３℃における２.３８重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸したときの
秒あたりの膜減り量をいう。感度 設計寸法０.１８μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最
適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。

【０１２３】解像度 最適露光量で露光したときに解像される最小のレジスト
パターンの寸法を測定して、解像度とした。フォーカス余裕度 設計寸法が０.１８μｍのラインパターン（１Ｌ１Ｓ）
について、各々の最適露光量において焦点深度を振り、パ
ターン線幅が（設計寸法±１０％）の範囲に入る焦点深
度の広さを各々パターンのＤＯＦとした。ＤＯＦが広い
レジストほどプロセスマージンが高くなり、実デバイス
製造時の歩留まりが高くなるため好ましい。

【０１２４】パターン断面形状 シリコンウエハー上に形成した線幅０.１８μｍの１Ｌ
１Ｓの方形状断面の下辺の寸法Ｌａと上辺の寸法Ｌｂと
を、走査型電子顕微鏡を用いて測定して、 ０.９０≦Ｌｂ／Ｌａ≦１.１０ を満足し、かつパターン上層部が丸くない、かつ基盤付
近にエグレが見られないパターン形状を“矩形”である
として、下記基準で評価した。 ○：０.９０≦Ｌｂ／Ｌａ≦１.１０を満足しかつパター
ン形状が矩形。 △：０.９０≦Ｌｂ／Ｌａ≦１.１０を満足するがパター
ンの頭部が丸いかまたは基盤付近にエグレや裾引きなど
が見られ矩形でない。 ×：Ｌｂ／Ｌａ＜０.９０またはＬｂ／Ｌａ＞１.１０を
満足しそしてパターンが形成できない。レジストパターンの欠陥検査 設計寸法が０.２０μｍのライン・アンド・スペースパ
ターン（１Ｌ１Ｓ）について、ＫＬＡ社製欠陥検査装置
（ＫＬＡ−２１１２）を用い、橋架け、ライン欠け、断
線等の欠陥検査を行った。

【０１２５】(Ａ)成分のアルカリ可溶性樹脂 の合成例 合成例１ ｐ−ｔ−ブトキシスチレン１００ｇ、スチレン１０ｇ、ア
ゾビスイソブチロニトリル９.０ｇをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルに溶解し、８０℃にて９時間重
合反応を行った。重合液をメタノールで再沈精製しＭｗ
７３００、Ｍｗ／Ｍｎ １.８０のｐ−ｔ−ブトキシスチ
レン／スチレン共重合体１００ｇを得た。この共重合体
および１０ｗｔ％硫酸水５０ｇをプロピレングリコール
モノメチルエーテル３００ｇに溶解し、９０℃にて６時
間酸加水分解反応を行った。反応液を多量の水で中性に
なるまで再沈殿精製し、ｐ−ヒドロキシスチレン／スチ
レン＝８５／１５ｍｏｌ％共重合体、Ｍｗ５５００、Ｍｗ
／Ｍｎ １.５５(Ａ−１)を６５ｇ得た。

【０１２６】合成例２ スチレン２０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１０ｇに
する以外は合成例１と同様に行い、ｐ−ヒドロキシスチ
レン／スチレン＝７５／２５ｍｏｌ％共重合体、Ｍｗ５
２００、Ｍｗ／Ｍｎ １.５１(Ａ−２)を７０ｇ得た。

【０１２７】合成例３ スチレンの代りにｐ−メトキシスチレン２０ｇを使用す
る以外は合成例１と同様に重合、酸加水分解を行い、ｐ−
ヒドロキシスチレン／ｐ−メトキシスチレン＝８０／２
０ｍｏｌ％共重合体、Ｍｗ５９００、Ｍｗ／Ｍｎ １.５８
(Ａ−３)を７８ｇ得た。

【０１２８】(Ａ)成分のアルカリ可溶性樹脂 (A-1)：p-ヒト゛ロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比=85/1
5、Mw5500、Mw/Mn1.55） (A-2)：p-ヒト゛ロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比=75/2
5、Mw5200、Mw/Mn1.51） (A-3)：p-ヒト゛ロキシスチレン／p-メトキシスチレン共重合体(共重合モル比
=80/20、Mw5900、Mw/Mn1.58) (A-4)：p-ヒト゛ロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比=84/1
6、Mw5200、Mw/Mn1.12）日本曹達(株)製 VPS5015 (A-5)：p-ヒト゛ロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比=78/2
2、Mw3100、Mw/Mn1.13）日本曹達(株)製 VPS3020 (A-6)：p-ヒト゛ロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比=84/1
6、Mw3000、Mw/Mn1.13）日本曹達(株)製 VPS3015

【０１２９】(Ｂ)酸発生剤 (B-1)：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート (B-2)：ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート (B-3)：Ｎ−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビ
シクロ[２.２.１]ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボ
キシイミド

【０１３０】(Ｃ)酸架橋剤 (C-1)：Ｎ,Ｎ,Ｎ,Ｎ−テトラ(メトキシメチル)グリコー
ルウリル (C-2)：１,３,５−トリス(α−ヒドロキシイソプロピ
ル)ベンゼン酸拡散制御剤 (D-1)：ジメチルｎ−ドデシルアミン (D-2)：トリフェニルスルホニウムサリチレート (D-3)：２−フェニルベンズイミダゾール溶剤 （E-1）：乳酸エチル（２−ヒドロキシプロピオン酸エ
チル） （E-2）：３−エトキシプロピオン酸エチル

【０１３１】

【表１】

【０１３２】

【表２】

【０１３３】

【発明の効果】本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物
は、化学増幅型ネガ型レジストとして、通常濃度のアル
カリ現像液に適用でき、かつ通常のライン・アンド・ス
ペースパターンにおいて、高解像度で矩形のレジストパ
ターンを形成することができ、感度、現像性、寸法忠実
度等にも優れるとともに、解像度およびパターン形状が
優れており、しかもエキシマレーザー等の遠紫外線、シ
ンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の
如き遠紫外線以下の短波長放射線のいずれに対しても対
応できるものであり、今後さらに微細化が進行するとみ
られる半導体デバイスの製造に極めて好適に使用するこ
とができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA04 AB16 AC04 AC05 AC07 AC08 AD01 BE00 BJ10 CB45 CB52 CB55 CB56 CC17 FA17 FA29

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 (Ａ)フェノール性水酸基を有する重合性
   不飽和化合物の重合単位を含有してなるアルカリ可溶性
   樹脂、このアルカリ可溶性樹脂は重量平均分子量が４,
   １００〜２０,０００であり、重量平均分子量／数平均
   分子量の比が１.２５より大きく２.００以下である、
   （Ｂ）感放射線性酸発生剤、および（Ｃ）酸架橋剤から
   なることを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 アルカリ可溶性樹脂（Ａ）がフェノール
   性水酸基を有する重合性不飽和化合物のアニオン重合で
   得られたポリマーとラジカル重合で得られたポリマーと
   の混合物からなる請求項１に記載の組成物。