JP2003069424A - リングレジスタ制御型遅延固定ループ及びその制御方法 - Google Patents
リングレジスタ制御型遅延固定ループ及びその制御方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 101100447190 Gibberella zeae (strain ATCC MYA-4620 / CBS 123657 / FGSC 9075 / NRRL 31084 / PH-1) FSL3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- AYNSTGCNKVUQIL-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCC)C=1C=CC(=C(C=1)C1=NC(=CC(=C1)N(CCN(C)C)C)C1=C(C=CC(=C1)CCCCCCCCCCCC)OC)OC Chemical compound C(CCCCCCCCCCC)C=1C=CC(=C(C=1)C1=NC(=CC(=C1)N(CCN(C)C)C)C1=C(C=CC(=C1)CCCCCCCCCCCC)OC)OC AYNSTGCNKVUQIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100309034 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RTF1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 102100029378 Follistatin-related protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 101100447189 Gibberella zeae (strain ATCC MYA-4620 / CBS 123657 / FGSC 9075 / NRRL 31084 / PH-1) FSL2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101001062535 Homo sapiens Follistatin-related protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/133—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/135—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals by the use of time reference signals, e.g. clock signals
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
- H03L7/0814—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
- H03L7/0816—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
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- H03L7/0818—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter comprising coarse and fine delay or phase-shifting means
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- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
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Abstract
とによって、レイアウトの面積を減らしながらも必要な
時間の遅延量を確保することができるリングレジスタ制
御型遅延固定ループ及びその制御方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、内部クロック信号と出力クロ
ック信号との位相を比較し、前記信号を同期させるため
の制御信号を発生する位相検出手段と、前記位相検出手
段から出力される制御信号を利用して前記内部クロック
信号に対する微細遅延を行ったり前記制御信号をバイパ
スさせる微細遅延手段と、前記バイパスされた制御信号
を利用して前記微細遅延手段から出力される遅延された
内部クロック信号に対する粗(coarse)遅延を行うように
複数の粗単位遅延素子がリング型に連結された粗遅延手
段と、前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ
発生した場合、前記出力クロック信号を発生させる出力
クロック信号発生手段と、前記出力クロック信号を所定
時間遅延させて出力させる遅延モデルとを含む
Description
御型遅延固定ループ(Ring-Register ControlledDLL)及
びその制御方法に関し、具体的には、微細遅延ラインと
直接的なスキュー感知機能を備えたリングレジスタ制御
型遅延固定ループを利用することによって、スキュー補
償用内部クロックを必要とする全ての半導体記憶装置に
適用できる。
クは、動作タイミングを合せるためのレファレンスとし
て用いられており、誤りなしにより速い動作を保障する
ために用いられることもある。外部から入力されるクロ
ックが内部で用いられる時、内部回路による時間遅延
(クロックスキュー)が発生することになるが、このよう
な時間遅延を補償して内部クロックが外部クロックと同
じ位相を有するようにするために、DLLが用いられてい
る。
面積と小さいジッタ、そして速いロックキング時間(loc
king time)等がある。これは低電圧化し、高速動作化し
ていく今後の半導体記憶装置でも依然として要求される
性能である。しかし、従来の技術はこれらの中で一部要
素のみを充足させるか、低電圧高速動作に制限となる短
所を持っている。
Phase Locked Loop)に比べて雑音(noise)の影響をあま
り受けない長所があって、DDR SDRAM(Double Data Rate
Synchronous DRAM)を始めとする同期式半導体メモリで
広く用いられており、その中でもレジスタ制御型DLL(re
gister controlled DLL)が最も広く用いられているが、
これを例に上げて従来の技術の問題点を具体的に説明す
る。
ジスタ制御型DLLのブロック図である。
御型DLLは、外部クロック反転信号(/clk)を入力とし
て、外部クロック信号(clk)の立ち下がりエッジに同期
されて発生する内部クロック(fall#clk)を生成するため
の第1クロックバッファ11と、外部クロック(clk)を
入力として、外部クロック(clk)の立ち上がりエッジに
同期されて発生する内部クロック(rise#clk)を生成する
ための第2クロックバッファ12と、内部クロック(ris
e#clk)を1/n(nは正の整数であり、通常、n=8)に分周
して遅延モニタリングクロック(dly#in)及び基準クロッ
ク(ref)を出力するクロック分周器13と、内部クロッ
ク(fall#clk)を入力とする第1遅延ライン14と、内部
クロック(rise#clk)を入力とする第2遅延ライン15
と、遅延モニタリングクロック(dly#in)を入力とする第
3遅延ライン16と、第1、第2及び第3遅延ライン1
4、15、16の遅延量を決定するためのシフトレジス
タ17と、第1遅延ライン14の出力(ifclk)を駆動し
て、DLLクロック(fclk#dll)を生成するための第1DLLド
ライバー20と、第2遅延ライン15の出力(irclk)を
駆動してDLLクロック(rclk#dll)を生成するための第2D
LLドライバー21と、第3遅延ライン16の出力(feedb
ack#dly)を入力として、クロック(feedback#dly)が実際
クロック経路と同じ遅延条件を経るように構成された遅
延モデル22と、遅延モデル22の出力(feedback)と基
準クロック(ref)の位相とを比較するための位相比較器
19と、位相比較器19から出力された制御信号(ctrl)
に応答してシフトレジスタ17に格納された値に基づい
て前記第1ないし第3遅延ラインのクロック位相をシフ
トさせるためのシフト制御信号(SR、SL)、及び遅延固定
(locking)がなされたことを示す遅延固定信号(dll#lock
b)を出力するシフト制御機18とを備える。
クバッファ、ダミー出力バッファ及びダミーロードを含
んで、レプリカ回路(replica circuit)とも呼ぶ。そし
て、DLLループ内のシフトレジスタ17及びシフト制御
機18は、遅延部10内の第1ないし第3遅延ライン1
4、15、16を制御するための遅延制御信号発生部2
3という。
スタ制御DLLの動作を述べる。
クロック(clk)の立ち下がりエッジを受けて同期された
内部クロック(fall#clk)を発生させ、第2クロックバッ
ファ12は、外部クロック(clk)の立ち上がりエッジを
受けて内部クロック(rise#clk)を発生させる。クロック
分周器13は、外部クロック(clk)の立ち上がりエッジ
に同期された内部クロック(rise#clk)を1/n分周して外
部クロック(clk)とn番目のクロックごとに一回ずつ同期
されるクロック(ref、div#in)を作る。
延部10の第3遅延ライン16の単位遅延素子一つのみ
を通過してfeedback#dlyクロックで出力され、このクロ
ックはまた遅延モデル22を通しながらfeedbackクロッ
クで遅延されて出力される。
ある基準クロック(ref)の立ち上がりエッジとfeedback
クロックの立ち上がりエッジとを比較して制御信号(ctr
l)を生成し、シフト制御機18は、前記制御信号(ctrl)
に応答してシフトレジスタ17のシフト方向を制御する
ためのシフト制御信号(SR、SL)を出力する。シフトレジ
スタ17は、シフト制御信号(SR、SL)に応答して第1、
第2及び第3遅延ライン14、15、16の遅延量を決
定する。この時、SR(shift right)が入力されれば、レ
ジスタを左に移動させ、SL(shift left)が入力されれ
ば、レジスタを右に移動させる。
クと基準クロック(ref)とを比較しながら二つのクロッ
クが最小のジッタを有する瞬間に遅延固定(locking)が
なされることになり、シフト制御機18から遅延固定信
号(dll#lockb)が出力されて、第1及び第2DLLドライバ
ー20、21を駆動することによって、外部クロック(c
lk)と同じ位相を有するDLLクロック(fclk#dll、rclk#dl
l)を得ることになる。
クロックは、リフレッシュやパワーダウンモードである
場合を除いては、引き続きトグル(toggling)するため
に、不要な電流消耗を誘発した。特に、高周波動作時電
流消耗が増加する問題点があった。
較の基準となる信号(ref)と遅延モニタリング信号(dly#
in)が外部クロック(clk)周期(tCK)に比例するだけの時
間差を有するために、二つの信号が同じ位相を有するよ
うに遅延を補償するための遅延ライン内の単位遅延素子
の数が多くなることによって、位相固定をなすことにか
かる時間が長くなり、DLL動作に消耗される電流量とレ
イアウト面積が大きい問題点があった。
タが小さい時優れた遅延固定ループといえるが、各単位
遅延素子の遅延量が大きいと位相検出器で基準信号とフ
ィードバック信号との差により発生するジッタが大きく
なるしかない。
記のような従来の技術の問題点に鑑みてなされたもので
あって、少数の単位遅延素子をリング型に具現すること
によって、レイアウトの面積を減らしながらも必要な時
間の遅延量を確保することができるリングレジスタ制御
型遅延固定ループ及びその制御方法を提供することに目
的がある。
e)遅延素子及び微細遅延素子に区分することによって、
ジッタを最小化できるリングレジスタ制御型遅延固定ル
ープ及びその制御方法を提供することにまた別の目的が
ある。
め、本発明のリングレジスタ制御型遅延固定ループは、
内部クロック信号と出力クロック信号との位相を比較
し、前記信号を同期させるための制御信号を発生する位
相検出手段と、前記位相検出手段から出力される制御信
号を利用して前記内部クロック信号に対する微細遅延を
行ったり前記制御信号をバイパスさせる微細遅延手段
と、前記バイパスされた制御信号を利用して前記微細遅
延手段から出力される遅延された内部クロック信号に対
する粗(coarse)遅延を行うように複数の粗単位遅延素子
がリング型に連結された粗遅延手段と、前記粗遅延手段
における粗遅延が要求されるだけ発生した場合、前記出
力クロック信号を発生させる出力クロック信号発生手段
と、前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力さ
せる遅延モデルとを含む。
前記微細遅延手段は、最低キャパシタンスを有するキャ
パシタによる遅延時間に略線形比例する複数個のキャパ
シタの中一つを前記内部クロック信号線に選択的に接続
して微細遅延を行う微細遅延部と、前記位相検出手段か
ら出力される制御信号を利用して前記微細遅延部内の各
々のキャパシタと直列に連結されたスイッチの接続を制
御したり前記制御信号をバイパスさせる第1遅延制御部
とを含む。
前記粗遅延手段は、同一特性の粗単位遅延素子の複数個
を使用して前記微細遅延部から出力される前記遅延され
た内部クロック信号を粗遅延させる逆方向リング型遅延
部と、前記第1遅延制御部からバイパスされた制御信号
を利用して前記遅延された内部クロック信号に対して粗
遅延を行うように前記逆方向リング型遅延部を制御する
第2遅延制御部とを含む。
前記逆方向リング型遅延部は、複数個の段から構成さ
れ、前記各段は、前記第2遅延制御部から出力される信
号と前記微細遅延部から出力される信号とを入力とする
第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力信号、前
段から出力される出力信号及び前記逆方向リング型遅延
部をリセットさせるために用いられるリセットバー信号
を入力として前記遅延された内部クロック信号を遅延さ
せる直列連結された第2及び第3NANDゲートとを含む。
前記微細遅延手段における遅延時間と前記粗遅延手段に
おける遅延時間との関係は次の数式4
粗単位遅延時間、τVAR,maxは、前記微細遅延手段にお
ける最大微細遅延時間、そしてτFDは、前記微細遅延手
段における微細単位遅延時間である−を満足させる。
前記出力クロック信号発生手段は、前記逆方向リング型
遅延部内の所定の粗単位遅延素子の出力端に接続されて
第1論理状態を検出及び計数する逆方向カウンタと、前
記第2遅延制御部内の所定の粗遅延選択ロジックの出力
端に接続されて第1論理状態を検出及び計数する順方向
カウンタと、前記逆方向カウンタに計数された値と前記
順方向カウンタに計数された値とが一致する場合、前記
逆方向リング型遅延部を通過した前記遅延された内部ク
ロック信号を出力させる内部クロック信号出力部とを含
む。
リングレジスタ制御型遅延固定ループは、内部クロック
信号を入力されて各々前記内部クロック信号に同期され
た内部クロック同期信号と遅延モデルにおける遅延時間
だけ遅延されたパルス(遅延パルス)を出力するスキュー
直接感知制御手段と、前記内部クロック信号と出力クロ
ック信号との位相を比較し、前記信号を同期させるため
の制御信号を発生させる位相検出手段と、前記位相検出
手段から出力される制御信号を利用して前記内部クロッ
ク信号に対する微細遅延を行ったり前記制御信号をバイ
パスさせる微細遅延手段と、前記スキュー直接感知制御
手段から出力された前記内部クロック同期信号及び前記
遅延パルスと前記微細遅延手段からバイパスされた前記
制御信号を利用して前記微細遅延手段から出力される遅
延された内部クロック信号に対する粗遅延を行うように
複数の単位遅延素子がリング型に連結された粗遅延手段
と、前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発
生した場合、前記出力クロック信号を発生させる出力ク
ロック信号発生手段と、前記出力クロック信号を所定時
間遅延させて出力させる遅延モデルとを含む。
前記微細遅延手段は、最低キャパシタンスを有するキャ
パシタによる遅延時間に略線形比例する複数個のキャパ
シタの中一つを前記内部クロック信号線に選択的に接続
して微細遅延を行う微細遅延部と、前記位相検出手段か
ら出力される制御信号を利用して前記微細遅延部内の各
々のキャパシタと直列に連結されたスイッチの接続を制
御したり前記制御信号をバイパスさせる第1遅延制御部
とを含む。
前記粗遅延手段は、同一特性の粗単位遅延素子の複数個
をリング型に接続して前記スキュー直接感知制御手段か
ら入力される前記内部クロック同期信号を前記遅延モデ
ルにおける遅延時間だけ粗遅延させる順方向リング型遅
延部と、同一特性の粗単位遅延素子の複数個を使用して
前記微細遅延部から出力される前記遅延された内部クロ
ック信号を粗遅延させる逆方向リング型遅延部と、前記
第1遅延制御部からバイパスされた制御信号を利用して
前記遅延された内部クロック信号に対して粗遅延を行う
ように前記逆方向リング型遅延部を制御し、前記順方向
リング型遅延部内の遅延パルスが何番目の順方向粗遅延
段にあるかを格納する第2遅延制御部とを含む。
の。前記逆方向リング型遅延部は、複数個の段から構成
され、前記各段は、前記第2遅延制御部から出力される
信号と前記微細遅延部から出力される信号とを入力とす
る第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力信号、
前段から出力される出力信号及び前記逆方向リング型遅
延部をリセットさせるために用いられるリセットバー信
号を入力として、前記遅延された内部クロック信号を遅
延させる直列連結された第2及び第3NANDゲートとを含
む。
前記順方向リング型遅延部は、複数個の段から構成さ
れ、前記各段は、前記スキュー直接感知制御手段から出
力される前記遅延パルス及び前段の出力信号を入力とす
る第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力信号及
び前記スキュー直接感知制御手段から出力される前記内
部クロック同期信号を入力とする第2NANDゲートとを含
む。
前記出力クロック信号発生手段は、前記逆方向リング型
遅延部内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第
1論理状態を検出及び計数する逆方向カウンタと、前記
第2遅延制御部内の所定粗遅延選択ロジックの出力端に
接続されて第1論理状態と、前記順方向リング型遅延部
内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第1論理
状態を検出及び計数する順方向カウンタと、前記逆方向
カウンタに計数された値と前記順方向カウンタに計数さ
れた値とが一致する場合、前記逆方向リング型遅延部を
通過した前記遅延された内部クロック信号を出力させる
内部クロック信号出力部とを含む。
リングレジスタ制御型遅延固定ループは、内部クロック
信号を入力されて各々前記内部クロック信号に同期され
た内部クロック同期信号と遅延モデルにおける遅延時間
だけ遅延されたパルス(遅延パルス)を出力するスキュー
直接感知制御手段と、外部クロック信号と出力クロック
信号との位相を比較して、前記信号を同期させるための
制御信号を発生させる位相検出手段と、前記位相検出手
段から出力される制御信号を利用して前記内部クロック
信号に対する微細遅延を行ったり前記制御信号をバイパ
スさせる微細遅延手段と、前記スキュー直接感知制御手
段から出力された前記内部クロック同期信号及び前記遅
延パルスと前記微細遅延手段からバイパスされた前記制
御信号を利用して前記微細遅延手段から出力される遅延
された内部クロック信号に対する粗遅延を行うように複
数の単位遅延素子がリング型に連結された粗遅延手段
と、前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発
生した場合、前記出力クロック信号を発生させる出力ク
ロック信号発生手段と、前記出力クロック信号を所定時
間遅延させて出力させる遅延モデルとを含む。
リングレジスタ制御型遅延固定ループは、内部クロック
信号を入力されて前記内部クロック信号に同期された信
号と遅延モデルでの遅延時間だけ遅延されたパルス(遅
延パルス)を出力するスキュー直接感知制御手段と、外
部クロック信号と出力クロック信号との位相を比較し、
前記信号を同期させるための制御信号を発生させる位相
検出手段と、前記スキュー直接感知制御手段から出力さ
れた信号及びパルスと微細遅延手段からバイパスされた
制御信号を利用して粗遅延を行うように複数の単位遅延
素子がリング型に連結された粗遅延手段と、前記粗遅延
手段における粗遅延が要求されるだけ発生した場合、前
記出力クロック信号を発生させる出力クロック信号発生
手段と、前記位相検出手段から出力される制御信号を利
用して前記出力クロック信号に対する微細遅延を行った
り前記制御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、前記
出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる遅延
モデルとを含む。
リングレジスタ制御型遅延固定ループは、内部クロック
信号を入力されて前記内部クロック信号に同期された信
号と遅延モデルにおける遅延時間だけ遅延されたパルス
(遅延パルス)を出力するスキュー直接感知制御手段と、
前記内部クロック信号と出力クロック信号との位相を比
較し、前記信号を同期させるための制御信号を発生させ
る位相検出手段と、前記スキュー直接感知制御手段から
出力された信号及びパルスと微細遅延手段からバイパス
された制御信号を利用して粗遅延を行うように複数の単
位遅延素子がリング型に連結された粗遅延手段と、前記
粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発生した場
合、前記出力クロック信号を発生させる出力クロック信
号発生手段と、前記位相検出手段から出力される制御信
号を利用して前記出力クロック信号に対する微細遅延を
行ったり前記制御信号をバイパスさせる微細遅延手段
と、前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力さ
せる遅延モデルとを含む。
前記微細遅延手段は、最低キャパシタンスを有するキャ
パシタによる遅延時間に略線形比例する複数個のキャパ
シタの中一つを前記内部クロック信号線に選択的に接続
して微細遅延を行う微細遅延部と、前記位相検出手段か
ら出力される制御信号を利用して前記微細遅延部内の各
々のキャパシタと直列に連結されたスイッチの接続を制
御したり前記制御信号をバイパスさせる第1遅延制御部
とを含む。
前記粗遅延手段は、同一特性の粗単位遅延素子の複数個
をリング型に接続して前記スキュー直接感知制御手段か
ら入力される前記内部クロック同期信号を前記遅延モデ
ルにおける遅延時間だけ粗遅延させる順方向リング型遅
延部と、同一特性の粗単位遅延素子の複数個を使用して
前記内部クロック信号を粗遅延させる逆方向リング型遅
延部と、前記第1遅延制御部からバイパスされた制御信
号を利用して前記内部クロック信号に対して粗遅延を行
うように前記逆方向リング型遅延部を制御し、前記順方
向リング型遅延部内の遅延パルスが何番目の順方向粗遅
延段にあるかを格納する第2遅延制御部とを含む。
前記出力クロック信号発生手段は、前記逆方向リング型
遅延部内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第
1論理状態を検出及び計数する逆方向カウンタと、前記
第2遅延制御部内の所定粗遅延選択ロジックの出力端に
接続されて第1論理状態と、前記順方向リング型遅延部
内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第1論理
状態を検出及び計数する順方向カウンタと、前記逆方向
カウンタに計数された値と前記順方向カウンタに計数さ
れた値とが一致する場合、前記逆方向リング型遅延部を
通過した前記内部クロック信号を出力させる内部クロッ
ク信号出力部とを含む。
前記微細遅延手段は、前記微細遅延手段に入力される信
号と同期される信号及び前記微細遅延手段に入力される
信号を粗単位遅延時間だけ遅延させた信号を入力とし
て、前記粗単位遅延時間を複数個の微細単位遅延時間に
分割する位相混合器を有する微細遅延部と、前記位相検
出手段の制御信号に応じて前記位相混合器に分割された
前記複数個の微細単位遅延時間の中必要な遅延時間を選
択する第1遅延制御部とを含む。
前記微細遅延部は、前記微細遅延手段に入力される信号
を粗単位遅延時間だけ遅延させるために前記粗遅延手段
で用いられる粗単位遅延素子と同じ特性を有する直列連
結された複数の粗単位遅延素子を使用することを特徴と
する。
リングレジスタ制御型遅延固定ループ制御方法は、複数
の粗単位遅延素子から構成されたリング型の逆方向リン
グ型遅延部により内部クロック信号に対して粗遅延を行
うステップと、最大微細遅延時間が粗単位遅延時間より
小さいか同じ範囲内で微細遅延を行うステップとを含
む。
リングレジスタ制御型遅延固定ループ制御方法は、複数
の粗単位遅延素子から構成されたリング型の順方向リン
グ型遅延部により遅延モデルにおける遅延時間を認識す
るステップと、前記認識された遅延モデルにおける遅延
時間だけ複数の粗単位遅延素子から構成されたリング型
の逆方向リング型遅延部により内部クロック信号に対し
て粗遅延を行うステップと、最大微細遅延時間が粗単位
遅延時間より小さいか同じ範囲内で微細遅延を行うステ
ップとを含む。
通常の知識を有するものが本発明の技術的思想を容易に
実施できる程度に詳細に説明するため、本発明の最も好
ましい実施の形態を添付した図面を参照しながら説明す
る。
型遅延固定ループの第1実施の形態のブロック図であ
る。
の形態は、内部クロック信号(CLKin)と出力クロック信
号(CLKout)が遅延モデルを通過してフィードバックされ
たフィードバッククロック信号の位相を比較検出する位
相検出器210と、位相検出器から出力されるシフトレ
フト(SL)あるいはシフトライト(SR)信号を利用して直接
微細遅延を行うか、この信号をバイパスさせる微細遅延
部220と、バイパスされたシフトレフト(SL)あるいは
シフトライト(SR)信号を利用して粗遅延を行う複数の単
位遅延素子がリング型に連結された粗遅延部230と、
要求される遅延が発生したかを判断して出力クロック信
号CLKoutを発生させる出力クロック信号発生部240、
及び出力クロック信号をtDMだけ遅延させて出力させる
遅延モデル250とから構成される。遅延固定がよく行
われば、出力クロック信号CLKoutの位相は、位相検出器
210の基準信号(この場合はCLKin)に比べてtDMだけ先
立つことになる。したがって、遅延モデル250が有す
る遅延時間tDMをいくらになるように設計するかによっ
て、所望する出力クロック信号CLKoutの位相が得られ
る。これはtDM=0の場合も含む。
号発生部240の一部に対する構成及び動作は、図3
(a)ないし図4で、微細遅延部220に対する構成及び
動作は、図5(a)ないし図5(c)で具体的に述べる。そし
て、粗遅延部230の単位遅延時間は、微細遅延部22
0の単位遅延時間より極めて大きくなっている。
る粗遅延部230及び出力クロック信号発生部240の
一部に対する詳細構成図である。
らバイパスされたシフトレフト(SL)あるいはシフトライ
ト(SR)信号に応じて複数個の中一つのみを"H"で出力す
るリング型に構成された第2遅延制御機231と、第2
遅延制御機の出力信号に応じて選択された段に遅延され
た内部クロック信号CLKin#dを出力することによって、
粗遅延が開始される6段のNAND-NAND単位遅延素子から
構成された逆方向リング型遅延器(233)からなる。こ
こで逆方向リング型遅延器233は、NAND-NANDから構
成されてHigh-to-High遅延時間やLow-to-Low遅延時間が
条件に関係なしに一致するようになっている対称構造を
有する。したがって、特別な装置がなくても逆方向リン
グ型遅延器233を循環するパルスの幅は、全く変わら
ない。また、リング型シフトレジスタからなる第2遅延
制御機は、図3(b)のようなリング構造を有し、選択信
号の循環回数を順方向カウンタ241が記録することに
なる。粗遅延部230の動作原理は以下の通りである。
延器には、遅延された内部クロック信号CLKin#dが共通
に連結されており、第2遅延制御機の粗遅延選択ロジッ
クCSL1-CSL6の値に応じて遅延された内部クロック信
号CLKin#dが逆方向リング型遅延器233内のどの段に
進入するかが決定される。すなわち、第2遅延制御機2
31の粗遅延選択ロジックCSL1-CSL6の中一つのみが
「H」状態であって、残りは「L」状態である状況下で、
逆方向リング型遅延器233内の各々の段選択用NANDゲ
ートに連結されている遅延された内部クロック信号CLKi
n#dは、第2遅延制御機231の粗遅延選択ロジックCSL
が「H」状態であるもののみ位相反転され、残りの粗遅
延選択ロジックCSLは、「L」状態を有することになる。
したがって、遅延された内部クロック信号CLKin#dは、
第2遅延制御機231の粗遅延選択ロジックCSLが「H」
状態である場合のみ段選択用NANDゲートを介して位相反
転されて逆方向リング型遅延器233に進入した後、循
環することになる。
択ロジックの中CSL2のみが「H」状態であるならば、遅
延された内部クロック信号CLKin#dは、逆方向リング型
遅延器233内のCD2に進入した後、引き続き循環する
ことになり、カウンタ比較器の出力信号であるイネーブ
ルバー信号enbが「L」状態に転移すれば、出力クロック
信号CLKoutで出力されることになり、この時逆方向カウ
ンタ243は、逆方向リング型遅延器233内の各段の
出力用NANDゲートの入力信号rstbを「L」状態に転移さ
せて逆方向リング型遅延器をリセットさせる。
ト比較器245の出力信号enbと逆方向リング型遅延器
233内の各段の出力用NANDゲートの入力信号rstbを再
び「H」状態に転移させ、次の遅延された内部クロック
信号CLKin#dが進入することになる。ここで、第2遅延
制御機231が初期化される場合、第2遅延制御機23
1の粗遅延選択ロジックの中CSL1のみが「H」状態であ
って、残りは「L」状態を保持する。
て順方向カウンタが計数を増加させるか減少させること
は図3(b)及び3(c)を参照しながらさらに具体的に説明
する。
る第2遅延制御機と順方向カウンタの概念図であって、
図3(c)は、本発明の第1実施の形態に係る第2遅延制
御機と順方向カウンタの動作原理である。
延選択ロジックCSLの中一つのみ「H」状態に転移し、こ
の「H」状態は、制御信号であるSL#CやSR#Cにより左側
か右側のCSLに移動する。図3(b)に示されているよう
に、第2遅延制御機231がリング構造であるので、シ
フトライトSR#C信号が続けて発生すれば、第2遅延制御
機231の粗遅延選択ロジックCSLの「H」状態は、時計
回りの反対方向に回転する。反対にシフトレフトSL#C信
号が続けて発生すれば、第2遅延制御機231の粗遅延
選択ロジックCSLの「H」状態は時計回り方向に回転す
る。
231の粗遅延選択ロジックCSLの「H」状態が循環した
回数を記録することになる。すなわち、シフトライトSR
#C信号が続けて発生して「H」状態が粗遅延選択ロジッ
クCSL6から粗遅延選択ロジックCSL1に移す時ごとに順
方向カウンタ241は、カウンタの計数を1ずつ増加さ
せる。反対にシフトレフトSL#C信号が発生して「H」状
態が粗遅延選択ロジックCSL1から粗遅延選択ロジックC
SL6に移す時ごとに順方向カウンタ241はカウンタの
計数を1ずつ減少させる。このような方式で順方向カウ
ンタ241によって記録された計数は、遅延された内部
クロック信号CLKin#dが逆方向リング型遅延器233に
進入した後、何回転をすべきであるかを示す。
リング型遅延器233内のCD1段の出力を観察すること
によって、遅延された内部クロック信号CLKin#dが逆方
向リング型遅延器233に進入した後、循環した回数を
計数し、カウント比較器245は、逆方向カウンタ24
3の計数結果と順方向カウンタ241の計数結果とを比
較して一致する場合、イネーブルバー信号enbを「L」状
態に転移させて内部クロック信号が外部クロック信号CL
Koutで出力されるようにする247。
イミング図であって、現在順方向カウンタ241の計数
された値が2であって、第2遅延制御機231の粗遅延
選択ロジックCSL1が「H」状態であると仮定した場合で
ある。
号CLKin#dが逆方向リング型遅延器233内のCD1から
始まって逆方向リング型遅延器233を2回回転した後
出力すべきであることを意味し、すなわち、遅延された
内部クロック信号CLKin#dが13段の粗単位遅延素子を
通過したものだけ(=13τCD)遅延されるべきであるこ
とを意味する。ここでτCDは、粗単位遅延素子1段の遅
延時間であり、図4のτRingは、逆方向リング型遅延器
233を一回り回転することに必要な遅延時間である。
したがってこの実施の形態では、逆方向リング型遅延器
233が6段の粗単位遅延素子から構成されているの
で、τRing = 6τCDとなる。
クCSL1が「H」状態であるので、遅延された内部クロッ
ク信号CLKin#dの「H」パルスは、逆方向リング型遅延器
233内のCD1に「L」パルスに転移しながら進入す
る。粗単位遅延時間τCDの時間遅延後、逆方向リング型
遅延器233内のCD1を出た後逆方向リング型遅延器2
33内のCD6に入るが、この時逆方向リング型遅延器2
33内のCD1の出力outbノードに表われた「L」パルス
が逆方向カウンタ243の計数を1に増加させる。
ング型遅延器233を時計回り方向に循環するので、1
回転後、逆方向リング型遅延器233内のCD1の出力ou
tbノードにまた「L」パルスが逆方向カウンタ243の
計数を増加させて循環回数2を記録することになる。こ
のようになれば、逆方向カウンタ243の計数と順方向
カウンタ241の計数とが一致するので、カウント比較
器245は、次に現れる逆方向リング型遅延器233内
のCD1の出力outbノードの「L」パルスが出て行くこと
ができるように、適当な時点でイネーブルバー信号enb
を「L」状態に転移させる。したがって、次の「L」パル
スは、出力クロック信号CLKoutで出力されることにな
り、逆方向カウンタ243、カウント比較器245及び
逆方向リング型遅延器233は、全てリセットされた後
同じ過程を繰り返すことになる。
た内部クロック信号CLKin#dが逆方向リング型遅延器2
33内のCD1を経た後、2回のリング循環により作られ
るので、総13τCDだけ遅延されることが分かる。この
遅延量は、位相検出器210の出力信号により第2遅延
制御機231の粗遅延選択ロジックCSLの「H」状態が左
右に転移するによって、増えるか減ることになる。
増えれば、それだけ循環回数のみ増やせば良いので、少
ない段数のリング遅延とカウンタのみでとても長い時間
遅延に対応できるようになって必要な回路面積を減らす
ことができる。
には、位相検出器210の出力信号は、第1遅延制御機
223から第2遅延制御機231にバイパスされて粗遅
延を行い、粗遅延が完了すれば、この出力信号を利用し
て微細遅延を行うことになる。
る微細遅延部220及び粗遅延部230の一部に対する
詳細構成図であって、微細遅延器221は、3段の微細
単位遅延素子から構成される。また、図5(b)は、本発
明の第1実施の形態に係る第1遅延制御機223と第2
遅延制御機231の動作原理説明図であって、図5(c)
は、本発明の第1実施の形態に係る微細遅延器における
全体遅延時間の説明図である。
延選択ロジックFSL1-3は、キャパシタンス負荷(1C-
3C)を内部クロック信号CLKin電波経路に連結するスイ
ッチを制御する。微細遅延選択ロジックFSL1-3が
「H」状態になれば、スイッチが連結され該当するキャ
パシタンス負荷が加えられただけ内部クロック信号CLKi
n信号は遅延される。三つの微細遅延選択ロジックFSLが
全て「L」状態であるならば、全スイッチが切れてキャ
パシタンス負荷は全く加えられない。この時内部クロッ
ク信号CLKinは、二つのインバータ遅延を経た後、遅延
された内部クロック信号CLKin#dで出力されて粗遅延部
230に供給される。すなわち、この場合の全ての遅延
は粗遅延のみによって発生する。
状態に転移すれば、キャパシタンス負荷1Cが内部クロ
ック信号CLKinに加えれレルのでそれだけの時間遅延が
発生し、この時間遅延量をτFDという(図5(b)の最上
段)。第2遅延制御機231の粗遅延選択ロジックCSL2
が「H」状態とした時、位相検出器210によりシフト
ライトが発生すれば、微細遅延選択ロジックFSL1の
「H」状態は、微細遅延選択ロジックFSL2に移す。この
時第2遅延制御機231の粗遅延選択ロジックCSLには
変化がない。これによって微細遅延器221ではキャパ
シタンス負荷C2が加えられるので追加遅延量は2τFD
となって以前より1τFDが増加したものである(図5(b)
の二番目の段)。
イトがもう一度発生すれば、微細遅延選択ロジックFSL
2の「H」状態は、微細遅延選択ロジックFSL3に移され
てキャパシタンス負荷C3により3τFDだけの遅延量が
増加し、この時もやはり以前より1τFDが増加する。一
方第2遅延制御機231の粗遅延選択ロジックCSLには
変化がない(図5(b)の三番目の段)。
イトが発生すれば、微細遅延器221ではこれ以上転移
する所がないので、微細遅延選択ロジックFSLは、全部
「L」状態に転移しながら第2遅延制御機231の粗遅
延選択ロジックCSL2の「H」状態が粗遅延選択ロジック
CSL3に転移する。もちろんこの過程は第1遅延制御機
223が位相検出器210から入力されるシフトライト
信号SRを第2遅延制御機231にバイパスさせることに
よって進行される(図5(b)の四番目の段)。この場合
は、粗単位遅延時間τCDだけが増加したことであるが、
もしτCD=4τFDとなるように設計すれば、微細遅延選
択ロジックFSL3が「H」状態である時に比べて1τFDだ
け遅延量が追加される。こういう方式で微細遅延部22
0における微細遅延と粗遅延部230における粗遅延を
相互関連させれば、1τFDだけずつ追加遅延させること
ができる。
「L」状態であり、粗遅延選択ロジックCSL3が「H」状
態で(図5(b)の四番目の段)、もし位相検出器210か
らシフトレフト信号SLが入力されれば、微細遅延部22
0では、時間遅延量を減少させる所がないので、第1遅
延制御機223は、粗遅延選択ロジックCSL3の「H」状
態をCSL2に転移させ、微細遅延選択ロジックFSL3を
「H」状態にする。粗単位遅延時間τCD(=4τFD)が一つ
減り、3τFDが足されたので、実際減少した遅延量は、
1τFDである(図5(b)の三番目の段)。もし位相検出器
210からもう一度シフトレフト信号SLが入力されれ
ば、粗遅延選択ロジックCSLには変化がなく、微細遅延
選択ロジックのみ「H」状態がFSL3からFSL2に転移さ
れて1τFDだけ遅延量が減ることになる(図5(b)の二番
目の段)。
細遅延と粗遅延部230における粗遅延を相互関連させ
れば、常に一回に1τFDだけの遅延量を足したり引くこ
とができるようになって、ジッタを1τFD程度に減らす
ことができるようになる。したがって微細単位遅延時間
を減らすほどさらに小さいジッタが得られる。
20における全体遅延時間を説明する。
は、[固定遅延時間(τFIX)+可変遅延時間(τVAR)]とな
る。ここで、固定遅延時間τFIXは、固定された遅延時
間であって、本発明の一実施の形態例では二つのインバ
ータによる遅延時間である。
20における最大微細遅延時間τVA R、maxとの好ましい
関係は、次の数式5と同様である。
足する。
である場合、
た場合、全体ジッタは微細単位遅延時間τFDではなく、
は、微細単位遅延時間τFDと
ングレジスタ制御型遅延固定ループブロック図であっ
て、第1実施の形態にスキュー直接感知制御機260と
順方向リング型遅延器235が付加されたものである。
ラナスミラーディレイ技法(synchronous mirror dela
y、以下「SMD」という)により2サイクル内に固定させ
ることが可能である。SMDは、二つのミラーディレイラ
イン(mirror delay line)から構成され、制御するため
のレジスタアレイが必要である。二つのミラーディレイ
ラインの中いずれか一つは順方向ディレイライン(forwa
rd delay line)、他の一つは逆方向ディレイライン(bac
kward delay line)と呼ぶ。レジスタ制御型遅延固定ル
ープは、本来一つのディレイライン(delay line)と制御
のためのシフトレジスタアレイを有しているので順方向
ディレイライン(forward delay line)のみ追加すれば、
SMDのような機能をすることができる。
スタ制御型遅延固定ループでは、既に粗遅延を行う逆方
向リング型遅延器233とリング構造のシフトレジスタ
からなる第2遅延制御機231を備えているので、順方
向リング型遅延器235を追加してスキュー直接感知を
可能にする。
る粗遅延部230及び出力クロック発生部240の一部
に対する詳細構成図であって、図7(b)は、本発明の第
2実施の形態に係るスキュー直接感知制御機260の詳
細構成図であって、図7(c)は、本発明の第2実施の形
態に係る順方向リング型遅延器と順方向カウンタの動作
波形図であって、以下では、スキュー直接感知に対する
動作を説明する。
1のキャリー(C)に入力される瞬間、ストップバー信号s
topbは「H」信号を出力し、スタートバー信号startb
は、ストップバー信号stopbより遅延モデル263での
遅延時間tDMだけ遅延され位相反転265されてパルス
発生器「L」パルスで出力される。すなわち、スタート
バー信号startbは、一定時間のみ「L」状態を保持し再
び「H」状態の信号を出力させる。ここで、遅延モデル
263における遅延時間tDMは、遅延モデル250にお
ける遅延時間tDMと同一である。
ング型遅延器235内の順方向粗遅延端FCD1に進入し
て循環することになれば、次の内部クロック信号CLKin
が入力されてストップバー信号stopbが「L」状態に転移
する時までFcnt1bにより順方向カウンタ241は、循
環回数を記録することになり、第2遅延制御機231に
は順方向リング型遅延器235内の何番目の順方向粗遅
延端FCDまで「L」パルスが伝達されたか格納される。こ
のようにすることによって、遅延モデル263における
遅延時間tDMが順方向リング型遅延器235における[何
回り+いくつの順方向粗遅延段FCD]に該当するか記録さ
れる。図7(c)の例は、順方向リング型遅延器235を
2回転したものを示す。
方向リング型遅延器235における[何回り+いくつの順
方向順方向粗遅延段FCD]に該当しているかが分かれば、
逆方向リング型遅延器233を介してそれだけの粗遅延
を行い、以後粗遅延と微細遅延とを相互関連付けて行う
ことになる。逆方向リング型遅延器における粗遅延と微
細遅延部における微細遅延とは、第1実施の形態での動
作と同一であるのでここでは説明を省略することにす
る。
始めに一回行われ、これ以上行われないし、逆方向リン
グ型遅延器における粗遅延と微細遅延部における微細遅
延との相互関係による固定が行われるが、一回以上行わ
れても問題にはならない。
体動作シミュレーション波形の一例示図である。
ュー直接感知を行い、以後逆方向リング型遅延器などを
利用して粗遅延による固定を行い、最後に微細遅延部を
介した微細遅延による固定を行うことを示す。
延固定時間とジッタを示すシミュレーション結果波形図
である。
サイクル程度としかならないことが分かる。微細単位遅
延時間τFDが小さくなれば、全体遅延固定時間はもう少
し所要されるが、粗遅延による遅延固定時間は変化しな
い。また、このシミュレーションの場合、全体ジッタは
50psec程度である。
リングレジスタ制御型遅延固定ループブロック図であ
る。
と同一であるが、位相検出器210に入力される信号と
して内部クロック信号CLKinを使用せず、外部クロック
信号(External CLK)を使用するという点が相異なる。こ
のようにする場合、遅延モデル250にバッファである
クロックレシーバー(CLK Receiver)に対する遅延を考慮
しなくても良いので、温度/工程/電圧変化に対してさら
に正確に動作できる。
リングレジスタ制御型遅延固定ループブロック図であ
る。
と大部分同一であるが、微細遅延部の位置が移されたこ
とと外部クロック信号External CLKを位相検出器の入力
信号に使用するという点が異なり、同じ原理として動作
することが可能である。
リングレジスタ制御型遅延固定ループブロック図であ
る。
と大部分同一であるが、内部クロック信号CLKinを位相
検出器の入力信号に使用するという点が異なり、動作原
理は同一である。
タ制御型遅延固定ループにおける微細遅延器の他の実施
の形態構成図であって、図13(b)は、図13(a)の微細
遅延器内の位相混合器入出力信号のタイミング図であ
る。
相が異なる二つの入力信号(in1は、内部クロック信号C
LKin、in2は、内部クロック信号CLKinより粗単位遅延
時間τCDだけ遅延された信号)を受けて二つの入力信号
の位相差内に入いる信号を出力する装置である。図13
(a)のように、論理素子を適切に使用して二つの入力信
号が粗単位遅延時間τCDだけ位相差を有するようにする
場合、位相混合器の出力は、図13(b)と同様である。
出力信号は、制御信号によって粗単位遅延時間τCDをN
等分した位相を有し得るし、常にτVAR、max=τCD関係が
成り立つので本発明が必要とする微細遅延器に非常に好
適である。
形態によって具体的に記述されたが、上記した実施の形
態はその説明のためのものであって、その制限のための
ものでないことに留意されるべきである。また、本発明
の技術分野の通常の専門家であるならば、本発明の技術
思想の範囲内で種々の実施の形態が可能であることを理
解されるべきである。
簡単かつ小さい面積、低い消耗電力、優れたジッタ特
性、そして速い遅延固定時間を有する遅延固定ループを
提供することができる。
型DLLのブロック図である。
ループの第1実施の形態ブロック図である。
及び出力クロック信号発生部の一部に対する詳細構成図
である。
制御機と順方向カウンタの概念図である。
制御機と順方向カウンタの動作原理説明図である。
である。
部及び粗遅延部の一部に対する詳細構成図である。
制御機と第2遅延制御機の動作原理説明図である。
器における全体遅延時間説明図である。
ループの第2実施の形態ブロック図である。
及び出力クロック発生部の一部に対する詳細構成図であ
る。
直接感知制御機の詳細構成図である。
ング型遅延器と順方向カウンタの動作波形図である。
ュレーション波形の一例示図である。
とジッタを示すシミュレーション結果波形図である。
スタ制御型遅延固定ループブロック図である。
スタ制御型遅延固定ループブロック図である。
スタ制御型遅延固定ループブロック図である。
延固定ループにおける微細遅延器の他の実施の形態構成
図である。
入出力信号のタイミング図である。
1221...微細遅延器、223...第1遅延制御機、2
30...粗遅延部、231...第2遅延制御機、23
3...逆方向リング型遅延器、235...順方向リング型
遅延器、240...出力クロック信号発生部、241...
順方向カウンタ、243...逆方向カウンタ、245...
カウント比較器、250...遅延モデル、260...スキ
ュー直接感知制御部、261...Dフリップフロップ、2
63...遅延モデル、265...インバータ、267...
パルス発生器
Claims (28)
- 【請求項1】 内部クロック信号と出力クロック信号と
の位相を比較し、前記信号を同期させるための制御信号
を発生する位相検出手段と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記内部クロック信号に対する微細遅延を行ったり前記制
御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、 前記バイパスされた制御信号を利用して前記微細遅延手
段から出力される遅延された内部クロック信号に対する
粗(coarse)遅延を行うように複数の粗単位遅延素子がリ
ング型に連結された粗遅延手段と、 前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発生し
た場合、前記出力クロック信号を発生させる出力クロッ
ク信号発生手段と、 前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる
遅延モデルとを含むことを特徴とするリングレジスタ制
御型遅延固定ループ。 - 【請求項2】 前記微細遅延手段は、 最低キャパシタンスを有するキャパシタによる遅延時間
に略線形比例する複数個のキャパシタの中一つを前記内
部クロック信号線に選択的に接続して微細遅延を行う微
細遅延部と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記微細遅延部内の各々のキャパシタと直列に連結された
スイッチの接続を制御したり前記制御信号をバイパスさ
せる第1遅延制御部とを含むことを特徴とする請求項1
に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項3】 前記粗遅延手段は、 同一特性の粗単位遅延素子の複数個を使用して前記微細
遅延部から出力される前記遅延された内部クロック信号
を粗遅延させる逆方向リング型遅延部と、 前記第1遅延制御部からバイパスされた制御信号を利用
して前記遅延された内部クロック信号に対して粗遅延を
行うように前記逆方向リング型遅延部を制御する第2遅
延制御部とを含むことを特徴とする請求項2に記載のリ
ングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項4】 前記逆方向リング型遅延部は、複数個の
段から構成され、 前記各段は、 前記第2遅延制御部から出力される信号と前記微細遅延
部から出力される信号とを入力とする第1NANDゲート
と、 前記第1NANDゲートの出力信号、前段から出力される出
力信号及び前記逆方向リング型遅延部をリセットさせる
ために用いられるリセットバー信号を入力として前記遅
延された内部クロック信号を遅延させる直列連結された
第2及び第3NANDゲートとを含むことを特徴とする請求
項2に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項5】 前記微細遅延手段における遅延時間と前
記粗遅延手段における遅延時間との関係は次の数式1 【数1】 −ここで、τCDは前記粗遅延手段における粗単位遅延時
間、τVAR,maxは、前記微細遅延手段における最大微細
遅延時間、そしてτFDは、前記微細遅延手段における微
細単位遅延時間である− を満足させることを特徴とする請求項3または4に記載
のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項6】 前記出力クロック信号発生手段は、 前記逆方向リング型遅延部内の所定の粗単位遅延素子の
出力端に接続されて第1論理状態を検出及び計数する逆
方向カウンタと、 前記第2遅延制御部内の所定の粗遅延選択ロジックの出
力端に接続されて第1論理状態を検出及び計数する順方
向カウンタと、 前記逆方向カウンタに計数された値と前記順方向カウン
タに計数された値とが一致する場合、前記逆方向リング
型遅延部を通過した前記遅延された内部クロック信号を
出力させる内部クロック信号出力部とを含むことを特徴
とする請求項3または4に記載のリングレジスタ制御型
遅延固定ループ。 - 【請求項7】 内部クロック信号を入力されて各々前記
内部クロック信号に同期された内部クロック同期信号と
遅延モデルにおける遅延時間だけ遅延されたパルス(遅
延パルス)を出力するスキュー直接感知制御手段と、 前記内部クロック信号と出力クロック信号との位相を比
較し、前記信号を同期させるための制御信号を発生させ
る位相検出手段と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記内部クロック信号に対する微細遅延を行ったり前記制
御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、 前記スキュー直接感知制御手段から出力された前記内部
クロック同期信号及び前記遅延パルスと前記微細遅延手
段からバイパスされた前記制御信号を利用して前記微細
遅延手段から出力される遅延された内部クロック信号に
対する粗遅延を行うように複数の単位遅延素子がリング
型に連結された粗遅延手段と、 前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発生し
た場合、前記出力クロック信号を発生させる出力クロッ
ク信号発生手段と、 前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる
遅延モデルとを含むことを特徴とするリングレジスタ制
御型遅延固定ループ。 - 【請求項8】 内部クロック信号を入力されて各々前記
内部クロック信号に同期された内部クロック同期信号と
遅延モデルにおける遅延時間だけ遅延されたパルス(遅
延パルス)を出力するスキュー直接感知制御手段と、 外部クロック信号と出力クロック信号との位相を比較し
て、前記信号を同期させるための制御信号を発生させる
位相検出手段と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記内部クロック信号に対する微細遅延を行ったり前記制
御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、 前記スキュー直接感知制御手段から出力された前記内部
クロック同期信号及び前記遅延パルスと前記微細遅延手
段からバイパスされた前記制御信号を利用して前記微細
遅延手段から出力される遅延された内部クロック信号に
対する粗遅延を行うように複数の単位遅延素子がリング
型に連結された粗遅延手段と、 前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発生し
た場合、前記出力クロック信号を発生させる出力クロッ
ク信号発生手段と、 前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる
遅延モデルとを含むことを特徴とするリングレジスタ制
御型遅延固定ループ。 - 【請求項9】 前記微細遅延手段は、 最低キャパシタンスを有するキャパシタによる遅延時間
に略線形比例する複数個のキャパシタの中一つを前記内
部クロック信号線に選択的に接続して微細遅延を行う微
細遅延部と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記微細遅延部内の各々のキャパシタと直列に連結された
スイッチの接続を制御したり前記制御信号をバイパスさ
せる第1遅延制御部とを含むことを特徴とする請求項7
または8に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項10】 前記粗遅延手段は、 同一特性の粗単位遅延素子の複数個をリング型に接続し
て前記スキュー直接感知制御手段から入力される前記内
部クロック同期信号を前記遅延モデルにおける遅延時間
だけ粗遅延させる順方向リング型遅延部と、 同一特性の粗単位遅延素子の複数個を使用して前記微細
遅延部から出力される前記遅延された内部クロック信号
を粗遅延させる逆方向リング型遅延部と、 前記第1遅延制御部からバイパスされた制御信号を利用
して前記遅延された内部クロック信号に対して粗遅延を
行うように前記逆方向リング型遅延部を制御し、前記順
方向リング型遅延部内の遅延パルスが何番目の順方向粗
遅延段にあるかを格納する第2遅延制御部とを含むこと
を特徴とする請求項9に記載のリングレジスタ制御型遅
延固定ループ。 - 【請求項11】 前記逆方向リング型遅延部は、複数個
の段から構成され、前記各段は、 前記第2遅延制御部から出力される信号と前記微細遅延
部から出力される信号とを入力とする第1NANDゲート
と、 前記第1NANDゲートの出力信号、前段から出力される出
力信号及び前記逆方向リング型遅延部をリセットさせる
ために用いられるリセットバー信号を入力として、前記
遅延された内部クロック信号を遅延させる直列連結され
た第2及び第3NANDゲートとを含むことを特徴とする請
求項10に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項12】 前記順方向リング型遅延部は、複数個
の段から構成され、前記各段は、 前記スキュー直接感知制御手段から出力される前記遅延
パルス及び前段の出力信号を入力とする第1NANDゲート
と、 前記第1NANDゲートの出力信号及び前記スキュー直接感
知制御手段から出力される前記内部クロック同期信号を
入力とする第2NANDゲートとを含むことを特徴とする請
求項10に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項13】 前記微細遅延手段における遅延時間と
前記粗遅延手段における遅延時間との関係は、次の数式
2 【数2】 −ここで、τCDは、前記粗遅延手段における粗単位遅延
時間、τVAR,maxは、前記微細遅延手段における最大微
細遅延時間、そしてτFDは、前記微細遅延手段における
微細単位遅延時間である− を満足させることを特徴とする請求項10ないし12の
いずれかに記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項14】 前記出力クロック信号発生手段は、前
記逆方向リング型遅延部内の所定粗単位遅延素子の出力
端に接続されて第1論理状態を検出及び計数する逆方向
カウンタと、 前記第2遅延制御部内の所定粗遅延選択ロジックの出力
端に接続されて第1論理状態と、前記順方向リング型遅
延部内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第1
論理状態を検出及び計数する順方向カウンタと、 前記逆方向カウンタに計数された値と前記順方向カウン
タに計数された値とが一致する場合、前記逆方向リング
型遅延部を通過した前記遅延された内部クロック信号を
出力させる内部クロック信号出力部とを含むことを特徴
とする請求項13に記載のリングレジスタ制御型遅延固
定ループ。 - 【請求項15】 前記微細遅延手段は、 最低キャパシタンスを有するキャパシタによる遅延時間
に略線形比例する複数個のキャパシタの中一つを前記内
部クロック信号線に選択的に接続して微細遅延を行う微
細遅延部と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記微細遅延部内の各々のキャパシタと直列に連結された
スイッチの接続を制御したり前記制御信号をバイパスさ
せる第1遅延制御部とを含むことを特徴とする請求項1
4に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項16】 内部クロック信号を入力されて前記内
部クロック信号に同期された信号と遅延モデルでの遅延
時間だけ遅延されたパルス(遅延パルス)を出力するスキ
ュー直接感知制御手段と、 外部クロック信号と出力クロック信号との位相を比較
し、前記信号を同期させるための制御信号を発生させる
位相検出手段と、 前記スキュー直接感知制御手段から出力された信号及び
パルスと微細遅延手段からバイパスされた制御信号を利
用して粗遅延を行うように複数の単位遅延素子がリング
型に連結された粗遅延手段と、前記粗遅延手段における
粗遅延が要求されるだけ発生した場合、前記出力クロッ
ク信号を発生させる出力クロック信号発生手段と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記出力クロック信号に対する微細遅延を行ったり前記制
御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、 前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる
遅延モデルとを含むことを特徴とするリングレジスタ制
御型遅延固定ループ。 - 【請求項17】 内部クロック信号を入力されて前記内
部クロック信号に同期された信号と遅延モデルにおける
遅延時間だけ遅延されたパルス(遅延パルス)を出力する
スキュー直接感知制御手段と、 前記内部クロック信号と出力クロック信号との位相を比
較し、前記信号を同期させるための制御信号を発生させ
る位相検出手段と、 前記スキュー直接感知制御手段から出力された信号及び
パルスと微細遅延手段からバイパスされた制御信号を利
用して粗遅延を行うように複数の単位遅延素子がリング
型に連結された粗遅延手段と、 前記粗遅延手段における粗遅延が要求されるだけ発生し
た場合、前記出力クロック信号を発生させる出力クロッ
ク信号発生手段と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記出力クロック信号に対する微細遅延を行ったり前記制
御信号をバイパスさせる微細遅延手段と、 前記出力クロック信号を所定時間遅延させて出力させる
遅延モデルとを含むことを特徴とするリングレジスタ制
御型遅延固定ループ。 - 【請求項18】 前記微細遅延手段は、 最低キャパシタンスを有するキャパシタによる遅延時間
に略線形比例する複数個のキャパシタの中一つを前記内
部クロック信号線に選択的に接続して微細遅延を行う微
細遅延部と、 前記位相検出手段から出力される制御信号を利用して前
記微細遅延部内の各々のキャパシタと直列に連結された
スイッチの接続を制御したり前記制御信号をバイパスさ
せる第1遅延制御部とを含むことを特徴とする請求項1
6または17に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ル
ープ。 - 【請求項19】 前記粗遅延手段は、 同一特性の粗単位遅延素子の複数個をリング型に接続し
て前記スキュー直接感知制御手段から入力される前記内
部クロック同期信号を前記遅延モデルにおける遅延時間
だけ粗遅延させる順方向リング型遅延部と、 同一特性の粗単位遅延素子の複数個を使用して前記内部
クロック信号を粗遅延させる逆方向リング型遅延部と、 前記第1遅延制御部からバイパスされた制御信号を利用
して前記内部クロック信号に対して粗遅延を行うように
前記逆方向リング型遅延部を制御し、前記順方向リング
型遅延部内の遅延パルスが何番目の順方向粗遅延段にあ
るかを格納する第2遅延制御部とを含むことを特徴とす
る請求項18に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ル
ープ。 - 【請求項20】 前記逆方向リング型遅延部は、複数個
の段から構成され、前記各段は、 前記第2遅延制御部から出力される信号と前記内部クロ
ック信号とを入力とする第1NANDゲートと、 前記第1NANDゲートの出力信号、前段から出力される出
力信号及び前記逆方向リング型遅延部をリセットさせる
ために用いられるリセットバー信号を入力として、前記
内部クロック信号を遅延させる直列連結された第2及び
第3NANDゲートとを含むことを特徴とする請求項19に
記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項21】 前記順方向リング型遅延部は、複数個
の段から構成され、前記各段は、 前記スキュー直接感知制御手段から出力される前記遅延
パルス及び前段の出力信号を入力とする第1NANDゲート
と、 前記第1NANDゲートの出力信号及び前記スキュー直接感
知制御手段から出力される前記内部クロック同期信号を
入力とする第2NANDゲートとを含むことを特徴とする請
求項20に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項22】 前記微細遅延手段における遅延時間と
前記粗遅延手段における遅延時間との関係は、次の数式
3 【数3】 −ここで、τCDは、前記粗遅延手段における粗単位遅延
時間、τVAR,maxは、前記微細遅延手段における最大微
細遅延時間、そしてτFDは、前記微細遅延手段における
微細単位遅延時間である− を満足させることを特徴とする請求項19ないし21の
いずれかに記載のリングレジスタ制御型遅延固定ルー
プ。 - 【請求項23】 前記出力クロック信号発生手段は、前
記逆方向リング型遅延部内の所定粗単位遅延素子の出力
端に接続されて第1論理状態を検出及び計数する逆方向
カウンタと、 前記第2遅延制御部内の所定粗遅延選択ロジックの出力
端に接続されて第1論理状態と、前記順方向リング型遅
延部内の所定粗単位遅延素子の出力端に接続されて第1
論理状態を検出及び計数する順方向カウンタと、 前記逆方向カウンタに計数された値と前記順方向カウン
タに計数された値とが一致する場合、前記逆方向リング
型遅延部を通過した前記内部クロック信号を出力させる
内部クロック信号出力部とを含むことを特徴とする請求
項22に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項24】 前記微細遅延手段は、 前記微細遅延手段に入力される信号と同期される信号及
び前記微細遅延手段に入力される信号を粗単位遅延時間
だけ遅延させた信号を入力として、前記粗単位遅延時間
を複数個の微細単位遅延時間に分割する位相混合器を有
する微細遅延部と、 前記位相検出手段の制御信号に応じて前記位相混合器に
分割された前記複数個の微細単位遅延時間の中必要な遅
延時間を選択する第1遅延制御部とを含むことを特徴と
する請求項1、7、8、16及び17のいずれかに記載
のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項25】 前記微細遅延部は、 前記微細遅延手段に入力される信号を粗単位遅延時間だ
け遅延させるために前記粗遅延手段で用いられる粗単位
遅延素子と同じ特性を有する直列連結された複数の粗単
位遅延素子を使用することを特徴とする請求項24に記
載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項26】 前記遅延モデルにおける出力クロック
信号を遅延させるための所定時間は、0より大きいか同
じであることを特徴とする請求項1、7、8、16及び
17に記載のリングレジスタ制御型遅延固定ループ。 - 【請求項27】 複数の粗単位遅延素子から構成された
リング型の逆方向リング型遅延部により内部クロック信
号に対して粗遅延を行うステップと、 最大微細遅延時間が粗単位遅延時間より小さいか同じ範
囲内で微細遅延を行うステップとを含むことを特徴とす
るリングレジスタ制御型遅延固定ループ制御方法。 - 【請求項28】 複数の粗単位遅延素子から構成された
リング型の順方向リング型遅延部により遅延モデルにお
ける遅延時間を認識するステップと、 前記認識された遅延モデルにおける遅延時間だけ複数の
粗単位遅延素子から構成されたリング型の逆方向リング
型遅延部により内部クロック信号に対して粗遅延を行う
ステップと、 最大微細遅延時間が粗単位遅延時間より小さいか同じ範
囲内で微細遅延を行うステップとを含むことを特徴とす
るリングレジスタ制御型遅延固定ループ制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2001P47763 | 2001-08-08 | ||
KR10-2001-0047763A KR100422585B1 (ko) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 링 - 레지스터 제어형 지연 고정 루프 및 그의 제어방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003069424A true JP2003069424A (ja) | 2003-03-07 |
JP4812981B2 JP4812981B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=19712993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001245735A Expired - Fee Related JP4812981B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-13 | リングレジスタ制御型遅延固定ループ及びその制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030030473A1 (ja) |
JP (1) | JP4812981B2 (ja) |
KR (1) | KR100422585B1 (ja) |
DE (1) | DE20113507U1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002025259A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | リング遅延とカウンタを利用したレジスタ制御遅延固定ループ |
US7282974B2 (en) | 2005-08-29 | 2007-10-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Delay locked loop |
JP2007537675A (ja) * | 2004-05-13 | 2007-12-20 | トムソン ライセンシング | クロック発生器及びその方法 |
JP2008109663A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 遅延同期ループ回路 |
US7423461B2 (en) | 2004-08-19 | 2008-09-09 | Renesas Technology Corp. | Phase synchronous circuit |
US7880519B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Clock signal generating circuit, display panel module, imaging device, and electronic equipment |
USRE43775E1 (en) | 2004-06-30 | 2012-10-30 | Hynix Semiconductor Inc. | Register controlled delay locked loop and its control method |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002366112A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 液晶駆動装置及び液晶表示装置 |
KR100500929B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 회로 |
KR100505698B1 (ko) * | 2003-08-06 | 2005-08-02 | 삼성전자주식회사 | 주파수 변화와 pvt 변화에 둔감한 위상 믹서 및 이의제어방법 |
DE10340411B4 (de) * | 2003-09-02 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur sicheren Ausführung eines Programms |
US7046058B1 (en) * | 2003-09-24 | 2006-05-16 | Integrated Device Technology, Ltd. | Delayed-locked loop with fine and coarse control using cascaded phase interpolator and variable delay circuit |
KR100605588B1 (ko) * | 2004-03-05 | 2006-07-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자에서의 지연 고정 루프 및 그의 클럭록킹 방법 |
US7230495B2 (en) | 2004-04-28 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Phase-locked loop circuits with reduced lock time |
US7421606B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-09-02 | Micron Technology, Inc. | DLL phase detection using advanced phase equalization |
US7088156B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Delay-locked loop having a pre-shift phase detector |
JP2006275990A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
US7276951B2 (en) * | 2005-05-25 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Delay line circuit |
KR100714892B1 (ko) * | 2005-10-26 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 클럭신호 발생기 및 이를 구비한 위상 및 지연 동기 루프 |
KR100840697B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-06-24 | 삼성전자주식회사 | 다중 위상 클럭신호를 발생시키는 지연동기루프 회로 및 그제어방법 |
KR100956774B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 회로 및 그 제어 방법 |
US7872507B2 (en) * | 2009-01-21 | 2011-01-18 | Micron Technology, Inc. | Delay lines, methods for delaying a signal, and delay lock loops |
KR101076889B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2011-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터출력제어회로 |
US8373462B2 (en) * | 2011-05-19 | 2013-02-12 | Nanya Technology Corp. | Delay lock loop and delay lock method |
US8624645B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-01-07 | Nanya Technology Corp. | Multi phase clock signal generator, signal phase adjusting loop utilizing the multi phase clock signal generator, and multi phase clock signal generating method |
US9432025B1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-08-30 | Altera Corporation | Techniques for reducing skew between clock signals |
TWI604710B (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-01 | 國立交通大學 | 四相移鍵控解調變器 |
KR102268767B1 (ko) | 2017-06-09 | 2021-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 지연 회로 및 이를 포함하는 듀티 사이클 제어 장치 |
EP3649735A4 (en) | 2017-07-07 | 2021-03-24 | INTEL Corporation | DEVICE AND METHOD FOR IMPROVING LOCKTIME |
US10756711B1 (en) * | 2019-11-13 | 2020-08-25 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit skew determination |
KR20220036175A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 클록 라킹 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11306759A (ja) * | 1998-04-25 | 1999-11-05 | Lg Semicon Co Ltd | クロック信号遅延装置 |
JP2000347765A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 内部クロック発生回路 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5995443A (en) * | 1990-04-18 | 1999-11-30 | Rambus Inc. | Synchronous memory device |
IL96808A (en) * | 1990-04-18 | 1996-03-31 | Rambus Inc | Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage |
EP0596657A3 (en) * | 1992-11-05 | 1994-12-07 | American Telephone & Telegraph | Normalization of propagation delay. |
JP2929888B2 (ja) * | 1993-03-26 | 1999-08-03 | 株式会社デンソー | パルス位相差符号化回路 |
US5440515A (en) * | 1994-03-08 | 1995-08-08 | Motorola Inc. | Delay locked loop for detecting the phase difference of two signals having different frequencies |
TW367656B (en) * | 1994-07-08 | 1999-08-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
US5796673A (en) * | 1994-10-06 | 1998-08-18 | Mosaid Technologies Incorporated | Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory |
KR100212139B1 (ko) * | 1996-07-22 | 1999-08-02 | 윤종용 | 클럭공급장치 |
US6104209A (en) | 1998-08-27 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Low skew differential receiver with disable feature |
JPH1165699A (ja) | 1997-06-13 | 1999-03-09 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体集積回路装置 |
US5930182A (en) * | 1997-08-22 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Adjustable delay circuit for setting the speed grade of a semiconductor device |
JPH11120768A (ja) | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
US6072743A (en) * | 1998-01-13 | 2000-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High speed operable semiconductor memory device with memory blocks arranged about the center |
JPH11298463A (ja) | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
KR100295045B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2001-07-12 | 윤종용 | 지연동기루프(dll)를구비한반도체메모리장치 |
JP3644827B2 (ja) * | 1998-08-14 | 2005-05-11 | 富士通株式会社 | 外部負荷を考慮したdll回路 |
JP2000076852A (ja) | 1998-08-25 | 2000-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP3707960B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
KR100362199B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 링 딜레이와 카운터를 이용한 레지스터 제어 지연고정루프 |
-
2001
- 2001-08-08 KR KR10-2001-0047763A patent/KR100422585B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-08-13 JP JP2001245735A patent/JP4812981B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 DE DE20113507U patent/DE20113507U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-13 US US10/073,358 patent/US20030030473A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-08-07 US US10/635,913 patent/US6919745B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11306759A (ja) * | 1998-04-25 | 1999-11-05 | Lg Semicon Co Ltd | クロック信号遅延装置 |
JP2000347765A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 内部クロック発生回路 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002025259A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | リング遅延とカウンタを利用したレジスタ制御遅延固定ループ |
JP4504581B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-07-14 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | リング遅延とカウンタを利用したレジスタ制御遅延固定ループ |
JP2007537675A (ja) * | 2004-05-13 | 2007-12-20 | トムソン ライセンシング | クロック発生器及びその方法 |
USRE43775E1 (en) | 2004-06-30 | 2012-10-30 | Hynix Semiconductor Inc. | Register controlled delay locked loop and its control method |
US7423461B2 (en) | 2004-08-19 | 2008-09-09 | Renesas Technology Corp. | Phase synchronous circuit |
US7659759B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-02-09 | Renesas Technology Corp. | Phase synchronous circuit |
US7282974B2 (en) | 2005-08-29 | 2007-10-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Delay locked loop |
JP2008109663A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 遅延同期ループ回路 |
US7880519B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Clock signal generating circuit, display panel module, imaging device, and electronic equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040201406A1 (en) | 2004-10-14 |
KR20030013652A (ko) | 2003-02-15 |
US6919745B2 (en) | 2005-07-19 |
DE20113507U1 (de) | 2001-12-13 |
JP4812981B2 (ja) | 2011-11-09 |
KR100422585B1 (ko) | 2004-03-12 |
US20030030473A1 (en) | 2003-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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