JP2003068745A - 埋込みｐ型ＧａＮ層におけるアクセプタを活性化する方法 - Google Patents
埋込みｐ型ＧａＮ層におけるアクセプタを活性化する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ型埋込み層の伝導性を増加させる技術を提
供すること。 【解決手段】 水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半
導体のｐ型層から外方拡散できるようにするために、ウ
ェハはｐ型層のトレンチを形成してｐ型層を露出させる
べくエッチングされる。エッチング後、ウェハはアニー
ルされる。アニール時間及び温度はｐ型層の露出させた
面の間隔及びｐ型層の厚さに依存する。水素はｐ型層を
通ってトレンチにより露出させた面から容易に拡散す
る。これによりアニール前のトレンチが形成されていな
いものより著しく伝導性が高い埋込みｐ型層が得られ
る。別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族
ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われ
る。ｎ型層の一部は、ｐ型層の表面を露出させるために
エッチングされる。この後、ｐ型層の露出させた面から
水素を外方拡散させてｐ型層の伝導性を増加させるため
に、アニールが実行される。
供すること。 【解決手段】 水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半
導体のｐ型層から外方拡散できるようにするために、ウ
ェハはｐ型層のトレンチを形成してｐ型層を露出させる
べくエッチングされる。エッチング後、ウェハはアニー
ルされる。アニール時間及び温度はｐ型層の露出させた
面の間隔及びｐ型層の厚さに依存する。水素はｐ型層を
通ってトレンチにより露出させた面から容易に拡散す
る。これによりアニール前のトレンチが形成されていな
いものより著しく伝導性が高い埋込みｐ型層が得られ
る。別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族
ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われ
る。ｎ型層の一部は、ｐ型層の表面を露出させるために
エッチングされる。この後、ｐ型層の露出させた面から
水素を外方拡散させてｐ型層の伝導性を増加させるため
に、アニールが実行される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮベースIII-
Ｖ族半導体デバイスに関し、特に、発光ダイオード、レ
ーザーダイオードまたはヘテロ接合バイポーラトランジ
スタのようなデバイスにおける埋込み（buried）Ｐ型ガ
リウム窒化物層の抵抗率を低下させることに関する。
Ｖ族半導体デバイスに関し、特に、発光ダイオード、レ
ーザーダイオードまたはヘテロ接合バイポーラトランジ
スタのようなデバイスにおける埋込み（buried）Ｐ型ガ
リウム窒化物層の抵抗率を低下させることに関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）は、高発光効
率を実現し高耐久性を有する、ソリッドステート光源で
ある。重要なクラスのIII-Ｖ族発光ダイオードは、典型
的にはIII族窒化物と省略されるような、Ｖ族の窒素
（Ｎ）を有するIII族原子（具体的には、Ｉｎ、Ｇａお
よびＡｌ）の化合物に基づいている。III族窒化物化合
物の１つの族は、一般組成ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮを有
する。ここで、０≦（ｘ、ｙ）≦１であり、ｘ＋ｙ≦１
である。この一般組成は、単にＧａＮとよばれる。III
族窒化物は、紫外線と、青色、緑色および黄色の波長を
含む可視光線との電磁スペクトルの大部分に及ぶ光を発
することができる。LEDの輝度および他の光学的性質を
向上させることは、重要な技術的な目標である。
率を実現し高耐久性を有する、ソリッドステート光源で
ある。重要なクラスのIII-Ｖ族発光ダイオードは、典型
的にはIII族窒化物と省略されるような、Ｖ族の窒素
（Ｎ）を有するIII族原子（具体的には、Ｉｎ、Ｇａお
よびＡｌ）の化合物に基づいている。III族窒化物化合
物の１つの族は、一般組成ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮを有
する。ここで、０≦（ｘ、ｙ）≦１であり、ｘ＋ｙ≦１
である。この一般組成は、単にＧａＮとよばれる。III
族窒化物は、紫外線と、青色、緑色および黄色の波長を
含む可視光線との電磁スペクトルの大部分に及ぶ光を発
することができる。LEDの輝度および他の光学的性質を
向上させることは、重要な技術的な目標である。
【０００３】図１は、本出願人により開発された特別な
タイプのＬＥＤ１０の一例を示しており、このＬＥＤ
は、ｎ−ｐ−ｎトンネル接合ＬＥＤとよばれ、２つのｎ
型ＧａＮ層１４および１５の間に差し込まれたｐ型Ｇａ
Ｎ層１２を有する。これらの層１２、１４および１５の
それぞれは、実際には、組成またはドーピングレベルを
変化させた個別のエピタキシャル層を多く含んでいる。
タイプのＬＥＤ１０の一例を示しており、このＬＥＤ
は、ｎ−ｐ−ｎトンネル接合ＬＥＤとよばれ、２つのｎ
型ＧａＮ層１４および１５の間に差し込まれたｐ型Ｇａ
Ｎ層１２を有する。これらの層１２、１４および１５の
それぞれは、実際には、組成またはドーピングレベルを
変化させた個別のエピタキシャル層を多く含んでいる。
【０００４】差し込まれたｐ型層１２は、埋込みｐ型層
とよばれる。様々な層については、サファイア、ＳｉＣ
またはその他のタイプの基層１６の上にエピタキシャル
成長させる。ｎ型層１５およびｐ型層１２は、多くドー
ピングされる。これらの２つの層により形成されるｐ−
ｎ接合は、金属コンタクト２０と２１との間に電圧を印
加することにより、反転バイアスされる。これらの２つ
の層のドーピングレベルが非常に高い（＞１０19ｃ
ｍ-3）ので、空間電荷領域（space-charge region）間
にトンネルが低い反転バイアス電圧（＜１Ｖ）で発生
し、この接続間に電流を流すことができる。
とよばれる。様々な層については、サファイア、ＳｉＣ
またはその他のタイプの基層１６の上にエピタキシャル
成長させる。ｎ型層１５およびｐ型層１２は、多くドー
ピングされる。これらの２つの層により形成されるｐ−
ｎ接合は、金属コンタクト２０と２１との間に電圧を印
加することにより、反転バイアスされる。これらの２つ
の層のドーピングレベルが非常に高い（＞１０19ｃ
ｍ-3）ので、空間電荷領域（space-charge region）間
にトンネルが低い反転バイアス電圧（＜１Ｖ）で発生
し、この接続間に電流を流すことができる。
【０００５】層１２および１４は、順方向バイアスｐ−
ｎ接合を形成する。ｎ型層１４からの電子がｐ型層１２
からの正孔と再結合する際には、所望の波長を有する光
子が、層１２と１４との間のｐ−ｎ接合に配置された活
性領域から発せられる。基層１６を含む様々な層は、実
質的に透明であるので、ＬＥＤ１０により光が発せられ
る。
ｎ接合を形成する。ｎ型層１４からの電子がｐ型層１２
からの正孔と再結合する際には、所望の波長を有する光
子が、層１２と１４との間のｐ−ｎ接合に配置された活
性領域から発せられる。基層１６を含む様々な層は、実
質的に透明であるので、ＬＥＤ１０により光が発せられ
る。
【０００６】あるいはまた、層１２と１５との接合に活
性領域を配置して、トンネル接合が層１２および１４に
より形成されうる。いずれの場合にも、この構造は、活
性領域の両面に低抵抗率を有する厚いｎ型層を用いる従
来のｐ−ｎ接合ＬＥＤに比べて、優れた効果を有する。
この基本構造によって、ＧａＮベースレーザーダイオー
ドの性能を向上させることができる。
性領域を配置して、トンネル接合が層１２および１４に
より形成されうる。いずれの場合にも、この構造は、活
性領域の両面に低抵抗率を有する厚いｎ型層を用いる従
来のｐ−ｎ接合ＬＥＤに比べて、優れた効果を有する。
この基本構造によって、ＧａＮベースレーザーダイオー
ドの性能を向上させることができる。
【０００７】ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢ
Ｔ）もまたｎ−ｐ−ｎ構造を用いており、後述する問題
は、ＬＥＤ、レーザーおよびバイポーラトランジスタ構
造にも同様にあてはまる。図２は、基層２３、ｎ型Ｇａ
Ｎコレクタ２４、ｐ型ＧａＮベース２５ｎ型ＧａＮエミ
ッタ２６、ならびに、金属コンタクト２７、２８および
２９を有する１つのタイプのＨＢＴ２２を示す。エピタ
キシャル成長の間において、ベースコンタクト２８領域
のためのベース２５層の表面を露出させるべくエミッタ
２６層をエッチングする前に、Ｍｇをドーピングしたベ
ース２５は、ｎ型エミッタ２６の下に埋め込まれる。
Ｔ）もまたｎ−ｐ−ｎ構造を用いており、後述する問題
は、ＬＥＤ、レーザーおよびバイポーラトランジスタ構
造にも同様にあてはまる。図２は、基層２３、ｎ型Ｇａ
Ｎコレクタ２４、ｐ型ＧａＮベース２５ｎ型ＧａＮエミ
ッタ２６、ならびに、金属コンタクト２７、２８および
２９を有する１つのタイプのＨＢＴ２２を示す。エピタ
キシャル成長の間において、ベースコンタクト２８領域
のためのベース２５層の表面を露出させるべくエミッタ
２６層をエッチングする前に、Ｍｇをドーピングしたベ
ース２５は、ｎ型エミッタ２６の下に埋め込まれる。
【０００８】上記構成において、小さい順方向電圧を有
する総伝導電流がコンタクトに印加されるようにｎ型層
およびｐ型層の伝導率を高くすることは重要である。
する総伝導電流がコンタクトに印加されるようにｎ型層
およびｐ型層の伝導率を高くすることは重要である。
【０００９】低い抵抗率のｎ型ＧａＮ層を形成すること
は比較的に簡単であるが、低抵抗率を有するｐ型ＧａＮ
層を形成することは困難であることがわかっている。様
々なＧａＮエピタキシャル層を形成するための典型的な
処理では、ＮＨ3（アンモニア）ガスが、有機金属化学
気相成長法（ＭＯＣＶＤ）の間においてチャンバの中に
導入されてＮ組成に寄与する一方、その他のガスが導入
されてIII族組成およびドーパントに寄与する。ｐ型材
料を形成するために、ドーパントは、典型的にはマグネ
シウム（Ｍｇ）である。Ｍｇ原子はアクセプタともよば
れる。
は比較的に簡単であるが、低抵抗率を有するｐ型ＧａＮ
層を形成することは困難であることがわかっている。様
々なＧａＮエピタキシャル層を形成するための典型的な
処理では、ＮＨ3（アンモニア）ガスが、有機金属化学
気相成長法（ＭＯＣＶＤ）の間においてチャンバの中に
導入されてＮ組成に寄与する一方、その他のガスが導入
されてIII族組成およびドーパントに寄与する。ｐ型材
料を形成するために、ドーパントは、典型的にはマグネ
シウム（Ｍｇ）である。Ｍｇ原子はアクセプタともよば
れる。
【００１０】Ｍｇアクセプタを組み込んだＧａＮ材料を
成長させる間において、反応ガスから水素原子のいくつ
かは、アクセプタをドーピングしたエピタキシャル層に
組み込まれ、Ｍｇアクセプタを有する複合体（comple
x）を形成する。ここで、Ｈは、最も隣接するＮ原子に
結合される。これにより、たいていのＭｇアクセプタが
パッシベート（passivate）され、これらのＭｇアクセ
プタの効果を効果的に中和され、ｐ型であるが５×１０
15ｃｍ-3未満の正孔濃度を有する著しく抵抗性を有する
層が残される。
成長させる間において、反応ガスから水素原子のいくつ
かは、アクセプタをドーピングしたエピタキシャル層に
組み込まれ、Ｍｇアクセプタを有する複合体（comple
x）を形成する。ここで、Ｈは、最も隣接するＮ原子に
結合される。これにより、たいていのＭｇアクセプタが
パッシベート（passivate）され、これらのＭｇアクセ
プタの効果を効果的に中和され、ｐ型であるが５×１０
15ｃｍ-3未満の正孔濃度を有する著しく抵抗性を有する
層が残される。
【００１１】ＭＯＣＶＤによる成長によりｐ型III-Ｖ族
半導体における意図しない水素（Ｈ）のパッシベーショ
ン（passivation）は、周知の現象である。水素のパッ
シベーションは、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰお
よびその他の座利用において観測されてきている。論
文"Hydrogen in III-V Device Structures"、Stephen S
tockmanおよびGregory Stillman、材料科学フォーラ
ム、ボリューム148-149（1994）、Ｐ５０１−５３６、
および、これに引用されている論文を参照のこと。
半導体における意図しない水素（Ｈ）のパッシベーショ
ン（passivation）は、周知の現象である。水素のパッ
シベーションは、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰお
よびその他の座利用において観測されてきている。論
文"Hydrogen in III-V Device Structures"、Stephen S
tockmanおよびGregory Stillman、材料科学フォーラ
ム、ボリューム148-149（1994）、Ｐ５０１−５３６、
および、これに引用されている論文を参照のこと。
【００１２】従来のＬＥＤ構造では、Ｍｇをドーピング
した層は、表面に存在する（すなわち、ｎ型層の下に埋
め込まれていない）。この場合には、低抵抗率について
は、アクセプタをドーピングした材料におけるアクセプ
タを活性化するべく水素の存在しない環境で単にアニー
ルを行うことにより、下記のエピタキシャル成長により
実現することができる。これは、化合物半導体産業にお
ける製造工程の部分として一般的に用いられている。Ne
umark Rothschildに対する米国特許第５,２５２,４９９
号および日亜化学工業に対する米国特許第５,３０６,６
６２号を参照されたし。ＧａＮ材料については、この熱
アニール処理は、高い抵抗率を有する絶縁材料をｐ型伝
導性に変換するために用いられる。
した層は、表面に存在する（すなわち、ｎ型層の下に埋
め込まれていない）。この場合には、低抵抗率について
は、アクセプタをドーピングした材料におけるアクセプ
タを活性化するべく水素の存在しない環境で単にアニー
ルを行うことにより、下記のエピタキシャル成長により
実現することができる。これは、化合物半導体産業にお
ける製造工程の部分として一般的に用いられている。Ne
umark Rothschildに対する米国特許第５,２５２,４９９
号および日亜化学工業に対する米国特許第５,３０６,６
６２号を参照されたし。ＧａＮ材料については、この熱
アニール処理は、高い抵抗率を有する絶縁材料をｐ型伝
導性に変換するために用いられる。
【００１３】従来の技術では、アニールの後、この層を
含むウェハがパターン付けおよびエッチングされた後、
いくつかのコンタクトを付与すべく金属化が行われる。
この後、個別のＬＥＤは分離され、いくつかのデバイス
が実装される。
含むウェハがパターン付けおよびエッチングされた後、
いくつかのコンタクトを付与すべく金属化が行われる。
この後、個別のＬＥＤは分離され、いくつかのデバイス
が実装される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、Ｍｇをドーピングした埋込み型の層を組み込んだ
トンネル接合ＬＥＤのようなデバイスでは、８００℃を
超える温度でエピタキシャル構造をアニールしても、Ｍ
ｇアクセプタを適切に活性化することができない、とい
うことを発見した。別言すれば、アニールを施したｐ型
の埋込み型層は、低い抵抗率を有することができない。
者は、Ｍｇをドーピングした埋込み型の層を組み込んだ
トンネル接合ＬＥＤのようなデバイスでは、８００℃を
超える温度でエピタキシャル構造をアニールしても、Ｍ
ｇアクセプタを適切に活性化することができない、とい
うことを発見した。別言すれば、アニールを施したｐ型
の埋込み型層は、低い抵抗率を有することができない。
【００１５】加えて、このような高いアニール温度で
は、材料の質が低下しうる。高温度アニールに受けたデ
バイスでは、実際、１５〜２０Ｖの初期順方向電圧が、
アニール後に、数ボルトだけ低減されたにすぎない。数
時間の高電流「ソーク（soak）」によって、抵抗性を有
するｐ型層における電子と正孔の再結合によるＭｇの活
性化に起因して、順方向電圧が約５Ｖだけ低減された。
しかしながら、この「ソーク」は、多くの理由により、
すなわち、バーンイン（burn-in）が必要とされるこ
と、完全な活性化を実現できないこと、順方向電圧は依
然として高いこと、残存する水素は逆効果（adverse ef
fects）を有しうること、および、潜在的な信頼性の問
題があることにより、望ましくない。ｐ型層から水素を
外方拡散させるのに、高温での長いアニールが不適当で
ある１つの理由は、上に位置するｎ型層が、表面から逃
げる水素に対する障壁として機能することである。これ
に対する１つの理由は、デプレッション領域のｎ側で正
に帯電したイオンとｐ側で負に帯電したイオンとを形成
するｐ−ｎ界面に形成されたデプレッション領域が存在
することである。水素は、ｐ型半導体ではプロトン（Ｈ
+）として拡散するので、このｐ−ｎ接合における内蔵
（built-in）電場は、正に帯電した水素イオンを抑圧し
て、水素が効率的に外方拡散することを防止する。加え
て、ｎ型半導体における水素の拡散性は、極端に低い。
は、材料の質が低下しうる。高温度アニールに受けたデ
バイスでは、実際、１５〜２０Ｖの初期順方向電圧が、
アニール後に、数ボルトだけ低減されたにすぎない。数
時間の高電流「ソーク（soak）」によって、抵抗性を有
するｐ型層における電子と正孔の再結合によるＭｇの活
性化に起因して、順方向電圧が約５Ｖだけ低減された。
しかしながら、この「ソーク」は、多くの理由により、
すなわち、バーンイン（burn-in）が必要とされるこ
と、完全な活性化を実現できないこと、順方向電圧は依
然として高いこと、残存する水素は逆効果（adverse ef
fects）を有しうること、および、潜在的な信頼性の問
題があることにより、望ましくない。ｐ型層から水素を
外方拡散させるのに、高温での長いアニールが不適当で
ある１つの理由は、上に位置するｎ型層が、表面から逃
げる水素に対する障壁として機能することである。これ
に対する１つの理由は、デプレッション領域のｎ側で正
に帯電したイオンとｐ側で負に帯電したイオンとを形成
するｐ−ｎ界面に形成されたデプレッション領域が存在
することである。水素は、ｐ型半導体ではプロトン（Ｈ
+）として拡散するので、このｐ−ｎ接合における内蔵
（built-in）電場は、正に帯電した水素イオンを抑圧し
て、水素が効率的に外方拡散することを防止する。加え
て、ｎ型半導体における水素の拡散性は、極端に低い。
【００１６】トンネル接合ＬＥＤ、ヘテロ接合バイポー
ラトランジスタ、および、ｐ型埋込み層を組み込んだそ
の他の構造における、ｐ型埋込み層の伝導性を増加させ
る技術が必要とされている。
ラトランジスタ、および、ｐ型埋込み層を組み込んだそ
の他の構造における、ｐ型埋込み層の伝導性を増加させ
る技術が必要とされている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施形態で
は、III-Ｖ族埋込みｐ型層（アクセプタをドーピングし
た層）を組み込んだウェハは、ｐ型層にトレンチを形成
して該ｐ型層の面を露出させるためにエッチングされ
る。
は、III-Ｖ族埋込みｐ型層（アクセプタをドーピングし
た層）を組み込んだウェハは、ｐ型層にトレンチを形成
して該ｐ型層の面を露出させるためにエッチングされ
る。
【００１８】エッチングの後、ウェハは、従来技術で用
いられる典型的な８００℃の温度以下とすることができ
るアニール温度でアニールされる。アニールの長さは、
ｐ型層の露出させた面の間隔に依存する。水素は、上に
位置するｎ型層ではなく、ｐ型層を通ってトレンチによ
り露出させた面から容易に拡散する。この結果、従来技
術にかかるｐ型の埋込み層よりも伝導性の高いｐ型の埋
込み層が得られる。
いられる典型的な８００℃の温度以下とすることができ
るアニール温度でアニールされる。アニールの長さは、
ｐ型層の露出させた面の間隔に依存する。水素は、上に
位置するｎ型層ではなく、ｐ型層を通ってトレンチによ
り露出させた面から容易に拡散する。この結果、従来技
術にかかるｐ型の埋込み層よりも伝導性の高いｐ型の埋
込み層が得られる。
【００１９】別の実施形態では、Ｍｇをドーピングした
ベース層（Ｍｇドーピングベース層）がｎ型エミッタ層
の下に埋め込まれるようなヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタにおけると同様に、ｎ型エミッタ層は、Ｍｇドー
ピングベース層の上部領域を露出させるようにエッチン
グされる。この露出させた領域については、後に形成さ
れる金属コンタクトとしてのコンタクト領域とすること
ができる。アニール工程は、Ｍｇドーピングベース層全
体から上記露出させた領域を通って水素が外方拡散する
ことができるように、金属コンタクトが形成される前に
実行される。
ベース層（Ｍｇドーピングベース層）がｎ型エミッタ層
の下に埋め込まれるようなヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタにおけると同様に、ｎ型エミッタ層は、Ｍｇドー
ピングベース層の上部領域を露出させるようにエッチン
グされる。この露出させた領域については、後に形成さ
れる金属コンタクトとしてのコンタクト領域とすること
ができる。アニール工程は、Ｍｇドーピングベース層全
体から上記露出させた領域を通って水素が外方拡散する
ことができるように、金属コンタクトが形成される前に
実行される。
【００２０】埋込み型のIII-Ｖ族ｐ型層を露出させるた
めのどのような技術についても、ｐ型層から水素を外方
拡散させるために、アニール工程に先行して実行するこ
とができる。
めのどのような技術についても、ｐ型層から水素を外方
拡散させるために、アニール工程に先行して実行するこ
とができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図３は、サファイア、ＳｉＣまた
はその他の材料により形成された基層３０を備えたウェ
ハの一部の断面図である。基層３０については、透明ま
たは不透明とすることができる。ＡｌＧａＮまたはその
他のIII-Ｖ族化合物半導体材料のような化合物により形
成されたｎ型層３２が、典型的には有機金属化学気相成
長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて基層３０の上に形成され
る。このようなエピタキシャル層を成長させることは、
従来より非常によく知られており、様々なガスを導入し
て、シリコンのようなｎ型ドーパントだけでなくIII-Ｖ
族化合物に寄与させることにより、実行される。これら
の層については、５００℃―１１００℃の範囲の温度ま
たはさらに高い温度で成長させる。このような成長処理
については、米国特許第５,７２９,０２９号および第
６,１３３,５８９号に記載されており、これらの特許は
引用により本明細書に含められる。
はその他の材料により形成された基層３０を備えたウェ
ハの一部の断面図である。基層３０については、透明ま
たは不透明とすることができる。ＡｌＧａＮまたはその
他のIII-Ｖ族化合物半導体材料のような化合物により形
成されたｎ型層３２が、典型的には有機金属化学気相成
長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて基層３０の上に形成され
る。このようなエピタキシャル層を成長させることは、
従来より非常によく知られており、様々なガスを導入し
て、シリコンのようなｎ型ドーパントだけでなくIII-Ｖ
族化合物に寄与させることにより、実行される。これら
の層については、５００℃―１１００℃の範囲の温度ま
たはさらに高い温度で成長させる。このような成長処理
については、米国特許第５,７２９,０２９号および第
６,１３３,５８９号に記載されており、これらの特許は
引用により本明細書に含められる。
【００２２】ｎ型層３２は、典型的には１〜２μｍの間
であり、結果として得られるＬＥＤおよび基層材料の所
望特性に多少依存する。ｎ型層３２は、ｎ型材料のいく
つかの層を含み、また、ドーピングされていない層を含
むことができる。
であり、結果として得られるＬＥＤおよび基層材料の所
望特性に多少依存する。ｎ型層３２は、ｎ型材料のいく
つかの層を含み、また、ドーピングされていない層を含
むことができる。
【００２３】ｎ型層３２の上には、例えばＡｌＧａＩｎ
Ｎのｐ型層３４が形成される。III-Ｖ族化合物について
の一般的なアクセプタドーパントは、マグネシウムであ
る。ｐ型層３４は、アクセプタをドーピングした材料の
いくつかの層を含むことができる。ｐ型層３４は、典型
的には、多くドーピングがなされ、５×１０18ｃｍ-3よ
り高いＭｇ濃度を実現する。
Ｎのｐ型層３４が形成される。III-Ｖ族化合物について
の一般的なアクセプタドーパントは、マグネシウムであ
る。ｐ型層３４は、アクセプタをドーピングした材料の
いくつかの層を含むことができる。ｐ型層３４は、典型
的には、多くドーピングがなされ、５×１０18ｃｍ-3よ
り高いＭｇ濃度を実現する。
【００２４】この後、第２のｎ型層３６をｐ型層３４の
上にエピタキシャル成長させる。ｎ型層３６もまた多数
のｎ型層を含むことができる。
上にエピタキシャル成長させる。ｎ型層３６もまた多数
のｎ型層を含むことができる。
【００２５】上述したように、ＮＨ3は、いくつかの層
における窒素に寄与するための一般的なガスである。Ｎ
Ｈ3は、また、ｐ型層３４に入る自由水素（free hydrog
en）に寄与し、この自由水素がｐ型層３４におけるたい
ていのＭｇアクセプタを活性化する。この結果、ｐ型層
３４は、抵抗性（約５０００Ω-ｃｍ）を有することに
なり、たいていのデバイス構造で使用することができな
いものとなる。典型的にはアクセプタをドーピングした
層（アクセプタドーピング層）から水素を外方拡散させ
るために用いられる、水素の存在しない環境における非
対称成長（as-grown）エピタキシャルウェハに対する従
来のアニールは、ｐ型層３４の上に位置するｎ型層３６
が水素の外方拡散を阻止することに起因して、効果的で
はない。
における窒素に寄与するための一般的なガスである。Ｎ
Ｈ3は、また、ｐ型層３４に入る自由水素（free hydrog
en）に寄与し、この自由水素がｐ型層３４におけるたい
ていのＭｇアクセプタを活性化する。この結果、ｐ型層
３４は、抵抗性（約５０００Ω-ｃｍ）を有することに
なり、たいていのデバイス構造で使用することができな
いものとなる。典型的にはアクセプタをドーピングした
層（アクセプタドーピング層）から水素を外方拡散させ
るために用いられる、水素の存在しない環境における非
対称成長（as-grown）エピタキシャルウェハに対する従
来のアニールは、ｐ型層３４の上に位置するｎ型層３６
が水素の外方拡散を阻止することに起因して、効果的で
はない。
【００２６】Ｍｇアクセプタを活性化すべく水素をｐ型
層３４から逃がすための実現方法を提供するためには、
ウェハの表面は、図４に示すように従来の写真石版術技
術を用いてパターン付されエッチングされ、ｐ型層３４
の面４０を露出させるべくトレンチ３８が形成される。
一実施形態では、トレンチ３８間のｐ型層３４の幅は、
ほぼ１μｍ〜１０００μｍであり、ｐ型層３４の厚さ
（ｔp）は、ほぼ５００オングストローム〜５μｍであ
る。トレンチ間の各ｐ型層部分の幅については、ダイス
および実装の後の最終的なＬＥＤの幅より著しく小さく
することができるので、各ＬＥＤに多数のトレンチが存
在しうる。トレンチについては、図４に示すように引き
伸ばしたストリップとして形成することができ、また
は、任意の幾何学的外形（正方形または円形の穴、ヘビ
状パターン等）を用いて形成することができる。
層３４から逃がすための実現方法を提供するためには、
ウェハの表面は、図４に示すように従来の写真石版術技
術を用いてパターン付されエッチングされ、ｐ型層３４
の面４０を露出させるべくトレンチ３８が形成される。
一実施形態では、トレンチ３８間のｐ型層３４の幅は、
ほぼ１μｍ〜１０００μｍであり、ｐ型層３４の厚さ
（ｔp）は、ほぼ５００オングストローム〜５μｍであ
る。トレンチ間の各ｐ型層部分の幅については、ダイス
および実装の後の最終的なＬＥＤの幅より著しく小さく
することができるので、各ＬＥＤに多数のトレンチが存
在しうる。トレンチについては、図４に示すように引き
伸ばしたストリップとして形成することができ、また
は、任意の幾何学的外形（正方形または円形の穴、ヘビ
状パターン等）を用いて形成することができる。
【００２７】好ましい実施形態では、ＳｉＯ2のマス
ク、金属またはフォトレジストを用いた後、トレンチ３
８をエッチングするべくＲＩＥエッチングが実行され
る。この後、マスクが除去され、ウェハは、十分な水素
がｐ型層３４における露出させた面４０を通って外方拡
散するまで、２００〜９００℃の間のアニール温度でア
ニールされる。一実施形態では、アニールは、１０分間
８００℃で実行される。アクセプタをドーピングした層
（アクセプタドーピング層）３４（最初はｐ型であるが
高抵抗率を有する）は、ここでは、低抵抗率を有するｐ
型である。ｐ型層３４の露出させた面４０から水素を外
方拡散させるためのアニールパラメータは、アスペクト
比（Ｗ／ｔp）に依存する。アニール工程は、典型的に
は、ほとんどすべての水素を外方拡散させる。アニール
前の初期正孔密度は、典型的には、約５×１０15ｃｍ-3
であり、アニール後の最終的な正孔密度は、典型的に
は、１×１０17ｃｍ-3より大きい。
ク、金属またはフォトレジストを用いた後、トレンチ３
８をエッチングするべくＲＩＥエッチングが実行され
る。この後、マスクが除去され、ウェハは、十分な水素
がｐ型層３４における露出させた面４０を通って外方拡
散するまで、２００〜９００℃の間のアニール温度でア
ニールされる。一実施形態では、アニールは、１０分間
８００℃で実行される。アクセプタをドーピングした層
（アクセプタドーピング層）３４（最初はｐ型であるが
高抵抗率を有する）は、ここでは、低抵抗率を有するｐ
型である。ｐ型層３４の露出させた面４０から水素を外
方拡散させるためのアニールパラメータは、アスペクト
比（Ｗ／ｔp）に依存する。アニール工程は、典型的に
は、ほとんどすべての水素を外方拡散させる。アニール
前の初期正孔密度は、典型的には、約５×１０15ｃｍ-3
であり、アニール後の最終的な正孔密度は、典型的に
は、１×１０17ｃｍ-3より大きい。
【００２８】図５は、ウェハの上の単一ＬＥＤ構造の上
面図である。図５に示すように、ＴｉＡｌのようなコン
タクト金属４４（点線で示されている）を堆積およびパ
ターン付けして、ｎ型層３６および３２を有するオーミ
ックコンタクトにおいて金属ラインを形成する。図１を
参照して説明したように、上部ｎ型層３６は、ｐ型層３
４に対して、反転バイアスされる。トンネル電流が接合
を通して流れることにより、ｐ型層３４は、上部ｎ型層
３６に印加されたバイアス電圧に効果的に結合すること
になる。順方向バイアス電圧が下部のｐ−ｎ接合に印加
される。電子と正孔とが典型的にはｎ型層３２の上部付
近に配置された活性領域で再結合する際に、光が発せら
れる。メタル４４を接触させるためにワイヤボンドを用
いることができ、または、デバイスについては、金属４
４のまわりのボンディングパッドがサブマウント上のパ
ッドに直接半田付けされるようなフリップチップとする
ことができる。金属４４を用いないさらなるトレンチ３
８を形成して、水素の外方拡散の助けとすることができ
る。
面図である。図５に示すように、ＴｉＡｌのようなコン
タクト金属４４（点線で示されている）を堆積およびパ
ターン付けして、ｎ型層３６および３２を有するオーミ
ックコンタクトにおいて金属ラインを形成する。図１を
参照して説明したように、上部ｎ型層３６は、ｐ型層３
４に対して、反転バイアスされる。トンネル電流が接合
を通して流れることにより、ｐ型層３４は、上部ｎ型層
３６に印加されたバイアス電圧に効果的に結合すること
になる。順方向バイアス電圧が下部のｐ−ｎ接合に印加
される。電子と正孔とが典型的にはｎ型層３２の上部付
近に配置された活性領域で再結合する際に、光が発せら
れる。メタル４４を接触させるためにワイヤボンドを用
いることができ、または、デバイスについては、金属４
４のまわりのボンディングパッドがサブマウント上のパ
ッドに直接半田付けされるようなフリップチップとする
ことができる。金属４４を用いないさらなるトレンチ３
８を形成して、水素の外方拡散の助けとすることができ
る。
【００２９】１つの実験では、結果として得られるＬＥ
Ｄは、４ボルト未満の順方向電圧、および、トンネル接
合デバイスでも観測される最も均一なライトアップ（li
ght-up）パターンを有する。驚くべきことに、本技術
は、非常に大きなアスペクト比（Ｗ／ｔp）で動作する
ように思われる。この技術は、熱ダメージを最小化する
一方でより完全な活性化を実現する明らかな利益を有す
る。これは、アニールがより低い温度でより短い時間で
実行されるからかもしれない。この技術は、特に、ＨＢ
Ｔ、トンネル接合ＬＥＤまたはレーザのようなデバイス
を製造することに適用される。
Ｄは、４ボルト未満の順方向電圧、および、トンネル接
合デバイスでも観測される最も均一なライトアップ（li
ght-up）パターンを有する。驚くべきことに、本技術
は、非常に大きなアスペクト比（Ｗ／ｔp）で動作する
ように思われる。この技術は、熱ダメージを最小化する
一方でより完全な活性化を実現する明らかな利益を有す
る。これは、アニールがより低い温度でより短い時間で
実行されるからかもしれない。この技術は、特に、ＨＢ
Ｔ、トンネル接合ＬＥＤまたはレーザのようなデバイス
を製造することに適用される。
【００３０】この技術については、ｎ型層の下に埋め込
まれたｐ型層に適用して説明してきたが、本発明は、ま
た、水素の外方拡散に対する障壁を形成する表面層を持
ったｐ型層を有数ル任意の構造にも適用することができ
るものである。このような障壁については、上に位置す
るｎ型層が存在しない場合でも起こる、表面準位誘導バ
ンドベンディング（surface-state-induced band-bendi
ng）とすることができる。
まれたｐ型層に適用して説明してきたが、本発明は、ま
た、水素の外方拡散に対する障壁を形成する表面層を持
ったｐ型層を有数ル任意の構造にも適用することができ
るものである。このような障壁については、上に位置す
るｎ型層が存在しない場合でも起こる、表面準位誘導バ
ンドベンディング（surface-state-induced band-bendi
ng）とすることができる。
【００３１】先に説明した図２は、従来のアニール工程
では上に位置するｎ型エミッタ２６により水素の外方拡
散が阻止されるので埋め込み型と考えられる、アクセプ
タをドーピングしたＧａＮベース層２５を示す。従来技
術では、アニールは、コンタクト領域を形成するための
ｎ型エミッタ２６のエッチングに先行して実行される。
よって、これまでは、構造をアニールすることによって
はベース層２５からすべての水素を除去できなかったの
で、高抵抗率を有するｐ型ベース層２５が形成されてい
た。
では上に位置するｎ型エミッタ２６により水素の外方拡
散が阻止されるので埋め込み型と考えられる、アクセプ
タをドーピングしたＧａＮベース層２５を示す。従来技
術では、アニールは、コンタクト領域を形成するための
ｎ型エミッタ２６のエッチングに先行して実行される。
よって、これまでは、構造をアニールすることによって
はベース層２５からすべての水素を除去できなかったの
で、高抵抗率を有するｐ型ベース層２５が形成されてい
た。
【００３２】図６は、アクセプタをドーピングした埋込
み型のＧａＮの層を有するデバイスを形成する際の中間
工程を示す。図６では、アクセプタをドーピングした埋
込み型のＧａＮ層６０は、上に位置するｎ型ＧａＮ層６
２をエッチングすることにより、露出される。この後、
層６０の露出させた表面部分の上に金属コンタクト６４
を形成することに先行して、露出させた表面部分を通し
て層６０から水素を外方拡散させるために、４００℃〜
９００℃でのアニールが実行される。図６におけるアク
セプタをドーピングした層６０の側面は、ウェハが未だ
ダイスされていないので、露出されていない。
み型のＧａＮの層を有するデバイスを形成する際の中間
工程を示す。図６では、アクセプタをドーピングした埋
込み型のＧａＮ層６０は、上に位置するｎ型ＧａＮ層６
２をエッチングすることにより、露出される。この後、
層６０の露出させた表面部分の上に金属コンタクト６４
を形成することに先行して、露出させた表面部分を通し
て層６０から水素を外方拡散させるために、４００℃〜
９００℃でのアニールが実行される。図６におけるアク
セプタをドーピングした層６０の側面は、ウェハが未だ
ダイスされていないので、露出されていない。
【００３３】よって、図４のトレンチ形成技術または図
６の技術は、アクセプタをドーピングした埋込み型の層
から水素を外方拡散させるために実行される。
６の技術は、アクセプタをドーピングした埋込み型の層
から水素を外方拡散させるために実行される。
【００３４】図６の基本的な構造は、ＬＥＤ、レーザー
ダイオード、ｐ−ｎ−ｐフォト検出器またはその他のデ
バイスを含む、多くのタイプの半導体デバイスのための
基礎となる。この構造は、また、高い電子移動度のトラ
ンジスタのような電子デバイスにおける並列伝導（para
llel-conduction）問題を防止するため使用されうる。
本発明の教示は、これらのデバイスのいずれにも適用す
ることが可能なものである。
ダイオード、ｐ−ｎ−ｐフォト検出器またはその他のデ
バイスを含む、多くのタイプの半導体デバイスのための
基礎となる。この構造は、また、高い電子移動度のトラ
ンジスタのような電子デバイスにおける並列伝導（para
llel-conduction）問題を防止するため使用されうる。
本発明の教示は、これらのデバイスのいずれにも適用す
ることが可能なものである。
【００３５】本明細書で説明した熱活性化処理について
も変更することが可能である。例えば、熱活性化処理
を、アクセプタの活性化の効率を増加させるために、ま
たは、４００℃以下の温度での活性化を可能とするため
に、紫外線露光、電子ビーム衝撃、超音波振動、また
は、電磁放射に対する露光と組み合わせることができ
る。
も変更することが可能である。例えば、熱活性化処理
を、アクセプタの活性化の効率を増加させるために、ま
たは、４００℃以下の温度での活性化を可能とするため
に、紫外線露光、電子ビーム衝撃、超音波振動、また
は、電磁放射に対する露光と組み合わせることができ
る。
【００３６】アクセプタをドーピングした埋込み型の層
については、特定の条件の元で非常に高い初期抵抗率
（さらには絶縁性）を有するように、成長させることが
できる。この場合、本発明の教示を依然として適用する
ことができる。
については、特定の条件の元で非常に高い初期抵抗率
（さらには絶縁性）を有するように、成長させることが
できる。この場合、本発明の教示を依然として適用する
ことができる。
【００３７】本発明の特定の実施形態を示して説明して
きたが、当業者であれば、本発明から逸脱することなく
本発明のさらに広い態様において変形および変更をする
ことが可能であり、したがって、別記請求項は、該請求
項の範囲内で、本発明の真の思想および範囲内に含まれ
るそういったあらゆる変形および変更を含むものであ
る。
きたが、当業者であれば、本発明から逸脱することなく
本発明のさらに広い態様において変形および変更をする
ことが可能であり、したがって、別記請求項は、該請求
項の範囲内で、本発明の真の思想および範囲内に含まれ
るそういったあらゆる変形および変更を含むものであ
る。
【図１】トンネル接合ＬＥＤ構造を示す断面図
【図２】典型的なヘテロ接合バイポーラトランジスタを
示す断面図
示す断面図
【図３】トンネル接合ＬＥＤを形成するためにｎ−ｐ−
ｎ層の上に成長させたエピタキシャルウェハの一部を示
す断面図
ｎ層の上に成長させたエピタキシャルウェハの一部を示
す断面図
【図４】図３のウェハ部分を示す断面図であって、ｐ型
層から水素を外方拡散させるためにウェハをアニールす
る前に埋込みｐ型層の面を露出させるべくエッチングさ
れる様子を示す図
層から水素を外方拡散させるためにウェハをアニールす
る前に埋込みｐ型層の面を露出させるべくエッチングさ
れる様子を示す図
【図５】トレンチを示しかつ金属ストリップを点線で示
す分離されたＬＥＤを示す上面図
す分離されたＬＥＤを示す上面図
【図６】ｐ型層の表面を露出させてｐ型層から水素を外
方拡散させるためにｎ型層をエッチングする前にアニー
ルされるＧａＮ半導体構造の一部を示す断面図
方拡散させるためにｎ型層をエッチングする前にアニー
ルされるＧａＮ半導体構造の一部を示す断面図
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F041 AA24 CA08 CA40 CA49 CA57
CA73 CA74 CA75
Claims (27)
- 【請求項１】 半導体構造を形成する方法であって、 アクセプタを用いてドーピングされたIII-Ｖ族化合物半
導体層を形成してアクセプタをドーピングした層（アク
セプタドーピング層）を形成する工程であって、アクセ
プタの大部分が該アクセプタドーピング層における水素
により活性化される工程と、 前記アクセプタドーピング層にトレンチを形成する工程
であって、該アクセプタドーピング層の面を露出させる
工程と、 前記トレンチにより露出させた前記アクセプタドーピン
グ層の前記面を通して水素を外方拡散させるために該ア
クセプタドーピング層をアニールする工程であって、前
記アクセプタを活性化させて該アクセプタドーピング層
における正孔密度を増加させかつ該アクセプタドーピン
グ層の抵抗率を低下させる工程と、を備えることを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 前記アニールする工程に先行して、前記
アクセプタドーピング層の上に位置するIII-Ｖ族のｎ型
ドーピング層を形成する工程を備える請求項１に記載の
方法。 - 【請求項３】 前記トレンチを形成する工程に先行し
て、前記III-Ｖ族のｎ型ドーピング層を形成する工程を
実行する請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記アクセプタドーピング層の下に位置
する第２のｎ型ドーピング層を形成する工程を備える請
求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記トレンチを形成する工程は、ほぼ１
μｍ〜１０００μｍを隔ててトレンチを形成する工程を
備える請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記アクセプタドーピング層を形成する
工程は、ほぼ５００オングストローム〜５μｍの間の厚
さを有するアクセプタドーピング層を形成する工程を備
える請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記アニールは、実質的に前記水素のす
べてを外方拡散させる請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記アクセプタはマグネシウムを含む請
求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 前記アニールする工程に先行して前記ア
クセプタドーピング層の上に位置するIII-Ｖ族ｎ型ドー
ピング層を形成する工程を備え、前記半導体構造は発光
ダイオードを形成する請求項１に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記アクセプタドーピング層の下に位
置する第２のｎ型ドーピング層を形成して、トンネル接
合発光ダイオードを形成する工程を備える請求項９に記
載の方法。 - 【請求項１１】 前記アニールに先行して前記アクセプ
タドーピング層の上に位置するIII-Ｖ族ｎ型ドーピング
層を形成する工程と、 前記アクセプタドーピング層の下に位置する第２のドー
ピング層を形成して、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タを形成する工程と、を備える請求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記アニールは、ほぼ８５０℃未満の
温度で実行される請求項１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記アニールは、ほぼ４００℃〜６０
０℃の間の温度で実行される請求項１に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記アクセプタドーピング層は、複数
の層を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項１５】 アクセプタをドーピングしたIII-Ｖ族
化合物半導体層を含む埋込み層と、 前記埋込み層の表面の少なくとも一部の上に形成された
少なくとも１つの付加層と、 前記アクセプタドーピング層の面を露出させるために該
アクセプタドーピング層に形成された少なくとも１つの
トレンチと、を備え、 前記アクセプタドーピング層は、該アクセプタドーピン
グ層の前記面から水素を外方拡散させるためにアニール
され、前記アクセプタドーピング層内のアクセプタを活
性化させて前記アクセプタドーピング層における正孔密
度を増加させかつ該アクセプタドーピング層における抵
抗率を低下させることを特徴とする半導体構造。 - 【請求項１６】 前記アクセプタドーピング層は、発光
ダイオードにおける層を形成する請求項１５に記載の半
導体構造。 - 【請求項１７】 前記アクセプタドーピング層は、ヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタにおける層を形成する請
求項１５に記載の半導体構造。 - 【請求項１８】 前記アクセプタドーピング層は、トン
ネル接合発光ダイオードにおける層である請求項１５に
記載の半導体構造。 - 【請求項１９】 アクセプタを用いてドーピングされた
III-Ｖ族化合物半導体層を形成してアクセプタをドーピ
ングした層（アクセプタドーピング層）を形成する工程
であって、アクセプタの大部分が該アクセプタドーピン
グ層における水素により活性化される工程と、 前記アクセプタドーピング層の上に位置する第２の層を
形成する工程と、 前記第２の層をエッチングして前記アクセプタドーピン
グ層の一部を露出させる工程と、 少なくとも前記アクセプタドーピング層の前記露出させ
た部分を通して水素を外方拡散させるために該アクセプ
タドーピング層をアニールする工程であって、前記アク
セプタを活性化させて該アクセプタドーピング層におけ
る正孔の密度を増加させかつ該アクセプタドーピング層
の抵抗率を低下させる工程と、を含む処理により形成さ
れる半導体構造。 - 【請求項２０】 前記アクセプタドーピング層をアニー
ルする工程の後、該アクセプタドーピング層の前記露出
させた部分の少なくとも一部の上に金属コンタクト層を
形成する工程により形成される請求項１９に記載の半導
体構造。 - 【請求項２１】 前記構造は発光ダイオードである請求
項１９に記載の半導体構造。 - 【請求項２２】 前記構造はヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタである請求項１９に記載の半導体構造。 - 【請求項２３】 前記アニールは、８５０℃以下の温度
で実行される請求項１９に記載の半導体構造。 - 【請求項２４】 前記アニールは、ほぼ４００℃〜６０
０℃の間の温度で実行される請求項１９に記載の半導体
構造。 - 【請求項２５】 III-Ｖ族半導体埋込み層の抵抗を低減
させる方法であって、 アクセプタを用いてドーピングされたIII-Ｖ族化合物半
導体層を形成して前記アクセプタをドーピングした層
（アクセプタドーピング層）を形成する工程であって、
アクセプタの大部分が前記アクセプタドーピング層にお
ける水素により活性化させる工程と、 前記アクセプタドーピング層の上に位置する第２の層を
形成する工程と、 前記第２の層をエッチングして前記アクセプタドーピン
グ層の一部を露出させる工程と、 少なくとも前記アクセプタドーピング層の前記露出させ
た部分を通して水素を外方拡散させるために該アクセプ
タドーピング層をアニールする工程であって、前記アク
セプタを活性化させて該アクセプタドーピング層におけ
る正孔の密度を増加させかつ該アクセプタドーピング層
の抵抗率を低下させる工程と、を備えたことを特徴とす
る方法。 - 【請求項２６】 前記第２の層をエッチングする工程
は、前記アクセプタドーピング層にトレンチをエッチン
グする工程を備える請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】 前記第２の層をエッチングする工程
は、前記第２の層をエッチングして前記アクセプタドー
ピング層の表面を露出させる工程を含む請求項２５に記
載の方法。
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268775A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2006038665A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2008506251A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008227553A (ja) * | 2004-02-19 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR20110015510A (ko) * | 2008-06-13 | 2011-02-16 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반도체 몸체 및 반도체 몸체 제조 방법 |
| WO2012056770A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014154808A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Meijo University | 半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| JP2015115430A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015162631A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | サンケン電気株式会社 | 発光素子 |
| US20180035500A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Lumileds Llc | Dimming led circuit augmenting dc/dc controller integrated circuit |
| JP2019517144A (ja) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスのｐ型層を形成する方法 |
| US10749070B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-08-18 | Lumileds Llc | Method of forming a P-type layer for a light emitting device |
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Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
| JP2004134750A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
| DE10261425A1 (de) * | 2002-12-30 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
| US6869812B1 (en) * | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
| US20060255349A1 (en) * | 2004-05-11 | 2006-11-16 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
| KR101660870B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2016-09-28 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | 보상형 게이트 미스페트 |
| WO2010118087A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Efficient Power Conversion Corporation | Enhancement mode gan hemt device and method for fabricating the same |
| US8823012B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-09-02 | Efficient Power Conversion Corporation | Enhancement mode GaN HEMT device with gate spacer and method for fabricating the same |
| CN102782818B (zh) | 2010-01-27 | 2016-04-27 | 耶鲁大学 | 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用 |
| CN102064252A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-05-18 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP5775321B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2015-09-09 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
| US9583353B2 (en) | 2012-06-28 | 2017-02-28 | Yale University | Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication |
| US11095096B2 (en) | 2014-04-16 | 2021-08-17 | Yale University | Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
| CN107078190B (zh) | 2014-09-30 | 2020-09-08 | 耶鲁大学 | 用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法 |
| US11018231B2 (en) * | 2014-12-01 | 2021-05-25 | Yale University | Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers |
| EP3298624B1 (en) | 2015-05-19 | 2023-04-19 | Yale University | A method and device concerning iii-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer |
| KR20170012798A (ko) * | 2015-07-24 | 2017-02-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
| JP7050060B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2022-04-07 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 紫外線照射下で発光デバイスを成長させる方法 |
| US10541352B2 (en) * | 2016-10-28 | 2020-01-21 | Lumileds Llc | Methods for growing light emitting devices under ultra-violet illumination |
| EP4071835A1 (en) | 2017-11-07 | 2022-10-12 | Gallium Enterprises Pty Ltd | Buried activated p-(al,in)gan layers |
| US10804429B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-10-13 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication |
| CN110085707B (zh) * | 2018-01-25 | 2021-02-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | Iii族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用 |
| DE102018107483A1 (de) * | 2018-03-28 | 2019-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement mit einer vielzahl von stegen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen bauelements |
| JP2022533187A (ja) * | 2019-05-16 | 2022-07-21 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー | イオン注入及びイオン注入後の焼鈍を用いた埋込ドーパントの活性化を備える装置及び方法 |
| US11264530B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-03-01 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with nucleation layer |
| US11211527B2 (en) | 2019-12-19 | 2021-12-28 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with high density textures |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252499A (en) | 1988-08-15 | 1993-10-12 | Rothschild G F Neumark | Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation |
| US5306662A (en) | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| JPH08264833A (ja) | 1995-03-10 | 1996-10-11 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオード |
| US5729029A (en) | 1996-09-06 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Maximizing electrical doping while reducing material cracking in III-V nitride semiconductor devices |
| US6291840B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
| JP2000183465A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Pioneer Electronic Corp | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
| JP3833848B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2006-10-18 | パイオニア株式会社 | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
| US6133589A (en) | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
-
2001
- 2001-06-11 US US09/879,549 patent/US6537838B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-10 DE DE10225777A patent/DE10225777A1/de not_active Withdrawn
- 2002-06-10 TW TW091112727A patent/TW548725B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-10 JP JP2002168326A patent/JP4381656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227553A (ja) * | 2004-02-19 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7569863B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-08-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2005268775A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8377801B2 (en) | 2004-07-08 | 2013-02-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device and fabrication method thereof |
| JP2008506251A (ja) * | 2004-07-08 | 2008-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2006038665A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2011523219A (ja) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体ボディおよび半導体ボディの製造方法 |
| KR101642524B1 (ko) | 2008-06-13 | 2016-07-25 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반도체 몸체 및 반도체 몸체 제조 방법 |
| US8581264B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-11-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor body and method of producing a semiconductor body |
| KR20110015510A (ko) * | 2008-06-13 | 2011-02-16 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반도체 몸체 및 반도체 몸체 제조 방법 |
| WO2012056770A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8981428B2 (en) | 2010-10-27 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device including GaN-based compound semiconductor stacked layer and method for producing the same |
| JP2014154808A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Meijo University | 半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| JP2015115430A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015162631A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | サンケン電気株式会社 | 発光素子 |
| JP2019517144A (ja) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスのｐ型層を形成する方法 |
| US10749070B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-08-18 | Lumileds Llc | Method of forming a P-type layer for a light emitting device |
| JP2020182003A (ja) * | 2016-05-20 | 2020-11-05 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスのｐ型層を形成する方法 |
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| US11404599B2 (en) | 2016-05-20 | 2022-08-02 | Lumileds Llc | Method of forming a p-type layer for a light emitting device |
| US20180035500A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Lumileds Llc | Dimming led circuit augmenting dc/dc controller integrated circuit |
| US10959306B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-03-23 | Lumileds Llc | Dimming LED circuit augmenting DC/DC controller integrated circuit |
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| Publication number | Publication date |
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