JP2000183465A - ３族窒化物半導体素子製造方法 - Google Patents
３族窒化物半導体素子製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶層ｐ型化のための熱処理工程において、
２族元素を添加した３族窒化物半導体からなる結晶層に
おける正孔濃度を向上させかつ処理の低温化を可能とす
る３族窒化物半導体素子製造方法を提供する。 【解決手段】 ３族窒化物半導体素子の製造方法におい
て、２族元素を添加した３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ
1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる
結晶層を形成する工程と、熱処理雰囲気中において該結
晶層を所定温度範囲に加熱し、所定温度範囲に維持され
ている期間の少なくとも一部の期間において、熱処理雰
囲気中へ炭化水素ガスを添加する熱処理工程と、を含
む。
２族元素を添加した３族窒化物半導体からなる結晶層に
おける正孔濃度を向上させかつ処理の低温化を可能とす
る３族窒化物半導体素子製造方法を提供する。 【解決手段】 ３族窒化物半導体素子の製造方法におい
て、２族元素を添加した３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ
1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる
結晶層を形成する工程と、熱処理雰囲気中において該結
晶層を所定温度範囲に加熱し、所定温度範囲に維持され
ている期間の少なくとも一部の期間において、熱処理雰
囲気中へ炭化水素ガスを添加する熱処理工程と、を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３族窒化物半導体
素子（以下、素子とも記述する）に関し、特に、その素
子の作製方法に関する。
素子（以下、素子とも記述する）に関し、特に、その素
子の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード及び半導体レーザダイオ
ード等の発光素子の分野において、３族窒化物半導体
（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）の単結晶にマグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛（Ｚｎ）等
の２族元素が不純物として添加された結晶層を有する半
導体発光素子が、青色発光可能な素子として注目されて
いる。
ード等の発光素子の分野において、３族窒化物半導体
（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）の単結晶にマグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛（Ｚｎ）等
の２族元素が不純物として添加された結晶層を有する半
導体発光素子が、青色発光可能な素子として注目されて
いる。
【０００３】上述の窒化物半導体のエピタキシャル成長
は、通常、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
よって行なわれるが、ＭＯＣＶＤ法を用いＭｇやＺｎ等
の２族元素が添加された（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ
（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）結晶は、成長したまま（as
-grown：アズグロン）では極めて高抵抗であり、青色発
光素子を作製しようとしても、電流を通ずることができ
ない。
は、通常、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に
よって行なわれるが、ＭＯＣＶＤ法を用いＭｇやＺｎ等
の２族元素が添加された（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ
（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）結晶は、成長したまま（as
-grown：アズグロン）では極めて高抵抗であり、青色発
光素子を作製しようとしても、電流を通ずることができ
ない。
【０００４】近年、Ｍｇ等の２族元素を添加し高抵抗化
した（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）結晶に特殊な処理を施すことにより、低抵抗ｐ型
化する方法が報告されている。Ｈ．Ａｍａｎｏ等は結晶
に低加速電子線照射処理を施すことにより、低抵抗ｐ型
化することを見出している（H. Amano et al.: Jp. App
l. Phys. Vol.28, 1989, pp. L2112-2114）。また、S.
Nakamura等は、窒素雰囲気大気圧下又は加圧下で加熱処
理を結晶に施すことによって、やはり低抵抗ｐ型化する
ことを見出している（S. Nakamura et al.: Jpn. J. Ap
pl. Phys. Vol.31, 1992,ppL 139-142）。
した（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）結晶に特殊な処理を施すことにより、低抵抗ｐ型
化する方法が報告されている。Ｈ．Ａｍａｎｏ等は結晶
に低加速電子線照射処理を施すことにより、低抵抗ｐ型
化することを見出している（H. Amano et al.: Jp. App
l. Phys. Vol.28, 1989, pp. L2112-2114）。また、S.
Nakamura等は、窒素雰囲気大気圧下又は加圧下で加熱処
理を結晶に施すことによって、やはり低抵抗ｐ型化する
ことを見出している（S. Nakamura et al.: Jpn. J. Ap
pl. Phys. Vol.31, 1992,ppL 139-142）。
【０００５】これらのｐ型化処理の機構は、成膜時にお
いてＭｇ等の２族元素のアクセプタ不純物と膜中で結合
してこれを不導態化している水素原子が、上記処理によ
って解離脱離するものとして解釈されている。上記低加
速電子線照射処理による方法は、発現するｐ型の室温正
孔濃度値としてＥ１８／ｃｃ台の極めて高いものが得ら
れるものの、処理される深さが電子線の浸透深さで制限
され、加速電圧６−３０ｋＶに対して約０．３μｍ程度
であった（S. Nakamura et al.: Jpn. J. Appl. Phys.
Vol.31, 1992,ppL 139-142）。また、真空中で電子線を
掃引することによって処理を行なうことになるため、装
置が大がかりになる上、１枚のウエハを処理するのに必
要な時間が長くなるのが、素子の量産化への適用上の難
点であった。
いてＭｇ等の２族元素のアクセプタ不純物と膜中で結合
してこれを不導態化している水素原子が、上記処理によ
って解離脱離するものとして解釈されている。上記低加
速電子線照射処理による方法は、発現するｐ型の室温正
孔濃度値としてＥ１８／ｃｃ台の極めて高いものが得ら
れるものの、処理される深さが電子線の浸透深さで制限
され、加速電圧６−３０ｋＶに対して約０．３μｍ程度
であった（S. Nakamura et al.: Jpn. J. Appl. Phys.
Vol.31, 1992,ppL 139-142）。また、真空中で電子線を
掃引することによって処理を行なうことになるため、装
置が大がかりになる上、１枚のウエハを処理するのに必
要な時間が長くなるのが、素子の量産化への適用上の難
点であった。
【０００６】一方、上記熱処理による方法は、処理深さ
については低加速電子線照射処理ほどの強い制約はな
く、また、多数のウエハを加熱炉に入れて一度に処理で
きるため、素子の量産に適している。しかしながら、加
熱による方法の場合、この現象を発見したS. Nakamura
等の実験結果でも明らかなように、室温正孔濃度として
３Ｅ１７／ｃｃと、低加速電子線照射処理より明らかに
低い値にとどまっている。この３Ｅ１７／ｃｃという室
温正孔濃度の値は、発光ダイオードや半導体レーザの基
本構成要件であるｐｎダイオードを形成するには十分な
値であり、この加熱処理により実際に発光ダイオードが
製造されるに至っている。
については低加速電子線照射処理ほどの強い制約はな
く、また、多数のウエハを加熱炉に入れて一度に処理で
きるため、素子の量産に適している。しかしながら、加
熱による方法の場合、この現象を発見したS. Nakamura
等の実験結果でも明らかなように、室温正孔濃度として
３Ｅ１７／ｃｃと、低加速電子線照射処理より明らかに
低い値にとどまっている。この３Ｅ１７／ｃｃという室
温正孔濃度の値は、発光ダイオードや半導体レーザの基
本構成要件であるｐｎダイオードを形成するには十分な
値であり、この加熱処理により実際に発光ダイオードが
製造されるに至っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こうした加熱処理を用
いて半導体レーザ素子を作製した場合、室温正孔濃度が
３Ｅ１７／ｃｃ程度であるために電極部分の接触抵抗が
問題点となって残ってしまう。また、膜全体の室温正孔
濃度を上げようとして処理温度を高めると、膜表面近傍
の窒素が脱離することにより窒素空孔が発生し、この窒
素空孔がドナーとして働いてアクセプタを補償してしま
うため、表面近傍の正孔濃度はかえって減少してしまう
ことになる。この結果、電極の接触状況はかえって悪化
してしまう。また、処理温度を高く設定することは素子
構造を構成する各層間の相互拡散を助長することにもな
り、素子の発光特性そのものも劣化してしまうという問
題点もあった。
いて半導体レーザ素子を作製した場合、室温正孔濃度が
３Ｅ１７／ｃｃ程度であるために電極部分の接触抵抗が
問題点となって残ってしまう。また、膜全体の室温正孔
濃度を上げようとして処理温度を高めると、膜表面近傍
の窒素が脱離することにより窒素空孔が発生し、この窒
素空孔がドナーとして働いてアクセプタを補償してしま
うため、表面近傍の正孔濃度はかえって減少してしまう
ことになる。この結果、電極の接触状況はかえって悪化
してしまう。また、処理温度を高く設定することは素子
構造を構成する各層間の相互拡散を助長することにもな
り、素子の発光特性そのものも劣化してしまうという問
題点もあった。
【０００８】そこで、本発明では、結晶層ｐ型化のため
の熱処理工程において、２族元素を添加した３族窒化物
半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦１）からなる結晶層における正孔濃度を向上させ、
該処理の低温化を可能とする３族窒化物半導体素子製造
方法を提供することを目的とする。
の熱処理工程において、２族元素を添加した３族窒化物
半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦１）からなる結晶層における正孔濃度を向上させ、
該処理の低温化を可能とする３族窒化物半導体素子製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、３族窒化物半
導体素子の製造方法であって、２族元素を添加した３族
窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層を形成する工程と、熱
処理雰囲気中において前記結晶層を所定温度範囲に加熱
し、前記所定温度範囲に維持されている期間の少なくと
も一部の期間において、前記熱処理雰囲気中へ炭化水素
ガスを添加する熱処理工程と、を含むことを特徴とす
る。
導体素子の製造方法であって、２族元素を添加した３族
窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層を形成する工程と、熱
処理雰囲気中において前記結晶層を所定温度範囲に加熱
し、前記所定温度範囲に維持されている期間の少なくと
も一部の期間において、前記熱処理雰囲気中へ炭化水素
ガスを添加する熱処理工程と、を含むことを特徴とす
る。
【００１０】本発明による態様においては、前記炭化水
素ガスが、分子内に少なくとも１つの不飽和結合を有す
る炭化水素化合物、例えば、エチレン、プロピレン、ブ
タジエンであることを特徴とする。本発明による他の態
様においては、前記炭化水素ガスがエタン、プロパン又
はブタンであることを特徴とする。
素ガスが、分子内に少なくとも１つの不飽和結合を有す
る炭化水素化合物、例えば、エチレン、プロピレン、ブ
タジエンであることを特徴とする。本発明による他の態
様においては、前記炭化水素ガスがエタン、プロパン又
はブタンであることを特徴とする。
【００１１】本発明による他の態様においては、前記熱
処理工程において、前記結晶層の最表層に位置する３族
窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）のエネルギ禁制帯幅以上のエネルギを
有する光子又はこれを含む電磁波を、前記結晶層の表面
に照射することを特徴とする。本発明による他の態様に
おいては、前記熱処理工程において、前記所定温度範囲
を３００℃以上１０００℃以下とすることを特徴とす
る。
処理工程において、前記結晶層の最表層に位置する３族
窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）のエネルギ禁制帯幅以上のエネルギを
有する光子又はこれを含む電磁波を、前記結晶層の表面
に照射することを特徴とする。本発明による他の態様に
おいては、前記熱処理工程において、前記所定温度範囲
を３００℃以上１０００℃以下とすることを特徴とす
る。
【００１２】本発明による他の態様においては、前記熱
処理工程後の前記結晶層の降温処理工程において、電磁
波の照射を３００℃以下の温度まで継続することを特徴
とする。本発明による他の態様においては、前記結晶層
の形成が有機金属化学気相成長法で行なわれていること
を特徴とする。
処理工程後の前記結晶層の降温処理工程において、電磁
波の照射を３００℃以下の温度まで継続することを特徴
とする。本発明による他の態様においては、前記結晶層
の形成が有機金属化学気相成長法で行なわれていること
を特徴とする。
【００１３】本発明の第１態様の特徴は、熱処理雰囲気
中すなわちｐ型化のための熱アニール処理を行なう際の
雰囲気である窒素（Ｎ2）ガス中に、炭化水素化合物ガ
ス、例えば分子中に不飽和結合を有する炭化水素を添加
して、熱処理を行なうので、従来からの温度条件によっ
ても結晶層中の正孔濃度が向上する。また、本発明の第
２態様の特徴は、上記炭化水素化合物ガス導入に加え、
半導体結晶層の表面に光を照射しつつ処理を行なうの
で、熱アニール処理温度の低温化が可能となる。照射に
用いる光は、熱処理を施すべき素子ウエハあるいは試料
の最表面に位置する半導体層のエネルギギャップの値に
相当する波長より短波長のものを使用する。従って、半
導体が窒化ガリウム（ＧａＮ）である場合は３６５ｎｍ
より短波長の紫外線を用いる。
中すなわちｐ型化のための熱アニール処理を行なう際の
雰囲気である窒素（Ｎ2）ガス中に、炭化水素化合物ガ
ス、例えば分子中に不飽和結合を有する炭化水素を添加
して、熱処理を行なうので、従来からの温度条件によっ
ても結晶層中の正孔濃度が向上する。また、本発明の第
２態様の特徴は、上記炭化水素化合物ガス導入に加え、
半導体結晶層の表面に光を照射しつつ処理を行なうの
で、熱アニール処理温度の低温化が可能となる。照射に
用いる光は、熱処理を施すべき素子ウエハあるいは試料
の最表面に位置する半導体層のエネルギギャップの値に
相当する波長より短波長のものを使用する。従って、半
導体が窒化ガリウム（ＧａＮ）である場合は３６５ｎｍ
より短波長の紫外線を用いる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による素子作製方
法について実施例を図面を用いて説明する。図１は本発
明の３族窒化物半導体素子の製造方法に用いる熱処理装
置の一例を示す。本発明の第１及び第２実施例の基本的
相違は、電磁波の照射の有無のみであるので、同一の熱
処理装置により処理を行なうことができる。
法について実施例を図面を用いて説明する。図１は本発
明の３族窒化物半導体素子の製造方法に用いる熱処理装
置の一例を示す。本発明の第１及び第２実施例の基本的
相違は、電磁波の照射の有無のみであるので、同一の熱
処理装置により処理を行なうことができる。
【００１５】図１に示すステンレス製の熱処理炉本体１
中には、グラファイト製サセプタ２が配置され、サセプ
タ２は下部より石英製窓３を通して赤外線ランプ（図示
せず）により加熱される。紫外線光源４で発生した紫外
線は、光ファイバ５と石英製集光レンズ６と熱処理炉本
体１上部に設けられた石英製の光導入窓７を通してサセ
プタ２上に設置された素子ウエハ８（又はＧａＮ試料な
ど）へ照射されるようになっている。熱処理炉本体１に
は、熱処理炉内部を真空にする真空ポンプ（図示せず）
に連通する排気口９と、雰囲気ガス導入口１０と、ガス
排気口１１などが設けられている。
中には、グラファイト製サセプタ２が配置され、サセプ
タ２は下部より石英製窓３を通して赤外線ランプ（図示
せず）により加熱される。紫外線光源４で発生した紫外
線は、光ファイバ５と石英製集光レンズ６と熱処理炉本
体１上部に設けられた石英製の光導入窓７を通してサセ
プタ２上に設置された素子ウエハ８（又はＧａＮ試料な
ど）へ照射されるようになっている。熱処理炉本体１に
は、熱処理炉内部を真空にする真空ポンプ（図示せず）
に連通する排気口９と、雰囲気ガス導入口１０と、ガス
排気口１１などが設けられている。
【００１６】図２に示すように、第１及び第２実施例に
より作製するｐｎダイオードは、サファイア基板１２上
に順に積層された窒化アルニウム（ＡｌＮ）のバッファ
層１３、シリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型ＧａＮ層
１４、及びＭｇがドープされたＧａＮ層１５からなり、
電極１６及び１７がそれぞれｎ型ＧａＮ層１４及びＭｇ
ドープＧａＮ層１５に接続されている。ｐｎダイオード
は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）の保護層１８で表面が保
護され、電極１６，１７は窓部１９，２０のみでＧａＮ
膜と接触している。
より作製するｐｎダイオードは、サファイア基板１２上
に順に積層された窒化アルニウム（ＡｌＮ）のバッファ
層１３、シリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型ＧａＮ層
１４、及びＭｇがドープされたＧａＮ層１５からなり、
電極１６及び１７がそれぞれｎ型ＧａＮ層１４及びＭｇ
ドープＧａＮ層１５に接続されている。ｐｎダイオード
は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）の保護層１８で表面が保
護され、電極１６，１７は窓部１９，２０のみでＧａＮ
膜と接触している。
【００１７】（ウエハの作製）基板１２となるサファイ
アウエハを成膜用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０
℃の温度において水素気流中で１０分間保持し、基板表
面熱クリーニングを行なう。この後、基板温度を６００
℃まで降温し、窒素原料であるアンモニア（ＮＨ3）と
アルミニウム（Ａｌ）原料であるトリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、低温ＡｌＮバッファ
層１３を２０ｎｍの厚さに堆積させる。続いてＴＭＡの
供給を止め、ＮＨ3のみを流したまま基板温度を１０５
０℃に昇温し、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を導入し
ＧａＮの成長を行なう。このときｎ型不純物としてＳｉ
を添加するためメチルシラン（Ｍｅ−ＳｉＨ3）を加え
る。Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層１４が２μｍ程度成長した
時点で、Ｍｅ−ＳｉＨ3の供給を止め、代わりにｐ型不
純物であるＭｇの原料であるエチルシクロペンタジエニ
ルマグネシウム（Ｅｔ−Ｃｐ2Ｍｇ）を導入する。Ｍｇ
添加ＧａＮ層１５が１μｍ程度成長した時点でＮＨ3以
外の原料供給を停止し、これと同時に降温を開始する。
室温近傍まで冷却後、素子ウエハを成膜装置から取り出
す。
アウエハを成膜用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０
℃の温度において水素気流中で１０分間保持し、基板表
面熱クリーニングを行なう。この後、基板温度を６００
℃まで降温し、窒素原料であるアンモニア（ＮＨ3）と
アルミニウム（Ａｌ）原料であるトリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡ）を反応炉内に導入し、低温ＡｌＮバッファ
層１３を２０ｎｍの厚さに堆積させる。続いてＴＭＡの
供給を止め、ＮＨ3のみを流したまま基板温度を１０５
０℃に昇温し、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を導入し
ＧａＮの成長を行なう。このときｎ型不純物としてＳｉ
を添加するためメチルシラン（Ｍｅ−ＳｉＨ3）を加え
る。Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層１４が２μｍ程度成長した
時点で、Ｍｅ−ＳｉＨ3の供給を止め、代わりにｐ型不
純物であるＭｇの原料であるエチルシクロペンタジエニ
ルマグネシウム（Ｅｔ−Ｃｐ2Ｍｇ）を導入する。Ｍｇ
添加ＧａＮ層１５が１μｍ程度成長した時点でＮＨ3以
外の原料供給を停止し、これと同時に降温を開始する。
室温近傍まで冷却後、素子ウエハを成膜装置から取り出
す。
【００１８】（ｐ型発現工程） ＜第１実施例の場合＞ＭＯＣＶＤ装置より取り出された
ウエハを図１に示した熱処理炉のサセプタ２上に設置
し、排気口９から真空ポンプ（図示せず）を用いて熱処
理炉内部を真空にする。しかる後にガス導入口１０から
エチレン（Ｃ2Ｈ4）を０．５％含む高純度窒素ガスを導
入して内部を置換し、大気圧に到達すると同時にガス排
気口１１を開放して処理炉内にガスフローを作る。赤外
線ランプでサセプタを８００℃まで昇温し、この状態を
維持し、２０分経過時点で降温を開始し室温近傍まで温
度が下がった時点でガスを止め、内部を再び真空に排気
した後、大気を導入し試料を取り出す。 ＜第２実施例の場合＞ＭＯＣＶＤ装置より取り出された
ウエハを図１の実施例の、熱処理炉のサセプタ２上に設
置し、排気口９から真空ポンプ（図示せず）を用いて熱
処理炉内部を真空にする。しかる後にガス導入口１０か
ら１，３−ブタジエン（１，３−Ｃ4Ｈ6）を０．５％含
む高純度窒素ガスを導入して内部を置換し、大気圧に到
達すると同時にガス排気口１１を開放して処理炉内にガ
スフローを作る。赤外線ランプでサセプタを４００℃ま
で昇温し、紫外線光源４からの光をウエハに照射しつつ
この状態を維持し、２０分経過時点で降温を開始し、温
度が３００℃以下になった時点で紫外線の照射を停止
し、室温近傍まで温度が下がった時点でガスを止め、内
部を再び真空に排気した後、大気を導入し試料を取り出
す。
ウエハを図１に示した熱処理炉のサセプタ２上に設置
し、排気口９から真空ポンプ（図示せず）を用いて熱処
理炉内部を真空にする。しかる後にガス導入口１０から
エチレン（Ｃ2Ｈ4）を０．５％含む高純度窒素ガスを導
入して内部を置換し、大気圧に到達すると同時にガス排
気口１１を開放して処理炉内にガスフローを作る。赤外
線ランプでサセプタを８００℃まで昇温し、この状態を
維持し、２０分経過時点で降温を開始し室温近傍まで温
度が下がった時点でガスを止め、内部を再び真空に排気
した後、大気を導入し試料を取り出す。 ＜第２実施例の場合＞ＭＯＣＶＤ装置より取り出された
ウエハを図１の実施例の、熱処理炉のサセプタ２上に設
置し、排気口９から真空ポンプ（図示せず）を用いて熱
処理炉内部を真空にする。しかる後にガス導入口１０か
ら１，３−ブタジエン（１，３−Ｃ4Ｈ6）を０．５％含
む高純度窒素ガスを導入して内部を置換し、大気圧に到
達すると同時にガス排気口１１を開放して処理炉内にガ
スフローを作る。赤外線ランプでサセプタを４００℃ま
で昇温し、紫外線光源４からの光をウエハに照射しつつ
この状態を維持し、２０分経過時点で降温を開始し、温
度が３００℃以下になった時点で紫外線の照射を停止
し、室温近傍まで温度が下がった時点でガスを止め、内
部を再び真空に排気した後、大気を導入し試料を取り出
す。
【００１９】（素子化工程）次に、第１及び第２実施例
の処理を経た素子ウエハのそれぞれに対して、一般的な
フォトリソグラフィを用いて、ウエハ上にエッチングマ
スクを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用
いてＭｇ添加ＧａＮ膜１５の不要な部分を除去し、部分
的にｎ型ＧａＮ膜１４を露出させる。
の処理を経た素子ウエハのそれぞれに対して、一般的な
フォトリソグラフィを用いて、ウエハ上にエッチングマ
スクを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用
いてＭｇ添加ＧａＮ膜１５の不要な部分を除去し、部分
的にｎ型ＧａＮ膜１４を露出させる。
【００２０】エッチングマスクを除去後、フォトレジス
トを塗布し、これをフォトリソグラフィにより電極形成
部分を残して除去し、この上にＳｉＯ2保護膜１８をス
パッタリング等の方法によって堆積させる。この後、リ
フトオフ法によってフォトレジストごと不要なＳｉＯ2
保護膜の部分すなわち電極成形部分のみ除去する。これ
により、電極形成用の窓部１９，２０が形成される。
トを塗布し、これをフォトリソグラフィにより電極形成
部分を残して除去し、この上にＳｉＯ2保護膜１８をス
パッタリング等の方法によって堆積させる。この後、リ
フトオフ法によってフォトレジストごと不要なＳｉＯ2
保護膜の部分すなわち電極成形部分のみ除去する。これ
により、電極形成用の窓部１９，２０が形成される。
【００２１】ｎ型ＧａＮ層１４が露出している窓部１９
に、チタン（Ｔｉ）を５０ｎｍ、続いてアルミニウム
（Ａｌ）を２００ｎｍ蒸着し、ｎ側電極１６を形成す
る。ｐ型ＧａＮ層１５が露出している窓部２０には、ニ
ッケル（Ｎｉ）を５０ｎｍ、金（Ａｕ）を２００ｎｍ蒸
着してｐ側電極１７を形成する。このようにして作製さ
れた素子ウエハを各素子に切断して特性の測定を行なっ
た。
に、チタン（Ｔｉ）を５０ｎｍ、続いてアルミニウム
（Ａｌ）を２００ｎｍ蒸着し、ｎ側電極１６を形成す
る。ｐ型ＧａＮ層１５が露出している窓部２０には、ニ
ッケル（Ｎｉ）を５０ｎｍ、金（Ａｕ）を２００ｎｍ蒸
着してｐ側電極１７を形成する。このようにして作製さ
れた素子ウエハを各素子に切断して特性の測定を行なっ
た。
【００２２】図３のｂ.は上記の実施例における第１実
施例の方法で処理されたウエハから作製した素子の電圧
電流特性を示す。これと比較するために、Ｎ2中で８０
０℃，２０分の通常のｐ型化処理を行なって作製した素
子の特性を図３のａ．で示す。従来例素子ａ．の場合、
特に電流の立上り部分での曲がりが著しく、材料である
ＧａＮのバンドギャップから予測される約３．４Ｖより
高い立上り電圧を示している。このことは、ｐ側電極部
分に何らかの電位障壁があることを示唆している。
施例の方法で処理されたウエハから作製した素子の電圧
電流特性を示す。これと比較するために、Ｎ2中で８０
０℃，２０分の通常のｐ型化処理を行なって作製した素
子の特性を図３のａ．で示す。従来例素子ａ．の場合、
特に電流の立上り部分での曲がりが著しく、材料である
ＧａＮのバンドギャップから予測される約３．４Ｖより
高い立上り電圧を示している。このことは、ｐ側電極部
分に何らかの電位障壁があることを示唆している。
【００２３】一方、本発明の処理法による図３の素子
ｂ．では立ち上り部分が従来例素子の場合に比べ顕著に
改善されており、電極の接触状態が大きく改善されたこ
とを示している。図３のｃ．は第２実施例の方法で処理
されたウエハから作製された素子の電圧電流特性であ
る。第１実施例の方法によるものとほぼ同等の特性を示
している。
ｂ．では立ち上り部分が従来例素子の場合に比べ顕著に
改善されており、電極の接触状態が大きく改善されたこ
とを示している。図３のｃ．は第２実施例の方法で処理
されたウエハから作製された素子の電圧電流特性であ
る。第１実施例の方法によるものとほぼ同等の特性を示
している。
【００２４】以下に、本発明の方法における作用機構に
ついて、従来の方法における問題点の発生原因に関する
考察を含め詳述する。Ｍｇ等の２族元素を添加した（Ａ
ｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）結
晶膜をＭＯＣＶＤ法により成長させると、膜中に水素が
取り込まれ、アクセプタ不純物となるべきＭｇが不動態
化される。この水素の量は、膜中に添加されているＭｇ
の量とほぼ等しく、膜中にＭｇ−Ｈの形に結合した状態
で取り込まれていると考察される。上述したように、窒
素雰囲気中で８００℃２０分程度の熱処理を行なうこと
によってこの水素が膜から脱離し、Ｍｇ原子濃度と、熱
処理後に残留している水素原子濃度の差分に相当する量
のアクセプタが膜中に現れる。従って、８００℃２０分
程度の熱処理の場合、最終的に得られる正孔濃度は、膜
中に添加されたＭｇ濃度で直接決定されているのではな
く、むしろ膜から離脱したＨの量で決定されていること
を示している。
ついて、従来の方法における問題点の発生原因に関する
考察を含め詳述する。Ｍｇ等の２族元素を添加した（Ａ
ｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）結
晶膜をＭＯＣＶＤ法により成長させると、膜中に水素が
取り込まれ、アクセプタ不純物となるべきＭｇが不動態
化される。この水素の量は、膜中に添加されているＭｇ
の量とほぼ等しく、膜中にＭｇ−Ｈの形に結合した状態
で取り込まれていると考察される。上述したように、窒
素雰囲気中で８００℃２０分程度の熱処理を行なうこと
によってこの水素が膜から脱離し、Ｍｇ原子濃度と、熱
処理後に残留している水素原子濃度の差分に相当する量
のアクセプタが膜中に現れる。従って、８００℃２０分
程度の熱処理の場合、最終的に得られる正孔濃度は、膜
中に添加されたＭｇ濃度で直接決定されているのではな
く、むしろ膜から離脱したＨの量で決定されていること
を示している。
【００２５】上述したようにＭｇ添加したＧａＮ膜から
のＨ離脱が不完全な状態で留まってしまうのは、脱離過
程のどこかに強い律速過程が存在するからであると考え
られる。アズグロンの試料の場合、膜中のＭｇ原子は水
素との間で、Ｍｇ−Ｈ複合体（ｃｏｍｐｌｅｘと呼ばれ
る）を形成しているものと考えられる。加熱（３００℃
程度）を行なうことによりこの複合体は解離する。この
過程は、
のＨ離脱が不完全な状態で留まってしまうのは、脱離過
程のどこかに強い律速過程が存在するからであると考え
られる。アズグロンの試料の場合、膜中のＭｇ原子は水
素との間で、Ｍｇ−Ｈ複合体（ｃｏｍｐｌｅｘと呼ばれ
る）を形成しているものと考えられる。加熱（３００℃
程度）を行なうことによりこの複合体は解離する。この
過程は、
【００２６】
【化１】 Ｍｇ-Ｈ → Ｍｇ- ＋ Ｈ＋ …… （１） と表されるが、この反応で発生したＨ＋は前述したよう
に膜中を比較的容易に拡散するものの、Ｈ＋のまま膜外
へ脱離することはできない。なぜなら、独立のＨ＋とは
陽子そのものであり、窒素ガスで満たされた熱処理炉内
雰囲気へそのまま出て行くことはできないからである。
つまり、膜表面から脱離していくのは水素ガス分子（Ｈ
2）である。
に膜中を比較的容易に拡散するものの、Ｈ＋のまま膜外
へ脱離することはできない。なぜなら、独立のＨ＋とは
陽子そのものであり、窒素ガスで満たされた熱処理炉内
雰囲気へそのまま出て行くことはできないからである。
つまり、膜表面から脱離していくのは水素ガス分子（Ｈ
2）である。
【００２７】このことは、水素の脱離には更に、まずＨ
＋が負電荷を獲得し中性化する過程、
＋が負電荷を獲得し中性化する過程、
【００２８】
【化２】Ｈ＋ ＋ ｅ- → Ｈ０ …… （２） と、この中性Ｈ０が会合し水素分子（Ｈ2）になる過
程、
程、
【００２９】
【化３】 Ｈ０ ＋ Ｈ０ → Ｈ2 …… （３） とが含まれていることを意味する。ＧａＮ結晶中におけ
る水素（Ｈ＋，Ｈ−，Ｈ０）の形成エネルギを計算する
と、いかなるフェルミレベルの条件に対してもＨ＋又は
Ｈ−という荷電状態よりＨ０の方が形成エネルギが高
く、つまり、Ｈ０なる中性状態は膜中で不安定である。
このことは、上記の中性化の式は、
る水素（Ｈ＋，Ｈ−，Ｈ０）の形成エネルギを計算する
と、いかなるフェルミレベルの条件に対してもＨ＋又は
Ｈ−という荷電状態よりＨ０の方が形成エネルギが高
く、つまり、Ｈ０なる中性状態は膜中で不安定である。
このことは、上記の中性化の式は、
【００３０】
【化４】Ｈ＋ ＋ ｅ- ⇔ H０ …… （４） なる形で書かれるべきである。一方、Ｈ2分子形成の反
応は、水素の熱安定性を考慮すれば、ほとんど右向きの
反応のみで良いことが分かる。しかし、水素分子Ｈ2が
形成されるためには、膜表面で２つの中性水素原子H0が
会合しなければならず、膜中の水素濃度が低下すればす
るほど、つまり、膜の処理が進みp型になって行く程、
反応速度が低下することになる。
応は、水素の熱安定性を考慮すれば、ほとんど右向きの
反応のみで良いことが分かる。しかし、水素分子Ｈ2が
形成されるためには、膜表面で２つの中性水素原子H0が
会合しなければならず、膜中の水素濃度が低下すればす
るほど、つまり、膜の処理が進みp型になって行く程、
反応速度が低下することになる。
【００３１】上記（２）式の反応における電子は明らか
にＧａＮ中の伝導電子である。従って、熱処理前の反絶
縁成膜中に全く存在しない。膜を８００℃以上の高温に
すると、ＧａＮが半導体の真性領域に近づいてくるた
め、膜中に電子及び正孔の対が生成される。この電子が
（２）式の反応に寄与するものと考えられる。しかしな
がら、ＧａＮのバンドギャップは３．４ｅＶと大きいた
め、このような機構で発生する電子の濃度は極めて低
い。
にＧａＮ中の伝導電子である。従って、熱処理前の反絶
縁成膜中に全く存在しない。膜を８００℃以上の高温に
すると、ＧａＮが半導体の真性領域に近づいてくるた
め、膜中に電子及び正孔の対が生成される。この電子が
（２）式の反応に寄与するものと考えられる。しかしな
がら、ＧａＮのバンドギャップは３．４ｅＶと大きいた
め、このような機構で発生する電子の濃度は極めて低
い。
【００３２】また、膜に処理がかかり始めｐ型化して来
ると、フェルミレベルが価電子帯へ移動するので、伝導
電子の濃度が激減し、（２）式の進行も減速することと
なる。これらの考察から、水素が膜から脱離していくの
を律速している過程とは、上記の１） Ｈ＋の中性化の
反応過程と、２） Ｈ０原子２個の会合と、である。
ると、フェルミレベルが価電子帯へ移動するので、伝導
電子の濃度が激減し、（２）式の進行も減速することと
なる。これらの考察から、水素が膜から脱離していくの
を律速している過程とは、上記の１） Ｈ＋の中性化の
反応過程と、２） Ｈ０原子２個の会合と、である。
【００３３】本発明の第１実施例の方法の場合、中性水
素原子（いわゆる水素ラジカル）と高い反応性を有する
ガス分子種であるＣ2Ｈ4を熱処理雰囲気に添加し、これ
により、中性水素原子同士の会合反応に依存することな
く中性水素原子を膜表面から取り去るものである。原子
状水素とエチレンの素反応は、
素原子（いわゆる水素ラジカル）と高い反応性を有する
ガス分子種であるＣ2Ｈ4を熱処理雰囲気に添加し、これ
により、中性水素原子同士の会合反応に依存することな
く中性水素原子を膜表面から取り去るものである。原子
状水素とエチレンの素反応は、
【００３４】
【化５】 Ｈ ＋ Ｃ2Ｈ4 → Ｈ2 ＋ Ｃ2Ｈ3 …… （５） であり、結果としてＣ2Ｈ3なるラジカルを生成すること
となる。実際には、ＧａＮを熱処理するとわずかに膜中
の窒素が抜ける結果、膜表面に金属Ｇａが生じ、触媒と
して働く。その結果、
となる。実際には、ＧａＮを熱処理するとわずかに膜中
の窒素が抜ける結果、膜表面に金属Ｇａが生じ、触媒と
して働く。その結果、
【００３５】
【化６】 Ｈ ＋ Ｃ2Ｈ4 ＋ Ｇａ → Ｃ2Ｈ5＋Ｇａ ……（６） なる反応でエチルラジカルを生じると考えられる。この
反応は（５）式の反応より遙かに反応速度が大きい。本
発明の第２実施例は、第１実施例に加え、更に光によっ
て膜中に電子を励起し、これによって中性化の反応を促
進し、膜からの水素解脱をいっそう促進するものであ
る。反応式（２）を進行させるに必要な電子を紫外線照
射により発生させているため、膜の温度を８００℃以上
の高温にまで上げる必要がない。上述したように３００
℃程度の温度でＭｇ−Ｈ複合体が解離するので、４００
℃に設定している。ブタジエンは比較的低温でＨラジカ
ルを良く捕捉するので、この場合は１，３−ブタジエン
を用いている。
反応は（５）式の反応より遙かに反応速度が大きい。本
発明の第２実施例は、第１実施例に加え、更に光によっ
て膜中に電子を励起し、これによって中性化の反応を促
進し、膜からの水素解脱をいっそう促進するものであ
る。反応式（２）を進行させるに必要な電子を紫外線照
射により発生させているため、膜の温度を８００℃以上
の高温にまで上げる必要がない。上述したように３００
℃程度の温度でＭｇ−Ｈ複合体が解離するので、４００
℃に設定している。ブタジエンは比較的低温でＨラジカ
ルを良く捕捉するので、この場合は１，３−ブタジエン
を用いている。
【００３６】上記第１実施例では、エチレンを用いた
が、他に不飽和結合を有する分子であるプロピレン（Ｃ
3Ｈ6）などを用いてもほぼ同様の効果があげられる。ま
た、第１実施例の場合、処理温度が高いので、分子内に
不飽和結合を有していないエタン（Ｃ2Ｈ6）、イソブタ
ン（ｉ−Ｃ4Ｈ10）などを用いても類似の効果が得られ
る。但し、メタン（ＣＨ4）は反応性が極めて悪いので
充分な効果を上げ得ない。
が、他に不飽和結合を有する分子であるプロピレン（Ｃ
3Ｈ6）などを用いてもほぼ同様の効果があげられる。ま
た、第１実施例の場合、処理温度が高いので、分子内に
不飽和結合を有していないエタン（Ｃ2Ｈ6）、イソブタ
ン（ｉ−Ｃ4Ｈ10）などを用いても類似の効果が得られ
る。但し、メタン（ＣＨ4）は反応性が極めて悪いので
充分な効果を上げ得ない。
【００３７】第２実施例では、処理温度が低いので、低
温から反応する必要があり、上記プロピレン（Ｃ3Ｈ6）
などの不飽和結合を有する分子種の使用が望ましい。第
１及び第２実施例ともに、炭素数の多い分子種の方が水
素原子との反応性に富むが、雰囲気ガスとしての実用
上、常温常圧でガス体であることが望ましく、この観点
から、飽和化合物としてはブタンまで、不飽和化合物と
してはブチレン、ブタジエンまでが実用に供しうる範囲
である。
温から反応する必要があり、上記プロピレン（Ｃ3Ｈ6）
などの不飽和結合を有する分子種の使用が望ましい。第
１及び第２実施例ともに、炭素数の多い分子種の方が水
素原子との反応性に富むが、雰囲気ガスとしての実用
上、常温常圧でガス体であることが望ましく、この観点
から、飽和化合物としてはブタンまで、不飽和化合物と
してはブチレン、ブタジエンまでが実用に供しうる範囲
である。
【００３８】なお、本実施例ではｐｎホモ接合ダイオー
ドについて述べたが、これは本発明を限定するものでは
なく、ダブルヘテロ構造、ＳＣＨ（分離閉じ込めヘテロ
構造）、量子井戸レーザ構造といった各種の接合構造で
あっても有効であり、ｐチャンネルＦＥＴのようなユニ
ポーラ素子の製造にもまた同様に有効である。このよう
に、本発明では、通常の熱処理では得ることのできない
高濃度のｐ型層を得ることができる。また更に、第２実
施例の方法では処理温度を低温化でき、素子構造を高温
に曝すことによって生ずる層間の相互拡散や劣化を防ぐ
ことができる。
ドについて述べたが、これは本発明を限定するものでは
なく、ダブルヘテロ構造、ＳＣＨ（分離閉じ込めヘテロ
構造）、量子井戸レーザ構造といった各種の接合構造で
あっても有効であり、ｐチャンネルＦＥＴのようなユニ
ポーラ素子の製造にもまた同様に有効である。このよう
に、本発明では、通常の熱処理では得ることのできない
高濃度のｐ型層を得ることができる。また更に、第２実
施例の方法では処理温度を低温化でき、素子構造を高温
に曝すことによって生ずる層間の相互拡散や劣化を防ぐ
ことができる。
【００３９】本発明の第２実施例の場合、温度が３００
℃以下に達するまで紫外線の照射を持続しているが、こ
れは以下に述べる理由による。加熱により膜中で解離し
たＨ＋は、
℃以下に達するまで紫外線の照射を持続しているが、こ
れは以下に述べる理由による。加熱により膜中で解離し
たＨ＋は、
【００４０】
【化７】Ｈ＋ ＋ ｅ- ⇔ Ｈ０ なる反応式により、中性状態との間で平衡に達する。前
述したように、Ｈ０は安定状態ではないものの、光照射
下では、照射光が到達している深さまでの領域では励起
された伝導帯電子の働きによりＨ０の濃度は通常の熱平
衡状態より高くなっている。光の照射を停止した後に降
温すると、残留しているＨ０は速やかにＨ＋とｅ-に解
離し、Ｈ＋はＭｇ-と再び結合し、ｅ-は正孔と結合して
消滅していく。一方、光照射を持続したまま降温する
と、Ｈ０は安定状態ではないものの、光照射により電子
系が熱平衡からずれたまま結晶が冷却されるためＨ０の
まま準安定成な状態に凍結される。ｅ-は伝導電子であ
るので冷却後は通常の熱平衡状態に戻る。Ｈ０なる準安
定状態はＭｇアクセプタと結びついていないので、この
結果、膜表面の有効アクセプタ濃度が増大するのであ
る。
述したように、Ｈ０は安定状態ではないものの、光照射
下では、照射光が到達している深さまでの領域では励起
された伝導帯電子の働きによりＨ０の濃度は通常の熱平
衡状態より高くなっている。光の照射を停止した後に降
温すると、残留しているＨ０は速やかにＨ＋とｅ-に解
離し、Ｈ＋はＭｇ-と再び結合し、ｅ-は正孔と結合して
消滅していく。一方、光照射を持続したまま降温する
と、Ｈ０は安定状態ではないものの、光照射により電子
系が熱平衡からずれたまま結晶が冷却されるためＨ０の
まま準安定成な状態に凍結される。ｅ-は伝導電子であ
るので冷却後は通常の熱平衡状態に戻る。Ｈ０なる準安
定状態はＭｇアクセプタと結びついていないので、この
結果、膜表面の有効アクセプタ濃度が増大するのであ
る。
【００４１】上述の第１及び第２実施例では、ｐｎホモ
接合ダイオードの作製について述べたが、次に、図４に
示した３属窒化物半導体を用いたＳＣＨ構造のリッジ型
半導体レーザ素子を作製する第３の実施例である製造工
程を説明する。図４に示す半導体レーザ素子は、単結晶
サファイア基板１０１上に順に積層された、低温成膜さ
れたＧａＮ（又はＡｌＮ）層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０
３、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４、ｎ型ＧａＮ層１０
５、ＩｎＧａＮを主たる構成要素とする活性層１０６、
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０７、ｐ型ＧａＮ層１０８、
ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９、及びｐ型ＧａＮ層１１
０からなり、ｎ側電極１１４並びにｐ側電極１１３及び
１１５はｎ型ＧａＮ層１０３並びｐ型ＧａＮ層１１０に
接続されている。ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９にはリ
ッジストライプ部１１８が形成されており、素子は電極
を除きＳｉＯ2の絶縁膜１１１で被覆保護されている。
接合ダイオードの作製について述べたが、次に、図４に
示した３属窒化物半導体を用いたＳＣＨ構造のリッジ型
半導体レーザ素子を作製する第３の実施例である製造工
程を説明する。図４に示す半導体レーザ素子は、単結晶
サファイア基板１０１上に順に積層された、低温成膜さ
れたＧａＮ（又はＡｌＮ）層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０
３、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４、ｎ型ＧａＮ層１０
５、ＩｎＧａＮを主たる構成要素とする活性層１０６、
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０７、ｐ型ＧａＮ層１０８、
ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９、及びｐ型ＧａＮ層１１
０からなり、ｎ側電極１１４並びにｐ側電極１１３及び
１１５はｎ型ＧａＮ層１０３並びｐ型ＧａＮ層１１０に
接続されている。ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９にはリ
ッジストライプ部１１８が形成されており、素子は電極
を除きＳｉＯ2の絶縁膜１１１で被覆保護されている。
【００４２】活性層１０６において電子と正孔を再結合
させることによって発光する。ｎ型ＧａＮ層１０５及び
ｐ型ＧａＮ層１０８はガイド層であり、活性層１０６で
発生した光をここに導波するとともに活性層１０６より
バンドギャップが大きく設定することによって電子及び
正孔を活性層１０６内に効果的に閉じ込めるようになっ
ている。ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０７は注入されたキ
ャリア（特に電子）の閉じ込めを更に強化する障壁層で
あり、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４及びｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎ層１０９はガイド層１０５，１０８より低屈
折率で作製されているクラッド層であり、ガイド層との
屈折率差によって膜厚方向の導波が行なわれる。リッジ
ストライプ部１１８はクラッド層１０９の厚さを変化さ
せることで実効屈折率に横方向の段差を生じさせて、発
生した光を横方向に閉じ込めるために設けてある。
させることによって発光する。ｎ型ＧａＮ層１０５及び
ｐ型ＧａＮ層１０８はガイド層であり、活性層１０６で
発生した光をここに導波するとともに活性層１０６より
バンドギャップが大きく設定することによって電子及び
正孔を活性層１０６内に効果的に閉じ込めるようになっ
ている。ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０７は注入されたキ
ャリア（特に電子）の閉じ込めを更に強化する障壁層で
あり、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４及びｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎ層１０９はガイド層１０５，１０８より低屈
折率で作製されているクラッド層であり、ガイド層との
屈折率差によって膜厚方向の導波が行なわれる。リッジ
ストライプ部１１８はクラッド層１０９の厚さを変化さ
せることで実効屈折率に横方向の段差を生じさせて、発
生した光を横方向に閉じ込めるために設けてある。
【００４３】ｎ型ＧａＮ層１０３は電流の流路として設
けられている下地層であり、基板であるサファイアに全
く導電性がないために設けられている。また、低温成長
層のＧａＮ（又はＡｌＮ）層１０２はいわゆるバッファ
層であり、ＧａＮにとっての異種物質であるサファイア
基板上に平滑膜を作製するために形成されている。図４
に示した素子構造は以下の作製工程にて製造される。
けられている下地層であり、基板であるサファイアに全
く導電性がないために設けられている。また、低温成長
層のＧａＮ（又はＡｌＮ）層１０２はいわゆるバッファ
層であり、ＧａＮにとっての異種物質であるサファイア
基板上に平滑膜を作製するために形成されている。図４
に示した素子構造は以下の作製工程にて製造される。
【００４４】サファイア基板１０１を成膜用ＭＯＣＶＤ
成長炉に装填し、１０５０℃の温度において３００Torr
の圧力の水素気流中で１０分間保持し、サファイア基板
１０１の表面の熱クリーニングを行なう。この後、サフ
ァイア基板１０１をその温度が６００℃になるまで降温
し、窒素原料であるＮＨ3と、Ａｌ原料であるＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）を成長炉内に導入し、Ａｌ
Ｎからなるバッファ層１０２を２０ｎｍの厚さに堆積さ
せる。
成長炉に装填し、１０５０℃の温度において３００Torr
の圧力の水素気流中で１０分間保持し、サファイア基板
１０１の表面の熱クリーニングを行なう。この後、サフ
ァイア基板１０１をその温度が６００℃になるまで降温
し、窒素原料であるＮＨ3と、Ａｌ原料であるＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）を成長炉内に導入し、Ａｌ
Ｎからなるバッファ層１０２を２０ｎｍの厚さに堆積さ
せる。
【００４５】続いてＴＭＡの供給を止め、ＮＨ3のみを
流したまま、バッファ層１０２が成膜されたサファイア
基板１０１の温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭＧ
（トリメチルガリウム）を導入してｎ型ＧａＮ下地層１
０３を積層する。この時、ｎ型不純物であるＳｉの原料
としてＭｅ−ＳｉＨ3（メチルシラン）を成長雰囲気ガ
スに添加する。
流したまま、バッファ層１０２が成膜されたサファイア
基板１０１の温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭＧ
（トリメチルガリウム）を導入してｎ型ＧａＮ下地層１
０３を積層する。この時、ｎ型不純物であるＳｉの原料
としてＭｅ−ＳｉＨ3（メチルシラン）を成長雰囲気ガ
スに添加する。
【００４６】ｎ型ＧａＮ下地層１０３が４μｍ程度成長
したところで、ＴＭＧの供給のみを停止する。一方、Ｍ
ｅ−ＳｉＨ3（メチルシラン）はその供給量を増加して
そのまま供給し続ける。５分間この状態を保持した後、
Ｍｅ−ＳｉＨ3の供給量をｎ型層として必要な量まで減
らすと共に、ＴＭＧを再度導入し、同時にＴＭＡを導入
してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４の成膜を行なう。
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４が０．５μｍ程度成長
したところでＴＭＡの供給を停止し、ｎ型ＧａＮガイド
層１０５を０．１μｍ成長する。ｎ型ＧａＮガイド層１
０５の成長が完了したところでＴＭＧ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の
供給を停止して降温を開始し、基板温度を７５０℃とす
る。基板温度が７５０℃となった時点でキャリアガスを
水素から窒素に切換え、ガス流の状態が安定したところ
でＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｍｅ−ＳｉＨ 3を導入して活性層１
０６の成長を行なう。該活性層を成膜したところでＴＭ
Ｇ，ＴＭＩ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止すると共に、キ
ャリアガスを窒素から水素に切換え、ガス流の状態が安
定したところで基板温度を再び１０５０℃に昇温し、Ｔ
ＭＧ，ＴＭＡとｐ型不純物であるＭｇの原料としてＥｔ
−Ｃｐ2Ｍｇ（エチル−シクロペンタジエニルマグネシ
ウム）を導入してｐ型ＡｌＧａＮ層１０７を０．０１μ
ｍ積層する。続いてＴＭＡの供給を停止し、ｐ型ＧａＮ
ガイド層１０８を０．１μｍ成長し、再びＴＭＡを導入
してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９を０．５μｍ成長
する。更にこの上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を
０．１μｍ成長させ、図５に示す素子ウエハを得る。そ
の後、ＴＭＧ及びＥｔ−Ｃｐ2Ｍｇの供給を停止し、降
温を開始し、基板温度が４００℃になった時点で、ＮＨ
3の供給も停止し、基板温度が室温になった時点で反応
炉より取り出す。
したところで、ＴＭＧの供給のみを停止する。一方、Ｍ
ｅ−ＳｉＨ3（メチルシラン）はその供給量を増加して
そのまま供給し続ける。５分間この状態を保持した後、
Ｍｅ−ＳｉＨ3の供給量をｎ型層として必要な量まで減
らすと共に、ＴＭＧを再度導入し、同時にＴＭＡを導入
してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４の成膜を行なう。
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４が０．５μｍ程度成長
したところでＴＭＡの供給を停止し、ｎ型ＧａＮガイド
層１０５を０．１μｍ成長する。ｎ型ＧａＮガイド層１
０５の成長が完了したところでＴＭＧ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の
供給を停止して降温を開始し、基板温度を７５０℃とす
る。基板温度が７５０℃となった時点でキャリアガスを
水素から窒素に切換え、ガス流の状態が安定したところ
でＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｍｅ−ＳｉＨ 3を導入して活性層１
０６の成長を行なう。該活性層を成膜したところでＴＭ
Ｇ，ＴＭＩ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止すると共に、キ
ャリアガスを窒素から水素に切換え、ガス流の状態が安
定したところで基板温度を再び１０５０℃に昇温し、Ｔ
ＭＧ，ＴＭＡとｐ型不純物であるＭｇの原料としてＥｔ
−Ｃｐ2Ｍｇ（エチル−シクロペンタジエニルマグネシ
ウム）を導入してｐ型ＡｌＧａＮ層１０７を０．０１μ
ｍ積層する。続いてＴＭＡの供給を停止し、ｐ型ＧａＮ
ガイド層１０８を０．１μｍ成長し、再びＴＭＡを導入
してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９を０．５μｍ成長
する。更にこの上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を
０．１μｍ成長させ、図５に示す素子ウエハを得る。そ
の後、ＴＭＧ及びＥｔ−Ｃｐ2Ｍｇの供給を停止し、降
温を開始し、基板温度が４００℃になった時点で、ＮＨ
3の供給も停止し、基板温度が室温になった時点で反応
炉より取り出す。
【００４７】こうして作製されたウエハ上に、図６に示
すように、ｐ側電極として、真空蒸着法によりＮｉ（ニ
ッケル）膜１１５を２００ｎｍ成膜する。次に、図７に
示すように、ウエットエッチングによりＮｉ膜１１５の
一部を除去する。次に、図８に示すように、残っている
Ｎｉ膜１１５をマスクとして、Ｃｌ2（塩素）ガスによ
るＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いて、露出し
ている窒化物半導体層をエッチングする。この時、ｎ型
クラッド層１０４を若干残す深さまでエッチングを行な
う。
すように、ｐ側電極として、真空蒸着法によりＮｉ（ニ
ッケル）膜１１５を２００ｎｍ成膜する。次に、図７に
示すように、ウエットエッチングによりＮｉ膜１１５の
一部を除去する。次に、図８に示すように、残っている
Ｎｉ膜１１５をマスクとして、Ｃｌ2（塩素）ガスによ
るＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いて、露出し
ている窒化物半導体層をエッチングする。この時、ｎ型
クラッド層１０４を若干残す深さまでエッチングを行な
う。
【００４８】次に、図９に示すように、Ｎｉ膜を幅５μ
ｍを残して、ウエットエッチングにより除去し、５μｍ
幅のＮｉをマスクを形成する。次に、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）を用いてＮｉマスク１５を介して、５
μｍ幅のリッジストライプ部直下以外の部分、すなわち
コンタクト層１１０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９
を、クラッド層９の約０．１μｍ残して除去し、図１０
に示すように、狭リッジ構造１１８を形成する。この
時、同時に、残りのｎ型クラッド層１０４が除去され、
部分的にｎ型ＧａＮ下地膜１０３が露出する。
ｍを残して、ウエットエッチングにより除去し、５μｍ
幅のＮｉをマスクを形成する。次に、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）を用いてＮｉマスク１５を介して、５
μｍ幅のリッジストライプ部直下以外の部分、すなわち
コンタクト層１１０及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９
を、クラッド層９の約０．１μｍ残して除去し、図１０
に示すように、狭リッジ構造１１８を形成する。この
時、同時に、残りのｎ型クラッド層１０４が除去され、
部分的にｎ型ＧａＮ下地膜１０３が露出する。
【００４９】この状態になったウエハを、図１に示す前
出の実施例で用いた熱処理炉に装填し、熱処理を行な
う。熱処理炉内部を真空にし、その後にＣ2Ｈ4（エチレ
ン）を０．５％含む高純度窒素ガスを導入して内部を置
換し、大気圧に到達すると同時にガス排出口を開放して
処理炉内にガスフローを作る。赤外線ランプでサセプタ
を６００℃まで昇温し、この状態を維持し、２０分経過
時点で降温を開始し室温近傍まで温度が下がった時点で
ガスを止め、内部を再び真空に排気した後、大気を導入
しウエハを取り出す。
出の実施例で用いた熱処理炉に装填し、熱処理を行な
う。熱処理炉内部を真空にし、その後にＣ2Ｈ4（エチレ
ン）を０．５％含む高純度窒素ガスを導入して内部を置
換し、大気圧に到達すると同時にガス排出口を開放して
処理炉内にガスフローを作る。赤外線ランプでサセプタ
を６００℃まで昇温し、この状態を維持し、２０分経過
時点で降温を開始し室温近傍まで温度が下がった時点で
ガスを止め、内部を再び真空に排気した後、大気を導入
しウエハを取り出す。
【００５０】（素子化工程）ウエハ上にＳｉＯ2保護膜
をスパッタリング等の方法によって堆積させる。この
後、通常のフォトリソグラフィ法によってＳｉＯ2保護
膜にｐ型リッジ部に３μｍ幅の窓部、及びｎ側電極用窓
部を形成する。ｎ型ＧａＮ層１０３が露出している部分
に、Ｔｉ（チタン）を５０ｎｍ、続いてＡｌを２００ｎ
ｍ蒸着し、ｎ側電極１４を形成する。ｐ型ＧａＮ層が露
出している部分には、Ｎｉを５０ｎｍ、Ａｕを２００ｎ
ｍ蒸着してｐ側電極１１３を形成して素子が完成する。
をスパッタリング等の方法によって堆積させる。この
後、通常のフォトリソグラフィ法によってＳｉＯ2保護
膜にｐ型リッジ部に３μｍ幅の窓部、及びｎ側電極用窓
部を形成する。ｎ型ＧａＮ層１０３が露出している部分
に、Ｔｉ（チタン）を５０ｎｍ、続いてＡｌを２００ｎ
ｍ蒸着し、ｎ側電極１４を形成する。ｐ型ＧａＮ層が露
出している部分には、Ｎｉを５０ｎｍ、Ａｕを２００ｎ
ｍ蒸着してｐ側電極１１３を形成して素子が完成する。
【００５１】比較例として、図６のＮｉ被着工程の前に
順窒素雰囲気中で８００℃２０分の従来の方法により試
料を熱処理し、以降は、ＲＩＥ後の熱処理工程を削除す
る以外、第３実施例と全く同一の工程により素子を作製
した。こうして作製した素子ウエハから、各々素子を切
り出して電圧−電流特性の測定を行なった。図１１中の
ａ．で示したものが第３実施例による素子の特性、ｂ．
は比較対象用の素子のものである。第３実施例の方法に
より、素子の電気特性が大幅に改善されているのが分か
る。
順窒素雰囲気中で８００℃２０分の従来の方法により試
料を熱処理し、以降は、ＲＩＥ後の熱処理工程を削除す
る以外、第３実施例と全く同一の工程により素子を作製
した。こうして作製した素子ウエハから、各々素子を切
り出して電圧−電流特性の測定を行なった。図１１中の
ａ．で示したものが第３実施例による素子の特性、ｂ．
は比較対象用の素子のものである。第３実施例の方法に
より、素子の電気特性が大幅に改善されているのが分か
る。
【００５２】従来方法による素子の特性が、前出の第１
及び第２実施例における従来方法のものより特性的に良
くないが、これはｐ側電極の面積が、前出のホモジャン
クション素子より小さいためである。この第３実施例の
場合、熱処理時に表面がＮｉで被われているが、リッジ
幅が５μｍと極めて狭いため、リッジ端部から水素が脱
離する。また、Ｃ2Ｈ4が水素原子（Ｈ）を捕捉する反応
において、Ｎｉは極めて良好な触媒として働くので、６
００℃という低めの温度設定でも熱処理効果が得られる
のである。また、ｐ型膜の最表層部分からの窒素の脱離
をＮｉ膜により防止することができるため、電極特性を
いっそう良好な状態にすることができる。ＧａＮから窒
素が脱離した場合、窒素の空孔はドナーとして働き、ア
クセプタを補償してしまい、このため、熱処理温度が高
いと、かえってｐ−ＧａＮの最表層の正孔濃度が低下
し、電極の接触状態が悪くなってしまうからである。
及び第２実施例における従来方法のものより特性的に良
くないが、これはｐ側電極の面積が、前出のホモジャン
クション素子より小さいためである。この第３実施例の
場合、熱処理時に表面がＮｉで被われているが、リッジ
幅が５μｍと極めて狭いため、リッジ端部から水素が脱
離する。また、Ｃ2Ｈ4が水素原子（Ｈ）を捕捉する反応
において、Ｎｉは極めて良好な触媒として働くので、６
００℃という低めの温度設定でも熱処理効果が得られる
のである。また、ｐ型膜の最表層部分からの窒素の脱離
をＮｉ膜により防止することができるため、電極特性を
いっそう良好な状態にすることができる。ＧａＮから窒
素が脱離した場合、窒素の空孔はドナーとして働き、ア
クセプタを補償してしまい、このため、熱処理温度が高
いと、かえってｐ−ＧａＮの最表層の正孔濃度が低下
し、電極の接触状態が悪くなってしまうからである。
【００５３】
【発明の効果】 本発明によれば、熱処理雰囲気中に、
炭化水素化合物ガスを添加して、熱処理を行なうので、
結晶層中の正孔濃度が向上する。また、本発明によれ
ば、上記炭化水素化合物ガス導入に加え、半導体結晶層
の表面に光を照射しつつ処理を行なうので、熱アニール
処理温度の低温化が可能となる。
炭化水素化合物ガスを添加して、熱処理を行なうので、
結晶層中の正孔濃度が向上する。また、本発明によれ
ば、上記炭化水素化合物ガス導入に加え、半導体結晶層
の表面に光を照射しつつ処理を行なうので、熱アニール
処理温度の低温化が可能となる。
【図１】 本発明の３族窒化物半導体素子の製造方法に
用いる熱処理装置の概略断面図。
用いる熱処理装置の概略断面図。
【図２】 本発明による実施例にて作製されたｐｎダイ
オードの概略断面図。
オードの概略断面図。
【図３】 本発明による実施例にて作製されたｐｎダイ
オードと従来例ｐｎダイオードとの電圧電流特性を示す
グラフ。
オードと従来例ｐｎダイオードとの電圧電流特性を示す
グラフ。
【図４】 本発明による他の実施例にて作製されたリッ
ジ型半導体レーザ素子の概略断面図。
ジ型半導体レーザ素子の概略断面図。
【図５】 本発明による他の実施例の半導体レーザの製
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図６】 本発明による他の実施例の半導体レーザの製
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図７】 本発明による他の実施例の半導体レーザの製
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図８】 本発明による他の実施例の半導体レーザの製
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図９】 本発明による他の実施例の半導体レーザの製
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図１０】 本発明による他の実施例の半導体レーザの
製造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
製造工程中におけるレーザ基板の概略断面図。
【図１１】 本発明による実施例にて作製された半導体
レーザと従来例半導体レーザとの電圧電流特性を示すグ
ラフ。
レーザと従来例半導体レーザとの電圧電流特性を示すグ
ラフ。
１ 熱処理炉本体 ２ サセプタ ３ 石英製窓 ４ 紫外線光源 ５ 光ファイバ ６ 集光レンズ ７ 光導入窓 ８ 素子ウエハ ９ 排気口 １０ 雰囲気ガス導入口 １１ ガス排気口 １２ サファイア基板 １３ ＡｌＮバッファ層 １４ Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層 １５ ＭｇドープＧａＮ層 １６，１７ 電極 １８ 保護層 １９，２０ 窓部 １０１ 単結晶サファイア基板 １０２ 低温成膜ＧａＮ（又はＡｌＮ）層 １０３ ｎ型ＧａＮ層 １０４ ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 １０５ ｎ型ＧａＮ層 １０６ ＩｎＧａＮ活性層 １０７ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層 １０８ ｐ型ＧａＮ層 １０９ ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 １１０ ｐ型ＧａＮ層 １１４ ｎ側電極 １１３，１１５ ｐ側電極 １１１ ＳｉＯ2絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮地 護 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB09 AB14 AB17 AB18 AC01 AC08 AC12 AC19 AD10 AD14 AF04 AF09 BB16 CA12 DA53 EB15 EK14 HA16 HA18 5F073 CA02 CA17 DA05 DA16 DA35
Claims (12)
- 【請求項１】 ３族窒化物半導体素子の製造方法であっ
て、２族元素を添加した３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ
1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる
結晶層を形成する工程と、 熱処理雰囲気中において前記結晶層を所定温度範囲に加
熱し、前記所定温度範囲に維持されている期間の少なく
とも一部の期間において、前記熱処理雰囲気中へ炭化水
素ガスを添加する熱処理工程と、を含むことを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項２】 前記炭化水素ガスが、分子内に少なくと
も１つの不飽和結合を有する炭化水素化合物であること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記炭化水素ガスがエチレンであること
を特徴とする請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記炭化水素ガスがプロピレンであるこ
とを特徴とする請求項２記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記炭化水素ガスがブタジエンであるこ
とを特徴とする請求項２記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記炭化水素ガスがエタンであることを
特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記炭化水素ガスがプロパンであること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項８】 前記炭化水素ガスがブタンであることを
特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項９】 前記熱処理工程において、前記結晶層の
最表層に位置する３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）
1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）のエネルギ禁制
帯幅以上のエネルギを有する光子又はこれを含む電磁波
を、前記結晶層の表面に照射することを特徴とする請求
項１〜８のいずれか１記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記熱処理工程において、前記所定温
度範囲を３００℃以上１０００℃以下とすることを特徴
とする請求項９記載の製造方法。 - 【請求項１１】 前記熱処理工程後の前記結晶層の降温
処理工程において、電磁波の照射を３００℃以下の温度
まで継続することを特徴とする請求項９又は１０記載の
製造方法。 - 【請求項１２】 前記結晶層の形成が有機金属化学気相
成長法で行なわれていることを特徴とする請求項１〜１
１のいずれか１記載の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361147A JP2000183465A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
| US09/461,035 US6235548B1 (en) | 1998-12-18 | 1999-12-15 | Method of fabricating nitride semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361147A JP2000183465A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183465A true JP2000183465A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18472394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10361147A Pending JP2000183465A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6235548B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000183465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017371A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Procede de reduction de resistance de semi-conducteur, dispositif pour reduire la resistance d'un semi-conducteur et element semi-conducteur |
| JP2013129597A (ja) * | 2008-03-31 | 2013-07-04 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板の製造方法 |
| JP2015019052A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP3438674B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2003-08-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| EP1727189A2 (en) * | 1999-12-27 | 2006-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| JP2002009396A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JP3484427B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2004-01-06 | 日本碍子株式会社 | 発光素子 |
| US6537838B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-03-25 | Limileds Lighting, U.S., Llc | Forming semiconductor structures including activated acceptors in buried p-type III-V layers |
| US6841406B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-01-11 | Edward Brittain Stokes | Methods and apparatus for a semiconductor device |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10361147A patent/JP2000183465A/ja active Pending
-
1999
- 1999-12-15 US US09/461,035 patent/US6235548B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017371A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Procede de reduction de resistance de semi-conducteur, dispositif pour reduire la resistance d'un semi-conducteur et element semi-conducteur |
| US6943128B2 (en) | 2000-08-24 | 2005-09-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for reducing semiconductor resistance, device for reducing semiconductor resistance and semiconductor element |
| JP2013129597A (ja) * | 2008-03-31 | 2013-07-04 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板の製造方法 |
| JP2015019052A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6235548B1 (en) | 2001-05-22 |
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