JP3978581B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系化合物半導体を使用した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、GaN、GaAlN、INGaN、InGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光ダイオード等の半導体発光素子が注目されている。従来の典型的な窒化ガリウム系発光素子は、サフィアから成る絶縁性基板即ちサブストレートの上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成し、一対の電極を素子の上面に配置した構造、又はシリコンカーバイドから成る低抵抗性基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成し、一対の電極を素子の上面と下面に配置した構造となっている。
【0003】
上述の発光素子は、周知のように多数の素子の形成されたウエハをダイシング、スクライビング、へき開等によってチップ状に切り出して製作される。この時、サフィア等から成る基板は硬度が高いため、このダイシングを良好に且つ生産性良く行うことは困難であった。更に、サファイア等はそれ自体高価であるため、材料コストの点においても不利であった。
【0004】
このため、サファイヤやシリコンカーバイドから成る基板の代りに、シリコンから成る低抵抗性基板を使用し、この上に窒化物系化合物半導体層を形成した半導体発光素子が考えられている。シリコンは、硬度がサファイアのように高くないため、ダイシング工程等を良好に且つ生産性良く行うことができる。また、低抵抗性基板を使用した発光素子では、一対の電極を半導体基板の厚み方向に形成することができるため、電流通路の抵抗値を下げて消費電力及び動作電圧が低減されることが期待された。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、低抵抗性基板の上に窒化物系化合物半導体層を形成した場合、低抵抗性基板をn形シリコン基板で構成すると、この上に形成される窒化物系化合物半導体(GaN、GaAlN、INGaN、InGaAlN等)の構成元素である3族のアルミニウム、ガリウム、インジウム等が膜成長時の熱処理によってシリコン基板中に拡散する。これら3族の構成元素はn形シリコンに対してp形の不純物(アクセプタ不純物)として機能するため、n形シリコン基板中に拡散されるとシリコン基板の表面側(窒化物系化合物半導体との境界面)の導電形を反転させてp形半導体領域を生成する。この結果、n形のバッファ層又はn形の発光層とシリコン基板のpn接合との組み合せによってnpn構造が生じる。即ち、シリコン基板の下面側からn形半導体領域、p形半導体領域及びn形半導体領域が積層形成される。このため、発光素子の電流通路の抵抗値が増大し、期待されたほどの消費電力低減及び動作電圧低減の効果が得られなかった。
【0006】
そこで、本発明の目的は、消費電力及び動作電圧を高水準に低減することができる窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、上記目的を達成するための本発明は、n形不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有しているn形半導体基板と、
前記基板の一方の主面に隣接配置され且つ
Al x Ga y In 1-X-y N a P 1-a
ここで、x及びyは 0<x≦1
0≦y<1
0<x+y≦1 を満足する数値、
aは0<a<1 を満足する値、
で示すことができる窒化物系化合物半導体から成り、且つn形不純物を含んでいるバッファ層と、
発光機能を得るために前記バッファ層に隣接配置され且つ複数の窒化物系化合物半導体層を有している半導体領域と、
前記半導体領域の表面側に配置された第1の電極と、
前記基板の他方の主面側に配置された第2の電極と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子に係わるものである。
なお、請求項1の半導体発光素子は請求項2の方法で製造することが望ましい。
【0008】
バッファ層は例えばAlNP、AlGaInNP等の単一層、又はDBR反射膜等の複数の層の組み合せであってもよい。バッファ層は基板と同一の導電形を有していることが望ましい。 発光機能を得るための半導体領域は、n形半導体層即ちnクラッド層と活性層とp形半導体層即ちp形クラッド層とを有していることが望ましい。
【0009】
【発明の効果】
各請求項の発明においては、バッファ層が少なくともAl,N,Pを含む窒化物系化合物半導体なら成る。このバッファ層におけるAl(アルミニウム)はバッファ層の上に結晶性の良い窒化物系化合物半導体を形成するために寄与する。もし、Alを含むバッファ層にPが含まれていなければ、Alは3族の元素であってシリコンに対してアクセプタ不純物即ちp形不純物として機能するので、このAlがシリコンからなるn形半導体基板に拡散した時に半導体基板の表面にp形層を形成する虞がある。これに対し、本発明では、バッファ層にAlの他にシリコンに対してドナー不純物即ちn形不純物として機能するP(リン)が含められているので、リンから成るn形不純物が半導体基板に拡散し、Alから成るp形不純物を相殺し、半導体基板の表面がp形に反転することを防止する。これにより、半導体基板に不要なpn接合が発生することが阻止され、半導体発光素子の順方向電流通路の抵抗値を小さく保つことができ、半導体発光素子の消費電力及び動作電圧の低減を高水準に達成できる。
【0010】
【実施形態】
次に、図1を参照して、本発明の1実施形態に係わる半導体発光素子としての窒化ガリウム系化合物青色発光ダイオードを説明する。
【0011】
図1に示す本発明の1実施形態に従う発光ダイオードは、第1導電形不純物を含むシリコン単結晶から成る低抵抗性即ち導電性を有する半導体基板1と、シリコン半導体に対して第1導電形不純物として機能する元素を含む3−5族化合物半導体から成るバッファ層2と、発光機能を得るための3−5族化合物半導体領域3と、第1の電極としてのアノード電極4と、第2の電極としてのカソード電極5とを有している。
発光機能を有する半導体領域3は、主成分としてガリウムと窒素とを含む窒化ガリウム系化合物半導体層を複数有する。即ち、この発光機能半導体領域3は、n形GaN(窒化ガリウム)から成るn形半導体層6と、p形のInGaN(窒化ガリウムインジウム)から成る活性層7と、p形のGaN(窒化ガリウム)から成るp形半導体層8とを順次に積層したものである。n形半導体層6はn形クラッド層、及びp形半導体層8はp形クラッド層の機能を有する。バッファ層2及び発光機能を有する半導体領域3は、基板1の上に結晶方位を揃えて順次にエピタキシャル成長させたものである。
【0012】
基板1は、n形(第1導電形)の不純物としてAs(砒素)を5×1018cm−3〜5×1019cm−3程度の比較的高濃度に含み、0.001Ω・cm〜0.01Ω・cm程度の抵抗率を有する導電性基板である。抵抗率が比較的低い基板1はアノード電極4とカソード電極5との間の電流通路として機能する。また、基板1は、比較的厚い約350μmの厚みを有し、n形半導体領域6、活性層7及びp形半導体領域8から成る発光機能を有する半導体領域3及びバッファ層2の支持体として機能する。
【0013】
基板1の一方の主面に形成されたバッファ層2は、
化学式
AlxGayIn1-X-yNaP1-a
ここで、x及びyは 0<x≦1
0≦y<1
0<x+y≦1 を満足する数値、
aは 0<a<1 を満足する値、
で示すことができる3−5族化合物半導体にn形不純物(例えばSi)を含めたものであることが望ましい。この実施形態のバッファ層2は、上記化学式におけるx=0.7、y=0.2、a=0.2に相当するAl0.7Ga0.2In0.1N0.2P0.8から成る化合物半導体にシリコン(Si)をド−プしたものから成り、シリコン基板1の上に窒化物系化合物半導体領域3(n形半導体領域6、活性層7、p形半導体領域8)を良好に膜成長させる機能を有する。即ち、シリコンから成る基板1の表面に窒化物系化合物半導体、例えばGaN、AlGaN等の半導体領域を直接に膜成長させることは困難であるが、バッファ層2を介して膜成長させれば、これらの半導体領域を良好な結晶性をもって形成することができる。これは、エピタキシャル成長時に、AlxGayIn1-x-yNaP1-aバッファ層2は、シリコン基板1の面方位を良好に受け継ぐことができ、この表面に結晶性の良好な窒化物系化合物半導体領域3を膜成長させることができるためである。
【0014】
n形不純物としてシリコンがド−プされたn形のバッファ層2は、本発明に基づいてシリコン基板1に対してn形不純物即ちドナー不純物として機能する元素であるリン(P)を含む。リンはn形シリコン基板1の表面がp形に反転することを防止する。即ち、バッファ層2を構成するアルミニウムは3族の元素であってシリコン基板1に対してアクセプタ不純物即ちp形不純物として機能する。このため、バッファ層2を気相成長法で形成する時にアルミニウムがn形のシリコン基板1に拡散すると、シリコン基板1の表面にp形層が形成される恐れがある。しかし、本発明に従ってバッファ層2にドナー不純物即ちn形不純物としてのリンを含めると、アクセプタ不純物としてのアルミニウムと共にドナー不純物のリンがシリコン基板1に拡散し、シリコン基板1の表面がp形に反転することが防止される。このため、シリコン基板1はその厚み方向の全体に渡ってn形を保つ。
【0015】
本実施形態の発光素子では、バッファ層2の厚みは、この表面に窒化ガリウム系化合物半導体領域3を良好な結晶性をもって形成できるように、例えば約20nmに設定されている。バッファ層2の厚みが0.5nm未満であると、バッファ層2の本来の機能、即ちこの表面の結晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体を膜成長させる機能が十分に発揮されなくなる。一方、バッファ層2の厚みを大きくすると、この表面に膜成長される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が良好になり、ピット(微小な孔)の発生を抑制できる。しかし、例えば100nmを越えるようにあまり厚く形成するとバッファ層2にクラックが生じて望ましくない。従って、バッファ層2の好ましい厚みは0.5nm〜100nmである。
【0016】
バッファ層2の上面に形成されているn形半導体層6即ちn形クラッド層は、n形のGaNから成り、バッファ層2の表面に約500nmの厚みで形成されている。n形半導体領域6のn形不純物(例えばシリコン)の濃度は3×1018cm−3であり、シリコン基板1のn形不純物の濃度よりも低い。
【0017】
n形半導体領域6の上に形成された活性層7はp形GaInNから成り、約500nmの厚みを有し、且つ3×1017cm−3のp形不純物濃度を有する。このp形不純物はマグネシウムである。
【0018】
活性層7の上に形成されたp形半導体領域即ちp形クラッド層8はp形GaNから成り、約500nmの厚みを有し、且つ3×1018cm−3のp形不純物濃度を有する。このp形不純物はマグネシウムである。
【0019】
第1の電極としてのアノード電極4はp形半導体層8の上面の一部即ち中央部に接続されている。従って、発光機能半導体領域3から放射された光を上方向から取り出すことができる。なお、周知の電流拡散層、コンタクト層、電流制限層をp形半導体領域8の上に形成することができる。また、周知の光透過性導電膜を介してアノード電極4を形成することができる。第2の電極としてのカソード電極5は基板1の下面に接続されている。
【0020】
図1の発光ダイオードを製造する時には、まず、n型Si基板1を用意する。次に、基板1上に周知のMOCVD法(有機金属化学気相成長法)によってドナーとしてシリコンとシリコン基板1に対してドナ−不純物として機能するリンを含むバッファ層2を形成する。即ち、MOCVD装置の反応室にシリコン基板1を配置し、基板1を約1120℃、10分間加熱してサ−マルクリ−ニングする。その後基板1の温度を850℃まで下げ、TMA(トリメチルアルミニウム)ガスを63μmol/min、TMIn(トリメチルインジウム)ガスを20μmol/min、TMG(トリメチルガリウム)ガスを6.2μmol/min、アンモニアを0.23mol/min、ホスフィン(PH3)を0.1mol/min、シラン(SiH4 )を21nmol/minの割合で約15分間流して、n形不純物としてシリコンを含むAl0.7Ga0.2In0.1N0.2P0.8から成るバッファ層2を基板1上に約300オングストロ−ムの厚さにエピタキシャル成長させる。
【0021】
次に、基板1を再び1120℃まで昇温し、続いて、周知のMOCVD法によってn形GaNから成るn形半導体層6、InGaNから成る活性層7、及びp形GaNから成るp形半導体層8を順次連続して積層形成する。
【0022】
しかる後、アノード電極4及びカソード電極5を形成して発光ダイオードを完成させる。
【0023】
本実施形態は次の効果を有する。
(1) バッファ層2がシリコンに対してドナ−不純物として機能するリンを含む。従って、バッファ層2及び発光機能半導体層3の形成時の長時間の加熱によってシリコンに対してアクセプタ不純物として機能するAlがバッファ層2からシリコン基板1に拡散すると共にリンも拡散し、ドナー作用とアクセプタ作用の相殺が生じ、シリコン基板1の表面における反転層の形成が防止される。このため、不要なpn接合の形成が防止され、シリコン基板1の抵抗値を小さく保つことができ、発光ダイオードの消費電力及び動作電圧の低減を高水準に達成できる。
(2) シリコン基板1を使用しているため、生産性、加工性に優れ、且つ材料コストが低減する。この結果、サファイア基板を使用する従来に比較して安価な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が実現できる。
(3) シリコン基板1の上に、バッファ層2を介して窒化ガリウム系化合物半導体領域3を形成しているので、シリコン基板1の上にシリコン基板1の面方位を良好に受け継いだ結晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体領域3を形成することができる。このため、良好な発光特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を得ることができる。
(4) Nの一部をPやAs、Sb等で置換したバッファ層2は5族化合物がNのみの化合物(例えばAlN)に比べて小さいバンドギャプを有する。この結果、シリコン基板1とバッファ層2とのバンドの不連続性が改善される。
【0024】
【第2の実施形態】
第1の実施形態のAl0.7Ga0.2In0.1N0.2P0.8から成るバッファ層2の代りに、Siド−プのAlN0.2P0.8のバッファ層を形成し、この他は、第1の実施形態と同一の方法で発光素子を作った。この実施形態のAlN0.2P0.8は上記化学式のx=1、y=0、a=0.2に相当する化合物半導体である。このようにバッファ層を形成しても第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【0025】
【変形例】
本発明は上述の実施形態に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
(1) 実施形態では、バッファ層2を構成するリン(P)がシリコン基板1に対してドナー不純物として機能している。しかし、バッファ層2の化合物半導体を構成しないがシリコンに対してドナー不純物としての機能を有する元素をバッファ層に含めることができる。
(2) 発光機能半導体領域3を形成する時にシリコンに対するドナー不純物(例えばリン)を導入し、半導体領域3側からバッファ層2を介してシリコン基板1にドナー不純物を拡散させることができる。即ち、n形半導体層6と活性層7とp形半導体層8とのいずれか1つ又はいずれか2つ又は全部の形成時にシリコンに対するドナー不純物を導入し、これをシリコン基板1に拡散することができる。この場合、n形半導体層6又は活性層7又はp形半導体層8が例えばリン(P)を含む化合物半導体(例えばInGaPN)のようにシリコン基板1のドナー不純物となり得る構成元素を含む場合には、この構成元素をシリコンのドナー不純物としてエピタキシャル成長工程においてシリコン基板1に拡散させることができる。
(3) 基板1、バッファ層2、発光機能半導体領域3の導電形を図1の実施形態と逆にすることができる。
(4) 発光機能半導体領域3に含まれる窒化ガリウム系半導体層の数を増やすこと又は減らすことができる。
(5) 半導体領域3の各層6、7、8をGaN、AlNGaN、InGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN、AlN等の窒化物系化合物半導体とすることができる。
(6) 基板1は単結晶シリコンであることが望ましいが、導電性を有する多結晶シリコン又はシリコン化合物とすることができる。
(7) バッファ層2を示す化学式AlxGayIn1-x-yNaP1-aのPをAs又はSbに置き変えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態に係わる発光ダイオードを示す断面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 AlGaInNPバッファ層
3 発光機能半導体領域
4 アノード電極
5 カソード電極
Claims (2)
- n形不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有しているn形半導体基板と、
前記基板の一方の主面に隣接配置され且つ
Al x Ga y In 1-X-y N a P 1-a
ここで、x及びyは 0<x≦1
0≦y<1
0<x+y≦1 を満足する数値、
aは0<a<1 を満足する値、
で示すことができる窒化物系化合物半導体から成り、且つn形不純物を含んでいるバッファ層と、
発光機能を得るために前記バッファ層に隣接配置され且つ複数の窒化物系化合物半導体層を有している半導体領域と、
前記半導体領域の表面側に配置された第1の電極と、
前記基板の他方の主面側に配置された第2の電極と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - n形不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有しているn形半導体基板を用意する工程と、
前記基板の一方の主面上に
Al x Ga y In 1-X-y N a P 1-a
ここで、x及びyは 0<x≦1
0≦y<1
0<x+y≦1 を満足する数値、
aは0<a<1 を満足する値、
で示すことができる窒化物系化合物半導体から成り、且つn形不純物を含んでいるバッファ層を気相成長法によって形成する工程と、
前記バッファ層の上に発光機能を得るための複数の窒化物系化合物半導体層を含む半導体領域を気相成長法で形成する工程と、
前記半導体領域の表面側に第1の電極を形成し、前記基板の他方の主面側に第2の電極を形成する工程と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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