JP2003059688A - 放電灯装置 - Google Patents

放電灯装置

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JP2003059688A JP2001249343A JP2001249343A JP2003059688A JP 2003059688 A JP2003059688 A JP 2003059688A JP 2001249343 A JP2001249343 A JP 2001249343A JP 2001249343 A JP2001249343 A JP 2001249343A JP 2003059688 A JP2003059688 A JP 2003059688A
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    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 DC/DC変換回路のスイッチング素子を新
規な構成でソフトスイッチングできる放電灯装置を提供
する。 【解決手段】 バッテリ10からの直流電圧を昇圧する
DC/DC変換回路120を備え、DC/DC変換回路
120によって昇圧された電圧に基づいてランプ30を
点灯させるようにした放電灯装置において、DC/DC
変換回路120は、フライバックトランス121と、フ
ライバックトランス121の一次巻線121aに接続さ
れたMOSトランジスタ122と、MOSトランジスタ
122に並列に接続されたコンデンサ126とを有し
て、フライバックトランス121の漏れリアクトルとコ
ンデンサ126とにより共振を発生させるように構成
し、MOSトランジスタ122を制御回路160により
PFM制御して、MOSトランジスタ122を、点灯準
備期間中は非ゼロ電圧スイッチングさせ、点灯開始後は
ゼロ電圧スイッチングさせるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧放電灯を点灯
する放電灯装置に関し、特に車両における放電灯を用い
た前照灯装置に好適である。
【0002】
【従来の技術】放電灯装置としては、図10に示す車両
用放電灯装置がある。この種の放電灯装置100は、図
10に示すように、フィルタ回路110、DC/DC変
換回路120、インバータ回路130、始動回路14
0、および制御回路150を含んで構成されている。こ
の放電灯装置100は、点灯スイッチ20がオン状態の
とき、直流電源としてのバッテリ10からの直流電圧を
DC/DC変換回路120により昇圧し、インバータ回
路130にてその昇圧電圧を交流電圧に変換してランプ
30を点灯させるように構成されている。
【0003】なお、このランプ30は、車両用前照灯で
あるメタルハライドランプ等の放電灯であって、始動時
には、始動回路140によって絶縁破壊を生じさせる高
電圧がランプ30の電極間に印加され、絶縁破壊後は、
不安定なグロー放電からアーク放電状態に転移すること
で安定点灯状態に移行する。
【0004】フィルタ回路110は、コイル111とコ
ンデンサ112から構成され、雑音防止用として設けれ
ている。
【0005】DC/DC変換回路120は、バッテリ1
0側に配された一次巻線121aとランプ30側に配さ
れた二次巻線121bとを有するフライバックトランス
121と、一次巻線121aに接続された半導体スイッ
チング素子としてのMOSトランジスタ(電解効果型ト
ランジスタ)122と、二次巻線121bに接続された
整流用ダイオード123および平滑用コンデンサ124
とから構成され、バッテリ電圧を昇圧した昇圧電圧を出
力する。すなわち、このDC/DC変換回路120にお
いて、MOSトランジスタ122がオンすると、一次巻
線121aに一次電流が流れて一次巻線121aにエネ
ルギーが蓄えられ、MOSトランジスタ122がオフす
ると、一次巻線121aのエネルギーが二次巻線121
bに供給される。そして、このような動作を繰返すこと
により、ダイオード123と平滑用コンデンサ124の
接続点から高電圧を出力する。なお、フライバックトラ
ンス121は、図10に示すように一次巻線121aと
二次巻線121bとが電気的に導通するように構成され
ている。
【0006】インバータ回路130は、Hブリッジ状に
配置された半導体スイッチング素子をなすMOSトラン
ジスタ131〜134を有し、ランプ30を交流にて点
灯駆動するために設けられている。
【0007】始動回路140は、一次巻線141aと二
次巻線141bを有するトランス141と、コンデンサ
142と、一方向性半導体素子をなすサイリスタ143
から構成され、ランプ30を点灯始動させる。すなわ
ち、点灯スイッチ20がオンすると、コンデサ142が
充電され、この後、サイリスタ143がオンすると、コ
ンデンサ142が放電し、トランス141を通じて、ラ
ンプ30に高電圧(例えば25kV)を印加する。その
結果、ランプ30が電極間で絶縁破壊し火花点火を生じ
る。
【0008】制御回路150は、図10に図示しない検
出回路から出力されるランプ電圧とランプ電流に相当す
る信号(ランプ電力相当信号)に基づいて、点灯初期時
にランプ電力を最大電力(例えば65W)に、安定点灯
時にランプ電力を定常電力(例えば35W)にするよう
に、MOSトランジスタ122をPWM制御する。その
結果、点灯初期、過渡状態、安定点灯におけるランプ電
圧、ランプ電流、ランプ電力は、図11に示すようにな
る。
【0009】上記の構成において、その作動の概略を以
下、説明する。
【0010】点灯スイッチ20がオンし、制御回路15
0がMOSトランジスタ122をPWM制御すると、フ
ライバックトランス121の作動によって、バッテリ電
圧を昇圧した電圧がDC/DC変換回路120から出力
される。このDC/DC変換回路から出力された昇圧電
圧は、インバータ回路130を介して始動回路140の
コンデンサ142に供給され、コンデンサ142が充電
される。この後、サイリスタ143がオンすると、コン
デンサ142が放電し、トランス141を通じて、ラン
プ30に高電圧が印加される。その結果、ランプ30が
点灯開始する。
【0011】(点灯開始後)この点灯開始後、トランジ
スタ131〜134が対角線の関係で交互にオンオフ
(すなわち、トランジスタ131,134の組とトラン
ジスタ132、133の組が交互にオンオフ)し、ラン
プ30に印加される電圧の極性が交互に反転する。ま
た、制御回路150は、ランプ電圧とランプ電流に相当
する信号に基づいて、点灯開始時にはランプ電力が最大
電力に、安定点灯時にはランプ電力が定常電力になるよ
うに、MOSトランジスタ122をPWM制御する。こ
のような制御によって、ランプ30は、点灯初期の状態
から過渡状態を経て安定点灯状態に移行していく。
【0012】(点灯準備期間)始動回路140により昇
圧された高電圧がランプ30に印加され、その結果、絶
縁破壊が生じグロー放電が可能となる。このグロー放電
の状態では、DC/DC変換回路120によって昇圧さ
れた電圧が点灯開始後のランプ電力で印加する電圧より
高圧化(300〜500V)することで、アーク放電へ
の転移が容易になる(転移確率が向上し、早期に安定点
灯可能なアーク放電状態となる)。
【0013】すなわち、点灯スイッチ20をオンしてか
ら、ランプ30に高電圧が印加されて電極間で絶縁破壊
が生じるまでの点灯準備期間は、図11に示すように、
ランプ30に高電圧(例えば400V)が印加されるよ
うに、DC/DC変換回路120によって昇圧されてい
る。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】従来構成では、図12
のフライバックトランス121の一次巻線側の電圧V1
と電流i1の波形を示すように、上記したPWM制御に
よれば、デューティサイクルT2は一定で、オン期間
(MOSトランジスタ122をオンする期間)T1が可
変となって、MOSトランジスタ122のスイッチング
に伴って電流波形と電圧波形がある値のところで交差
し、スイッチング損失が生じてしまう。すなわち、従来
の放電灯装置では、MOSトランジスタ122をハード
スイッチングする構成となっている。
【0015】このスイッチング損失を低減するために
は、共振を利用してMOSトランジスタ122をソフト
スイッチングすることが考えられる(特開平9−812
312号公報)。特開平9−812312号公報には、
スイッチング電源装置のDC/DC変換回路において、
フライバックトランスの一次巻線に接続されたMOSト
ランジスタに並列にコンデンサを設け、そのコンデンサ
と一次巻線とにより共振を発生させて、ソフトスイッチ
ングを行なうものが開示されている。
【0016】この技術を図10に示すDC/DC変換回
路120に適用すると、図13に示すように、MOSト
ランジスタ122に並列にコンデンサ125を設け、フ
ライバックトランス121の一次巻線121aと、MO
Sトランジスタ122に並列に接続されたコンデンサ1
25とにより共振を発生させて、ソウトスイッチングを
行なう構成とすることができる。
【0017】このように構成された放電灯装置におい
て、MOSトランジスタ122をPWM制御すると、M
OSトランジスタ122の両端電圧V(S)および電流
i(S)は、図15に示すように変化する。電圧V
(S)が共振によって低下し0V以下になると、MOS
トランジスタ122の寄生ダイオード122aに電流が
流れる。このときMOSトランジスタ122をターンオ
ンすれば、ゼロ電圧スイッチングが実現でき、ターンオ
ン損失を低減することができる。なお、MOSトランジ
スタ122のターンオフ時の損失は、コンデンサスナバ
を利用したソフトスイッチングによって低減することが
できる。ここで、このコンデンサスナバを利用したソフ
トスイッチングについて簡単に説明する。図14(a)
において、スイッチがオンし通電している状態から、オ
フする場合を考える。オフした瞬間、それまで流れてい
た電流によりコンデンサが充電される。これにより、コ
ンデンサが接続されていない場合(ハードスイッチン
グ)と比較して、スイッチ両端の印加電圧のdV/dt
が低減され、図14(b)に示すように、電流波形と電
圧波形の重なりが低減され、スイッチング損失も低減さ
れることになる。このようなスイッチングをスナバスイ
ッチング(この場合はCスナバスイッチング)という。
【0018】しかしながら、上記のように構成した場
合、ターンオン損失、ターンオフ損失を低減することが
できるが、図15に示すように、寄生ダイオードの導通
期間が長く、これによって損失が生じてしまう。このダ
イオードの導通期間は、例えば、フライバックトランス
121の一次巻線121aのインダクタンスLを変える
ことにより変化させることができるが、放電灯装置とし
て適正に作動させる場合には、自ずと一次巻線121a
のインダクタンスLの取り得る値の範囲が決まり、その
範囲内で上述のダイオード導通期間による損失を所望値
以下に低減することはできなかった。
【0019】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、したがってその目的は、DC/DC変換
回路のスイッチング素子を新規な構成でソフトスイッチ
ングできる放電灯装置を提供することにある。
【0020】また、別の目的は、DC/DC変換回路の
スイッチング損失を低減させるとともに、点灯準備期間
中におけるDC/DC変換回路の高電圧化が容易な放電
灯装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1による
と、直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換
回路を備え、DC/DC変換回路によって昇圧された電
圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置
において、DC/DC変換回路は、直流電源側に配され
た一次巻線と放電灯側に配された二次巻線とを有するフ
ライバックトランスと、一次巻線に接続された半導体ス
イッチング素子と、半導体スイッチング素子に並列に接
続されたコンデンサとを有して、フライバックトランス
の漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生させ
るように構成されており、半導体スイッチング素子を制
御回路によりPFM制御して、放電灯の点灯準備期間中
は半導体スイッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさ
せ、放電灯の点灯開始後は半導体スイッチング素子をゼ
ロ電圧スイッチングさせるようにする。
【0022】すなわち、DC/DC変換回路のフライバ
ックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチン
グ素子に並列にコンデンサを設け、フライバックトラン
スの漏れリアクトルとコンデンサとにより共振を発生さ
せるように構成し、半導体スイッチング素子を制御回路
によりPFM制御して、一次巻線側の共振電圧のターン
オン時にはゼロ電圧スイッチングさせ、ターンオフ時に
はコンデンサによりCスナバスイッチングさせる。これ
により、制御回路によりPFM制御される半導体スイッ
チング素子を、ゼロ電圧スイッチングおよびCスナバス
イッチングによるソフトスイッチングさせることがで
き、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0023】一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振
電圧をゼロ電圧スイッチングするスイッチング周期に比
べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電圧スイッチ
ングを行なう。これにより、点灯開始後におけるDC/
DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯
を点灯させるその電圧に比較して高電圧化が可能であ
る。しかも、点灯開始前は放電灯の電極間が絶縁状態と
なっているので、DC/DC変換回路の出力電力は必要
とされないため、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧ス
イッチングさせても入力電力の損失を小さく抑えること
ができる。
【0024】本発明の請求項2によると、直流電源から
の直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、DC
/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電
灯を点灯させるようにした放電灯装置において、DC/
DC変換回路は、直流電源側に配された一次巻線と放電
灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトラン
スと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素子
と、一次巻線に並列に接続されたコンデンサとを設け、
フライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサと
により共振を発生させるように構成されており、半導体
スイッチング素子を制御回路によりPFM制御して、放
電灯の点灯準備期間中は半導体スイッチング素子を非ゼ
ロ電圧スイッチングさせ、放電灯の点灯開始後は半導体
スイッチング素子をゼロ電圧スイッチングさせるように
する。
【0025】すなわち、DC/DC変換回路のフライバ
ックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチン
グ素子と、一次巻線に並列にコンデンサを設け、フライ
バックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより
共振を発生させるように構成し、半導体スイッチング素
子を制御回路によりPFM制御して、一次巻線側の共振
電圧のターンオン時にはゼロ電圧スイッチングさせ、タ
ーンオフ時にはコンデンサによりCスナバスイッチング
させる。これにより、制御回路によりPFM制御される
半導体スイッチング素子を、ゼロ電圧スイッチングおよ
びCスナバスイッチングによるソフトスイッチングさせ
ることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0026】一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振
電圧をゼロ電圧スイッチングするスイッチング周期に比
べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電圧スイッチ
ングを行なうので、点灯開始後におけるDC/DC変換
回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯さ
せるその電圧に比較して高電圧化が可能であるととも
に、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧スイッチングさ
せても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0027】本発明の請求項3によると、放電灯点灯準
備期間中の非ゼロ電圧スイッチングとは、一次巻線側の
電圧がピーク値を越えた後にスイッチングすることであ
る。
【0028】すなわち、フライバックトランスの一次巻
線側の共振電圧のピーク値を越えた後にスイッチングす
るので、一次巻線側の電圧がピーク値としての高い電圧
を確保できるとともに、このスイッチングにより一次巻
線側の電流は大きく飛び上がって大きな遮断電流が実現
できる。そのため、フライバックトランスの一次巻線側
の電圧の波高値つまりピーク値自体を大きくできるの
で、二次巻線側の出力電圧が容易に高電圧化できる。
【0029】本発明の請求項4によると、請求項1から
請求項3のいずれか一項に記載の放電灯装置において、
フライバックトランスの漏れリアクトルのインダクタン
スとコンデンサの容量は、ゼロ電圧スイッチングを可能
とするとともにPFM制御におけるスイッチング周波数
を設定された一定値にする条件を満たし、その条件を満
たす中で漏れリアクトルのインダクタンスが最も小さく
なるように、それぞれ設定することが望ましい。
【0030】上記スイッチング周波数は、請求項5に記
載のように、点灯開始後における一次巻線側の電圧をゼ
ロ電圧スイッチングするオフ期間に比べ、点灯準備期間
中における一次巻線側の電圧がピーク値を越え零に達す
るまでの区間内をスイッチング終端とするオフ期間に短
縮されることで高くなる。
【0031】一般に共振電圧のスイッチング周波数を下
げることにより共振電圧の波高値を大きくすることが可
能である。
【0032】これに対して本発明の放電灯装置は、一次
巻線側の電圧がピーク値を越え零に達するまでの区間内
をスイッチング終端とするオフ期間に短縮されることで
スイッチング周波数を高めることができるので、点灯準
備期間中において、その周波数を下げることなく、二次
巻線側の出力電圧を容易に高電圧化できる。
【0033】本発明の請求項6によると、制御回路は、
前記放電灯の電力に相当する信号に基づいて前記放電灯
の電力が瞬時低下する状態を検出したとき、前記半導体
スイッチング素子のオフ期間を長くして、前記電力の瞬
時低下時においてもゼロ電圧スイッチングができるよう
に構成されている。
【0034】すなわち、放電灯の電力の瞬時低下時にお
いてもゼロ電圧スイッチングを行なうことができる。
【0035】本発明の請求項7によると、直流電源から
の直流電圧を昇圧するDC/DC変換回路を備え、DC
/DC変換回路によって昇圧された電圧に基づいて放電
灯を点灯させるようにした放電灯装置において、DC/
DC変換回路は、直流電源側に配された一次巻線と放電
灯側に配された二次巻線とを有するフライバックトラン
スと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素子
と、二次巻線に接続された整流ダイオードと、一端が二
次巻線とダイオードとの接続点に接続され他端が直流電
源の負極側に接続されたコンデンサとを有して、フライ
バックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとにより
共振を発生させるように構成されており、半導体スイッ
チング素子を制御回路によりPFM制御して、放電灯の
点灯準備期間中は半導体スイッチング素子を非ゼロ電流
スイッチングさせ、放電灯の点灯開始後は半導体スイッ
チング素子をゼロ電流スイッチングさせるようにする。
【0036】すなわち、DC/DC変換回路のフライバ
ックトランスの一次巻線に接続された半導体スイッチン
グ素子と、二次巻線に接続された整流ダイオードと、一
端が二次巻線とダイオードとの接続点に接続され他端が
直流電源の負極側に接続されたコンデンサとを設け、フ
ライバックトランスの漏れリアクトルとコンデンサとに
より共振を発生させるように構成し、半導体スイッチン
グ素子を制御回路によりPFM制御して、一次巻線側に
流れる共振電流のターンオフ時にはゼロ電流スイッチン
グさせ、ターンオン時にはフライバックトランスの漏れ
リアクトルによりLスナバスイッチングさせる。これに
より、制御回路によりPFM制御される半導体スイッチ
ング素子を、ゼロ電流スイッチングおよびLスナバスイ
ッチングによるソフトスイッチングさせることができ、
従ってスイッチング損失を低減できる。
【0037】一方、放電灯の点灯準備期間中には、共振
電流をゼロ電流スイッチングするスイッチング周期に比
べ、スイッチング周期が短縮可能な非ゼロ電流スイッチ
ングを行なうので、点灯開始後におけるDC/DC変換
回路によって昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯さ
せるその電圧に比較して高電圧化が可能であるととも
に、一次巻線側の共振電圧を非ゼロ電圧スイッチングさ
せても入力電力の損失を小さく抑えることができる。
【0038】本発明の請求項8によると、放電灯点灯準
備期間中の非ゼロ電流スイッチングとは、一次巻線側の
電流がピーク値を越えた後にスイッチングすることであ
る。
【0039】すなわち、フライバックトランスの一次巻
線側の共振電流のピーク値を越えた後にスイッチングす
るので、一次巻線側の電流がピーク値としての高い電圧
を確保できるとともに、このスイッチングにより一次巻
線側の電圧を大きく飛び上げさせることができる。
【0040】
【発明の実施の形態】本発明の放電灯装置を、車両用放
電灯装置に適用し、具体化した実施形態を図面に従って
説明する。
【0041】(第1の実施形態)図1は、本実施形態の
放電灯装置の概略を表す構成図である。なお、図1にお
いて、従来構成としての比較例である図10に示したも
のと同一符号を付した部分は、同一もしくは均等なもの
を示している。
【0042】本実施形態は、比較例の図10に示す構成
と比較して、以下、構成の相違点、およびその構成によ
る動作について説明する。
【0043】本実施形態において、図10に示す構成と
相違するところは、DC/DC変換回路120におい
て、半導体スイッチング素子(例えば、MOSトランジ
スタ)122に並列にコンデンサ126を設け、フライ
バックトランス121の漏れリアクトル(図中には明示
されない)とコンデンサ126とにより共振させるよう
に構成し、かつMOSトランジスタ122を制御回路1
60によってPFM(Pulse Frequency
Modulationの略語)制御するようにしたこ
とである。
【0044】すなわち、DC/DC変換回路120のフ
ライバックトランス121の一次巻線121aに接続さ
れたMOSトランジスタ122に並列にコンデンサ12
6を設け、フライバックトランス121の漏れリアクト
ルとコンデンサ126とにより共振を発生させるように
構成し、MOSトランジスタ122を制御回路160に
よりPFM制御して、一次巻線121a側の共振電圧V
1(図2参照)のターンオン時にはゼロ電圧スイッチン
グさせ、ターンオフ時にはコンデンサ126によりスナ
バスイッチング(この場合は、Cスナバスイッチング)
させる。
【0045】なお、制御回路160には、図10に示す
従来のものと同様、ランプ電圧とランプ電流に相当する
信号が入力され、制御回路160は、ランプ電力を所望
の値にするように、MOSトランジスタ122をPFM
制御する。この本実施形態の制御回路160の具体的な
構成については後述する。
【0046】まず、本実施形態の特徴であるフライバッ
クトランス121の漏れリアクトルとコンデンサ126
とにより共振を発生させるように構成し、MOSトラン
ジスタ122を制御回路160によりPFM制御して、
上記ターンオン時、ターンオフ時に、それぞれ、ゼロ電
圧スイッチング、スナッバスイッチングによってソフト
スイッチングさせることについて、以下図2に従って説
明する。図2は、MOSトランジスタ122をPFM制
御したときのフライバックトランス121の一次巻線1
21a側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図で
ある。
【0047】PFM制御においてはMOSトランジスタ
122をスイッチングするためのスイッチング周波数f
swが変化するが、スイッチング周期(1/fsw)に
おいてMOSトランジスタ122をオフする期間は一定
(固定)となっている。フライバックトランス121の
一次巻線121a側の電圧V1が共振によって低下し0
V以下になると、MOSトランジスタ122の寄生ダイ
オードに電流が流れる。このときMOSトランジスタ1
22をターンオンさせ、ゼロ電圧スイッチングを行な
う。このゼロ電圧スイッチングによってターンオン損失
を低減することができる。なお、MOSトランジスタ1
22のターンオフ時の損失は、図13に示すものと同
様、コンデンサ126を利用したスナッバスイッチング
(この場合は、Cスナッバスイッチング)を実現でき
る。
【0048】したがって、MOSトランジスタ122を
PFM制御して、MOSトランジスタ122のターンオ
ン時、ターンオフ時、それぞれゼロ電圧スイッチング、
Cスナッバスイッチングによるソフトスイッチングさせ
ることができ、従ってスイッチング損失を低減できる。
【0049】ここで、上述したゼロ電圧スイッチングを
実現するためには、フライバックトランス121の漏れ
リアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ126の
容量Crをどのような値にするかが問題となる。この点
について発明者等が行なった検討について、以下図3に
従って説明する。図3は、フライバックトランス121
の漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデサ12
6の容量Crについてシュミレーションを行なった結果
を示すグラフである。
【0050】フライバックトランス121の漏れリアク
トルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量C
rが、図3に示す領域(A)における関係にあれば、ソ
フトスイッチングを行なうことができる。この領域
(A)は、コンデンサ126の容量Crの下限値と、ダ
イオード導通期間tzvs(図2参照)の下限値で規定
される。
【0051】ここで、コンデンサ126の容量Crの下
限値は、MOSトランジスタ122の寄生容量との関係
で設定される。また、ダイオード導通期間tzvsは、
MOSトランジスタ122の寄生ダイオードに電流が流
れる期間であるが、その期間中にMOSトランジスタ1
22をターンオンさせるためには、ダイオード導通期間
tzvsを確保する必要がある。しかし、ダイオード導
通期間tzvsが長すぎるとそれによる損失が大きくな
ってしまう。そこで、放電灯装置の回路パラメータのバ
ラツキ等を考慮し、ダイオード導通期間tzvs中にM
OSトランジスタ122を確実にターンオンできる最小
の時間を、ダイオード導通期間tzvsの下限値として
設定している。
【0052】また、放電灯装置として適正に動作させる
ためにスイッチング周波数(一定値)fswが設定され
ており、そのスイッチング周波数fswを得るために
は、漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ
126の容量Crが、図3に示す曲線(B)の関係を満
たす必要がある。
【0053】また、漏れリアクトルのインダクタンスL
rが小さいほど、DC/DC変換回路120の損失が小
さくなる。
【0054】したがって、以上の検討から、漏れリアク
トルのインダクタンスLrとコンデンサ126の容量C
rを、図3に示す(C)点に設定すれば、ソフトスイッ
チングが実現でき、かつDC/DC変換回路損失を最小
とすることができる。
【0055】なお、上記(C)点つまり最適にそれぞれ
漏れリアクトルのインダクタンスLrとコンデンサ12
6の容量Crを設定するとは、ゼロ電圧スイッチングを
可能とするとともにPFM制御におけるスイッチング周
波数fswを設定された一定値にする条件を満たし、そ
の条件を満たす中で漏れリアクトルのインダクタンスL
rが最も小さくなるように、それぞれ設定することであ
る。
【0056】次に、そのような漏れリアクトルのインダ
クタンスLrとコンデンサ126の容量Crを用いて、
PFM制御を行なう場合のスイッチング周波数fswと
ランプ電力Poutの関係について行なった検討につい
て、以下図4、図5に従って説明する。図4は、PFM
制御を行なう場合のスイッチング周波数fswとランプ
電力Poutの関係を示すグラフである。図5は、点灯
開始後におけるランプ最適電力特性、およびスイッチン
グ最適周波数特性を示す模式図であって、図5(a)
は、ランプ最適電力を示す模式図、図5(b)はランプ
電力に応じたスイッチング最適周波数を示す模式図であ
る。
【0057】図4に示すように、スイッチング周波数f
swが小さく設定するときにはランプ電力Poutを大
きくすることができ、スイッチング周波数fswが大き
く設定するときにはランプ電力Poutを小さくするこ
とができる。
【0058】したがって、図5(a)に示すようなラン
プ最適電力曲線を得るためには、図5(b)に示すよう
にスイッチング周波数fswを変化させればよい。
【0059】次に、制御回路160の構成を、以下図6
に従って説明する。図6は、本実施形態に係わる制御回
路160の構成を示すブロック図である。
【0060】この制御回路160は、図6に示すよう
に、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号からランプ
電力を検知する電力検知回路161と、この電力検知回
路161から出力されるランプ電力に応じた電圧を周波
数に変換するV/F変換回路162と、V/F変換回路
162から出力される信号に基づいて、MOSトランジ
スタ122のゲートに印加するゲートパルスを生成する
ゲートパルス生成回路163と、ゲートパルス生成回路
163と、ゲートパルスをMOSトランジスタ122の
ゲートに印加するドライバ回路164とを備えている。
【0061】このような構成により、図5(a)に示す
ように、点灯初期時にランプ電力を最大電力とし、過渡
状態時にランプ電力を過渡特性に応じた電力にし、安定
点灯時にランプ電力を定常電力にすることができる。
【0062】ここで、ランプ電力は、ランプ電流が図1
1(b)に示すように交互に極性反転することによっ
て、周期的に低出力状態(ランプ電力が瞬時低下する状
態)となる(図7参照)。このようにランプ電力が低出
力状態になると、フライバックトランス121の一次巻
線121a側の電圧V1が0V以下になるタイミングが
遅くなる。この場合、それを考慮せずにPFM制御を行
なうと、ダイオード導通期間tzvs中にMOSトラン
ジスタ122をターンオンさせることができなくなる。
【0063】そこで、本実施形態では、制御回路160
において、ランプ電圧とランプ電流に相当する信号から
ランプ電力の変動を検知する電力変動検知回路165
と、この電力変動検知回路165によってランプ電力の
変動が検知されたときにMOSトランジスタ122のオ
フ期間を長くする信号を出力するオフ期間可変回路16
6とを備え、ゲートパルス生成回路163は、V/F変
換回路162から出力される信号とオフ期間可変回路1
66から出力される信号に基づいて、MOSトランジス
タ122のオフ期間を長くするゲートパルスを生成す
る。このように構成することによって、ランプ電力が低
出力状態になったときでも、ダイオード導通期間tzv
s中にMOSトランジスタ122をターンオンさせるこ
とができる。
【0064】(変形例)変形例としては、点灯準備期間
中つまり点灯スイッチ20をオンしてから点灯開始する
までの期間において、MOSトランジスタ122を非ゼ
ロ電圧スイッチングさせ、点灯開始後において、MOS
トランジスタ122をゼロ電圧スイッチングさせるよう
に、上述の実施形態に係わる制御回路160(詳しく
は、図6)に、図8に示すように、点灯準備期間時オフ
期間短縮回路160aを追加する構成とする。なお、オ
フ期間短縮回路160aの構成は後述する。
【0065】点灯準備期間においては、ランプ30の電
極間で絶縁破壊が生じて点灯開始した後、不安定なグロ
ー放電状態から安定点灯可能なアーク放電状態へ早期に
転移させるように、図11(a)に示すランプ電圧と同
様、DC/DC変換回路120によって昇圧される電圧
は点灯開始後の電圧に比し高電圧化され、その高圧化さ
れた電圧をランプ30に印加する必要がある。
【0066】これに対して、変形例では、制御回路16
0は、PFM制御して、点灯開始後におけるMOSトラ
ンジスタ122をオフするオフ期間Toff1(図9
(a)参照)に比べて、短縮されたオフ期間Toff2
(図9(b)参照)することで非ゼロ電圧スイッチング
させるので、フライバックトランス121に残された残
存磁気エネルギーが大きくなり、図9(b)に示すよう
に、一次巻線121a側の電流i1は大きく飛び上げら
れて大きな遮断電流が実現できる(図9(b)。
【0067】ここで、MOSトランジスタ122をゼロ
電圧スイッチングするオフ期間Toff1を、点灯準備
期間中、短縮する制御回路160のオフ期間短縮回路1
60aの構成を、以下図8に従って説明する。
【0068】オフ期間短縮回路160aは、点灯スイッ
チ20(図1参照)のオン状態に切換わる信号が入力さ
れ、点灯スイッチ20がオンすると所定の期間、点灯準
備中であることを表わす信号を出力するタイマー回路1
67と、ランプ電流に相当する信号が入力され、そのラ
ンプ電流によってランプ30が点灯したか否かを検出す
る点灯検出回路168と、タイマー回路167もしくは
点灯検出回路168から出力される信号に基づいて点灯
準備期間中か否かを判別する点灯準備期間判定回路16
9を備え、ゲートパルス生成回路163は、点灯準備期
間判定回路169から出力される準備期間を表わす信号
に基づいて、MOSトランジスタ122のオフ期間を短
縮するゲートパルスを生成する。
【0069】なお、短縮されるオフ期間は、図9(b)
に示すように、一次巻線121a側の電圧V1がピーク
値を越え0Vに達するまでの区間内をスイッチング終端
とするオフ期間Toff2に制御回路160によって設
定されることが望ましい。
【0070】このような構成にすることによって、一次
巻線121a側の電圧V1の波高値をピーク値で高める
ことができるとともに、このスイッチングにより一次巻
線121a側の電流i1は大きな遮断電流となるので、
その電圧V1の波高値つまりピーク電流値自体を大きく
することができる(図9(b)参照)したがって、一次
巻線121a側の電圧V1がピーク値を越えた後でスイ
ッチングすることで二次側121b側から出力される電
圧つまりDC/DC変換回路120の出力電圧を高電圧
化が容易にできる。
【0071】なお、点灯開始前はランプ30の電極間が
絶縁状態となっているので、DC/DC変換回路120
の出力電力は必要とされないため、一次巻線121a側
の共振電圧V1を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力
電力の損失を小さく抑えることができる。
【0072】(第2の実施形態)第2の実施形態として
は、第1の実施形態で説明したフライバックトランス1
21の漏れリアクトルとコンデンサ126とにより共振
を発生させるようにした構成において、MOSトランジ
スタ122に並列に接続されるコンデンサ126の配置
に換えて、図16に示すように、一次巻線121に並列
に接続されるコンデンサ126の配置とする構成とす
る。
【0073】本実施形態におけるソフトスイッチング方
式は、ゼロ電圧スイッチングであり、動作波形は第1の
実施形態と全く同じである。
【0074】また、制御回路160を第1の実施形態の
変形例のような構成にすれば、制御回路160によりP
FM制御して、点灯準備期間中はMOSトランジスタ1
22を非ゼロ電圧スイッチングさせ、点灯開始後はMO
Sトランジスタ122をゼロ電圧スイッチングさせるよ
うに構成できる。
【0075】これにより、変形例と同様に、一次巻線1
21a側の電圧V1がピーク値を越えた後でスイッチン
グすることで二次側141b側から出力される電圧つま
りDC/DC変換回路120の出力電圧を高電圧化が容
易にできるとともに、点灯開始前はランプ30の電極間
が絶縁状態となっているので、一次巻線121a側の共
振電圧V1を非ゼロ電圧スイッチングさせても入力電力
の損失を小さく抑えることができる。
【0076】(第3の実施形態)第3の実施形態として
は、図17に示すように、コンデンサ126を、その一
端がフライバックトランス121の二次巻線121bと
ダイオード123(リカバリー損失を低減させるために
もうけたもの)との接続点に接続され、他端がバッテリ
10の負極側に接続されたものであり、その他の構成は
第1の実施形態と同じである。
【0077】本実施形態におけるソフトスイッチング方
式は、二次巻線121b側に接続したコンデンサ126
と漏れリアクトルとにより共振を利用したゼロ電流スイ
ッチングである。すなわち、一次巻線121a側の電圧
V1、電流i1の波形を示す図18のように、ゼロ電流
スイッチングは、MOSトランジスタに流れる共振電流
を利用することにより、MOSトランジスタ122のゼ
ロ電流状態でスイッチングを行なうものである。
【0078】図18に示すダイオード導通期間tzcs
の期間は、MOSトランジスタ122に電流が流れない
期間であって、この期間にターンオフを完了することに
より、ゼロ電流スイッチングが実現できる。また、ター
ンオン時は、ソフトスイッチングの一方式である漏れリ
アクトルを利用したスナバスイッチング(この場合は、
Lスナバスイッチング)によりスイッチング損失が低減
できる。なお、これは、図19の模式的説明図に示すよ
うに、スイッチに直列に配置されている共振のための漏
れリアクトルが、ターンオン時に電流を限定し、di/
dtが低減されるためである。
【0079】なお、本発明の実施形態では、オープンル
ープでMOSトランジスタ122をPFM制御するもの
を示したが、MOSトランジスタ122の寄生ダイオー
ドに電流が流れている状態を電流検出手段(例えば、寄
生ダイオードに流れる電流を検出する電流センサや、ス
イッチ手段としてのMOSトランジスタ122の両端の
電圧を検出する電圧センサ等)で検出し、それによって
ゼロ電圧スイッチングもしくはゼロ電流スイッチングを
行なうようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の放電灯装置の概略を
表す構成図である。
【図2】半導体スイッチング素子をPFM制御したとき
のフライバックトランスの一次巻線側の電圧V1と電流
i1の波形を表わす模式図である。
【図3】フライバックトランスの漏れリアクトルのイン
ダクタンスLrとコンデサの容量Crについてシュミレ
ーションを行なった結果を示すグラフである。
【図4】PFM制御を行なう場合のスイッチング周波数
fswとランプ電力Poutの関係を示すグラフであ
る。
【図5】点灯開始後におけるランプ最適電力特性、およ
びスイッチング最適周波数特性を示す模式図であって、
図5(a)は、ランプ最適電力を示す模式図、図5
(b)はランプ電力に応じたスイッチング最適周波数を
示す模式図である。
【図6】第1の実施形態に係わる制御回路の構成を示す
ブロック図である。
【図7】ランプ電力が周期的に低出力になる状態を表わ
す模式図である
【図8】第1の実施形態に係わる変形例の制御回路の構
成を示すブロック図である。
【図9】変形例の半導体スイッチング素子をPFM制御
したときのフライバックトランスの一次巻線側の電圧V
1と電流i1の波形を表わす模式図であって、図9
(a)は、点灯開始後における電圧V1と電流i1の波
形を表わす模式図、図9(b)は、点灯準備期間中の電
圧V1と電流i1の波形を表わす模式図である。
【図10】従来の車両用放電灯装置の概略を表わす構成
図である。
【図11】図10の構成において、点灯準備期間、点灯
初期、過渡状態、安定点灯の各状態におけるランプ電
圧、ランプ電流、電力を示す模式図であって、図11
(a)はランプ電圧、図11(b)はランプ電流、図1
1(c)はランプ電力を示す模式図である。
【図12】図10の構成において、フライバックトラン
スの一次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模
式図である。
【図13】図10に示すDC/DC変換回路において、
フライバックトランスの一次巻線と、半導体スイッチン
グ素子に並列に接続されたコンデンサとにより共振を発
生させるようにした場合を表わす部分的構成図である。
【図14】スナッバスイッチング、特にコンデンサを利
用したCスナッバスイッチングを説明する模式図であ
る。
【図15】図13に示す構成にした場合の問題点を説明
する模式図である。
【図16】第2の実施形態の放電灯装置の概略を表す構
成図である。
【図17】第3の実施形態の放電灯装置の概略を表す構
成図である。
【図18】第3の実施形態に係わる半導体スイッチング
素子をPFM制御したときのフライバックトランスの一
次巻線側の電圧V1と電流i1の波形を表わす模式図で
ある。
【図19】第3の実施形態に係わるスナッバスイッチン
グ、特にリアクトルを利用したLスナッバスイッチング
を説明する模式図である。
【符号の説明】
10 バッテリ(直流電源) 20 点灯スイッチ 30 ランプ(放電灯) 100 放電灯装置 110 フィルタ回路 120 DC/DC変換回路 121 フライバックトランス 121a、121b 一次巻線、二次巻線 122 MOSトランジスタ(半導体スイッチング素
子) 126 コンデンサ 130 インバータ回路 140 始動回路 160 制御回路 Lr フライバックトランス121の漏れリアクトルの
インダクタンス Cr コンデンサ126の容量 V1 一次巻線121a側の電圧 i1 一次巻線121a側の電流 fsw スイッチング周波数 Toff1、Toff2 ゼロ電圧スイッチングするオ
フ期間、非ゼロ電圧スイッチングするオフ期間
フロントページの続き Fターム(参考) 3K072 AA13 AC01 AC11 BA05 BB10 BC02 BC05 CB05 DD06 DE01 DE02 DE04 DE06 FA05 GA03 GB03 GB18 GC04 GC07 HA04 HA05 HA09 HB03 5H730 AA14 AS11 BB14 BB62 BB72 DD04 EE59 FD01 FD31 FG03 FG04 FG07 FG23

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC
    /DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって
    昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにし
    た放電灯装置において、 前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された
    一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有する
    フライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半
    導体スイッチング素子と、該半導体スイッチング素子に
    並列に接続されたコンデンサとを有して、前記フライバ
    ックトランスの漏れリアクトルと前記コンデンサとによ
    り共振を発生させるように構成されており、 前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制
    御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイ
    ッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、前記放電
    灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電
    圧スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電
    灯装置。
  2. 【請求項2】 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC
    /DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって
    昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにし
    た放電灯装置において、 前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された
    一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有する
    フライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半
    導体スイッチング素子と、前記一次巻線に並列に接続さ
    れたコンデンサとを有して、前記フライバックトランス
    の漏れリアクトルと前記コンデンサとにより共振を発生
    させるように構成されており、 前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制
    御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイ
    ッチング素子を非ゼロ電圧スイッチングさせ、前記放電
    灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電
    圧スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電
    灯装置。
  3. 【請求項3】 前記放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電圧
    スイッチングとは、前記一次巻線側の電圧がピーク値を
    越えた後にスイッチングすることであることを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載の放電灯装置。
  4. 【請求項4】 前記フライバックトランスの漏れリアク
    トルのインダクタンスと前記コンデンサの容量は、前記
    ゼロ電圧スイッチングを可能とするとともに前記PFM
    制御におけるスイッチング周波数を設定された一定値に
    する条件を満たし、その条件を満たす中で前記漏れリア
    クトルのインダクタンスが最も小さくなるように、それ
    ぞれ設定されていることを特徴とする請求項1から請求
    項3のいずれか一項に記載の放電灯装置。
  5. 【請求項5】 前記スイッチング周波数は、前記点灯開
    始後における前記一次巻線側の電圧を前記ゼロ電圧スイ
    ッチングするオフ期間に比べ、前記点灯準備期間中、前
    記一次巻線側の電圧がピーク値を越え零に達するまでの
    区間内をスイッチング終端とするオフ期間に短縮される
    ことで大きくなることを特徴とする請求項4に記載の放
    電灯装置。
  6. 【請求項6】 前記制御回路は、前記放電灯の電力に相
    当する信号に基づいて前記放電灯の電力が瞬時低下する
    状態を検出したとき、前記半導体スイッチング素子のオ
    フ期間を長くして、前記電力の瞬時低下時においてもゼ
    ロ電圧スイッチングができるように構成されていること
    を特徴とする請求項4に記載の放電灯装置。
  7. 【請求項7】 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC
    /DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって
    昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにし
    た放電灯装置において、 前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された
    一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有する
    フライバックトランスと、前記一次巻線に接続された半
    導体スイッチング素子と、前記二次巻線に接続された整
    流ダイオードと、一端が前記二次巻線と前記ダイオード
    との接続点に接続され他端が前記直流電源の負極側に接
    続されたコンデンサとを有して、前記フライバックトラ
    ンスの漏れリアクトルと前記コンデンサとにより共振を
    発生させるように構成されており、 前記半導体スイッチング素子を制御回路によりPFM制
    御して、前記放電灯の点灯準備期間中は前記半導体スイ
    ッチング素子を非ゼロ電流スイッチングさせ、前記放電
    灯の点灯開始後は前記半導体スイッチング素子をゼロ電
    流スイッチングさせるようにしたことを特徴とする放電
    灯装置。
  8. 【請求項8】 前記放電灯点灯準備期間中の非ゼロ電流
    スイッチングとは、前記一次巻線側の電流がピーク値を
    越えた後にスイッチングすることであることを特徴とす
    る請求項7に記載の放電灯装置。
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