JP2003045708A - 電波吸収体及び電波吸収体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域の広い範
囲で複素透磁率の虚数部μ”が高く、高周波帯域での電
磁波抑制効果に優れた電波吸収体を提供する。 【解決手段】 非晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエラ
ストマーからなる結着剤とが少なくとも混合され、固化
成形されてなることを特徴とする電波吸収体を採用す
る。この電波吸収体によれば、非晶質軟磁性合金粉末が
シリコーンエラストマーからなる結着剤とともに固化成
形されているので、非晶質軟磁性合金粉末が結着剤によ
り絶縁されて電波吸収体自体のインピーダンスが高めら
れ、これにより渦電流の発生が抑制されて数百ＭＨｚ〜
数ＧＨｚの周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”
を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域での電
磁波抑制効果を向上させることが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電波吸収体及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、100ＭＨｚ〜数
ＧＨｚ帯域における電波の遮蔽に有効な電波吸収体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話やノート型パーソナルコンピュ
ータ等に代表される携帯用電子機器が普及している。最
近では、航空機内等における携帯用電子機器によると思
われる電磁波干渉の問題が報告され、一部では航空機内
での携帯用電子機器の使用が禁止されている。また、携
帯電話による医療機器の誤動作が報告されており、病院
内での携帯電話の使用が規制されている状況にある。

【０００３】航空機にしても、医療機器にしても、誤動
作が人命に関わる重大な影響を及ぼすため、電子機器に
おける不要電波の輻射や発生の防止が重要になってい
る。特に、携帯用電子機器や携帯電話等から生じる高周
波の不要電波の防止が重大な課題となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】不要電波の抑制には、
使用周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”が大き
な値を示す電波吸収体を用いるのが好ましく、このよう
な電波吸収体として、フェライト材からなる電波吸収体
や、軟磁性合金粉末を樹脂等の結着材とともにシート状
に固化成形した電波吸収体が提案されている。

【０００５】前記複素透磁率の虚数部μ”は、高周波帯
域で数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域で極大を示す透
磁率であり、電波吸収体の電磁干渉抑制効果の指標にな
る数値であり、この虚数部μ”の値が高いものほど電磁
干渉抑制効果に優れたものとなる。尚、数百ＭＨｚ以下
の周波数帯域では、複素透磁率の実数部μ’が極大を示
す。従って、動作周波数を増大させていくと、最初に実
数部μ’が極大を示し、更なる周波数の向上により実数
部μ’が低下すると同時に虚数部μ”が向上し、数百Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域で虚数部μ”が極大を示す
関係になる。また、実数部μ’及び虚数部μ”の極大周
波数はそれぞれ、材料に固有の値であり、従って遮蔽し
ようとする電波の周波数によって電波吸収体の材料を適
宜選択する必要がある。

【０００６】上記のフェライト材からなる電波吸収体
は、数百ＭＨｚの周波数帯域では虚数部μ”が比較的高
く、十分な電磁干渉抑制効果が得られるものの、上記の
携帯型電子機器が発するような数ＧＨｚの周波数帯域で
はμ”が急激に低下し、電磁干渉抑制効果が殆ど得られ
ないという問題があった。また電磁干渉抑制効果を充分
に発揮するためには、フェライト材を比較的厚くする必
要があり、携帯電話等の小型機器には適用できないとい
う問題があった。

【０００７】また、軟磁性合金粉末からなる電波吸収体
は、フェライト材の場合よりも薄くできるので小型機器
にも適用可能だが、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域
では虚数部μ”が概ね５以下、高いものでも１０以下と
小さく、フェライト材の場合と同様に電磁干渉抑制効果
が十分に得られないという問題があった。

【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域の広い範
囲で複素透磁率の虚数部μ”が高く、高周波帯域での電
磁波抑制効果に優れた電波吸収体を提供することを目的
とする。また、本発明は、１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの高周
波帯域での複素透磁率の虚数部が高く、このような高周
波帯域での電磁波抑制効果に優れた電波吸収体を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ΔＴx＝Ｔx-Ｔg(ただしＴxは結晶化開
始温度であり、Ｔgはガラス遷移温度である。)の式で表
される過冷却液体の温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ
基非晶質軟磁性合金と樹脂とを混合してなるものとし
た。温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ基非晶質軟磁性
合金であるならば、優れた軟磁気特性を有し、透磁率の
高い材料であるので、電波吸収能力が発揮される。

【００１０】本発明は上記の目的を達成するために、前
記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金が、Ｆｅと遷移金属とＢを含
むことを特徴とする。温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦ
ｅ基非晶質軟磁性合金として、Ｆｅと遷移金属とＢを含
むものが好ましい。

【００１１】本発明は上記の目的を達成するために、前
記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金が、Ｐ、Ｃ、Ｓｉのうちの少
なくとも１種以上の半金属元素を含むことを特徴とす
る。温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ基非晶質軟磁性
合金として、Ｐ、Ｃ、Ｓｉのうちの少なくとも１種以上
の半金属元素を含むものが好ましい。

【００１２】本発明は上記の目的を達成するために、前
記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金の含有量が４０〜５５体積％
であることを特徴とする。樹脂に対して上記範囲のＦｅ
基非晶質軟磁性合金の含有量とするならば、目的の高周
波領域において好ましい電波吸収特性が得られる。

【００１３】本発明において、前記Ｆｅ基非晶質軟磁性
合金が、遷移金属として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖのうちの少な
くとも１種以上の元素を含むことを特徴とする。温度間
隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ基非晶質軟磁性合金とし
て、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖのうちの少なくとも１種以上の遷移
金属元素を含むことが好ましい。

【００１４】本発明において、前記Ｆｅ基非晶質軟磁性
合金が粉末状態で含まれ、前記粉末の平均粒径が１〜８
０μｍ、厚さが０.１〜５μｍとされてなるものが好ま
しい。 この範囲の平均粒径と厚さにされているなら
ば、高周波領域における電波吸収特性において優れたも
のが得られ易い。係る電波吸収体によれば、扁平型の粉
末粒子の厚さおよび平均粒径が上記の範囲なので、電波
吸収体自体のインピーダンスの増大により渦電流の発生
が抑制され、また扁平型の粒子自体の反磁界が過小にな
らずにμ’が抑制され、これによりＧＨｚ帯域における
μ”が高くなり、電磁波抑制効果を向上させることが可
能になる。

【００１５】本発明において、前記粉末のアスペクト比
が１以上、８００以下であることが好ましい。本発明に
おいて、前記粉末のアスペクト比が５以上、３００以下
の範囲であることがより好ましい。係る電波吸収体によ
れば、前記非晶質軟磁性合金粉末がアスペクト比の高い
扁平型粒子で構成されるので、アスペクト比が小さい場
合と比較して電波吸収体自体のインピーダンスが高くな
り、渦電流の発生が抑制されてＧＨｚ帯域におけるμ”
が高くなり、この帯域での電磁波抑制効果を向上させる
ことが可能になる。

【００１６】係る電波吸収体によれば、扁平型粒子のア
スペクト比が１以上、好ましくは５以上なので、電波吸
収体自体のインピーダンスが増大し、渦電流の発生が抑
制されてＧＨｚ帯域におけるμ”が５以上になるので、
電磁波抑制効果を向上させることが可能になる。また、
先のアスペクト比が８００以下、好ましくは３００以下
なので、扁平粒子自体の反磁界が過小にならず、これに
より低周波数体域における複素透磁率の実数部μ’が抑
制され、一方で虚数部μ”が６以上になるので、電磁波
抑制効果を向上させることが可能になる。本発明におい
て、前記樹脂としては熱可塑性樹脂からなるものとする
ことができる。熱可塑性樹脂としては、塩化ビニル、ポ
リプロピレン、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、塩素化ポ
リエチレン等が挙げられ、これらの中でも特に、塩素化
ポリエチレンが好ましい。係る電波吸収体によれば、非
晶質軟磁性合金粉末が熱可塑性からなる結着剤とともに
固化成形されているので、非晶質軟磁性合金粉末が結着
剤により絶縁されて電波吸収体自体のインピーダンスが
高められ、これにより渦電流の発生が抑制されて数百Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域における複素透磁率の虚数
部μ”を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域
での電磁波抑制効果を向上させることが可能になる。更
に、結着剤としての樹脂が塩素化ポリエチレンからなる
場合、軟質のものを得ることができる。例えば、板ガム
状の軟質のもの、あるいは薄い鉛板のような変形可能な
軟質のものを得ることができる。これにより、シート状
の電波吸収体として利用する場合、貼り付け場所を選ぶ
必要が無く、貼り付け箇所の形状に合わせて簡単に添わ
せることができ、貼り付け作業が容易となり、貼り付け
作業自体も容易になる特徴を有する。また、切断して貼
り付ける場合にハサミ等で容易に切断可能であり、切断
したものも貼り付け、取り付けが容易となる。よって、
例えば小さな箱状のシールドケース、小さなケースの内
面に装着又は貼り付けることが容易となる。

【００１７】本発明の電波吸収体は、非晶質軟磁性合金
粉末とシリコーンエラストマーからなる結着剤とが少な
くとも混合され、固化成形されてなることを特徴とす
る。係る電波吸収体によれば、非晶質軟磁性合金粉末が
シリコーンエラストマーからなる結着剤とともに固化成
形されているので、非晶質軟磁性合金粉末が結着剤によ
り絶縁されて電波吸収体自体のインピーダンスが高めら
れ、これにより渦電流の発生が抑制されて数百ＭＨｚ〜
数ＧＨｚの周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”
を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域での電
磁波抑制効果を向上させることが可能になる。

【００１８】また本発明の電波吸収体は、先に記載の電
波吸収体であって、１ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数
部μ”が６以上であることを特徴とする。係る電波吸収
体によれば、1ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部μ”
が６以上であるので、ＧＨｚ帯域での電磁波抑制効果を
向上させることが可能になる。

【００１９】また本発明の電波吸収体は、先に記載の電
波吸収体であって、密度が３.０g/cm³以上であり、前記
非晶質軟磁性合金粉末の含有率が３０体積％以上８０体
積％以下であることを特徴とする。係る電波吸収体によ
れば、密度が３.０g/cm³以上であるため、非晶質軟磁性
合金粉末が密に充填され、粉末を構成する扁平粒子同士
の間で隙間が生じることがなく、これによってＧＨｚ帯
域におけるμ”が高くなり、電磁波抑制効果を向上させ
ることが可能になる。また非晶質軟磁性合金粉末の含有
率が３０体積％以上なので、電磁波抑制効果を有効に発
揮させることができ、また非晶質軟磁性合金粉末の含有
率が８０体積％以下なので、粉末同士の過密化による電
波吸収体のインピーダンスの低下を防止し、電磁波抑制
効果を有効に発揮させることができる。

【００２０】本発明の電波吸収体は、先に記載の電波吸
収体であって、前記扁平型の粉末粒子が水ガラスにより
被覆されていることを特徴とする。係る電波吸収体によ
れば扁平型の粉末粒子が水ガラスで被覆されているの
で、粒子同士の絶縁性が高められて電波吸収体自体のイ
ンピーダンスが更に向上し、高周波数帯域におけるμ”
を更に高くすることができ、電磁波抑制効果を向上させ
ることが可能になる。

【００２１】また本発明の電波吸収体は、先に記載の電
波吸収体であって、前記非晶質軟磁性合金が、ΔＴx＝
Ｔx-Ｔg(ただしＴxは結晶化開始温度であり、Ｔgはガラ
ス遷移温度である。)の式で表される過冷却液体の温度
間隔ΔＴxが２０K以上であって、Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂのう
ちの１種以上の元素Ｑと、Ｆｅとを含み、非晶質相を主
相とする組織からなることを特徴とする。

【００２２】係る電波吸収体によれば、非晶質軟磁性合
金粉末が過冷却液体の温度間隔ΔＴxを有する金属ガラ
ス合金からなり、この金属ガラス合金は従来の軟磁性合
金と比べて複素透磁率の実数部μ’が高いので、この合
金を粉末化して結着剤を添加して絶縁性を向上させるこ
とにより、当該実数部μ’を反映した高い虚数部μ”が
発現され、電磁波抑制効果を向上させることが可能にな
る。

【００２３】また本発明の電波吸収体は、先に記載の電
波吸収体であって、前記非晶質軟磁性合金粉末と前記結
着剤とが混合されて固化成形された後、前記非晶質軟磁
性合金のキュリー点温度(Ｔc)以上結晶化開始温度(Ｔx)
以下の範囲で熱処理されてなることを特徴とする。係る
電波吸収体によれば、熱処理により電波吸収体自体の歪
みが緩和されるので、磁歪の影響が小さくなり、これに
より複素透磁率の虚数部μ”が高くなって電磁波抑制効
果を向上させることが可能になる。

【００２４】前記非晶質軟磁性合金は、下記の組成式で
表されるものが好ましい。 Ｆｅ_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種以上の元素であり、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔ
は、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｙ≦１５原
子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％≦ｗ≦
１０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子％≦
(１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−ｔ)≦７９原子％、１１原子
％≦(ｙ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％である。

【００２５】また、前記非晶質軟磁性合金は、下記の組
成式で表されるものでも良い。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｘ、ｙ、ｚ、
ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０原子％≦ｘ≦１０
原子％、２原子％≦ｙ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１
１．５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦
ｔ≦８原子％、７０原子％≦(１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ
−ｔ)≦７９原子％、１１原子％≦(ｙ＋ｚ＋ｗ)≦３０
原子％である。

【００２６】また、前記非晶質軟磁性合金は、下記の組
成式で表されるものでも良い。 Ｆｅ_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、組成比を示すｂ、ｘ、ｖ、ｚ、ｗ、ｔ
は、０．１≦ｂ≦０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子
％、２原子％≦ｖ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．
５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦
８原子％、７０原子％≦(１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−ｔ)
≦７９原子％、１１原子％≦(ｖ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％
である。

【００２７】更に、前記非晶質軟磁性合金は、下記の組
成式で表されるものでも良い。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_z
Ｂ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｂ、ｘ、ｖ、
ｚ、ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０．１≦ｂ≦
０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｖ≦
１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％
≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子
％≦(１００−ｘ−ｖ−ｚ−ｗ−ｔ)≦７９原子％、１１
原子％≦(ｖ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％である。

【００２８】次に本発明の電波吸収体の製造方法は、非
晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエラストマーからなる
結着剤とを混合した後、室温以上の温度かもしくは３７
３〜４７３Ｋの温度で固化成形し、更に６００〜８５０
Ｋの熱処理温度で熱処理することを特徴とする。係る電
波吸収体の製造方法によれば、熱処理によって固化成形
時に電波吸収体に印加された歪みが緩和されるので、磁
歪の影響が小さくなり、これにより複素透磁率の虚数部
μ”が高くなって電磁波抑制効果に優れた電波吸収体と
することが可能になる。

【００２９】次に本発明の電波吸収体の製造方法は、非
晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエラストマーからなる
結着剤とを混合した後、４２３〜６７３Ｋの温度で固化
成形すると同時に熱処理することを特徴とする。係る電
波吸収体の製造方法によれば、固化成形と同時に熱処理
できるので、製造工程を省略できるとともに、磁歪を小
さくして複素透磁率の虚数部μ”を高めることで、電磁
波抑制効果に優れた電波吸収体とすることが可能にな
る。

【００３０】また本発明の電波吸収体の製造方法は、先
に記載の電波吸収体の製造方法であって、Ｐ、Ｃ、Ｓ
ｉ、Ｂのうちの１種以上の元素Ｑと、Ｆｅとを含む合金
溶湯を急冷して球状の粒子を含む非晶質合金粉末とし、
該非晶質合金粉末をアトライタに投入して１０分〜１６
時間の範囲で粉砕混合することにより、扁平型粒子を主
として含む前記の非晶質軟磁性合金粉末を得ることを特
徴とする。なお、合金溶湯は非晶質形成能の向上や耐食
性を向上させるために、それぞれ、ＡｌやＧａのいずれ
か一方または両方の元素Ｘや、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖより選ば
れる１種もしくは２種以上の元素からなる元素Ｒの金属
元素を適宜添加すると良い。係る電波吸収体の製造方法
によれば、非晶質合金粉末をアトライタに投入して上記
の条件で粉砕混合することにより、適当なアスペクト比
を有する扁平型粒子を主として含む非晶質軟磁性合金粉
末を得ることが可能になる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電波吸収体の実施
の形態を図面を参照して説明する。本発明の電波吸収体
の１つの形態は、ΔＴx＝Ｔx-Ｔg(ただしＴxは結晶化開
始温度であり、Ｔgはガラス遷移温度である。)の式で表
される過冷却液体の温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ
基非晶質軟磁性合金の粉末と樹脂とを混合して、シート
状に固化成形したものである。ここで用いる樹脂とは、
塩化ビニル、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、フェノール
樹脂、塩素化ポリエチレン等の熱可塑性樹脂を選択する
ことができ、これら熱可塑性樹脂の中でも、塩素化ポリ
エチレンが加工性の点で特に好ましい。この種の塩素化
ポリエチレンにおいては、ポリエチレンとポリ塩化ビニ
ルの中間と考えらえる特性を発揮し、塩素含有量として
は、例えば、３０〜４５％、伸び率として例えば４２０
〜８００％、ムーニー粘度３５〜７５（Ｍｓ１＋４：１
００℃）などの特性のものを使用することができる。ま
た、本発明の電波吸収体の他の１つの形態は、先のＦｅ
基非晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエラストマーから
なる結着剤とが少なくとも混合され、シート状に固化成
形されてなるものである。また先の電波吸収体には、Ｆ
ｅ基非晶質軟磁性合金と結着剤としての樹脂の他に、ス
テアリン酸アルミニウムからなる潤滑剤が添加されてい
てもよく、更にシランカップリング剤が添加されていて
も良い。

【００３２】先の電波吸収体は、Ｆｅ基非晶質軟磁性合
金粉末が結着剤としての樹脂とともに固化成形されてい
るので、Ｆｅ基非晶質軟磁性合金粉末が樹脂の内部で分
散された構造とされている。また、先の他の電波吸収体
は、Ｆｅ基非晶質軟磁性合金粉末がシリコーンエラスト
マーからなる結着剤とともに固化成形されてなるもの
で、非晶質軟磁性合金粉末が分散した状態となってお
り、特に非晶質軟磁性合金粉末を構成する個々の粒子が
シリコーンエラストマーによって絶縁されていることが
好ましい。これらのように、非晶質軟磁性合金粉末が樹
脂の結着剤により絶縁されているので、電波吸収体自体
のインピーダンスが高められ、これにより渦電流の発生
が抑制されて数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域におけ
る複素透磁率の虚数部μ”(以下、虚数透磁率μ”と表
記)を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域で
の電磁波抑制効果を向上させることができる。

【００３３】先の電波吸収体において、熱可塑性樹脂を
結着剤として用いてなるものは、１ＧＨｚにおける虚数
透磁率μ”が６以上のものである。虚数透磁率μ”が６
以上であると、ＧＨｚ帯域での電磁波抑制効果が向上し
て、高周波の電波を効果的に遮蔽することができるので
好ましい。また、結着剤が軟質のものを選択することに
より、電波吸収体として軟質のものを得ることができ、
例えば板ガムのように自由に指先の力で変形できる形態
のものを得ることができる。例えば前述のシリコーンエ
ラストマーを結着剤としたものよりも遥かに柔軟で変形
自在な特徴を有する。また、先の電波吸収体において、
シリコーンエラストマーを結着剤として用いてなるもの
は、１ＧＨｚにおける虚数透磁率μ”が１０以上のもの
を得ることが可能である。虚数透磁率μ”が１０以上で
あると、ＧＨｚ帯域での電磁波抑制効果が向上して、高
周波の電波を効果的に遮蔽することができるので好まし
い。

【００３４】またシリコーンエラストマーと塩素化ポリ
エチレンは、電波吸収体のインピーダンスを高める他
に、非晶質軟磁性合金粉末を結着して電波吸収体の形状
を保持する。またシリコーンエラストマーは圧縮成形性
に優れるので、常温で固化成形しても高強度の電波吸収
体を構成できる。更にシリコーンエラストマーと塩素化
ポリエチレンは電波吸収体内部でも十分な弾性を示し、
例えば１×１０^-6〜５０×１０^-6の磁歪定数を示す非晶
質軟磁性合金粉末用いた場合でも、歪みを緩和させるこ
とができ、電波吸収体の内部応力を緩和して虚数透磁率
μ”を高めることができる。

【００３５】尚、前述の樹脂にステアリン酸アルミニウ
ムからなる潤滑剤を添加すると、非晶質軟磁性合金粉末
が密に充填されて電波吸収体の密度が向上する。これに
より虚数透磁率μ”が高くなる。また、前述の樹脂にシ
ランカップリング剤を添加すると、非晶質軟磁性合金粉
末とシリコーンエラストマーとがシランカップリング剤
によって強く結合され、非晶質軟磁性合金粉末の表面に
シリコーンエラストマーが均一に被覆される。これによ
り非晶質軟磁性合金粉末同士の絶縁性が高められて虚数
透磁率μ”が向上する。

【００３６】非晶質軟磁性合金粉末は、扁平型粒子を主
として含むものであり、この扁平型粒子は、アスペクト
比(長径／厚さ)が１以上８００以下の範囲のものであ
る。具体的には、粒子の厚さが０.１〜５μｍの範囲
（好ましくは１〜２μｍ）であるとともに長径が１〜８
０μｍ（好ましくは２〜８０μｍ）の範囲のものであ
る。

【００３７】非晶質軟磁性合金粉末が比較的アスペクト
比の高い扁平型粒子で構成されるので、アスペクト比が
小さい場合と比べて電波吸収体自体のインピーダンスが
高くなり、渦電流の発生が抑制されてＧＨｚ帯域におけ
る虚数透磁率μ”がより高くなり、この帯域での電磁波
抑制効果が向上するためである。

【００３８】具体的には、扁平型粒子のアスペクト比が
１以上であれば、粒子同士の接触が少なくなって電波吸
収体自体のインピーダンスが増大し、渦電流の発生が抑
制されてＧＨｚ帯域における虚数透磁率μ”が６以上に
なり易く、これにより電波吸収体の電磁波抑制効果が向
上する。扁平型粒子のアスペクト比が１０以上であれ
ば、粒子同士の接触が更に少なくなって電波吸収体自体
のインピーダンスが増大する割合が増加し、渦電流の発
生が抑制されてＧＨｚ帯域における虚数透磁率μ”が１
０以上になり易く、これにより電波吸収体の電磁波抑制
効果が向上する。アスペクト比の上限は８００以下とす
るのが好ましい。アスペクト比が８００以下であれば、
扁平粒子自体の反磁界が過小にならず、低周波数帯域に
おける複素透磁率の実数部μ’(以下、実効透磁率μ’
と表記)が低く抑制され、これと対照的に虚数透磁率
μ”が６以上になり易く、電磁波抑制効果が向上する。
アスペクト比の上限は３００以下とするのがより好まし
い。アスペクト比が３００以下であれば、扁平粒子自体
の反磁界が過小にならず、低周波数帯域における複素透
磁率の実数部μ’(以下、実効透磁率μ’と表記)がより
低く抑制され、これと対照的に虚数透磁率μ”が１０以
上になり易く、電磁波抑制効果がより向上する。

【００３９】電波吸収体の密度は３.０g/cm³以上である
ことが好ましい。密度が３.０g/cm³以上であると、非晶
質軟磁性合金粉末が密に充填されて扁平粒子同士の隙間
が少なくなり、これによってＧＨｚ帯域における虚数透
磁率μ”が１０以上になり易く、電磁波抑制効果が向上
する。電波吸収体の密度は高いほど好ましいが、あまり
に高くなると扁平型粒子が密に充填され過ぎて電波吸収
体のインピーダンスが低減し、渦電流が発生して虚数透
磁率μ”が低くなる。従って電波吸収体の密度の上限を
６.５g/cm³以下に設定することが好ましい。

【００４０】電波吸収体における非晶質軟磁性合金粉末
の含有率は、３０体積％以上８０体積％以下であること
が好ましい。非晶質軟磁性合金粉末の含有率が３０体積
％以上であれば、磁性体の量が十分となり、電磁波抑制
効果を有効に発揮させることができる。また含有率が８
０体積％以下であれば、合金粉末同士が接触してインピ
ーダンスが低下することがなく、虚数透磁率μ”を確実
に高く維持して電磁波抑制効果を有効に発揮させること
ができる。シリコーンエラストマーあるいは塩素化ポリ
エチレンの含有率は、非晶質軟磁性合金粉末を除いた残
部である。

【００４１】潤滑剤を添加する場合には、電波吸収体に
対して０.１重量％以上、５重量％以下の範囲で添加す
ることが好ましい。またシランカップリング剤を添加す
る場合には、電波吸収体に対して０.１重量％以上、２
重量％以下の範囲で添加するのが好ましい。

【００４２】更に前述の扁平型粒子を水ガラスで被覆し
ても良い。扁平型粒子を水ガラスで被覆すると、粒子同
士の絶縁性が更に高められて電波吸収体のインピーダン
スが更に向上し、高周波数帯域における虚数透磁率μ”
をより高くすることができ、電磁波抑制効果を向上でき
る。

【００４３】次に、本発明に係る非晶質軟磁性合金粉末
は、ΔＴx＝Ｔx−Ｔg(ただしＴxは結晶化開始温度であ
り、Ｔgはガラス遷移温度である。)の式で表される過冷
却液体の温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上であって、Ｐ、
Ｃ、Ｓｉ、Ｂのうちの１種以上の元素Ｑと、Ｆｅとを含
み、非晶質相を主相とする組織からなる金属ガラス合金
の粉末である。この金属ガラス合金としては、比抵抗が
１.５μΩ・ｍ以上のものが好ましく、また磁歪定数が
１×１０^-6〜５０×１０^-6の範囲のものが好ましい。

【００４４】従来から非晶質軟磁性合金の１種として、
Ｆｅ-Ａｌ-Ｇａ-Ｃ-Ｐ-Ｓｉ-Ｂ系の金属ガラス合金が知
られている。この従来の組成系の金属ガラス合金は、Ｆ
ｅに非晶質形成能を有するＡｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ及
びＢを添加したものである。この従来の非晶質軟磁性合
金に対して本発明の非晶質軟磁性合金は、Ｆｅと、Ｐ、
Ｃ、Ｂとを少なくとも含有し、必要に応じてＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｓｉ及びＲ（Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏより選ばれる１種また
は２種以上の元素）を添加したものであり、Ｇａを除去
してこのＧａ置換でＡｌ及びＦｅを増量させたものであ
り、従来から必須元素と考えられてきたＧａを除去して
も非晶質相を形成することが確認され、更には過冷却液
体の温度間隔ΔＴxをも発現することが見出された。更
に本発明の非晶質軟磁性合金は、非晶質の粉末を作る上
で必要な非晶質形成能を十分に維持しつつ、従来のＦｅ
-Ａｌ-Ｇａ-Ｃ-Ｐ-Ｓｉ-Ｂ系合金よりも磁気特性を向上
させることができ、なおかつ、ガスアトマイズ法、水ア
トマイズ法など、様々な粉末形成方法に耐え得る耐食性
を得ることができるものである。

【００４５】本発明の非晶質軟磁性合金は、磁性を示す
Ｆｅと、非晶質形成能を有するＰ、Ｃ、Ｂを少なくとも
具備しているので、非晶質相を主相とするとともに優れ
た軟磁気特性を示す。また、Ｎｉ、Ｃｏのいずれか一方
または両方をＦｅ置換で添加しても良く、更にＰ、Ｃ、
Ｂに加えてＳｉを添加しても良い。またＲ（Ｃｒ、Ｖ、
Ｍｏより選ばれる１種または２種以上の元素）を添加し
ても良く、非晶質形成能を更に向上させるためにＡｌを
添加しても良い。

【００４６】この非晶質軟磁性合金は、２５Ｋ以上の過
冷却液体の温度間隔ΔＴxを示す金属ガラス合金であ
り、組成によってはΔＴxが３０Ｋ以上、さらには５０
Ｋ以上という顕著な温度間隔を有し、これまでの知見か
ら知られる他の合金からは全く予期されないものであ
り、軟磁性についても室温で優れた特性を有しており、
これまでの知見に見られない全く新規なものである。本
発明の非晶質軟磁性合金は、従来のＦｅ-Ａｌ-Ｇａ-Ｃ-
Ｐ-Ｓｉ-Ｂ系合金よりもＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁性元素
を多く含むために高い飽和磁化を示す。従って本発明の
非晶質軟磁性合金は、従来の金属ガラス合金よりも飽和
磁化を格段に向上させることができる。また組織全体が
完全な非晶質相であることから、適度な条件で熱処理し
た場合に結晶質相が析出させることなく内部応力を緩和
でき、軟磁気特性をより向上させることができる。

【００４７】また本発明の非晶質軟磁性合金は、過冷却
液体の温度間隔ΔＴxが大きいために、溶融状態から冷
却するとき、広い過冷却液体領域を有し、結晶化するこ
となく温度の低下に伴ってガラス遷移温度Ｔgに至って
非晶質相を容易に形成する。従って、冷却速度が比較的
遅くても充分に非晶質相を形成することが可能であり、
例えばガスアトマイズ法のように、合金溶湯を不活性ガ
スにより噴霧して急冷する方法によって、非晶質相組織
を主体とする粉末状の合金を得ることができ、実用性に
優れたものとなる。

【００４８】上記の非晶質軟磁性合金の一例として、下
記の組成式で表すものを挙げることができる。 Ｆｅ_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種以上の元素であり、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔ
は、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｙ≦１５原
子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％≦ｗ≦
１０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子％≦
（１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−ｔ）≦７９原子％、１１原
子％≦(ｙ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％である。

【００４９】また、上記の非晶質軟磁性合金の別の例と
して、下記の組成式で表すものを挙げることができる。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｘ、ｙ、ｚ、
ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０原子％≦ｘ≦１０
原子％、２原子％≦ｙ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１
１．５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦
ｔ≦８原子％、７０原子％≦（１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ
−ｔ）≦７９原子％、１１原子％≦（ｙ＋ｚ＋ｗ）≦３
０原子％である。

【００５０】更に、上記の非晶質軟磁性合金の他の例と
して、下記の組成式で表すものを挙げることができる。 Ｆｅ_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、組成比を示すｂ、ｘ、ｖ、ｚ、ｗ、ｔ
は、０．１≦ｂ≦０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子
％、２原子％≦ｖ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．
５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦
８原子％、７０原子％≦（１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−
ｔ）≦７９原子％、１１原子％≦（ｖ＋ｚ＋ｗ）≦３０
原子％である。

【００５１】更にまた、上記の非晶質軟磁性合金のその
他の例として、下記の組成式で表すものを挙げることが
できる。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_z
Ｂ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｂ、ｘ、ｖ、
ｚ、ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０．１≦ｂ≦
０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｖ≦
１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％
≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子
％≦（１００−ｘ−ｖ−ｚ−ｗ−ｔ）≦７９原子％、１
１原子％≦（ｖ＋ｚ＋ｗ）≦３０原子％である。上記の
組成の非晶質軟磁性合金は、合金の融点をＴmとしたと
き、Ｔg／Ｔm≧０．５７を示すとともに、飽和磁化σs
が１８０×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上を示す。

【００５２】また、ＦｅとＰ、Ｃ、Ｂとを少なくとも含
む上記の非晶質軟磁性合金の好ましい組成範囲は、前記
の組成比のうちのｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔが、０原子％≦ｘ
≦６原子％、２原子％≦ｙ≦１５原子％、０原子％＜ｚ
≦１１．５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子
％≦ｔ≦４原子％、７６原子％≦（１００−ｘ−ｙ−ｚ
−ｗ−ｔ）≦７９原子％、１８原子％≦（ｙ＋ｚ＋ｗ）
≦２４原子％となる範囲である。また、ＦｅとＰ、Ｃ、
Ｂ、Ｓｉとを少なくとも含む上記の非晶質軟磁性合金の
好ましい範囲は、前記の組成比のうちのｘ、ｖ、ｚ、
ｗ、ｔが、０原子％≦ｘ≦６原子％、２原子％≦ｖ≦１
５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％≦
ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦４原子％、７６原子％
≦（１００−ｘ−ｖ−ｚ−ｗ−ｔ）≦７９原子％、１８
原子％≦（ｖ＋ｚ＋ｗ）≦２４原子％となる範囲であ
る。

【００５３】上記の好ましい組成範囲の非晶質軟磁性合
金においては、Ｔg／Ｔm≧０．５７を示すとともに、飽
和磁化σsが２００×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上を示
す。更に、ＦｅとＰ、Ｃ、Ｂとを少なくとも含む上記の
非晶質軟磁性合金のより好ましい組成範囲は、前記の組
成比のうちのｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔが、０原子％≦ｘ≦５
原子％、２原子％≦ｙ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１
１．５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦
ｔ≦３原子％、７７原子％≦（１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ
−ｔ）≦７９原子％、１８原子％≦（ｙ＋ｚ＋ｗ）≦２
３原子％となる範囲である。更にまた、ＦｅとＰ、Ｃ、
Ｂ、Ｓｉとを少なくとも含む上記の非晶質軟磁性合金の
より好ましい組成範囲は、前記の組成比のうちのｘ、
ｖ、ｚ、ｗ、ｔが、０原子％≦ｘ≦５原子％、２原子％
≦ｖ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４
原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦３原子％、７
７原子％≦（１００−ｘ−ｖ−ｚ−ｗ−ｔ）≦７９原子
％、１８原子％≦（ｖ＋ｚ＋ｗ）≦２３原子％となる範
囲である。

【００５４】上記のより好ましい組成の非晶質軟磁性合
金においては、Ｔg／Ｔm≧０．５７を示すとともに、飽
和磁化σsが２１０×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上を示
す。また、上記の非晶質軟磁性合金を示す組成比ｔは、
２原子％≦ｔ≦８原子％の範囲であっても良く、２原子
％≦ｔ≦４原子％の範囲であっても良く、２原子％≦ｔ
≦３原子％の範囲であっても良い。

【００５５】以下に、本発明の非晶質軟磁性合金の組成
限定理由について説明する。Ｆｅは磁性を担う元素であ
って、本発明の非晶質軟磁性合金に必須の元素である。
また、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉのいずれか一方または両
方の元素Ｔで置換しても良い。Ｆｅ単独、またはＦｅと
元素Ｔとの合計の組成比を高くすると、非晶質軟磁性合
金の飽和磁化σsを向上できる。

【００５６】Ｆｅ単独、またはＦｅと元素Ｔとの合計の
組成比は、７０原子％以上７９原子％以下であることが
好ましく、７６原子％以上７９原子％以下であることが
より好ましく、７７原子％以上７９原子％以下であるこ
とが更に好ましい。Ｆｅ単独、またはＦｅと元素Ｔとの
合計の組成比が７０原子％未満では、飽和磁化σsが１
８０×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ未満に低下してしまうので
好ましくない。また、組成比が７９原子％を越えると、
合金の非晶質形成能の程度を示すＴg／Ｔmが０．５７未
満になり、非晶質形成能が低下するので好ましくない。
尚、組成比が７６原子％以上であれば合金の飽和磁化σ
sを２００×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上にでき、組成比
が７７原子％以上であれば合金の飽和磁化σsを２１０
×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上にできる。

【００５７】また、Ｆｅ置換で元素Ｔを添加する場合に
は、上記組成式中の組成比ａで示すように、Ｆｅの添加
量の１０〜１５％を置換して元素Ｔを添加することが好
ましい。元素Ｔを添加することにより、合金を構成する
原子の充填密度が向上し、原子の再配列が抑制されるこ
とにより熱的安定性が向上する。特にＣｏを添加する
と、キュリー温度が向上し、また融点が低下することに
より非晶質形成能も向上する。元素Ｔの添加量がＦｅ量
の１０％未満では元素Ｔの添加効果が見られず、添加量
がＦｅ量の１５％を越えるとＦｅ量が相対的に低下して
飽和磁化が低下してしまうので好ましくない。

【００５８】Ａｌは、本発明の非晶質軟磁性合金の非晶
質形成能を向上させるために必要に応じて添加する元素
である。Ａｌの組成比ｘを０原子％以上１０原子％以下
の範囲とすることにより、合金の非晶質形成能を更に向
上させることができる。具体的には、組成比ｘが０原子
％以上１０原子％以下であるときに、合金の非晶質形成
能の程度を示すＴg／Ｔmが０．５７以上となり、飽和磁
化σsが１８０×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上にできる。
しかし、ＡｌをＦｅ置換で添加する場合、飽和磁化σs
が低下し、コストも増大するため、Ａｌは必要に応じて
添加するのがよい。Ａｌは、Ｆｅとの間での混合エンタ
ルピーが負であり、Ｆｅよりも原子半径が大きく、更に
Ｆｅよりも原子半径が小さいＰ、Ｂ、Ｓｉとともに用い
ることにより、結晶化し難く、非晶質構造が熱的に安定
化した状態となる。Ａｌの組成比ｘは、０原子％以上１
０原子％以下であることが好ましく、０原子％以上６原
子％以下であることがより好ましく、０原子％以上５原
子％以下であることが更に好ましい。組成比ｘが１０原
子％を越えると、Ｆｅ量が相対的に低下して飽和磁化σ
sが低下し、またＴg／Ｔmが０．５７未満になって非晶
質形成能が低下するので好ましくない。Ａｌを添加する
場合、Ａｌの添加効果、即ち、非晶質形成能と熱的安定
性の向上を得るためには、少なくとも１原子％以上添加
することが好ましい。

【００５９】また、Ｆｅ単独、またはＦｅと元素Ｔの合
計の組成比が７６原子％以上であり、かつＡｌの組成比
ｘが０原子％以上６原子％以下の場合に、合金の飽和磁
化σsを２００×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上にできる。
更に、Ｆｅ単独、またはＦｅと元素Ｔの合計の組成比が
７７原子％以上であり、かつＡｌの組成比ｘが０原子％
以上５原子％以下の場合に、合金の飽和磁化σsを２１
０×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上にできる。

【００６０】Ｃ、Ｐ、Ｂ及びＳｉは、非晶質形成能を高
める元素であり、ＦｅとＡｌにこれらの元素を添加して
多元系とすることにより、ＦｅとＡｌのみの２元系の場
合よりも安定して非晶質相が形成される。特にＰはＦｅ
と低温（約１０５０℃）で共晶組成を持つため、組織の
全体が非晶質相になるとともに過冷却液体の温度間隔Δ
Ｔxが発現しやすくなる。ＰとＳｉを同時に添加する
と、過冷却液体の温度間隔ΔＴxがより大きくなって非
晶質形成能が向上し、非晶質単相の組織を得る際の製造
条件を比較的簡易な方向に緩和できる。

【００６１】Ｓｉを無添加とした場合におけるＰの組成
比ｙは、２原子％以上１５原子％以下であることが好ま
しく、５原子％以上１５原子％以下であることがより好
ましく、７原子％以上１３原子％以下であることが最も
好ましい。Ｐの組成比ｙが上記の範囲であれば、過冷却
液体の温度間隔ΔＴxが発現して合金の非晶質形成能が
向上する。

【００６２】ＰとＳｉを同時に添加する場合は、ＰとＳ
ｉの合計量を示す組成比ｖが２原子％以上１５原子％以
下であることが好ましく、８原子％以上１５原子％以下
であることがより好ましく、１０原子％以上１４原子％
以下であることが最も好ましい。ＰとＳｉの合計量を示
す組成比ｖが上記の範囲であれば、過冷却液体の温度間
隔ΔＴxが向上し、これにより合金の非晶質形成能が向
上する。

【００６３】ＰとＳｉを同時に添加した場合のＳｉとＰ
との比（Ｓｉ／Ｐ）を表す組成比ｂは、０.１≦ｂ≦０.
２８であることが好ましい。組成比ｂが０.１未満では
Ｓｉの添加効果が見られないので好ましくなく、組成比
ｂが０.２８を越えるとＳｉの量が過剰になって過冷却
液体領域ΔＴxが消滅するおそれがあるので好ましくな
い。ＰとＳｉの組成比を示すｂ、ｖを上記の範囲とする
ならば、過冷却液体の温度間隔ΔＴxを向上させ、非晶
質単相となるバルクの大きさを増大させることができ
る。

【００６４】またＢの組成比ｗは、４原子％以上１０原
子％以下であることが好ましく、６原子％以上１０原子
％以下であることがより好ましく、６原子％以上９原子
％以下であることが最も好ましい。更にＣの組成比ｚ
は、０原子％を越えて１１．５原子％以下であることが
好ましく、２原子％以上８原子％以下であることがより
好ましく、２原子％以上５原子％以下であることが最も
好ましい。

【００６５】そして、これらの半金属元素Ｃ、Ｐ、Ｂ及
びＳｉの合計の組成比（ｙ＋ｚ＋ｗ）または（ｖ＋ｚ＋
ｗ）は、１１原子％以上３０原子％以下であることが好
ましく、１８原子％以上２４原子％以下とすることがよ
り好ましく、１８原子％以上２３原子％以下とすること
が更に好ましい。半金属元素の合計の組成比が１１原子
％未満であると、非晶質軟磁性合金の非晶質形成能が低
下して非晶質相単相組織を得ることができないので好ま
しくなく、半金属元素の合計の組成比が３０原子％を越
えると、特にＦｅの組成比が相対的に低下し、飽和磁化
σsが低下するので好ましくない。

【００６６】Ｆｅ単独またはＦｅと元素Ｔの合計の組成
比が７６原子％以上のときに、半金属元素Ｃ、Ｐ、Ｂ及
びＳｉの合計の組成比（ｙ＋ｚ＋ｗ）または（ｖ＋ｚ＋
ｗ）を１８原子％以上２４原子％以下とすることによ
り、合金の飽和磁化σsを２００×１０_-6Ｗｂ・ｍ／ｋ
ｇ以上にできる。更に、Ｆｅ単独またはＦｅと元素Ｔの
合計の組成比が７７原子％以上のときに、半金属元素
Ｃ、Ｐ、Ｂ及びＳｉの合計の組成比（ｙ＋ｚ＋ｗ）また
は（ｖ＋ｚ＋ｗ）を１８原子％以上２３原子％以下とす
ることにより、合金の飽和磁化σsを２１０×１０_-6Ｗ
ｂ・ｍ／ｋｇ以上にできる。

【００６７】また、Ｃｒを添加することによって合金の
耐食性が向上する。例えば、水アトマイズ法において、
溶湯が直接水に触れたとき、更には粉末の乾燥工程にお
いて生じる錆の発生を防ぐことができる（目視レベ
ル）。Ｃｒの組成比ｔは、０原子％以上８原子％以下で
あることが好ましい。Ｃｒを添加すると合金の耐食性を
高めることができるが、Ｃｒの組成比ｔが８原子％を越
えるとＦｅ濃度が相対的に低下し、磁気特性が低下する
ので好ましくない。また、Ｃｒの組成比ｔは、０原子％
以上４原子％以下であることがより好ましく、０原子％
以上３原子％以下であることが更に好ましい。更にＣｒ
の組成比ｔは、１原子％以上８原子％以下でもよく、１
原子％以上４原子％以下でもよく、１原子％以上３原子
％以下でもよい。Ｃｒの組成比ｔが２原子％以上であれ
ば合金の耐食性をより向上させることができる。また、
Ｃｒの組成比ｔが４原子％以下であれば飽和磁化σsを
向上させることができ、Ｃｒの組成比ｔが３原子％以下
であれば飽和磁化σsをより向上させることができる。

【００６８】また、同様な効果はＣｒの他にＭｏ、Ｖに
もあり、これらの元素を単独で添加するか、Ｍｏ、Ｖと
Ｍｏ、ＣｒとＶ、Ｃｒ及びＣｒ、Ｍｏ、Ｖ等の組合せで
複合添加しても良い。これらの元素のうち、Ｃｒは耐食
性に最も良く効き、Ｍｏ，Ｖは耐食性がＣｒより若干劣
るものの非晶質形成能が向上するため、必要に応じてこ
れらの元素を選択する。また、上記の組成に、Ｇｅが４
原子％以下含有されていてもよく、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、
Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのうち少なくとも１種以上が０〜７原子
％含有されていてもよい。上記のいずれの場合の組成に
おいても、本発明においては、過冷却液体の温度間隔Δ
Ｔxは２０Ｋ以上、組成によっては３５Ｋ以上が得られ
る。また上記の組成で示される元素の他に不可避的不純
物が含まれていても良い。

【００６９】本発明に係る非晶質軟磁性合金は、溶製し
てから単ロールもしくは双ロールによる急冷法によっ
て、さらには液中紡糸法や溶液抽出法によって、あるい
はガスアトマイズ法または水アトマイズ法によって、も
しくは射出成形法によって、バルク状、リボン状、線状
体、粉末等の種々の形状として製造される。特に、従来
公知の非晶質軟磁性合金薄帯を粉砕して得られた薄片状
の粒子からなる粉末に対し、本発明では上記のガスアト
マイズ法または水アトマイズ法によって、形状が略球状
の粒子からなる合金粉末を得ることができる。

【００７０】ガスアトマイズ法により得られた前記組成
の非晶質軟磁性合金は、室温において磁性を有し、また
熱処理によってより良好な磁性を示す。このため優れた
Softmagnetic特性（軟磁気特性）を有する材料として各
種の応用に有用なものとなる。なお、製造方法について
付言すると、合金の組成、そして製造のための手段と製
品の大きさ、形状等によって、好適な冷却速度が決まる
が、通常は１〜１０₄Ｋ／ｓ程度の範囲を目安とするこ
とができる。そして実際には、ガラス相（glassy phas
e）に結晶相としてのＦｅ₃Ｂ、Ｆｅ₂Ｂ、Ｆｅ₃Ｐ等の相
が析出するかどうかを確認することで決めることができ
る。

【００７１】上記の非晶質軟磁性合金の製造方法の一例
として、ガスアトマイズ法について説明する。ガスアト
マイズ法は、上述の組成からなる非晶質軟磁性合金の溶
湯を、高圧の不活性ガスとともに不活性ガスで満たされ
たチャンバ内部に霧状に噴霧し、該不活性ガス雰囲気中
で急冷して合金粉末を製造するというものである。な
お、ガスアトマイズ法の他に、水等の冷却液に対して合
金溶湯を高速噴霧して急冷する水アトマイズ法を適用し
て球形型の非晶質軟磁性合金粉末を製造することもでき
るのは勿論である。

【００７２】図１は、ガスアトマイズ法による合金粉末
の製造に好適に用いられる高圧ガス噴霧装置の一例を示
す断面模式図である。この高圧ガス噴霧装置１は、溶湯
るつぼ２と、ガス噴霧器３と、チャンバ４とを主体とし
て構成されている。溶湯るつぼ２の内部には合金溶湯５
が充填されている。また溶湯るつぼ２には加熱手段たる
コイル２ａが備えられており、合金溶湯５を加熱して溶
融状態に保つように構成されている。そして、溶湯るつ
ぼ２の底部には溶湯ノズル６が設けられており、合金溶
湯５は溶湯ノズル６からチャンバ４の内部に向けて滴下
されるか、若しくは溶湯るつぼ２内に不活性ガスを加圧
状態で導入して合金溶湯５を溶湯ノズル６から噴出させ
る。

【００７３】ガス噴霧器３は溶湯るつぼ２の下側に配設
されている。このガス噴霧器３にはＡｒ、窒素等の不活
性ガスの導入流路７と、この導入流路７の先端部である
ガス噴射ノズル８とが設けられている。不活性ガスは、
図示しない加圧手段によってあらかじめ２〜１５ＭＰａ
程度に加圧されており、導入流路７によってガス噴射ノ
ズル８まで導かれ、このノズル８からチャンバ４内部へ
ガス流ｇとなって噴出される。チャンバ４の内部には、
ガス噴霧器３から噴出される不活性ガスと同種の不活性
ガスが充填されている。チャンバ４内部の圧力は７０〜
１００ｋＰａ程度に保たれており、また温度は室温程度
に保たれている。なお、先のガスアトマイズ法を実施す
るための高圧ガス噴霧装置１のチャンバ４において底部
側に水を収容しておくように構成すると、水アトマイズ
法を実施することができる。

【００７４】合金粉末を製造するには、まず、溶湯るつ
ぼ２に充填された合金溶湯５を溶湯ノズル６からチャン
バ４内に滴下する。同時に、ガス噴霧器３のガス噴射ノ
ズル８から不活性ガスを噴射する。噴射された不活性ガ
スは、ガス流ｇとなって滴下された溶湯まで達し、噴霧
点ｐにおいて溶湯に衝突して溶湯を霧化する。霧状にさ
れた合金溶湯はチャンバ４内で急冷凝固し、非晶質相を
主相とする略球状の粒子となってチャンバ４の底部に堆
積する。このようにして合金粉末が得られる。

【００７５】合金粉末の粒径は、噴出する不活性ガスの
圧力、溶湯の滴下速度、溶湯ノズル６の内径等により調
整することができ、数μｍ〜百数十μｍの粒径のものを
得ることができる。

【００７６】そして、このようにして得られた非晶質合
金粉末をアトライタに投入し、１０分〜１６時間の範囲
で粉砕混合することにより、扁平型粒子を主として含む
前記の非晶質軟磁性合金粉末が得られる。アトライタに
よる粉砕混合は１０分〜１６時間の範囲で行うことが好
ましく、４〜８時間の範囲がより好ましい。粉砕混合の
時間が１０分未満だと、扁平化が不十分なために扁平型
粒子のアスペクト比を１以上、例えば１０以上にできな
い傾向があり、粉剤混合の時間が１６時間を超えると、
扁平型粒子のアスペクト比が８０以上を越えるようにな
る。

【００７７】得られた合金粉末は必要に応じて熱処理し
ても良い。熱処理をすることで合金の内部応力が緩和さ
れ、非晶質軟磁性合金の軟磁気特性をより向上できる。
熱処理温度Ｔaは、合金のキュリー温度Ｔc以上ガラス遷
移温度Ｔg以下の範囲が好ましい。熱処理温度Ｔaがキュ
リー温度Ｔc未満であると、熱処理による軟磁気特性向
上の効果が得られないので好ましくない。また熱処理温
度Ｔaがガラス遷移温度Ｔgを越えると、合金組織中に結
晶質相が析出しやすくなり、軟磁気特性が低下するおそ
れがあるので好ましくない。また熱処理時間は、合金の
内部応力を充分に緩和させるとともに結晶質相の析出の
おそれのない範囲が好ましく、例えば３０〜３００分の
範囲が好ましい。

【００７８】次に上記の金属ガラス合金の粉末にシリコ
ーンエラストマー等の結着剤を加えて混合し、必要に応
じて潤滑剤またはシランカップリング剤を添加し、この
混合物を室温以上の温度か、もしくは、３７３Ｋ〜４７
３Ｋの温度で固化成形してシート状とし、更に６００Ｋ
〜８５０Ｋの熱処理温度で熱処理することにより、本発
明に係る電波吸収体が得られる。また、塩素化ポリエチ
レンを結着剤として用いても良く、必要に応じて潤滑剤
もしくはシランカップリング剤、架橋剤を添加し、３５
３Ｋ〜４２３Ｋの範囲で混練、成形し、更に３５３Ｋ〜
８５０Ｋの熱処理温度で熱処理することにより、本発明
に係る電波吸収体が得られる。なお、本発明に係る電波
吸収体にあってはシート状に形成することが利用形態と
して好ましいが、形状をシート状に限るものではなく、
網目状、袋状等別種の形状に加工しても良いのは勿論で
ある。

【００７９】上記の方法によれば、熱処理によってシー
ト状成形時に電波吸収体に印加された歪みが緩和される
ので、磁歪の影響が小さくなり、これにより複素透磁率
の虚数部μ”が高くなって電磁波抑制効果に優れた電波
吸収体が得られる。

【００８０】尚、シリコーンエラストマーを結着剤とし
て用いて固化成形する際の温度は、室温以上の温度か、
もしくは３７３〜４７３Ｋの範囲が好ましい。固化成形
時の温度が室温未満では、温度が不十分なために上記の
混合物を固化成形できないので好ましくなく、温度が４
７３Ｋを越えると、固化成形時にシリコーンエラストマ
ーがしみ出してしまうおそれがあるので好ましくない。
また、工数を短縮するためには室温付近の温度で固化成
形するのが好ましいが、より確実に固化成形させるため
には３７３Ｋ以上の温度で固化成形させると良い。ま
た、シリコーンエラストマーを結着剤として用いる場合
の熱処理温度は６００〜８５０Ｋの範囲が好ましく、６
４０Ｋ〜８１１Ｋの範囲がより好ましい。特に、金属ガ
ラス合金のキュリー温度Ｔc以上結晶化開始温度Ｔx以下
であることがより好ましい。熱処理温度が６００Ｋ未満
では、温度が不十分なために電波吸収体の内部応力を緩
和できず、虚数透磁率μ”を向上させることができない
ので好ましくない。また熱処理温度が８１１Ｋを越える
と、金属ガラス合金が結晶化するおそれがあるので好ま
しくない。

【００８１】次に、塩素化ポリエチレン等の熱可塑性樹
脂を結着剤として用いる場合、混練、成形する際の温度
は３５３Ｋ〜４２３Ｋの範囲が好ましい。混練、成形時
の温度が３５３Ｋ未満では樹脂が十分に軟化せず、金属
ガラス合金と樹脂が混ざらないので好ましくなく、温度
が４２３Ｋを越えると樹脂が熱分解を起こし変質してし
まうので好ましくない。また、塩素化ポリエチレンを結
着剤として用いる場合の熱処理温度は３５３Ｋ〜４２３
Ｋの範囲が好ましいが、熱処理はキュリー温度Ｔｃ以
上、結晶化開始温度Ｔｘ以下が望ましいため、架橋剤を
添加して樹脂の耐熱性を上げ、熱処理温度を３５３Ｋ〜
８５０Ｋの範囲とすることが好ましく、特に５３５Ｋ〜
７２３Ｋとするのが好ましい。熱処理温度が５３５Ｋ未
満では、温度が不十分なため、電波吸収体の内部応力を
緩和できず、虚数透磁率μ''を向上させることができな
いので好ましくない。また、熱処理温度が７２３Ｋを越
えると、樹脂が変質するため好ましくない。

【００８２】また、別の方法として、上記の金属ガラス
合金の粉末にシリコーンエラストマーを加えて混合し、
必要に応じて潤滑剤またはシランカップリング剤を添加
し、この混合物を４２３〜６７３Ｋの温度で固化成形す
ると同時に熱処理することによっても本発明の電波吸収
体が得られる。更に、上記の金属ガラスの粉末に塩素化
ポリエチレンを加え、必要に応じて潤滑剤、シランカッ
プリング剤、架橋剤を添加し、この混合物を３５３Ｋ〜
７２３Ｋの温度で混練、シート状に成形するとともに、
同時に熱処理することによっても本発明の電波吸収体が
得られる。これらの方法によれば、シート状に成形と同
時に熱処理できるので、製造工程を省略できるととも
に、磁歪を小さくして透磁率の虚数部μ”を高めること
ができ、電磁波抑制効果に優れた電波吸収体を得ること
ができる。

【００８３】尚、シリコーンエラストマーに加えて潤滑
剤またはシランカップリング剤を添加する場合、固化成
形及び熱処理の温度は４２３〜６７３Ｋの範囲が好まし
い。温度が４２３Ｋ未満では、温度が不十分なために上
記の混合物を固化成形できないとともに電波吸収体の内
部応力を緩和できず、虚数透磁率μ”を向上させること
ができないので好ましくない。また温度が６７３Ｋを越
えると、シリコーンエラストマーがしみ出してしまうお
それがあるとともに金属ガラス合金が結晶化するおそれ
があるので好ましくない。塩素化ポリエチレンに加えて
潤滑剤またはシランカップリング剤を添加する場合、シ
ート状に成形する際の成形温度及び熱処理の温度は３５
３Ｋ〜７２３Ｋの範囲が好ましい。温度が３５３Ｋ未満
では、温度が不十分なために上記の混合物を混練、シー
ト状に成形できないとともに電波吸収体の内部応力を緩
和できず、虚数透磁率μ”を向上させることができない
ので好ましくない。また温度が７２３Ｋを越えると、塩
素化ポリエチレンが変質してしまうおそれがあるととも
に金属ガラス合金が結晶化するおそれがあるので好まし
くない。

【００８４】ここで用いる固化成形手段の一例として放
電プラズマ焼結装置を用いることができる。放電プラズ
マ焼結装置とは、上パンチと下パンチの間に被成形物を
挟んだ状態でパルス電流を流しながら被成形物を固化成
形することができ、さらにパルス電流を引き続き流すこ
とで熱処理を同時に行える装置であり、この種のＦｅ基
非晶質軟磁性合金粉末を固化成形する場合に本発明者ら
が適用して来た装置であって、その構造の一例は特願２
０００−７９０６２号などの明細書に記載されたもので
ある。この放電プラズマ焼結装置は、真空排気可能ある
いは不活性ガス雰囲気に調整可能なチャンバの内部に配
置されていて、真空雰囲気あるいは雰囲気ガス雰囲気に
おいてパルス電流を印加しながら上下のパンチで被成形
物を素早く目的の温度に昇温して非晶質の状態を維持し
たまま加圧成形できる装置である。

【００８５】以上の加圧成形処理により、扁平型粒子を
含む非晶質軟磁性合金粉末と、シリコーンエラストマー
が固化成形されてなる電波吸収体を得ることができる。
また、これらに加えて潤滑材またはカップリング材を添
加してなる電波吸収体を得ることができる。上記のよう
にして得られた電波吸収体においてシリコーンエラスト
マーを用いたものは、1ＧＨｚにおける虚数透磁率μ”
が１０以上であり、電磁波抑制効果に優れたものとな
る。また、上記のようにして得られた電波吸収体におい
て塩素化ポリエチレンを用いたものは、1ＧＨｚにおけ
る虚数透磁率μ”が６以上であり、電磁波抑制効果に優
れたものとなる。

【００８６】

【実施例】「実験例１：非晶質軟磁性合金粉末の特性」
ＦｅとＡｌと、Ｆｅ-Ｃ合金、Ｆｅ-Ｐ合金、Ｂ及びＳｉ
を原料として、Ｆｅ₇₇Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ_2.87
の組成比となるようにそれぞれ所定量秤量し、減圧Ａｒ
雰囲気下においてこれらの原料を高周波誘導加熱装置で
溶解し、インゴットを作製した。このインゴットを図１
に示す高圧ガス噴霧装置の溶湯るつぼ内に入れて１３０
０℃に加熱して溶解し、溶湯るつぼの溶湯ノズルから合
金溶湯を滴下するとともに、図１に示すガス噴霧器から
アルゴンガス流を１００ｋｇ／ｃｍ²の圧力で噴射して
合金溶湯を霧状にし、チャンバ内で霧状の合金溶湯を急
冷させるガスアトマイズ法により、粒径が６２μｍ以下
の球状粒子からなる非晶質合金粉末（アトマイズ粉）を
得た。ここで得られる非晶質合金粉末は粒径６２μｍ以
下のものであるので、実質的な平均粒径は３０μｍ程度
であり、３０μｍよりも更に細径の球状粒子を含むもの
である。また、粒径を６２μｍ以下としたのは、６２μ
ｍ以下とすることで非晶質の合金粉末がより得られやす
くなるためである。

【００８７】次に、上記の球状粒子を含む非晶質合金粉
末をアトライタに投入し、処理時間１、２、４、８時間
の条件で粉砕混合して球状粒子を扁平型粒子にすること
により、本発明に係る非晶質軟磁性合金粉末を得た。

【００８８】アトライタによる処理時間が４時間の非晶
質軟磁性合金粉末について、Ｘ線回折法により結晶構造
の解析を行うとともに、ＤＳＣ測定（Differential sca
nning caloriemetry：示差走査熱量測定）によりガラス
遷移温度Ｔg及び結晶化開始温度Ｔxを測定した。先のＸ
線回折の結果を図２に示し、ＤＳＣ測定の結果を図３に
示す。更に、合金粉末に含まれる粒子の外観を走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。図４〜図８にＳＥ
Ｍ写真を示す。図４はアトライタ処理前、図５は処理時
間が１時間、図６は処理時間が２時間、図７は処理時間
が４時間、図８は処理時間が８時間のものである。

【００８９】図２に示すように、得られた非晶質軟磁性
合金粉末のＸ線回折パターンはブロードなパターンであ
り、組織全体が非晶質相を主体としていることがわか
る。また、図３に示すように非晶質軟磁性合金粉末のＤ
ＳＣ曲線からは、ガラス遷移温度Ｔgが７７４Ｋ（５０
１℃）であり、結晶化開始温度Ｔxが８１１Ｋ（５３８
℃）であり、この結果からΔＴxを求めると３７Ｋであ
ることがわかる。以上の結果から、得られた非晶質軟磁
性合金粉末は、２０Ｋ以上のΔＴxを有するとともに非
晶質相を主体とする金属ガラス合金であることが分か
る。

【００９０】次に図４に示すように、アトライタ処理前
の非晶質合金粉末（アトマイズ粉）に含まれる粒子はア
スペクト比がほぼ１の球状粒子である。この球状粒子を
アトライタで粉砕混合すると図５〜図８に示すように、
処理時間の経過に伴い扁平化が進行してアスペクト比が
向上することが明らかになった。即ち、図８に示す処理
時間８時間後の扁平型粒子は、厚さが１〜２μｍ、粒子
の最長径が２０〜５０μｍ、アスペクト比が１０〜５０
の範囲のものとなった。

【００９１】「実験例２：電波吸収体の特性（１）」 （実施例１〜８のリング試料）実験例１の場合と同様に
して、ガスアトマイズ法により、Ｆｅ₇₇Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ
_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ_2.87なる組成の粒径が６２μｍ以下の球状
粒子からなる非晶質合金粉末（アトマイズ粉）を得た。
次に、上記の球状粒子を含む非晶質合金粉末をアトライ
タに投入し、処理時間４時間の条件で粉砕混合して球状
粒子を扁平型粒子として非晶質軟磁性合金粉末を得た。

【００９２】そして、得られた非晶質軟磁性合金粉末に
対して結着剤としてシリコーンエラストマー（東レダウ
コーニング社製ＳＥ９１４０）を２０〜５０体積％の範
囲で混合し、これらの混合粉末を油圧プレス装置にて固
化成形することにより、外径７.４ｍｍ、内径３.２ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの比較例１および実施例１〜３のリング
試料を得た。また、得られた非晶質軟磁性合金粉末に対
して結着剤としてシリコーンエラストマー（東レダウコ
ーニング社製ＳＥ９１４０）を２０〜５０体積％の範囲
で混合し、これらの混合粉末をプラズマ焼結装置にて成
形温度１５０℃、成形圧力５７２ＭＰａ（２ｔ）の条件
で固化成形することにより、外径７．４ｍｍ、内径３.
２ｍｍ、厚さ１ｍｍの実施例４〜８のリング試料を得
た。また、上記実施例１〜８のリング試料を、赤外線イ
メージ炉に投入し、窒素ガスフロー雰囲気中にて４０℃
／分の割合で昇温し、４００℃にて３０分間加熱する熱
処理を施した。尚、比較例１及び実施例１〜３について
は、熱処理を同一条件で２回行った。

【００９３】熱処理前及び熱処理後の比較例１及び実施
例１〜８について、固化成形条件（成型方法）、密度、
抵抗値、100ＭＨｚにおける実効透磁率μ’及び虚数透
磁率μ”、1ＧＨｚにおける実効透磁率μ’及び虚数透
磁率μ”をそれぞれ求めた。結果を表１に示す。

【００９４】

【表１】

【００９５】表１から明らかなように、いずれの実施例
も熱処理後において、1ＧＨｚにおける虚数透磁率が６
以上となっており、特に実施例１、３、５、６、７、８
は１ＧＨｚの虚数透磁率が１０以上となっている。ま
た、密度はアニール前後で3.0g/cm³を越えており、更に
直流抵抗値はいずれも100Ω以上を示しており、インピ
ーダンスも高くなっていると考えられる。中でも実施例
７及び８は、100〜120Ω程度と比較的低い直流抵抗値を
示しており、虚数透磁率μ”が低いことが予想された
が、実際には表１に示すように１０〜１７程度と高い値
を示している。

【００９６】このように実施例７及び８の抵抗値が低い
にも係わらず、高い虚数透磁率μ”を示す理由は、これ
らの１００ＭＨｚにおける実効透磁率μ’が３４〜１３
０と他の実施例の場合より高くなっており、この低周波
数帯域の高い実効透磁率μ’が１ＧＨｚにおける虚数透
磁率μ”に反映されたためと考えられる。更に実施例７
及び８は磁性材料である金属ガラス合金の含有率が８０
体積％と高いため、実効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”
に表される軟磁気特性が向上したものと考えられる。
尚、金属ガラス合金が８０体積％でも１００Ω程度の抵
抗値を示しているのは、固化成形温度が１５０℃(４２
３Ｋ)と比較的低いため、シリコーンエラストマーによ
り絶縁効果が有効に作用しているためと考えられる。

【００９７】このように、固化成形時の温度を１５０℃
(４２３Ｋ)程度にすることで、絶縁性及び虚数透磁率
μ”に優れた電波吸収体が得られることが分かる。尚、
固化成形方法の違いによる各種特性の大きな相違は見ら
れなかった。

【００９８】実施例４の１ＧＨｚにおける虚数透磁率が
８.４と１０以下であるが、これでも電波吸収体として
は十分な値を示している。これに対し、比較例１につい
ては、軟磁性合金の含有率は５０体積％となっているも
のの、熱処理後の密度が３.０g/cm³以下であり、これに
より虚数透磁率μ”が小さくなったものと考えられる。

【００９９】図９に実施例４の実効透磁率μ’の周波数
特性を示し、図１０に実施例５の虚数透磁率μ”の周波
数特性を示し、図１１に実施例５の実効透磁率μ’の周
波数特性を示し、図１２に実施例５の虚数透磁率μ”の
周波数特性を示し、図１３に実施例６の実効透磁率μ’
の周波数特性を示し、図１４に実施例６の虚数透磁率
μ”の周波数特性を示し、図１５に実施例７の実効透磁
率μ’の周波数特性を示し、図１６には実施例７の虚数
透磁率μ”の周波数特性を示す。

【０１００】いずれの実施例の場合も、実効透磁率μ’
が０.０１ＧＨｚを過ぎた付近から低下し(図９，１１，
１３，１５)、それと入れ替わるように虚数透磁率μ”
が０.０１ＧＨｚを越えた付近から向上していることが
分かる(図１０，１２，１４，１６)。また、実効透磁率
μ’及び虚数透磁率μ”の両方が、熱処理によって大幅
に向上することが分かる。特に図１６を見ると、０.０
７ＧＨｚ(７０ＭＨｚ)付近で虚数透磁率μ”が５０近く
まで向上し、1ＧＨｚ付近でも１０程度の虚数透磁率
μ”を示しており、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域で虚数透
磁率μ”が高い値を示すことがわかる。

【０１０１】（比較例２〜５のリング試料）実験例１の
場合と同様にして、ガスアトマイズ法により、Ｆｅ₇₇Ａ
ｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ_2.87なる組成の粒径６２μｍ
以下の球状粒子からなる非晶質合金粉末（アトマイズ
粉）を得た。次に、上記の球状粒子を含む非晶質合金粉
末をアトライタに投入し、処理時間２０時間の条件で粉
砕混合して球状粒子を扁平型粒子として非晶質軟磁性合
金粉末を得た。

【０１０２】そして、得られた非晶質軟磁性合金粉末に
対して結着剤としてシリコーンエラストマー（東レダウ
コーニング社製ＳＥ９１４０）を２０〜４０体積％の範
囲で混合し、これらの混合粉末を油圧プレス装置にて成
形温度１５０℃、成形圧力５７２ＭＰａ（２ｔ）の条件
で固化成形することにより、外径７.４ｍｍ、内径３.２
ｍｍ、厚さ１ｍｍの比較例１〜３のリング試料を得た。
また、得られた非晶質軟磁性合金粉末に対して結着剤と
してシリコーンエラストマー（東レダウコーニング社製
ＳＥ９１４０）を２０〜４０体積％の範囲で混合し、こ
れらの混合粉末をプラズマ焼結装置にて成形温度１５０
℃、成形圧力５７２ＭＰａ（２ｔ）の条件で固化成形す
ることにより、外径７.４ｍｍ、内径３.２ｍｍ、厚さ１
ｍｍの比較例４〜６のリング試料を得た。また、上記比
較例２〜５のリング試料を、赤外線イメージ炉に投入
し、窒素ガスフロー雰囲気中にて４０℃／分の割合で昇
温し、４００℃にて６０分間加熱する熱処理を施した。

【０１０３】熱処理前及び熱処理後の比較例２〜５につ
いて、固化成形条件（成型方法）、密度、抵抗値、１０
０ＭＨｚにおける実効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”、
1ＧＨｚにおける実効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”を
それぞれ求めた。結果を表２に示す。

【０１０４】

【表２】

【０１０５】表２に示すように、固化成形方法によら
ず、どの試料も抵抗値が１k〜１０MΩと高いものの、密
度が３.０g/cm³以下であるとともに１ＧＨｚでの虚数透
磁率μ”が６以下になっている。これは、非晶質軟磁性
合金粉末のアトライタ処理時間が２０時間であり、実施
例１〜９の場合（４時間）よりも長く、このため扁平型
粒子のアスペクト比が１１０程度と過大になり、リング
試料内部で扁平型粒子同士の間で隙間が生じ、これによ
り扁平型粒子それぞれの反磁界の影響が大きくなって虚
数透磁率μ”が低下したものと考えられる。

【０１０６】上記のアトライタ処理時間と扁平型粒子同
士の隙間との関係を示す写真を図１７〜図２０に示す。
図１７は実施例１（熱処理１回）のリング試料の断面写
真(倍率４００倍)であり、図１８は図１７の拡大写真
(倍率１５００倍)である。また、図１９は比較例２（熱
処理１回）のリング試料の断面写真(倍率３００倍)であ
り、図２０は図１９の拡大写真(倍率３０００倍)であ
る。特に図１８と図２０を比較すれば明らかであるが、
処理時間４時間の実施例２では、扁平粒子同士が密に重
なり合っているが(図１８)、処理時間２０時間の比較例
２では、扁平粒子同士の間に隙間があることが分かる。
従って、アトライタによる処理をあまり長時間行うと、
扁平型粒子のアスペクト比が過大になって密度が低下
し、虚数透磁率μ”が低くなるので、アトライタの処理
時間としては、１０分〜１６時間の範囲が好ましいもの
と考えられる。

【０１０７】更に図２１には、実施例６及び７と、Ｆｅ
ＡｌＳｉ合金粉末からなる従来の電波吸収体の実効透磁
率μ’の周波数特性を示し、図２２には虚数透磁率μ”
の周波数特性を示す。特に図２２から明らかなように、
熱処理後の実施例７及び８は、従来のＦｅＡｌＳｉ合金
粉末からなる電波吸収体よりも虚数透磁率μ”が高くな
っており、特に１ＧＨｚにおいて実施例６の虚数透磁率
μ”が１９.２、実施例７の虚数透磁率μ”が１４.２で
あるのに対して、従来の電波吸収体は１ＧＨｚでの虚数
透磁率μ”が４.０になっており、明らかに本発明に係
るリング試料の方が優れた値を示している。

【０１０８】尚、図２３には、比較例４及び５と、Ｆｅ
ＡｌＳｉ合金粉末からなる従来の電波吸収体の実効透磁
率μ’の周波数特性を示し、図２４には虚数透磁率μ”
の周波数特性を示す。図２４から明らかなように、熱処
理後の比較例４及び５と従来の電波吸収体は虚数透磁率
μ”がほぼ同程度である。従って、アトライタ処理を２
０時間まで行うと、従来の電波吸収体と同程度まで虚数
透磁率μ”が低下することが明らかになった。

【０１０９】（実施例９〜１３のリング試料）実験例１
の場合と同様にして、ガスアトマイズ法により、Ｆｅ₇₇
Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ_2.87なる組成の粒径６２μ
ｍ以下の球状粒子からなる非晶質合金粉末（アトマイズ
粉）を得た。次に、上記の球状粒子を含む非晶質合金粉
末をアトライタに投入し、処理時間４時間の条件で粉砕
混合して球状粒子を扁平型粒子として非晶質軟磁性合金
粉末を得た。

【０１１０】そして、得られた非晶質軟磁性合金粉末に
対して結着剤としてシリコーンエラストマー（東レダウ
コーニング社製ＳＥ９１４０）を３０〜４０体積％の範
囲で混合し、これらの混合粉末をプラズマ焼結装置にて
成形温度１５０℃（４２３Ｋ）〜３５０℃（６２３
Ｋ）、成形圧力８６０ＭＰａ（３ｔ）の条件で固化成形
すると同時に熱処理することにより、外径７．４ｍｍ、
内径３．２ｍｍ、厚さ１ｍｍの実施例９〜１３のリング
試料を得た。固化成形後の熱処理時間は１５分とした。
尚、実施例９及び１０については、赤外線イメージ炉に
投入して窒素ガスフロー雰囲気中にて４０℃／分の割合
で昇温し、４００℃にて３０分間加熱する熱処理を再度
施した。

【０１１１】実施例９〜１３について、固化成形条件
（成型方法）、密度、抵抗値、１００ＭＨｚにおける実
効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”、１ＧＨｚにおける実
効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”をそれぞれ求めた。結
果を表３に示す。

【０１１２】

【表３】

【０１１３】表３に示すように、実施例９の再熱処理な
しのものは、固化成形と同時に熱処理されているため、
密度、抵抗値、１ＧＨｚの虚数透磁率μ”のいずれもが
高い値を示している。一方、実施例１０の再滅処理した
ものは虚数透磁率μ”が低下しており、固化成形と同時
に熱処理したものに再度の熱処理を行うと、虚数透磁率
μ”が低下することがわかる。一方、比較例６では、金
属ガラス合金の含有量が７０体積％と比較的高いため、
抵抗値が小さくなって虚数透磁率μ”が低下しているこ
とがわかる。従って、固化成形と同時に熱処理する場合
は、金属ガラス合金の含有率を７０体積％未満にするこ
とが好ましいことが分かる。

【０１１４】また、実施例１０〜１３は、１５０〜３５
０℃の範囲で固化成形と同時に熱処理したもので、いず
れも優れた虚数透磁率μ”を示しており、この温度範囲
が最適な範囲であると考えられる。

【０１１５】（実施例１４〜１９のリング試料）実験例
１の場合と同様にして、ガスアトマイズ法により、Ｆｅ
₇₇Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ_2.87なる組成の球状粒子
からなる非晶質合金粉末（アトマイズ粉）を得た。次
に、上記の球状粒子を含む非晶質合金粉末をアトライタ
に投入し、処理時間４時間の条件で粉砕混合して球状粒
子を扁平型粒子として非晶質軟磁性合金粉末を得た。得
られた非晶質軟磁性合金粉末を、粒径２５μｍ以下でア
スペクト比が１２のものと、粒径２５〜４６μｍでアス
ペクト比が１２〜３０のものとにふるい分けした。

【０１１６】次にふるい分け後の各合金粉末に水ガラス
を添加して、各合金粉末に含まれる扁平粒子を水ガラス
で被覆した。そして、上記の被覆済みの非晶質軟磁性合
金粉末に対して結着剤としてシリコーンエラストマー
（東レダウコーニング社製ＳＥ９１４０）を４０体積％
添加して混合し、これらの混合粉末をプラズマ焼結装置
にて成形温度１５０℃（４２３Ｋ）〜２５０℃（５２３
Ｋ）、成形圧力０〜１４３ＭＰａ（０.５ｔ）の条件で
固化成形すると同時に熱処理することにより、外径７.
４ｍｍ、内径３.２ｍｍ、厚さ１ｍｍの実施例１４〜１
９のリング試料を得た。尚、水ガラスの含有率はリング
試料の全体に対して２０体積％であり、固化成形後の熱
処理時間は１５分とした。更に、得られたリング試料に
ついて、赤外線イメージ炉に投入して窒素ガスフロー雰
囲気中にて４０℃／分の割合で昇温し、４００℃にて３
０分間加熱する熱処理を再度施した。

【０１１７】尚、実施例１４及び１５は粒径２５μｍ以
下の非晶質軟磁性合金粉末を用いたものであり、実施例
１６及び１７は粒径２５〜４６μｍの粉末を用いたもの
であり、実施例１８及び１９は粒径１０５μｍ以上の粉
末を用いたものである。

【０１１８】実施例１４〜１９について、固化成形条件
（成型方法）、密度、抵抗値、１００ＭＨｚにおける実
効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”、１ＧＨｚにおける実
効透磁率μ’及び虚数透磁率μ”をそれぞれ求めた。結
果を表４に示す。

【０１１９】

【表４】

【０１２０】表４に示すように、水ガラスで扁平型粒子
を被覆することにより、抵抗値が数百〜数ＭΩと比較的
高くなっている。また虚数透磁率μ”については、表４
に示す１ＧＨｚにおけるものは１０以下と低い値である
が、３〜４ＧＨｚにおける虚数透磁率μ”は１５〜２０
程度に向上しており、この周波数帯域における電波の遮
蔽効果に優れることが分かる。

【０１２１】図２５には、実施例９の虚数透磁率μ”の
周波数特性を示す。実施例９では、２ＧＨｚにおける虚
数透磁率μ”が１５程度であり、実施例９の１ＧＨｚに
おける虚数透磁率μ”が２２と非常に高い値を示してい
る。このように、本発明に係る実施例９のリング試料
は、１００ＭＨｚ〜２ＧＨｚの幅広い周波数帯域で高い
虚数透磁率μ”を示しており、電波吸収体として優れて
いることがわかる。

【０１２２】「塩素化ポリエチレンを結着剤とする場合
の試験例」実験例１の場合と同様にして、ガスアトマイ
ズ法により、Ｆｅ_75.21Ｃｒ_1.98Ｐ_9.14Ｃ_2.18Ｂ_7.62Ｓ
ｉ_3.87なる組成の球状粒子からなる非晶質合金粉末（水
アトマイズ粉）を得た。この粉末をアトライタで粉砕す
る場合の時間の違いにより、最終的に得られる電波吸収
体の特性に対する影響と、離型材としてステアリン酸亜
鉛を１重量％添加した場合に最終的に得られる電波吸収
体の特性に対する影響と、混練時の剪断応力の違いによ
り最終的に得られる電波吸収体の特性に対する影響を調
べた。

【０１２３】先の試験例で用いたアトライタに４〜１６
時間かけて偏平型の種々の粒径の非晶質合金粉末を得る
ことができ、この非晶質合金粉末に４５体積％の割合に
なるように塩素化ポリエチレンを混同し、混練機（ブラ
ベンダー）の撹拌プロペラのトルクを調整して３０ｒｐ
ｍになるように混練した場合に標準剪断応力で混練した
こととし、１５ｒｐｍになるように混練した場合に低剪
断応力とした。また、ステアリン酸亜鉛を添加した混練
物と添加していない混練物をそれぞれ作成するととも
に、得られた各混練物を１００℃にて熱プレス成形し、
冷プレスにて固定を行ってシート状の電波吸収体を得
た。なお、前記の塩素化ポリエチレンの中には２０％の
割合で可塑剤である塩素化パラフィンが含まれているも
のとした。

【０１２４】得られたシート状の各電波吸収体から試験
片を切り出し、インピーダンス法（マテリアルアナライ
ザー使用）にて１ＭＨｚ〜１.８ＧＨｚの帯域で透磁率
を測定するとともに、同軸管法（Ｓパラメータ法）にて
０.５〜１８ＧＨｚの帯域で透磁率を測定した。図２６
は、アトライタ処理時間４時間により粒径４０μｍ以
下、厚さ２μｍ以下の偏平型非晶質軟磁性合金粉末を
得、これに塩素化ポリエチレンを４５体積％混合し、標
準専断力で撹拌し、先の条件でプレスして厚さ０.５５
ｍｍのシート状の電波吸収体試料としたものの測定結果
を示す。また、この電波吸収体試料の密度は３.８２ｇ
／ｍｍ³であった。

【０１２５】図２７は、アトライタ処理時間４時間によ
り粒径４０μｍ以下、厚さ２μｍ以下の偏平型非晶質軟
磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエチレンを４５体
積％混合し、塩素化ポリエチレンに対して１重量％のス
テアリン酸亜鉛を加え、低専断力で撹拌し、先の条件で
プレスして厚さ０.５３ｍｍのシート状の電波吸収体試
料としたものの測定結果を示す。また、この電波吸収体
試料の密度は３.７１ｇ／ｍｍ³であった。図２８は、ア
トライタ処理時間４時間により粒径４０μｍ以下、厚さ
２μｍ以下の偏平型非晶質軟磁性合金粉末を得、これに
塩素化ポリエチレンを４５体積％混合し、塩素化ポリエ
チレンに対して１重量％のステアリン酸亜鉛を加え、標
準専断力で撹拌し、先の条件でプレスして厚さ０.５３
ｍｍのシート状の電波吸収体試料としたものの測定結果
を示す。また、この電波吸収体試料の密度は３.７６ｇ
／ｍｍ³であった。図２９は、アトライタ処理時間４時
間により粒径４０μｍ以下、厚さ２μｍ以下の偏平型非
晶質軟磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエチレンを
５０体積％混合し、標準専断力で撹拌し、先の条件でプ
レスして厚さ０.５５ｍｍのシート状の電波吸収体試料
としたものの測定結果を示す。また、この電波吸収体試
料の密度は３.８６ｇ／ｍｍ³であった。

【０１２６】図３０は、アトライタ処理時間４時間によ
り粒径４０μｍ以下、厚さ２μｍ以下の偏平型非晶質軟
磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエチレンを５０体
積％混合し、低専断力で撹拌し、先の条件でプレスして
０.５５ｍｍのシート状の電波吸収体試料としたものの
測定結果を示す。また、この電波吸収体試料の密度は
３.８８ｇ／ｍｍ³であった。図３１は、アトライタ処理
時間４時間により粒径４０μｍ以下、厚さ２μｍ以下の
偏平型非晶質軟磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエ
チレンを５０体積％混合し、塩素化ポリエチレンに対し
て１重量％のステアリン酸亜鉛を加え、標準専断力で撹
拌し、先の条件でプレスして厚さ０.５５ｍｍのシート
状の電波吸収体試料としたものの測定結果を示す。ま
た、この電波吸収体試料の密度は３.９１ｇ／ｍｍ³であ
った。

【０１２７】図３２は、アトライタ処理時間１６時間に
より粒径４０μｍ以下、厚さ０.５μｍ以下の偏平型非
晶質軟磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエチレンを
４５体積％混合し、標準専断力で撹拌し、先の条件でプ
レスして厚さ０.５６ｍｍのシート状の電波吸収体試料
としたものの測定結果を示す。また、この電波吸収体試
料の密度は３.６８ｇ／ｍｍ³であった。図３３は、アト
ライタ処理時間１時間により粒径７０μｍ以下、厚さ７
μｍ以下の偏平型非晶質軟磁性合金粉末を得、これに塩
素化ポリエチレンを４５体積％混合し、標準専断力で撹
拌し、先の条件でプレスして厚さ０.５５ｍｍのシート
状の電波吸収体試料としたものの測定結果を示す。ま
た、この電波吸収体試料の密度は３.８３ｇ／ｍｍ³であ
った。

【０１２８】図３４は、アトライタ処理時間２時間によ
り粒径５０μｍ以下、厚さ５μｍ以下の偏平型非晶質軟
磁性合金粉末を得、これに塩素化ポリエチレンを４５体
積％混合し、標準専断力で撹拌し、先の条件でプレスし
て厚さ０.５５ｍｍのシート状の電波吸収体試料とした
ものの測定結果を示す。また、この電波吸収体試料の密
度は３.８０ｇ／ｍｍ³であった。図３５は、アトライタ
処理時間８時間により粒径４０μｍ以下、厚さ１μｍ以
下の偏平型非晶質軟磁性合金粉末を得、これに塩素化ポ
リエチレンを４５体積％混合し、標準専断力で撹拌し、
先の条件でプレスして厚さ０.５６ｍｍのシート状の電
波吸収体試料としたものの測定結果を示す。また、この
電波吸収体試料の密度は３.６３ｇ／ｍｍ³であった。

【０１２９】図３６は、アトライタ処理時間４時間によ
り得た球状の非晶質軟磁性合金粉末を用い、これに塩素
化ポリエチレンを４５体積％混合し、標準専断力で撹拌
し、先の条件でプレスして厚さ０.５７ｍｍのシート状
の電波吸収体試料としたものの測定結果を示す。また、
この電波吸収体試料の密度は３.８３ｇ／ｍｍ³であっ
た。 図３７は、アトライタ処理時間４時間により得た
球状の非晶質軟磁性合金粉末を用い、これに塩素化ポリ
エチレンを５０体積％混合し、標準専断力で撹拌し、先
の条件でプレスして厚さ０.５７ｍｍのシート状の電波
吸収体試料としたものの測定結果を示す。また、この電
波吸収体試料の密度は３.８３ｇ／ｍｍ³であった。

【０１３０】図３８は、これら図２６〜図３７に示す実
効透磁率μ’の値を選択してアトライタ処理時間、１時
間、２時間、４時間、８時間、１６時間の各試料と球状
粉末を用いた値を比較して示す図である。図３９は先の
図２６〜図３７に示す虚数透磁率μ”の値を選択してア
トライタ処理時間、１時間、２時間、４時間、８時間、
１６時間の各試料と球状粉末を用いた値を比較して示す
図である。図３８と図３９に示す特性から見ると、アト
ライタの処理時間については、２〜８時間の間が好まし
いと思われる。また、図２６〜図３７に示す結果から、
アトライタ処理時間２〜８時間の試料であるならば、１
ＧＨｚ〜３ＧＨｚにおいて６以上の虚数透磁率μ”を得
られることが判明した。

【０１３１】図４０はアトライタ処理４時間のシート状
試料の厚さ方向の断面写真(倍率３０００倍)であり、偏
平状のＦｅ基非晶質軟磁性合金粉末の集合体であること
がわかる。図４１は先の図２６の例と同じ条件で製造し
た電波吸収体試料において、Ｆｅ基非晶質軟磁性合金の
配合量のみを４０、４５、５０、５５体積％の４通りに
変更して製造した各電波吸収体試料の密度の測定値を示
す。非晶質軟磁性合金の組成は先の例と同じＦｅ_75.21
Ｃｒ_1.98Ｐ_9.14Ｃ_2.18Ｂ_7.62Ｓｉ_3.87なる組成である。
図４１に示す測定結果によれば、理論密度は非晶質軟磁
性合金の配合量を増やすほど向上するが、実際の密度は
非晶質軟磁性合金の配合量が多くなるほど理論密度と乖
離し、４５〜５５体積％の範囲ではほとんど上昇してい
ないことが判明した。これは、混合する際にわずかの空
気が混入するため、密度向上に限界を生じたものと思わ
れる。また、５５体積％を越える配合量としても、逆に
電波吸収体が脆くなって塩素化ポリエチレンを配合した
ことによる利点の１つである軟質で変形が可能であると
いう利点がなくなる。従って非晶質軟磁性合金の配合量
は多くても理論密度と解離が生じる。逆に配合量を４０
体積％よりも低くしても非晶質軟磁性合金の量が少なく
なって電波吸収効果は低下することとなる。このような
見地から、塩素化ポリエチレンを結着剤とする場合、非
晶質軟磁性合金の配合量は４０体積％以上、５５体積％
以下の範囲が好ましいと考えられる。

【０１３２】また、図４２に示す結果から見れば、密度
３.４０〜３.７３近傍までは密度が高くなるにつれて虚
数透磁率μ”は単調に上昇するが、密度が３.７５ｇ／
ｃｍ³あたりを越えると逆に虚数透磁率μ”は急激に低
下する。これは、非晶質軟磁性合金の周囲を覆っている
樹脂分が減少し、非晶質軟磁性合金の粒子どうしの絶縁
性が確保されなくなったことを意味すると考えられる。
このことから、非晶質軟磁性合金の密度は３.５以上、
３.８０以下の範囲が好ましいと思われる。

【０１３３】図４３は先のＦｅ_75.21Ｃｒ_1.98Ｐ_9.14Ｃ
_2.18Ｂ_7.62Ｓｉ_3.87なる組成の非晶質軟磁性合金粉末を
用いて先の図２６の条件で得られた電波吸収体試料の周
波数毎の虚数透磁率μ”の測定値と、熱処理を施して微
結晶を生成させるＦｅＮｂＳｉＢＣｕ系の軟磁性合金粉
末（粒径２０μｍ）に塩素化ポリエチレンを４５体積％
配合して得た電波吸収体試料の虚数透磁率μ”の測定値
と、ＦｅＣｒ系の軟磁性合金粉末（粒径２０μｍ）に塩
素化ポリエチレンを４５体積％配合して得た電波吸収体
試料の虚数透磁率μ”の測定値と、ＦｅＡｌＳｉ系の軟
磁性合金粉末（粒径３０μｍ）に塩素化ポリエチレンを
４５体積％配合して得た電波吸収体試料の虚数透磁率
μ”の測定値を比較して示す図である。これら各試料の
特性比較から本発明に係るＦｅ_75.21Ｃｒ_1.98Ｐ_9.14Ｃ
_2.18Ｂ_{7 .62}Ｓｉ_3.87なる組成の非晶質軟磁性合金粉末を
用いた試料の虚数透磁率μ”の値が１ＭＨｚ〜１０ＧＨ
ｚの広い範囲で優れていることが明らかである。特に本
発明試料は、４ＭＨｚ〜４ＧＨｚの範囲においては他の
いずれの材料を用いた試料よりも優れた電波吸収特性が
得られることが判明した。なお、ＦｅＮｂＳｉＢＣｕ系
の比較例試料の場合、本発明に係る試料と同等の虚数透
磁率μ''が得られているが、この比較例試料の場合、成
形時の加熱以外に微結晶化のために高い温度で熱処理を
必ず行わなくてはならず、工数がかかり、コスト高とな
る。

【０１３４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
電波吸収体によれば、過冷却液体の温度間隔ΔＴxが２
５Ｋ以上のＦｅ基非晶質軟磁性合金粉末が樹脂からなる
結着剤とともに固化成形されているので、Ｆｅ基非晶質
軟磁性合金粉末が結着剤により絶縁されて電波吸収体自
体のインピーダンスが高められ、これにより渦電流の発
生が抑制されて数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域にお
ける複素透磁率の虚数部μ”を幅広い範囲で６以上と高
くすることができ、高周波帯域での電磁波抑制効果を向
上できる。

【０１３５】また、本発明の電波吸収体によれば、結着
剤としてシリコーンエラストマーを用いたものでは、１
ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部μ”が１０以上であ
るので、ＧＨｚ帯域での電磁波抑制効果をより高めるこ
とができる。結着剤として塩素化ポリエチレンを用いた
ものでは、１ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部μ”が
６以上であるので、ＧＨｚ帯域での電磁波抑制効果を高
めることができるとともに、塩素化ポリエチレン自体が
軟質のものであるので、自由に変形させることが可能
で、切り取りなども自在にできる。よって、使用目的の
場所に添わせて変形させて設置することが可能であり、
取り扱い性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明で用いる球状粒子を含む非晶
質合金粉末を製造する際に用いて好適な高圧ガス噴霧装
置（アトマイズ装置）の一構造例を示す断面模式図であ
る。

【図２】 図２はＦｅ₇₇Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ
_2.87なる組成の非晶質軟磁性合金粉末のＸ線回折結果を
示すグラフである。

【図３】 図３はＦｅ₇₇Ａｌ₁Ｐ_9.23Ｃ_2.2Ｂ_7.7Ｓｉ
_2.87なる組成の非晶質軟磁性合金粉末のＤＳＣ曲線を示
すグラフである。

【図４】 図４はアトライタ処理前の非晶質軟磁性合
金粉末のＳＥＭ写真である。

【図５】 図５はアトライタ処理を１時間行った後の
非晶質軟磁性合金粉末のＳＥＭ写真である。

【図６】 図６はアトライタ処理を２時間行った後の
非晶質軟磁性合金粉末のＳＥＭ写真である。

【図７】 図７はアトライタ処理を４時間行った後の
非晶質軟磁性合金粉末のＳＥＭ写真である。

【図８】 図８はアトライタ処理を８時間行った後の
非晶質軟磁性合金粉末のＳＥＭ写真である。

【図９】 図９は実施例４のリング試料の実効透磁率
μ’の周波数特性を示すグラフである。

【図１０】 図１０は実施例４のリング試料の虚数透
磁率μ”の周波数特性を示すグラフである。

【図１１】 図１１は実施例５のリング試料の実効透
磁率μ’の周波数特性を示すグラフである。

【図１２】 図１２は実施例５のリング試料の虚数透
磁率μ”の周波数特性を示すグラフである。

【図１３】 図１３は実施例６のリング試料の実効透
磁率μ’の周波数特性を示すグラフである。

【図１４】 図１４は実施例６のリング試料の虚数透
磁率μ”の周波数特性を示すグラフである。

【図１５】 図１５は実施例７のリング試料の実効透
磁率μ’の周波数特性を示すグラフである。

【図１６】 図１６は実施例７のリング試料の虚数透
磁率μ”の周波数特性を示すグラフである。

【図１７】 図１７は実施例１（熱処理１回）のリン
グ試料の断面ＳＥＭ写真(倍率400倍)である。

【図１８】 図１８は図１７の拡大写真(倍率1500倍)
である。

【図１９】 図１９は比較例２（熱処理１回）のリン
グ試料の断面ＳＥＭ写真(倍率300倍)である。

【図２０】 図２０は図１９の拡大写真(倍率3000倍)
である。

【図２１】 図２１は実施例６、実施例７及び、FeAlS
i合金粉末からなる従来の電波吸収体の実効透磁率μ’
の周波数特性を示すグラフである。

【図２２】 図２２は実施例６、実施例７及び、FeAlS
i合金粉末からなる従来の電波吸収体の虚数透磁率μ”
の周波数特性を示すグラフである。

【図２３】 図２３は比較例４、比較例５及び、FeAlS
i合金粉末からなる従来の電波吸収体の実効透磁率μ’
の周波数特性を示すグラフである。

【図２４】 図２４は比較例４、比較例５及び、FeAlS
i合金粉末からなる従来の電波吸収体の虚数透磁率μ”
の周波数特性を示すグラフである。

【図２５】 図２５は実施例９の虚数透磁率μ”の周
波数特性を示すグラフである。

【図２６】 図２６は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第１の例を示す図である。

【図２７】 図２７は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第２の例を示す図である。

【図２８】 図２８は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第３の例を示す図である。

【図２９】 図２９は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第４の例を示す図である。

【図３０】 図３０は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第５の例を示す図である。

【図３１】 図３１は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第６の例を示す図である。

【図３２】 図３２は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第７の例を示す図である。

【図３３】 図３３は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第８の例を示す図である。

【図３４】 図３４は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第９の例を示す図である。

【図３５】 図３５は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第１０の例を示す図である。

【図３６】 図３６は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第１１の例を示す図である。

【図３７】 図３７は塩素化ポリエチレンを非晶質軟
磁性合金粉末に混合してなるシート状の電波吸収体試料
の第１２の例を示す図である。

【図３８】 図３８は図２６〜図３７に示す各試料の
実効透磁率をまとめて示す図である。

【図３９】 図３９は図２６〜図３７に示す各試料の
虚数透磁率をまとめて示す図である。

【図４０】 図４０は先の例のシート状の電波吸収体
の断面組織写真を示す図である。

【図４１】 図４１は先の試料における非晶質軟磁性
合金配合量と密度の関係を示す図である。

【図４２】 図４２は先の試料における電波吸収体の
密度と虚数透磁率の関係を示す図である。

【図４３】 図４３は先の試料と比較材としての他の
組成系の軟磁性合金粉末を塩素化ポリエチレンに配合し
てなる試料の虚数透磁率の周波数特性を比較して示す図
である。

【符号の説明】

１ 高圧ガス噴霧装置（アトマイズ装置） ２ 溶湯るつぼ ３ ガス噴霧器 ４ チャンバ ５ 合金溶湯 ６ 溶湯ノズル ８ ガス噴射ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 好弘 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 羽山 剛 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 大西 人司 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E040 AA11 BD03 CA13 HB11 5E041 AA11 BD03 CA10 5E321 BB32 BB53 BB60 GG11

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ΔＴx＝Ｔx-Ｔg(ただしＴxは結晶化開始
   温度であり、Ｔgはガラス遷移温度である。)の式で表さ
   れる過冷却液体の温度間隔ΔＴxが２５Ｋ以上のＦｅ基
   非晶質軟磁性合金と樹脂とを混合してなる電波吸収体。
2. 【請求項２】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金が、Ｆｅと
   遷移金属とＢを含むことを特徴とする請求項１に記載の
   電波吸収体。
3. 【請求項３】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金が、Ｐ、
   Ｃ、Ｓｉのうちの少なくとも１種以上の半金属元素を含
   むことを特徴とする請求項２に記載の電波吸収体。
4. 【請求項４】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金の含有量が
   ４０〜５５体積％であることを特徴とする請求項１〜３
   のいずれかに記載の電波吸収体。
5. 【請求項５】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金に含まれる
   遷移金属が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖのうちの少なくとも１種以
   上であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
   に記載の電波吸収体。
6. 【請求項６】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金が粉末状態
   で含まれ、前記粉末の平均粒径が１〜８０μｍ、厚さが
   ０.１〜５μｍとされてなることを特徴とする請求項１
   ないし５のいずれかに記載の電波吸収体。
7. 【請求項７】 前記粉末のアスペクト比が１以上、８０
   ０以下であることを特徴とする請求項６に記載の電波吸
   収体。
8. 【請求項８】 前記粉末のアスペクト比が５以上、３０
   ０以下の範囲であることを特徴とする請求項６に記載の
   電波吸収体。
9. 【請求項９】 前記樹脂が熱可塑性樹脂であることを特
   徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の電波吸収
   体。
10. 【請求項１０】 前記樹脂が塩素化ポリエチレンからな
    ることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載
    の電波吸収体。
11. 【請求項１１】 前記樹脂がシリコーンエラストマーか
    らなり、該シリコーンエラストマーが結着剤となって固
    化成形されてなることを特徴とする請求項１ないし１０
    のいずれかに記載の電波吸収体。
12. 【請求項１２】 １ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部
    μ''が５以上であることを特徴とする請求項１ないし１
    １のいずれかに記載の電波吸収体。
13. 【請求項１３】 １ＧＨｚにおける複素透磁率の虚数部
    μ''が１０以上であることを特徴とする請求項１ないし
    １２のいずれかに記載の電波吸収体。
14. 【請求項１４】 密度が３.０ｇ／ｃｍ³以上であり、前
    記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金粉末の含有率が３０体積％以
    上、８０体積％以下であることを特徴とする請求項１な
    いし１３のいずれかに記載の電波吸収体。
15. 【請求項１５】 前記Ｆｅ基非晶質軟磁性合金の粉末粒
    子が水ガラスにより被覆されていることを特徴とする請
    求項６ないし請求項１４のいずれかに記載の電波吸収
    体。
16. 【請求項１６】 前記非晶質軟磁性合金が、Ｐ、Ｃ、Ｓ
    ｉ、Ｂのうちの１種以上の元素Ｑと、Ｆｅとを含み、非
    晶質相を主相とする組織からなることを特徴とする請求
    項１ないし請求項１５のいずれかに記載の電波吸収体。
17. 【請求項１７】 前記非晶質軟磁性合金粉末と前記結着
    剤とが混合されて固化成形された後、前記非晶質軟磁性
    合金のキュリー点温度(Ｔc)以上結晶化開始温度(Ｔx)以
    下の範囲で熱処理されてなることを特徴とする請求項１
    ６に記載の電波吸収体。
18. 【請求項１８】 前記非晶質軟磁性合金が下記の組成式
    で表されることを特徴とする請求項１６に記載の電波吸
    収体。 Ｆｅ_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
    種以上の元素であり、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔ
    は、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｙ≦１５原
    子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％≦ｗ≦
    １０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子％≦
    (１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−ｔ)≦７９原子％、１１原子
    ％≦(ｙ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％である。
19. 【請求項１９】 前記非晶質軟磁性合金が下記の組成式
    で表されることを特徴とする請求項１６に記載の電波吸
    収体。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-y-z-w-t}Ａｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
    種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
    は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｘ、ｙ、ｚ、
    ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０原子％≦ｘ≦１０
    原子％、２原子％≦ｙ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１
    １．５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦
    ｔ≦８原子％、７０原子％≦(１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ
    −ｔ)≦７９原子％、１１原子％≦(ｙ＋ｚ＋ｗ)≦３０
    原子％である。
20. 【請求項２０】 前記非晶質軟磁性合金が下記の組成式
    で表されることを特徴とする請求項１６に記載の電波吸
    収体。 Ｆｅ_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_zＢ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
    種の元素であり、組成比を示すｂ、ｘ、ｖ、ｚ、ｗ、ｔ
    は、０．１≦ｂ≦０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子
    ％、２原子％≦ｖ≦１５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．
    ５原子％、４原子％≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦
    ８原子％、７０原子％≦(１００−ｘ−ｙ−ｚ−ｗ−ｔ)
    ≦７９原子％、１１原子％≦(ｖ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％
    である。
21. 【請求項２１】 前記非晶質軟磁性合金が下記の組成式
    で表されることを特徴とする請求項１６に記載の電波吸
    収体。 （Ｆｅ_1-aＴ_a）_{100-x-v-z-w-t}Ａｌ_x（Ｐ_1-bＳｉ_b）_vＣ_z
    Ｂ_wＲ_t ただし、ＲはＣｒ、Ｍｏ、Ｖより選ばれる１種または２
    種の元素であり、ＴはＣｏ、Ｎｉより選ばれる１種また
    は２種の元素であり、組成比を示すａ、ｂ、ｘ、ｖ、
    ｚ、ｗ、ｔは、０．１≦ａ≦０．１５、０．１≦ｂ≦
    ０．２８、０原子％≦ｘ≦１０原子％、２原子％≦ｖ≦
    １５原子％、０原子％＜ｚ≦１１．５原子％、４原子％
    ≦ｗ≦１０原子％、０原子％≦ｔ≦８原子％、７０原子
    ％≦(１００−ｘ−ｖ−ｚ−ｗ−ｔ)≦７９原子％、１１
    原子％≦(ｖ＋ｚ＋ｗ)≦３０原子％である。
22. 【請求項２２】 非晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエ
    ラストマーからなる結着剤とを混合した後、３７３〜４
    ７３Ｋの温度で固化成形し、更に６００〜８５０Ｋの熱
    処理温度で熱処理することを特徴とする電波吸収体の製
    造方法。
23. 【請求項２３】 非晶質軟磁性合金粉末とシリコーンエ
    ラストマーからなる結着剤とを混合した後、４２３〜６
    ７３Ｋの温度で固化成形すると同時に熱処理することを
    特徴とする電波吸収体の製造方法。
24. 【請求項２４】 Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂのうちの１種以上の
    元素Ｑと、Ｆｅとを含む合金溶湯を急冷して球状の粒子
    を含む非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末をアトラ
    イタに投入して１０分〜１６時間の範囲で粉砕混合する
    ことにより、扁平型粒子を主として含む前記の非晶質軟
    磁性合金粉末を得ることを特徴とする請求項２１または
    請求項２２に記載の電波吸収体の製造方法。