JP2015046538A - 電磁干渉抑制シート及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有し、前記非晶質合金は、組成式が{Fea(SixByPz)1−a}100−bLb、LはAl、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる1種以上の元素であり、a、b、x、y、zは0.70≦a≦0.82、0<b≦8原子%、0.05≦x≦0.60、0.10≦y≦0.85、0.05≦z≦0.70、x+y=z=1を満たすものであり、10GHzにおける複素比透磁率μ’’が7以上である。
【選択図】図3
Description
組成式は原子%で、Fe77P9B11Nb2Crとなる軟磁性粒子を水アトマイズ法で作成し、X線回折により非晶質であることを確認した。
実施例と同じ組成の軟磁性粒子を、絶縁粒子を配合せず、そのまま扁平化処理を行い、扁平化した軟磁性粒子を400℃、2時間、窒素雰囲気中で熱処理した。
2 絶縁粒子
3 結合剤
11 軟磁性粒子小片
Claims (15)
- 鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
有機結合剤を主に含有し、
前記非晶質合金は、組成式が{Fea(SixByPz)1−a}100−bLb、LはAl、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる1種以上の元素であり、a、b、x、y、zは0.70≦a≦0.82、0<b≦8原子%、0.05≦x≦0.60、0.10≦y≦0.85、0.05≦z≦0.70、x+y=z=1を満たすものであり、
10GHzにおける複素比透磁率μ’’が7以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。 - 鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
有機結合剤を主に含有し、
前記非晶質合金は、組成式が(Fe1−aTMa)100−w−x−y−zPwBxLySiz、TMはCo、Niから選ばれる1種以上の元素であり、LはAl、V、Cr、Y、Zr、Mo、Nb、Ta、Wから選ばれる1種以上の元素であり、a、w、x、y、zは0≦a≦0.98原子%、2≦w≦16原子%、2≦x≦16原子%、0<y≦10原子%、0≦z≦8原子%を満たすものであり、
10GHzにおける複素比透磁率μ’’が7以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。 - 前記複素比透磁率μ’’の極大値が6GHz以上、10GHz以下にあることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電磁干渉抑制体。
- 非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有する成形シートを、
前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ100℃以上、300℃以下の温度により熱処理されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。 - 前記扁平状の軟磁性粒子は、体積平均粒径(D50)が10μm以上、60μm以下であり、
厚さtの平均値が0.5μm以上、1.5μm以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。 - 前記扁平状の軟磁性粒子は、
12.0×10−6以上、38.0×10−6以下の飽和磁歪λsを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。 - 前記扁平状の軟磁性粒子は、
17.0×10−6以上、38.0×10−6以下の飽和磁歪λsを有することを特徴とする請求項6に記載の電磁干渉抑制体。 - 前記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁束密度が1.2テスラ以上、1.6テスラ以下であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
- 前記有機結合剤は、アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
- さらに絶縁粒子を備え、
前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子が付着していることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。 - さらに軟磁性粒子小片を備え、
前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子を介して前記軟磁性粒子小片が付着していることを特徴とする請求項10に記載の電磁干渉抑制体。 - 前記絶縁粒子の10%累積体積平均粒径(D10)が1nm以上、かつ90%累積体積平均粒径(D90)が100nm以下であることを特徴とする請求項10か請求項11のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
- 前記軟磁性粒子小片の断面における長軸の長さL1と、前記軟磁性粒子の断面における長軸の長さL2の比(L1/L2)の平均値は、1/2より小さいことを特徴とする請求項11か請求項12のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
- 前記軟磁性粒子の断面において、前記軟磁性粒子に付着した前記絶縁粒子は、1個以上、30個未満であることを特徴とする請求項10から請求項13のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
- 組成式が{Fea(SixByPz)1−a}100−bLb、LはAl、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる1種以上の元素であり、a、b、x、y、zは0.70≦a≦0.82、0<b≦8原子%、0.05≦x≦0.60、0.10≦y≦0.85、0.05≦z≦0.70、x+y=z=1を満たすか、
または組成式が(Fe1−aTMa)100−w−x−y−zPwBxLySiz、TMはCo、Niから選ばれる1種以上の元素であり、LはAl、V、Cr、Y、Zr、Mo、Nb、Ta、Wから選ばれる1種以上の元素であり、a,w,x,y,zは0≦a≦0.98、2≦w≦16原子%、2≦x≦16原子%、0<y≦10原子%、0≦z≦8原子%を満たし、
飽和磁歪λsが17.0×10−6以上、28.0×10−6以下となる非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかである有機結合剤を主に含有するシートを成形し、
前記シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ100℃以上、300℃以下の温度により熱処理を行うことを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
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